JP6091836B2 - Identifier generation method and identifier generation apparatus for semiconductor integrated circuit - Google Patents

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本発明は半導体集積回路の識別子生成方法および識別子生成装置に関する。   The present invention relates to an identifier generation method and an identifier generation apparatus for a semiconductor integrated circuit.

半導体集積回路の製造工程において不良品の発生率を下げること、すなわち、歩留まりを向上させることは、半導体の製造業者にとって重要な課題の一つである。歩留まりを向上させるためには、個々の半導体集積回路の製造時期、製造ライン、製造ロットなどの製造履歴や、検査種別、検査結果などの検査履歴等の履歴情報に基づいて不良原因の解明が行われることが望ましい。   Reducing the incidence of defective products in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, that is, improving the yield is one of the important issues for semiconductor manufacturers. In order to improve the yield, the cause of the defect is clarified based on the history information such as the manufacturing history of each semiconductor integrated circuit, the manufacturing line such as the manufacturing line and the manufacturing lot, and the inspection history such as the inspection type and the inspection result. It is desirable that

これらの履歴情報の特定を行うための手段の一つとして、半導体集積回路の各々に、当該半導体集回路を他の半導体集積回路と識別するため識別子を付与し、当該半導体集積回路の履歴情報を当該識別子と関連付けてデータベース上で管理することが挙げられる。   As one of means for specifying such history information, each semiconductor integrated circuit is given an identifier for distinguishing the semiconductor integrated circuit from other semiconductor integrated circuits, and the history information of the semiconductor integrated circuit is obtained. It is possible to manage on the database in association with the identifier.

個々の半導体集積回路に識別子を付与することは、歩留まりの向上に役立つのみならず、製造後に不良が発見された場合等においても、不良箇所の迅速な特定および解析に役立つというメリットがある。   Assigning an identifier to each semiconductor integrated circuit has the advantage of not only improving the yield, but also helping to quickly identify and analyze a defective part even when a defect is discovered after manufacturing.

従来、半導体集積回路への識別子の付与方法として、半導体集積回路内に、不揮発性メモリを設け、当該不揮発性メモリに識別子を書き込む方法が知られていた。しかしながら、一般に半導体集積回路内部へ不揮発性メモリを作りこむ工程は複雑であるため、半導体集積回路が本来の規格として不揮発性メモリを有し、そこに識別子を書き込むことが可能であるような場合を除き、工程数や製造コストが増加してしまうという問題が生じる。   Conventionally, as a method for assigning an identifier to a semiconductor integrated circuit, a method of providing a nonvolatile memory in the semiconductor integrated circuit and writing the identifier in the nonvolatile memory has been known. However, since the process of creating a nonvolatile memory inside a semiconductor integrated circuit is generally complicated, there is a case where a semiconductor integrated circuit has a nonvolatile memory as an original standard and an identifier can be written therein. Except for this, there arises a problem that the number of processes and manufacturing costs increase.

また、別の方法として、レーザーで半導体集積回路へ直接マーキングする方法、レーザーを用いたヒューズカットによる方法などが知られていたが、それぞれ、マーキングやヒューズカットを行うための工程が別途必要になるため、上記の方法と同様に工程数や製造コストが増加するという問題を生じる。   As another method, a method of directly marking a semiconductor integrated circuit with a laser, a method of cutting a fuse using a laser, and the like have been known. However, a separate process for marking and cutting the fuse is required. Therefore, there arises a problem that the number of steps and the manufacturing cost increase as in the above method.

特許文献1には、従来の識別子生成方法の問題点である、工程数や製造コストの増加を抑制するための技術が開示されている。特許文献1に係る発明は、同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための識別子を生成する識別子生成方法であって、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、同一条件下で該半導体集積回路から出力されるアナログ信号に基づいて生成する識別子生成方法である。   Patent Document 1 discloses a technique for suppressing an increase in the number of processes and manufacturing costs, which is a problem of a conventional identifier generation method. The invention according to Patent Document 1 is an identifier generation method for generating an identifier for identifying a plurality of semiconductor integrated circuits having the same configuration from each other, and the identifier assigned to each of the plurality of semiconductor integrated circuits is the same. An identifier generation method for generating an identifier based on an analog signal output from the semiconductor integrated circuit under conditions.

特開2011−9691号公報(2011年1月13日公開)JP 2011-9691 A (published January 13, 2011)

特許文献1の手法では、識別子の信頼性において改善の余地があった。   In the method of Patent Document 1, there is room for improvement in the reliability of the identifier.

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、従来に比べて信頼性の高い識別子を生成することができる識別子生成方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and a main object of the present invention is to provide an identifier generation method capable of generating an identifier with higher reliability than in the past.

上記の課題を解決するために、本発明に係る識別子生成方法は、同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための識別子を生成する識別子生成方法であって、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流の値に基づいて生成する識別子生成ステップを含み、上記識別子生成ステップでは、上記予め定められた複数の内部状態を互いに識別するための内部状態識別番号を、各内部状態識別番号に対応する内部状態に対する電源電流値の大小関係に応じて並べ替えて得られる識別番号リストに基づいて、上記識別子を生成する、ことを特徴としている。 In order to solve the above problems, an identifier generation method according to the present invention is an identifier generation method for generating an identifier for identifying a plurality of semiconductor integrated circuits having the same configuration from each other. An identifier generating step for generating an identifier to be assigned to each of the circuits based on power supply current values for a plurality of predetermined internal states in a non-operating state of the semiconductor integrated circuit , and in the identifier generating step, Based on an identification number list obtained by rearranging internal state identification numbers for identifying a plurality of defined internal states according to the magnitude relationship of power supply current values with respect to the internal states corresponding to each internal state identification number The identifier is generated .

また、本発明に係る識別子生成装置は、同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための識別子を生成する識別子生成装置であって、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流の値に基づいて生成する識別子生成手段を備えており、上記識別子生成手段は、上記予め定められた複数の内部状態を互いに識別するための内部状態識別番号を、各内部状態識別番号に対応する内部状態に対する電源電流値の大小関係に応じて並べ替えて得られる識別番号リストに基づいて、上記識別子を生成する、ことを特徴としている。 An identifier generation apparatus according to the present invention is an identifier generation apparatus that generates an identifier for mutually identifying a plurality of semiconductor integrated circuits having the same configuration, and is an identifier assigned to each of the plurality of semiconductor integrated circuits Is generated based on power supply current values for a plurality of predetermined internal states in a non-operating state of the semiconductor integrated circuit, and the identifier generating unit includes the plurality of predetermined The above identifier is generated based on an identification number list obtained by rearranging internal state identification numbers for identifying internal states according to the magnitude relationship of power supply current values with respect to the internal states corresponding to the internal state identification numbers. to, it is characterized in that.

本発明の一態様によれば、従来に比べて信頼性の高い識別子を生成することができる識別子生成方法および識別子生成装置を提供することができる。   According to one embodiment of the present invention, it is possible to provide an identifier generation method and an identifier generation apparatus that can generate an identifier with higher reliability than conventional ones.

本発明の第1の実施形態を示すものであって、識別子生成装置の構成を示すブロック図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an identifier generation device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施形態を示すものであって、識別子生成方法に関する説明図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an identifier generation method according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態において識別子を付与すべき半導体集積回路を示すものであって、液晶ドライバの構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a configuration of a liquid crystal driver, showing a semiconductor integrated circuit to which an identifier is to be assigned in an embodiment of the present invention. FIG. 本発明の実施形態において識別子を付与すべき半導体集積回路を示すものであって、液晶ドライバにおけるガンマ抵抗を有する基準電圧発生回路の回路図である。1 is a circuit diagram of a reference voltage generation circuit having a gamma resistance in a liquid crystal driver, showing a semiconductor integrated circuit to which an identifier is to be assigned in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態を説明するものであって、液晶ドライバからの出力電圧の値を示すグラフである。4 is a graph for explaining an embodiment of the present invention and showing a value of an output voltage from a liquid crystal driver. 本発明の実施形態を説明するものであって、同一の液晶ドライバの複数の内部状態毎の電源電流値のグラフである。FIG. 10 is a graph illustrating a power supply current value for each of a plurality of internal states of the same liquid crystal driver, illustrating an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態を示すものであって、識別子生成方法の一変形例に関する説明図である。FIG. 11 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention and an explanatory diagram relating to a modified example of the identifier generation method. 本発明の実施形態を示すものであって、識別子生成方法の一変形例に関する説明図である。FIG. 11 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention and an explanatory diagram relating to a modified example of the identifier generation method. 本発明の第2の実施形態を説明するものであって、液晶ドライバのある特定の電源供給端子に対して供給される電源電流値を測定した結果をプロットしたグラフである。FIG. 10 is a graph illustrating a second embodiment of the present invention, in which a result of measuring a power supply current value supplied to a specific power supply terminal of a liquid crystal driver is plotted.

〔実施形態1〕
本発明の実施形態に係る半導体集積回路の識別子生成方法について、図面を参照して説明すれば以下のとおりである。
Embodiment 1
An identifier generation method for a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

まず、本実施形態に係る識別子生成方法の識別子付与対象となる半導体集積回路の例として、アナログ出力機能を有する液晶ドライバのブロック図を図3に示す。図3に示した液晶ドライバは、液晶ディスプレイの液晶パネル(不図示)を駆動するための駆動信号(アナログ信号)を出力するための半導体集積回路である。   First, FIG. 3 shows a block diagram of a liquid crystal driver having an analog output function as an example of a semiconductor integrated circuit to be given an identifier in the identifier generating method according to the present embodiment. The liquid crystal driver shown in FIG. 3 is a semiconductor integrated circuit for outputting a drive signal (analog signal) for driving a liquid crystal panel (not shown) of the liquid crystal display.

図3を参照して液晶ドライバの動作を簡単に説明する。液晶ドライバは、図3に示すようにシフトレジスタ、サンプリングメモリ、ホールドメモリ、レベルシフタ、DAコンバータ、出力オペアンプ、データラッチ、基準電圧発生回路を備えている。   The operation of the liquid crystal driver will be briefly described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the liquid crystal driver includes a shift register, sampling memory, hold memory, level shifter, DA converter, output operational amplifier, data latch, and reference voltage generation circuit.

RGB入力は液晶パネルに表示する色(R:red、G:Green、B:Blue)と輝度(明るさ)をデジタル値で示している映像入力信号で液晶ドライバにはシリアルに入力される信号である。液晶ドライバは、RGB入力で示されるデジタル値をアナログ値(電圧)に変換して液晶パネルに出力する動作を行う。   RGB input is a video input signal indicating digitally the colors (R: red, G: Green, B: Blue) and luminance (brightness) displayed on the liquid crystal panel, and is a signal input serially to the liquid crystal driver. is there. The liquid crystal driver performs an operation of converting a digital value indicated by RGB input into an analog value (voltage) and outputting the analog value (voltage) to the liquid crystal panel.

まず、液晶ドライバはRGB入力からの映像データを、動作クロック(CK)のタイミングでデータラッチに保持(ラッチ)する。保持された映像データはシフトレジスタがCKを基に作成するサンプリングクロックによりサンプリングメモリに保持される。シフトクロックのタイミングにて順次RGB入力の信号がサンプリングメモリに蓄えられることにより、RGB入力からシリアルに入力される映像データはシリアル・パラレル変換される。この事により映像データを並列処理することができるようになる。サンプリングメモリに蓄えられた映像データはLSからの信号によりホールドメモリに転送される。   First, the liquid crystal driver holds (latches) the video data from the RGB input in the data latch at the timing of the operation clock (CK). The held video data is held in the sampling memory by a sampling clock generated by the shift register based on CK. By sequentially storing RGB input signals in the sampling memory at the timing of the shift clock, the video data input serially from the RGB input is serial-parallel converted. This allows video data to be processed in parallel. The video data stored in the sampling memory is transferred to the hold memory by a signal from the LS.

ホールドメモリに転送されたデータはレベルシフタにより電圧変換を行い、DAコンバータに与えられる。RGB入力からの映像データは3V程度のデジタル信号であるが、液晶パネルを動作させるための信号は十数Vの電圧であるため、電圧変換が必要になる。   The data transferred to the hold memory undergoes voltage conversion by the level shifter and is given to the DA converter. The video data from the RGB input is a digital signal of about 3V, but the signal for operating the liquid crystal panel is a voltage of more than a dozen V, so voltage conversion is necessary.

液晶パネルに入力される映像データ(デジタル値)はDAコンバータにより、対応した電圧(アナログ値)に変換され、さらに出力オペアンプでインピーダンス変換され液晶パネルへ出力される。   The video data (digital value) input to the liquid crystal panel is converted into a corresponding voltage (analog value) by the DA converter, and further impedance-converted by the output operational amplifier and output to the liquid crystal panel.

図4は液晶ドライバにおける基準電圧発生回路の構成を示した図である。基準電圧発生回路は、DAコンバータが、映像データ(デジタル値)に対応して選択する電圧を作成する。基準電圧発生回路は図4に示すように、シリアルにつながる複数の抵抗(m1〜mn)とシリアルにつながる抵抗の両端と、途中に電圧を与えるV0H〜VkHで構成される(n、kは自然数)。両端の電圧を与えるV0HとVkHに、液晶パネルを駆動するための最大の電圧と最小の電圧を入力すると、シリアルにつながる抵抗m1〜mnの間に抵抗分割された電圧が発生する。例えば、256個の抵抗(m1〜m256)を使用することにより256階調の電圧を作成することができる。   FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a reference voltage generating circuit in the liquid crystal driver. The reference voltage generation circuit creates a voltage that the DA converter selects in accordance with the video data (digital value). As shown in FIG. 4, the reference voltage generation circuit includes a plurality of serially connected resistors (m1 to mn), both ends of a serially connected resistor, and V0H to VkH that apply voltage in the middle (n and k are natural numbers). ). When the maximum voltage and the minimum voltage for driving the liquid crystal panel are input to V0H and VkH that apply the voltages at both ends, a voltage divided by resistors is generated between the serially connected resistors m1 to mn. For example, 256 gradation voltages can be created by using 256 resistors (m1 to m256).

液晶パネルは、液晶ドライバから出力される電圧の大きさにより、明るさが変化するが、与えられる電圧の変化に対して均一に明るさの変化が起こらないため、表示が暗い場合と明るい場合とにおける与えられる電圧の差を大きくする必要がある。このため基準電圧発生回路では抵抗分割で作成する電圧を液晶パネルの特性に合わせるようにm1〜mnの抵抗値を変更して、液晶ドライバが、図5に示すような出力特性をもつようにする。   The brightness of the liquid crystal panel changes depending on the voltage output from the liquid crystal driver, but the brightness does not change uniformly with respect to the applied voltage change. It is necessary to increase the difference in voltage applied at. For this reason, in the reference voltage generation circuit, the resistance values of m1 to mn are changed so that the voltage created by resistance division matches the characteristics of the liquid crystal panel, so that the liquid crystal driver has output characteristics as shown in FIG. .

図5は横軸に液晶ドライバに与える映像データ(例えば1階調を示すデータから256階調を示すデータ)、縦軸に液晶ドライバの出力をプロットしたものである。   FIG. 5 is a plot of video data (for example, data indicating 256 gradations to data indicating 256 gradations) given to the liquid crystal driver on the horizontal axis, and output of the liquid crystal driver on the vertical axis.

図4に示すように、基準電圧発生回路の途中の電圧を与えるV1H〜Vk−1Hは上記出力特性を変更するためのものである。   As shown in FIG. 4, V1H to Vk-1H that apply voltages in the middle of the reference voltage generation circuit are for changing the output characteristics.

さらに、液晶ドライバには電源VDDとVLSとがつながっている。VDDはシフトレジスタ、データラッチ、サンプリングメモリ、ホールドメモリ、レベルシフタの動作に必要な電圧を与える。VLSはレベルシフタ、DAコンバータ、出力オペアンプ、基準電圧発生回路の動作に必要な電圧を与える。電源VDDとVLSからGNDへ流れる電流IDDとILSはVDD、VLS各々に電流計を接続することで測定することができる。   Further, the power supply VDD and VLS are connected to the liquid crystal driver. VDD provides a voltage necessary for the operation of the shift register, data latch, sampling memory, hold memory, and level shifter. VLS provides a voltage necessary for the operation of the level shifter, DA converter, output operational amplifier, and reference voltage generation circuit. Currents IDD and ILS flowing from power supply VDD and VLS to GND can be measured by connecting an ammeter to each of VDD and VLS.

以下、図3に示した液晶ドライバの電源電流値に基づいて識別子を生成する方法について説明する。   Hereinafter, a method for generating the identifier based on the power supply current value of the liquid crystal driver shown in FIG. 3 will be described.

電源電流値は、液晶ドライバがスタティックな状態(非動作状態とも呼ぶ)で測定する。ここでスタティックとは入力信号であるCK、RGB入力、LSをVDDレベルもしくはGNDレベルにして信号を停止し、さらにアナログ回路で常時流れる電流を切断して、液晶ドライバが動作しないようにした状態である。   The power supply current value is measured when the liquid crystal driver is in a static state (also called a non-operating state). Here, static means that the signal is stopped by setting the input signals CK, RGB input, LS to VDD level or GND level, and the current that always flows in the analog circuit is cut off so that the liquid crystal driver does not operate. is there.

スタティックな状態において液晶ドライバが発生する電流はほぼゼロに等しいが、ゼロではない。液晶ドライバを構成するトランジスタがオフしているときに、微小なリーク電流が発生しているためである。   The current generated by the liquid crystal driver in the static state is approximately equal to zero, but not zero. This is because a minute leak current is generated when the transistor constituting the liquid crystal driver is off.

スタティックな状態でのリーク電流はオフしているトランジスタの数とサイズによって決まる。オフしているトランジスタが多いほど、または、オフしているトランジスタのサイズが小さいほどリーク電流は大きくなる。このため、デバイスがスタティックな状態になる前の状態により内部状態、すなわちオフしているトランジスタの数、オフしているトランジスタのサイズが変動するので、測定電流も変動を伴う。   The leakage current in the static state is determined by the number and size of the off transistors. The leakage current increases as the number of transistors that are turned off increases or the size of the transistors that are turned off is smaller. For this reason, since the internal state, that is, the number of transistors that are turned off and the size of the transistors that are turned off vary depending on the state before the device enters a static state, the measurement current also varies.

さらに、トランジスタのリーク電流は、加工寸法の僅かな不均一性や、ドープされる不純物の僅かな不均一性などの要因によるばらつきにより、デバイスが異なれば、内部状態が同じでも電流値は異なる。従って、様々なデバイスの内部状態ごとの電源電流値により、識別子の生成を行うことができる。   Furthermore, the leakage current of a transistor varies depending on factors such as slight non-uniformity in processing dimensions and small non-uniformity of impurities to be doped. If the device is different, the current value is different even if the internal state is the same. Therefore, an identifier can be generated based on the power supply current value for each internal state of various devices.

図6は、映像信号データが8ビットの256階調出力の液晶ドライバに供給される電源VDDとVLSの電流の値(IDD+ILS)を、以下に示す1024状態においてそれぞれ測定し、プロットしたグラフの一例を示すものであり、縦軸の単位はμAである。ここで、1024状態とは、
状態1)液晶ドライバがRGB入力からの映像データを取り込み始めた時のスタティックな状態
状態2)液晶ドライバがRGB入力からの映像データの取り込み終了時、すなわちサンプリングメモリすべてに映像データを取り込んだ後のスタティックな状態
状態3)サンプリングメモリからホールドメモリへデータ転送時。すなわち液晶ドライバの出力状態変更開始時のスタティックな状態
状態4)液晶ドライバの出力が開始された後出力状態が安定した状態でのスタティックな状態
の4つのスタティック状態と、入力データ(階調)の256通りを組み合わせた1024状態である。以下では、上記の4つのスタティック状態と、入力データ(階調)の256通りとによって決定される1024状態を液晶ドライバの内部状態と呼称する。
FIG. 6 is an example of a graph obtained by measuring and plotting the current values (IDD + ILS) of the power supply VDD and VLS supplied to a liquid crystal driver with 256-bit video signal output with 8-bit video signal data in the following 1024 states. The unit of the vertical axis is μA. Here, the 1024 state means
State 1) Static state when the liquid crystal driver starts to capture the video data from the RGB input. State 2) When the liquid crystal driver finishes capturing the video data from the RGB input, that is, after the video data is captured in all the sampling memories. Static state 3) During data transfer from sampling memory to hold memory. That is, the static state state at the start of changing the output state of the liquid crystal driver 4) the four static states of the static state in the state where the output state is stable after the output of the liquid crystal driver is started, and the input data (gradation) It is a 1024 state combining 256 ways. Hereinafter, the 1024 states determined by the above four static states and 256 patterns of input data (gradation) are referred to as internal states of the liquid crystal driver.

この液晶ドライバの内部状態は、半導体デバイスを測定する装置(テスター)で状態設定を行う。テスターは入力信号のタイミングや電流の測定タイミング等を正確に制御できるので、測定毎に、測定対象となる液晶ドライバの内部トランジスタを同一の内部状態に設定することができる。   The internal state of the liquid crystal driver is set by an apparatus (tester) that measures a semiconductor device. Since the tester can accurately control the timing of the input signal, the current measurement timing, etc., the internal transistor of the liquid crystal driver to be measured can be set to the same internal state for each measurement.

図2は本発明の実施形態を示すものであって、識別子生成方法に関する説明図である。図2の(a)の上段は、ウエハ状態における、液晶ドライバの1024状態における電源電流値をそれぞれ測定したグラフの一例を示したものであり、縦軸の単位はμAである。図2の(a)の下段に示すように、測定した1024状態の電源電流値の各々に対し、測定時の液晶ドライバの内部状態を識別する番号である内部状態識別番号(ナンバーとも呼ぶ)として、0011、0012、0013、0014、・・・、をそれぞれ関連付ける。   FIG. 2 shows an embodiment of the present invention and is an explanatory diagram related to an identifier generation method. The upper part of FIG. 2A shows an example of a graph in which the power supply current value in the 1024 state of the liquid crystal driver in the wafer state is measured, and the unit of the vertical axis is μA. As shown in the lower part of FIG. 2A, for each of the measured power supply current values of 1024 states, as an internal state identification number (also referred to as a number) that is a number for identifying the internal state of the liquid crystal driver at the time of measurement. , 0011, 0012, 0013, 0014,.

ここで関連付ける数字は、入力データの何れかの階調を示す3桁の数字と、スタティック状態の何れかを示す1桁の数字とからなる数字である。例えば、0011とは1階調の第1の状態、0012は1階調の第2の状態、0013は1階調の第3の状態、0014は第1階調の第4の状態を表しており、第2階調以降も同様に、0021、0022、0023、0024、・・・、として関連付ける。例えば、図2の(a)の下段に示す例においては、0011=0.822μA、0012=0.821μA、0013=0.799μA、0014=0.824μAである。   The number associated here is a number composed of a three-digit number indicating any gradation of the input data and a one-digit number indicating one of the static states. For example, 0011 represents the first state of one gradation, 0012 represents the second state of one gradation, 0013 represents the third state of one gradation, and 0014 represents the fourth state of the first gradation. Similarly, the second and subsequent gradations are associated as 0021, 0022, 0023, 0024,. For example, in the example shown in the lower part of FIG. 2A, 0011 = 0.822 μA, 0012 = 0.721 μA, 0013 = 0.799 μA, and 0014 = 0.824 μA.

全ての階調における4つのスタティック状態の電源電流値を測定することにより、256階調×4状態の1024状態分の電源電流値を示す電源電流データを収集することができる。収集した電源電流データを識別子として用いてもよいが、本実施形態においては、測定した電源電流値に対応する内部識別番号を示す識別番号リスト(0011、0012、0013、0014、0021、0022、・・・、2561、2562、2563、2564)を識別子として用いる。測定した1024状態のそれぞれの電源電流値を比較し、電源電流値の多い順番もしくは、少ない順番に(図2の(a)に示す例においては、1463→2273→2263→0862…)識別番号リストを並べ替え、この並べ替えた識別番号リストを半導体集積回路の識別子とする。   By measuring the power supply current values in the four static states at all the gradations, power supply current data indicating the power supply current values for 1024 states of 256 gradations × 4 states can be collected. The collected power supply current data may be used as an identifier, but in the present embodiment, an identification number list (0011, 0012, 0013, 0014, 0021, 0022,...) Indicating an internal identification number corresponding to the measured power supply current value. .., 2561, 2562, 2563, 2564) are used as identifiers. The measured power supply current values in the 1024 states are compared, and the power supply current values are in descending order (in the example shown in FIG. 2A, 1463 → 2273 → 2263 → 0862...) And the rearranged identification number list as the identifier of the semiconductor integrated circuit.

〔生成した識別子を用いたトレース方法について〕
この識別子はウエハ状態、個片のパッケージ状態(個片状態とも呼ぶ)で温度条件や測定条件が変わってもほぼ変動はない。例えば、ウエハ状態のデバイスの電源電流値を室温の測定条件で測定した値が1.2μAである場合、個片状態のデバイスの電源電流値を高温条件で測定すると、半導体集積回路の特性上、温度シフト分、電流値もシフトした2.4μAとなる。本実施形態においては、測定値そのものを識別子とせず、電流値の多い状態、および少ない状態に並べ替えた識別番号リストを識別子とするため、測定環境の影響を低減することができる。
[Trace method using generated identifier]
This identifier hardly changes even if the temperature condition or the measurement condition changes depending on the wafer state or the individual package state (also called the individual state). For example, when the power source current value of the wafer state device measured at room temperature is 1.2 μA and the power source current value of the individual device is measured at high temperature, the characteristics of the semiconductor integrated circuit The current value is shifted to 2.4 μA corresponding to the temperature shift. In this embodiment, the measurement value itself is not used as an identifier, and the identification number list rearranged in a state with a large current value and a state with a small current value is used as an identifier, so that the influence of the measurement environment can be reduced.

図2の(b)の上段は、個片状態における、液晶ドライバの1024状態における電源電流値をそれぞれ測定したグラフの一例を示したものであり、縦軸の単位はμAである。図2の(b)の下段に示すように、ウエハ状態における識別子生成と同様に、測定した1024状態の電源電流値の各々に対し、内部状態識別番号0011、0012、0013、0014、・・・、をそれぞれ関連付ける。   The upper part of FIG. 2B shows an example of a graph obtained by measuring the power supply current value in the 1024 state of the liquid crystal driver in the individual state, and the unit of the vertical axis is μA. As shown in the lower part of FIG. 2B, as with the identifier generation in the wafer state, the internal state identification numbers 0011, 0012, 0013, 0014,. , Respectively.

例えば、図2(a)に示したウエハ状態でのナンバー0011の電源電流値は0.822μAであり、一方で、図2(b)の下段に示すように、個片状態でのナンバー0011の電源電流値は0.832μAである。ナンバー0012、0013、0014などについても、いずれも電源電流値がシフトしている。このように、液晶デバイスの電源電流値は、温度条件や測定条件の変化により変動するため、電源電流値そのものを識別子とした場合には、個片状態のデバイスとウエハ状態のデバイスとの紐付け(トレース)が正しく行われない場合が起こり得る。   For example, the power supply current value of the number 0011 in the wafer state shown in FIG. 2A is 0.822 μA, while the number 0011 in the individual state is shown in the lower part of FIG. The power supply current value is 0.832 μA. In all of the numbers 0012, 0013, and 0014, the power supply current value is shifted. As described above, the power supply current value of the liquid crystal device fluctuates due to changes in temperature conditions and measurement conditions. Therefore, when the power supply current value itself is used as an identifier, the individual state device and the wafer state device are linked. (Trace) may not be performed correctly.

したがって、以下に説明するような電流値の大小関係に基づいて作成する本識別子を使用することにより、個片状態のデバイスとウエハ状態のデバイスとの紐付けが可能になる。   Therefore, by using this identifier created based on the magnitude relationship of current values as described below, it becomes possible to link a device in the individual state and a device in the wafer state.

具体的には、図2の(b)の下段には、個片状態における、1024状態の電源電流値を比較し、電源電流値の多い順番に並べ替えた識別番号リストの一例を示している。図2の(a)の下段に示したウエハ状態の識別番号リストは、上位から順に、1463、2273、2263、0862、・・・、であるのに対し、図2(b)に示した個片状態の識別番号リストは、1463、2273、2263、1011、・・・、の順である。同様に図2(a)に示したウエハ状態の識別番号リストは、下位から順に2422、2412、1984、1763、・・・、であるのに対し、図2(b)に示した個片状態の識別番号リストは、2422、2103、1984、1763、・・・、の順である。   Specifically, the lower part of FIG. 2B shows an example of an identification number list in which the power supply current values in the 1024 states in the individual state are compared and rearranged in order of the power supply current values. . The wafer number identification number list shown in the lower part of FIG. 2A is 1463, 2273, 2263, 0862,... In order from the top, whereas the list shown in FIG. The one-state identification number list is in the order of 1463, 2273, 2263, 1011,. Similarly, the wafer state identification number list shown in FIG. 2 (a) is 2422, 2412, 1984, 1763,... In order from the bottom, whereas the individual state shown in FIG. The identification number list is in the order of 2422, 2103, 1984, 1763,.

各々の内部状態識別番号に対応する電源電流値の大小関係すべてが一致することが望ましいが、図2の(a)、および(b)に示した例では、各々の状態における電源電流値の測定値差が0.001μA程度の極小値であるため、電流の測定精度によっては大小関係が入れ替わることも考えられる。この点を考慮して、ウエハ状態の識別子と個片状態での識別子とを比較して、一致率が予め定められた閾値以上(例えば85%以上)であれば、個片状態のデバイスとウエハ状態のデバイスとの紐付けが可能であり、トレースを可能にすることが好ましい。なお、この一致率の閾値は、紐付けされたウエハ状態のデバイスの識別子と、個片状態のデバイスの識別子とを収集し、積み重ね統計的に定めることができる。   Although it is desirable that all the magnitude relations of the power supply current values corresponding to the respective internal state identification numbers match, in the example shown in FIGS. 2A and 2B, the measurement of the power supply current value in each state is performed. Since the value difference is a minimum value of about 0.001 μA, the magnitude relationship may be switched depending on the current measurement accuracy. In consideration of this point, the identifier of the wafer state and the identifier in the individual piece state are compared, and if the matching rate is equal to or higher than a predetermined threshold (for example, 85% or more), the individual state device and the wafer It can be tied to a device in the state and preferably allows tracing. The threshold value of the coincidence rate can be determined statistically by collecting the identifiers of the devices in the wafer state and the identifiers of the devices in the individual piece state.

したがって、本発明に係る識別子生成方法によれば、信頼性の高い識別子を生成することができる。   Therefore, according to the identifier generation method according to the present invention, it is possible to generate a highly reliable identifier.

上記実施例では、1024状態のすべてを使用して、識別子を生成する場合について説明したが、以下では、1024状態の一部を用いて識別子を生成する場合について説明する。   In the above embodiment, the case where an identifier is generated using all of the 1024 states has been described. However, the case where an identifier is generated using a part of the 1024 states will be described below.

図7は本発明の実施形態を示すものであって、識別子生成方法の一変形例に関する説明図である。図7の(a)の上段は図2の(a)の上段と同様にウエハ状態における、液晶ドライバの1024状態における電源電流値をそれぞれ測定したグラフの一例を示したものであり、縦軸の単位はμAである。測定した1024状態の電源電流値の各々に対し、測定時の液晶ドライバの内部状態を識別する番号である内部状態識別番号(ナンバーとも呼ぶ)として、0011、0012、0013、0014、・・・、をそれぞれ関連付ける。図7の(a)の下段に示すように、測定した1024状態のそれぞれの電源電流値を比較し、電源電流値の多い順番に識別番号リストを並べ替える。さらに、図7の(a)の下段に示すように、並べ替えた識別番号リストのうち、1からN番目(Nは1024以下の自然数)までの電源電流値の多い状態、同様に1からN番目までの電源電流値の少ない状態に並べ替えた識別番号リストを作成する。作成した識別番号リストに基づいて個々の半導体集積回路の識別子を生成する。   FIG. 7 shows an embodiment of the present invention, and is an explanatory diagram regarding a modification of the identifier generation method. The upper part of FIG. 7A shows an example of a graph in which the power supply current value in the 1024 state of the liquid crystal driver in the wafer state is measured in the same manner as the upper part of FIG. The unit is μA. For each of the measured power supply current values in the 1024 states, as an internal state identification number (also called a number) that is a number for identifying the internal state of the liquid crystal driver at the time of measurement, 0011, 0012, 0013, 0014,. Are associated with each other. As shown in the lower part of FIG. 7A, the power supply current values in the measured 1024 states are compared, and the identification number list is rearranged in descending order of the power supply current values. Further, as shown in the lower part of FIG. 7A, in the rearranged identification number list, the power supply current values from 1 to Nth (N is a natural number of 1024 or less) are large, similarly from 1 to N Create an identification number list that is rearranged in the state with the smallest power supply current value up to. An identifier of each semiconductor integrated circuit is generated based on the created identification number list.

この識別子を用いることにより、ウエハ状態での識別子と個片状態での識別子とを比較して、紐付けすることが可能となる。   By using this identifier, it is possible to compare and associate the identifier in the wafer state with the identifier in the individual piece state.

識別子として使用する個数Nは、一致率によってN個を決定することができる。一致率、および必要なNの値は、データを積み重ね統計的に算出する。一致率が高ければNを小さく設定することができる。   The number N used as an identifier can be determined by the matching rate. The match rate and the required value of N are calculated statistically by stacking the data. If the match rate is high, N can be set small.

なお、Nの具体的な値は、本実施形態を限定するものではないが、例えば、N=30や、N=50などを典型的な値としてとることができる。   The specific value of N is not limited to the present embodiment, but for example, N = 30, N = 50, and the like can be taken as typical values.

特許文献1では、液晶ドライバを例に数百から1000ピン以上ある出力端子毎の出力電圧値や各々の内部状態毎の電流値バラツキを特徴とし、それを各々の識別子として用いている。特許文献1の手法では、各々の識別子として用いている数百から1000ピン以上ある出力端子毎の出力電圧値を分析して、トレースするためデータ量が膨大となり、その膨大なデータを分析する必要があるために、トレースに要する時間が増大し得る。   In Patent Document 1, for example, a liquid crystal driver is characterized by an output voltage value for each output terminal having several hundred to 1000 pins or more and a current value variation for each internal state, which are used as identifiers. In the method of Patent Document 1, the output voltage value for each output terminal having hundreds to 1000 pins or more used as each identifier is analyzed, and the amount of data is enormous for tracing, and it is necessary to analyze the enormous data. This can increase the time required for tracing.

本発明に係る識別子生成方法によれば、チップ面積を増加させることなく、該半導体集積回路の電源電流値を識別子とするため、データ量と共に、データ収集時間(テスト時間短縮)を抑制し、高効率でトレースすることができる。   According to the identifier generation method of the present invention, since the power supply current value of the semiconductor integrated circuit is used as an identifier without increasing the chip area, the data collection time (test time reduction) is suppressed together with the data amount, and the high It can be traced with efficiency.

また、本実施例では、液晶ドライバの1024状態(256階調×4状態)の内部状態における電源電流値のバラツキを利用しているが、内部回路の様々な状態の電源電流値を利用することも可能である。   In this embodiment, the variation of the power supply current value in the internal state of the 1024 states (256 gradations × 4 states) of the liquid crystal driver is used, but the power supply current values in various states of the internal circuit are used. Is also possible.

例えば、液晶ドライバの状態1(液晶ドライバがRGB入力からの映像データを取り込み始めた時のスタティック状態)における256階調の入力データを入力した256状態を内部状態と定義し、各状態における電源電流値を測定してもよい。具体例について図8を参照して説明する。   For example, the 256 states in which 256 grayscale input data is input in the state 1 of the liquid crystal driver (the static state when the liquid crystal driver starts to capture the video data from the RGB input) are defined as internal states, and the power supply current in each state The value may be measured. A specific example will be described with reference to FIG.

図8は、本発明の実施形態を示すものであって、識別子生成方法の一変形例に関する説明図である。図8の(a)、および(b)に示すように、256階調×1状態の256状態分の電源電流データを収集する。測定した256状態のそれぞれの電源電流値を比較し、電源電流値の多い順番もしくは、少ない順番に識別番号リストを並べ替え、この並べ替えた識別番号リストを半導体集積回路の識別子とする。この場合には、テスターを用いて4状態をそれぞれ設定する手間を省くことができるため、電源電流値の測定に要する時間を短縮することができる。   FIG. 8 shows an embodiment of the present invention and is an explanatory diagram regarding a modification of the identifier generation method. As shown in FIGS. 8A and 8B, power supply current data for 256 states of 256 gradations × 1 state is collected. The measured power supply current values in the 256 states are compared, the identification number list is rearranged in order of increasing or decreasing power supply current value, and the rearranged identification number list is used as the identifier of the semiconductor integrated circuit. In this case, since it is possible to save the trouble of setting each of the four states using a tester, the time required for measuring the power supply current value can be shortened.

さらに、上記256状態のうち、電源電流値の多い順番にM個(Mは256以下の自然数)、少ない順番にM個並べ替えた識別番号リストに基づいて識別子を生成してもよい。   Further, identifiers may be generated based on an identification number list in which M (M is a natural number of 256 or less) in order of increasing power supply current value and M in order of decreasing power among the 256 states.

この場合の識別子として使用する個数Mも、一致率によってM個を決定することができる。一致率、および必要なMの値は、データを積み重ね統計的に算出する。一致率が高ければMを小さく設定することができる。   The number M used as an identifier in this case can also be determined by the matching rate. The match rate and the required value of M are calculated statistically by stacking the data. If the match rate is high, M can be set small.

この場合には、上記の手順にて生成された識別子を用いてトレースを行う際に要する時間をさらに短縮することができる。   In this case, the time required for tracing using the identifier generated by the above procedure can be further shortened.

また、測定した1024状態の電源電流値の各々に対して内部状態識別番号を関連付けるのではなく、非動作状態における予め定められた2つの条件下に置かれた該半導体集積回路からの電源電流値の差分に対して識別番号の関連付けを行ってもよい。例えば、状態1における階調001の入力データを入力した場合の電源電流値と、状態2における階調001の入力データを入力した場合の電源電流値との差分を求め、識別番号0011を関連付ける。同様に、各階調の入力データを入力した際における状態1の電源電流値と状態2の電源電流値との差分をそれぞれ求め、順に識別番号0021、0031、・・・、2541、2551、2561を関連付ける。求めた256個の差分値を比較し、差分値の多い順番もしくは、少ない順番に識別番号を並べ替えた識別番号リストを作成し、この識別番号リストを識別子として用いてもよい。さらに、並べ替えた識別番号リストのうち、差分値の多い順番にL個(Lは256以下の自然数)、少ない順番にL個並べ替えた識別番号リストを識別子として用いてもよい。   Further, instead of associating an internal state identification number with each of the measured power supply current values in the 1024 state, the power supply current value from the semiconductor integrated circuit placed under two predetermined conditions in the non-operating state The identification number may be associated with the difference. For example, the difference between the power supply current value when the input data of gradation 001 in state 1 is input and the power supply current value when the input data of gradation 001 in state 2 is input is obtained, and the identification number 0011 is associated. Similarly, the difference between the power supply current value in state 1 and the power supply current value in state 2 when the input data of each gradation is input is obtained, respectively, and identification numbers 0021, 0031,..., 2541, 2551, 2561 are sequentially assigned. Associate. The obtained 256 difference values may be compared to create an identification number list in which the identification numbers are rearranged in order of increasing or decreasing difference values, and this identification number list may be used as an identifier. Furthermore, among the rearranged identification number lists, L (L is a natural number of 256 or less) in the descending order of difference values and L identification number lists rearranged in the smaller order may be used as identifiers.

この場合の識別子として使用する個数Lも、一致率によってL個を決定することができる。一致率、および必要なLの値は、データを積み重ね統計的に算出する。一致率が高ければLを小さく設定することができる。   The number L used as an identifier in this case can also be determined by the matching rate. The coincidence rate and the required L value are calculated statistically by stacking data. If the matching rate is high, L can be set small.

この場合には、2つの状態における各電源電流値の差分に基づいて、識別子を生成するため、より信頼性の高い識別子を生成することができる。   In this case, since the identifier is generated based on the difference between the power supply current values in the two states, it is possible to generate a more reliable identifier.

なお、本実施形態においては、内部状態識別番号として4桁の数字を用いているが、これは本発明を限定するものではない。すなわち、半導体集積回路の非動作状態における内部状態の識別が可能であればよく、文字列、および数字と文字列との組み合わせを用いてもよい。例えば、256階調の入力データを示す3桁の数字を16進数で表現し、2桁にすることにより、内部状態識別番号の桁数を減らすことができ、識別子のデータ量を減らすことができる。   In the present embodiment, a four-digit number is used as the internal state identification number, but this does not limit the present invention. That is, it is only necessary to identify the internal state of the semiconductor integrated circuit in the non-operating state, and a character string and a combination of a number and a character string may be used. For example, by expressing a 3-digit number indicating input data of 256 gradations in hexadecimal and using 2 digits, the number of digits of the internal state identification number can be reduced, and the data amount of the identifier can be reduced. .

また、上記の例では、半導体集積回路として液晶ドライバを例に挙げ説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶ドライバ以外の半導体集積回路に対して適用することが可能である。   In the above example, a liquid crystal driver has been described as an example of a semiconductor integrated circuit. However, the present invention is not limited to this and can be applied to a semiconductor integrated circuit other than a liquid crystal driver. It is.

以上が、本実施形態に係る半導体集積回路の識別子生成方法、および生成された識別子を用いたトレース方法についての説明である。次に、上記識別子生成方法を実際に使用するために使用される、本発明に係る識別子生成装置1について説明する。   The above is the description of the identifier generation method for the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment and the trace method using the generated identifier. Next, an identifier generation apparatus 1 according to the present invention used for actually using the identifier generation method will be described.

〔識別子生成装置1〕
図1は、本実施形態に係る識別子生成装置1のブロック図を示している。識別子生成装置1は、DC測定部11と、メモリ部12と、演算部13と、比較部14と、電源供給部15と、を備えている。識別子生成装置1は、例えば、データベース50に接続される。図1における2重線は電源電流の経路を、実線は信号の経路を示している。まず、識別すべき液晶ドライバ(半導体集積回路)に識別子を付与する識別子付与工程を具体的な信号の流れに沿って説明する。
[Identifier generator 1]
FIG. 1 shows a block diagram of an identifier generating apparatus 1 according to the present embodiment. The identifier generation device 1 includes a DC measurement unit 11, a memory unit 12, a calculation unit 13, a comparison unit 14, and a power supply unit 15. The identifier generation device 1 is connected to the database 50, for example. In FIG. 1, the double line indicates the path of the power supply current, and the solid line indicates the path of the signal. First, an identifier assigning process for assigning an identifier to a liquid crystal driver (semiconductor integrated circuit) to be identified will be described along a specific signal flow.

電源供給部15は識別すべき半導体集積回路に対して、電源を供給するための手段である。   The power supply unit 15 is means for supplying power to the semiconductor integrated circuit to be identified.

識別すべき液晶ドライバには半導体デバイスを測定するテスターが接続されている。テスターは液晶ドライバの状態設定を行う手段であり、具体的には、上述した4つのスタティック状態の設定を行う。   A tester for measuring a semiconductor device is connected to the liquid crystal driver to be identified. The tester is a means for setting the state of the liquid crystal driver. Specifically, the four static states described above are set.

また、識別子生成装置1は、図示しない入力信号供給部を備えている。入力信号供給部は、256階調の入力データを識別すべき液晶ドライバに供給する手段である。入力信号供給部は、テスターが設定する上記の4つのスタティック状態において、256階調の入力データを液晶ドライバにそれぞれ入力するように、テスターによって信号入力のタイミングを制御されている。本実施形態においては、テスターおよび入力信号供給部によって、1024の内部状態を設定する。   Further, the identifier generation device 1 includes an input signal supply unit (not shown). The input signal supply unit is means for supplying 256-gradation input data to a liquid crystal driver to be identified. In the four static states set by the tester, the input signal supply unit is controlled by the tester so that the input signal of 256 gradations is input to the liquid crystal driver. In this embodiment, 1024 internal states are set by the tester and the input signal supply unit.

なお、本実施形態においては、識別子生成装置1が入力信号供給部を備えており、入力信号供給部から半導体集積回路に入力データが供給される構成について説明するが、これは本発明を限定するものではない。上記入力データを供給する入力信号供給部は、識別子生成装置1が備えていてもよいし、別の装置が備えている構成としてもよい。   In this embodiment, the identifier generation device 1 includes an input signal supply unit, and a configuration in which input data is supplied from the input signal supply unit to the semiconductor integrated circuit will be described. However, this limits the present invention. It is not a thing. The input signal supply unit that supplies the input data may be included in the identifier generation device 1 or may be configured as included in another device.

DC測定部11は、電源供給部15から半導体集積回路に供給される電源電流を測定するための手段である。特に、本実施形態においては、DC測定部11は、複数の内部状態ごとの電源電流値を測定し、測定した電源電流値を順次メモリ部12へ送信する。また、DC測定部11は、テスターによって電源電流値の測定タイミングを制御されている。   The DC measurement unit 11 is a means for measuring the power supply current supplied from the power supply unit 15 to the semiconductor integrated circuit. In particular, in the present embodiment, the DC measurement unit 11 measures a power supply current value for each of a plurality of internal states, and sequentially transmits the measured power supply current value to the memory unit 12. Further, the DC measurement unit 11 is controlled by the tester for the measurement timing of the power supply current value.

メモリ部12はDC測定部11から送られてきた複数の内部状態ごとの電源電流値を、半導体集積回路ごとに蓄積する手段である。   The memory unit 12 is a means for accumulating the power supply current value for each of a plurality of internal states sent from the DC measurement unit 11 for each semiconductor integrated circuit.

演算部13は、メモリ部12に蓄積された半導体集積回路ごとの複数の内部状態における電源電流値に基づいて識別子を生成するための手段である。演算部13は、具体的には、DC測定部11が測定した1024状態の電源電流値の各々に対し、液晶ドライバの内部状態を識別する番号である内部状態識別番号0011、0012、0013、0014、・・・、をそれぞれ関連付ける。続いて、演算部13は、内部状態識別番号と関連づけられたそれぞれの電源電流値を比較し、電源電流値の多い順番もしくは、少ない順番に内部状態識別番号を並べ替え、識別番号リストを作成する。さらに、演算部13は並べ替えた識別番号リストのうち、1からN番目までの電源電流値の多い状態、同様に1からN番目までの電源電流値の少ない状態に並べ替えた識別番号リストを作成する。演算部13は、作成した識別番号リストを半導体集積回路の識別子として生成する。演算部13は、このようにして半導体集積回路ごとに生成された識別子を、データベース50に出力する。   The arithmetic unit 13 is a means for generating an identifier based on power supply current values in a plurality of internal states for each semiconductor integrated circuit stored in the memory unit 12. Specifically, the arithmetic unit 13 has an internal state identification number 0011, 0012, 0013, 0014 which is a number for identifying the internal state of the liquid crystal driver for each of the 1024 state power supply current values measured by the DC measuring unit 11. , ... are associated with each other. Subsequently, the calculation unit 13 compares the power supply current values associated with the internal state identification numbers, rearranges the internal state identification numbers in order of increasing or decreasing power supply current values, and creates an identification number list. . Further, the calculation unit 13 selects the identification number list rearranged in a state where the power supply current values from 1 to Nth are large, similarly in a state where the power supply current value is small from 1 to Nth. create. The calculation unit 13 generates the created identification number list as an identifier of the semiconductor integrated circuit. The calculation unit 13 outputs the identifier generated for each semiconductor integrated circuit in this manner to the database 50.

データベース50は、各半導体集積回路に対して入力される識別子を、当該半導体集積回路に関する製造履歴や検査履歴等との関連付けを行い、関連付けされた情報を蓄積および管理するための手段である。   The database 50 is a means for associating identifiers input to each semiconductor integrated circuit with manufacturing histories, inspection histories and the like related to the semiconductor integrated circuits, and accumulating and managing the associated information.

データベース50は、具体的には、入力された識別子と、当該液晶ドライバの製造履歴や検査履歴等との関連付けを行い、関連づけされたデータを液晶ドライバごとに蓄積し管理する。   Specifically, the database 50 associates the input identifier with the manufacturing history and inspection history of the liquid crystal driver, and stores and manages the associated data for each liquid crystal driver.

このようにして、本実施形態に係る識別子生成装置1を用いることで、液晶ドライバごとに固有の識別子を生成することができ、データベース50と併用することで、個々の半導体集積回路に関する製造情報や検査情報等を蓄積および管理することができる。   As described above, by using the identifier generation device 1 according to the present embodiment, a unique identifier can be generated for each liquid crystal driver. By using the identifier 50 together with the database 50, manufacturing information about individual semiconductor integrated circuits, Inspection information and the like can be accumulated and managed.

〔識別子生成装置1を用いたトレース方法について〕
一方で、検査工程において不良が見つかった液晶ドライバや、ユーザーから返品された液晶ドライバの製造情報や検査情報等を特定するための識別子判別工程は、以下のように行うことができる。
[Trace method using identifier generator 1]
On the other hand, the identifier discriminating step for specifying the manufacturing information or the inspection information of the liquid crystal driver in which a defect is found in the inspection step or the liquid crystal driver returned from the user can be performed as follows.

まず、当該液晶ドライバのウエハ状態における識別子は識別子生成装置1によって生成され、データベース50に予め格納されているものとする。個片状態の当該液晶ドライバは、テスターおよび入力信号供給部によって1024の内部状態にそれぞれ設定され、各状態における電源電流値をDC測定部11に送信する。DC測定部11は、上記信号の電源電流値を測定し、測定した値をメモリ部12に順次出力する。   First, it is assumed that the identifier of the liquid crystal driver in the wafer state is generated by the identifier generation device 1 and stored in the database 50 in advance. The liquid crystal driver in the individual state is set to the internal state of 1024 by the tester and the input signal supply unit, and transmits the power supply current value in each state to the DC measurement unit 11. The DC measurement unit 11 measures the power supply current value of the signal and sequentially outputs the measured value to the memory unit 12.

メモリ部12はDC測定部11から入力された電源電流測定値を、液晶ドライバごとに蓄積する。演算部13は、メモリ部12に蓄積された電源電流測定値に基づいて、ウエハ状態での識別子生成と同様の処理を行い、液晶ドライバごとに識別子を生成する。生成された識別子は、比較部14に入力される。   The memory unit 12 stores the power supply current measurement value input from the DC measurement unit 11 for each liquid crystal driver. Based on the power supply current measurement value stored in the memory unit 12, the calculation unit 13 performs the same processing as that for generating an identifier in the wafer state, and generates an identifier for each liquid crystal driver. The generated identifier is input to the comparison unit 14.

比較部14は、入力された識別子を、データベース50に蓄積された同種の半導体集積回路についての識別子と比較し、入力された識別子を、データベース50に蓄積された同種の半導体集積回路についての識別子のうち、いずれか1つに同定する手段である。   The comparison unit 14 compares the input identifier with the identifier for the same type of semiconductor integrated circuit stored in the database 50, and compares the input identifier with the identifier for the same type of semiconductor integrated circuit stored in the database 50. Among them, it is a means for identifying one of them.

具体的には、比較部14は入力された識別子と、データベース50に蓄積された同種の液晶ドライバについての全ての識別子とを比較し、入力された識別子を、データベース50に蓄積された同種の液晶ドライバの識別子のいずれか1つに同定する。   Specifically, the comparison unit 14 compares the input identifier with all identifiers for the same type of liquid crystal driver stored in the database 50, and compares the input identifier with the same type of liquid crystal stored in the database 50. Identify one of the driver identifiers.

上記同定作業は、データベース50に蓄積された識別子のうちいずれか1つと、上記入力された識別子とを、例えば、並べ替えた識別番号リストのうち、1からN番目までの電源電流値の多い状態を順次比較していくことにより、簡便に行うことができる。   In the identification operation, any one of the identifiers stored in the database 50 and the input identifier are sorted, for example, in a state where the power supply current values from 1 to Nth in the sorted identification number list are large. Can be easily performed by sequentially comparing.

理想的な状況においては、比較部14、データベース50に蓄積された識別子と、入力された識別子とを比較し、識別番号リストの内部状態識別番号の順序がすべて一致する場合に両識別子を同一の識別子と判定する。   In an ideal situation, the identifiers stored in the comparison unit 14 and the database 50 are compared with the input identifiers, and if the order of the internal state identification numbers in the identification number list all match, both identifiers are the same. Judged as an identifier.

実際上、DC測定部11における電源電流値の測定には、測定誤差が伴うため、データベース50に蓄積された識別子と、入力された識別子とが、完全には一致しない場合もあり得るが、実際上十分な精度で同定が可能である。具体的には、比較部14は、データベース50に蓄積された識別子と、入力された識別子とが、測定誤差に起因して順序が異なる内部状態識別番号が数箇所存在していたとしても、残りの内部状態識別番号の順序が一致していれば、両識別子を同一の識別子であると同定してもよく、当該同定作業は実用上全く問題のない程度に、非常に高い精度を有する。   Actually, since the measurement of the power supply current value in the DC measurement unit 11 involves a measurement error, the identifier stored in the database 50 and the input identifier may not completely match. Identification with sufficient accuracy is possible. Specifically, the comparison unit 14 does not change the identifiers stored in the database 50 and the input identifiers even if there are several internal state identification numbers whose orders are different due to measurement errors. If the order of the internal state identification numbers matches, both identifiers may be identified as the same identifier, and the identification operation has a very high accuracy to the extent that there is no practical problem.

〔実施形態2〕
本発明に係る第2の実施形態は、半導体集積回路の電源電流値のセットから、ノイズ、または、接触不良などに起因した、他の値と有意に異なる値を除いたものに基づいて識別子を生成する方法についてである。
[Embodiment 2]
In the second embodiment of the present invention, the identifier is set based on the set of power supply current values of the semiconductor integrated circuit excluding values significantly different from other values caused by noise or poor contact. It is about the method of generating.

図9は、液晶ドライバの電源電流値を、当該液晶ドライバへ入力する入力データの階調を変化させながら測定した結果をプロットしたものである。また、図9における濃淡の異なる複数のグラフは、異なる4つのスタティック状態における電源電流値を示している。また、図9において丸印で囲まれた部分は、他の測定ポイントにおける測定値と大きく異なる異常値を示している。なお、図9の縦軸の単位はミリアンペア(mA)である。   FIG. 9 is a plot of the results of measuring the power supply current value of the liquid crystal driver while changing the gradation of the input data input to the liquid crystal driver. In addition, a plurality of graphs having different shades in FIG. 9 indicate power supply current values in four different static states. In FIG. 9, a portion surrounded by a circle indicates an abnormal value that is significantly different from the measurement values at other measurement points. The unit of the vertical axis in FIG. 9 is milliampere (mA).

一般に、測定される半導体集積回路の電源電流値は一定ではなく、測定誤差が付随する。従って、特定の電源供給端子に対してデバイス状態ごとの複数回のサンプリングを行うことにより、上記電源電流を利用した識別子の生成を行うことができる。   In general, the power supply current value of a semiconductor integrated circuit to be measured is not constant and is accompanied by a measurement error. Therefore, an identifier can be generated using the power supply current by sampling a specific power supply terminal a plurality of times for each device state.

図9に示すように、実際の測定には、ノイズの影響や測定系の接触不良により異常データが発生する。   As shown in FIG. 9, in actual measurement, abnormal data is generated due to the influence of noise or poor contact of the measurement system.

本実施形態においては、上記異常データ(すなわち、他のサンプリングポイントにおける電源電流値からかけ離れた電源電流値)を除いた電源電流値のセットに基づいて、上記半導体集積回路に付与する識別子を生成する。ここで、上記異常データとは、他のサンプリングポイントにおける電源電流値からの偏差の大きい電源電流値と捉えることができる。   In the present embodiment, an identifier to be given to the semiconductor integrated circuit is generated based on a set of power supply current values excluding the abnormal data (that is, power supply current values far from power supply current values at other sampling points). . Here, the abnormal data can be regarded as a power supply current value having a large deviation from the power supply current value at another sampling point.

このような方法をとることによって、本実施形態においては、ノイズや接触不良などに起因した異常データの影響を抑制しつつ、識別子を生成することが可能となる。   By adopting such a method, in the present embodiment, it is possible to generate an identifier while suppressing the influence of abnormal data due to noise, poor contact, or the like.

このように、本実施形態においては、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、該半導体集積回路が非動作状態である複数の内部状態における電源電流値から、偏差の大きい電源電流値(異常データ)を除いて識別番号リストを作成し、作成した識別番号リストを識別子として用いる。   As described above, in the present embodiment, the identifier given to each of the plurality of semiconductor integrated circuits is set such that the power supply current value having a large deviation from the power supply current values in the plurality of internal states in which the semiconductor integrated circuit is not operating. An identification number list is created except for (abnormal data), and the created identification number list is used as an identifier.

上記の方法によれば、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、該半導体集積回路が非動作状態である複数の内部状態における電源電流値から、偏差の大きい電源電流値(異常データ)を除いて作成した識別番号リストに基づいて生成することができるので、ノイズや接触不良などによって生じる異常な値の電源電流の影響を抑制しつつ識別子を生成することができる。   According to the above method, the identifier to be given to each of the plurality of semiconductor integrated circuits is changed from a power supply current value (abnormal data) having a large deviation from a power supply current value in a plurality of internal states in which the semiconductor integrated circuit is not operating. ), The identifier can be generated while suppressing the influence of an abnormal value of the power supply current caused by noise, poor contact, or the like.

なお、具体的な識別子の生成方法としては、上記実施形態において説明した方法を用いればよい。また、データが異常データであるか否かは、例えば、全データの平均値との差が、予め定められた閾値以上であることを以って判別することができる。また、上記予め定められた閾値としては、例えば、全データの分散を用いてもよいし、全データの標準偏差を用いてもよい。   As a specific identifier generation method, the method described in the above embodiment may be used. Whether or not the data is abnormal data can be determined by, for example, determining that the difference from the average value of all the data is equal to or greater than a predetermined threshold. As the predetermined threshold, for example, the variance of all data may be used, or the standard deviation of all data may be used.

また、本実施形態は、上記のように半導体集積回路の電源電流値のセットから、異常データを除いたセットに基づいて識別子を生成する場合に限定されるものではない。   Further, the present embodiment is not limited to the case where the identifier is generated based on a set obtained by removing abnormal data from the set of power supply current values of the semiconductor integrated circuit as described above.

例えば、本実施形態においては、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、非動作状態において予め定められた2つの条件下に置かれた該半導体集積回路の電源電流値の差分に基づいて生成するようにしてもよい。   For example, in the present embodiment, the identifier given to each of the plurality of semiconductor integrated circuits is based on the difference between the power supply current values of the semiconductor integrated circuits placed under two predetermined conditions in the non-operating state. May be generated.

上記の方法によれば、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、非動作状態のおいて予め定められた2つの条件下に置かれた該半導体集積回路の電源電流値の差分に基づいて生成することができるので、ノイズや接触不良などによって生じる異常な値の電源電流の影響を抑制しつつ識別子を生成することができる。   According to the above method, the identifier given to each of the plurality of semiconductor integrated circuits is set to the difference between the power supply current values of the semiconductor integrated circuits placed under two predetermined conditions in the non-operating state. Therefore, it is possible to generate an identifier while suppressing the influence of an abnormal value of power supply current caused by noise, poor contact, or the like.

また、上記の例では、半導体集積回路として液晶ドライバを例に挙げ説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶ドライバ以外の半導体集積回路に対して適用することが可能である。   In the above example, a liquid crystal driver has been described as an example of a semiconductor integrated circuit. However, the present invention is not limited to this and can be applied to a semiconductor integrated circuit other than a liquid crystal driver. It is.

(まとめ)
本発明の一態様に係る識別子生成方法は、同一の構成を有する複数の半導体集積回路(液晶ドライバ)を互いに識別するための識別子を生成する識別子生成方法であって、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、当該半導体集積回路の非動作状態(スタティック状態)における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流値に基づいて生成する、ことを特徴としている。
(Summary)
An identifier generation method according to an aspect of the present invention is an identifier generation method for generating an identifier for identifying a plurality of semiconductor integrated circuits (liquid crystal drivers) having the same configuration from each other. An identifier to be assigned to each is generated based on power supply current values for a plurality of predetermined internal states in a non-operating state (static state) of the semiconductor integrated circuit.

一般に、半導体集積回路を構成する各半導体素子は、加工寸法の僅かな不均一性や、ドープされる不純物の僅かな不均一性などの微視的要因に起因して、同種の半導体素子であってもそれらの特性は互いに異なる。従って、同種の半導体素子により構成された同一の構成を有する半導体集積回路であっても、同一条件下の電源電流値は半導体集積回路毎に異なる。   In general, each semiconductor element constituting a semiconductor integrated circuit is the same type of semiconductor element due to microscopic factors such as slight non-uniformity in processing dimensions and slight non-uniformity of doped impurities. But their characteristics are different from each other. Therefore, even in a semiconductor integrated circuit having the same configuration constituted by the same kind of semiconductor elements, the power supply current value under the same condition differs for each semiconductor integrated circuit.

また、半導体集積回路を構成する各半導体素子の特性は、時間が経過したり、ウエハ状態から個片状態へ切り出したりしたとしてもほとんど変化することはない。従って、同一条件下で或る半導体集積回路の電源電流値は、ほとんど変化することがない。それゆえ、同一条件で半導体集積回路の電源電流値を各半導体集積回路に固有の識別子として利用することが可能である。   Further, the characteristics of the semiconductor elements constituting the semiconductor integrated circuit hardly change even if time elapses or the wafer state is cut out from the wafer state. Therefore, the power supply current value of a certain semiconductor integrated circuit hardly changes under the same conditions. Therefore, the power supply current value of the semiconductor integrated circuit can be used as an identifier unique to each semiconductor integrated circuit under the same conditions.

さらに、上記識別子生成方法によれば、半導体集積回路の非動作状態(スタティック状態)における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流値に基づいて生成するので、従来に比べて信頼性の高い識別子を生成することができる。   Furthermore, according to the identifier generation method, the identifier is generated based on the power supply current values for a plurality of predetermined internal states in the non-operating state (static state) of the semiconductor integrated circuit. Can be generated.

また、本発明の一態様に係る識別子生成方法において、上記予め定められた複数の内部状態を互いに識別するための内部状態識別番号(ナンバー)を、各内部状態識別番号に対応する内部状態に対する電源電流値の値の大小関係に応じて並べ替えて得られる識別番号リストに基づいて、上記識別子を生成することが好ましい。   In the identifier generation method according to one aspect of the present invention, an internal state identification number (number) for mutually identifying the plurality of predetermined internal states is a power supply for the internal state corresponding to each internal state identification number. It is preferable to generate the identifier based on an identification number list obtained by rearranging according to the magnitude relationship of the current value.

一般に、半導体集積回路から出力されるアナログ信号値や電源電流を測定する際には、測定誤差が付随する。当該測定誤差は、生成される識別子に含有されているため、当該測定誤差の影響が大きくなると、生成される識別子の同一性(再現性)が害されるという問題を招来する。   Generally, when measuring an analog signal value or power supply current output from a semiconductor integrated circuit, a measurement error is accompanied. Since the measurement error is contained in the generated identifier, if the influence of the measurement error is increased, the identity (reproducibility) of the generated identifier is impaired.

上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、該半導体集積回路の非動作状態における複数の内部状態毎に付与された内部状態識別番号を該複数の内部状態の各々の電源電流値に応じて並べ替える。この並べ替えた識別番号リストに基づいて個々の半導体集積回路の識別子を生成することにより、測定誤差の影響を小さくすることができるので、より信頼性の高い識別子を生成することができる。   The identifier given to each of the plurality of semiconductor integrated circuits, the internal state identification number given for each of the plurality of internal states in the non-operating state of the semiconductor integrated circuit, according to the power supply current value of each of the plurality of internal states Rearrange. By generating the identifiers of the individual semiconductor integrated circuits based on the rearranged identification number list, it is possible to reduce the influence of the measurement error, and therefore it is possible to generate more reliable identifiers.

さらに、本発明の一態様に係る識別子生成方法において、上記識別番号リストに含まれる内部状態識別番号のうち、対応する電源電流値が大きい方の上位N個(Nは自然数)の内部状態識別番号、および、対応する電源電流値が小さい方の下位N個の内部状態識別番号を、上記識別子とすることが好ましい。   Furthermore, in the identifier generation method according to an aspect of the present invention, among the internal state identification numbers included in the identification number list, the top N (N is a natural number) internal state identification numbers corresponding to the larger power supply current values. It is preferable that the lower N internal state identification numbers having smaller power supply current values correspond to the identifiers.

上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、並べ替えた識別番号リストのうちの、上位N個、および下位N個のみ抽出し、個々の半導体集積回路の識別子とすることにより、さらに少量のデータ量で信頼性の高い識別子を生成することができる。   An identifier to be assigned to each of the plurality of semiconductor integrated circuits is extracted by extracting only the top N and the bottom N of the rearranged identification number list and using the identifiers of the individual semiconductor integrated circuits, thereby further reducing the number of identifiers. It is possible to generate a highly reliable identifier with the amount of data.

また、本発明の一態様に係る識別子生成方法において、上記予め定められた複数の内部状態は、複数の非動作状態と、半導体集積回路への入力データの値とによって定められるものであり、上記複数の非動作状態のうち、一つの非動作状態と、上記入力データの値とによって定められる内部状態を互いに識別するための内部状態識別番号を、各内部状態識別番号に対応する内部状態に対する電源電流値の値の大小関係に応じて並べ替えて識別番号リストを作成し、上記識別番号リストに含まれる内部状態識別番号のうち、対応する電源電流値が大きい方の上位M個(Mは自然数)の内部状態識別番号、および、対応する電源電流値が小さい方の下位M個の内部状態識別番号を、上記識別子とすることが好ましい。   In the identifier generation method according to one aspect of the present invention, the plurality of predetermined internal states are determined by a plurality of non-operation states and values of input data to the semiconductor integrated circuit, Among the plurality of non-operational states, an internal state identification number for mutually identifying an internal state defined by one non-operational state and the value of the input data is a power supply for the internal state corresponding to each internal state identification number. An identification number list is created by rearranging according to the magnitude relationship of the current value values, and among the internal state identification numbers included in the identification number list, the higher M corresponding power supply current values are larger (M is a natural number) ) And the corresponding lower M internal state identification numbers with smaller power supply current values are preferably used as the identifier.

上記電源電流値を測定する際の複数の内部状態を低減することにより、識別子生成における生成時間を短縮することができる。また、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、並べ替えた識別番号リストのうちの、上位M個、および下位M個のみを抽出し、個々の半導体集積回路の識別子とすることにより、さらに少量のデータ量で信頼性の高い識別子を生成することができる。   By reducing the plurality of internal states when measuring the power supply current value, the generation time for generating the identifier can be shortened. Further, by extracting only the upper M pieces and lower M pieces of the rearranged identification number list as identifiers to be assigned to each of the plurality of semiconductor integrated circuits, and using them as identifiers of individual semiconductor integrated circuits. In addition, a highly reliable identifier can be generated with a smaller amount of data.

また、本発明の一態様に係る識別子生成方法において、予め定められた2つの条件下に置かれた該半導体集積回路に供給される電源電流値の差分に基づいて生成する、ことが好ましい。   In the identifier generating method according to one aspect of the present invention, it is preferable that the identifier is generated based on a difference between power supply current values supplied to the semiconductor integrated circuit placed under two predetermined conditions.

上記の方法によれば、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、予め定められた2つの条件下に置かれた該半導体集積回路に供給される電源電流値の差分に基づいて生成することができるので、ノイズや接触不良などによって生じる異常な電源電流値の影響を抑制しつつ識別子を生成することができるという更なる効果を奏する。   According to the above method, the identifier to be assigned to each of the plurality of semiconductor integrated circuits is generated based on a difference between power supply current values supplied to the semiconductor integrated circuits placed under two predetermined conditions. Therefore, it is possible to generate an identifier while suppressing the influence of an abnormal power supply current value caused by noise or poor contact.

また、本発明の一態様に係る識別子生成方法において、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流値群から、偏差の大きい電源電流値を除いた電源電流値群に基づいて生成する、ことが好ましい。   Further, in the identifier generation method according to one aspect of the present invention, an identifier to be given to each of the plurality of semiconductor integrated circuits is a power supply current value group for a plurality of predetermined internal states in a non-operating state of the semiconductor integrated circuit. From this, it is preferable to generate based on the power supply current value group excluding the power supply current value having a large deviation.

ここで、偏差の大きい電源電流値とは、例えば、他の電源電流値の平均から、予め定められた閾値以上離れている電源電流値のことを指す。   Here, the power supply current value having a large deviation refers to, for example, a power supply current value that is more than a predetermined threshold from the average of other power supply current values.

上記の方法によれば、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流値群から、偏差の大きい電源電流値を除いた電源電流値群に基づいて生成することができるので、ノイズや接触不良などによって生じる異常な値の電源電流の影響を抑制しつつ識別子を生成することができるという更なる効果を奏する。   According to the above method, the identifier given to each of the plurality of semiconductor integrated circuits is a power supply current having a large deviation from a power supply current value group for a plurality of predetermined internal states in the non-operating state of the semiconductor integrated circuit. Since it can be generated based on the power supply current value group excluding the value, the identifier can be generated while suppressing the influence of the power supply current having an abnormal value caused by noise or poor contact. .

さらに、本発明の一態様に係る識別子生成方法において、上記半導体集積回路は、液晶ドライバであり、上記電源電流値は、上記液晶ドライバの非動作状態における複数の階調に対する電源電流値であることが好ましい。   Furthermore, in the identifier generation method according to one aspect of the present invention, the semiconductor integrated circuit is a liquid crystal driver, and the power supply current value is a power supply current value for a plurality of gradations in a non-operating state of the liquid crystal driver. Is preferred.

また、本発明の一態様に係る半導体集積回路のトレース方法は、当該半導体集積回路のウエハ状態と、当該半導体集積回路個片状態との紐付けを、上述の識別子を用いて関連付けることを特徴としている。   The semiconductor integrated circuit trace method according to one aspect of the present invention is characterized in that the association between the wafer state of the semiconductor integrated circuit and the semiconductor integrated circuit piece state is associated using the identifier described above. Yes.

上記のトレース方法を用いることにより、半導体集積回路に新たな識別子用回路や工程を用いることなく、従来から備わっている機能を利用して識別子を生成することができるので、製造コストの増加を抑えることができる。また、ユーザーからの返品や不良品のように、識別すべき半導体集積回路の一部に不具合があり状態によって電源電流が大電流となるような場合であっても、識別子の判別が可能であるため、半導体集積回路の製造履歴を確実にトレースすることが可能になる。   By using the above-described trace method, an identifier can be generated using a function that has been provided in the past without using a new identifier circuit or process in the semiconductor integrated circuit, thereby suppressing an increase in manufacturing cost. be able to. In addition, the identifier can be identified even when there is a defect in a part of the semiconductor integrated circuit to be identified, such as a return from the user or a defective product, and the power supply current becomes high depending on the state. Therefore, it is possible to reliably trace the manufacturing history of the semiconductor integrated circuit.

さらに、本発明の一態様に係る識別子生成装置は、同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための識別子を生成する識別子生成装置であって、上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流の値に基づいて生成する識別子生成手段を備えている、ことを特徴としている。   Furthermore, an identifier generation apparatus according to an aspect of the present invention is an identifier generation apparatus that generates an identifier for identifying a plurality of semiconductor integrated circuits having the same configuration from each other, and is provided in each of the plurality of semiconductor integrated circuits. It is characterized by comprising identifier generating means for generating an identifier to be assigned based on power supply current values for a plurality of predetermined internal states in a non-operating state of the semiconductor integrated circuit.

上記の識別子生成装置によれば、上記の識別子生成方法と同様の効果を奏する。   According to said identifier production | generation apparatus, there exists an effect similar to said identifier production | generation method.

また、本発明の一態様に係る識別子生成装置が備えているコンピュータを動作させるためのプログラムであって、当該コンピュータを上記識別子生成装置が備えている各手段として機能させるためのプログラム、および、それらのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体についても本発明の範疇に含まれる。   Moreover, it is a program for operating the computer with which the identifier production | generation apparatus which concerns on 1 aspect of this invention is provided, Comprising: The program for functioning the said computer as each means with which the said identifier production | generation apparatus is provided, and these A computer-readable recording medium on which the program is recorded is also included in the scope of the present invention.

(付記事項)
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
(Additional notes)
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.

〔ソフトウェアによる実現例〕
最後に、識別子生成装置1の各ブロックは、集積回路(ICチップ)上に形成された論理回路によってハードウェア的に実現してもよいし、CPU(Central Processing Unit)を用いてソフトウェア的に実現してもよい。
[Example of software implementation]
Finally, each block of the identifier generation device 1 may be realized by hardware by a logic circuit formed on an integrated circuit (IC chip) or by software using a CPU (Central Processing Unit). May be.

後者の場合、識別子生成装置1は、各機能を実現するプログラムの命令を実行するCPU、上記プログラムを格納したROM(Read Only Memory)、上記プログラムを展開するRAM(Random Access Memory)、上記プログラムおよび各種データを格納するメモリ等の記憶装置(記録媒体)などを備えている。そして、本発明の目的は、上述した機能を実現するソフトウェアである識別子生成装置1の制御プログラムのプログラムコード(実行形式プログラム、中間コードプログラム、ソースプログラム)をコンピュータで読み取り可能に記録した記録媒体を、上記識別子生成装置1に供給し、そのコンピュータ(またはCPUやMPU)が記録媒体に記録されているプログラムコードを読み出し実行することによっても、達成可能である。   In the latter case, the identifier generating device 1 includes a CPU that executes instructions of a program that realizes each function, a ROM (Read Only Memory) that stores the program, a RAM (Random Access Memory) that expands the program, the program, A storage device (recording medium) such as a memory for storing various data is provided. An object of the present invention is to provide a recording medium in which a program code (execution format program, intermediate code program, source program) of a control program of the identifier generation apparatus 1 which is software for realizing the above-described functions is recorded so as to be readable by a computer. This can also be achieved by supplying the identifier generation apparatus 1 and reading and executing the program code recorded on the recording medium by the computer (or CPU or MPU).

上記記録媒体としては、一時的でない有形の媒体(non-transitory tangible medium)、例えば、磁気テープやカセットテープ等のテープ類、フロッピー(登録商標)ディスク/ハードディスク等の磁気ディスクやCD−ROM/MO/MD/DVD/CD−R等の光ディスクを含むディスク類、ICカード(メモリカードを含む)/光カード等のカード類、マスクROM/EPROM/EEPROM(登録商標)/フラッシュROM等の半導体メモリ類、あるいはPLD(Programmable logic device)やFPGA(Field Programmable Gate Array)等の論理回路類などを用いることができる。   As the recording medium, a non-transitory tangible medium such as a magnetic tape or a cassette tape, a magnetic disk such as a floppy (registered trademark) disk / hard disk, or a CD-ROM / MO Discs including optical discs such as / MD / DVD / CD-R, cards such as IC cards (including memory cards) / optical cards, semiconductor memories such as mask ROM / EPROM / EEPROM (registered trademark) / flash ROM Alternatively, logic circuits such as PLD (Programmable Logic Device) and FPGA (Field Programmable Gate Array) can be used.

また、識別子生成装置1を通信ネットワークと接続可能に構成し、上記プログラムコードを通信ネットワークを介して供給してもよい。この通信ネットワークは、プログラムコードを伝送可能であればよく、特に限定されない。例えば、インターネット、イントラネット、エキストラネット、LAN、ISDN、VAN、CATV通信網、仮想専用網(Virtual Private Network)、電話回線網、移動体通信網、衛星通信網等が利用可能である。また、この通信ネットワークを構成する伝送媒体も、プログラムコードを伝送可能な媒体であればよく、特定の構成または種類のものに限定されない。例えば、IEEE1394、USB、電力線搬送、ケーブルTV回線、電話線、ADSL(Asymmetric Digital Subscriber Line)回線等の有線でも、IrDAやリモコンのような赤外線、Bluetooth(登録商標)、IEEE802.11無線、HDR(High Data Rate)、NFC(Near Field Communication)、DLNA(Digital Living Network Alliance)、携帯電話網、衛星回線、地上波デジタル網等の無線でも利用可能である。なお、本発明は、上記プログラムコードが電子的な伝送で具現化された、搬送波に埋め込まれたコンピュータデータ信号の形態でも実現され得る。   Further, the identifier generating device 1 may be configured to be connectable to a communication network, and the program code may be supplied via the communication network. The communication network is not particularly limited as long as it can transmit the program code. For example, the Internet, intranet, extranet, LAN, ISDN, VAN, CATV communication network, virtual private network, telephone line network, mobile communication network, satellite communication network, and the like can be used. The transmission medium constituting the communication network may be any medium that can transmit the program code, and is not limited to a specific configuration or type. For example, even with wired lines such as IEEE 1394, USB, power line carrier, cable TV line, telephone line, and ADSL (Asymmetric Digital Subscriber Line) line, infrared rays such as IrDA and remote control, Bluetooth (registered trademark), IEEE 802.11 wireless, HDR ( It can also be used by radio such as High Data Rate (NFC), Near Field Communication (NFC), Digital Living Network Alliance (DLNA), mobile phone network, satellite line, and digital terrestrial network. The present invention can also be realized in the form of a computer data signal embedded in a carrier wave in which the program code is embodied by electronic transmission.

本発明に係る識別子生成方法は、半導体集積回路の識別に好適に用いることができる。   The identifier generation method according to the present invention can be suitably used for identifying a semiconductor integrated circuit.

1 識別子生成装置
11 DC測定部
12 メモリ部
13 演算部
14 比較部
15 電源供給部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Identifier production | generation apparatus 11 DC measurement part 12 Memory part 13 Calculation part 14 Comparison part 15 Power supply part

Claims (4)

同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための識別子を生成する識別子生成方法であって、
上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流値に基づいて生成する識別子生成ステップを含み、
上記識別子生成ステップでは、上記予め定められた複数の内部状態を互いに識別するための内部状態識別番号を、各内部状態識別番号に対応する内部状態に対する電源電流値の大小関係に応じて並べ替えて得られる識別番号リストに基づいて、上記識別子を生成する、
ことを特徴とする識別子生成方法。
An identifier generation method for generating an identifier for identifying a plurality of semiconductor integrated circuits having the same configuration from each other,
An identifier generating step for generating an identifier to be given to each of the plurality of semiconductor integrated circuits based on power supply current values for a plurality of predetermined internal states in a non-operating state of the semiconductor integrated circuit ;
In the identifier generating step, the internal state identification numbers for mutually identifying the plurality of predetermined internal states are rearranged according to the magnitude relationship of the power supply current values with respect to the internal states corresponding to the internal state identification numbers. Based on the obtained list of identification numbers, the identifier is generated.
An identifier generation method characterized by the above.
請求項に記載の識別子生成方法であって、
上記識別子生成ステップでは、上記識別番号リストに含まれる内部状態識別番号のうち、対応する電源電流値が大きい方の上位N個(Nは自然数)の内部状態識別番号、および、対応する電源電流値が小さい方の下位N個の内部状態識別番号を、上記識別子とする
ことを特徴とする識別子生成方法。
The identifier generation method according to claim 1 ,
In the identifier generation step, among the internal state identification numbers included in the identification number list, the top N (N is a natural number) internal state identification numbers having a larger corresponding power supply current value, and the corresponding power supply current value An identifier generation method characterized in that the lower N internal state identification numbers having smaller values are used as the identifier.
請求項1または2に記載の識別子生成方法であって、
上記半導体集積回路は、液晶ドライバであり、
上記電源電流値は、上記液晶ドライバの非動作状態における複数の階調に対する電源電流値である
ことを特徴とする識別子生成方法。
The identifier generation method according to claim 1 or 2 ,
The semiconductor integrated circuit is a liquid crystal driver,
The identifier generation method, wherein the power supply current value is a power supply current value for a plurality of gradations in a non-operating state of the liquid crystal driver.
同一の構成を有する複数の半導体集積回路を互いに識別するための識別子を生成する識別子生成装置であって、
上記複数の半導体集積回路の各々に付与する識別子を、当該半導体集積回路の非動作状態における予め定められた複数の内部状態に対する電源電流の値に基づいて生成する識別子生成手段を備えており
上記識別子生成手段は、上記予め定められた複数の内部状態を互いに識別するための内部状態識別番号を、各内部状態識別番号に対応する内部状態に対する電源電流値の大小関係に応じて並べ替えて得られる識別番号リストに基づいて、上記識別子を生成する、
ことを特徴とする識別子生成装置。
An identifier generation device for generating an identifier for identifying a plurality of semiconductor integrated circuits having the same configuration from each other,
An identifier to be assigned to each of the plurality of semiconductor integrated circuit provided with an identifier generating means for generating on the basis of the value of the supply current to a plurality of internal states predetermined in the non-operating state of the semiconductor integrated circuit,
The identifier generating means rearranges the internal state identification numbers for identifying the plurality of predetermined internal states according to the magnitude relationship of the power supply current values with respect to the internal states corresponding to the internal state identification numbers. Based on the obtained list of identification numbers, the identifier is generated.
An identifier generation device characterized by the above.
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