JP6132495B2 - ポジトロン放射断層撮影システム、再構成装置及び距離比決定方法 - Google Patents
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Description
ASVアルゴリズムの1つのステップは、距離比を計算するための適切な共通平面を選択、あるいは選定することである。CTで用いられる距離駆動型の方法(distance-driven method)では、固定されたY−Z平面又はX−Z平面が、ボクセル40の辺及び結晶10の辺をマッピングするために用いる共通平面として選択される。この選定により、PET再構成においていくつかのアーティファクトが発生する。この問題は図4Aに示す例で説明することができる。任意のボクセル40がX−Z平面(すなわち、この2Dの例ではX軸)に近づくにつれ、距離比は減少する。このため、この比は共通平面の位置によって変わる。このため、異なるTORは、TORのX−Z平面に対する相対位置によって異なるアルゴリズム誤差を持つ。この場合、非均一な誤差により前方/後方投影において目に見えるアーティファクトが観察される。例えば、TOR1及びTOR2がそれぞれ5%及び2%の計算誤差を持つと仮定する。このとき、TOR1及びTOR2は、誤差無しで100の光子を受けることができると、それぞれ上記の誤差を加えて105及び102の光子を受けることになる。その結果、これらの誤差により非均一なアーティファクトが生じる。アルゴリズム誤差が均一(例えば、3%)であれば、2つのTORはアーティファクト無しで同じ数の光子を受けることになる。
ASVアルゴリズムは近似法であり、アルゴリズム自体によって誤差を生じることがある。したがって、アルゴリズム誤差を最小化して、幾何確率を真の値に近づける必要がある。マッピングプロセスにおいて、ボクセル40の適切な辺を選択又は選定することは、アルゴリズム誤差を最小化する際の重要なステップである。
ボクセル40の辺(すなわち、面の中心)が決定された後、ASVアルゴリズムがこれらの中心点56を特定の方向に沿って中間線50又は(後述の)z線60に投影することにより、投影点65が形成される。投影方向を決定するために、4つの中点57が各結晶の平均の相互作用の深さ(depth-of-interaction:DOI)における平面上の長方形の辺(図7Aに示す)から選定される。この平均のDOIにおける平面は、光子と結晶の相互作用の平均深さ(例えば、結晶10の長さの40%)によって決定される。そして、投影方向が以下のように与えられる。すなわち図7Bに示すように、左90及び右100の線がX−Y平面におけるボクセル40のL(又はU)及びR(又はD)の投影方向を決定し、前110及び後120の線がY−Z/X−Z平面におけるボクセル40のF及びBの投影方向を決定する。
エリアシミュレーティングボリュームアルゴリズムは、優れた画像品質を提供し、その品質は3D法(例えば、細分化法)により生成された画像品質に比較的近い。しかし、ASVアルゴリズムにかかる時間は交差体積法よりもかなり短い。例えば、ASVアルゴリズムでは48リングのPETの80の角度に対して全ての幾何確率を生成するために約247秒かかるが、交差体積法では29626秒を要する(4つのCPUを使用して100倍の差がある)。
25 同時計数管(TOR:Tube Of Response)
40 ボクセル
50 中間線
55 中間点
56 中心点
65 投影点
Claims (11)
- ポジトロン放射断層撮影システムの再構成空間内に2つの結晶によって規定される同時計数管とボクセルとの間の幾何確率を計算するために用いられる距離比を決定するポジトロン放射断層撮影システムであって、
前記ポジトロン放射断層撮影システムのX−Y平面内で、前記2つの結晶それぞれの左端点を結ぶ第1の稜線と、前記2つの結晶それぞれの右端点を結ぶ第2の稜線と、前記同時計数管に関する基準線とを決定する決定部と、
前記X−Y平面内で、前記ボクセルの第1の面の第1の中心点を前記第1の稜線に平行な方向に前記基準線に投影して第1の投影点を規定し、前記ボクセルの第2の面の第2の中心点を前記第2の稜線に平行な方向に前記基準線に投影して第2の投影点を規定する投影部と、
前記第1の稜線を含む直線と前記基準線との交点及び前記第2の稜線を含む直線と前記基準線との交点のいずれか一方の交点と前記第1の投影点との間の第1の距離と、前記一方の交点と前記第2の投影点との間の第2の距離とを計算する計算部と、
前記第1の距離及び前記第2の距離に基づいて、前記X−Y平面における第1の距離比を決定する距離比決定部と
を備えたことを特徴とするポジトロン放射断層撮影システム。 - 前記決定部は、前記2つの結晶それぞれの左端点の中間に位置する第1の中間点と、前記2つの結晶それぞれの右端点の中間に位置する第2の中間点とを規定し、前記第1の中間点及び前記第2の中間点を通る中間線を前記基準線として決定し、
前記計算部は、前記第1の中間点及び前記第2の中間点のいずれか一方の中間点と前記第1の投影点との間の距離を前記第1の距離として計算し、前記一方の中間点と前記第2の投影点との間の距離を前記第2の距離として計算する
ことを特徴とする請求項1に記載のポジトロン放射断層撮影システム。 - 前記投影部は、前記X−Y平面内で、前記第1の中心点を前記第1の稜線の方向に沿って前記基準線に投影して前記第1の投影点を規定し、前記第2の中心点を前記第2の稜線の方向に沿って前記基準線に投影して前記第2の投影点を規定することを特徴とする請求項1又は2に記載のポジトロン放射断層撮影システム。
- 前記決定部は、同時計数線を規定する前記2つの結晶それぞれの中心をさらに決定することを特徴とする請求項1、2又は3のいずれか一つに記載のポジトロン放射断層撮影システム。
- 前記決定部は、前記X−Y平面における前記同時計数線と正のX軸との間の角度に基づいて、前記ボクセルの前記第1の面の前記第1の中心点及び前記ボクセルの前記第2の面の前記第2の中心点をさらに決定することを特徴とする請求項4に記載のポジトロン放射断層撮影システム。
- 前記決定部は、前記ポジトロン放射断層撮影システムのY−Z平面内又はX−Z平面内で前記2つの結晶それぞれの前端点を結ぶ第3の稜線と、前記Y−Z平面内又は前記X−Z平面内で前記2つの結晶それぞれの後端点を結ぶ第4の稜線と、前記Y−Z平面内又は前記X−Z平面内においてZ軸に平行であり、前記第3の稜線上にある第1のz線点及び前記第4の稜線上にある第2のz線点を通るz線とをさらに決定し、
前記投影部は、前記Y−Z平面内又は前記X−Z平面内で、前記ボクセルの第3の面の第3の中心点を前記第3の稜線の方向に沿って前記z線に投影して第3の投影点をさらに規定し、前記ボクセルの第4の面の第4の中心点を前記第4の稜線の方向に沿って前記z線に投影して第4の投影点をさらに規定し、
前記計算部は、前記第1のz線点及び前記第2のz線点のいずれか一方のz線点と前記第3の投影点との間の第3の距離と、前記一方のz線点と前記第4の投影点との間の第4の距離とをさらに計算し、
前記距離比決定部は、前記第3の距離及び前記第4の距離に基づいて、前記Y−Z平面内又はX−Z平面内で第2の距離比を決定する
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のポジトロン放射断層撮影システム。 - 前記第1の距離比に前記第2の距離比を乗ずることにより交差体積を計算する交差体積計算部をさらに備えたことを特徴とする請求項6に記載のポジトロン放射断層撮影システム。
- 前記ボクセルの前記第3の面及び前記ボクセルの前記第4の面が前記ボクセルの相対する側にあることを特徴とする請求項6又は7に記載のポジトロン放射断層撮影システム。
- 前記ボクセルの前記第1の面及び前記ボクセルの前記第2の面が前記ボクセルの相対する側にあることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載のポジトロン放射断層撮影システム。
- 医用イメージング装置の再構成空間内に2つの結晶によって定義される同時計数管とボクセルとの間の幾何確率を計算するために用いられる距離比を決定する再構成装置であって、
前記医用イメージング装置のX−Y平面内で、前記2つの結晶それぞれの左端点を結ぶ第1の稜線と、前記2つの結晶それぞれの右端点を結ぶ第2の稜線と、前記同時計数管に関する基準線とを決定する決定部と、
前記X−Y平面内で、前記ボクセルの第1の面の第1の中心点を前記第1の稜線に平行な方向に前記基準線に投影して第1の投影点を規定し、前記ボクセルの第2の面の第2の中心点を前記第2の稜線に平行な方向に前記基準線に投影して第2の投影点を規定する投影部と、
前記第1の稜線を含む直線と前記基準線との交点及び前記第2の稜線を含む直線と前記基準線との交点のいずれか一方の交点と前記第1の投影点との間の第1の距離と、前記一方の交点と前記第2の投影点との間の第2の距離とを計算する計算部と、
前記第1の距離及び前記第2の距離に基づいて、前記X−Y平面における距離比を決定する距離比決定部と
を備えたことを特徴とする再構成装置。 - 医用イメージング装置の再構成空間内に2つの結晶によって定義される同時計数管とボクセルとの間の幾何確率を計算するために用いられる距離比を決定する距離比決定方法であって、
前記医用イメージング装置のX−Y平面内で、前記2つの結晶それぞれの左端点を結ぶ第1の稜線と、前記2つの結晶それぞれの右端点を結ぶ第2の稜線と、前記同時計数管に関する基準線とを決定するステップと、
前記X−Y平面内で、前記ボクセルの第1の面の第1の中心点を前記第1の稜線に平行な方向に前記基準線に投影して第1の投影点を規定し、前記ボクセルの第2の面の第2の中心点を前記第2の稜線に平行な方向に前記基準線に投影して第2の投影点を規定するステップと、
前記第1の稜線を含む直線と前記基準線との交点及び前記第2の稜線を含む直線と前記基準線との交点のいずれか一方の交点と前記第1の投影点との間の第1の距離と、前記一方の交点と前記第2の投影点との間の第2の距離とを計算するステップと、
前記第1の距離及び前記第2の距離に基づいて、前記X−Y平面における距離比を決定するステップと
を含んだことを特徴とする距離比決定方法。
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