JP6053468B2 - Levitation transfer heat treatment equipment - Google Patents
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Description
本発明は、基板を浮上搬送させながら基板の加熱および冷却を行う浮上搬送熱処理装置に関するものである。 The present invention relates to a levitation conveyance heat treatment apparatus that heats and cools a substrate while levitation conveyance of the substrate.
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、基板上にレジスト液が塗布されたもの(塗布基板と称す)が使用されている。この塗布基板は、塗布装置により基板上にレジスト液が均一に塗布されることによって塗布膜が形成され、その後、熱処理装置により塗布膜を乾燥させることにより生産される。 A flat panel display such as a liquid crystal display or a plasma display uses a substrate coated with a resist solution (referred to as a coated substrate). The coated substrate is produced by forming a coating film by uniformly applying a resist solution on the substrate by a coating apparatus, and then drying the coating film by a heat treatment apparatus.
この熱処理装置には、たとえば特許文献1および図8で示すような浮上搬送熱処理装置がある。図8に示すように、浮上搬送熱処理装置90は加熱領域91を有し、超音波振動により加熱領域91が基板Wを浮上させた状態で加熱領域91自身の温度により基板Wを加熱することにより、基板Wを非接触で加熱することができるため、乾燥ムラを発生させずに基板W上の塗布膜を乾燥させることができる。
As this heat treatment apparatus, for example, there is a floating conveyance heat treatment apparatus as shown in
また、設定温度の異なる乾燥装置91を複数設けることにより、基板Wを浮上搬送させる間に塗布膜の乾燥だけでなく焼成(ベーク)を行うこともできる。
Further, by providing a plurality of
このような浮上搬送熱処理装置90によって加熱された基板Wは、たとえば基板Wを噴出エアによって空冷するエア浮上ユニットや水冷された金属板といったような冷却ユニット92へ搬送され、この冷却ユニット92に載置されることによって室温近くまで冷却されてから、下流のプロセス装置へ搬送される。 The substrate W heated by the levitation transfer heat treatment apparatus 90 is transferred to a cooling unit 92 such as an air levitation unit that cools the substrate W with blown air or a water-cooled metal plate, and is mounted on the cooling unit 92. It is cooled to near room temperature by being placed and then transferred to a downstream process apparatus.
しかし、上記特許文献1および図8に示した浮上搬送熱処理装置90では、基板の冷却に時間がかかるという問題があった。具体的には、浮上搬送熱処理装置90から冷却ユニット92へ基板Wを搬送するためには浮上搬送熱処理装置90と冷却ユニット92との間にある搬送ロボット93が浮上搬送熱処理装置90から基板Wを受け取り、そして搬送ロボット93が冷却ユニット92に基板Wを載置する必要があるため、この時間を基板Wの冷却時間に含めると、ユーザが準備しうる冷却時間の範囲に収まらなくなるおそれがあった。
However, the levitation transfer heat treatment apparatus 90 shown in
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、加熱した基板を短時間で冷却することができる浮上搬送熱処理装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a levitation transfer heat treatment apparatus capable of cooling a heated substrate in a short time.
上記課題を解決するために本発明の浮上搬送熱処理装置は、基板を超音波振動浮上させる振動板部と、前記振動板部に超音波振動を与える超音波発生部と、基板の端部を支持して基板の浮上方向と垂直な方向に基板を搬送する搬送部と、を有する浮上搬送ユニットが複数配列されて、各前記浮上搬送ユニットが順に基板を超音波振動浮上させながら熱処理し、搬送する浮上搬送熱処理装置であり、前記浮上搬送ユニットがその浮上搬送ユニットの振動板部を加熱するヒータ部を備える加熱領域と、前記浮上搬送ユニットが前記ヒータ部を備えない冷却領域と、を有していることを特徴としている。 In order to solve the above problems, the levitation transfer heat treatment apparatus according to the present invention supports a vibration plate portion for ultrasonically levitating the substrate, an ultrasonic wave generating portion for applying ultrasonic vibration to the vibration plate portion, and an end portion of the substrate. A plurality of levitation conveyance units having a conveyance unit that conveys the substrate in a direction perpendicular to the substrate levitation direction, and each of the levitation conveyance units sequentially heats and conveys the substrate while ultrasonically levitating the substrate. A levitation conveyance heat treatment apparatus, wherein the levitation conveyance unit includes a heating region including a heater unit that heats a diaphragm portion of the levitation conveyance unit, and a cooling region in which the levitation conveyance unit does not include the heater unit. It is characterized by being.
上記浮上搬送熱処理装置によれば、加熱領域で加熱された基板を冷却領域によって短時間で冷却することが可能である。具体的には、加熱領域および冷却領域において浮上搬送ユニットが基板を超音波振動浮上させることによって、基板と振動板部との間の気体に強制対流が発生する。この強制対流する気体を経由して基板と振動板部との間で熱伝達が行われるが、強制対流は超音波振動によって生じていることにより、高速の熱伝達が可能である。これにより、冷却領域では、短時間で基板を冷却することが可能である。また、加熱領域と冷却領域とが浮上搬送熱処理装置の中で隣接しているため、冷却領域を別個設ける場合と比較して加熱領域から冷却領域への基板の搬送時間を短縮することができ、また、搬送中でも冷却領域にさしかかった部分から基板の冷却が開始するため、基板の搬送による時間のロスを低減できる。 According to the levitation transfer heat treatment apparatus, the substrate heated in the heating region can be cooled in a short time by the cooling region. Specifically, forced convection is generated in the gas between the substrate and the vibration plate portion by the levitation conveyance unit ultrasonically levitating the substrate in the heating region and the cooling region. Heat transfer is performed between the substrate and the vibration plate portion via the forced convection gas, but the forced convection is generated by ultrasonic vibration, so that high-speed heat transfer is possible. As a result, the substrate can be cooled in a short time in the cooling region. In addition, since the heating region and the cooling region are adjacent in the levitation transfer heat treatment apparatus, it is possible to shorten the time for transporting the substrate from the heating region to the cooling region as compared with the case where the cooling region is provided separately. In addition, since the cooling of the substrate starts from the portion that has approached the cooling region even during the transportation, time loss due to the transportation of the substrate can be reduced.
また、前記冷却領域は、基板の搬送に関して最も下流側にあると良い。 In addition, the cooling region may be located on the most downstream side with respect to the substrate transport.
こうすることにより、加熱された基板を最後は冷却領域で十分に冷却して次工程へ引き渡すことが可能である。 By doing so, the heated substrate can be finally cooled sufficiently in the cooling region and delivered to the next process.
本発明の浮上搬送熱処理装置によれば、加熱した基板を短時間で冷却することができる。 According to the levitation transfer heat treatment apparatus of the present invention, the heated substrate can be cooled in a short time.
本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。 Embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施形態における浮上搬送熱処理装置の概略図である。 FIG. 1 is a schematic view of a levitation transfer heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
浮上搬送熱処理装置1は、加熱領域2および冷却領域3を有し、基板Wを超音波振動浮上させながら、基板Wの加熱および冷却を行う。
The levitation transfer
加熱領域2は基板Wを加熱する領域である。加熱領域2には、設定温度が異なる後述の振動板部4が複数設けられており、基板Wの乾燥だけでなく、焼成も行うようにしている。
The
冷却領域3は、基板Wの搬送に関して最も下流側に位置し、加熱領域2で加熱された基板Wを室温近くまで冷却することで下流の処理装置へ引き渡す準備をする。
The
また、加熱領域2および冷却領域3は後述する搬送部7を有しており、基板Wが加熱領域2および冷却領域3のそれぞれの振動板部4の上で所定時間浮上した後、搬送部7によって隣接する振動板部4へ搬送される。これが繰り返されることにより、基板Wは浮上搬送熱処理装置1内で搬送されながら、加熱および冷却される。なお、以下の説明では、基板Wが搬送される方向をY軸方向、Y軸方向と水平面上で直交する方向をX軸方向、X軸およびY軸方向の双方に直交する方向をZ軸方向として説明を進めることとする。
Further, the
本実施形態における加熱領域2の概略図を図2および図3に示す。
Schematic diagrams of the
加熱領域2は、振動板部4、ヒータ部5、超音波発生部6、および搬送部7を備えており、振動板部4は超音波発生部6により超音波振動し、その振動による放射圧によって振動板部4上の基板Wを浮上させる。また、振動板部4がヒータ部5により加熱されている。また、搬送部7によって基板Wは振動板部4へ搬入され、振動板部4から搬出され、また、振動板部4上を搬送される。
The
なお、本説明では、振動板部4、超音波発生部6、および搬送部7をまとめて浮上搬送ユニットとも呼ぶ。
In the present description, the
振動板部4は、複数の振動板21を有している。振動板21は、本実施形態ではアルミ製(アルミ合金製)で矩形板状の形状を有した金属板であり、それらが基板搬送方向(Y軸方向)に連続的に配列されることにより、振動板部4が形成されている。
The
この振動板部4は、上記の通りヒータ部5によって加熱されているため、振動板部4上で浮上させている基板Wを輻射加熱により加熱することができる。
Since the
ここで、振動板部4のX軸方向の寸法およびY軸方向の寸法は、振動板21に基板Wが載置されたときの基板WのX軸方向およびY軸方向の寸法よりも大きく設定されている。これにより、基板Wが振動板部4の上で浮上しながら加熱される際、基板Wが振動板部4からはみ出る部分が存在することなく、基板Wの全面が振動板部4の上に存在するため、ヒータ部5により加熱された振動板部4によって基板Wを均一に加熱することができる。
Here, the dimension in the X-axis direction and the dimension in the Y-axis direction of the
ヒータ部5は、振動板部4の基板Wを浮上させる面8の裏面9側に位置し、複数のヒータユニット31およびスペーサ32を有している。ヒータユニット31がX軸方向およびY軸方向に並べられることにより、一つのヒータ集合体33が形成される。また、スペーサ32は、一部のヒータユニット31に設置されて振動板21を支持し、また、スペーサ32によって振動板部4とヒータ集合体33とが所定の間隔を設けて離間されている。
The
ヒータユニット31は、本実施形態ではカートリッジヒータまたはシーズヒータが矩形板状のアルミ板に挿入されて構成されるプレートヒータであり、これらがX軸方向およびY軸方向に隙間無く並べられている。なお、ここでプレートヒータの代わりにマイカヒータを用いても良い。
In this embodiment, the
ここで、ヒータ集合体33のX軸方向の寸法は、振動板部4のX軸方向の寸法よりも大きく、また、ヒータ集合体33のY軸方向の寸法は、振動板部4のY軸方向と同等以上である。そして、Z軸方向に沿って振動板部4からヒータ集合体33を見たときに、振動板部4の領域がヒータ集合体33の領域に収まる配置となっている。これによって、ヒータ集合体33は振動板部4の全面を同時に加熱することができ、振動板部4全体を均一な温度に加熱することが可能である。なお、ヒータ集合体33を形成する各々のヒータユニット31は、振動板21よりもX軸方向およびY軸方向の寸法が小さくても構わない。また、集合体の形をとらず、X軸方向およびY軸方向の寸法が振動板部4よりも大きい1つのヒータユニット31のみを用いて振動板部4を加熱する方法をとっても良い。
Here, the dimension of the
スペーサ32は、例えば樹脂製の小径のブロックであり、本実施形態では、スペーサ32によって振動板部4とヒータ集合体33の間に1mmの間隔が設けられている。このように振動板部4とヒータ集合体33とを離間することにより、ヒータ集合体33による振動板部4への加熱は直接加熱でなく輻射加熱および対流による熱伝達となり、直接加熱と比較して振動板部4全体の温度を均一にすることが容易となる。
The
また、振動板部4とヒータ集合体33とが接触する配置であった場合、両者の固有振動数など振動特性の差異により、ヒータ集合体33が振動板部4の振動の妨げとなることがあるが、両者を離間することにより、振動板部4はヒータ集合体33によって振動を妨げられることなく、設定された通りに振動することができる。
Further, when the
ここで、スペーサ32は、振動板21の振動の節にあたる位置で振動板21を支持するよう、ヒータユニット31上に配置されることが望ましい。これにより、スペーサ32が振動板21から受ける振動を極小にすることができるため、スペーサ32が振動板21との干渉によって摩耗することを防ぐことができる。
Here, the
超音波発生部6は、超音波振動子41およびホーン42を有している。超音波振動子41は、Z軸方向から見て振動板21に対してヒータユニット31と同じ側にあり、ヒータユニット31よりも振動板21から離れた位置に配置されている。超音波振動子41にはホーン42が接続されており、このホーン42がヒータユニット31を突き抜けて、振動板21に接触している。
The ultrasonic generator 6 has an
超音波振動子41は、図示しない発振器からの発振信号に基づいて対象物を励振させるものであり、例えば電極およびピエゾ素子を有するランジュバン型振動子がある。ランジュバン型振動子は、発振器によって電極に駆動電圧が印加されることでピエゾ素子が振動し、所定の振幅および周波数で発振する。このように発振した超音波振動子41の振動は、ホーン42を経由して、対象物である振動板21へ伝播し、振動板21を振動させる。振動板21が振動することで、振動板21から放射音圧が発せられ、この放射音圧によって、振動板21上にある基板Wには上向きの力が加わる。これにより、基板Wを振動板21の上方に所定の浮上量だけ浮上した状態で保持することが可能である。
The
また、超音波振動子41の振動は、発振器から与えられる駆動電圧を制御することで振幅および周波数を調整することができ、これによって振動板21上で浮上する基板Wの浮上量を調整することが可能である。基板Wの浮上量は、本実施形態では0.1mm程度としている。
In addition, the amplitude and frequency of the vibration of the
ホーン42は、円柱もしくは複数の円柱をつなげた形状をとっており、片端が超音波振動子41と接続され、他端が振動板21に接触しており、超音波振動子41が発する振動の振幅を増幅もしくは減衰して振動板21に伝播させる。また、ホーン42はヒータユニット31を突き抜ける配置となるため、ホーン42が配置される位置においてヒータユニット31には貫通穴もしくは切り欠きが設けられ、ホーン42との干渉を回避している。
The
また、ホーン42は、超音波振動子41と振動板21との間に設置されることにより、超音波振動子41をヒータ集合体33から離間する役割も兼ねている。超音波振動子41は熱に弱く、加熱されるとピエゾ素子の損傷などの異常が発生するため、ヒータ集合体33からの熱が超音波振動子41に伝わらないよう、ホーン42を用いて超音波振動子41がヒータ集合体33から遠ざけてられている。
In addition, the
ここで、本実施形態では、基板Wの搬送の妨げにならないことを考慮して、超音波振動子41をZ軸方向から見て振動板21に対してヒータユニット31と同じ側、すなわち基板Wと反対側において振動板21と接触させているが、基板Wと同じ側で接触させても構わない。超音波振動子41を基板Wと同じ側で接触させても、本実施形態のように基板Wと反対側で接触させた場合と同様に、基板Wを振動浮上させる効果を得ることが可能である。
Here, in the present embodiment, considering that the conveyance of the substrate W is not hindered, the
搬送部7は、ハンド51および進退機構52を有している。ハンド51は、例えばL字型のブロックを有し、基板Wの角部において基板Wの2辺と接触して支持する。ハンド51は基板Wの対角を位置決めして支持ができるよう、基板W1枚の支持に対して基板Wの対角方向に2つ設けられている。また、進退機構52は、エアシリンダなどの直動機構であり、ハンド51が取付けられ、基板Wの支持時および支持解除時にそれぞれのハンド51を移動させる。この進退機構52によって、ハンド51は基板Wの支持時には基板Wに接近し、支持解除時には基板Wから退避する。ここで、ハンド51が退避している状態では、基板WはX軸方向およびY軸方向の拘束が解除されている状態であるため、次にハンド51が接近する時には基板Wの位置がずれ、ハンド51と衝突して基板Wおよびハンド51が破損する可能性がある。この場合、振動板部4に上下動するピンを設け、ハンド51が退避して振動板部4上の所定位置で基板Wが浮上している時はピンが上昇して基板Wの位置を拘束し、基板Wが振動板部4上を搬送される時はピンが下降して搬送動作を妨げないようにすると良い。
The
また、進退機構52は図示しないY軸方向の走行軸に接続されている。ハンド51が基板Wの角部に接近し、基板Wを支持している状態において、この走行軸によりハンド51および進退機構52がY軸方向に移動することによって、基板WがY軸方向へ搬送される。
The advance /
次に、振動板部4への超音波発生部6の取付け位置について、図2および図3を用いて説明する。
Next, the attachment position of the ultrasonic wave generation unit 6 to the
先述の通り、超音波振動子41からの振動を振動板21に伝播するために、ホーン42が振動板21に接触しており、また、ホーン42が配置される位置においてヒータユニット31には貫通穴もしくは切り欠きが設けられている。そのため、振動板21のホーン42が接触している箇所およびその近辺では、他の箇所と比べ、ヒータユニット31からの加熱を受けにくくなり、温度が低くなる。それは基板Wを浮上させる側の面でも同じであり、裏面側でホーン42が接触している箇所およびその近辺では、温度が低くなる。このような箇所にて基板Wを加熱すると、他の箇所に比べて十分に加熱することができないため、基板Wに乾燥ムラを発生させる可能性がある。
As described above, in order to propagate the vibration from the
したがって、本実施形態では、上記のような箇所では基板Wを加熱しないようにし、乾燥ムラの発生を防止している。具体的には、図2および図3中に示している、振動板部4の基板Wを浮上させる領域R1、およびその裏面側にあたる領域をR2に対して、それらの領域の外部、すなわち、基板Wを加熱する領域の外部において振動板21がホーン42と接触している。
Therefore, in the present embodiment, the substrate W is not heated in the above-described places to prevent drying unevenness. Specifically, the region R1 that floats the substrate W of the
次に、本実施形態における冷却領域3の概略図を図4に示す。
Next, FIG. 4 shows a schematic diagram of the
冷却領域3は、振動板部10、超音波発生部11、および搬送部12を備えている。すなわち、先述の浮上搬送ユニットと同様の構成を備えており、ヒータ部を有していないことを除いて加熱領域2と同等の構成を有している。
The
振動板部10は加熱領域2の振動板部4と同様に超音波発生部11により超音波振動し、その振動による放射圧によって振動板部4上の基板Wを浮上させる。また、搬送部12によって基板Wは振動板部10へ搬入され、振動板部10から搬出され、また、振動板部10上を搬送される。
The
なお、加熱領域2では先述の通り基板Wの乾燥ムラの発生を防ぐために超音波発生部6の取付け位置について言及しているが、乾燥、焼成まで完了した基板W上の塗布液はそこから新たにムラが生じるおそれは少ないため、その場合は、冷却領域3では振動板部10の基板Wを浮上させる領域の裏面側にあたる領域に超音波発生部11を取り付けても構わない。
Note that in the
次に、本発明における基板の冷却形態を図5に示す。 Next, the cooling mode of the substrate in the present invention is shown in FIG.
基板Wが振動板部10上で超音波振動浮上する際、振動板部10の基板Wを浮上させる面13と基板Wとの間に存在する気体には振動板部10の超音波振動という外力が加わる。この外力により、気体は振動板部10と基板Wとの間に矢印で図示したように、対流させられる。すなわち、強制対流が生じる。
When the substrate W floats ultrasonically on the
この強制対流した気体が基板Wおよび振動板部10と接触する際に、気体と基板Wとの間、および気体Wと振動板部10との間で熱伝達が生じる。
When the forced convection gas comes into contact with the substrate W and the
したがって、加熱領域2によって加熱された基板Wが冷却領域3の振動板部10の上に搬送され、振動板部10がこの基板Wを超音波振動浮上させた場合、上記強制対流によって基板Wが冷却される。
Therefore, when the substrate W heated by the
なお、強制対流は気体に外力を加えると生じるものであり、たとえばエア浮上ユニットからエアを噴出して基板を浮上させる場合にも、エア浮上ユニットと基板との間の気体が強制対流する。したがって、加熱された基板をエア浮上ユニットで浮上させる場合にも強制対流した気体と基板との間で熱伝達が行われ、基板Wは冷却される。これに対し、振動板部10が基板Wを超音波振動浮上させる場合は、振動板部10が数十kHzという非常に高い周波数で振動することによって強制対流が生じるため、対流の速度はエア浮上ユニットによるものと比べてはるかに高速となる。したがって、熱伝達の速度はエア浮上ユニットによるものと比べてはるかに高速となり、短時間で基板Wの冷却を行うことができる。
Note that forced convection occurs when an external force is applied to the gas. For example, even when air is ejected from the air levitation unit to float the substrate, the gas between the air levitation unit and the substrate is forced convection. Accordingly, even when the heated substrate is levitated by the air levitation unit, heat transfer is performed between the forced convection gas and the substrate, and the substrate W is cooled. On the other hand, when the
また、冷却領域3は、先述の通り、加熱領域2の下流側に設けられており、加熱領域2の搬送部7もしくは冷却領域3の搬送部12によって加熱領域2から基板Wを直接受け取ることができる。これにより、図8に示した従来の例のように搬送ロボット93が浮上搬送熱処理装置90から基板Wを受け取り、そして搬送ロボット93が別個に設けられた冷却ユニット92に基板Wを載置することと比較して、冷却領域3への搬送時間を短くすることが可能である。また、搬送中であっても、冷却領域3にさしかかった部分から基板Wの冷却が開始するため、基板Wの搬送による時間のロスを低減することができる。
Further, as described above, the
この冷却領域3の冷却性能の例を図6のグラフに示す。
An example of the cooling performance of the
図6のグラフ中、実線は本実施形態の冷却領域3によって基板Wを冷却した場合の基板Wの温度変化を表したものであり、破線はエア浮上ユニットで基板Wを浮上させてものである。ここで、冷却前の基板Wの温度は約110℃、基板Wが搬送される前の振動板部10の温度、およびエア浮上ユニットから噴出するエアの温度は約20℃であった。
In the graph of FIG. 6, the solid line represents the temperature change of the substrate W when the substrate W is cooled by the
この結果、図示の通り超音波振動浮上による冷却効果はエア浮上時の冷却効果よりも大きくなっており、たとえば室温近くなど、所定の温度にまで基板Wの温度を冷却するのに必要な時間をエア浮上時よりも短くすることが可能であった。 As a result, as shown in the figure, the cooling effect by the ultrasonic vibration levitation is larger than the cooling effect at the time of air levitation. For example, the time required for cooling the temperature of the substrate W to a predetermined temperature such as near room temperature is reduced. It was possible to make it shorter than when the air flew.
次に、本実施形態における浮上搬送熱処理装置1による基板の温度変化を図7に示す。
Next, the temperature change of the substrate by the levitation transfer
先述の通り、冷却領域3は加熱領域2の下流側に隣接しており、加熱領域2から冷却領域3への搬送時間は短い。したがって、加熱領域2で基板Wの乾燥および焼成を実施した直後、すぐに冷却領域3による基板Wの冷却を開始することができる。
As described above, the
そして、図6に示した通り、超音波振動による強制対流を利用した本実施形態の冷却領域3による冷却性能は高く、短時間で基板Wを冷却することができる。
And as shown in FIG. 6, the cooling performance by the cooling area |
したがって、加熱領域2(図8の従来例では加熱領域91)から冷却領域3(図8の従来例では冷却ユニット92)への基板Wの搬送時間と冷却領域上での基板Wの載置時間とを合計した時間を基板Wの冷却に要する時間とした場合、本実施形態の浮上搬送熱処理装置1では、この基板Wの冷却に要する時間を従来より短縮することが可能である。
Therefore, the transfer time of the substrate W from the heating region 2 (
このように浮上搬送熱処理装置1の下流において冷却領域3で十分に冷却された基板Wは、室温に近い基板温度で次工程へ引き渡されることが可能となる。
Thus, the substrate W sufficiently cooled in the
なお、図5では、冷却領域3による基板Wの冷却形態について示し、振動板部10と基板Wとの間の気体の強制対流によって基板Wが冷却されることを説明したが、加熱領域2の場合でも同様に、図3に示す振動板部4と基板Wとの間で振動板部4の超音波振動による気体の強制対流が生じ、基板Wと振動板部4との間の気体を介した熱伝達によって基板Wが加熱される。また、この場合、ヒータ部5に加熱されて高熱である振動板部4から基板Wへの輻射熱によっても、基板Wは加熱される。
FIG. 5 illustrates the cooling mode of the substrate W by the
また、加熱領域2では、振動板部4とヒータ部5との間でも振動板部4の超音波振動により気体は強制対流し、この強制対流による熱伝達とヒータ部5から振動板部4への輻射熱によって、ヒータ部5は振動板部4を加熱している。
Further, in the
以上説明した浮上搬送熱処理装置によれば、加熱した基板を短時間で冷却することができる。 According to the levitation transfer heat treatment apparatus described above, the heated substrate can be cooled in a short time.
なお、本実施形態では、冷却領域3は浮上搬送熱処理装置1の最も下流側にのみ配置されており、加熱領域2で加熱された基板Wを十分に冷却して下流の処理装置へ基板Wを引き渡しているが、冷却領域3の配置は最も下流側のみに限らず、加熱領域2の中間にも冷却領域3が設けられても構わない。すなわち、たとえば上流側から順番に加熱領域2、冷却領域3、加熱領域2、冷却領域3となるように加熱領域2および冷却領域3とが設けられていても構わない。
In this embodiment, the
1 浮上搬送熱処理装置
2 加熱領域
3 冷却領域
4 振動板部
5 ヒータ部
6 超音波発生部
7 搬送部
8 基板を浮上させる面
9 基板を浮上させる面の裏面
10 振動板部
11 超音波発生部
12 搬送部
13 基板を浮上させる面
21 振動板
31 ヒータユニット
32 スペーサ
33 ヒータ集合体
41 超音波振動子
42 ホーン
51 ハンド
52 進退機構
90 浮上搬送熱処理装置
91 加熱領域
92 冷却ユニット
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記振動板部に超音波振動を与える超音波発生部と、
基板の端部を支持して基板の浮上方向と垂直な方向に基板を搬送する搬送部と、
を有する浮上搬送ユニットが複数配列されて、各前記浮上搬送ユニットが順に基板を超音波振動浮上させながら熱処理し、搬送する浮上搬送熱処理装置であり、
前記浮上搬送ユニットがその浮上搬送ユニットの振動板部を加熱するヒータ部を備える加熱領域と、
前記浮上搬送ユニットが前記ヒータ部を備えない冷却領域と、
を有していることを特徴とする浮上搬送熱処理装置。 A vibrating plate part for ultrasonically levitating the substrate;
An ultrasonic generator for applying ultrasonic vibration to the diaphragm,
A transport unit that supports the edge of the substrate and transports the substrate in a direction perpendicular to the floating direction of the substrate;
A plurality of levitating conveyance units having the above, each levitating conveyance unit heat-treating and conveying the substrate in order while ultrasonically levitating the substrate,
A heating region provided with a heater unit for heating the diaphragm unit of the levitation conveyance unit;
A cooling region in which the levitation transport unit does not include the heater unit;
A levitation conveyance heat treatment apparatus characterized by comprising:
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012253845A JP6053468B2 (en) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | Levitation transfer heat treatment equipment |
TW102136836A TWI590367B (en) | 2012-11-20 | 2013-10-11 | Suspension transfer heat treatment device |
KR1020130134240A KR20140064629A (en) | 2012-11-20 | 2013-11-06 | Heat treatment apparatus with levitation and transportation |
CN201310584960.2A CN103832826B (en) | 2012-11-20 | 2013-11-19 | Heat treatment apparatus with levitation and transportation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012253845A JP6053468B2 (en) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | Levitation transfer heat treatment equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014103230A JP2014103230A (en) | 2014-06-05 |
JP6053468B2 true JP6053468B2 (en) | 2016-12-27 |
Family
ID=51025491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012253845A Expired - Fee Related JP6053468B2 (en) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | Levitation transfer heat treatment equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6053468B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109643681B (en) * | 2016-08-09 | 2022-11-29 | 剑桥过滤器有限公司 | Semiconductor manufacturing apparatus |
KR102467529B1 (en) | 2019-11-07 | 2022-11-16 | 세메스 주식회사 | Transfering unit, substrate treating apparatus including the unit and substrate treating method |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4508856B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-07-21 | 三菱重工業株式会社 | Glass substrate deposition equipment |
JP2007145497A (en) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Fujifilm Corp | Peeling method and peeling device of laminated body |
JP4592787B2 (en) * | 2008-07-11 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment |
DE102008041250A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Ers Electronic Gmbh | Method and device for the thermal processing of plastic discs, in particular mold wafers |
JP2012057854A (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Toray Eng Co Ltd | Heat drying device |
JP2012170846A (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coater |
-
2012
- 2012-11-20 JP JP2012253845A patent/JP6053468B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014103230A (en) | 2014-06-05 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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