JP6069134B2 - Substrate processing system, substrate processing method, and computer readable storage medium storing substrate processing program - Google Patents

Substrate processing system, substrate processing method, and computer readable storage medium storing substrate processing program Download PDF

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Description

本発明は、基板を処理液で処理する基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing system and a substrate processing method for processing a substrate with a processing liquid, and a computer-readable storage medium storing a substrate processing program.

従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、基板処理システムを用いて半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して洗浄処理を施す。   Conventionally, when manufacturing a semiconductor component, a flat panel display, or the like, a substrate processing system is used to perform a cleaning process on a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate.

従来の基板処理システムは、基板を保持しながら回転させる基板保持機構と、回転する基板に処理液を供給する処理液供給機構とを備える。基板保持機構は、回転プレートの上部に基板支持部を設けて、基板支持部によって基板の外周端縁を支持する。処理液供給機構は、処理液吐出ノズルを基板に沿って移動可能に設けて、処理液吐出ノズルから基板の表面に向けて処理液を吐出させる。   A conventional substrate processing system includes a substrate holding mechanism that rotates while holding a substrate, and a processing liquid supply mechanism that supplies a processing liquid to the rotating substrate. The substrate holding mechanism is provided with a substrate support portion on the rotating plate, and supports the outer peripheral edge of the substrate by the substrate support portion. The processing liquid supply mechanism is provided with a processing liquid discharge nozzle movably along the substrate, and discharges the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle toward the surface of the substrate.

そして、基板処理システムでは、基板支持部で基板を支持するとともに、回転プレートを回転させ、処理液吐出ノズルから基板の表面に向けて処理液を吐出する。これにより、基板処理システムは、基板の表面を処理液で洗浄する。洗浄で使用された処理液は、基板の回転による遠心力によって基板の外周外方に振り切られ、基板の外周外方に設けられた回収カップで回収される（特許文献１参照）。   In the substrate processing system, the substrate support unit supports the substrate, rotates the rotating plate, and discharges the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle toward the surface of the substrate. Thereby, the substrate processing system cleans the surface of the substrate with the processing liquid. The processing liquid used in the cleaning is shaken off to the outer periphery of the substrate by a centrifugal force generated by the rotation of the substrate, and is collected by a recovery cup provided on the outer periphery of the substrate (see Patent Document 1).

この基板処理システムでは、基板の表面を洗浄した際に基板の表面から剥離したパーティクル等が処理液とともに基板の外周外方に振り切られ、回収カップから外部に排出される。   In this substrate processing system, particles and the like separated from the surface of the substrate when the surface of the substrate is cleaned are shaken off to the outer periphery of the substrate together with the processing liquid, and discharged from the recovery cup to the outside.

特開２００３−２７３０５８号公報JP 2003-273058 A

しかしながら、従来の基板処理システムでは、全てのパーティクル等が処理液とともに外部に排出されるのではなく、一部のパーティクル等が基板支持部に付着して残留してしまい、その後の基板の洗浄時にパーティクル等が基板に再付着するおそれがあった。そして、処理液吐出ノズルを基板支持部の洗浄のためにそのまま用いても付着したパーティクル等を良好に除去することはできなかった。   However, in the conventional substrate processing system, not all particles etc. are discharged to the outside together with the processing liquid, but some particles etc. remain attached to the substrate support, and at the time of subsequent cleaning of the substrate There was a risk that particles or the like would reattach to the substrate. Even if the treatment liquid discharge nozzle is used as it is for cleaning the substrate support portion, the adhered particles and the like cannot be removed well.

そこで、本発明では、基板を処理液で処理する基板処理システムにおいて、回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を保持しながら前記基板を回転させる基板保持機構と、処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を供給する処理流体供給部と、前記処理液吐出ノズルを前記基板に沿って移動させるノズル移動機構と、前記処理流体供給部から供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップと、前記基板保持機構と処理流体供給部とノズル移動機構を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記基板支持部で前記基板を支持した状態で、前記基板保持機構によって前記回転プレートを回転させながら前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから回転する前記基板に向けて処理液を吐出させて前記基板の洗浄処理を行わせ、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記ノズル移動機構によって前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせることにした。   Therefore, according to the present invention, in a substrate processing system for processing a substrate with a processing liquid, a substrate holding mechanism that rotates the substrate while holding the outer peripheral edge of the substrate by a substrate support provided on a rotating plate, and a processing liquid discharge A processing fluid supply unit that supplies a processing liquid from a nozzle toward the substrate; a nozzle moving mechanism that moves the processing liquid discharge nozzle along the substrate; and a processing liquid supplied from the processing fluid supply unit. A recovery cup that recovers outside the outer periphery of the substrate, a control device that controls the substrate holding mechanism, the processing fluid supply unit, and the nozzle moving mechanism, and the control device supports the substrate with the substrate support unit. The processing fluid supply unit discharges the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle toward the rotating substrate while rotating the rotating plate by the substrate holding mechanism. In the state where the substrate cleaning process is performed and the substrate support unit does not support the substrate, the processing liquid discharge nozzle is moved above the substrate support unit by the nozzle moving mechanism, and the processing fluid supply unit The processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle toward the substrate support portion under a condition different from that of the substrate cleaning processing to perform the cleaning processing of the substrate support portion.

また、前記制御装置は、前記基板の洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートを第１の回転速度で回転させ、前記基板支持部の洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転又は停止させることにした。   Further, the control device rotates the rotating plate at a first rotation speed by the substrate holding mechanism during the cleaning process of the substrate, and rotates the rotating plate by the substrate holding mechanism during the cleaning process of the substrate support unit. It was decided to rotate or stop at a second rotational speed lower than the first rotational speed.

また、前記制御装置は、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第２の回転速度よりも低速の第３の回転速度で回転させながら又は停止して前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させて前記回転プレートの上面に処理液を貯留させ、その後、前記処理液吐出ノズルからの処理液の吐出を停止させ、前記基板保持機構によって前記回転プレートを回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることにした。   Further, the control device stops or rotates the rotating plate at a third rotational speed lower than the second rotational speed by the substrate holding mechanism in a state where the substrate support unit does not support the substrate. Then, the processing liquid supply unit discharges the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle to store the processing liquid on the upper surface of the rotating plate, and then stops the discharge of the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle, The rotating plate is rotated by the substrate holding mechanism and the processing liquid stored on the upper surface of the rotating plate is sprayed toward the inner peripheral surface of the recovery cup to perform the cleaning process of the recovery cup.

また、前記制御装置は、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも高速の第４の回転速度で回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることにした。   Further, the control device rotates the rotating plate at a fourth rotational speed higher than the first rotational speed by the substrate holding mechanism, and stores the processing liquid stored on the upper surface of the rotating plate in the recovery cup. The recovery cup was washed by spraying toward the inner peripheral surface.

また、前記処理流体供給部は、前記処理液吐出ノズルとして２流体ノズルを用いて処理液と不活性ガスとの混合流体を吐出可能とすることにした。   Further, the processing fluid supply unit can discharge a mixed fluid of a processing liquid and an inert gas using a two-fluid nozzle as the processing liquid discharge nozzle.

また、前記制御装置は、前記基板支持部の洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから処理液だけを吐出させることにした。   Further, the control device causes the processing fluid supply section to discharge only the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle during the cleaning process of the substrate support section.

また、前記制御装置は、前記基板支持部の洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから、前記基板の洗浄処理よりも少ない量の不活性ガスを含む混合流体を吐出させることにした。   In addition, the control device causes the processing fluid supply unit to discharge a mixed fluid containing a smaller amount of inert gas than the substrate cleaning process during the cleaning process of the substrate support unit. I made it.

また、前記制御装置は、前記基板支持部の洗浄処理後に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから不活性ガスだけを吐出させることにした。   Further, the control device discharges only the inert gas from the processing liquid discharge nozzle by the processing fluid supply section after the cleaning process of the substrate support section.

また、前記制御装置は、前記回収カップの洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートの回転方向を逆転させながら繰返し前記回収カップの洗浄を行わせることにした。   The controller is configured to repeatedly clean the recovery cup while reversing the rotation direction of the rotating plate by the substrate holding mechanism during the cleaning process of the recovery cup.

また、前記制御装置は、前記回収カップの洗浄処理時に、前記ノズル移動機構によって前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部よりも前記回転プレートの内周側に移動させてから、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから前記回転プレートの上面に向けて処理液を吐出させることにした。   Further, the control device moves the processing liquid discharge nozzle to the inner peripheral side of the rotating plate from the substrate support portion by the nozzle moving mechanism during the cleaning process of the recovery cup, and then the processing fluid supply unit. Thus, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle toward the upper surface of the rotating plate.

また、本発明では、基板を処理液で処理する基板処理方法において、回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を支持した状態で、前記基板を回転させながら処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を吐出させ、前記処理液を前記基板の外周外方で回収カップにより回収させて前記基板の洗浄処理を行わせ、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせ、前記基板の洗浄処理時に、前記回転プレートを第１の回転速度で回転させ、前記基板支持部の洗浄処理時に、前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転又は停止させ、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記回転プレートを前記第２の回転速度よりも低速の第３の回転速度で回転させながら又は停止して前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させて前記回転プレートの上面に処理液を貯留させ、その後、前記処理液吐出ノズルからの処理液の吐出を停止させ、前記回転プレートを回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることにした。
Further, according to the present invention, in the substrate processing method for processing a substrate with a processing liquid, the substrate supporting portion provided on the rotating plate supports the outer peripheral edge of the substrate and rotates the substrate from the processing liquid discharge nozzle. In a state where the processing liquid is discharged toward the substrate, the processing liquid is recovered by a recovery cup outside the outer periphery of the substrate, the substrate is cleaned, and the substrate support unit does not support the substrate. The processing liquid discharge nozzle is moved above the substrate support section, and the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle toward the substrate support section under a condition different from the cleaning process of the substrate. washing treatment was carried out, during the cleaning process of the substrate, the rotary plate is rotated at a first rotational speed, during the cleaning process of the substrate supporting portion, the rotary plate the first rotation speed The rotation plate is rotated or stopped at a second rotation speed lower than the second rotation speed, and the rotation plate is rotated at a third rotation speed lower than the second rotation speed in a state where the substrate support portion does not support the substrate. While or stopped, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle to store the processing liquid on the upper surface of the rotating plate. Thereafter, the discharging of the processing liquid from the processing liquid discharging nozzle is stopped, and the rotating plate is the rotate and stored in the upper surface of the rotary plate treatment liquid sprayed toward the inner circumferential surface of the collection cup was Rukoto to perform the cleaning process of the collection cup.

また、本発明では、基板処理システムに処理液で基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を支持した状態で、前記基板を回転させながら処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を吐出させ、前記処理液を前記基板の外周外方で回収カップにより回収させて前記基板の洗浄処理を行わせ、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせ、前記基板の洗浄処理時に、前記回転プレートを第１の回転速度で回転させ、前記基板支持部の洗浄処理時に、前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転又は停止させ、前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記回転プレートを前記第２の回転速度よりも低速の第３の回転速度で回転させながら又は停止して前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させて前記回転プレートの上面に処理液を貯留させ、その後、前記処理液吐出ノズルからの処理液の吐出を停止させ、前記回転プレートを回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることにした。 In the present invention, in the computer-readable storage medium storing the substrate processing program for processing the substrate with the processing liquid in the substrate processing system, the outer peripheral edge of the substrate is supported by the substrate support portion provided on the rotating plate. Then, while rotating the substrate, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle toward the substrate, the processing liquid is collected by a recovery cup outside the outer periphery of the substrate, and the substrate is cleaned. While the substrate support unit does not support the substrate, the processing liquid discharge nozzle is moved above the substrate support unit, and the cleaning process of the substrate from the processing liquid discharge nozzle toward the substrate support unit by ejecting processing liquid at different conditions to perform the cleaning process of the substrate support, during the cleaning process of the substrate, rotating the rotating plate at a first rotational speed In the cleaning process of the substrate support portion, the rotating plate is rotated or stopped at a second rotation speed lower than the first rotation speed, and the substrate support portion does not support the substrate, While rotating or stopping the rotating plate at a third rotation speed lower than the second rotating speed, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle to store the processing liquid on the upper surface of the rotating plate, Thereafter, the discharge of the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle is stopped, the rotating plate is rotated, and the processing liquid stored on the upper surface of the rotating plate is sprayed toward the inner peripheral surface of the recovery cup to collect the recovery. It was Rukoto to perform the cleaning process of the cup.

本発明では、１つの処理液吐出ノズルを用いて基板支持部に付着したパーティクル等を良好に除去することができる。   In the present invention, it is possible to satisfactorily remove particles and the like adhering to the substrate support portion using one processing liquid discharge nozzle.

基板処理システムの概略構成を示す平面説明図。Plane explanatory drawing which shows schematic structure of a substrate processing system. 処理ユニットの概略構成を示す側面説明図。Side surface explanatory drawing which shows schematic structure of a processing unit. 処理ユニットを示す平面説明図。Plane explanatory drawing which shows a processing unit. 同側面説明図。FIG. 基板処理プログラムを示すフローチャート。The flowchart which shows a substrate processing program. 基板処理方法を示す説明図（基板洗浄処理）。Explanatory drawing which shows a substrate processing method (substrate cleaning process). 基板処理方法を示す説明図（基板支持部洗浄処理）。Explanatory drawing which shows a substrate processing method (substrate support part washing | cleaning process). 基板処理方法を示す説明図（回収カップ洗浄処理）。An explanatory view showing a substrate processing method (collection cup washing processing). 基板処理方法を示す説明図（回収カップ洗浄処理）。An explanatory view showing a substrate processing method (collection cup washing processing).

以下に、本発明に係る基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。   A specific configuration of a substrate processing system, a substrate processing method, and a substrate processing program according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。   FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。   As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a carry-in / out station 2 and a processing station 3. The carry-in / out station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。   The carry-in / out station 2 includes a carrier placement unit 11 and a transport unit 12. A plurality of carriers C that accommodate a plurality of substrates, in this embodiment a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer W) in a horizontal state, are placed on the carrier placement unit 11.

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。   The transport unit 12 is provided adjacent to the carrier placement unit 11 and includes a substrate transport device 13 and a delivery unit 14 inside. The substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the wafer holding mechanism. Do.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。   The processing station 3 is provided adjacent to the transfer unit 12. The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are provided side by side on the transport unit 15.

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。   The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 using a wafer holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。   The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。   Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is a computer, for example, and includes a control unit 18 and a storage unit 19. The storage unit 19 stores a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。   Such a program may be recorded on a computer-readable storage medium, and may be installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。   In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placement unit 11 and receives the taken-out wafer W. Place on the transfer section 14. The wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out from the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。   The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery unit 14 is returned to the carrier C of the carrier placement unit 11 by the substrate transfer device 13.

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。   As shown in FIG. 2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。   The chamber 20 accommodates the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40, and the recovery cup 50. An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20. The FFU 21 forms a down flow in the chamber 20.

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。   The substrate holding mechanism 30 includes a holding unit 31, a support unit 32, and a driving unit 33. The holding unit 31 holds the wafer W horizontally. The support | pillar part 32 is a member extended in a perpendicular direction, a base end part is rotatably supported by the drive part 33, and supports the holding | maintenance part 31 horizontally in a front-end | tip part. The drive unit 33 rotates the column unit 32 around the vertical axis. The substrate holding mechanism 30 rotates the support unit 31 by rotating the support unit 32 using the drive unit 33, thereby rotating the wafer W held by the support unit 31. .

処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。   The processing fluid supply unit 40 supplies a processing fluid to the wafer W. The processing fluid supply unit 40 is connected to a processing fluid supply source 70.

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。   The collection cup 50 is disposed so as to surround the holding unit 31, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding unit 31. A drain port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50, and the processing liquid collected by the recovery cup 50 is discharged from the drain port 51 to the outside of the processing unit 16. Further, an exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the recovery cup 50.

図３及び図４に示すように、基板保持機構３０の保持部３１は、支柱部３２の上端に円板状の回転プレート３４を取付けている。回転プレート３４の外周端縁部には、ウェハＷの外周端縁を下側（裏面側）から支持する基板支持部３５が円周方向に間隔をあけて３個設けられている。各基板支持部３５は、円弧状の基板支持プレート３６の中央にチャッキングピン３７を設けるとともに、チャッキングピン３７の左右両側にガイドピン３８を設けている。チャッキングピン３７は、Ｌ字状に屈曲した形状となっており、バネ３９で付勢された状態で回転プレート３４に屈曲部が回動自在に取付けられている。このチャッキングピン３７には、制御装置４で制御される開閉機構４１が接続されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the holding portion 31 of the substrate holding mechanism 30 has a disk-shaped rotating plate 34 attached to the upper end of the support portion 32. Three substrate support portions 35 that support the outer peripheral edge of the wafer W from the lower side (back surface side) are provided on the outer peripheral edge of the rotating plate 34 at intervals in the circumferential direction. Each substrate support portion 35 is provided with a chucking pin 37 at the center of the arc-shaped substrate support plate 36 and guide pins 38 on both the left and right sides of the chucking pin 37. The chucking pin 37 is bent in an L shape, and a bent portion is rotatably attached to the rotating plate 34 while being urged by a spring 39. An opening / closing mechanism 41 controlled by the control device 4 is connected to the chucking pin 37.

そして、開閉機構４１によってチャッキングピン３７の下端部をバネ３９の付勢力に抗して押し上げると、チャッキングピン３７の上端部が回転プレート３４の外周外方側に開く。この状態でウェハＷを基板支持部３５の上方に載置する。その際に、ガイドピン３８がウェハＷを基板支持プレート３６の上面傾斜部に案内する。その後、開閉機構４１を解除してバネ３９の付勢力でチャッキングピン３７の下端部が下げられると、チャッキングピン３７の上端部が回転プレート３４の内周側に閉じる。これにより、チャッキングピン３７の上端部でウェハＷが基板支持部３５の正規位置に保持される。   When the lower end portion of the chucking pin 37 is pushed up against the biasing force of the spring 39 by the opening / closing mechanism 41, the upper end portion of the chucking pin 37 opens to the outer peripheral side of the rotating plate 34. In this state, the wafer W is placed above the substrate support portion 35. At that time, the guide pins 38 guide the wafer W to the upper inclined portion of the substrate support plate 36. Thereafter, when the opening / closing mechanism 41 is released and the lower end portion of the chucking pin 37 is lowered by the biasing force of the spring 39, the upper end portion of the chucking pin 37 is closed to the inner peripheral side of the rotating plate 34. As a result, the wafer W is held at the normal position of the substrate support portion 35 at the upper end portion of the chucking pins 37.

また、基板保持機構３０の保持部３１及び支柱部３２には、ウェハＷの裏面側中央部に向けて窒素ガス等の流体を吐出する流体供給部４２が設けられている。流体供給部４２は、回転プレート３４の中央に吐出口４３を形成し、吐出口４３に流体供給源４４を流量調整器４５を介して接続している。流量調整器４５は、制御装置４で制御される。   In addition, the holding unit 31 and the column unit 32 of the substrate holding mechanism 30 are provided with a fluid supply unit 42 that discharges a fluid such as nitrogen gas toward the center of the back side of the wafer W. The fluid supply unit 42 has a discharge port 43 formed at the center of the rotary plate 34, and a fluid supply source 44 is connected to the discharge port 43 via a flow rate regulator 45. The flow rate regulator 45 is controlled by the control device 4.

処理流体供給部４０は、処理液吐出ノズル４６にノズル移動機構４７を接続する。ノズル移動機構４７は、制御装置４で制御され、処理液吐出ノズル４６を上下及び左右に移動させる。処理液吐出ノズル４６は、液体と不活性ガスとを混合してミスト状に吐出できる２流体ノズルを用いる。処理液吐出ノズル４６には、処理流体供給源７０として処理液供給源４８と不活性ガス供給源４９がそれぞれ流量調整器５３，５４を介して接続されている。流量調整器５３，５４は、制御装置４で制御される。ここでは、処理液として純水を用い、不活性ガスとして窒素ガスを用いる。   The processing fluid supply unit 40 connects a nozzle moving mechanism 47 to the processing liquid discharge nozzle 46. The nozzle moving mechanism 47 is controlled by the control device 4 and moves the processing liquid discharge nozzle 46 up and down and left and right. The treatment liquid discharge nozzle 46 uses a two-fluid nozzle that can mix a liquid and an inert gas and discharge the mixed liquid in a mist form. A processing liquid supply source 48 and an inert gas supply source 49 are connected to the processing liquid discharge nozzle 46 via flow rate adjusters 53 and 54 as a processing fluid supply source 70, respectively. The flow rate adjusters 53 and 54 are controlled by the control device 4. Here, pure water is used as the treatment liquid and nitrogen gas is used as the inert gas.

回収カップ５０には、カップ昇降機構５５が接続されている。カップ昇降機構５５は、制御装置４で制御される。   A cup lifting mechanism 55 is connected to the recovery cup 50. The cup lifting mechanism 55 is controlled by the control device 4.

基板処理システム１は、以上のように構成しており、制御装置４の記憶部１９に記憶された基板処理プログラムにしたがって動作する。   The substrate processing system 1 is configured as described above, and operates according to a substrate processing program stored in the storage unit 19 of the control device 4.

図５に示すように、制御装置４は、通常においてはウェハＷの洗浄処理を行う（基板洗浄処理ステップＳ１）。   As shown in FIG. 5, the control device 4 normally performs a cleaning process on the wafer W (substrate cleaning process step S1).

ウェハＷの洗浄処理においては、図６に示すように、基板保持機構３０の保持部３１にウェハＷを載置して、基板支持部３５でウェハＷを支持する。その後、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４を第１の回転速度で回転させる。これにより、ウェハＷは、回転プレート３４とともに回転する。その後、制御装置４は、ノズル移動機構４７を制御して、処理液吐出ノズル４６をウェハＷの中心部上方に移動させる。その後、制御装置４は、処理流体供給部４０の流量調整器５３，５４を制御して、処理液吐出ノズル４６から回転するウェハＷの上面（表面）に向けて第１の処理液流量の処理液と第１の不活性ガス流量の不活性ガスとを混合させたミスト状の処理液を吐出させる。また、制御装置４は、ノズル移動機構４７を制御して、処理液吐出ノズル４６をウェハＷの中心部上方とウェハＷの外周端縁上方との間を往復移動させる。これにより、ウェハＷは、ミスト状の処理液で洗浄される。処理液は、回転するウェハＷの遠心力でウェハＷの外周外方に振り切られ、回収カップ５０で回収され、排液口５１から外部に排出される。なお、このウェハＷの洗浄処理において、制御装置４は、流体供給部４２の流量調整器４５を制御して、所定流量の流体を吐出口４３からウェハＷの裏面側に供給させる。これにより、処理液がウェハＷの裏面側に流れ込むのを防止する。制御装置４は、ウェハＷの洗浄処理の終了後に、処理液、不活性ガス、流体の吐出を停止させ、基板を乾燥させ、処理液吐出ノズル４６を回収カップ５０の外方の待機位置に移動させ、回転プレート３４の回転を停止し、ウェハＷを処理ユニット１６から搬出させる。   In the cleaning process of the wafer W, as shown in FIG. 6, the wafer W is placed on the holding unit 31 of the substrate holding mechanism 30, and the wafer W is supported by the substrate support unit 35. Thereafter, the control device 4 controls the substrate holding mechanism 30 to rotate the rotating plate 34 at the first rotation speed. As a result, the wafer W rotates with the rotating plate 34. Thereafter, the control device 4 controls the nozzle moving mechanism 47 to move the processing liquid discharge nozzle 46 above the center of the wafer W. Thereafter, the control device 4 controls the flow rate adjusters 53 and 54 of the processing fluid supply unit 40 to process the first processing liquid flow rate toward the upper surface (front surface) of the wafer W rotating from the processing liquid discharge nozzle 46. A mist-like processing liquid obtained by mixing the liquid and an inert gas having a first inert gas flow rate is discharged. Further, the control device 4 controls the nozzle moving mechanism 47 to reciprocate the processing liquid discharge nozzle 46 between the upper portion of the wafer W and the upper peripheral edge of the wafer W. As a result, the wafer W is cleaned with the mist-like processing liquid. The processing liquid is shaken off to the outer periphery of the wafer W by the centrifugal force of the rotating wafer W, recovered by the recovery cup 50, and discharged to the outside from the drain port 51. In the cleaning process of the wafer W, the control device 4 controls the flow rate regulator 45 of the fluid supply unit 42 to supply a predetermined flow rate of fluid from the discharge port 43 to the back side of the wafer W. This prevents the processing liquid from flowing into the back side of the wafer W. After the cleaning process of the wafer W is completed, the control device 4 stops the discharge of the processing liquid, the inert gas, and the fluid, dries the substrate, and moves the processing liquid discharge nozzle 46 to the standby position outside the recovery cup 50. The rotation of the rotating plate 34 is stopped, and the wafer W is unloaded from the processing unit 16.

その後、図５に示すように、制御装置４は、基板支持部３５や回収カップ５０などの処理ユニット１６の内部の洗浄処理を行うか否かを判断する（内部洗浄判断ステップＳ２）。たとえば、制御装置４は、前回の処理ユニット１６の内部の洗浄処理から経過した時間や、洗浄処理したウェハＷの枚数などに基づいて、内部の洗浄処理を行うか否かを判断する。なお、オペレーターの指示に基づいて強制的に内部の洗浄処理を行わせてもよい。   Thereafter, as shown in FIG. 5, the control device 4 determines whether or not to perform cleaning processing inside the processing unit 16 such as the substrate support portion 35 and the recovery cup 50 (internal cleaning determination step S <b> 2). For example, the control device 4 determines whether or not to perform the internal cleaning process based on the time elapsed since the previous internal cleaning process of the processing unit 16 or the number of wafers W subjected to the cleaning process. The internal cleaning process may be forcibly performed based on an instruction from the operator.

内部の洗浄処理を行うと判断した場合には、図５に示すように、主に基板支持部３５の洗浄処理を行う基板支持部洗浄処理ステップＳ３を実行する。   When it is determined that the internal cleaning process is to be performed, as shown in FIG. 5, a substrate support part cleaning process step S3 for mainly performing a cleaning process on the substrate support part 35 is executed.

基板支持部３５の洗浄処理においては、図７に示すように、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４を第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転させる。その後、制御装置４は、ノズル移動機構４７を制御して、処理液吐出ノズル４６を基板支持部３５の上方に移動させる。ここでの上方位置は、基板支持部３５のチャッキングピン３７に対して垂直上方向の位置である。その後、制御装置４は、処理流体供給部４０の流量調整器５３，５４を制御して、処理液吐出ノズル４６から基板支持部３５に向けて第２の処理液流量の処理液と第２の不活性ガス流量の不活性ガスとを混合させたミスト状の処理液を吐出させる。ここで、基板洗浄処理ステップＳ１とは条件を変え、基板処理のときよりも不活性ガスの流量を弱くしたミスト状の処理液を処理液吐出ノズル４６から吐出させる。これにより、基板支持部３５は、ミスト状の処理液で洗浄され、基板支持部３５に付着したパーティクル等が除去される。処理液は、回転する回転プレート３４の遠心力で回転プレート３４の外周外方に振り切られ、回収カップ５０で回収され、排液口５１から外部に排出される。なお、この基板支持部３５の洗浄処理において、制御装置４は、流体供給部４２の流量調整器４５を制御して、所定流量の流体を吐出口４３から供給させる。これにより、処理液が吐出口４３から流れ込むのを防止する。なお、処理液吐出ノズル４６が移動する上方の位置は、基板支持部３５に対して垂直上方向の位置に限らず、処理液吐出ノズル４６による洗浄効果が得られる範囲であれば、垂直上方向の位置から多少ずれていてもよい。   In the cleaning process of the substrate support portion 35, as shown in FIG. 7, the control device 4 controls the substrate holding mechanism 30 to move the rotating plate 34 at a second rotational speed lower than the first rotational speed. Rotate. Thereafter, the control device 4 controls the nozzle moving mechanism 47 to move the processing liquid discharge nozzle 46 above the substrate support portion 35. Here, the upper position is a position in the vertical direction with respect to the chucking pin 37 of the substrate support portion 35. Thereafter, the control device 4 controls the flow rate adjusters 53 and 54 of the processing fluid supply unit 40, so that the processing liquid at the second processing liquid flow rate and the second processing liquid flow rate from the processing liquid discharge nozzle 46 toward the substrate support unit 35. A mist-like processing liquid mixed with an inert gas having an inert gas flow rate is discharged. Here, the conditions are different from those in the substrate cleaning processing step S1, and a processing liquid discharge nozzle 46 discharges a mist-like processing liquid in which the flow rate of the inert gas is lower than that during the substrate processing. As a result, the substrate support portion 35 is washed with the mist-like processing liquid, and particles and the like attached to the substrate support portion 35 are removed. The processing liquid is shaken off to the outer periphery of the rotating plate 34 by the centrifugal force of the rotating rotating plate 34, recovered by the recovery cup 50, and discharged to the outside from the drain port 51. In the cleaning process of the substrate support unit 35, the control device 4 controls the flow rate regulator 45 of the fluid supply unit 42 to supply a predetermined flow rate of fluid from the discharge port 43. Thereby, the processing liquid is prevented from flowing from the discharge port 43. The upper position where the processing liquid discharge nozzle 46 moves is not limited to the position in the vertical upper direction with respect to the substrate support 35, but may be in the vertical upper direction as long as the cleaning effect by the processing liquid discharge nozzle 46 can be obtained. It may be slightly deviated from the position.

この基板支持部３５の洗浄処理において、制御装置４は、処理液吐出ノズル４６の下方に基板支持部３５が位置する状態で回転プレート３４の回転を停止させてもよい。なお、複数の基板支持部３５に対しては、それぞれ処理液吐出ノズル４６の下方に基板支持部３５が位置する状態で回転プレート３４の回転を停止させて各基板支持部３５の洗浄処理を順次行う。   In the cleaning process of the substrate support part 35, the control device 4 may stop the rotation of the rotating plate 34 in a state where the substrate support part 35 is located below the processing liquid discharge nozzle 46. In addition, with respect to the plurality of substrate support portions 35, the rotation of the rotating plate 34 is stopped in a state where the substrate support portion 35 is positioned below the processing liquid discharge nozzle 46, and the cleaning processing of each substrate support portion 35 is sequentially performed. Do.

このように、基板支持部３５の洗浄処理では、回転プレート３４の第２の回転速度をウェハＷの洗浄処理時の第１の回転速度よりも低速にし、又は回転プレート３４を停止させることで、遠心力による処理液のカップ外への飛び散りが抑制され、基板支持部３５を重点的に洗浄することができる。   As described above, in the cleaning process of the substrate support portion 35, the second rotation speed of the rotation plate 34 is set lower than the first rotation speed during the cleaning process of the wafer W, or the rotation plate 34 is stopped. Spattering of the processing liquid to the outside of the cup due to the centrifugal force is suppressed, and the substrate support portion 35 can be cleaned with priority.

また、上記基板支持部３５の洗浄処理において、制御装置４は、不活性ガスの流量を適宜調整してもよく、不活性ガスを停止させて処理液だけを処理液吐出ノズル４６から吐出させてもよい。   Further, in the cleaning process of the substrate support portion 35, the control device 4 may adjust the flow rate of the inert gas as appropriate, and stops the inert gas and discharges only the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle 46. Also good.

このように、基板支持部３５の洗浄処理では、不活性ガスの流量を調整することで、処理液による洗浄力を調整することができ、基板支持部３５の汚れ具合等に応じた洗浄処理を行うことができる。   Thus, in the cleaning process of the substrate support part 35, the cleaning power by the processing liquid can be adjusted by adjusting the flow rate of the inert gas, and the cleaning process according to the degree of contamination of the substrate support part 35 is performed. It can be carried out.

また、上記基板支持部３５の洗浄処理では、通常のウェハＷの洗浄処理時に処理液吐出ノズル４６をウェハＷの中心部と外周部との間で移動させる範囲よりも外周外方側の回転プレート３４の外周端縁の基板支持部３５の上方の位置まで移動させる。   Further, in the cleaning process of the substrate support part 35, the rotating plate on the outer peripheral side outside the range in which the processing liquid discharge nozzle 46 is moved between the central part and the outer peripheral part of the wafer W during the normal wafer W cleaning process. The outer peripheral edge 34 is moved to a position above the substrate support 35.

このように、基板支持部３５の洗浄処理では、基板支持部３５の上方に処理液吐出ノズル４６を移動させることで、基板支持部３５を重点的に洗浄することができる。なお、基板支持部３５のチャッキングピン３７とガイドピン３８とでは汚れ具合が異なる。したがって、低速回転時において、処理液吐出ノズル４６がチャッキングピン３７とガイドピン３８のどちらの上方に位置しているかに応じて、処理液の吐出量や不活性ガスの混合量を変化させるようにしてもよい。   As described above, in the cleaning process of the substrate support part 35, the substrate support part 35 can be intensively cleaned by moving the processing liquid discharge nozzle 46 above the substrate support part 35. The chucking pin 37 and the guide pin 38 of the substrate support part 35 are different in the degree of dirt. Therefore, during the low-speed rotation, the processing liquid discharge amount and the inert gas mixture amount are changed according to which of the chucking pin 37 and the guide pin 38 the processing liquid discharge nozzle 46 is located above. May be.

制御装置４は、基板支持部３５の洗浄処理の終了後に、図５に示すように、主に回収カップ５０の洗浄処理を行う回収カップ洗浄処理ステップＳ４を実行する。   As shown in FIG. 5, the control device 4 executes a recovery cup cleaning process step S <b> 4 that mainly performs the cleaning process of the recovery cup 50 after the cleaning process of the substrate support portion 35 is completed.

まず、回収カップ５０の洗浄処理においては、回転プレート３４の上面に処理液を貯留する処理液貯留ステップを実行する。すなわち、図８に示すように、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４を第２の回転速度よりも低速の第３の回転速度（停止を含む。）で回転させる。その後、制御装置４は、処理流体供給部４０の流量調整器５３、５４を制御して、処理液吐出ノズル４６から基板支持部３５に向けて第３の処理液流量の処理液だけを吐出させる。これにより、回転プレート３４の上面には、処理液が貯留される。ここで、制御装置４は、回転プレート３４の上面に吐出された処理液が回転プレート３４の遠心力で外周外方へ振り切られずに回転プレート３４の上面に良好に貯留できるような回転速度で回転プレート３４を回転させる。なお、この回収カップ５０の洗浄処理において、制御装置４は、流体供給部４２の流量調整器４５を制御して、所定流量の流体を吐出口４３から供給させる。これにより、処理液が吐出口４３から流れ込むのを防止する。   First, in the cleaning process of the recovery cup 50, a processing liquid storage step for storing the processing liquid on the upper surface of the rotating plate 34 is executed. That is, as shown in FIG. 8, the control device 4 controls the substrate holding mechanism 30 to rotate the rotation plate 34 at a third rotation speed (including a stop) that is lower than the second rotation speed. . Thereafter, the control device 4 controls the flow rate adjusters 53 and 54 of the processing fluid supply unit 40 to discharge only the processing liquid at the third processing liquid flow rate from the processing liquid discharge nozzle 46 toward the substrate support unit 35. . Thereby, the processing liquid is stored on the upper surface of the rotating plate 34. Here, the control device 4 rotates at a rotation speed such that the processing liquid discharged onto the upper surface of the rotating plate 34 can be well stored on the upper surface of the rotating plate 34 without being shaken off to the outer periphery by the centrifugal force of the rotating plate 34. The plate 34 is rotated. In the cleaning process of the recovery cup 50, the control device 4 controls the flow rate regulator 45 of the fluid supply unit 42 to supply a predetermined flow rate of fluid from the discharge port 43. Thereby, the processing liquid is prevented from flowing from the discharge port 43.

次に、回収カップ５０の洗浄処理においては、回転プレート３４の上面に貯留した処理液を遠心力で回収カップ５０の内周面に向けて振り切る処理液振り切りステップを実行する。すなわち、図９に示すように、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４を第１の回転速度よりも高速の第４の回転速度で回転させる。回転プレート３４を高速回転させると、回転プレート３４の遠心力の作用で回転プレート３４の上面に貯留されていた処理液が回転プレート３４の外周外方に振り切られる。回転プレート３４から振り切られた処理液は、回収カップ５０の内周面に吹き付けられる。これにより、回収カップ５０の内周面は、処理液で洗浄され、回収カップ５０の内周面に付着していたパーティクル等が除去される。なお、この回収カップ５０の洗浄処理において、制御装置４は、流体供給部４２の流量調整器４５を制御して、所定流量の流体を吐出口４３から供給させる。これにより、処理液が吐出口４３から流れ込むのを防止する。   Next, in the cleaning process of the recovery cup 50, a processing liquid swing-off step is performed in which the processing liquid stored on the upper surface of the rotating plate 34 is spun off toward the inner peripheral surface of the recovery cup 50 by centrifugal force. That is, as shown in FIG. 9, the control device 4 controls the substrate holding mechanism 30 to rotate the rotating plate 34 at a fourth rotational speed higher than the first rotational speed. When the rotating plate 34 is rotated at a high speed, the processing liquid stored on the upper surface of the rotating plate 34 is shaken off to the outer periphery of the rotating plate 34 by the action of the centrifugal force of the rotating plate 34. The processing liquid shaken off from the rotating plate 34 is sprayed on the inner peripheral surface of the recovery cup 50. As a result, the inner peripheral surface of the recovery cup 50 is washed with the processing liquid, and particles and the like attached to the inner peripheral surface of the recovery cup 50 are removed. In the cleaning process of the recovery cup 50, the control device 4 controls the flow rate regulator 45 of the fluid supply unit 42 to supply a predetermined flow rate of fluid from the discharge port 43. Thereby, the processing liquid is prevented from flowing from the discharge port 43.

この処理液振り切りステップにおいて、制御装置４は、処理流体供給部４０の流量調整器５３、５４を制御して、処理液吐出ノズル４６から基板支持部３５に向けて第３の不活性ガス流量の不活性ガスだけを吐出させてもよい。これにより、回転プレート３４や基板支持部３５に不活性ガスが吹き付けられることになり、回転プレート３４や基板支持部３５の乾燥処理を行うことができる。   In this processing liquid swing-off step, the control device 4 controls the flow rate adjusters 53 and 54 of the processing fluid supply unit 40 so that the third inert gas flow rate is increased from the processing liquid discharge nozzle 46 toward the substrate support unit 35. Only the inert gas may be discharged. As a result, the inert gas is sprayed onto the rotating plate 34 and the substrate support part 35, and the drying process of the rotating plate 34 and the substrate support part 35 can be performed.

このように、回収カップ５０の洗浄処理では、処理液貯留ステップにおいて、回転プレート３４の第３の回転速度を基板支持部３５の洗浄処理時の第２の回転速度よりも低速又は停止させることで、遠心力による処理液の振り切りが抑制され、回転プレート３４の上部に処理液を良好に貯留させることができる。   As described above, in the cleaning process of the recovery cup 50, the third rotation speed of the rotating plate 34 is set lower than or stopped from the second rotation speed during the cleaning process of the substrate support 35 in the processing liquid storage step. The processing liquid is prevented from being shaken off by the centrifugal force, and the processing liquid can be well stored in the upper part of the rotating plate 34.

また、回収カップ５０の洗浄処理では、処理液振り切りステップにおいて、回転プレート３４の第４の回転速度をウェハＷの洗浄処理時の第１の回転速度よりも高速にすることで、回転プレート３４の上部に貯留された処理液に作用する遠心力を増大させることができる。ウェハＷの洗浄処理時には、ウェハＷから振り切られた処理液は、重力の作用でウェハＷよりも少し下側の回収カップ５０の内周面に衝突する。そのため、回収カップ５０の内周面において、ウェハＷよりも少し下側となる部分にパーティクル等が多く付着している。回転プレート３４がウェハＷよりも下側に位置するため、ウェハＷの洗浄処理時と同じ遠心力が回収カップ５０の洗浄処理時の処理液に作用すると、回転プレート３４の上部に貯留された処理液が重力の作用で回転プレート３４よりも少し下側の回収カップ５０の内周面に衝突してしまい、パーティクル等が多く付着している部分に衝突しないおそれがある。そこで、回転プレート３４の上部に貯留された処理液に作用する遠心力を増大させることで、処理液が衝突する位置を上方側にすることができ、処理液をパーティクル等が多く付着している部分に衝突させることができる。これにより、回収カップ５０の内周面に付着したパーティクル等を除去して、回収カップ５０の内周面を良好に洗浄することができる。   Further, in the cleaning process of the recovery cup 50, the fourth rotation speed of the rotation plate 34 is set to be higher than the first rotation speed at the time of the cleaning process of the wafer W in the processing liquid swing-off step. Centrifugal force acting on the processing liquid stored in the upper part can be increased. During the cleaning process of the wafer W, the processing liquid shaken off from the wafer W collides with the inner peripheral surface of the recovery cup 50 slightly below the wafer W due to the action of gravity. Therefore, on the inner peripheral surface of the recovery cup 50, a lot of particles and the like are attached to a portion slightly lower than the wafer W. Since the rotating plate 34 is located below the wafer W, when the same centrifugal force as that during the cleaning process of the wafer W acts on the processing liquid during the cleaning process of the recovery cup 50, the process stored in the upper part of the rotating plate 34 The liquid may collide with the inner peripheral surface of the recovery cup 50 slightly below the rotating plate 34 due to the action of gravity, and there is a possibility that the liquid will not collide with a portion where a lot of particles or the like are attached. Therefore, by increasing the centrifugal force acting on the processing liquid stored in the upper part of the rotating plate 34, the position where the processing liquid collides can be set to the upper side, and the processing liquid has many particles or the like attached thereto. Can collide with a part. Thereby, particles adhering to the inner peripheral surface of the recovery cup 50 can be removed, and the inner peripheral surface of the recovery cup 50 can be cleaned well.

また、回収カップ５０の洗浄処理では、処理液貯留ステップを行わずに処理液振り切りステップだけを行うようにしてもよい。この場合、処理液振り切りステップにおいて、制御装置４は、処理流体供給部４０の流量調整器５３、５４を制御して、処理液吐出ノズル４６から回転プレート３４に向けて処理液を吐出させる。回転プレート３４に吐出された処理液は、回転する回転プレート３４によって回収カップ５０の内周面に向けて振り切られる。その際に、制御装置４は、ノズル移動機構４７を制御して、処理液吐出ノズル４６を基板支持部３５よりも回転プレート３４の内周側に移動させてもよい。これにより、処理液吐出ノズル４６から吐出された処理液が基板支持部３５に直接衝突して飛散するのを防止することができる。   Further, in the cleaning process of the recovery cup 50, only the processing liquid shaking step may be performed without performing the processing liquid storage step. In this case, in the processing liquid swing-off step, the control device 4 controls the flow rate adjusters 53 and 54 of the processing fluid supply unit 40 to discharge the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle 46 toward the rotary plate 34. The processing liquid discharged to the rotating plate 34 is spun off toward the inner peripheral surface of the recovery cup 50 by the rotating rotating plate 34. At that time, the control device 4 may control the nozzle moving mechanism 47 to move the processing liquid discharge nozzle 46 to the inner peripheral side of the rotating plate 34 with respect to the substrate support portion 35. Thereby, it is possible to prevent the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 46 from directly colliding with the substrate support portion 35 and scattering.

制御装置４は、回収カップ５０の洗浄処理を行った後に、図５に示すように、処理ユニット１６の内部の洗浄処理を終了するか否かを判断する（終了判断ステップＳ５）。   After performing the cleaning process of the recovery cup 50, the control device 4 determines whether or not to end the cleaning process inside the processing unit 16 as shown in FIG. 5 (end determination step S5).

処理ユニット１６の内部の洗浄処理を繰返し行う場合には、上記基板支持部３５の洗浄処理と回収カップ５０の洗浄処理とを繰返し実行する。その際に、制御装置４は、基板保持機構３０を制御して、回転プレート３４の回転速度はそのままで回転方向だけを逆方向に変更してもよい（逆回転ステップＳ６）。なお、基板支持部３５の洗浄処理だけ、又は、回収カップ５０の洗浄処理だけを繰返し実行してもよい。また、回転プレート３４の回転速度を変更して基板支持部３５の洗浄処理や回収カップ５０の洗浄処理を繰返し実行してもよい。   When the cleaning process inside the processing unit 16 is repeatedly performed, the cleaning process for the substrate support 35 and the cleaning process for the recovery cup 50 are repeatedly performed. At that time, the control device 4 may control the substrate holding mechanism 30 to change only the rotation direction to the reverse direction while maintaining the rotation speed of the rotation plate 34 (reverse rotation step S6). Note that only the cleaning process of the substrate support part 35 or only the cleaning process of the recovery cup 50 may be repeatedly executed. Further, the cleaning process of the substrate support part 35 and the cleaning process of the recovery cup 50 may be repeated by changing the rotation speed of the rotating plate 34.

上記基板支持部３５の洗浄処理や回収カップ５０の洗浄処理では、回転プレート３４の回転によって作用する遠心力で処理液を振り切っているために、処理液が多く流れる場所が回転プレート３４の回転方向や回転速度に強く依存する。そのため、繰り返して基板支持部３５の洗浄処理や回収カップ５０の洗浄処理を行う場合には、回転プレート３４の回転方向や回転速度を変えることで、処理液で万遍なく基板支持部３５や回収カップ５０を洗浄することができる。   In the cleaning process of the substrate support part 35 and the cleaning process of the recovery cup 50, the processing liquid is shaken off by the centrifugal force acting by the rotation of the rotating plate 34. And strongly depends on the rotation speed. Therefore, when the cleaning process of the substrate support part 35 and the cleaning process of the recovery cup 50 are repeatedly performed, the substrate support part 35 and the recovery are uniformly performed with the processing liquid by changing the rotation direction and the rotation speed of the rotating plate 34. The cup 50 can be washed.

以上に説明したように、上記基板処理システム１及び基板処理方法並びに基板処理プログラムでは、基板支持部３５でウェハＷを支持しない状態で、処理液吐出ノズル４６を基板支持部３５の上方に移動させるとともに、処理液吐出ノズル４６から基板支持部３５に向けて処理液を吐出させて基板支持部３５の洗浄処理を行わせることで、基板支持部３５に付着したパーティクル等を良好に除去することができる。また、ダミー基板の搬入や搬出が必要ないために、基板処理システム１による通常のウェハＷの洗浄処理を停止させる時間（ダウンタイム）を短くすることができる。   As described above, in the substrate processing system 1, the substrate processing method, and the substrate processing program, the processing liquid discharge nozzle 46 is moved above the substrate support 35 without supporting the wafer W by the substrate support 35. At the same time, by discharging the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle 46 toward the substrate support portion 35 and performing the cleaning process of the substrate support portion 35, it is possible to satisfactorily remove particles and the like attached to the substrate support portion 35. it can. Further, since it is not necessary to carry in and out the dummy substrate, it is possible to shorten the time (down time) for stopping the normal wafer W cleaning process by the substrate processing system 1.

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
３０ 基板保持機構
４０ 処理流体供給部
５０ 回収カップ
３４ 回転プレート
３５ 基板支持部
４６ 処理液吐出ノズル W Wafer 1 Substrate Processing System 30 Substrate Holding Mechanism 40 Processing Fluid Supply Unit 50 Recovery Cup 34 Rotating Plate 35 Substrate Supporting Unit 46 Processing Liquid Discharge Nozzle

Claims (10)

基板を処理液で処理する基板処理システムにおいて、
回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を保持しながら前記基板を回転させる基板保持機構と、
処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を供給する処理流体供給部と、
前記処理液吐出ノズルを前記基板に沿って移動させるノズル移動機構と、
前記処理流体供給部から供給された処理液を前記基板の外周外方で回収する回収カップと、
前記基板保持機構と処理流体供給部とノズル移動機構を制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
前記基板支持部で前記基板を支持した状態で、前記基板保持機構によって前記回転プレートを回転させながら前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから回転する前記基板に向けて処理液を吐出させて前記基板の洗浄処理を行わせ、
前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記ノズル移動機構によって前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせ、
前記基板の洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートを第１の回転速度で回転させ、
前記基板支持部の洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転又は停止させ、
前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第２の回転速度よりも低速の第３の回転速度で回転させながら又は停止して前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させて前記回転プレートの上面に処理液を貯留させ、その後、前記処理液吐出ノズルからの処理液の吐出を停止させ、前記基板保持機構によって前記回転プレートを回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることを特徴とする基板処理システム。 In a substrate processing system for processing a substrate with a processing liquid,
A substrate holding mechanism for rotating the substrate while holding an outer peripheral edge of the substrate by a substrate support provided on a rotating plate;
A processing fluid supply unit for supplying a processing liquid from the processing liquid discharge nozzle toward the substrate;
A nozzle moving mechanism for moving the processing liquid discharge nozzle along the substrate;
A recovery cup for recovering the processing liquid supplied from the processing fluid supply unit outside the outer periphery of the substrate;
A control device for controlling the substrate holding mechanism, the processing fluid supply unit, and the nozzle moving mechanism;
With
The controller is
In a state where the substrate is supported by the substrate support unit, the processing fluid supply unit discharges the processing liquid toward the rotating substrate from the processing liquid discharge nozzle while rotating the rotating plate by the substrate holding mechanism. Cleaning the substrate,
While the substrate support unit does not support the substrate, the nozzle moving mechanism moves the processing liquid discharge nozzle above the substrate support unit, and the processing fluid supply unit supports the substrate from the processing liquid discharge nozzle. Causing the substrate support portion to be cleaned by discharging a processing liquid under conditions different from the substrate cleaning processing toward the portion ,
During the substrate cleaning process, the substrate holding mechanism rotates the rotating plate at a first rotation speed,
During the cleaning process of the substrate support portion, the substrate holding mechanism rotates or stops the rotating plate at a second rotation speed lower than the first rotation speed,
The processing fluid supply unit while the substrate holding mechanism does not support the substrate while rotating or stopping the rotating plate at a third rotation speed lower than the second rotation speed by the substrate holding mechanism. To discharge the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle to store the processing liquid on the upper surface of the rotating plate, and then stop discharging the processing liquid from the processing liquid discharging nozzle, and the substrate holding mechanism causes the rotating plate to the substrate processing system according to claim Rukoto to perform the cleaning process of the collecting cup is rotated by treating liquid stored in the upper surface of the rotary plate by blowing toward the inner circumferential surface of the collecting cup. 前記制御装置は、前記基板保持機構によって前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも高速の第４の回転速度で回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。 The control device rotates the rotating plate at a fourth rotational speed higher than the first rotational speed by the substrate holding mechanism, and stores the processing liquid stored on the upper surface of the rotating plate on the inner periphery of the recovery cup. The substrate processing system according to claim 1 , wherein the recovery cup is sprayed toward a surface to perform cleaning processing of the recovery cup. 前記処理流体供給部は、前記処理液吐出ノズルとして２流体ノズルを用いて処理液と不活性ガスとの混合流体を吐出可能としたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理システム。 3. The substrate according to claim 1, wherein the processing fluid supply unit can discharge a mixed fluid of a processing liquid and an inert gas using a two-fluid nozzle as the processing liquid discharge nozzle. Processing system. 前記制御装置は、
前記基板支持部の洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから処理液だけを吐出させることを特徴とする請求項３に記載の基板処理システム。 The controller is
The substrate processing system according to claim 3 , wherein only the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle by the processing fluid supply section during the cleaning process of the substrate support section. 前記制御装置は、
前記基板支持部の洗浄処理時に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから、前記基板の洗浄処理よりも少ない量の不活性ガスを含む混合流体を吐出させることを特徴とする請求項３に記載の基板処理システム。 The controller is
During the cleaning process of the substrate supporting unit, according to claim 3 from said processing liquid discharge nozzle by the processing fluid supply unit, characterized in that for discharging a mixed fluid containing a small amount of inert gas than the cleaning of the substrate A substrate processing system according to claim 1. 前記制御装置は、
前記基板支持部の洗浄処理後に、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから不活性ガスだけを吐出させることを特徴とする請求項３〜請求項５に記載の基板処理システム。 The controller is
6. The substrate processing system according to claim 3 , wherein after the cleaning process of the substrate support unit, only the inert gas is discharged from the processing liquid discharge nozzle by the processing fluid supply unit. 前記制御装置は、
前記回収カップの洗浄処理時に、前記基板保持機構によって前記回転プレートの回転方向を逆転させながら繰返し前記回収カップの洗浄を行わせることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の基板処理システム。 The controller is
During the cleaning process of the collection cup, by the substrate holding mechanism according to any of claims 1 to 6, characterized in that to perform cleaning of repeating the collection cup while reversing the rotational direction of the rotary plate Substrate processing system. 前記制御装置は、
前記回収カップの洗浄処理時に、前記ノズル移動機構によって前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部よりも前記回転プレートの内周側に移動させてから、前記処理流体供給部によって前記処理液吐出ノズルから前記回転プレートの上面に向けて処理液を吐出させることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の基板処理システム。 The controller is
During the cleaning process of the recovery cup, the processing liquid discharge nozzle is moved to the inner peripheral side of the rotating plate with respect to the substrate support portion by the nozzle moving mechanism, and then the processing fluid supply portion removes the processing liquid discharge nozzle from the processing liquid discharge nozzle. The substrate processing system according to claim 1, wherein the processing liquid is discharged toward the upper surface of the rotating plate. 基板を処理液で処理する基板処理方法において、
回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を支持した状態で、前記基板を回転させながら処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を吐出させ、前記処理液を前記基板の外周外方で回収カップにより回収させて前記基板の洗浄処理を行わせ、
前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせ、
前記基板の洗浄処理時に、前記回転プレートを第１の回転速度で回転させ、
前記基板支持部の洗浄処理時に、前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転又は停止させ、
前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記回転プレートを前記第２の回転速度よりも低速の第３の回転速度で回転させながら又は停止して前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させて前記回転プレートの上面に処理液を貯留させ、その後、前記処理液吐出ノズルからの処理液の吐出を停止させ、前記回転プレートを回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることを特徴とする基板処理方法。 In a substrate processing method for processing a substrate with a processing liquid,
With the substrate support portion provided on the rotating plate supporting the outer peripheral edge of the substrate, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle toward the substrate while rotating the substrate, and the processing liquid is discharged onto the substrate. The substrate is cleaned by a recovery cup outside the outer periphery, and the substrate is cleaned.
While the substrate support unit does not support the substrate, the processing liquid discharge nozzle is moved above the substrate support unit, and the cleaning process of the substrate from the processing liquid discharge nozzle toward the substrate support unit Causing the substrate support to be cleaned by discharging the processing liquid under different conditions ;
During the cleaning process of the substrate, the rotating plate is rotated at a first rotation speed,
During the cleaning process of the substrate support portion, the rotating plate is rotated or stopped at a second rotation speed lower than the first rotation speed,
Discharge the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle while rotating or stopping the rotating plate at a third rotational speed lower than the second rotational speed without supporting the substrate by the substrate support portion. The processing liquid is stored on the upper surface of the rotating plate, and then the discharging of the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle is stopped, and the processing liquid stored on the upper surface of the rotating plate is rotated by rotating the rotating plate. the substrate processing method according to claim Rukoto to perform the cleaning process of the collection cup by blowing toward the inner circumferential surface of the collection cup. 基板処理システムに処理液で基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
回転プレートに設けた基板支持部で前記基板の外周端縁を支持した状態で、前記基板を回転させながら処理液吐出ノズルから前記基板に向けて処理液を吐出させ、前記処理液を前記基板の外周外方で回収カップにより回収させて前記基板の洗浄処理を行わせ、
前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記処理液吐出ノズルを前記基板支持部の上方に移動させるとともに、前記処理液吐出ノズルから前記基板支持部に向けて前記基板の洗浄処理とは異なる条件で処理液を吐出させて前記基板支持部の洗浄処理を行わせ、
前記基板の洗浄処理時に、前記回転プレートを第１の回転速度で回転させ、
前記基板支持部の洗浄処理時に、前記回転プレートを前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転又は停止させ、
前記基板支持部で前記基板を支持しない状態で、前記回転プレートを前記第２の回転速度よりも低速の第３の回転速度で回転させながら又は停止して前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させて前記回転プレートの上面に処理液を貯留させ、その後、前記処理液吐出ノズルからの処理液の吐出を停止させ、前記回転プレートを回転させて前記回転プレートの上面に貯留した処理液を前記回収カップの内周面に向けて吹付けて前記回収カップの洗浄処理を行わせることを特徴とする基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
In a computer readable storage medium storing a substrate processing program for causing a substrate processing system to process a substrate with a processing liquid,
With the substrate support portion provided on the rotating plate supporting the outer peripheral edge of the substrate, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle toward the substrate while rotating the substrate, and the processing liquid is discharged onto the substrate. The substrate is cleaned by a recovery cup outside the outer periphery, and the substrate is cleaned.
While the substrate support unit does not support the substrate, the processing liquid discharge nozzle is moved above the substrate support unit, and the cleaning process of the substrate from the processing liquid discharge nozzle toward the substrate support unit Causing the substrate support to be cleaned by discharging the processing liquid under different conditions ;
During the cleaning process of the substrate, the rotating plate is rotated at a first rotation speed,
During the cleaning process of the substrate support portion, the rotating plate is rotated or stopped at a second rotation speed lower than the first rotation speed,
Discharge the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle while rotating or stopping the rotating plate at a third rotational speed lower than the second rotational speed without supporting the substrate by the substrate support portion. The processing liquid is stored on the upper surface of the rotating plate, and then the discharging of the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle is stopped, and the processing liquid stored on the upper surface of the rotating plate is rotated by rotating the rotating plate. computer-readable storage medium storing a substrate processing program by blowing toward the inner peripheral surface, characterized in Rukoto to perform the cleaning process of the collection cup collection cup.
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