JP6176713B2 - Inductor manufacturing apparatus and inductor manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、基板にインダクタとしてのコイルを製造する技術に関する。 The present invention relates to a technique for manufacturing a coil as an inductor on a substrate.
本発明者により、物体表面の所定箇所を溶融または軟化させた上で、粒子噴流を当該所定箇所に衝突させることにより、当該粒子を物体表面に埋め込む工程を連続的に行う技術が提案されている（特許文献１参照）。 The inventor has proposed a technique of continuously embedding the particles in the object surface by causing the particle jet to collide with the predetermined position after melting or softening the predetermined position on the object surface. (See Patent Document 1).
また、レーザー支援型の微粒子埋め込み法（Laser Assisted Micro Powder Jet Implantation）により、銅粒子の噴流を用いた配線技術が提案されている（非特許文献１参照）。 Further, a wiring technique using a jet of copper particles has been proposed by a laser-assisted fine particle embedding method (see Non-Patent Document 1).
本発明は、基板に所望の電気特性を有するインダクタを製造しうる装置および方法を提供することを課題とする。 An object of the present invention is to provide an apparatus and a method capable of manufacturing an inductor having desired electrical characteristics on a substrate.
本発明のインダクタ製造装置は、レーザービームを照射するように構成されている照射装置と、第１ノズルから導電体粒子としての第１粒子を噴射するように構成されている第１粒子噴射装置と、第２ノズルから誘電体粒子としての第２粒子を噴射するように構成されている第２粒子噴射装置と、基板に対する前記照射装置によるレーザービームの照射箇所と、前記第１粒子噴射装置により噴射された前記第１粒子の衝突箇所と、前記第２粒子噴射装置により噴射された前記第２粒子の衝突箇所とのそれぞれを変位させるように構成されている駆動装置と、前記基板に埋設されているコアまたはその埋設予定箇所から離間した位置で循環するように前記基板に対する前記レーザービームの照射箇所を変位させ、前記レーザービームの照射箇所に追従させるように前記基板に対する前記第１粒子の衝突箇所を変位させ、かつ、前記第１粒子の衝突箇所に追従させるように前記基板に対する前記第２粒子の衝突箇所を変位させるべく前記駆動装置の動作を制御するように構成されている制御装置と、を備え、前記制御装置による前記駆動装置の当該動作制御により、前記基板に埋設され、一端部が露出状態で前記基板に埋設されている一の端子に接続され、かつ、他端部が露出しているまたは露出状態で前記基板に埋設されている他の端子に接続されているコイルを作製することを特徴とする。 An inductor manufacturing apparatus of the present invention includes an irradiation device configured to irradiate a laser beam, and a first particle injection device configured to eject first particles as conductive particles from a first nozzle. , A second particle injection device configured to inject second particles as dielectric particles from the second nozzle, a laser beam irradiation location on the substrate by the irradiation device, and injection by the first particle injection device Embedded in the substrate, and a driving device configured to displace each of the collided portions of the first particles and the collided portions of the second particles ejected by the second particle ejecting device. The laser beam irradiation site is displaced so that the substrate circulates at a position away from the core or the planned embedding site, and the laser beam irradiation site The driving device is configured to displace the collision point of the first particle against the substrate so as to follow, and to displace the collision point of the second particle against the substrate so as to follow the collision point of the first particle. A control device configured to control the operation, and is embedded in the substrate and has one end portion embedded in the substrate in an exposed state by the operation control of the driving device by the control device. And a coil that is connected to the other terminal embedded in the substrate with the other end exposed or exposed.
本発明のインダクタ製造装置は、第３ノズルから磁性体粒子としての第３粒子を噴射するように構成されている第３粒子噴射装置をさらに備え、前記駆動装置が、前記第３粒子噴射装置により噴射された前記第３粒子の衝突箇所を変位させるように構成され、前記制御装置が、前記コアの埋設予定箇所に対して前記基板に対する前記レーザービームの照射箇所を合わせ、かつ、前記レーザービームの照射箇所に対して前記基板に対する前記第３粒子の衝突箇所を合わせるように前記駆動装置の動作を制御することを特徴とする。 The inductor manufacturing apparatus of the present invention further includes a third particle injection device configured to inject third particles as magnetic particles from a third nozzle, and the driving device is configured by the third particle injection device. The collision unit of the ejected third particles is configured to be displaced, and the control device matches the irradiation site of the laser beam to the substrate with respect to the planned embedding site of the core, and the laser beam The operation of the driving device is controlled so that the collision location of the third particles with respect to the substrate matches the irradiation location.
本発明のインダクタ製造装置は、前記制御装置が、前記一の端子、または、前記一の端子および前記他の端子のそれぞれの埋設予定箇所に対して前記基板に対する前記レーザービームの照射箇所を合わせ、かつ、前記レーザービームの照射箇所に対して前記基板に対する前記第１粒子の衝突箇所を合わせるように前記駆動装置の動作を制御することを特徴とする。 In the inductor manufacturing apparatus of the present invention, the control device matches the irradiation position of the laser beam to the substrate with respect to the one terminal, or the planned embedding positions of the one terminal and the other terminal, In addition, the operation of the driving device is controlled so that the location where the first particle collides with the substrate is aligned with the location irradiated with the laser beam.
本発明のインダクタ製造装置および製造方法によれば、基板に埋設されているコアと、当該コアを囲むように基板に埋設され、第１粒子により構成されるコイルとにより構成されるインダクタが作製される。第２粒子により構成される誘電体の存在のため、コイルにおいて券回周期が異なる一方、位相が同一の部分同士の短絡が防止されている。コイルとコアとは、相互の短絡が回避されうるような十分な間隔を存して配置されている。 According to the inductor manufacturing apparatus and the manufacturing method of the present invention, an inductor including a core embedded in a substrate and a coil embedded in the substrate so as to surround the core and configured by the first particles is manufactured. The Due to the presence of the dielectric composed of the second particles, short-circuiting between portions having the same phase is prevented while the billing cycle is different in the coil. The coil and the core are arranged at a sufficient interval so that mutual short circuit can be avoided.
（インダクタ製造装置の構成）
本発明の一実施形態としての図１に示されているインダクタ製造装置は、照射装置１０と、第１粒子噴射装置２１と、第２粒子噴射装置２２と、第３粒子噴射装置２３と、駆動装置３０と、制御装置４０とを備えている。
(Configuration of inductor manufacturing equipment)
The inductor manufacturing apparatus shown in FIG. 1 as an embodiment of the present invention includes an irradiation device 10, a first particle injection device 21, a second particle injection device 22, a third particle injection device 23, and a drive. The apparatus 30 and the control apparatus 40 are provided.
照射装置１０は、レーザービームを発生するレーザー装置１１と、レーザー装置１１により発生されたレーザービーム（図１／実線矢印参照）を基板Ｓに対して照射するための光ファイバーおよび集光レンズ等により構成されている光学系１２とを備えている。 The irradiation device 10 includes a laser device 11 that generates a laser beam, and an optical fiber and a condensing lens that irradiate the substrate S with the laser beam (see the solid line arrow in FIG. 1) generated by the laser device 11. The optical system 12 is provided.
第１粒子噴射装置２１は、第１ノズルから導電体粒子としての第１粒子を噴射するように構成されている（図１／一点鎖線矢印参照）。導電体粒子の例としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ等の金属粒子のほか、黒鉛粒子（カーボンナノチューブなどの構造体も含む。）などが挙げられる。 The first particle injection device 21 is configured to inject first particles as conductor particles from a first nozzle (see FIG. 1 / dotted line arrow). Examples of the conductor particles include metal particles such as Pt, Au, and W, and graphite particles (including structures such as carbon nanotubes).
第２粒子噴射装置２２は、第２ノズルから誘電体粒子である第２粒子を噴射するように構成されている（図１／二点鎖線矢印参照）。誘電体粒子の例としては、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3などのセラミックス系誘電体粒子が挙げられる。 The second particle ejection device 22 is configured to eject the second particles, which are dielectric particles, from the second nozzle (see FIG. 1 / two-dot chain arrows). Examples of the dielectric particles include ceramic dielectric particles such as BaTiO 3 and SrTiO 3 .
第３粒子噴射装置２３は、第３ノズルから磁性体粒子である第３粒子を噴射するように構成されている（図１／破線矢印参照）。磁性体粒子の例としては、酸化鉄、酸化クロム、コバルト、フェライトなどが挙げられる。 The third particle injection device 23 is configured to inject third particles, which are magnetic particles, from a third nozzle (see FIG. 1 / broken arrows). Examples of the magnetic particles include iron oxide, chromium oxide, cobalt, and ferrite.
駆動装置３０は、基板Ｓが載置される、好ましくは固定される基台３２を駆動させることにより、基板Ｓにおいて照射装置１０により発生されたレーザービームが照射される箇所と、第１粒子噴射装置２１により噴射された第１粒子の衝突箇所と、第２粒子噴射装置２２により噴射された第２粒子の衝突箇所とのそれぞれを変位させるように構成されている。基台３２は、水平方向の直交する２軸方向（Ｘ方向およびＹ方向）またはこれに鉛直方向（Ｚ方向）が加わった３軸方向のそれぞれに対して駆動されうる。基台３２がピッチ軸（Ｙ軸）、ロール軸（Ｘ軸）およびヨー軸（Ｚ軸）のいずれかの軸回りに回動されることにより、世界座標系における基板Ｓの姿勢が調節されてもよい。 The driving device 30 drives a base 32 on which the substrate S is placed, preferably fixed, so that the laser beam generated by the irradiation device 10 is irradiated on the substrate S and the first particle injection. Each of the collision location of the first particles injected by the device 21 and the collision location of the second particles injected by the second particle injection device 22 are displaced. The base 32 can be driven in each of two axial directions (X direction and Y direction) perpendicular to the horizontal direction or three axial directions in which a vertical direction (Z direction) is added thereto. By rotating the base 32 around any one of the pitch axis (Y axis), roll axis (X axis), and yaw axis (Z axis), the attitude of the substrate S in the world coordinate system is adjusted. Also good.
駆動装置３０が光学系１２を駆動するように構成され、光学系１２の基台３２に対する位置および姿勢が変更されることにより、レーザービームの基板Ｓに対する照射位置および方向が制御されてもよい。駆動装置３０が粒子噴射装置２１〜２３のうち少なくとも１つを駆動するように構成され、該当粒子噴射装置の基台３２に対する位置および姿勢が変更されることにより、粒子噴流のそれぞれの基板Ｓに対する衝突箇所および方向が制御されてもよい。 The drive device 30 may be configured to drive the optical system 12, and the irradiation position and direction of the laser beam on the substrate S may be controlled by changing the position and posture of the optical system 12 with respect to the base 32. The drive device 30 is configured to drive at least one of the particle injection devices 21 to 23, and the position and orientation of the particle injection device with respect to the base 32 are changed, whereby the particle jet flow with respect to each substrate S is changed. The collision location and direction may be controlled.
制御装置４０は、コンピュータにより構成され、レーザービームの基板Ｓに対する照射箇所と、第１〜第３粒子のそれぞれの基板Ｓに対する衝突箇所とが一致するように駆動装置３０の動作を制御するように構成されている。ここで「構成されている」とは、担当演算処理を実行するようにプログラムまたはデザインされていることを意味する。 The control device 40 is configured by a computer, and controls the operation of the driving device 30 so that the irradiation position of the laser beam on the substrate S and the collision position of the first to third particles with respect to the respective substrates S coincide. It is configured. Here, “configured” means being programmed or designed to execute the assigned arithmetic processing.
各粒子噴射装置２１〜２３に対して原料粒子を供給するための供給ラインが設けられ、当該各供給ラインに流量調節弁などの供給量調節機構が設けられ、制御装置４０により当該供給量調節機構の動作が制御されてもよい。 A supply line for supplying raw material particles to each of the particle injection devices 21 to 23 is provided, a supply amount adjusting mechanism such as a flow rate adjusting valve is provided in each supply line, and the control device 40 controls the supply amount adjusting mechanism. The operation may be controlled.
基板Ｓに対して照射されるレーザービームのビーム径、照射強度および照射箇所の変位速度、第１粒子噴射装置２１により噴射される第１粒子の流量、流速および圧力、並びに第２粒子噴射装置２２により噴射される第２粒子の流量、流速および圧力のうち少なくとも１つが予め調節されている。なお、制御装置４０が、当該因子を調節するように構成されていてもよい。 The beam diameter of the laser beam irradiated to the substrate S, the irradiation intensity, the displacement speed of the irradiated portion, the flow rate, the flow velocity and the pressure of the first particles injected by the first particle injection device 21, and the second particle injection device 22. At least one of the flow rate, flow velocity, and pressure of the second particles ejected by the is adjusted in advance. Note that the control device 40 may be configured to adjust the factor.
レーザービームの照射によって軟化した基板Ｓ箇所に対して粒子を衝突させることにより、当該粒子により構成され、かつ、基板Ｓに埋設されている成形体が作製される。成形体の基板Ｓ表面に平行な方向の形状は、主にレーザービームの照射箇所および粒子の衝突箇所の軌跡の形状に依存して定まる。成形体の基板Ｓ表面に垂直な方向の形状は、主にレーザービームの照射強度および角度ならびに粒子の衝突速度および角度に依存して定まる。 By causing the particles to collide with the location of the substrate S that has been softened by the laser beam irradiation, a molded body that is made of the particles and embedded in the substrate S is produced. The shape of the molded body in the direction parallel to the surface of the substrate S is determined mainly depending on the shape of the locus of the laser beam irradiation site and the particle collision site. The shape of the molded body in the direction perpendicular to the surface of the substrate S is determined mainly depending on the irradiation intensity and angle of the laser beam and the collision velocity and angle of the particles.
（インダクタの製造方法）
前記構成のインダクタ製造装置により実行されるインダクタ製造方法について説明する。
(Inductor manufacturing method)
An inductor manufacturing method executed by the inductor manufacturing apparatus having the above configuration will be described.
まず、図２（ａ）に示されているように、基板Ｓの所定箇所に対してレーザービーム（実線参照）が照射され、これにより軟化した箇所に対して第３粒子（破線参照）を衝突させることにより、露出した状態で基板Ｓに対して埋設されているコアＣRが作製される。 First, as shown in FIG. 2A, a laser beam (see solid line) is irradiated to a predetermined portion of the substrate S, and the third particle (see broken line) collides with the softened portion. by the core C R which are embedded to the substrate S in the exposed state it is produced.
続いて、図２（ｂ）に示されているように、基板Ｓに埋設されているコアＣRから離間した位置で循環するように基板Ｓに対するレーザービーム（実線参照）の照射箇所を変位させる。また、レーザービームの照射箇所に追従させるように基板Ｓに対する第１粒子（一点鎖線参照）の衝突箇所を変位させる（黒矢印参照）。さらに、第１粒子の衝突箇所に追従させるように基板Ｓに対する第２粒子（二点鎖線参照）の衝突箇所を変位させる（白矢印参照）。 Subsequently, as shown in FIG. 2 (b), to displace the irradiation position of the laser beam (see a solid line) with respect to the substrate S so as to circulate at a position spaced from the core C R which are embedded in a substrate S . Moreover, the collision location of the 1st particle | grain (refer to a dashed-dotted line) with respect to the board | substrate S is displaced so that the irradiation location of a laser beam may be followed (refer black arrow). Further, the collision point of the second particle (see the two-dot chain line) with respect to the substrate S is displaced so as to follow the collision point of the first particle (see the white arrow).
その結果、第１粒子の衝突開始箇所に相当する一端部が基板Ｓに埋設されている一方、第１粒子の衝突終了箇所に相当する他端部が基板Ｓの表面において端子Ｔ2として露出しているとともに、コアＣRから離間してこれを螺旋状に囲んでいるコイルＣLが形成される（図２（ｃ）参照）。コイルＣLの券回周期が異なる一方で位相が同じ部分同士は、第２粒子により構成される誘電体により短絡が防止されるように隔離されている。当該短絡防止の確実のため、第２粒子の噴射量が第１粒子の噴射量よりも多くなるように、当該噴射量が制御装置４０により調節されてもよい。 As a result, one end corresponding to the first particle collision start position is embedded in the substrate S, while the other end corresponding to the first particle collision end position is exposed as a terminal T 2 on the surface of the substrate S. together and the coil C L surrounding it at a distance from the core C R spirally is formed (see FIG. 2 (c)). Ticket-cycles differ one between the same portions phases at the coil C L is isolated as a short circuit is prevented by the configured dielectric by the second particles. In order to prevent the short circuit, the injection amount may be adjusted by the control device 40 so that the injection amount of the second particles is larger than the injection amount of the first particles.
この状態で、コイルＣLの当該一端部を目標としてレーザービームが照射され、当該照射箇所において基板Ｓに対して第１粒子を衝突させる。この段階での第１粒子により、コイルＬの露出状態で基板Ｓに埋設されている一の端子Ｔ1が作製される。 In this state, a laser beam is irradiated as a target the end of the coil C L, impinging first particles to the substrate S in the irradiated portion. One terminal T 1 embedded in the substrate S with the coil L exposed is produced by the first particles at this stage.
最終的に、図２（ｃ）に示されているように、基板Ｓに埋設され、一端部が一の端子Ｔ1に接続され、かつ、他端部が他の端子Ｔ2として露出している他の端子に接続されているコイルＣL、ひいてはこれを構成要素とするインダクタＬが作製される。 Finally, as shown in FIG. 2 (c), is embedded in a substrate S, one end is connected to one terminal T 1, and the other end portion is exposed as the other terminals T 2 The coil C L connected to the other terminal, and thus the inductor L having this as a constituent element is produced.
（本発明の他の実施形態）
前記実施形態では基板Ｓに対するレーザービームの照射および第３粒子の衝突によって基板Ｓに埋設されているコアＣRが作製されたが（図２（ｃ）参照）、他の実施形態において予め成形されたコアＣRが基板Ｓに形成された孔に嵌め込まれることで基板ＳにコアＣRが埋設されてもよい。この場合、第３粒子噴射装置２３は省略されうる。前記実施形態ではコアＣRが作成された後でコイルＣLが作製されたが、他の実施形態においてコアＣRが作成される前にまたは同時にコイルＣLが作製されてもよい。
(Other embodiments of the present invention)
Although the core C R which are embedded in the substrate S by the impact of the radiation, and third particle laser beam relative to the substrate S is prepared in the embodiment (see FIG. 2 (c)), is preformed in other embodiments core C R is the core C R may be embedded in the substrate S by being fitted into a hole formed in the substrate S was. In this case, the third particle injection device 23 can be omitted. In the above-described embodiment, the coil C L is manufactured after the core C R is created. However, in another embodiment, the coil C L may be manufactured before or at the same time as the core C R is created.
前記実施形態では第１粒子の衝突終了箇所に相当するコイルＣLの他端部が基板Ｓの表面において端子Ｔ2として露出するようにインダクタＬが作製されたが（図２（ｃ）参照）、他の実施形態においてコイルＣLの当該他端部が、基板Ｓの表面に露出するように基板Ｓに埋設されている他の端子に接続されることによりインダクタＬが作製されてもよい。コイルＣLの一端部に接続される一の端子、または、コイルＣLの各端部に接続される一対の端子のうち少なくとも一方が、コイルＣLの作製前、作製後または作製と同時に形成されてもよい。 In the embodiment, the inductor L is manufactured so that the other end of the coil C L corresponding to the collision end point of the first particle is exposed as the terminal T 2 on the surface of the substrate S (see FIG. 2C). , the other end of the coil C L in other embodiments, the inductor L may be produced by being connected to the other terminal which is embedded in a substrate S so as to be exposed on the surface of the substrate S. At the same time forming one terminal connected to one end of the coil C L, or at least one of the pair of terminals connected to each end of the coil C L is, before manufacturing of the coil C L, after the production or manufacturing and May be.
前記のように複数のインダクタＬが作成された上で、これらが直列接続または並列接続されてもよい。たとえば、図２（ｃ）に示されている構成の２つのインダクタＬ1およびＬ2が、図３に示されているような形で接続されてもよい。これにより、インダクタンスの実現可能幅の拡張が図られる。 A plurality of inductors L may be created as described above, and these may be connected in series or in parallel. For example, two inductors L 1 and L 2 having the configuration shown in FIG. 2C may be connected in a manner as shown in FIG. Thereby, the realizable width | variety of an inductance is expanded.
照射装置１０、特にその光学系１２が、ビームを進行方向の異なる２本のビームに分割するビームスプリッターおよびビームの進行方向を変更するためのミラーを備え、レーザー光源から発せられたレーザービームを基板Ｓの複数個所に同時に照射するように構成されていてもよい。この場合、レーザービームの複数の照射個所のそれぞれに対応して、複数の第１粒子噴射装置および複数の第２粒子噴射装置が設けられる。レーザービームは、たとえばグリーンレーザービームであり、レンズにより集光された上で基板Ｓに対して照射される。 The irradiation apparatus 10, particularly the optical system 12, includes a beam splitter that divides the beam into two beams having different traveling directions and a mirror for changing the traveling direction of the beam, and a laser beam emitted from a laser light source is a substrate. You may be comprised so that several places of S may be irradiated simultaneously. In this case, a plurality of first particle injection devices and a plurality of second particle injection devices are provided corresponding to each of the plurality of irradiation portions of the laser beam. The laser beam is, for example, a green laser beam, and is irradiated onto the substrate S after being condensed by a lens.
例えば、図４（ａ）に示されている構成の照射装置によれば、パワーＰのレーザービームがパワー（１／１６）Ｐのビームに分割され、当該分割ビームが基板Ｓの複数個所に対して同時に照射される。 For example, according to the irradiation apparatus having the configuration shown in FIG. 4A, a laser beam with power P is split into beams with power (1/16) P, and the split beams are applied to a plurality of locations on the substrate S. At the same time.
具体的には、パワーＰのレーザービームが、まずスプリッターＳ０によりパワー（１／２）Ｐの２本の１次ビームに分割される。スプリッターＳ０により分割された一方の１次ビームは、スプリッターＳ１によりパワー（１／４）Ｐの２本の２次ビームに分割される。スプリッターＳ１により分割された一方の２次ビームは、スプリッターＳ１１によりパワー（１／８）Ｐの２本の３次ビームに分割される。 Specifically, the laser beam with power P is first split into two primary beams with power (1/2) P by the splitter S0. One primary beam split by the splitter S0 is split into two secondary beams of power (1/4) P by the splitter S1. One secondary beam split by the splitter S1 is split into two tertiary beams of power (1/8) P by the splitter S11.
スプリッターＳ１１により分割された一方の３次ビームは、スプリッターＳ１１１によりパワー（１／１６）Ｐの２本の４次ビームに分割される。スプリッターＳ１１１により分割された一方の４次ビームはそのまま基板Ｓに対して照射され、他方の４次ビームはミラーＭ１１１によりその進行方向が変更された上で基板Ｓに対して照射される。 One tertiary beam split by the splitter S11 is split into two quaternary beams of power (1/16) P by the splitter S111. One of the quaternary beams divided by the splitter S111 is irradiated to the substrate S as it is, and the other quaternary beam is irradiated to the substrate S after its traveling direction is changed by the mirror M111.
スプリッターＳ１１により分割された他方の３次ビームは、ミラーＭ１１によりその進行方向が変更された上でスプリッターＳ１１２によりパワー（１／１６）Ｐの２本の４次ビームに分割される。スプリッターＳ１１２により分割された一方の４次ビームはそのまま基板Ｓに対して照射され、他方の４次ビームはミラーＭ１１２によりその進行方向が変更された上で基板Ｓに対して照射される。 The other tertiary beam split by the splitter S11 is split into two quaternary beams of power (1/16) P by the splitter S112 after its traveling direction is changed by the mirror M11. One of the quaternary beams divided by the splitter S112 is irradiated to the substrate S as it is, and the other quaternary beam is irradiated to the substrate S after its traveling direction is changed by the mirror M112.
スプリッターＳ１により分割された他方の２次ビームは、ミラーＭ１によりその進行方向が変更された上でスプリッターＳ１２によりパワー（１／８）Ｐの２本の３次ビームに分割される。スプリッターＳ１２により分割された一方の３次ビームは、スプリッターＳ１２１によりパワー（１／１６）Ｐの２本の４次ビームに分割される。スプリッターＳ１２１により分割された一方の４次ビームはそのまま基板Ｓに対して照射され、他方の４次ビームはミラーＭ１２１によりその進行方向が変更された上で基板Ｓに対して照射される。 The other secondary beam split by the splitter S1 is split into two tertiary beams of power (1/8) P by the splitter S12 after its traveling direction is changed by the mirror M1. One tertiary beam split by the splitter S12 is split into two quaternary beams of power (1/16) P by the splitter S121. One of the quaternary beams divided by the splitter S121 is irradiated to the substrate S as it is, and the other quaternary beam is irradiated to the substrate S after its traveling direction is changed by the mirror M121.
スプリッターＳ１２により分割された他方の３次ビームは、ミラーＭ１２によりその進行方向が変更された上でスプリッターＳ１２２によりパワー（１／１６）Ｐの２本の４次ビームに分割される。スプリッターＳ１２２により分割された一方の４次ビームはそのまま基板Ｓに対して照射され、他方の４次ビームはミラーＭ１２２によりその進行方向が変更された上で基板Ｓに対して照射される。 The other tertiary beam divided by the splitter S12 is split into two quaternary beams of power (1/16) P by the splitter S122 after the traveling direction is changed by the mirror M12. One of the quaternary beams divided by the splitter S122 is irradiated to the substrate S as it is, and the other quaternary beam is irradiated to the substrate S after its traveling direction is changed by the mirror M122.
前記のようにスプリッターＳ０により分割された一方の１次ビームは、８本の４次ビームに分割されて基板Ｓの異なる箇所のそれぞれに対して照射される。スプリッターＳ０により分割された他方の１次ビームも同様に、８本の４次ビームに分割されて基板Ｓの異なる箇所のそれぞれに対して照射される。 One primary beam split by the splitter S0 as described above is split into eight quaternary beams and irradiated to each of different portions of the substrate S. Similarly, the other primary beam divided by the splitter S0 is divided into eight quaternary beams and irradiated to each of the different portions of the substrate S.
また、図４（ｂ）に示されている構成の照射装置によれば、パワーＰのレーザービームがパワー（１／１６）Ｐのビームに分割され、当該分割ビームが基板Ｓの複数個所に対して同時に照射される。 In addition, according to the irradiation apparatus having the configuration shown in FIG. 4B, the power P laser beam is split into power (1/16) P beams, and the split beams are applied to a plurality of locations on the substrate S. At the same time.
具体的には、パワーＰのレーザービームが、まずスプリッターＳ１１によりパワー（１／４）Ｐのビームと、パワー（３／４）Ｐのビームとに分割される。スプリッターＳ１１により分割されたパワー（１／４）Ｐのビームは、スプリッターＳ１２によりパワー（１／１６）Ｐのビームと、パワー（３／１６）Ｐのビームとに分割される。スプリッターＳ１２により分割されたパワー（１／１６）Ｐのビームは基板Ｓに対して照射される。 Specifically, the power P laser beam is first split into a power (1/4) P beam and a power (3/4) P beam by the splitter S11. The beam of power (1/4) P divided by the splitter S11 is divided into a beam of power (1/16) P and a beam of power (3/16) P by the splitter S12. The beam of power (1/16) P divided by the splitter S12 is applied to the substrate S.
スプリッターＳ１２により分割されたパワー（３／１６）Ｐのビームは、スプリッターＳ１３によりパワー（１／１６）Ｐのビームと、パワー（２／１６）Ｐのビームとに分割される。スプリッターＳ１３により分割されたパワー（１／１６）Ｐのビームは基板Ｓに対して照射される。スプリッターＳ１３により分割されたパワー（２／１６）Ｐのビームは、スプリッターＳ１４によりパワー（１／１６）Ｐの２本のビームに分割される。スプリッターＳ１４により分割された一方のビームは基板Ｓに対してそのまま照射され、他方のビームはミラーＭ１５によりその進行方向が変更された上で基板Ｓに対して照射される。 The beam of power (3/16) P divided by the splitter S12 is divided into a beam of power (1/16) P and a beam of power (2/16) P by the splitter S13. The beam of power (1/16) P divided by the splitter S13 is applied to the substrate S. The beam of power (2/16) P split by the splitter S13 is split into two beams of power (1/16) P by the splitter S14. One beam divided by the splitter S14 is irradiated to the substrate S as it is, and the other beam is irradiated to the substrate S after its traveling direction is changed by the mirror M15.
スプリッターＳ１１により分割されたパワー（３／４）Ｐのビームは、スプリッターＳ２１によりパワー（１／４）Ｐのビームと、パワー（２／４）Ｐのビームとに分割される。スプリッターＳ２１により分割されたパワー（２／４）Ｐのビームは、スプリッターＳ３１によりパワー（１／４）Ｐの２本のビームに分割される。スプリッターＳ２１により分割されたパワー（１／４）ＰのビームおよびスプリッターＳ３１により分割されたパワー（１／４）Ｐの２本のビームのそれぞれは、スプリッターＳ１１により分割されたパワー（１／４）Ｐのビームと同様に、最終的にパワー（１／１６）Ｐの４本のビームに分割された上で基板Ｓに対して照射される。 The beam of power (3/4) P divided by the splitter S11 is divided into a beam of power (1/4) P and a beam of power (2/4) P by the splitter S21. The beam of power (2/4) P split by the splitter S21 is split into two beams of power (1/4) P by the splitter S31. Each of the beam of power (1/4) P divided by the splitter S21 and the two beams of power (1/4) P divided by the splitter S31 is the power (1/4) divided by the splitter S11. Similar to the P beam, the substrate S is finally divided into four beams of power (1/16) P and then irradiated.
前記構成の装置によれば、同時に複数のインダクタＬが製造されうるので、その製造効率の向上が図られる。 According to the apparatus having the above configuration, a plurality of inductors L can be manufactured at the same time, so that the manufacturing efficiency can be improved.
１０‥照射装置、２１‥第１粒子噴射装置、２２‥第２粒子噴射装置、２３‥第３粒子噴射装置、３０‥駆動装置、４０‥制御装置、ＣL，ＣL1，ＣL2‥コイル、ＣR，ＣR1，ＣR2‥コア、Ｌ，Ｌ1，Ｌ2‥インダクタ、Ｓ‥基板。 10 ‥ irradiation device, 21 ‥ first particle injector, 22 ‥ second particle injector, 23 ‥ third particle injector, 30 ‥ drive, 40 ‥ controller, C L, C L1, C L2 ‥ coil, C R , C R1 , C R2 ... Core, L, L 1 , L 2 .. Inductor, S.
Claims (6)
第１ノズルから導電体粒子としての第１粒子を噴射するように構成されている第１粒子噴射装置と、
第２ノズルから誘電体粒子としての第２粒子を噴射するように構成されている第２粒子噴射装置と、
基板に対する前記照射装置によるレーザービームの照射箇所と、前記第１粒子噴射装置により噴射された前記第１粒子の衝突箇所と、前記第２粒子噴射装置により噴射された前記第２粒子の衝突箇所とのそれぞれを変位させるように構成されている駆動装置と、
前記基板に埋設されているコアまたはその埋設予定箇所から離間した位置で循環するように前記基板に対する前記レーザービームの照射箇所を変位させ、前記レーザービームの照射箇所に追従させるように前記基板に対する前記第１粒子の衝突箇所を変位させ、かつ、前記第１粒子の衝突箇所に追従させるように前記基板に対する前記第２粒子の衝突箇所を変位させるべく前記駆動装置の動作を制御するように構成されている制御装置と、を備え、
前記制御装置による前記駆動装置の当該動作制御により、前記基板に埋設され、一端部が露出状態で前記基板に埋設されている一の端子に接続され、かつ、他端部が露出しているまたは露出状態で前記基板に埋設されている他の端子に接続されているコイルを作製することを特徴とするインダクタ製造装置。 An irradiation device configured to irradiate a laser beam;
A first particle injection device configured to inject first particles as conductive particles from a first nozzle;
A second particle injection device configured to inject second particles as dielectric particles from the second nozzle;
A laser beam irradiation location on the substrate, a collision location of the first particles ejected by the first particle ejection device, and a collision location of the second particles ejected by the second particle ejection device A drive configured to displace each of the
Displace the irradiation position of the laser beam on the substrate so as to circulate at a position spaced from the core embedded in the substrate or the planned embedding position, and the substrate relative to the irradiation position of the laser beam. The operation of the driving device is controlled so as to displace the collision point of the second particle with respect to the substrate so as to displace the collision point of the first particle and follow the collision point of the first particle. A control device,
By the operation control of the driving device by the control device, one end is connected to one terminal embedded in the substrate in an exposed state, and the other end is exposed, or An inductor manufacturing apparatus that produces a coil connected to another terminal embedded in the substrate in an exposed state.
第３ノズルから磁性体粒子としての第３粒子を噴射するように構成されている第３粒子噴射装置をさらに備え、
前記駆動装置が、前記第３粒子噴射装置により噴射された前記第３粒子の衝突箇所を変位させるように構成され、
前記制御装置が、前記コアの埋設予定箇所に対して前記基板に対する前記レーザービームの照射箇所を合わせ、かつ、前記レーザービームの照射箇所に対して前記基板に対する前記第３粒子の衝突箇所を合わせるように前記駆動装置の動作を制御することを特徴とするインダクタ製造装置。 The inductor manufacturing apparatus according to claim 1,
A third particle injection device configured to inject third particles as magnetic particles from the third nozzle;
The drive device is configured to displace the collision point of the third particles injected by the third particle injection device,
The control device matches the irradiation position of the laser beam on the substrate with the planned embedding position of the core, and matches the collision position of the third particle with respect to the substrate with the irradiation position of the laser beam. And an inductor manufacturing apparatus that controls the operation of the driving device.
前記制御装置が、前記一の端子、または、前記一の端子および前記他の端子のそれぞれの埋設予定箇所に対して前記基板に対する前記レーザービームの照射箇所を合わせ、かつ、前記レーザービームの照射箇所に対して前記基板に対する前記第１粒子の衝突箇所を合わせるように前記駆動装置の動作を制御することを特徴とするインダクタ製造装置。 In the inductor manufacturing apparatus according to claim 1 or 2,
The control device aligns the irradiation position of the laser beam on the substrate with respect to the one terminal, or the planned embedding positions of the one terminal and the other terminal, and the irradiation position of the laser beam. The inductor manufacturing apparatus is characterized in that the operation of the driving device is controlled so that the location where the first particle collides with the substrate is matched.
前記レーザービームの照射箇所に追従させるように前記基板に対する導電体粒子としての第１粒子の衝突箇所を変位させ、かつ、
前記第１粒子の衝突箇所に追従させるように前記基板に対する誘電体粒子としての第２粒子の衝突箇所を変位させ、
これらの結果として、前記基板に埋設され、一端部が露出状態で前記基板に埋設されている一の端子に接続され、かつ、他端部が露出しているまたは露出状態で前記基板に埋設されている他の端子に接続されているコイルを作製することを特徴とするインダクタ製造方法。 Displace the irradiation position of the laser beam to the substrate so that it circulates at a position away from the core embedded in the substrate or the planned embedding location,
Displacing the collision point of the first particle as the conductive particle against the substrate so as to follow the irradiation point of the laser beam, and
Displace the collision point of the second particles as dielectric particles against the substrate so as to follow the collision point of the first particles,
As a result, it is embedded in the substrate, one end is exposed and connected to one terminal embedded in the substrate, and the other end is exposed or embedded in the substrate in an exposed state. An inductor manufacturing method comprising producing a coil connected to another terminal.
前記コアの埋設予定箇所に対して前記基板に対する前記レーザービームの照射箇所を合わせ、かつ、前記レーザービームの照射箇所に対して前記基板に対する磁性体粒子としての第３粒子の衝突箇所を合わせることを特徴とするインダクタ製造方法。 In the inductor manufacturing method according to claim 4,
Aligning the irradiation position of the laser beam on the substrate with the planned embedding position of the core, and aligning the collision position of the third particles as magnetic particles on the substrate with the irradiation position of the laser beam. A feature of the inductor manufacturing method.
前記一の端子、または、前記一の端子および前記他の端子のそれぞれの埋設予定箇所に対して前記基板に対する前記レーザービームの照射箇所を合わせ、かつ、前記レーザービームの照射箇所に対して前記基板に対する前記第１粒子の衝突箇所を合わせることを特徴とするインダクタ製造方法。 In the inductor manufacturing method according to claim 4 or 5,
Aligning the laser beam irradiation location on the substrate with the one terminal, or each of the one terminal and the other terminal to be embedded, and the substrate with respect to the laser beam irradiation location A method for manufacturing an inductor, characterized in that the first particle colliding part with respect to the same is matched.
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