JP6184341B2 - 半導体基板の切断方法 - Google Patents
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Description
また、特許文献2のように、あらかじめ半導体基板に溝を掘った後、レーザ光を吸収する液体を満たし、ここにレーザを照射することで、液体の体積膨張や蒸気圧により分割する方法も開示されている。
後の半導体素子が小型になるにつれ、支点間距離が狭まってしまう。これが、半導体基板厚に対して同等以下の距離になると、切断するための力が阻害され、半導体基板の分割ができなくなるという問題があった。
また、レーザを使用して液体の膨張圧を使用する方法では、半導体基板の種類や必要な清浄度により適当な液体が存在せず適用できなかったり、液体の飛散や浸透による半導体素子の汚染が問題になるため適用が難しいという問題があった。
半導体基板の表面あるいは内部に、前記半導体基板を厚み方向に切断する起点となる亀裂が形成されており、前記半導体基板の下面に前記半導体基板を保持する固定用シートを固定した半導体基板を厚み方向に切断する方法であって、前記半導体基板と前記固定用シートの界面に近い前記半導体基板の厚み方向の位置で、かつ前記亀裂に対応する位置にレーザ光を収束させつつ前記レーザ光を前記亀裂に沿って移動させながら照射し、前記半導体基板の内部の部材を加熱し蒸発させ、この蒸発物により、前記半導体基板と前記固定用シートの界面に圧力の高い空洞を形成することで、上方向に押し上げる力を発生させることにより、前記亀裂を前記半導体基板の厚み方向に進展させ、前記半導体基板を所定の位置で厚み方向に切断するものである。
また、この発明に係る半導体基板の切断方法は、
半導体基板の表面あるいは内部に、前記半導体基板を厚み方向に切断する起点となる亀裂を形成するとともに、前記半導体基板の下面に前記半導体基板を保持する固定用シートを固定した半導体基板を厚み方向に切断する方法であって、前記固定用シートの内部の厚み方向の位置で、かつ前記亀裂に対応する位置にレーザ光を収束させつつ前記レーザ光を前記亀裂に沿って移動させながら照射し、前記固定用シートの内部の部材を加熱し蒸発させることで、前記亀裂を前記半導体基板の厚み方向に進展させ、前記半導体基板を所定の位置で厚み方向に切断するものである。
また、固定用シート内部にレーザ光を集中させることで、固定用シート内部に分解および蒸発部位を形成することで、半導体基板を突き上げる力を生じ、半導体基板を切断できるという顕著な効果を奏するものである。また、固定用シート内のみで分解および蒸発するため、半導体基板に対し汚染を最小限とすることができる。
図3(a)および図3(b)は、本発明の実施の形態1による半導体基板の切断方法を示す斜視図であり、図1は図3のA−A‘視の断面図である。図1(a)において、SiやGaAsまたはInP等の材料で構成されている半導体基板1には、あらかじめ亀裂が形成されている(以下では、この亀裂を予備亀裂と呼ぶ)。予備亀裂3は、図3(a)のように、半導体基板1の表面を切断予定線に沿って、ダイヤモンドポイントによりスクライブされることで、半導体基板1の厚み方向に沿った方向に形成されている。予備亀裂3の深さは、通常、半導体基板1の厚みの5%〜80%の深さとなっている。半導体基板1は、この半導体基板1を固定するための粘着性表面を持つ固定用シート2により位置を固定されている。固定用シート2は、その延長方向で半導体基板1の載っていない周辺部分にある固定用リングに接着され、この固定用リングが分割用装置(図示せず)に固定されている。
料の多光子吸収効果が主となって、半導体基板に1次の分光吸収率分よりも強く吸収されるようになる。結果として、レーザ光5のエネルギーは収束点で半導体基板に吸収され、収束点の半導体基板材料が分解および蒸発する。
図2は本発明実施の形態2による半導体基板の切断方法を示す断面図である。構成は実施の形態1と同様であるが、レーザ光5の収束点が、半導体基板1内ではなく、固定用シート2内となっていることが異なる。また空洞12が固定用シート2内にあることが異なる。固定用シート2の材質により、分解および蒸発に必要なパワー密度は変化するが、ポリビニルアルコール系のシートであれば、半導体基板に用いるのと波長および出力が同一のレーザにて、固定用シート内に溶融蒸発部を形成することができる。
実施の形態1および2において、固定用シート2の半導体基板1が載せられている面の反対側に、溶融石英ガラスのように、レーザ光5に対して透明で、固定用シートに対してヤング率が100倍以上の基板を密着させて設けることで、レーザ光5によって形成される、空洞7や空洞12の膨張による固定用シート2の、半導体基板1と逆側に発生する変形を制限することが可能となり、主に空洞7や空洞12(図1、および図2参照)が半導体基板1側に膨張するため、結果として半導体基板を切断する力が増加し、効率的に半導体基板を切断することが可能となる。
実施の形態1〜3においては、半導体基板1に形成された予備亀裂3の直下にレーザ光5を照射しているが、図5のように予備亀裂3が半導体基板1の全面に形成されず、飛び飛びとなっている場合は、飛び飛びになっている亀裂の間にレーザ光5を照射することで、亀裂を進行させてもよい。
複数のレーザ光5を繰り返し照射する場合、レーザ光5の照射間隔は、加工部分が連続するように照射するのではなく、加工痕間に、加工の無い部分が残るようにピッチを離して加工することで、それぞれの加工時、直前に加工され半導体基板と固定用シート界面の状態が粗になった部分に蒸気が漏れて、蒸気圧を減少させないようにすることが望ましい。
また、実施の形態4の場合でも、それぞれの予備亀裂ごとに実施の形態1と同様なレーザ照射を行うことで、同様に切断することができる。
同様に、図6のように半導体基板をダイス状に切断するよう、予備亀裂3が直交している場合でも、それぞれの予備亀裂3に対して実施の形態1と同様にレーザ光5を当てることで、独立した個々の予備亀裂3ごとに半導体基板を切断することができる。具体的には、図の縦方向の予備亀裂3aの下側と上側を予備亀裂3aに沿ってまず切断し、その後、半導体基板と固定用シートを分割用装置の設置角度を90度変更して、図の横方向の予備亀裂3bの左側と右側を予備亀裂3bに沿って切断し、結果として、この半導体基板を4分割する。
また、予備亀裂3の半導体基板表面方向の延長形状が、直線の組み合わせ以外に、曲線と組み合わさっていても、レーザ加工点を曲線に沿わせて繰り返し照射することで、同様に加工できる。
実施の形態1〜4において、レーザ光5は固定用シート2側から照射しているが、レーザ光5が半導体基板1や固定用シート2を透過する波長(たとえば1064nmの波長)のため、表面に形成されている半導体素子を避けて、レーザ光5を半導体基板内に透過させることが可能であれば、照射方向が半導体基板1側からであっても良い。予備亀裂3をレーザで加工する場合、半導体基板1の表面側から照射するほうが、各半導体素子パターンが直接観察できるため、半導体基板が切り離された最終状態である半導体チップに対して精度よく予備亀裂3の位置を決めることができる。
実施の形態1に、実施の形態9を適用する場合、半導体基板1の固定用シート2側に金(Au)膜やInGaAsP膜のような、レーザ光5が透過しない膜があっても、レーザ光5を半導体基板1表面から照射して半導体基板1の収束部分が分解や蒸発することにより膨張した際、その熱により溶融して分解や蒸発する材料であれば、実施の形態1と同様の効果を得ることが可能となる。
実施の形態2の場合、半導体基板1の固定用シート2側に、金(Au)膜やInGaAsP膜のようなレーザ光5を通さない膜があっても、同様の効果を得ることができる。また、固定用シート2の半導体基板1側に、粘着層などのレーザ光5を通さない膜があっても良い。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
Claims (5)
- 半導体基板の表面あるいは内部に、前記半導体基板を厚み方向に切断する起点となる亀裂が形成されており、前記半導体基板の下面に前記半導体基板を保持する固定用シートを固定した半導体基板を厚み方向に切断する方法であって、前記半導体基板と前記固定用シートの界面に近い前記半導体基板の厚み方向の位置で、かつ前記亀裂に対応する位置にレーザ光を収束させつつ前記レーザ光を前記亀裂に沿って移動させながら照射し、前記半導体基板の内部の部材を加熱し蒸発させ、この蒸発物により、前記半導体基板と前記固定用シートの界面に圧力の高い空洞を形成することで、上方向に押し上げる力を発生させることにより、前記亀裂を前記半導体基板の厚み方向に進展させ、前記半導体基板を所定の位置で厚み方向に切断することを特徴とする半導体基板の切断方法。
- 半導体基板の表面あるいは内部に、前記半導体基板を厚み方向に切断する起点となる亀裂を形成するとともに、前記半導体基板の下面に前記半導体基板を保持する固定用シートを固定した半導体基板を厚み方向に切断する方法であって、前記固定用シートの内部の厚み方向の位置で、かつ前記亀裂に対応する位置にレーザ光を収束させつつ前記レーザ光を前記亀裂に沿って移動させながら照射し、前記固定用シートの内部の部材を加熱し蒸発させることで、前記亀裂を前記半導体基板の厚み方向に進展させ、前記半導体基板を所定の位置で厚み方向に切断することを特徴とする半導体基板の切断方法。
- 前記固定用シートの前記半導体基板が固定されている面の反対側に、前記レーザ光に対して透明で、前記固定用シートに対してヤング率が100倍以上の基板を設け、前記半導体
基板を所定の位置で厚み方向に切断することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体基板の切断方法。 - 前記亀裂が複数ある場合において、前記レーザ光を照射する前記亀裂に対応する位置は、前記レーザ光の照射前に予め形成された各亀裂の間であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体基板の切断方法。
- 前記レーザ光は、前記固定用シート側あるいは前記半導体基板側から照射されることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体基板の切断方法。
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