JP6093722B2 - Capacitive pressure sensor - Google Patents
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Description
この発明は、被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラム(隔膜)の変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサに関するものである。 The present invention relates to a capacitance type pressure sensor that detects a change in a diaphragm (diaphragm) that is bent under the pressure of a fluid to be measured as a change in capacitance.
従来より、被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサは広く知られている。例えば、半導体製造装置などにおける薄膜形成プロセス中の真空状態の圧力を計測するために静電容量型圧力センサが利用されており、この真空状態の圧力を計測するための静電容量型圧力センサを隔膜真空計と呼んでいる。 2. Description of the Related Art Conventionally, a capacitance type pressure sensor that detects a change in a diaphragm that is bent under the pressure of a fluid to be measured as a change in capacitance has been widely known. For example, a capacitive pressure sensor is used to measure a vacuum pressure during a thin film formation process in a semiconductor manufacturing apparatus or the like, and a capacitive pressure sensor for measuring the vacuum pressure is used. This is called a diaphragm gauge.
この隔膜真空計は、被測定流体の導入部を有するハウジングと、このハウジングの導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップと、センサチップを内部に収容したハウジングの本体を覆うセンサケースとを有している。 This diaphragm vacuum gauge is a sensor that detects a change in the capacitance of a housing that has an introduction portion of a fluid to be measured and that is deflected by the pressure of the fluid to be measured guided through the introduction portion of the housing as a change in capacitance. It has a chip and a sensor case that covers the main body of the housing that houses the sensor chip.
この隔膜真空計は、基本的に、そのダイアフラムにプロセス対象の薄膜と同じ物質やその副生成物等が堆積する。以下、この堆積する物質を汚染物質と呼ぶ。この汚染物質がダイアフラムに堆積すると、それらによる応力によりダイアフラムの撓みが生じて、センサの出力信号にシフト(零点ドリフト)を生じる。また、堆積した汚染物質により見かけ上ダイアフラムが厚くなるので、ダイアフラムが撓みにくくなり、圧力印加に伴う出力信号の変化幅(スパン)も本来の出力信号の変化幅よりも小さくなってしまう。 In this diaphragm vacuum gauge, basically, the same material as the thin film to be processed and its by-products are deposited on the diaphragm. Hereinafter, this deposited substance is called a contaminant. When this pollutant accumulates on the diaphragm, the stress caused by them causes the diaphragm to bend, resulting in a shift (zero drift) in the output signal of the sensor. Further, since the diaphragm is apparently thick due to the accumulated contaminants, the diaphragm is difficult to bend, and the change width (span) of the output signal due to the pressure application is also smaller than the change width of the original output signal.
そこで、隔膜真空計には、導入部とダイアフラムとの間に、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、被測定流体に含まれる汚染物質のダイアフラムへの堆積を防止するバッフルが設けられている。また、ヒータによって加熱することにより、センサケース内の温度を汚染物質が析出することのない高温度に保つようにしている(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, in the diaphragm vacuum gauge, there is a baffle between the introduction portion and the diaphragm that prevents the deposition of contaminants contained in the measured fluid on the diaphragm by making the plate surface perpendicular to the direction of passage of the measured fluid. Is provided. Further, by heating with a heater, the temperature in the sensor case is kept at a high temperature at which no contaminants are deposited (see, for example, Patent Document 1).
なお、特許文献1ではセンサケース内にヒータを設けているが、例えば特許文献2,3に示されるように、センサケースの外周壁にヒータを巻き付けたり、すり割り状のヒータを外側から締め付けて取り付けるなどの方法も考えられる。 In Patent Document 1, a heater is provided in the sensor case. For example, as shown in Patent Documents 2 and 3, a heater is wound around the outer peripheral wall of the sensor case, or a slot-shaped heater is tightened from the outside. A method such as mounting is also conceivable.
このような隔膜真空計は、半導体製造装置の他、凍結乾燥装置などでも利用されている。凍結乾燥装置では、凍結(予備凍結)した品物に真空下で熱を加えて、その水分を凍結状態から直接気化させて、水蒸気として除去する。 Such a diaphragm vacuum gauge is used not only in semiconductor manufacturing apparatuses but also in freeze-drying apparatuses. In the freeze-drying apparatus, heat is applied to the frozen (preliminarily frozen) product under vacuum, and the water is directly evaporated from the frozen state and removed as water vapor.
このような凍結乾燥装置で隔膜真空計を用いる場合にも、センサケース内の温度が予め定められた温度となるようにヒータへの出力を制御するが、このヒータへの出力の制御中に定期的に導入部を通してハウジングの内部に液体(水)を導いて洗浄を行うようにしている。この液体(水)を導いての洗浄をCIPと呼んでいる。 Even when a diaphragm vacuum gauge is used in such a freeze-drying apparatus, the output to the heater is controlled so that the temperature in the sensor case becomes a predetermined temperature. In particular, liquid (water) is guided to the inside of the housing through the introduction portion to perform cleaning. This cleaning by introducing the liquid (water) is called CIP.
しかしながら、凍結乾燥装置では、プロセス時の通常環境では被測定流体(気体)がバッフルの隙間を通して導かれるが、CIP(非プロセス時の特殊環境)時には、液体(水)がバッフルの隙間を通して侵入し、ダイアフラムに到達する。CIPは製造プロセスとは異なり、液体(水)の量が通常の圧力計測時に比べて極端に多い。このため、センサ部の冷却履歴に影響を与え、受圧部内の残留応力に影響が現れ、零点シフトなどの不具合が発生する。 However, in the freeze-drying device, the fluid (gas) to be measured is guided through the gap of the baffle in the normal environment during the process, but in the CIP (special environment during non-process), the liquid (water) enters through the gap of the baffle. , Reach the diaphragm. Unlike the manufacturing process, CIP has an extremely large amount of liquid (water) as compared to normal pressure measurement. For this reason, the cooling history of the sensor unit is affected, the residual stress in the pressure receiving unit is affected, and problems such as zero shift occur.
なお、バッフルの位置を調整することにより、冷却履歴の悪影響を低減することは可能であるが、CIPは精密なプロセスではないので、洗浄水温や洗浄時間のばらつきなどにより、想定通りのシフト抑制ができないことも起こり得る。 Although it is possible to reduce the adverse effects of the cooling history by adjusting the position of the baffle, CIP is not a precise process, so the shift can be suppressed as expected due to variations in the washing water temperature and washing time. Things that can't be done can happen.
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、洗浄による冷却履歴の悪影響を簡易的に推定し、圧力の測定に適した状態であるか否かを早期に知ることが可能な静電容量型圧力センサを提供することにある。 The present invention has been made to solve such problems, and the object of the present invention is to simply estimate the adverse effects of the cooling history due to cleaning and to determine whether or not it is suitable for pressure measurement. It is an object of the present invention to provide a capacitance type pressure sensor capable of knowing at an early stage.
このような目的を達成するために本発明は、被測定流体の導入部を有するハウジングと、導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップと、センサチップを内部に収容したハウジングの本体を覆うセンサケースと、センサケース内を加熱するヒータと、センサケース内の温度を測定する温度センサと、センサケース内の温度が予め定められた温度となるようにヒータへの出力を制御するヒータ制御部とを備え、ヒータへの出力の制御中に導入部を通してハウジングの内部に液体を導いて洗浄が行われる静電容量型圧力センサにおいて、温度センサが測定するセンサケース内の温度の推移およびヒータ制御部からのヒータへの出力の推移の少なくとも一方に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定する状態判定部を備えることを特徴とする(請求項1)。 In order to achieve such an object, the present invention relates to a change in the capacitance of a housing having an introduction portion for a fluid to be measured and a diaphragm that is bent by receiving the pressure of the fluid to be measured guided through the introduction portion. A sensor chip that covers the body of the housing that houses the sensor chip, a heater that heats the inside of the sensor case, a temperature sensor that measures the temperature inside the sensor case, and the temperature inside the sensor case And a heater control unit that controls the output to the heater so as to reach a predetermined temperature, and the electrostatic capacity type in which the liquid is guided to the inside of the housing through the introduction unit during the control of the output to the heater In the pressure sensor, based on at least one of the transition of the temperature in the sensor case measured by the temperature sensor and the transition of the output from the heater controller to the heater Characterized in that it comprises determining state determination unit that determines whether a state suitable for measurement of pressure (claim 1).
例えば、本発明では、温度センサが測定するセンサケース内の温度を計測温度Tpvとし、予め定められた温度を設定温度Tspとし、計測温度Tpvが設定温度Tspと等しくなるようにヒータへの出力(ヒータ出力)をクローズドループ制御する場合、計測温度Tpvと設定温度Tspとが等しく制御されている時のヒータ出力に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定するようにする(請求項2)。 For example, in the present invention, the temperature in the sensor case measured by the temperature sensor is the measured temperature Tpv, the predetermined temperature is the set temperature Tsp, and the output to the heater is set so that the measured temperature Tpv is equal to the set temperature Tsp ( In the case of closed-loop control of the heater output), it is determined whether or not it is in a state suitable for pressure measurement based on the heater output when the measured temperature Tpv and the set temperature Tsp are equally controlled ( Claim 2).
クローズドループ制御の場合、例えば、洗浄水の残量が多いような場合、ヒータ出力が正常時の値よりも高く元には戻らない(または戻りが遅い)ことがある。この場合、計測温度Tpvと設定温度Tspとが等しく制御されている時(高温到達時)のヒータ出力を正常値(標準値)と比較することにより、洗浄による冷却履歴の悪影響が大きいか否かを判断することが可能である。 In the case of closed loop control, for example, when the remaining amount of cleaning water is large, the heater output may be higher than the normal value and may not return to the original value (or return may be slow). In this case, by comparing the heater output when the measured temperature Tpv and the set temperature Tsp are controlled to be equal (when reaching a high temperature) with the normal value (standard value), whether or not the adverse effect of the cooling history due to cleaning is large. Can be determined.
また、本発明では、温度センサが測定するセンサケース内の温度を計測温度Tpvとし、予め定められた温度を設定温度Tspとし、計測温度Tpvが設定温度Tspと等しくなるようにヒータへの出力(ヒータ出力)をクローズドループ制御する場合、洗浄中の計測温度Tpvおよびヒータ出力の少なくとも一方に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定するようにする(請求項3)。 In the present invention, the temperature in the sensor case measured by the temperature sensor is set as the measured temperature Tpv, the predetermined temperature is set as the set temperature Tsp, and the output to the heater is set so that the measured temperature Tpv becomes equal to the set temperature Tsp ( When the closed loop control of the heater output) is performed, it is determined whether or not the state is suitable for pressure measurement based on at least one of the measured temperature Tpv during cleaning and the heater output (claim 3).
クローズドループ制御の場合、例えば、洗浄水の水温が通常よりも低かったり、水量が通常よりも多いような場合、洗浄中の計測温度Tpvが正常時の値よりも低くなったり、ヒータ出力が正常時の値よりも高くなったりする。この場合、洗浄中の計測温度Tpvを正常時の値と比較することにより、また洗浄中のヒータ出力を正常時の値と比較することにより、洗浄による冷却履歴の悪影響が大きいか否かを判断することが可能である。 In the case of closed loop control, for example, when the temperature of the wash water is lower than normal or the amount of water is higher than normal, the measured temperature Tpv during cleaning is lower than the normal value, or the heater output is normal. It may be higher than the hour value. In this case, by comparing the measured temperature Tpv during cleaning with a normal value and by comparing the heater output during cleaning with a normal value, it is determined whether or not the adverse effect of the cooling history due to cleaning is large. Is possible.
また、本発明では、予め定められた温度を目標温度Ttpとし、センサケース内の温度が目標温度Ttpとなるようにヒータへの出力(ヒータ出力)をオープンループ制御する場合、温度センサが測定するセンサケース内の温度を計測温度Tpvとして取得し、洗浄中の計測温度Tpvおよび洗浄完了時の計測温度Tpvの少なくとも一方に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定するようにする(請求項4)。 Further, in the present invention, when the predetermined temperature is set as the target temperature Ttp and the output to the heater (heater output) is subjected to open loop control so that the temperature in the sensor case becomes the target temperature Ttp, the temperature sensor measures. The temperature in the sensor case is acquired as the measured temperature Tpv, and it is determined whether or not it is in a state suitable for pressure measurement based on at least one of the measured temperature Tpv during cleaning and the measured temperature Tpv at the completion of cleaning. (Claim 4).
オープンループ制御の場合、例えば、洗浄水の水温が通常よりも低かったり、水量が通常よりも多いような場合、洗浄中の計測温度Tpvが正常時の値よりも低くなる。また、洗浄水の残量が多いような場合、洗浄完了時の計測温度Tpvが正常時の値よりも低く元には戻らない(または戻りが遅い)ことがある。この場合、洗浄中の計測温度Tpvを正常時の値と比較したり、洗浄完了時の計測温度Tpvを正常時の値(目標温度Tsp)と比較したりすることにより、洗浄による冷却履歴の悪影響が大きいか否かを判断することが可能である。 In the case of open loop control, for example, when the temperature of the wash water is lower than normal or the amount of water is higher than normal, the measured temperature Tpv during cleaning is lower than the normal value. When the remaining amount of cleaning water is large, the measured temperature Tpv at the completion of cleaning may be lower than the normal value and may not return (or return slowly). In this case, by comparing the measured temperature Tpv during cleaning with a normal value, or by comparing the measured temperature Tpv when cleaning is completed with a normal value (target temperature Tsp), the adverse effect of the cooling history due to cleaning is reduced. It is possible to determine whether or not is large.
本発明によれば、温度センサが測定するセンサケース内の温度の推移およびヒータ制御部からのヒータへの出力の推移の少なくとも一方に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定するようにしたので、計測温度Tpvと設定温度Tspとが等しく制御されている時のヒータ出力に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定するようにしたり、洗浄中の計測温度Tpvおよびヒータ出力の少なくとも一方に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定するようにしたり、洗浄中の計測温度Tpvおよび洗浄完了時の計測温度Tpvの少なくとも一方に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定するようにしたりして、洗浄による冷却履歴の悪影響を簡易的に推定し、圧力の測定に適した状態であるか否かを早期に知ることが可能となる。これにより、静電容量型圧力センサの不具合発生の確率が低くない状態を検出し、静電容量型圧力センサ自体の健常性を向上させることができるようになる。 According to the present invention, based on at least one of the transition of the temperature in the sensor case measured by the temperature sensor and the transition of the output from the heater control unit to the heater, it is determined whether or not the state is suitable for the pressure measurement. Since the measurement temperature Tpv and the set temperature Tsp are controlled to be equal to each other, it is determined whether or not the pressure is suitable for the measurement of the pressure based on the heater output. Based on at least one of the temperature Tpv and the heater output, it is determined whether or not it is in a state suitable for pressure measurement, or based on at least one of the measured temperature Tpv during cleaning and the measured temperature Tpv at the completion of cleaning. Whether it is suitable for pressure measurement, such as by determining whether it is suitable for pressure measurement, or simply estimating the adverse effects of cooling history due to cleaning, and whether it is suitable for pressure measurement Whether it is possible to know at an early stage. As a result, it is possible to detect a state where the probability of occurrence of a malfunction of the capacitive pressure sensor is not low, and to improve the health of the capacitive pressure sensor itself.
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。図1はこの発明に係る静電容量型圧力センサの一実施の形態の要部を示す縦断面図である。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a main part of an embodiment of a capacitive pressure sensor according to the present invention.
この静電容量型圧力センサ(隔膜真空計)1は、ハウジング10と、ハウジング10内に収容された台座プレート20と、同じくハウジング10内に収容され台座プレート20に接合されたセンサチップ30と、ハウジング10に直接取付けられハウジング10内外を導通接続する電極リード部40とを備えている。
This capacitive pressure sensor (diaphragm vacuum gauge) 1 includes a
また、台座プレート20は、第1の台座プレート21と第2の台座プレート22とから構成され、ハウジング10に対して隔間しており、支持ダイアフラム50のみを介してハウジング10に支持されている。
The
ハウジング10は、ロアハウジング11、アッパハウジング12、及びカバー13から構成されている。なお、ロアハウジング11、アッパハウジング12、及びカバー13は、耐食性の金属であるインコネルからなり、それぞれ溶接により接合されている。
The
ロアウジング11は、径の異なる円筒体を連結した形状を備え、その大径部11aは支持ダイアフラム50との接合部を有し、その小径部11bは被測定流体が流入する導入部10Aをなしている。
The
アッパハウジング12は略円筒体形状を有し、カバー13、支持ダイアフラム50、台座プレート20、及びセンサチップ30を介してハウジング10内に独立した真空の基準真空室10Bを形成している。なお、基準真空室10Bにはいわゆるゲッター(図示せず)と呼ばれる気体吸着物質が備わり、真空度を維持している。
The
また、カバー13は円形のプレートからなり、カバー13の所定位置には電極リード挿通孔13aが形成されており、ハーメチックシール60を介して電極リード部40が埋め込まれ、この部分のシール性が確保されている。
Further, the
一方、支持ダイアフラム50はハウジング10の形状に合わせた外形形状を有するインコネルの薄板からなり、第1の台座プレート21と第2の台座プレート22との間に挟まれた状態で、その外周部(周囲縁部)が上述したロアハウジング11とアッパハウジング12の縁部に挟まれて溶接等により接合されている。
On the other hand, the
なお、支持ダイアフラム50の厚さは、例えば本実施形態の場合数十ミクロンであって、各台座プレート21,22より充分薄い厚さとなっている。また、支持ダイアフラム50の中央部には、第1の台座プレート21と第2の台座プレート22との間にスリット状の空間(キャビティ)20Aを作る大径の孔50aが形成されている。
The thickness of the
第1の台座プレート21および第2の台座プレート22は、酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアからなり、第1の台座プレート21はハウジング10の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム50の上面に接合され、第2の台座プレート22はハウジング10の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム50の下面に接合されている。
The
また、第1の台座プレート21には、スリット状の空間(キャビティ)20Aに連通する被測定流体の導入孔21aがその中央部に形成されており、第2の台座プレート22には、スリット状の空間(キャビティ)20Aに連通するとともにセンサチップ30のセンサダイアフラム32への導出孔22aが複数(この例では、4つ)形成されている。
The
なお、各台座プレート21,22は、支持ダイアフラム50の厚さに対して上述の通り十分に厚くなっており、かつ支持ダイアフラム50を両台座プレート21,22でいわゆるサンドイッチ状に挟み込む構造を有している。これによって、支持ダイアフラム50と台座プレート20の熱膨張率の違いによって発生する熱応力でこの部分が反るのを防止している。
Each
また、第2の台座プレート22には酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアでできた上面視矩形状のセンサチップ30が酸化アルミニウムベースの接合材を介して接合されている。なお、このセンサチップ30の接合方法については、特許文献4に詳しく記載されているのでここでの説明は省略する。
A sensor chip 30 having a rectangular shape in a top view made of sapphire, which is a single crystal of aluminum oxide, is bonded to the
センサチップ30は上面視で1cm角以下の大きさを有し、四角角型の薄板からなるスペーサ31と、スペーサ31に接合されかつ圧力の印加に応じてひずみが生じるセンサダイアフラム32と、センサダイアフラム32に接合して真空の容量室(リファレンス室)30Aを形成するセンサ台座33を有している。また、真空の容量室30Aと基準真空室10Bとはセンサ台座32の適所に穿設された図示しない連通孔を介して共に同一の真空度を保っている。
The sensor chip 30 has a size of 1 cm square or less in a top view, a
なお、スペーサ31、センサダイアフラム32、及びセンサ台座33はいわゆる直接接合によって互いに接合され、一体化したセンサチップ30を構成している。このセンサチップ30の構成要素とされるセンサダイアフラム32が本発明でいうダイアフラムに相当する。
The
また、センサチップ30の容量室30Aには、センサ台座33の内面に金又は白金等の導体でできた固定電極(図示せず)が形成されているとともに、これと対向するセンサダイアフラム32の内面(裏面)上に金又は白金等の導体でできた可動電極(図示せず)が形成されている。また、センサチップ30の上面には金又は白金からなるコンタクトパッド35,36が形成され、容量室30A内の固定電極や可動電極はコンタクトパッド35,36と図示しない配線によって接続されている。
Further, in the
一方、電極リード部40は電極リードピン41と金属製のシールド42とを備え、電極リードピン41は金属製のシールド42にガラスなどの絶縁性材料からなるハーメチックシール43によってその中央部分が埋設され、電極リードピン41の両端部間で気密状態を保っている。そして、電極リードピン41の一端はハウジング10の外部に露出して図示しない配線によって隔膜真空計1の出力を外部の信号処理部に伝達するようになっている。なお、シールド42とカバー13との間にも上述の通りハーメチックシール60が介在している。また、電極リードピン41の他方の端部には導電性を有するコンタクトバネ45,46が接続されている。
On the other hand, the
コンタクトバネ45,46は、導入部10Aから被測定流体が急に流れ込むことで発生する急激な圧力上昇により支持ダイアフラム50が若干変移しても、コンタクトバネ45,46の付勢力がセンサチップ30の測定精度に影響を与えない程度の十分な柔らかさを有している。
Even if the
この隔膜真空計1において、センサチップ30のセンサダイアフラム32と導入部10Aとの間には、導入部10Aからの被測定流体の出口に、被測定流体の通過方向Fにその板面を直交させて、インコネルからなる第1のバッフル70が配置されている。
In this diaphragm vacuum gauge 1, between the
図2にバッフル70の平面図を示す。バッフル70には、その外周部に所定の角度間隔でタブ70aが形成されており、このタブ70a間の隙間70bを被測定流体が通過して、センサダイアフラム32へと送られる。
FIG. 2 shows a plan view of the
また、導入部10Aの管路の途中には、ハウジング10の内部への液体(水)の侵入を防止することを目的として、第2のバッフル71が設けられている。
Further, a
また、この隔膜真空計1において、ハウジング10は、その被測定流体の導入部(導圧管)10Aを外部(下方)に引き出すようにして、円筒状のセンサケース80の内部に設けられている。センサケース80の上部は、このセンサケース80の一部をなす蓋80aで塞がれており、すなわちセンサチップ30を内部に収容したハウジング10の本体がセンサケース80によって覆われており、このセンサケース80の蓋80aに設けられた導出孔(図示せず)を通して、電極リードピン41に接続された配線が外部の信号処理部に導かれている。
Further, in the diaphragm vacuum gauge 1, the
また、この隔膜真空計1において、センサケース80の外周壁および導入部10Aの第2のバッフル71が位置する部分には、その周囲を囲むように加熱用ヒータ90が設けられている。加熱用ヒータ90を含むセンサケース80は断熱材100で覆われている。
Further, in this diaphragm vacuum gauge 1, a
一方、この隔膜真空計1には、加熱用ヒータ90を加熱制御する加熱制御回路400が設けられている。この加熱制御回路400は、センサケース80内の温度の計測値(計測温度)Tpvと、予め定められた温度(フィードバック制御の場合は設定温度Tsp、オープンループ制御の場合は目標温度Ttp)とを入力とし、加熱用ヒータ90への出力(ヒータ出力)を制御する。
On the other hand, the diaphragm vacuum gauge 1 is provided with a
なお、この例では、ハウジング10の外側に温度センサ14が設けられており、この温度センサ14が検出するセンサ温度がセンサケース80内の計測温度Tpvとして、加熱制御回路400に送られてくるものとされている。
In this example, the
また、加熱制御回路400において、設定温度Tsp(目標温度Ttp)は、例えば125℃として定められている。この加熱制御回路400は、プロセッサや記憶装置からなるハードウェアと、これらのハードウェアと協働して各種機能を実現させるプログラムとによって実現される。
In the
また、この隔膜真空計1は、凍結乾燥装置で用いられ、加熱制御回路400による加熱用ヒータ90へのヒータ出力の制御中に定期的に、導入部10Aを通してハウジング10の内部に液体(水)を導いて洗浄(CIP)が行われる。
Further, the diaphragm vacuum gauge 1 is used in a freeze-drying apparatus, and a liquid (water) is introduced into the
〔加熱制御回路の第1例(実施の形態1):クローズドループ制御、洗浄水の残量が多い場合〕
図3に加熱制御回路400の第1例の要部を示す。この加熱制御回路400(400A)は、クローズドループ温度制御部401Aと、状態判定部402Aと、アラーム等信号送信部403Aとを備えている。
[First example of heating control circuit (Embodiment 1): Closed loop control, when the remaining amount of cleaning water is large]
The principal part of the 1st example of the
クローズドループ温度制御部401Aは、温度センサ14からの計測温度Tpvが設定温度Tspと等しくなるように加熱用ヒータ90へのヒータ出力Poutをクローズドループ制御する。なお、この例において、クローズドループ制御としては、PID制御などのフィードバック制御が採用されている。
The closed loop
状態判定部402Aは、温度センサ14からの計測温度Tpvとクローズドループ温度制御部401Aからのヒータ出力Poutと設定温度Tspとを入力とし、計測温度Tpvと設定温度Tspとが等しく制御されている時のヒータ出力Poutに基づいて隔膜真空計1が圧力の測定に適した状態であるか否かを判定する。
The
なお、状態判定部402Aには、計測温度Tpvと設定温度Tspとが等しく制御されている時のヒータ出力Poutの正常値(標準値)がPstとして設定されており、圧力の測定に適した状態であるか否かの判定に際して用いられる閾値がαとして設定されている。
In the
アラーム等信号送信部403Aは、状態判定部402Aからの圧力の測定に適した状態であるか否かの判定結果を受けて、その判定結果を上位装置(図示せず)へ送信する。
The alarm
以下、図4に示すタイムチャートを用いて、加熱制御回路400Aの動作について具体的に説明する。図4に示すタイムチャートにおいて、図4(a)は計測温度Tpvの変化を示し、図4(b)はヒータ出力Poutの変化を示す。
Hereinafter, the operation of the
クローズドループ温度制御部401Aは、温度センサ14からの計測温度Tpvが設定温度Tspと等しくなるように加熱用ヒータ90へのヒータ出力Poutを制御(クローズドループ制御)する。この加熱用ヒータ90へのヒータ出力Poutの制御中に定期的にCIP(洗浄)が行われる。
The closed loop
クローズドループ温度制御部401Aは、CIPの実施中、計測温度Tpvが低下するので、この低下した計測温度Tpvを設定温度Tspに戻すようにヒータ出力Poutを高める。
Since the measured temperature Tpv decreases during the CIP, the closed loop
図4に示した例は、期間T1,T2,T3ではCIPが正常に行われているが、期間T3で洗浄した後の洗浄水の残量が多い場合を示している。この場合、計測温度Tpvが設定温度Tspと等しくなっても、ヒータ出力Poutは正常時の値(正常値(標準値)Pst)よりも高く元には戻らない(または戻りが遅い)。 The example shown in FIG. 4 shows a case where the CIP is normally performed in the periods T1, T2, and T3, but the remaining amount of the cleaning water after the cleaning in the period T3 is large. In this case, even if the measured temperature Tpv is equal to the set temperature Tsp, the heater output Pout is higher than the normal value (normal value (standard value) Pst) and does not return to the original value (or the return is slow).
状態判定部402Aは、計測温度Tpvと設定温度Tspとが等しく制御されている時のヒータ出力Poutを監視し、このヒータ出力Poutが計測温度Tpvと設定温度Tspとが等しく制御されている時の正常値(標準値)Pstよりも閾値α以上高い場合、センサ内部まで洗浄水が浸入してゼロ点シフトを生じてしまう可能性があると判断し、圧力の測定に適した状態でない旨の判定結果をアラーム等信号送信部403Aへ送る。アラーム等信号送信部403Aは、この状態判定部402Aからの判定結果を上位装置へ送信する。
The
このようにして、この加熱制御回路400Aでは、計測温度Tpvと設定温度Tspとが等しく制御されている時(高温到達時)のヒータ出力Poutをデータ処理(正常値(標準値)Pstとの差異を検出)することで、CIPによる冷却履歴の悪影響を簡易的に推定し、圧力の測定に適した状態であるか否かを早期に知ることが可能となる。これにより、隔膜真空計1の不具合発生の確率が低くない状態を検出し、隔膜真空計1自体の健常性を向上させることができるようになる。
In this manner, in the
〔加熱制御回路の第2例(実施の形態2):クローズドループ制御、洗浄水の水温が通常よりも低い、または水量が通常よりも多い場合〕
図5に加熱制御回路400の第2例の要部を示す。この第2例の加熱制御回路400(400B)は、クローズドループ温度制御部401Bと、状態判定部402Bと、アラーム等信号送信部403Bとを備えている。
[Second Example of Heating Control Circuit (Embodiment 2): Closed Loop Control, When Washing Water Temperature is Lower than Normal or Water Volume is More Than Normal]
FIG. 5 shows a main part of a second example of the
この加熱制御回路400Bにおいて、クローズドループ温度制御部401Bおよびアラーム等信号送信部403Bの機能は、第1例の加熱制御回路400Aにおけるクローズドループ温度制御部401Aおよびアラーム等信号送信部403Aと同じである。この第2例の加熱制御回路400Bでは、状態判定部402Bの機能のみが第1例の加熱制御回路400Aにおける状態判定部402Aとは異なっている。
In the
この加熱制御回路400Bにおいて、状態判定部402Bには、計測温度Tpvと設定温度Tspとが等しく制御されている時のヒータ出力Poutの正常値(標準値)がPstとして設定されており、圧力の測定に適した状態であるか否かの判定に際して用いられる第1の閾値がβとして、第2の閾値がγとして設定されている。
In this
以下、図6に示すタイムチャートを用いて、加熱制御回路400Bの動作について具体的に説明する。図6に示すタイムチャートにおいて、図6(a)は計測温度Tpvの変化を示し、図6(b)はヒータ出力Poutの変化を示す。
Hereinafter, the operation of the
クローズドループ温度制御部401Bは、温度センサ14からの計測温度Tpvが設定温度Tspと等しくなるように加熱用ヒータ90へのヒータ出力Poutを制御(クローズドループ制御)する。この加熱用ヒータ90へのヒータ出力Poutの制御中に定期的にCIP(洗浄)が行われる。
The closed loop
クローズドループ温度制御部401Bは、CIPの実施中、計測温度Tpvが低下するので、この低下した計測温度Tpvを設定温度Tspに戻すようにヒータ出力Poutを高める。
Since the measured temperature Tpv decreases during the CIP, the closed loop
図6に示した例は、期間T1,T2ではCIPが正常に行われているが、期間T3ではCIPが正常に行われておらず、洗浄水の水温が通常よりも低い、または水量が通常よりも多い場合を示している。この場合、期間T3のCIPでは、計測温度Tpvが正常時の値よりも低下し、ヒータ出力Poutが正常時の値よりも高くなる。 In the example shown in FIG. 6, CIP is normally performed in the periods T1 and T2, but CIP is not normally performed in the period T3, and the temperature of the washing water is lower than normal or the amount of water is normal. It shows the case of more than. In this case, in the CIP of the period T3, the measured temperature Tpv is lower than the normal value, and the heater output Pout is higher than the normal value.
状態判定部402Bは、CIP中の計測温度Tpvおよびヒータ出力Poutを監視し、CIP中の計測温度Tpvが設定温度Tspよりも閾値β以上低く、かつCIP中のヒータ出力Poutが計測温度Tpvと設定温度Tspとが等しく制御されている時の正常値(標準値)Pstよりも閾値γ以上高い場合、センサ内部まで洗浄水が浸入しゼロ点シフトを生じてしまう可能性があると判断し、圧力の測定に適した状態でない旨の判定結果をアラーム等信号送信部403Bへ送る。アラーム等信号送信部403Bは、この状態判定部402Bからの判定結果を上位装置へ送信する。
The
なお、状態判定部402Bにおける閾値βは、Tsp−βがCIP中の計測温度Tpvの正常時の値よりも小さくなる値として定められている。これにより、CIP中の計測温度Tpvの正常時の値とCIP中の計測温度Tpvとが実質的に比較される。また、状態判定部402Bにおける閾値γは、Pst+γがCIP中のヒータ出力Poutの正常時の値よりも大きくなる値として定められている。これにより、CIP中のヒータ出力Poutの正常時の値とCIP中のヒータ出力Poutとが実質的に比較される。
The threshold value β in the
このようにして、この加熱制御回路400Bでは、CIP中の計測温度Tpvやヒータ出力Poutをデータ処理(正常時の値との差異を検出)することで、CIPによる冷却履歴の悪影響を簡易的に推定し、圧力の測定に適した状態であるか否かを早期に知ることが可能となる。これにより、隔膜真空計1の不具合発生の確率が低くない状態を検出し、隔膜真空計1自体の健常性を向上させることができるようになる。
In this way, in the
なお、この例では、CIP中の計測温度Tpvとヒータ出力Poutの両方を監視するようにしたが、何れか一方を監視するようにしてもよい。すなわち、CIP中の計測温度Tpvのみを監視し、この計測温度Tpvが設定温度Tspよりも閾値β以上低い場合に、圧力の測定に適した状態でない旨の判定結果をアラーム等信号送信部403Bへ送るようにしてもよく、CIP中のヒータ出力Poutのみを監視し、このヒータ出力Poutが正常値(標準値)Pstよりも閾値γ以上高い場合に、圧力の測定に適した状態でない旨の判定結果をアラーム等信号送信部403Bへ送るようにしてもよい。
In this example, both the measured temperature Tpv and the heater output Pout in CIP are monitored, but either one may be monitored. That is, only the measured temperature Tpv in CIP is monitored, and when this measured temperature Tpv is lower than the set temperature Tsp by a threshold value β or more, a determination result indicating that the pressure is not suitable is measured to the alarm
〔加熱制御回路の第3例(実施の形態3):オープンループ制御、洗浄水の水温が通常よりも低い場合、または水量が通常よりも多い場合〕
図7に加熱制御回路400の第3例の要部を示す。この第3例の加熱制御回路400(400C)は、オープンループ温度制御部401Cと、状態判定部402Cと、アラーム等信号送信部403Cとを備えている。
[Third example of heating control circuit (Embodiment 3): Open loop control, when the temperature of the washing water is lower than normal, or when the amount of water is higher than normal)
FIG. 7 shows a main part of a third example of the
この加熱制御回路400Cにおいて、オープンループ温度制御部401Cは、センサケース80内の温度が目標温度Ttpとなるように加熱用ヒータ90へのヒータ出力Poutをオープンループ制御する。加熱制御回路400Cにおけるオープンループ制御としては、フィードフォワード制御が採用されている。
In the
状態判定部402Cは、温度センサ14からの計測温度Tpvとオープンループ温度制御部401Cからのヒータ出力Poutと目標温度Ttpとを入力とし、CIP中の計測温度TpvおよびCIP完了時の計測温度Tpvに基づいて隔膜真空計1が圧力の測定に適した状態であるか否かを判定する。
The
なお、状態判定部402Cには、圧力の測定に適した状態であるか否かの判定に際して用いられる第1の閾値がσとして、第2の閾値がδとして設定されている。
In the
アラーム等信号送信部403Cは、状態判定部402Cからの圧力の測定に適した状態であるか否かの判定結果を受けて、その判定結果を上位装置(図示せず)へ送信する。
The alarm
以下、図8に示すタイムチャートを用いて、加熱制御回路400Cの動作について具体的に説明する。図8に示すタイムチャートにおいて、図8(a)は計測温度Tpvの変化を示し、図8(b)はヒータ出力Poutの変化を示す。
Hereinafter, the operation of the
オープンループ温度制御部401Cは、センサケース80内の温度が目標温度Ttpとなるように加熱用ヒータ90へのヒータ出力Poutを制御(オープンループ制御)する。この加熱用ヒータ90へのヒータ出力Poutの制御中に定期的にCIPが行われる。
The open loop
オープンループ温度制御部401Cは、CIPの実施中、センサケース80内の温度が低下するので、センサケース80内の温度を目標温度Ttpとするようにヒータ出力Poutを高める。
Since the temperature in the
図8に示した例は、期間T1,T2ではCIPが正常に行われているが、期間T3ではCIPが正常に行われておらず、洗浄水の水温が通常よりも低い、または水量が通常よりも多い場合を示している。この場合、期間T3のCIPでは、計測温度Tpvが正常時の値よりも低下する。また、期間T3でのCIPが完了しても、計測温度Tpvは正常時の値(目標温度Ttp)よりも低く元には戻らない(または戻りが遅い)。 In the example shown in FIG. 8, the CIP is normally performed in the periods T1 and T2, but the CIP is not normally performed in the period T3, and the temperature of the washing water is lower than normal or the amount of water is normal. It shows the case of more than. In this case, in the CIP in the period T3, the measured temperature Tpv is lower than the normal value. Further, even when CIP in the period T3 is completed, the measured temperature Tpv is lower than the normal value (target temperature Ttp) and does not return (or return is slow).
状態判定部402Cは、CIP中およびCIP完了時の計測温度Tpvを監視し、CIP中の計測温度Tpvが目標温度Ttpよりも閾値σ以上低く、かつCIP完了時の計測温度Tpvが目標温度Ttpよりも閾値δ以上低い場合、センサ内部まで洗浄水が浸入しゼロ点シフトを生じてしまう可能性があると判断し、圧力の測定に適した状態でない旨の判定結果をアラーム等信号送信部403Cへ送る。アラーム等信号送信部403Cは、この状態判定部402Cからの判定結果を上位装置へ送信する。
The
なお、状態判定部402Cにおける閾値σは、Ttp−σがCIP中の計測温度Tpvの正常時の値よりも小さくなる値として定められている。これにより、CIP中の計測温度Tpvの正常時の値とCIP中の計測温度Tpvとが実質的に比較される。
The threshold σ in the
このようにして、この加熱制御回路400Cでは、CIP中の計測温度TpvやCIP完了時の計測温度Tpvをデータ処理(正常時の値との差異を検出)することで、CIPによる冷却履歴の悪影響を簡易的に推定し、圧力の測定に適した状態であるか否かを早期に知ることが可能となる。これにより、隔膜真空計1の不具合発生の確率が低くない状態を検出し、隔膜真空計1自体の健常性を向上させることができるようになる。
In this way, in this
なお、この例では、CIP中の計測温度TpvとCIP完了時の計測温度Tpvの両方を監視するようにしたが、何れか一方を監視するようにしてもよい。すなわち、CIP中の計測温度Tpvのみを監視し、この計測温度Tpvが目標温度Ttpよりも閾値σ以上低い場合に、圧力の測定に適した状態でない旨の判定結果をアラーム等信号送信部403Cへ送るようにしてもよく、CIP完了時の計測温度Tpvのみを監視し、この計測温度Tpvが目標温度Ttpよりも閾値δ以上低い場合に、圧力の測定に適した状態でない旨の判定結果をアラーム等信号送信部403Cへ送るようにしてもよい。
In this example, both the measured temperature Tpv during CIP and the measured temperature Tpv at the completion of CIP are monitored, but either one may be monitored. That is, only the measured temperature Tpv in the CIP is monitored, and when this measured temperature Tpv is lower than the target temperature Ttp by the threshold σ, a determination result indicating that the pressure is not suitable is measured to the alarm
また、CIP中の計測温度TpvとCIP完了時の計測温度Tpvの両方を監視し、何れか一方が目標温度Ttpに対して定められる閾値を下回った場合に圧力の測定に適した状態でない旨の判定結果をアラーム等信号送信部403Cへ送るようにしてもよい。このようにすることにより、洗浄水の残量が多いような場合の判断も可能となる。例えば、図9に示すように、期間T1,T2,T3ではCIPが正常に行われているが、期間T3で洗浄した後の洗浄水の残量が多いような場合、CIP洗浄完了時にヒータ出力Poutが正常値(標準値)Pstに戻されても計測温度Tpvは目標温度Ttpに到達しない。このような場合、CIP完了時の計測温度Tpvと目標温度Ttpとを閾値δを用いて比較することにより、圧力の測定に適した状態であるか否かを判断することができる。
Also, both the measured temperature Tpv during CIP and the measured temperature Tpv at the completion of CIP are monitored, and if either one falls below a threshold value determined for the target temperature Ttp, it is not in a state suitable for pressure measurement. The determination result may be sent to the alarm
〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
[Extension of the embodiment]
The present invention has been described above with reference to the embodiment. However, the present invention is not limited to the above embodiment. Various changes that can be understood by those skilled in the art can be made to the configuration and details of the present invention within the scope of the technical idea of the present invention.
1…隔膜真空計(静電容量型圧力センサ)、10…ハウジング、10A…導入部、11…ロアハウジング、12…アッパハウジング、13…カバー、14…温度センサ、20…台座プレート、21…第1の台座プレート、22…第2の台座プレート、30…センサチップ、31…センサプレート、32…センサダイアフラム、33…センサ台座、50…支持ダイアフラム、70,71…バッフル、80…センサケース、90…加熱用ヒータ、100…断熱材、400(400A〜400C)…加熱制御回路、401A,401B…クローズドループ温度制御部、401C…オープンループ温度制御部、402A〜402C…状態判定部、403A〜403C…アラーム等信号送信部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Diaphragm gauge (capacitance type pressure sensor), 10 ... Housing, 10A ... Introduction part, 11 ... Lower housing, 12 ... Upper housing, 13 ... Cover, 14 ... Temperature sensor, 20 ... Base plate, 21 ... No. 1 pedestal plate, 22 ... second pedestal plate, 30 ... sensor chip, 31 ... sensor plate, 32 ... sensor diaphragm, 33 ... sensor pedestal, 50 ... support diaphragm, 70, 71 ... baffle, 80 ... sensor case, 90 ... Heating heater, 100 ... Insulating material, 400 (400A to 400C) ... Heating control circuit, 401A, 401B ... Closed loop temperature control unit, 401C ... Open loop temperature control unit, 402A to 402C ... State determination unit, 403A to 403C ... Alarm signal transmission unit.
Claims (4)
前記導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップと、
前記センサチップを内部に収容した前記ハウジングの本体を覆うセンサケースと、
前記センサケース内を加熱するヒータと、
前記センサケース内の温度を測定する温度センサと、
前記センサケース内の温度が予め定められた温度となるように前記ヒータへの出力を制御するヒータ制御部とを備え、
前記ヒータへの出力の制御中に前記導入部を通して前記ハウジングの内部に液体を導いて洗浄が行われる静電容量型圧力センサにおいて、
前記温度センサが測定する前記センサケース内の温度の推移および前記ヒータ制御部からの前記ヒータへの出力の推移の少なくとも一方に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定する状態判定部
を備えることを特徴とする静電容量型圧力センサ。 A housing having an introduction section for a fluid to be measured;
A sensor chip that detects a change in the diaphragm that is deflected by receiving the pressure of the fluid to be measured guided through the introduction unit, as a change in capacitance;
A sensor case that covers the body of the housing that houses the sensor chip;
A heater for heating the inside of the sensor case;
A temperature sensor for measuring the temperature in the sensor case;
A heater control unit that controls the output to the heater so that the temperature in the sensor case becomes a predetermined temperature;
In the capacitive pressure sensor in which cleaning is performed by introducing a liquid into the housing through the introduction portion during control of the output to the heater,
A state in which it is determined whether or not it is a state suitable for pressure measurement based on at least one of a transition in temperature in the sensor case measured by the temperature sensor and a transition in output from the heater control unit to the heater A capacitance type pressure sensor comprising a determination unit.
前記ヒータ制御部は、
前記温度センサが測定する前記センサケース内の温度を計測温度Tpvとし、前記予め定められた温度を設定温度Tspとし、計測温度Tpvが設定温度Tspと等しくなるように前記ヒータへの出力をクローズドループ制御し、
前記状態判定部は、
前記計測温度Tpvと前記設定温度Tspとが等しく制御されている時の前記ヒータ制御部からの前記ヒータへの出力に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定する
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。 The capacitive pressure sensor according to claim 1,
The heater control unit
The temperature in the sensor case measured by the temperature sensor is a measured temperature Tpv, the predetermined temperature is a set temperature Tsp, and the output to the heater is closed loop so that the measured temperature Tpv is equal to the set temperature Tsp. Control
The state determination unit
It is determined whether or not it is in a state suitable for pressure measurement based on an output to the heater from the heater control unit when the measured temperature Tpv and the set temperature Tsp are controlled to be equal. Capacitance type pressure sensor.
前記ヒータ制御部は、
前記温度センサが測定する前記センサケース内の温度を計測温度Tpvとし、前記予め定められた温度を設定温度Tspとし、計測温度Tpvが設定温度Tspと等しくなるように前記ヒータへの出力をクローズドループ制御し、
前記状態判定部は、
前記洗浄中の前記計測温度Tpvおよび前記ヒータ制御部からの前記ヒータへの出力の少なくとも一方に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定する
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。 The capacitive pressure sensor according to claim 1,
The heater control unit
The temperature in the sensor case measured by the temperature sensor is a measured temperature Tpv, the predetermined temperature is a set temperature Tsp, and the output to the heater is closed loop so that the measured temperature Tpv is equal to the set temperature Tsp. Control
The state determination unit
It is determined whether or not it is in a state suitable for pressure measurement based on at least one of the measured temperature Tpv during the cleaning and the output from the heater control unit to the heater. Pressure sensor.
前記ヒータ制御部は、
前記予め定められた温度を目標温度Ttpとし、前記センサケース内の温度が目標温度Ttpとなるように前記ヒータへの出力をオープンループ制御し、
前記状態判定部は、
前記温度センサが測定する前記センサケース内の温度を計測温度Tpvとして取得し、前記洗浄中の計測温度Tpvおよび洗浄完了時の計測温度Tpvの少なくとも一方に基づいて圧力の測定に適した状態であるか否かを判定する
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。 The capacitive pressure sensor according to claim 1,
The heater control unit
The predetermined temperature is set as the target temperature Ttp, and the output to the heater is subjected to open loop control so that the temperature in the sensor case becomes the target temperature Ttp,
The state determination unit
The temperature in the sensor case measured by the temperature sensor is acquired as a measured temperature Tpv, and is in a state suitable for pressure measurement based on at least one of the measured temperature Tpv during the cleaning and the measured temperature Tpv when the cleaning is completed. A capacitance type pressure sensor characterized by determining whether or not.
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