JP6134284B2 - リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 - Google Patents
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- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims description 179
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 176
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 139
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 88
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 78
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 77
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 295
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 39
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 30
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 22
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 17
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 9
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- -1 aromatics Chemical class 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000005514 two-phase flow Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001595 contractor effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/522—Projection optics
- G03B27/525—Projection optics for slit exposure
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Description
実施形態をいくつか挙げる。
1.リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造は、液浸流体を入れるよう構成された空間の、本流体ハンドリング構造の外部の領域に対する境界において、
前記空間からの半径方向外向きの液浸流体の通過に抵抗するメニスカス固定特徴部と、
線形アレイ状の複数のガス供給開口と、
前記線形アレイ状の複数のガス供給開口の半径方向外側に設けられた少なくともひとつのガスリカバリ開口と、を備え、
前記複数のガス供給開口は前記メニスカス固定特徴部を少なくとも部分的に囲み、前記複数のガス供給開口は前記メニスカス固定特徴部の半径方向外側に設けられる、流体ハンドリング構造。
2.前記少なくともひとつのガスリカバリ開口は、線形アレイ状の複数のガスリカバリ開口を含む、実施形態1に記載の流体ハンドリング構造。
3.リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造は、液浸流体を入れるよう構成された空間の、本流体ハンドリング構造の外部の領域に対する境界において、
前記空間からの半径方向外向きの液浸流体の通過に抵抗するメニスカス固定特徴部と、
前記メニスカス固定特徴部を少なくとも部分的に囲み、かつ、前記メニスカス固定特徴部の半径方向外側に設けられたガスナイフの開口と、
前記ガスナイフの開口の半径方向外側に設けられた少なくともひとつのガスリカバリ開口と、を備え、
前記少なくともひとつのガスリカバリ開口は、同様のまたは同一のサイズの複数のガスリカバリ開口を含む、流体ハンドリング構造。
4.リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造は、液浸流体を入れるよう構成された空間の、本流体ハンドリング構造の外部の領域に対する境界において、
前記空間からの半径方向外向きの液浸流体の通過に抵抗するメニスカス固定特徴部と、
前記メニスカス固定特徴部を少なくとも部分的に囲み、かつ、前記メニスカス固定特徴部の半径方向外側に設けられたガスナイフの開口と、
前記ガスナイフの開口の半径方向外側に設けられた少なくともひとつのガスリカバリ開口と、を備え、
前記少なくともひとつのガスリカバリ開口は、線に沿った周期的パターンで配置された複数のガスリカバリ開口を含む、流体ハンドリング構造。
5.リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造は、液浸流体を入れるよう構成された空間の、本流体ハンドリング構造の外部の領域に対する境界において、
前記空間からの半径方向外向きの液浸流体の通過に抵抗するメニスカス固定特徴部と、
前記メニスカス固定特徴部を少なくとも部分的に囲み、かつ、前記メニスカス固定特徴部の半径方向外側に設けられたガスナイフの開口と、
前記ガスナイフの開口の半径方向外側に設けられた少なくともひとつのガスリカバリ開口と、を備え、
前記少なくともひとつのガスリカバリ開口は、等間隔で配置された複数のガスリカバリ開口を含む、流体ハンドリング構造。
6.前記ガスナイフの開口は、線形アレイ状の複数のガス供給開口を含む、実施形態3から5のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
7.前記線形アレイ状の複数のガス供給開口のうちの隣接するガス供給開口間の空間のそれぞれは、前記線形アレイ状の複数のガスリカバリ開口のうちの対応するガスリカバリ開口を有する、実施形態2または6に記載の流体ハンドリング構造。
8.前記対応するガスリカバリ開口は、前記対応するガスリカバリ開口を通って平面視で液浸流体を入れるよう構成された前記空間の中心に向かう線が、隣接するガス供給開口間の対応する空間を実質的に二等分するよう配置される、実施形態7に記載の流体ハンドリング構造。
9.前記ガス供給開口または前記ガスナイフの開口と前記ガスリカバリ開口との離間距離は少なくとも0.2mmおよび/または最大で1.0mmである、実施形態1から8のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
10.前記ガス供給開口または前記ガスナイフの開口から前記ガスリカバリ開口に向かう向きに延びる、本流体ハンドリング構造の下面に設けられた溝をさらに備える、実施形態1から9のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
11.前記溝は少なくとも40μmまたは少なくとも50μmの幅を有し、および/または、前記溝は最大で150μmまたは最大で100μmの幅を有し、および/または、前記溝は少なくとも50μmの深さを有し、および/または、前記溝は最大で500μmの深さを有する、実施形態10に記載の流体ハンドリング構造。
12.前記メニスカス固定特徴部は、線形アレイ状の複数の開口または単相抽出器を含む、実施形態1から11のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
13.前記ガス供給開口または前記ガスナイフの開口は、平面視でコーナを有する形状を有する、実施形態1から12のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
14.実施形態1から13のいずれかに記載の流体ハンドリング構造を備える液浸リソグラフィ装置。
15.投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通じてパターン形成された放射ビームを投影することと、
線形アレイ状の複数のガス供給開口を通じて、前記液浸液のメニスカスに隣接する位置に、ガスを提供することと、
前記線形アレイ状の複数のガス供給開口のうちの隣接するガス供給開口を通過した液体を、前記線形アレイ状の複数のガス供給開口の半径方向外側に設けられたガスリカバリ開口を通じて、回収することと、を含むデバイス製造方法。
Claims (9)
- リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造は、液浸流体を入れるよう構成された空間の、本流体ハンドリング構造の外部の領域に対する境界において、
前記空間からの半径方向外向きの液浸流体の通過に抵抗する線形アレイ状の複数の開口または単相抽出器を含むメニスカス固定特徴部と、
前記メニスカス固定特徴部を少なくとも部分的に囲み、かつ、前記メニスカス固定特徴部の半径方向外側にあり、2行を含む線形アレイ状に設けられた複数のガス供給開口と、
前記複数のガス供給開口の半径方向外側にあり、線形アレイ状の複数の抽出開口と、を備え、
前記複数の抽出開口内へのフローレートが、前記メニスカス固定特徴部と前記複数のガス供給開口と前記複数の抽出開口との間でガスフローのバランスをとるよう構成される、流体ハンドリング構造。 - 前記複数のガス供給開口は、前記2行に沿ってジグザグ状に設けられている、請求項1に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記複数のガス供給開口は、線に沿った周期的パターンで、または、等間隔に、配置されている、請求項1または2に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記複数のガス供給開口は、本流体ハンドリング構造の下方の通路において基板または基板テーブルの対向表面上に残される液体フィルムの厚さを低減するよう機能する、請求項1から3のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
- 本流体ハンドリング構造の下面において前記複数のガス供給開口から前記複数の抽出開口に向かう向きに延びる溝をさらに備える、請求項1から4のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
- 前記線形アレイ状の前記複数のガス供給開口のうちの隣接するガス供給開口間のスペースのそれぞれは、前記線形アレイ状の前記複数の抽出開口のうちの対応する抽出開口を有する、請求項5に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記溝が形成された本流体ハンドリング構造の下面を形成する材料の接触角は、前記溝の両辺の間に形成される角度より小さい、請求項5または6に記載の流体ハンドリング構造。
- 二酸化炭素が前記複数のガス供給開口を通じて提供される、請求項1から7のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
- 前記メニスカス固定特徴部からの二酸化炭素のフローレートに前記複数の抽出開口からのガスのフローレートを足したものは、前記複数のガス供給開口からのガスのフローレート以上である、請求項8に記載の流体ハンドリング構造。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161506442P | 2011-07-11 | 2011-07-11 | |
US61/506,442 | 2011-07-11 | ||
US201161526992P | 2011-08-24 | 2011-08-24 | |
US61/526,992 | 2011-08-24 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012154531A Division JP5512753B2 (ja) | 2011-07-11 | 2012-07-10 | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017084217A Division JP6343063B2 (ja) | 2011-07-11 | 2017-04-21 | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014150270A JP2014150270A (ja) | 2014-08-21 |
JP2014150270A5 JP2014150270A5 (ja) | 2015-08-27 |
JP6134284B2 true JP6134284B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=47481388
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012154531A Active JP5512753B2 (ja) | 2011-07-11 | 2012-07-10 | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2014063559A Active JP6134284B2 (ja) | 2011-07-11 | 2014-03-26 | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
JP2017084217A Active JP6343063B2 (ja) | 2011-07-11 | 2017-04-21 | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
JP2018095136A Active JP6633686B2 (ja) | 2011-07-11 | 2018-05-17 | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
JP2019224439A Active JP7133536B2 (ja) | 2011-07-11 | 2019-12-12 | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012154531A Active JP5512753B2 (ja) | 2011-07-11 | 2012-07-10 | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017084217A Active JP6343063B2 (ja) | 2011-07-11 | 2017-04-21 | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
JP2018095136A Active JP6633686B2 (ja) | 2011-07-11 | 2018-05-17 | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
JP2019224439A Active JP7133536B2 (ja) | 2011-07-11 | 2019-12-12 | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9069262B2 (ja) |
JP (5) | JP5512753B2 (ja) |
KR (1) | KR101477605B1 (ja) |
CN (1) | CN102880007B (ja) |
NL (1) | NL2008979A (ja) |
TW (1) | TWI497227B (ja) |
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CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
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-
2012
- 2012-06-12 NL NL2008979A patent/NL2008979A/en not_active Application Discontinuation
- 2012-07-02 TW TW101123779A patent/TWI497227B/zh active
- 2012-07-05 US US13/542,546 patent/US9069262B2/en active Active
- 2012-07-06 KR KR1020120073818A patent/KR101477605B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-10 CN CN201210238864.8A patent/CN102880007B/zh active Active
- 2012-07-10 JP JP2012154531A patent/JP5512753B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-26 JP JP2014063559A patent/JP6134284B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-14 US US14/712,671 patent/US9442390B2/en active Active
-
2016
- 2016-09-09 US US15/261,616 patent/US10133190B2/en active Active
-
2017
- 2017-04-21 JP JP2017084217A patent/JP6343063B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-17 JP JP2018095136A patent/JP6633686B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-12 JP JP2019224439A patent/JP7133536B2/ja active Active
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JP2018159933A (ja) * | 2011-07-11 | 2018-10-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014150270A (ja) | 2014-08-21 |
JP2017126092A (ja) | 2017-07-20 |
US20150309421A1 (en) | 2015-10-29 |
JP6343063B2 (ja) | 2018-06-13 |
JP2018159933A (ja) | 2018-10-11 |
US20160377989A1 (en) | 2016-12-29 |
US10133190B2 (en) | 2018-11-20 |
JP2020052424A (ja) | 2020-04-02 |
KR101477605B1 (ko) | 2014-12-30 |
TW201305742A (zh) | 2013-02-01 |
US20130016333A1 (en) | 2013-01-17 |
NL2008979A (en) | 2013-01-14 |
US9442390B2 (en) | 2016-09-13 |
JP7133536B2 (ja) | 2022-09-08 |
TWI497227B (zh) | 2015-08-21 |
CN102880007A (zh) | 2013-01-16 |
JP2013021332A (ja) | 2013-01-31 |
CN102880007B (zh) | 2015-07-15 |
US9069262B2 (en) | 2015-06-30 |
JP6633686B2 (ja) | 2020-01-22 |
JP5512753B2 (ja) | 2014-06-04 |
KR20130007976A (ko) | 2013-01-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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