JP6140844B2 - 三次元パターニングデバイス用リソグラフィモデル - Google Patents
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Description
[0001] 本願は、2013年2月22日に出願され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国仮出願61/768,228号明細書の利益を主張する。
−プログラマブルミラーアレイ。そのようなデバイスの例は、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリクスアドレス可能な表面である。そのような装置の基本原理は、(例えば)反射表面のアドレスされた区域が入射した放射を回折した放射として反射し、アドレスされなかった区域は、入射した放射を非回折放射として反射するということである。適切なフィルタを使用して、上記非回折放射を反射ビームからフィルタ除去し、回折した放射だけを残すことができる。こうして、このビームは、マトリクスアドレス可能な表面のアドレッシングパターンに従ってパターン付与される。必要なマトリクスアドレッシングは、好適な電子手段を使用して実施することができる。そのようなミラーアレイに関する詳細情報は、例えば、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第5,296,891号明細書及び第5,523,193号明細書から収集できる。
−プログラマブルLCDアレイ。そのような構造の一例は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第5,229,872号明細書に記載されている。
−放射投影ビームBを調整する照明システムIL。この特定の例では、照明システムはさらに放射源SOを含んでいる。
−パターニングデバイスMA(例えばレチクル)を保持するパターニングデバイスホルダを備え、要素PSに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第1のポジショナに接続された第1のオブジェクトテーブル(例えばマスクテーブル)MT。
−基板W(例えばレジストコートシリコンウェーハ)を保持する基板ホルダを備え、要素PSに対して基板を正確に位置決めする第2のポジショナに接続された第2のオブジェクトテーブル(基板テーブル)WT。
−基板Wの(例えば、1つ以上のダイを含む)ターゲット部分C上にパターニングデバイスMAの照射部分を結像する投影システム(「レンズ」)PS(例えば、屈折、反射光学、又は反射屈折光学システム)。
−ステップモードでは、パターニングデバイステーブルMTは、基本的に固定状態に保たれ、全パターニングデバイス画像は、1回で(すなわち、1回の「フラッシュ」で)ターゲット部分C上に投影される。次に、異なるターゲット部分CをビームPBで照射することができるように、基板テーブルWTがx及び/又はy方向にシフトされる。
−スキャンモードでは、所与のターゲット部分Cが1回の「フラッシュ」で露光されないことを除けば、基本的には同じシナリオが適用される。代わりに、パターニングデバイステーブルMTを、速度vで所与の方向(例えば、y方向のような、いわゆる「スキャン方向」)に移動することができ、その結果、投影ビームBはパターニングデバイス画像上をスキャンする。同時に、基板テーブルWTは、速度V=Mvで同じ方向又は反対方向に同時に移動する。但し、MはレンズPLの倍率(通常、M=1/4又は1/5である)である。このようにして、解像度を犠牲にすることなく比較的広いターゲット部分Cを露光することができる。
[0076] −光源コレクタモジュールSO、
[0077] −放射ビームB(例えばEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)IL、
[0078] −パターニングデバイス(例えばマスク又はレチクル)MAを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MT、
[0079] −基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持し、基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WT、
[0080] −パターニングデバイスMAによって、放射ビームBに与えられたパターンを基板Wの(例えば、1つ以上のダイを含む)ターゲット部分C上に投影するように構成された投影システム(例えば反射型投影システム)PS。
又は実空間では
)は、ライブラリ1110から知られ、又は必要に応じて計算されるフィーチャ要素の成分の散乱関数から以下のように導出することができる。
又は
但し、
はフィーチャ要素の形状特性を特徴付けるフィーチャ要素のフィルタ関数であり、
は
のフーリエ変換であり、
はフィーチャ要素の散乱関数であり、
は
のフーリエ変換であり、
は畳み込みを指す。
及び
はパターニングデバイス上のフィーチャ要素の位置の関数であってよい。ある実施形態では、
及び
は、リソグラフィ投影装置内の光源のスリット位置の関数であってよい。
[00121] −放射投影ビームBを供給する放射システムEx、IL。この特定の例では、放射システムは放射源SOをさらに備える。
[00122] −マスクMA(例えば、レチクル)を保持するマスクホルダを有し、投影システムPSに対してマスクを正確に位置決めする第1の位置決め手段PMに接続された第1のオブジェクトテーブル(マスクテーブル)MT。
[00123] −基板W(例えば、レジストコートシリコンウェーハ)を保持する基板ホルダを備え、投影システムPSに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決め手段PWに接続された第2のオブジェクトテーブル(基板テーブル)WT。
[00124] −基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上にマスクMAの照射部分を結像する投影システム(「レンズ」)PS(例えば、屈折、反射光学、又は反射屈折光学システム)。
1.リソグラフィ投影装置で、1つ以上のフィーチャを備えるパターニングデバイスの散乱放射場をシミュレートするコンピュータ実施方法であって、
前記1つ以上のフィーチャのフィーチャ要素の1つ以上の散乱関数を用いてパターニングデバイスの散乱関数を決定するステップを含み、
前記1つ以上のフィーチャの少なくとも1つが三次元フィーチャである、方法。
2.リソグラフィ投影装置で、1つ以上のフィーチャを備えるパターニングデバイスの散乱放射場をシミュレートするコンピュータ実施方法であって、
前記1つ以上のフィーチャのフィーチャ要素の1つ以上の散乱関数を用いてパターニングデバイスの散乱関数を決定するステップを含み、
前記1つ以上の散乱関数が、前記フィーチャ要素上の複数の入射角での入射放射場の散乱を特徴付ける、方法。
3.前記散乱放射場が、前記パターニングデバイスにより散乱される斜入射放射場によって生成される、条項1又は2に記載の方法。
4.前記フィーチャ要素が、エッジ、区域、コーナー、近接コーナー、近接エッジ、及びこれらの組み合わせからなるグループから選択される、条項1又は2に記載の方法。
5.前記1つ以上の散乱関数が、厳密なソルバを用いて計算される、条項1又は2に記載の方法。
6.前記1つ以上の散乱関数が、陰影効果、パターン依存性ベストフォーカスシフト、パターンシフト、及びこれらの組み合わせからなるグループから選択される効果を特徴付ける、条項1又は2に記載の方法。
7.前記陰影効果が非対称である、条項6に記載の方法。
8.前記パターンシフトが、グローバルパターンシフトと、パターン依存性パターンシフトと、を含む、条項6に記載の方法。
9.前記パターンシフトが、マスクの焦点ずれに起因する、条項6に記載の方法。
10.前記パターンシフトが、前記パターニングデバイス上の異なる位置での入射放射場が異なる入射角を有することに起因する、条項6に記載の方法。
11.前記1つ以上の散乱関数が、前記1つ以上のフィーチャ間の二次散乱を特徴付ける、条項1又は2に記載の方法。
12.前記散乱放射場が、極端紫外線帯域内の波長を有する放射を含む、条項1又は2に記載の方法。
13.前記1つ以上の散乱関数が、ライブラリにコンパイルされる、条項1又は2に記載の方法。
14.前記ライブラリが索引情報を含む、条項13に記載の方法。
15.前記1つ以上の散乱関数が、前記フィーチャ要素上の複数の入射角での入射放射場の散乱を特徴付ける、条項1に記載の方法。
16.前記パターニングデバイスの前記散乱関数が、前記パターニングデバイス上の前記フィーチャ要素の位置に応じて、前記フィーチャ要素の前記1つ以上の散乱関数及び1つ以上のフィルタ関数の積又は畳み込みの総和により計算される、条項1又は2に記載の方法。
17.前記パターニングデバイスの散乱関数及び入射放射場から前記散乱放射場を計算するステップをさらに含む、条項1又は2に記載の方法。
18.前記リソグラフィ投影装置で露光されるウェーハ上のレジスト層内の放射場を計算するステップをさらに含む、条項1又は2に記載の方法。
19.レジスト像の計算をさらに含む、条項1又は2に記載の方法。
20.グローバルパターンシフトが基本的にゼロになるように、前記投影光学系のオブジェクト面として、前記パターニングデバイスと投影光学系との間の前記リソグラフィ投影装置の光路上の面を選択するステップをさらに含む、条項1又は2に記載の方法。
21.前記1つ以上のフィルタ関数が、前記リソグラフィ投影装置内の光源のスリット位置の関数である、条項16に記載の方法。
22.コンピュータによって実行されると、条項1〜21のいずれかに記載の方法を実施する命令が記録されているコンピュータ可読媒体を含む、コンピュータプログラム製品。
Claims (14)
- リソグラフィ投影装置で、1つ以上のフィーチャを備えるパターニングデバイスの散乱放射場をシミュレートするコンピュータ実施方法であって、
前記1つ以上のフィーチャのフィーチャ要素の1つ以上の散乱関数を用いてパターニングデバイスの散乱関数を決定するステップと、
全パターンが基本的に同量だけシフトするグローバルパターンシフトが基本的にゼロになるように、前記投影光学系のオブジェクト面として、前記パターニングデバイスと投影光学系との間の前記リソグラフィ投影装置の光路上の面を選択するステップと、を含み、
前記1つ以上の散乱関数が、前記フィーチャ要素上の複数の入射角での入射放射場の散乱を特徴付ける、方法。 - 前記散乱放射場が、前記パターニングデバイスにより散乱される斜入射放射場によって生成される、請求項1に記載の方法。
- 前記フィーチャ要素が、エッジ、区域、コーナー、近接コーナー、近接エッジ、及びこれらの組み合わせから構成されたグループから選択される、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記1つ以上の散乱関数が、厳密なソルバを用いて計算される、請求項1から3の何れか一項に記載の方法。
- 前記1つ以上の散乱関数が、陰影効果、パターン依存性ベストフォーカスシフト、パターンシフト、及びこれらの組み合わせから構成されたグループから選択される効果を特徴付ける、請求項1から4の何れか一項に記載の方法。
- 前記陰影効果が非対称である、請求項5に記載の方法。
- 前記パターンシフトが、前記グローバルパターンシフトと、パターン依存性パターンシフトと、を含む、請求項5に記載の方法。
- 前記パターンシフトが、前記パターニングデバイス上の異なる位置での入射放射場が異なる入射角を有することに起因する、請求項5に記載の方法。
- 前記1つ以上の散乱関数が、前記1つ以上のフィーチャ間の二次散乱を特徴付ける、請求項1から8の何れか一項に記載の方法。
- 前記1つ以上の散乱関数がライブラリにコンパイルされる、請求項1から9の何れか一項に記載の方法。
- 前記パターニングデバイスの前記散乱関数が、前記パターニングデバイス上の前記フィーチャ要素の位置に応じて、前記フィーチャ要素の前記1つ以上の散乱関数及び1つ以上のフィルタ関数の積又は畳み込みの総和により計算される、請求項1から10の何れか一項に記載の方法。
- レジスト像の計算をさらに含む、請求項1から11の何れか一項に記載の方法。
- 前記1つ以上のフィルタ関数が、前記リソグラフィ投影装置内の光源のスリット位置の関数である、請求項11に記載の方法。
- コンピュータによって実行されると、請求項1から13の何れか一項に記載の方法を実施する命令を含む、コンピュータプログラム。
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