JP6143925B2 - Data access device using memory element - Google Patents

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Description

本発明は、データアクセス装置に関し、さらに詳細には、一つの8ビットのメモリ素子を用いて16ビット以上のデータを容易に読み取り/書き込み(Read/Write)動作できるようにしたメモリ素子を用いたデータアクセス装置に関する。   The present invention relates to a data access device, and more particularly, uses a memory element that can easily read / write (Read / Write) data of 16 bits or more using one 8-bit memory element. The present invention relates to a data access device.

一般に、電子制御システムの全体的な制御を担当する中央処理装置(Central Processing Unit、CPU)では、格納装置であるメモリ素子(Memory Device)のデータを読み取るか、または書き込むアクセス(Access)が行われる。   In general, a central processing unit (CPU) responsible for overall control of an electronic control system performs access (Access) for reading or writing data in a memory device (Memory Device) that is a storage device. .

即ち、メモリ素子にデータを読み取り/書き込み(Read/Write)するアクセスは、中央処理装置(CPU)が行う。従って、読み取るか、または書き込むということは、中央処理装置(CPU)を基準に読み取るか、または書き込むという意味である。読み取り(Read)は、メモリ素子のデータを中央処理装置(CPU)側に転送することをいい、書き込み(Write)は、中央処理装置(CPU)からメモリ素子に転送することをいう。   That is, the central processing unit (CPU) performs access to read / write data to the memory element. Thus, reading or writing means reading or writing with reference to a central processing unit (CPU). Reading means transferring data in the memory element to the central processing unit (CPU), and writing means transferring data from the central processing unit (CPU) to the memory element.

一方、電子制御システムの中で、近来、脚光を浴びている太陽光インバータシステムは、太陽光モジュールから供給を受けた直流(DC)エネルギーを交流(AC)エネルギーに変換して発電するシステムである。
このような太陽光インバータシステムが動作するとき、電圧/電流/発電量等の各種の情報がメモリ素子に格納され、このように格納されたメモリ素子の情報は、通信回線を介して転送され外部機器(例えば、モニタリング装置)に格納される。
On the other hand, a solar inverter system that has recently been in the spotlight among electronic control systems is a system that generates electric power by converting direct current (DC) energy supplied from a solar module into alternating current (AC) energy. .
When such a solar inverter system is operated, various types of information such as voltage / current / power generation amount are stored in the memory element, and the stored information on the memory element is transferred via a communication line to the outside. It is stored in a device (for example, a monitoring device).

太陽光インバータシステムの発電量は、非常に重要なデータであり、累積発電量(即ち、太陽光インバータが発電を開始した過去から現在までの発電量の総和)は、使用者に非常に重要な情報となる。   The power generation amount of the solar inverter system is very important data, and the cumulative power generation amount (that is, the total power generation amount from the past to the present when the solar inverter started generating power) is very important for the user. Information.

一方、既存の8ビット(bit)または16ビット(bit)のメモリ素子は、最大記録可能なデータがそれぞれ256個、65536個であり、このような容量は、累積発電量をMW(メガワット)単位で表示するには過度に小さい容量である。従って、最低限24ビット(最大記録可能なデータは、16777216個)になって初めてMW(メガワット)単位で累積発電量を表示することができる。これにより、市中で一般に販売する8ビットのメモリ素子に24ビットのデータを格納可能な方法の必要性が浮上している。   On the other hand, the existing 8-bit (16-bit) or 16-bit (bit) memory elements have 256 and 65536 data that can be recorded at maximum, respectively. The capacity is too small to display. Accordingly, the accumulated power generation amount can be displayed in units of MW (megawatts) only after a minimum of 24 bits (maximum recordable data is 16777216). This raises the need for a method that can store 24-bit data in 8-bit memory devices commonly sold in the market.

最近、通信技術の発達により、太陽光インバータシステムの外部機器に転送できるデータの量は、8ビット/16ビット/24ビット等のように増加した。また、通信により使用者に伝達するデータの量も次第に増加している。それにもかかわらず、通信の速度低下現象は、発生していない。   Recently, with the development of communication technology, the amount of data that can be transferred to external devices of the solar inverter system has increased to 8 bits / 16 bits / 24 bits and so on. In addition, the amount of data transmitted to users by communication is gradually increasing. Nevertheless, no communication speed reduction phenomenon has occurred.

しかし、通信により取得したデータを格納するメモリ素子(特に、不揮発性メモリ素子)は、8ビットのメモリ素子がほとんどであり、24ビットのメモリ素子は、価格が非常に高いという短所がある。   However, most of the memory elements (in particular, nonvolatile memory elements) that store data acquired by communication are 8-bit memory elements, and the 24-bit memory elements have a disadvantage that they are very expensive.

また、太陽光インバータシステムにおいて重要なデータをメモリ素子に読み取り/書き込み動作しようとしても、一般に市販される8ビットのメモリ素子を用いなければならないので、データの容量が8ビットに制限される短所がある。また、24ビット容量のデータを読み取り/書き込み動作するためには、市販されている24ビットのメモリ素子を購入しなければならないが、24ビットのメモリ素子は、その価格が非常に高いという短所がある。   In addition, even if an attempt is made to read / write important data to / from the memory element in the solar inverter system, a commercially available 8-bit memory element must be used, so that the data capacity is limited to 8 bits. is there. In addition, in order to read / write data of 24-bit capacity, a commercially available 24-bit memory device must be purchased. However, the 24-bit memory device has a disadvantage that its price is very high. is there.

太陽光インバータシステムにおいて主に用いるメモリ素子(市販されているメモリ素子)は、8ビットの製品である。8ビットのメモリ素子が汎用に用いられ、価格が最も低い。
そして、市販されている8ビットのメモリ素子を用いて太陽光インバータシステムの主要データ(例えば、累積発電量等)を格納する時は、メモリ素子の容量の制限(8ビット)により、8ビットの容量のデータのみが格納可能である。
A memory element (a commercially available memory element) mainly used in the solar inverter system is an 8-bit product. An 8-bit memory device is used for general purposes and has the lowest price.
And when storing the main data (for example, cumulative power generation amount, etc.) of the solar inverter system using a commercially available 8-bit memory element, the 8-bit memory element is limited by the capacity limit of the memory element (8 bits). Only capacity data can be stored.

本発明は、前述した問題点を解決するために案出されたものであって、本発明の目的は、一つの8ビットのメモリ素子を用いて16ビット以上のデータを容易に読み取り/書き込み(Read/Write)動作できるようにしたメモリ素子を用いたデータアクセス装置を提供することにある。   The present invention has been devised to solve the above-described problems. The object of the present invention is to easily read / write data of 16 bits or more using a single 8-bit memory element. It is an object of the present invention to provide a data access device using a memory element that can operate (Read / Write).

前述した目的を達成するために、本発明は、データを読み取るか、または書き込むことができるように複数のメモリアドレスで構成されるアドレス空間を有するメモリ素子と、前記メモリ素子の前記アドレス空間をN(Nは、2以上の自然数)等分に分割して第1〜第N領域と定義し、前記メモリ素子の前記メモリアドレスと、前記第1〜第N領域の前記アドレス空間に対応してそれぞれ設定される特定メモリアドレスとが互いに対応するようにマッピングするアドレスマッピング部と、M(Mは、2以上の自然数)ビットのデータをN等分して第1〜第Nデータに分割するデータ分割部と、前記データ分割部から分割された前記第1〜第Nデータと前記第1〜第N領域にそれぞれ既設定された前記特定メモリアドレスとをマッピングするデータマッピング部と、前記データ分割部で分割された前記第1〜第Nデータを前記第1〜第N領域の前記特定メモリアドレスのそれぞれ、及びマッピングされた前記メモリ素子の前記メモリアドレスで指定される記憶領域に格納されるように制御する制御部と、を含んで構成されている。   To achieve the above object, the present invention provides a memory device having an address space composed of a plurality of memory addresses so that data can be read or written, and the address space of the memory device is defined as N. (N is a natural number greater than or equal to 2) divided into equal parts and defined as first to Nth areas, corresponding to the memory addresses of the memory elements and the address spaces of the first to Nth areas, respectively. An address mapping unit that maps so that specific memory addresses that are set correspond to each other, and data division that divides M (M is a natural number of 2 or more) bits into N equal parts and divides the data into first to Nth data And the first to Nth data divided from the data dividing unit and the specific memory addresses respectively set in the first to Nth areas are mapped. The first to Nth data divided by the data mapping unit and the data dividing unit are designated by the specific memory addresses of the first to Nth areas and the memory addresses of the mapped memory elements, respectively. And a control unit that controls to be stored in the storage area.

ここで、前記第1〜第N領域の前記特定メモリアドレスのそれぞれ、及びマッピングされた前記メモリ素子の前記メモリアドレスで指定される前記記憶領域に格納された前記第1〜第Nデータを組み合わせて元来のMビットのデータに復元するデータ復元部がさらに含まれることが好ましい。   Here, each of the specific memory addresses in the first to Nth areas and the first to Nth data stored in the storage area specified by the memory address of the mapped memory element are combined. It is preferable that a data restoration unit for restoring original M-bit data is further included.

好ましくは、前記アドレスマッピング部は、前記メモリ素子の前記アドレス空間を使用者の設定によりN等分して前記第1〜第N領域と定義することができる。   Preferably, the address mapping unit may define the first to Nth regions by dividing the address space of the memory device into N equal parts according to a user setting.

好ましくは、前記第1〜第N領域の前記特定メモリアドレスのそれぞれは、使用者の設定により同一の順序またはランダムな順序に位置した前記メモリアドレスからなり得る。   Preferably, each of the specific memory addresses in the first to Nth areas may be composed of the memory addresses located in the same order or in a random order according to a user setting.

好ましくは、前記メモリ素子は、8ビットのメモリ素子からなり、N=2で、M=16の場合、N=3で、M=24の場合、N=4で、M=32の場合のいずれか一つの場合でなされ得る。   Preferably, the memory device is an 8-bit memory device, and N = 2, M = 16, N = 3, M = 24, N = 4, and M = 32. Can be done in one case.

以上において説明したような本発明のメモリ素子を用いたデータアクセス装置によると、一つの8ビットのメモリ素子を用いて16ビット以上のデータを容易に読み取り/書き込み(Read/Write)動作することができる。これにより、安価で小さい容量のメモリ素子に大きい容量のデータを効率よくアクセスすることができ、コストを効果的に節減することができる利点がある。   According to the data access device using the memory element of the present invention as described above, it is possible to easily read / write (Read / Write) data of 16 bits or more using one 8-bit memory element. it can. Accordingly, it is possible to efficiently access a large amount of data to an inexpensive and small capacity memory element, and there is an advantage that the cost can be effectively reduced.

従来の技術に係る8ビットのメモリ素子に8ビットのデータを読み取り/書き込み動作する方式を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining a method of performing 8-bit data read / write operation on an 8-bit memory device according to a conventional technique. 従来の技術に係る複数の8ビットのメモリ素子を用いて24ビットのデータを読み取り/書き込み動作する方式を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining a method of performing a read / write operation of 24-bit data using a plurality of 8-bit memory elements according to a conventional technique. 本発明の一実施形態に係るメモリ素子を用いたデータアクセス装置を説明するための全体的なブロック構成図である。1 is an overall block configuration diagram for explaining a data access device using a memory device according to an embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態に係る一つの8ビットのメモリ素子を用いて24ビットのデータを読み取り/書き込み動作する方式を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a method of performing read / write operation of 24-bit data using one 8-bit memory device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るメモリ素子を用いたデータをアクセスする方法を説明するための全体的なフローチャートである。3 is an overall flowchart illustrating a method for accessing data using a memory device according to an embodiment of the present invention.

前述した目的、特徴及び長所は、添付の図面を参照して詳細に後述され、これにより、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が本発明の技術的思想を容易に実施することができるだろう。本発明を説明するにあたって、本発明と関連した公知の技術についての具体的な説明が、本発明の要旨に誤解を招くと判断される場合は、詳細な説明を省略する。   The above-described objects, features, and advantages will be described in detail later with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily implement the technical idea of the present invention. Will be able to. In describing the present invention, when it is determined that a specific description of a known technique related to the present invention is misleading in the gist of the present invention, a detailed description is omitted.

以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。しかし、下記に例示する本発明の実施形態は、種々の他の形態に変形され得るものであり、本発明の範囲は、下記に詳述する実施形態に限定されるものではない。本発明の実施形態は、当業界において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。また、図面において同一の参照符号は、同一または類似した構成要素を指すものと用いられる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention exemplified below can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described in detail below. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the same reference numerals are used to indicate the same or similar components.

図1は、従来の技術に係る8ビットのメモリ素子に8ビットのデータを読み取り/書き込み動作する方式を説明するための図であって、一つの8ビットのメモリ素子は、「0×0000〜0×NNNN」番地までのメモリアドレス(Address)を有している。従って、8ビットのデータを8ビットのメモリ素子の各メモリアドレスで指定される記憶領域に書き込み(Write)動作を行って格納し、必要な場合、読み取り(Read)動作を行ってデータを読み取る。   FIG. 1 is a diagram for explaining a method of reading / writing 8-bit data in an 8-bit memory device according to the prior art. One 8-bit memory device has “0 × 0000- It has memory addresses (Address) up to address “0 × NNNN”. Therefore, 8-bit data is stored in a storage area specified by each memory address of the 8-bit memory element by performing a write operation, and if necessary, a read operation is performed to read the data.

図2は、従来の技術に係る複数のメモリアドレスを有する8ビットのメモリ素子を用いて24ビットのデータを読み取り/書き込み動作する方式を説明するための図である。例えば、太陽光インバータシステムにおいて、24ビットのデータを格納するためには、3つの8ビットのメモリ素子を用いなければならない。   FIG. 2 is a diagram for explaining a method of reading / writing 24-bit data using an 8-bit memory device having a plurality of memory addresses according to the prior art. For example, in a solar inverter system, three 8-bit memory elements must be used to store 24-bit data.

そして、太陽光インバータシステムにおいて、8ビットのメモリ素子に格納しようとする24ビットのデータを3等分して3つの8ビットのデータに分ける。その後、分けられた3つの8ビットのデータを8ビットのメモリ素子にそれぞれ書き込み(Write)動作を行い、必要な場合、読み取り(Read)動作を行ってデータを読み取る方式である。   In the solar inverter system, the 24-bit data to be stored in the 8-bit memory element is divided into three equal parts and divided into three 8-bit data. Thereafter, the divided three 8-bit data are respectively written (write) to the 8-bit memory element, and if necessary, the read (read) operation is performed to read the data.

しかし、従来の技術は、用いるメモリ素子の容量(8ビット、24ビット等)によって太陽光インバータシステムで格納できるデータがそれぞれ8ビット、24ビット等に制限されるという短所がある。即ち、使用しようとするメモリ素子の容量によってメモリ素子に読み取り/書き込み動作できるデータの容量が決定される短所があり、市販される8ビットのメモリ素子の他に16ビット以上のメモリ素子は、価格が高い短所がある。   However, the conventional technology has a disadvantage in that the data that can be stored in the solar inverter system is limited to 8 bits, 24 bits, etc., depending on the capacity of the memory element used (8 bits, 24 bits, etc.). That is, the capacity of data that can be read / written in the memory element is determined by the capacity of the memory element to be used, and in addition to the commercially available 8-bit memory element, a memory element of 16 bits or more is priced. There are high disadvantages.

また、一般に市販される8ビットのメモリ素子には24ビットのデータを格納できない。仮に、8ビットのメモリ素子を用いて24ビットのデータを格納しようとするなら、図2に示されたように、8ビットのメモリ素子3つを用いなければならないので、価格が増加するという短所がある。   In addition, 24-bit data cannot be stored in a commercially available 8-bit memory element. If 24-bit data is to be stored using an 8-bit memory element, three 8-bit memory elements must be used as shown in FIG. 2, which increases the price. There is.

このような従来の問題点を解決するために、本発明は、例えば、太陽光インバータシステム等に用いられる一つの8ビットのメモリ素子に16ビット以上のデータを容易に読み取り/書き込み(Read/Write)動作できるようにする特徴的な技術である。   In order to solve such a conventional problem, for example, the present invention easily reads / writes data of 16 bits or more (Read / Write) to one 8-bit memory element used in a solar inverter system or the like. ) It is a characteristic technology that enables operation.

このような本発明の一実施形態に係るメモリ素子を用いたデータアクセス装置を適用すると、従来の技術の太陽光インバータシステム等に用いるメモリ素子の容量(8ビット、24ビット等)によって太陽光インバータシステムにおいて格納できるデータがそれぞれ8ビット、24ビット等に制限される問題点を解決することができる。また、使用しようとするメモリ素子の容量によってメモリ素子に読み取り/書き込み動作できるデータの容量が決定される問題点を効果的に解決することができる。   When such a data access device using a memory device according to an embodiment of the present invention is applied, a solar inverter is used depending on the capacity (8 bits, 24 bits, etc.) of the memory device used in a conventional solar inverter system or the like. The problem that the data that can be stored in the system is limited to 8 bits, 24 bits, etc. can be solved. Further, it is possible to effectively solve the problem that the capacity of data that can be read / written in the memory element is determined by the capacity of the memory element to be used.

即ち、本発明の実施形態によると、安価な小さい容量(8ビット)のメモリ素子に記憶された大きい容量(例えば、16ビット、24ビット、32ビット等)のデータを効率よくアクセス(Access)することができ、コストを効果的に節減することができる。   That is, according to the embodiment of the present invention, data of a large capacity (for example, 16 bits, 24 bits, 32 bits, etc.) stored in an inexpensive small capacity (8 bits) memory element is efficiently accessed (Access). And can save costs effectively.

図3は、本発明の一実施形態に係るメモリ素子を用いたデータアクセス装置を説明するための全体的なブロック構成図であり、図4は、本発明の一実施形態に係る一つの8ビットのメモリ素子を用いて24ビットのデータを読み取り/書き込み動作する方式を説明するための図である。   FIG. 3 is an overall block diagram illustrating a data access device using a memory device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 illustrates one 8-bit data according to an embodiment of the present invention. It is a figure for demonstrating the system which reads / writes data of 24 bits using the memory element of.

図3及び図4を参照すると、本発明の一実施形態に係るメモリ素子を用いたデータアクセス装置は、8ビットのメモリ素子100、アドレスマッピング部200、データ分割部300、データマッピング部400及び制御部500等を含んで構成されている。   Referring to FIGS. 3 and 4, a data access device using a memory device according to an embodiment of the present invention includes an 8-bit memory device 100, an address mapping unit 200, a data dividing unit 300, a data mapping unit 400, and a control. Part 500 and the like.

ここで、8ビットのメモリ素子100は、8ビット(bit)のデータを読み取るか、または書き込むことができるように、複数のメモリアドレス(Address)(例えば、「0×0000〜0×NNNN」番地までのアドレス空間)を有するメモリIC(Integrated Circuit)から構成し得るものである。   Here, the 8-bit memory device 100 can read or write 8-bit data, so that a plurality of memory addresses (for example, addresses “0 × 0000 to 0 × NNNN”) can be read. It can be configured from a memory IC (Integrated Circuit) having an address space up to.

このような8ビットのメモリ素子100は、データの格納位置を指定するメモリアドレスがあり、データが伝送される通路としてデータバス(data bus)が存在する。仮に、制御部500でデータを読み取るとき、読み取るデータのメモリアドレスを8ビットのメモリ素子100に伝送すると、8ビットのメモリ素子100は、指定されたメモリアドレスのデータをデータバスに載せて制御部500が読み取るようにする。データを書き込む時は、特定のメモリアドレスを与えると、8ビットのメモリ素子100は、該当メモリアドレスで指定される記憶領域にデータを書き込む。   Such an 8-bit memory device 100 has a memory address that designates a data storage position, and a data bus exists as a path through which data is transmitted. If data is read by the control unit 500 and the memory address of the data to be read is transmitted to the 8-bit memory device 100, the 8-bit memory device 100 places the data at the designated memory address on the data bus and controls the control unit 500. 500 reads. When writing data, if a specific memory address is given, the 8-bit memory device 100 writes the data to the storage area specified by the memory address.

そして、制御部500は、8ビットのメモリ素子100の位置情報であるメモリアドレスをアドレスバス(address bus)に載せて送る。8ビットのメモリ素子100がメモリアドレス情報を受けると、該当メモリアドレス情報で指定される記憶領域のデータを読み取るか、または書き込む。   Then, the control unit 500 sends a memory address, which is position information of the 8-bit memory element 100, on an address bus. When the 8-bit memory device 100 receives the memory address information, it reads or writes data in the storage area specified by the corresponding memory address information.

一方、8ビットのメモリ素子100は、電源が供給されなくても格納されたデータ情報を維持し続けることができ、読み取り/書き込み(Read/Write)動作が可能な不揮発性メモリ(Non−volatile memory、NVM、NVRAM)で具現されることが好ましい。不揮発性メモリは、例えば、ロム(ROM)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read−Only Memory)、フラッシュメモリ(Flash Memory)、相変化メモリ(Phase Change Memory)、抵抗メモリ(Resistive Memory)、磁気メモリ(Magnetic Memory)のいずれか一つであってよい。   On the other hand, the 8-bit memory device 100 can maintain stored data information even when power is not supplied, and can perform a read / write operation (Non-volatile memory). , NVM, NVRAM). Non-volatile memory includes, for example, ROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), flash memory (Flash Memory), phase change memory (Phase Change Memory), resistance memory (Resist Memory), resistance memory (Me) Memory).

アドレスマッピング部200は、8ビットのメモリ素子100のアドレス空間を3等分に分割して第1〜第3領域(A〜C)と定義する。その後、8ビットのメモリ素子100のメモリアドレス(0×0000〜0×NNNN)及び定義された第1〜第3領域(A〜C)にそれぞれ既設定されたメモリアドレス(0×000〜0×GGGG、0×GGGG+0×01〜0×HHHH、0×HHHH+0×01〜0×NNNN)が互いに一対一(1:1)対応するようにマッピング(Mapping)する機能を果たす。   The address mapping unit 200 defines the first to third regions (A to C) by dividing the address space of the 8-bit memory device 100 into three equal parts. Thereafter, the memory address (0 × 0000 to 0 × NNNN) of the 8-bit memory device 100 and the memory addresses (0 × 000 to 0 ×) already set in the defined first to third areas (A to C), respectively. GGGG, 0 × GGGG + 0 × 01 to 0 × HHHH, 0 × HHHH + 0 × 01 to 0 × NNNN) performs mapping so as to correspond to each other one to one (1: 1).

このようなアドレスマッピング部200は、図4に示されたように、8ビットのメモリ素子100のアドレス空間に対応するメモリアドレスを、アドレス番地順序により3等分して第1〜第3領域(A〜C)と定義することが好ましい。しかし、これに限定せず、アドレス番地順序に関係なくランダム(random)に3等分して第1〜第3領域(A〜C)と定義することもできる。   As shown in FIG. 4, the address mapping unit 200 divides the memory address corresponding to the address space of the 8-bit memory device 100 into three equal parts according to the address address order. A to C) are preferably defined. However, the present invention is not limited to this, and the first to third regions (A to C) can be defined by dividing into three equal parts randomly regardless of the address address order.

データ分割部300は、8ビットのデータが3つで構成された24ビットのデータを8ビットずつ3等分して第1〜第3の8ビットのデータに分割する機能を果たす。   The data dividing unit 300 functions to divide 24-bit data, which is composed of three 8-bit data, into eight equal bits and divide them into first to third 8-bit data.

このようなデータ分割部300は、図4に示されたように、24ビットのデータを順次に8ビットずつ上位8ビットのデータ、中位8ビットのデータ及び下位8ビットのデータに3等分して第1〜第3の8ビットのデータに分割することが好ましい。しかし、これに限定せず、24ビットのデータをランダム(random)に3等分して第1〜第3の8ビットのデータに分割することもできる。   As shown in FIG. 4, the data dividing unit 300 divides 24-bit data into 8 equal bits, upper 8 bits, middle 8 bits, and lower 8 bits. It is preferable to divide the data into first to third 8-bit data. However, the present invention is not limited to this, and the 24-bit data can be divided into three equal parts randomly and divided into first to third 8-bit data.

データマッピング部400は、データ分割部300から分割された第1〜第3の8ビットのデータとアドレスマッピング部200から定義された第1〜第3領域(A〜C)にそれぞれ既設定された特定メモリアドレスをマッピング(Mapping)する機能を果たす。   The data mapping unit 400 is set to the first to third 8-bit data divided from the data dividing unit 300 and the first to third areas (A to C) defined from the address mapping unit 200, respectively. It performs a function of mapping a specific memory address.

このとき、アドレスマッピング部200から定義された第1〜第3領域(A〜C)の各特定メモリアドレスは、同一の順序に位置したメモリアドレスからなることが好ましい。例えば、第1領域(A)で一番目に位置した「0×0000」番地アドレスに第1の8ビットのデータをマッピングさせる場合、第2及び第3領域(B及びC)で一番目に位置した「0×GGGG+0×01」及び「0×HHHH+0×01」番地アドレスに第2及び第3の8ビットのデータをそれぞれマッピングさせる。   At this time, it is preferable that the specific memory addresses in the first to third areas (A to C) defined by the address mapping unit 200 include memory addresses located in the same order. For example, when mapping the first 8-bit data to the address “0 × 0000” located first in the first area (A), the first position is located in the second and third areas (B and C). The second and third 8-bit data are mapped to the addresses “0 × GGGG + 0 × 01” and “0 × HHHH + 0 × 01”, respectively.

一方、アドレスマッピング部200から定義された第1〜第3領域(A〜C)の各特定メモリアドレスは、使用者の設定により互いに異なる順序またはランダムな順序に位置したメモリアドレスからなってもよい。   On the other hand, the specific memory addresses of the first to third areas (A to C) defined from the address mapping unit 200 may be memory addresses located in different orders or random orders depending on the setting of the user. .

制御部500は、データ分割部300で分割された第1〜第3の8ビットのデータを、アドレスマッピング部200から定義された第1〜第3領域(A〜C)の各特定メモリアドレスとマッピングされる8ビットのメモリ素子100のメモリアドレスとで指定される記憶領域に格納されるように制御する機能を果たす。   The control unit 500 converts the first to third 8-bit data divided by the data dividing unit 300 and the specific memory addresses of the first to third areas (A to C) defined from the address mapping unit 200. It performs the function of controlling to be stored in the storage area specified by the memory address of the 8-bit memory element 100 to be mapped.

データアクセス装置は、アドレスマッピング部200から定義された第1〜第3領域(A〜C)の各特定メモリアドレスとマッピングされる8ビットのメモリ素子100のメモリアドレスとで指定される記憶領域に格納された第1〜第3の8ビットのデータを組み合わせて元来の24ビットのデータに復元するデータ復元部600がさらに含まれる。   The data access device has a storage area designated by the specific memory addresses of the first to third areas (A to C) defined by the address mapping unit 200 and the memory address of the 8-bit memory element 100 to be mapped. Further included is a data restoration unit 600 that combines the stored first to third 8-bit data and restores the original 24-bit data.

一方で、本発明の一実施形態に適用されたアドレスマッピング部200、データ分割部300、データマッピング部400及びデータ復元部600は、ソフトウェア的にプログラミングされ、制御部500または中央処理装置(CPU)の内部で動作されるように具現することが好ましい。しかし、これに限定せず、アドレスマッピング部200、データ分割部300、データマッピング部400及びデータ復元部600を制御部500または中央処理装置(CPU)と互いに分離してハードウェア的に具現することもできる。   On the other hand, the address mapping unit 200, the data division unit 300, the data mapping unit 400, and the data restoration unit 600 applied to one embodiment of the present invention are programmed by software, and are the control unit 500 or the central processing unit (CPU). It is preferable to be implemented so as to be operated inside. However, the present invention is not limited to this, and the address mapping unit 200, the data division unit 300, the data mapping unit 400, and the data restoration unit 600 are implemented in hardware separately from the control unit 500 or the central processing unit (CPU). You can also.

他方で、本発明の一実施形態に適用されたアドレスマッピング部200、データ分割部300、データマッピング部400、制御部500及びデータ復元部600は、一つの中央処理装置(CPU)に含んで構成することもできる。   On the other hand, the address mapping unit 200, the data division unit 300, the data mapping unit 400, the control unit 500, and the data restoration unit 600 applied to one embodiment of the present invention are included in one central processing unit (CPU). You can also

以下においては、本発明の一実施形態に係るメモリ素子を用いたデータをアクセスする方法を具体的に説明する。
図5は、本発明の一実施形態に係るメモリ素子を用いたデータをアクセスする方法を説明するための全体的なフローチャートである。
Hereinafter, a method for accessing data using a memory device according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
FIG. 5 is an overall flowchart illustrating a method for accessing data using a memory device according to an embodiment of the present invention.

図3乃至図5を参照すると、本発明の一実施形態に適用された制御部500で24ビットのデータを8ビットのメモリ素子100で格納(Write)しようとする場合、先ず、アドレスマッピング部200を通して8ビットのメモリ素子100のアドレス空間を3等分に分割して第1〜第3領域(A〜C)と定義する(S100)。   Referring to FIGS. 3 to 5, when 24-bit data is to be stored (written) in the 8-bit memory device 100 by the control unit 500 applied to the embodiment of the present invention, first, the address mapping unit 200. Then, the address space of the 8-bit memory device 100 is divided into three equal parts and defined as first to third regions (A to C) (S100).

このとき、8ビットのメモリ素子100のメモリアドレスを既設定されたメモリアドレスの順序により3等分して第1〜第3領域(A〜C)と定義することが好ましい(図4参照)。   At this time, it is preferable to define the memory addresses of the 8-bit memory element 100 as the first to third regions (A to C) by dividing the memory address into three equal parts according to the order of the preset memory addresses (see FIG. 4).

その後、8ビットのメモリ素子100のメモリアドレスと第1〜第3領域(A〜C)にそれぞれ既設定されたメモリアドレスとが互いに一対一(1:1)対応するようにマッピングさせる(S200)。その後、データ分割部300を通して格納しようとする24ビットのデータを8ビットずつ3等分して第1〜第3の8ビットのデータに分割する(S300)。   Thereafter, the memory address of the 8-bit memory device 100 and the memory addresses already set in the first to third areas (A to C) are mapped so as to have a one-to-one (1: 1) correspondence (S200). . Thereafter, the 24-bit data to be stored through the data dividing unit 300 is divided into three equal parts of 8 bits and divided into first to third 8-bit data (S300).

このとき、24ビットのデータは、順次に8ビット(bit)ずつ上位8ビットのデータ、中位8ビットのデータ及び下位8ビットのデータに3等分して第1〜第3の8ビットのデータに分割することが好ましい。   At this time, the 24-bit data is divided into three equal parts, the upper 8 bits of data, the middle 8 bits of data, and the lower 8 bits of data sequentially in 8 bits (bits). It is preferable to divide the data.

以後、データマッピング部400を通してステップS300で分割された第1〜第3の8ビットのデータとステップS100で定義された第1〜第3領域(A〜C)にそれぞれ既設定された特定メモリアドレスをマッピングさせる(S400)。このとき、ステップS100で定義された第1〜第3領域(A〜C)の各特定メモリアドレスは、同一の順序に位置したメモリアドレスからなることが好ましい。   Thereafter, the first to third 8-bit data divided in step S300 through the data mapping unit 400 and the specific memory addresses already set in the first to third areas (A to C) defined in step S100. Are mapped (S400). At this time, it is preferable that the specific memory addresses of the first to third areas (A to C) defined in step S100 include memory addresses located in the same order.

次に、制御部500を通してステップS300で分割された第1〜第3の8ビットのデータをステップS100で定義された第1〜第3領域(A〜C)の各特定メモリアドレスとマッピングされる8ビットのメモリ素子100のメモリアドレスとで指定される記憶領域に格納する(S500)。   Next, the first to third 8-bit data divided in step S300 through the control unit 500 is mapped to the specific memory addresses in the first to third areas (A to C) defined in step S100. The data is stored in a storage area specified by the memory address of the 8-bit memory element 100 (S500).

即ち、格納しようとする24ビットのデータの第1の8ビットのデータを第1領域(A)に格納し、格納しようとする24ビットのデータの第2の8ビットのデータを第2領域(B)に格納し、格納しようとする24ビットのデータの第3の8ビットのデータを第3領域(C)に格納することとなる。   That is, the first 8-bit data of the 24-bit data to be stored is stored in the first area (A), and the second 8-bit data of the 24-bit data to be stored is stored in the second area (A). B), and the third 8-bit data of the 24-bit data to be stored is stored in the third area (C).

一方、前述したように、8ビットのメモリ素子100に格納されたデータを読み取ろうと(Read)する場合、データ復元部600を通してステップS100で定義された第1〜第3領域(A〜C)の特定メモリアドレスとマッピングされる8ビットのメモリ素子100のメモリアドレスとで指定される記憶領域に格納された第1〜第3の8ビットのデータを組み合わせて元来の24ビットのデータに復元した後、読み取り動作を行うことができる。   On the other hand, as described above, when data stored in the 8-bit memory device 100 is to be read (Read), the data in the first to third regions (A to C) defined in step S100 through the data restoration unit 600 is read. The original 24-bit data is restored by combining the first to third 8-bit data stored in the storage area specified by the specific memory address and the memory address of the 8-bit memory device 100 mapped. Thereafter, a reading operation can be performed.

前述した本発明の一実施形態に係るメモリ素子を用いたデータアクセス装置は、太陽光インバータシステムに適用されることが好ましい。しかし、これに限定せず、制御モジュールを基準にメモリにデータをアクセスできる全ての電子制御装置及びシステムに適用することができる。   The data access device using the memory element according to the embodiment of the present invention described above is preferably applied to a solar inverter system. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to all electronic control apparatuses and systems that can access data to the memory based on the control module.

また、本発明の一実施形態においては、一つの8ビットのメモリ素子に24ビットのデータを読み取るか、または書き込むことができるように具現した。しかし、これに限定せず、一つの小さい容量のメモリ素子(例えば、16ビット、32ビット、64ビット等)に大きい容量のデータ(例えば、32ビット、64ビット、128ビット等)を読み取るか、または書き込むことができるように具現することもできる。   In one embodiment of the present invention, 24-bit data can be read or written in one 8-bit memory device. However, the present invention is not limited to this, and a large capacity data (for example, 32 bits, 64 bits, 128 bits, etc.) is read into one small capacity memory element (for example, 16 bits, 32 bits, 64 bits, etc.), Alternatively, it can be implemented so that it can be written.

例えば、16ビットのデータを2等分して一つの8ビットのメモリ素子に読み取るか、または書き込むことができるように具現でき、32ビットのデータを4等分して一つの8ビットのメモリ素子に読み取るか、または書き込むことができるように具現できる。即ち、16ビット以上のデータを一つの8ビットのメモリ素子に読み取るか、または書き込むことができるように具現できる。一方、16ビット以上のメモリ素子も同様に大きい容量のデータ(例えば、32ビット、64ビット、128ビット等)を読み取るか、または書き込むことができるように具現できる。これに関する具体的な具現方法は、前述した本発明の一実施形態と同様に行うことが可能である。   For example, 16-bit data can be divided into two equal parts and read or written into one 8-bit memory element, and 32-bit data can be equally divided into four 8-bit memory elements. It can be implemented so that it can be read or written to. That is, it can be implemented so that data of 16 bits or more can be read or written to one 8-bit memory device. On the other hand, a memory device having 16 bits or more can also be implemented so as to be able to read or write a large amount of data (for example, 32 bits, 64 bits, 128 bits, etc.). A specific implementation method relating to this can be performed in the same manner as in the above-described embodiment of the present invention.

一方、本発明の一実施形態に係るメモリ素子を用いたデータアクセス方法はまた、コンピュータで読み取り可能な記録媒体にコンピュータが読み取り可能なコードとして具現され得る。コンピュータが読み取り可能な記録媒体は、コンピュータシステムにより読み取られ得るデータが格納される全ての種類の記録装置を含む。   Meanwhile, a data access method using a memory device according to an embodiment of the present invention may also be embodied as a computer readable code on a computer readable recording medium. Computer-readable recording media include all types of recording devices that store data that can be read by a computer system.

例えば、コンピュータが読み取り可能な記録媒体としては、ロム(ROM)、ラム(RAM)、シーディーロム(CD−ROM)、磁気テープ、ハードディスク、フロッピーディスク、移動式格納装置、不揮発性メモリ(Flash Memory)、光データ格納装置等がある。   For example, as a computer-readable recording medium, ROM (ROM), RAM (RAM), CD ROM (CD-ROM), magnetic tape, hard disk, floppy disk, mobile storage device, non-volatile memory (Flash Memory) And optical data storage devices.

また、コンピュータで読み取り可能な記録媒体は、コンピュータ通信網で接続されたコンピュータシステムに分散され、分散方式で読み取り可能なコードとして格納され、実行され得る。   Further, the computer-readable recording medium can be distributed in a computer system connected via a computer communication network and stored and executed as a code that can be read in a distributed manner.

以上において説明したような本発明のメモリ素子を用いたデータアクセス装置によると、一つの8ビットのメモリ素子を用いて16ビット以上のデータを容易に読み取り/書き込み(Read/Write)動作するようにすることができる。これにより、安価な小さい容量のメモリ素子に大きい容量のデータを効率よくアクセスすることができ、コストを効果的に節減することができる利点がある。   According to the data access apparatus using the memory device of the present invention as described above, it is possible to easily perform read / write (Read / Write) operation of data of 16 bits or more using one 8-bit memory device. can do. As a result, there is an advantage that large capacity data can be efficiently accessed to an inexpensive small capacity memory element, and the cost can be effectively reduced.

前述した本発明に係るメモリ素子を用いたデータアクセス装置に対する好ましい実施形態について説明した。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付の図面の範囲内で種々に変形して実施することが可能であり、これもまた本発明に属する。   A preferred embodiment of the data access device using the memory device according to the present invention has been described. However, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made within the scope of the claims, the detailed description of the invention and the attached drawings, and this is also applicable to the present invention. Belongs to the invention.

本発明は、メモリ素子を用いたデータアクセス装置に利用することができる。 The present invention can be used for a data access device using a memory element.

100 メモリ素子
200 アドレスマッピング部
300 データ分割部
400 データマッピング部
500 制御部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Memory element 200 Address mapping part 300 Data division part 400 Data mapping part 500 Control part

Claims (5)

データを読み取るか、または書き込むことができるように複数のメモリアドレスで構成されるアドレス空間を有するメモリ素子と、
前記メモリ素子の前記アドレス空間をN(Nは、2以上の自然数)等分に分割して第1〜第N領域と定義し、前記メモリ素子の前記メモリアドレスと、前記第1〜第N領域の前記アドレス空間に対応してそれぞれ設定される特定メモリアドレスとが互いに対応するようにマッピングするアドレスマッピング部と、
M(Mは、2以上の自然数)ビットのデータをN等分して第1〜第Nデータに分割するデータ分割部と、
前記データ分割部から分割された前記第1〜第Nデータと前記第1〜第N領域にそれぞれ既設定された前記特定メモリアドレスとをマッピングするデータマッピング部と、
前記データ分割部で分割された前記第1〜第Nデータを前記第1〜第N領域の前記特定メモリアドレスのそれぞれ、及びマッピングされた前記メモリ素子の前記メモリアドレスで指定される記憶領域に格納されるように制御する制御部と、を含む、メモリ素子を用いたデータアクセス装置。
A memory element having an address space composed of a plurality of memory addresses so that data can be read or written;
The address space of the memory element is divided into N (N is a natural number equal to or greater than 2) and defined as first to Nth areas, and the memory address of the memory element and the first to Nth areas are defined. An address mapping unit that performs mapping so that specific memory addresses respectively set corresponding to the address space correspond to each other;
A data dividing unit that divides M (M is a natural number of 2 or more) bits into N equal parts and divides the data into first to Nth data;
A data mapping unit that maps the first to Nth data divided from the data dividing unit and the specific memory addresses set in the first to Nth areas;
The first to Nth data divided by the data dividing unit is stored in each of the specific memory addresses of the first to Nth areas and a storage area specified by the memory address of the mapped memory element. And a data access device using a memory element.
前記第1〜第N領域の前記特定メモリアドレスのそれぞれ、及びマッピングされた前記メモリ素子の前記メモリアドレスで指定される前記記憶領域に格納された前記第1〜第Nデータを組み合わせて元来のMビットのデータに復元するデータ復元部がさらに含まれることを特徴とする、請求項1に記載のメモリ素子を用いたデータアクセス装置。   Each of the specific memory addresses of the first to Nth areas and the first to Nth data stored in the storage area specified by the memory address of the mapped memory element are combined to provide an original 2. The data access device using a memory device according to claim 1, further comprising a data restoring unit for restoring data of M bits. 前記アドレスマッピング部は、前記メモリ素子の前記アドレス空間を使用者の設定によりN等分して前記第1〜第N領域と定義することを特徴とする、請求項1または2に記載のメモリ素子を用いたデータアクセス装置。   3. The memory device according to claim 1, wherein the address mapping unit divides the address space of the memory device into N equal parts according to a user setting and defines the first to Nth regions. 4. Data access device using 前記第1〜第N領域の前記特定メモリアドレスのそれぞれは、使用者の設定により同一の順序またはランダムな順序に位置した前記メモリアドレスであることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のメモリ素子を用いたデータアクセス装置。   4. The memory device according to claim 1, wherein each of the specific memory addresses in the first to Nth areas is the memory address located in the same order or in a random order according to a user setting. 5. A data access device using the memory element according to one item. 前記メモリ素子は、8ビットのメモリ素子からなり、
N=2で、M=16の場合、N=3で、M=24の場合、N=4で、M=32の場合のいずれか一つの場合でなされることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のメモリ素子を用いたデータアクセス装置。
The memory device is an 8-bit memory device,
The case of N = 2, M = 16, N = 3, M = 24, N = 4, and M = 32 is performed in any one of the cases. A data access device using the memory element according to any one of claims 1 to 4.
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Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4307447A (en) 1979-06-19 1981-12-22 Gould Inc. Programmable controller
JPH03209544A (en) * 1990-01-11 1991-09-12 Nec Eng Ltd Memory control circuit
JPH03241443A (en) * 1990-02-20 1991-10-28 Fujitsu Ltd Memory access system
TW390446U (en) * 1992-10-01 2000-05-11 Hudson Soft Co Ltd Information processing system
US6226736B1 (en) * 1997-03-10 2001-05-01 Philips Semiconductors, Inc. Microprocessor configuration arrangement for selecting an external bus width
US6175891B1 (en) * 1997-04-23 2001-01-16 Micron Technology, Inc. System and method for assigning addresses to memory devices
JP3196720B2 (en) 1998-03-20 2001-08-06 日本電気株式会社 Associative memory control circuit and control method
US20010009539A1 (en) * 2000-01-24 2001-07-26 Jin Ogasawara Method of data recording
US7681013B1 (en) * 2001-12-31 2010-03-16 Apple Inc. Method for variable length decoding using multiple configurable look-up tables
KR100450680B1 (en) 2002-07-29 2004-10-01 삼성전자주식회사 Memory controller for increasing bus bandwidth, data transmitting method and computer system having the same
US20040128444A1 (en) * 2002-12-24 2004-07-01 Sung-Hoon Baek Method for storing data in disk array based on block division and method for controlling input/output of disk array by using the same
US6785191B2 (en) * 2003-01-09 2004-08-31 Micrel, Inc. Robust power-on meter and method using a limited-write memory
KR100585117B1 (en) 2003-12-26 2006-06-01 삼성전자주식회사 The semiconductor device including read data line with decreased line loads
US7480766B2 (en) 2005-08-03 2009-01-20 Sandisk Corporation Interfacing systems operating through a logical address space and on a direct data file basis
KR101305490B1 (en) 2005-10-01 2013-09-06 삼성전자주식회사 The method and apparatus for mapping memory
JP2008141278A (en) 2006-11-30 2008-06-19 Sanyo Electric Co Ltd Decoding circuit
KR20080051267A (en) 2006-12-05 2008-06-11 삼성전자주식회사 Driving apparatus for display device, display device including the same and driving method of display device
WO2008070172A2 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 Fusion Multisystems, Inc. (Dba Fusion-Io) Apparatus, system, and method for remote direct memory access to a solid-state storage device
KR101083673B1 (en) * 2008-10-01 2011-11-16 주식회사 하이닉스반도체 Solid State Storage System and Controlling Method thereof
KR101269901B1 (en) 2009-12-15 2013-05-31 한국전자통신연구원 Data derate matcher capable of providing harq and method thereof
JP2011145755A (en) 2010-01-12 2011-07-28 Renesas Electronics Corp Data control method and data controller
US8848445B2 (en) * 2011-05-17 2014-09-30 Sandisk Technologies Inc. System and method for minimizing write amplification while maintaining sequential performance using logical group striping in a multi-bank system
CN103959258B (en) * 2011-12-05 2017-03-29 英特尔公司 Background reorders --- the preventative wear control mechanism with limited expense
KR20130064521A (en) 2011-12-08 2013-06-18 삼성전자주식회사 Data storage device and data management method thereof
KR102024850B1 (en) * 2012-08-08 2019-11-05 삼성전자주식회사 Memory system including three dimensional nonvolatile memory device and programming method thereof
US20140297921A1 (en) * 2013-03-26 2014-10-02 Skymedi Corporation Method of Partitioning Physical Block and Memory System Thereof
JP6180271B2 (en) * 2013-10-09 2017-08-16 日本放送協会 Video recording apparatus and video recording method
TWI527058B (en) 2013-11-01 2016-03-21 群聯電子股份有限公司 Memory controlling method, memory storage device and memory controlling circuit unit
US9466383B2 (en) * 2013-12-30 2016-10-11 Sandisk Technologies Llc Non-volatile memory and method with adaptive logical groups

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