JP6135248B2 - 進角シミュレーション方法及び進角シミュレーションプログラム - Google Patents
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Description
モータ効率=出力/入力×100[%]
出力=機械出力=2πNt/60・Tn[W]
入力=投入電力[W]
投入電力≒機械出力+銅損+鉄損[W]
銅損=Ru・Iu 2+Rv・Iv 2+Rw・Iw 2
(a)ホール素子の検出感度による誤差
(b)電機子磁束重畳による誤差
前記対象機のファン負荷特性と負荷点の効率を図3に示す。モータ効率は最適進角値に上記誤差を考慮しない場合の磁界解析結果である。図3(a)はトルク−回転数特性を示し、Low(低負荷(0.018Nm、480rpm))、Middle(中負荷(0.177Nm、1160rpm))、High(高負荷(0.384Nm、1580rpm))の順に負荷トルクが増加する。図3(b)は負荷点別の効率−進角特性を示し、δ Optimalはモータ効率が最大となる進角値を表している。負荷トルクの増加に伴い最適進角の位相(0°(低負荷)、5°(中負荷)、15°(高負荷))が進む傾向にある。
図4にホール素子周辺の磁束線の概略図を示す。ホール素子は、磁束密度BHのZ成分BHzを検出し、以下の(1)式に示すように、定数KH[mV/mT]に比例した電圧信号VBを出力する。
VB=KH・BHz ・・・(1)
BHには主に磁石による磁束密度Bmと固定子巻線の通電によって発生する磁束密度Baが影響しているため、磁束密度Baが影響が増えるとホール素子による位置検出に誤差が発生する要因となる。
[ハードウェア構成]
図16に示すのは、進角シミュレーションを行うためのハードウェア構成を表したものである。CPU、メモリ、及び、外部記憶装置としてのハードディスクドライブ(HDD)を具備したコンピュータと、入力装置としてのマウス及びキーボードと、表示装置としてのディスプレイとからなる。ハードディスクドライブには、進角シミュレーションを行うためのソフトウェアや入出力データが格納されている。
図7に3次元磁界解析モデルを示す。この3次元磁界解析モデルは、対象機の構造をメッシュで再現したものである。解析対象機は回転子磁石がオーバーハングを持ち空気中に漏れ磁束が発生する。さらにホール素子が検出する磁束密度を計算するため3次元解析が必要である。
図9に示すのは、本発明の進角シミュレーションの流れを表したフローチャートである。進角シミュレーションの前提として、固定子巻線への通電タイミングを制御する進角値を含む制御パラメータ、モータの形状を特定する形状パラメータ、磁石の磁束密度を含む磁気特性パラメータ、回転子の回転数を含むモータの運転状態パラメータなど、モータの構造上の特性を決定するためのパラメータが予めハードディスクドライブに記録された3次元磁界解析モデルが既に存在するものとし、これは3次元磁界解析ソフトに基づいて作成されている。例えば、ステータの巻線抵抗Ru、Rv、Rw[Ω]は入力済みのパラメータである。この3次元磁界解析モデルが構築されていることを前提として、以下において、「3次元磁界解析処理」という場合には、図16のコンピュータ上においてHDDに格納された3次元磁界解析ソフトを読み出してCPUで演算処理を行い、適宜演算結果をメモリに記憶させる処理のことをいうものとする。また、その他の演算処理においても、メモリから演算式を読み出して演算処理を行い、その演算結果をメモリに記憶させていることは言うまでもない。
ΔθL=ΔθLk−1 ・・・(2)
δ’=δ−ΔθL ・・・(3)
以上の処理により、進角シミュレーションとして最終的な実駆動進角値δ’が得られる。この最終的な実駆動進角値δ’とともに、このときの結果トルクTn、電源電圧Vmn、固定子巻線の電流値Iu、Iv、Iw(3相)、ホール素子磁束密度Z成分BHz等の結果を出力データとしてHDDに記録する。
また、得られた出力データに基づいて、モータ効率を次式で求める。
ここで、η:モータ効率[%]、Po:モータ出力[W]、Pi:モータ入力[W]、Wc:銅損[W]、Wi:ステータコア鉄損[W]、N:回転数[rpm]、T:トルク[Nm]である。
ステータコア鉄損Wiは高調波を含む損失算定法を用いた。ここではステータコア鉄損を算出する際のヒステリシス損係数Khと渦電流損係数Keは二周波法で求め、Kh=2.42×10−2[W/kg/Hz/T2]、Ke=1.74×10−4[W/kg/Hz/T2]とした。なお、インバータ損や機械損、風損、その他損失は考慮していない。
[測定システム]
前記進角シミュレーションの妥当性を評価するために、試作モータ(以下「実験機」)で測定した値と比較して評価を行う必要がある。図10に測定システムを示す。この図10において、速度指令電圧VSPを調整して、所定の回転数、トルクでSPMモータを駆動させて、モータ入力Pi、電流及び電圧をパワーメータで測定し、トルクTをトルクメータで測定して、これらの結果をコンピュータのHDDに記録するものとする。銅損以外の損失を鉄損とその他損Wetcとして、次式で求める。
Wetc=Pi−Po−Wc ・・・(7)
[無負荷誘起電圧]
無負荷誘起電圧を比較し、磁石磁束の解析精度を確認する。図12に解析結果と測定結果を示す。波形はよく一致し十分な精度である。
ホール素子Hwにおける検出誤差を解析した。図13に磁束密度解析結果を示す。波形はそれぞれホール素子の磁束密度のZ方向成分を表している。(a)Bmzは磁石磁束のみ、(b)BHzは負荷時(1580rpm,0.384Nm)、(c)Bazは負荷時の電機子コイルのみ、(d)Bmz+Bazは磁石磁束と電機子コイルを足したものである。Bazの電機子コイルのみの波形は、負荷時の電流波形を取り出し、磁石部を空気に置き換えた解析モデルのコイル電流として入力し計算した結果である。電気角90°と270°付近に着目するとBmzに対しBHzは位相が遅れている。BHzはBmzとBazを足した波形にほぼ一致し、電機子コイルの磁束によって位相が遅れていることが分かる。
Claims (2)
- 巻線が巻回された固定子と、磁石を有する回転子と、前記回転子の位置を前記磁石の磁束密度を測定することにより検出する位置検出手段とを具備したモータに関して、前記固定子巻線への通電タイミングを制御する進角値を含む制御パラメータと、前記モータの形状を特定する形状パラメータと、前記磁石の磁束密度を含む磁気特性パラメータと、前記回転子の回転数を含むモータの運転状態パラメータとを入力してコンピュータで3次元磁界解析処理を行うことで、磁束密度およびモータ効率をシミュレーションするシミュレーション方法であって、
前記各パラメータを入力する入力手順と、
入力された前記各パラメータに基づいてコンピュータで前記3次元磁界解析処理を行って、前記3次元磁界解析処理結果として少なくとも前記位置検出手段で検出されるべき磁束密度を得る3次元磁界解析処理手順と、
前記位置検出手段で検出されるべき磁束密度に基づいて、前記位置検出手段で検出されるべき前記磁石の磁束密度に基づく前記回転子の位置検知信号の、前記固定子からの磁束の影響による位置検知誤差を演算する位置検知誤差演算手順と、
前記位置検知誤差を前記進角値に加えて、前記3次元磁界解析処理手順及び前記位置検知誤差演算手順とを繰り返し、位置検知誤差が収束するか否かを判定する収束判定手順
とによって得られた収束した位置検知誤差を前記進角値に加えた進角値および同進角値に基づくモータ効率をシミュレーションすることを特徴とする進角シミュレーション方法。 - 巻線が巻回された固定子と、磁石を有する回転子と、前記回転子の位置を前記磁石の磁束密度を測定することにより検出する位置検出手段とを具備したモータに関して、前記固定子巻線への通電タイミングを制御する進角値を含む制御パラメータと、前記モータの形状を特定する形状パラメータと、前記磁石の磁束密度を含む磁気特性パラメータと、前記回転子の回転数を含むモータの運転状態パラメータとを入力してコンピュータで3次元磁界解析処理を行うことで、3次元磁界解析処理結果として磁束密度およびモータ効率をシミュレーションするシミュレーションプログラムであって、
CPU、メモリ、外部記憶装置、及び、入力装置を具備したコンピュータにおいて、
前記入力装置によって入力された前記各パラメータを外部記憶装置に記録する入力手順と、
入力された前記パラメータに基づいて前記CPUで前記3次元磁界解析処理を行って前記3次元磁界解析処理結果として少なくとも前記位置検出手段で検出されるべき磁束密度を得て前記メモリに記憶する3次元磁界解析処理手順と、
前記位置検出手段で検出されるべき磁束密度に基づいて、前記位置検出手段で検出されるべき前記回転子からの磁束密度に基づく前記回転子の位置検知信号の、前記固定子からの磁束の影響による位置検知誤差を前記CPUで演算して前記メモリに記憶する位置検知誤差演算手順と、
前記位置検知誤差を前記進角値に加えて前記3次元磁界解析処理手順及び前記位置検知誤差演算手順とを繰り返し、位置検知誤差が収束するか否かを前記CPUで判定する収束判定手順とによって得られた収束した位置検知誤差を前記進角値に加えて前記CPUで演算して得た進角値および同進角値に基づくモータ効率をシミュレーション結果として前記メモリに記憶するようにしたことを特徴とする進角シミュレーションプログラム。
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