JP6076683B2 - The light-emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、タンデム素子を有する発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device having a tandem element.

有機ELディスプレイの商品化が加速している。 Commercialization of the organic EL display is accelerating. 屋外での使用にも耐えられるよう、ディスプレイに求められる輝度は年々増加している。 To withstand outdoor use, the luminance required for the display is increasing year by year.
一方、有機EL素子の発光輝度は電流に比例して大きくなることが知られており、高い輝度で発光させることが可能である。 On the other hand, light emission luminance of the organic EL element is known to increase in proportion to the current, it is possible to emit light at high brightness.

しかし、大きな電流を流すと有機EL素子の劣化を早めてしまう。 However, accelerate the deterioration of the organic EL element when a large current. このため、少ない電流で高い輝度を得ることができれば、発光素子の寿命を延ばすことが可能である。 Therefore, if it is possible to obtain high brightness at low current, it is possible to extend the life of the light emitting element. そこで、少ない電流で高い輝度が得られる発光素子として、複数の発光ユニットが積層されたタンデム素子が提案されている(例えば特許文献1参照)。 Therefore, as a light-emitting element has high luminance at low current obtained tandem element in which a plurality of light-emitting units are stacked it has been proposed (e.g. see Patent Document 1).

なお、本明細書において、発光ユニットとは、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を1つ有する層または積層体をいう。 In this specification, the light emitting unit, refers to a layer or laminate having one region where electrons and holes injected from both ends are recombined.

電極間に一の構成の発光ユニットがn個積層されたタンデム素子は、発光ユニットに一つの発光素子(シングル素子)の1/nの密度の電流を流すことによって、同等の発光を得ることができる。 Tandem element emitting units are n pieces stacked one configuration between the electrodes, by applying a current density of 1 / n of one light emitting element (single element) in the light emitting unit, it is possible to obtain an equivalent emission it can. また、該タンデム素子は、同じ電流密度で、該シングル素子のn倍の輝度を実現できる。 Further, the tandem devices, at the same current density, can be realized n times the brightness of the single element.

隣接してタンデム素子が設けられた発光パネルにおいては、クロストーク現象の発生という課題がある。 In the light emitting panel tandem element adjacent is provided, there is a problem that occurrence of cross-talk phenomenon. クロストーク現象とは、隣接するタンデム素子に一の導電性の高い層が設けられている場合、当該導電性の高い層を介して隣接するタンデム素子に電流がリークして発光してしまう現象である。 The cross-talk phenomenon, when the layer of high one conductive in tandem element adjacent are provided, a phenomenon current in tandem elements adjacent through high the conductive layers resulting in emission leaks is there.

タンデム素子では、導電性の高い中間層を介して複数の層を積層しており、構造上導電性の高い層と導電性の低い層とを有する。 The tandem device, and by stacking a plurality of layers through the highly conductive intermediate layer, and a lower layer with high and conductivity structure on the conductive layer. また、タンデム素子では、駆動電圧を低下させるために、有機化合物と金属酸化物との混合材料や導電性高分子等を含む導電性の高いキャリア注入層を用いることが多い。 Further, in the tandem devices, in order to lower the driving voltage, it is often used with high conductivity carrier injection layer comprising a mixed material and a conductive polymer such as an organic compound and a metal oxide. また、タンデム素子はシングル素子と比較して陽極と陰極間の電気抵抗が高く、導電性の高い層を経由して隣接画素へ電流が広がりやすい。 Further, the tandem device has a high electrical resistance between the anode and the cathode as compared to single element, easy to spread current to adjacent pixels via a highly conductive layer.

図12は、導電性の高い中間層86によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図である。 Figure 12 is a schematic diagram for explaining a crosstalk phenomenon occurs due to a high intermediate layer 86 electrically conductive. 白色を呈する光を発するタンデム素子が3本のストライプ状に設けられた発光パネル(白色パネル)において、第2のタンデム素子(Bライン、青ライン)のみ駆動させた様子を示す断面図である。 In the light emitting panel in which tandem element that emits light with white is provided on three stripes (white panel), the second tandem element (B-line, the blue line) is a sectional view showing a state of driving only.

発光パネルは、互いに隣接して配置された第1〜第3のタンデム素子を有している。 Emitting panel includes first to third tandem elements which are arranged adjacent to each other. 第1のタンデム素子(Rライン、赤ライン)は、上部電極81と第1の下部電極82との間に配置されている。 First tandem element (R line, red line) is disposed between the upper electrode 81 and the first lower electrode 82. 第2のタンデム素子は、上部電極81と第2の下部電極83との間に配置されている。 The second tandem element is disposed between the upper electrode 81 and the second lower electrode 83. 第3のタンデム素子(Gライン、緑ライン)は、上部電極81と第3の下部電極84との間に配置されている。 Third tandem element (G line, green line) is disposed between the upper electrode 81 and the third lower electrode 84.

第1〜第3のタンデム素子それぞれは、第1の発光ユニット85、中間層86及び第2の発光ユニット87が順に積層されている。 The first to third tandem element respectively, a first light-emitting unit 85, the intermediate layer 86 and the second light-emitting unit 87 are stacked in this order. 例えば、第1の発光ユニット85は青色を呈する光を発する発光層を有し、第2の発光ユニット87は緑色を呈する光を発する発光層及び赤色を呈する光を発する発光層を有する構成とし、各タンデム素子から白色を呈する発光を得ることができる。 For example, the first light-emitting unit 85 includes a light emitting layer that emits light with blue color, a second light-emitting unit 87 is configured to have a light-emitting layer that emits light with light-emitting layer and red emitting light exhibiting a green color, can be from the tandem devices obtain light emission exhibiting white.

図12では、透光性を有する上部電極を用い、上部電極上に対向ガラス基板88が配置されている。 In Figure 12, using the upper electrode having a light-facing glass substrate 88 is disposed on the upper electrode. 対向ガラス基板88は図示されていない青色カラーフィルタ、赤色カラーフィルタ及び緑色カラーフィルタを有している。 Counter glass substrate 88 is a blue color filter (not shown), and a red color filter and the green color filter. 赤色カラーフィルタは第1の下部電極82に重ねられ、青色カラーフィルタは第2の下部電極83に重ねられ、緑色カラーフィルタは第3の下部電極84に重ねられている。 Red color filter is superimposed on the first lower electrode 82, a blue color filter is superimposed on the second lower electrode 83, a green color filter is superimposed on the third lower electrode 84.

上記の発光パネルにおいて第2の下部電極83と上部電極81に電圧を印加して青ラインのみを駆動する際に、導電性の高い中間層86を介して隣接する第1のタンデム素子または第3のタンデム素子に電流がリークし、赤ラインまたは緑ラインが発光してクロストーク現象が発生することがある。 When driving only said second lower electrode 83 and the upper electrode 81 by applying a voltage blue line in the light emitting panel, a first tandem element or the third adjacent through high intermediate layer 86 of conductive current leaks in tandem device, there is a crosstalk phenomenon occurs red line or green line emitting light.

図13は、導電性の高いキャリア注入層(正孔注入層または電子注入層)89によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図であり、発光パネル(白色パネル)において青ラインのみ駆動させた様子を示す断面図である。 Figure 13 is a conductive high carrier injection layer (hole injection layer or an electron injection layer) 89 is a schematic diagram for explaining a crosstalk phenomenon occurs, only the blue line in the light-emitting panel (white panel) it is a sectional view showing a state in which was driven.

第1〜第3のタンデム素子それぞれは、導電性の高いキャリア注入層89を含む第1の発光ユニット85と、中間層86と、第2の発光ユニット87と、が順に積層されている。 The first to third tandem element respectively, the first light-emitting unit 85 including the carrier injection layer 89 having high conductivity, an intermediate layer 86, and a second light-emitting unit 87, are stacked in this order. キャリア注入層89としては例えば有機化合物と金属酸化物との混合材料や導電性高分子等を用いた導電性の高い層が挙げられる。 It can be mentioned, for example, an organic compound and a metal oxide and a highly conductive layer using the mixed material and a conductive polymer such as a carrier injection layer 89.

特開2008−234885号公報 JP 2008-234885 JP

本発明の一態様は、タンデム素子を有する発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することを課題とする。 One aspect of the present invention, it is an object to suppress the occurrence of a crosstalk phenomenon of a light emitting device having a tandem element.

本発明の一態様は、絶縁層上に形成された第1の電極及び第2の電極と、前記絶縁層上に形成され、前記第1の電極と前記第2の電極との間に位置する隔壁と、前記隔壁上に形成された凸部と、前記第1の電極、前記隔壁、前記凸部及び前記第2の電極それぞれの上に形成された第1の発光ユニットと、前記第1の発光ユニット上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第2の発光ユニットと、前記第2の発光ユニット上に形成された第3の電極と、を具備し、前記凸部の側面及び前記隔壁の側面によってくびれが形成されていることを特徴とする発光装置である。 One aspect of the present invention includes a first electrode and a second electrode formed on the insulating layer, is formed on the insulating layer, disposed between the second electrode and the first electrode and the partition wall, and a protrusion formed on the partition wall, the first electrode, the partition wall, and the first light-emitting unit formed on each of the convex portions and the second electrode, the first comprising an intermediate layer formed on the light emitting unit, and a second light-emitting unit formed on the intermediate layer, and a third electrode formed on the second light-emitting unit, wherein the convex portion constricted by side and a side surface of the partition wall is a light-emitting device, wherein a is formed.

また、上記の本発明の一態様において、前記凸部の側面と前記隔壁との間に空間を有するとよい。 In the above embodiment of the present invention, it may have a space between the side surface and the partition wall of the convex portion.

また、本発明の一態様において、前記凸部において、前記第1の発光ユニット及び前記中間層が切れているとよい。 Also, in one aspect of the present invention, in the convex portions, may the first light-emitting unit and the intermediate layer has expired.

また、本発明の一態様において、前記凸部の端部は、前記隔壁上における前記隔壁の被形成面に対して傾斜した面に形成されているとよい。 Also, in one aspect of the present invention, an end portion of the convex portion may be formed on the inclined surface with respect to the formation surface of the partition on the partition wall.

また、本発明の一態様において、前記くびれの変曲点が前記隔壁に形成されているとよい。 Also, in one aspect of the present invention, it may inflection point of the constriction is formed on the partition wall.

また、本発明の一態様において、前記凸部が前記隔壁の被形成面と平行方向に最も迫り出した第1の点から前記被形成面に対して引いた垂線と前記隔壁の表面との交点を第2の点とした場合の前記第1の点と前記第2の点の距離は、前記第1の電極上に位置する前記第1の発光ユニット及び前記中間層の合計厚さより大きく、前記第1の電極上に位置する前記第1の発光ユニット、前記中間層、前記第2の発光ユニット及び前記第3の電極の合計厚さ以下であるとよい。 Also, in one aspect of the present invention, the intersection of the convex portion is the partition wall of the forming surface and parallel to the most protruding the first said terms and perpendicular line drawn against the formation surface surface of the partition wall the distance between the first point and the second point in the case where the second point is greater than the total thickness of the first light-emitting unit and the intermediate layer disposed on the first electrode, the the first light-emitting unit located on the first electrode, the intermediate layer, may not more than the total thickness of the second light-emitting unit and the third electrode.

また、本発明の一態様において、前記凸部が前記隔壁の被形成面と平行方向に最も迫り出した第1の点から前記被形成面に対して引いた垂線と前記第2の発光ユニットの表面との交点を第3の点とした場合の前記第1の点と前記第3の点の距離は、前記第3の電極の厚さより小さいとよい。 Also, in one aspect of the present invention, the convex portion of the first said in terms of the a perpendicular line drawn against the formation surface second light-emitting unit that most protruding to the formation surface parallel direction of the partition wall the intersection of the surface the distance of the first point and the third point in the case where the third point, may less than the thickness of the third electrode.

また、本発明の一態様において、前記第1の発光ユニットはキャリア注入層を有すると駆動電圧を低下させることができるためよい。 Also, in one aspect of the present invention, the first light-emitting unit is good since it is possible to lower the driving voltage has a carrier injection layer. 本発明の一態様の発光装置では、凸部(以下、「スペーサ」ともいう。)においてキャリア注入層を段切れさせることができる。 In the light-emitting device of one embodiment of the present invention, the convex portion (hereinafter, also referred to as "spacers".) The carrier injection layer can give off stage at. 従って、駆動電圧低下のためにキャリア注入層を設ける場合でも、クロストーク現象の発生を抑制することができる。 Therefore, even when providing the carrier injection layer for lowering the driving voltage, it is possible to suppress the occurrence of cross-talk phenomenon.

また、本発明の一態様において、前記第1の電極及び前記第2の電極の上に配置されたカラーフィルタを有し、前記カラーフィルタは、前記第1の電極と重なる第1の色と、前記第2の電極と重なる第2の色を有するとよい。 Also, in one aspect of the present invention, has a color filter disposed on the first electrode and the second electrode, the color filter has a first color that overlaps with the first electrode, it may have a second color overlapping the second electrode.

なお、本明細書中における発光装置は、発光素子を画素(または副画素)に備える表示装置を含むものとする。 The light-emitting device in this specification is intended to include a display device including a light emitting element in a pixel (or subpixel). また、発光パネルは、発光素子を備える画素が隣接して設けられる表示パネルを含むものとする。 The light-emitting panel is assumed to pixels including a light emitting device includes a display panel provided adjacent. なお、発光モジュールは発光素子を含んで構成され、発光素子は発光層を含む発光ユニットを備える。 The light emitting module is configured to include a light-emitting element, the light emitting device including a light emitting unit including a light emitting layer.

本発明の一態様を適用することで、タンデム素子を有する発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することができる。 By application of one embodiment of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of a crosstalk phenomenon of a light emitting device having a tandem element.

(A)は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図、(B)は(A)の切断線A−BおよびC−Dにおける断面を含む構造の側面図。 (A) is a top view of the structure of a display panel which can be used for a display device of one embodiment of the present invention, (B) is a side view of a structure including a cross section taken along line A-B and C-D of (A) . (A)は画素の上面図、(B)は(A)の破線M−N間の断面図、(C)は、(A)の変形例を示す画素の上面図、(D)は(A)の変形例を示す画素の上面図。 (A) is a top view of the pixel, (B) is a sectional view between dashed M-N of the (A), (C) is a top view of a pixel showing a modified example of (A), (D) is (A top view of a pixel showing a modified example of). (A),(B)は図2(B)に示す隔壁、スペーサ、発光素子を拡大した断面図。 (A), (B) is a sectional view showing an enlarged partition wall, a spacer, a light-emitting element shown in FIG. 2 (B). (A),(B)は図2(B)の変形例を示す断面図。 (A), (B) is a sectional view showing a modification of FIG. 2 (B). (A)は発光ユニットが2つ積層されたタンデム型の発光素子の構成を説明するための図、(B)は発光ユニットの具体的な構成の一例を示す図、(C)は発光ユニットが複数積層されたタンデム型の発光素子の構成を示す図。 (A) is a diagram for explaining the configuration of a tandem-type light emitting device stacked light-emitting units 2, (B) is a diagram showing an example of a specific configuration of the light emitting unit, the (C) the light-emitting unit diagram showing a configuration of a plurality stacked tandem light-emitting element. 図3(A)の変形例を示す断面図。 Sectional view showing a modification of FIG. 3 (A). (A)は実施例の発光素子の隔壁とスペーサの断面構造を示す写真、(B)は(A)に示すくびれ153を拡大した写真、(C)は(A)に示す領域154を拡大した写真。 (A) is a photograph showing a sectional structure of the partition and the spacer of the light-emitting elements of Example, (B) is enlarged photograph of the constriction 153 (A), a is (C) an enlarged area 154 shown in (A) Photo. (A)〜(C)は図7(B)と同様の断面を示す写真であってくびれの高さ等を詳細に説明する図。 (A) ~ (C) FIG. 7 (B) height, etc. shows the detailed constriction a photograph showing a cross section similar to the. 図7(B)と同様の断面を示す写真であってくびれの高さ等を詳細に説明する図。 Figure 7 (B) height, etc. shows the detailed constriction a photograph showing a cross section similar to the. 実施例の発光素子を備えた発光パネルを青単色で表示させた写真。 Photos the light-emitting panel having a light-emitting element of Example was displayed in blue monochromatic. (A)は比較例の発光素子の隔壁の断面構造を示す写真、(B)は比較例の発光素子を備えた発光パネルを青単色で表示させた写真。 (A) is a photograph showing a sectional structure of the partition walls of the light emitting device of the comparative example, (B) photo of displaying a luminous panel including a light emitting element of Comparative Example in blue monochromatic. 導電性の高い中間層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図。 Schematic diagram for explaining a crosstalk phenomenon occurs due to a highly conductive intermediate layer. 導電性の高いキャリア注入層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図。 Schematic diagram for explaining a crosstalk phenomenon occurs due to a highly conductive carrier injection layer.

以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。 In the following, it is described in detail with reference to the drawings, embodiments of the present invention. ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。 However, the present invention is that the following is not limited to the description can various changes and modifications without departing from the spirit and scope of the present invention, is easily understood by those skilled in the art. 従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Accordingly, the present invention is not to be construed as being limited to the description of the embodiments below.

(実施の形態1) (Embodiment 1)
<表示パネルの構成> <Configuration of the display panel>
本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を図1に示す。 The structure of a display panel which can be used for a display device of one embodiment of the present invention shown in FIG. 図1(A)は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図であり、図1(B)は図1(A)の切断線A−BおよびC−Dにおける断面を含む構造の側面図である。 1 (A) is a top view of the structure of a display panel which can be used for a display device of one embodiment of the present invention, FIG. 1 (B) cutting line A-B and C-D in FIG. 1 (A) it is a side view of a structure including a cross section taken.

本実施の形態で例示して説明する表示パネル400は、第1の基板410上に表示部401を有し、表示部401には画素402が複数設けられている。 Display panel 400 which will be exemplified in this embodiment includes a display unit 401 on the first substrate 410, the pixel 402 is provided with a plurality on the display unit 401. また、画素402には複数(例えば3つ)の副画素が設けられている(図1(A)参照)。 The sub pixels of a plurality (e.g., three) are provided in the pixel 402 (see FIG. 1 (A)). また、第1の基板410上には表示部401と共に当該表示部401を駆動するソース側の駆動回路部403s、ゲート側の駆動回路部403gが設けられている。 The driving circuit of the source-side on the first substrate 410 for driving the display unit 401 together with the display unit 401 403 s, the gate side driver circuit portion 403g is provided. なお、駆動回路部を第1の基板410上ではなく外部に形成することもできる。 Incidentally, it can be formed outside instead of the driving circuit unit on the first substrate 410.

表示パネル400は外部入力端子を備え、FPC(フレキシブルプリントサーキット)409を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。 Display panel 400 includes an external input terminal, through an FPC (flexible printed circuit) 409 receives video signals, clock signals, start signals, reset signals and the like.

シール材405は、第1の基板410と第2の基板(以下、「対向基板」ともいう。)170を貼り合わせ、その間に形成された空間431に表示部401が封止されている(図1(B)参照)。 Sealant 405 includes a first substrate 410 and the second substrate (hereinafter, also referred to as a "counter substrate".) Joining the 170, and the display unit 401 is sealed in a space 431 formed therebetween (FIG. 1 (B) see).

表示パネル400の断面を含む構造について、図1(B)を参照して説明する。 The structure including the cross section of the display panel 400 will be described with reference to FIG. 1 (B). 表示パネル400は、ソース側の駆動回路部403sと、画素402に含まれる副画素402G及び副画素402Bと、引き回し配線408を備える。 Display panel 400 includes a source side driver circuit portion 403 s, and the sub-pixel 402G and the sub-pixel 402B included in the pixel 402, a lead wiring 408. なお、本実施の形態で例示する表示パネル400の表示部401は、図中に示す矢印の方向に光を射出して、画像を表示する。 The display unit 401 of the display panel 400 described in this embodiment is to emit light in the direction of the arrow shown in the figure, an image is displayed.

ソース側の駆動回路部403sはnチャネル型トランジスタ413と、pチャネル型トランジスタ414とを組み合わせたCMOS回路を含む。 The source side driver circuit portion 403s includes an n-channel transistor 413, a CMOS circuit combining a p-channel transistor 414. なお、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のCMOS回路、PMOS回路またはNMOS回路で構成しても良い。 The driving circuit is not limited to this configuration, various CMOS circuits, may be a PMOS circuit, or NMOS circuit.

引き回し配線408は外部入力端子から入力される信号をソース側の駆動回路部403sおよびゲート側の駆動回路部403gに伝送する。 Lead wiring 408 transmits a signal input from the external input terminal to the source side driver circuit portion 403s and the gate side driver circuit portion 403 g.

副画素402Gは、スイッチング用のトランジスタ411と電流制御用のトランジスタ412と発光モジュール450Gとを有する。 Subpixel 402G has a transistor 411 and a transistor 412 for current control for switching the light emitting module 450G. なお、トランジスタ411等の上には、絶縁層416と隔壁150とが形成されている。 Incidentally, on such as transistors 411, an insulating layer 416 and the partition 150 are formed. 発光モジュール450Gは、第1の電極(以下、「第1の下部電極」ともいう。)118aと、第3の電極(以下、「上部電極」ともいう。)122と、第1の下部電極118a及び上部電極122の間に有機層120とを備える発光素子130aを有する。 Emitting module 450G includes a first electrode (hereinafter, also referred to as a "first lower electrode".) 118a and a third electrode (hereinafter, also referred to as "upper electrode".) And 122, the first lower electrode 118a and having a light emitting element 130a and a organic layer 120 between the upper electrode 122. 同様に、副画素402Bが有する発光モジュール450Bは、第2の電極(以下、「第2の下部電極」ともいう。)118bと、上部電極122と、第2の下部電極118b及び上部電極122の間に有機層120とを備える発光素子130bを有する。 Similarly, the light emitting module 450B to the sub-pixel 402B has the second electrode (hereinafter, also referred to as a "second lower electrode".) 118b and an upper electrode 122, the second lower electrode 118b and the upper electrode 122 having a light emitting element 130b and a organic layer 120 between. 発光素子130a,130bが発する光を射出する上部電極122側にカラーフィルタ171が設けられている。 Emitting element 130a, a color filter 171 is provided on the upper electrode 122 side which emits light 130b emitted. なお、表示部401が画像を表示する方向は、発光素子130a,130bが発する光が取り出される方向により決定される。 The direction in which the display unit 401 to display an image, the light emitting element 130a, the light 130b emitted is determined by the direction to be taken out.

なお、発光素子において、下部電極又は上部電極の少なくとも一方が有機層120の発光を透過すれば良い。 Note that in the light-emitting element, at least one of the lower electrode or the upper electrode may be transmitting the light emitted from the organic layer 120. 例えば、図1(B)では、上部電極122が有機層120の発光を透過する構成を示す。 For example, in FIG. 1 (B), the shows the configuration of the upper electrode 122 is transmitted through the light emission of the organic layer 120.

また、カラーフィルタ171を囲むように遮光性の膜(以下、「ブラックマトリクス」ともいう。)172が形成されている。 Also, light-shielding film so as to surround the color filter 171 (hereinafter, also referred to as "black matrix".) 172 is formed. ブラックマトリクス172は表示パネル400が外光を反射する現象を防ぐ膜であり、表示部401が表示する画像のコントラストを高める効果を奏する。 The black matrix 172 is a film for preventing a phenomenon in which the display panel 400 reflects external light, an effect of enhancing the contrast of an image display unit 401 displays. なお、カラーフィルタ171とブラックマトリクス172は、対向基板170に形成されている。 The color filter 171 and the black matrix 172 is formed on the counter substrate 170.

絶縁層416は、トランジスタ411等の構造に由来して生じる段差を平坦化、または、トランジスタ411等への不純物の拡散を抑制するための、絶縁性の層であり、単一の層であっても複数の層の積層体であってもよい。 Insulating layer 416, flattening the step formed by from structures such as transistor 411, or, for suppressing the diffusion of impurities into the transistor 411 or the like, an insulating layer, a single layer it may also be a laminate of a plurality of layers. 隔壁150は開口部を有する絶縁性の層であり、発光素子130a,130bは隔壁150の開口部に形成される。 Partition 150 is an insulating layer having an opening, the light emitting element 130a, 130b is formed in the opening of the partition 150.

<トランジスタの構成> <Structure of a transistor>
図1(A)に例示する表示パネル400には、トップゲート型のトランジスタが適用されているがこれに限られず、ボトムゲート型のトランジスタも適用することができる。 The display panel 400 illustrated in FIG. 1 (A), but top gate type transistor is applied is not limited to this and can be applied bottom gate transistor. ソース側の駆動回路部403s、ゲート側の駆動回路部403g並びに副画素にはさまざまな構造のトランジスタを適用できる。 The source side driver circuit portion 403 s, the driver circuit portion 403g and the subpixel of the gate side may be applied to transistors of various structures. また、これらのトランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。 In the region where the channel of the transistor is formed, it is possible to use a variety of semiconductor. 具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。 Specifically, amorphous silicon, polysilicon, other single crystal silicon, or the like can be used an oxide semiconductor. 酸化物半導体の一例としては、少なくともインジウム(In)あるいは亜鉛(Zn)を含む酸化物半導体を挙げることができ、InとZnを含む酸化物半導体が好ましい。 An example of an oxide semiconductor, an oxide semiconductor can be cited which contains at least indium (In) or zinc (Zn), an oxide semiconductor containing In and Zn are preferable. また、ガリウム(Ga)またはスズ(Sn)から選ばれた一種または複数を含む酸化物半導体が特に好ましい。 Further, gallium (Ga) or an oxide semiconductor containing one or more selected from tin (Sn) is particularly preferred.

トランジスタのチャネルが形成される領域に単結晶半導体を用いると、トランジスタサイズを微細化することが可能となるため、表示部において画素をさらに高精細化することができる。 When using a single crystal semiconductor in a region where a channel of a transistor is formed, it becomes possible to miniaturize the transistor size can be much finer and the pixels in the display unit.

半導体層を構成する単結晶半導体としては、単結晶シリコン基板などの半導体基板の他、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたSOI(Silicon On Insulator)基板を用いることができる。 The single crystal semiconductor constituting the semiconductor layer, another semiconductor substrate such as a single crystal silicon substrate, a SOI (Silicon On Insulator) substrate in which a single crystal semiconductor layer is provided on an insulating surface.

<画素の構成> <Structure of the pixel>
表示部401に設けられた画素402の構成について、図2(A),(B)及び図3を参照して説明する。 The structure of a pixel 402 provided in the display unit 401, FIG. 2 (A), described with reference to (B) and FIG.

図2は、隔壁150、スペーサ155(凸部とも記す)、発光部160R,160G,160Bの位置関係の一例について示している。 2, the partition 150, (also referred to as a convex portion) spacer 155, the light emitting unit 160R, 160G, shows an example of a positional relationship of 160B. 図2(A)は画素402の上面図であり、図2(B)は図2(A)の破線M−N間の断面図の一例である。 2 (A) is a top view of a pixel 402, FIG. 2 (B) is an example of a cross-sectional view between dashed M-N in FIG. 2 (A). 図3(A),(B)は図2(B)に示す隔壁、スペーサ、発光素子130bを拡大した断面図の一例である。 Figure 3 (A), (B) is an example of a partition wall, spacers, enlarged cross-sectional view of a light emitting device 130b shown in FIG. 2 (B). なお、図2(A)では、有機層120、上部電極122、オーバーコート層173、カラーフィルタ171、ブラックマトリクス172、及び対向基板170の図示を省略している。 In FIG. 2 (A), the organic layer 120, an upper electrode 122, an overcoat layer 173 are not shown color filter 171, black matrix 172 and the counter substrate 170,.

本実施の形態で例示する画素402は、赤色を呈する光Rを射出する副画素402R、緑色を呈する光Gを射出する副画素402G、青色を呈する光Bを射出する副画素402Bを有する。 Pixel 402 exemplified in this embodiment includes the sub-pixel 402R that emits light R exhibiting red, sub-pixel 402G that emits light G exhibited green, sub-pixel 402B that emits light B exhibited blue. 副画素402Rは赤色発光部160Rを有し、副画素402Gは緑色発光部160Gを有し、副画素402Bは青色発光部160Bを有する。 Subpixel 402R includes a red light emitting unit 160R, the sub-pixel 402G includes a green light-emitting portion 160G, the sub-pixel 402B includes a blue light-emitting portion 160B. 赤色発光部160R、緑色発光部160G、及び青色発光部160Bそれぞれは隔壁150の開口部に位置している(図2(A)参照)。 Red light emitting unit 160R, the green light emitting unit 160G, and each blue light-emitting portion 160B is positioned in the opening of the partition wall 150 (see FIG. 2 (A)).

各色の発光部160R,160G,160Bは、下部電極、有機層、上部電極122からなる発光素子を含む。 Each color of the light emitting unit 160R, 160G, 160B includes a light emitting element comprising a lower electrode, an organic layer, the upper electrode 122. 例えば、緑色発光部160Gは、第1の下部電極118a、有機層120、上部電極122からなる発光素子130aを含み、青色発光部160Bは、第2の下部電極118b、有機層120、上部電極122からなる発光素子130bを含む(図2(B)参照)。 For example, green light emitting unit 160G includes a first lower electrode 118a, the organic layer 120 includes a light emitting element 130a composed of the upper electrode 122, the blue light-emitting portion 160B, the second lower electrode 118b, the organic layer 120, an upper electrode 122 including a light emitting element 130b composed of (see FIG. 2 (B)). 有機層120は第1の発光ユニット141、中間層142、及び第2の発光ユニット143を含む(図3(A)参照)。 The organic layer 120 includes a first light-emitting unit 141, the intermediate layer 142, and the second light-emitting unit 143 (see Figure 3 (A)). また、対向基板170上には、発光部と重なる位置に設けられたカラーフィルタ171と、隔壁150と重なる位置に設けられたブラックマトリクス172と、カラーフィルタ171及びブラックマトリクス172を覆うオーバーコート層173が形成されている(図2(B)参照)。 Further, on the counter substrate 170 includes a color filter 171 that overlaps with the light emitting portion, a black matrix 172 provided at a position overlapping the barrier rib 150, an overcoat layer covering the color filters 171 and the black matrix 172 173 There has been formed (see FIG. 2 (B)). オーバーコート層173は必要で無ければ設けなくても良い。 The overcoat layer 173 may not be provided if it is not necessary.

各色の発光部160R,160G,160Bは、下部電極と、上部電極122と、第1の発光ユニット141、中間層142、及び第2の発光ユニット143を含む有機層120と、を有する発光素子を備える。 Each color of the light emitting unit 160R, 160G, 160B includes a lower electrode, an upper electrode 122, the first light-emitting unit 141, an organic layer 120 including an intermediate layer 142, and the second light-emitting unit 143, a light emitting device having a provided. 中間層142の導電性は第1の発光ユニット141より高い。 Conductive intermediate layer 142 is higher than the first light-emitting unit 141.

また、副画素402Gは、駆動用トランジスタと発光モジュール450Gとを備える。 The sub-pixel 402G includes a driving transistor and the light emitting module 450G. 他の副画素402R,402Bも副画素402Gと同様の構成である。 Other sub-pixels 402R, 402B is the same configuration as the sub-pixel 402G. 発光モジュールは、それぞれ下部電極と、上部電極122と、下部電極及び上部電極122の間に位置する有機層120と、を備える発光素子を有する(図1(B)参照)。 The light emitting module includes a lower electrode, an upper electrode 122, an organic layer 120 positioned between the lower electrode and the upper electrode 122, a light emitting device including a (see FIG. 1 (B)).

発光素子の構成としては、下部電極及び上部電極の間に、第1の発光ユニット141と中間層142と第2の発光ユニット143を含む有機層120を備える。 The structure of the light-emitting element, between the lower electrode and the upper electrode comprises an organic layer 120 including the first light-emitting unit 141 and the intermediate layer 142 and the second light-emitting unit 143.

なお、発光素子において、下部電極又は上部電極の少なくとも一方が有機層の発光を透過すれば良い。 Note that in the light-emitting element, at least one of the lower electrode or the upper electrode may be transmitting the light emitted from the organic layer. 例えば、第1及び第2の下部電極118a,118bに反射膜を用い、上部電極122に半透過・半反射膜を用いても良い。 For example, first and second lower electrodes 118a, a reflective film used in 118b, the upper electrode 122 may be a semi-transmissive and semi-reflective film. 反射膜と半透過・半反射膜を重ねて微小共振器を構成し、その間に有機層120を設けると、半透過・半反射膜(上部電極122)側から特定の波長の光を効率良く取り出せる。 Overlapping the reflective film and the semi-transmissive and semi-reflective film constituting the microresonator, the provision of the organic layer 120 therebetween, taken out light of a specific wavelength from the semi-transmissive and semi-reflective film (upper electrode 122) side efficiently . 取り出す光の波長は、反射膜と半透過・半反射膜の間の距離に依存し、その距離は、反射膜と半透過・半反射膜の間に光学調整層を形成して調整できる。 The wavelength of light to be extracted is dependent on the distance between the reflective film and the semi-transmissive and semi-reflective film, the distance can be adjusted to form the optical adjustment layer between the reflective layer and the semi-transmissive and semi-reflective film.

光学調整層に用いることができる材料としては、可視光に対して透光性を有する導電膜の他、発光性の有機化合物を含む層を適用できる。 The material can be used for the optical adjustment layer, another conductive film having a light-transmitting property with respect to visible light can be applied a layer containing a light-emitting organic compound. 例えば、電荷発生領域の厚さを調整することにより、電荷発生領域が光学調整層を兼ねる構成としてもよい。 For example, by adjusting the thickness of the charge generation region may be configured to charge-generation region also serves as the optical adjustment layer. または、正孔輸送性の高い物質と、該正孔輸送性の高い物質に対してアクセプター性の物質と、を含む領域(混合材料層)の厚さを調整することにより、当該混合材料層が光学調整層を兼ねる構成としても良く、この構成を用いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。 Or, a high hole-transporting substance, and an acceptor substance with respect to the hole transporting property, a substance having a high by adjusting the thickness of the region (mixed material layer) containing, the mixed material layer It may be configured to serve as the optical adjustment layer, the use of this configuration, even optical adjustment layer is thick structure preferable because it can suppress an increase in driving voltage.

なお、発光素子の構成例については、実施の形態2で詳細に説明する。 The configuration example of the light-emitting element will be described in detail in the second embodiment.

本実施の形態で例示する発光モジュール450Gは、それぞれの発光モジュールに設けられた発光素子の上部電極122が、半透過・半反射膜を兼ねる構成となっている。 Emitting module 450G described in this embodiment, the upper electrode 122 of the light-emitting element provided in each of the light emitting module has a structure serving as a semi-transmissive and semi-reflective film. 詳細には、それぞれの発光素子に共通して設けられた上部電極122が、それぞれの発光モジュールの半透過・半反射膜を兼ねる。 Specifically, the upper electrode 122 provided in common to each light-emitting element, also serves as a semi-transmissive and semi-reflective film of each of the light emitting module.

また、それぞれの発光モジュールには、発光素子の下部電極が電気的に独立して設けられており、下部電極は、発光モジュールの反射膜を兼ねる構成となっている。 Further, each of the light emitting module, the lower electrode of the light emitting element is provided electrically independent, the lower electrode is configured to also serve as a reflection film of the light emitting module.

発光モジュールそれぞれの反射膜を兼ねる下部電極は、反射膜上に光学調整層が積層された構成を有する。 The lower electrode also serving as a light emitting module each of the reflective film has a structure in which the optical adjustment layer is laminated on the reflective film. 光学調整層は可視光に対する透光性を有する導電膜で形成され、反射膜は可視光に対する反射率が高く、導電性を有する金属膜が好ましい。 Optical adjustment layer is formed of a conductive film having a property of transmitting visible light, reflective film has a high reflectance to visible light, a metal film having conductivity is preferable.

光学調整層の厚さは、発光モジュールから取り出す光の波長の長さに応じて調整する。 The thickness of the optical adjustment layer is adjusted according to the length of the wavelength of light extracted from the light-emitting module. 以下に詳細に説明する。 It will be described below in detail.

例えば、発光モジュール(青色)を、青色を呈する光を透過するカラーフィルタと、400nm以上500nm未満の波長の光を強め合うように光学距離を調整された反射膜を兼ねる下部電極と半透過・半反射膜を兼ねる上部電極を備える構成とする。 For example, the light emitting module (blue) color filters and a lower electrode also serving as a reflective film that is adjusted optical distance constructively light of wavelength less than 400 nm 500 nm and the semi-transmissive and semi-that transmits light exhibited blue a structure in which an upper electrode serving as a reflecting film.

また、発光モジュール450Gを、緑色を呈する光を透過するカラーフィルタと、500nm以上600nm未満の波長の光を強め合うように光学距離を調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える構成とする。 Further, the light emitting module 450G, and the color filter transmitting light exhibited green, and configuration including the reflective film and the semi-transmissive and semi-reflective film that is adjusted optical distance constructively light of wavelengths less than 500 nm 600 nm to.

また、発光モジュール(赤色)を、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタと、600nm以上800nm未満の波長の光を強め合うように光学距離を調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える構成とする。 Also comprises a light-emitting module (red), a color filter which transmits light exhibiting a red, a reflective film and the semi-transmissive and semi-reflective film that is adjusted optical distance constructively light of wavelength less than or 600 nm 800 nm configuration to.

このような構成の発光モジュールは、反射膜と半透過・半反射膜の間で発光素子が発する光が干渉し合い、400nm以上800nm未満の波長を有する光のうち特定の光が強め合い、さらにカラーフィルタが不要な光を吸収する。 Such configuration emitting module of the reflection film and mutually light interference light emitting element emits at the semi-transmissive and semi-reflective film, constructive particular of light among the light having a wavelength of less than or 400 nm 800 nm, further color filter to absorb unwanted light.

なお、それぞれの発光モジュールは、いずれも第1の発光ユニット141と中間層142と第2の発光ユニット143を有する有機層120を含む。 Incidentally, each of the light emitting module, both containing an organic layer 120 having the first light-emitting unit 141 and the intermediate layer 142 and the second light-emitting unit 143. また、発光素子それぞれの一対の電極(下部電極と上部電極)の一方が反射膜を兼ね、他方が半透過・半反射膜を兼ねている。 Further, one of each pair of electrodes emitting element (the lower electrode and the upper electrode) also serves as a reflection film, the other also serves as a semi-transmissive and semi-reflective film.

このような構成の発光モジュールは、発光ユニットを同一の工程で形成できる。 Light-emitting module having such a configuration can form a light-emitting unit in the same step.

<隔壁とスペーサ(凸部)の構成> <Configuration of the partition and the spacer (convex)>
隔壁150は、画素402の周囲、副画素402B,402G,402Rの周囲及び発光部160R,160G,160Bの周囲に形成されている(図2(A)参照)。 Partition 150 is surrounding pixels 402, the sub-pixels 402B, 402G, around the 402R and the light emitting unit 160R, 160G, and is formed around the 160B (see FIG. 2 (A)).

隔壁150は、第1及び第2の下部電極118a,118bの相互間に形成され、且つ第1及び第2の下部電極118a,118bそれぞれの端部を覆うように形成されている。 Partition 150 includes first and second lower electrodes 118a, formed between 118b mutually, and first and second lower electrodes 118a, it is formed so as 118b to cover the respective end portions. 隔壁150上にはスペーサ155が形成されており、スペーサ155は隔壁150の被形成面と平行方向に迫り出した形状であるとよく、スペーサ155の側面及び隔壁150の側面によってくびれが形成されているとよい。 Over the partition wall 150 has a spacer 155 is formed, the spacer 155 may if there in a shape protruding in the direction parallel to a formation surface of the partition 150, constricted by the side of the side surface and the partition 150 of the spacer 155 is formed it may have. つまり、スペーサ155は、隔壁150の外表面に凸形状で形成され、スペーサ155の側面と隔壁150の側面でくびれが形成されているとよい。 That is, the spacer 155 is formed in a convex shape on the outer surface of the partition wall 150, may constricted side surfaces and the partition 150 of the spacer 155 is formed. それにより、スペーサ155の側面と隔壁150との間に空間(空隙)156を有することが好ましい。 Thus, it is preferred to have a space (gap) 156 between the side surface and the partition 150 of the spacer 155. 隔壁150及びスペーサ155の材料としては、それぞれポジ型やネガ型の感光性樹脂を用いることができる(図2(B)参照)。 As a material of the partition 150 and the spacer 155 can be used at a positive or negative photosensitive resin (see FIG. 2 (B)).

図3(A)に示すように、スペーサ155が隔壁150の被形成面と平行方向に最も迫り出した点を第1の点Xとし、その第1の点Xから隔壁150の被形成面又は基板の表面に対して引いた垂線と隔壁150の表面との交点を第2の点Y1とし、第1の点Xと第2の点Y1の距離をくびれの高さL1とする。 As shown in FIG. 3 (A), the point at which the spacer 155 is most protruding in the direction parallel to a formation surface of the partition wall 150 as the first point X, the formation surface of the partition wall 150 from the first point X or the intersection between the drawn perpendicular the surface of the partition wall 150 to the surface of the substrate and the second point Y1, and the height L1 of the constricted first point X and the distance of the second point Y1. この場合、くびれの高さL1は、第2の下部電極118b上に位置する第1の発光ユニット141及び中間層142の合計厚さA1より大きく、第2の下部電極118b上に位置する第1の発光ユニット141、中間層142、第2の発光ユニット143及び上部電極122の合計厚さA2以下であるとよい。 In this case, the height L1 of the constriction, the first located on the first light-emitting unit 141 and greater than the combined thickness A1 of the intermediate layer 142, the second lower electrode 118b located on the second lower electrode 118b light-emitting unit 141, the intermediate layer 142, may not more than the total thickness A2 of the second light-emitting unit 143 and the upper electrode 122. これにより、スペーサ155の側面において第1の発光ユニット141及び導電性の高い中間層142を段切れさせ、且つ上部電極122を段切れさせないようにすることができる。 Thus, the first light-emitting unit 141 and the highly conductive intermediate layer 142 is discontinuity in the side surface of the spacer 155 and the upper electrode 122 can be prevented let off stage. なお、第1の点Xと第2の点Y1を結ぶ線の内側は空間(空隙)156が存在する。 Incidentally, the inside of the line connecting the first point X and the second point Y1 space (gap) 156 is present.

ここで、スペーサ155を設けることで、上部電極122の膜厚が薄い領域が生じると、上部電極122の抵抗に起因した電位降下による発光不良から、表示の輝度ムラ等の不具合が生じる場合がある。 Here, by providing the spacer 155, the thickness of the upper electrode 122 is a thin region occurs, there is a case where the light emission failure by due to the potential drop in the resistance of the upper electrode 122, resulting a defect such as uneven luminance of the display . したがって、図6に示すように、第2の発光ユニット143を段切れさせないことで、上部電極122が段切れしないだけでなく、上部電極122の薄膜化を抑制することが好ましい。 Accordingly, as shown in FIG. 6, that not to cut the second stage the light-emitting unit 143, not only the upper electrode 122 is not disconnection, it is preferable to suppress the thinning of the upper electrode 122.

図3(B)に示すように、スペーサ155が隔壁150の被形成面と平行方向に最も迫り出した点を第1の点Xとし、その第1の点Xから隔壁150の被形成面又は基板の表面に対して引いた垂線と第2の発光ユニット143の表面との交点を第3の点Y2とし、第1の点Xと第3の点Y2の距離をL2とする。 As shown in FIG. 3 (B), the point at which the spacer 155 is most protruding in the direction parallel to a formation surface of the partition wall 150 as the first point X, the formation surface of the partition wall 150 from the first point X or the intersection of the surface of the perpendicular line and the second light-emitting unit 143 drawn to the surface of the substrate as the third point Y2, the first point X and the distance of the third point Y2 and L2. この場合、距離L2は、上部電極122の厚さA3より小さいとよい。 In this case, the distance L2 is, the upper electrode 122 thickness A3 smaller than good. これにより、有機層120を構成する全ての層が段切れしても、上部電極122を段切れしないようにすることができる。 This allows all of the layers constituting the organic layer 120 is also disconnection, the upper electrode 122 so as not to disconnection. なお、厚さA1,A2,A3は、各層の表面から、第2の下部電極118bの被形成面又は基板の表面に対して引いた垂線上の値である。 The thickness A1, A2, A3 from the surface of each layer, the value of the perpendicular line drawn against the formation surface or the surface of the substrate of the second lower electrode 118b.

また、本発明の一態様に係る有機EL素子の例は、下記のとおりである。 Further, examples of the organic EL device according to an embodiment of the present invention are as follows.
第1の発光ユニット141の膜厚: 約75nm(30nm〜200nm) The thickness of the first light-emitting unit 141: approximately 75 nm (30 nm to 200 nm)
中間層142の厚さ: 約30nm(1nm〜100nm) The thickness of the intermediate layer 142: about 30 nm (1 nm~100 nm)
第2の発光ユニット143の膜厚: 約90nm(30nm〜200nm) The film thickness of the second light-emitting unit 143: approximately 90 nm (30 nm to 200 nm)
上部電極122(透明電極又は反射電極): 厚さ15nmのMgAgと厚さ70nmのITO(酸化インジウムスズ;Indium Tin Oxide)の積層 (合計厚さ5nm〜200nm) Upper electrode 122 (transparent electrode or a reflective electrode) of MgAg and thickness 70nm thick 15 nm ITO (indium tin oxide; Indium Tin Oxide) stack of (total thickness 5 nm to 200 nm)

スペーサ155の配置は、図2(A)に示す配置に限定されるものではなく、図2(C)又は図2(D)に示す配置にしてもよい。 Arrangement of the spacer 155 is not limited to the arrangement shown in FIG. 2 (A), it may be arranged shown in FIG. 2 (C) or FIG. 2 (D). 図2(A)に示すスペーサ155では、隣接する全ての発光部間に設けられている。 In the spacer 155 shown in FIG. 2 (A), it is provided between all adjacent light-emitting portion. 図2(C),(D)に示すスペーサ155では、隣接し異なる色を呈する発光部間に設けられ、隣接し同じ色を呈する発光部間には設けられていない。 In FIG. 2 (C), the spacer 155 shown in (D), provided between adjacent light-emitting portions which exhibit and different colors, between adjacent light-emitting portions which exhibit to the same color it is not provided. つまり、スペーサ155は、少なくとも隣接し異なる色を呈する発光部間に設けられていれば良い。 That is, the spacer 155, may be provided between the light emitting portion exhibiting at least adjacent different colors. これにより、隣接し異なる色を呈する発光部間に位置するスペーサ155において第1の発光ユニット141及び中間層142を段切れさせることができる。 Thus, it is possible to let off stage the first light-emitting unit 141 and the intermediate layer 142 in the spacer 155 located between the adjacent light-emitting portions which exhibit and different colors.

スペーサ155と隔壁150によって作られるくびれの形状は、図2(B)に示す形状に限定されるものではなく、図4(A)に示す形状にすると好ましい。 The shape of the constriction produced by the spacer 155 and the partition 150 is not limited to the shape shown in FIG. 2 (B), preferably in the shape shown in FIG. 4 (A). 図2(B)では、くびれの変曲点が隔壁150とスペーサ155の接触面に形成されるが、図4(A)では、くびれの変曲点が隔壁150に形成される。 In FIG. 2 (B), the although the inflection point of the constriction is formed on the contact surface of the partition wall 150 and the spacer 155, in FIG. 4 (A), the inflection point of the constriction is formed in the partition wall 150. つまり、スペーサ155は、隔壁150の外表面に凸形状で形成され、隔壁150の側面に、くびれの変曲点が形成されるとよい。 That is, the spacer 155 is formed in a convex shape on the outer surface of the partition wall 150, the side surface of the partition 150, may inflection point of the constriction is formed. スペーサ155を形成する際に、スペーサ155をマスクとして隔壁150をエッチングすることにより、くびれの変曲点を隔壁150に形成することができる。 In forming the spacer 155, by etching the barrier rib 150 a spacer 155 as a mask to form an inflection point of the constriction in the partition 150. これにより、上記のくびれの高さL1をより高くすることができる。 Thus, it is possible to increase the height L1 of the constriction above.

スペーサ155の配置は、図2(B)に示す配置に限定されるものではなく、図4(B)に示す配置にすると好ましい。 Arrangement of the spacer 155 is not limited to the arrangement shown in FIG. 2 (B), preferably when the arrangement shown in FIG. 4 (B). つまり、図2(B)に示すように、スペーサ155の端部は、隔壁150の表面の平坦部(即ち、隔壁150の被形成面に概略平行な面を有する領域)に設けられているが、図4(B)に示すように、スペーサ155の端部は、隔壁150の表面の傾斜部(即ち、隔壁150の被形成面に対して傾斜した面又は平行でない面を有する領域)に設けられていると好ましい。 That is, as shown in FIG. 2 (B), the ends of the spacer 155, the flat portion of the surface of the partition wall 150 (i.e., a region having a generally parallel plane to the formation surface of the partition wall 150) is provided in the as shown in FIG. 4 (B), the ends of the spacer 155 is provided on the inclined portion of the surface of the partition wall 150 (i.e., a region having an inclined surface or not parallel plane with respect to the formation surface of the partition wall 150) preferably it is. このように隔壁150の表面の傾斜部にスペーサ155の端部を配置することで、上記のくびれの高さL1をより高くすることができる。 By arranging the end of the spacer 155 to the inclined portion of the surface of the partition wall 150, it is possible to increase the height L1 of the constriction above.

なお、図2(B)及び図4(A),(B)では、隣接する発光部間の有機層120は切れており、上部電極122は切れていない場合の例を示している。 Incidentally, and FIG. 2 (B) and FIG. 4 (A), the shows an example of a case where the (B), the organic layer 120 between the light emitting portion adjacent is expired, unbroken upper electrode 122.
また、図2(C),(D)では、有機層120、上部電極122、オーバーコート層173、カラーフィルタ171、ブラックマトリクス172、及び対向基板170の図示を省略しており、隔壁150の開口部が、発光部(赤色発光部160R、緑色発光部160G、又は青色発光部160B)に相当する。 Further, in FIG. 2 (C), (D), an organic layer 120, an upper electrode 122, an overcoat layer 173, has been omitted color filter 171, black matrix 172 and the counter substrate 170, an opening of the partition 150 part corresponds to the light-emitting portion (the red light emitting unit 160R, the green light emitting unit 160G, or a blue light-emitting portion 160B).

本実施の形態によれば、スペーサ155と隔壁150によって作られるくびれにおいて第1の発光ユニット141を段切れさせることにより、第1の発光ユニット141に含まれる導電性の高い層(例えばキャリア注入層等)についても段切れさせることができる。 According to this embodiment, the spacer 155 and by giving off stage the first light-emitting unit 141 in the constricted created by the partition 150, a highly conductive layer included in the first light-emitting unit 141 (e.g., a carrier injection layer can also let off stage for etc.). このため、その導電性の高い層は導電性が損なわれて流れる電流が抑制され、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制することができる。 Therefore, the layer with high conductivity is suppressed current flowing conductivity is impaired, so that the emission color of the neighboring suppressing crosstalk between different pixels or sub-pixels.

また、スペーサ155と隔壁150によって作られるくびれにおいて中間層142を段切れさせることにより、中間層142は導電性が損なわれて流れる電流が抑制され、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制することができる。 Further, by giving off stage the intermediate layer 142 in the constricted made by the spacer 155 and the partition 150, the intermediate layer 142 is conductive is impaired current flowing is suppressed, inter-pixel emission color of neighboring different or subpixels, it is possible to suppress the crosstalk between.

また、上部電極122を段切れさせないようにすることにより、隣接する画素において、上部電極122の電位が等しくなり、上部電極122が面状に等電位、好ましくは上部電極122の全体が等電位となり、電圧降下を抑制できる等の効果がある。 Also, by not let off stage the upper electrode 122, in adjacent pixels, equalizes the potential of the upper electrode 122, equipotential upper electrode 122 is planar, preferably becomes equipotential whole of the upper electrode 122 , there is an effect such that can suppress the voltage drop.

また、半透過・半反射膜を第1の基板410側に設けて、発光モジュールが発する光を第1の基板410側に取り出して、画像を表示する構成においては、隔壁150に可視光を吸収する材料を適用すると、当該隔壁が、第1の基板410に設けた半透過・半反射膜が反射する外光を吸収し、その反射を抑制できる。 Further, the semi-transmissive and semi-reflective film provided on the side the first substrate 410 is taken out the light emitting module emits toward the first substrate 410, in the configuration for displaying an image, absorbing visible light in the partition 150 applying materials, the partition walls, the semi-transmissive and semi-reflective film provided on the first substrate 410 to absorb external light reflected can suppress the reflection.

<封止構造> <Sealing structure>
本実施の形態で例示する表示パネル400は、第1の基板410、第2の基板170、およびシール材405で囲まれた空間431に、発光素子を封止する構造を備える(図1参照)。 The display panel 400 described in this embodiment, the first substrate 410, the space 431 surrounded by the second substrate 170 and the sealing material 405, comprises a structure for sealing the light emitting device (see FIG. 1) .

空間431は、不活性気体(窒素やアルゴン等)で充填される場合の他、樹脂で充填される場合もある。 Space 431, other when it is filled with an inert gas (such as nitrogen or argon), it may be filled with resin. また、不純物(代表的には水および/または酸素)の吸着材(例えば、乾燥剤など)を空間431に導入しても良い。 Further, the adsorbent of impurities (typically water and / or oxygen) (e.g., such as a desiccant) may be introduced into the space 431.

シール材405および第2の基板170は、大気中の不純物(代表的には水および/または酸素)をできるだけ透過しない材料であることが望ましい。 Sealant 405 and the second substrate 170, it is desirable (typically water and / or oxygen) impurities in the air is a material which does not transmit as much as possible. シール材405にはエポキシ系樹脂や、ガラスフリット等を用いることができる。 The sealing member 405 may be used or an epoxy resin, a glass frit and the like.

第2の基板170に用いることができる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板や、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)等をその例に挙げることができる。 As the material which can be used for the second substrate 170, a glass substrate, a quartz substrate, PVF (polyvinyl fluoride), or a plastic substrate made of polyester, acrylic, or the like, examples of such FRP (Fiberglass-Reinforced Plastics) it can be given to.

<発光装置の製造方法> <Method of manufacturing the light-emitting device>
本発明の一態様に係る発光装置の製造方法について図2(B)及び図3を参照しつつ説明する。 Method for manufacturing a light emitting device according to one embodiment of the present invention FIG. 2 (B) and will be described with reference to FIG.

絶縁層416上に電極層を形成し、この電極層上にフォトレジスト膜(図示せず)を形成し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、電極層上にはレジストマスクが形成される。 The electrode layer is formed over the insulating layer 416, the on the electrode layer to form a photoresist film (not shown), by exposing and developing the photoresist film, the resist mask is formed on the electrode layer that. 次いで、このレジストマスクをマスクとして電極層をエッチング加工することにより、絶縁層416上に第1及び第2の下部電極118a,118bを形成する(図2(B)参照)。 Then, by etching the electrode layer using the resist mask as a mask, the first and second lower electrodes 118a on the insulating layer 416, to form a 118b (see FIG. 2 (B)).

次に、第1及び第2の下部電極118a,118bそれぞれの端部上及び絶縁層416上に隔壁150を形成する。 Next, a partition wall 150 on the first and second lower electrodes 118a, 118b each end and on the insulating layer 416. 次いで、隔壁150、第1及び第2の下部電極118a,118bの上に感光性ポジ型材料膜を塗布し、この感光性ポジ型材料膜を露光及び現像することにより、隔壁150上にスペーサ155を形成する。 Then, barrier ribs 150, first and second lower electrodes 118a, a photosensitive positive-type material layer is applied on the 118b, by exposing and developing the photosensitive positive-type material layer, the spacer 155 on the partition 150 to form. スペーサ155は隔壁150の被形成面と平行方向に迫り出した形状とされ、スペーサ155の側面及び隔壁150の側面によってくびれが形成される。 The spacer 155 is a shape protruding in the direction parallel to a formation surface of the partition 150, constricted by the side of the side surface and the partition 150 of the spacer 155 is formed.

次に、第1及び第2の下部電極118a,118b、隔壁150及びスペーサ155の上に蒸着法により第1の発光ユニット141を形成し、第1の発光ユニット141上に蒸着法により中間層142を形成する。 Next, the first and second lower electrodes 118a, 118b, to form a first light-emitting unit 141 by vapor deposition on the partition wall 150 and the spacer 155, the intermediate layer by an evaporation method on the first light-emitting unit 141 142 to form. 中間層142の導電性は、第2の発光ユニット143よりも高い。 Conductive intermediate layer 142 is higher than the second light-emitting unit 143. 次に、中間層142上に蒸着法により第2の発光ユニット143を形成し、第2の発光ユニット143上に上部電極122を形成する。 Next, the second light-emitting unit 143 is formed by vapor deposition on the intermediate layer 142, an upper electrode 122 on the second light-emitting unit 143.

スペーサ155の側面及び隔壁150の側面によって形成されたくびれの高さL1は、第2の下部電極118b上に位置する第1の発光ユニット141及び中間層142の合計厚さA1より大きく、第2の下部電極118b上に位置する第1の発光ユニット141、中間層142、第2の発光ユニット143及び上部電極122の合計厚さA2以下である。 The height L1 of the constriction formed by the side surfaces and the partition wall 150 of the spacer 155 is greater than the total thickness A1 of the first light-emitting unit 141 and the intermediate layer 142 located on the second lower electrode 118b, the second the first light-emitting unit 141 located on the lower electrode 118b of the intermediate layer 142 is less than or equal to the total thickness A2 of the second light-emitting unit 143 and the upper electrode 122. このため、くびれにおいて第1の発光ユニット141、導電性の高い中間層142及び第2の発光ユニット143は段切れし、上部電極122は段切れしない(図3(A)参照)。 Therefore, the first light-emitting unit 141, a highly conductive intermediate layer 142 and the second light-emitting unit 143 in the constriction is discontinuity, the upper electrode 122 is not disconnection (see Figure 3 (A)).

次に、隔壁上に位置する上部電極122と近接または接するカラーフィルタ171を配置し、シール材によって発光素子を不活性気体または樹脂によって封止する。 Next, place the color filter 171 close to or in contact with the upper electrode 122 positioned on the partition wall, to seal the light emitting device by an inert gas or a resin with a sealant. カラーフィルタ171は、例えば、第1の下部電極118aと重なる緑色のカラーフィルタと、第2の下部電極118bと重なる青色のカラーフィルタを有し、青色のカラーフィルタと緑色のカラーフィルタの間には遮光性の膜172が形成されている(図2(B)参照)。 The color filter 171 includes, for example, a green color filter overlaps with the first lower electrode 118a, having a blue color filter overlaps with the second lower electrode 118b, between the blue color filter and a green color filter light-blocking film 172 is formed (see FIG. 2 (B)).

(実施の形態2) (Embodiment 2)
本発明の一態様の発光モジュールに用いることができる発光素子の構成について図5を参照しつつ説明する。 Configuration of light emitting elements can be used for the light-emitting module of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施の形態で例示する発光素子は、下部電極、上部電極、及び下部電極と上部電極の間に有機層を備える。 Emitting element described in this embodiment includes an organic layer between the lower electrode, the upper electrode, and the lower electrode and the upper electrode. 下部電極または上部電極のいずれか一方は陽極、他方は陰極として機能する。 Is either one of the lower electrode or the upper electrode is an anode and the other functions as a cathode. 有機層は下部電極と上部電極の間に設けられ、該有機層の構成は下部電極と上部電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。 The organic layer is disposed between the lower electrode and the upper electrode, the structure of the organic layer may be selected as appropriate depending on the material of the lower electrode and the upper electrode.

<発光素子の構成例> <Configuration example of a light emitting device>
発光素子の構成の一例を図5(A)に示す。 An example of a structure of the light-emitting element shown in FIG. 5 (A). 図5(A)に例示する発光素子は、陽極1101と陰極1102の間に発光ユニット1103aと発光ユニット1103bを含む有機層が設けられている。 Light-emitting element illustrated in FIG. 5 (A), the organic layer including a light emitting unit 1103a and the light-emitting unit 1103b between the anode 1101 and the cathode 1102 is provided. さらに、発光ユニット1103aと、発光ユニット1103bとの間には中間層1104が設けられている。 Furthermore, a light emitting unit 1103a, the intermediate layer 1104 is provided between the light emitting unit 1103b.

陽極1101と陰極1102の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、有機層に陽極1101の側から正孔が注入され、陰極1102の側から電子が注入される。 Between the anode 1101 and the cathode 1102, the application of a higher than the threshold voltage of the light-emitting element, holes from the anode 1101 side are injected into the organic layer, electrons are injected from the cathode 1102 side. 注入された電子と正孔は有機層において再結合し、有機層に含まれる発光物質が発光する。 The injected electrons and holes are recombined in the organic layer, the luminescent material emits light contained in the organic layer.

陽極1101と陰極1102の間に設ける発光ユニットの数は2つに限定されない。 The number of light emitting units provided between the anode 1101 and the cathode 1102 is not limited to two. 図5(C)に例示する発光素子は、発光ユニット1103が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発光素子の構成を備える。 Emitting element illustrated in FIG. 5 (C) includes light emitting units 1103 are stacked structure, so-called a configuration of a tandem light-emitting element. 但し、例えば陽極と陰極の間にn(nは2以上の自然数)層の発光ユニット1103を設ける場合には、m番目の発光ユニットと、(m+1)番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層1104を設ける構成とする。 However, for example, when n (n is two or more natural number) provided a light emitting unit 1103 of the layer between the anode and the cathode, and the m-th light-emitting unit, between the (m + 1) th light-emitting unit, the intermediate respectively a structure in which a layer 1104.

発光ユニット1103は、少なくとも発光物質を含む発光層を1つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。 Light-emitting unit 1103 only needs to comprise a light emitting layer containing at least a light emitting substance one or more, may be laminated with a layer other than the light emitting layer structure. 発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい(ブロッキングする)物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性(電子及び正孔の輸送性の高い)の物質等を含む層が挙げられる。 The layers other than the light-emitting layer, for example, a hole injecting property, a substance having a high hole-transport property, a substance having a high (blocking) poor hole transporting property higher substance substance having a high electron-transport property, electron injection property , as well as a layer containing a substance such as a bipolar property (a high electron and hole transporting property). 特に、陽極に接して設けられる正孔注入性の高い物質を含む層および陰極に接して設けられる電子注入性の高い物質を含む層は、電極から発光ユニットへのキャリアの注入に係る障壁を低減する。 In particular, a layer containing an electron-injecting property, a substance having a high provided in contact with the layer and the cathode including a substance having a high hole-injecting property, which is provided in contact with the anode, reduces barriers to injection of carriers from the electrode to the light emitting unit to. これらの層はキャリア注入層ということができる。 These layers can be said that the carrier injection layer.

発光ユニット1103の具体的な構成の一例を図5(B)に示す。 An example of a specific structure of the light-emitting unit 1103 shown in FIG. 5 (B). 図5(B)に示す発光ユニット1103は、正孔注入層1113、正孔輸送層1114、発光層1115、電子輸送層1116、並びに電子注入層1117が陽極1101側からこの順に積層されている。 Light-emitting unit 1103 shown in FIG. 5 (B), a hole injection layer 1113, a hole transport layer 1114, the light emitting layer 1115, an electron-transporting layer 1116 and an electron injection layer 1117 are stacked in this order from the anode 1101 side.

中間層1104の具体的な構成の一例を図5(A)に示す。 An example of a specific structure of the intermediate layer 1104 shown in FIG. 5 (A). 中間層1104は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。 The intermediate layer 1104 may be formed to include at least a charge generation region, it may be a layer with stacked structure other than the charge-generation region. 例えば、第1の電荷発生領域1104c、電子リレー層1104b、及び電子注入バッファ層1104aが陰極1102側から順次積層された構造を適用することができる。 For example, it is possible first charge generation region 1104 c, an electron-relay layer 1104b, and an electron injection buffer layer 1104a is applied sequentially stacked from the cathode 1102 side.

中間層1104における電子と正孔の挙動について説明する。 It will be described behaviors of electrons and holes in the intermediate layer 1104. 陽極1101と陰極1102の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第1の電荷発生領域1104cにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極1102側に設けられた発光ユニット1103bへ移動し、電子は電子リレー層1104bへ移動する。 Between the anode 1101 and the cathode 1102, the application of a higher than the threshold voltage of the light-emitting element, in the first charge generation region 1104 c, holes and electrons are generated, the light emitting unit hole is provided on the cathode 1102 side navigate to 1103b, the electrons move into the electron-relay layer 1104b.

電子リレー層1104bは電子輸送性が高く、第1の電荷発生領域1104cで生じた電子を電子注入バッファ層1104aに速やかに受け渡す。 The electron-relay layer 1104b has a high electron-transport property, immediately transfers the electrons generated in the first charge generation region 1104c electron injection buffer layer 1104a. 電子注入バッファ層1104aは発光ユニット1103aに電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニット1103aへの電子注入効率を高める。 Electron injection buffer layer 1104a relaxes the barriers of injecting electrons into the light emitting unit 1103a, increasing the electron injection efficiency to the light emitting unit 1103a. 従って、第1の電荷発生領域1104cで発生した電子は、電子リレー層1104bと電子注入バッファ層1104aを経て、発光ユニット1103aの最低空軌道準位(以下、「LUMO準位」という。)に注入される。 Therefore, the electrons generated in the first charge generation region 1104c passes through the electron-relay layer 1104b and the electron injection buffer layer 1104a, injected into the light-emitting unit lowest unoccupied molecular orbital level of 1103a (hereinafter. Referred to as "LUMO level") It is.

また、電子リレー層1104bは、第1の電荷発生領域1104cを構成する物質と電子注入バッファ層1104aを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしまう等の相互作用を防ぐことができる。 Further, the electron-relay layer 1104b is a substance constituting the material and an electron injection buffer layer 1104a constituting the first charge generation region 1104c react at the interface, preventing the interaction of such mutual function is impaired can.

陰極側に設けられた発光ユニット1103bに注入された正孔は、陰極1102から注入された電子と再結合し、当該発光ユニット1103bに含まれる発光物質が発光する。 The holes injected into the light-emitting unit 1103b provided on the cathode side are recombined with electrons injected from the cathode 1102, the light emitting substance emits light contained in the light-emitting unit 1103b. また、陽極側に設けられた発光ユニット1103aに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニット1103aに含まれる発光物質が発光する。 The electrons injected into the light emitting unit 1103a provided on the anode side are recombined with holes injected from the anode side, light-emitting substance emits light contained in the light emitting unit 1103a. よって、中間層1104において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。 Therefore, holes and electrons generated in the intermediate layer 1104 cause light emission in different emission units respectively.

なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。 Incidentally, by providing in contact with the light emitting unit to each other, if the same structure as the intermediate layer is formed therebetween, it can be provided in contact with the light emitting unit to each other. 具体的には、発光ユニットの一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第1の電荷発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。 Specifically, when the one surface in the charge generation region of the light emitting unit is formed, for the charge generation region serves as a first charge generation region of the intermediate layer, it is provided in contact with the light emitting unit to each other it can.

なお、陰極とn番目の発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。 Incidentally, an intermediate layer may be provided between the cathode and the n-th light-emitting unit.

<発光素子に用いることができる材料> <Material for the light-emitting element>
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、有機層、電荷発生領域、電子リレー層並びに電子注入バッファ層の順に説明する。 Next, specific materials that may be used for the light-emitting device having the configuration described above, an anode, a cathode, an organic layer will be described charge generation region, in the order of the electron-relay layer, and electronic injection buffer layer.

<陽極に用いることができる材料> <Material for the anode>
陽極1101は、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上が好ましい)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。 The anode 1101, a metal, (or 4.0eV is specifically preferably) metal, alloy, electrically conductive compound, and it is preferable to use a mixture thereof. 具体的には、例えば、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。 Specifically, for example, indium tin oxide (ITO: Indium Tin Oxide), silicon or indium tin oxide containing silicon oxide, indium zinc oxide (Indium Zinc Oxide), oxide containing tungsten oxide and zinc oxide indium, and the like.

この他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン等)、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。 In addition, gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium ( pd), titanium (Ti), nitride of a metal material (e.g., titanium nitride), molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide, manganese oxide, titanium oxide, and the like.

但し、陽極1101と接して第2の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極1101に用いることができる。 However, the case where a second charge generation region is provided in contact with the anode 1101, a variety of conductive materials regardless of their work functions can be used for the anode 1101. 具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。 Specifically, besides a material with a high work function, it can also be used a material with a low work function. 第2の電荷発生領域を構成する材料については、第1の電荷発生領域と共に後述する。 The material constituting the second charge generation region, will be described later in conjunction with the first charge generation region.

<陰極に用いることができる材料> <Material for the cathode>
陰極1102は、仕事関数の小さい(具体的には4.0eV未満)材料が好ましいが、陰極1102に接して第1の電荷発生領域を、発光ユニット1103との間に設ける場合、陰極1102は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。 The cathode 1102 is preferably a material (4.0 eV below specifically) a small work function, if the first charge generation region in contact with the cathode 1102 is provided between the light emitting unit 1103, a cathode 1102 work it can be used a variety of conductive materials regardless of the function.

なお、陰極1102および陽極1101のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。 Note that at least one of the cathode 1102 and the anode 1101 is formed using a conductive film which transmits visible light. 可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。 As the conductive film which transmits visible light, such as indium oxide including tungsten oxide, indium zinc oxide containing tungsten oxide, indium oxide containing titanium oxide, indium tin oxide containing titanium oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, and the like indium tin oxide to which silicon oxide is added. また、光を透過する程度(好ましくは、5nm以上30nm以下程度)の金属薄膜を用いることもできる。 Also, enough to transmit light (preferably, 30 nm or less extent than 5 nm) can also be a metal thin film.

<有機層に用いることができる材料> <Material for the organic layer>
上述した発光ユニット1103を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。 For materials which can be used in layers constituting the light-emitting unit 1103 described above, a specific example below.

<正孔注入層> <Hole injection layer>
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。 The hole injection layer is a layer containing a substance having a high hole-injecting property. 正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。 The substance having a high hole-injecting property, for example, molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide, can be used manganese oxide, or the like. この他、フタロシアニン(略称:H2Pc)や銅フタロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。 In addition, phthalocyanine (abbreviation: H2Pc) or copper phthalocyanine (abbreviation: CuPc) phthalocyanine-based compound such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (styrenesulfonic acid) (PEDOT / PSS), such as it is possible to form a hole injection layer by a polymer or the like.

なお、正孔注入層の代わりに第2の電荷発生領域を用いてもよい。 It is also possible to use a second charge generation region instead of the hole injection layer. 第2の電荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極1101に用いることができるのは前述の通りである。 With the second charge generation region, it is as defined above can be used for the anode 1101 a variety of conductive materials regardless of their work functions. 第2の電荷発生領域を構成する材料については第1の電荷発生領域と共に後述する。 The material constituting the second charge generation region will be described later in conjunction with the first charge generation region.

<正孔輸送層> <Hole Transport Layer>
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。 The hole transport layer is a layer containing a substance having a high hole-transporting property. 正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。 The hole transport layer is not limited to a single layer a layer containing a substance having a high hole-transport property may be a stack of two or more layers. 電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に10 −6 cm /Vs以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。 Long high substance property of transporting more holes than electrons, a substance especially having 10 -6 cm 2 / Vs or hole mobility is preferable because it can reduce the driving voltage of the light-emitting element.

<発光層> <Light-Emitting Layer>
発光層は、発光物質を含む層である。 Emitting layer is a layer containing a light emitting substance. 発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。 Light-emitting layer is a layer including a luminescent substance is not limited to a single layer or a stack of two or more layers. 発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。 Luminescent substances can be used or a fluorescent compound, a phosphorescent compound. 発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。 The use of phosphorescent compound in the light emitting substance, preferably for enhanced emission efficiency of a light-emitting element.

発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。 Luminescent material is preferably dispersed in a host material. ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。 As the host material, the excitation energy is large is preferred than the excitation energy of the luminescent substance.

<電子輸送層> <Electron Transport Layer>
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。 Electron-transporting layer is a layer containing a substance having a high electron-transport property. 電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。 Electron-transporting layer, a layer containing a substance having a high electron-transport property is not limited to a single layer or a stack of two or more layers. 正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に10 −6 cm /Vs以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。 Long electron transporting property is higher than the hole a substance especially having 10 -6 cm 2 / Vs or more electron mobility, preferably it is possible to reduce the driving voltage of the light-emitting element.

<電子注入層> <Electron injection layer>
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。 The electron injection layer is a layer containing a substance having a high electron-injection property. 電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。 Electron injection layer, a layer containing a substance having a high electron-injection property is not limited to a single layer or a stack of two or more layers. 電子注入層を設ける構成とすることで陰極1102からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。 Increased efficiency of electron injection from the cathode 1102 in the structure where an electron injecting layer, preferred because it can reduce the driving voltage of the light-emitting element.

電子注入性の高い物質としては、例えばリチウム(Li)、セシウム(Cs)、カルシウム(Ca)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの化合物が挙げられる。 The substance having a high electron-injection property, for example, lithium (Li), cesium (Cs), calcium (Ca), lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), alkali metal such as calcium fluoride (CaF2), alkaline earth metals or their compounds. また電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属、マグネシウム(Mg)又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いることもできる。 Can also those containing an alkali metal or alkaline earth metal, magnesium (Mg) or their compounds in the material having an electron-transporting property, for example, be used such as those including magnesium (Mg), Alq .

<電荷発生領域に用いることができる材料> <Material for the charge production region>
第1の電荷発生領域1104c、及び第2の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。 The first charge generation region 1104 c, and the second charge generation region is a region including a high hole-transporting substance and an acceptor substance. なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。 Note that the charge generation region is not limited to containing the high material and an acceptor substance hole-transport property in the same film, and a layer stack including a layer and an acceptor substance having a high hole-transporting substance it may be. 但し、陰極に接して設けられる第1の電荷発生領域が積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極1102と接する構造となる。 However, if the first charge generation region provided in contact with the cathode of the laminated structure, a structure in which a layer containing a substance having a high hole-transport property is in contact with the cathode 1102. 陽極に接して設けられる第2の電荷発生領域が積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が陽極1101と接する構造となる。 If the second charge generation region provided in contact with the anode has a stacked structure, a structure in which a layer containing an acceptor substance is in contact with the anode 1101.

なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、0.1以上4.0以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。 Note that in the charge generation region, the mass ratio with respect to a substance having a high hole transporting property, it is preferable to add an acceptor substance at a ratio of 0.1 to 4.0.

電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物、特に元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物が好ましい。 As the acceptor substance used for the charge production region, a transition metal oxide, especially Group 4 to oxide of a metal belonging to Group 8 of the periodic table it is preferred. 具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。 Specifically, molybdenum oxide is particularly preferable. なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。 Note that molybdenum oxide has a low hygroscopic property.

また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマーを含む)など、種々の有機化合物を用いることができる。 As the substance having a high hole-transporting property used for the charge production region, aromatic amine compounds, carbazole derivatives, aromatic hydrocarbons, high molecular compounds (oligomers, dendrimers, including polymers) such as, using various organic compounds be able to. 具体的には、10 −6 cm /Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。 Specifically, it is preferable to use a substance having a 10 -6 cm 2 / Vs or higher hole mobility. 但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。 However, if high substance property of transporting more holes than electrons may be used other than the above.

<電子リレー層に用いることができる材料> <Material for the electron-relay layer>
電子リレー層1104bは、第1の電荷発生領域1104cにおいてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。 The electron-relay layer 1104b is a layer that can receive quickly the electrons acceptor substance is drawn out by the first charge generation region 1104 c. 従って、電子リレー層1104bは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのLUMO準位は、第1の電荷発生領域1104cにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、発光ユニット1103のLUMO準位との間に位置する。 Thus, the electron-relay layer 1104b is a layer including a substance having a high electron and its LUMO level, and an acceptor level of the acceptor substance in the first charge generation region 1104 c, LUMO level of the light-emitting unit 1103 located between the positions. 具体的には、およそ−5.0eV以上−3.0eV以下とするのが好ましい。 Specifically, preferably less than about -5.0 eV -3.0 eV.

電子リレー層1104bに用いる物質としては、例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。 As the substance used for the electron-relay layer 1104b, for example, a perylene derivative and a nitrogen-containing condensed aromatic compound. なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層1104bに用いる物質として好ましい。 Note that a nitrogen-containing condensed aromatic compound is preferably used for the electron-relay layer 1104b for a stable compound. さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフッ素などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層1104bにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。 Among nitrogen-containing condensed aromatic compound, by using a compound having an electron withdrawing group such as a cyano group or a fluorine, to become more easily receives the electrons in the electron-relay layer 1104b, preferred.

<電子注入バッファ層に用いることができる材料> <Material for the electron-injection buffer layer>
電子注入バッファ層1104aは、第1の電荷発生領域1104cから発光ユニット1103aへの電子の注入を容易にする層である。 Electron injection buffer layer 1104a is a layer for facilitating the injection of electrons into the emitting unit 1103a from the first charge generation region 1104 c. 電子注入バッファ層1104aを第1の電荷発生領域1104cと発光ユニット1103aの間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。 By providing the electron injection buffer layer 1104a between the first charge generation region 1104c and the light emitting unit 1103a, it is possible to alleviate the injection barrier therebetween.

電子注入バッファ層1104aには、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。 The electron injection buffer layer 1104a, alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, and their compounds (alkali metal compound (an oxide such as lithium oxide, including halide, carbonate such as lithium carbonate or cesium carbonate) , alkaline earth metal compound (including an oxide, a halide, and carbonate), an alkaline earth metal compound (including an oxide, a halide, and carbonate)) can be used an electron injecting highly substance such as it is.

また、電子注入バッファ層1104aが、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。 The electron injection buffer layer 1104a is the case where it is formed to include a substance having a high electron-transport property and a donor substance, at a mass ratio relative to the substance having a high electron-transport property, 0.001 to 0.1 it is preferred to add a donor substance in the ratio. なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。 As the donor substance comprising an alkali metal, alkaline earth metals, rare earth metals, and their compounds (alkali metal compounds (oxides of lithium oxide or the like, a halide, a carbonate such as lithium carbonate or cesium carbonate) , alkaline earth metal compound (including an oxide, a halide, and carbonate), an alkaline earth metal compound (including an oxide, a halide, and carbonate)) other, tetrathianaphthacene (abbreviation: TTN), nickelocene, it can also be used an organic compound such as decamethylnickelocene. なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した発光ユニット1103の一部に形成することができる電子輸送層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。 As the substance having a high electron-transporting property can be formed using the same material as the electron transport layer material can be formed on a part of the light-emitting unit 1103 previously described.

<発光素子の作製方法> <Method for manufacturing a light-emitting element>
発光素子の作製方法の一態様について説明する。 It will be described one embodiment of a method for manufacturing a light-emitting element. 下部電極上にこれらの層を適宜組み合わせて有機層を形成する。 On the lower electrode by combining these layers as appropriate to form the organic layer. 有機層は、それに用いる材料に応じて種々の方法(例えば、乾式法や湿式法等)を用いることができ、例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。 The organic layer in various ways depending on the material used therefor (e.g., a dry process or a wet process) can be used, for example, a vacuum deposition method, may be used to choose an inkjet method or a spin coating method. また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。 It may also be formed using different methods for each layer. 有機層上に上部電極を形成し、発光素子を作製する。 An upper electrode formed on the organic layer to produce a light-emitting element.

以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製することができる。 By combination of the above-described materials, it is possible to fabricate a light emitting element described in this embodiment. この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は発光物質の種類を変えることにより選択できる。 From this light emitting device, light emission is obtained from the above-described light-emitting substance, the emission color can be selected by changing the type of the light-emitting substance.

また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて、例えば白色発光を得ることもできる。 Further, by using the emission colors different luminescent material, by expanding the width of the emission spectrum, it may for example be obtained white light. 白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも2つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈する光を発するように構成すればよい。 In the case of obtaining white light emission, for example, at least two comprises constituting the layer containing a light emitting substance may be configured to emit light exhibiting a color in each layer are complementary colors to each other. 具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。 Specific complementary colors, for example blue and yellow or blue-green and red, and the like.

さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるものが好ましく、例えば、一つの発光素子が青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。 Furthermore, in the case of obtaining a good white light emission with color rendering properties, preferably those emission spectrum spreads visible light range, for example, a layer one light emitting element emits light exhibited blue, a layer that emits light with green, red there may be provided a layer that emits light with.

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。 Note that this embodiment can be freely combined with any of the other embodiments in this specification.

図7(A)は、実施例の発光素子の隔壁とスペーサ(凸部)の断面構造を示す写真であり、図7(B)は、図7(A)に示すスペーサの側面及び隔壁の側面によって形成されたくびれ153を拡大した写真であり、図7(C)は、図7(A)に示す領域154を拡大した写真である。 7 (A) is a photograph showing a sectional structure of the partition and the spacer of a light-emitting element of Example (convex portion), 7 (B) is a side and side surfaces of the partition walls of the spacer shown in FIG. 7 (A) is a photograph of an enlarged constriction 153 formed by, FIG. 7 (C) is a photograph of an enlarged region 154 shown in FIG. 7 (a).

本実施例は、図4(B)に示すスペーサ155の配置と同様のものであり、隔壁150の表面の傾斜部にスペーサ155の端部を配置したものである。 This embodiment is similar to the arrangement of the spacer 155 shown in FIG. 4 (B), it is obtained by placing the end of the spacer 155 to the inclined portion of the surface of the partition wall 150.

本実施例の発光素子を構成する材料は下記のとおりである。 The material constituting the light-emitting device of the present embodiment is as follows.
第1及び第2の下部電極118a,118b: ランタンを含むアルミニウム−ニッケル合金膜(膜厚200nm)とチタン膜(膜厚6nm)の積層 マイクロキャビティ構造149: 酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)膜(青色の発光部に含まれる発光素子では膜厚0nm、緑色の発光部に含まれる発光素子では膜厚40nm、赤色の発光部に含まれる発光素子では、膜厚80nmとした。) First and second lower electrodes 118a, 118b: Aluminum containing lanthanum - nickel alloy film laminated microcavity structure (thickness 200 nm) and a titanium film (thickness 6 nm) 149: indium tin oxide containing silicon oxide (ITSO ) film (blue thickness 0nm in light-emitting elements included in the light emitting portion, the thickness 40nm in light-emitting elements included in the green light-emitting portion, the light emitting device included in the red light-emitting portion has a film thickness 80 nm.)
隔壁150: 茶色レジスト材料(460nm、540nm、620nmの波長でそれぞれ透過率50%以下である着色された絶縁材料) Partition 150: brown resist material (460 nm, 540 nm, colored insulating material is transmittance of 50% or less, respectively at a wavelength of 620 nm)
スペーサ155: ポジ型感光性ポリイミド 第1の発光ユニット141: 正孔輸送性のアントラセン誘導体及び酸化モリブデンを含む複合材料層(正孔注入層、膜厚20nm)、正孔輸送層(膜厚20nm)、青色の発光層(膜厚30nm)、及び電子輸送層(膜厚20nm)の積層 中間層142: 酸化リチウム膜(膜厚0.1nm)と、銅フタロシアニン膜(膜厚2nm)と、正孔輸送性のアントラセン誘導体及び酸化モリブデンを含む複合材料膜(膜厚20nm)の積層 第2の発光ユニット143: 正孔輸送層(膜厚20nm)、緑色の発光層(膜厚20nm)、赤色の発光層(膜厚20nm)、電子輸送層(膜厚30nm)、及び電子注入層(膜厚1nm)の積層 上部電極122: 銀−マグネシウム合金膜(膜厚15nm)及びI Spacers 155: positive photosensitive polyimide first light-emitting unit 141: composite material layer comprising a hole transporting anthracene derivative and a molybdenum oxide (hole injection layer, thickness 20 nm), a hole transport layer (film thickness 20 nm) , blue light-emitting layer (thickness 30 nm), and electron-transporting layer (thickness 20 nm) of the lamination interlayer 142: lithium film oxide (thickness 0.1 nm), and copper phthalocyanine film (thickness 2 nm), a hole composite including transportation of anthracene derivative and a molybdenum oxide material film laminated second light-emitting unit (film thickness 20 nm) 143: hole transport layer (film thickness 20 nm), green light-emitting layer (thickness 20 nm), red light layer (film thickness 20 nm), an electron transport layer (film thickness 30 nm), and stacking the EIL (thickness 1 nm) electrode 122: silver - magnesium alloy film (thickness 15 nm) and I O(膜厚70nm)の積層 A stack of O (thickness of 70nm)

本実施例の発光素子の作製方法は次のとおりである。 The method for manufacturing a light-emitting device of the present embodiment is as follows.
TFT基板に第1及び第2の下部電極(陽極)まで形成した後、第1及び第2の下部電極上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、第1及び第2の下部電極それぞれの端部を覆うようにレジスト材料からなる隔壁が形成される。 After forming to the first and second lower electrode (anode) on the TFT substrate, by on the first and second lower electrode to form a photoresist film, exposing and developing the photoresist film, the first and a second partition wall made of a resist material so as to cover the lower electrode each end portion is formed. このレジスト材料は、例えば茶色に着色された光吸収のある材料である。 The resist material is, for example, a material that is light absorbing colored in brown.

次に、この隔壁上にポジ型感光性樹脂として例えばポジ型感光性ポリイミド膜を形成し、ポジ型感光性ポリイミド膜を露光及び現像することにより、隔壁上にポジ型感光性ポリイミド膜からなるスペーサが形成される。 Then, positive-type photosensitive resin as example to form a positive type photosensitive polyimide film on the partition wall, by exposing and developing the positive type photosensitive polyimide film, a positive type photosensitive polyimide film on the partition wall spacer There is formed. このように着色された隔壁の上にポジ型感光性樹脂でスペーサを形成すると、ポジ型感光性ポリイミド膜の露光時に着色された隔壁に光が吸収されて着色された隔壁の温度が上がり、光反応が進みやすくなる。 When forming the spacer in the positive photosensitive resin on the thus colored partition wall, increases the temperature of the partition wall light to colored partition wall at the time of exposure of the positive photosensitive polyimide film is colored is absorbed, light reaction is likely to proceed. スペーサの中でも特に着色された隔壁と接している底面の光反応が進みやすくなる。 Photoreaction of the bottom in contact with the particular colored partition wall among the spacer is likely to proceed. このため、着色された隔壁に接している底面のみでテーパの大きい構造(くびれ)を作ることが出来る。 Therefore, large structures taper only at the bottom surface is in contact with the colored partition wall (constriction) may be made. 従って、隔壁と隔壁上のスペーサの2層構造で、くびれを有する構造物が形成される。 Thus, a two-layer structure of the spacer on the barrier ribs, the structure having a constriction is formed.

次に、第1及び第2の下部電極、隔壁及びスペーサの上に蒸着法により第1の発光ユニットを形成し、第1の発光ユニット上に蒸着法により中間層を形成する。 Next, the first and second lower electrode, forming a first light-emitting unit by vapor deposition on the partition wall and the spacer, forming an intermediate layer by an evaporation method on the first light-emitting unit on. 第1の発光ユニットはキャリア注入層である正孔注入層を有する。 The first light emitting unit has a hole injection layer is a carrier injection layer. 次に、中間層上に蒸着法により第2の発光ユニットを形成し、第2の発光ユニット上に上部電極を形成する。 Next, the second light-emitting unit is formed by an evaporation method on the intermediate layer, an upper electrode is formed on the second light-emitting unit. なお、中間層やキャリア注入層は薄膜化することが好ましく、上部電極は段切れさせないことが好ましい。 The intermediate layer and the carrier injection layer is preferably a thin film, it is preferable that the upper electrode does not let off stage.

着色された隔壁を使用することにはクロストーク対策以外に、視野角依存性対策という意味合いもある。 To use colored partition wall in addition to the crosstalk countermeasure, there is also a sense that the viewing angle dependence measures. 隔壁に着色することで、パネルを斜めから見た際の、隣接画素の発光の混色を防ぐことが可能であるので好ましい。 By coloring the partition wall, when viewed panel from an oblique preferred because it is possible to prevent color mixture of the emission of the neighboring pixels.

図8〜図9は、図7(B)と同様の断面を示す写真であり、くびれの高さ等を詳細に説明するためのものである。 Figures 8-9 are photographs showing the same cross section as FIG. 7 (B), the is intended for describing the height or the like of the constriction in detail.

図8(A)に示すように、スペーサ155の最も出っ張っている点をポイントEとし、そのポイントEから隔壁150の被形成面又は第1の基板の表面に対して引いた垂線と隔壁150との交点をポイントFとする。 As shown in FIG. 8 (A), and most protrudes to point to point and E of the spacer 155, between the perpendicular and the partition 150 drawn against the formation surface or the surface of the first substrate of the partition wall 150 from that point E to the point of intersection with the point F. ポイントEとFの距離をくびれの高さL1と定義する。 It is defined as the height L1 of the constriction the distance of the point E and F. また、図7(C)に示すように、第1の発光ユニット141から上部電極122までの厚みをA2とし、第1の発光ユニット141から中間層142までの厚みをA1とする。 Further, as shown in FIG. 7 (C), the thickness of the first light-emitting unit 141 to the upper electrode 122 and A2, the thickness of the first light-emitting unit 141 to the intermediate layer 142 and A1. なお、A1,A2は、それぞれ、第1の基板の表面又は第2の下部電極118bの被形成面(発光素子の被形成面)に対して引いた垂線上の厚さである。 Incidentally, A1, A2, respectively, the thickness of the perpendicular line drawn against the formation surface (formation surface of the light emitting element) of the surface of the first substrate or the second lower electrode 118b.

本実施例の発光素子の具体的な寸法は、くびれの高さL1が230nmであり、厚みA1が110nmであり、厚みA2が280nmである。 Specific dimensions of the light-emitting element of this embodiment, the height L1 of the constriction 230 nm, the thickness A1 is 110 nm, the thickness A2 is 280 nm.

上記の寸法L1,A1,A2は、下記式(1)を満たす。 Dimensions L1, A1, A2 above, satisfy the following formula (1).
A1<L1≦A2 ・・・(1) A1 <L1 ≦ A2 ··· (1)

本実施例は、上記式(1)を満たすため、最上層の発光ユニットの発光層の下の導電性の高い層である中間層やキャリア注入層(複合材料層)を段切れする構造である。 This embodiment, to satisfy the above formula (1), a structure in which disconnection intermediate layer and carrier injection layer (composite layer) is a layer with high conductivity under the light emitting layer of the uppermost layer of the light-emitting unit .
つまり、本実施例では、隔壁上にスペーサをたて、くびれを形成し、くびれの高さL1は、有機層の中間層までの厚みA1より厚く、有機層と上部電極を合わせた厚みA2以下である。 That is, in this embodiment, the vertical spacers on the partition wall to form a constriction, the height L1 of the constriction is thicker than the thickness A1 to the intermediate layer of the organic layer, the thickness A2 following the combined organic layer and the upper electrode it is. その結果、有機層の中でも特に抵抗の低い中間層とキャリア注入層を段切れさせられることが確認された。 As a result, it was confirmed that provoking cutting stage a particularly low intermediate layer and the carrier injection layer resistance among organic layer. また、最もくびれている部分に、有機層の側面が接している構造として段差を埋めた結果、上部電極が段切れしない構造とできることが確認された。 Further, the portion that is narrowest, the result of filling the stepped a structure in which the side surface of the organic layer is in contact, is able to structure the upper electrode not disconnection was confirmed.

図7(C)、図8(A)に示すように、ポイントEとFの距離であるくびれの高さL1が、第1の発光ユニットから中間層までの厚みA1よりも大きいと、第1の発光ユニットと中間層が段切れすることが確認された。 As shown in FIG. 7 (C), FIG. 8 (A), the height L1 of the constriction is the distance points E and F is, when greater than the thickness A1 of the first light-emitting unit to the intermediate layer, the first light-emitting unit and the intermediate layer was confirmed that disconnection of. また、ポイントEとFの距離であるくびれの高さL1が、第1の発光ユニットから上部電極までの厚みA2以下であると、第1の発光ユニットと中間層が段切れし、かつ、上部電極が段切れしないことが確認された。 The height L1 of the constriction is the distance points E and F, when the first light-emitting unit is smaller than the thickness A2 to the upper electrode, the first light-emitting unit and the intermediate layer and disconnection, and an upper electrode it has been confirmed that no disconnection.

図8(B)に示すように、点線Hに囲まれる領域において、くびれを有機層が埋めることにより、上部電極にとってのくびれの高さは、有機層にとってのくびれの高さよりも小さくなる。 As shown in FIG. 8 (B), in the region surrounded by the dotted line H, by filling the constricted organic layer is constricted in the height for the upper electrode is smaller than the waist height for the organic layer.

図8(C)に示すように、ポイントEから隔壁の被形成面又は基板の表面に対して引いた垂線と第2の発光ユニットの表面との交点をポイントJとする。 As shown in FIG. 8 (C), the intersection of the surface of the perpendicular line and the second light-emitting unit drawn from point E with respect to the formation surface or the surface of the partition walls of the substrate and the point J. ポイントJとポイントEの距離をL2とする。 The distance between the point J and point E and L2. この距離L2が上部電極にとってのくびれの高さに相当するため、距離L2が上部電極の厚みA3よりも薄ければ上部電極が段切れしないことも確認された。 The distance L2 is to correspond to the constriction of the height for the upper electrode, the distance L2 is if thinner than the thickness A3 of the upper electrode and the upper electrode was also confirmed that no disconnection. なお、A3は、第1の基板の表面又は下部電極の被形成面(発光素子の被形成面)に対して引いた垂線上の上部電極の厚さである(図7(C)参照)。 Incidentally, A3 is the formation surface of the first substrate surface or the lower electrode is a thickness of the upper electrode on the perpendicular line drawn against (light emitting formation face of the element) (see FIG. 7 (C)).

図9に示すように、最もくびれているポイントLから隔壁150側に微小距離離れた点と、ポイントLとを結んだ直線を直線Nとし、基板の表面に平行な直線を直線Kとする。 As shown in FIG. 9, a point distant most constricted small distance from point L to the partition wall 150 side, and the point L and the straight line a straight line N connecting the, a straight line K a straight line parallel to the surface of the substrate. ここで、有機層の中間層の膜厚以上の高さのくびれを作るため、直線Nと直線Kのなす角θが、0より大きく、隔壁150に傾斜がついていることが好ましい。 Here, to make constriction thickness over the height of the intermediate layer of the organic layer, the angle of the straight line N and straight line K theta is greater than 0, it is preferable that with a tilt in the partition wall 150. くびれの高さL1が高くなるように隔壁150に傾斜をつけることで、くびれの高さL1が、第1の発光ユニット141から中間層142までの厚みA1よりも大きいという条件を満たしやすくなる。 By attaching to the partition 150 so that the height L1 of the constriction increases the inclination, the height L1 of the constriction, easily satisfies the condition that is greater than the thickness A1 of the first light-emitting unit 141 to the intermediate layer 142.

図10は、本実施例の発光素子を備えた発光パネルを150cd/m の青単色で表示させた状態を示す写真である。 Figure 10 is a photograph showing a state of displaying a luminous panel including a light emitting element of this example blue monochromatic 150 cd / m 2.
図11(A)は、比較例の発光素子の隔壁の断面構造を示す写真であり、図11(B)は、比較例の発光素子を備えた発光パネルを150cd/m の青単色で表示させた状態を示す写真である。 Figure 11 (A) is a photograph showing a sectional structure of a partition wall of the light emitting device of the comparative example, FIG. 11 (B) displays a light emitting panel in which a light-emitting device of the comparative example in blue monochromatic 150 cd / m 2 is a photograph showing a state of being.
なお、図10及び図11(B)では、青色を呈する光を射出する副画素はB、緑色を呈する光を射出する副画素はG、赤色を呈する光を射出する副画素はR、で示した。 In FIG. 10 and FIG. 11 (B), a sub-pixel emitting light exhibited blue B, sub-pixel a sub-pixel emitting light exhibiting a green emitting light exhibiting G, a red R, shown in It was.

図11(A)に示す比較例の発光素子は、図7(A)に示す実施例の発光素子からスペーサを除いたものであり、スペーサを形成しない点以外は実施例の発光素子の作製方法と同様の方法によって作製されたものである。 The light emitting device of the comparative example shown in FIG. 11 (A) is one obtained by removing the spacer from the light emitting element of the embodiment shown in FIG. 7 (A), except that it does not form a spacer manufacturing method of a light-emitting device of Example those made by the same method as.

図11に示す比較例の発光パネルでは、導電性の高い中間層を介して隣接するタンデム素子に電流がリークし、隣接画素の赤ライン及び緑ラインが発光してクロストーク現象が発生している。 The light emitting panel of the comparative example shown in FIG. 11, through the highly conductive intermediate layer leak current in tandem elements adjacent crosstalk phenomenon red line and green line of adjacent pixels to emit light is generated . これに対し、図10に示す本実施例の発光パネルでは、スペーサと隔壁によって作られるくびれにおいて第1の発光ユニット及び導電性の高い中間層を段切れさせているため、中間層を介して隣接するタンデム素子に電流がリークすることを抑制でき、隣接画素の赤ライン及び緑ラインが発光するというクロストーク現象の発生を抑制できることが確認された。 Adjacent the other hand, in the light emitting panel of this embodiment shown in FIG. 10, since the by disconnection of the first light-emitting unit and a highly conductive intermediate layer in the constriction created by the spacer and the partition, through the intermediate layer it is possible to suppress the current in tandem element leaks, that the occurrence of cross-talk phenomenon red line and green line of adjacent pixels emit light can be suppressed has been confirmed.

118a 第1の下部電極118b 第2の下部電極120 有機層122 上部電極130a 発光素子130b 発光素子141 第1の発光ユニット142 中間層143 第2の発光ユニット150 隔壁153 くびれ155 スペーサ(凸部) 118a first lower electrode 118b second lower electrode 120 organic layers 122 upper electrode 130a emitting element 130b emitting element 141 first light-emitting unit 142 intermediate layer 143 second light-emitting unit 150 partition wall 153 constricted 155 spacer (convex)
156 空間(空隙) 156 space (gap)
160R 赤色発光部160G 緑色発光部160B 青色発光部170 第2の基板(対向基板) 160R red light emitting unit 160G green light emitting unit 160B the blue light emitting unit 170 the second substrate (counter substrate)
171 カラーフィルタ172 ブラックマトリクス173 オーバーコート層400 表示パネル401 表示部402 画素402B 青色を呈する光を射出する副画素402G 緑色を呈する光を射出する副画素402R 赤色を呈する光を射出する副画素403g ゲート側の駆動回路部403s ソース側の駆動回路部405 シール材408 引き回し配線409 FPC(フレキシブルプリントサーキット) 171 color filter 172 black matrix 173 overcoat layer 400 subpixel 403g gate that emits light exhibiting a sub-pixel 402R red emitting light exhibiting a sub-pixel 402G green that emits light exhibiting a display panel 401 display 402 pixel 402B blue side of the driver circuit portion 403s source side driver circuit portion 405 sealing material 408 lead wiring 409 FPC (flexible printed circuit)
410 第1の基板411 スイッチング用のトランジスタ412 電流制御用のトランジスタ416 絶縁層450G 発光モジュール 410 first transistor 416 insulating layer 450G emitting module for transistor 412 current control board 411 for switching

Claims (9)

  1. 絶縁層上に形成された第1の電極及び第2の電極と、 A first electrode and a second electrode formed on the insulating layer,
    前記絶縁層上に形成され、前記第1の電極と前記第2の電極との間に位置する隔壁と、 Formed on the insulating layer, and a barrier rib located between the first electrode and the second electrode,
    前記隔壁上に形成された凸部と、 A convex portion formed on the partition wall,
    前記第1の電極、前記隔壁、前記凸部及び前記第2の電極それぞれの上に形成された第1の発光ユニットと、 The first electrode, and the partition wall, the first light-emitting unit formed on each of the convex portions and the second electrode,
    前記第1の発光ユニット上に形成された中間層と、 An intermediate layer formed on the first light-emitting unit on,
    前記中間層上に形成された第2の発光ユニットと、 A second light-emitting unit formed on the intermediate layer,
    前記第2の発光ユニット上に形成された第3の電極と、 A third electrode formed on the second light-emitting unit,
    を具備し、 Equipped with,
    前記凸部の側面及び前記隔壁の側面によってくびれが形成され Constricted by the side and a side surface of the partition wall of the convex portion is formed,
    前記くびれにおいて、前記第1の発光ユニット及び前記中間層が切れており、 Wherein the constriction, the first light-emitting unit and said intermediate layer has expired,
    前記くびれにおいて、前記第2の発光ユニットが段切れしないことを特徴とする発光装置。 In the above constriction, the light emitting device, characterized in that the second light-emitting unit does not disconnection.
  2. 請求項1において、 According to claim 1,
    前記凸部の側面と前記隔壁との間に空間を有することを特徴とする発光装置。 The light emitting device characterized by having a space between the side surface and the partition wall of the convex portion.
  3. 請求項1または2において、 According to claim 1 or 2,
    前記凸部の端部は、前記隔壁上における前記隔壁の被形成面に対して傾斜した面に形成されていることを特徴とする発光装置。 End of the convex portion, the light emitting apparatus characterized by being formed on the inclined surface with respect to the formation surface of the partition on the partition wall.
  4. 請求項1乃至のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 3,
    前記くびれの変曲点が前記隔壁に形成されていることを特徴とする発光装置。 Emitting device characterized by inflection point of the constriction is formed on the partition wall.
  5. 請求項1乃至のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 4,
    前記凸部が前記隔壁の被形成面と平行方向に最も迫り出した第1の点から前記被形成面に対して引いた垂線と前記隔壁の表面との交点を第2の点とした場合の前記第1の点と前記第2の点の距離は、前記第1の電極上に位置する前記第1の発光ユニット及び前記中間層の合計厚さより大きく、前記第1の電極上に位置する前記第1の発光ユニット、前記中間層、前記第2の発光ユニット及び前記第3の電極の合計厚さ以下であることを特徴とする発光装置。 When the protrusion has a point of intersection of the second and the formation surface and the direction parallel to the most protruding the first said terms and perpendicular line drawn against the formation surface surface of the partition wall of the partition wall wherein the distance between the first point and the second point is greater than the total thickness of the first light-emitting unit and the intermediate layer disposed on the first electrode, positioned on the first electrode first light-emitting unit, the intermediate layer, the light emitting device and said second or less total thickness of the light-emitting unit and the third electrode.
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 5,
    前記凸部が前記隔壁の被形成面と平行方向に最も迫り出した第1の点から前記被形成面に対して引いた垂線と前記第2の発光ユニットの表面との交点を第3の点とした場合の前記第1の点と前記第3の点の距離は、前記第3の電極の厚さより小さいことを特徴とする発光装置。 Intersection the third point of the convex portion is the partition wall of the forming surface and drawn with respect to the formation face from the first point to the most protruding in a direction parallel perpendicular to the second light-emitting unit of surface and the distance between the first point and the third point in the case of the light emitting device and is smaller than the thickness of the third electrode.
  7. 請求項1乃至のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 6,
    前記第1の発光ユニットはキャリア注入層を有することを特徴とする発光装置。 The first light emitting unit emitting device characterized by having a carrier injection layer.
  8. 請求項1乃至のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 7,
    前記第1の電極及び前記第2の電極の上に配置されたカラーフィルタを有し、 A color filter disposed on the first electrode and the second electrode,
    前記カラーフィルタは、前記第1の電極と重なる第1の色と、前記第2の電極と重なる第2の色を有することを特徴とする発光装置。 The color filter, a light-emitting device and having a first color overlapping the first electrode, the second color overlapping the second electrode.
  9. 請求項1乃至8のいずれか一項において、 In any one of claims 1 to 8,
    前記第1の電極上に形成された前記第1の発光ユニット、前記中間層及び前記第2の発光ユニットに対応する第1の発光素子と、前記第2の電極上に形成された前記第1の発光ユニット、前記中間層及び前記第2の発光ユニットに対応する第2の発光素子を有し、前記第1の発光素子と、前記第1の発光素子に隣接する前記第2の発光素子が異なる色を呈する場合は、前記第1の発光素子と前記第2の発光素子の間に前記凸部が設けられ、前記第1の発光素子と、前記第1の発光素子に隣接する前記第2の発光素子が同じ色を呈する場合は、前記第1の発光素子と前記第2の発光素子の間に前記凸部が設けられていないことを特徴とする発光装置。 The first of said formed on the electrode first light-emitting unit, the intermediate layer and the a first light-emitting element corresponding to the second light-emitting unit, wherein the first formed on the second electrode emission unit, a second light emitting element corresponding to the intermediate layer and the second light-emitting unit, said first light emitting element, the second light emitting element adjacent to the first light emitting element If exhibit different colors, wherein the convex portion is provided between the first light-emitting element and the second light emitting element, said first light emitting element, the second adjacent to the first light emitting element when the light-emitting device of the exhibits the same color, the light emitting device, characterized in that the convex portion between the first light emitting element and the second light-emitting element is not provided.
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