JP6070070B2 - Method for forming one-dimensional alumina nanostructure - Google Patents

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Description

本発明は、一次元アルミナナノ構造体の形成方法に関する。具体的には、オンラインCVD法を用いて、ガラス基板上に、一次元アルミナナノ構造体を形成する方法に関する。
なお、本明細書における一次元アルミナナノ構造体とは、ガラス基板上に形成される、長さがμmオーダーで、幅がnmオーダーの、外観形状が柱状またはチューブ状の、アルミナからなる構造体を指す。ここで、柱状とは、構造体が中実であることを指し、チューブ状とは、構造体が中空であることを指す。
The present invention relates to a method for forming a one-dimensional alumina nanostructure. Specifically, the present invention relates to a method for forming a one-dimensional alumina nanostructure on a glass substrate using an on-line CVD method.
Note that the one-dimensional alumina nanostructure in this specification is a structure made of alumina that is formed on a glass substrate and has a length of μm order, a width of nm order, and a columnar or tube-like appearance. Point to. Here, the columnar shape indicates that the structure is solid, and the tube shape indicates that the structure is hollow.

アルミナ(Al23)は触媒活性を持つ化合物であり、多数の一次元アルミナナノ構造体をガラス基板等の基体上に形成した場合、アルミナ(Al23)が有する触媒活性と、多数の一次元アルミナナノ構造体による高い比表面積により、高い触媒活性を持つ物質として注目されている。 Alumina (Al 2 O 3 ) is a compound having catalytic activity, and when a large number of one-dimensional alumina nanostructures are formed on a substrate such as a glass substrate, the catalytic activity of alumina (Al 2 O 3 ) Due to its high specific surface area due to the one-dimensional alumina nanostructure, it has attracted attention as a material having high catalytic activity.

一次元アルミナナノ構造体を形成する方法として、vapor−liquid−solid(VLS)法による手法が非特許文献1に提案されている。この手法は、真空チャンバー内で鉄粉末とアルミ粉末の混合ペレットにアーク放電を照射して、アルミナナノロッドを作製している。しかし、本手法では真空プロセスを用いるため、工業的に用いるにはコスト面で課題がある。
また、ゾルゲル法などのウェットプロセスによる手法で一次元アルミナナノ構造体を作製できることが、非特許文献2で報告されている。しかし、本手法ではゲルの作製に150℃、72時間、乾燥および焼成にそれぞれ21時間および4時間という長時間の反応を要することから、工業的に用いるにはコスト面で課題がある。
また、ナノロッドを一定方向(一次元方向)に選択的に成長させることができれば、触媒用途として選択的な触媒性能の付与や、電気デバイス用途への展開など、様々な用途展開が可能となるが、上記方法ではナノロッドを一定方向に成長させることは難しい。
As a method for forming a one-dimensional alumina nanostructure, a technique based on a vapor-liquid-solid (VLS) method is proposed in Non-Patent Document 1. In this method, alumina nanorods are produced by irradiating a mixed pellet of iron powder and aluminum powder with arc discharge in a vacuum chamber. However, since this method uses a vacuum process, there is a problem in terms of cost for industrial use.
Further, Non-Patent Document 2 reports that a one-dimensional alumina nanostructure can be produced by a wet process method such as a sol-gel method. However, this method requires a long reaction time of 150 ° C. for 72 hours for the preparation of the gel and 21 hours and 4 hours for the drying and baking, respectively.
In addition, if nanorods can be selectively grown in a certain direction (one-dimensional direction), it will be possible to develop various applications, such as imparting selective catalytic performance as a catalyst application and developing it into electrical device applications. In the above method, it is difficult to grow the nanorods in a certain direction.

一方、アルミナナノロッドを一定方向に成長させた例として、テンプレート上にALD法(原子層堆積法)を用いてアルミナを形成したことが、非特許文献3、4に報告されている。非特許文献3ではテンプレートとしてシリコン基板上に形成したカーボンナノチューブを、非特許文献4ではポリカーボネートメンブレンをテンプレートとして用いている。しかし、これらの方法は作製プロセスが数ステップにわたる複雑なものであり、またALD法は、高真空中でアルミニウム原料であるトリメチルアルミニウムと水蒸気を交互に吹き付け、1ステップで原子層を1層ずつ成長させる方法であるため成膜レートが遅く、さらに高真空プロセスも必要であるため、工業的にはコスト面で課題がある。   On the other hand, Non-Patent Documents 3 and 4 report that alumina is formed on a template using an ALD method (atomic layer deposition method) as an example of growing alumina nanorods in a certain direction. Non-Patent Document 3 uses a carbon nanotube formed on a silicon substrate as a template, and Non-Patent Document 4 uses a polycarbonate membrane as a template. However, these methods are complex processes that involve several steps, and ALD is a method in which trimethylaluminum, which is an aluminum material, and water vapor are alternately blown in a high vacuum to grow atomic layers one layer at a time. Therefore, the film formation rate is slow, and a high vacuum process is also required.

W. F. Li, X. L. Ma1, W. S. Zhang, W. Zhang, Y. Li, and Z. D. Zhang, phys. stat. sol. (a) 203, No. 2, 294-299 (2006)W. F. Li, X. L. Ma1, W. S. Zhang, W. Zhang, Y. Li, and Z. D. Zhang, phys. Stat. Sol. (A) 203, No. 2, 294-299 (2006) Hyun Chul Lee, Hae Jin Kim, Soo Hyun Chung, Kyung Hee Lee, Hee Cheon Leeand Jae Sung Lee, J. AM. CHEM. SOC. 2003, 125, 2882-2883Hyun Chul Lee, Hae Jin Kim, Soo Hyun Chung, Kyung Hee Lee, Hee Cheon Leeand Jae Sung Lee, J. AM. CHEM. SOC. 2003, 125, 2882-2883 J.S. Leea, B. Mina, K. Choa, S. Kima, J. Parkb, Y.T. Leeb, N.S. Kimb, M.S. Leec,S.O. Parkc, J.T. Moonc, Journal of Crystal Growth 254 (2003) 443-448J.S. Leea, B. Mina, K. Choa, S. Kima, J. Parkb, Y.T. Leeb, N.S. Kimb, M.S. Leec, S.O.Parkc, J.T.Moonc, Journal of Crystal Growth 254 (2003) 443-448 Jules J. VanDersarl, Alexander M. Xu, and Nicholas A. Melosh, Nano Lett., 2012, 12 (8), pp 3881-3886Jules J. VanDersarl, Alexander M. Xu, and Nicholas A. Melosh, Nano Lett., 2012, 12 (8), pp 3881-3886

本発明は、上述した従来技術における問題点を解決するため、低コストで、かつ、簡易な、一次元アルミナナノ構造体の製造方法の提供を課題とする。   An object of the present invention is to provide a low-cost and simple method for producing a one-dimensional alumina nanostructure in order to solve the above-described problems in the prior art.

上記問題を解決するため、本願発明者らは鋭意検討した結果、CVD法により、塩化アルミニウムと、所定の低級アルコール類と、を含有するプロセスガスを、ナトリウムを含有するガラス基板に吹き付けることで、低コストかつ簡易な方法で一次元アルミナナノ構造体を形成できることを見いだした。   In order to solve the above problems, the inventors of the present application have conducted intensive studies, and by spraying a process gas containing aluminum chloride and predetermined lower alcohols on a glass substrate containing sodium by a CVD method, We found that one-dimensional alumina nanostructures can be formed by a low-cost and simple method.

本発明は、上記した知見に基づいてなされたものであり、CVD法により、基体上に一次元アルミナナノ構造体を形成する方法であって、前記基体が、酸化物基準の質量%表記で2〜40%のナトリウムを含有するガラス基板であり、450℃以上800℃以下の温度に保持した該ガラス基板上に、プロセスガスとして、塩化アルミニウム(AlCl3)、および、炭素数4以下のアルコール類を、塩化アルミニウム(AlCl3)に対するアルコール類の濃度比(アルコール類(mol%)/AlCl3(mol%))が1以上となる条件で供給することを特徴とする、一次元アルミナナノ構造体の形成方法を提供する。 The present invention has been made on the basis of the above-described knowledge, and is a method for forming a one-dimensional alumina nanostructure on a substrate by a CVD method, wherein the substrate is represented by 2% by mass notation based on an oxide. Aluminum chloride (AlCl 3 ) and alcohols having 4 or less carbon atoms as a process gas on a glass substrate containing -40% sodium and maintained at a temperature of 450 ° C. or higher and 800 ° C. or lower Is supplied under the condition that the concentration ratio of alcohols to aluminum chloride (AlCl 3 ) (alcohols (mol%) / AlCl 3 (mol%)) is 1 or more. A forming method is provided.

本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記プロセスガス中の塩化アルミニウム(AlCl3)濃度が0.02〜4mol%であることが好ましい。 In the method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention, the concentration of aluminum chloride (AlCl 3 ) in the process gas is preferably 0.02 to 4 mol%.

本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記アルコール類が、メタノール、エタノール、および、イソプロパノールからなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記アルコール類が、エタノールであることがより好ましい。
In the method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention, the alcohol is preferably at least one selected from the group consisting of methanol, ethanol, and isopropanol.
In the method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention, the alcohol is more preferably ethanol.

本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、塩化アルミニウム(AlCl3)に対するアルコール類の濃度比(アルコール類(mol%)/AlCl3(mol%))が1以上50以下となる条件でプロセスガスを供給することが好ましい。 In the method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention, the concentration ratio of alcohols to aluminum chloride (AlCl 3 ) (alcohols (mol%) / AlCl 3 (mol%)) is 1 to 50. It is preferable to supply process gas.

本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、プロセスガス中の水分量が2mol%以下であることが好ましい。   In the method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention, the amount of water in the process gas is preferably 2 mol% or less.

本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記CVD法が常圧CVD法であることが好ましい。   In the method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention, the CVD method is preferably an atmospheric pressure CVD method.

本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記CVD法を1000Pa以下の圧力下で実施してもよい。   In the method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention, the CVD method may be performed under a pressure of 1000 Pa or less.

本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法において、前記ガラス基板がソーダライムガラス基板であることが好ましい。   In the method for forming a one-dimensional alumina nanostructure according to the present invention, the glass substrate is preferably a soda lime glass substrate.

本発明によれば、低コストかつ簡易な方法で、ガラス基板上に一次元アルミナナノ構造体を形成できる。   According to the present invention, a one-dimensional alumina nanostructure can be formed on a glass substrate by a low-cost and simple method.

図1(a)〜(f)は、本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法を説明するための概念図である。FIGS. 1A to 1F are conceptual diagrams for explaining a method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention. 図2(a)〜(c)は、例1〜3におけるCVD法実施後の基板表面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。2A to 2C are scanning electron microscope (SEM) photographs of the substrate surface after the CVD method in Examples 1 to 3. FIG. 図3(a)〜(c)は、例4〜6におけるCVD法実施後の基板表面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。3A to 3C are scanning electron microscope (SEM) photographs of the substrate surface after the CVD method in Examples 4 to 6. FIG. 図4(a)〜(b)は、例7〜8におけるCVD法実施後の基板表面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。4A to 4B are scanning electron microscope (SEM) photographs of the substrate surface after the CVD method in Examples 7 to 8. FIG.

以下、本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法について説明する。
本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法は、CVD法により、基体上に一次元アルミナナノ構造体を形成する方法であって、基体が、酸化物基準の質量%表記で2〜40%のナトリウム(Na)を含有するガラス基板であり、450℃以上800℃以下の温度に保持した該ガラス基板上に、プロセスガスとして、塩化アルミニウム(AlCl3)、および、炭素数4以下のアルコール類を、塩化アルミニウム(AlCl3)に対するアルコール類の濃度比(アルコール類(mol%)/AlCl3(mol%))が1以上となる条件で供給することを特徴とする。
Hereinafter, a method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention will be described.
The method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention is a method of forming a one-dimensional alumina nanostructure on a substrate by a CVD method, wherein the substrate is 2 to 40% in terms of mass% based on oxide. Aluminum chloride (AlCl 3 ) and alcohols having 4 or less carbon atoms as a process gas on the glass substrate containing sodium (Na) of the above, maintained on the glass substrate at a temperature of 450 ° C. or higher and 800 ° C. or lower. Is supplied under the condition that the concentration ratio of alcohol to aluminum chloride (AlCl 3 ) (alcohol (mol%) / AlCl 3 (mol%)) is 1 or more.

本発明の方法において、基体上に一次元アルミナナノ構造体が形成される原理を、図面を参照して説明する。
図1(a)〜(f)は、本発明の一次元アルミナナノ構造体の形成方法を説明するための概念図である。
図1(a)は、常温での基体10を示した概念図である。図1(a)に示す基体10は、ナトリウム(Na)20を含有するガラス基板である。
CVD法を実施するため、該基体10を所定の温度(450〜800℃)まで加熱する過程で、該基体10の温度450℃以上になると、基体10中のNaの一部が、Naイオン(Na+)として該基体10の表面に析出する(図1(b)参照)。
In the method of the present invention, the principle of forming a one-dimensional alumina nanostructure on a substrate will be described with reference to the drawings.
FIGS. 1A to 1F are conceptual diagrams for explaining a method for forming a one-dimensional alumina nanostructure of the present invention.
FIG. 1A is a conceptual diagram showing the substrate 10 at room temperature. A substrate 10 shown in FIG. 1A is a glass substrate containing sodium (Na) 20.
In the process of heating the substrate 10 to a predetermined temperature (450 to 800 ° C.) in order to carry out the CVD method, when the temperature of the substrate 10 reaches 450 ° C. or higher, a part of Na in the substrate 10 becomes Na ions ( Na + ) is deposited on the surface of the substrate 10 (see FIG. 1B).

この状態で、プロセスガスとして、塩化アルミニウム(AlCl3)、および、炭素数4以下のアルコール類(図では、エタノール(C25OH、EtOH))を、基体10上に供給すると、下記式で示す反応によって生じたHClからのClイオン(Cl-)30と、基体表面に析出したNaイオン(Na+)20からNaCl40が生じ(図1(c)参照)、該NaCl40が基体10上に析出する(図1(d)参照)。
AlCl3 + EtOH → Al(OEt)3 + 3HCl
In this state, when aluminum chloride (AlCl 3 ) and alcohols having 4 or less carbon atoms (in the figure, ethanol (C 2 H 5 OH, EtOH)) are supplied onto the substrate 10 as process gases, NaCl ions (Cl ) 30 generated by the reaction shown in FIG. 4 and Na ions (Na + ) 20 deposited on the surface of the substrate produce NaCl 40 (see FIG. 1C), and the NaCl 40 is formed on the substrate 10. Precipitates (see FIG. 1 (d)).
AlCl 3 + EtOH → Al (OEt) 3 + 3HCl

次に、図1(e)に示すように、基体10上のNaCl40と、プロセスガス中のAlCl3と、が、NaCl−AlCl3混合溶融塩50を形成する。
この混合溶融塩50上にプロセスガス中のAlCl3が堆積し、溶融する。溶融したAlCl3と、気相反応で生じたAl(OEt)3が下記式にしたがって反応してアルミナ(Al23)60が生じる。
AlCl3 + Al(OEt)3 → Al23 + 3EtCl
このアルミナ(Al23)60は、混合溶融塩50を起点としているため、基体10表面から鉛直方向に成長して、外観形状が柱状またはチューブ状をした一次元アルミナナノ構造体を形成する(図1(f)参照)。
Next, as shown in FIG. 1E, NaCl 40 on the substrate 10 and AlCl 3 in the process gas form a NaCl-AlCl 3 mixed molten salt 50.
On this mixed molten salt 50, AlCl 3 in the process gas is deposited and melted. The molten AlCl 3 reacts with Al (OEt) 3 generated by the gas phase reaction according to the following formula to produce alumina (Al 2 O 3 ) 60.
AlCl 3 + Al (OEt) 3 → Al 2 O 3 + 3EtCl
Since this alumina (Al 2 O 3 ) 60 starts from the mixed molten salt 50, it grows in the vertical direction from the surface of the substrate 10 to form a one-dimensional alumina nanostructure whose appearance is columnar or tubular. (See FIG. 1 (f)).

上述したように、本発明の方法において、一次元アルミナナノ構造体を形成する基体は、ナトリウム(Na)を含有するガラス基板である。より具体的には、酸化物基準の質量%表記で2〜40%のNaを含有するガラス基板である。
ガラス基板のNa含有量が2%よりも低いと、加熱時にガラス基板の表面に析出するNaイオンが少なくなり、ガラス基板上に一次元アルミナナノ構造体を形成することができなくなる。
一方、ガラス基板のNa含有量が40%よりも高いと、生成するNaClの密度が高くなり過ぎるため、溶融塩が連続的に基板上に生成してしまい、アルミナは膜状に形成され、一次元状に成長できない問題がある。
ガラス基板のNa含有量は、2〜20%であることがより好ましく、10〜15%であることがさらに好ましい。
Naを含有するガラス基板としては、ソーダライムシリケートガラス基板、アルカリホウ酸塩ガラス、アルカリリン酸塩ガラスなどを用いることができる。
As described above, in the method of the present invention, the substrate on which the one-dimensional alumina nanostructure is formed is a glass substrate containing sodium (Na). More specifically, it is a glass substrate containing 2 to 40% Na in terms of mass% based on oxide.
When the Na content of the glass substrate is lower than 2%, Na ions deposited on the surface of the glass substrate during heating are reduced, and a one-dimensional alumina nanostructure cannot be formed on the glass substrate.
On the other hand, if the Na content of the glass substrate is higher than 40%, the density of the generated NaCl becomes too high, so that the molten salt is continuously generated on the substrate, and the alumina is formed in a film form. There is a problem that can not grow in the original state.
As for Na content of a glass substrate, it is more preferable that it is 2-20%, and it is further more preferable that it is 10-15%.
As the glass substrate containing Na, a soda lime silicate glass substrate, an alkali borate glass, an alkali phosphate glass, or the like can be used.

本発明では、CVD法実施時、ガラス基板を450℃以上800℃以下の温度に保持する。ガラス基板の保持温度が450℃より低いと、一次元アルミナナノ構造体を形成することができない。一方、ガラス基板の保持温度を800℃以下とするのは、ガラス基板の軟化点を超えない温度域で、常圧CVD法を実施するためである。
ガラス基板の保持温度は、450℃以上650℃以下であることがより好ましく、500℃以上600℃以下であることがさらに好ましい。
In this invention, a glass substrate is hold | maintained at the temperature of 450 degreeC or more and 800 degrees C or less at the time of CVD method implementation. When the holding temperature of the glass substrate is lower than 450 ° C., a one-dimensional alumina nanostructure cannot be formed. On the other hand, the glass substrate holding temperature is set to 800 ° C. or lower in order to carry out the atmospheric pressure CVD method in a temperature range that does not exceed the softening point of the glass substrate.
The holding temperature of the glass substrate is more preferably 450 ° C. or higher and 650 ° C. or lower, and further preferably 500 ° C. or higher and 600 ° C. or lower.

本発明において、炭素数4以下のアルコール類を使用するのは、ガラス基板上に、プロセスガスとして、アルコール類を供給するためである。炭素数4以下のアルコール類としては、メタノール、エタノール、および、イソプロピルアルコール(IPA)、ブタノール類を単体または混合物として用いるのができる。このうちエタノールは、アルミナ微粉の発生が特に少なく、生態への危険性も少なく、かつ、安価であることから特に好ましい。   In the present invention, the alcohol having 4 or less carbon atoms is used for supplying alcohol as a process gas on a glass substrate. As alcohols having 4 or less carbon atoms, methanol, ethanol, isopropyl alcohol (IPA), and butanols can be used alone or as a mixture. Of these, ethanol is particularly preferred because it produces less alumina fine powder, has less danger to the environment, and is inexpensive.

CVD法の実施時において、炭素数が4以下のアルコール類は、塩化アルミニウム(AlCl3)に対する濃度比(アルコール類(mol%)/AlCl3(mol%))が1以上となる条件で供給する。
塩化アルミニウム(AlCl3)に対する濃度比(アルコール類(mol%)/AlCl3(mol%))が1よりも小さくなる条件でアルコール類を供給した場合、一次元アルミナナノ構造体の形成速度が極端に遅くなるため、実用的ではない。
一方、塩化アルミニウム(AlCl3)に対する濃度比(アルコール類(mol%)/AlCl3(mol%))が50よりも大きくなる条件でアルコール類を供給しても、一次元アルミナナノ構造体の形成にはもはや寄与せず、不要なアルコール類の供給によるコスト増が問題となる。また、常圧CVD法を実施する雰囲気中に存在するアルコール類の増加により、形成される一次元アルミナナノ構造体にカーボンなどの不純物が多くなることから好ましくない。
炭素数が4以下のアルコール類は、塩化アルミニウム(AlCl3)に対する濃度比(アルコール類(mol%)/AlCl3(mol%))が、4〜50となる条件で供給することがより好ましく、8〜30となる条件で供給することがさらに好ましい。
When the CVD method is performed, alcohols having 4 or less carbon atoms are supplied under the condition that the concentration ratio (alcohols (mol%) / AlCl 3 (mol%)) to aluminum chloride (AlCl 3 ) is 1 or more. .
When the alcohol is supplied under the condition that the concentration ratio (alcohol (mol%) / AlCl 3 (mol%)) to aluminum chloride (AlCl 3 ) is less than 1, the formation rate of the one-dimensional alumina nanostructure is extremely high. This is not practical.
On the other hand, even if alcohol is supplied under the condition that the concentration ratio (alcohol (mol%) / AlCl 3 (mol%)) to aluminum chloride (AlCl 3 ) is greater than 50, the formation of a one-dimensional alumina nanostructure is achieved. No longer contributes to the cost, and the increase in cost due to the supply of unnecessary alcohols becomes a problem. In addition, an increase in alcohols present in the atmosphere in which the atmospheric pressure CVD method is performed is not preferable because impurities such as carbon increase in the formed one-dimensional alumina nanostructure.
Alcohols 4 or less carbon atoms, the concentration ratio of aluminum chloride (AlCl 3) (alcohols (mol%) / AlCl 3 ( mol%)) is more preferable to supply the conditions to be 4 to 50, More preferably, the supply is performed under the condition of 8-30.

CVD法の実施時において、プロセスガス中の塩化アルミニウム(AlCl3)濃度が0.02〜4mol%であることが好ましい。
プロセスガス中の塩化アルミニウム(AlCl3)濃度が0.02mol%より低いと一次元アルミナナノ構造体の形成速度が低下する。
一方、プロセスガス中の塩化アルミニウム(AlCl3)濃度が4mol%より高いと、気相中でアルミナ微粉が発生して、一次元アルミナナノ構造体にアルミナ微粉が混入する等の問題がある。
プロセスガス中の塩化アルミニウム(AlCl3)濃度は、0.05〜3mol%であることがより好ましく、0.1〜2mol%であることがさらに好ましい。
When performing the CVD method, the aluminum chloride (AlCl 3 ) concentration in the process gas is preferably 0.02 to 4 mol%.
When the concentration of aluminum chloride (AlCl 3 ) in the process gas is lower than 0.02 mol%, the formation rate of the one-dimensional alumina nanostructure decreases.
On the other hand, when the concentration of aluminum chloride (AlCl 3 ) in the process gas is higher than 4 mol%, there is a problem that alumina fine powder is generated in the gas phase and the alumina fine powder is mixed into the one-dimensional alumina nanostructure.
The aluminum chloride (AlCl 3 ) concentration in the process gas is more preferably 0.05 to 3 mol%, and further preferably 0.1 to 2 mol%.

CVD法の実施時において、プロセスガス中の水分量が高くなると、気相中でアルミナ微粉が発生して、一次元アルミナナノ構造体にアルミナ微粉が混入する、また一次元アルミナ構造体の形成速度が遅くなる等の問題がある。
このため、プロセスガス中の水分量は、2mol%以下であることが好ましく、1mol%以下であることがより好ましく、実質的にゼロであることが最も好ましい。
When the amount of water in the process gas increases during the CVD process, alumina fines are generated in the gas phase, and the alumina fines are mixed into the one-dimensional alumina nanostructure, and the formation rate of the one-dimensional alumina structure There are problems such as slowness.
For this reason, the amount of water in the process gas is preferably 2 mol% or less, more preferably 1 mol% or less, and most preferably substantially zero.

なお、プロセスガスとしての、塩化アルミニウム(AlCl3)、および、炭素数4以下のアルコール類は、気化器またはバブリングなどの気化手法により気化できる。塩化アルミニウム(AlCl3)については、加熱した金属アルミニウムに、塩素または塩化水素ガスを吹き付けることにより直接形成することも可能である。気化したガスは、窒素などの希ガスで希釈して供給される。
プロセスガスとしての、塩化アルミニウム、および、炭素数4以下のアルコール類は、プレミックス方式の原料ガス供給手段を使用して、予め混合した状態でガラス基板上に供給してもよいし、両者を別々の配管で移送し、ポストミックス方式の原料ガス供給手段を使用して、ガラス基板上で混合させてもよい。
Note that aluminum chloride (AlCl 3 ) and alcohols having 4 or less carbon atoms as process gases can be vaporized by a vaporization method such as a vaporizer or bubbling. Aluminum chloride (AlCl 3 ) can be directly formed by spraying chlorine or hydrogen chloride gas on heated metal aluminum. The vaporized gas is supplied after being diluted with a rare gas such as nitrogen.
Aluminum chloride and alcohols having 4 or less carbon atoms as process gas may be supplied onto the glass substrate in a premixed state using a premix type raw material gas supply means, or both They may be transferred by separate pipes and mixed on a glass substrate using a postmix type material gas supply means.

本発明において、CVD法実施時の雰囲気圧力は特に限定されない。したがって、常圧雰囲気下でCVD法を実施してもよいし、圧力1000Pa以下の減圧雰囲気下でCVD法を実施してもよい。減圧雰囲気下でCVD法を実施した場合、気相中でのアルミナ微粉の発生が防止されるという利点がある。但し、常圧雰囲気下でCVD法を実施すること、すなわち、常圧CVD法であること、がコスト面から好ましい。   In the present invention, the atmospheric pressure during the CVD method is not particularly limited. Therefore, the CVD method may be performed under a normal pressure atmosphere, or the CVD method may be performed under a reduced pressure atmosphere having a pressure of 1000 Pa or less. When the CVD method is carried out in a reduced pressure atmosphere, there is an advantage that generation of alumina fine powder in the gas phase is prevented. However, it is preferable from the viewpoint of cost that the CVD method is performed under an atmospheric pressure atmosphere, that is, the atmospheric pressure CVD method.

本発明により形成される一次元アルミナナノ構造体は、外観形状が柱状またはチューブ状であり、長さがμmオーダーで、幅がnmオーダーである。柱状またはチューブ状をなす外観は、その平面形状が円形や楕円形状のように角を持たないものであってもよく、三角形、四角形、および、その他の多角形のように角を有するものであってもよい。
一次元アルミナナノ構造体の幅は50〜300nmであることが好ましい。幅が50nmより小さいと、一次元アルミナナノ構造体が安定に成長できないためであり、300nmを超えると一次元アルミナナノ構造体の特徴である比表面積を増やす効果が十分でないためである。幅については100nm程度であることが特に好ましい。一次元アルミナナノ構造体の長さは1μm以上であることが好ましい。
一次元アルミナナノ構造体の幅や長さは、CVD法の実施条件、具体的には、CVD法の実施時間、プロセスガス中の塩化アルミニウム(AlCl3)濃度、基板温度等により調節することができる。たとえば、CVD法の実施時間を長くする、プロセスガス中の塩化アルミニウム(AlCl3)濃度を高くする、基板温度を高くする等の条件の調節により、一次元アルミナナノ構造体の長さが増加する。
The one-dimensional alumina nanostructure formed according to the present invention has a columnar shape or a tube shape, a length of μm order, and a width of nm order. The columnar or tube-like appearance may be such that the planar shape has no corners such as a circle or an ellipse, and has a corner such as a triangle, quadrangle, or other polygon. May be.
The width of the one-dimensional alumina nanostructure is preferably 50 to 300 nm. This is because if the width is smaller than 50 nm, the one-dimensional alumina nanostructure cannot be stably grown, and if it exceeds 300 nm, the effect of increasing the specific surface area, which is a feature of the one-dimensional alumina nanostructure, is not sufficient. The width is particularly preferably about 100 nm. The length of the one-dimensional alumina nanostructure is preferably 1 μm or more.
The width and length of the one-dimensional alumina nanostructure can be adjusted by the CVD process conditions, specifically, the CVD process time, the aluminum chloride (AlCl 3 ) concentration in the process gas, the substrate temperature, etc. it can. For example, the length of the one-dimensional alumina nanostructure increases by adjusting the conditions such as increasing the execution time of the CVD method, increasing the concentration of aluminum chloride (AlCl 3 ) in the process gas, and increasing the substrate temperature. .

本発明により形成される一次元アルミナナノ構造体は、図1(f)に示したように、基体10であるガラス基板の表面に対し鉛直方向に成長するため、表面積が大きくなり、触媒用途などには特に好ましい。
また、本発明により形成された一次元アルミナナノ構造体は、へらなどで剥離することにより、基体10であるガラス基板から分離して使用することも可能である。
The one-dimensional alumina nanostructure formed according to the present invention grows in the vertical direction with respect to the surface of the glass substrate as the substrate 10 as shown in FIG. Is particularly preferred.
In addition, the one-dimensional alumina nanostructure formed according to the present invention can be separated from the glass substrate as the substrate 10 by peeling off with a spatula or the like.

以下に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。ここで例1、2、4〜8が実施例であり、例3は比較例である。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to this. Here, Examples 1, 2, 4 to 8 are examples, and Example 3 is a comparative example.

(例1)
搬送型常圧CVD装置を用いて、ソーダライムガラス基板上に一次元アルミナナノ構造体を形成した。使用したソーダライムガラス基板のNa含有量は、酸化物基準の質量%表記で13%である。
塩化アルミニウム(AlCl3)を入れたステンレス容器を150℃に加熱し、昇華によって気化した塩化アルミニウムガスを乾燥窒素ガスで希釈して搬送した。同様に、炭素数4以下のアルコール類として、エタノールを入れたステンレス容器を25℃で窒素によりバブリングすることによりエタノールガスを搬送した。搬送した塩化アルミニウム、エタノールは、プロセスガスとして、搬送型常圧CVD装置内に設置された原料ガス供給手段により、基板温度を600℃に保持したガラス基板上に供給して、一次元アルミナナノ構造体を形成した。プロセスガス中のAlCl3濃度、アルコール類濃度、および、AlCl3に対するアルコール類の濃度比(アルコール類/AlCl3)は下記表に示した通り。
このとき、ガラス基板は0.5m/minの速度で搬送することにより、ガラス面内に均一に一次元アルミナナノ構造体を形成した。なお、プロセスガス中の水分量は実質的にゼロであった。
CVD法実施後のガラス基板表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。図2(a)は基板表面のSEM写真であり、基板表面に一次元ナノ構造体を形成されていることが示されている。また、SEMに付属するエネルギー分散型X線分析装置(EDX)により組成分析を行いナノ構造体の組成がアルミナ(Al23)であることを確認した。
(Example 1)
A one-dimensional alumina nanostructure was formed on a soda lime glass substrate using a transfer-type atmospheric pressure CVD apparatus. The sodium content of the soda lime glass substrate used is 13% in terms of mass% based on oxide.
A stainless steel container containing aluminum chloride (AlCl 3 ) was heated to 150 ° C., and aluminum chloride gas evaporated by sublimation was diluted with dry nitrogen gas and conveyed. Similarly, ethanol gas was conveyed by bubbling a stainless steel container containing ethanol as an alcohol having 4 or less carbon atoms with nitrogen at 25 ° C. The transported aluminum chloride and ethanol are supplied as process gases onto a glass substrate held at a substrate temperature of 600 ° C. by a raw material gas supply means installed in a transport-type atmospheric pressure CVD apparatus. Formed body. AlCl 3 concentration, alcohol concentration in the process gas, and the concentration ratio of alcohol with respect to AlCl 3 (alcohol / AlCl 3) as the shown in the following Table.
At this time, the glass substrate was conveyed at a speed of 0.5 m / min to form a one-dimensional alumina nanostructure uniformly in the glass surface. The water content in the process gas was substantially zero.
The surface of the glass substrate after the CVD method was observed with a scanning electron microscope (SEM). FIG. 2A is an SEM photograph of the substrate surface, which shows that a one-dimensional nanostructure is formed on the substrate surface. Further, composition analysis was performed by an energy dispersive X-ray analyzer (EDX) attached to the SEM, and it was confirmed that the composition of the nanostructure was alumina (Al 2 O 3 ).

(例2,3)
プロセスガス中のAlCl3濃度、アルコール類濃度、AlCl3に対するアルコール類の濃度比(アルコール類/AlCl3)、および、基板温度を下記表に示した条件として、一次元アルミナナノ構造体の形成を試みた。なお、例2では、炭素数4以下のアルコール類として、エタノールの代わりに、IPAをそれぞれ使用した。また、例3では、炭素数4以下のアルコール類の代わりに水蒸気(H2O)を供給した。例3については、下記表中のアルコール濃度、アルコール/AlCl3の欄の記載は、水蒸気(H2O)濃度、および、AlCl3に対する水蒸気(H2O)の濃度比である。例2,3において、プロセスガス中の水分量は実質的にゼロであった。
図2(b),(c)は、例2,3の基板表面のSEM写真である。図2(b)では、基板表面に一次元アルミナナノ構造体を形成されていることが示されている。一方、炭素数4以下のアルコール類の代わりに水蒸気(H2O)を供給した例3では、図2(c)に示すように、一次元アルミナナノ構造体を形成できなかった。なお、図2(c)に示されている塊状の物質は、プロセスガス中の塩化アルミニウム(AlCl3)が、気相中で水蒸気(H2O)と反応(下記式)することで生じたHClからのClイオン(Cl-)と、ガラス基板表面に析出したNaイオン(Na+)と、から生じたNaClである。
AlCl3 + 1.5H2O → 0.5Al23 + 3HCl
なお、上記の反応は気相中で起こるため、アルミナ微粉の発生となり、一次元アルミナナノ構造体を形成できない。
(Examples 2 and 3)
AlCl 3 concentration in the process gas, alcohol concentration, the concentration ratio of alcohol with respect to AlCl 3 (alcohol / AlCl 3), and, as a condition showing a substrate temperature in the following Table, the formation of one-dimensional alumina nanostructures Tried. In Example 2, IPA was used instead of ethanol as the alcohol having 4 or less carbon atoms. In Example 3, water vapor (H 2 O) was supplied instead of alcohols having 4 or less carbon atoms. For Example 3, the description in the column of alcohol concentration and alcohol / AlCl 3 in the following table is the water vapor (H 2 O) concentration and the concentration ratio of water vapor (H 2 O) to AlCl 3 . In Examples 2 and 3, the amount of water in the process gas was substantially zero.
2B and 2C are SEM photographs of the substrate surfaces of Examples 2 and 3, respectively. FIG. 2 (b) shows that a one-dimensional alumina nanostructure is formed on the substrate surface. On the other hand, in Example 3 in which water vapor (H 2 O) was supplied instead of alcohols having 4 or less carbon atoms, a one-dimensional alumina nanostructure could not be formed as shown in FIG. Note that the massive substance shown in FIG. 2 (c) was generated by the reaction of aluminum chloride (AlCl 3 ) in the process gas with water vapor (H 2 O) in the gas phase (the following formula). This is NaCl generated from Cl ions (Cl ) from HCl and Na ions (Na + ) deposited on the glass substrate surface.
AlCl 3 + 1.5H 2 O → 0.5Al 2 O 3 + 3HCl
In addition, since said reaction occurs in a gaseous phase, it becomes generation | occurrence | production of an alumina fine powder and cannot form a one-dimensional alumina nanostructure.

(例4〜6)
例4〜6では、炭素数4以下のアルコール類としてIPAを使用し、基板温度を変えて、一次元アルミナナノ構造体を形成した。プロセスガス中のAlCl3濃度、アルコール類濃度、AlCl3に対するアルコール類の濃度比(アルコール類/AlCl3)、および、基板温度は下記表に示した条件とした。例4〜6において、プロセスガス中の水分量は実質的にゼロであった。
図3(a)〜(c)は、例4〜6の基板表面のSEM写真である。図3(a)〜(c)では、基板表面に一次元アルミナナノ構造体を形成されており、基板温度が高いほどナノ構造体の成長が促進されている。
(Examples 4 to 6)
In Examples 4 to 6, IPA was used as an alcohol having 4 or less carbon atoms, and the substrate temperature was changed to form a one-dimensional alumina nanostructure. AlCl 3 concentration, alcohol concentration in the process gas, the concentration ratio of alcohol with respect to AlCl 3 (alcohol / AlCl 3), and the substrate temperature was set to conditions shown in the following Table. In Examples 4 to 6, the amount of water in the process gas was substantially zero.
3A to 3C are SEM photographs of the substrate surfaces of Examples 4 to 6. FIG. 3A to 3C, a one-dimensional alumina nanostructure is formed on the substrate surface, and the growth of the nanostructure is promoted as the substrate temperature is higher.

(例7,8)
例7,8では、炭素数4以下のアルコール類としてエタノールを使用し、プロセスガスへの水分(H2O)の添加による、一次元アルミナナノ構造体の形成への影響を評価した。例7はプロセスガスにH2Oを添加しなかった例であり、例8はプロセスガスにH2Oを添加した例である。プロセスガス中のAlCl3濃度、アルコール類濃度、AlCl3に対するアルコール類の濃度比(アルコール類/AlCl3)、プロセスガス中の水分量、および、基板温度は下記表に示した条件とした。
図4(a),(b)は、例7,8の基板表面のSEM写真である。図4(a),(b)では、基板表面に一次元アルミナナノ構造体を形成されており、プロセスガスへの水分(H2O)の添加により、ナノ構造体の密度を上げることが可能であり、より表面積を増やす用途においては微量の水分添加を行うことが有効であることが示されている。
(Examples 7 and 8)
In Examples 7 and 8, ethanol was used as an alcohol having 4 or less carbon atoms, and the influence of the addition of moisture (H 2 O) to the process gas on the formation of the one-dimensional alumina nanostructure was evaluated. Example 7 is an example in which no H 2 O is added to the process gas, Example 8 is an example in which H 2 O was added to the process gas. AlCl 3 concentration, alcohol concentration in the process gas, the concentration ratio of alcohol with respect to AlCl 3 (alcohol / AlCl 3), the water content in the process gas, and the substrate temperature was set to conditions shown in the following Table.
4A and 4B are SEM photographs of the substrate surfaces of Examples 7 and 8, respectively. In FIGS. 4A and 4B, a one-dimensional alumina nanostructure is formed on the substrate surface, and the density of the nanostructure can be increased by adding moisture (H 2 O) to the process gas. In addition, it has been shown that it is effective to add a small amount of water in the application for increasing the surface area.

10:ガラス基板
20:Na
30:Cl
40:NaCl
50:混合溶融塩(NaCl+AlCl3
60:アルミナ(Al23
10: Glass substrate 20: Na
30: Cl
40: NaCl
50: Mixed molten salt (NaCl + AlCl 3 )
60: Alumina (Al 2 O 3 )

Claims (8)

CVD法により、基体上に外観形状が柱状またはチューブ状をした一次元アルミナナノ構造体を形成する方法であって、前記基体が、酸化物基準の質量%表記で2〜40%のナトリウムを含有するガラス基板であり、ロセスガスとして、塩化アルミニウム(AlCl3)、および、炭素数4以下のアルコール類を使用し、塩化アルミニウム(AlCl3)に対するアルコール類の濃度比(アルコール類(mol%)/AlCl3(mol%))が1以上、かつ、前記プロセスガス中の塩化アルミニウム(AlCl3)濃度が0.02〜4mol%となる条件で、前記プロセスガスをプレミックス方式の原料ガス供給手段を用いて予め混合して450℃以上800℃以下の温度に保持した該ガラス基板上に供給する、または、前記プロセスガスをポストミックス方式の原料ガス供給手段を用いて450℃以上800℃以下の温度に保持した該ガラス基板上で混合させることを特徴とする、一次元アルミナナノ構造体の形成方法。 A method of forming a one-dimensional alumina nanostructure having a columnar or tube-like appearance on a substrate by a CVD method, wherein the substrate contains 2 to 40% sodium in terms of mass% based on oxide a glass substrate, a flop Rosesugasu, aluminum chloride (AlCl 3), and, using a number 4 or less alcohol carbon, the concentration ratio of alcohol to aluminum chloride (AlCl 3) (alcohols (mol%) / A premix type raw material gas supply means is provided under the condition that AlCl 3 (mol%) is 1 or more and the aluminum chloride (AlCl 3 ) concentration in the process gas is 0.02 to 4 mol%. Using the glass substrate that has been premixed and maintained at a temperature of 450 ° C. or higher and 800 ° C. or lower, or the process gas The is characterized in that mixing in post-mix method by using the raw material gas supply means 450 ° C. or higher 800 ° C. on the glass substrate kept at a temperature below the formation method of the one-dimensional alumina nanostructures. 前記アルコール類が、メタノール、エタノール、および、イソプロパノールからなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1に記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。   The method for forming a one-dimensional alumina nanostructure according to claim 1, wherein the alcohol is at least one selected from the group consisting of methanol, ethanol, and isopropanol. 前記アルコール類が、エタノールである、請求項1に記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。   The method for forming a one-dimensional alumina nanostructure according to claim 1, wherein the alcohol is ethanol. 塩化アルミニウム(AlCl3)に対するアルコール類の濃度比(アルコール類(mol%)/AlCl3(mol%))が1以上50以下となる条件で、前記プロセスガスをプレミックス方式の原料ガス供給手段を用いて予め混合して450℃以上800℃以下の温度に保持した該ガラス基板上に供給する、または、前記プロセスガスをポストミックス方式の原料ガス供給手段を用いて450℃以上800℃以下の温度に保持した該ガラス基板上で混合させる、請求項1〜3のいずれかに記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。 A premix-type source gas supply means is provided under the condition that the concentration ratio of alcohols to aluminum chloride (AlCl 3 ) (alcohols (mol%) / AlCl 3 (mol%)) is 1 or more and 50 or less. The mixture is supplied onto the glass substrate that has been mixed in advance and maintained at a temperature of 450 ° C. or higher and 800 ° C. or lower, or the process gas is heated to a temperature of 450 ° C. or higher and 800 ° C. or lower using a post-mix type material gas supply means. The method for forming a one-dimensional alumina nanostructure according to any one of claims 1 to 3, wherein mixing is performed on the glass substrate held on the surface. プロセスガス中の水分量が2mol%以下である、請求項1〜4のいずれかに記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。   The method for forming a one-dimensional alumina nanostructure according to any one of claims 1 to 4, wherein the amount of water in the process gas is 2 mol% or less. 前記CVD法が常圧CVD法である、請求項1〜5のいずれかに記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。   The method for forming a one-dimensional alumina nanostructure according to any one of claims 1 to 5, wherein the CVD method is an atmospheric pressure CVD method. 前記CVD法を1000Pa以下の圧力下で実施する、請求項1〜5のいずれかに記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。   The formation method of the one-dimensional alumina nanostructure in any one of Claims 1-5 which implements the said CVD method under the pressure of 1000 Pa or less. 前記ガラス基板がソーダライムガラス基板である、請求項1〜7のいずれかに記載の一次元アルミナナノ構造体の形成方法。   The method for forming a one-dimensional alumina nanostructure according to any one of claims 1 to 7, wherein the glass substrate is a soda lime glass substrate.
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