JP6101266B2 - 三次元イオン処理装置及び方法 - Google Patents
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Description
Claims (15)
- 抽出プレートの開口部を介して抽出された第1のイオンの第1のイオン角度プロファイルを有する第1のイオンビームを、ワークピースの第1の領域に方向づけるステップと、
前記第1のイオン角度プロファイルとは異なる第2のイオン角度プロファイルを有する、前記抽出プレートの前記開口部を介して抽出された第2のイオンの第2のイオンビームを、前記ワークピースの前記第1の領域に方向づけるステップと
前記第1のイオン角度プロファイルを前記ワークピースに方向づける前に、前記第1のイオン角度プロファイルを最大化するステップであって、
前記第1のイオン角度プロファイルの第1の試行最大角度を測定するステップと、
前記第1の試行最大角度を第1の目標最大角度と比較するステップと、
前記第1の試行最大角度が前記第1の目標最大角度と異なるとき、制御パラメータを調整するステップと
を含む最適化するステップと
を含むワークピースの処理方法。 - 前記第1及び第2のイオン角度プロファイルを、100ミリ秒未満の継続時間を有するそれぞれ第1及び第2の期間でそれぞれ複数回供給するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の期間は前記第2の期間とは異なる、請求項2に記載の方法。
- 前記第1及び第2のイオン角度プロファイルを、複数回交互に供給するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のイオン角度プロファイルは一峰性の分布であり、前記第2のイオン角度プロファイルは二峰性の分布である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のイオン角度プロファイルを供給する前に、前記第2のイオン角度プロファイルを最適化するステップであって、
前記第2のイオン角度プロファイルの第2の試行最大角度を測定するステップと、
前記第2の試行最大角度を第2の目標最大角度と比較するステップと、
前記第2の試行最大角度が前記第2の目標最大角度と異なるとき、制御パラメータを調整するステップと
を含む最大化するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 抽出プレートの開口部を介して抽出された第1のイオンの第1のイオン角度プロファイルを有する第1のイオンビームを、ワークピースの第1の領域に方向づけるステップと、
前記第1のイオン角度プロファイルとは異なる第2のイオン角度プロファイルを有する、前記抽出プレートの前記開口部を介して抽出された第2のイオンの第2のイオンビームを、前記ワークピースの前記第1の領域に方向づけるステップと
前記第1のイオン角度プロファイルを前記ワークピースに方向づける前に、前記第1のイオン角度プロファイルを最適化するステップであって、
第1の目標角度における第1の電流を測定するステップと、
前記第1の電流がピーク電流を示さないとき、前記ワークピースにイオンを注入するイオン注入システムの制御パラメータに第1の調整を行うステップと、
第2の目標角度における第2の電流を測定するステップと、
前記第2の電流に対する前記第1の電流の比率が目標比率と一致しないとき、前記イオン注入システムの制御パラメータに第2の調整を行うステップと、
を含む最適化するステップと
を含むワークピースの処理方法。 - 前記第2の調整の後、
前記第1のイオン角度プロファイルの全体イオン電流を測定するステップと、
前記全体イオン電流が目標全体イオン電流と異なるとき、抽出パルスシーケンスのデューティサイクルを調整するステップと
をさらに含む、請求項7に記載の方法。 - 前記第1及び第2のイオン角度プロファイルを組み合わせて形成される第3のイオン角度プロファイルをワークピースに供給する間に、前記抽出プレートに対してワークピースを走査するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法
- 前記第1及び第2のイオン角度プロファイルを供給するステップは、第1の振幅の第1のRF信号と、第2の振幅の第2のRF信号とを、RF発生器からアンテナに送信するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- バイアス電圧パルス列を前記ワークピースに供給するステップであって、イオンが前記ワークピースに引き込まれるオン期間に、前記第1及び第2のイオン角度プロファイルが確立され、前記バイアス電圧のパルス列においてイオンが前記ワークピースに引き込まれないオフ期間に、前記第1の振幅及び前記第2の振幅の変位が実行されるステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記ワークピースの前記第1の領域に、前記抽出プレートから抽出された第1及び第2のイオンの前記第1及び第2のイオン角度プロファイルとは異なる、第4のイオン角度プロファイルを供給するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- RF信号を送信して、プラズマを生成するように構成されたRF発生器と、
前記プラズマに対するバイアスを受けて、プラズマシースを越えてワークピースにイオンを引き込むように構成されたワークピースホルダと、
開口部を有し、前記ワークピース上に様々な入射角の範囲にわたって分布されるイオンを有するイオンビームを供給する抽出プレートと、
イオンの第1及び第2の暴露をそれぞれ含む一連の暴露サイクルにおいて、制御信号を前記RF発生器に送り、第1の振幅と第2の振幅との間で異なる方法によって前記RF信号の振幅を変化させるように構成された制御部であって、イオンの第1及び第2の暴露は、それぞれ前記第1及び第2の振幅に対応し、前記開口部を介して抽出されるイオンの第1及び第2のイオン角度プロファイルをそれぞれ有する、制御部と
を備えるプラズマ処理システム。 - 前記ワークピースホルダは、一連の暴露サイクルの間に前記抽出プレートの前記開口部に対してワークピースを走査するように構成され、各暴露サイクルは、前記ワークピースが前記イオンビームの幅に等しい距離を走査するために必要な継続時間の10パーセント未満である、請求項13に記載のプラズマ処理システム。
- 前記イオンの第1の暴露は、前記イオンの第2の暴露よりも長い、請求項13に記載の処理システム。
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