JP6097940B2 - エレクトロカロリック材料 - Google Patents

エレクトロカロリック材料 Download PDF

Info

Publication number
JP6097940B2
JP6097940B2 JP2014226920A JP2014226920A JP6097940B2 JP 6097940 B2 JP6097940 B2 JP 6097940B2 JP 2014226920 A JP2014226920 A JP 2014226920A JP 2014226920 A JP2014226920 A JP 2014226920A JP 6097940 B2 JP6097940 B2 JP 6097940B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrocaloric
electric field
electrocaloric material
temperature
material layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014226920A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015130485A (ja
Inventor
幸広 金子
幸広 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2014226920A priority Critical patent/JP6097940B2/ja
Publication of JP2015130485A publication Critical patent/JP2015130485A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6097940B2 publication Critical patent/JP6097940B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/39Charge-storage screens
    • H01J29/45Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
    • H01J29/458Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen pyroelectrical targets; targets for infrared or ultraviolet or X-ray radiations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N15/00Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
    • H10N15/10Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
    • H10N15/15Thermoelectric active materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)

Description

本発明は、新規なエレクトロカロリック材料に関する。
電界がエレクトロカロリック材料に印加されると、エレクトロカロリック材料から外部へ熱が放出される。その結果、エレクトロカロリック材料の温度は高くなる。一方、エレクトロカロリック材料への電界の印加が停止されると、エレクトロカロリック材料の温度は低くなる。その結果、エレクトロカロリック材料は外部から熱を吸収する。
非特許文献1は、エレクトロカロリック材料を開示している。図4は、非特許文献1に含まれる図3(a)の複写である。図4において、エレクトロカロリック素子はおよそ294.8Kに維持された恒温ヒーターに接している。300kV/cmの電界がエレクトロカロリック素子に印加された直後に、エレクトロカロリック素子の温度はおよそ295.2Kまで上昇する。エレクトロカロリック素子は恒温ヒーターに接しているので、エレクトロカロリック素子の温度は徐々におよそ294.8Kに戻る。エレクトロカロリック素子の温度が294.8Kに戻った後、エレクトロカロリック素子への電界の印加が停止される。電界の印加が停止された直後に、エレクトロカロリック素子の温度はおよそ294.4Kまで低下する。エレクトロカロリック素子は恒温ヒーターに接しているので、エレクトロカロリック素子の温度は徐々におよそ294.8Kに戻る。
非特許文献2は、エレクトロカロリック素子の材料としてセラミクス及び有機材料を用いることを開示している。
J. F. Scott, "Electrocaloric Materials", Annual Review Materials Research, 2011, Vol. 41, p. 229−240 Xinyu Li, et al. "Pyroelectric and electrocaloric materials", Journal of Materials Chemistry C, 2013, vol.1, p. 23−27
本発明は、新規なエレクトロカロリック素子を提供する。
本発明は、組成式Hf1−xAl(0.071≦x≦0.091かつy≠0)により表される結晶から形成されるエレクトロカロリック材料を提供する。
本発明は、新規なエレクトロカロリック材料を提供する。
図1Aは、電気熱量効果の現象の概略図を示す。 図1Bは、電気熱量効果の現象の概略図を示す。 図2は、第1実施形態によるエレクトロカロリック素子の断面図を示す。 図3は、第1実施形態による加熱冷却装置の概略図を示す。 図4は、非特許文献1に含まれる図3(a)から引用されたグラフである。
後述される実施例において実証されるように、本発明者は、組成式Hf1−xAl(0.071≦x≦0.091、かつy≠0)により表されるハフニウム・アルミニウム複合酸化物がエレクトロカロリック現象を示すことを見いだした。
本明細書において、エレクトロカロリック素子(以下、「EC素子」という)とは、電気熱量効果(Electrocaloric Effect)を生じる素子を意味する。具体的には、電界がEC素子に印加されると、EC素子の温度は高くなる。一方、EC素子への電界の印加が停止されると、EC素子の温度は低くなる。図4も参照せよ。以下、電気熱量効果が詳細に説明される。
図1Aおよび図1Bは、電気熱量効果の現象の概略図を示す。図1Aおよび図1Bにおいて、EC素子20の内部に含まれる矢印は、エレクトロカロリック材料(以下、「EC材料」という)の分極の向きを示す。
図1Aでは、電界が電源10よりEC素子20に印加されていない。そのため、EC素子20のエントロピーは大きい。一方、図1Bでは、電源10よりEC素子20に電界が印加されている。そのため、EC素子20のエントロピーは小さい。
電界がEC素子に印加される場合、すなわち、図1Aに示される状態が図1Bに示される状態に変化する場合、EC素子20のエントロピーが小さくなる。そのため、EC素子20の温度は上昇する。一方、EC素子への電界の印加が停止される場合、すなわち、図1Bに示される状態が図1Aに示される状態に変化する場合、EC素子20のエントロピーが大きくなる。そのため、エレクトロカロリック素子20の温度は低下する。
以下、本発明の実施形態が、図面を参照しながら説明される。
(第1実施形態)
図2は、第1実施形態によるEC素子20の断面図を示す。EC素子20は、基板11上に下部電極12、EC材料層13、および上部電極14を具備する。図2に示されるように、EC材料層13は、下部電極12および上部電極14に挟まれている。
基板11の材料の例は、シリコン、ガラス、又はステンレスである。
下部電極12及び上部電極14は、EC材料層13へ電界を印加するために、EC材料層13の下面および上面にそれぞれ設けられている。下部電極12および上部電極14の材料の例は、Pt、Au、またはAlである。下部電極12の材料は、上部電極14の材料とは異なっていても良い。望ましくは、下部電極12および上部電極14は、板状である。
EC材料層13は、電気熱量効果を有し、かつハフニウム及びアルミニウムの複合酸化物を含有する。より具体的には、EC材料層13は、組成式Hf1−xAl(0.071≦x≦0.091かつy≠0)により表される結晶から形成される。望ましくは、EC材料層13は、Hf及びAlの複合酸化物から構成される。xの値が0.071未満である場合には、エレクトロカロリック効果が発現しない。同様に、xの値が0.091を超える場合にも、エレクトロカロリック効果が発現しない。後述される実施例を参照せよ。
yの値は、EC材料層13が電気熱量効果を有する限り、限定されない。望ましくは、yの値は、1以上3以下である。より望ましくは、yの値は、2に等しい。yの値は、EC材料層13に含まれる酸素欠損の量によって変動し得る。EC材料層13に含まれる酸素欠損は、EC材料層13の形成時に生じ得る。
EC材料層13は、原子層堆積法により形成され得る。
図3は、第1実施形態による加熱冷却装置30の概略図を示す。加熱冷却装置30は、EC素子20、制御部15、および電源部16を備える。EC素子20を加熱する場合には、制御部15は、電源部16がEC素子20に電界を印加する第1制御信号を送信する。
第1制御信号は、制御部15から電源部16に送信される。電源部16は、第1制御信号に基づいて、下部電極12および上部電極14の間に電界を印加する。EC素子20を冷却する場合には、制御部15は、EC素子20への電界の印加を停止する第2制御信号を送信する。第2制御信号は、制御部15から電源部16に送信される。電源部16は、第2制御信号に基づいて、下部電極12および上部電極14の間への電界の印加を停止する。このように、制御部15は、EC材料層13に電界が印加されていない電界オフ状態およびEC材料層13に電界が印加された電界オン状態の間で、EC材料層13への電界の印加を切り替える。
(実施例)
以下、実施例を参照しながら、本発明がさらに詳細に説明される。
(実施例1)
実施例1によるEC素子20は、以下のようにして作製された。
まず、シリコン酸化膜によって被覆された表面を有するシリコン基板が、基板11として用意された。
次に、5ナノメートルの厚みを有するTi膜が、電子銃蒸着法により基板11上に形成された。さらに、30ナノメートルの厚みを有するPt膜が、電子銃蒸着法によりTi膜上に形成された。このようにして、Ti膜およびPt膜の積層構造から構成される下部電極12が形成された。
次に、下部電極12上にEC材料層13が以下のように形成された。
EC材料層13を形成する方法は、以下の工程(i)および工程(ii)を含んでいた。
工程(i)では、原子層堆積法により、トリメチルアルミニウムおよび水がこの順で供給され、酸化アルミニウム原子層を形成した。
工程(ii)では、原子層堆積法により、テトラキスエチルメチルアミノハフニウムおよび水がこの順で供給され、酸化ハフニウム原子層を形成した。
工程(i)および工程(ii)が、複数回、繰り返された。原子層堆積法においては、下部電極12は摂氏300度に加熱されていた。
工程(i)では、トリメチルアルミニウムが供給されている間は、水は供給されなかった。同様に、水が供給されている間は、トリメチルアルミニウムは供給されなかった。工程(ii)においても、テトラキスエチルメチルアミノハフニウムが供給されている間は、水は供給されなかった。同様に、水が供給されている間は、テトラキスエチルメチルハフニウムは供給されなかった。
工程(i)及び工程(ii)の回数を変えることにより、HfおよびAlの間の組成比が変えられる。例えば、Al:Hf=3:1の組成比(即ち、x=0.75)を有するハフニウム・アルミニウム複合酸化物を得るためには、工程(i)の回数:工程(ii)の回数の比が3:1に設定される。より具体的には、工程(i)を3回繰り返した後、工程(ii)が1回実施される。これが繰り返され得る。または、工程(i)を6回繰り返した後、工程(ii)が2回実施される。これが繰り返され得る。
このような原子層堆積法により、Hf及びAlの複合酸化物の結晶から形成されるEC材料層13が下部電極12上に形成された。工程(i)及び工程(ii)の回数を変更することにより、表1に示されるように、異なるxの値を有する複数のEC材料層13が形成された。形成された各EC材料層13の厚みは、16ナノメートルであった。
次に、各EC材料13層は、急速加熱装置を用いて、アルゴン雰囲気下で摂氏1000度に加熱された。加熱時間は20秒間であった。次に、100ナノメートルの厚みを有するPt膜が、各EC材料層13上に電子銃蒸着法により形成された。このようにして、上部電極14が形成された。上部電極14は、0.0001cmの面積を有していた。このようにして、EC素子20が作製された。
摂氏50度でのEC素子20の加熱冷却能力が以下のように測定された。まず、EC素子20は、恒温ヒーター上に置かれた。EC素子20は恒温ヒーターを用いて摂氏50度に加熱された。その後、EC素子20の温度は、摂氏50度に維持された。
摂氏50度が維持される環境下において、電界を印加していない状態で上部電極14の表面の温度が測定された。次に、摂氏50度が維持される環境下において、3.2ボルトの電圧がEC素子20に印加された直後の上部電極14の表面の温度Tが測定された。
上部電極14の表面の温度が摂氏50度に戻った後、3.2ボルトの電圧のEC素子20への印加を停止した。3.2ボルトの電圧のEC素子20への印加が停止された直後の上部電極14の表面の温度Tが測定された。
以下の表1は、これらの結果を示す。
Figure 0006097940
表1から明らかなように、xの値が0.071以上0.091以下であれば、組成式Hf1−xAlにより表されるハフニウム・アルミニウム複合酸化物の結晶は、EC効果を示す。表1において、「摂氏50度」とは、摂氏49.5度を超えて摂氏50.5度以下の温度を意味する。
実施例1によるEC素子20は、19ボルト程度の絶縁耐圧を有していた。この絶縁耐圧は、およそ12MV/cmの電界強度と等価である。従って、実施例1によるEC素子は、従来のEC素子よりも数百倍大きい絶縁耐圧を有することが理解される。
EC素子に印加される電圧が増加するに伴い、EC素子の温度変化は大きくなる。実施例では、3.2ボルトの電圧がEC素子に印加された。しかし、絶縁耐圧に近い電圧がEC素子に印加される場合には、EC素子の温度変化は、表1に示される(温度T1−温度T2)の値よりも大きいことが期待される。このように、第1実施形態によるEC素子20は、従来のEC素子よりも高い加熱冷却能力を有すると期待される。
本実施例によるEC材料層13は、16ナノメートルの厚みおよび約12MV/cmの電界強度と等価な絶縁耐圧を有する。本実施例によるEC材料層13は、従来のEC素子よりも、薄い厚みおよび高い絶縁性を有する。
本発明によるエレクトロカロリック材料は、冷却装置のために有用である。
10 電源
11 基板
12 下部電極
13 エレクトロカロリック材料
14 上部電極
15 制御部
16 電源部
20 エレクトロカロリック素子
30 加熱冷却装置

Claims (8)

  1. 組成式Hf1−xAl(0.071≦x≦0.091かつy≠0)により表される結晶から形成されるエレクトロカロリック材料。
  2. 請求項1に記載のエレクトロカロリック材料であって、
    yの値は1以上3以下である。
  3. エレクトロカロリック素子であって、以下を具備する:
    組成式Hf1−xAl(0.071≦x≦0.091かつy≠0)により表される結晶から形成されるエレクトロカロリック材料、および
    前記エレクトロカロリック材料に設けられた一対の電極。
  4. 請求項3に記載のエレクトロカロリック素子であって、
    yの値が1以上3以下である。
  5. 加熱冷却装置であって、以下を具備する:
    組成式Hf1−xAl(0.071≦x≦0.091かつy≠0)により表される結晶から形成されるエレクトロカロリック材料、
    前記エレクトロカロリック材料に設けられた一対の電極、
    前記一対の電極の間に電界を印加する電源部、
    前記エレクトロカロリック材料に電界が印加されていない第1状態および前記エレクトロカロリック材料に電界が印加された第2状態の間で前記エレクトロカロリック材料への前記電界の印加を切り替える制御部。
  6. 請求項5に記載の加熱冷却装置であって、
    yの値が1以上3以下である。
  7. エレクトロカロリック材料を加熱および冷却する方法であって、
    組成式Hf1−xAl(0.071≦x≦0.091かつy≠0)により表される結晶から形成されるエレクトロカロリック材料に電界を印加して前記エレクトロカロリック材料を加熱する工程(a)、および
    工程(a)の後に、前記エレクトロカロリック材料への電界の印加を停止することによって、前記エレクトロカロリック材料を冷却する工程(b)。
  8. 請求項7に記載の方法であって、
    yの値が1以上3以下である。
JP2014226920A 2013-12-04 2014-11-07 エレクトロカロリック材料 Expired - Fee Related JP6097940B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014226920A JP6097940B2 (ja) 2013-12-04 2014-11-07 エレクトロカロリック材料

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013250817 2013-12-04
JP2013250817 2013-12-04
JP2014226920A JP6097940B2 (ja) 2013-12-04 2014-11-07 エレクトロカロリック材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015130485A JP2015130485A (ja) 2015-07-16
JP6097940B2 true JP6097940B2 (ja) 2017-03-22

Family

ID=53266042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014226920A Expired - Fee Related JP6097940B2 (ja) 2013-12-04 2014-11-07 エレクトロカロリック材料

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9293681B2 (ja)
JP (1) JP6097940B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3394904B8 (en) * 2015-12-21 2021-04-14 Raytheon Technologies Corporation Method of forming electrodes on electrocaloric film
KR102229905B1 (ko) * 2019-01-29 2021-03-18 중앙대학교 산학협력단 전기열량 효과를 이용한 냉감제공 구동기 및 전기열량 효과를 이용한 냉감제공 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4136525A (en) * 1976-12-30 1979-01-30 International Business Machines Corporation Dielectic refrigerator using orientable defect dipoles
US5644184A (en) * 1996-02-15 1997-07-01 Thermodyne, Inc. Piezo-pyroelectric energy converter and method
EP1351315A3 (fr) * 2002-03-20 2005-08-17 Memscap Micro-composant électronique intégrant une structure capacitive, et procédé de fabrication
JP4290421B2 (ja) * 2002-12-27 2009-07-08 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2008016626A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2013160460A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Daikin Industries Ltd 空気調和装置
US20150102702A1 (en) * 2012-05-08 2015-04-16 Peter Jeney Thermal power cell and apparatus based thereon

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015130485A (ja) 2015-07-16
US20150155467A1 (en) 2015-06-04
US9293681B2 (en) 2016-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Parlaktürk et al. On the profile of frequency dependent series resistance and surface states in Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) structures
Jie et al. Ferroelectric polarization effects on the transport properties of graphene/PMN-PT field effect transistors
Gunkel et al. Thermodynamic ground states of complex oxide heterointerfaces
Kobayashi et al. X-Ray Study of Phase Transition of Ferroelectric PbTi O 3 at Low Temperature
KR20170004274A (ko) 하프늄 산화막 및 이를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
JP2011029399A (ja) 強誘電体膜、電子部品及び強誘電体膜の製造方法
JP6097940B2 (ja) エレクトロカロリック材料
US20160027985A1 (en) Thermoelectric generator
Barman et al. Large electrocaloric effect in lead-free ferroelectric Ba0. 85Ca0. 15Ti0. 9Zr0. 1O3 thin film heterostructure
Cao et al. Effect of ferroelectric polarization on ionic transport and resistance degradation in BaTiO3 by phase‐field approach
Nguyen et al. High energy storage responses in all-oxide epitaxial relaxor ferroelectric thin films with the coexistence of relaxor and antiferroelectric-like behaviors
Lappalainen et al. Electrical and optical properties of metal-insulator-transition VO 2 thin films
Qiu et al. Polarization and hysteresis in tubular-channel fluoroethylenepropylene-copolymer ferroelectrets
Bharadwaja et al. Dielectric relaxation in antiferroelectric multigrain PbZrO3 thin films
Feng et al. Reduced leakage current and large polarization of Na0. 5Bi0. 5Ti0. 98Mn0. 02O3 thin film annealed at low temperature
JP5449781B2 (ja) 並列伝導層構造を持つ金属−絶縁体転移素子
Chen et al. Donor and acceptor doping effects on the electrical conductivity of Ca B i2 N b2 O 9 ceramics
Sobiestianskas et al. Microwave dielectric dispersion in a multiferroic Pb (Fe1/2Nb1/2) O3 thin film
Minibaev et al. First-principles investigation of the electron work function for the (001) surface of indium oxide In 2 O 3 and indium tin oxide (ITO) as a function of the surface oxidation level
Kurchak et al. Hysteretic phenomena in GFET: Comprehensive theory and experiment
Yao et al. Effects of Heat‐Treatment Temperature on the Properties of (1–x)(Na0. 5Bi0. 5) TiO3–xBiAlO3 Lead‐Free Piezoelectric Thin Films
Chi et al. Influence of seed layer on crystal orientation and electrical properties of (Na0. 85K0. 15) 0.5 Bi0. 5TiO3 thin films prepared by a sol–gel process
Balaraman et al. Investigation on Multifunctional Properties of (Pb0. 92La0. 08)(Zr0. 55Ti0. 45) O3 Relaxor Ferroelectric Thin Film for Energy‐Harvesting and Storage Applications
Jia et al. Preparation of LaNiO3/SrTiO3/LaNiO3 capacitor structure through sol–gel process
Fasquelle et al. Electrical characterizations of PZT ceramics in large frequency and temperature ranges

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160114

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20160520

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161109

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170110

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170123

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6097940

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees