JP6077769B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus.

特許文献1には、カップの側壁部分における外周の鉛直上方に、円筒状の飛散防止部材が設けられた基板処理装置が記載されている。特許文献1に記載の基板処理装置においては、飛散防止部材に通気孔が設けられており、飛散防止部材内で発生する汚染された気流がこの通気孔を介して外部に排気される。   Patent Document 1 describes a substrate processing apparatus in which a cylindrical scattering prevention member is provided vertically above the outer periphery of a side wall portion of a cup. In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, a ventilation hole is provided in the scattering prevention member, and a contaminated air flow generated in the scattering prevention member is exhausted to the outside through the ventilation hole.

特開平9−148218号公報(1997年6月6日公開)Japanese Patent Laid-Open No. 9-148218 (released on June 6, 1997)

基板処理装置において、基板に処理液を供給する方法として、基板上に設けられたスプレー式ノズルから処理液を吐出する方法がある。スプレー式ノズルから基板に対して処理液を吐出する場合、特許文献1に記載の基板処理装置のように、基板をカップ状の容器内に載置して処理を行い、基板の周囲に処理液が飛散するのを防止する。   In a substrate processing apparatus, as a method for supplying a processing liquid to a substrate, there is a method for discharging the processing liquid from a spray nozzle provided on the substrate. When the processing liquid is discharged from the spray nozzle to the substrate, the substrate is placed in a cup-shaped container and processed as in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, and the processing liquid is placed around the substrate. To prevent splashing.

しかしながら、スプレー式ノズルから処理液を吐出すると、ミスト状の処理液が発生してカップの外部に飛散してしまい、カップ周辺を汚染してしまうという問題がある。   However, when the processing liquid is discharged from the spray type nozzle, there is a problem that a mist-like processing liquid is generated and scattered outside the cup, thereby contaminating the periphery of the cup.

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、スプレー式ノズルから吐出される処理液によって、基板を収容するカップの周辺が汚染されるのを防止することができる基板処理装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing capable of preventing the periphery of a cup containing a substrate from being contaminated by a processing liquid discharged from a spray type nozzle. To provide an apparatus.

上記の課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、ノズルから噴霧されたミスト状の液体により基板を処理する基板処理装置であって、前記基板の上方に位置し、前記基板上を流れる気体を基板の外周上方から排気する上部排気口と、前記上部排気口から前記基板の方向に延伸するように設けられ、前記基板上を流れる気体が前記上部排気口に流れ込むように、当該気体の流れる向きを変更する第1遮蔽部と、を備えていることを特徴としている。   In order to solve the above-described problems, a substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus that processes a substrate with a mist-like liquid sprayed from a nozzle, and is positioned above the substrate and on the substrate. An upper exhaust port for exhausting the gas flowing from above the outer periphery of the substrate, and extending from the upper exhaust port in the direction of the substrate, so that the gas flowing on the substrate flows into the upper exhaust port And a first shielding part for changing a direction in which the gas flows.

本発明に係る基板処理装置によれば、基板の上方に位置し、前記基板上を流れる気体を基板の外周上方から排気する上部排気口と、前記上部排気口から前記基板の方向に延伸するように設けられ、前記基板上を流れる気体が前記上部排気口に流れ込むように、当該気体の流れる向きを変更する第1遮蔽部と、を備えているので、基板を収容するカップの周辺が汚染されるのを防ぐことができる。   According to the substrate processing apparatus of the present invention, the upper exhaust port that is located above the substrate and exhausts the gas flowing on the substrate from above the outer periphery of the substrate, and extends from the upper exhaust port in the direction of the substrate. And a first shielding part that changes the flow direction of the gas so that the gas flowing on the substrate flows into the upper exhaust port, so that the periphery of the cup containing the substrate is contaminated. Can be prevented.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略の断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1に示す基板処理装置の各排気口周辺を拡大して示す概略の断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an enlarged periphery of each exhaust port of the substrate processing apparatus shown in FIG. (a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を用いたミスト飛散防止効果を示す図である。(A) And (b) is a figure which shows the mist scattering prevention effect using the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の概略の断面図である。It is general | schematic sectional drawing of the substrate processing apparatus which concerns on other embodiment of this invention. 図4に示す基板処理装置の要部の構成を示す(a)は底面図であり、(b)は(a)のA−A線矢視断面図である。(A) which shows the structure of the principal part of the substrate processing apparatus shown in FIG. 4 is a bottom view, (b) is the sectional view on the AA line of (a).

<実施の形態1>
以下、本発明の実施の一形態について、図1〜3を参照して以下に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略の断面図であり、図2は、図1に示す基板処理装置の各排気口周辺を拡大して示す概略の断面図であり、図3(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を用いたミスト飛散防止効果を示す図である。
<Embodiment 1>
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an enlarged periphery of each exhaust port of the substrate processing apparatus shown in FIG. FIGS. 3A and 3B are views showing the effect of preventing mist scattering using the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

〔基板処理装置10〕
図1及び図2に示すように、基板処理装置10は、上部排気口1と第1遮蔽部2とを備えている。また、基板処理装置10は、第2遮蔽部3、下部排気口4、気流変更部5、スピンチャック6、ノズル11、及びカップ15を備えていてもよい。基板処理装置10においては、カップ15内に収容されたスピンチャック6上に基板12を載置し、スピンチャック6を回転させることによって基板12を回転させながら、ノズル11から基板12に対して処理液(液体)を吐出する。したがって、カップ15内のスピンチャック6上に載置された基板12の上部は、ノズル11からの処理液を受け付けるために開口している。
[Substrate Processing Apparatus 10]
As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus 10 includes an upper exhaust port 1 and a first shielding portion 2. Further, the substrate processing apparatus 10 may include the second shielding unit 3, the lower exhaust port 4, the airflow changing unit 5, the spin chuck 6, the nozzle 11, and the cup 15. In the substrate processing apparatus 10, the substrate 12 is placed on the spin chuck 6 accommodated in the cup 15, and the substrate 12 is rotated by rotating the spin chuck 6, while the substrate 11 is rotated and the substrate 11 is processed. The liquid (liquid) is discharged. Therefore, the upper part of the substrate 12 placed on the spin chuck 6 in the cup 15 is opened to receive the processing liquid from the nozzle 11.

本実施形態において、基板処理装置10において処理される基板12は、処理面の反対側の面にダイシングテープ13とダイシングフレーム14とが貼り合わされている。また、基板処理装置10において、ノズル11は、スプレー式ノズルであり、複数備えられていてもよい。また、ノズル11を基板12の径方向にスウィングさせながら処理液を吐出するものであってもよい。ノズル11から吐出する処理液としては、従来公知の種々の処理液を、基板12に対する処理に応じて選択することができる。   In the present embodiment, the substrate 12 to be processed in the substrate processing apparatus 10 has a dicing tape 13 and a dicing frame 14 bonded to the surface opposite to the processing surface. Moreover, in the substrate processing apparatus 10, the nozzle 11 is a spray type nozzle and may be provided with two or more. Alternatively, the processing liquid may be discharged while the nozzle 11 is swung in the radial direction of the substrate 12. As the processing liquid discharged from the nozzle 11, various conventionally known processing liquids can be selected in accordance with the processing on the substrate 12.

(上部排気口1)
基板処理装置10において、上部排気口1は、カップ15内に収容されたスピンチャック6の上方に位置している。すなわち、上部排気口1は、スピンチャック6上に載置される基板12の上方に位置している。また、上部排気口1は、カップ15の側面側に設けられている。つまり、スピンチャック6上に設けられた基板12の外周よりも外側に設けられている。これにより、上部排気口1は、基板12上を流れる気体を基板12の外周上方から排気する。
(Upper exhaust port 1)
In the substrate processing apparatus 10, the upper exhaust port 1 is located above the spin chuck 6 accommodated in the cup 15. That is, the upper exhaust port 1 is positioned above the substrate 12 placed on the spin chuck 6. The upper exhaust port 1 is provided on the side surface side of the cup 15. That is, it is provided outside the outer periphery of the substrate 12 provided on the spin chuck 6. Thus, the upper exhaust port 1 exhausts the gas flowing on the substrate 12 from above the outer periphery of the substrate 12.

(第1遮蔽部2)
第1遮蔽部2は、上部排気口1からスピンチャック6の方向、すなわち、スピンチャック6に載置される基板12方向に延伸するように設けられている。第1遮蔽部2は、上部排気口1へと続く上部壁に接続されている。第1遮蔽部2は、図2に矢印として示すように、基板12上を流れる気体が上部排気口1へと流れ込むように、当該気体の流れる向きを変更する。すなわち、第1遮蔽部2は、基板12上を流れる気体であって、基板12から上方へと向かう気体の進行方向に位置することによって、その流れを遮り、上部排気口1に向かうように変更する。
(First shielding part 2)
The first shielding portion 2 is provided so as to extend from the upper exhaust port 1 toward the spin chuck 6, that is, toward the substrate 12 placed on the spin chuck 6. The first shielding part 2 is connected to the upper wall that continues to the upper exhaust port 1. As shown by an arrow in FIG. 2, the first shielding unit 2 changes the flow direction of the gas so that the gas flowing on the substrate 12 flows into the upper exhaust port 1. That is, the first shielding part 2 is a gas that flows on the substrate 12, and is positioned in the traveling direction of the gas upward from the substrate 12, so that the flow is blocked and the first shielding part 2 is changed to the upper exhaust port 1. To do.

一般に、スプレー式ノズルから基板に処理液を吐出する装置においては、吐出されたミスト状の処理液(処理液ミスト)が、基板を載置したカップ上方の開口から飛散し、カップの周囲を汚染してしまうおそれがある。特に、複数のノズルを用いる場合や、ノズルをスウィングさせながら処理液を吐出する場合には、処理液ミストがより拡散し、装置の周囲の汚染が顕著となる。   In general, in an apparatus that discharges processing liquid onto a substrate from a spray nozzle, the discharged mist processing liquid (processing liquid mist) scatters from the opening above the cup on which the substrate is placed and contaminates the periphery of the cup. There is a risk of it. In particular, when a plurality of nozzles are used or when the processing liquid is discharged while swinging the nozzles, the processing liquid mist is more diffused and the surroundings of the apparatus become conspicuous.

これに対して、基板処理装置10においては、上部排気口1と第1遮蔽部2とを備えているので、基板12上を流れる気体を基板12の外周上方から効率よく排気することが可能であり、この気体の排気に伴って、処理液ミストを上部排気口1からカップ15の外部に排出(排液)することができる。したがって、カップ15の周囲が汚染するのを防ぐことができる。   On the other hand, since the substrate processing apparatus 10 includes the upper exhaust port 1 and the first shielding part 2, the gas flowing on the substrate 12 can be efficiently exhausted from above the outer periphery of the substrate 12. With this gas exhaust, the processing liquid mist can be discharged (drained) from the upper exhaust port 1 to the outside of the cup 15. Therefore, the surroundings of the cup 15 can be prevented from being contaminated.

図2に示すように、第1遮蔽部2は、上部排気口1へと続く上部壁から階段状に、当該上部壁よりもさらに上側、すなわち、基板12からの距離がより離れるように設けられていてもよい。そして、第1遮蔽部2は、基板12の外周に円周状に設けられている。これにより、より確実に、基板12の上方に向かう気体を上部排気口1へと導くことができる。   As shown in FIG. 2, the first shielding portion 2 is provided in a stepped manner from the upper wall that continues to the upper exhaust port 1 so as to be further away from the upper wall, that is, the distance from the substrate 12. It may be. The first shielding unit 2 is provided on the outer periphery of the substrate 12 in a circumferential shape. Thereby, the gas which goes upwards of the board | substrate 12 can be guide | induced to the upper exhaust port 1 more reliably.

基板処理装置10は、上部排気口1を複数備えていてもよい。上部排気口1を2つ備えている場合には、これらが基板12を挟んで略対角位置に配置されていることが好ましい。また、上部排気口1を3つ以上備えている場合には、これらが基板12の同心円上に等間隔で配置されていることが好ましい。これにより、より確実に、基板12上を流れる気体を排気することが可能であり、カップ15の周囲が汚染するのを防ぐことができる。   The substrate processing apparatus 10 may include a plurality of upper exhaust ports 1. When two upper exhaust ports 1 are provided, it is preferable that these are arranged at substantially diagonal positions across the substrate 12. Further, when three or more upper exhaust ports 1 are provided, it is preferable that these are arranged at equal intervals on a concentric circle of the substrate 12. Thereby, the gas flowing on the substrate 12 can be exhausted more reliably, and the surroundings of the cup 15 can be prevented from being contaminated.

ここで、基板処理装置10は、上部排気口1を介して基板12上の気体を吸引する吸引手段(図示せず)をさらに備えていてもよい。吸引手段によって上部排気口1から基板12上の気体を吸引することによって、基板12上に上部排気口1に向かって流れる気流が発生し、より効率よく基板12上の気体を上部排気口1から排気することができる。   Here, the substrate processing apparatus 10 may further include a suction unit (not shown) that sucks the gas on the substrate 12 through the upper exhaust port 1. By sucking the gas on the substrate 12 from the upper exhaust port 1 by the suction means, an airflow flowing toward the upper exhaust port 1 is generated on the substrate 12, and the gas on the substrate 12 is more efficiently discharged from the upper exhaust port 1. Can be exhausted.

また、吸引手段の代わりに、基板12上に気体を吹き付けることによって、基板12上に上部排気口1に向かって流れる気流を発生させてもよい。このとき、例えば、基板12を挟んで略対角位置に配置された2つの上部排気口1の一方から他方に向けて気体を吹き付けてもよい。   Further, instead of using the suction means, an airflow that flows toward the upper exhaust port 1 may be generated on the substrate 12 by blowing a gas onto the substrate 12. At this time, for example, the gas may be blown from one of the two upper exhaust ports 1 disposed substantially diagonally across the substrate 12 toward the other.

(第2遮蔽部3)
第2遮蔽部3は、スピンチャック6の上方、すなわち基板12の上面と上部排気口1との間に位置している。第2遮蔽部3は、第1遮蔽部2よりも基板12側に位置しており、上部排気口1からスピンチャック6の方向、すなわちスピンチャック6に載置される基板12方向に延伸するように設けられている。第2遮蔽部3は、第1遮蔽部2が接続された上部壁よりも下側に位置し、上部排気口1へと続く下部壁に接続されている。第2遮蔽部3は、図2に矢印として示すように、基板12の上方に向かって流れる気体を前記基板12の下方に向かって流れるように、当該気体の流れる向きを変更する。すなわち、第2遮蔽部3は、基板12上を流れる気体であって、基板12から上方へと向かう気体の進行方向に位置することによって、その流れを遮り、基板12よりも下側に向かうように変更する。
(Second shielding part 3)
The second shield 3 is located above the spin chuck 6, that is, between the upper surface of the substrate 12 and the upper exhaust port 1. The second shielding part 3 is located closer to the substrate 12 than the first shielding part 2 and extends from the upper exhaust port 1 toward the spin chuck 6, that is, toward the substrate 12 placed on the spin chuck 6. Is provided. The second shielding part 3 is located below the upper wall to which the first shielding part 2 is connected, and is connected to the lower wall that continues to the upper exhaust port 1. As shown by an arrow in FIG. 2, the second shielding unit 3 changes the flow direction of the gas so that the gas flowing upward of the substrate 12 flows downward of the substrate 12. That is, the second shielding unit 3 is a gas that flows on the substrate 12, and is located in the traveling direction of the gas upward from the substrate 12, so that the flow is blocked and the second shielding unit 3 is directed downward from the substrate 12. Change to

このように、第2遮蔽部3によって基板12よりも下側に向かうように流れが変更された気体は、後述する下部排気口4を介して排気される。したがって、下部排気口4からの気体の排気に伴って、基板12上に拡散された処理液ミストをカップ15の外部に排出することができる。これにより、カップ15の周囲が汚染するのをより確実に防ぐことができる。   As described above, the gas whose flow is changed by the second shielding unit 3 so as to be directed downward from the substrate 12 is exhausted through the lower exhaust port 4 described later. Accordingly, the processing liquid mist diffused on the substrate 12 can be discharged to the outside of the cup 15 as the gas is exhausted from the lower exhaust port 4. Thereby, it can prevent more reliably that the circumference | surroundings of the cup 15 are contaminated.

第1遮蔽部2及び第2遮蔽部3は、いずれも基板12方向に延伸した板状体であり、基板12側から見たときに互いに重なり合う位置に設けられていてもよく、いずれか一方が他方よりもより基板12方向に延伸することによって、基板12方向により突出していてもよい。また、第1遮蔽部2及び第2遮蔽部3は、基板12に対して水平に設けられていてもよいし、基板12の上方に向かう気体の流れを上部排気口1又は下部排気口4に向かうように変更できれば、基板12に対して水平に設けられていなくてもよい。第1遮蔽部2及び第2遮蔽部3は、処理液ミストが付着し難いように、例えばフッ素樹脂で表面処理(コーティング)されている。   Each of the first shielding part 2 and the second shielding part 3 is a plate-like body extending in the direction of the substrate 12 and may be provided at a position where they overlap each other when viewed from the substrate 12 side. You may protrude in the direction of the board | substrate 12 by extending | stretching in the direction of the board | substrate 12 more than the other. Further, the first shielding part 2 and the second shielding part 3 may be provided horizontally with respect to the substrate 12, and the gas flow toward the upper side of the substrate 12 is directed to the upper exhaust port 1 or the lower exhaust port 4. As long as it can be changed, it does not need to be provided horizontally with respect to the substrate 12. The first shielding part 2 and the second shielding part 3 are surface-treated (coated) with, for example, a fluororesin so that the treatment liquid mist is difficult to adhere.

基板12の上方に向かう気体のうち、第2遮蔽部3にその流路が塞がれる気体は、第2遮蔽部3によって基板12よりも下側に向かうようにその流れが変更される。基板12の上方に向かう気体のうち、第2遮蔽部3から外れた位置を流れる気体であっても、さらに第1遮蔽部2にその流路が塞がれる気体は、第1遮蔽部2によって上部排気口1に向かうようにその流れが変更される。   Of the gas traveling upward from the substrate 12, the flow of the gas whose flow path is blocked by the second shielding portion 3 is changed by the second shielding portion 3 so as to be directed downward from the substrate 12. Even if the gas flows upward from the substrate 12 and flows in a position away from the second shielding part 3, the gas whose flow path is blocked by the first shielding part 2 is further reduced by the first shielding part 2. The flow is changed toward the upper exhaust port 1.

このように、基板12の上方に向かう気体に対して、第1遮蔽部2及び第2遮蔽部3による二段階の気流変更を行うので、基板12上を流れる気体をより確実に上部排気口1及び下部排気口4へと導くことができる。その結果、上部排気口1及び下部排気口4に導かれる気体に伴って、処理液ミストを上部排気口1及び下部排気口4から排出することが可能である。このように、基板処理装置10によれば、処理液ミストをカップ15外に飛散させることがないため、カップ15の周囲が汚染するのをより確実に防ぐことができる。   Thus, since the two-stage airflow change by the first shielding part 2 and the second shielding part 3 is performed on the gas directed upward of the substrate 12, the gas flowing on the substrate 12 is more reliably transferred to the upper exhaust port 1. And can be led to the lower exhaust port 4. As a result, the processing liquid mist can be discharged from the upper exhaust port 1 and the lower exhaust port 4 along with the gas guided to the upper exhaust port 1 and the lower exhaust port 4. Thus, according to the substrate processing apparatus 10, since the processing liquid mist is not scattered outside the cup 15, it is possible to more reliably prevent the periphery of the cup 15 from being contaminated.

上部排気口1及び第1遮蔽部2と、第2遮蔽部3が接続される下部壁が設けられたカップ15とは、互いに独立して設けられている。なお、図1及び図2において、上部排気口1は上部壁の端部に位置しており、その開口径は、上部壁により基板12上部から上部排気口1まで形成される排気流路の内径よりも小さくなっているが、上部排気口1の構成としてはこれに限定されない。   The upper exhaust port 1 and the first shielding part 2 and the cup 15 provided with the lower wall to which the second shielding part 3 is connected are provided independently of each other. 1 and 2, the upper exhaust port 1 is located at the end of the upper wall, and the opening diameter thereof is the inner diameter of the exhaust passage formed from the upper portion of the substrate 12 to the upper exhaust port 1 by the upper wall. However, the configuration of the upper exhaust port 1 is not limited to this.

なお、第2遮蔽部3は、第1遮蔽部2と同様に、基板12の外周に円周状に設けられている。   Note that the second shielding part 3 is provided on the outer periphery of the substrate 12 in a circumferential shape, similarly to the first shielding part 2.

また、図1に示す、第2遮蔽部3と基板12の外周との間の距離Aは、3〜20mmであることが好ましく、第2遮蔽部3と基板12の上面との間の距離Bは、10〜50mmであることが好ましい。これにより、基板12から第2遮蔽部3を越えて上方に向かう気体の発生を抑え、当該気体による処理液ミストの飛散を防ぐことができる。なお、距離A及び距離Bは、基板12の大きさ、基板12の回転数、ノズル11の数等に応じて適宜変更可能なものである。例えば、後述する実施例に示すように、直径300mmの基板12を回転数1200rpmで回転させながら、6個のノズルから処理液を噴霧させる場合には、距離Aは5mm、距離Bは20mmであることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the distance A between the 2nd shielding part 3 shown in FIG. 1 and the outer periphery of the board | substrate 12 is 3-20 mm, and the distance B between the 2nd shielding part 3 and the upper surface of the board | substrate 12 is shown. Is preferably 10 to 50 mm. Thereby, generation | occurrence | production of the gas which goes upwards beyond the 2nd shielding part 3 from the board | substrate 12 can be suppressed, and scattering of the process liquid mist by the said gas can be prevented. The distance A and the distance B can be changed as appropriate according to the size of the substrate 12, the number of rotations of the substrate 12, the number of nozzles 11, and the like. For example, as shown in the examples described later, when the treatment liquid is sprayed from six nozzles while rotating the substrate 12 having a diameter of 300 mm at a rotation speed of 1200 rpm, the distance A is 5 mm and the distance B is 20 mm. It is preferable.

ここで、距離Aは、スピンチャック6上に載置する基板12の外周から第2遮蔽部3までの距離を意図しているが、本実施形態においては、ダイシングテープ13及びダイシングフレーム14が貼り合わせられた基板12を被処理体として用いているため、距離Aは、最外周のダイシングフレーム14から第2遮蔽部3までの距離であり得る。距離Bは、基板12の上面から第2遮蔽部3までの距離を意図しているが、本実施形態においては、ダイシングテープ13及びダイシングフレーム14が貼り合わせられた基板12を被処理体として用いているため、距離Bは、最外周のダイシングフレームから第2遮蔽部3までの距離であり得る。   Here, the distance A is intended to be the distance from the outer periphery of the substrate 12 placed on the spin chuck 6 to the second shielding part 3, but in this embodiment, the dicing tape 13 and the dicing frame 14 are attached. Since the combined substrate 12 is used as the object to be processed, the distance A can be the distance from the outermost dicing frame 14 to the second shielding unit 3. The distance B is intended to be the distance from the upper surface of the substrate 12 to the second shielding part 3, but in the present embodiment, the substrate 12 to which the dicing tape 13 and the dicing frame 14 are bonded is used as the object to be processed. Therefore, the distance B can be a distance from the outermost dicing frame to the second shielding part 3.

(下部排気口4)
下部排気口4は、スピンチャック6の下方、すなわち基板12の下方に位置しており、基板12の下方から気体を排気する。基板12上を流れる気体のうち、第2遮蔽部3によって基板12の下方に向かって流れるように、流れる向きを変更された気体は、下部排気口4から排気される。この気体の流れに伴って、基板12上の処理液ミストが、下部排気口4から排出される。このように、基板12の下方にも排気口を設けたことによって、より確実に処理液ミストの拡散を防止することができる。なお、基板12の下方に流れる気体を下部排気口4に効率よく導くために、下部排気口4は、基板12の下方に設けられた排気ダクトの端部に設けられていてもよい。また、下部排気口4は複数設けられていてもよく、この場合、基板12の同心円上において等間隔に設けられていることが好ましい。
(Lower exhaust 4)
The lower exhaust port 4 is located below the spin chuck 6, that is, below the substrate 12, and exhausts gas from below the substrate 12. Of the gas flowing on the substrate 12, the gas whose direction of flow is changed so as to flow downward of the substrate 12 by the second shield 3 is exhausted from the lower exhaust port 4. As the gas flows, the processing liquid mist on the substrate 12 is discharged from the lower exhaust port 4. Thus, by providing an exhaust port also below the substrate 12, diffusion of the processing liquid mist can be prevented more reliably. In order to efficiently guide the gas flowing below the substrate 12 to the lower exhaust port 4, the lower exhaust port 4 may be provided at an end of an exhaust duct provided below the substrate 12. A plurality of lower exhaust ports 4 may be provided. In this case, it is preferable that the lower exhaust ports 4 are provided at equal intervals on a concentric circle of the substrate 12.

(気流変更部5)
気流変更部5は、スピンチャック6の下方、すなわち基板12の下方に位置しており、基板12の下方に向かって流れる気体が下部排気口4に流れ込むように、気体の流れる向きを変更するように設けられている。図1に示すように、気流変更部5の中心はスピンチャック6の中心と同一であり得るが、その直径はスピンチャック6の直径よりも大きく、スピンチャック6の外周よりも外側にはみ出すように設けられている。気流変更部5は板状体であり、中心から外周へと下方に向かって湾曲している。すなわち、気流変更部5は、下部排気口4に繋がる排気ダクトの入口に向かって湾曲している。これにより、図2に矢印として示すように、基板12の下方に向かって流れる気体は、気流変更部5によってその流れが下部排気口4に繋がる排気ダクト方向に変更される。その結果、気体は排気ダクトを介して下部排気口4から効率よく排気され、これに伴って処理液ミストが排出される。
(Airflow change part 5)
The air flow changing unit 5 is located below the spin chuck 6, that is, below the substrate 12, and changes the gas flow direction so that the gas flowing toward the lower side of the substrate 12 flows into the lower exhaust port 4. Is provided. As shown in FIG. 1, the center of the airflow changing unit 5 may be the same as the center of the spin chuck 6, but the diameter is larger than the diameter of the spin chuck 6 and protrudes outside the outer periphery of the spin chuck 6. Is provided. The airflow changing unit 5 is a plate-like body, and is curved downward from the center to the outer periphery. In other words, the airflow changing unit 5 is curved toward the inlet of the exhaust duct connected to the lower exhaust port 4. Thereby, as shown by an arrow in FIG. 2, the gas flowing toward the lower side of the substrate 12 is changed by the air flow changing unit 5 in the direction of the exhaust duct in which the flow is connected to the lower exhaust port 4. As a result, the gas is efficiently exhausted from the lower exhaust port 4 through the exhaust duct, and the processing liquid mist is discharged accordingly.

<実施の形態2>
次に、本発明に係る実施の他の形態について、図4,5を参照して以下に説明する。図4は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の概略の断面図であり、図5は、図4に示す基板処理装置の要部の構成を示す(a)は底面図であり、(b)は(a)のA−A線矢視断面図である。なお、実施の形態1に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付記してその説明を省略する。
<Embodiment 2>
Next, another embodiment according to the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a bottom view showing the configuration of the main part of the substrate processing apparatus shown in FIG. (B) is the AA arrow directional cross-sectional view of (a). In addition, about the member which has the same function as the member shown in Embodiment 1, the same code | symbol is attached and the description is abbreviate | omitted.

基板処理装置10における前記第1遮蔽部2及び前記第2遮蔽部3に処理液ミストが付着すると、付着した処理液がスピンチャック6等の回転によって生じる気流(風圧)によって上部排気口1とは逆方向、すなわち基板12の方向に吹き上がるおそれがある。この場合に、第1遮蔽部2や第2遮蔽部3の基板12側の端部から前記処理液が飛散して基板12上に付着し、ウォーターマークが生じる等の悪影響を及ぼすおそれがある。   When the processing liquid mist adheres to the first shielding part 2 and the second shielding part 3 in the substrate processing apparatus 10, the attached processing liquid is separated from the upper exhaust port 1 by an air flow (wind pressure) generated by rotation of the spin chuck 6 and the like. There is a risk of blowing up in the opposite direction, that is, in the direction of the substrate 12. In this case, the processing liquid may be scattered from the end of the first shielding unit 2 or the second shielding unit 3 on the substrate 12 side, and may adhere to the substrate 12 to cause a bad effect such as a watermark.

そこで、図4に示すように、本実施形態に係る基板処理装置10は、第1鍔部22及び第2鍔部23をさらに備えている。第1鍔部22及び第2鍔部23は、処理液ミストが付着し難いように、例えばフッ素樹脂で表面処理(コーティング)されている。   Therefore, as shown in FIG. 4, the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment further includes a first collar part 22 and a second collar part 23. The first brim part 22 and the second brim part 23 are surface-treated (coated) with, for example, a fluororesin so that the treatment liquid mist does not easily adhere.

すなわち、前記第1遮蔽部2の基板12側の端部には、第1遮蔽部2に付着した処理液ミストが、スピンチャック6等の回転によって生じる気流(風圧)によって上部排気口1とは逆方向に吹き上がり、基板12の方向に飛散することを防止する第1鍔部22が垂設されている。第1鍔部22は、第1遮蔽部2の基板12側の端部に円周状に設けられている。これにより、例え第1遮蔽部2に処理液ミストが付着したとしても、付着した処理液は第1鍔部22の下端部に移動し、上部排気口1に向かう気体の流れによって上部排気口1から排出される。したがって、基板12上に処理液ミストの液滴が付着することをより一層防止することができる。また、処理液ミストが基板処理装置10の外部に飛散することもより一層防止することができる。第1鍔部22の鉛直方向の長さは、上部排気口1による排気を妨げない長さであればよい。   That is, at the end of the first shielding part 2 on the substrate 12 side, the processing liquid mist adhering to the first shielding part 2 is separated from the upper exhaust port 1 by an air flow (wind pressure) generated by the rotation of the spin chuck 6 and the like. A first brim portion 22 that prevents the air from blowing up in the reverse direction and scattering in the direction of the substrate 12 is provided. The first flange 22 is provided on the end of the first shielding part 2 on the substrate 12 side in a circumferential shape. Thereby, even if the processing liquid mist adheres to the first shielding part 2, the attached processing liquid moves to the lower end part of the first flange 22, and the upper exhaust port 1 is caused by the flow of gas toward the upper exhaust port 1. Discharged from. Therefore, it is possible to further prevent the treatment liquid mist from adhering to the substrate 12. Further, it is possible to further prevent the processing liquid mist from being scattered outside the substrate processing apparatus 10. The length of the first flange portion 22 in the vertical direction may be a length that does not hinder the exhaust through the upper exhaust port 1.

また、前記第2遮蔽部3には、第2遮蔽部3に付着した処理液ミストが、スピンチャック6等の回転によって生じる気流(風圧)によって上部排気口1とは逆方向に吹き上がり、基板12の方向に飛散することを防止する第2鍔部23が垂設されている。第2鍔部23は、第2遮蔽部3の上部排気口1側の端部に略円周状に設けられている。これにより、例え第2遮蔽部3に処理液ミストが付着したとしても、付着した処理液は第2鍔部23の下端部23a側に移動し、下部排気口4に向かう気体の流れによって下部排気口4から排出される。したがって、基板12上に処理液ミストの液滴が付着することをより一層防止することができる。第2鍔部23の鉛直方向の長さは、下部排気口4による排気を妨げない長さであればよい。   Further, the processing liquid mist adhering to the second shielding part 3 blows up to the second shielding part 3 in the direction opposite to the upper exhaust port 1 due to the airflow (wind pressure) generated by the rotation of the spin chuck 6 and the like. The 2nd collar part 23 which prevents scattering in the direction of 12 is hung down. The second flange 23 is provided in a substantially circumferential shape at the end of the second shielding part 3 on the upper exhaust port 1 side. Thereby, even if the processing liquid mist adheres to the second shielding part 3, the attached processing liquid moves to the lower end part 23 a side of the second flange part 23, and the lower exhaust is caused by the gas flow toward the lower exhaust port 4. It is discharged from the mouth 4. Therefore, it is possible to further prevent the treatment liquid mist from adhering to the substrate 12. The length of the second flange 23 in the vertical direction may be a length that does not hinder the exhaust through the lower exhaust port 4.

より具体的には、図5(a)に示すように、第2鍔部23は、第2遮蔽部3の上部排気口1側の端部に略円周状に設けられると共に、切り欠き部24を少なくとも1つ備えている。つまり、第2鍔部23には、第2遮蔽部3に付着した処理液ミストを排液する切り欠き部24が少なくとも1つ形成されている(図5(a)は切り欠き部24が4つ形成されている場合を示す)。したがって、第2鍔部23は、切り欠き部24が2つ以上形成されている場合には、複数に分割されている(切り欠き部24の個数と同数に分割されている)。図5(a),(b)に示すように、切り欠き部24が形成されている部分において、第2鍔部23は、その前後の分割部分が基板12の径方向に重なり合うようにして螺旋状に設けられており、スピンチャック6等の回転方向(図5(a)では反時計回り)側の端部(下端部23aが形成されている側)が外側(下部排気口4側)に位置している。これにより、例え第2遮蔽部3に処理液ミストが付着したとしても、付着した処理液はスピンチャック6等の回転によって生じる気流(風圧)によって第2鍔部23の下端部23a側に移動し、下部排気口4に向かう気体の流れによって下部排気口4から排出される。したがって、基板12上に処理液ミストの液滴が付着することをより一層防止することができる。なお、第2鍔部23を設ける位置は、下部排気口4による排気を妨げない位置であればよく、第2遮蔽部3の上部排気口1側の端部に限定されるものではない。また、切り欠き部24の個数、並びに幅(基板12の径方向の幅)および長さ(スピンチャック6等の回転方向の長さ)は、第2鍔部23による処理液ミストの飛散防止効果を妨げない個数、並びに幅および長さであればよく、例えばスピンチャック6等の大きさや回転数、処理液の組成等に応じて適宜設定することができる。   More specifically, as shown in FIG. 5A, the second flange 23 is provided in a substantially circumferential shape at the end of the second shielding part 3 on the upper exhaust port 1 side, and a notch 24 is provided. That is, at least one notch 24 for draining the processing liquid mist adhering to the second shielding part 3 is formed in the second flange 23 (FIG. 5A shows four notches 24). Is shown). Therefore, the 2nd collar part 23 is divided | segmented into plurality when the two or more notch parts 24 are formed (it is divided | segmented into the same number as the number of the notch parts 24). As shown in FIGS. 5A and 5B, in the portion where the notch portion 24 is formed, the second flange portion 23 spirals so that the front and rear divided portions overlap in the radial direction of the substrate 12. The end of the rotation direction (counterclockwise in FIG. 5 (a)) of the spin chuck 6 and the like (the side where the lower end 23a is formed) is on the outer side (lower exhaust port 4 side). positioned. As a result, even if the processing liquid mist adheres to the second shielding part 3, the attached processing liquid moves to the lower end part 23 a side of the second flange part 23 due to the airflow (wind pressure) generated by the rotation of the spin chuck 6 or the like. The gas is discharged from the lower exhaust port 4 by the gas flow toward the lower exhaust port 4. Therefore, it is possible to further prevent the treatment liquid mist from adhering to the substrate 12. The position where the second flange 23 is provided is not limited to the end of the second shielding part 3 on the upper exhaust port 1 side as long as it does not hinder the exhaust through the lower exhaust port 4. In addition, the number of notches 24, the width (the width in the radial direction of the substrate 12) and the length (the length in the rotational direction of the spin chuck 6 and the like) are effective in preventing the processing liquid mist from scattering by the second flange 23. The number and the width and the length are not limited, and can be appropriately set according to the size and the number of rotations of the spin chuck 6 and the like, the composition of the treatment liquid, and the like.

第2鍔部23の鉛直方向の長さは、下部排気口4による排気を妨げない長さであればよい。但し、前記第2鍔部23の少なくとも一部、具体的には下端部23aは、図4に示すように、前記基板12の下方に位置していることが好ましい。これにより、基板12上に処理液ミストの液滴が付着することをさらに一層防止することができる。   The length of the second flange 23 in the vertical direction may be a length that does not hinder the exhaust through the lower exhaust port 4. However, it is preferable that at least a part of the second flange portion 23, specifically, the lower end portion 23a is located below the substrate 12, as shown in FIG. Thereby, it is possible to further prevent the treatment liquid mist from adhering to the substrate 12.

〔実施例〕
実施の形態1にて詳述した基板処理装置10を用いて、ミスト散乱防止効果を調べた。比較例として、基板の下部にのみ排気口を備え、基板を収容するカップの側壁から基板の外周までの距離が約40mm、当該側壁から基板の上面までの距離が約15mmである、従来の基板処理装置を用いた。評価条件として、各基板処理装置において、スプレーノズルを6つ用いて、直径300mmの基板に対して、基板の回転数1200rpmで処理を行った。各ノズルのシンナー流量15ml/min、空気流量10L/minであった。
〔Example〕
Using the substrate processing apparatus 10 detailed in the first embodiment, the mist scattering prevention effect was examined. As a comparative example, a conventional substrate having an exhaust port only at the bottom of the substrate, the distance from the side wall of the cup accommodating the substrate to the outer periphery of the substrate is about 40 mm, and the distance from the side wall to the upper surface of the substrate is about 15 mm A processing device was used. As an evaluation condition, in each substrate processing apparatus, a substrate having a diameter of 300 mm was processed at a substrate rotation speed of 1200 rpm using six spray nozzles. The thinner flow rate of each nozzle was 15 ml / min, and the air flow rate was 10 L / min.

カップ外部におけるミスト状の液滴の有無は、顕微鏡写真により確認した。その結果、図3(a)に示すように、従来の基板処理装置においては、カップの外部にミスト状の液滴が見られたが、図3(b)に示すように、基板処理装置10においては、カップ外部にミスト状の液滴が見られなかった。   The presence or absence of mist-like droplets outside the cup was confirmed by a micrograph. As a result, as shown in FIG. 3A, in the conventional substrate processing apparatus, mist-like liquid droplets were seen outside the cup. However, as shown in FIG. In, no mist-like droplets were observed outside the cup.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims. That is, embodiments obtained by combining technical means appropriately modified within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.

本発明に係る基板処理装置は、種々の分野で用いられる基板の処理に利用することができる。   The substrate processing apparatus according to the present invention can be used for processing of substrates used in various fields.

1 上部排気口
2 第1遮蔽部
3 第2遮蔽部
4 下部排気口
5 気流変更部
6 スピンチャック
10 基板処理装置
11 ノズル
12 基板
13 ダイシングテープ
14 ダイシングフレーム
22 第1鍔部
23 第2鍔部
23a 下端部
24 切り欠き部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Upper exhaust port 2 1st shielding part 3 2nd shielding part 4 Lower exhaust port 5 Airflow change part 6 Spin chuck 10 Substrate processing apparatus 11 Nozzle 12 Substrate 13 Dicing tape 14 Dicing frame 22 1st collar part 23 2nd collar part 23a Lower end 24 Notch

Claims (9)

ノズルから噴霧されたミスト状の液体により基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板の上方に位置し、前記基板上を流れる気体を基板の外周上方から排気する上部排気口と、
前記上部排気口から前記基板の方向に延伸するように設けられ、前記基板上を流れる気体が前記上部排気口に流れ込むように、当該気体の流れる向きを変更する第1遮蔽部と、
前記基板の上面と前記上部排気口との間に位置し、前記基板の上方に向かって流れる気体を前記基板の下方に向かって流れるように、当該気体の流れる向きを変更する第2遮蔽部と、を備え、
前記第1遮蔽部は、その少なくとも一部が前記基板に対して水平に設けられており、
前記第2遮蔽部には、第2遮蔽部に付着した前記液体が基板の方向に飛散することを防止する第2鍔部が垂設され、
前記第2鍔部には、第2遮蔽部に付着した前記液体を排液する切り欠き部が少なくとも1つ形成されていることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate with a mist-like liquid sprayed from a nozzle,
An upper exhaust port located above the substrate and exhausting the gas flowing on the substrate from above the outer periphery of the substrate;
A first shielding part that is provided so as to extend from the upper exhaust port in the direction of the substrate, and that changes a flow direction of the gas so that a gas flowing on the substrate flows into the upper exhaust port;
A second shielding part that is located between the upper surface of the substrate and the upper exhaust port, and changes a flow direction of the gas so that a gas flowing upward of the substrate flows downward of the substrate; With
At least a part of the first shielding part is provided horizontally with respect to the substrate ,
The second shield portion is provided with a second collar portion that prevents the liquid adhering to the second shield portion from scattering in the direction of the substrate,
The substrate processing apparatus , wherein at least one notch for draining the liquid adhering to the second shielding part is formed in the second collar part .
ノズルから噴霧されたミスト状の液体により基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板の上方に位置し、前記基板上を流れる気体を基板の外周上方から排気する上部排気口と、
前記上部排気口から前記基板の方向に延伸するように設けられ、前記基板上を流れる気体が前記上部排気口に流れ込むように、当該気体の流れる向きを変更する第1遮蔽部と、
前記基板の上面と前記上部排気口との間に位置し、前記基板の上方に向かって流れる気体を前記基板の下方に向かって流れるように、当該気体の流れる向きを変更する第2遮蔽部と、を備え、
前記第1遮蔽部は、前記上部排気口へと続く上部壁から階段状に、当該上部壁よりもさらに基板からの距離が離れるように設けられており、
前記第2遮蔽部には、第2遮蔽部に付着した前記液体が基板の方向に飛散することを防止する第2鍔部が垂設され、
前記第2鍔部には、第2遮蔽部に付着した前記液体を排液する切り欠き部が少なくとも1つ形成されていることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate with a mist-like liquid sprayed from a nozzle,
An upper exhaust port located above the substrate and exhausting the gas flowing on the substrate from above the outer periphery of the substrate;
A first shielding part that is provided so as to extend from the upper exhaust port in the direction of the substrate, and that changes a flow direction of the gas so that a gas flowing on the substrate flows into the upper exhaust port;
A second shielding part that is located between the upper surface of the substrate and the upper exhaust port, and changes a flow direction of the gas so that a gas flowing upward of the substrate flows downward of the substrate; With
The first shielding portion is provided in a staircase shape from the upper wall that continues to the upper exhaust port, so that the distance from the substrate is further away from the upper wall ,
The second shield portion is provided with a second collar portion that prevents the liquid adhering to the second shield portion from scattering in the direction of the substrate,
The substrate processing apparatus , wherein at least one notch for draining the liquid adhering to the second shielding part is formed in the second collar part .
前記第2遮蔽部と前記基板の外周との間の距離は、3〜20mmであり、
前記第2遮蔽部と前記基板の上面との間の距離は、10〜50mmであることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
The distance between the second shielding part and the outer periphery of the substrate is 3 to 20 mm,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein a distance between the second shielding unit and the upper surface of the substrate is 10 to 50 mm.
前記第2鍔部の少なくとも一部は、その下端が前記基板の下方に位置していることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a lower end of at least a part of the second flange portion is located below the substrate. 前記第1遮蔽部には、第1遮蔽部に付着した前記液体が基板の方向に飛散することを防止する第1鍔部が垂設されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の基板処理装置。 Wherein the first shielding part, any of claims 1 to 4, wherein the liquid adhering to the first shielding part, characterized in that the first flange portion is perpendicularly provided to prevent splashing toward the substrate The substrate processing apparatus according to claim 1. 前記基板の下方に位置する下部排気口と、
前記基板の下方に向かって流れる気体が前記下部排気口に流れ込むように、当該気体の流れる向きを変更する気流変更部と、
をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の基板処理装置。
A lower exhaust port located below the substrate;
An airflow changing unit that changes the flow direction of the gas so that the gas flowing downward of the substrate flows into the lower exhaust port;
The substrate processing apparatus according to claim 1 , further comprising:
前記上部排気口を2つ備え、これら上部排気口が前記基板を挟んで略対角位置に配置されていることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 , comprising two upper exhaust ports, and the upper exhaust ports are disposed at substantially diagonal positions with the substrate interposed therebetween. 前記上部排気口を介して前記基板上の気体を吸引する吸引手段をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜7の何れか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 , further comprising suction means for sucking a gas on the substrate through the upper exhaust port. 前記上部排気口は、前記気体の排気と共に、ミスト状の液体を排液することを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the upper exhaust port discharges a mist-like liquid together with the exhaust of the gas.
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