JP6084799B2 - イメージセンサによるデータ取得方法 - Google Patents
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Description
− 当該方法は、3回目に前記画素の第3読み取り値として前記画素の電圧を読み取る後続の工程を有する。
− 前記2回目に前記画素の電圧を読み取る工程と前記3回目に前記画素の電圧を読み取る後続の工程との間では、リセットが起こらない。
− 当該方法は、前記第3読み取り値から前記第2読み取り値を減ずることによって第2信号を決定する工程を有する。
102 所定の信号レベル
103 電圧値
104 電圧値
105 電圧値
106 リセット電圧値
Claims (9)
- 粒子又は光子を検出するためのイメージセンサによるデータ取得方法であって、該イメージセンサが多数の画素を有し、リセットを用いて前記画素を所定の状態にし、
画素の電圧をリセットする工程、
1回目に前記画素の電圧を読み取る工程であり、前記画素の第1読み取り値を得る工程、
2回目に各画素の電圧を読み取る工程であり、前記画素の第2読み取り値を得る工程、
前記画素の前記第2読み取り値から前記第1読み取り値を減ずることによって第1信号を決定する工程、
3回目に前記画素の電圧を読み取る後続の工程であり、前記画素の第3読み取り値を得、前記の2回目に画素の電圧を読み取る工程と前記の3回目に画素の電圧を読み取る後続の工程との間にリセットが起こらない、工程、
前記第3読み取り値から前記第2読み取り値を減ずることによって第2信号を決定する工程、及び
後続で得た読み取り値との間の変化を、衝突する粒子が生じさせる最小値と比較することにより粒子又は光子の衝突を決定する工程、
を有することを特徴とする方法。 - 前記の3回目に前記画素の電圧を読み取る工程後に、リセットが起こる前に前記画素が複数回読み取られ、複数の読み取り値を得て、読み取り値を前回の読み取り値から減ずるという対の処理によって複数の信号を決定する、
請求項1に記載の方法。 - 前記粒子が、電子、中性子及び陽電子からなる群から選ばれる、請求項1又は2に記載の方法。
- 一群の隣接する画素の信号の変化から、粒子又は光子の衝突の検出が推定される、
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。 - 前記イメージセンサはCMOSセンサで、かつ
各画素は、所定数の読み取り後にリセットされる、
請求項1乃至4のうちのいずれか1項に記載の方法。 - 前記イメージセンサはCMOSセンサで、かつ
最後の像を表す一連の読み取りにおいて、少なくとも1つの画素が、所定の値よりも大きな読み取り値を有するときにリセットが生成される、
請求項1乃至4のうちのいずれか1項に記載の方法。 - 前記イメージセンサはCMOSセンサで、かつ
画素が所定の値よりも大きな読み取り値を有するときに、該画素についてリセットが独立に生成される、
請求項1乃至4のうちのいずれか1項に記載の方法。 - 前記イメージセンサはCCDセンサで、かつ
リセットされる画素は、一連の画素の出力ノードである、
請求項1乃至4のうちのいずれか1項に記載の方法。 - 放射線を検出するカメラであって、イメージセンサと、該イメージセンサの読み取り及びリセットを制御する制御装置とを有し、
前記制御装置は、請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の方法を実行するようにプログラムされていることを特徴とする、
カメラ。
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