JP6127625B2 - Capacitance type pressure sensor and input device - Google Patents

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Description

本発明は、静電容量型圧力センサ及び入力装置に関する。具体的には、本発明は、圧力で撓んだダイアフラムが誘電体層に接触して圧力を検知するタッチモードの静電容量型圧力センサに関する。また、当該圧力センサを利用した入力装置に関する。   The present invention relates to a capacitive pressure sensor and an input device. Specifically, the present invention relates to a touch-mode capacitive pressure sensor in which a diaphragm bent by pressure contacts a dielectric layer to detect pressure. The present invention also relates to an input device using the pressure sensor.

一般的な静電容量型圧力センサでは、導電性のダイアフラム（可動電極）と固定電極がギャップを隔てて対向しており、圧力で撓んだダイアフラムと固定電極との間の静電容量の変化から圧力を検出している。しかし、この圧力センサが、ガラス基板やシリコン基板を用いてＭＥＭＳ技術で製造されるマイクロデバイスである場合には、ダイアフラムに大きな圧力が加わって大きく撓むと、ダイアフラムが破壊されるおそれがある。   In a general capacitive pressure sensor, a conductive diaphragm (movable electrode) and a fixed electrode are opposed to each other with a gap therebetween, and a change in capacitance between the diaphragm deflected by pressure and the fixed electrode. The pressure is detected from. However, when the pressure sensor is a micro device manufactured by MEMS technology using a glass substrate or a silicon substrate, the diaphragm may be destroyed if the diaphragm is greatly bent by applying a large pressure to the diaphragm.

そのため、固定電極の表面に誘電体層を設けておき、圧力によって撓んだダイアフラムが誘電体層に接触し、その接触面積の変化によってダイアフラムと固定電極との間の静電容量が変化するようにした圧力センサが提案されている。このような圧力センサは、タッチモード静電容量型圧力センサと呼ばれることがある。   For this reason, a dielectric layer is provided on the surface of the fixed electrode so that the diaphragm bent by pressure comes into contact with the dielectric layer, and the capacitance between the diaphragm and the fixed electrode changes as the contact area changes. A pressure sensor has been proposed. Such a pressure sensor may be referred to as a touch mode capacitive pressure sensor.

タッチモード静電容量型圧力センサとしては、たとえば非特許文献１に記載されたものがある。図１（Ａ）は非特許文献１に記載された圧力センサ１１を示す断面図である。この圧力センサ１１では、ガラス基板１２の上面に金属薄膜からなる固定電極１３を形成し、固定電極１３の上からガラス基板１２の上面に誘電体膜１４を形成している。誘電体膜１４にはスルーホール１５を開口してあり、誘電体膜１４の上面に設けられた電極パッド１６はスルーホール１５を通って固定電極１３に接続されている。誘電体膜１４の上面にはシリコン基板１７が積層されており、シリコン基板１７の上面に窪み１８を設けるとともに下面にリセス１９を設け、窪み１８とリセス１９の間に薄膜状のダイアフラム２０を形成している。ダイアフラム２０は固定電極１３と重なり合う位置に設けられている。また、シリコン基板１７の下面はＢ（ホウ素）が高濃度にドーピングされたＰ＋層２１となっており、それによってダイアフラム２０が導電性を付与されていて可動電極の機能を有している。ダイアフラム２０の下面と誘電体膜１４との間には、リセス１９によって数μｍのギャップ２２が生じている。 An example of the touch mode capacitive pressure sensor is described in Non-Patent Document 1. FIG. 1A is a cross-sectional view showing a pressure sensor 11 described in Non-Patent Document 1. FIG. In this pressure sensor 11, a fixed electrode 13 made of a metal thin film is formed on the upper surface of a glass substrate 12, and a dielectric film 14 is formed on the upper surface of the glass substrate 12 from above the fixed electrode 13. A through hole 15 is opened in the dielectric film 14, and an electrode pad 16 provided on the upper surface of the dielectric film 14 is connected to the fixed electrode 13 through the through hole 15. A silicon substrate 17 is laminated on the upper surface of the dielectric film 14. A recess 18 is provided on the upper surface of the silicon substrate 17 and a recess 19 is provided on the lower surface. A thin film diaphragm 20 is formed between the recess 18 and the recess 19. doing. The diaphragm 20 is provided at a position overlapping the fixed electrode 13. The lower surface of the silicon substrate 17 is a P + layer 21 in which B (boron) is doped at a high concentration, whereby the diaphragm 20 is given conductivity and has a function of a movable electrode. A gap 22 of several μm is generated by the recess 19 between the lower surface of the diaphragm 20 and the dielectric film 14.

図１（Ｂ）は、圧力センサ１１の圧力と静電容量との関係（圧力−容量特性）を示す図であって、非特許文献１に記載されたものである。圧力センサ１１のダイアフラム２０に圧力が加わると、ダイアフラム２０はその印加圧力に応じて撓み、ある圧力で誘電体膜１４に接触する。図１（Ｂ）における圧力が０からＰａまでの区間（未接触領域）は、ダイアフラム２０が誘電体膜１４に接触していない状態である。圧力がＰａからＰｂまでの区間（接触開始領域）は、ダイアフラム２０が誘電体膜１４に接触してからある程度の面積で確実に接触するまでの状態を表している。圧力がＰｂからＰｃまでの区間（動作領域）は、圧力の増加に伴ってダイアフラム２０が誘電体膜１４に接触している部分の面積が次第に増加している。圧力がＰｃからＰｄまでの区間（飽和領域）は、ダイアフラム２０のほぼ全面が誘電体膜１４に接触していて、圧力が増加してもほとんど接触面積が増えない領域である。   FIG. 1B is a diagram illustrating a relationship (pressure-capacitance characteristics) between the pressure of the pressure sensor 11 and the capacitance, and is described in Non-Patent Document 1. When pressure is applied to the diaphragm 20 of the pressure sensor 11, the diaphragm 20 bends according to the applied pressure and contacts the dielectric film 14 at a certain pressure. A section (non-contact area) where the pressure is from 0 to Pa in FIG. 1B is a state where the diaphragm 20 is not in contact with the dielectric film 14. A section (contact start region) from pressure Pa to Pb represents a state from when the diaphragm 20 contacts the dielectric film 14 until it reliably contacts with a certain area. In the section (operation region) where the pressure is from Pb to Pc, the area of the portion where the diaphragm 20 is in contact with the dielectric film 14 gradually increases as the pressure increases. The section (saturation region) where the pressure is from Pc to Pd is a region where almost the entire surface of the diaphragm 20 is in contact with the dielectric film 14 and the contact area hardly increases even when the pressure increases.

図１（Ｂ）の圧力−容量特性によれば、ダイアフラム２０が接触していない未接触領域では静電容量の変化は小さいが、接触開始領域になると次第に静電容量の変化率（増加速度）が大きくなる。さらに、動作領域では線形性は良くなるものの静電容量の変化率は次第に減少し、飽和領域になると静電容量はほとんど増加しなくなる。   According to the pressure-capacitance characteristics of FIG. 1B, the change in capacitance is small in the non-contact area where the diaphragm 20 is not in contact, but gradually the change rate (increase rate) of the capacitance in the contact start area. Becomes larger. Furthermore, although the linearity is improved in the operation region, the change rate of the capacitance gradually decreases, and the capacitance hardly increases in the saturation region.

このようなタッチモードの圧力センサ１１では、ダイアフラム２０と誘電体膜１４との接触面積をＳ、誘電体膜１４の厚さをｄ、誘電体膜１４の誘電率をεとすれば、ダイアフラム２０と誘電体膜１４の間における静電容量Ｃは、つぎの数式１で表せる。
Ｃ＝Ｃo＋ε・（Ｓ／ｄ） …（数式１）
ここで、Ｃoは未接触領域での静電容量である。誘電体膜１４の厚さｄや誘電率εは変化しないので、数式１によれば、圧力Ｐが大きくなるとダイアフラム２０の接触面積Ｓが増大し、その結果圧力センサ１１の静電容量Ｃが増加することが分かる。 In the pressure sensor 11 in such a touch mode, if the contact area between the diaphragm 20 and the dielectric film 14 is S, the thickness of the dielectric film 14 is d, and the dielectric constant of the dielectric film 14 is ε, the diaphragm 20 And the dielectric film 14 can be expressed by the following formula 1.
C = Co + ε · (S / d) (Formula 1)
Here, Co is a capacitance in a non-contact region. Since the thickness d and dielectric constant ε of the dielectric film 14 do not change, according to Equation 1, when the pressure P increases, the contact area S of the diaphragm 20 increases, and as a result, the capacitance C of the pressure sensor 11 increases. I understand that

このような圧力センサの生産性を向上させるためには、固定電極１３としてシリコン基板などの半導体基板を用いることが望まれる。しかし、本発明者の実験と知見によれば、固定電極に半導体基板を用いると、空乏層の影響により圧力センサの出力低下や温度特性の劣化や周波数特性の劣化が生じることがわかった。すなわち、圧力センサの固定電極にシリコン基板などを用いた場合には、空乏層の影響で圧力センサの出力が低下し、感度が低くなることが分かった。また、一定圧力であっても温度が変化すると静電容量の値が大きく変化して出力が変動するので、正確な出力を得ようとすれば出力に温度補正を施す必要がある。また、一定圧力であっても周波数が高くなった場合にも静電容量値が低下し、高周波域における出力が低下する。   In order to improve the productivity of such a pressure sensor, it is desirable to use a semiconductor substrate such as a silicon substrate as the fixed electrode 13. However, according to experiments and knowledge of the present inventor, it has been found that when a semiconductor substrate is used for the fixed electrode, the output of the pressure sensor, the temperature characteristics, and the frequency characteristics deteriorate due to the influence of the depletion layer. That is, it was found that when a silicon substrate or the like is used for the fixed electrode of the pressure sensor, the output of the pressure sensor is lowered due to the influence of the depletion layer, and the sensitivity is lowered. Even if the pressure is constant, if the temperature changes, the capacitance value changes greatly and the output fluctuates. Therefore, if an accurate output is to be obtained, it is necessary to perform temperature correction on the output. In addition, even when the pressure is constant, the capacitance value decreases when the frequency increases, and the output in the high frequency range decreases.

山本敏、外４名、「タッチモード容量型圧力センサ」、フジクラ技報、株式会社フジクラ、２００１年１０月、第１０１号、ｐ.７１−７４Satoshi Yamamoto, 4 others, “Touch Mode Capacitive Pressure Sensor”, Fujikura Technical Report, Fujikura Co., Ltd., October 2001, No. 101, p.71-74

本発明は、上記のような技術的背景に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、固定電極に半導体を用いたときの空乏層の影響を低減し、それによってセンサ出力の低下やセンサ出力の温度特性の劣化や周波数特性の劣化を改善することのできるタッチモード型の静電容量型圧力センサを提供することにある。   The present invention has been made in view of the technical background as described above, and an object of the present invention is to reduce the influence of a depletion layer when a semiconductor is used as a fixed electrode, thereby reducing the sensor output. Another object of the present invention is to provide a touch-mode capacitive pressure sensor that can improve the deterioration of temperature characteristics and frequency characteristics of sensor output.

本発明に係る静電容量型圧力センサは、半導体からなる固定電極と、前記固定電極の上方に形成された誘電体層と、前記誘電体層の上方に空隙を隔てて形成された導電性のダイアフラムとを備え、前記ダイアフラムが圧力を受けて前記誘電体層と接触する接触面積の変化を検出してその圧力を測定する静電容量型の圧力センサにおいて、前記固定電極の少なくとも上面における不純物濃度が２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴としている。 A capacitance type pressure sensor according to the present invention includes a fixed electrode made of a semiconductor, a dielectric layer formed above the fixed electrode, and a conductive layer formed above the dielectric layer with a gap therebetween . A capacitance-type pressure sensor that detects a change in a contact area where the diaphragm receives pressure and contacts the dielectric layer and measures the pressure; and an impurity concentration on at least an upper surface of the fixed electrode. Is 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less.

本発明の静電容量型圧力センサは、半導体からなる固定電極と、前記固定電極の上方に形成された誘電体層と、前記誘電体層の上方に空隙を隔てて形成された導電性のダイアフラムとを備え、前記ダイアフラムが圧力を受けて前記誘電体層と接触する接触面積の変化を検出してその圧力を測定する静電容量型の圧力センサ、いわゆるタッチモードの静電容量型圧力センサである。
本発明では、かかるタッチモードの静電容量型圧力センサにおいて、固定電極として半導体、たとえばシリコン基板を用いるので、圧力センサの生産性が向上する。しかも、その不純物濃度を高くし、２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下としているので、固定電極における空乏層の影響を小さくでき、センサ出力を高めるとともに、その温度特性及び周波数特性を改善することができる。 The capacitance type pressure sensor of the present invention includes a fixed electrode made of a semiconductor, a dielectric layer formed above the fixed electrode, and a conductive diaphragm formed above the dielectric layer with a gap therebetween. A capacitive pressure sensor that detects a change in contact area where the diaphragm receives pressure and contacts the dielectric layer and measures the pressure, a so-called touch mode capacitive pressure sensor. is there.
In the present invention , in such a touch mode capacitive pressure sensor, since a semiconductor, for example, a silicon substrate is used as the fixed electrode, the productivity of the pressure sensor is improved. Moreover, since the impurity concentration is increased to 2.00 × 10 17 cm −3 to 2.10 × 10 19 cm −3 , the influence of the depletion layer on the fixed electrode can be reduced, and the sensor output is increased. The temperature characteristics and frequency characteristics can be improved.

本発明に係る静電容量型圧力センサにおいては、固定電極の上面に金属電極を設けてもよく、固定電極の下面に金属電極を設けてもよい。しかし、固定電極の上面に金属電極を設ける場合には、固定電極の上面に金属電極を配置するためのスペースが必要となり、それだけ圧力センサのサイズが大きくなる。これに対し、固定電極の下面に金属電極を設けるようにすれば、圧力センサのサイズが大きくならない。固定電極の下面に金属電極を設ける場合には、前記固定電極の厚み方向全長における不純物濃度を、２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下とすることが望ましい。一方、固定電極の上面に金属電極を設ける場合には、固定電極の上面付近だけで不純物濃度を２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下としてもよい。 In the capacitive pressure sensor according to the present invention, a metal electrode may be provided on the upper surface of the fixed electrode, or a metal electrode may be provided on the lower surface of the fixed electrode. However, when a metal electrode is provided on the upper surface of the fixed electrode, a space for arranging the metal electrode on the upper surface of the fixed electrode is required, and the size of the pressure sensor increases accordingly. On the other hand, if the metal electrode is provided on the lower surface of the fixed electrode, the size of the pressure sensor does not increase. When a metal electrode is provided on the lower surface of the fixed electrode, the impurity concentration in the entire length of the fixed electrode in the thickness direction is preferably 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less. . On the other hand, when a metal electrode is provided on the upper surface of the fixed electrode, the impurity concentration may be 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less only in the vicinity of the upper surface of the fixed electrode.

さらに、前記固定電極の少なくとも上面における不純物濃度は、３.００×１０１８ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下であることがより望ましい。この場合には、センサ出力の周波数特性をより良好にすることができる。 Furthermore, the impurity concentration in at least the upper surface of the fixed electrode is more preferably 3.00 × 10 18 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less. In this case, the frequency characteristics of the sensor output can be improved.

また、本発明の静電容量型圧力センサの別な実施態様においては、前記ダイアフラムの不純物濃度を、２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下としてもよい。かかる実施態様によれば、ダイアフラムにおける空乏層の影響を小さくでき、センサ出力を高めるとともに、その温度特性及び周波数特性を改善することができる。 In another embodiment of the capacitive pressure sensor of the present invention, the impurity concentration of the diaphragm may be 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less. According to such an embodiment, the influence of the depletion layer in the diaphragm can be reduced, the sensor output can be increased, and the temperature characteristics and frequency characteristics can be improved.

また、本発明の静電容量型圧力センサを複数個配列させることにより、タッチパッドなどの入力装置として用いることができる。   Moreover, by arranging a plurality of capacitance type pressure sensors of the present invention, it can be used as an input device such as a touch pad.

なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。   The means for solving the above-described problems in the present invention has a feature of appropriately combining the constituent elements described above, and the present invention enables many variations by combining such constituent elements. .

図１（Ａ）は、従来例による圧力センサを示す概略断面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す従来例の圧力センサにおける圧力と静電容量との関係を示す図である。FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing a pressure sensor according to a conventional example. FIG. 1B is a diagram showing the relationship between pressure and capacitance in the conventional pressure sensor shown in FIG. 図２は、本発明の実施形態１による圧力センサを示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the pressure sensor according to Embodiment 1 of the present invention. 図３は、図２に示す圧力センサの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the pressure sensor shown in FIG. 図４（Ａ）−図４（Ｃ）は、図２の圧力センサの製造工程の一部を示す断面図である。4A to 4C are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the pressure sensor of FIG. 図５は、固定電極の不純物濃度が異なる各圧力センサにおける、それぞれのダイアフラム−固定電極間の静電容量の温度特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the temperature characteristics of the capacitance between each diaphragm and the fixed electrode in each pressure sensor having different impurity concentrations of the fixed electrode. 図６は、固定電極の不純物濃度が異なる各圧力センサにおける、それぞれのダイアフラム−固定電極間の静電容量の周波数特性を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating frequency characteristics of capacitances between respective diaphragms and fixed electrodes in pressure sensors having different impurity concentrations of the fixed electrodes. 図７は、本発明の実施形態２による圧力センサの断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a pressure sensor according to Embodiment 2 of the present invention. 図８は、本発明の実施形態３による入力装置の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of an input device according to Embodiment 3 of the present invention.

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々設計変更することができる。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various design changes can be made without departing from the gist of the present invention.

（実施形態１）
図２及び図３を参照して本発明の実施形態１による圧力センサ３１の構造を説明する。図２は圧力センサ３１の平面図、図３は圧力センサ３１の断面図である。 (Embodiment 1)
The structure of the pressure sensor 31 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a plan view of the pressure sensor 31, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the pressure sensor 31.

この圧力センサ３１にあっては、シリコン基板からなる固定電極３２の上に誘電体層３３が形成されている。誘電体層３３は、ＳｉＯ２（熱酸化膜）、ＳｉＮ、ＴＥＯＳ等の誘電体材料からなる。誘電体層３３は、その上面にリセス３３ａ（凹部）が凹設されている。誘電体層３３の上面には、シリコン基板からなる薄膜状の上基板３５ａが形成されている。上基板３５ａは、リセス３３ａの上面を覆っており、リセス３３ａによって上基板３５ａの下面と誘電体層３３のリセス底面との間にエアギャップ３４（空隙）が形成されている。こうして上基板３５ａの、エアギャップ３４の上方で水平に張られた領域により、感圧用のダイアフラム３５が形成されている。また、誘電体層３３には、エアギャップ３４と外部との間の通気性を確保するためにベントライン３６（通気路）が形成されている。ベントライン３６は、幅が３０μｍ程度の細い溝であって、塵や埃などの異物がエアギャップ３４内に侵入しにくいように屈曲または蛇行させてある。 In the pressure sensor 31, a dielectric layer 33 is formed on a fixed electrode 32 made of a silicon substrate. The dielectric layer 33 is made of a dielectric material such as SiO 2 (thermal oxide film), SiN, or TEOS. The dielectric layer 33 has a recess 33a (concave portion) formed on the upper surface thereof. On the upper surface of the dielectric layer 33, a thin film upper substrate 35a made of a silicon substrate is formed. The upper substrate 35a covers the upper surface of the recess 33a, and an air gap 34 (air gap) is formed between the lower surface of the upper substrate 35a and the recess bottom surface of the dielectric layer 33 by the recess 33a. Thus, a pressure-sensitive diaphragm 35 is formed by a region of the upper substrate 35a that is horizontally stretched above the air gap 34. In addition, a vent line 36 (air passage) is formed in the dielectric layer 33 in order to ensure air permeability between the air gap 34 and the outside. The vent line 36 is a narrow groove having a width of about 30 μm, and is bent or meandered so that foreign matters such as dust and dirt do not easily enter the air gap 34.

上基板３５ａの上面には、ダイアフラム３５を囲むようにして、金属材料による環状の上側電極３７が設けられている。上基板３５ａのコーナー部には電極パッド４０（金属電極）が設けられており、上側電極３７と電極パッド４０は配線部４２によって接続されている。上側電極３７、配線部４２及び電極パッド４０は、下地層Ｔｉ（１０００Å）／表面層Ａｕ（３０００Å）の２層金属薄膜によって同時に作製されている。また、固定電極３２の下面には、下側電極３８（金属電極）が設けられている。下側電極３８も、下地層Ｔｉ（１０００Å）／表面層Ａｕ（３０００Å）の２層金属薄膜によって作製されている。   An annular upper electrode 37 made of a metal material is provided on the upper surface of the upper substrate 35 a so as to surround the diaphragm 35. An electrode pad 40 (metal electrode) is provided at a corner portion of the upper substrate 35 a, and the upper electrode 37 and the electrode pad 40 are connected by a wiring portion 42. The upper electrode 37, the wiring portion 42, and the electrode pad 40 are simultaneously formed by a two-layer metal thin film of a base layer Ti (1000 Å) / surface layer Au (3000 Å). A lower electrode 38 (metal electrode) is provided on the lower surface of the fixed electrode 32. The lower electrode 38 is also made of a two-layer metal thin film of underlying layer Ti (1000 Å) / surface layer Au (3000 Å).

上基板３５ａの上面のうち上側電極３７よりも外側の領域は、ポリイミドなどの樹脂やＳｉＯ２、ＳｉＮなどの絶縁膜からなる保護膜４１によって覆われている。ただし、電極パッド４０の付近では保護膜４１は除かれており、電極パッド４０は保護膜４１から露出している。 A region outside the upper electrode 37 on the upper surface of the upper substrate 35a is covered with a protective film 41 made of a resin such as polyimide or an insulating film such as SiO 2 or SiN. However, the protective film 41 is removed in the vicinity of the electrode pad 40, and the electrode pad 40 is exposed from the protective film 41.

また、上基板３５ａの外周面は、固定電極３２及び誘電体層３３の外周面よりも内側に引っ込んでいる。これは、以下に述べるように圧力センサ３１をダイシングする際の工程によるものである。圧力センサ３１は、図４（Ａ）に示すように、上面に誘電体層３３を形成したシリコン基板４５（複数個の固定電極３２となるもの）とシリコン基板４６（複数個の上基板３５ａとなるもの）を積層一体化され、さらに上側電極３７などが設けられる。この後、図４（Ｂ）に示すように、ウェットエッチングやドライエッチングによってシリコン基板４６をエッチングし、分離された各上基板３５ａ間に溝４７を形成し、溝４７の底面に誘電体層３３を露出させる。そして、この溝４７内に沿ってダイシングブレード４８を走行させて誘電体層３３及び固定電極３２をカットし、図４（Ｃ）のように独立した複数個の圧力センサ３１を形成する。   Further, the outer peripheral surface of the upper substrate 35 a is recessed inside the outer peripheral surfaces of the fixed electrode 32 and the dielectric layer 33. This is due to the process when dicing the pressure sensor 31 as described below. As shown in FIG. 4A, the pressure sensor 31 includes a silicon substrate 45 (to be a plurality of fixed electrodes 32) having a dielectric layer 33 formed on the upper surface and a silicon substrate 46 (a plurality of upper substrates 35a). And the upper electrode 37 and the like are further provided. Thereafter, as shown in FIG. 4B, the silicon substrate 46 is etched by wet etching or dry etching to form a groove 47 between the separated upper substrates 35a, and the dielectric layer 33 is formed on the bottom surface of the groove 47. To expose. Then, the dicing blade 48 is run along the groove 47 to cut the dielectric layer 33 and the fixed electrode 32, thereby forming a plurality of independent pressure sensors 31 as shown in FIG.

ダイシングによって各圧力センサ３１に分離するとき、図４（Ａ）のような形態で上下のシリコン基板４６、４５を一度にカットすると、上側のシリコン基板４６（上基板３５ａ）のバリが垂れ下がったり、切屑が付着したりするおそれがある。こうして垂れ下がったバリや切屑が固定電極３２に触れるとダイアフラム３５と固定電極３２の間がショートし、製品の歩留まりが低下する。これに対し、図４（Ａ）−図４（Ｃ）のような工法であると、シリコン基板４６（上基板３５ａ）がダイシングされないので、シリコン基板４６のバリや切屑が発生しなくなり、製品歩留まりかが向上する。また、この結果、上基板３５ａの外周面が固定電極３２及び誘電体層３３の外周面よりも内側に引っ込むことになる。   When separating the pressure sensors 31 by dicing, if the upper and lower silicon substrates 46 and 45 are cut at a time in the form as shown in FIG. 4A, burrs of the upper silicon substrate 46 (upper substrate 35a) may hang down. There is a risk of chips adhering. When the burrs and chips hanging down in this way come into contact with the fixed electrode 32, the diaphragm 35 and the fixed electrode 32 are short-circuited, resulting in a decrease in product yield. On the other hand, in the method as shown in FIGS. 4A to 4C, since the silicon substrate 46 (upper substrate 35a) is not diced, burrs and chips on the silicon substrate 46 are not generated, and the product yield. Will improve. As a result, the outer peripheral surface of the upper substrate 35 a is retracted inside the outer peripheral surfaces of the fixed electrode 32 and the dielectric layer 33.

つぎに、固定電極３２の不純物濃度について述べる。上記固定電極３２として用いられるシリコン基板の全体（特に、厚み方向の全体）には、あらかじめボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）等の不純物がドーピングされている。この不純物濃度は、２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下である。このような不純物濃度範囲の不純物が固定電極３２にドーピングされていると、ダイアフラム３５と固定電極３２の間に電圧を印加したときに固定電極３２内に生じる空乏層を小さくし、あるいは消失させることができる。その結果、圧力センサ３１のセンサ出力を大きくでき、またセンサ出力の温度特性や周波数特性を改善することができる。 Next, the impurity concentration of the fixed electrode 32 will be described. The entire silicon substrate used as the fixed electrode 32 (especially the entire thickness direction) is doped with impurities such as boron (B), phosphorus (P), and arsenic (As) in advance. The impurity concentration is 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less. When the fixed electrode 32 is doped with impurities in such an impurity concentration range, a depletion layer generated in the fixed electrode 32 is reduced or eliminated when a voltage is applied between the diaphragm 35 and the fixed electrode 32. Can do. As a result, the sensor output of the pressure sensor 31 can be increased, and the temperature characteristics and frequency characteristics of the sensor output can be improved.

上記不純物濃度の範囲はシミュレーション結果に基づくものである。図５は固定電極（シリコン基板）の不純物濃度を１.５０×１０１６ｃｍ−３（抵抗率１.００Ω・ｃｍ）、２.００×１０１７ｃｍ−３（抵抗率０.１０Ω・ｃｍ）、６.００×１０１７ｃｍ−３（抵抗率０.０５Ω・ｃｍ）、３.００×１０１８ｃｍ−３（抵抗率０.０２Ω・ｃｍ）、８.００×１０１８ｃｍ−３（抵抗率０.０１Ω・ｃｍ）、２.１０×１０１９ｃｍ−３（抵抗率０.００５Ω・ｃｍ）と変化させた６つのサンプルについて、ダイアフラムと固定電極の間の静電容量に対する温度の影響（温度特性）を調べた結果を示す。図５に示すデータは、ダイアフラム３５の全面積の７５％が誘電体層３３に接触しているとき（すなわち、圧力が一定のとき）の測定値である。図５によれば、固定電極３２の不純物濃度が１.５０×１０１６ｃｍ−３のサンプルでは、静電容量がかなり小さくなっている。これに対し、不純物濃度が２.００×１０１７ｃｍ−３から２.１０×１０１９ｃｍ−３の各サンプルでは、不純物濃度が１.５０×１０１６ｃｍ−３のサンプルに比べて大きな静電容量が得られる。 The range of the impurity concentration is based on the simulation result. FIG. 5 shows that the impurity concentration of the fixed electrode (silicon substrate) is 1.50 × 10 16 cm −3 (resistivity 1.00 Ω · cm), 2.00 × 10 17 cm −3 (resistivity 0.10 Ω · cm). 6.00 × 10 17 cm −3 (resistivity 0.05 Ω · cm), 3.00 × 10 18 cm −3 (resistivity 0.02 Ω · cm), 8.00 × 10 18 cm −3 (resistance) The effect of temperature on the capacitance between the diaphragm and the fixed electrode for six samples varied as 2.10 × 10 19 cm −3 (resistivity 0.005 Ω · cm) (rate 0.01 Ω · cm) The results of examining the temperature characteristics are shown. The data shown in FIG. 5 are measured values when 75% of the total area of the diaphragm 35 is in contact with the dielectric layer 33 (that is, when the pressure is constant). According to FIG. 5, the capacitance of the fixed electrode 32 having an impurity concentration of 1.50 × 10 16 cm −3 is considerably small. On the other hand, each sample having an impurity concentration of 2.00 × 10 17 cm −3 to 2.10 × 10 19 cm −3 has a larger static concentration than the sample having an impurity concentration of 1.50 × 10 16 cm −3. Capacitance can be obtained.

また、図５によれば、固定電極３２の不純物濃度が１.５０×１０１６ｃｍ−３のサンプルでは、温度が変化すると静電容量もかなり大きく変化している。これに対し、不純物濃度が２.０×１０１７ｃｍ−３から２.１０×１０１９ｃｍ−３の各サンプルではほぼフラットな温度特性を示し、温度が変化しても静電容量はほぼ一定となっている。 Further, according to FIG. 5, in the sample in which the impurity concentration of the fixed electrode 32 is 1.50 × 10 16 cm −3 , the capacitance changes considerably when the temperature changes. In contrast, each sample having an impurity concentration of 2.0 × 10 17 cm −3 to 2.10 × 10 19 cm −3 exhibits a substantially flat temperature characteristic, and the capacitance is almost constant even when the temperature changes. It has become.

図６は固定電極（シリコン基板）の不純物濃度を１.５０×１０１６ｃｍ−３、２.００×１０１７ｃｍ−３、６.００×１０１７ｃｍ−３、３.００×１０１８ｃｍ−３、８.００×１０１８ｃｍ−３、２.１０×１０１９ｃｍ−３と変化させた６つのサンプルについて、ダイアフラムと固定電極の間の静電容量に対する周波数の影響（周波数特性）を調べた結果を示す。図６に示すデータは、ダイアフラム３５の全面積の７５％が誘電体層３３に接触しているとき（すなわち、圧力が一定のとき）のシミュレーション値である。また、誘電体層３３は、厚さが１００ÅのＴｈ−ＳｉＯ２である。図６によれば、固定電極３２の不純物濃度が１.５０×１０１６ｃｍ−３のサンプルでは、周波数が５×１０５Ｈｚあたりから静電容量が降下し始めている。これに対し、不純物濃度が２.００×１０１７ｃｍ−３から２.１０×１０１９ｃｍ−３の各サンプルでは、周波数が１.０×１０６Ｈｚあたりまでフラットになっている。特に、不純物濃度が３.００×１０１８ｃｍ−３以上の場合には、１.０×１０７Ｈｚあたりまで周波数特性がほぼフラットになっている。 In FIG. 6, the impurity concentration of the fixed electrode (silicon substrate) is 1.50 × 10 16 cm −3 , 2.00 × 10 17 cm −3 , 6.00 × 10 17 cm −3 , 3.00 × 10 18 cm. -3 , 8.00 × 10 18 cm −3 , 2.10 × 10 19 cm −3, and the influence of frequency on the capacitance between the diaphragm and the fixed electrode (frequency characteristics) The results of the investigation are shown. The data shown in FIG. 6 are simulation values when 75% of the total area of the diaphragm 35 is in contact with the dielectric layer 33 (that is, when the pressure is constant). The dielectric layer 33 is Th—SiO 2 having a thickness of 100 mm. According to FIG. 6, in the sample where the impurity concentration of the fixed electrode 32 is 1.50 × 10 16 cm −3 , the capacitance starts to drop from the frequency around 5 × 10 5 Hz. On the other hand, in each sample with an impurity concentration of 2.00 × 10 17 cm −3 to 2.10 × 10 19 cm −3 , the frequency is flat up to about 1.0 × 10 6 Hz. In particular, when the impurity concentration is 3.00 × 10 18 cm −3 or more, the frequency characteristics are almost flat up to around 1.0 × 10 7 Hz.

また、図６からも、不純物濃度が２.００×１０１７ｃｍ−３から２.１０×１０１９ｃｍ−３の各サンプルでは、不純物濃度が１.５０×１０１６ｃｍ−３のサンプルに比べて大きな静電容量が得られることが分かる。 Also from FIG. 6, each sample with an impurity concentration of 2.00 × 10 17 cm −3 to 2.10 × 10 19 cm −3 is compared with a sample with an impurity concentration of 1.50 × 10 16 cm −3. It can be seen that a large capacitance can be obtained.

したがって、固定電極３２の不純物濃度を２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下とすれば、空乏層の影響を小さくすることができ、その結果、センサ出力を大きくすることができて圧力センサ３１の感度を向上させることができる。また、センサ出力の温度特性や周波数特性を向上させることができる。さらに、固定電極３２の不純物濃度を３.００×１０１８ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下とすれば、より好ましい特性を得ることができる。 Therefore, if the impurity concentration of the fixed electrode 32 is 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less, the influence of the depletion layer can be reduced. The sensitivity of the pressure sensor 31 can be improved. In addition, the temperature characteristics and frequency characteristics of the sensor output can be improved. Furthermore, if the impurity concentration of the fixed electrode 32 is 3.00 × 10 18 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less, more preferable characteristics can be obtained.

実施形態１の圧力センサ３１では、固定電極３２の下面に下側電極３８（金属電極）を設けている。固定電極３２の上面に下側電極３８を設けた場合（図７の実施形態２を参照）には、固定電極３２の上面に下側電極３８を配置するためのスペースが必要となるので、固定電極３２のサイズ（横幅）が大きくなり、圧力センサが大型化する。これに対し、本実施形態のように固定電極３２の下面に下側電極３８を設ければ、比較的大きな下側電極３８を設けることが可能になるとともに、圧力センサ３１の小型化を実現することができる。   In the pressure sensor 31 of the first embodiment, the lower electrode 38 (metal electrode) is provided on the lower surface of the fixed electrode 32. When the lower electrode 38 is provided on the upper surface of the fixed electrode 32 (see the second embodiment in FIG. 7), a space for arranging the lower electrode 38 on the upper surface of the fixed electrode 32 is required. The size (width) of the electrode 32 is increased, and the pressure sensor is increased in size. On the other hand, if the lower electrode 38 is provided on the lower surface of the fixed electrode 32 as in the present embodiment, a relatively large lower electrode 38 can be provided and the pressure sensor 31 can be downsized. be able to.

また、本実施形態及び上記シミュレーションでは、固定電極３２の全体の不純物濃度を２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下としているが、固定電極３２のうちダイアフラム３５（あるいは、リセス３３ａ）に対向する領域全体で、固定電極３２の厚み方向全長にわたって不純物濃度が、２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下となっていれば十分である。すなわち、固定電極３２の下面に下側電極３８を設けた場合に、固定電極３２の厚み方向全長に電流（電荷）を流すためには、固定電極３２の上面のみよりも固定電極３２の厚み方向全長において不純物濃度を２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下となるようにすれば、固定電極３２における空乏層の影響を少なくでき、固定電極３２の厚み方向の抵抗を低くすることにより、圧力センサ３１の出力を高めるとともに、その温度特性と周波数特性を改善することができる。 In the present embodiment and the simulation described above, the total impurity concentration of the fixed electrode 32 is set to 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less. (Or if the impurity concentration is 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less over the entire length in the thickness direction of the fixed electrode 32 in the entire region facing the recess 33a). It is enough. That is, when the lower electrode 38 is provided on the lower surface of the fixed electrode 32, the thickness direction of the fixed electrode 32 is greater than the upper surface of the fixed electrode 32 in order to allow current (charge) to flow through the entire length in the thickness direction of the fixed electrode 32. If the impurity concentration is 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less over the entire length, the influence of the depletion layer on the fixed electrode 32 can be reduced, and the thickness direction of the fixed electrode 32 can be reduced. By lowering the resistance, the output of the pressure sensor 31 can be increased and the temperature characteristics and frequency characteristics can be improved.

図５及び図６の結果は、固定電極３２とともにダイアフラム３５についても適用できる。すなわち、ダイアフラム３５の不純物濃度を２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下とすれば、ダイアフラム３５における空乏層の影響を小さくすることができ、センサ出力を大きくすることができる。また、センサ出力の温度特性や周波数特性を向上させることができる。 The results shown in FIGS. 5 and 6 can be applied to the diaphragm 35 together with the fixed electrode 32. That is, if the impurity concentration of the diaphragm 35 is 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less, the influence of the depletion layer in the diaphragm 35 can be reduced, and the sensor output is increased. can do. In addition, the temperature characteristics and frequency characteristics of the sensor output can be improved.

（実施形態２）
図７は本発明の実施形態２による圧力センサ５１を示す断面図である。圧力センサ５１では、固定電極３２の上面に下側電極３８を設けている。この場合には、固定電極３２の上面付近だけで不純物濃度を２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下としてもよい。 (Embodiment 2)
FIG. 7 is a sectional view showing a pressure sensor 51 according to Embodiment 2 of the present invention. In the pressure sensor 51, the lower electrode 38 is provided on the upper surface of the fixed electrode 32. In this case, the impurity concentration may be 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less only near the upper surface of the fixed electrode 32.

（実施形態３）
図８は、本発明の実施形態３によるプレート型の入力装置６１、たとえばタッチパネルの構造を示す断面図である。この入力装置６１は、上記実施形態１にかかる多数の圧力センサ３１（センサ部）をアレイ状（例えば、矩形状やハニカム状）に配列したものである。なお、各圧力センサ３１は電気的に独立しており、各圧力センサ３１に加わった圧力を個々に独立して検出することができる。このような入力装置６１によれば、タッチパネルのように押圧体で押圧された点を検出できるとともに、各点の押圧強さ（圧力の大きさ）も検出することができる。 (Embodiment 3)
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the structure of a plate-type input device 61 according to Embodiment 3 of the present invention, for example, a touch panel. The input device 61 has a large number of pressure sensors 31 (sensor units) according to the first embodiment arranged in an array (for example, a rectangular shape or a honeycomb shape). Each pressure sensor 31 is electrically independent, and the pressure applied to each pressure sensor 31 can be detected independently. According to such an input device 61, it is possible to detect a point pressed by a pressing body like a touch panel, and it is also possible to detect a pressing strength (a magnitude of pressure) at each point.

３１、５１ 圧力センサ
３２ 固定電極
３３ 誘電体層
３４ エアギャップ
３５ ダイアフラム
３７ 上側電極
３８ 下側電極
４０ 電極パッド
６１ 入力装置 31, 51 Pressure sensor 32 Fixed electrode 33 Dielectric layer 34 Air gap 35 Diaphragm 37 Upper electrode 38 Lower electrode 40 Electrode pad 61 Input device

Claims (6)

半導体からなる固定電極と、
前記固定電極の上方に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の上方に空隙を隔てて形成された導電性のダイアフラムとを備え、前記ダイアフラムが圧力を受けて前記誘電体層と接触する接触面積の変化を検出してその圧力を測定する静電容量型の圧力センサにおいて、
前記固定電極の少なくとも上面における不純物濃度が２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする静電容量型圧力センサ。 A fixed electrode made of a semiconductor;
A dielectric layer formed above the fixed electrode;
A conductive diaphragm formed above the dielectric layer with a gap therebetween, and the static pressure is measured by detecting a change in the contact area where the diaphragm is in contact with the dielectric layer under pressure. In the capacitance type pressure sensor,
The capacitance type pressure sensor, wherein an impurity concentration in at least an upper surface of the fixed electrode is 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less. 前記固定電極の下面に金属電極が設けられ、
前記固定電極の厚み方向全長における不純物濃度が、２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする、請求項１に記載の静電容量型圧力センサ。 A metal electrode is provided on the lower surface of the fixed electrode;
2. The capacitance type according to claim 1, wherein an impurity concentration in a total length of the fixed electrode in a thickness direction is 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less. Pressure sensor. 前記固定電極の上面に金属電極が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の静電容量型圧力センサ。   The capacitive pressure sensor according to claim 1, wherein a metal electrode is provided on an upper surface of the fixed electrode. 前記固定電極の少なくとも上面における不純物濃度が３.００×１０１８ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする、請求項１に記載の静電容量型圧力センサ。 2. The capacitive pressure sensor according to claim 1, wherein an impurity concentration in at least an upper surface of the fixed electrode is 3.00 × 10 18 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less. . 前記ダイアフラムの不純物濃度が、２.００×１０１７ｃｍ−３以上２.１０×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする、請求項１に記載の静電容量型圧力センサ。 2. The capacitive pressure sensor according to claim 1, wherein an impurity concentration of the diaphragm is 2.00 × 10 17 cm −3 or more and 2.10 × 10 19 cm −3 or less. 請求項１に記載した複数個の静電容量型圧力センサを配列させたことを特徴とする入力装置。   An input device comprising a plurality of capacitive pressure sensors according to claim 1 arranged.
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