JP6074808B2 - 色素及びそれを用いた色素増感太陽電池 - Google Patents
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Description
また、本発明では、Mをルテニウムとすることができる。
さらに、本発明は、金属錯体色素が酸化物半導体に吸着されてなる色素増感金属酸化物半導体電極である。
さらにまた、本発明は、導電性支持体上に形成された色素増感金属酸化物半導体電極と、その対極、及びそれらの電極に接触するレドックス電解質とを備える色素増感太陽電池である。
本発明の金属錯体色素は、
一般式(1)
上記式(2)におけるA1、A2、及びA3はそれぞれ独立にカルボキシ基、スルホン酸基、リン酸基、若しくはホウ酸基、又はこれらの塩に相当する基であるが、これらのうちカルボキシ基又はその塩であることが好ましい。
A1、A2、又はA3が塩である場合、対カチオンとしてはアンモニウムイオン、ジメチルアンモニウムイオン、ジエチルアンモニウムイオン、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラプロピルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることが出来、好ましくはテトラブチルアンモニウムイオンである。
上記式(2)におけるR1、R2、及びR3は置換基であるが、置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基などが挙げられる。
Z1で形成される環は、置換基を有しても良く、置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基などが挙げられる。
Z2は芳香環を形成する原子群を表す。Z2が形成する芳香環は、好ましくは4〜10員環、より好ましくは5〜6員環である。Z2で形成される芳香族環は芳香族炭化水素、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、例えばベンゼン、ナフタレン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ピロール、チオフェン、フラン、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾールなどが挙げられる。
Z2は置換基を有していても良く、置換基としては前記Z1で説明した基が挙げられる。
導電性支持体としては、金属もしくは表面に導電層を有するガラス又はプラスチック等を好適に用いることができる。導電層としては、金、白金、銀、銅、インジウム等の金属、導電性カーボン、又はインジウム錫複合化合物、酸化錫にフッ素をドープしたもの等が挙げられる。これらの導電材料を用いて、常法により支持体表面に導電層を形成することができる。また、導電性支持体を受光面とする場合は透明であることが好ましい。
[RuL3Cl3]錯体(200mg) (L3は4,4’,4”−トリメトキシカルボニル−2,2’:6’,2”−テルピリジン)、6−フェニルピリジン−2−カルボン酸 (65mg)、塩化リチウム(138mg)、トリエチルアミン(0.2mL)をジメチルホルムアミドと純水に溶解後、加熱還流する。溶媒を留去後の残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、40mgの生成物を得た。1H-NMRとESI-MSで分析したところ、この生成物は、下記式(27)で表されるものであることがわかった。この生成物を、「化合物3」という。
[RuL3Cl3]錯体(200mg) (L3は4,4’,4”−トリメトキシカルボニル−2,2’:6’,2”−テルピリジン)、6−(4−トリフルオロメチルフェニル)ピリジン−2−カルボン酸 (87mg)、塩化リチウム(138mg)、トリエチルアミン(0.2mL)をジメチルホルムアミドと純水に溶解後、加熱還流する。溶媒を留去後の残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、19mgの生成物を得た。1H-NMRとESI-MSで分析したところ、この生成物は、下記式(28)で表されるものであることがわかった。この生成物を、「化合物4」という。
[RuL3Cl3]錯体(200mg) (L3は4,4’,4”−トリメトキシカルボニル−2,2’:6’,2”−テルピリジン)、6−(2,4−ビストリフルオロメチルフェニル)ピリジン−2−カルボン酸 (110mg)、塩化リチウム(138mg)、トリエチルアミン(0.6mL)をジメチルホルムアミドと純水に溶解後、加熱還流する。溶媒を留去後の残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、36mgの生成物を得た。1H-NMRとESI-MSで分析したところ、この生成物は、下記式(29)で表されるものであることがわかった。この生成物を、「化合物5」という。
[RuL3Cl3]錯体(200mg) (L3は4,4’,4”−トリメトキシカルボニル−2,2’:6’,2”−テルピリジン)、6−(4−フルオロ−3−トリフルオロメチルフェニル)ピリジン−2−カルボン酸 (93mg)、塩化リチウム(138mg)、トリエチルアミン(0.6mL)をジメチルホルムアミドと純水に溶解後、加熱還流する。溶媒を留去後の残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、152mgの生成物を得た。1H-NMRとESI-MSで分析したところ、この生成物は、下記式(30)で表されるものであることがわかった。この生成物を、「化合物6」という。
[RuL3Cl3]錯体(200mg) (L3は4,4’,4”−トリメトキシカルボニル−2,2’:6’,2”−テルピリジン)、6−(3−フルオロビフェニル)ピリジン−2−カルボン酸 (95mg)、塩化リチウム(138mg)、トリエチルアミン(0.6mL)をジメチルホルムアミドと純水に溶解後、加熱還流する。溶媒を留去後の残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、96mgの生成物を得た。1H-NMRとESI-MSで分析したところ、この生成物は、下記式(31)で表されるものであることがわかった。この生成物を、「化合物7」という。
[RuL3Cl3]錯体(100mg) (L3は4,4’,4”−トリメトキシカルボニル−2,2’:6’,2”−テルピリジン)、6−(4−アセチルフェニル)ピリジン−2−カルボン酸 (39mg)、塩化リチウム(69mg)、トリエチルアミン(0.3mL)をジメチルホルムアミドと純水に溶解後、加熱還流する。溶媒を留去後の残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、115mgの生成物を得た。1H-NMRとESI-MSで分析したところ、この生成物は、下記式(32)で表されるものであることがわかった。この生成物を、「化合物8」という。
[RuL3Cl3]錯体(200mg) (L3は4,4’,4”−トリメトキシカルボニル−2,2’:6’,2”−テルピリジン)、6−(5−アセチルチオフェン−2−イル)ピリジン−2−カルボン酸 (40mg)、塩化リチウム(69mg)、トリエチルアミン(0.3mL)をジメチルホルムアミドと純水に溶解後、加熱還流する。溶媒を留去後の残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、56mgの生成物を得た。1H-NMRとESI-MSで分析したところ、この生成物は、下記式(33)で表されるものであることがわかった。この生成物を、「化合物9」という。
光安定性評価用の色素増感金属酸化物半導体電極の作製
金属酸化物半導体電極は、Coord. Chem. Rev. 2004, 248,
1381-1389に記載の方法に従って作製した。具体的には、ガラス表面に透明導電性支持体であるフッ素をドープした酸化錫が蒸着された透明導電性ガラスの表面に、半導体層として酸化チタン多孔質膜(膜厚が6μm、面積が6.25cm2)を形成したものを使用した。
色素増感太陽電池の作製
金属酸化物半導体電極は、上記と同様の方法に従い、ガラス表面に透明導電性支持体であるフッ素をドープした酸化錫が蒸着された透明導電性ガラスの表面に、半導体層として酸化チタン多孔質膜(膜厚が31μm、面積が0.25cm2)を形成したものを使用した。
Claims (4)
- 一般式(1)
- Mがルテニウムである請求項1に記載の金属錯体色素。
- 請求項1、又は2に記載の金属錯体色素が酸化物半導体に吸着されてなる色素増感金属酸化物半導体電極。
- 導電性支持体上に形成された請求項3に記載の色素増感金属酸化物半導体電極と、その対極、及びそれらの電極に接触するレドックス電解質とを備える色素増感太陽電池。
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