JP6049983B2 - LCD panel assembly - Google Patents

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    • G02F1/133788Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation

Description

本発明は、画素電極表示板、液晶表示板アセンブリ、及びこれらの製造方法に関する。   The present invention relates to a pixel electrode display panel, a liquid crystal display panel assembly, and a manufacturing method thereof.

一般的に、液晶表示装置は、現在幅広く使用されている平板表示装置の中の1つであって、画素電極及び共通電極を有する電界生成電極がそれぞれ形成されている2枚の透明基板とその間に挿入されている液晶層とからなる。電圧が電界生成電極に供給されると、電界が液晶層に形成される。形成された電界は、液晶層を構成する液晶分子の配列を変更し、液晶分子の異なる配列を有する液晶層を通過した入射光は、異なる位相差を有する。異なる位相差を有する光は、偏光子を異なる透過量で透過する。したがって、液晶層の電界サイズを調節する場合には、偏光子を透過する光の量が変わるために映像が表示される。   In general, a liquid crystal display device is one of flat display devices that are widely used at present, and includes two transparent substrates each having a pixel electrode and a common electrode, and a transparent electrode between the two transparent substrates. And a liquid crystal layer inserted in the liquid crystal layer. When voltage is supplied to the electric field generating electrode, an electric field is formed in the liquid crystal layer. The formed electric field changes the arrangement of liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer, and incident light that has passed through liquid crystal layers having different arrangements of liquid crystal molecules has a different phase difference. Light having different phase differences passes through the polarizer with different transmission amounts. Therefore, when the electric field size of the liquid crystal layer is adjusted, an image is displayed because the amount of light transmitted through the polarizer changes.

電界が液晶層に供給されない状態で液晶分子の長軸が上下表示板に対して垂直であるように配列された垂直配向(vertical alignment:VA)モードの液晶表示装置は、コントラスト比(contrast ratio)が大きいために表示品質が良好である。垂直配向モードの広い視野角を実現するためには、電界生成電極に切開部が形成されたPVA(patterned vertically aligned)モードの液晶表示装置が開発された。   A liquid crystal display device in a vertical alignment (VA) mode in which the major axis of liquid crystal molecules is arranged perpendicular to the upper and lower display plates in a state where no electric field is supplied to the liquid crystal layer has a contrast ratio. Display quality is good because of In order to realize a wide viewing angle in the vertical alignment mode, a PVA (patterned vertically aligned) mode liquid crystal display device in which an incision is formed in the electric field generating electrode has been developed.

電極のスリットは、開口率(aperture ratio)を必然的に減少させる。スリットの数を減少させるためには、微細スリット(micro-slit)モード又はスーパーバーティカルアラインメント(super vertical alignment:SVA)モードが開発された。SVAモードは、向かい合う電界生成電極の中のいずれか1つの電極のみに形成された微細スリットにより液晶分子の配列及び方向性を調節する。   Electrode slits inevitably reduce the aperture ratio. In order to reduce the number of slits, a micro-slit mode or a super vertical alignment (SVA) mode has been developed. In the SVA mode, the alignment and directionality of liquid crystal molecules are adjusted by fine slits formed in only one of the opposing electric field generating electrodes.

しかしながら、SVAモード及びPVAモードのような垂直配向モードは、側面視野角に従ってコントラスト比が格段に減少し、また、特定の範囲の階調レベルで基本色、例えば、青色、赤色、及び緑色の輝度が交差することにより液晶表示装置の視認性(visibility)がよくない。したがって、側面で視認される液晶表示装置の画質が正面で視認される画質と最大限に同一となることが要求される。   However, vertical alignment modes such as the SVA mode and the PVA mode have a markedly reduced contrast ratio according to the side viewing angle, and brightness of basic colors such as blue, red, and green at a certain range of gradation levels. As a result of crossing, the visibility of the liquid crystal display device is not good. Therefore, it is required that the image quality of the liquid crystal display device visually recognized on the side face is maximally the same as the image quality visually recognized on the front surface.

一方、蛍光灯光が液晶表示装置に入射すると、液晶表示装置は、虹ムラを有する。したがって、液晶表示装置の画質を改善するために虹ムラを減少させることが要求される。   On the other hand, when the fluorescent lamp light enters the liquid crystal display device, the liquid crystal display device has rainbow unevenness. Therefore, it is required to reduce rainbow unevenness in order to improve the image quality of the liquid crystal display device.

米国特許第6,825,892号明細書U.S. Patent No. 6,825,892 米国特許第7,130,012号明細書U.S. Patent No. 7,130,012 米国特許第7,508,468号明細書U.S. Patent No. 7,508,468

したがって、本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、正面及び側面視認性を向上させる画素電極表示板を提供することにある。   Accordingly, the present invention has been proposed in order to solve the above-described problems of the prior art, and an object thereof is to provide a pixel electrode display panel that improves front and side visibility.

本発明の他の目的は、正面及び側面視認性を向上させる画素電極表示板を有する液晶表示板アセンブリ及びこれらの製造方法を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display panel assembly having a pixel electrode display panel that improves front and side visibility and a method of manufacturing the same.

本発明のさらに他の目的は、画素電極表示板上への外部光の入射時の虹ムラの発生を抑制することができる画素電極表示板を有する液晶表示板アセンブリ及びこれらの製造方法を提供することにある。   Still another object of the present invention is to provide a liquid crystal display panel assembly having a pixel electrode display panel that can suppress the occurrence of rainbow unevenness when external light is incident on the pixel electrode display panel, and a method of manufacturing the same. There is.

上記のような目的を達成するために、本発明の第1の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、上部基板上に形成される共通電極を含む上部表示板と、上記上部基板に対向する下部基板と、上記下部基板上に行列の形態で配列され、上記共通電極と向かい合う複数の画素とを含む下部表示板と、上記画素の各々に含まれ、相互に離隔した第1及び第2の領域と、上記第1及び上記第2の領域にそれぞれ形成される第1及び第2の副画素と、上記第1の副画素に含まれ、上記上部表示板又は上記下部表示板に取り付けられた偏光子の偏光軸に対して第1の角度方向に配列され、上記第1の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第1の微細ブランチを含む第1の副画素電極と、上記第2の副画素に含まれ、上記偏光子の偏光軸に対して第2の角度方向に配列され、上記第2の角度方向は、実質的に20°内で上記第1の角度方向と異なり、上記第2の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第2の微細ブランチを含む第2の副画素電極と、上記上部表示板と上記下部表示板間に介在する液晶層とを有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes an upper display panel including a common electrode formed on the upper substrate, a lower substrate facing the upper substrate, and a matrix arranged on the lower substrate, facing the common electrode. A lower display panel including a plurality of pixels; first and second regions included in each of the pixels and spaced apart from each other; and first and second regions formed in the first and second regions, respectively. Two subpixels and the first subpixel, arranged in a first angular direction with respect to a polarization axis of a polarizer attached to the upper display panel or the lower display panel, and A first subpixel electrode including a plurality of first fine branches spaced substantially perpendicularly to the angular direction; and a second subpixel included in the second subpixel and second with respect to a polarization axis of the polarizer Arranged in an angular direction, and the second angular direction is substantially 20 A second sub-pixel electrode including a plurality of second fine branches spaced apart from the first angular direction in a direction substantially perpendicular to the second angular direction, the upper display panel, and the lower panel And a liquid crystal layer interposed between the display panels.

本発明の第2の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、相互に対向する上部基板及び下部基板をそれぞれ有する上部表示板と下部表示板間に介在する液晶層と、上記上部基板上に形成される共通電極と、上記下部基板上に行列の形態で形成され、上記共通電極と向かい合い、基本色を示す複数の画素を有する基本画素群と、上記画素の各々に含まれた第1の領域及び第2の領域にそれぞれ形成される第1の副画素及び第2の副画素と、上記第1の副画素に含まれ、上記上部表示板又は上記下部表示板に取り付けられた偏光子の偏光軸で作られた第1の角度方向に平行に形成される複数の第1の微細ブランチを有する第1の副画素電極と、上記複数の第1の微細ブランチに実質的に垂直方向に所定の第1の幅を有し、上記複数の第1の微細ブランチ間に形成される複数の第1の微細スリットと、上記第2の副画素に含まれ、上記上部表示板又は上記下部表示板に取り付けられた偏光子の偏光軸で作られた第2の角度方向に平行に形成される複数の第2の微細ブランチを有する第2の副画素電極と、上記複数の第2の微細ブランチに実質的に垂直方向に所定の第2の幅を有し、上記複数の第2の微細ブランチ間に形成される複数の第2の微細スリットとを有し、上記基本画素群内の上記第1の副画素及び上記第2の副画素の中で選択された少なくとも1つの副画素上に形成される上記第1及び上記第2の幅の中のいずれか1つは、選択されない残りの副画素上に形成される上記第1及び上記第2の幅の中のいずれか1つと異なることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes an upper display panel having an upper substrate and a lower substrate facing each other, a liquid crystal layer interposed between the lower display panels, a common electrode formed on the upper substrate, and an upper surface of the lower substrate. Formed in the form of a matrix, facing the common electrode and having a plurality of pixels showing a basic color, and formed in a first region and a second region included in each of the pixels, respectively. A first sub-pixel and a second sub-pixel, and a first angular direction formed by a polarization axis of a polarizer included in the first sub-pixel and attached to the upper display panel or the lower display panel A first sub-pixel electrode having a plurality of first fine branches formed in parallel to the plurality of first fine branches, and having a predetermined first width in a direction substantially perpendicular to the plurality of first fine branches. Formed between the first fine branches of The first fine slit and the second sub-pixel are included in the second sub-pixel, and are formed in parallel with a second angular direction formed by a polarization axis of a polarizer attached to the upper display panel or the lower display panel. A second subpixel electrode having a plurality of second micro branches; and a plurality of second micro branches having a predetermined second width substantially perpendicular to the plurality of second micro branches. A plurality of second fine slits formed therebetween, and formed on at least one subpixel selected from the first subpixel and the second subpixel in the basic pixel group. One of the first and second widths is different from any one of the first and second widths formed on the remaining non-selected subpixels. Features.

本発明の第3の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、上部基板を有する上部表示板と下部基板を有する下部表示板間に介在する液晶層と、上記上部基板上に形成される共通電極と、上記下部基板上に行及び列の行列形態で配列される複数の画素と、上記共通電極に対向するように上記下部基板上に形成される少なくとも複数の第1及び複数の第2の副画素電極を有する上記複数の画素の各々と、複数の第1の微細ブランチを有する第1のサブドメインと複数の第2の微細ブランチを有する第2のサブドメインとを含む上記第1の副画素電極と、複数の第3の微細ブランチを有する第3のサブドメインと複数の第4の微細ブランチを有する第4のサブドメインとを含む上記第2の副画素電極と、上記複数の第1、第2、第3、及び第4の微細ブランチの間でそれぞれ形成される複数の第1、第2、第3、及び第4の微細スリットとを有し、上記第1、第2、第3、及び第4の微細スリットの中の少なくとも1つが内側から外側に伸張するにつれてこれらの幅が徐々に広くなることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes a liquid crystal layer interposed between an upper display panel having an upper substrate and a lower display panel having a lower substrate, a common electrode formed on the upper substrate, and rows and columns on the lower substrate. Each of the plurality of pixels having a plurality of pixels arranged in a matrix form and at least a plurality of first and second subpixel electrodes formed on the lower substrate so as to face the common electrode The first sub-pixel electrode including a first sub-domain having a plurality of first fine branches and a second sub-domain having a plurality of second fine branches, and a plurality of third fine branches The second subpixel electrode including a third subdomain having a fourth subdomain having a plurality of fourth fine branches, and the plurality of first, second, third, and fourth subdomain electrodes. Between each fine branch A plurality of first, second, third, and fourth fine slits, and at least one of the first, second, third, and fourth fine slits is from the inside to the outside. These widths are characterized by gradually widening as they extend.

本発明の第4の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、相互に対向する上部基板及び下部基板をそれぞれ有する上部表示板と下部表示板間に介在する液晶層と、上記上部基板上に形成される共通電極と、上記下部基板上に行及び列の行列形態で配列される複数の画素と、上記共通電極に対向するように上記下部基板上に形成される少なくとも複数の第1及び複数の第2の副画素電極を有する上記複数の画素の各々と、複数の第1の微細ブランチを有する第1のサブドメインと複数の第2の微細ブランチを有する第2のサブドメインとを含む上記第1の副画素電極と、複数の第3の微細ブランチを有する第3のサブドメインと複数の第4の微細ブランチを有する第4のサブドメインとを含む上記第2の副画素電極とを有し、上記第1、第2、第3、及び第4の微細スリットの中の少なくとも1つが内側から外側に伸張するにつれてこれらの幅が徐々に広くなることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes an upper display panel having an upper substrate and a lower substrate facing each other, a liquid crystal layer interposed between the lower display panels, a common electrode formed on the upper substrate, and an upper surface of the lower substrate. A plurality of pixels arranged in a matrix form of rows and columns and at least a plurality of first and second subpixel electrodes formed on the lower substrate so as to face the common electrode. Each of the first sub-pixel electrodes, a first sub-domain having a plurality of first fine branches, and a second sub-domain having a plurality of second fine branches, and a plurality of second sub-domain electrodes, The second subpixel electrode including a third subdomain having three fine branches and a fourth subdomain having a plurality of fourth fine branches, and the first, second, and third subdomain electrodes. , And the fourth fine thread Although at least one of the bets, characterized in that these width is gradually wider as it extends from the inside to the outside.

本発明の第5の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、相互に対向する上部基板及び下部基板をそれぞれ有する上部表示板と下部表示板間に介在する液晶層と、上記上部基板上に形成される共通電極と、上記下部基板上に行及び列の行列形態で配列される複数の画素と、上記共通電極に対向するように上記下部基板上に形成される少なくとも複数の第1及び複数の第2の副画素電極を有する上記複数の画素の各々と、複数の第1の微細ブランチを有する第1のドメインと複数の第2の微細ブランチを有する第2のドメインとを含む上記第1の副画素電極と、複数の第3の微細ブランチを有する第3のドメインと複数の第4の微細ブランチを有する第4のドメインとを含む上記第2の副画素電極と、上記複数の第1、第2、第3、及び第4の微細ブランチの間でそれぞれ形成される複数の第1、第2、第3、及び第4の微細スリットとを有し、上記複数の第1及び第2の微細ブランチの中の選択された少なくとも1つの幅が上記複数の第1及び第2の微細スリットの中の選択された少なくとも1つの幅より実質的に大きく、上記複数の第3及び第4の微細スリットの中の選択された少なくとも1つの幅が上記複数の第3及び第4の微細ブランチの中の選択された少なくとも1つの幅より実質的に大きいことを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes an upper display panel having an upper substrate and a lower substrate facing each other, a liquid crystal layer interposed between the lower display panels, a common electrode formed on the upper substrate, and an upper surface of the lower substrate. A plurality of pixels arranged in a matrix form of rows and columns and at least a plurality of first and second subpixel electrodes formed on the lower substrate so as to face the common electrode. Each of the pixels, the first sub-pixel electrode including a first domain having a plurality of first micro branches and a second domain having a plurality of second micro branches, and a plurality of third The second subpixel electrode including a third domain having a fine branch and a fourth domain having a plurality of fourth fine branches; and the plurality of first, second, third, and fourth Between the micro branches A plurality of first, second, third, and fourth micro slits formed, wherein at least one selected width of the plurality of first and second micro branches has the plurality of The at least one selected width in the plurality of third and fourth micro slits is substantially larger than the selected at least one width in the first and second micro slits, Characterized in that it is substantially larger than the selected width of at least one of the third and fourth micro branches.

本発明の第6の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、共通電極を含む第1の基板と、上記第1の基板に対向する第2の基板と、上記第2の基板上に形成される複数のカラーフィルター及び遮光部材と、上記カラーフィルター及び上記遮光部材上に形成される画素電極と、上記画素電極上に形成され、第1の液晶分子を上記画素電極に垂直方向に配向する主配向膜と、上記主配向膜上に形成され、第2の液晶分子を上記画素電極に対してプレチルトするように配向する光硬化層と、上記第1の基板と上記第2の基板間に介在する上記第1の液晶分子及び上記第2の液晶分子を有する液晶層とを有することを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes a first substrate including a common electrode, a second substrate facing the first substrate, a plurality of color filters and a light shielding member formed on the second substrate, A pixel electrode formed on the color filter and the light shielding member; a main alignment film formed on the pixel electrode and aligning first liquid crystal molecules in a direction perpendicular to the pixel electrode; and on the main alignment film. A photocured layer formed and oriented so that the second liquid crystal molecules are pretilted with respect to the pixel electrode; the first liquid crystal molecules interposed between the first substrate and the second substrate; And a liquid crystal layer having two liquid crystal molecules.

本発明の第7の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、第1の基板上に形成される複数のカラーフィルター及び遮光部材と、上記複数のカラーフィルター及び上記遮光部材上に形成される共通電極と、上記第1の基板に対向する第2の基板と、上記第2の基板上に形成される画素電極と、上記共通電極及び上記画素電極上に形成され、複数の第1の液晶分子を上記共通電極及び上記画素電極に垂直方向に配向する複数の主配向膜と、上記複数の主配向膜上に形成され、複数の第2の液晶分子を上記共通電極及び上記画素電極に対してプレチルトするように配向する複数の光硬化層と、上記第1の基板と上記第2の基板間に介在する上記複数の第1の液晶分子及び上記複数の第2の液晶分子を有する液晶層と、を有することを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes a plurality of color filters and a light shielding member formed on a first substrate, a common electrode formed on the plurality of color filters and the light shielding member, and facing the first substrate. A second substrate, a pixel electrode formed on the second substrate, the common electrode and the pixel electrode, and a plurality of first liquid crystal molecules perpendicular to the common electrode and the pixel electrode. A plurality of main alignment films oriented in a direction, and a plurality of photocuring films formed on the plurality of main alignment films and aligning a plurality of second liquid crystal molecules so as to pretilt with respect to the common electrode and the pixel electrode. And a liquid crystal layer having the plurality of first liquid crystal molecules and the plurality of second liquid crystal molecules interposed between the first substrate and the second substrate.

本発明の第8の態様によれば、液晶表示板アセンブリの製造方法が提案される。上記方法は、共通電極を上部基板上に形成するステップと、複数のカラーフィルター及び遮光部材を下部基板上に形成するステップと、上記複数のカラーフィルター及び上記遮光部材上に画素電極を形成するステップと、下部表面主配向物質及び下部表面光硬化剤を構成する下部表面配向反応物を上記画素電極上に形成するステップと、下部偏光主配向物質を上記画素電極に実質的に垂直方向に第1の液晶分子を配列する下部主配向膜として形成するステップと、上記第1の液晶分子及び第2の液晶分子を含む液晶層を上記上部基板又は上記下部基板上に形成し、上記上部基板及び上記下部基板を密封するステップと、光を上記液晶層及び上記下部表面光硬化剤に照射するステップと、上記下部表面光硬化剤を上記画素電極に対してプレチルトするように上記第2の液晶分子を配向する光硬化層として形成するステップとを有することを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, a method for manufacturing a liquid crystal panel assembly is proposed. The method includes forming a common electrode on the upper substrate, forming a plurality of color filters and a light shielding member on the lower substrate, and forming a pixel electrode on the plurality of color filters and the light shielding member. Forming a lower surface alignment material constituting the lower surface main alignment material and the lower surface photocuring agent on the pixel electrode; and forming the lower polarization main alignment material in a direction substantially perpendicular to the pixel electrode. Forming a liquid crystal molecule as a lower main alignment layer, and forming a liquid crystal layer including the first liquid crystal molecule and the second liquid crystal molecule on the upper substrate or the lower substrate; Sealing the substrate; irradiating the liquid crystal layer and the lower surface photocuring agent with light; and exposing the lower surface photocuring agent to the pixel electrode with pretilt. Characterized by a step of forming a photocurable layer to align the second liquid crystal molecules to.

本発明の第9の態様によれば、液晶表示板アセンブリの製造方法が提案される。上記方法は、共通電極を上部基板上に形成するステップと、画素電極を下部基板上に形成するステップと、下部主配向膜及び下部光硬化層を含む下部配向膜として形成される下部反応物を上記画素電極上に形成するステップと、上記画素電極に実質的に垂直方向に第1の液晶分子を配列する上記下部主配向膜を形成するステップと、上記第1の液晶分子及び第2の液晶分子を含む液晶層を上記上部基板又は上記下部基板上に形成し、上記上部基板及び上記下部基板を密封するステップと、第1の時間の間に上記共通電極と上記画素電極間のスペースに徐々に増加する第1の電圧を印加するステップと、第2の時間の間に上記共通電極と上記画素電極間のスペースに第2の電圧を印加するステップと、上記共通電極と上記画素電極間のスペースに印加される第3の電圧で光を上記液晶層及び上記下部反応物に照射する間に、上記画素電極に対してプレチルトするように上記第2の液晶分子を配向する上記下部光硬化層を形成するステップとを有することを特徴とする。   According to a ninth aspect of the present invention, a method for manufacturing a liquid crystal panel assembly is proposed. The method includes forming a common electrode on an upper substrate, forming a pixel electrode on a lower substrate, and forming a lower reactant formed as a lower alignment layer including a lower main alignment layer and a lower photocured layer. Forming on the pixel electrode; forming the lower main alignment film that aligns the first liquid crystal molecules in a direction substantially perpendicular to the pixel electrode; and the first and second liquid crystal molecules. Forming a liquid crystal layer including molecules on the upper substrate or the lower substrate, and sealing the upper substrate and the lower substrate; and gradually in the space between the common electrode and the pixel electrode during a first time. Applying a first voltage that increases to a time, applying a second voltage to a space between the common electrode and the pixel electrode during a second time, and between the common electrode and the pixel electrode space Forming the lower photocuring layer that orients the second liquid crystal molecules so as to pretilt with respect to the pixel electrode while irradiating the liquid crystal layer and the lower reactant with light at a third voltage applied. And a step of performing.

本発明の第10の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、上部表示板と下部表示板間に介在する液晶層と、上記上部表示板に含まれた上部基板上に形成される共通電極と、上記下部表示板に含まれ、上記上部基板に対向する下部基板と、行及び列の行列形態で上記下部基板上に配列される複数の画素と、上記共通電極に対向するように上記下部基板上に形成される少なくとも複数の第1及び複数の第2の副画素電極を有する上記複数の画素の各々と、上記第1の副画素電極の中央部に位置した第1の微細ブランチ接続部により分離される複数の第1の微細ブランチを有する第1のドメインと、複数の第2の微細ブランチを有する第2のドメインと、複数の第3の微細ブランチを有する第3のドメインと、複数の第4の微細ブランチを有する第4のドメインとを含む上記第1の副画素電極と、上記第1、第2、第3、及び第4の微細ブランチを相互に接続する上記第1の微細ブランチ接続部と、上記第2の副画素電極の中央部に位置した第2の微細ブランチ接続部により分離される複数の第5の微細ブランチを有する第5のドメインと、複数の第6の微細ブランチを有する第6のドメインと、複数の第7の微細ブランチを有する第7のドメインと、複数の第8の微細ブランチを有する第8のドメインとを含む上記第2の副画素電極と、上記第5、第6、第7、及び第8の微細ブランチを相互に接続する上記第2の微細ブランチ接続部と、上記複数の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、及び第8の微細ブランチの間にそれぞれ形成される複数の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、及び第8の微細スリットとを有し、上記第1の微細ブランチ接続部に対して、上記複数の第1の微細ブランチは、上記複数の第2の微細ブランチに対称であり、上記複数の第3の微細ブランチは、上記複数の第4の微細ブランチに対称であり、上記複数の第1の微細ブランチは、上記複数の第4の微細ブランチに非対称であり、上記複数の第2の微細ブランチは、上記複数の第3の微細ブランチに非対称であることを特徴とする。   According to a tenth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes a liquid crystal layer interposed between the upper display panel and the lower display panel, a common electrode formed on the upper substrate included in the upper display panel, and the lower display panel. A lower substrate facing the upper substrate, a plurality of pixels arranged in a row and column matrix form on the lower substrate, and at least a plurality of first electrodes formed on the lower substrate so as to face the common electrode. And a plurality of first micro branches separated by each of the plurality of pixels having a plurality of second sub pixel electrodes and a first micro branch connection portion located at the center of the first sub pixel electrode. A second domain having a plurality of second micro branches, a third domain having a plurality of third micro branches, and a fourth domain having a plurality of fourth micro branches. Domain and above including One subpixel electrode, the first microbranch connecting portion that connects the first, second, third, and fourth microbranches to each other, and the central portion of the second subpixel electrode A fifth domain having a plurality of fifth micro branches separated by the second micro branch connection portion, a sixth domain having a plurality of sixth micro branches, and a plurality of seventh micro branches. The second subpixel electrode including the seventh domain having the eighth domain and the eighth domain having the plurality of eighth micro branches, and the fifth, sixth, seventh, and eighth micro branches. Are formed between the second micro branch connection portion connected to the first micro branch and the plurality of first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh, and eighth micro branches. A plurality of first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh, and eighth The plurality of first micro branches are symmetrical to the plurality of second micro branches with respect to the first micro branch connection portion, and the plurality of third micro branches are provided. Is symmetrical to the plurality of fourth micro branches, the plurality of first micro branches are asymmetric to the plurality of fourth micro branches, and the plurality of second micro branches are the plurality of the plurality of fourth micro branches. The third fine branch is asymmetric.

本発明の第11の態様によれば、下部表示板が提案される。上記下部表示板は、下部基板上に形成され、ゲート電圧を伝達するゲート線と、上記下部基板上に形成され、第1の階調電圧を伝達する第1のデータ線と、上記下部基板上に形成され、上記第1のデータ線に接続される第1のソース電極と、上記ゲート線に接続される第1のゲート電極と、第1のドレーン電極及び第2のドレーン電極とを有する第1の薄膜トランジスタと、上記第1の薄膜トランジスタに接続される画素と、上記画素に含まれ、相互に離隔する第1の領域及び第2の領域と、上記第1の領域に形成される第1の副画素及び上記第2の領域に形成される第2の副画素と、上記第1の副画素に含まれ、上記下部基板又は上部基板に取り付けられた偏光子の偏光軸に対して第1の角度方向に配列され、上記第1の角度方向に実質的に垂直方向に離隔する複数の第1の微細ブランチを含む第1の副画素電極と、接触を通して上記第1のドレーン電極に電気的に接続される第1の副画素電極接触部と、上記第1の副画素電極接触部と上記第1の副画素電極とを電気的に接続する第1の副画素電極接点接続部と、上記第1の副画素電極接触部及び上記第1の副画素電極接点接続部により形成される凹状とを有することを特徴とする。   According to an eleventh aspect of the present invention, a lower display panel is proposed. The lower display panel is formed on the lower substrate and transmits a gate voltage, a first data line formed on the lower substrate and transmits a first gray scale voltage, and the lower substrate. A first source electrode connected to the first data line, a first gate electrode connected to the gate line, and a first drain electrode and a second drain electrode. One thin film transistor, a pixel connected to the first thin film transistor, a first region and a second region included in the pixel and spaced apart from each other, and a first region formed in the first region A first sub-pixel and a second sub-pixel formed in the second region; and a first sub-pixel included in the first sub-pixel, the first sub-pixel being attached to the lower substrate or the upper substrate with respect to a polarization axis of the polarizer Arranged in an angular direction and substantially in the first angular direction A first subpixel electrode including a plurality of first fine branches spaced apart in a vertical direction; a first subpixel electrode contact portion electrically connected to the first drain electrode through contact; A first subpixel electrode contact connecting portion that electrically connects the subpixel electrode contact portion and the first subpixel electrode, the first subpixel electrode contact portion, and the first subpixel electrode contact. It has the concave shape formed of a connection part, It is characterized by the above-mentioned.

本発明の第12の態様によれば、下部表示板が提案される。上記下部表示板は、 下部基板上に形成され、第1の方向に伸張するゲート線及び上記第1の方向に実質的に垂直である第2の方向に伸張するデータ線と、上記第1の方向に実質的に平行である長辺と上記第2の方向に実質的に平行である短辺とを有する複数の画素電極と、上記複数の画素電極の各々に含まれた第1の副画素電極及び上記第1の方向に上記第1の副画素電極に隣接した第2の副画素電極と、第1の角度方向に配列された複数の第1の微細ブランチを有する第1のドメインと第2の角度方向に配列された複数の第2の微細ブランチを有する第2のドメインとを含む上記第1の副画素電極と、第3の角度方向に配列された複数の第3の微細ブランチを有する第3のドメインと第4の角度方向に配列された複数の第4の微細ブランチを有する第4のドメインとを含む上記第2の副画素電極と、上記複数の第1、第2、第3、及び第4の微細ブランチの間にそれぞれ形成される複数の第1、第2、第3、及び第4の微細スリットとを有し、上記複数の第1、第2、第3、及び第4の微細ブランチ及び上記複数の第1、第2、第3、及び第4の微細スリットの中の選択された少なくとも1つの幅が上記第1、第2、第3、又は第4の角度方向に実質的に垂直である方向に沿って徐々に変わることを特徴とする。   According to a twelfth aspect of the present invention, a lower display panel is proposed. The lower display panel is formed on the lower substrate and extends in a first direction, a gate line extending in a first direction, a data line extending in a second direction substantially perpendicular to the first direction, and the first display panel A plurality of pixel electrodes having a long side substantially parallel to the direction and a short side substantially parallel to the second direction; and a first subpixel included in each of the plurality of pixel electrodes An electrode, a second subpixel electrode adjacent to the first subpixel electrode in the first direction, a first domain having a plurality of first micro branches arranged in a first angular direction; The first sub-pixel electrode including a second domain having a plurality of second fine branches arranged in two angular directions, and a plurality of third fine branches arranged in a third angular direction. A third domain having a plurality of fourth fine blanks arranged in a fourth angular direction A plurality of first and second sub-pixel electrodes formed between the second sub-pixel electrode including the fourth domain having the first and second sub-pixel electrodes and the plurality of first, second, third, and fourth fine branches, respectively. , Third and fourth micro slits, the plurality of first, second, third and fourth micro branches and the plurality of first, second, third and fourth At least one selected width in the micro slit is characterized by gradually changing along a direction that is substantially perpendicular to the first, second, third, or fourth angular direction.

本発明の第13の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、相互に対向する上部基板及び下部基板をそれぞれ有する上部表示板と下部表示板間に介在する液晶層と、上記上部基板上に形成される共通電極と、上記下部基板上に行列の形態で形成され、上記共通電極と向かい合い、基本色を示す複数の画素を有する基本画素群と、ゲート線が伸張する第1の方向に実質的に平行である長辺とデータ線が伸張する第2の方向に実質的に平行である短辺とを含み、第1の領域に形成される第1の副画素と上記第1の方向に上記第1の副画素に隣接した第2の領域に形成される第2の副画素とを含む上記複数の画素の各々と、第1の角度方向に配列された複数の第1の微細ブランチを有する上記第1の副画素に含まれる第1の副画素電極と、第2の角度方向に配列された複数の第2の微細ブランチを有する上記第2の副画素に含まれる第2の副画素電極と、上記複数の第1及び第2の微細ブランチの間に形成される複数の第1及び第2の微細スリットと、上記基本画素群の上記第1の副画素の中の選択された少なくとも1つの副画素上に形成される上記複数の第1の微細ブランチ又は上記複数の第1の微細スリットの第1の幅が選択されない残りの上記第1の副画素上に形成される上記複数の第1の微細ブランチ又は上記複数の第1の微細スリットの第2の幅と異なるか、又は上記基本画素群の上記第2の副画素の中の選択された少なくとも1つの副画素上に形成される上記複数の第2の微細ブランチ又は上記複数の第2の微細スリットの第3の幅が選択されない残りの上記第2の副画素上に形成された上記複数の第2の微細ブランチ又は上記複数の第2の微細スリットの第4の幅と異なることを特徴とする。   According to a thirteenth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes an upper display panel having an upper substrate and a lower substrate facing each other, a liquid crystal layer interposed between the lower display panels, a common electrode formed on the upper substrate, and an upper surface of the lower substrate. Formed in the form of a matrix, facing the common electrode and having a plurality of pixels showing a basic color, a basic pixel group, a long side substantially parallel to the first direction in which the gate line extends, and a data line A first subpixel formed in the first region and a second side adjacent to the first subpixel in the first direction, the second subside including a short side substantially parallel to the extending second direction. Each of the plurality of pixels including the second sub-pixel formed in the region, and the first sub-pixel included in the first sub-pixel having the plurality of first fine branches arranged in the first angular direction. One subpixel electrode and a plurality of second pixel electrodes arranged in the second angular direction A second subpixel electrode included in the second subpixel having a plurality of minute branches, and a plurality of first and second minute slits formed between the plurality of first and second minute branches, , First widths of the plurality of first micro branches or the plurality of first micro slits formed on at least one selected sub pixel of the first sub pixels of the basic pixel group. Is different from a second width of the plurality of first micro branches or the plurality of first micro slits formed on the remaining first sub-pixels that are not selected, or the first sub-pixels of the basic pixel group The remaining second second in which the third width of the plurality of second micro branches or the plurality of second micro slits formed on at least one selected sub pixel of the two sub pixels is not selected. The plurality of second pixels formed on the sub-pixel Wherein the different from the micro branches or fourth of the width of the plurality of second micro slits.

本発明の第14の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、下部基板上に形成される画素電極と、上記画素電極上に形成され、第1の液晶分子を上記画素電極に実質的に垂直方向に配向する下部主配向膜と、上記下部主配向膜上に形成され、第2の液晶分子を上記画素電極に実質的に傾斜するように配向する下部光硬化層と、上記下部主配向膜及び上記下部光硬化層をそれぞれ構成する下部主配向膜物質及び下部光硬化層物質は、相互に異なる極性を有することを特徴とする。   According to a fourteenth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes a pixel electrode formed on a lower substrate, a lower main alignment layer formed on the pixel electrode and aligning first liquid crystal molecules in a direction substantially perpendicular to the pixel electrode, A lower photocured layer formed on the lower main alignment film and orienting the second liquid crystal molecules so as to be substantially tilted toward the pixel electrode, and the lower main alignment film and the lower photocured layer are configured. The lower main alignment layer material and the lower photocuring layer material have different polarities.

本発明の第15の態様によれば、液晶表示板アセンブリの製造方法が提案される。上記方法は、画素電極を下部基板上に形成するステップと、下部表面主配向膜物質及び下部表面光硬化剤を構成する下部表面配向反応物を上記画素電極上に積層するステップと、上記下部表面配向反応物の1次加熱を行うことにより溶媒を蒸発し、上記下部表面配向反応物が下部偏光主配向物質層及び下部垂直光配向物質層に相分離されるステップと、相分離された上記下部偏光主配向物質層及び上記下部垂直光配向物質層の2次加熱を行うことにより、上記下部偏光主配向物質層が下部主配向膜に変わるステップと、光を上記下部垂直光配向物質層に照射することにより、上記下部垂直光配向物質層が下部光硬化層に変わるステップとを有することを特徴とする。   According to a fifteenth aspect of the present invention, a method for manufacturing a liquid crystal panel assembly is proposed. The method includes forming a pixel electrode on a lower substrate, laminating a lower surface alignment reactant constituting a lower surface main alignment material and a lower surface photocuring agent on the pixel electrode, and the lower surface alignment. Solvent is evaporated by performing primary heating of the reactant, and the lower surface alignment reactant is phase-separated into a lower polarization main alignment material layer and a lower vertical photo alignment material layer, and the phase-separated lower polarization By performing secondary heating of the main alignment material layer and the lower vertical photo alignment material layer, the lower polarized main alignment material layer is changed to a lower main alignment layer, and light is irradiated to the lower vertical photo alignment material layer. The lower vertical photo-alignment material layer is changed to a lower photo-curing layer.

本発明の第16の態様によれば、表面配向反応物が提案される。上記表面配向反応物は、二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーに含まれたモノマーが化学的に結合されるポリイミド系化合物と、ここで、上記ジアミン系モノマーは、光反応性フッ素化ジアミン系モノマーと、アルキル化芳香族ジアミン系モノマーと、芳香族ジアミン系モノマーと、脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーとを有し、架橋剤と上記ポリイミド系化合物との混合物とを有することを特徴とする。   According to a sixteenth aspect of the present invention, a surface alignment reactant is proposed. The surface alignment reactant is a polyimide compound in which monomers contained in a dianhydride monomer and a diamine monomer are chemically bonded, wherein the diamine monomer is a photoreactive fluorinated diamine monomer. And an alkylated aromatic diamine monomer, an aromatic diamine monomer, an aliphatic ring-substituted aromatic diamine monomer, and a mixture of a crosslinking agent and the polyimide compound. .

本発明の第17の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、下部基板上に形成される画素電極と、上記画素電極上に形成され、第1の液晶分子を上記画素電極に実質的に垂直方向に配向する下部主配向膜と第2の液晶分子を上記画素電極に対して実質的に傾斜するように配向する下部光硬化層とを含む下部配向膜とを有し、上記下部配向膜は、前記第16の態様による上記表面配向反応物を含むことを特徴とする。   According to a seventeenth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal panel assembly includes a pixel electrode formed on a lower substrate, a lower main alignment film formed on the pixel electrode, and having a first liquid crystal molecule aligned in a direction substantially perpendicular to the pixel electrode. And a lower photo-curing layer that orients the liquid crystal molecules so as to be substantially inclined with respect to the pixel electrode, and the lower alignment film has the surface alignment according to the sixteenth aspect. It contains a reactant.

本発明の第18の態様によれば、液晶表示板アセンブリの製造方法が提案される。上記方法は、下部基板上に画素電極を含む下部表示板を製造するステップと、上部基板上に共通電極を含む上部表示板を製造するステップと、二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーに含まれたモノマーが化学的に結合されるポリイミド系化合物及び架橋剤と上記ポリイミド系化合物との混合物を有する表面配向反応物を上記下部基板上の画素電極及び上記上部基板上の共通電極に塗布するステップと、ここで、上記ジアミン系モノマーは、光反応性フッ素化ジアミン系モノマーと、アルキル化芳香族ジアミン系モノマーと、芳香族ジアミン系モノマーと、脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーとを有し、上記塗布された表面配向反応物の熱処理を行うことにより主配向膜を上記画素電極及び上記共通電極上に形成するステップと、上記主配向膜が形成される上記下部表示板と上記上部表示板とを組み立てるステップと、上記組み立てられた下部表示板及び上部表示板に含まれ、上記主配向膜を有する上記表面配向反応物に光を照射し、光硬化層を上記主配向膜上に形成するステップとを有することを特徴とする。   According to an eighteenth aspect of the present invention, a method for manufacturing a liquid crystal panel assembly is proposed. The method includes a step of manufacturing a lower display panel including a pixel electrode on a lower substrate, a step of manufacturing an upper display panel including a common electrode on an upper substrate, and a dianhydride monomer and a diamine monomer. Applying a surface alignment reactant having a mixture of the polyimide compound and the polyimide compound to which the monomer is chemically bonded to the polyimide compound to the pixel electrode on the lower substrate and the common electrode on the upper substrate; Here, the diamine monomer has a photoreactive fluorinated diamine monomer, an alkylated aromatic diamine monomer, an aromatic diamine monomer, and an aliphatic ring-substituted aromatic diamine monomer, Forming a main alignment film on the pixel electrode and the common electrode by heat-treating the applied surface alignment reactant; The step of assembling the lower display panel and the upper display panel on which the main alignment film is formed, and the surface alignment reaction product having the main alignment film is included in the assembled lower display panel and upper display panel. And a step of forming a photo-cured layer on the main alignment film.

本発明の第19の態様によれば、表面配向反応物が提案される。上記表面配向反応物は、二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーに含まれたモノマーが化学的に結合されるポリイミド系化合物と、ここで、上記ジアミン系モノマーは、光反応性ジアミン系モノマーと、芳香族ジアミン系モノマーと、ベンゼンに結合されたサイクリック環を有するアルキル化芳香族ジアミン系モノマーとを有し、架橋剤と上記ポリイミド系化合物との混合物とを有することを特徴とする。   According to a nineteenth aspect of the present invention, a surface alignment reactant is proposed. The surface alignment reactant is a polyimide compound in which monomers contained in a dianhydride monomer and a diamine monomer are chemically bonded, wherein the diamine monomer is a photoreactive diamine monomer, It has an aromatic diamine monomer and an alkylated aromatic diamine monomer having a cyclic ring bonded to benzene, and has a mixture of a crosslinking agent and the polyimide compound.

本発明の第20の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、下部基板上に形成される画素電極と、上記画素電極上に形成され、第1の液晶分子を上記画素電極に実質的に垂直方向に配向する下部主配向膜と第2の液晶分子を上記画素電極に対して実質的に傾斜するように配向する下部光硬化層とを含む下部配向膜とを有し、上記下部配向膜は、上記表面配向反応物を含むことを特徴とする。   According to a twentieth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal panel assembly includes a pixel electrode formed on a lower substrate, a lower main alignment film formed on the pixel electrode, and having a first liquid crystal molecule aligned in a direction substantially perpendicular to the pixel electrode. A lower alignment film including a lower photocuring layer that aligns the liquid crystal molecules of the liquid crystal molecules so as to substantially tilt with respect to the pixel electrode, and the lower alignment film includes the surface alignment reactant. Features.

本発明の第21の態様によれば、液晶表示板アセンブリの製造方法が提案される。上記方法は、下部基板上に画素電極を含む下部表示板を製造するステップと、上部基板上に共通電極を含む上部表示板を製造するステップと、二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーに含まれたモノマーが化学的に結合されるポリイミド系化合物及び架橋剤と上記ポリイミド系化合物との混合物を有する表面配向反応物を上記下部基板上の画素電極及び上記上部基板上の共通電極に塗布するステップと、ここで、上記ジアミン系モノマーは、光反応性ジアミン系モノマーと、芳香族ジアミン系モノマーと、ベンゼンに結合されたサイクリック環を有するアルキル化芳香族ジアミン系モノマーとを有し、上記塗布された表面配向反応物の熱処理を行うことにより主配向膜を上記画素電極及び上記共通電極上に形成するステップと、上記主配向膜が形成される上記下部表示板と上記上部表示板とを組み立てるステップと、上記組み立てられた下部表示板及び上部表示板に含まれ、上記主配向膜を有する上記表面配向反応物に光を照射し、光硬化層を上記主配向膜上に形成するステップとを有することを特徴とする。   According to a twenty-first aspect of the present invention, a method for manufacturing a liquid crystal panel assembly is proposed. The method includes a step of manufacturing a lower display panel including a pixel electrode on a lower substrate, a step of manufacturing an upper display panel including a common electrode on an upper substrate, and a dianhydride monomer and a diamine monomer. Applying a surface alignment reactant having a mixture of the polyimide compound and the polyimide compound to which the monomer is chemically bonded to the polyimide compound to the pixel electrode on the lower substrate and the common electrode on the upper substrate; Here, the diamine-based monomer has a photoreactive diamine-based monomer, an aromatic diamine-based monomer, and an alkylated aromatic diamine-based monomer having a cyclic ring bonded to benzene. Forming a main alignment film on the pixel electrode and the common electrode by heat-treating the surface alignment reactant; and Assembling the lower display panel and the upper display panel on which a film is formed, and irradiating the surface alignment reactant having the main alignment film, which is included in the assembled lower display panel and upper display panel, with light And a step of forming a photocured layer on the main alignment film.

本発明の第22の態様によれば、表面配向反応物が提案される。上記表面配向反応物は、二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーに含まれたモノマーが化学的に結合されるポリイミド系化合物と、ここで、上記ジアミン系モノマーは、アルキル化芳香族ジアミン系モノマーと芳香族ジアミン系モノマーとを有し、エポキシ分子及びアクリレート分子が化学的に結合された芳香族アクリルエポキシド系化合物モノマーと、上記ポリイミド系化合物と上記芳香族アクリルエポキシド系モノマーとの混合物とを有することを特徴とする。   According to a twenty-second aspect of the present invention, a surface alignment reactant is proposed. The surface alignment reactant is a polyimide compound in which monomers included in a dianhydride monomer and a diamine monomer are chemically bonded, and the diamine monomer is an alkylated aromatic diamine monomer. It has an aromatic diamine monomer, and has an aromatic acrylic epoxide compound monomer in which an epoxy molecule and an acrylate molecule are chemically bonded, and a mixture of the polyimide compound and the aromatic acrylic epoxide monomer. It is characterized by.

本発明の第23の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、下部基板上に形成される画素電極と、上記画素電極上に形成され、第1の液晶分子を上記画素電極に実質的に垂直方向に配向する下部主配向膜と第2の液晶分子を上記画素電極に対して実質的に傾斜するように配向する下部光硬化層とを含む下部配向膜とを有し、上記下部配向膜は、上記表面配向反応物を含むことを特徴とする。   According to a twenty-third aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal panel assembly includes a pixel electrode formed on a lower substrate, a lower main alignment film formed on the pixel electrode, and having a first liquid crystal molecule aligned in a direction substantially perpendicular to the pixel electrode. A lower alignment film including a lower photocuring layer that aligns the liquid crystal molecules of the liquid crystal molecules so as to substantially tilt with respect to the pixel electrode, and the lower alignment film includes the surface alignment reactant. Features.

本発明の第24の態様によれば、液晶表示板アセンブリの製造方法が提案される。上記方法は、下部基板上に画素電極を含む下部表示板を製造するステップと、上部基板上に共通電極を含む上部表示板を製造するステップと、
二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーに含まれたモノマーが化学的に結合されるポリイミド系化合物と、エポキシ分子及びアクリレート分子が化学的に結合された芳香族アクリルエポキシド系化合物モノマーと、上記ポリイミド系化合物と上記芳香族アクリルエポキシド系化合物モノマーとの混合物とを上記下部基板上の画素電極及び上記上部基板上の共通電極に塗布するステップと、ここで、上記ジアミン系モノマーは、アルキル化芳香族ジアミン系モノマーと芳香族ジアミン系モノマーとを有し、上記塗布された表面配向反応物の熱処理を行うことにより主配向膜を上記画素電極及び上記共通電極上に形成するステップと、上記主配向膜が形成される上記下部表示板と上記上部表示板とを組み立てるステップと、上記組み立てられた下部表示板及び上部表示板に含まれ、上記主配向膜を有する上記表面配向反応物に光を照射し、光硬化層を上記主配向膜上に形成するステップとを有することを特徴とする。
According to a twenty-fourth aspect of the present invention, a method for manufacturing a liquid crystal panel assembly is proposed. The method includes manufacturing a lower display panel including a pixel electrode on a lower substrate, manufacturing an upper display panel including a common electrode on the upper substrate, and
A polyimide compound in which monomers contained in a dianhydride monomer and a diamine monomer are chemically bonded, an aromatic acrylic epoxide compound monomer in which an epoxy molecule and an acrylate molecule are chemically bonded, and the polyimide system Applying a mixture of the compound and the aromatic acrylic epoxide compound monomer to the pixel electrode on the lower substrate and the common electrode on the upper substrate, wherein the diamine monomer is an alkylated aromatic diamine A step of forming a main alignment film on the pixel electrode and the common electrode by heat-treating the applied surface alignment reaction product, the main alignment film comprising a monomer and an aromatic diamine monomer; Assembling the lower display board and the upper display board to be formed; and Included in the lower and upper panels, the light is irradiated to the surface alignment reactant having the main alignment layer, a photocurable layer and having a step formed on the main alignment layer.

本発明の第25の態様によれば、表面配向反応物が提案される。上記表面配向反応物は、オルトケイ酸系モノマー及びアルコキシド系モノマーに含まれ、垂直配向性を有するアルキルアルコール系モノマーと光により硬化される光反応基を有する光硬化剤モノマーとが化学的に結合される化合物を有することを特徴とする。   According to a twenty-fifth aspect of the present invention, a surface alignment reactant is proposed. The surface alignment reactant is contained in orthosilicate monomer and alkoxide monomer, and an alkyl alcohol monomer having vertical alignment properties and a photocuring agent monomer having a photoreactive group cured by light are chemically combined. It is characterized by having a compound.

本発明の第26の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、下部基板上に形成される画素電極と、上記画素電極上に形成され、第1の液晶分子を上記画素電極に実質的に垂直方向に配向する下部主配向膜と第2の液晶分子を上記画素電極に対して実質的に傾斜するように配向する下部光硬化層とを含む下部配向膜とを有し、上記下部配向膜は、上記表面配向反応物を含むことを特徴とする。   According to a twenty-sixth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal panel assembly includes a pixel electrode formed on a lower substrate, a lower main alignment film formed on the pixel electrode, and having a first liquid crystal molecule aligned in a direction substantially perpendicular to the pixel electrode. A lower alignment film including a lower photocuring layer that aligns the liquid crystal molecules of the liquid crystal molecules so as to substantially tilt with respect to the pixel electrode, and the lower alignment film includes the surface alignment reactant. Features.

本発明の第27の態様によれば、液晶表示板アセンブリの製造方法が提案される。上記方法は、下部基板上に画素電極を含む下部表示板を製造するステップと、上部基板上に共通電極を含む上部表示板を製造するステップと、オルトケイ酸系モノマー及びアルコキシド系モノマーに含まれ、垂直配向性を有するアルキルアルコール系モノマーと光により硬化される光反応基を有する光硬化剤モノマーとが化学的に結合される化合物を有する表面配向反応物を上記下部基板上の画素電極及び上記上部基板上の共通電極に塗布するステップと、上記塗布された表面配向反応物の熱処理を行うことにより主配向膜を上記画素電極及び上記共通電極上に形成するステップと、上記主配向膜が形成される上記下部表示板と上記上部表示板とを組み立てるステップと、上記組み立てられた下部表示板及び上部表示板に含まれ、上記主配向膜を有する上記表面配向反応物に光を照射し、光硬化層を上記主配向膜上に形成するステップとを有することを特徴とする。   According to a twenty-seventh aspect of the present invention, a method for manufacturing a liquid crystal panel assembly is proposed. The method includes a step of manufacturing a lower display panel including a pixel electrode on a lower substrate, a step of manufacturing an upper display panel including a common electrode on the upper substrate, an orthosilicate monomer, and an alkoxide monomer. A surface alignment reaction product having a compound in which an alkyl alcohol monomer having vertical alignment property and a photocuring agent monomer having a photoreactive group that is cured by light are chemically bonded is used as a pixel electrode on the lower substrate and the upper portion. A step of applying to the common electrode on the substrate; a step of forming a main alignment film on the pixel electrode and the common electrode by heat-treating the applied surface alignment reactant; and the formation of the main alignment film. A step of assembling the lower display panel and the upper display panel; and the main orientation included in the assembled lower display panel and upper display panel. Light is irradiated to the surface alignment reactant having a photocured layer is characterized by a step of forming on the main alignment layer.

本発明の第28の態様によれば、反応性メソゲン(RM)が提案される。上記反応性メソゲンは、下記の化学式で示される化合物を有することを特徴とする。   According to a twenty-eighth aspect of the present invention, reactive mesogens (RM) are proposed. The reactive mesogen has a compound represented by the following chemical formula.

上記化学式において、A、B、及びCの各々は、ベンゼン環、シクロヘキシル環、及びナフタレン環から選択されたいずれか1つであり、P1及びP2の各々は、アクリレート、メタクリレート、エポキシ、オキセタン、ビニルエーテル、スチレン、及びチオールエングループから選択されたいずれか1つであり、Z1、Z2、及びZ3の各々は、単一結合、連結群、又は連結群の組合せであり、連結群は、−OCO−、−COO−、アルキル基、−O−であり得る。   In the above chemical formula, each of A, B, and C is any one selected from a benzene ring, a cyclohexyl ring, and a naphthalene ring, and each of P1 and P2 is an acrylate, methacrylate, epoxy, oxetane, vinyl ether , Styrene, and a thiolene group, each of Z1, Z2, and Z3 is a single bond, a linked group, or a combination of linked groups, and the linked group is -OCO- , -COO-, an alkyl group, and -O-.

本発明の第29の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、下部基板上に形成される画素電極と、上記画素電極上に形成され、第1の液晶分子を上記画素電極に実質的に垂直方向に配向する下部主配向膜と、上記下部主配向膜上に形成され、第2の液晶分子を上記画素電極に対して実質的に傾斜するように配向する下部光硬化層とを有し、上記下部光硬化層は、上記で定義したような化学式で示される化合物を有することを特徴とする液晶表示板アセンブリ。   According to a twenty-ninth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes a pixel electrode formed on a lower substrate, a lower main alignment layer formed on the pixel electrode and aligning first liquid crystal molecules in a direction substantially perpendicular to the pixel electrode, A lower photocured layer formed on the lower main alignment film and oriented so that the second liquid crystal molecules are substantially inclined with respect to the pixel electrode, the lower photocured layer being defined above A liquid crystal display panel assembly comprising the compound represented by the chemical formula as described above.

本発明の第30の態様によれば、シール剤が提案される。上記シール剤は、樹脂と、ジアミンを有する硬化剤と、シランを有するカップリング剤と、シリカ及びアクリル粒子を有するフィラーと、実質的に400nm以上の波長を有する光により硬化されるオキシムエステルを有する光開始剤とを有することを特徴とする。   According to a thirtieth aspect of the present invention, a sealing agent is proposed. The sealing agent includes a resin, a curing agent having a diamine, a coupling agent having a silane, a filler having silica and acrylic particles, and an oxime ester that is substantially cured by light having a wavelength of 400 nm or more. And a photoinitiator.

本発明の第31の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、下部基板上に画素電極を含む下部表示板と、上部基板上に共通電極を含む上部表示板と、上記下部表示板及び上記上部表示板が上記シール剤により組み立てられることを特徴とする。   According to a thirty-first aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal display panel assembly includes a lower display panel including a pixel electrode on a lower substrate, an upper display panel including a common electrode on the upper substrate, and the lower display panel and the upper display panel are assembled with the sealant. It is characterized by.

本発明の第32の態様によれば、液晶表示板アセンブリの製造方法が提案される。上記方法は、下部基板上に画素電極を含む下部表示板を製造するステップと、上部基板上に共通電極を含む上部表示板を製造するステップと、樹脂、ジアミンを有する硬化剤、シランを有するカップリング剤、シリカ及びアクリル粒子を有するフィラー、及び実質的に400nm以上の波長を有する光により硬化されるオキシムエステルを有する光開始剤を有するシール剤を上記下部表示板又は上部表示板上に塗布するステップと、上記シール剤により上記下部表示板と上記上部表示板とを組み立てるステップと、上記組み立てられた下部表示板及び上部表示板に照射され、実質的に400nm以上の波長を有する光により上記シール剤を硬化するステップとを有することを特徴とする。   According to a thirty-second aspect of the present invention, a method for manufacturing a liquid crystal panel assembly is proposed. The method includes a step of manufacturing a lower display panel including a pixel electrode on a lower substrate, a step of manufacturing an upper display panel including a common electrode on the upper substrate, a resin, a curing agent having a diamine, and a cup having a silane. A sealant having a ring agent, a filler having silica and acrylic particles, and a photoinitiator having an oxime ester that is substantially cured by light having a wavelength of 400 nm or more is applied on the lower display plate or the upper display plate. A step of assembling the lower display panel and the upper display panel with the sealing agent, and the sealing by the light having a wavelength of 400 nm or more which is irradiated to the assembled lower display panel and the upper display panel. Curing the agent.

本発明の第33の態様によれば、偏光配向反応物が提案される。上記偏光配向反応物は、垂直配向性を有する光配向垂直物質と、水平配向性を有する偏光主配向物質と、下記の化学式で示される化合物を含む混合主配向物質とを有することを特徴とする。   According to the thirty-third aspect of the present invention, a polarization alignment reactant is proposed. The polarization alignment reactant includes a photo-alignment vertical material having vertical alignment, a polarization main alignment material having horizontal alignment, and a mixed main alignment material including a compound represented by the following chemical formula: .

(化2)
B1−X1−A1−Y1−D
上記化学式において、A1は、シンナメート、クマリン、又はカルコンを示し、X1及びY1の各々は、単結合又は−CnH2n−(ここで、nは、1〜6の整数である)を示し、X1又はY1の少なくとも1つの−CH2−は、−O−又は−Si−に置き換えられ得、B1は、
(Chemical formula 2)
B1-X1-A1-Y1-D
In the above chemical formula, A1 represents cinnamate, coumarin, or chalcone, each of X1 and Y1 represents a single bond or -CnH2n- (where n is an integer of 1 to 6), and X1 or Y1 At least one -CH2- can be replaced by -O- or -Si- and B1 is

または、 Or

を示し、Dは、−H、炭素数1〜12を有するアルキル基、又は炭素数2〜12を有するアルケニル基を示し、上記化学式において、B1を除いた水素原子の各々は、F又はClに置き換えられ得る。 D represents —H, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms. In the above chemical formula, each of the hydrogen atoms excluding B1 is F or Cl. Can be replaced.

本発明の第34の態様によれば、液晶表示板アセンブリが提案される。上記液晶表示板アセンブリは、上記下部基板上に形成される画素電極と、上記画素電極上に形成され、第1の液晶分子を上記画素電極に垂直方向に配向する下部主配向膜と第2の液晶分子を上記画素電極に対して実質的に傾斜するように配向する下部光硬化層とを含む下部配向膜とをさらに有し、上記下部配向膜は、上記偏光配向反応物を有することを特徴とする。   According to a thirty-fourth aspect of the present invention, a liquid crystal panel assembly is proposed. The liquid crystal panel assembly includes a pixel electrode formed on the lower substrate, a lower main alignment film formed on the pixel electrode, and oriented in the direction perpendicular to the pixel electrode, and a second main alignment film. A lower alignment film including a lower photocuring layer that aligns liquid crystal molecules so as to substantially tilt with respect to the pixel electrode, and the lower alignment film includes the polarization alignment reactant. And

本発明の第35の態様によれば、液晶表示板アセンブリの製造方法が提案される。上記方法は、下部基板上に画素電極を含む下部表示板を製造するステップと、上部基板上に共通電極を含む上部表示板を製造するステップと、垂直配向性を有する光配向垂直物質と、水平配向性を有する偏光主配向物質と、下記の化学式で示される化合物を含む混合主配向物質とを有する偏光配向反応物を上記下部基板上の画素電極及び上記上部基板上の共通電極に塗布するステップと、上記偏光配向反応物の熱処理を行うことにより、上記塗布された偏光配向反応物を偏光主配向物質層及び垂直光配向物質層に相分離し、それにより、上記偏光主配向物質層を構成する上記偏光主配向物質を上記画素電極及び上記共通電極上に主配向膜として形成するステップと、上記主配向膜がそれぞれ形成される上記下部表示板と上記上部表示板とを組み立てるステップと、上記組み立てられた下部表示板及び上部表示板に含まれ、上記主配向膜上の上記垂直光配向物質層を有する上記偏光配向反応物に偏光紫外線を照射することにより光硬化層を上記主配向膜上に形成するステップとを有することを特徴とする。   According to a thirty-fifth aspect of the present invention, a method for manufacturing a liquid crystal panel assembly is proposed. The method includes a step of manufacturing a lower display panel including a pixel electrode on a lower substrate, a step of manufacturing an upper display panel including a common electrode on the upper substrate, a photo-alignment vertical material having vertical alignment, and a horizontal Applying a polarization alignment reactant having a polarization main alignment material having orientation and a mixed main alignment material containing a compound represented by the following chemical formula to the pixel electrode on the lower substrate and the common electrode on the upper substrate And by applying a heat treatment to the polarization alignment reactant, the applied polarization alignment reactant is phase-separated into a polarization main alignment material layer and a vertical photo alignment material layer, thereby forming the polarization main alignment material layer. Forming the polarizing main alignment material as a main alignment film on the pixel electrode and the common electrode, and combining the lower display panel and the upper display panel on which the main alignment film is formed, respectively. A photocurable layer formed by irradiating polarized ultraviolet light to the polarized alignment reaction product included in the assembled lower display panel and upper display panel and having the vertical photo alignment material layer on the main alignment film. Forming on the main alignment film.

(化7)
B1−X1−A1−Y1−D
上記化学式において、A1は、シンナメート、クマリン、又はカルコンを示し、X1及びY1の各々は、単結合又は−CnH2n−(ここで、nは、1〜6の整数である)を示し、X1又はY1の少なくとも1つの−CH2−は、−O−又は−Si−に置き換えられ得、B1は、
(Chemical formula 7)
B1-X1-A1-Y1-D
In the above chemical formula, A1 represents cinnamate, coumarin, or chalcone, each of X1 and Y1 represents a single bond or -CnH2n- (where n is an integer of 1 to 6), and X1 or Y1 At least one -CH2- can be replaced by -O- or -Si- and B1 is

または、 Or

を示し、Dは、−H、炭素数1〜12を有するアルキル基、又は炭素数2〜12を有するアルケニル基を示し、上記化学式において、B1を除いた水素原子の各々は、F又はClに置き換えられ得る。 D represents —H, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms. In the above chemical formula, each of the hydrogen atoms excluding B1 is F or Cl. Can be replaced.

本発明によれば、画素電極表示板、液晶表示板アセンブリ、及びこれらを含む液晶表示装置は、各階調レベルで正面及び側面視認性を改善させることにより液晶表示装置の優秀な表示品質を保証することができる。   According to the present invention, a pixel electrode display panel, a liquid crystal display panel assembly, and a liquid crystal display device including the same ensure excellent display quality of the liquid crystal display device by improving front and side visibility at each gradation level. be able to.

また、本発明の画素電極表示板は、外部光の入射時における虹ムラの発生を抑制することができる効果を有する。   In addition, the pixel electrode display panel of the present invention has an effect of suppressing the occurrence of rainbow unevenness when external light is incident.

本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。1 is a block diagram of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態による液晶表示装置内の2つの副画素の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the two subpixels in the liquid crystal display device by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態による液晶表示板アセンブリの配置を示す図である。FIG. 3 is a view illustrating an arrangement of a liquid crystal panel assembly according to an embodiment of the present invention. 図3に示す液晶表示板アセンブリの4a−4a’線に沿って切断された断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4a-4a ′ of the liquid crystal panel assembly shown in FIG. 3. 図3に示す液晶表示板アセンブリの4b−4b’線に沿って切断された断面図である。4 is a cross-sectional view taken along line 4b-4b 'of the liquid crystal panel assembly shown in FIG. 図3に示す液晶表示板アセンブリの4c−4c’線に沿って切断された断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4c-4c ′ of the liquid crystal panel assembly shown in FIG. 3. 図3に示す第2の副画素電極191lの中央部A5の一例の拡大平面図である。FIG. 4 is an enlarged plan view of an example of a central portion A5 of a second subpixel electrode 191l shown in FIG. 図3に示す第2の副画素電極191lの中央部A5の他の例の拡大平面図である。FIG. 10 is an enlarged plan view of another example of the central portion A5 of the second subpixel electrode 191l shown in FIG. 図1乃至図5A及び図5Bに従って製造された下部表示板及び上部表示板を用いてSVAモードに基づいて液晶表示板アセンブリを製造するための方法を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a liquid crystal display panel assembly based on an SVA mode using a lower display panel and an upper display panel manufactured according to FIGS. 1 to 5A and 5B. 図1乃至図5A及び図5Bに従って製造された下部表示板及び上部表示板を用いてSC−VAモードに基づいて液晶表示板アセンブリを製造するための方法を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a liquid crystal panel assembly based on an SC-VA mode using a lower panel and an upper panel manufactured according to FIGS. 1 to 5A and 5B. 図1乃至図5A及び図5Bに従って製造された下部表示板及び上部表示板を用いて偏光UV−VAモードに基づいて液晶表示板アセンブリを製造するための方法を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a liquid crystal display panel assembly based on a polarized UV-VA mode using a lower display panel and an upper display panel manufactured according to FIGS. 1 to 5A and 5B. DC電圧を液晶表示板アセンブリに供給するための波形を示す図である。It is a figure which shows the waveform for supplying DC voltage to a liquid crystal panel assembly. マルチステップ(Multi-Step)電圧を液晶表示板アセンブリに供給するための波形を示す図である。It is a figure which shows the waveform for supplying a multi-step (Multi-Step) voltage to a liquid crystal panel assembly. 本発明の1つの実施形態であるSC−VAモードに従って液晶表示板アセンブリの表面光硬化剤層及び主配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sequential process in which the surface photocuring agent layer and main alignment film of a liquid crystal display panel assembly are formed according to SC-VA mode which is one Embodiment of this invention. 本発明の1つの実施形態であるSC−VAモードに従って液晶表示板アセンブリの表面光硬化剤層及び主配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sequential process in which the surface photocuring agent layer and main alignment film of a liquid crystal display panel assembly are formed according to SC-VA mode which is one Embodiment of this invention. 本発明の1つの実施形態であるSC−VAモードに従って液晶表示板アセンブリの表面光硬化剤層及び主配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sequential process in which the surface photocuring agent layer and main alignment film of a liquid crystal display panel assembly are formed according to SC-VA mode which is one Embodiment of this invention. 本発明の1つの実施形態であるSC−VAモードに従って液晶表示板アセンブリの表面光硬化剤層及び主配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sequential process in which the surface photocuring agent layer and main alignment film of a liquid crystal display panel assembly are formed according to SC-VA mode which is one Embodiment of this invention. 本発明の1つの実施形態であるSC−VAモードに従って液晶表示板アセンブリの表面光硬化剤層及び主配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sequential process in which the surface photocuring agent layer and main alignment film of a liquid crystal display panel assembly are formed according to SC-VA mode which is one Embodiment of this invention. 表面光硬化剤層が硬化することにより光硬化層が形成されるステップを概念的に示す図である。It is a figure which shows notionally the step by which a photocuring layer is formed when a surface photocuring agent layer hardens | cures. 表面光硬化剤層が硬化することにより光硬化層が形成されるステップを概念的に示す図である。It is a figure which shows notionally the step by which a photocuring layer is formed when a surface photocuring agent layer hardens | cures. SC−VAモード特性を有する液晶表示装置の1つの画素PXを時間に従って撮影した走査型電子顕微鏡(SEM)写真を示す図である。It is a figure which shows the scanning electron microscope (SEM) photograph which image | photographed one pixel PX of the liquid crystal display device which has SC-VA mode characteristic according to time. 本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素に対する等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram for one pixel of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置内の基本画素群の画素電極を示す平面図である。It is a top view which shows the pixel electrode of the basic pixel group in the liquid crystal display device by other embodiment of this invention. 従来の液晶表示装置の階調レベル−輝度比グラフである。It is a gradation level-luminance ratio graph of the conventional liquid crystal display device. 本発明による液晶表示装置の階調レベル−輝度比グラフである。4 is a gradation level-luminance ratio graph of the liquid crystal display device according to the present invention. 本発明のもう1つの実施形態による液晶表示装置内の基本画素群の画素電極を示す平面図である。It is a top view which shows the pixel electrode of the basic pixel group in the liquid crystal display device by another embodiment of this invention. 本発明の2番目のUV−VAモードによる液晶表示板アセンブリの配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating sequential steps of forming an alignment film of a liquid crystal display panel assembly according to a second UV-VA mode of the present invention. 本発明の2番目のUV−VAモードによる液晶表示板アセンブリの配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating sequential steps of forming an alignment film of a liquid crystal display panel assembly according to a second UV-VA mode of the present invention. 本発明の2番目のUV−VAモードによる液晶表示板アセンブリの配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating sequential steps of forming an alignment film of a liquid crystal display panel assembly according to a second UV-VA mode of the present invention. 本発明の2番目のUV−VAモードによる液晶表示板アセンブリの配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating sequential steps of forming an alignment film of a liquid crystal display panel assembly according to a second UV-VA mode of the present invention. 本発明の2番目のUV−VAモードによる液晶表示板アセンブリの配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating sequential steps of forming an alignment film of a liquid crystal display panel assembly according to a second UV-VA mode of the present invention. 本発明の2番目のUV−VAモードによる液晶表示板アセンブリの配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating sequential steps of forming an alignment film of a liquid crystal display panel assembly according to a second UV-VA mode of the present invention. 本発明の2番目のUV−VAモードによる液晶表示板アセンブリの配向膜が形成される順次的な工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating sequential steps of forming an alignment film of a liquid crystal display panel assembly according to a second UV-VA mode of the present invention. 微細ブランチ又は微細スリットを構成する基本形状を示す図である。It is a figure which shows the basic shape which comprises a micro branch or a micro slit. 微細ブランチ又は微細スリットを構成する基本形状を示す図である。It is a figure which shows the basic shape which comprises a micro branch or a micro slit. 微細ブランチ又は微細スリットを構成する基本形状を示す図である。It is a figure which shows the basic shape which comprises a micro branch or a micro slit. 微細ブランチ又は微細スリットを構成する基本形状を示す図である。It is a figure which shows the basic shape which comprises a micro branch or a micro slit. 微細ブランチ又は微細スリットを構成する基本形状を示す図である。It is a figure which shows the basic shape which comprises a micro branch or a micro slit. 微細ブランチ又は微細スリットを構成する基本形状を示す図である。It is a figure which shows the basic shape which comprises a micro branch or a micro slit. 微細ブランチ又は微細スリットを構成する基本形状を示す図である。It is a figure which shows the basic shape which comprises a micro branch or a micro slit. 図3に示す第2の副画素電極191lの中央部A5の他の例を示す拡大平面図である。FIG. 10 is an enlarged plan view showing another example of the central portion A5 of the second subpixel electrode 191l shown in FIG. 図3に示す第2の副画素電極191lの中央部A5の他の例を示す拡大平面図である。FIG. 10 is an enlarged plan view showing another example of the central portion A5 of the second subpixel electrode 191l shown in FIG. 図3に示す第2の副画素電極191lの中央部A5の他の例を示す拡大平面図である。FIG. 10 is an enlarged plan view showing another example of the central portion A5 of the second subpixel electrode 191l shown in FIG. 図3に示す第2の副画素電極191lの中央部A5の他の例を示す拡大平面図である。FIG. 10 is an enlarged plan view showing another example of the central portion A5 of the second subpixel electrode 191l shown in FIG. 図3に示す第2の副画素電極191lの中央部A5の他の例を示す拡大平面図である。FIG. 10 is an enlarged plan view showing another example of the central portion A5 of the second subpixel electrode 191l shown in FIG. 図3に示す第2の副画素電極191lの中央部A5の他の例を示す拡大平面図である。FIG. 10 is an enlarged plan view showing another example of the central portion A5 of the second subpixel electrode 191l shown in FIG. 図3に示す第2の副画素電極191lの中央部A5の他の例を示す拡大平面図である。FIG. 10 is an enlarged plan view showing another example of the central portion A5 of the second subpixel electrode 191l shown in FIG. 本発明の他の実施形態による1つの画素の概略的な配置図である。FIG. 6 is a schematic layout view of one pixel according to another embodiment of the present invention. 図18に示す画素配置の中央部A19の拡大図である。It is an enlarged view of center part A19 of the pixel arrangement | positioning shown in FIG. 基本画素群に含まれた各画素での図18に示す中央部A19の拡大図である。It is an enlarged view of center part A19 shown in FIG. 18 in each pixel contained in the basic pixel group. 図18に示す画素配置を構成する主要層に対するパターンを示すもので、ゲート層導電体のパターンを示す図である。It is a figure which shows the pattern with respect to the main layer which comprises the pixel arrangement | positioning shown in FIG. 18, and shows the pattern of a gate layer conductor. 図18に示す画素配置を構成する主要層に対するパターンを示すもので、データ層導電体のパターンを示す図である。It is a figure which shows the pattern with respect to the main layer which comprises the pixel arrangement | positioning shown in FIG. 18, and shows the pattern of a data layer conductor. 図18に示す画素配置を構成する主要層に対するパターンを示すもので、画素電極層のパターンを示す図である。It is a figure which shows the pattern with respect to the main layer which comprises the pixel arrangement | positioning shown in FIG. 18, and shows the pattern of a pixel electrode layer. 図18及び図20Cに示す画素電極層のパターンに対する他の例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example with respect to the pattern of the pixel electrode layer shown to FIG.18 and FIG.20C. 図18及び図20Cに示す画素電極層のパターンに対する他の例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example with respect to the pattern of the pixel electrode layer shown to FIG.18 and FIG.20C. 本発明の他の実施形態による画素電極を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による画素電極を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による画素電極を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による画素電極を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による画素電極を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. 図18に示す画素配置の21a−21a’及び21b−21b’の線に沿って切断された断面図である。It is sectional drawing cut | disconnected along the line of 21a-21a 'and 21b-21b' of the pixel arrangement | positioning shown in FIG. 図18に示す画素配置の21a−21a’及び21b−21b’の線に沿って切断された断面図である。It is sectional drawing cut | disconnected along the line of 21a-21a 'and 21b-21b' of the pixel arrangement | positioning shown in FIG. 図18に示す画素配置の21a−21a’の線に沿って切断される際における他の実施形態による液晶表示板アセンブリの断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel assembly according to another embodiment when cut along a line 21a-21a ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 18. 図18に示す画素配置の21a−21a’の線に沿って切断される際における他の実施形態による液晶表示板アセンブリの断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel assembly according to another embodiment when cut along a line 21a-21a ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 18. 図18に示す画素配置の21a−21a’の線に沿って切断される際における他の実施形態による液晶表示板アセンブリの断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel assembly according to another embodiment when cut along a line 21a-21a ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 18. 図18に示す画素配置の21a−21a’の線に沿って切断される際における他の実施形態による液晶表示板アセンブリの断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel assembly according to another embodiment when cut along a line 21a-21a ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 18. 図18に示す画素配置の21a−21a’の線に沿って切断される際における他の実施形態による液晶表示板アセンブリの断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel assembly according to another embodiment when cut along a line 21a-21a ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 18. 図18に示す画素配置の21a−21a’の線に沿って切断される際における他の実施形態による液晶表示板アセンブリの断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel assembly according to another embodiment when cut along a line 21a-21a ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 18. 図18に示す画素配置の21a−21a’の線に沿って切断される際における他の実施形態による液晶表示板アセンブリの断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel assembly according to another embodiment when cut along a line 21a-21a ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 18. 図18に示す画素配置の21a−21a’の線に沿って切断される際における他の実施形態による液晶表示板アセンブリの断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel assembly according to another embodiment when cut along a line 21a-21a ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 18. 本発明の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための下部表示板の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a lower display panel for improving non-restoration and light leakage defects of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための下部表示板の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a lower display panel for improving non-restoration and light leakage defects of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための下部表示板の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a lower display panel for improving non-restoration and light leakage defects of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための下部表示板の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a lower display panel for improving non-restoration and light leakage defects of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための下部表示板の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a lower display panel for improving non-restoration and light leakage defects of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための下部表示板の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a lower display panel for improving non-restoration and light leakage defects of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の未復元及び光漏れ不良を改善するための画素電極層の一部分を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel electrode layer for improving non-restoration and light leakage failure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態による1つの画素の概略的な配置を示す図である。It is a figure which shows schematic arrangement | positioning of one pixel by other embodiment of this invention. 図25に示す画素配置を構成する主要層に対するパターンを示すもので、ゲート層導電体のパターンを示す図である。It is a figure which shows the pattern with respect to the main layer which comprises the pixel arrangement | positioning shown in FIG. 25, and shows the pattern of a gate layer conductor. 図25に示す画素配置を構成する主要層に対するパターンを示すもので、データ層導電体のパターンを示す図である。It is a figure which shows the pattern with respect to the main layer which comprises the pixel arrangement | positioning shown in FIG. 25, and shows the pattern of a data layer conductor. 図25に示す画素配置を構成する主要層に対するパターンを示すもので、画素電極層のパターンを示す図である。It is a figure which shows the pattern with respect to the main layer which comprises the pixel arrangement | positioning shown in FIG. 25, and shows the pattern of a pixel electrode layer. 図25に示す画素配置の27a−27a’の線に沿って切断された断面図である。FIG. 26 is a cross-sectional view taken along line 27a-27a ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 25. 図25に示す画素配置の27b−27b’の線に沿って切断された断面図である。FIG. 26 is a cross-sectional view taken along line 27b-27b ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 25. 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の基本画素群の画素電極を示す平面図である。It is a top view which shows the pixel electrode of the basic pixel group of the liquid crystal display device by other embodiment of this invention. 本発明のまた他の実施形態による液晶表示装置の基本画素群の画素電極を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating pixel electrodes of a basic pixel group of a liquid crystal display device according to still another embodiment of the present invention. 本発明のさらに他の実施形態による液晶表示装置の基本画素群の画素電極を示す平面図である。It is a top view which shows the pixel electrode of the basic pixel group of the liquid crystal display device by further another embodiment of this invention. 本発明のさらにまた他の実施形態による液晶表示装置の基本画素群の画素電極を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view illustrating pixel electrodes of a basic pixel group of a liquid crystal display device according to still another embodiment of the present invention. 本発明のさらなる他の実施形態による液晶表示装置の基本画素群の画素電極を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing pixel electrodes of a basic pixel group of a liquid crystal display device according to still another embodiment of the present invention. 液晶表示装置を構成する画素電極の形状及び画素電極の分割構成を示す図である。It is a figure which shows the shape of the pixel electrode which comprises a liquid crystal display device, and the division | segmentation structure of a pixel electrode. 液晶表示装置を構成する画素電極の形状及び画素電極の分割構成を示す図である。It is a figure which shows the shape of the pixel electrode which comprises a liquid crystal display device, and the division | segmentation structure of a pixel electrode. 液晶表示装置を構成する画素電極の形状及び画素電極の分割構成を示す図である。It is a figure which shows the shape of the pixel electrode which comprises a liquid crystal display device, and the division | segmentation structure of a pixel electrode. 液晶表示装置を構成する画素電極の形状及び画素電極の分割構成を示す図である。It is a figure which shows the shape of the pixel electrode which comprises a liquid crystal display device, and the division | segmentation structure of a pixel electrode. 液晶表示装置を構成する画素電極の形状及び画素電極の分割構成を示す図である。It is a figure which shows the shape of the pixel electrode which comprises a liquid crystal display device, and the division | segmentation structure of a pixel electrode. 液晶表示装置を構成する画素電極の形状及び画素電極の分割構成を示す図である。It is a figure which shows the shape of the pixel electrode which comprises a liquid crystal display device, and the division | segmentation structure of a pixel electrode. 液晶表示装置を構成する画素電極の形状及び画素電極の分割構成を示す図である。It is a figure which shows the shape of the pixel electrode which comprises a liquid crystal display device, and the division | segmentation structure of a pixel electrode. 液晶表示装置を構成する画素電極の形状及び画素電極の分割構成を示す図である。It is a figure which shows the shape of the pixel electrode which comprises a liquid crystal display device, and the division | segmentation structure of a pixel electrode. 液晶表示装置を構成する画素電極の形状及び画素電極の分割構成を示す図である。It is a figure which shows the shape of the pixel electrode which comprises a liquid crystal display device, and the division | segmentation structure of a pixel electrode.

以下、添付の図面及び好ましい実施形態を参照して本発明を製造し使用する方法が詳細に説明される。   The method for making and using the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings and preferred embodiments.

本発明の明細書において、同一の参照番号は、同一の部品又は構成要素を示すことに留意すべきである。また、数値限定が本明細書で提示されているが、特許請求の範囲に限定されない限り、このような限定は、単に例示に過ぎないことに留意すべきである。   It should be noted that in the specification of the present invention, the same reference numerals indicate the same parts or components. It should also be noted that while numerical limits are provided herein, such limits are merely exemplary unless they are limited to the claims.

図1及び図2を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置が詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態による液晶表示装置のブロック図である。図2は、本発明の実施形態による液晶表示装置内の1つの画素PXを構成する2つの副画素190h及び190lの構成を概略的に示す。図1に示すように、液晶表示装置は、液晶表示板アセンブリ(liquid crystal panel assembly)300、ゲート駆動部(gate driver)400、データ駆動部(Data driver)500、信号制御部600、及び階調電圧生成部800を含む。   A liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a block diagram of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 schematically shows a configuration of two subpixels 190h and 190l constituting one pixel PX in the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device includes a liquid crystal panel assembly 300, a gate driver 400, a data driver 500, a signal controller 600, and a gray scale. A voltage generator 800 is included.

信号制御部600は、映像信号R、G、及びB、データイネーブル信号DE、水平同期信号Hsync、垂直同期信号Vsync、及びクロック信号MCLKを含む制御信号をホストから受信する。信号制御部600は、データ制御信号CONT2及び映像データ信号DATをデータ駆動部500に出力し、ゲート線を選択するためのゲート制御信号CONT1をゲート駆動部400に出力する。一方、信号制御部600は、光源を調節するために光源制御信号を光源発生部(図示せず)に出力する。   The signal controller 600 receives control signals including video signals R, G, and B, a data enable signal DE, a horizontal synchronization signal Hsync, a vertical synchronization signal Vsync, and a clock signal MCLK from the host. The signal controller 600 outputs the data control signal CONT2 and the video data signal DAT to the data driver 500, and outputs the gate control signal CONT1 for selecting the gate line to the gate driver 400. On the other hand, the signal controller 600 outputs a light source control signal to a light source generator (not shown) in order to adjust the light source.

階調電圧生成部800は、画素PXに供給される全階調電圧又は限定された数の階調電圧(以下、“基準階調電圧”と称する。)を生成し、データ駆動部500に出力する。基準階調電圧は、共通電圧Vcomに対して極性が異なる電圧を有する。   The gray voltage generator 800 generates all gray voltages or a limited number of gray voltages (hereinafter referred to as “reference gray voltages”) supplied to the pixels PX, and outputs the generated gray voltages to the data driver 500. To do. The reference gradation voltage has a voltage having a polarity different from that of the common voltage Vcom.

データ駆動部500は、基準階調電圧を階調電圧生成部800から受信し、信号制御部800からの制御信号CONT2及び映像データ信号に応答して階調電圧を複数のデータ線D−Dに出力する。階調電圧生成部800が限定された数の基準階調電圧のみを提供する場合に、データ駆動部500は、基準階調電圧を分圧することによりさらに多くの数の拡張された階調電圧を生成することができる。データ駆動部500は、拡張された複数の階調電圧をデータ線D−Dに供給する際に共通電圧Vcomに対して同一の差の電圧であるが、フレームごとに異なる極性の電圧を交互に各画素に印加する反転駆動を行う。反転駆動方法は、1つのフレームですべての画素に印加されるデータ電圧の極性が同一であり、その次のフレームですべての画素のデータ電圧極性を反転するようにデータ電圧を供給するフレーム反転(frame inversion)と、1つのフレーム内で隣接したデータ線D−D上の画素に印加されるデータ電圧の極性が反転するようにデータ電圧を供給する列反転と、隣接画素PXの電圧極性が相互に異なってデータ電圧を供給する点反転と、同一のデータ線171に隣接した2個の画素PXが同一の極性を有し、この2個の同一の極性画素PXに隣接した1個の画素PXが異なる極性を有するように反復する方式でデータ電圧を供給する2+1反転とを含む。 The data driver 500, reference gray voltages received from the gray voltage generator 800, control signal CONT2 and the gradation voltage in response to the video data signals a plurality of data lines D 1 -D from the signal controller 800 output to m . When the gray voltage generator 800 provides only a limited number of reference gray voltages, the data driver 500 may generate a larger number of expanded gray voltages by dividing the reference gray voltages. Can be generated. The data driver 500 is a voltage of the same difference with respect to the common voltage Vcom in providing enhanced plurality of gray voltages to data lines D 1 -D m, the different polarities of the voltage for each frame Inversion driving is applied to each pixel alternately. In the inversion driving method, the polarity of the data voltage applied to all the pixels in one frame is the same, and the frame inversion that supplies the data voltage so as to invert the data voltage polarity of all the pixels in the next frame ( frame inversion), column inversion for supplying the data voltage so that the polarity of the data voltage applied to the pixels on the adjacent data lines D 1 -D m in one frame is inverted, and the voltage polarity of the adjacent pixel PX Are different from each other in supplying a data voltage, and two pixels PX adjacent to the same data line 171 have the same polarity, and one pixel adjacent to the two same polarity pixels PX 2 + 1 inversion to supply the data voltage in a repetitive manner so that the pixels PX have different polarities.

ゲート駆動部400は、ゲート制御信号CONT1に応答してゲート信号を複数のゲート線G−Gに順次に出力する。ゲート信号は、選択されたゲート線に接続された薄膜トランジスタをターンオンさせることができるゲートオン電圧Vonと選択されないゲートに接続された薄膜トランジスタをターンオフさせることができるゲートオフ電圧Voffとを有する。 The gate driver 400 sequentially outputs gate signals to the plurality of gate lines G 1 -G n in response to the gate control signal CONT 1 . The gate signal has a gate-on voltage Von that can turn on the thin film transistor connected to the selected gate line and a gate-off voltage Voff that can turn off the thin film transistor connected to the unselected gate.

液晶表示板アセンブリ300は、下部表示板100と、下部表示板100と向かい合う上部表示板200と、これらの間に介在する液晶層3とを含む。下部表示板100は、行及び列を構成する行列の形態で配列された画素PXと、同一の行にある画素PXがそれぞれ接続された複数のゲート線G−G121と、同一の列にある画素PXがそれぞれ接続された複数のデータ線D−D171とを有する。図2は、図1に示す複数の画素PXの中の1つの画素PXに対する概略的な構成を示す。1つの画素PXは、離隔した1対の第1の副画素190hと第2の副画素190lとに分けられる。第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、それぞれ第1の副画素190h及び第2の副画素190lの領域に形成される。副画素190h及び190lは、それぞれ液晶蓄電器(liquid crystal capacitors)Clch及びClclと保持蓄電器Csth及びCstlとを有する。液晶蓄電器Clch及びClclのそれぞれは、下部表示板100に形成された副画素電極191h及び191lのそれぞれの1つの端子と上部表示板200に形成された共通電極270の1つの端子との間で形成された液晶層3により形成される。本発明の他の実施形態において、副画素190h及び190lの各々は、異なるデータ線D−Dに接続された薄膜トランジスタに接続されることがある。 The liquid crystal display panel assembly 300 includes a lower display panel 100, an upper display panel 200 facing the lower display panel 100, and the liquid crystal layer 3 interposed therebetween. The lower display panel 100 includes a plurality of gate lines G 1 to G n 121 connected to pixels PX arranged in the form of a matrix that constitutes rows and columns, and pixels PX in the same row, and the same column. And the plurality of data lines D 1 to D m 171 to which the pixels PX are respectively connected. FIG. 2 shows a schematic configuration for one pixel PX among the plurality of pixels PX shown in FIG. One pixel PX is divided into a pair of spaced apart first subpixels 190h and second subpixels 190l. The first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are formed in the regions of the first subpixel 190h and the second subpixel 190l, respectively. The sub-pixels 190h and 190l have liquid crystal capacitors Clch and Clcl and holding capacitors Csth and Cstl, respectively. Each of the liquid crystal capacitors Clch and Clcl is formed between one terminal of each of the subpixel electrodes 191 h and 191 l formed on the lower display panel 100 and one terminal of the common electrode 270 formed on the upper display panel 200. The liquid crystal layer 3 is formed. In another embodiment of the present invention, each of the subpixels 190h and 190l may be connected to the thin film transistor connected to different data lines D 1 -D m.

共通電極270は、上部表示板200の全面に形成されており、共通電圧Vcomの供給を受ける。他方、共通電極270及び画素電極191は、下部表示板100に形成され得、画素電極191の形態に従って線形又は棒形状を有することもある。   The common electrode 270 is formed on the entire surface of the upper display panel 200 and is supplied with the common voltage Vcom. Meanwhile, the common electrode 270 and the pixel electrode 191 may be formed on the lower display panel 100 and may have a linear shape or a bar shape according to the shape of the pixel electrode 191.

液晶層3は、下部表示板100と上部表示板200との間に形成されたシール剤(図示せず)内に充填されている。液晶層3は、誘電体として機能する。シール剤は、下部表示板100又は上部表示板200に形成されており、下部表示板100と上部表示板200とを結合させる。下部表示板100及び上部表示板200は、図4Aに示すように、スペーサ250又はシール剤(図示せず)により約2.0μm〜5.0μmのセル間隔、すなわち、セルギャップ(cell gap)を保持することができ、より望ましくは、約3.3μm〜3.7μmのセルギャップを保持する。本発明の他の実施形態において、薄膜トランジスタが形成される領域が広いために、スペーサが薄膜トランジスタ上に形成され得る。   The liquid crystal layer 3 is filled in a sealing agent (not shown) formed between the lower display panel 100 and the upper display panel 200. The liquid crystal layer 3 functions as a dielectric. The sealant is formed on the lower display panel 100 or the upper display panel 200, and couples the lower display panel 100 and the upper display panel 200 together. As shown in FIG. 4A, the lower display panel 100 and the upper display panel 200 have a cell gap of about 2.0 μm to 5.0 μm, that is, a cell gap by a spacer 250 or a sealant (not shown). More desirably, a cell gap of about 3.3 μm to 3.7 μm is maintained. In another embodiment of the present invention, since a region where the thin film transistor is formed is wide, a spacer can be formed on the thin film transistor.

偏光子(図示せず)は、実質に偏光子の偏光軸又は透過軸が直交するように下部表示板100及び上部表示板200のそれぞれに配置されることができる。言い換えれば、偏光子は、上部表示板200の上部又は下部及び下部表示板100の上部又は下部に形成されることができる。他方、偏光子は、下部表示板100及び上部表示板200の中のいずれか1つの表示板の上部又は下部だけに形成されることがある。本発明の一実施形態において、外部光の回折を減少させるために、偏光子の屈折率は、約1.5であり得、ヘイズ(Haze)値は、約2%〜5%であり得る。偏光子の屈折率値及び後述する他の物質の屈折率値は、約550nm〜580nmの波長を有する光源で測定された値である。   A polarizer (not shown) may be disposed on each of the lower display panel 100 and the upper display panel 200 such that the polarization axis or transmission axis of the polarizer is substantially orthogonal. In other words, the polarizer may be formed on the upper or lower part of the upper display panel 200 and on the upper or lower part of the lower display panel 100. On the other hand, the polarizer may be formed only above or below any one of the lower display panel 100 and the upper display panel 200. In an embodiment of the present invention, the refractive index of the polarizer can be about 1.5 and the Haze value can be about 2% to 5% in order to reduce the diffraction of external light. The refractive index value of the polarizer and the refractive index values of other substances described later are values measured with a light source having a wavelength of about 550 nm to 580 nm.

駆動装置400、500、600、及び800が液晶表示板アセンブリ300に接続されることにより液晶表示装置が製造される。駆動装置400、500、600、及び800は、1つの集積回路チップ上に形成された後に液晶表示板アセンブリ300上に直接実装されるか、又は可撓性印刷回路膜(flexible printed circuit film)(図示せず)上に実装されることによりTCP(tape carrier package)の形態で液晶表示板アセンブリ300に取り付けられるか、又は個別の印刷回路基板(printed circuit board)(図示せず)上に実装されることにより液晶表示板アセンブリ300に接続されることができる。他方、信号線G〜G及びD〜Dと薄膜トランジスタQh、Ql、Qc(図3に示す)とを形成する時にこれらの駆動装置400、500、600、及び800の各々又はそれらの組合せが液晶表示板アセンブリ300に形成されることがある。 The driving devices 400, 500, 600, and 800 are connected to the liquid crystal panel assembly 300 to manufacture a liquid crystal display device. The driving devices 400, 500, 600, and 800 may be formed on one integrated circuit chip and then directly mounted on the liquid crystal panel assembly 300, or a flexible printed circuit film ( It is mounted on the liquid crystal panel assembly 300 in the form of a tape carrier package (TCP) by being mounted on a not-shown) or mounted on a separate printed circuit board (not shown). Thus, the liquid crystal panel assembly 300 can be connected. On the other hand, when the signal lines G 1 to G n and D 1 to D m and the thin film transistors Qh, Ql, and Qc (shown in FIG. 3) are formed, each of these driving devices 400, 500, 600, and 800 or their A combination may be formed in the liquid crystal panel assembly 300.

以下、液晶表示装置の映像表示の原理を簡単に説明する。データ電圧が液晶表示装置の各画素PXの画素電極に供給されると、各画素PXに充電された電圧は、その画素電極と共通電極270との電圧差により液晶層3で電場を生成する。液晶層3に形成された電場のために、液晶層3の液晶分子31は、傾くか又は特定の方向性をもって移動される。このように液晶分子31のチルト又は方向に基づいて液晶層3を通過する光は、位相遅延(phase retardation)を有する。光の位相遅延による位相差に基づいて、光は、偏光子を透過させるか又は偏光子に吸収される。したがって、画素電極191に供給されるデータ電圧が調節される場合、基本色(primary color)に対する光の透過率差が発生し、結果的に、液晶表示装置が映像を表現することができる。基本色は、赤色、緑色、青緑色(cyan)、赤紫色(magenta)、黄色(yellow)、及び白色(white)から選択された色を含む。本発明の一実施形態において、基本色は、赤色、緑色、及び青色を含む。他方、映像品質を向上させるために、この基本色は、赤色、緑色、青色、及び黄色を含む4個又はそれ以上の色を含んでもよい。   Hereinafter, the principle of image display of the liquid crystal display device will be briefly described. When the data voltage is supplied to the pixel electrode of each pixel PX of the liquid crystal display device, the voltage charged to each pixel PX generates an electric field in the liquid crystal layer 3 due to the voltage difference between the pixel electrode and the common electrode 270. Due to the electric field formed in the liquid crystal layer 3, the liquid crystal molecules 31 of the liquid crystal layer 3 are tilted or moved with a specific direction. Thus, the light passing through the liquid crystal layer 3 based on the tilt or direction of the liquid crystal molecules 31 has a phase retardation. Based on the phase difference due to the phase delay of the light, the light is transmitted through or absorbed by the polarizer. Accordingly, when the data voltage supplied to the pixel electrode 191 is adjusted, a light transmittance difference with respect to a primary color is generated, and as a result, the liquid crystal display device can display an image. The basic colors include colors selected from red, green, cyan, magenta, yellow, and white. In one embodiment of the present invention, the basic colors include red, green, and blue. On the other hand, in order to improve video quality, this basic color may include four or more colors including red, green, blue and yellow.

液晶表示板アセンブリ
実施形態1
上部表示板
次に、図3乃至図5A及び図5Bを参照して本発明の実施形態による液晶表示板アセンブリ300を詳細に説明する。図3は、本発明の実施形態による液晶表示板アセンブリ300を構成する単位画素の配置を示す平面図であり、図4Aは、図3に示す液晶表示板アセンブリ300の4a−4a’線に沿って切断された断面図であり、図4Bは、図3に示す液晶表示板アセンブリ300の4b−4b’線に沿って切断された断面図であり、図4Cは、図3に示す液晶表示板アセンブリ300の4c−4c’線に沿って切断された断面図である。図5Aは、図3に示す第2の副画素電極の中央部A5の一例の拡大平面図であり、図5Bは、図3に示す第2の副画素電極の中央部A5の他の例の拡大平面図である。1つの画素の拡大平面図が図3に図示されたが、複数の行及び列の画素がマトリックスの形態で配列されることに留意すべきである。
LCD panel assembly
Embodiment 1
Upper panel Next, the liquid crystal display panel assembly 300 will be described in detail according to embodiments of the present invention with reference to FIGS 5A and 5B. FIG. 3 is a plan view illustrating an arrangement of unit pixels constituting the liquid crystal panel assembly 300 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4A is taken along line 4a-4a ′ of the liquid crystal panel assembly 300 shown in FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line 4b-4b ′ of the liquid crystal display panel assembly 300 shown in FIG. 3, and FIG. 4C is a liquid crystal display board shown in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4c-4c ′ of the assembly 300. 5A is an enlarged plan view of an example of the central portion A5 of the second subpixel electrode shown in FIG. 3, and FIG. 5B is another example of the central portion A5 of the second subpixel electrode shown in FIG. It is an enlarged plan view. Although an enlarged plan view of one pixel is illustrated in FIG. 3, it should be noted that a plurality of rows and columns of pixels are arranged in a matrix.

液晶表示板アセンブリ300は、下部表示板100、上部表示板200、液晶層3、及び偏光子を含む。まず、上部表示板200を詳細に説明する。上部表示板200は、上部基板210上に形成された遮光部材220、蓋膜225、共通電極270、及び上板配向膜292を含む。   The liquid crystal display panel assembly 300 includes a lower display panel 100, an upper display panel 200, a liquid crystal layer 3, and a polarizer. First, the upper display panel 200 will be described in detail. The upper display panel 200 includes a light shielding member 220, a cover film 225, a common electrode 270, and an upper plate alignment film 292 formed on the upper substrate 210.

遮光部材(light blocking member)220は、ガラス又はプラスチック材質の透明な上部基板210上に形成される。上部基板210の厚さは、約0.2mm〜0.7mmであり、上部基板210の屈折率は、約1.0〜2.5であり得、より望ましくは、約1.5である。遮光部材220は、ブラックマトリックス(black matrix)とも呼ばれ、酸化クロム(chromium oxide:CrOx)のような金属又は不透明有機膜材料などで作られることができる。金属及び有機膜の遮光部材の厚さは、それぞれ約300Å〜2000Å及び約2μm〜5μmである。遮光部材220は、光が画素PXを通過するように画素PXの形状と類似した複数の開口部を有し、画素PX間の光漏れを防止するために画素PX間で形成されることができる。また、遮光部材220は、下部表示板100に形成されたゲート線121、データ線171、及び薄膜トランジスタQh、Ql、及びQcに対応する部分で形成されることができる。本発明の他の実施形態において、液晶表示板アセンブリの製造工程を単純化し、液晶表示装置の透過率を向上させるために、遮光部材220は、ゲート線121、データ線171、及び薄膜トランジスタが形成された下部基板110の内側面又は形成されない外側面の下部基板110上に形成されることができる。つまり、遮光部材220は、薄膜トランジスタ等の構成物が形成された領域に重畳するように、あるいは、画素領域の外側の領域に形成され得る。   The light blocking member 220 is formed on a transparent upper substrate 210 made of glass or plastic. The upper substrate 210 may have a thickness of about 0.2 mm to 0.7 mm, and the upper substrate 210 may have a refractive index of about 1.0 to 2.5, and more preferably about 1.5. The light blocking member 220 is also called a black matrix, and may be made of a metal such as chromium oxide (CrOx) or an opaque organic film material. The thicknesses of the light shielding members of the metal and organic films are about 300 to 2000 mm and about 2 to 5 μm, respectively. The light blocking member 220 has a plurality of openings similar to the shape of the pixel PX so that light passes through the pixel PX, and can be formed between the pixels PX to prevent light leakage between the pixels PX. . In addition, the light blocking member 220 may be formed at portions corresponding to the gate line 121, the data line 171, and the thin film transistors Qh, Ql, and Qc formed on the lower display panel 100. In another embodiment of the present invention, the light blocking member 220 includes a gate line 121, a data line 171 and a thin film transistor in order to simplify the manufacturing process of the liquid crystal panel assembly and improve the transmittance of the liquid crystal display device. The lower substrate 110 may be formed on the inner substrate of the lower substrate 110 or the lower substrate 110 which is not formed. That is, the light shielding member 220 can be formed so as to overlap with a region where a component such as a thin film transistor is formed or in a region outside the pixel region.

蓋膜225は、遮光部材220上に形成される。蓋膜225は、遮光部材220のような下部層の屈曲表面を平坦化するか又は下部層からの不純物の溶出を防止する。蓋膜225の厚さは、約1μm〜3μmであり、より望ましくは約1.2μm〜1.5μmである。蓋膜225の屈折率は、約1.5〜2.5であり得、より望ましくは約1.8である。他の実施形態において、遮光部材220が下部表示板100に形成される場合に、蓋膜225は、上部表示板に形成されず、下部表示板100の遮光部材220上に形成されてもよい。   The lid film 225 is formed on the light shielding member 220. The lid film 225 flattens the bent surface of the lower layer such as the light shielding member 220 or prevents impurities from eluting from the lower layer. The thickness of the lid membrane 225 is about 1 μm to 3 μm, more preferably about 1.2 μm to 1.5 μm. The refractive index of the lid membrane 225 can be about 1.5 to 2.5, and more preferably about 1.8. In another embodiment, when the light blocking member 220 is formed on the lower display panel 100, the cover film 225 may be formed on the light blocking member 220 of the lower display panel 100 without being formed on the upper display panel.

複数のスリット(切開部)を有しない共通電極270は、蓋膜225上に形成される。共通電極270は、インジウムスズ酸化物(indium-tin oxide:ITO)、インジウム亜鉛酸化物(indium-zinc-oxide:IZO)のような透明な導電体又は画素電極191と同一の材料で形成されることができる。共通電極270の厚さは、約500Å〜2000Åであり、より望ましくは、約1200Å〜1500Åである。液晶表示装置の透過率を最大にするために使用されるIZO及びITOで形成された共通電極270の厚さは、それぞれ約1200Å〜1500Å及び約500Å〜1500Åであり得る。また、外部光の回折を減少させるために、IZO及びITOで形成された共通電極270の屈折率は、それぞれ約1.5〜2.5及び約1.5〜2.3であり得る。本発明の他の実施形態において、フリンジ電場(fringe electric field)をさらに多く形成するための複数のスリット(切開部)は、共通電極270で形成され得る。   The common electrode 270 that does not have a plurality of slits (incisions) is formed on the lid film 225. The common electrode 270 is formed of a transparent conductor such as indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) or the same material as the pixel electrode 191. be able to. The common electrode 270 has a thickness of about 500 mm to 2000 mm, and more preferably about 1200 mm to 1500 mm. The thickness of the common electrode 270 formed of IZO and ITO used to maximize the transmittance of the liquid crystal display device may be about 1200 to 1500 and about 500 to 1500, respectively. In addition, in order to reduce diffraction of external light, the refractive index of the common electrode 270 formed of IZO and ITO may be about 1.5 to 2.5 and about 1.5 to 2.3, respectively. In another embodiment of the present invention, a plurality of slits (incisions) for forming more fringe electric fields may be formed by the common electrode 270.

上板配向膜292は、液晶分子31を特定の配列で保持するために共通電極270上に形成される。上板配向膜292は、インクジェット又はロールプリンティング(roll printing)等により配向性を有する流体有機物を塗布した後に、赤外線及び紫外線(UV)のような光源により又は熱的に硬化することにより形成される。上板配向膜292は、上板主配向膜34を含み、上板光硬化層36をさらに含んでもよい。   The upper plate alignment film 292 is formed on the common electrode 270 in order to hold the liquid crystal molecules 31 in a specific arrangement. The upper plate alignment film 292 is formed by applying a fluid organic material having orientation by inkjet or roll printing or the like and then thermally curing with a light source such as infrared rays and ultraviolet rays (UV). . The upper plate alignment film 292 includes the upper plate main alignment film 34 and may further include the upper plate photo-curing layer 36.

上板主配向膜34は、液晶分子31の長軸又は主軸を下部基板110又は上部基板210、あるいは上板主配向膜34に実質的に垂直配向する垂直配向物質であり得る。主配向膜34の厚さは、約500Å〜1500Åであり、より望ましくは約700Å〜1000Åである。液晶表示装置の透過率を向上させるための主配向膜34の屈折率は、約1.6であり得る。主配向膜34が垂直配向(vertical alignment:VA)モード又はツイステッドネマチック(twisted nematic:TN)モードのために一般的に使用される物質の膜となることができることは、当該技術分野における通常の知識を有する者には容易に理解されるであろう。   The upper plate main alignment film 34 may be a vertical alignment material that substantially orients the major axis or main axis of the liquid crystal molecules 31 to the lower substrate 110 or the upper substrate 210 or the upper plate main alignment film 34. The thickness of the main alignment film 34 is about 500 mm to 1500 mm, more preferably about 700 mm to 1000 mm. The refractive index of the main alignment film 34 for improving the transmittance of the liquid crystal display device may be about 1.6. It is common knowledge in the art that the main alignment film 34 can be a film of a material commonly used for a vertical alignment (VA) mode or a twisted nematic (TN) mode. It will be easily understood by those who have.

光硬化層36は、液晶分子31の長軸(major axis)又は主軸(principal axis)が下部基板110又は上部基板210、あるいは主配向膜(main alignment layer)34についてプレチルト角(pre-tilt angle)を有するように光により硬化される物質で形成される。光硬化層36を構成する物質は、光硬化剤(light hardener)、反応性メソゲン(Reactive Mesogen:RM)、光反応性ポリマー(photo-reactive polymer)、光重合物質(photopolymerization material)、又は光異性化物質(photo-isomerization material) であり得る。   In the photocuring layer 36, the major axis or principal axis of the liquid crystal molecules 31 is a pre-tilt angle with respect to the lower substrate 110 or the upper substrate 210 or the main alignment layer 34. It is formed of a material that is cured by light so as to have. The material constituting the photocuring layer 36 may be a light hardener, a reactive mesogen (RM), a photo-reactive polymer, a photopolymerization material, or a photoisomerism. It can be a photo-isomerization material.

上板配向膜292は、ポリイミド系化合物(polyimide-based compound)、ポリアミック酸系化合物(polyamic acid-based compound)、ポリシロキサン系化合物(poly siloxane-based compound)、ポリビニルシンナメート系化合物 (polyvinyl cinnamate-based compound)、ポリアクリレート系化合物(polyacrylate-based compound)、ポリメチルメタクリレート系化合物(polymethylmethacrylate-based compound)、光硬化剤、反応性メソゲン、光反応性ポリマー(photo-reactive polymer)、光重合物質(photopolymerization material)、光異性化物質(photo-isomerization material)及びこれらの混合物から選択された少なくとも1つの物質で形成された膜であり得る。   The upper plate alignment film 292 includes a polyimide-based compound, a polyamic acid-based compound, a poly siloxane-based compound, and a polyvinyl cinnamate compound. based compound), polyacrylate-based compound, polymethylmethacrylate-based compound, photo-curing agent, reactive mesogen, photo-reactive polymer, photo-polymerizable material ( It may be a film formed of at least one material selected from photopolymerization material, photo-isomerization material and mixtures thereof.

反応性メソゲン(RM)は、アクリレート(acrylate) 、メタクリレート(methacrylate)、エポキシ(epoxy)、オキセタン(oxetane)、ビニルエーテル(vinyl-ether)、スチレン(styrene)、又はチオールエン(thiolene)グループであり得る。光反応性ポリマーは、アゾ系化合物(azo-based compound)、シンナメート系化合物(cinnamate-based compound)、カルコン系化合物(chalcone-based compound)、クマリン系化合物(coumarin-based compound)、又はマレイミド系化合物(maleimide-based compound)であり得る。光重合物質は、カルコン(chalcone)又はクマリネ(coumarlne)であり得る。光異性化物質は、アゾ(azo)又は二重トラン(double tolane)であり得る。   The reactive mesogen (RM) can be an acrylate, methacrylate, epoxy, oxetane, vinyl-ether, styrene, or thiolene group. The photoreactive polymer may be an azo-based compound, a cinnamate-based compound, a chalcone-based compound, a coumarin-based compound, or a maleimide compound. (Maleimide-based compound). The photopolymerizable material can be chalcone or coumarlne. The photoisomerized material can be azo or double tolane.

上板配向膜292を構成する上板主配向膜34及び上板光硬化層36は、図6A〜図6Cと関連して後述する方法により形成されることができる。   The upper plate main alignment film 34 and the upper plate photo-curing layer 36 constituting the upper plate alignment film 292 can be formed by a method described later in connection with FIGS. 6A to 6C.

上板配向膜292は、スイスチバ(Ciba)社のイルガキュア(Irgacure)−651製品であるベンジルジメチルケタール(Benzyl dimethyl ketal)、Irgacure−907製品であるα−アミノアセトフェノン(α-amino acetophenone)、Irgacure−184製品である1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(1-hydroxy cyclohexyl phenyl keton)及びこれらの混合物から選択された少なくとも1つの物質で形成された光開始剤(photo initiator)を追加で含むことができる膜であり得る。   The upper plate alignment film 292 includes Ciba's Irgacure-651 product, Benzyl dimethyl ketal, Irgacure-907 products, α-aminoacetophenone, and Irgacure-. A film that may additionally contain a photoinitiator formed of at least one material selected from 184 product 1-hydroxycyclohexyl phenyl keton and mixtures thereof. possible.

本発明の一実施形態による上板配向膜292を構成する物質は、光反応性ポリマー及び反応性メソゲン(RM)の中のいずれか1つとポリイミド(polyimide)系ポリマーの混合物であり得る。他方、上板配向膜292は、光硬化層36を除く主配向膜34で構成され得る。   The material constituting the upper alignment layer 292 according to an embodiment of the present invention may be a mixture of any one of a photoreactive polymer and a reactive mesogen (RM) and a polyimide polymer. On the other hand, the upper plate alignment film 292 may be composed of the main alignment film 34 excluding the photocured layer 36.

本発明の一実施形態による反応性メソゲン(RM)を説明する。本発明による反応性メソゲン(RM)は、配向膜を形成し、光又は熱により硬化されることにより光硬化層35及び36を形成する。化学構造の観点において、本発明による反応性メソゲンは、次の構造式XVI−Rで表現される光反応性ジメタアクリレート(photo-reactive dimethaacrylate)系モノマーであり得、より具体的には、構造式XVII−R1、XVII−R2、XVII−R3、XVII−R4、XVII−R5、又はXVII−R6で表現されるモノマー分子であり得る。   1 illustrates a reactive mesogen (RM) according to one embodiment of the present invention. The reactive mesogen (RM) according to the present invention forms an alignment film and is cured by light or heat to form photocured layers 35 and 36. In terms of chemical structure, the reactive mesogen according to the present invention may be a photo-reactive dimethaacrylate monomer represented by the following structural formula XVI-R. It may be a monomer molecule represented by the formula XVII-R1, XVII-R2, XVII-R3, XVII-R4, XVII-R5, or XVII-R6.

構造式XVI−R   Structural formula XVI-R

ここで、A、B、及びCは、それぞれベンゼン環(benzene ring)、シクロヘキシル環(cyclohexyl ring)、及びナフタレン環(naphthalene ring)から選択されたいずれか1つであり得る。A、B、及びCを構成する各環の外郭水素原子(Outer hydrogen atom)は置き換えられないか、又はこれらの水素原子の中の少なくとも1つは、アルキル基、フッ素(F)、塩素(C1)、又はメトキシ基(OCH)に置き換えられ得る。P1及びP2のそれぞれは、アクリレート、メタクリレート、エポキシ、オキセタン、ビニルエーテル、スチレン、及びチオールエン(thiolene)グループの中のいずれか1つであり得る。 Here, A, B, and C may be any one selected from a benzene ring, a cyclohexyl ring, and a naphthalene ring, respectively. The outer hydrogen atoms of each ring constituting A, B, and C are not replaced, or at least one of these hydrogen atoms is an alkyl group, fluorine (F), chlorine (C1 ), Or a methoxy group (OCH 3 ). Each of P1 and P2 can be any one of the acrylate, methacrylate, epoxy, oxetane, vinyl ether, styrene, and thiolene groups.

Z1、Z2、及びZ3は、単一結合、 連結基(リンキンググループ)(linking group)又は連結基の組合せであり得る。単一結合は、A、B、及びCがそれらの間の中間物質なしに直接的に結合することを意味する。連結基は、−OCO−、−COO−、アルキル基、−O−又は当該分野における通常の知識を有する者により容易に使用されることができる連結基であり得る。   Z1, Z2 and Z3 can be a single bond, a linking group or a combination of linking groups. Single bond means that A, B, and C bind directly without any intermediate material between them. The linking group can be -OCO-, -COO-, an alkyl group, -O- or a linking group that can be readily used by those with ordinary knowledge in the art.

より具体的に、本発明の実施形態による反応性メソゲンは、次の構造式XVII−R1、XVII−R2、XVII−R3、XVII−R4、XVII−R5、又はXVII−R6で表現されるモノマーであり得る。   More specifically, the reactive mesogen according to the embodiment of the present invention is a monomer represented by the following structural formula XVII-R1, XVII-R2, XVII-R3, XVII-R4, XVII-R5, or XVII-R6. possible.

構造式XVII−R1   Structural formula XVII-R1

構造式XVII−R2   Structural formula XVII-R2

構造式XVII−R3   Structural formula XVII-R3

構造式XVII−R4   Structural formula XVII-R4

構造式XVII−R5   Structural formula XVII-R5

構造式XVII−R6   Structural formula XVII-R6

本発明による反応性メソゲン(RM)の特性を評価するために、液晶表示装置は、上述した反応性メソゲンの中で構造式XVII−R6で表現された反応性メソゲンを適用することにより製造された。液晶表示板アセンブリは、図6Aを参照して説明したSVAモードに従って製造された。液晶表示装置の画素PXの構成は、実質的に図3の構成と同様である。液晶層3のセル間隔は、約3.5μmであり、蛍光露光工程(fluorescent exposure process)に適用された紫外線の照度は約0.15mW/cmであった。また、画素電極191の微細ブランチ197の幅、露光電圧、電界露光工程(exposure process)の紫外線強度、及び蛍光露光工程の時間を以下に表1として示す。 In order to evaluate the characteristics of the reactive mesogen (RM) according to the present invention, a liquid crystal display device was manufactured by applying the reactive mesogen represented by the structural formula XVII-R6 among the reactive mesogens described above. . The liquid crystal panel assembly was manufactured according to the SVA mode described with reference to FIG. 6A. The configuration of the pixel PX of the liquid crystal display device is substantially the same as the configuration of FIG. The cell spacing of the liquid crystal layer 3 was about 3.5 μm, and the illuminance of ultraviolet light applied to the fluorescent exposure process was about 0.15 mW / cm 2 . Table 1 below shows the width of the fine branch 197 of the pixel electrode 191, the exposure voltage, the ultraviolet intensity of the electric field exposure process, and the time of the fluorescence exposure process.

このように製造された液晶表示装置は、図11と関連して後述する電荷共有に基づく1ゲート線1データ線(1 Gate line 1 Data line:1G1D)駆動により動作する。 The liquid crystal display device manufactured in this way operates by driving 1 gate line 1 data line (1G1D) based on charge sharing, which will be described later with reference to FIG.

表1に示すすべての実験例において、液晶表示装置のブラック残像は、約2のレベルを示し、階調間の応答速度は、約0.007秒〜約0.009秒である。したがって、構造式XVII−R6の反応性メソゲン(RM)は、広い範囲の工程条件に適用される際にもよい特性を示すことがわかる。   In all the experimental examples shown in Table 1, the black afterimage of the liquid crystal display device shows a level of about 2, and the response speed between gradations is about 0.007 seconds to about 0.009 seconds. Thus, it can be seen that the reactive mesogen (RM) of structural formula XVII-R6 exhibits good properties when applied to a wide range of process conditions.

残像評価方法は、チェックパターン画面を液晶表示装置上に約1日以上表示し、これを他の画面に変更した後にチェックパターンを観察し、この観察結果をレベル1〜レベル5として評価する。レベル1は、チェックパターンがこの液晶表示装置の側面で観察されないレベルであり、レベル2は、チェックパターンが側面で観察されるレベルであり、レベル3は、チェックパターンが側面で強く観察されるレベルであり、レベル4は、チェックパターンが正面で弱く観察されるレベルであり、レベル5は、チェックパターンが正面で強く観察されるレベルである。このブラック残像は、チェックパターン画面を表示し、ブラックパターンに変更した後にチェックパターンを観察することにより評価されることができる。面残像は、チェックパターン画面を表示し、これを階調パターンに変更した後にチェックパターンを観察することにより評価されることができる。   In the afterimage evaluation method, the check pattern screen is displayed on the liquid crystal display device for about one day or longer, the check pattern is observed after changing it to another screen, and the observation result is evaluated as level 1 to level 5. Level 1 is a level at which the check pattern is not observed on the side surface of the liquid crystal display device, Level 2 is a level at which the check pattern is observed on the side surface, and Level 3 is a level at which the check pattern is strongly observed on the side surface. Level 4 is a level at which the check pattern is observed weakly in the front, and level 5 is a level at which the check pattern is strongly observed in the front. This black afterimage can be evaluated by displaying a check pattern screen and observing the check pattern after changing to a black pattern. The surface afterimage can be evaluated by displaying a check pattern screen and observing the check pattern after changing it to a gradation pattern.

下部表示板
以下、下部表示板100について詳細に説明する。下部表示板100は、その上にゲート線121、降圧ゲート線123、及び保持電極線125となるゲート層導電体、ゲート絶縁膜140、線形半導体154、線形抵抗性接触部材165、データ層導電体171、173、175、177c、第1の保護膜181、カラーフィルター230、第2の保護膜182、画素電極191及び下板配向膜291を含む。
The following lower panel, will be described in detail lower panel 100. The lower display panel 100 includes a gate layer conductor, a gate insulating film 140, a linear semiconductor 154, a linear resistive contact member 165, and a data layer conductor that become the gate line 121, the step-down gate line 123, and the storage electrode line 125 thereon. 171, 173, 175, 177 c, first protective film 181, color filter 230, second protective film 182, pixel electrode 191, and lower plate alignment film 291.

複数のゲート線121、複数の降圧ゲート線123、及び複数の保持電極線125で構成されたゲート層導電体は、ガラス又はプラスチック材質の下部基板110上に形成される。下部基板110の厚さは、約0.2mm〜0.7mmである。下部基板110の屈折率は、約1.0〜2.5であり得、より望ましくは、約1.5である。   A gate layer conductor composed of a plurality of gate lines 121, a plurality of step-down gate lines 123, and a plurality of storage electrode lines 125 is formed on a lower substrate 110 made of glass or plastic. The thickness of the lower substrate 110 is about 0.2 mm to 0.7 mm. The refractive index of the lower substrate 110 may be about 1.0 to 2.5, and more preferably about 1.5.

ゲート線121及び降圧ゲート線123は、主に横方向に伸びており、ゲート信号を伝達する。ゲート層導電体は、Cr、Mo、Ti、Al、Cu、Ag及びこれらの混合物から選択された物質で形成されることができる。もう1つの実施形態によるゲート層導電体は、二重膜又は三重膜の構造を有することができる。例えば、二重膜構造は、Al/Mo、Al/Ti、Al/Ta、Al/Ni、Al/TiNx、Al/Co、Cu/CuMn、Cu/Ti、Cu/TiN、又はCu/TiOxとなり得る。三重膜構造は、Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti、Co/Al/Co、Ti/Al/Ti、TiNx/Al/Ti、CuMn/Cu/CuMn、Ti/Cu/Ti、TiNx/Cu/TiNx、又はTiOx/Cu/TiOxとなり得る。   The gate line 121 and the step-down gate line 123 extend mainly in the horizontal direction and transmit gate signals. The gate layer conductor can be formed of a material selected from Cr, Mo, Ti, Al, Cu, Ag, and mixtures thereof. The gate layer conductor according to another embodiment may have a double film or triple film structure. For example, the bilayer structure can be Al / Mo, Al / Ti, Al / Ta, Al / Ni, Al / TiNx, Al / Co, Cu / CuMn, Cu / Ti, Cu / TiN, or Cu / TiOx. . Triple film structure is Mo / Al / Mo, Ti / Al / Ti, Co / Al / Co, Ti / Al / Ti, TiNx / Al / Ti, CuMn / Cu / CuMn, Ti / Cu / Ti, TiNx / Cu / TiNx or TiOx / Cu / TiOx.

ゲート線121は、突出した形状の第1のゲート電極124h及び第2のゲート電極124lを含む。降圧ゲート線123は、突出した形状の第3のゲート電極124cを含む。第1のゲート電極124h及び第2のゲート電極124lは、相互に接続されることにより1つの突出部が形成されるようにする。   The gate line 121 includes a protruding first gate electrode 124h and a second gate electrode 124l. The step-down gate line 123 includes a protruding third gate electrode 124c. The first gate electrode 124h and the second gate electrode 124l are connected to each other so that one protrusion is formed.

保持電極線125は、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lの周辺を取り囲むように横方向及び縦方向に伸張しており、所定の電圧、例えば、共通電圧Vcomを送信する。他方、保持電極線125は、2つ以上のレベルを有する所定のスイング電圧を送信することができる。保持電極線125は、ゲート線121にほぼ垂直であるように伸張した複数の保持電極線縦部128と、保持電極線縦部128の終端を相互に接続する保持電極線横部127と、保持電極線横部127から突出した形態の保持電極線拡張部126とを含む。   The storage electrode line 125 extends in the horizontal direction and the vertical direction so as to surround the periphery of the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l, and transmits a predetermined voltage, for example, a common voltage Vcom. . On the other hand, the storage electrode line 125 can transmit a predetermined swing voltage having two or more levels. The storage electrode line 125 includes a plurality of storage electrode line vertical portions 128 extended so as to be substantially perpendicular to the gate line 121, a storage electrode line horizontal portion 127 that interconnects the terminal ends of the storage electrode line vertical portions 128, and a storage And a holding electrode line extending portion 126 in a form protruding from the electrode line lateral portion 127.

ゲート絶縁膜(gate insulating layer)140は、ゲート層導電体上に形成される。ゲート絶縁膜140は、無機絶縁物、有機絶縁物、又は有機・無機絶縁物で形成された膜であり得る。無機絶縁物は、窒化ケイ素(SiNx)、酸化ケイ素(SiOx)、酸化チタン(TiO)、アルミナ(Al)又はジルコニア(ZrO)であり得る。有機絶縁物は、ポリシロキサン(Poly Siloxane)、フェニルシロキサン(Phenyl Siloxane)、ポリイミド(Polyimide)、シルセスキオキサン(Silsesquioxane)、シラン(Silane)又は当該技術分野における通常の知識を有する者により容易に使用されることができる有機絶縁物質であり得る。有機・無機絶縁物は、上述した無機絶縁物及び有機絶縁物のそれぞれから選択された少なくとも1つ又はそれ以上の物質の混合物であり得る。特に、ポリシロキサン有機絶縁物及びポリシロキサンで構成された有機・無機絶縁物は、約350°C以上で高耐熱性、光の高い透過性及び他の層と良好な接着力の特性を有する。 A gate insulating layer 140 is formed on the gate layer conductor. The gate insulating film 140 may be a film formed of an inorganic insulator, an organic insulator, or an organic / inorganic insulator. The inorganic insulator can be silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), titanium oxide (TiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), or zirconia (ZrO 2 ). Organic insulators can be easily used by polysiloxanes, phenyl siloxanes, polyimides, silsesquioxanes, silanes, or anyone with ordinary knowledge in the art. It can be an organic insulating material that can be used. The organic / inorganic insulator may be a mixture of at least one or more substances selected from each of the above-described inorganic insulator and organic insulator. In particular, a polysiloxane organic insulator and an organic / inorganic insulator composed of polysiloxane have characteristics of high heat resistance, high light transmittance, and good adhesion to other layers at about 350 ° C. or higher.

無機絶縁物で形成されたゲート絶縁膜140の厚さは、約2000Å〜4000Åであり得、より望ましくは約3000Åである。有機絶縁物又は有機・無機絶縁物で形成されたゲート絶縁膜140の厚さは、約3000Å〜5000Åであり得、より望ましくは約4000Åである。液晶表示装置の透過率を向上させるためのゲート絶縁膜140を構成する窒化ケイ素、酸化ケイ素、有機絶縁物又は有機・無機絶縁物の屈折率は、それぞれ約1.6〜2.1、約1.35〜1.65、約1.4〜1.7、又は約1.4〜1.9であり得、より望ましくは、それぞれ約1.85、約1.5、約1.55又は約1.6である。ゲート絶縁膜140の屈折率が下部基板110の屈折率に近接するほど液晶表示装置の透過率は向上する。   The thickness of the gate insulating layer 140 formed of an inorganic insulator may be about 2000 to 4000 mm, and more preferably about 3000 mm. The thickness of the gate insulating layer 140 formed of an organic insulator or an organic / inorganic insulator may be about 3000 to 5000 mm, and more preferably about 4000 mm. The refractive indexes of silicon nitride, silicon oxide, organic insulator, or organic / inorganic insulator constituting the gate insulating film 140 for improving the transmittance of the liquid crystal display device are about 1.6 to 2.1 and about 1 respectively. .35 to 1.65, about 1.4 to 1.7, or about 1.4 to 1.9, and more preferably about 1.85, about 1.5, about 1.55, or about 1.6. As the refractive index of the gate insulating film 140 is closer to the refractive index of the lower substrate 110, the transmittance of the liquid crystal display device is improved.

線形半導体154は、水素化非晶質ケイ素(hydrogenated amorphous silicon)、結晶質ケイ素(crystalline silica)、又は酸化物半導体などで作られることができ、ゲート絶縁膜140上に形成される。線形半導体154上には、データ線171、ソース電極173、及びドレーン電極175が実質的に重なっている。第1のゲート電極124h及び第2のゲート電極124l上に形成された第1の線形半導体154h及び第2の線形半導体154lと第3のゲート電極124c上に形成された第3の線形半導体154cとは、相互に分離されるように形成される。線形半導体154の厚さは、約1000Å〜2500Åであり、より望ましくは約1700Åである。酸化物半導体は、A又はAで表現される化学式を有する化合物であり得る。Aは、Zn又はCd、Bは、Ga、Sn又はIn、CはZn、Cd、Ga、In又はHfであり得る。Xは、0でなく、A、B、及びCは、相互に異なる。他の実施形態によると、酸化物半導体は、InZnO、InGaO、InSnO、ZnSnO、GaSnO、GaZnO、GaZnSnO、GaInZnO、HfInZnO、HfZnSnO、及びZnOの群から選択された化合物であり得る。このような酸化物半導体は、水素化非晶質ケイ素に比べて有効移動度(effective mobility)が約2〜100倍に優れ、これにより、画素電極191の充電速度を向上させる。 The linear semiconductor 154 may be made of hydrogenated amorphous silicon, crystalline silica, oxide semiconductor, or the like, and is formed on the gate insulating layer 140. On the linear semiconductor 154, the data line 171, the source electrode 173, and the drain electrode 175 substantially overlap. A first linear semiconductor 154h and a second linear semiconductor 154l formed on the first gate electrode 124h and the second gate electrode 124l, and a third linear semiconductor 154c formed on the third gate electrode 124c; Are formed so as to be separated from each other. The thickness of the linear semiconductor 154 is about 1000-2500 mm, more preferably about 1700 mm. The oxide semiconductor may be a compound having a chemical formula represented by A X B X O X or A X B X C X O X. A may be Zn or Cd, B may be Ga, Sn or In, and C may be Zn, Cd, Ga, In or Hf. X is not 0, and A, B, and C are different from each other. According to another embodiment, the oxide semiconductor may be a compound selected from the group of InZnO, InGaO, InSnO, ZnSnO, GaSnO, GaZnO, GaZnSnO, GaInZnO, HfInZnO, HfZnSnO, and ZnO. Such an oxide semiconductor has an effective mobility that is approximately 2 to 100 times that of hydrogenated amorphous silicon, thereby improving the charging speed of the pixel electrode 191.

線形抵抗性接触部材(linear ohmic contact member)165は、線形半導体154上に形成される。線形抵抗性接触部材165の厚さは、約200Å〜500Åである。まず、第1の線形抵抗性接触部材165h、第2の線形抵抗性接触部材165l、及び第3の線形抵抗性接触部材165c(図示せず)は、第1の線形半導体154h 、第2の線形半導体154l、及び第3の線形半導体154c上にそれぞれ形成され、チャネル上には形成されない。   A linear ohmic contact member 165 is formed on the linear semiconductor 154. The thickness of the linear resistive contact member 165 is about 200 to 500 inches. First, the first linear resistive contact member 165h, the second linear resistive contact member 165l, and the third linear resistive contact member 165c (not shown) are the first linear semiconductor 154h, the second linear They are formed on the semiconductor 154l and the third linear semiconductor 154c, respectively, and are not formed on the channel.

データ層導電体は、データ線171、第1のソース電極173h、第1のドレーン電極175h、第2のソース電極173l、第2のドレーン電極175l、第3のソース電極173c及び第3のドレーン電極175cとなり、線形抵抗性接触部材165上に形成される。データ層導電体は、上述したゲート層導電体材料と同一の材料で形成されることができる。画素電極191の充電率を改善し、データ電圧の伝搬遅延(propagation delay)を減少させるために、データ層導電体は、低抵抗単一膜金属又は少なくとも1つの層が金属層である2又は3重層の構成を有することができる。線形半導体154が酸化物半導体物質で構成される場合、このデータ層導電体は、線形抵抗性接触部材165の形成なしに線形半導体154上に直接形成されることができる。   The data layer conductor includes a data line 171, a first source electrode 173h, a first drain electrode 175h, a second source electrode 173l, a second drain electrode 175l, a third source electrode 173c, and a third drain electrode. 175c, which is formed on the linear resistive contact member 165. The data layer conductor can be formed of the same material as the gate layer conductor material described above. In order to improve the charging rate of the pixel electrode 191 and reduce the propagation delay of the data voltage, the data layer conductor is a low resistance single film metal or 2 or 3 where at least one layer is a metal layer. It can have a multi-layer configuration. If the linear semiconductor 154 is composed of an oxide semiconductor material, the data layer conductor can be formed directly on the linear semiconductor 154 without the formation of the linear resistive contact member 165.

データ線171は、ゲート絶縁膜140を介在してゲート線121又は降圧ゲート線123と交差する。データ線171は、カップ又はU字状の第1のソース電極173h及びキャップ又は∩形態(図3において逆U字状)の第2のソース電極173lに接続される。第1のドレーン電極175h及び第2のドレーン電極175lの終端部分は、それぞれ第1のソース電極173h及び第2のソース電極173lにより部分的に囲まれる。第2のドレーン電極175lの他の終端部分は、第2のソース電極173lにより部分的に囲まれた終端部分から伸張し、U字状の第3のソース電極173cに接続される。第3のドレーン電極175cの1つの終端部分は、第3のソース電極173cにより部分的に囲まれ、他の終端部分177cは、保持電極線拡張部126上に重なり、これにより、これらの間で降圧蓄電器Cstdが形成される。第3のドレーン電極175cの他の終端部分177cが保持電極線拡張部126と重なる面積のサイズに従って降圧蓄電器Cstdの容量は変わる。本発明の実施形態による基本画素群を構成する基本色の画素は、それぞれ異なる降圧蓄電器Cstdの容量を有することができる。   The data line 171 intersects the gate line 121 or the step-down gate line 123 with the gate insulating film 140 interposed therebetween. The data line 171 is connected to a first source electrode 173h having a cup or U shape and a second source electrode 173l having a cap or bowl shape (inverted U shape in FIG. 3). The terminal portions of the first drain electrode 175h and the second drain electrode 175l are partially surrounded by the first source electrode 173h and the second source electrode 173l, respectively. The other terminal portion of the second drain electrode 175l extends from the terminal portion partially surrounded by the second source electrode 173l and is connected to the U-shaped third source electrode 173c. One end portion of the third drain electrode 175c is partially surrounded by the third source electrode 173c, and the other end portion 177c overlaps on the storage electrode line extension 126, thereby between them. A step-down capacitor Cstd is formed. The capacity of the step-down capacitor Cstd changes according to the size of the area where the other terminal portion 177c of the third drain electrode 175c overlaps the storage electrode line extension 126. The basic color pixels constituting the basic pixel group according to the embodiment of the present invention may have different capacities of the step-down capacitors Cstd.

図19Bは、各画素で降圧蓄電器Cstdの容量間の差を示すために基本画素群に含まれた赤色画素PX−R、緑色画素PX−G、及び青色画素PX−Bの各々で図18に示すA19部分を拡大した図である。赤色画素PX−R、緑色画素PX−G、及び青色画素PX−Bが相互に同様であるが、各画素で保持電極線拡張部と重なる第3のドレーン電極175cの他の終端部分177cの面積AOL−B、AOL−G、又はAOL−Rのサイズは異なる。このような重複面積は、後述する第2の液晶蓄電器Clclの電圧対第1の液晶蓄電器Clchの電圧の比を約0.6〜0.9:1に調節するために変わり得る。後述する黄色みがかった(yellowish)カラーの発生を減少させるために、第2の液晶蓄電器Clclの電圧対第1の液晶蓄電器Clchの電圧の比は、基本画素群PSを構成する各画素に従って変わり得る。したがって、基本画素群PSを構成する画素が異なる電圧比を有するようにするためには、第3のドレーン電極175cの他の終端部分177cと保持電極線拡張部126との重複面積を調節することができる。例えば、液晶表示装置が黄色みがかった色を有することを防止するために、赤色、緑色、及び青色画素を含む基本画素群において、青色(B)画素の電圧比が緑色(G)画素の電圧比より大きく設定されるか又は同一であり、緑色(G)画素の電圧比が赤色(R)画素の電圧比より大きく設定されるか又は同一であるように設定されることができる。この際、重なる面積のサイズは、各画素の電圧比を調節するために次のように設定されることができる。   FIG. 19B shows the red pixel PX-R, the green pixel PX-G, and the blue pixel PX-B included in the basic pixel group in order to show the difference between the capacities of the step-down capacitors Cstd in each pixel. It is the figure which expanded the A19 part shown. The red pixel PX-R, the green pixel PX-G, and the blue pixel PX-B are similar to each other, but the area of the other terminal portion 177c of the third drain electrode 175c that overlaps the storage electrode line extension in each pixel. The size of AOL-B, AOL-G, or AOL-R is different. Such an overlapping area can be varied to adjust the ratio of the voltage of the second liquid crystal capacitor Clcl to the voltage of the first liquid crystal capacitor Clch, described below, to about 0.6-0.9: 1. In order to reduce the occurrence of yellowish color, which will be described later, the ratio of the voltage of the second liquid crystal capacitor Clcl to the voltage of the first liquid crystal capacitor Clch varies according to each pixel constituting the basic pixel group PS. obtain. Therefore, in order to make the pixels constituting the basic pixel group PS have different voltage ratios, the overlapping area between the other terminal portion 177c of the third drain electrode 175c and the storage electrode line extension 126 is adjusted. Can do. For example, in order to prevent the liquid crystal display device from having a yellowish color, in the basic pixel group including red, green, and blue pixels, the voltage ratio of the blue (B) pixel is the voltage of the green (G) pixel. The voltage ratio of the green (G) pixel can be set larger than or the same as the voltage ratio of the red (R) pixel. At this time, the size of the overlapping area can be set as follows in order to adjust the voltage ratio of each pixel.

AOL−B≦AOL−G≦AOL−R
ここで、 AOL−B、AOL−G、及びAOL−Rは、図19Bに示すように、青色(B)、緑色(G)、及び赤色(R)画素で第3のドレーン電極175cの他の終端部分177cと保持電極線拡張部126との重複面積のサイズを示す。
AOL-B ≦ AOL-G ≦ AOL-R
Here, as shown in FIG. 19B, AOL-B, AOL-G, and AOL-R are blue (B), green (G), and red (R) pixels, and other drains of the third drain electrode 175c. The size of the overlapping area between the terminal portion 177c and the storage electrode line extension 126 is shown.

第1のゲート電極124h、第2のゲート電極124l、及び第3のゲート電極124cと、第1のソース電極173h、第2のソース電極173l、及び第3のソース電極173cと、第1のドレーン電極175h、第2のドレーン電極175l、及び第3のドレーン電極175cとは、第1の線形半導体154h、第2の線形半導体154l、及び第3の線形半導体154cとともに1つの画素PXを動作させるための第1の薄膜トランジスタ(thin film transistor:TFT)Qh、第2の薄膜トランジスタQl、及び第3の薄膜トランジスタQcをそれぞれ構成する。薄膜トランジスタQh、Ql、及びQcの動作の間に電荷が移動されるチャネル層は、ソース電極173h、173l、及び173cとドレーン電極175h、175l、及び175c間の線形半導体154h、154l、及び154cの層内に形成される。   The first gate electrode 124h, the second gate electrode 124l, and the third gate electrode 124c, the first source electrode 173h, the second source electrode 173l, the third source electrode 173c, and the first drain The electrode 175h, the second drain electrode 175l, and the third drain electrode 175c are for operating one pixel PX together with the first linear semiconductor 154h, the second linear semiconductor 154l, and the third linear semiconductor 154c. A first thin film transistor (TFT) Qh, a second thin film transistor Ql, and a third thin film transistor Qc are formed. The channel layer in which charge is transferred during the operation of the thin film transistors Qh, Ql, and Qc is a layer of linear semiconductors 154h, 154l, and 154c between the source electrodes 173h, 173l, and 173c and the drain electrodes 175h, 175l, and 175c. Formed inside.

線形半導体154h、154l、及び154cの層及びデータ層導電体が同一のマスクを使用してエッチングされる場合に、チャネル領域を除くデータ層導電体は、その下に形成される線形半導体154と線形抵抗性接触部材161及び165hと実質的に同一のパターンを有し得る。しかしながら、エッチング技術に基づいて、線形半導体154の膜は、約3μm又はそれ以下の特定の距離でデータ層導電体の両側側壁から伸張するように露出し、データ層導電体により覆われない部分を有し得る。   When the layers and data layer conductors of linear semiconductors 154h, 154l, and 154c are etched using the same mask, the data layer conductors except for the channel region are linear with the linear semiconductor 154 formed thereunder. The resistive contact members 161 and 165h may have substantially the same pattern. However, based on the etching technique, the film of the linear semiconductor 154 is exposed to extend from the side walls of the data layer conductor at a specific distance of about 3 μm or less, and the portion not covered by the data layer conductor. Can have.

本発明の他の実施形態に従って、チャネルからコンタクトホール185h及び185lまで接続された第1のドレーン電極175h又は第2のドレーン電極175lの線は、微細ブランチの方向と実質的に同一の方向に形成されることもできる。これにより、画素領域でテクスチャ(texture)が減少し、液晶表示装置の輝度が増加する。   According to another embodiment of the present invention, the line of the first drain electrode 175h or the second drain electrode 175l connected from the channel to the contact holes 185h and 185l is formed in a direction substantially the same as the direction of the fine branch. Can also be done. As a result, the texture in the pixel area is reduced and the brightness of the liquid crystal display device is increased.

第1の保護膜181は、データ層導電体上に形成される。第1の保護膜181は、ゲート絶縁膜140で構成されることができる上述した無機絶縁物、有機絶縁物、又は有機・無機絶縁物でなされることができる。無機絶縁物で形成された第1の保護膜181の厚さは、約300Å〜2000Åであり得、より望ましくは、約500Åである。有機絶縁物又は有機・無機絶縁物で形成された第1の保護膜181の厚さは、約25000Å〜35000Åであり得る。液晶表示装置の透過率を向上させるための第1の保護膜181を構成する窒化ケイ素、酸化ケイ素(SiOx)、有機絶縁物又は有機・無機絶縁物の屈折率は、それぞれ約1.6〜2.1、約1.35〜1.65、約1.5〜1.9又は約1.5〜1.9であり得、より望ましくは、それぞれ約1.85、約1.5、約1.7〜1.8又は約1.6である。   The first protective film 181 is formed on the data layer conductor. The first protective film 181 may be made of the above-described inorganic insulator, organic insulator, or organic / inorganic insulator that may be formed of the gate insulating film 140. The thickness of the first protective film 181 formed of an inorganic insulator may be about 300 to 2000 mm, more preferably about 500 mm. The first protective film 181 formed of an organic insulator or an organic / inorganic insulator may have a thickness of about 25000 to 35000 mm. The refractive index of silicon nitride, silicon oxide (SiOx), organic insulator, or organic / inorganic insulator constituting the first protective film 181 for improving the transmittance of the liquid crystal display device is about 1.6 to 2, respectively. .1, about 1.35 to 1.65, about 1.5 to 1.9, or about 1.5 to 1.9, and more preferably about 1.85, about 1.5, and about 1, respectively. .7 to 1.8 or about 1.6.

カラーフィルター230は、第1の保護膜181上に形成される。カラーフィルターは、光が遮光されない画素PX領域に形成される。カラーフィルター230の厚さは、約1.5μm〜3μmである。カラーフィルター230の屈折率は、約1.3〜2.2であり得、より望ましくは約1.6である。   The color filter 230 is formed on the first protective film 181. The color filter is formed in the pixel PX region where light is not blocked. The thickness of the color filter 230 is about 1.5 μm to 3 μm. The refractive index of the color filter 230 may be about 1.3 to 2.2, more preferably about 1.6.

各画素PXに形成されたカラーフィルター230は、基本色、例えば、赤色、緑色、青色、青緑色(cyan)、赤紫色(magenta)、黄色(yellow)、及び白色(white)の中のいずれか1つを有し得る。赤色、緑色、及び青色、又は青緑色、赤紫色、及び黄色のような3つの基本色は、画素PXの形成のための基本画素群PSの色として定義されることができる。白色画素がカラーフィルターを有しないことがあり、白色の外部光が白色画素領域を通過するために、この白色画素は、白色を示すことができる。基本画素群PSは、カラー画像を表現することができる画素PXの最小集合である。   The color filter 230 formed in each pixel PX is one of basic colors, for example, red, green, blue, cyan, magenta, yellow, and white. You can have one. Three basic colors such as red, green and blue, or blue-green, magenta and yellow can be defined as the colors of the basic pixel group PS for the formation of the pixel PX. Since the white pixel may not have a color filter, and the white external light passes through the white pixel region, the white pixel can indicate white. The basic pixel group PS is a minimum set of pixels PX that can represent a color image.

他の実施形態において、基本画素群PSは、4個又はそれ以上の基本色をそれぞれ有する画素PXで構成されることができる。これに対する一例として、赤色、緑色、及び青色の3個の色と青緑色、赤紫色、黄色、及び白色の中のいずれか1つの色とを含む4個の基本色は、基本画素群PSの色として選択されることができる。液晶表示装置の画質を改善するために、基本画素群PSを構成する基本色は、ここに限定されず様々に選択されることができるということは、当該技術分野における通常の知識を有する者には容易に理解される。   In another embodiment, the basic pixel group PS may be composed of pixels PX each having four or more basic colors. As an example for this, four basic colors including three colors of red, green, and blue and any one of blue-green, magenta, yellow, and white are included in the basic pixel group PS. Can be selected as color. In order to improve the image quality of the liquid crystal display device, the basic colors constituting the basic pixel group PS are not limited to this and can be selected in various ways. Is easily understood.

カラーフィルター230は、コンタクトホール185が位置した所に形成されたカラーフィルターホール233h及び233lを除く大部分の領域に形成されることができる。他方、カラーフィルター230は、薄膜トランジスタQh、Ql、及びQcの不良を容易に検出するために薄膜トランジスタQh、Ql、及びQcが位置する所に形成されないこともある。隣接するデータ線171の間に沿って同一の色のカラーフィルター230が縦方向に長く伸張するように形成されることができる。本発明の他の実施形態によるカラーフィルター230は、上部表示板200に形成された遮光部材220と蓋膜225間で形成されることができる。   The color filter 230 may be formed in most of the regions except the color filter holes 233h and 233l formed where the contact holes 185 are located. On the other hand, the color filter 230 may not be formed where the thin film transistors Qh, Ql, and Qc are located in order to easily detect defects in the thin film transistors Qh, Ql, and Qc. A color filter 230 of the same color may be formed to extend in the vertical direction along the adjacent data lines 171. The color filter 230 according to another embodiment of the present invention may be formed between the light blocking member 220 and the cover film 225 formed on the upper display panel 200.

第2の保護膜182は、カラーフィルター230又は第1の保護膜181上に形成される。第2の保護膜182は、ゲート絶縁膜140で構成されることができる上述した無機絶縁物、有機絶縁物、又は有機・無機絶縁物でなされることができる。無機絶縁物で形成された第2の保護膜182の厚さは、約300Å〜1500Åであり得、より望ましくは約400Å〜900Åである。有機絶縁物又は有機・無機絶縁物で形成された第2の保護膜182の厚さは、約25000Å〜35000Åであり得る。液晶表示装置の透過率を向上させるための第2の保護膜182を構成する窒化ケイ素、酸化ケイ素、有機絶縁物又は有機・無機絶縁物の屈折率は、それぞれ約1.6〜2.1、約1.35〜1.65、約1.5〜1.9又は約1.4〜1.9であり得る。   The second protective film 182 is formed on the color filter 230 or the first protective film 181. The second protective film 182 may be formed of the above-described inorganic insulator, organic insulator, or organic / inorganic insulator that may be formed of the gate insulating film 140. The thickness of the second protective film 182 formed of an inorganic insulator may be about 300 to 1500 mm, more preferably about 400 to 900 mm. The thickness of the second protective film 182 formed of an organic insulator or an organic / inorganic insulator may be about 25000 to 35000 mm. The refractive index of silicon nitride, silicon oxide, organic insulator, or organic / inorganic insulator constituting the second protective film 182 for improving the transmittance of the liquid crystal display device is about 1.6 to 2.1, respectively. It can be about 1.35 to 1.65, about 1.5 to 1.9, or about 1.4 to 1.9.

第2の保護膜182の屈折率が画素電極191の屈折率に近接するほど液晶表示装置の透過率は向上する。第2の保護膜182は、カラーフィルター230の浮き上がりを防止し、カラーフィルター230からの溶剤(solvent)のような有機物の溶出を抑制することにより液晶層3の汚染を防止し、したがって、液晶表示装置の残像性(Persistence of Vision:POV)を改善させる。   As the refractive index of the second protective film 182 is closer to the refractive index of the pixel electrode 191, the transmittance of the liquid crystal display device is improved. The second protective film 182 prevents the color filter 230 from being lifted up and prevents elution of an organic substance such as a solvent from the color filter 230, thereby preventing the liquid crystal layer 3 from being contaminated. Improve persistence of vision (POV) of the device.

また、第1の保護膜181上に直接形成された第2の保護膜182は、相対的に厚く形成されることにより平坦化の機能をする。第1の保護膜181及び第2の保護膜182の接触部位には、第1のドレーン電極175h及び第2のドレーン電極175lの終端部分をそれぞれ露出するコンタクトホール185h及び185lが形成される。コンタクトホール185h及び185lの幅は、カラーフィルター233h及び233lのそれより狭いことがあり得る。   Further, the second protective film 182 directly formed on the first protective film 181 has a function of planarization by being formed relatively thick. Contact holes 185h and 185l exposing the terminal portions of the first drain electrode 175h and the second drain electrode 175l are formed at contact portions of the first protective film 181 and the second protective film 182, respectively. The contact holes 185h and 185l may be narrower than the color filters 233h and 233l.

図3及び図4A〜図4Cに示すように、画素電極層は、第2の保護膜182上に形成される。画素電極層は、副画素電極191h及び191lと、画素電極接触部192h及び192lと、十字状ブランチ部195h及び195lと、微細ブランチ197h及び197lとを含む導電層であり、微細スリット199h及び199lは、画素電極層で導電層が除去された部分である。画素電極191の厚さは、約300Å〜700Åであり得、より望ましくは約550Åである。   As shown in FIGS. 3 and 4A to 4C, the pixel electrode layer is formed on the second protective film 182. The pixel electrode layer is a conductive layer including sub-pixel electrodes 191h and 191l, pixel electrode contact portions 192h and 192l, cross-shaped branch portions 195h and 195l, and fine branches 197h and 197l. The fine slits 199h and 199l are This is a portion where the conductive layer is removed from the pixel electrode layer. The pixel electrode 191 may have a thickness of about 300 to 700 mm, and more preferably about 550 mm.

画素電極191は、第1の副画素190hの領域に形成された第1の副画素電極191hと第2の副画素190lの領域に形成された第2の副画素電極191lとを含む。画素電極191は、インジウムスズ酸化物(indium-tin oxide:ITO)又はインジウム亜鉛酸化物(indium-zinc-oxide:IZO)のような透明な伝導性物質で形成され得る。画素電極191の屈折率は、約1.5〜2.5であり得、IZO及びITOの屈折率は、それぞれ約1.8〜2.3及び約1.7〜2.0であり得る。本発明の一実施形態において、外部光の回折を減少させるためにITO物質で構成された画素電極は、約400Åの厚さで形成され得る。また、後述する微細ブランチ197間のスペース、すなわち、微細スリット199の領域で微細ブランチ電極又は主配向膜33及び34と類似した屈折率を有する物質が追加で形成され得る。   The pixel electrode 191 includes a first subpixel electrode 191h formed in the region of the first subpixel 190h and a second subpixel electrode 191l formed in the region of the second subpixel 190l. The pixel electrode 191 may be formed of a transparent conductive material such as indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO). The refractive index of the pixel electrode 191 can be about 1.5 to 2.5, and the refractive indexes of IZO and ITO can be about 1.8 to 2.3 and about 1.7 to 2.0, respectively. In an embodiment of the present invention, a pixel electrode made of an ITO material to reduce external light diffraction may be formed with a thickness of about 400 mm. In addition, a material having a refractive index similar to that of the fine branch electrodes or the main alignment films 33 and 34 may be additionally formed in the space between the fine branches 197 described later, that is, in the region of the fine slit 199.

微細ブランチ電極197又は主配向膜33と類似した屈折率を有する物質は、TiO、PPV(polyphenylenevinylene)又はPI−TiO(polyfluorinated polyimides TiO2)であり得る。 The material having a refractive index similar to that of the fine branch electrode 197 or the main alignment film 33 may be TiO 2 , PPV (polyphenylenevinylene), or PI-TiO 2 (polyfluorinated polyimides TiO 2 ).

画素電極191の表面で回折されるか又は反射される外部光を減少させるために、Ar、H、O、He、又はClの気体の雰囲気で画素電極191の表面のプラズマ(plasma)工程を行うことにより画素電極191の表面の粗度(roughness)を増加させることができる。また、画素電極191の上部又は下部に形成された物質の屈折率と類似した物質で画素電極191を形成することにより、回折されるか又は反射される外部光は、画素電極191の表面で最小化することができ、透過光は、最大化することができる。このように、上部膜又は下部膜と類似した屈折率を有する透明画素電極の材料は、ナノワイヤー(Nanowire:NW)、酸化亜鉛(ZnO)、又は伝導性ポリマーであり得る。このような材料は、約1.8又はそれ以下の屈折率を有する画素電極として形成されることができる。ナノワイヤー(NW)は、約10−9m〜約10−8mの直径及び約10−7m〜約10−6mの長さを有する針状の導電性粒子であり、ポリマーと混合されることにより画素電極として形成されることができる。ナノワイヤー(NW)は、銀(Ag)を含むことができ、銀(Ag)で構成されたナノワイヤー(NW)を有する画素電極の抵抗は、約50〜250Ωであり得る。 In order to reduce the external light that is diffracted or reflected by the surface of the pixel electrode 191, the plasma of the surface of the pixel electrode 191 in an atmosphere of a gas of Ar, H 2 , O 2 , He, or Cl 2. By performing the process, the roughness of the surface of the pixel electrode 191 can be increased. Further, by forming the pixel electrode 191 with a material similar to the refractive index of the material formed above or below the pixel electrode 191, external light that is diffracted or reflected is minimized on the surface of the pixel electrode 191. And transmitted light can be maximized. As described above, the transparent pixel electrode material having a refractive index similar to that of the upper film or the lower film may be nanowire (NW), zinc oxide (ZnO), or a conductive polymer. Such a material can be formed as a pixel electrode having a refractive index of about 1.8 or less. Nanowires (NWs) are acicular conductive particles having a diameter of about 10 −9 m to about 10 −8 m and a length of about 10 −7 m to about 10 −6 m, and are mixed with a polymer. Thus, it can be formed as a pixel electrode. The nanowire (NW) may include silver (Ag), and the resistance of the pixel electrode having the nanowire (NW) made of silver (Ag) may be about 50 to 250Ω.

第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、それぞれ第1の画素電極接触部192h及び第2の画素電極接触部192lと、十字状ブランチ部195h及び195lと、それぞれの副画素電極191h及び191lの外郭を取り囲む縦接続部193h及び193lと、横接続部194h及び194lとを含む。十字状ブランチ部195h及び195lの各々は、図3中の横方向に延在する横ブランチ部及び縦方向に延在する縦ブランチ部を含む。   The first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are respectively a first pixel electrode contact portion 192h and a second pixel electrode contact portion 192l, a cross-shaped branch portion 195h and 195l, and a respective subpixel. It includes vertical connection portions 193h and 193l that surround the outline of the electrodes 191h and 191l, and horizontal connection portions 194h and 194l. Each of the cross-shaped branch portions 195h and 195l includes a horizontal branch portion extending in the horizontal direction and a vertical branch portion extending in the vertical direction in FIG.

第1の画素電極接触部192h及び第2の画素電極接触部192lは、それぞれ第1の保護膜181又は第2の保護膜182のコンタクトホール185h及び185lを介して第1の薄膜トランジスタQh及び第2の薄膜トランジスタQlのドレーン電極175h及び175lと接触する。   The first pixel electrode contact portion 192h and the second pixel electrode contact portion 192l are connected to the first thin film transistor Qh and the second thin film transistor through the contact holes 185h and 185l of the first protective film 181 or the second protective film 182, respectively. In contact with the drain electrodes 175h and 175l of the thin film transistor Ql.

本発明の実施形態に従って、高精密(High-definition)パターン工程、すなわち、微細ブランチ197又は微細スリット199の幅を約5μm以下に形成する工程を簡略に説明する。   According to an embodiment of the present invention, a high-definition pattern process, that is, a process of forming the width of the micro branch 197 or the micro slit 199 to about 5 μm or less will be briefly described.

下部層上に画素電極層として形成される導電性金属の蒸着又はコーティングが行われる。感光性フォトレジスト(Photoresist)は、導電性金属上にコーティングされる。感光性フォトレジスト(PR)は、写真リソグラフィー(photo-lithography)工程により画素電極層のパターンと類似したパターンを有する。微細ブランチ197又は微細スリット199の幅が非常に狭いために、このとき形成されたフォトレジスト(PR)のパターンは、フォトレジスト(PR)の残余物(residue)を有するか又は一部の不良パターンを有することがある。これを改善するためには、アッシング(ashing)工程又は乾式エッチング(dry etching)工程が行われることができる。この後に、導電性金属がエッチングされ、フォトレジスト(PR)が除去された後に、画素電極層のパターンが形成される。   A conductive metal is formed or coated as a pixel electrode layer on the lower layer. A photosensitive photoresist is coated on the conductive metal. The photosensitive photoresist (PR) has a pattern similar to the pattern of the pixel electrode layer by a photo-lithography process. Since the width of the fine branch 197 or the fine slit 199 is very narrow, the pattern of the photoresist (PR) formed at this time has a residue of the photoresist (PR) or a partial defective pattern. May have. In order to improve this, an ashing process or a dry etching process may be performed. Thereafter, the conductive metal is etched and the photoresist (PR) is removed, and then the pattern of the pixel electrode layer is formed.

本発明の実施形態に従って、下部膜との接着性を向上させることにより高精密パターンを実現するために、感光性フォトレジスト(PR)は、接着促進剤(adhesion promoter)、すなわち、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジニル)−[[3,5−ビス(1,1−ジメチルエチル)−4−ヒドロキシフェニル]メチル]ブチルマロナート(Bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl)-[[3,5-bis(1,1-dimethylethyl)-4-hydroxyphenyl]methyl]butylmalonate))を含むことができる。すなわち、感光性フォトレジスト(Photoresist)は、マトリックス(matrix)として約15重量(wt)%〜25重量(wt)%、より望ましくは、約20重量%のクレゾールノボラック樹脂と、約3重量%〜7重量%、より望ましくは、約5重量%の感光剤(photo-sensitizer)と、接着促進剤として約0.1重量%〜10重量%のビス(1,2,2,6,6ペンタメチル−4−ピペリジニル)−[[3,5−ビス(1,1-ジメチルエチル)−4−ヒドロキシフェニル]メチル]ブチルマロナート(Bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl)-[[3,5-bis(1,1-dimethylethyl)-4-hydroxyphenyl]methyl]butylmalonate))とを含む固形物を溶解させ、例えば、約65重量%〜約74.95重量%のポリ2グリシジルメタクリレート(poly(2-glycidyl methacrylate:PGMEA)に溶解させることにより製造されることができる。   In order to achieve a high precision pattern by improving adhesion with the lower film according to an embodiment of the present invention, the photosensitive photoresist (PR) is an adhesion promoter, ie, bis (1, 2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl)-[[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butyl malonate (Bis (1,2,2, 6,6-pentamethyl-4-piperidinyl)-[[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butylmalonate)). That is, the photosensitive photoresist has a matrix of about 15 wt% to 25 wt%, more preferably about 20 wt% cresol novolac resin, and about 3 wt% to about 25 wt%. 7% by weight, more preferably about 5% by weight of photo-sensitizer and about 0.1% to 10% by weight of bis (1,2,2,6,6 pentamethyl-) as an adhesion promoter. 4-piperidinyl)-[[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butyl malonate (Bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidinyl) -[[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] butylmalonate)), for example, about 65 wt.% To about 74.95 wt. To dissolve in glycidyl methacrylate (poly (2-glycidyl methacrylate: PGMEA)) Ri can be produced.

クレゾールノボラック樹脂は、約7,000重量平均分子量〜約9,000重量平均分子量(weight-average molecular weight)を有することができ、メタクレゾール(meta-cresol)対パラクレゾール(para-cresol)の比が約6:4に混合されたクレゾールモノマー(monomer)とホルムアルデヒド(formaldehyde)とをシュウ酸触媒(oxalic acid catalyst)下で縮合反応(condensation reaction)により製造されることができる。   The cresol novolac resin can have a weight-average molecular weight of about 7,000 to about 9,000, and the ratio of meta-cresol to para-cresol. Can be prepared by a condensation reaction of a cresol monomer mixed with about 6: 4 and formaldehyde under an oxalic acid catalyst.

感光剤(photo-sensitizer)は、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン(2,3,4,4’-tetrahydroxybenzophenone)及びナフトキノン1.2−ジアジッド5−スルホニルクロライド(Naphthoquinone 1.2-diazide-5-Sulfonylchloride)化合物を縮合反応により製造された化合物であるか、又は4,4’,4”−エチリジントリスフェノール(4,4’,4”-Ethylidyne tris phenol)及びナフトキノン1,2-ジアジッド−5−スルホニルクロライド(Naphthoquinone 1.2-diazide-5-Sulfonylchloride)化合物を縮合反応により製造された化合物であり得る。このような組成物を有するフォトレジスト(PR)は、下部膜との密着性がよいために写真リソグラフィー工程で高精密パターンが形成されることができる。   The photo-sensitizers are 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone and naphthoquinone 1.2-diazide 5-sulfonyl chloride (Naphthoquinone 1.2-diazide-). 5-Sulfonylchloride) compound produced by a condensation reaction or 4,4 ′, 4 ″ -Ethylidyne trisphenol and naphthoquinone 1,2-diazide It may be a compound produced by a condensation reaction of a -5-sulfonyl chloride (Naphthoquinone 1.2-diazide-5-Sulfonylchloride) compound. Since the photoresist (PR) having such a composition has good adhesion to the lower film, a high-precision pattern can be formed by a photolithography process.

他の実施形態による画素電極191は、第2の保護膜182の形成なしにカラーフィルター230層又は第1の保護膜181層上に形成されることができ、3つ以上の副画素電極を有することができる。   The pixel electrode 191 according to another embodiment may be formed on the color filter 230 layer or the first protective film 181 layer without forming the second protective film 182, and may have three or more subpixel electrodes. be able to.

下板配向膜291は、画素電極191上に形成される。下板配向膜291は、上板配向膜292と実質的に同一であるので、説明の便宜上、その説明を省略する。   The lower plate alignment film 291 is formed on the pixel electrode 191. Since the lower plate alignment film 291 is substantially the same as the upper plate alignment film 292, the description thereof is omitted for convenience of description.

1対の表示板100及び200を一定の間隔、すなわち、セル間隔で保持するスペーサ250と液晶層3とが下部表示板100と上部表示板200との間で形成される。液晶層3を構成する液晶の屈折率は、約1.3〜1.6であり得、より望ましくは約1.48である。   A spacer 250 and a liquid crystal layer 3 are formed between the lower display panel 100 and the upper display panel 200 to hold the pair of display panels 100 and 200 at a constant interval, that is, a cell interval. The refractive index of the liquid crystal constituting the liquid crystal layer 3 can be about 1.3 to 1.6, and more preferably about 1.48.

液晶表示装置の透過率を向上させるために、カラーフィルター230が下部表示板100に形成された場合、下部表示板100の画素電極領域に形成された窒化ケイ素の全厚さは、約3、500Å〜4000Åであり得、カラーフィルター230が上部表示板200に形成された場合に、下部表示板100の画素電極領域に形成された窒化ケイ素の全厚さは、約4、000Å〜5000Åであり得る。この際、窒化ケイ素の全厚さは、ゲート絶縁膜及び保護膜を構成する窒化ケイ素の厚さを合せたものである。   When the color filter 230 is formed on the lower display panel 100 in order to improve the transmittance of the liquid crystal display device, the total thickness of silicon nitride formed in the pixel electrode region of the lower display panel 100 is about 3,500 mm. When the color filter 230 is formed on the upper display panel 200, the total thickness of silicon nitride formed in the pixel electrode region of the lower display panel 100 may be about 4,000 to 5000 mm. . At this time, the total thickness of silicon nitride is the sum of the thicknesses of silicon nitride constituting the gate insulating film and the protective film.

本発明の実施形態において、下部基板、窒化ケイ素で形成されたゲート絶縁膜、窒化ケイ素で形成された第1の保護膜、有機絶縁物又は有機・無機絶縁物で形成された第2の保護膜、及びIZO又はITOで形成された画素電極の屈折率は、それぞれ約1.5、約1.9、約1.9、約1.65〜1.9、及び約1.9であり、これらを有する液晶表示装置は、従来の液晶表示装置の透過率より約2%の透過率をさらに向上させることができる。また、液晶分子の平均屈折率は、1.7以上であり得る。   In an embodiment of the present invention, a lower substrate, a gate insulating film formed of silicon nitride, a first protective film formed of silicon nitride, a second protective film formed of an organic insulator or an organic / inorganic insulator The refractive indexes of the pixel electrodes formed of IZO and ITO are about 1.5, about 1.9, about 1.9, about 1.65 to 1.9, and about 1.9, respectively. The liquid crystal display device having the above can further improve the transmittance of about 2% over the transmittance of the conventional liquid crystal display device. The average refractive index of the liquid crystal molecules may be 1.7 or more.

本発明の他の実施形態において、下部基板、有機絶縁物、又は有機・無機絶縁物で形成されたゲート絶縁膜、有機絶縁物又は有機・無機絶縁物で形成された第1の保護膜、及びIZO又はITOで形成された画素電極の屈折率は、それぞれ約1.5、約1.55、約1.55〜1.9、及び約1.9であり、これらを有する液晶表示装置は、従来の液晶表示装置の透過率より約4%の透過率をさらに向上させることができる。   In another embodiment of the present invention, a lower substrate, a gate insulating film formed of an organic insulator or an organic / inorganic insulator, a first protective film formed of an organic insulator or an organic / inorganic insulator, and Refractive indexes of pixel electrodes formed of IZO or ITO are about 1.5, about 1.55, about 1.55 to 1.9, and about 1.9, respectively. The transmittance of about 4% can be further improved from the transmittance of the conventional liquid crystal display device.

以下、本発明の実施形態による画素電極191の形態を図3、図5A、図5B、図16A〜図16G、及び図17A〜図17Gを参照して詳細に説明する。図5Aは、図3に示す第2の副画素電極191lの中央部A5を拡大した画素電極平面図であり、図5B及び図17A〜図17Gは、図3に示す画素電極平面図の他の実施形態として画素電極を拡大した平面図である。また、図16A〜図16Gは、微細ブランチ197又は微細スリット199を構成する基本形状である。   Hereinafter, the pixel electrode 191 according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3, 5A, 5B, 16A to 16G, and 17A to 17G. FIG. 5A is an enlarged plan view of the pixel electrode A5 of the second subpixel electrode 191l shown in FIG. 3, and FIGS. 5B and 17A to 17G are other views of the plan view of the pixel electrode shown in FIG. It is the top view to which the pixel electrode was expanded as embodiment. 16A to 16G are basic shapes constituting the fine branch 197 or the fine slit 199. FIG.

液晶表示装置の側面視認性及び輝度を向上させるために、各画素PX領域に形成された画素電極191と副画素電極191h及び191lとの外郭形状、副画素電極191h及び191l の面積比、画素電極191の形状、微細ブランチ197又は微細スリット199の幅及び分布、及び微細ブランチ197の方向のような様々なパラメータが考慮されなければならない。また、以下に提示された数値は、単に例示に過ぎず、液晶層3のセルギャップ、液晶種類、及び配向膜の特性のような要素に従って変わり得る。   In order to improve the side visibility and brightness of the liquid crystal display device, the outer shape of the pixel electrode 191 and the subpixel electrodes 191h and 191l formed in each pixel PX region, the area ratio of the subpixel electrodes 191h and 191l, the pixel electrode Various parameters such as the shape of the 191, the width and distribution of the micro branches 197 or micro slits 199, and the direction of the micro branches 197 must be considered. The numerical values presented below are merely examples, and may vary according to factors such as the cell gap of the liquid crystal layer 3, the liquid crystal type, and the characteristics of the alignment film.

画素電極及び副画素電極の外郭形状
画素電極191は、第1の副画素電極191hと第2の副画素電極191lとに分離される。分離された第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、それぞれ第1の液晶蓄電器Clch及び第2の液晶蓄電器Clclを有し、第1の液晶蓄電器Clch及び第2の液晶蓄電器Clclは、相互に異なるサイズを有する。画素電極191とこれを構成する副画素電極191h及び191lとの外郭形状は、四角形状である。他の実施形態による画素電極191とこれを構成する副画素電極191h及び191lとの外郭形状は、ジグザグ、放射形、又は菱形(rhombic)であり得る。第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、縦方向に例えば図3に示すように上下に離隔しており、これにより、ゲート線121と離隔するために不必要な寄生容量の結合が減少し、キックバック電圧(Kickback Voltage:Vkb)が減少する。また他の実施形態による画素PXは、3個以上の互いに離隔された副画素で構成され得る。もう1つの実施形態による第1の副画素電極191hは、第2の副画素電極191lにより実質的に囲まれることがある。
The outer shape pixel electrode 191 of the pixel electrode and the sub-pixel electrode is separated into a first sub-pixel electrode 191h and a second sub-pixel electrode 191l. The separated first subpixel electrode 191h and second subpixel electrode 191l have a first liquid crystal capacitor Clch and a second liquid crystal capacitor Clcl, respectively, and the first liquid crystal capacitor Clch and the second liquid crystal capacitor. Clcl has different sizes from each other. The outer shape of the pixel electrode 191 and the sub-pixel electrodes 191h and 191l constituting the pixel electrode 191 is a quadrangular shape. The outer shape of the pixel electrode 191 and the sub-pixel electrodes 191h and 191l constituting the pixel electrode 191 according to another embodiment may be a zigzag shape, a radial shape, or a rhombic shape. The first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are vertically spaced apart from each other in the vertical direction, for example, as shown in FIG. Coupling decreases, and the kickback voltage (Vkb) decreases. In addition, the pixel PX according to another embodiment may include three or more subpixels that are spaced apart from each other. The first subpixel electrode 191h according to another embodiment may be substantially surrounded by the second subpixel electrode 191l.

副画素電極の面積比
液晶表示装置の側面視認性(side visibility)を向上させ、輝度損失を減少させるために第2の副画素電極191lの面積は、第1の副画素電極191hの面積に対して約1倍〜3倍であり、より望ましくは、約1.5倍〜2倍である。図3に示す第2の副画素190lの面積は、第1の副画素190hの面積に対して約1.75倍である。側面視認性は、側面視野角(side viewing angle)と関連した液晶表示装置の視認性を意味する。側面で視認される映像の画質が正面で視認される映像の画質に近接するほど側面視認性がさらに良い。
Sub-pixel electrode area ratio In order to improve the side visibility of the liquid crystal display device and reduce the luminance loss, the area of the second sub-pixel electrode 191l is smaller than the area of the first sub-pixel electrode 191h. About 1 to 3 times, more preferably about 1.5 to 2 times. The area of the second subpixel 190l shown in FIG. 3 is about 1.75 times the area of the first subpixel 190h. Side visibility means the visibility of the liquid crystal display device in relation to the side viewing angle. The side visibility is further improved as the image quality of the video viewed from the side is closer to the image quality of the video viewed from the front.

画素電極の形状
図3を参照すると、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、それぞれ十字状ブランチ部195h及び195lを有しており、副画素電極191h及び191lの各々は、十字状ブランチ部195h及び195lにより分けられた4個のドメインを有する。各ドメインは、十字状ブランチ部195h及び195lから外側に斜めに伸張する複数の微細ブランチ197h及び197lを有する。図5A及び図5Bを参照すると、微細ブランチ197h及び197lは、直線形状又はジグザグ形状を有する。
Referring to the shape diagram 3 of the pixel electrode, the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l has a cross-shaped branch portions 195h and 195l, respectively, each of the subpixel electrodes 191h and 191l are And four domains divided by cross-shaped branch portions 195h and 195l. Each domain has a plurality of fine branches 197h and 197l extending obliquely outward from the cross-shaped branch portions 195h and 195l. Referring to FIGS. 5A and 5B, the micro branches 197h and 197l have a linear shape or a zigzag shape.

隣接する微細ブランチ197hと197lとの間にある微細スリット199h及び199lは、微細ブランチ197h及び197lと交互に配列される。微細ブランチ197h及び197lの各々は、十字状ブランチ部195h及び195lの横ブランチ部195a及び縦ブランチ部195vの中の少なくとも1つに対して対称的に形成されることができる。   Micro slits 199h and 199l between adjacent micro branches 197h and 197l are alternately arranged with micro branches 197h and 197l. Each of the micro branches 197h and 197l may be formed symmetrically with respect to at least one of the horizontal branch part 195a and the vertical branch part 195v of the cross-shaped branch parts 195h and 195l.

他の実施形態において、十字状ブランチ部の横ブランチ部195aと縦ブランチ部195vとが交差する部分において、横ブランチ部195a及び縦ブランチ部195vの中の少なくとも1つが他のブランチ部と交差する位置から約2〜5μm離れるように、各微細ブランチ197h及び197lが形成され得る。また、十字状ブランチ部の横ブランチ部195a又は縦ブランチ部195v上に凸状又は凹状の屈曲が形成され得る。このように、微細ブランチ197h及び197lの各々は、横又は縦ブランチ部が交差する位置から離れた形態であり、横又は縦ブランチ部上に屈曲が形成されるため、各ドメインに形成された液晶分子の配列が他のドメインの液晶分子の配列と干渉しないことにより、画素領域でテクスチャー(texture)が減少する。   In another embodiment, at a portion where the horizontal branch portion 195a and the vertical branch portion 195v of the cross-shaped branch portion intersect, at least one of the horizontal branch portion 195a and the vertical branch portion 195v intersects with the other branch portion. Each microbranch 197h and 197l can be formed so as to be about 2-5 μm away from each other. Further, a convex or concave bend can be formed on the horizontal branch portion 195a or the vertical branch portion 195v of the cross-shaped branch portion. Thus, each of the fine branches 197h and 197l is separated from the position where the horizontal or vertical branch portion intersects, and a bend is formed on the horizontal or vertical branch portion, so that the liquid crystal formed in each domain is formed. Since the arrangement of the molecules does not interfere with the arrangement of liquid crystal molecules in other domains, the texture in the pixel region is reduced.

図5Aは、図3に示す第2の副画素電極の中央部A5を拡大した図である。ストライプ(stripe)状の微細ブランチ197及び微細スリット電極が示される。第2の副画素電極の中央部は、図示するように、微細ブランチの幅は、Sであり、微細スリットの幅は、Wである。微細スリット199と微細ブランチ197とは、交互に配置される。すなわち、微細スリット199は、微細ブランチ197との間に位置する。微細スリットの幅(W)は、順次に変わり、これについての詳細は、以下に説明する。   FIG. 5A is an enlarged view of the central portion A5 of the second subpixel electrode shown in FIG. A stripe-shaped micro branch 197 and a micro slit electrode are shown. In the center portion of the second subpixel electrode, the width of the fine branch is S and the width of the fine slit is W as shown in the figure. The fine slits 199 and the fine branches 197 are alternately arranged. That is, the fine slit 199 is located between the fine branch 197. The width (W) of the fine slit changes sequentially, and details thereof will be described below.

図5Bを参照してジグザグ形状の微細ブランチ197及び微細スリットについて説明する。微細ブランチ197h及び197lの形状は、微細スリット199h及び199lの形状と実質的に同様であるために、説明の便宜上、微細ブランチ197h及び197lの形状について詳細に説明する。液晶表示装置に入射した外部光が画素電極191に反射されることにより虹ムラが発生することを防止するために、図5Bに示すように、ジグザグ状で形成された微細ブランチ197を有する画素電極191が形成されることができる。ジグザグ状は、反復的であり周期的な方式で谷(valley)及び山(ridge)を有することができる。   The zigzag fine branch 197 and the fine slit will be described with reference to FIG. 5B. Since the shapes of the fine branches 197h and 197l are substantially similar to the shapes of the fine slits 199h and 199l, the shapes of the fine branches 197h and 197l will be described in detail for convenience of explanation. In order to prevent the occurrence of rainbow unevenness due to reflection of external light incident on the liquid crystal display device on the pixel electrode 191, as shown in FIG. 5B, the pixel electrode having fine branches 197 formed in a zigzag shape. 191 can be formed. The zigzag shape can have valleys and ridges in an iterative and periodic manner.

以下、液晶表示装置で虹ムラが発生する原因を簡単に説明する。液晶表示装置に入射した可視光が回折格子として機能するエレメント、例えば、微細ブランチにより、可視光が液晶表示装置内において回折され、その回折光により液晶表示装置は反射光を出力する。可視光は、相互に異なる波長で構成されているために、回折された反射光は、回折角が異なる回折パターンを有する。したがって、蛍光灯の光が液晶表示装置に入射する時、この回折パターンは、虹色を有するために液晶表示装置で虹ムラが視認される。可視光の回折は、可視光が入射する物質の屈折率差及び回折格子機能をする画素電極の構造により主に発生し得る。したがって、液晶表示装置を構成する画素電極、液晶、配向膜、及び絶縁物などの屈折率差を減少させる場合、可視光の回折を減少させることにより虹ムラを減らすことができ、また、回折格子の機能をする画素電極の構造が調節される場合、可視光の回折が分散されることにより虹ムラが減少することができることが本発明者により発見された。   Hereinafter, the cause of the occurrence of rainbow unevenness in the liquid crystal display device will be briefly described. Visible light incident on the liquid crystal display device is diffracted in the liquid crystal display device by an element that functions as a diffraction grating, for example, a micro branch, and the liquid crystal display device outputs reflected light by the diffracted light. Since visible light is composed of mutually different wavelengths, the diffracted reflected light has diffraction patterns with different diffraction angles. Therefore, when the light of the fluorescent lamp enters the liquid crystal display device, the diffraction pattern has a rainbow color, and therefore rainbow unevenness is visually recognized in the liquid crystal display device. Visible light diffraction can be mainly generated by a difference in refractive index of a material on which visible light is incident and a structure of a pixel electrode having a diffraction grating function. Therefore, when reducing the difference in the refractive index of the pixel electrode, liquid crystal, alignment film, insulator, etc. constituting the liquid crystal display device, the rainbow unevenness can be reduced by reducing the diffraction of visible light, and the diffraction grating It has been discovered by the present inventor that the rainbow unevenness can be reduced by dispersing the diffraction of visible light when the structure of the pixel electrode functioning as described above is adjusted.

したがって、微細ブランチ電極が回折格子の機能をすることを最小化するために画素電極の構造を最大限かつ適切にランダムに形成しなければならない。画素電極の構造をランダムにするために微細ブランチ電極の方向、幅、周期、形状、及び間隔などを適宜ランダムに形成しなければならない。   Therefore, in order to minimize the function of the fine branch electrode as a diffraction grating, the structure of the pixel electrode must be randomly formed to the maximum and appropriate. In order to make the structure of the pixel electrode random, the direction, width, period, shape, interval, and the like of the fine branch electrodes must be randomly formed as appropriate.

各ドメイン領域において、2個以上の方向、又は異なるドメインで異なる方向を有するように微細ブランチ電極の方向が設定されることができる。微細ブランチの幅は、隣接した微細ブランチの幅について徐々に(gradually)変化するように決定されることができる。1つのドメインで複数の微細ブランチの幅が一定の周期を有する1つのグループが形成され、また、幅が異なる周期を有する複数のグループが形成されるように微細ブランチ電極が周期的に配置されることができる。   In each domain region, the direction of the fine branch electrode can be set to have two or more directions or different directions in different domains. The width of the fine branch can be determined to change gradually with respect to the width of the adjacent fine branch. One branch is formed in one domain having a period in which the width of a plurality of micro branches has a constant period, and the micro branch electrodes are periodically arranged so that a plurality of groups having periods having different widths are formed. be able to.

図5A、図5B、及び図16A〜図16Gを参照すると、微細ブランチ197の電極又は微細スリット199は、直線からなるストライプ状、バット(bat)状、ジグザグ状、多重折りジグザグ(multi-broken zigzag)状、波状、エンタシス状(entases)、ペアエンタシス状(paired entases)、組合せエンタシス(combined entases)A又は組合せエンタシスBの形状を有し得る。   Referring to FIGS. 5A, 5B, and 16A to 16G, the electrodes or micro slits 199 of the micro branches 197 are formed as a straight stripe, bat, zigzag, or multi-broken zigzag. ), Wavy, entases, paired entases, combined entases A or combined entasis B.

図16A〜図16Gに示す形状の各々は、周期的な形態を有する微細ブランチ197又は微細スリット199の基本単位であり得、基本単位画素電極の形状である。基本単位画素電極の形状の各々又は組合せにより微細ブランチ197又は微細スリット199が構成されることができる。基本単位画素電極の形状の基本単位長さは、約4μm〜約25μmであり、幅は、約1.5μm以上であり得る。   Each of the shapes shown in FIGS. 16A to 16G may be a basic unit of a micro branch 197 or a micro slit 199 having a periodic form, and is a shape of a basic unit pixel electrode. The fine branch 197 or the fine slit 199 can be configured by each or a combination of the shapes of the basic unit pixel electrodes. The basic unit length of the shape of the basic unit pixel electrode may be about 4 μm to about 25 μm, and the width may be about 1.5 μm or more.

図16Aは、角θba1及びθba2でそれぞれ折られた多重折りジグザグ形状を示す。角θba1と角θba2とは相互に異なり得る。図16Bは、角θbbで湾曲するように曲げられた波形状を示す。図16Cは、中間部分の幅が両端部分の幅より狭いエンタシス形状を示す。エンタシス形状は、微細電極197又は微細スリット199の形状に適用されることができる。図16Dは、ペアエンタシス(paired entases)形状を示す。このペアエンタシス形状は、角θbd1で曲げられた屈曲線と、直線と、で挟まれて構成された形状と、この形状の対称形状の対とで構成される。本発明の他の実施形態に従って、角θbd1と角θbd2とは相互に異なり得る。   FIG. 16A shows a multi-fold zigzag shape folded at angles θba1 and θba2, respectively. The angle θba1 and the angle θba2 can be different from each other. FIG. 16B shows a wave shape bent so as to be bent at an angle θbb. FIG. 16C shows an entasis shape in which the width of the intermediate portion is narrower than the widths of both end portions. The enteric shape can be applied to the shape of the fine electrode 197 or the fine slit 199. FIG. 16D shows a paired entases shape. This pair entasis shape is constituted by a shape sandwiched between a bent line bent at an angle θbd1 and a straight line, and a pair of symmetrical shapes of this shape. According to other embodiments of the present invention, the angle θbd1 and the angle θbd2 may be different from each other.

図16Eは、組合せエンタシス(combined entases)Aの形状を示す。組合せエンタシスAの形状の基本単位は、図16Dのエンタシス形状の2つを1組とするものが複数組み合わせられたペアエンタシス形状と、ペアエンタシス形状内の2個の曲げられた屈曲線の間でダイアモンド形状が連続的に接続された形状と、が組み合わされた形状である。図16Fは、組合せエンタシスBの形状を示す。組合せエンタシスBの形状は、図16Dのエンタシス形状の2つを1組とするものが複数組み合わせられたペアエンタシスの形状と、ペアエンタシス形状内の2つの直線の間でダイアモンド形状が連続的にで接続された形状と、が組み合わされた形状である。   FIG. 16E shows the shape of combined entases A. The basic unit of the shape of the combination entasis A is between a pair entasis shape in which two of the entasis shapes in FIG. 16D are combined, and two bent bend lines in the pair entasis shape. A shape in which diamond shapes are continuously connected to each other. FIG. 16F shows the shape of the combination entasis B. The shape of the combination entasis B includes a pair entasis shape in which two of the entasis shapes in FIG. 16D are combined, and a diamond shape continuously between two straight lines in the pair entasis shape. The connected shape is a combined shape.

図16Gは、異なる幅を有するストライプで結合された棒(bat)形状を示す。棒形状は、2個以上の幅、例えば、約1.8μm、約3.2μm、約4.5μmの幅が繰り返し接続されたストライプ形状であり得る。ストライプ形状の基本単位画素電極の形状は、図5Aと関連して上述し、ジグザグ形状については、図5Bと関連して後述する。   FIG. 16G shows a bat shape joined with stripes having different widths. The rod shape may be a stripe shape in which two or more widths, for example, widths of about 1.8 μm, about 3.2 μm, and about 4.5 μm are repeatedly connected. The shape of the stripe-shaped basic unit pixel electrode is described above with reference to FIG. 5A, and the zigzag shape is described later with reference to FIG. 5B.

本発明の実施形態に従って基本単位画素電極の形状の各々又は組合せにより微細ブランチ197又は微細スリット199が構成されることができる。また、基本単位画素電極の形状の各々又は組合せにより基本単位の長さが異なって組み合せられた微細ブランチ197又は微細スリット199が構成されることができる。下記の説明において、画素電極は、基本単位画素電極の形状を用いて形成される。   According to the embodiment of the present invention, the micro branch 197 or the micro slit 199 may be configured by each or a combination of the shapes of the basic unit pixel electrodes. In addition, the micro branches 197 or the micro slits 199 may be configured in which the basic unit lengths are differently combined depending on the shape or the combination of the basic unit pixel electrodes. In the following description, the pixel electrode is formed using the shape of the basic unit pixel electrode.

本発明の実施形態に従って、基本単位画素電極の形状で構成された微細ブランチ電極は、隣接した微細ブランチ電極とは異なる間隔で形成されることができる。   According to the embodiment of the present invention, the fine branch electrodes configured in the shape of the basic unit pixel electrode may be formed at different intervals from the adjacent fine branch electrodes.

また、カラーフィルター230が下部表示板100に形成される場合に、外部可視光が多く入射することにより外部可視光の入射を減少させるためにカラーフィルター230が上部表示板200に形成されることができる。   In addition, when the color filter 230 is formed on the lower display panel 100, the color filter 230 may be formed on the upper display panel 200 in order to reduce the incidence of external visible light when a large amount of external visible light is incident. it can.

以下、図5Bを参照して、虹ムラを減少させるためにジグザグ形状で形成された微細ブランチ197lについて簡略に説明する。ジグザグ形状で形成された微細ブランチ197lは、ジグザグ単位の長さ(P5)とジグザグ角(θ5)とで構成される。ジグザグ単位の長さ(P5)について、微細ブランチ197h及び197lの各々は、直線長さを有し、直線長さは、約3μm〜25μmであり、より望ましくは、約4μm〜10μmである。   Hereinafter, with reference to FIG. 5B, the micro branches 197l formed in a zigzag shape in order to reduce rainbow unevenness will be briefly described. The fine branch 197l formed in a zigzag shape is composed of a zigzag length (P5) and a zigzag angle (θ5). For the zigzag unit length (P5), each of the micro branches 197h and 197l has a linear length, which is about 3 μm to 25 μm, more preferably about 4 μm to 10 μm.

各ドメインに形成された微細ブランチ電極197の主方向は、図5Bに示すピーク点PK1及びPK2を接続した線が伸張する方向である。PK1及びPK2のピーク点は、1つの微細ブランチ電極197において、周期的に屈曲する屈曲点において1周期の隣接した点である。   The main direction of the fine branch electrode 197 formed in each domain is a direction in which a line connecting the peak points PK1 and PK2 shown in FIG. 5B extends. The peak points of PK1 and PK2 are adjacent points of one period at the bending point where the one fine branch electrode 197 bends periodically.

ジグザグ角θ5は、微細ブランチ電極197の主方向の線及びジグザグ単位の長さP5に対応する線間が屈曲される角度であり、ジグザグ角θ5は、約0°〜±40°であり、より望ましくは、約±12°〜±20°である。大きいジグザグ角θ5又は様々なジグザグ角θ5を有する画素電極によって、回折した回折光が分散されるために、液晶表示装置の虹ムラは減少することができる。   The zigzag angle θ5 is an angle between the main direction line of the fine branch electrode 197 and the line corresponding to the length P5 of the zigzag unit, and the zigzag angle θ5 is about 0 ° to ± 40 °, and more Desirably, it is about ± 12 ° to ± 20 °. Since the diffracted diffracted light is dispersed by the pixel electrode having a large zigzag angle θ5 or various zigzag angles θ5, the rainbow unevenness of the liquid crystal display device can be reduced.

ジグザグ形状で形成された微細ブランチ197lは、十字状ブランチの横ブランチ部195a及び縦ブランチ部195vの近傍から各副画素電極191h及び191lの外郭まで伸張する。微細ブランチ197を構成するジグザグ形状が多いほどジグザグ形状で回折する回折光の回折点が多いために、液晶表示装置の虹ムラを減少させることができる。画素電極191の微細ブランチ197lに反射される光は、波長により干渉効果が異なるために、基本色カラーフィルターの画素電極191に形成された微細ブランチ197は、ジグザグ単位の長さP5とジグザグ角θ5とを異なって有することができる。このように基本色の画素により相互に異なるジグザグ形状の微細ブランチ197lが画素電極に形成されると、液晶表示装置の虹ムラが減少する。   The fine branch 197l formed in a zigzag shape extends from the vicinity of the horizontal branch portion 195a and the vertical branch portion 195v of the cross-shaped branch to the outline of the sub-pixel electrodes 191h and 191l. As the zigzag shape constituting the fine branch 197 increases, the number of diffraction points of the diffracted light diffracted in the zigzag shape increases, so that the rainbow unevenness of the liquid crystal display device can be reduced. Since the light reflected on the fine branch 197l of the pixel electrode 191 has different interference effects depending on the wavelength, the fine branch 197 formed on the pixel electrode 191 of the basic color filter has a zigzag length P5 and a zigzag angle θ5. And can have different. If the zigzag fine branches 197l different from each other in the basic color pixels are formed on the pixel electrode in this way, the rainbow unevenness of the liquid crystal display device is reduced.

他の実施形態において、画素電極191を構成する1本の微細ブランチ197が相互に異なるサイズのジグザグ単位の長さP5を有することができる。このように形成された微細ブランチ197が高い不規則性を有するために、微細ブランチ197により回折される回折光は、分散され、液晶表示装置の虹ムラは減少することができる。   In another embodiment, one fine branch 197 constituting the pixel electrode 191 may have zigzag unit lengths P5 having different sizes. Since the fine branch 197 formed in this way has high irregularity, the diffracted light diffracted by the fine branch 197 is dispersed, and the rainbow unevenness of the liquid crystal display device can be reduced.

また他の実施形態において、画素電極191を構成する1本の微細ブランチ197h及び197lが直線とジグザグとの混合された形状で構成されることができる。もう1つの実施形態において、直線形状で形成された微細ブランチ197h及び197lとジグザグ形状で形成された微細ブランチ197h及び197lとが混合された微細ブランチ電極が1つのドメインで構成されることができる。   In another embodiment, one fine branch 197h and 197l constituting the pixel electrode 191 may be formed in a mixed shape of a straight line and a zigzag. In another embodiment, a micro branch electrode in which micro branches 197h and 197l formed in a linear shape and micro branches 197h and 197l formed in a zigzag shape are mixed may be formed of one domain.

以下、図17A〜図17Gを参照して他の実施形態による微細ブランチ及び微細スリット199の形状について説明する。微細ブランチ197及び微細スリット199の形状は、実質的に同様であるので、説明の便宜上、微細ブランチ197の形状について詳細に説明する。図17A、図17B、図17C、及び図17Eに示す微細ブランチ197及び微細スリット199は、ジグザグ形状を有する。微細ブランチ197のそれぞれの幅S及び微細スリット199のそれぞれの幅Wについては、図3又は図5Aを参照して上述した。   Hereinafter, the shapes of micro branches and micro slits 199 according to other embodiments will be described with reference to FIGS. 17A to 17G. Since the shapes of the fine branch 197 and the fine slit 199 are substantially the same, the shape of the fine branch 197 will be described in detail for convenience of explanation. The micro branches 197 and the micro slits 199 shown in FIGS. 17A, 17B, 17C, and 17E have a zigzag shape. The respective widths S of the fine branches 197 and the respective widths W of the fine slits 199 have been described above with reference to FIG. 3 or FIG. 5A.

図17Aに示す画素電極の平面図は、本発明の特徴に従って微細ブランチ197又は微細スリット199のそれぞれの幅が順次に変わることを示す。図17Aは、4個のドメインDga1、Dga2、Dga3、及びDga4で構成された画素電極の平面図である。4個のドメインは、相互に異なる方向に伸張する微細ブランチ197を有し、このドメインは、十字状ブランチ195により区分され、十字状ブランチ195に接続される。各ドメインを構成する微細ブランチ197の構造、例えば、形状、長さ、幅及び/又は方向は、十字状ブランチ195の横ブランチ部195a及び縦ブランチ部195v対して対称である。他方、ドメインを構成する微細ブランチ197の構造は、各ドメインに従って異なる構造、例えば、十字状ブランチ195の横ブランチ部195a及び縦ブランチ部195vについて非対称構造で設計されることができる。   The plan view of the pixel electrode shown in FIG. 17A shows that the width of each of the micro branches 197 or micro slits 199 sequentially changes according to the features of the present invention. FIG. 17A is a plan view of a pixel electrode configured by four domains Dga1, Dga2, Dga3, and Dga4. The four domains have fine branches 197 extending in different directions. The domains are separated by a cross-shaped branch 195 and connected to the cross-shaped branch 195. The structure, for example, shape, length, width and / or direction of the fine branch 197 constituting each domain is symmetric with respect to the horizontal branch portion 195a and the vertical branch portion 195v of the cross-shaped branch 195. On the other hand, the structure of the fine branch 197 constituting the domain can be designed as an asymmetric structure with respect to different structures according to each domain, for example, the lateral branch part 195a and the vertical branch part 195v of the cross-shaped branch 195.

また、ドメインDga1に示すように、ドメインDga1は、複数の微細ブランチ197と複数の微細スリット199とで構成された複数のサブドメインGga1〜Gganを含む。複数のサブドメイン(sub-domain)は、微細ブランチ197の幅、微細スリット199の幅、ジグザグ角、ドメインの主方向θdga1及びθdgan又はジグザグ単位の長さZLa1及びZLanにより他のサブドメインから識別されることができる。本発明の一実施形態に従って、サブドメインは、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅により識別される。すなわち、第1のサブドメインGga1を構成する微細ブランチ197の幅又は微細スリット199の幅が同一であり、第nのサブドメインGganを構成する微細ブランチ197の幅又は微細スリット197の幅とは異なる。他のドメインDga2、Dga3、及びDga4内の微細ブランチ197又は微細スリット199は、ドメインDga1で上述した構造と同一であり得る。   Further, as shown in the domain Dga1, the domain Dga1 includes a plurality of subdomains Gga1 to Ggan configured by a plurality of micro branches 197 and a plurality of micro slits 199. A plurality of sub-domains are distinguished from other sub-domains by the width of the fine branch 197, the width of the fine slit 199, the zigzag angle, the main direction θdga1 and θdgan of the domain, or the length ZLa1 and ZLan in zigzag units. Can. According to an embodiment of the present invention, the subdomain is identified by the width of the micro branch 197 and the width of the micro slit 199. That is, the width of the fine branch 197 constituting the first subdomain Gga1 or the width of the fine slit 199 is the same, and is different from the width of the fine branch 197 constituting the nth subdomain Ggan or the width of the fine slit 197. . The micro branches 197 or micro slits 199 in the other domains Dga2, Dga3, and Dga4 may be the same as the structure described above for the domain Dga1.

本発明の一実施形態に従って、各ドメインDga1、Dga2、Dga3、及びDga4を構成する微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、それぞれ約2.0μm〜約6μmであり、図17Aの点線の矢印方向に沿って徐々に大きくなり得る。点線矢印が出発する部分、すなわち、ドメインDga1に示す第1のサブドメインGga1において、微細ブランチ197の幅Sga1及び微細スリット199の幅Wga1は、それぞれ約2.5μmであり、点線矢印が終了する部分、すなわち、ドメインDga1に示す第nのサブドメインGganで微細ブランチ197の幅Sganと微細スリット199の幅Wganとはそれぞれ約5μmであり得る。点線矢印が通過する中間部分のサブドメインにおいて、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、それぞれ約2.5μm〜5μmの範囲内の1つの値であり得る。点線矢印方向に沿って微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅が増加するサイズは、約0.25μmであり得る。   According to one embodiment of the present invention, the width S of the micro branches 197 and the width W of the micro slits 199 constituting each domain Dga1, Dga2, Dga3, and Dga4 are about 2.0 μm to about 6 μm, respectively, It can gradually increase along the direction of the dotted arrow. The part where the dotted arrow starts, that is, in the first subdomain Gga1 shown in the domain Dga1, the width Sga1 of the micro branch 197 and the width Wga1 of the micro slit 199 are each about 2.5 μm, and the part where the dotted arrow ends That is, the width Sgan of the fine branch 197 and the width Wgan of the fine slit 199 in the nth subdomain Ggan shown in the domain Dga1 may be about 5 μm, respectively. In the intermediate subdomain through which the dotted arrow passes, the width of the micro branch 197 and the width of the micro slit 199 may each be a value in the range of about 2.5 μm to 5 μm. The size in which the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 increase along the dotted arrow direction may be about 0.25 μm.

また、ドメインDga1、Dga2、Dga3、及びDga4の各々を構成し、そこに示すジグザグ単位の長さPga1及びPganは、約5μm〜20μmであり得る。ジグザグ単位の長さは、十字状ブランチ195の横ブランチ部195a又は縦ブランチ部195vから遠くなる方向に徐々に増加することができる。   Further, the lengths Pga1 and Pgan of zigzag units constituting the domains Dga1, Dga2, Dga3, and Dga4, respectively, may be about 5 μm to 20 μm. The length of the zigzag unit can be gradually increased in a direction away from the horizontal branch portion 195a or the vertical branch portion 195v of the cross-shaped branch 195.

また、各ドメインDga1、Dga2、Dga3、及びDga4を構成する微細ブランチ197又は微細スリット199の主方向θdgaに対する主方向角は、方向D1に対して約±30°〜約±60°であり得、より望ましくは、約±40°〜±50°であり得る。微細ブランチ197の主方向θdgaは、ドメインDga1に示す微細ブランチのピーク点Pga1及びPga2を接続した直線の方向である。微細スリット199又は各微細ブランチ197の主方向と、上述した方向D1、例えば、以下では、偏光子の偏光軸と、の間の角を微細スリット199又は微細ブランチ197の“主方向角”と呼ぶ。   Further, the main direction angle with respect to the main direction θdga of the fine branch 197 or the fine slit 199 constituting each domain Dga1, Dga2, Dga3, and Dga4 may be about ± 30 ° to about ± 60 ° with respect to the direction D1, More desirably, it may be about ± 40 ° to ± 50 °. The main direction θdga of the fine branch 197 is a direction of a straight line connecting the peak points Pga1 and Pga2 of the fine branch shown in the domain Dga1. An angle between the main direction of the fine slit 199 or each fine branch 197 and the above-described direction D1, for example, the polarization axis of the polarizer is referred to as “main direction angle” of the fine slit 199 or the fine branch 197 below. .

ドメインDga1に示すジグザグ角θga1、θganは、微細ブランチ197又は微細スリット199の主方向に対して約0°〜約±40°であり得、より望ましくは約0°〜約±30°であり得る。図17Aに示すジグザグ角の絶対値は、点線矢印方向に約2°〜約5°の範囲内の1つの値づつ徐々に増加することができる。すなわち、第1のサブドメインGga1に形成された第1のジグザグ角θga1は、0°であり得、第nのサブドメインGganに形成された第nのジグザグ角θganは、+30°又は−30°であり得る。   The zigzag angles θga1, θgan shown in the domain Dga1 may be about 0 ° to about ± 40 ° with respect to the main direction of the fine branch 197 or the fine slit 199, and more preferably about 0 ° to about ± 30 °. . The absolute value of the zigzag angle shown in FIG. 17A can gradually increase by one value in the range of about 2 ° to about 5 ° in the direction of the dotted arrow. That is, the first zigzag angle θga1 formed in the first subdomain Gga1 may be 0 °, and the nth zigzag angle θgan formed in the nth subdomain Ggan is + 30 ° or −30 °. It can be.

なお、微細ブランチ197又は微細スリット199の主方向は、図5Bと関連して上述したように決定されることができる。すなわち、ジグザグのピーク点を接続した直線方向により決定されることができる。このように形成された画素電極の構造が不規則性を有するために、液晶表示装置の虹ムラは格段に減少することができる。   Note that the main direction of the micro branches 197 or micro slits 199 can be determined as described above in connection with FIG. 5B. That is, it can be determined by a linear direction connecting zigzag peak points. Since the pixel electrode structure thus formed has irregularity, the rainbow unevenness of the liquid crystal display device can be remarkably reduced.

図17B乃至図17Gと関連した下記の説明では、図5A、図5B、及び図17Aと関連して既になされた説明は省略され、図17B乃至図17Gの可能な特徴のみを詳細に説明する。図17Bを参照すると、4個のドメインDgb1、Dgb2、Dgb3、Dgb4の各々は、複数の第1乃至第nのサブドメインGgb1〜Ggbnを有する。ドメインDgb1、Dgb2、Dgb3、及びDgb4内の微細ブランチ197及び微細スリット199は、十字状ブランチ部195に対して非対称に形成される。   In the following description in connection with FIGS. 17B-17G, the description already made in connection with FIGS. 5A, 5B, and 17A is omitted, and only the possible features of FIGS. 17B-17G are described in detail. Referring to FIG. 17B, each of the four domains Dgb1, Dgb2, Dgb3, and Dgb4 includes a plurality of first to nth subdomains Ggb1 to Ggbn. The micro branches 197 and the micro slits 199 in the domains Dgb1, Dgb2, Dgb3, and Dgb4 are formed asymmetrically with respect to the cross-shaped branch portion 195.

図17Bに示す画素電極の平面図において、微細ブランチ197及び微細スリット199は、本発明の特徴に従って複数のドメインDgb1、Dgb2、Dgb3、及びDgb4の各々で形成される。4個のドメインDgb1、Dgb2、Dgb3、及びDgb4を形成する微細ブランチ197又は微細スリット199は、十字状ブランチ195に対して非対称的に形成されている。   In the plan view of the pixel electrode shown in FIG. 17B, the fine branch 197 and the fine slit 199 are formed in each of the plurality of domains Dgb1, Dgb2, Dgb3, and Dgb4 according to the feature of the present invention. The fine branch 197 or the fine slit 199 forming the four domains Dgb1, Dgb2, Dgb3, and Dgb4 is formed asymmetrically with respect to the cross-shaped branch 195.

ドメインDgb2において、微細スリット199又は各微細ブランチ197の主方向θdgbが形成する微細スリット199又は微細ブランチ197の主方向角は、約±45°であり、ジグザグ角θgbは、約±7°〜約±20°であり得、より望ましくは、約±10°又は±15°であり得る。ドメインDgb1、Dgb2、Dgb3、及びDgb4の各々は、同一の微細ブランチ197の主方向角とジグザグ角θgbとを有する。   In the domain Dgb2, the main direction angle of the fine slit 199 or fine branch 197 formed by the fine direction 199 or the fine direction 197d of each fine branch 197 is about ± 45 °, and the zigzag angle θgb is about ± 7 ° to about It can be ± 20 °, more desirably about ± 10 ° or ± 15 °. Each of the domains Dgb1, Dgb2, Dgb3, and Dgb4 has a main direction angle and a zigzag angle θgb of the same fine branch 197.

サブドメインGgb1、Ggb2〜Ggbnの各々は、所定数の微細ブランチとこれらの間に介在する微細スリットとを含む。隣接した微細ブランチ−微細スリット対のそれぞれを含む微細サブドメインSWgb2は、各サブドメイン内で周期的又は反復的に形成されることができる。微細ブランチ−微細スリット対を構成する微細スリット及び微細ブランチの幅Wgb1及びSgb1は、それぞれ約3μmであり得る。したがって、各微細サブドメインSWgb2の幅は、約6μmであり得る。   Each of the subdomains Ggb1 and Ggb2 to Ggbn includes a predetermined number of fine branches and fine slits interposed therebetween. The fine subdomain SWgb2 including each of the adjacent fine branch-fine slit pairs can be formed periodically or repeatedly within each subdomain. The widths Wgb1 and Sgb1 of the fine slit and fine branch constituting the fine branch-fine slit pair may be about 3 μm, respectively. Accordingly, the width of each fine subdomain SWgb2 may be about 6 μm.

本発明の実施形態において、サブドメインの各々が4本の微細ブランチ197と4個の微細スリット199とを有する場合に、各サブドメインの幅SWgb1は、約26μmであり得る。したがって、図17Bに示すように、ドメインDgb1、Dgb2、Dgb3、及びDgb4の各々は、サブドメインGgb1、Ggb2〜Ggbnを有し、サブドメインの各々は、同一の微細サブドメインの幅を有することができる。しかしながら、各ドメイン内の隣接したサブドメイン間の微細ブランチ幅Sgb2の各々は、各サブドメイン内の微細ブランチ幅の各々と異なることができる。例えば、各サブドメイン内の微細ブランチ幅の各々は、約3μmであり得、微細ブランチSgb2は、約5μmであり得る。   In the embodiment of the present invention, when each of the subdomains has four micro branches 197 and four micro slits 199, the width SWgb1 of each subdomain may be about 26 μm. Accordingly, as shown in FIG. 17B, each of domains Dgb1, Dgb2, Dgb3, and Dgb4 has subdomains Ggb1, Ggb2 to Ggbn, and each of the subdomains has the same fine subdomain width. it can. However, each of the fine branch widths Sgb2 between adjacent subdomains in each domain can be different from each of the fine branch widths in each subdomain. For example, each of the fine branch widths in each subdomain may be about 3 μm, and the fine branch Sgb2 may be about 5 μm.

結局、各ドメイン内の隣接したサブドメイン間の微細ブランチ197の幅は、各サブドメイン内の微細ブランチ197の幅と異なり、ドメイン内に形成される微細ブランチ及び微細スリットは、十字状ブランチに対して非対称であるために、画素電極構造の不規則性が大きくなることにより回折された光の回折点は分散され、これにより、液晶表示装置の虹ムラは格段に減少することができる。各ドメイン内のサブドメインの個数は、画素電極のサイズに従って変わり得る。   After all, the width of the fine branch 197 between adjacent subdomains in each domain is different from the width of the fine branch 197 in each subdomain, and the fine branches and fine slits formed in the domains are different from the cross-shaped branch. As a result, the diffraction point of the diffracted light is dispersed by increasing the irregularity of the pixel electrode structure, and thus the rainbow unevenness of the liquid crystal display device can be remarkably reduced. The number of subdomains in each domain can vary according to the size of the pixel electrode.

図17Cに示す画素電極の平面図において、本発明の特徴に従って各ドメインを構成する微細ブランチ197の主方向が相互に異なることを示す。画素電極は、4個のドメイン、すなわち、Dgc1、Dgc2、Dgc3、及びDgc4で構成される。ドメインDgc1、Dgc2、Dgc3、及びDgc4は、微細ブランチ197の各ピーク点を接続することにより決定された微細ブランチ197の主方向θdgc1、θdgc2、θdgc3、及びθdgc4をそれぞれ有する。ドメインを形成する微細ブランチ又は微細スリットの主方向θdgc1、θdgc2、θdgc3、及びθdgc4の主方向角は、約30°〜約60°内で相互に異なる値であり得る。例えば、θdgc1、θdgc2、θdgc3、及びθdgc4の主方向に対する主方向角の各々は、約50°、約41.3°、約40°、及び約48.7°であり得る。また、微細ブランチ197の主方向において、微細ブランチ197のジグザグ角θgc1、θgc2、θgc3、及びθgc4は、約±5°〜約±30°の範囲内のいずれの値であり得、より望ましくは、約±10°又は約±15°であり得る。   In the plan view of the pixel electrode shown in FIG. 17C, it is shown that the main directions of the micro branches 197 constituting each domain are different from each other according to the feature of the present invention. The pixel electrode is composed of four domains, that is, Dgc1, Dgc2, Dgc3, and Dgc4. The domains Dgc1, Dgc2, Dgc3, and Dgc4 have main directions θdgc1, θdgc2, θdgc3, and θdgc4 of the micro branches 197 determined by connecting the peak points of the micro branches 197, respectively. The main direction angles of the main directions θdgc1, θdgc2, θdgc3, and θdgc4 of the micro branches or micro slits forming the domain may be different from each other within about 30 ° to about 60 °. For example, the main direction angles of θdgc1, θdgc2, θdgc3, and θdgc4 with respect to the main direction may be about 50 °, about 41.3 °, about 40 °, and about 48.7 °, respectively. Further, in the main direction of the fine branch 197, the zigzag angles θgc1, θgc2, θgc3, and θgc4 of the fine branch 197 can be any value within a range of about ± 5 ° to about ± 30 °, and more preferably, It can be about ± 10 ° or about ± 15 °.

本発明の実施形態に従って、各ドメインに形成された微細ブランチ197のジグザグ角は、相互に異なることができ、一定の方向に徐々に増加することができる。隣接した微細ブランチ197のジグザグ角の差は、約0.5°〜約5°であり、より望ましくは、約2°〜約3°であり得る。本発明の他の実施形態に従って、1つのドメインに形成された微細ブランチ197のジグザグ角は、同一のサブドメイン内に形成された微細ブランチのそれと同一であり得、他のサブドメインに形成された微細ブランチのそれと異なり得る。サブドメイン間のジグザグ角の差は、約0.5°〜約5°、より望ましくは、約2°〜約3°であり得る。他方、1つのドメインに形成された微細ブランチ197のジグザグ角は、同一のサブドメイン内に形成された微細ブランチのそれと異なり、他のサブドメインに形成された微細ブランチのそれと対称であり得る。   According to the embodiment of the present invention, the zigzag angles of the micro branches 197 formed in each domain can be different from each other and gradually increase in a certain direction. The difference in zigzag angle between adjacent micro branches 197 is about 0.5 ° to about 5 °, and more desirably about 2 ° to about 3 °. According to another embodiment of the present invention, the zigzag angle of the fine branch 197 formed in one domain may be the same as that of the fine branch formed in the same subdomain and formed in the other subdomain. It can be different from that of a fine branch. The difference in zigzag angle between the subdomains can be about 0.5 ° to about 5 °, more desirably about 2 ° to about 3 °. On the other hand, the zigzag angle of the fine branch 197 formed in one domain may be symmetrical to that of the fine branch formed in the other subdomain, unlike that of the fine branch formed in the same subdomain.

ドメインDgc1、Dgc2、Dgc3、及びDgc4間の対称性、各サブドメインGgc1、Ggc2〜Ggbc間の対称性、各ドメイン内のサブドメインGgc1、Ggc2〜Ggbcを構成する微細ブランチ197及び微細スリット199のそれぞれの幅Sgc1、Sgc2、及びWgc1とサブドメインGgc1、Ggc2〜Ggbcの周期性及び幅SWgc1とは、図17Bと関連して上述した説明と実質的に同様である。   Symmetry between domains Dgc1, Dgc2, Dgc3, and Dgc4, symmetry between subdomains Ggc1, Ggc2-Ggbc, subdomains Ggc1, Ggc2-Ggbc in each domain, fine branch 197 and fine slit 199, respectively The widths Sgc1, Sgc2, and Wgc1 and the periodicity and width SWgc1 of the subdomains Ggc1, Ggc2 to Ggbc are substantially the same as those described above with reference to FIG. 17B.

このように、ドメインの中で異なる2つのドメイン内の微細ブランチ197の主方向及びジグザグ角は、相互に異なって形成されるために画素電極構造の不規則性が大きくなり、それにより、回折された光の回折点は分散され、液晶表示装置の虹ムラは格段に減少することができる。本実施形態とは異なり、各ドメインの主方向θdgc1、θdgc2、θdgc3、及びθdgc4は、対称的に対をなすこともある。   As described above, the main direction and the zigzag angle of the micro branches 197 in two different domains in the domain are formed differently from each other, so that the irregularity of the pixel electrode structure is increased, thereby being diffracted. The diffraction points of the scattered light are dispersed, and the rainbow unevenness of the liquid crystal display device can be remarkably reduced. Unlike the present embodiment, the main directions θdgc1, θdgc2, θdgc3, and θdgc4 of each domain may be symmetrically paired.

図17Dに示す画素電極の平面図において、本発明の特徴に従ってサブドメインGgd1〜Ggdnを構成する微細ブランチSgd1、Sgd2、及びSgd3の形状と微細スリットWgd1、Wgd2、及びWgd3の形状との組合せを示す。画素電極は、4個のドメイン、すなわち、Dgd1、Dgd2、Dgd3、及びDgd4で構成される。ドメインDgd1、Dgd2、Dgd3、及びDgd4の各々は、周期的に反復されたサブドメインGgd1で構成される。また、各サブドメインGgd1〜Ggdnは、複数の微細ブランチSgd1、Sgd2、及びSgd3と微細スリットWgd1、Wgd2、Wgd3とで構成され、微細ブランチ197及び微細スリット199は、上述した組合せエンタシスA(図16Eを参照)又は組合せエンタシスB(図16Fを参照)とほぼ同一の形状を有する。   17D shows a combination of the shapes of the fine branches Sgd1, Sgd2, and Sgd3 constituting the subdomains Ggd1 to Ggdn and the shapes of the fine slits Wgd1, Wgd2, and Wgd3 in the plan view of the pixel electrode shown in FIG. 17D. . The pixel electrode is composed of four domains, that is, Dgd1, Dgd2, Dgd3, and Dgd4. Each of domains Dgd1, Dgd2, Dgd3, and Dgd4 is composed of a periodically repeated subdomain Ggd1. Each subdomain Ggd1 to Ggdn is composed of a plurality of micro branches Sgd1, Sgd2, and Sgd3 and micro slits Wgd1, Wgd2, and Wgd3. The micro branches 197 and micro slits 199 include the combination entasis A (FIG. 16E). Or combination entasis B (see FIG. 16F).

微細ブランチ197は、Sgd1、Sgd2、及びSgd3で構成されることができる。微細ブランチSgd1は、直線とジグザグとの組合せで形成された形状を有する。微細ブランチSgd2は、微細ブランチSgd1と対称である形状を有する。微細ブランチSgd3は、菱形又はダイアモンド接続形状である。   The micro branch 197 can be composed of Sgd1, Sgd2, and Sgd3. The fine branch Sgd1 has a shape formed by a combination of a straight line and a zigzag. The fine branch Sgd2 has a shape that is symmetrical to the fine branch Sgd1. The fine branch Sgd3 has a diamond shape or a diamond connection shape.

微細ブランチ197の形状は、微細スリット199に適用されることができる。微細スリット199は、Wgd1、Wgd2、及びWgd3で構成されることができる。微細スリットWgd1は、2つのジグザグの組合せにより形成された形状を有する。微細スリットWgd2は、直線と微細スリットWgd1のジグザグより小さいサイズを有するジグザグにより形成された形状を有する。微細スリットWgd3は、微細スリットWgd2と対称である形状を有する。サブドメインの幅SWgdは、約10μm〜約40μmであり得、微細ブランチSgd1、Sgd2、及びSgd3と微細スリットWgd1、Wgd2、及びWgd3との各幅は、約2μm〜10μmであり得る。微細スリット199の形状は、微細ブランチ197に適用されることができる。   The shape of the fine branch 197 can be applied to the fine slit 199. The fine slit 199 can be composed of Wgd1, Wgd2, and Wgd3. The fine slit Wgd1 has a shape formed by a combination of two zigzags. The fine slit Wgd2 has a shape formed by a zigzag having a straight line and a size smaller than the zigzag of the fine slit Wgd1. The fine slit Wgd3 has a shape that is symmetrical to the fine slit Wgd2. The width SWgd of the subdomain may be about 10 μm to about 40 μm, and the widths of the micro branches Sgd 1, Sgd 2, and Sgd 3 and the micro slits Wgd 1, Wgd 2, and Wgd 3 may be about 2 μm to 10 μm. The shape of the fine slit 199 can be applied to the fine branch 197.

4個のドメインDgd1、Dgd2、Dgd3、及びDgd4を構成する微細ブランチ197、微細スリット199、及び微細ブランチ197の主方向は、十字状ブランチ195に対して相互に対称的に形成されることができる。微細ブランチ197の主方向の中のいずれか1つの主方向角は、約30°〜約60°であり、より望ましくは、約45°であり得る。   The main directions of the micro branches 197, the micro slits 199, and the micro branches 197 constituting the four domains Dgd1, Dgd2, Dgd3, and Dgd4 can be formed symmetrically with respect to the cross-shaped branch 195. . The main direction angle of any one of the main directions of the micro branches 197 is about 30 ° to about 60 °, and more preferably about 45 °.

本発明の実施形態に従って、ドメイン内の微細スリット及び微細ブランチは、十字状ブランチ195に対して対称である説明がなされているが、ドメイン内の微細スリット及び微細ブランチは非対称的に形成され得、各ドメイン内で微細ブランチ197の主方向も非対称方向であり得る。このようにサブドメインを構成する微細ブランチ197の形状及び幅が様々であるために、画素電極構造の不規則性が大きくなることにより、回折された光の回折点は分散され、液晶表示装置の虹ムラは格段に減少することができる。   According to embodiments of the present invention, the micro slits and micro branches in the domain have been described as being symmetric with respect to the cross-shaped branch 195, but the micro slits and micro branches in the domain can be formed asymmetrically, Within each domain, the main direction of the fine branch 197 may also be asymmetric. As described above, since the shape and width of the fine branch 197 constituting the subdomain are various, the irregularity of the pixel electrode structure is increased, so that the diffraction points of the diffracted light are dispersed, and the liquid crystal display device Rainbow unevenness can be significantly reduced.

図17Eに示す画素電極の平面図において、本発明の特徴に従って4個のドメインDgd1、Dgd2、Dgd3、及びDgd4の各々で対角線で相互に異なる2個の方向を有する微細スリット199を含む。画素電極は、4個のドメインDge1、Dge2、Dge3、及びDge4で構成される。ドメインDge1は、サブドメインGge1及びGge2を含む。   In the plan view of the pixel electrode shown in FIG. 17E, each of the four domains Dgd1, Dgd2, Dgd3, and Dgd4 includes a fine slit 199 having two directions that are diagonally different from each other in accordance with the feature of the present invention. The pixel electrode is configured by four domains Dge1, Dge2, Dge3, and Dge4. Domain Dge1 includes subdomains Gge1 and Gge2.

サブドメインGge1は、幅がそれぞれSge1及びWge1である微細ブランチ197及び微細スリット199を有する。 サブドメインGge2は、幅がそれぞれSge2及びWge2である微細ブランチ197及び微細スリット199を有する。   The subdomain Gge1 has a micro branch 197 and a micro slit 199 whose widths are Sge1 and Wge1, respectively. The subdomain Gge2 has a micro branch 197 and a micro slit 199 whose widths are Sge2 and Wge2, respectively.

本発明の実施形態に従って、微細ブランチ幅Sge1とSge2とが異なり得、微細スリット幅Wge1とWge2とが異なり得る。例えば、微細ブランチ幅Sge2の値は、微細ブランチ幅Sge1の値より大きいことがあり、又は微細スリット幅Wge2の値は、微細スリット幅Wge1の値より大きいことがある。   According to the embodiment of the present invention, the fine branch widths Sge1 and Sge2 may be different, and the fine slit widths Wge1 and Wge2 may be different. For example, the value of the fine branch width Sge2 may be larger than the value of the fine branch width Sge1, or the value of the fine slit width Wge2 may be larger than the value of the fine slit width Wge1.

本発明の実施形態に従ってサブドメインGge1に形成された微細ブランチ幅Sge1と隣接した微細スリット幅Wge1との和は、サブドメインGge2に形成された微細ブランチ幅Sge2と隣接した微細スリット幅Wge2との和と異なり得る。例えば、サブドメインGge2に形成された微細ブランチ幅Sge2と隣接した微細スリット幅Wge2との和、例えば、約5.5μm〜約10μmであり、サブドメインGge1に形成された微細ブランチ幅Sge1と隣接した微細スリット199の幅Wge1との和、例えば、約4μm 〜約8μmより大きいことがある。   The sum of the fine branch width Sge1 formed in the subdomain Gge1 and the adjacent fine slit width Wge1 according to the embodiment of the present invention is the sum of the fine branch width Sge2 formed in the subdomain Gge2 and the adjacent fine slit width Wge2. And can be different. For example, the sum of the fine branch width Sge2 formed in the subdomain Gge2 and the adjacent fine slit width Wge2, for example, about 5.5 μm to about 10 μm and adjacent to the fine branch width Sge1 formed in the subdomain Gge1. The sum with the width Wge1 of the fine slit 199 may be larger than, for example, about 4 μm to about 8 μm.

サブドメインGge1とサブドメインGge2との間には、微細ブランチ197の幅又は微細スリット199の幅が徐々に変わる他のサブドメインがあり得る。サブドメインGge1及びGge2の各々は、主方向θdgeとは異なる2つの方向θge1及びθge2を有する微細ブランチ197を有する。すなわち、各サブドメインは、方向θge1の微細ブランチ197を含む領域と方向θge2の微細ブランチ197を含む他の領域とを有する。方向θge1及びθge2の微細ブランチと方向D1との間の角は、約40°〜約50°の範囲内のいずれかの値であることもあり、約30°〜約39°の範囲内のいずれかの値であることもあり、より望ましくは、約42°及び約37°であり得る。微細ブランチ197の主方向θdgeの主方向角は、約30°〜約60°の範囲内のいずれかの値であることもあり、より望ましくは、約45°であり得る。   There may be other subdomains in which the width of the fine branch 197 or the width of the fine slit 199 gradually changes between the subdomain Gge1 and the subdomain Gge2. Each of the subdomains Gge1 and Gge2 has a fine branch 197 having two directions θge1 and θge2 different from the main direction θdge. That is, each subdomain has a region including the fine branch 197 in the direction θge1 and another region including the fine branch 197 in the direction θge2. The angle between the fine branches in directions θge1 and θge2 and direction D1 can be any value in the range of about 40 ° to about 50 °, and any in the range of about 30 ° to about 39 °. And more desirably can be about 42 ° and about 37 °. The main direction angle of the main direction θdge of the fine branch 197 may be any value within the range of about 30 ° to about 60 °, and more preferably about 45 °.

ドメインDge2に示すように、微細ブランチ197が方向θge1 から方向θge2に変更される点を接続した線Ieは、楕円の弧又は直線であり得る。上述した微細ブランチ197の構造は、微細スリット199の構造にも適用されることができる。ドメインDge1に形成された構造は、他のドメインDge2、Dge3、Dge4に適用されることが可能であり、ドメインの各々に形成された画素電極の構造は、十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195vに対して対称であり得る。このように形成された画素電極は、液晶層内の電場強度を変化させることにより液晶表示装置の側面視認性を向上させることができる。また、画素電極構造の不規則性が大きくなることにより、外部光の回折点は分散され、液晶表示装置の虹ムラは格段に減少することができる。   As shown in the domain Dge2, the line Ie connecting the points where the micro branches 197 are changed from the direction θge1 to the direction θge2 can be an elliptical arc or a straight line. The structure of the fine branch 197 described above can also be applied to the structure of the fine slit 199. The structure formed in the domain Dge1 can be applied to the other domains Dge2, Dge3, and Dge4, and the structure of the pixel electrode formed in each of the domains is the horizontal portion 195a of the cross-shaped branch 195 or the vertical portion. The portion 195v may be symmetric. The pixel electrode thus formed can improve the side visibility of the liquid crystal display device by changing the electric field strength in the liquid crystal layer. In addition, since the irregularity of the pixel electrode structure increases, the diffraction points of the external light are dispersed, and the rainbow unevenness of the liquid crystal display device can be significantly reduced.

本発明の他の実施形態に従って、方向θge2を有する微細ブランチ197は、方向θge1を有する微細ブランチ197よりデータ配線に近く隣接し、データ線171と方向θge2との間の角は、データ線171と方向θge1との間の角より大きいことがある。このように、データ線171に隣接し、方向θge2の微細ブランチ197は、方向θge1の微細ブランチ197よりデータ線171にさらに垂直であるために、データ線171に隣接した液晶分子の主軸又は長軸は、十字状ブランチに隣接した液晶分子よりデータ線171に垂直方向に配列する。したがって、データ線171にほぼ垂直方向に配列された液晶分子の主軸又は長軸は、データ線171に垂直である方向に視認性を示す側面視認性を向上させることができる。また、方向θge1を有する微細ブランチ197は、方向θge2を有する微細ブランチ197よりデータ線171にさらに平行に配列されることにより、方向θge1を有する微細ブランチ197によりデータ線171に平行である方向に視認性を示す側面視認性を向上させることができる。このように、2個又はそれ以上の方向に配列された微細ブランチ197を有する画素電極は、液晶表示装置の側面視認性を向上させることができる。   According to another embodiment of the present invention, the micro branch 197 having the direction θge2 is closer to the data wiring than the micro branch 197 having the direction θge1 and the angle between the data line 171 and the direction θge2 is It may be larger than the angle between the direction θge1. Thus, since the fine branch 197 in the direction θge2 adjacent to the data line 171 is further perpendicular to the data line 171 than the fine branch 197 in the direction θge1, the main axis or long axis of the liquid crystal molecules adjacent to the data line 171 is used. Are arranged in the direction perpendicular to the data lines 171 from the liquid crystal molecules adjacent to the cross-shaped branch. Accordingly, the main axis or long axis of the liquid crystal molecules arranged in the direction substantially perpendicular to the data line 171 can improve the side visibility that shows the visibility in the direction perpendicular to the data line 171. Further, the fine branch 197 having the direction θge1 is arranged further in parallel to the data line 171 than the fine branch 197 having the direction θge2, so that the fine branch 197 having the direction θge1 is visually recognized in a direction parallel to the data line 171. It is possible to improve the side visibility showing the property. Thus, the pixel electrode having the micro branches 197 arranged in two or more directions can improve the side visibility of the liquid crystal display device.

図17F及び図17Gに示す微細ブランチ197及び微細スリット199は、直線(stripe)形状を有する。微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図3又は図5Aと関連して上述したものと同様であり得る。   The micro branch 197 and the micro slit 199 shown in FIGS. 17F and 17G have a stripe shape. The width S of the micro branch 197 and the width W of the micro slit 199 may be similar to those described above in connection with FIG. 3 or FIG. 5A.

図17Fに示す画素電極の平面図において、本発明の特徴に従って微細スリット199の幅が十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195vから画素電極の外側、すなわち、縦接続部193又は横接続部194に伸張する時に徐々に増加する。すなわち、微細スリット199が画素電極の外側に伸張するに従ってそれらの幅が徐々に大きくなる。   In the plan view of the pixel electrode shown in FIG. 17F, the width of the fine slit 199 varies from the horizontal portion 195a or the vertical portion 195v of the cross-shaped branch 195 to the outside of the pixel electrode, that is, the vertical connection portion 193 or the horizontal connection portion. Gradually increases when stretching to 194. That is, as the fine slits 199 extend outside the pixel electrodes, their widths gradually increase.

画素電極は、4個のドメインDgf1、Dgf2、Dgf3、及びDgf4で構成される。ドメインDgf1は、サブドメインGgf1とGgf2とを含む。サブドメインGgf1は、幅が伸張する方向に沿って変わる微細ブランチ幅Sgf1及び微細スリット幅Wgf1をそれぞれ有する微細ブランチ197及び微細スリット199を有する。   The pixel electrode is composed of four domains Dgf1, Dgf2, Dgf3, and Dgf4. Domain Dgf1 includes subdomains Ggf1 and Ggf2. The subdomain Ggf1 has a micro branch 197 and a micro slit 199 having a micro branch width Sgf1 and a micro slit width Wgf1 that change along the direction in which the width extends.

また、サブドメインGgf1は、主方向角θdgf1及びθdgf2を有する微細スリット199又は微細ブランチ197を有する。ここで、微細スリット又は微細ブランチの主方向角は、微細スリット又は微細ブランチの幅の中心点(central point)を接続した直線と偏光子の偏光軸又はD1間の角を意味する。サブドメインGgf1を構成する微細スリット199の幅Wgf1は、十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195vから画素電極の外側、すなわち、縦接続部193、横接続部194又は画素電極に伸張する時に徐々に大きくなる。微細ブランチ197の幅Sgf1は、十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195vから画素電極の縦接続部193、横接続部194、又は画素電極の外側に伸張する時に徐々に大きくなるか、又は一定であり得る。   The subdomain Ggf1 has a fine slit 199 or a fine branch 197 having main direction angles θdgf1 and θdgf2. Here, the main direction angle of the micro slit or micro branch means the angle between the straight line connecting the central points of the width of the micro slit or micro branch and the polarization axis or D1 of the polarizer. The width Wgf1 of the fine slit 199 constituting the subdomain Ggf1 is extended from the horizontal part 195a or the vertical part 195v of the cross-shaped branch 195 to the outside of the pixel electrode, that is, the vertical connection part 193, the horizontal connection part 194 or the pixel electrode. Gradually grows. The width Sgf1 of the fine branch 197 gradually increases when extending from the horizontal portion 195a or the vertical portion 195v of the cross-shaped branch 195 to the vertical connection portion 193, the horizontal connection portion 194, or the outside of the pixel electrode, or Can be constant.

本発明の他の実施形態に従って、サブドメインGgf1に示す微細スリット199の主方向θdgf1及びθdgf2は、相互に異なることがある。サブドメインGgf1において、サブドメインGgf2に隣接した微細スリット199の主方向θdgf1に対する主方向角は、サブドメインGgf2内の他の微細スリット199の主方向θdgf2に対する主方向角より小さいことがあり、微細スリット199の主方向角は、主方向角θdgf1から主方向角θdgf2まで徐々に増加することができる。本発明の実施形態に従って、微細スリット199の主方向θdgf1及びθdgf2に対する主方向角は、約30°〜約55°であり得る。微細ブランチ197の主方向角は、微細スリット199の主方向角と実質的に同様である。   According to another embodiment of the present invention, the main directions θdgf1 and θdgf2 of the fine slit 199 shown in the subdomain Ggf1 may be different from each other. In the subdomain Ggf1, the main direction angle with respect to the main direction θdgf1 of the fine slit 199 adjacent to the subdomain Ggf2 may be smaller than the main direction angle with respect to the main direction θdgf2 of the other fine slit 199 in the subdomain Ggf2. The main direction angle of 199 can be gradually increased from the main direction angle θdgf1 to the main direction angle θdgf2. According to the embodiment of the present invention, the main direction angle of the micro slit 199 with respect to the main directions θdgf1 and θdgf2 may be about 30 ° to about 55 °. The main direction angle of the fine branch 197 is substantially the same as the main direction angle of the fine slit 199.

サブドメインGgf1に示す微細スリット199の主方向θdgf1及びθdgf2に対する主方向角の中のいずれか1つは、サブドメインGgf2に示す微細スリット199の主方向角より大きいことがあり得る。サブドメインGgf2は、伸張する方向に沿って幅がそれぞれ一定の微細ブランチ幅Sgf2及び微細スリット幅Wgf2を有する微細ブランチ197と微細スリット199とを有する。微細ブランチ幅Sgf2と微細スリット幅Wgf2との値は、実質的に同一であり得る。他方、液晶層に印加される電場の強度を調節するためには、微細ブランチ幅Sgf2と微細スリット幅Wgf2とを異ならせることもある。サブドメインGgf2に示す微細スリット199又は微細ブランチ197の主方向は、実質的に同様である。ドメインDgf1に形成された画素電極の構造は、他のドメインDgf2、Dgf3、Dgf4にも適用されることが可能であり、各ドメインに形成された画素電極の構造は、十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195vに対して対称であり得る。このように形成された微細ブランチ197と微細スリット199とを含む画素電極は、サブドメインに従って液晶層に形成された電場の強度を調節するために、液晶表示装置の側面視認性を向上させるか、又は液晶表示装置の虹ムラを格段に減少させることができる。   Any one of the main direction angles with respect to the main directions θdgf1 and θdgf2 of the fine slit 199 shown in the subdomain Ggf1 may be larger than the main direction angle of the fine slit 199 shown in the subdomain Ggf2. The subdomain Ggf2 has a fine branch 197 and a fine slit 199 each having a fine branch width Sgf2 and a fine slit width Wgf2 that are constant in width along the extending direction. The values of the fine branch width Sgf2 and the fine slit width Wgf2 may be substantially the same. On the other hand, in order to adjust the intensity of the electric field applied to the liquid crystal layer, the fine branch width Sgf2 and the fine slit width Wgf2 may be made different. The main direction of the fine slit 199 or the fine branch 197 shown in the subdomain Ggf2 is substantially the same. The structure of the pixel electrode formed in the domain Dgf1 can be applied to the other domains Dgf2, Dgf3, and Dgf4. It can be symmetric with respect to 195a or the longitudinal portion 195v. The pixel electrode including the micro branch 197 and the micro slit 199 formed in this manner improves the side visibility of the liquid crystal display device in order to adjust the strength of the electric field formed in the liquid crystal layer according to the subdomain. Or the rainbow nonuniformity of a liquid crystal display device can be reduced significantly.

図17Gに示す画素電極の平面図において、本発明の特徴に従って、2個又はそれ以上の幅を不連続的に有する複数の微細ブランチ197と複数の微細スリット199とを有する。図17Gに示す画素電極は、4個のドメインDgg1、Dgg2、Dgg3、及びDgg4で構成される。   The plan view of the pixel electrode shown in FIG. 17G has a plurality of micro branches 197 and a plurality of micro slits 199 having two or more widths discontinuously according to the feature of the present invention. The pixel electrode illustrated in FIG. 17G includes four domains Dgg1, Dgg2, Dgg3, and Dgg4.

ドメインDgg1は、階段形状(stair shape)の微細ブランチ197と微細スリット199とを有する。言い換えれば、微細ブランチ197及び微細スリット199は、不連続的でありかつ様々な幅を有する。図面に示すように、各微細ブランチ197は、Sgg1、Sgg2、及びSgg3の幅を有し、各微細ブランチ197の幅は、十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195vから画素電極の外側に伸張する時に、幅Sgg1、Sgg2、及びSgg3の順に不連続的に増加することができる。微細ブランチ幅Sgg1、Sgg2、及びSgg3の各々は、約2.0μm〜約6μm範囲のいずれか1つの値であり得る。本発明の実施形態に従って、微細ブランチ幅Sgg1、Sgg2、及びSgg3は、それぞれ約1.8μm、約3.2μm、及び約4.5μmであり得る。   The domain Dgg1 has a fine branch 197 and a fine slit 199 having a stair shape. In other words, the micro branches 197 and the micro slits 199 are discontinuous and have various widths. As shown in the drawing, each fine branch 197 has a width of Sgg1, Sgg2, and Sgg3, and the width of each fine branch 197 extends from the horizontal portion 195a or the vertical portion 195v of the cross-shaped branch 195 to the outside of the pixel electrode. When stretching, the widths Sgg1, Sgg2 and Sgg3 can increase discontinuously. Each of the fine branch widths Sgg1, Sgg2, and Sgg3 may have any one value in the range of about 2.0 μm to about 6 μm. According to embodiments of the present invention, the fine branch widths Sgg1, Sgg2, and Sgg3 may be about 1.8 μm, about 3.2 μm, and about 4.5 μm, respectively.

微細ブランチ幅Sgg1、Sgg2、及びSgg3に隣接した微細スリット幅は、Wgg1、Wgg2、及びWgg3をそれぞれ有することができる。微細スリット幅Wgg1、Wgg2、及びWgg3の各々は、約2.0μm〜約6μmの範囲内のいずれか1つの値であり得る。本発明の実施形態に従って、微細スリット幅Wgg1、Wgg2、及びWgg3は、それぞれ約4.5μm、約3.2μm、及び約1.8μmであり得る。隣接した微細ブランチ−微細スリット対の各々で、微細ブランチ幅と微細スリット幅との和は、2個以上の値を有することができる。   The fine slit widths adjacent to the fine branch widths Sgg1, Sgg2, and Sgg3 may have Wgg1, Wgg2, and Wgg3, respectively. Each of the fine slit widths Wgg1, Wgg2, and Wgg3 may be any one value within a range of about 2.0 μm to about 6 μm. According to an embodiment of the present invention, the fine slit widths Wgg1, Wgg2, and Wgg3 may be about 4.5 μm, about 3.2 μm, and about 1.8 μm, respectively. In each of adjacent micro branch-micro slit pairs, the sum of the micro branch width and the micro slit width can have two or more values.

本発明の実施形態に従って、ドメインに対角して位置した少なくとも1つの微細ブランチ197について、微細ブランチ幅Sgg1、Sgg2、Sgg3、Sgg2、及びSgg1は、十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195v、又は画素電極の中心部から画素電極の外側に伸張する時に 不連続的に増加し減少することができる。本発明の実施形態に従って、少なくとも1つの微細ブランチ197が十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195vからドメインの中央部に伸張する時に不連続的な幅が増加し、ドメインの中央部から画素電極の縦接続部193、横接続部194、又は画素電極の外側に伸張する時に不連続的な幅が減少することができる。   In accordance with an embodiment of the present invention, for at least one fine branch 197 located diagonally to the domain, the fine branch widths Sgg1, Sgg2, Sgg3, Sgg2, and Sgg1 are the horizontal portion 195a or vertical portion 195v of the cross-shaped branch 195. Alternatively, when the pixel electrode extends from the center of the pixel electrode to the outside of the pixel electrode, it can increase and decrease discontinuously. In accordance with an embodiment of the present invention, the discontinuous width increases when at least one fine branch 197 extends from the lateral portion 195a or longitudinal portion 195v of the cross-shaped branch 195 to the central portion of the domain, and the pixel from the central portion of the domain is increased. The discontinuous width can be reduced when extending outside the vertical connection 193, the horizontal connection 194, or the pixel electrode of the electrode.

また、他の微細ブランチ197が十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195vから外側に伸張する時に、不連続的な微細ブランチ幅が増加し、他の微細ブランチが十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195vから外側に伸張する時に不連続的な微細ブランチ幅が減少する。   Further, when the other fine branch 197 extends outward from the horizontal portion 195a or the vertical portion 195v of the cross-shaped branch 195, the discontinuous fine branch width increases, and the other fine branch becomes the horizontal portion of the cross-shaped branch 195. When extending outward from 195a or vertical portion 195v, the discontinuous fine branch width decreases.

ドメインDgg1を構成するサブドメインGgg1内の微細ブランチ197は、同一の微細ブランチ幅Sgg1であり得る。サブドメインGgg1は、画素電極の縦接続部193、横接続部194、又は画素電極の外側に隣接する部分に形成されることができる。ドメインDgg1に形成された微細ブランチ197又は微細スリット199のそれぞれの主方向は、微細ブランチ197又は微細スリット199の幅の中心点を接続した直線の方向であり、微細ブランチ又は微細スリットの主方向は、相互に平行である。ドメインDgg1に形成された画素電極構造は、他のドメインDgg2、Dgg3、及びDgg4に適用されることもあり、各ドメインに形成された画素電極構造は、十字状ブランチ195の横部195a又は縦部195vに対して対称であり得る。このように形成された微細ブランチ197及び微細スリット199を含む画素電極は、液晶層の液晶分子を様々な角度で傾斜するようにするために、液晶表示装置の側面視認性を向上させるか又は液晶表示装置の虹ムラを格段に減少させることができる。   The fine branches 197 in the subdomain Ggg1 constituting the domain Dgg1 may have the same fine branch width Sgg1. The subdomain Ggg1 can be formed in a vertical connection portion 193, a horizontal connection portion 194, or a portion adjacent to the outside of the pixel electrode. The main direction of each micro branch 197 or micro slit 199 formed in the domain Dgg1 is a direction of a straight line connecting the center points of the width of the micro branch 197 or micro slit 199, and the main direction of the micro branch or micro slit is Are parallel to each other. The pixel electrode structure formed in the domain Dgg1 may be applied to the other domains Dgg2, Dgg3, and Dgg4. The pixel electrode structure formed in each domain may include the horizontal portion 195a or the vertical portion of the cross-shaped branch 195. It can be symmetric with respect to 195v. The pixel electrode including the micro branches 197 and the micro slits 199 formed as described above improves the side visibility of the liquid crystal display device or the liquid crystal in order to tilt the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer at various angles. The rainbow unevenness of the display device can be remarkably reduced.

他の実施形態に従う画素電極は、少なくとも1つの‘V’字状のノッチ(notch)を有し得る。言い換えれば、‘V’字状のノッチは、微細ブランチ197又は十字状ブランチ部195の電極上に凹状又は凸状で形成され得る。ノッチが画素電極に形成される場合、液晶表示装置の応答速度が大きくなり、輝度が増加する。   The pixel electrode according to another embodiment may have at least one 'V' shaped notch. In other words, the 'V'-shaped notch may be formed in a concave shape or a convex shape on the electrode of the fine branch 197 or the cross-shaped branch portion 195. When the notch is formed in the pixel electrode, the response speed of the liquid crystal display device is increased and the luminance is increased.

図3を参照すると、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、それぞれ左側及び右側に縦接続部193h及び193lを有する。縦接続部193h及び193lは、データ線171と副画素電極191h及び191lとの間で発生する寄生容量結合(capacitive coupling)を遮断する。図4B及び図4Cを参照すると、隣接する画素において、第1の副画素電極191hの縦接続部193hは、保持電極線縦部128をOLL1及びOLR1だけそれぞれ重なるようにする。OLL1及びOLR1は、それぞれ約0.5〜3μmから選択された値であり得る。隣接する画素において、第2の副画素電極191lの縦接続部193lは、保持電極線縦部128をOLL2及びOLR2だけそれぞれ重なるようにする。OLL2及びOLR2は、それぞれ約1〜3μmから選択された値であり得る。第2の副画素電極191lに形成された第2の液晶蓄電器Clclの変動を減らすために、OLL2及びOLR2は、それぞれOLL1及びOLR1より大きいか又は同一であり得る。上部表示板200に形成された遮光部材220は、第1の副画素電極191hの領域に形成された保持電極線縦部128をOBL1及びOBR1だけ重なるようにする。OBL1及びOBR1は、それぞれ約0.5〜3μmであり得る。また、上部表示板200上に形成された遮光部材220は、第2の副画素電極191lの領域内に形成された保持電極線縦部128をOBL2及びOBR2だけ重なるようにする。OBL2及びOBR2は、それぞれ約0.5〜3μmであり得る。液晶表示装置の光漏れは、OBL1、OBR1、OBL2、及びOBR2の値を工程条件及びセルギャップのサイズとマッチングすることにより改善することができる。   Referring to FIG. 3, the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l have vertical connection portions 193h and 193l on the left side and the right side, respectively. The vertical connection portions 193h and 193l block parasitic capacitive coupling generated between the data line 171 and the sub-pixel electrodes 191h and 191l. 4B and 4C, in adjacent pixels, the vertical connection portion 193h of the first subpixel electrode 191h overlaps the storage electrode line vertical portion 128 by OLL1 and OLR1, respectively. OLL1 and OLR1 may each be a value selected from about 0.5-3 μm. In adjacent pixels, the vertical connection portion 193l of the second subpixel electrode 191l overlaps the storage electrode line vertical portion 128 by OLL2 and OLR2, respectively. OLL2 and OLR2 can each be a value selected from about 1-3 μm. In order to reduce the variation of the second liquid crystal capacitor Clcl formed on the second subpixel electrode 1911, OLL2 and OLR2 may be greater than or equal to OLL1 and OLR1, respectively. The light blocking member 220 formed on the upper display panel 200 overlaps the holding electrode line vertical portion 128 formed in the region of the first subpixel electrode 191h by OBL1 and OBR1. OBL1 and OBR1 can each be about 0.5-3 μm. Further, the light shielding member 220 formed on the upper display panel 200 overlaps the holding electrode line vertical portion 128 formed in the region of the second subpixel electrode 191l by OBL2 and OBR2. OBL2 and OBR2 can each be about 0.5-3 μm. The light leakage of the liquid crystal display device can be improved by matching the values of OBL1, OBR1, OBL2, and OBR2 with the process conditions and the size of the cell gap.

微細ブランチ及び微細スリットの幅及び分布
液晶表示装置の透過率及び側面視認性を向上させ、虹ムラの発生を減少させるために、液晶層3の厚さ、液晶分子31の種類、最大データ電圧、及び第1の副画素電極と第2の副画素電極との電圧比及び面積比のようなパラメータに従って微細ブランチ197の幅Sと微細スリット199の幅W(図5Aに示す)とは、様々な形態で決定されなければならない。
In order to improve the transmittance and side visibility of the liquid crystal display device and reduce the occurrence of rainbow unevenness, the thickness of the liquid crystal layer 3, the type of liquid crystal molecules 31, the maximum data voltage, The width S of the fine branch 197 and the width W of the fine slit 199 (shown in FIG. 5A) vary according to parameters such as the voltage ratio and area ratio between the first subpixel electrode and the second subpixel electrode. Must be determined by form.

本発明による微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、それぞれ約2μm〜6μmであり、より望ましくは、約2.5μm〜4μmである。本発明の他の実施形態に従って、微細ブランチ197の面積が微細スリット199の面積より大きい場合に、画素電極と共通電極間の電場が大きくなるために液晶表示装置の応答速度及び透過率を増加させることができる。したがって、微細ブランチ幅Sは、この数値に限定されないこともある。   The width S of the micro branch 197 and the width W of the micro slit 199 according to the present invention are each about 2 μm to 6 μm, and more preferably about 2.5 μm to 4 μm. According to another embodiment of the present invention, when the area of the micro branch 197 is larger than the area of the micro slit 199, the electric field between the pixel electrode and the common electrode is increased, thereby increasing the response speed and transmittance of the liquid crystal display device. be able to. Therefore, the fine branch width S may not be limited to this value.

図3を参照すると、第1の画素電極191hでSとWとが一定であり、第2の画素電極191lの各ドメインは、S及びWに従って第1の領域HA、第2の領域LA、及び第3の領域MAを有する。   Referring to FIG. 3, S and W are constant in the first pixel electrode 191h, and each domain of the second pixel electrode 191l has a first area HA, a second area LA, and S and W according to S and W. It has the 3rd field MA.

第1の領域HAにおいて、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、それぞれS1及びW1で定義され、S1及びW1は、同一である。第2の領域LAにおいて、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、それぞれS2及びW2であり、W2は、S2より大きい。第3の領域MAにおいて、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、それぞれS3及びW3であり、S3は同一であるが、W3は、徐々に変わる。第3の領域MAにおいて、W3のサイズは、第1の領域HAから第2の領域LAに近接するほど順次に大きくなる。   In the first region HA, the width S of the fine branch 197 and the width W of the fine slit 199 are defined by S1 and W1, respectively, and S1 and W1 are the same. In the second region LA, the width S of the fine branch 197 and the width W of the fine slit 199 are S2 and W2, respectively, and W2 is larger than S2. In the third region MA, the width S of the fine branch 197 and the width W of the fine slit 199 are S3 and W3, respectively, and S3 is the same, but W3 gradually changes. In the third area MA, the size of W3 increases sequentially from the first area HA to the second area LA.

望ましい実施形態による第1の画素電極191hのS及びWは、それぞれ約3μm及び約3μmであり、第2の画素電極191lのS1及びW1、S2及びW2、S3及びW3は、それぞれ約3μm及び約3μm、約3μm及び約4μm、約3μm及び約3〜4μmである。微細スリット199lの幅W3が徐々に変化するサイズは、約0.15〜0.5μm、望ましくは、約0.2μmである。他方、第3の領域MAのS3及びW3の各々は、徐々に変化し得、第2の領域LAのS2及びW2は、それぞれ第1の領域HAのS1及びW1より大きいこともある。   S and W of the first pixel electrode 191h according to a preferred embodiment are about 3 μm and about 3 μm, respectively, and S1 and W1, S2 and W2, and S3 and W3 of the second pixel electrode 191l are about 3 μm and about 3 μm, respectively. 3 μm, about 3 μm and about 4 μm, about 3 μm and about 3 to 4 μm. The size in which the width W3 of the fine slit 199l gradually changes is about 0.15 to 0.5 μm, preferably about 0.2 μm. On the other hand, each of S3 and W3 of the third area MA may change gradually, and S2 and W2 of the second area LA may be larger than S1 and W1 of the first area HA, respectively.

第2の副画素電極191lの各ドメインに形成された第1の領域HAの面積は、第2の領域LAの面積より大きい。本発明の実施形態に従って、各ドメイン、各副画素、又は、画素内で全領域の面積、すなわち、HA領域とLA領域とMA領域とを合わせた面積について、第1の領域HAの面積は、約50〜80%であり、より望ましくは、約60〜70%であり、第2の領域LAと第3の領域MAとの面積の和は、約20〜50%であり、より望ましくは、約30〜40%である。第1の領域HA、第2の領域LA、及び第3の領域MAの面積は、ドメイン別に異なる分布サイズを有することができる。第1の領域HA、第2の領域LA、及び第3の領域MAは、十字状ブランチ部195h及び195lのそれぞれの横ブランチ部及び縦ブランチ部の中の少なくとも1つについて対称的に形成されることができる。他の実施形態において、第1の領域HA、第2の領域LA、及び第3の領域MAは、第1の副画素電極191hに形成されることもある。   The area of the first region HA formed in each domain of the second subpixel electrode 191l is larger than the area of the second region LA. According to the embodiment of the present invention, for each domain, each sub-pixel, or the area of the entire region in the pixel, that is, the total area of the HA region, the LA region, and the MA region, the area of the first region HA is About 50 to 80%, more preferably about 60 to 70%, and the sum of the areas of the second region LA and the third region MA is about 20 to 50%, more preferably, About 30-40%. The areas of the first region HA, the second region LA, and the third region MA may have different distribution sizes for each domain. The first region HA, the second region LA, and the third region MA are formed symmetrically with respect to at least one of the horizontal branch portions and the vertical branch portions of the cross-shaped branch portions 195h and 195l. be able to. In other embodiments, the first region HA, the second region LA, and the third region MA may be formed in the first subpixel electrode 191h.

微細ブランチの方向
液晶層3に形成された電場により液晶分子31の長軸が微細ブランチ197h及び197lに平行である方向に傾斜するために、偏光子の偏光軸について約45°の方向に伸張する微細ブランチ197h及び197lを有する液晶表示装置は、最大透過率を有する。したがって、各副画素電極191h及び191lの微細ブランチ197h及び197lの方向に基づいて、各副画素190h及び190lの領域を通過する光の透過率の変更に基づいて液晶表示装置の輝度及び側面視認性が変わり得る。
The direction of the fine branch The long axis of the liquid crystal molecules 31 is tilted in the direction parallel to the fine branches 197h and 197l by the electric field formed in the liquid crystal layer 3, so that it extends in the direction of about 45 ° with respect to the polarization axis of the polarizer. The liquid crystal display device having the fine branches 197h and 197l has the maximum transmittance. Therefore, based on the direction of the micro branches 197h and 197l of the subpixel electrodes 191h and 191l, the luminance and side visibility of the liquid crystal display device are changed based on the change in the transmittance of light passing through the regions of the subpixels 190h and 190l. Can change.

各ドメインにおいて、微細ブランチ197及び微細スリット199の方向は、第1の方向D1及び第2の方向D2の中の少なくとも1つの方向について約0°〜45°であり、より望ましくは、約30°〜45°であり得る。第1の方向D1及び第2の方向D2は、下部表示板100又は上部表示板200に取り付けられた偏光子の偏光軸方向であり得る。   In each domain, the direction of the micro branch 197 and the micro slit 199 is about 0 ° to 45 ° with respect to at least one of the first direction D1 and the second direction D2, more preferably about 30 °. It can be ˜45 °. The first direction D <b> 1 and the second direction D <b> 2 may be a polarization axis direction of a polarizer attached to the lower display panel 100 or the upper display panel 200.

図3を参照すると、微細ブランチ197は、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lで偏光子の偏光軸についてそれぞれθ1及びθ2の方向に形成され、θ1とθ2とは20°の範囲内で差があり、θ1及びθ2は実質的に30°〜60°の範囲内の角度である。例えば、θ1及びθ2は、それぞれ約40°及び約45°である。微細ブランチ197h及び197lの方向は、十字状ブランチ195の横部195a、縦部195v、又はゲート線121の方向について約30°〜45°であり得る。ゲート線121の方向は、画素電極を構成する第1の副画素電極191hと第2の副画素電極191l間を通過する仮想線の方向であり得る。図5Bに示すピーク点PK1、PK2の周期を有するジグザグ形状の微細ブランチ197である場合に、ピーク点PK1とPK2とを接続する線が伸張する方向が微細ブランチ197の主方向である。微細ブランチ197h及び197lの方向は、ドメイン、画素、又は副画素電極191h及び191lに従って異なって決定され得る。   Referring to FIG. 3, the micro branch 197 is formed by the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l in the directions of θ1 and θ2, respectively, with respect to the polarization axis of the polarizer, and θ1 and θ2 are 20 °. And θ1 and θ2 are substantially angles within a range of 30 ° to 60 °. For example, θ1 and θ2 are about 40 ° and about 45 °, respectively. The direction of the micro branches 197 h and 197 l may be about 30 ° to 45 ° with respect to the direction of the horizontal portion 195 a, the vertical portion 195 v of the cross-shaped branch 195, or the gate line 121. The direction of the gate line 121 may be the direction of a virtual line passing between the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l constituting the pixel electrode. In the zigzag fine branch 197 having the period of the peak points PK1 and PK2 shown in FIG. 5B, the direction in which the line connecting the peak points PK1 and PK2 extends is the main direction of the fine branch 197. The direction of the micro branches 197h and 197l may be determined differently according to the domain, pixel, or sub-pixel electrodes 191h and 191l.

実施形態2
以下、図18〜図21Bを参照して本発明の他の実施形態による液晶表示板アセンブリ300を詳細に説明する。液晶表示板アセンブリ300は、本発明の特徴に従って図18〜図21Bに示す画素電極層のパターンを有することにより液晶表示装置の視認性を向上させ、ムラ及び不良を減少させることができる。
Embodiment 2
Hereinafter, a liquid crystal panel assembly 300 according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 18 to 21B. The liquid crystal panel assembly 300 has the pixel electrode layer patterns shown in FIGS. 18 to 21B according to the characteristics of the present invention, thereby improving the visibility of the liquid crystal display device and reducing unevenness and defects.

図18は、本発明の実施形態による液晶表示板アセンブリ300を構成する単位画素の概略的な配置図である。図19Aは、図18に示す画素配置の中間部分A19を拡大した図である。   FIG. 18 is a schematic layout view of unit pixels constituting the liquid crystal panel assembly 300 according to an embodiment of the present invention. FIG. 19A is an enlarged view of the middle portion A19 of the pixel arrangement shown in FIG.

図20A〜図20Dは、それぞれ図18に示す画素構造を構成する主要層に対するパターンを示し、図20Aは、ゲート層導電体のパターンを示し、図20Bは、データ層導電体のパターンを示し、図20Cは、画素電極層のパターンを示す。図20Dは、図18に示す画素電極層のパターンに対する他の実施形態を示す。したがって、図20A〜図20Dに示すゲート層導電体、データ層導電体、及び画素電極層のパターンは、それぞれ図18に示すように対応する層と同一であることが理解されなければならない。   20A to 20D each show a pattern for a main layer constituting the pixel structure shown in FIG. 18, FIG. 20A shows a pattern of a gate layer conductor, FIG. 20B shows a pattern of a data layer conductor, FIG. 20C shows a pattern of the pixel electrode layer. FIG. 20D shows another embodiment for the pattern of the pixel electrode layer shown in FIG. Accordingly, it should be understood that the patterns of the gate layer conductor, the data layer conductor, and the pixel electrode layer shown in FIGS. 20A to 20D are the same as the corresponding layers as shown in FIG.

図21A〜図21Bは、それぞれ図18に示す画素配置の線21a−21a’及び線21b−21b’に沿って切断された断面図である。図21A及び図21Bに示す断面図は、図18で省略した複数の他の層のパターンを追加で示す。図21A及び図21Bに示す液晶表示板アセンブリ300の断面図について、方向21a’及び方向21b’の断面図は、図18に示す単位画素が行及び列のマトリックス形態で反復して配置される時に、図18に示す切断線に沿って形成された断面図である。   21A to 21B are cross-sectional views taken along lines 21a-21a 'and 21b-21b' of the pixel arrangement shown in FIG. The cross-sectional views shown in FIGS. 21A and 21B additionally show patterns of other layers omitted in FIG. 21A and 21B, the cross-sectional views of the direction 21a ′ and the direction 21b ′ are shown when the unit pixels shown in FIG. 18 are repeatedly arranged in a matrix form of rows and columns. FIG. 19 is a cross-sectional view formed along the cutting line shown in FIG. 18.

図18〜図21Bに示す画素の構造は、図3〜図4Cと関連して上述した説明と同様であるため、説明の便宜上、重複した詳細な説明は省略する。また、図18に示す画素構造の参照符号は、複雑性を避けるために図18及び図19A〜図20Dに分散して記載する。   The structure of the pixel shown in FIGS. 18 to 21B is the same as that described above with reference to FIGS. 3 to 4C, and therefore, detailed description thereof is omitted for convenience of description. Further, the reference numerals of the pixel structure shown in FIG. 18 are distributed and described in FIGS. 18 and 19A to 20D in order to avoid complexity.

上述したように、液晶表示板アセンブリ300は、下部表示板100、上部表示板200、これらの表示板間の液晶層3及びこの表示板の外側又は内側に位置した偏光子を含む。以下、液晶表示板アセンブリ300の下部表示板100及び上部表示板200の積層構造について詳細に説明する。   As described above, the liquid crystal display panel assembly 300 includes the lower display panel 100, the upper display panel 200, the liquid crystal layer 3 between the display panels, and the polarizer located outside or inside the display panel. Hereinafter, a laminated structure of the lower display panel 100 and the upper display panel 200 of the liquid crystal display panel assembly 300 will be described in detail.

1)積層構造
上部表示板200は、図21A及び図21Bに示すように、上部基板210上に遮光部材220、蓋膜225、共通電極270、スペーサ250、及び上板配向膜292の順に積層された構造を有する。遮光部材220、蓋膜225、共通電極270、スペーサ250、及び上板配向膜292は、図4A乃至図4Cと関連して説明した製造方法及び材料により形成されることができる。遮光部材220は、データ線171と重なり得る。遮光部材220の幅は、データ線171の幅とほぼ同一であるか又は約0.5μm〜2μmだけ大きいこともある。
1) Laminated Structure The upper display panel 200 is laminated on the upper substrate 210 in the order of a light shielding member 220, a cover film 225, a common electrode 270, a spacer 250, and an upper plate alignment film 292, as shown in FIGS. 21A and 21B. Have a structure. The light shielding member 220, the cover film 225, the common electrode 270, the spacer 250, and the upper plate alignment film 292 can be formed by the manufacturing method and material described in connection with FIGS. 4A to 4C. The light blocking member 220 can overlap the data line 171. The width of the light blocking member 220 may be substantially the same as the width of the data line 171 or may be larger by about 0.5 μm to 2 μm.

本発明の他の実施形態に従って、遮光部材220は、上部表示板200に形成されず、図22A及び図22Bに示すように、下部表示板100のカラーフィルター230の層と第2の保護膜182の層との間に形成されることができる。また、本発明の他の実施形態に従って上部表示板200の製造工程を単純化するために、上部表示板200は、蓋膜225を有しないこともある。本発明の実施形態に従って、スペーサ250の高さを減少させ、セルギャップを均一にするために、スペーサ250は、遮光部材220、薄膜トランジスタ(TFT)、後述するガス出口カラーフィルターホール235又はガス出口ホールカバー187と重なるように上部表示板200又は下部表示板100上に形成されることができる。   According to another embodiment of the present invention, the light blocking member 220 is not formed on the upper display panel 200, but the color filter 230 layer and the second protective film 182 of the lower display panel 100, as shown in FIGS. 22A and 22B. Between the first layer and the second layer. In order to simplify the manufacturing process of the upper display panel 200 according to another embodiment of the present invention, the upper display panel 200 may not have the cover film 225. In order to reduce the height of the spacer 250 and make the cell gap uniform according to the embodiment of the present invention, the spacer 250 includes a light blocking member 220, a thin film transistor (TFT), a gas outlet color filter hole 235, or a gas outlet hole described below. It may be formed on the upper display panel 200 or the lower display panel 100 so as to overlap the cover 187.

図18乃至図21Bに示す下部表示板100は、下部基板110、ゲート層導電体121、123、124h、124l、124c、125、126、127、128、ゲート絶縁膜140、線形半導体154h、154l、154c、線形抵抗性接触部材165、データ層導電体171、173h、173l、173c、175h、175l、175c、177c、第1の保護膜181、カラーフィルター230、第2の保護膜182、画素電極層187、189、191h、191l、192h、192l、193h、193l、194h、194l、195h、195l、196、197h、197l、198h、198l、713h、713l、715h、715l、717h、717l及び下板配向膜291の順に積層された構造を有することができる。これらは、図4A乃至図4Cと関連して説明した製造方法及び材料により形成されることができる。   The lower display panel 100 shown in FIGS. 18 to 21B includes a lower substrate 110, gate layer conductors 121, 123, 124h, 124l, 124c, 125, 126, 127, 128, a gate insulating film 140, linear semiconductors 154h, 154l, 154c, linear resistive contact member 165, data layer conductors 171, 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c, 177c, first protective film 181, color filter 230, second protective film 182, pixel electrode layer 187, 189, 191h, 191l, 192h, 192l, 193h, 193l, 194h, 194l, 195h, 195l, 196, 197h, 197l, 198h, 198l, 713h, 713l, 715h, 715l, 717h, 717l and lower plate alignment film Structures laminated in the order of 291 It can have. These can be formed by the manufacturing methods and materials described in connection with FIGS. 4A-4C.

ゲート層導電体は、下部基板110上に形成され、パターニングされる。ゲート層導電体は、複数のゲート線121、複数の降圧ゲート線123、複数のゲート電極124、複数の保持電極線125、複数の保持電極線拡張部126、保持電極線横部127、及び保持電極線縦部128を含むことができる。ゲート層導電体を構成する構成要素は、上述した材料で形成されることができる。ゲート絶縁膜140は、ゲート層導電体上に形成され、パターニングされる。ゲート絶縁膜140は、上述した材料及び構造で形成されることができる。   A gate layer conductor is formed on the lower substrate 110 and patterned. The gate layer conductor includes a plurality of gate lines 121, a plurality of step-down gate lines 123, a plurality of gate electrodes 124, a plurality of storage electrode lines 125, a plurality of storage electrode line extensions 126, a storage electrode line lateral portion 127, and a storage An electrode line vertical portion 128 may be included. The components constituting the gate layer conductor can be formed of the materials described above. The gate insulating film 140 is formed on the gate layer conductor and patterned. The gate insulating layer 140 may be formed using the materials and structures described above.

線形半導体154は、ゲート絶縁膜140上に形成され、パターニングされる。線形半導体154は、第1の線形半導体154h、第2の線形半導体154l、及び第3の線形半導体154cを有する。線形半導体154は、上述したように、ゲート電極124上で相互に分離されることができる。また、線形半導体154は、上述した構造で上述した材料で形成されることができる。   The linear semiconductor 154 is formed on the gate insulating film 140 and patterned. The linear semiconductor 154 includes a first linear semiconductor 154h, a second linear semiconductor 154l, and a third linear semiconductor 154c. The linear semiconductors 154 can be separated from each other on the gate electrode 124 as described above. Further, the linear semiconductor 154 can be formed of the above-described material with the above-described structure.

線形抵抗性接触部材165は、線形半導体154上に形成されパターニングされる。線形抵抗性接触部材165は、第1のソース電極173h、第1のドレーン電極175h、第2のソース電極173l、第2のドレーン電極175l、第3のソース電極173c、及び第3のドレーン電極175cの下にそれぞれ形成された第1、第2、及び第3の線形抵抗性接触部材を有する。本発明の他の実施形態において、線形抵抗性接触部材は、データ線171の下に形成されてもよい。また、線形抵抗性接触部材165は、上述した材料及び構造で形成されてもよい。   The linear resistive contact member 165 is formed and patterned on the linear semiconductor 154. The linear resistive contact member 165 includes a first source electrode 173h, a first drain electrode 175h, a second source electrode 173l, a second drain electrode 175l, a third source electrode 173c, and a third drain electrode 175c. Having first, second, and third linear resistive contact members formed respectively. In other embodiments of the present invention, the linear resistive contact member may be formed under the data line 171. Also, the linear resistive contact member 165 may be formed from the materials and structures described above.

データ層導電体は、線形抵抗性接触部材165上に形成され、パターニングされる。データ層導電体は、データ線171、第1のソース電極173h、第2のソース電極173l、第3のソース電極173c、第1のドレーン電極175h、第2のドレーン電極175l、第3のドレーン電極175c、及び保持電極線拡張部126とオーバーラップする第3のドレーン電極175cの1つの終端部分177cを有する。これらのエレメントは、上述した構造及び材料で形成されことができる。第1の薄膜トランジスタ(TFT)Qh 、第2のTFT Ql、及び第3のTFT Qcは、画素PXを駆動するために上述した構造で形成され、上述した方法で動作する。   A data layer conductor is formed on the linear resistive contact member 165 and patterned. The data layer conductor includes a data line 171, a first source electrode 173h, a second source electrode 173l, a third source electrode 173c, a first drain electrode 175h, a second drain electrode 175l, and a third drain electrode. 175 c and one terminal portion 177 c of the third drain electrode 175 c overlapping the holding electrode line extension 126. These elements can be formed of the structures and materials described above. The first thin film transistor (TFT) Qh, the second TFT Ql, and the third TFT Qc are formed in the above-described structure for driving the pixel PX, and operate in the above-described manner.

第1の保護膜181は、データ層導電体上に形成され、パターニングされる。第1の保護膜181は、上述した材料及び構造で形成されることができ、上述した機能をする。   The first protective film 181 is formed on the data layer conductor and patterned. The first protective film 181 can be formed of the above-described material and structure and has the above-described function.

カラーフィルター230は、第1の保護膜181上に形成され、パターニングされる。カラーフィルターは、ガス出口カラーフィルターホール235に形成されない。ガス出口カラーフィルターホール235は、カラーフィルターを形成する工程で発生した異質物又はガスが排出されることができるホールである。ガス出口カラーフィルターホール235は、薄膜トランジスタ(TFT)、ゲート層導電体又はデータ層導電体のパターン上に形成されることができる。カラーフィルター工程が終了した後に、ガス出口カラーフィルターホール235は、保護膜又は画素電極層を形成する材料により覆われる。カラーフィルター230は、上述した材料及び構造で形成されることができる。第2の保護膜182は、カラーフィルター230又は第1の保護膜181上に形成され、パターニングされる。第2の保護膜182は、上述した材料及び構造で形成されることができる。   The color filter 230 is formed on the first protective film 181 and patterned. The color filter is not formed in the gas outlet color filter hole 235. The gas outlet color filter hole 235 is a hole through which foreign matter or gas generated in the process of forming the color filter can be discharged. The gas outlet color filter hole 235 may be formed on a pattern of a thin film transistor (TFT), a gate layer conductor, or a data layer conductor. After the color filter process is completed, the gas outlet color filter hole 235 is covered with a material for forming a protective film or a pixel electrode layer. The color filter 230 can be formed of the materials and structures described above. The second protective film 182 is formed on the color filter 230 or the first protective film 181 and patterned. The second protective film 182 can be formed using the materials and structures described above.

画素電極層は、第2の保護膜182上に形成され、パターニングされる。画素電極層は、第1の副画素190h及び第2の副画素190lにそれぞれ形成された第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191l、第1の画素電極接触部192h及び第2の画素電極接触部192l、縦接続部193h及び193l、横接続部194h及び194l、十字状ブランチ部195h及び195l、微細ブランチ197h及び197l、ジグザグ微細ブランチ198h及び198l、第1の画素電極横接続部713h及び第2の画素電極横接続部713l、第1の画素電極縦接続部715h及び第2の画素電極縦接続部715l、第1の画素電極斜線接続部714h及び第2の画素電極斜線接続部714l、第1の画素電極接続部接続点717h及び第2の画素電極接続部接続点717lを有することができ、また、ガス出口ホールカバー(outgasing hole cover)187、遮蔽共通電極(shield common electrode)196、及び遮蔽共通電極接続部189を有することができる。   The pixel electrode layer is formed on the second protective film 182 and patterned. The pixel electrode layer includes a first subpixel electrode 191h and a second subpixel electrode 191l formed on the first subpixel 190h and the second subpixel 190l, a first pixel electrode contact portion 192h, and a second subpixel electrode 191h. Pixel electrode contact portion 192l, vertical connection portions 193h and 193l, horizontal connection portions 194h and 194l, cross-shaped branch portions 195h and 195l, fine branches 197h and 197l, zigzag fine branches 198h and 198l, first pixel electrode horizontal connection portion 713h and the second pixel electrode horizontal connection portion 713l, the first pixel electrode vertical connection portion 715h and the second pixel electrode vertical connection portion 715l, the first pixel electrode oblique line connection portion 714h and the second pixel electrode oblique line connection portion. 714 l, a first pixel electrode connection node connection point 717 h and a second pixel electrode connection node connection point 717 l, and Gas outlet hole cover (outgasing hole cover) 187, it may have a shield common electrode (shield common electrode) 196 and the shielding common electrode connection portion 189,.

図18、図21A、及び図21Bを参照すると、遮蔽共通電極196は、データ線171と重なる。遮蔽共通電極196は、データ線171に印加される電圧により上板共通電圧が歪曲されることを防止することができるか、又はデータ線171と副画素電極191h及び191l間で発生する寄生容量結合(parasitic capacitive coupling)を減少させることができる。遮蔽共通電極は、遮蔽共通電極接続部189により相互に接続されることにより等電位状態となることができる。   Referring to FIGS. 18, 21 </ b> A, and 21 </ b> B, the shield common electrode 196 overlaps the data line 171. The shield common electrode 196 can prevent the upper plate common voltage from being distorted by the voltage applied to the data line 171 or parasitic capacitance coupling generated between the data line 171 and the sub-pixel electrodes 191h and 191l. (Parasitic capacitive coupling) can be reduced. The shield common electrodes can be in an equipotential state by being connected to each other by the shield common electrode connection portion 189.

遮蔽共通電極196の幅は、第1の副画素領域でデータ線171の両側エッジと距離OSL3及びOSR3だけデータ線171の幅より大きくなり得、第2の副画素領域でデータ線171の両側エッジと距離OSL4及びOSR4だけデータ線171の幅より大きくなり得る。OSL3、OSR3、OSL4、及びOSR4の距離は、各々約0.5μm〜2μmの範囲内の値であり得る。また、遮蔽共通電極196は、第1の副画素領域でデータ線171の左右側に位置した保持電極線縦部128のエッジと距離OCL3及びOCR3だけ離隔することができ、第2の副画素領域でデータ線171の左右側に位置した保持電極線縦部128のエッジと距離OCL4及びOCR4だけ離隔することができる。距離OCL3及びOCR3と距離OCL4及びOCR4とは、それぞれ約0.5μm〜3μm範囲内の距離であり得る。遮蔽共通電極196は、フローティング(floating)されることにより電圧の印加を受けないか、又は所定の電圧の印加を受けることができる。この所定の電圧は、共通電圧、上板共通電圧、又は保持電極線に印加される電圧であり得る。遮蔽共通電極196は、遮光部材220h及び220lと重なることができる。   The width of the shield common electrode 196 may be larger than the width of the data line 171 by the distances OSL3 and OSR3 from both side edges of the data line 171 in the first subpixel region, and both side edges of the data line 171 in the second subpixel region. The distances OSL4 and OSR4 can be larger than the width of the data line 171. The distances of OSL3, OSR3, OSL4, and OSR4 can each be a value in the range of about 0.5 μm to 2 μm. Further, the shield common electrode 196 can be separated from the edge of the holding electrode line vertical portion 128 located on the left and right sides of the data line 171 in the first subpixel region by the distances OCL3 and OCR3, and the second subpixel region. Thus, the edge of the storage electrode line vertical portion 128 positioned on the left and right sides of the data line 171 can be separated from each other by distances OCL4 and OCR4. The distances OCL3 and OCR3 and the distances OCL4 and OCR4 may be distances in the range of about 0.5 μm to 3 μm, respectively. The shield common electrode 196 is not floated by being floated, or can receive a predetermined voltage. This predetermined voltage may be a common voltage, an upper plate common voltage, or a voltage applied to the holding electrode line. The shield common electrode 196 can overlap the light shielding members 220h and 220l.

ガス出口ホールカバー(outgasing hole cover)187は、ガス出口カラーフィルターホール235を完全に覆うように形成されることができる。ガス出口ホールカバー187は、カラーフィルター230又は下部膜で発生したガスがガス出口カラーフィルターホール235を通して流れ出ることを防止する。画素電極の構造を除いた画素電極層を構成する他の構成要素は、上述した説明とほぼ同一であるために、その詳細な説明を省略する。画素電極の構造について詳細に後述する。下板配向膜291は、画素電極層上に形成される。下板配向膜291は、上述した又は後述する方法をもって上述した又は後述する材料で形成されることができ、上述した又は後述する機能を行うことができる。   A gas outlet hole cover 187 may be formed to completely cover the gas outlet color filter hole 235. The gas outlet hole cover 187 prevents the gas generated in the color filter 230 or the lower film from flowing out through the gas outlet color filter hole 235. Since the other components constituting the pixel electrode layer excluding the pixel electrode structure are substantially the same as described above, detailed description thereof is omitted. The structure of the pixel electrode will be described in detail later. The lower plate alignment film 291 is formed on the pixel electrode layer. The lower plate alignment film 291 can be formed of the material described above or described below by the method described above or described below, and can perform the function described above or described below.

2)画素電極構造
以下、図18〜図21A及び図20Bを参照して、画素電極層の構造及びデータ線171の周辺部の断面図を詳細に説明する。第1の副画素電極191hは、第1の副画素190hの領域に形成され、第2の副画素電極191lは、第2の副画素190lの領域に形成される。第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lを構成する十字状ブランチ部195h及び195lと第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lとの縦及び横の外郭を取り囲む縦及び横接続部193h、194h、193l、及び194lについては上述したので、その詳細な説明を省略する。
2) Pixel Electrode Structure Hereinafter, the structure of the pixel electrode layer and the cross-sectional view of the periphery of the data line 171 will be described in detail with reference to FIGS. 18 to 21A and 20B. The first subpixel electrode 191h is formed in the region of the first subpixel 190h, and the second subpixel electrode 191l is formed in the region of the second subpixel 190l. Surrounds the vertical and horizontal outlines of the cross-shaped branch portions 195h and 195l constituting the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l and the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l. Since the vertical and horizontal connection portions 193h, 194h, 193l, and 194l have been described above, a detailed description thereof will be omitted.

図18、図20C、図21A、及び図21Bを参照して画素電極の縦接続部193h及び193lを詳細に説明する。第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lの各々において、縦接続部は、微細ブランチ197の終端部分に相互に接続され、電極導電体が除去された微細スリット199を孤立させる。このように形成された画素電極の縦接続部193h及び193lは、寄生容量結合を減少させることができる。   The vertical connection portions 193h and 193l of the pixel electrode will be described in detail with reference to FIGS. 18, 20C, 21A, and 21B. In each of the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l, the vertical connection portion is mutually connected to the terminal portion of the fine branch 197 and isolates the fine slit 199 from which the electrode conductor has been removed. The vertical connection portions 193h and 193l of the pixel electrode formed in this way can reduce parasitic capacitance coupling.

第1の副画素電極191hにおいて、縦接続部193hは、図21Aに示すようにデータ線171の左側では、保持電極線縦部128とのオーバーラップなしに保持電極線縦部128とOLL3だけ離隔しており、データ線171の右側では、保持電極線縦部128とOLR3だけ重なる。OLL3及びOLR3の値は、それぞれ約0.5μm〜2μm範囲内の値であり得る。このように、データ線171について非対称的に縦接続部193hを形成することにより他の層との誤整列(mis-alignment)により発生する画質の不良が減少することができる。画質の不良は、第2の副画素領域より第1の副画素領域で他の層との誤整列により敏感に発生し得る。図21Bを参照すると、第2の副画素電極191lにおいて、縦接続部193lは、データ線171の左側及び右側でそれぞれ保持電極線縦部128とOLL4及びOLR4だけ重なる。OLL4及びOLR4は、それぞれ約0.5μm〜2μmの範囲内のいずれか1つの値であり得る。   In the first subpixel electrode 191h, the vertical connection portion 193h is separated from the storage electrode line vertical portion 128 by OLL3 on the left side of the data line 171 without overlapping with the storage electrode line vertical portion 128 as shown in FIG. 21A. On the right side of the data line 171, the storage electrode line vertical portion 128 and the OLR 3 overlap each other. The values of OLL3 and OLR3 can each be a value in the range of about 0.5 μm to 2 μm. Thus, by forming the vertical connection portion 193h asymmetrically with respect to the data line 171, image quality defects caused by mis-alignment with other layers can be reduced. The image quality defect may occur more sensitively than the second subpixel region due to misalignment with other layers in the first subpixel region. Referring to FIG. 21B, in the second subpixel electrode 191l, the vertical connection portion 193l overlaps with the storage electrode line vertical portion 128 on the left side and the right side of the data line 171 by OLL4 and OLR4, respectively. OLL4 and OLR4 can each have any one value in the range of about 0.5 μm to 2 μm.

図18及び図19Aを参照すると、第1の画素電極の上端部及び第2の画素電極の下端部は、それぞれ横接続部194h及び194lを有する。横接続部194h及び194lは、画素電極を構成する微細ブランチ197の終端部分を相互に接続し、画素電極が除去された微細スリット199を孤立させる。横接続部194h及び194lは、保持電極線横部127と重なる。第1の画素電極の下端部には、横接続部194hが形成されないために、この部分に形成された微細ブランチ197は、相互に接続されず、他方、微細スリット199は、相互に接続されている。   18 and 19A, the upper end portion of the first pixel electrode and the lower end portion of the second pixel electrode have lateral connection portions 194h and 194l, respectively. The lateral connection portions 194h and 194l connect the terminal portions of the micro branches 197 constituting the pixel electrode to each other and isolate the micro slit 199 from which the pixel electrode has been removed. The lateral connection portions 194h and 194l overlap with the storage electrode line lateral portion 127. Since the horizontal connection portion 194h is not formed at the lower end portion of the first pixel electrode, the fine branches 197 formed in this portion are not connected to each other, while the fine slit 199 is connected to each other. Yes.

第1の画素電極の下端部に位置した微細ブランチ197hは、保持電極線125と重なることができる。第2の画素電極の上端部に位置した微細ブランチ197は、相互に接続されることにより横接続部194lを有し、微細スリット199は、相互に接続されない。他方、第2の画素電極の上端部に位置した微細ブランチ197lは、降圧ゲート線123と重なることができる。このように形成された微細ブランチ197及び微細スリット199は、液晶表示装置の応答速度を迅速にすることができ、テクスチャーを減少させることができる。他方、第1の画素電極の下端部に位置した微細ブランチ197は、相互に接続されることもあり、微細スリット199は、相互に接続されないこともある。他方、第2の画素電極の上端部の微細ブランチ197は、微細スリット199により孤立されることもあり、微細スリット199は、相互に接続されることもある。   The fine branch 197 h located at the lower end of the first pixel electrode can overlap with the storage electrode line 125. The micro branches 197 positioned at the upper end portion of the second pixel electrode are connected to each other to have a horizontal connection portion 194l, and the micro slits 199 are not connected to each other. On the other hand, the fine branch 197 l located at the upper end of the second pixel electrode can overlap the step-down gate line 123. The micro branches 197 and the micro slits 199 formed in this way can increase the response speed of the liquid crystal display device and reduce the texture. On the other hand, the micro branches 197 positioned at the lower end of the first pixel electrode may be connected to each other, and the micro slits 199 may not be connected to each other. On the other hand, the fine branch 197 at the upper end of the second pixel electrode may be isolated by the fine slit 199, and the fine slit 199 may be connected to each other.

図18及び図20Cに示すように、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、それぞれジグザグ形状の微細ブランチ198h及び198lで構成された4個のドメインを有する。すなわち、第1の副画素電極191hは、4個のドメインD21h1、D21h2、D21h3、及びD21h4を有し、第2の副画素電極191lは、4個のドメインD21l1、D21l2、D21l3、及びD21l4を有する。   As shown in FIG. 18 and FIG. 20C, the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l have four domains each composed of zigzag fine branches 198h and 198l. That is, the first subpixel electrode 191h has four domains D21h1, D21h2, D21h3, and D21h4, and the second subpixel electrode 191l has four domains D2111, D2112, D2113, and D2114. .

ドメインD21h1、D21h2、D21h3、D21h4、D21l1、D21l2、D21l3、及びD21l4は、微細ブランチ197のそれぞれのピーク点を接続した直線方向により定義される微細ブランチ197の主方向(θd21h1、θd21h2、θd21h3、θd21h4、θd21l1、θd21l2、θd21l3、及びθd21l4(図示せず)をそれぞれ有する。ドメイン内の微細ブランチの主方向の主方向角は、方向D1に対して約30°〜約60°範囲内のいずれか1つの値であり得る。   Domains D21h1, D21h2, D21h3, D21h4, D21l1, D21l2, D21l3, and D21l4 are main directions (θd21h1, θd21h2, θd21h3, θd21h4) defined by linear directions connecting the respective peak points of the microbranches 197. , Θd2111, θd2112, θd2113, and θd2114 (not shown) The main direction angle of the main direction of the fine branch in the domain is any one in the range of about 30 ° to about 60 ° with respect to the direction D1. It can be one value.

十字状ブランチの縦部195vと対向するドメイン内の微細ブランチの主方向は、十字状ブランチの縦部195vに対して対称であり得る。微細ブランチの主方向θd21l1、θd21l2、θd21l3、及びθd21l4の主方向角は、それぞれ微細ブランチの主方向θd21h1、θd21h2、θd21h3、及びθd21h4の主方向角より大きくなり得る。本発明の実施形態に従って、微細ブランチの主方向θd21h1、θd21h2、θd21h3、θd21h4、θd21l1、θd21l2、θd21l3、及びθd21l4の主方向角は、それぞれ約40.8°、約40.8°、約39.2°、約39.2°、約42°、約42°、約41.3°、及び約41.3°であり得る。   The main direction of the fine branch in the domain facing the vertical portion 195v of the cruciform branch may be symmetric with respect to the vertical portion 195v of the cruciform branch. The main direction angles of the main directions θd2111, θd2112, θd2113, and θd2114 of the fine branches may be larger than the main direction angles of the main directions θd21h1, θd21h2, θd21h3, and θd21h4 of the fine branches, respectively. According to the embodiment of the present invention, the main direction angles of the main directions θd21h1, θd21h2, θd21h3, θd21h4, θd21l1, θd21l2, θd21l3, and θd21l4 of the fine branches are about 40.8 °, about 40.8 °, and about 39.9, respectively. It can be 2 °, about 39.2 °, about 42 °, about 42 °, about 41.3 °, and about 41.3 °.

本発明の実施形態に従って、各ドメインに形成された微細ブランチ197及び微細スリット199は、それぞれ十字状ブランチの縦部195vに対して対称であるパターンを有する。   According to the embodiment of the present invention, the micro branches 197 and the micro slits 199 formed in each domain have a pattern that is symmetrical with respect to the vertical portion 195v of the cross-shaped branch.

ドメインD21h1、D21h2、D21h3、D21h4、D21l1、D21l2、D21l3、及びD21l4において、微細ブランチ197のジグザグ角θ21h1、θ21h2、θ21h3、θ21h4、θ21l1、θ21l2、θ21l3、及びθ21l4(図示せず)は、約±7°〜約±30°の範囲内のいずれか1つの値であり、より望ましくは、約±10°又は約±15°であり得る。第2の副画素の各ドメインに形成された微細ブランチ197のジグザグ角は、第1の副画素の各ドメインに形成された微細ブランチ197のジグザグ角より大きくなり得る。本発明の実施形態に従って、θ21h1、θ21h2、θ21h3、及びθ21h4の値は、約10°であり得、θ21l1、θ21l2、θ21l3、及びθ21l4の値は、約15°であり得る。微細ブランチ197のジグザグ角は、上述したように、微細ブランチ197の主方向とジグザグ間の角を意味することに留意すべきである。   In the domains D21h1, D21h2, D21h3, D21h4, D21l1, D21l2, D21l3, and D21l4, the zigzag angles θ21h1, θ21h2, θ21h3, θ21h4, θ21l1, θ21l2, and θ21l3 of the fine branch 197 are not illustrated (approximately ±±). Any one value within the range of 7 ° to about ± 30 °, and more desirably about ± 10 ° or about ± 15 °. The zigzag angle of the fine branch 197 formed in each domain of the second subpixel may be larger than the zigzag angle of the fine branch 197 formed in each domain of the first subpixel. In accordance with an embodiment of the present invention, the values of θ21h1, θ21h2, θ21h3, and θ21h4 can be about 10 °, and the values of θ2111, θ2112, θ21l3, and θ21l4 can be about 15 °. It should be noted that the zigzag angle of the fine branch 197 means the angle between the main direction of the fine branch 197 and the zigzag as described above.

図18及び図20Cに示す画素電極の微細ブランチ197及び微細スリット199は、ジグザグ形状を有する。画素電極に形成されたジグザグ単位の長さは、約5μm〜20μm範囲内のいずれか1つの値であり得る。本発明の実施形態に従って、第1及び第2の副画素電極に形成されたジグザグ単位の長さは、それぞれ約14μm及び約10μmであり得る。   The fine branch 197 and the fine slit 199 of the pixel electrode shown in FIGS. 18 and 20C have a zigzag shape. The length of the zigzag unit formed on the pixel electrode may be any one value within a range of about 5 μm to 20 μm. According to the embodiment of the present invention, the length of the zigzag unit formed on the first and second subpixel electrodes may be about 14 μm and about 10 μm, respectively.

画素電極のドメインに形成された微細ブランチ197及び微細スリット199の幅は、それぞれ約2μm〜約5μm範囲内のいずれか1つの値であり得る。各ドメインに含まれた微細ブランチ197と微細スリット199との幅は、各ドメインに従って異なり得る。ドメインD21h1、D21h2、D21h3、及びD21h4内の微細ブランチ197hの幅と微細スリット199hの幅とはそれぞれ約2.8μm〜約3.7μm範囲内のいずれか1つの値であり得、各ドメインに示す矢印方向に微細ブランチ197の幅と微細スリット199の幅とは徐々に大きくなり得る。本発明の実施形態に従って、各ドメインで矢印が始まる部分で微細ブランチ197の幅と微細スリット199の幅とは、それぞれ約2.8μmであり得、矢印が終わる部分で微細ブランチ197の幅と微細スリット199の幅とはそれぞれ約3.3μmであり得る。本発明の他の実施形態に従って、各ドメインで矢印が始まる部分で微細ブランチ197の幅と微細スリット199の幅とは、それぞれ約3.3μmであり得、矢印が終わる部分で微細ブランチ197の幅と微細スリット199の幅とはそれぞれ約3.7μmであり得る。   The widths of the micro branches 197 and the micro slits 199 formed in the domain of the pixel electrode may be any one value within a range of about 2 μm to about 5 μm. The widths of the micro branches 197 and the micro slits 199 included in each domain may be different according to each domain. The width of the micro branches 197h and the width of the micro slits 199h in the domains D21h1, D21h2, D21h3, and D21h4 can be any one value in the range of about 2.8 μm to about 3.7 μm, respectively. In the direction of the arrow, the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 can be gradually increased. According to the embodiment of the present invention, the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 may be about 2.8 μm at the portion where the arrow starts in each domain, and the width and fine portion of the fine branch 197 at the portion where the arrow ends. Each of the widths of the slits 199 may be about 3.3 μm. According to another embodiment of the present invention, the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 may be about 3.3 μm at the portion where the arrow starts in each domain, and the width of the fine branch 197 at the portion where the arrow ends. The width of the fine slit 199 may be about 3.7 μm.

ドメインD21l1、D21l2、D21l3、及びD21l4に含まれている微細ブランチ197lの幅と微細スリット199lの幅とは、それぞれ約2.8μm〜約3.9μm範囲内のいずれか1つの値であり得、各ドメインに示す矢印方向に微細ブランチ197の幅と微細スリット199の幅とは、徐々に大きくなり得る。本発明の実施形態に従って、各ドメインで矢印が始まる部分で微細ブランチ197の幅と微細スリット199の幅とは、それぞれ約2.8μmであり得、矢印が終わる部分で微細ブランチ197の幅と微細スリット199の幅とは、それぞれ約3.9μmであり得る。   The width of the micro branch 197l and the width of the micro slit 199l included in the domains D21l1, D21l2, D21l3, and D21l4 can be any one value within a range of about 2.8 μm to about 3.9 μm, respectively. The width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 in the arrow direction shown in each domain can be gradually increased. According to the embodiment of the present invention, the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 may be about 2.8 μm at the portion where the arrow starts in each domain, and the width and fine portion of the fine branch 197 at the portion where the arrow ends. Each of the widths of the slits 199 may be about 3.9 μm.

各ドメインD21h1、D21h2、D21h3、D21h4、D21l1、D21l2、D21l3、及びD21l4内の微細ブランチ197の幅と微細スリット199の幅とは、それぞれ約0.2μm〜約1μm範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加することができる。   The width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 in each domain D21h1, D21h2, D21h3, D21h4, D21l1, D21l2, D21l3, and D21l4 are any one value within a range of about 0.2 μm to about 1 μm. It can increase gradually.

以下、図20D〜図20Jを参照して本発明の他の実施形態による画素電極層の画素電極構造を詳細に説明する。図20D〜図20Jに示す画素電極層のパターンは、それぞれ図18及び図20Cに示す画素電極層のパターンに対する他の実施形態である。したがって、画素電極層を除く他の層は、図18〜図20Cに示すものとほぼ同様であるため、説明の重複を避けるために他の層についての重複する説明は省略する。   Hereinafter, a pixel electrode structure of a pixel electrode layer according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 20D to 20J. The pixel electrode layer patterns shown in FIGS. 20D to 20J are other embodiments for the pixel electrode layer patterns shown in FIGS. 18 and 20C, respectively. Accordingly, the other layers excluding the pixel electrode layer are substantially the same as those shown in FIGS. 18 to 20C, and therefore, the overlapping description of the other layers is omitted in order to avoid the overlapping description.

図20Dに示す第1又は第2の副画素に形成された画素電極は、本発明の特徴に従ってデータ線171に隣接した微細ブランチ197の終端部分が相互に接続されない構造を有する。すなわち、図20Dに示す第1又は第2の副画素に形成された画素電極は、図20Cに示す画素電極の縦接続部193h及び193lを有しないこともある。このように、縦接続部193h及び193lを有しないことにより画素電極がデータ線171とより遠く離れることができるためにデータ線171に隣接した画素電極で発生するテクスチャーは減少することができる。本発明の実施形態に従って、データ線171に隣接した微細ブランチ197の終端部分からそれらに隣接したデータ線171までの距離は、微細ブランチ197又は微細スリット199の幅より大きいか又は同一であり得る。また、図20Dの領域A20dに示すように、第2の副画素の上部エッジ領域での微細ブランチ197の縦終端は、その下の微細ブランチ197の縦終端よりさらに突出する。このように、上部エッジ領域A20dから突出した微細ブランチ197は、周辺部で発生した電場を遮断することによりデータ線171に隣接した画素領域で発生するテクスチャーを減少させることができる。エッジから突出した微細ブランチ197は、第1又は第2の副画素のエッジに形成されることができる。   The pixel electrode formed in the first or second subpixel shown in FIG. 20D has a structure in which the terminal portions of the micro branches 197 adjacent to the data line 171 are not connected to each other according to the feature of the present invention. That is, the pixel electrode formed in the first or second subpixel shown in FIG. 20D may not have the vertical connection portions 193h and 193l of the pixel electrode shown in FIG. 20C. In this manner, since the pixel electrode can be further away from the data line 171 by not having the vertical connection portions 193h and 193l, the texture generated in the pixel electrode adjacent to the data line 171 can be reduced. According to the embodiment of the present invention, the distance from the terminal portion of the micro branch 197 adjacent to the data line 171 to the data line 171 adjacent thereto may be greater than or equal to the width of the micro branch 197 or micro slit 199. 20D, the vertical end of the fine branch 197 in the upper edge region of the second subpixel further protrudes from the vertical end of the fine branch 197 below. Thus, the fine branch 197 protruding from the upper edge region A20d can reduce the texture generated in the pixel region adjacent to the data line 171 by blocking the electric field generated in the peripheral portion. The fine branch 197 protruding from the edge can be formed at the edge of the first or second subpixel.

図20Dに示す画素電極は、2個の副画素191h及び191lの電極を有し、副画素電極の各々は、4個のドメインを有する。第1の副画素191hの電極は、4個のドメインD20dh1、D20dh2、D20dh3、及びD20dh4を有し、第2の副画素1910lの電極は、4個のドメインD20dl1、D20dl2、D20dl3、及びD20dl4を有する。微細ブランチ197及び微細スリット199は、十字状ブランチ195に対して対称構造である。位置によって徐々に幅が異なる微細ブランチ197及び微細スリット199は、第2の副画素1910lの電極の4個のドメインに形成された領域MA20dに形成される。画素電極を構成する微細ブランチ197は、ストライプ形状を有する。   The pixel electrode shown in FIG. 20D has electrodes of two subpixels 191h and 191l, and each of the subpixel electrodes has four domains. The electrode of the first subpixel 191h has four domains D20dh1, D20dh2, D20dh3, and D20dh4, and the electrode of the second subpixel 1910l has four domains D20dl1, D20dl2, D20dl3, and D20dl4. . The fine branch 197 and the fine slit 199 are symmetrical with respect to the cross-shaped branch 195. The micro branches 197 and the micro slits 199 whose widths are gradually different depending on the position are formed in a region MA20d formed in the four domains of the electrode of the second subpixel 1910l. The fine branch 197 constituting the pixel electrode has a stripe shape.

第1の副画素190h及び第2の副画素190lに形成された微細ブランチ197及び微細スリット199の幅は、それぞれ約2μm〜5μm範囲内のいずれか1つの値であり得、より具体的に、約2.5μm〜3.5μm範囲内のいずれか1つの値であり得る。微細ブランチ197及び微細スリット199の形状が直線である場合に、液晶層に形成された電場が強いために液晶表示装置の透過率は大きくなる。また、画素電極にわたって分布している微細ブランチ197の全領域が微細スリット199の全領域より大きい場合に、例えば、微細ブランチ197の幅がさらに大きく、微細スリット199の幅がさらに小さい場合に、画素電極と共通電極間の電場の強度が大きいために、液晶表示装置の応答速度を増加させることができ、その透過率を向上させることができる。   The widths of the micro branches 197 and the micro slits 199 formed in the first sub-pixel 190h and the second sub-pixel 190l may be any one value within a range of about 2 μm to 5 μm, respectively. It can be any one value within the range of about 2.5 μm to 3.5 μm. When the shapes of the micro branches 197 and the micro slits 199 are straight, the transmittance of the liquid crystal display device is increased because the electric field formed in the liquid crystal layer is strong. Further, when the entire region of the fine branch 197 distributed over the pixel electrode is larger than the entire region of the fine slit 199, for example, when the width of the fine branch 197 is larger and the width of the fine slit 199 is smaller, the pixel Since the electric field strength between the electrode and the common electrode is large, the response speed of the liquid crystal display device can be increased, and the transmittance can be improved.

本発明の実施形態に従って、図20Dに示す第1の副画素190hに形成された微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、それぞれ約2.6μm及び約2.4μmであり得、第2の副画素190lに形成された微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、領域LA20dでは、それぞれ約2.8μm及び約3.4μm、領域MA20dでは、約2.6μm〜2.8μmの範囲内の値、約2.4μm〜3.4μmの範囲内の値、領域HA20dでは、約2.6μm及び2.4μmであり得る。領域MA20dでは、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅がそれぞれ約0.25μmだけ徐々に大きくなり得、領域MA20dでの幅は、約5μm〜10μmの範囲内の値であり得、より望ましく、約6.2μm〜10μm範囲内の値であり得る。第2の副画素190lの領域での領域LA20dと領域MA20dとを加えた幅及び領域HA20dの幅は、それぞれ約45%及び約55%であり得る。   According to the embodiment of the present invention, the width of the micro branch 197 and the width of the micro slit 199 formed in the first sub-pixel 190h shown in FIG. 20D may be about 2.6 μm and about 2.4 μm, respectively. The width of the minute branch 197 and the width of the minute slit 199 formed in the sub-pixel 190l are about 2.8 μm and about 3.4 μm in the region LA20d and about 2.6 μm to 2.8 μm in the region MA20d, respectively. The value in the range of about 2.4 μm to 3.4 μm, in the region HA20d, may be about 2.6 μm and 2.4 μm. In the region MA20d, the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 can be gradually increased by about 0.25 μm, respectively, and the width in the region MA20d can be a value in the range of about 5 μm to 10 μm, which is more desirable. , Values in the range of about 6.2 μm to 10 μm. The width of the region LA20d and the region MA20d in the region of the second subpixel 190l and the width of the region HA20d may be about 45% and about 55%, respectively.

このように形成された微細ブランチ197及び微細スリット199の方向は、第1の副画素領域では、偏光子の偏光軸に対して約40°であり得、第2の副画素領域では、偏光子の偏光軸に対して約45°であり得る。第1の副画素領域と第2の副画素領域との面積比は、約1:2であり得る。第2の副画素190lの領域に形成されたドメインD20dl1の面積とドメインD20dl2の面積とを加えたものは、ドメインD20dl3の面積とドメインD20dl4の面積とを加えたものより大きくなり得る。   The direction of the micro branches 197 and the micro slits 199 formed in this way can be about 40 ° with respect to the polarization axis of the polarizer in the first sub-pixel region, and in the second sub-pixel region, the polarizer Can be about 45 ° with respect to the polarization axis. The area ratio between the first subpixel region and the second subpixel region may be about 1: 2. The sum of the area of the domain D20dl1 and the area of the domain D20dl2 formed in the region of the second subpixel 190l can be larger than the sum of the area of the domain D20dl3 and the area of the domain D20dl4.

本発明の他の実施形態に従って、図20Dに示す第1の副画素190hに形成された微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、それぞれ約2.6μm及び約3.1μmであり得、第2の副画素190lに形成された微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、それぞれLA20d領域では、約2.8μm及び約3.4μm、MA20d領域では、約2.6μm〜約2.8μmの範囲内の値、約2.4μm〜3.4μmの範囲内の値、HA20d領域では、約2.6μm及び約2.4μmであり得る。他の要素の形成条件は、上述した実施形態と同様であり得る。微細ブランチ197の幅が大きい場合に、液晶表示装置の透過率は向上し、その応答速度も増加する。しかしながら、微細スリット199の幅が狭いか又は0である場合に、液晶分子のプレチルト角の形成が容易でない。したがって、微細ブランチ197及び微細スリット199の幅を適切に組み合わせることが必要である。   According to another embodiment of the present invention, the width of the micro branch 197 and the width of the micro slit 199 formed in the first sub-pixel 190h shown in FIG. 20D may be about 2.6 μm and about 3.1 μm, respectively. The width of the micro branch 197 and the micro slit 199 formed in the second sub-pixel 190l are about 2.8 μm and about 3.4 μm in the LA 20d region, and about 2.6 μm to about 2. in the MA 20d region, respectively. It may be about 2.6 μm and about 2.4 μm in the range of 8 μm, in the range of about 2.4 μm to 3.4 μm, and in the HA20d region. The formation conditions of the other elements can be the same as in the above-described embodiment. When the width of the fine branch 197 is large, the transmittance of the liquid crystal display device is improved and the response speed is also increased. However, when the width of the fine slit 199 is narrow or zero, it is not easy to form the pretilt angle of the liquid crystal molecules. Therefore, it is necessary to appropriately combine the widths of the fine branch 197 and the fine slit 199.

図20Eは、本発明の他の実施形態による画素電極の平面図である。図20Eに示す画素電極は、本発明の特徴に従って微細ブランチ197及び微細スリット199の構造に従って5個の領域に分けられ、1個以上の領域での微細スリット199の幅は、十字状ブランチから画素電極の外郭に伸張する際に徐々に増加する。このように形成された画素電極は、液晶表示装置の輝度比曲線の屈曲を減少させるために、液晶表示装置の視認性がよくなる。輝度比曲線は、図13A及び図13Bを参照して後述するように、横軸の階調レベルに従って縦軸の輝度比が変わることを示す。   FIG. 20E is a plan view of a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. The pixel electrode shown in FIG. 20E is divided into five regions according to the structure of the micro branch 197 and the micro slit 199 according to the feature of the present invention, and the width of the micro slit 199 in one or more regions is changed from the cross-shaped branch to the pixel. It gradually increases as it stretches to the outer shell of the electrode. Since the pixel electrode formed in this manner reduces the bending of the luminance ratio curve of the liquid crystal display device, the visibility of the liquid crystal display device is improved. The luminance ratio curve indicates that the luminance ratio on the vertical axis changes according to the gradation level on the horizontal axis, as will be described later with reference to FIGS. 13A and 13B.

第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lの各々は、十字状ブランチにより4個のドメインに分けられる。ドメインの各々に形成された微細ブランチ197及び微細スリット199は、十字状ブランチに対して対称構造であり得る。各副画素電極は、ストライプ状の微細ブランチ197と微細スリット199とを有する。第1の副画素電極191hは、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅の分布に従って2個の領域PH1−20e及びPH2−20eを有する。領域PH1−20eでの微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、それぞれ伸張する方向に従って実質的に一定であり、各幅は、約1.5〜4.5μmの範囲内の値であり得、より具体的に、約3μmであり得る。また、微細ブランチ197及び微細スリット199が伸張する方向の主方向は、図面に示す方向D1又はゲート線121に対して約30°〜45°の範囲内の値又は約135°〜150°の範囲内の値であり得、より具体的には、約38°又は約142°であり得る。領域PH2−20eでの微細ブランチ197の幅は、微細ブランチ197の伸張方向に従って一定であり、微細スリット199の幅Wは、微細スリット199の伸張方向に従って十字状ブランチから遠くなる時又は副画素電極の中央から外郭に行く際に徐々に増加する。副画素電極の中心線は、副画素電極をドメインに分離する画素電極、例えば、十字状ブランチであり得る。微細ブランチ197の幅は、約1.5〜5μmの範囲内の値であり得、より具体的に、約2.5μm〜3.5μmの範囲内の値であり得る。   Each of the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l is divided into four domains by a cross-shaped branch. The micro branches 197 and the micro slits 199 formed in each of the domains may have a symmetric structure with respect to the cruciform branch. Each subpixel electrode has a stripe-shaped fine branch 197 and a fine slit 199. The first subpixel electrode 191h has two regions PH1-20e and PH2-20e according to the distribution of the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199. The width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 in the region PH1-20e are substantially constant according to the extending direction, and each width is a value in the range of about 1.5 to 4.5 μm. More specifically, it may be about 3 μm. The main direction in which the micro branches 197 and the micro slits 199 extend is a value within a range of about 30 ° to 45 ° or a range of about 135 ° to 150 ° with respect to the direction D1 or the gate line 121 shown in the drawing. Values, and more specifically about 38 ° or about 142 °. The width of the fine branch 197 in the region PH2-20e is constant according to the extending direction of the fine branch 197, and the width W of the fine slit 199 is when the distance from the cruciform branch is increased according to the extending direction of the fine slit 199 or the subpixel electrode. Gradually increase as you go from the center to the outer shell. The centerline of the subpixel electrode may be a pixel electrode that separates the subpixel electrode into domains, for example, a cross-shaped branch. The width of the fine branch 197 may be a value within a range of about 1.5 to 5 μm, and more specifically, a value within a range of about 2.5 μm to 3.5 μm.

領域PH2−20eとの境界部において、微細ブランチ197及び微細スリット199の伸張方向は、領域PH1−20eでの微細ブランチ197及び微細スリット199の伸張方向と実質的に同様であり、領域PH2−20eとの境界部から徐々に遠くなる時に微細ブランチ197及び微細スリット199の伸張方向の主方向角は徐々に大きくなる。微細ブランチ又は微細スリットの伸張方向は、微細ブランチ又は微細スリットの幅の中心点を接続した直線の方向を意味し、直線と方向D1との間の角が微細ブランチ又は微細スリットの伸張方向角(主方向角)であることに留意すべきである。   At the boundary with the region PH2-20e, the extending direction of the fine branch 197 and the fine slit 199 is substantially the same as the extending direction of the fine branch 197 and the fine slit 199 in the region PH1-20e, and the region PH2-20e. The main direction angle of the extension direction of the fine branch 197 and the fine slit 199 gradually increases as the distance from the boundary portion gradually increases. The extension direction of the fine branch or the fine slit means a direction of a straight line connecting the center points of the width of the fine branch or the fine slit, and an angle between the straight line and the direction D1 is an extension direction angle of the fine branch or the fine slit ( Note that the main direction angle.

第2の副画素電極191lは、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅の分布に従って3個の領域PL1−20e、PL2−20e、及びPL3−20eを有する。領域PL1−20eでの微細ブランチ197の幅は、微細ブランチ197の伸張方向に従って一定であり、微細スリット199lの幅W及び微細スリット199の伸張方向に従って十字状ブランチから遠くなる時又は副画素電極の中心から外郭に行く時に徐々に増加する。微細ブランチ197の幅は、約1.5〜5μmの範囲内の値であり得る。微細ブランチ197及び微細スリット199の主方向角は、十字状ブランチ195の横195aからPL2−20e領域との境界部に近接する時に徐々に大きくなる。領域PL2−20eでの微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、それぞれの長さ方向に従って実質的に一定であり、各幅は、約1.5〜4.5μmの範囲内の値であり得、より具体的に、約3μmであり得る。また、微細ブランチ197及び微細スリット199の主方向角は、方向D1又はゲート線121の方向に対して約30°〜45°の範囲内の値又は約135°〜150°の範囲内の値であり得、より具体的には、約38°又は約142°であり得る。領域PL3−20eでの微細ブランチ197の幅の各々は、その伸張方向に従って一定であり、微細スリット199lの幅Wは、微細スリット199の伸張方向に従って十字状ブランチから遠くなる時徐々に増加する。微細ブランチ197の幅は、約1.5〜5μmの範囲内の値であり得、微細スリット199の幅は、隣接した微細ブランチ197の幅より大きいか又は同一であり得る。   The second subpixel electrode 191l has three regions PL1-20e, PL2-20e, and PL3-20e according to the distribution of the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199. The width of the fine branch 197 in the region PL1-20e is constant according to the extending direction of the fine branch 197, and when the distance from the cruciform branch is increased according to the width W of the fine slit 199l and the extending direction of the fine slit 199 or the sub-pixel electrode. It gradually increases when going from the center to the outline. The width of the fine branch 197 may be a value in the range of about 1.5 to 5 μm. The main direction angle of the fine branch 197 and the fine slit 199 gradually increases when approaching the boundary portion between the side 195a of the cross-shaped branch 195 and the PL2-20e region. The width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 in the region PL2-20e are substantially constant according to the respective length directions, and each width is a value within a range of about 1.5 to 4.5 μm. Yes, and more specifically, about 3 μm. The main direction angle of the micro branch 197 and the micro slit 199 is a value within a range of about 30 ° to 45 ° or a value within a range of about 135 ° to 150 ° with respect to the direction D1 or the direction of the gate line 121. And more specifically about 38 ° or about 142 °. Each width of the fine branch 197 in the region PL3-20e is constant according to its extending direction, and the width W of the fine slit 199l gradually increases as the distance from the cross-shaped branch increases according to the extending direction of the fine slit 199. The width of the fine branch 197 may have a value in the range of about 1.5 to 5 μm, and the width of the fine slit 199 may be larger than or equal to the width of the adjacent fine branch 197.

領域PL2−20eとの境界部において、微細ブランチ197及び微細スリット199が伸張する方向の主方向角は、領域PL2−20eの微細ブランチ197及び微細スリット199の方向の主方向角と実質的に同様であり、領域PL2−20eとの境界部から遠くなる時徐々に大きくなる。領域PL1−20eでの微細ブランチ197及び微細スリット199の最大主方向角は、領域PL2−20eでの主方向角より小さいか又は同一であり得、領域PL3−20eでの微細ブランチ197及び微細スリット199の最小主方向角は、領域PL2−20eでの主方向角より大きいか又は同一であり得る。   At the boundary with the region PL2-20e, the main direction angle in the direction in which the fine branch 197 and the fine slit 199 extend is substantially the same as the main direction angle in the direction of the fine branch 197 and the fine slit 199 in the region PL2-20e. And gradually increases as the distance from the boundary with the region PL2-20e increases. The maximum main direction angle of the fine branch 197 and the fine slit 199 in the region PL1-20e may be smaller than or the same as the main direction angle in the region PL2-20e, and the fine branch 197 and the fine slit in the region PL3-20e The minimum main direction angle of 199 may be larger than or the same as the main direction angle in the region PL2-20e.

領域PL1−20e及びPL3−20eでの微細ブランチ197の最大幅Sは、領域PL2−20eでの微細ブランチ197の幅より大きいか又は同一であり得る。領域PL1−20e、領域PL2−20e、及び領域PL3−20eでの微細ブランチ197の幅Sは、実質的に同様であり得る。   The maximum width S of the fine branch 197 in the regions PL1-20e and PL3-20e may be larger than or the same as the width of the fine branch 197 in the region PL2-20e. The width S of the fine branch 197 in the region PL1-20e, the region PL2-20e, and the region PL3-20e may be substantially the same.

このように形成された画素電極構造において、領域PH2−20e及びPL3−20eに形成された画素電極は、側面で視認される輝度を減少させ、領域PH1−20e及びPL1−20eに形成された画素電極は、側面で視認される輝度を増加させるために輝度比曲線の屈曲は減少する。輝度比曲線の屈曲の減少は、各階調レベルに従って視認される輝度の変化を小さくするために、液晶表示装置の視認性を向上させる。輝度比曲線は、図13A及び図13B(後述)を参照して説明したように、横軸の階調レベルに従って縦軸の輝度比が変わることを示す。   In the pixel electrode structure formed in this way, the pixel electrodes formed in the regions PH2-20e and PL3-20e reduce the luminance seen from the side surface, and the pixels formed in the regions PH1-20e and PL1-20e. Since the electrode increases the luminance viewed from the side, the bending of the luminance ratio curve decreases. The decrease in the bending of the luminance ratio curve improves the visibility of the liquid crystal display device in order to reduce the change in luminance visually recognized according to each gradation level. The luminance ratio curve indicates that the luminance ratio on the vertical axis changes according to the gradation level on the horizontal axis, as described with reference to FIGS. 13A and 13B (described later).

図20Fは、本発明の他の実施形態による画素電極の平面図である。図20Fに示す画素電極は、本発明の特徴に従って微細ブランチ197及び微細スリット199の構造により5つの領域を有し、1つ以上の領域での微細ブランチ197の幅は、十字状ブランチから遠くなる時に又は副画素電極の中心線から外郭に行く時に徐々に増加する。このような画素電極を有する液晶表示装置は、図20Eと関連して説明した効果を有する。以下、重複説明を避けるために、図20Eを参照して説明した、又は上述した2つの副画素電極構成、ドメイン構造、微細ブランチ197又は微細スリット199の形状、微細ブランチ197の幅、微細スリット199の幅、微細ブランチ197及び微細スリット199の方向については省略するか又は簡単に説明する。   FIG. 20F is a plan view of a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. The pixel electrode shown in FIG. 20F has five regions by the structure of the micro branch 197 and the micro slit 199 according to the feature of the present invention, and the width of the micro branch 197 in one or more regions is far from the cross-shaped branch. It gradually increases when going from the center line of the sub-pixel electrode to the outline. The liquid crystal display device having such a pixel electrode has the effect described in relation to FIG. 20E. Hereinafter, in order to avoid duplication, the two subpixel electrode configurations described above with reference to FIG. 20E, the domain structure, the shape of the fine branch 197 or the fine slit 199, the width of the fine branch 197, and the fine slit 199 are described. The width, the direction of the fine branch 197 and the fine slit 199 are omitted or briefly described.

第1の副画素電極191hは、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅の分布に従って2個の領域PH1−20f及びPH2−20fを有する。PH1−20f領域において、微細スリット199の幅は、微細スリット199の伸張方向に従って実質的に一定であり、微細ブランチ197の幅Sは、微細ブランチ197の伸張方向に従って十字状ブランチ195から遠くなる時又は副画素電極の中心線から外郭に行く時徐々に増加する。領域PH1−20f内の微細ブランチ197及び微細スリット199の主方向角は、領域PH2−20fとの境界部に近くなる時徐々に大きくなる。領域PH2−20fでの微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅の各々は、その伸張方向に沿って実質的に一定である。この領域において、微細ブランチ197及び微細スリット199の主方向角は、それぞれD1又はゲート線121に対して約30°〜45°の範囲内の値及び約135°〜150°の範囲内の値であり得、より具体的には、約38°又は約142°であり得る。領域PH1−20fでの微細ブランチ197の最大幅Sは、領域PH2−20fでの微細ブランチ197の幅より大きいか又は同一であり得る。領域PH1−20fでの微細スリット199の幅Sは、領域PH2−20fでの微細スリット199の幅と実質的に同様であり得る。   The first subpixel electrode 191h has two regions PH1-20f and PH2-20f according to the distribution of the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199. In the PH1-20f region, the width of the fine slit 199 is substantially constant according to the extending direction of the fine slit 199, and the width S of the fine branch 197 is far from the cross-shaped branch 195 according to the extending direction of the fine branch 197. Alternatively, it gradually increases when going from the center line of the subpixel electrode to the outline. The main direction angles of the micro branches 197 and the micro slits 199 in the region PH1-20f gradually increase when approaching the boundary with the region PH2-20f. Each of the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 in the region PH2-20f is substantially constant along the extending direction. In this region, the main direction angle of the micro branch 197 and the micro slit 199 is a value within a range of about 30 ° to 45 ° and a value within a range of about 135 ° to 150 ° with respect to D1 or the gate line 121, respectively. And more specifically about 38 ° or about 142 °. The maximum width S of the fine branch 197 in the region PH1-20f may be larger than or the same as the width of the fine branch 197 in the region PH2-20f. The width S of the fine slit 199 in the region PH1-20f may be substantially the same as the width of the fine slit 199 in the region PH2-20f.

第2の副画素電極191lは、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅の分布に従って3個の領域PL1−20f、PL2−20f、及びPL3−20fを有する。   The second subpixel electrode 191l has three regions PL1-20f, PL2-20f, and PL3-20f according to the distribution of the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199.

領域PL1−20fでの微細スリット199の幅は、微細スリット199の伸張方向に沿って一定であり、微細ブランチ197lの幅Sは、微細ブランチ197の伸張方向に沿って十字状ブランチから遠くなる時又は副画素電極の中心から外郭に行く時徐々に増加する。微細ブランチ197の幅は、隣接した微細スリット199の幅より大きいか又は同一であり得る。微細ブランチ197及び微細スリット199の方向に対する主方向角は、領域PL2−20fの境界部に近い時徐々に大きくなる。領域PL2−20fでの微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、微細ブランチ197及び微細スリット199の伸張方向に沿って実質的に一定である。微細ブランチ197及び微細スリット199の主方向角は、それぞれ方向D1又はゲート線121の方向に対して約30°〜45°の範囲内の値及び約135°〜150°の範囲内の値であり得、より具体的には、約38°又は約142°であり得る。領域PL3−20fでの微細スリット199の幅は、微細スリット199の伸張方向に沿って一定であり、微細ブランチ197の幅Sは、微細ブランチ197の伸張方向に沿って十字状ブランチから遠くなる時に徐々に増加する。微細ブランチ197の幅は、隣接した微細スリット199の幅より大きいか又は同一であり得る。領域PL2−20fとの境界部において、微細ブランチ197及び微細スリット199の主方向角は、領域PL2−20fに形成された微細ブランチ197及び微細スリット199の主方向角と実質的に同様であり、領域PL2−20fとの境界部から遠くなる時徐々に大きくなる。   The width of the fine slit 199 in the region PL1-20f is constant along the extending direction of the fine slit 199, and the width S of the fine branch 197l is far from the cruciform branch along the extending direction of the fine branch 197. Alternatively, it gradually increases when going from the center of the sub-pixel electrode to the outline. The width of the micro branch 197 may be larger than or equal to the width of the adjacent micro slit 199. The main direction angle with respect to the direction of the fine branch 197 and the fine slit 199 gradually increases when close to the boundary portion of the region PL2-20f. The width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 in the region PL2-20f are substantially constant along the extending direction of the fine branch 197 and the fine slit 199. The main direction angles of the fine branch 197 and the fine slit 199 are values in the range of about 30 ° to 45 ° and values in the range of about 135 ° to 150 ° with respect to the direction D1 or the direction of the gate line 121, respectively. More specifically, it may be about 38 ° or about 142 °. The width of the fine slit 199 in the region PL3-20f is constant along the extending direction of the fine slit 199, and the width S of the fine branch 197 is far from the cross-shaped branch along the extending direction of the fine branch 197. Increase gradually. The width of the micro branch 197 may be larger than or equal to the width of the adjacent micro slit 199. At the boundary with the region PL2-20f, the main direction angle of the fine branch 197 and the fine slit 199 is substantially the same as the main direction angle of the fine branch 197 and the fine slit 199 formed in the region PL2-20f, The distance gradually increases as the distance from the boundary with the region PL2-20f increases.

領域PL1−20fでの微細ブランチ197及び微細スリット199の最大主方向角は、領域PL2−20fでの主方向角より小さいか又は同一であり得、領域PL3−20fでの微細ブランチ197及び微細スリット199の最小主方向角は、それぞれ領域PL2−20fでの微細ブランチ197及び微細スリット199の主方向角より大きいか又は同一であり得る。領域PL1−20f及びPL3−20fでの微細ブランチ197の最大幅Sは、領域PL2−20fでの微細ブランチ197の幅より大きいか又は同一であり得る。領域PL1−20f、領域PL2−20f、及び領域PL3−20fでの微細スリット199の幅Sは、実質的に同様であり得る。このように形成された画素電極は、上述したように、液晶表示装置の側面視認性を向上させる。   The maximum main direction angle of the fine branch 197 and the fine slit 199 in the region PL1-20f may be smaller than or the same as the main direction angle in the region PL2-20f, and the fine branch 197 and the fine slit in the region PL3-20f The minimum main direction angle of 199 may be larger than or the same as the main direction angle of the micro branch 197 and the micro slit 199 in the region PL2-20f, respectively. The maximum width S of the fine branch 197 in the regions PL1-20f and PL3-20f may be larger than or the same as the width of the fine branch 197 in the region PL2-20f. The width S of the fine slit 199 in the region PL1-20f, the region PL2-20f, and the region PL3-20f may be substantially the same. The pixel electrode formed in this way improves the side visibility of the liquid crystal display device as described above.

図20Gは、本発明の他の実施形態による画素電極の平面図である。図20Gに示す画素電極は、本発明の特徴に従って微細ブランチ197及び微細スリット199の構造に従って4個の領域を有し、各領域での微細ブランチ197や微細スリット199は1回、屈曲される。このように形成された微細ブランチ197は、液晶層に形成された電場の強度を一般的に減少させないために、液晶表示装置の透過率を減少させず、液晶表示装置の視認性を向上させる。以下、上述した説明は省略し、本発明の特徴的なものについて詳細に説明する。   FIG. 20G is a plan view of a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. The pixel electrode shown in FIG. 20G has four regions according to the structure of the fine branch 197 and the fine slit 199 according to the feature of the present invention, and the fine branch 197 and the fine slit 199 in each region are bent once. The fine branch 197 formed in this manner generally does not decrease the strength of the electric field formed in the liquid crystal layer, and thus does not decrease the transmittance of the liquid crystal display device and improves the visibility of the liquid crystal display device. Hereinafter, the above description will be omitted, and the characteristic features of the present invention will be described in detail.

第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lに形成された微細ブランチ197及び微細スリット199の各々は、伸張方向に沿って一定の幅を有する。また、各副画素電極の各ドメインを構成する微細ブランチ197の各々は、1回屈曲されて2つに分岐した(bifurcated)ストライプ状の微細ブランチ197を有する。2つに分岐したストライプ状の微細ブランチ197は、他の方向に伸張する。   Each of the micro branches 197 and the micro slits 199 formed in the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l has a certain width along the extending direction. Each of the fine branches 197 constituting each domain of each subpixel electrode has a stripe-shaped fine branch 197 that is bent once and bifurcated. The striped fine branch 197 branched into two extends in the other direction.

第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lを構成する微細ブランチ197の各々は、第1の直線状の微細ブランチ197と第2の直線状の微細ブランチ197とで構成される。第1の直線状の微細ブランチ197は、十字状のブランチに接続された微細ブランチ197であり、第2の直線状の微細ブランチ197は、第1の直線状の微細ブランチ197に接続された微細ブランチ197である。第1の副画素電極191hでの第1の直線状の微細ブランチ197は、方向D1又はゲート線121の方向と約30°〜約39°範囲内のいずれか1つの値、より具体的に、約37°をなすことができ、第2の直線状の微細ブランチ197は、方向D1又はゲート線121の方向と約40°〜約50°の範囲内のいずれか1つの値、より具体的に約42°をなすことができる。第2の副画素電極191lでの第1の直線状の微細ブランチ197は、方向D1又はゲート線121の方向と約30°〜約39°の範囲内のいずれか1つの値、より具体的に約37°をなすことができ、第2の直線状の微細ブランチ197は、方向D1又はゲート線121の方向と約40°〜約50°の範囲内のいずれか1つの値、より具体的には、約45°をなすことができる。   Each of the fine branches 197 constituting the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l includes a first straight fine branch 197 and a second straight fine branch 197. The first linear micro branch 197 is a micro branch 197 connected to a cross-shaped branch, and the second linear micro branch 197 is a micro branch connected to the first linear micro branch 197. This is branch 197. The first linear fine branch 197 in the first subpixel electrode 191h has any one value within a range of about 30 ° to about 39 ° with respect to the direction D1 or the direction of the gate line 121, more specifically, The second linear micro-branch 197 can be any value within the range of about 40 ° to about 50 ° with the direction D1 or the direction of the gate line 121, more specifically, About 42 ° can be made. The first linear fine branch 197 in the second subpixel electrode 191l is any one value within the range of about 30 ° to about 39 ° with respect to the direction D1 or the direction of the gate line 121, more specifically. The second linear micro-branch 197 can be any value within the range of about 40 ° to about 50 ° with the direction D1 or the direction of the gate line 121, more specifically, Can make about 45 °.

第1の副画素電極191hは、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅に従って2個の領域PH1−20g及びPH2−20gを有する。領域PH1−20g及びPH2−20gにおいて、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅はそれぞれ一定である。PH1−20g領域での微細ブランチ197の幅は、微細スリット199の幅より大きくなり得る。領域PH2−20gでの微細ブランチ197の幅は、微細スリット199の幅と実質的に同様である。領域PH1−20gでの微細ブランチ197の幅は、領域PH2−20gでの微細ブランチ197の幅より大きくなり得る。領域PH1−20g及び領域PH2−20gでの微細スリット199の幅は、実質的に同一であり得る。PH1−20g領域での微細ブランチの幅は、PH2−20g領域での微細ブランチの幅より大きくなり得る。第2の副画素電極191lは、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅に従って2個の領域PL1−20g及びPL2−20gを有する。PL1−20g領域での微細スリット199の幅は、微細ブランチ197の幅より大きくなり得る。領域PL2−20gでの微細ブランチ197の幅は、微細スリット199の幅と実質的に同様である。領域PL1−20gでの微細スリット199の幅は、領域PL2−20gでの微細スリット199の幅より大きくなり得る。領域PL1−20gでの微細ブランチ197の幅は、領域PL2−20gでの微細ブランチ197の幅と実質的に同様である。領域PL1−20gでの微細ブランチ197の幅は、領域PL2−20gでの微細ブランチ197の幅より大きくなり得る。このように形成された画素電極は、上述したように、液晶表示装置の透過率を減少させず、側面視認性を向上させることができる。   The first subpixel electrode 191h has two regions PH1-20g and PH2-20g according to the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199. In the regions PH1-20g and PH2-20g, the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 are constant. The width of the fine branch 197 in the PH1-20g region may be larger than the width of the fine slit 199. The width of the fine branch 197 in the region PH2-20g is substantially the same as the width of the fine slit 199. The width of the fine branch 197 in the region PH1-20g can be larger than the width of the fine branch 197 in the region PH2-20g. The widths of the fine slits 199 in the region PH1-20g and the region PH2-20g may be substantially the same. The width of the fine branch in the PH1-20g region may be larger than the width of the fine branch in the PH2-20g region. The second subpixel electrode 191l has two regions PL1-20g and PL2-20g according to the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199. The width of the fine slit 199 in the PL1-20g region may be larger than the width of the fine branch 197. The width of the fine branch 197 in the region PL2-20g is substantially the same as the width of the fine slit 199. The width of fine slit 199 in region PL1-20g can be larger than the width of fine slit 199 in region PL2-20g. The width of the fine branch 197 in the region PL1-20g is substantially the same as the width of the fine branch 197 in the region PL2-20g. The width of fine branch 197 in region PL1-20g can be larger than the width of fine branch 197 in region PL2-20g. As described above, the pixel electrode formed in this way can improve the side visibility without reducing the transmittance of the liquid crystal display device.

図20Hは、本発明の他の実施形態による画素電極の平面図である。図20Hに示す画素電極は、ジグザグ状を有する微細ブランチ197及び第2の副画素電極191lに形成された横接続部193l及び縦接続部194lを除き、図20Eと関連して説明した構造と実質的に同様である。したがって、重複説明は省略する。図20Hに示す微細ブランチ197は、ジグザグ形状を有することにより上述したように液晶表示装置の虹ムラが減少することができる。   FIG. 20H is a plan view of a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. The pixel electrode shown in FIG. 20H is substantially the same as the structure described in connection with FIG. 20E except for the fine branch 197 having a zigzag shape and the horizontal connection part 193l and the vertical connection part 194l formed in the second subpixel electrode 191l. The same. Therefore, duplicate description is omitted. The micro branches 197 shown in FIG. 20H have a zigzag shape, so that the rainbow unevenness of the liquid crystal display device can be reduced as described above.

微細ブランチ197及び微細スリット199の構造に従って、画素電極は、5つの領域PH1−20h、PH2−20h、PL1−20h、PL2−20h、及びPL3−20hを有し、微細スリット199の幅が十字状ブランチから画素電極の外郭に行く時に徐々に増加する。第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lの各々は、十字状ブランチにより4つのドメインを有する。領域PH1−20h、PH2−20h、PL1−20h、PL2−20h、及びPL3−20hの各々で微細ブランチ197の幅、微細スリット199の幅、微細ブランチ197の主方向角、及び微細スリット199の主方向角は、図20Eと関連して既に説明した。このように形成された画素電極は、液晶表示装置の視認性をよくし、虹ムラを減少させることができる。   According to the structure of the fine branch 197 and the fine slit 199, the pixel electrode has five regions PH1-20h, PH2-20h, PL1-20h, PL2-20h, and PL3-20h, and the width of the fine slit 199 is a cross shape. It gradually increases when going from the branch to the outline of the pixel electrode. Each of the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l has four domains by a cross-shaped branch. In each of the regions PH1-20h, PH2-20h, PL1-20h, PL2-20h, and PL3-20h, the width of the fine branch 197, the width of the fine slit 199, the main direction angle of the fine branch 197, and the main direction of the fine slit 199 Direction angles have already been described in connection with FIG. The pixel electrode thus formed can improve the visibility of the liquid crystal display device and reduce rainbow unevenness.

図20Iは、本発明の他の実施形態による画素電極の平面図である。図20Iに示す画素電極は、ジグザグ状を有する微細ブランチ197、第2の副画素電極191lに形成された横接続部193l及び縦接続部194l、領域PL1−20iに形成された微細ブランチ197、及び微細スリット199の幅を除き、図20Gと関連して説明した構造と実質的に同一である。したがって、重複説明は省略する。図20Iに示す微細ブランチ197は、ジグザグ状を有することにより上述したように液晶表示装置の虹ムラを減少させることができる。   FIG. 20I is a plan view of a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. The pixel electrode shown in FIG. 20I includes a zigzag fine branch 197, a horizontal connection portion 193l and a vertical connection portion 194l formed in the second subpixel electrode 1911l, a fine branch 197 formed in the region PL1-20i, and Except for the width of the fine slit 199, the structure is substantially the same as that described in connection with FIG. 20G. Therefore, duplicate description is omitted. The fine branch 197 shown in FIG. 20I has a zigzag shape, so that the rainbow unevenness of the liquid crystal display device can be reduced as described above.

第2の副画素電極191lを構成する領域PL1−20iでの微細ブランチ197の幅は、微細スリット199の幅より大きくなり得る。領域PL2−20iでの微細ブランチ197の幅は、微細スリット199の幅と実質的に同様である。領域PL1−20iでの微細ブランチ197の幅は、領域PL2−20iでの微細ブランチ197の幅より大きくなり得る。領域PL1−20iでの微細スリット199の幅は、領域PL2−20iでの微細スリット199の幅と実質的に同一であり得る。微細ブランチ197及び微細スリット199の構造に従って、画素電極は、4個の領域PH1−20i、PH2−20i、PL1−20i、PL2−20iを有し、微細ブランチ197及び微細スリット199の幅は、伸張方向に沿って同一であり、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lの各々は、十字状ブランチにより4つのドメインに分けられる。領域PL1−20iに形成された微細ブランチ197及び微細スリット199の幅を除き、領域PH1−20i、PH2−20i、PL1−20i、及びPL2−20iの各々での微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅、微細ブランチ197の主方向角及び微細スリット199の主方向角については、図20Gを参照して説明した。このように形成された画素電極は、液晶表示装置の視認性をよくし、虹ムラを減少させることができる。   The width of the fine branch 197 in the region PL1-20i constituting the second subpixel electrode 191l may be larger than the width of the fine slit 199. The width of the fine branch 197 in the region PL2-20i is substantially the same as the width of the fine slit 199. The width of fine branch 197 in region PL1-20i can be larger than the width of fine branch 197 in region PL2-20i. The width of fine slit 199 in region PL1-20i may be substantially the same as the width of fine slit 199 in region PL2-20i. According to the structure of the fine branch 197 and the fine slit 199, the pixel electrode has four regions PH1-20i, PH2-20i, PL1-20i, and PL2-20i, and the width of the fine branch 197 and the fine slit 199 is extended. The first subpixel electrode 191 h and the second subpixel electrode 191 l are the same along the direction, and are divided into four domains by a cross-shaped branch. Except for the width of the fine branch 197 and the fine slit 199 formed in the region PL1-20i, the width of the fine branch 197 and the fine slit 199 in each of the regions PH1-20i, PH2-20i, PL1-20i, and PL2-20i. The width, the main direction angle of the fine branch 197, and the main direction angle of the fine slit 199 have been described with reference to FIG. 20G. The pixel electrode thus formed can improve the visibility of the liquid crystal display device and reduce rainbow unevenness.

図20Jは、本発明の他の実施形態による画素電極の平面図である。図20Jに示す画素電極は、第3の領域、すなわち、領域MA20jで縦接続部193がないことを除き、図3と関連して説明した画素電極構造と実質的に同様である。以下、説明の便宜上、重複説明は省略する。領域MA20jは、図3と関連して説明した領域MAと同様に、微細ブランチ197の幅又は微細スリット199の幅、より望ましくは、微細スリット199の幅が徐々に変わる領域である。   FIG. 20J is a plan view of a pixel electrode according to another embodiment of the present invention. The pixel electrode shown in FIG. 20J is substantially the same as the pixel electrode structure described in connection with FIG. 3 except that the vertical connection portion 193 is not provided in the third region, that is, the region MA20j. Hereinafter, for convenience of explanation, duplicate explanation is omitted. The region MA20j is a region in which the width of the fine branch 197 or the width of the fine slit 199, more preferably the width of the fine slit 199 is gradually changed, like the region MA described with reference to FIG.

図3に示す画素電極のMA領域、MA−LA境界領域、又はMA−HA境界領域において、微細ブランチ197又は微細スリット199の幅が変わるために、画素電極の縦接続部193により形成された電場の強度と微細ブランチ197又は微細スリット199により形成された電場の強度間の均衡が崩れ得る。これにより、これらの領域では、液晶分子が不規則的に配列され得、テクスチャーが発生し得る。このような問題を改善するために、図20Jに示すように、データ線171に隣接した領域MA20jにおいて、画素電極は、縦接続部193を有しないことがある。すなわち、データ線171に隣接した領域MA20jで微細スリット199が接続され、微細ブランチ197の終端が閉鎖され得る。他の領域HA20j及びLA20jで形成された縦接続部193が存在しない領域MA20jにおいて、縦接続部193により形成された電場が存在しないか又は非常に弱い。したがって、データ線171に隣接した領域MA20j領域において、液晶分子が微細ブランチ197又は微細スリット199により形成された電場により影響を多く受けるために、液晶分子は、微細ブランチ197の方向に配列され得る。このように形成された画素電極は、領域MA20jでテクスチャーを減少させ、液晶表示装置の透過率を高めることができる。   In the MA region, MA-LA boundary region, or MA-HA boundary region of the pixel electrode shown in FIG. 3, the electric field formed by the vertical connection portion 193 of the pixel electrode because the width of the micro branch 197 or the micro slit 199 changes. And the strength of the electric field formed by the fine branch 197 or the fine slit 199 may be broken. Thereby, in these regions, liquid crystal molecules can be irregularly arranged, and texture can be generated. In order to improve such a problem, the pixel electrode may not have the vertical connection portion 193 in the region MA20j adjacent to the data line 171 as shown in FIG. 20J. That is, the fine slit 199 is connected in the area MA20j adjacent to the data line 171 and the end of the fine branch 197 can be closed. In the region MA20j where the vertical connection portion 193 formed by the other regions HA20j and LA20j does not exist, the electric field formed by the vertical connection portion 193 does not exist or is very weak. Therefore, in the region MA20j adjacent to the data line 171, since the liquid crystal molecules are greatly affected by the electric field formed by the fine branch 197 or the fine slit 199, the liquid crystal molecules can be arranged in the direction of the fine branch 197. The pixel electrode thus formed can reduce the texture in the region MA20j and increase the transmittance of the liquid crystal display device.

以下、図22A〜図22Hを参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板アセンブリ300の構造を詳細に説明する。図22A〜図22Hに示す液晶表示板アセンブリ300の各々は、本発明の特徴に従って異なる積層構造を有する。このような積層構造は、後で行われる液晶表示板アセンブリモードの工程で均一の光硬化層35及び36を形成するようにし、又は未硬化の光硬化剤を減少させることができる。また、上部表示板200又は下部表示板100に含まれた配向膜を構成する主配向膜33及び34と光硬化層35及び36とが平らな下部膜上に形成されるために、液晶表示装置の表示の品質を向上させることができる。   Hereinafter, the structure of a liquid crystal panel assembly 300 according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 22A to 22H. Each of the liquid crystal panel assemblies 300 shown in FIGS. 22A to 22H has a different laminated structure according to the characteristics of the present invention. Such a laminated structure can form uniform photocured layers 35 and 36 in a liquid crystal panel assembly mode process performed later, or can reduce uncured photocuring agent. Further, since the main alignment films 33 and 34 and the photocuring layers 35 and 36 constituting the alignment film included in the upper display panel 200 or the lower display panel 100 are formed on the flat lower film, the liquid crystal display device The display quality can be improved.

図22A〜図22Hは、図18に示す画素配置図の21a−21a’線に沿って切断された断面図である。図22A〜図22Hに示す液晶表示板アセンブリ300は、積層構造を除き、図3〜図4C及び図18〜図21Bと関連して説明したものと同様であるため、説明の便宜上、重複説明を省略する。したがって、図22A〜図22Hの構造を有する液晶表示板アセンブリ300は、上述した、又は後述する画素電極層のパターンを有することができる。   22A to 22H are cross-sectional views taken along line 21a-21a 'of the pixel arrangement diagram shown in FIG. The liquid crystal panel assembly 300 shown in FIGS. 22A to 22H is the same as that described with reference to FIGS. 3 to 4C and FIGS. 18 to 21B except for the laminated structure. Omitted. Accordingly, the liquid crystal panel assembly 300 having the structure of FIGS. 22A to 22H may have the pattern of the pixel electrode layer described above or described later.

図22A〜図22Dに示す液晶表示板アセンブリ300は、下部表示板100上に形成された遮光部材220を有する。まず、図22Aを参照して本発明の実施形態に従って液晶表示板アセンブリ300を製造する方法及び構造について簡略に説明する。上部表示板200は、上部基板210、共通電極270、及び上板配向膜を有する。共通電極270は、上述した方法により上部基板210上に形成され、上板配向膜292は、後述する液晶表示板アセンブリのモードにより共通電極270上に形成される。上板配向膜292は、主配向膜34及び光硬化層36を含み得る。   A liquid crystal display panel assembly 300 shown in FIGS. 22A to 22D includes a light shielding member 220 formed on the lower display panel 100. First, a method and a structure for manufacturing the liquid crystal panel assembly 300 according to the embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIG. 22A. The upper display panel 200 includes an upper substrate 210, a common electrode 270, and an upper plate alignment film. The common electrode 270 is formed on the upper substrate 210 by the above-described method, and the upper plate alignment film 292 is formed on the common electrode 270 by a mode of a liquid crystal panel assembly to be described later. The upper plate alignment film 292 may include a main alignment film 34 and a photocured layer 36.

下部表示板100は、後述するように製造される。下部基板110上に保持電極線縦部128を含むゲート層導電体が形成される。ゲート層導電体は、上述したパターン121、123、124h、124l、124c、125、126、及び127を有することができる。ゲート絶縁膜140は、ゲート層導電体上に形成される。   The lower display panel 100 is manufactured as described later. A gate layer conductor including the storage electrode line vertical portion 128 is formed on the lower substrate 110. The gate layer conductor may have the patterns 121, 123, 124h, 1241, 124c, 125, 126, and 127 described above. The gate insulating film 140 is formed on the gate layer conductor.

線形半導体154は、ゲート絶縁膜140上に形成される。線形半導体154は、上述したパターン154h、154l、及び154cを有することができる。線形抵抗性接触部材165は、線形半導体154上に形成される。線形抵抗性接触部材165は、上述したパターンを有することができる。   The linear semiconductor 154 is formed on the gate insulating film 140. The linear semiconductor 154 can have the patterns 154h, 154l, and 154c described above. The linear resistive contact member 165 is formed on the linear semiconductor 154. The linear resistive contact member 165 can have the pattern described above.

データ線171を含むデータ層導電体は、線形抵抗性接触部材165上に形成される。データ層導電体は、上述したパターン173h、173l、173c、175h、175l、175c、及び177cを有することができる。   Data layer conductors including data lines 171 are formed on the linear resistive contact member 165. The data layer conductor can have the patterns 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c, and 177c described above.

第1の保護膜181は、データ層導電体上に形成される。望ましくは、第1の保護膜181は、上述した無機絶縁物、例えば、窒化ケイ素(SiNx)、酸化ケイ素(SiOx)、酸化チタン(TiO)、アルミナ(Al)、又はジルコニア(ZrO)であり得る。 The first protective film 181 is formed on the data layer conductor. Desirably, the first protective film 181 is formed of the above-described inorganic insulator, for example, silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), titanium oxide (TiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), or zirconia (ZrO). 2 ).

カラーフィルター230は、第1の保護膜181上に形成される。カラーフィルター230は、データ線171と、データ線171に隣接した保持電極線又はカラーフィルター230上に形成された遮光部材220と重なる。図22Aに示すように、隣接した2つの単位画素の間に介在したデータ線171の両側に位置した保持電極線縦部128をオーバーラップするカラーフィルター230の少なくとも1つの側壁とこの側壁間のデータ線171をオーバーラップする遮光部材220が形成される。カラーフィルター230は、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)の構成要素を有してもよく、又は赤色、緑色、青色、及び黄色の構成要素を有してもよい。遮光部材220は、カラーフィルター230上に形成される。遮光部材220は、データ線171を完全に覆うことができるか、又はデータ線171の両側に位置した縦接続部193hと重なることができる。遮光部材220は、TFTのチャネル上に形成され得、コンタクトホール185h及び185lの下には形成されないこともある。   The color filter 230 is formed on the first protective film 181. The color filter 230 overlaps the data line 171 and the storage electrode line adjacent to the data line 171 or the light shielding member 220 formed on the color filter 230. As shown in FIG. 22A, at least one side wall of the color filter 230 overlapping the storage electrode line vertical portion 128 located on both sides of the data line 171 interposed between two adjacent unit pixels and data between the side walls. A light shielding member 220 that overlaps the line 171 is formed. The color filter 230 may have red (R), green (G), and blue (B) components, or may have red, green, blue, and yellow components. The light blocking member 220 is formed on the color filter 230. The light blocking member 220 can completely cover the data line 171 or can overlap with the vertical connection portions 193 h located on both sides of the data line 171. The light blocking member 220 may be formed on the TFT channel, and may not be formed under the contact holes 185h and 185l.

第2の保護膜182は、遮光部材220上に形成される。望ましくは、第2の保護膜182は、無機絶縁物、例えば、窒化ケイ素(SiNx)、酸化ケイ素(SiOx)、酸化チタン(TiO)、アルミナ(Al)、又はジルコニア(ZrO)であり得る。 The second protective film 182 is formed on the light shielding member 220. Preferably, the second protective film 182 is an inorganic insulator, for example, silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), titanium oxide (TiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), or zirconia (ZrO 2 ). It can be.

画素電極層は、第2の保護膜182上に形成される。画素電極層は、縦接続部193hを含む上述した又は後述するパターン187、189、191h、191l、192h、192l、193l、194h、194l、195h、195l、196、197h、197l、198h、198l、713h、713l、715h、715l、717h、及び7171と画素電極構造とを有することができる。   The pixel electrode layer is formed on the second protective film 182. The pixel electrode layer includes patterns 187, 189, 191h, 191l, 192h, 192l, 193l, 194h, 194l, 195h, 195l, 196, 197h, 197l, 198h, 198l, 713h, which are described above or later, including the vertical connection portion 193h. , 713l, 715h, 715l, 717h, and 7171 and a pixel electrode structure.

データ線171の両側に形成された縦接続部193hは、保持電極線縦部128の少なくとも一部分と重なることができる。スペーサ250(図示せず)は、画素電極層上に形成される。スペーサ250は、カラーフィルターを構成するピグメント(pigment)を含んでもよく、色を帯びた物質で構成されてもよい。本発明の実施形態に従って、スペーサ250の色は、黒色であり得る。本発明の他の実施形態に従って、下部表示板の内部領域には、スペーサ250が形成され、その外郭領域には、遮光パターンが同時に形成されることもある。スペーサ250及び遮光パターンは、黒色(black)であり得、遮光パターンは、外郭領域で漏れる光を遮断することができる。   The vertical connection portions 193 h formed on both sides of the data line 171 can overlap at least a part of the storage electrode line vertical portion 128. The spacer 250 (not shown) is formed on the pixel electrode layer. The spacer 250 may include a pigment that forms a color filter, or may be formed of a colored material. According to the embodiment of the present invention, the color of the spacer 250 may be black. According to another embodiment of the present invention, a spacer 250 may be formed in an inner region of the lower display panel, and a light shielding pattern may be simultaneously formed in the outer region. The spacer 250 and the light shielding pattern may be black, and the light shielding pattern may block light leaking in the outer region.

下板配向膜291は、スペーサ250上に後述する液晶表示板アセンブリのモードにより介在する。下板配向膜291は、主配向膜33と光硬化層35とで構成されることができる。液晶層3は、上部表示板200と下部表示板100間で形成される。   The lower plate alignment film 291 is interposed on the spacer 250 according to a mode of a liquid crystal panel assembly described later. The lower plate alignment film 291 can be composed of the main alignment film 33 and the photocured layer 35. The liquid crystal layer 3 is formed between the upper display panel 200 and the lower display panel 100.

このように製造された下部表示板100は、不透明膜又は遮光部材220を含む。すなわち、光を遮断するか又は吸収する膜、例えば、保護膜181及び182、カラーフィルター230又は遮光部材220は、下部表示板100上に形成される。しかしながら、上部表示板200は、光を遮断するか又は吸収する物質を一般的に含まない。このように製造された上部表示板200が光を遮断するか又は吸収する物質の含有量を少なくするように液晶表示板アセンブリのモードの工程を行うために、上部表示板200に入射した光は、下板配向膜291及び上板配向膜292を形成する材料に均一に入射するのが良い。均一の下板配向膜291及び上板配向膜292を形成するために、電界又は蛍光露光工程で照射される光は、配向膜を形成する材料に均一に照射されなければならない。また、未硬化の硬化剤を減少させるために、光が照射されない領域があってはならない。このようにして、下板配向膜291及び上板配向膜292は、均一に形成され、未硬化の光硬化剤は、大きく減少させることができる。また、上部表示板200が主に平坦な層を有するために液晶分子を均一に配向することができる。したがって、液晶表示装置の表示の品質は向上することができる。   The lower display panel 100 manufactured as described above includes an opaque film or a light shielding member 220. That is, a film that blocks or absorbs light, for example, the protective films 181 and 182, the color filter 230, or the light shielding member 220 is formed on the lower display panel 100. However, the upper display panel 200 generally does not include a material that blocks or absorbs light. In order to perform the mode process of the liquid crystal panel assembly so that the upper panel 200 manufactured in this way blocks the light or reduces the content of the light absorbing material, the light incident on the upper panel 200 is The lower plate alignment film 291 and the upper plate alignment film 292 are preferably incident uniformly on the material. In order to form the uniform lower plate alignment film 291 and upper plate alignment film 292, the light irradiated in the electric field or the fluorescence exposure process must be uniformly irradiated to the material forming the alignment film. Also, there should be no areas that are not exposed to light in order to reduce uncured curing agent. Thus, the lower plate alignment film 291 and the upper plate alignment film 292 are formed uniformly, and the uncured photocuring agent can be greatly reduced. Further, since the upper display panel 200 has a mainly flat layer, liquid crystal molecules can be uniformly aligned. Therefore, the display quality of the liquid crystal display device can be improved.

以下、図22Bを参照して、本発明の実施形態に従って液晶表示板アセンブリ300を製造する方法及び構造を簡略に説明する。図22Bに示す液晶表示板アセンブリ300は、本発明の特徴に従って遮光部材220及びスペーサ(図示せず)が画素電極層上に同時に形成される工程により製造される。上部表示板200は、図22Aを参照して説明したものと同一に製造される。下部表示板100は、後述する説明のように製造される。ゲート層導電体、ゲート絶縁膜140、線形半導体154、線形抵抗性接触部材165、データ層導電体、第1の保護膜181、及びカラーフィルター230は、図22Aを参照して説明したものと同一に形成される。第2の保護膜182は、カラーフィルター230上に形成される。望ましくは、第2の保護膜182は、カラーフィルター230の上部を平坦化するために有機絶縁物であり得る。画素電極層は、第2の保護膜182の上に形成される。画素電極層は、図22Aを参照して説明したものと同一に形成されることができる。遮光部材220及びスペーサ250は、画素電極層上に同時に形成される。遮光部材220及びスペーサ250が同一の材料により同時に形成されるために工程を簡素化することができる。上述したように、スペーサ250は、色を帯び得る。本発明の実施形態に従って、遮光部材220及びスペーサ250は、黒色であり得る。下板配向膜291は、後述する方法によりスペーサ(図示せず)上に形成される。このように形成された下部表示板100及び上部表示板200は、図22Aを参照して説明したものと同一の効果を有することができる。   Hereinafter, a method and a structure for manufacturing the liquid crystal panel assembly 300 according to an embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIG. 22B. The liquid crystal panel assembly 300 shown in FIG. 22B is manufactured by a process in which a light blocking member 220 and a spacer (not shown) are simultaneously formed on the pixel electrode layer according to the characteristics of the present invention. The upper display panel 200 is manufactured in the same manner as described with reference to FIG. 22A. The lower display panel 100 is manufactured as described later. The gate layer conductor, gate insulating film 140, linear semiconductor 154, linear resistive contact member 165, data layer conductor, first protective film 181 and color filter 230 are the same as described with reference to FIG. 22A. Formed. The second protective film 182 is formed on the color filter 230. For example, the second passivation layer 182 may be an organic insulator to planarize the upper portion of the color filter 230. The pixel electrode layer is formed on the second protective film 182. The pixel electrode layer may be formed in the same manner as described with reference to FIG. 22A. The light shielding member 220 and the spacer 250 are simultaneously formed on the pixel electrode layer. Since the light shielding member 220 and the spacer 250 are formed of the same material at the same time, the process can be simplified. As described above, the spacer 250 can be colored. According to the embodiment of the present invention, the light blocking member 220 and the spacer 250 may be black. The lower plate alignment film 291 is formed on a spacer (not shown) by a method described later. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 thus formed may have the same effect as described with reference to FIG. 22A.

以下、図22Cを参照して、本発明の実施形態に従って液晶表示板アセンブリ300を製造する方法及び構造を簡略に説明する。図22Cに示す液晶表示板アセンブリ300において、本発明の特徴に従って重なるカラーフィルターの中の下側の1つのカラーフィルターは、凹状の断面を有する。また、他のカラーフィルターの側面と重なる1つのカラーフィルターの重複部は、データ線上に備えられ、遮光部材は、重複部上に形成される。上部表示板200は、図22Aを参照して説明したものと同一に製造される。下部表示板100は、後述する説明のように製造される。ゲート層導電体、ゲート絶縁膜140、線形半導体154、線形抵抗性接触部材165、データ層導電体、及び第1の保護膜181は、図22Aを参照して説明したものと同一に形成される。カラーフィルター230は、第1の保護膜181上に形成される。カラーフィルター230を構成する基本色の中の2つ以上の色は、データ線171上で重なることができる。カラーフィルター230の基本色が重なることによりカラーフィルター230の上部が凸状となることを防止するために、重なるカラーフィルター230の中の1つは、写真リソグラフィー(photo-lithography)工程で凹状に形成されることができる。例えば、図22Cに示すように、左側のカラーフィルターのデータ線171上に対応する縁部が削り取られるようにエッチングされている。右側のカラーフィルターの縁部は、この左側のカラーフィルターの縁部を覆うように形成され、全体としてカラーフィルター230が平坦に形成される。このように平坦に形成されたカラーフィルター層は、液晶分子又は光硬化剤の広がり(spread)をよくする。第2の保護膜182は、カラーフィルター230上に形成される。望ましくは、第2の保護膜182は、上述した無機絶縁物であり得る。第2の保護膜182が形成された後に、画素電極層、遮光部材220、スペーサ250、及び下板配向膜291は、図22Bを参照して説明したものと同一である。このように形成された下部表示板100及び上部表示板200は、図22Aを参照して説明したものと同一の効果を有することができる。   Hereinafter, a method and a structure for manufacturing the liquid crystal panel assembly 300 according to an embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIG. 22C. In the liquid crystal panel assembly 300 shown in FIG. 22C, one lower color filter among the overlapping color filters according to the characteristics of the present invention has a concave cross section. In addition, the overlapping portion of one color filter that overlaps the side surface of another color filter is provided on the data line, and the light shielding member is formed on the overlapping portion. The upper display panel 200 is manufactured in the same manner as described with reference to FIG. 22A. The lower display panel 100 is manufactured as described later. The gate layer conductor, the gate insulating film 140, the linear semiconductor 154, the linear resistive contact member 165, the data layer conductor, and the first protective film 181 are formed in the same manner as described with reference to FIG. 22A. . The color filter 230 is formed on the first protective film 181. Two or more colors among the basic colors constituting the color filter 230 can overlap on the data line 171. In order to prevent the upper part of the color filter 230 from becoming convex due to the overlapping of the basic colors of the color filter 230, one of the overlapping color filters 230 is formed in a concave shape in a photo-lithography process. Can be done. For example, as shown in FIG. 22C, etching is performed so that the corresponding edge portion is cut off on the data line 171 of the left color filter. The edge of the right color filter is formed so as to cover the edge of the left color filter, and the color filter 230 is formed flat as a whole. The flat color filter layer improves the spread of the liquid crystal molecules or the photocuring agent. The second protective film 182 is formed on the color filter 230. Desirably, the second protective film 182 may be the above-described inorganic insulator. After the second protective film 182 is formed, the pixel electrode layer, the light shielding member 220, the spacer 250, and the lower plate alignment film 291 are the same as those described with reference to FIG. 22B. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 thus formed may have the same effect as described with reference to FIG. 22A.

以下、図22Dを参照して、本発明の実施形態に従って、液晶表示板アセンブリ300を製造する方法及び構造を簡略に説明する。図22Dに示す液晶表示板アセンブリ300は、本発明の特徴に従って遮光部材220で画素の境界を取り囲み、遮光部材で取り囲まれた内側に液状のカラーフィルター230の材料が塗布される工程を含む。上部表示板200は、図22Aを参照して説明したものと同一に製造される。下部表示板100は、後述するように製造される。ゲート層導電体、ゲート絶縁膜140、線形半導体154、線形抵抗性接触部材165、データ層導電体、及び第1の保護膜181は、図22Aを参照して説明したものと同一に形成される。遮光部材220は、第1の保護膜181上に形成される。遮光部材220は、画素の境界、例えば、データ線171又はゲート線121に沿って1つの画素を完全に取り囲む形態で形成されることができる。このように、遮光部材220が形成されることにより、後で行われる液状のカラーフィルター230の材料が遮光部材220の内側に塗布されることができる。遮光部材220により取り囲まれた内側に液状のカラーフィルター230の材料が塗布される。液状のカラーフィルター230の材料は、上述したインクジェット方法により塗布され形成されることができる。インクジェット方法でカラーフィルター230を形成することによりカラーフィルター230のパターンを製造するための工程を簡素化することができる。第2の保護膜182は、カラーフィルター230上に形成される。第2の保護膜182は、カラーフィルター230上を平坦化するために望ましく有機絶縁物であり得る。画素電極層は、第2の保護膜182上に形成され、スペーサ250は、画素電極層上に形成され、下板配向膜291は、スペーサ250上に形成される。画素電極層、スペーサ250、及び下板配向膜291は、図22Aを参照して説明したものと同一に形成されることができる。このように形成された下部表示板100及び上部表示板200は、図22Aを参照して説明したものと同一の効果を有することができる。   Hereinafter, a method and a structure for manufacturing the liquid crystal panel assembly 300 according to an embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIG. 22D. A liquid crystal panel assembly 300 shown in FIG. 22D includes a step of surrounding a pixel boundary with a light shielding member 220 and applying a material of a liquid color filter 230 on the inner side surrounded by the light shielding member according to a feature of the present invention. The upper display panel 200 is manufactured in the same manner as described with reference to FIG. 22A. The lower display panel 100 is manufactured as described later. The gate layer conductor, the gate insulating film 140, the linear semiconductor 154, the linear resistive contact member 165, the data layer conductor, and the first protective film 181 are formed in the same manner as described with reference to FIG. 22A. . The light shielding member 220 is formed on the first protective film 181. The light blocking member 220 may be formed so as to completely surround one pixel along the pixel boundary, for example, the data line 171 or the gate line 121. Thus, by forming the light shielding member 220, a material for the liquid color filter 230 to be performed later can be applied to the inside of the light shielding member 220. The liquid color filter 230 material is applied to the inside surrounded by the light shielding member 220. The material of the liquid color filter 230 can be applied and formed by the inkjet method described above. By forming the color filter 230 by the inkjet method, the process for manufacturing the pattern of the color filter 230 can be simplified. The second protective film 182 is formed on the color filter 230. The second protective layer 182 may be an organic insulating material for planarizing the color filter 230. The pixel electrode layer is formed on the second protective film 182, the spacer 250 is formed on the pixel electrode layer, and the lower plate alignment film 291 is formed on the spacer 250. The pixel electrode layer, the spacer 250, and the lower plate alignment film 291 may be formed in the same manner as described with reference to FIG. 22A. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 thus formed may have the same effect as described with reference to FIG. 22A.

図22E〜図22Hに示す液晶表示板アセンブリ300は、本発明の特徴に従って上部表示板200に形成された遮光部材220を有する。図22Eを参照して、本発明の実施形態に従って液晶表示板アセンブリ300を製造する方法及び構造を簡略に説明する。   22E to 22H includes a light shielding member 220 formed on the upper display panel 200 according to the features of the present invention. Referring to FIG. 22E, a method and structure for manufacturing the liquid crystal panel assembly 300 according to an embodiment of the present invention will be briefly described.

上部表示板200は、上部基板210、遮光部材220、カラーフィルター230、蓋膜225、共通電極270、スペーサ(図示せず)、及び上板配向膜292を有する。   The upper display panel 200 includes an upper substrate 210, a light shielding member 220, a color filter 230, a cover film 225, a common electrode 270, a spacer (not shown), and an upper plate alignment film 292.

上述した方法により、遮光部材220は、上部基板210上に形成される。遮光部材220は、データ線171を完全に覆うことができ、データ線171の両側に位置した縦接続部193hの少なくともいずれかの部分と重なることができる。遮光部材220は、薄膜トランジスタのチャネルと重なるように形成され得る。上述した方法によりカラーフィルター230は、遮光部材220上に形成される。カラーフィルター230は、データ線171、データ線171に隣接した不透明膜、又はカラーフィルター230の形成後に形成された遮光部材220と重なり得る。カラーフィルター230は、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)で構成されてもよく、又は赤色、緑色、青色、及び黄色で構成されてもよい。蓋膜225は、カラーフィルター230上に下部膜を平坦化するために形成される。共通電極270は、上述した方法により蓋膜225上に形成される。スペーサ250は、共通電極270上に形成されてもよい。スペーサ250は、カラーフィルターを構成する色素を含み、色を帯びた物質で構成され得る。スペーサ250の色は黒色(black)であり得る。他方、スペーサ250は、下部表示板100の下板配向膜291下に形成されてもよい。上板配向膜292は、スペーサ250上に後述する液晶表示板アセンブリのモードにより形成される。上板配向膜292は、主配向膜34及び光硬化層36で構成され得る。   The light shielding member 220 is formed on the upper substrate 210 by the method described above. The light blocking member 220 can completely cover the data line 171 and can overlap at least one of the vertical connection portions 193 h located on both sides of the data line 171. The light blocking member 220 may be formed so as to overlap with the channel of the thin film transistor. The color filter 230 is formed on the light shielding member 220 by the method described above. The color filter 230 may overlap the data line 171, the opaque film adjacent to the data line 171, or the light blocking member 220 formed after the color filter 230 is formed. The color filter 230 may be configured with red (R), green (G), and blue (B), or may be configured with red, green, blue, and yellow. The lid film 225 is formed on the color filter 230 to planarize the lower film. The common electrode 270 is formed on the lid film 225 by the method described above. The spacer 250 may be formed on the common electrode 270. The spacer 250 includes a coloring matter constituting a color filter, and may be made of a colored material. The color of the spacer 250 may be black. Meanwhile, the spacer 250 may be formed under the lower alignment film 291 of the lower display panel 100. The upper plate alignment film 292 is formed on the spacer 250 by a mode of a liquid crystal display panel assembly described later. The upper plate alignment film 292 may be composed of the main alignment film 34 and the photocured layer 36.

下部表示板100は、後述するように形成される。ゲート層導電体は、保持電極線縦部128を含む下部基板110上に形成される。ゲート層導電体は、上述したパターン121、123、124h、124l、124c、125、126、127を有することができる。   The lower display panel 100 is formed as described later. The gate layer conductor is formed on the lower substrate 110 including the storage electrode line vertical portion 128. The gate layer conductor can have the patterns 121, 123, 124h, 124l, 124c, 125, 126, 127 described above.

ゲート絶縁膜140は、ゲート層導電体上に形成される。線形半導体154は、ゲート絶縁膜140上に形成される。線形半導体154は、上述したパターン154h、154l、154cを有することができる。線形抵抗性接触部材165は、線形半導体154上に形成される。線形抵抗性接触部材165は、上述したパターンを有することができる。   The gate insulating film 140 is formed on the gate layer conductor. The linear semiconductor 154 is formed on the gate insulating film 140. The linear semiconductor 154 may have the patterns 154h, 154l, and 154c described above. The linear resistive contact member 165 is formed on the linear semiconductor 154. The linear resistive contact member 165 can have the pattern described above.

データ線171を含むデータ層導電体は、線形抵抗性接触部材165上に形成される。データ層導電体は、上述したパターン173h、173l、173c、175h、175l、175c、177cを有することができる。第1の保護膜181は、データ層導電体上に形成される。望ましくは、第1の保護膜181は、上述した無機物で構成される。   Data layer conductors including data lines 171 are formed on the linear resistive contact member 165. The data layer conductor may have the patterns 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c, 177c described above. The first protective film 181 is formed on the data layer conductor. Desirably, the first protective film 181 is made of the inorganic material described above.

画素電極層は、第1の保護膜181上に形成される。画素電極層は、縦接続部193hを含む上述した又は後述するパターン187、189、191h、191l、192h、192l、193l、194h、194l、195h、及び195l、196、197h、197l、198h、198l、713h、713l、715h、715l、717h、717lと画素電極構造とを有することができる。データ線171の両側に形成された縦接続部193hは、保持電極線縦部128と重なる。   The pixel electrode layer is formed on the first protective film 181. The pixel electrode layer includes the patterns 187, 189, 191h, 1911, 192h, 192l, 192l, 193l, 194h, 194l, 195h, and 195l, 196, 197h, 197l, 198h, 198l, which are described above or below including the vertical connection portion 193h. 713h, 713l, 715h, 715l, 717h, 717l and a pixel electrode structure can be provided. The vertical connection portions 193 h formed on both sides of the data line 171 overlap with the storage electrode line vertical portion 128.

後述する方法により、下板配向膜291は、画素電極層上に形成される。下板配向膜291は、主配向膜33と光硬化層35とで構成されることができる。液晶層3は、上部表示板200と下部表示板100との間に形成される。   The lower plate alignment film 291 is formed on the pixel electrode layer by a method described later. The lower plate alignment film 291 can be composed of the main alignment film 33 and the photocured layer 35. The liquid crystal layer 3 is formed between the upper display panel 200 and the lower display panel 100.

このように製造された上部表示板200及び下部表示板100は、図22Aで説明した効果を有することができる。すなわち、上部表示板200が光を遮断するか又は吸収する膜220、230、及び225を含み、下部表示板100は、光を遮断する物質を実質的に含まない。下板配向膜291及び上板配向膜292を形成するために電界又は蛍光露光工程で照射される光は、下部表示板100に入射することができる。これにより、下板配向膜291及び上板配向膜292は、均一に形成され、未硬化の光硬化剤は、格段に減少することができる。したがって、これを有する液晶表示装置の表示の品質は向上することができる。   The upper display panel 200 and the lower display panel 100 manufactured as described above may have the effects described with reference to FIG. 22A. That is, the upper display panel 200 includes films 220, 230, and 225 that block or absorb light, and the lower display panel 100 is substantially free of a light blocking material. The light irradiated in the electric field or the fluorescence exposure process to form the lower plate alignment film 291 and the upper plate alignment film 292 can be incident on the lower display panel 100. Thereby, the lower plate alignment film 291 and the upper plate alignment film 292 are formed uniformly, and the uncured photocuring agent can be significantly reduced. Therefore, the display quality of the liquid crystal display device having this can be improved.

図22Fに示す液晶表示板アセンブリ300は、画素電極層と第1の保護膜181間に第2の保護膜182が形成されることを除き、図22Eの説明と実質的に同様である。第2の保護膜182は、下部膜を平坦化するために有機物質で構成され得る。   The liquid crystal display panel assembly 300 shown in FIG. 22F is substantially the same as the description of FIG. 22E except that the second protective film 182 is formed between the pixel electrode layer and the first protective film 181. The second protective film 182 may be made of an organic material to planarize the lower film.

図22Gに示す液晶表示板アセンブリ300は、カラーフィルター230が形成される方法を除き、図22Fの説明と実質的に同様である。図22Gに示す上部表示板のカラーフィルターは、図22Dを参照して既に説明したインクジェット方法により形成されることができる。   The liquid crystal panel assembly 300 shown in FIG. 22G is substantially the same as the description of FIG. 22F except for the method of forming the color filter 230. The color filter of the upper display panel shown in FIG. 22G can be formed by the inkjet method already described with reference to FIG. 22D.

図22Hに示す液晶表示板アセンブリ300は、図22Gに示す液晶表示板アセンブリ300に比べて、バリヤー(barrier)又は平坦化のために遮光部材220上に形成された蓋膜225を有する。蓋膜225の形成後に、カラーフィルター230の層は、インクジェット方法により遮光部材220及び蓋膜225の側壁内に形成されることができる。バリヤーは、1つの画素に形成されたカラーフィルターの色を区分する部分に形成されることができる。以上のように、図22A〜図22Hに示す構造を有する上部表示板100及び下部表示板200は、液晶表示装置の表示の品質を向上させることができる。   The liquid crystal panel assembly 300 shown in FIG. 22H has a cover film 225 formed on the light blocking member 220 for barrier or flattening as compared with the liquid crystal panel assembly 300 shown in FIG. 22G. After the lid film 225 is formed, the layer of the color filter 230 can be formed in the light shielding member 220 and the side wall of the lid film 225 by an inkjet method. The barrier can be formed in a portion that separates the colors of the color filter formed in one pixel. As described above, the upper display panel 100 and the lower display panel 200 having the structures shown in FIGS. 22A to 22H can improve the display quality of the liquid crystal display device.

3)図18に示す領域A19の拡大図
以下、図18、図19A、及び図19Bを参照して図18に示す領域A19の構造を詳細に説明する。図19Aは、図18に示す領域A19の拡大図である。領域A19に形成された各層のパターン、例えば、第1の画素電極接触部192h及び第2の画素電極接触部192lと第1及び第2の画素電極接続部のパターンは、液晶表示装置の未復元又は光漏れを改善することができる。図23A〜図23F及び図24A〜図24Tに示すパターンは、液晶表示装置の未復元又は光漏れを改善するための他の実施形態である。
3) Enlarged view of region A19 shown in FIG. 18 Hereinafter, the structure of the region A19 shown in FIG. 18 will be described in detail with reference to FIGS. 18, 19A and 19B. FIG. 19A is an enlarged view of a region A19 shown in FIG. The pattern of each layer formed in the region A19, for example, the pattern of the first pixel electrode contact portion 192h and the second pixel electrode contact portion 192l and the first and second pixel electrode connection portions is not restored. Or light leakage can be improved. The patterns shown in FIGS. 23A to 23F and FIGS. 24A to 24T are other embodiments for improving the non-restoration or light leakage of the liquid crystal display device.

以下に説明するように、本発明者は、液晶表示装置の未復元及び光漏れ現象を発見した。未復元は、いずれか1つの配列状態、例えば、安定した配列状態から他の配列状態への遷移が遅延する現象である。液晶表示装置がユーザにより使用される時、液晶表示装置の表示部が加圧されるか又は外部の衝撃を受ける場合に、液晶層の液晶分子は再配列される。この時、再配列された液晶分子が元の状態に戻らず、一定の時間の間に再配列された状態を保持する。また、データ電圧が画素電極に印加されて電場が液晶層に形成されても、安定した状態で配列された液晶分子は、一部の領域で画素電極に形成された電場に従って液晶分子が動かず、前の配列された状態、例えば、安定した状態を継続して保持する。このような現象が液晶分子の未復元(Unrestoration)である。液晶分子の未復元は、テクスチャーの不良を発生させ得る。   As described below, the present inventor has discovered the non-restoration and light leakage phenomenon of the liquid crystal display device. Unrestored is a phenomenon in which the transition from any one of the array states, for example, a stable array state to another array state is delayed. When the liquid crystal display device is used by a user, the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer are rearranged when the display unit of the liquid crystal display device is pressurized or receives an external impact. At this time, the rearranged liquid crystal molecules do not return to the original state and maintain the rearranged state for a certain time. Even when a data voltage is applied to the pixel electrode and an electric field is formed in the liquid crystal layer, the liquid crystal molecules arranged in a stable state do not move according to the electric field formed on the pixel electrode in some regions. , Keep the previous aligned state, for example, the stable state. Such a phenomenon is the unrestoration of liquid crystal molecules. Unrestoration of liquid crystal molecules can cause poor texture.

図18及び図19Aに示す画素構造において、第1又は第2の副画素の十字状ブランチ部195の領域及び第1の副画素及び第2の副画素の境界領域A19において、液晶分子の配列方向が一致することにより液晶分子が安定した状態に保持されようとする特性のために未復元現象が起こり得る。加圧又は外部の衝撃がない状態では、十字状ブランチ部195の領域の液晶分子及び境界領域A19の液晶分子は、相互に独立した状態を保持するが、衝撃がある場合に、この領域において、液晶分子は、同一の方向の安定した状態に再配列される。未復元を改善するために、すなわち、液晶分子が安定した状態に配列されないように、図18に示す領域A19及び領域A19に隣接した領域で電場の強度及び方向が調節されなければならない。   In the pixel structure shown in FIGS. 18 and 19A, the alignment direction of the liquid crystal molecules in the region of the cross-shaped branch portion 195 of the first or second subpixel and the boundary region A19 of the first subpixel and the second subpixel. Due to the characteristic that the liquid crystal molecules tend to be held in a stable state due to the coincidence, the unrestoration phenomenon may occur. In a state where there is no pressurization or external impact, the liquid crystal molecules in the region of the cross-shaped branch portion 195 and the liquid crystal molecules in the boundary region A19 are kept independent from each other. The liquid crystal molecules are rearranged in a stable state in the same direction. In order to improve the unrestoration, that is, so that the liquid crystal molecules are not aligned in a stable state, the electric field strength and direction must be adjusted in the region A19 and the region adjacent to the region A19 shown in FIG.

光漏れ(light leakage)は、データ電圧により制御されない液晶層により外部光(図示せず)が液晶表示板アセンブリ300を通過する現象である。例えば、外部の衝撃により下部表示板及び上部表示板の液晶分子の配列がずれている場合に、液晶表示板アセンブリ300に入射する光は、液晶表示装置により制御されず、液晶表示板アセンブリを通過することができる。光漏れ現象は、液晶表示装置が駆動されない時にも発生し得る。また、下部表示板及び上部表示板の配列がずれている場合、遮光部材が正しい配列からずれているか、又は液晶層に形成された電場が歪曲されるため光漏れが発生し得る。液晶表示装置は、光漏れによりテクスチャー、ムラ、赤みを帯びた(reddish)又は緑色を帯びた(greenish)不良を有し得る。光漏れによるテクスチャー又はムラの不良は、画素電極の境界領域で発生する。光漏れによる赤みを帯びた不良は、液晶表示装置が赤みを帯びた色を有するために、赤色の光漏れが他の色の光漏れより多く視認される場合に発生する。また、緑色を帯びるか又は基本画素群を構成する他の色の不良も、赤みを帯びた不良が発生する工程と同様に、いずれか1つ以上のカラー光が他のカラーより多く視認される場合に発生する。また、たたき(tap or pat)による光漏れは、光漏れの一種で、液晶表示装置をたたいた時に発生する。液晶表示装置がたたかれた時、下部表示板100及び上部表示板200は、正配列から約10μm〜15μmの範囲内の値でずれることがあり、この際、上部表示板200及び下部表示板100に形成された層の誤整列(misalign)によりたたき光漏れが発生し得る。   Light leakage is a phenomenon in which external light (not shown) passes through the liquid crystal panel assembly 300 due to a liquid crystal layer that is not controlled by a data voltage. For example, when the liquid crystal molecules of the lower display panel and the upper display panel are misaligned due to external impact, the light incident on the liquid crystal display panel assembly 300 is not controlled by the liquid crystal display device and passes through the liquid crystal display panel assembly. can do. The light leakage phenomenon may occur even when the liquid crystal display device is not driven. Further, when the lower display panel and the upper display panel are misaligned, the light blocking member may be misaligned from the correct array, or the electric field formed in the liquid crystal layer may be distorted, thereby causing light leakage. The liquid crystal display device may have texture, unevenness, reddish or greenish defect due to light leakage. A defect in texture or unevenness due to light leakage occurs in the boundary region of the pixel electrode. The reddish defect due to light leakage occurs when the liquid crystal display device has a reddish color, so that red light leakage is more visible than light leakage of other colors. In addition, in the case of defects in other colors that are greenish or constitute the basic pixel group, one or more color lights are more visually recognized than other colors in the same manner as in the process of generating reddish defects. Occurs when. In addition, light leakage due to tap or pat is a kind of light leakage and occurs when the liquid crystal display device is tapped. When the liquid crystal display device is struck, the lower display panel 100 and the upper display panel 200 may deviate from the normal alignment by a value in the range of about 10 μm to 15 μm. At this time, the upper display panel 200 and the lower display panel Strike light leakage can occur due to misalignment of the layers formed in 100.

図19Aに示す第1の画素電極接触部192h及び第2の画素電極接触部192l、第1及び第2の画素電極接点接続部、画素電極及び他の層のパターンは、未復元及び光漏れ不良を改善するための実施形態である。第1の画素電極接触部192h及び第2の画素電極接触部192lの各々は、第1のドレーン電極175h及び第2のドレーン電極175lと第1及び第2の画素電極接点接続部とを電気的に接続する。第1及び第2の画素電極接点接続部は、それぞれ第1の画素電極接触部192h及び第2の画素電極接触部192lと第1の画素電極191h及び第2の画素電極191lとを電気的に接続する。第1の画素電極191h及び第2の画素電極191lは、それぞれ第1の画素電極接触部192h及び第2の画素電極接触部192lと第1及び第2の画素電極接点接続部とによりデータ信号の印加を受ける。第1の画素電極接触部192h及び第1の画素電極接点接続部は、凹状に形成することができる。   The pattern of the first pixel electrode contact portion 192h and the second pixel electrode contact portion 192l, the first and second pixel electrode contact connection portions, the pixel electrode, and other layers shown in FIG. It is embodiment for improving. Each of the first pixel electrode contact portion 192h and the second pixel electrode contact portion 192l electrically connects the first drain electrode 175h and the second drain electrode 175l and the first and second pixel electrode contact connection portions. Connect to. The first and second pixel electrode contact connection portions electrically connect the first pixel electrode contact portion 192h and the second pixel electrode contact portion 192l, and the first pixel electrode 191h and the second pixel electrode 191l, respectively. Connecting. The first pixel electrode 191h and the second pixel electrode 191l are connected to each other by a first pixel electrode contact portion 192h and a second pixel electrode contact portion 192l, and a first and second pixel electrode contact connection portion, respectively. Applied. The first pixel electrode contact portion 192h and the first pixel electrode contact connection portion can be formed in a concave shape.

第1の画素電極接点接続部は、第1の画素電極横接続部713h、第1の画素電極斜線接続部714h、及び第1の画素電極縦接続部715hを含むことができる。第1の画素電極縦接続部715hは、第1の画素電極横接続部713hに接続された第1の画素電極斜線接続部714hから傾斜した2分岐のブランチに接続された実質的に縦方向に伸張する2個のブランチで形成されることができ、第1の画素電極の中央部の微細ブランチ197、より詳細に、十字状ブランチの縦部195vの右側微細ブランチ197に接続される。   The first pixel electrode contact connection part may include a first pixel electrode horizontal connection part 713h, a first pixel electrode oblique connection part 714h, and a first pixel electrode vertical connection part 715h. The first pixel electrode vertical connection portion 715h is substantially vertically connected to the bifurcated branch inclined from the first pixel electrode oblique connection portion 714h connected to the first pixel electrode horizontal connection portion 713h. It can be formed by two branches that extend, and is connected to the fine branch 197 at the center of the first pixel electrode, and more specifically to the right fine branch 197 of the vertical part 195v of the cross-shaped branch.

本発明の実施形態に従って、第1の画素電極接続部接続点の配線は、図面に示すように傾斜するように形成される第1の画素電極斜線接続部714hであり得る。図19Aにおいて、第1の画素電極縦接続部715hは、十字状ブランチの縦部195vの伸張方向と同一のD2方向に延在している。第1の画素電極斜線接続部714hは、第1の画素電極縦接続部715hから、縦方向であるD2方向に対して右側方向に斜めに方向に延在しており、第1の画素電極横接続部713hの配線、偏光子の偏光軸又は上述した方向D1に対して約30°〜60°の範囲内のいずれか1つの値に傾くことができる。図19A中、第1の画素電極横接続部713hは、実質的に降圧ゲート線123と平行な横方向に伸張し、第1の画素電極接触部192h及び第1の画素電極斜線接続部714hを電気的に接続する。第1の画素電極横接続部713h及び第1の画素電極斜線接続部714hは、鈍角で接続され、第1の画素電極横接続部713h及びこの傾斜した2分岐のブランチは、鋭角で接続されることができる。   According to the embodiment of the present invention, the wiring of the first pixel electrode connection part connection point may be the first pixel electrode oblique line connection part 714h formed to be inclined as shown in the drawing. In FIG. 19A, the first pixel electrode vertical connection portion 715h extends in the same D2 direction as the extension direction of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch. The first pixel electrode oblique connection portion 714h extends from the first pixel electrode vertical connection portion 715h obliquely in the rightward direction with respect to the vertical direction D2, and the first pixel electrode horizontal connection portion 714h. It can be inclined to any one value within a range of about 30 ° to 60 ° with respect to the wiring of the connecting portion 713h, the polarization axis of the polarizer, or the direction D1 described above. In FIG. 19A, the first pixel electrode lateral connection portion 713h extends in a lateral direction substantially parallel to the step-down gate line 123, and the first pixel electrode contact portion 192h and the first pixel electrode oblique line connection portion 714h are connected. Connect electrically. The first pixel electrode lateral connection portion 713h and the first pixel electrode oblique connection portion 714h are connected at an obtuse angle, and the first pixel electrode lateral connection portion 713h and the inclined bifurcated branch are connected at an acute angle. be able to.

このように形成された第1の画素電極接点接続部は、特異点(singular point)を形成することにより、第1の副画素と第2の副画素間の領域で発生する電場を分散させるか、この領域で発生した電場が第1の副画素領域への悪影響を減少させることができる。したがって、第1の副画素領域で発生し得る液晶分子の未復元及び光漏れ不良を改善させることができる。   The first pixel electrode contact connecting portion formed in this manner disperses the electric field generated in the region between the first subpixel and the second subpixel by forming a singular point. The electric field generated in this region can reduce the adverse effect on the first subpixel region. Therefore, it is possible to improve non-restoration of liquid crystal molecules and poor light leakage that may occur in the first subpixel region.

本発明の実施形態に従って、第1の画素電極縦接続部715hに接続された微細ブランチ197は、1つ以上であり得る。本発明の実施形態に従って、第1の画素電極接点接続部を構成する配線713h、714h、及び715hは、1つ又は2つ以上の配線で構成されることができ、これらの幅は、それぞれ約2μm〜7μmの範囲内の値であり得る。第1の画素電極横接続部713hの幅は、第1の画素電極斜線接続部714hの幅より大きくなり得る。本発明の実施形態に従って、第1の画素電極接点接続部は、画素電極のリペアーを容易にする構造であり得る。したがって、第1の副画素の製造の不良をリペアー(repair)するためにレーザ(LASER)により線RH1が溶断され得る。   According to the embodiment of the present invention, the number of micro branches 197 connected to the first pixel electrode vertical connection 715h may be one or more. According to the embodiment of the present invention, the wirings 713h, 714h, and 715h constituting the first pixel electrode contact connection part may be composed of one or more wirings, each of which has a width of about The value may be in the range of 2 μm to 7 μm. The width of the first pixel electrode lateral connection portion 713h may be larger than the width of the first pixel electrode oblique connection portion 714h. According to an embodiment of the present invention, the first pixel electrode contact connection may be a structure that facilitates repair of the pixel electrode. Accordingly, the line RH1 may be blown by the laser (LASER) in order to repair the manufacturing defect of the first subpixel.

第2の画素電極接点接続部は、第2の画素電極横接続部713l、第2の画素電極接続部接続点又は第2の画素電極斜線接続部714l、及び第2の画素電極接続部717lで構成されることができる。第2の画素電極接続部接続点714lは、横方向に伸張する第2の画素電極横接続部713lに接続され、第2の画素電極接続部717lに接続される。   The second pixel electrode contact connection portion includes a second pixel electrode lateral connection portion 713l, a second pixel electrode connection portion connection point or second pixel electrode oblique line connection portion 714l, and a second pixel electrode connection portion 717l. Can be configured. The second pixel electrode connection part connection point 714l is connected to the second pixel electrode horizontal connection part 713l extending in the horizontal direction, and is connected to the second pixel electrode connection part 717l.

本発明の実施形態に従って、第2の画素電極接続部接続点714lの配線は、図面に示すように傾斜するように形成された第2の画素電極斜線接続部714lであり得る。第2の画素電極横接続部713lは、降圧ゲート線123の長手方向に沿って降圧ゲート線123の一部分と重なる。このように重なった第2の画素電極横接続部713lは、降圧ゲート線123の周辺部に存在する電場を遮断する。また、第2の画素電極横接続部713lは、第2のドレーン電極175lと第3のソース電極173cとを接続する配線と重なることができる。第2の画素電極横接続部713lの横長さは、第2の画素電極の横長さと実質的に同様である。   According to the embodiment of the present invention, the wiring of the second pixel electrode connection portion connection point 714 l may be the second pixel electrode oblique line connection portion 714 l formed to be inclined as shown in the drawing. The second pixel electrode lateral connection portion 713 l overlaps a part of the step-down gate line 123 along the longitudinal direction of the step-down gate line 123. The second pixel electrode lateral connection portion 713 l overlapped in this way blocks an electric field existing in the peripheral portion of the step-down gate line 123. Further, the second pixel electrode lateral connection portion 713l can overlap with a wiring that connects the second drain electrode 175l and the third source electrode 173c. The horizontal length of the second pixel electrode horizontal connection portion 713l is substantially the same as the horizontal length of the second pixel electrode.

第2の画素電極斜線接続部714lは、第2の画素電極横接続部713lに対して傾斜した配線で形成され、第2の画素電極横接続部713l及び第2の画素電極接続部717lを電気的に接続する。第2の画素電極斜線接続部714lは、十字状ブランチ195の縦部195vの左側微細ブランチ197に接続される。第2の画素電極斜線接続部714lと第1の画素電極横接続部713l間の傾斜角は、約30°〜60°の範囲内のいずれか1つの値であり得る。第2の画素電極斜線接続部714lの線幅は、約2μm〜7μmの範囲内のいずれか1つの値であり得、第2の画素電極の微細ブランチ197の幅より大きくなり得る。   The second pixel electrode oblique connection portion 714l is formed by a wiring inclined with respect to the second pixel electrode lateral connection portion 713l, and the second pixel electrode lateral connection portion 713l and the second pixel electrode connection portion 717l are electrically connected. Connect. The second pixel electrode oblique line connecting portion 714 l is connected to the left fine branch 197 of the vertical portion 195 v of the cross-shaped branch 195. The inclination angle between the second pixel electrode oblique connection portion 714l and the first pixel electrode lateral connection portion 713l may be any one value within a range of about 30 ° to 60 °. The line width of the second pixel electrode oblique line connecting portion 714 l may be any one value within a range of about 2 μm to 7 μm, and may be larger than the width of the fine branch 197 of the second pixel electrode.

第2の画素電極接続部717lは、第2の画素電極斜線接続部714lと第2の画素電極とを電気的に接続する。第2の画素電極接続部717lは、第2の画素電極斜線接続部714lを十字状ブランチの縦部195vの一端上の2個の微細ブランチ197に電気的に接続するために第2の画素電極191lの中央部に形成されている。第2の画素電極接続部717lは、ハンガー(hanger)形状を有しており、例えば、図19Aに示すように、十字状ブランチの縦部195vを中心として2個の微細ブランチ197が所定の角度をなして左右に対称に分岐するような形状をしている。本発明の実施形態に従って、第2の画素電極縦接続部715lに接続される微細ブランチ197は、1つ以上であり得る。   The second pixel electrode connection portion 717l electrically connects the second pixel electrode oblique line connection portion 714l and the second pixel electrode. The second pixel electrode connection portion 717 l is a second pixel electrode for electrically connecting the second pixel electrode oblique line connection portion 714 l to the two fine branches 197 on one end of the vertical portion 195 v of the cross-shaped branch. It is formed at the center of 191l. The second pixel electrode connection portion 717l has a hanger shape. For example, as shown in FIG. 19A, two fine branches 197 are centered on a vertical portion 195v of the cross-shaped branch at a predetermined angle. And has a shape that branches symmetrically to the left and right. According to the embodiment of the present invention, the number of micro branches 197 connected to the second pixel electrode vertical connection portion 715l may be one or more.

本発明の実施形態に従って、第2の画素電極横接続部713lと隣接して形成された第2の画素電極の横接続部194lは、第2の画素電極接続部717lの両側に形成される。第2の画素電極の横接続部194lは、第2の画素電極の微細ブランチ197を接続する。両側に形成された第2の画素電極の横接続部194lは、降圧ゲート線123の伸張方向に沿って降圧ゲート線123の一部分と重なる。このように重なった第2の画素電極の横接続部194lは、降圧ゲート線123の周辺部に存在する電場を遮断する。これにより、第2の画素電極接点接続部又は第2の画素電極の横接続部194lは、第1の副画素と第2の副画素間の領域で発生する電場を分散させるか、又はこの領域で発生した電場が第2の副画素領域に及ぼすよくない影響を減少させることができる。したがって、第2の副画素領域で発生し得る液晶分子の未復元及び光漏れ不良を改善させることができる。   According to the embodiment of the present invention, the second pixel electrode lateral connection 194l formed adjacent to the second pixel electrode lateral connection 713l is formed on both sides of the second pixel electrode connection 717l. The horizontal connection portion 194l of the second pixel electrode connects the fine branch 197 of the second pixel electrode. The lateral connection portions 194 l of the second pixel electrode formed on both sides overlap a part of the step-down gate line 123 along the extending direction of the step-down gate line 123. The horizontal connection portion 194 l of the second pixel electrode overlapped in this way cuts off the electric field existing in the peripheral portion of the step-down gate line 123. Accordingly, the second pixel electrode contact connection portion or the second pixel electrode horizontal connection portion 194l disperses the electric field generated in the region between the first subpixel and the second subpixel or this region. The adverse effect of the electric field generated in the second subpixel region can be reduced. Accordingly, it is possible to improve non-restoration of liquid crystal molecules and poor light leakage that may occur in the second subpixel region.

本発明の実施形態に従って、第2の副画素は、図19Aに示す領域A19a及びA19bの構造を有することができる。領域A19aにおいて、第2の画素電極の縦接続部193lは、階段状に伸張することにより保持電極線縦部128の一部分と重なる。図19A、図21Bを参照すると、第2の画素電極の縦接続部193lの突出部193aは、データ線171又は遮蔽共通電極196の線幅が減少する部分で形成されることができる。領域A19bの構造は、領域A19aの構造と実質的に同様であるので、その詳細な説明を省略する。このように形成された構造により、領域A19a及びA19bで発生する電場が遮断され、この領域で光漏れ不良が減少することができる。   According to the embodiment of the present invention, the second subpixel may have the structure of the regions A19a and A19b shown in FIG. 19A. In the region A19a, the vertical connection portion 193l of the second pixel electrode overlaps with a part of the holding electrode line vertical portion 128 by extending stepwise. 19A and 21B, the protrusion 193a of the vertical connection portion 193l of the second pixel electrode may be formed at a portion where the line width of the data line 171 or the shield common electrode 196 decreases. Since the structure of the region A19b is substantially the same as the structure of the region A19a, detailed description thereof is omitted. With the structure thus formed, the electric field generated in the regions A19a and A19b is cut off, and light leakage defects can be reduced in this region.

本発明の実施形態に従って、第2の画素電極接続部717lは、画素電極のリペアーを容易にする構造を有し得る。したがって、第2の副画素の製造の不良をリペアーするためには、線RL1がレーザスポットにより溶断されることができる。   According to the embodiment of the present invention, the second pixel electrode connection portion 717l may have a structure that facilitates repair of the pixel electrode. Therefore, in order to repair the manufacturing defect of the second subpixel, the line RL1 can be fused by the laser spot.

以下、図23A〜図23F及び図24A〜図24Tを参照して液晶分子の未復元及び光漏れ不良を改善するための様々な実施形態を開示する。図23A〜図23F及び図24A〜図24Tに示す画素電極を構成する微細ブランチ197は、ジグザグ状であるが、本発明の実施形態に従って、微細ブランチ197は、上述したストライプ状又は基本単位画素電極の形状であり得る。図23A〜図23Fは、説明の便宜のために、一部の層、例えば、ゲート層導電体、データ層導電体、及び画素電極層のパターンを示す。   Hereinafter, various embodiments for improving unrestoration of liquid crystal molecules and poor light leakage will be disclosed with reference to FIGS. 23A to 23F and FIGS. 24A to 24T. The fine branches 197 constituting the pixel electrodes shown in FIGS. 23A to 23F and FIGS. 24A to 24T have a zigzag shape. However, according to the embodiment of the present invention, the fine branches 197 may have the stripe shape or basic unit pixel electrode described above. The shape may be 23A to 23F show patterns of some layers, for example, a gate layer conductor, a data layer conductor, and a pixel electrode layer for convenience of explanation.

図23Aを参照すると、第1の画素電極接点接続部は、第1の画素電極横接続部713h及び第1の画素電極斜線接続部714hで構成される。接続部713h及び714h又は図23B〜図23F及び図24A〜図24Tと関連して説明される画素電極横接続部713、画素電極斜線接続部714、及び画素電極縦接続部715は、少なくとも1つの配線で構成されることができ、これらの幅は、それぞれ約2μm〜7μmの範囲内の値であり得る。   Referring to FIG. 23A, the first pixel electrode contact connection part includes a first pixel electrode lateral connection part 713h and a first pixel electrode oblique line connection part 714h. At least one of the connection portions 713h and 714h or the pixel electrode horizontal connection portion 713, the pixel electrode oblique line connection portion 714, and the pixel electrode vertical connection portion 715 described in connection with FIGS. 23B to 23F and FIGS. 24A to 24T is provided. Each of these widths can be a value in the range of about 2 μm to 7 μm.

第1の画素電極斜線接続部714hは、第1の画素電極横接続部713hの端部で2つに分岐したブランチを有し、2つに分岐したブランチの各々は、直線又はストライプ状を有し、十字状ブランチの縦部195vの左側にあるドメインの下端の中央部から伸張する第1の画素電極の微細ブランチに接続される。これにより、液晶分子の未復元を発生する電場は分散されることができる。   The first pixel electrode oblique connection portion 714h has two branches at the end of the first pixel electrode lateral connection portion 713h, and each of the two branches has a straight line or a stripe shape. Then, it is connected to the fine branch of the first pixel electrode extending from the center of the lower end of the domain on the left side of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch. As a result, the electric field that causes unrestoration of the liquid crystal molecules can be dispersed.

画素電極斜線接続部714hと第1の画素電極横接続部713h間の鋭角は、約30°〜60°の範囲内のいずれか1つの値であり得る。第1の画素電極横接続部713hは、第1の画素電極斜線接続部714hと鋭角をなすくさび形(wedge shape)であり得る。くさび形の第1の画素電極横接続部713hは、特異点(singular point)を形成することにより電場を分散させることができる。特異点は、電場が集まるか又は実質的に存在しない領域、例えば、図面に示す領域SPである。第1の画素電極横接続部713hの配線は、第1のドレーン電極175hと重なることができる。第1の画素の製造の不良時に、線RHaに沿って第1の画素電極斜線接続部714hに接続された微細ブランチを溶断することにより第1の副画素をリペアーすることができる。このように形成された第1の画素電極接点接続部は、副画素電極のリペアーを容易にし、上述した理由により、第1の副画素領域で発生し得る液晶分子の未復元及び光漏れ不良を改善することができる。本発明の実施形態に従って、第1の画素電極横接続部713hの配線幅は、第1の画素電極斜線接続部714hの配線幅より大きくなり得る。   The acute angle between the pixel electrode oblique connection portion 714h and the first pixel electrode horizontal connection portion 713h may be any one value within a range of about 30 ° to 60 °. The first pixel electrode lateral connection 713h may have a wedge shape that forms an acute angle with the first pixel electrode oblique connection 714h. The wedge-shaped first pixel electrode lateral connection portion 713h can disperse the electric field by forming a singular point. The singular point is a region where an electric field collects or does not substantially exist, for example, a region SP shown in the drawing. The wiring of the first pixel electrode lateral connection portion 713h can overlap with the first drain electrode 175h. When the manufacturing of the first pixel is defective, the first subpixel can be repaired by fusing the fine branch connected to the first pixel electrode oblique line connecting portion 714h along the line RHa. The first pixel electrode contact connecting portion formed in this way facilitates repair of the subpixel electrode, and for the reasons described above, the liquid crystal molecules that have not been restored and light leakage defects that may occur in the first subpixel region are prevented. Can be improved. According to the embodiment of the present invention, the wiring width of the first pixel electrode lateral connection portion 713h may be larger than the wiring width of the first pixel electrode oblique connection portion 714h.

第2の画素電極接点接続部は、第2の画素電極横接続部713l、第2の画素電極縦接続部715l、及び第2の画素電極接続部717lで構成される。第2の画素電極縦接続部715lは、十字状ブランチ195の縦部195vの中央部に接続され、これは、電場が一方に歪曲されることを減少させる。本発明の実施形態に従って、線RLaに沿って第2の副画素電極を溶断することにより第2の副画素をリペアーすることができる。このように形成された第2の画素電極接点接続部は、副画素電極のリペアーを容易にし、上述した理由により、第2の副画素領域で発生し得る液晶分子の未復元及び光漏れ不良を改善することができる。図23Aでは、第2の画素電極縦接続部715lを介して縦部195vが第2の画素電極横接続部713lに接続されるが、図19Aでは第2の画素電極斜線接続部714lを介して縦部195vが第2の画素電極横接続部713lに接続されている。他の要素及び構造は、図19Aを参照して上述したので、重複説明を省略する。図23B〜図23F及び図24A〜図24Tに示す線RHb、RLb、RHc、RLc1、RLc2、RHd、RLd、RHe、RLe、RHf、RLf、R24a、R24b、R24c、R24d、R24f、R24g、R24h、R24i、R24j、R24k、R24l、R24m、R24n、R24o、R24p、R24q、R24r、及びR24sが上述したレーザスポットにより溶断されることにより第1又は第2の副画素をリペアーすることができる。   The second pixel electrode contact connection portion includes a second pixel electrode horizontal connection portion 713l, a second pixel electrode vertical connection portion 715l, and a second pixel electrode connection portion 717l. The second pixel electrode vertical connection portion 715l is connected to the central portion of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch 195, which reduces the distortion of the electric field to one side. According to the embodiment of the present invention, the second subpixel can be repaired by fusing the second subpixel electrode along the line RLa. The second pixel electrode contact connection portion formed in this way facilitates repair of the subpixel electrode, and for the reasons described above, the liquid crystal molecules that have not been restored and the light leakage failure can occur in the second subpixel region. Can be improved. In FIG. 23A, the vertical portion 195v is connected to the second pixel electrode horizontal connection portion 713l via the second pixel electrode vertical connection portion 715l. In FIG. 19A, the vertical portion 195v is connected via the second pixel electrode oblique connection portion 714l. The vertical portion 195v is connected to the second pixel electrode horizontal connection portion 713l. Other elements and structures have been described above with reference to FIG. Lines RHb, RLb, RHc, RLc1, RLc2, RHd, RLd, RHe, RLe, RHf, RLf, R24a, R24b, R24c, R24d, R24f, R24g, R24h, shown in FIGS. 23B to 23F and 24A to 24T, R24i, R24j, R24k, R241, R24m, R24n, R24o, R24p, R24q, R24r, and R24s are fused by the laser spot described above, whereby the first or second subpixel can be repaired.

図23Bを参照すると、第1の画素電極接点接続部は、第1の画素電極横接続部713h及び第1の画素電極斜線接続部714hで構成される。画素電極斜線接続部714hの配線がジグザグ状であることを除き、図23Aで上述した説明と実質的に同様であるため、第1の画素電極接点接続部についての他の詳細な説明を省略する。第2の画素電極接点接続部は、第2の画素電極横接続部713lと第2の画素電極接続部717lとで構成される。第2の画素電極接続部717lは、降圧ゲート線123に対して縦方向に重なるように伸張し、第2の画素電極接触部192lに接続された第2の画素電極横接続部713lに電気的に接続する。第2の画素電極接続部717lが伸張し、横方向の画素電極横接続部713lに接続されることにより、画素電極接触部192l及び画素電極領域に形成された電場が分散されることができる。画素電極横接続部713lは、右側方向には形成されておらず、左側方向にのみ図23Aと同様の形状で構成されており、その形状は図23Aとは多少異なるが、第2の画素電極接点接続部についての他の説明は、図23Aと関連して詳細に説明したので、その詳細な説明を省略する。   Referring to FIG. 23B, the first pixel electrode contact connection part includes a first pixel electrode horizontal connection part 713h and a first pixel electrode oblique line connection part 714h. Except that the wiring of the pixel electrode oblique line connecting portion 714h is in a zigzag shape, it is substantially the same as the description described above with reference to FIG. . The second pixel electrode contact connection portion includes a second pixel electrode lateral connection portion 713l and a second pixel electrode connection portion 717l. The second pixel electrode connection portion 717 l extends so as to overlap the step-down gate line 123 in the vertical direction, and is electrically connected to the second pixel electrode lateral connection portion 713 l connected to the second pixel electrode contact portion 192 l. Connect to. The second pixel electrode connection portion 717l extends and is connected to the horizontal pixel electrode lateral connection portion 713l, whereby the electric field formed in the pixel electrode contact portion 192l and the pixel electrode region can be dispersed. The pixel electrode lateral connection portion 713l is not formed in the right direction, and is configured in the same shape as in FIG. 23A only in the left direction. The shape is slightly different from that in FIG. 23A, but the second pixel electrode Since the other description about the contact connection part was demonstrated in detail in relation to FIG. 23A, the detailed description is abbreviate | omitted.

図23Cを参照すると、第1の画素電極接点接続部は、第1の画素電極斜線接続部714h及び第1の画素電極縦接続部715hで構成される。十字状ブランチの縦部195vの右側下端で第1の画素電極縦接続部715h及び第1の画素電極の微細ブランチ197を電気的に接続する。第1の画素電極縦接続部715hに接続された微細ブランチ197は、十字状ブランチの縦部195vに接続された微細ブランチ197の中の下端部の微細ブランチ197であり得る。第1の画素電極斜線接続部714hは、第1の画素電極縦接続部715h及び第1の画素電極接続部192hの上部を電気的に接続するために傾斜するように伸張する。第1の画素電極斜線接続部714hは、第1の画素電極縦接続部715hと約30°〜60°の範囲内のいずれか1つの値に傾斜することができる。このように形成された第1の画素電極接点接続部は、副画素電極のリペアーを容易にし、上述した理由により、第1の副画素領域で発生し得る液晶分子の未復元及び光漏れ不良を改善することができる。   Referring to FIG. 23C, the first pixel electrode contact connection part includes a first pixel electrode oblique connection part 714h and a first pixel electrode vertical connection part 715h. The first pixel electrode vertical connection portion 715h and the fine branch 197 of the first pixel electrode are electrically connected at the lower right end of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch. The fine branch 197 connected to the first pixel electrode vertical connection portion 715h may be the fine branch 197 at the lower end of the fine branch 197 connected to the vertical portion 195v of the cross-shaped branch. The first pixel electrode oblique connection portion 714h extends so as to incline to electrically connect the upper portion of the first pixel electrode vertical connection portion 715h and the first pixel electrode connection portion 192h. The first pixel electrode oblique connection portion 714h may be inclined to any one value within a range of about 30 ° to 60 ° with respect to the first pixel electrode vertical connection portion 715h. The first pixel electrode contact connecting portion formed in this way facilitates repair of the subpixel electrode, and for the reasons described above, the liquid crystal molecules that have not been restored and light leakage defects that may occur in the first subpixel region are prevented. Can be improved.

第2の画素電極接点接続部は、第2の画素電極横接続部713l及び第2の画素電極縦接続部715lで構成される。横方向に伸張する第2の画素電極横接続部713lは、第2の画素電極横接続部713lの両端部で第2の画素電極縦接続部715lの端部に電気的に接続され、第2の画素電極縦接続部715lの他端部は、データ線に隣接した2個のドメインのエッジから伸張する第2の画素電極の微細ブランチ197に接続される。このように第2の画素電極接点接続部が第2の副画素電極の両端部に形成されることにより、画素電極接触部192l及び画素電極領域に形成された電場を大きく分散させることができる。したがって、第2の副画素領域で発生し得る液晶分子の未復元及び光漏れ不良が改善することができる。   The second pixel electrode contact connection portion includes a second pixel electrode horizontal connection portion 713l and a second pixel electrode vertical connection portion 715l. The second pixel electrode horizontal connection portion 713l extending in the horizontal direction is electrically connected to the end portions of the second pixel electrode vertical connection portion 715l at both ends of the second pixel electrode horizontal connection portion 713l. The other end of the pixel electrode vertical connection portion 715l is connected to the fine branch 197 of the second pixel electrode extending from the edges of the two domains adjacent to the data line. As described above, the second pixel electrode contact connection portion is formed at both ends of the second subpixel electrode, whereby the electric field formed in the pixel electrode contact portion 192l and the pixel electrode region can be largely dispersed. Therefore, non-restoration of liquid crystal molecules and poor light leakage that can occur in the second subpixel region can be improved.

図23Dを参照すると、第1の画素電極接点接続部は、第1の画素電極斜線接続部714hで構成される。十字状ブランチの縦部195vの左側下端にある微細ブランチ197は、第1の画素電極斜線接続部714hに電気的に接続され、第1の画素電極斜線接続部714hは、画素電極接触部192hに接続される。第1の画素電極斜線接続部714hは、十字状ブランチの縦部195vから伸張するジグザグ形状のブランチであり得る。このように形成された第1の画素電極接点接続部は、上述した効果を有する。第2の画素電極接点接続部は、第2の画素電極横接続部713l、第2の画素電極斜線接続部714l、及び第2の画素電極接続部717lで構成される。第2の画素電極接続部717lは、第2の副画素の十字状ブランチの縦部195vに接続され、第2の画素電極接続部717lの右側一端は、第2の副画素の上端の右側にある微細ブランチに接続された横接続部194LUrに接続され、横接続部194LUrは、傾斜するように横方向に伸張する第2の副画素電極横接続部713lに接続される。このような構成を除いては、図19Aと関連して上述した説明と同一である。   Referring to FIG. 23D, the first pixel electrode contact connection part is configured by a first pixel electrode oblique line connection part 714h. The fine branch 197 at the lower left end of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch is electrically connected to the first pixel electrode oblique line connecting part 714h, and the first pixel electrode oblique line connecting part 714h is connected to the pixel electrode contact part 192h. Connected. The first pixel electrode oblique line connecting portion 714h may be a zigzag-shaped branch extending from the vertical portion 195v of the cross-shaped branch. The first pixel electrode contact connection portion thus formed has the above-described effects. The second pixel electrode contact connection portion includes a second pixel electrode lateral connection portion 713l, a second pixel electrode oblique line connection portion 714l, and a second pixel electrode connection portion 717l. The second pixel electrode connection portion 717l is connected to the vertical portion 195v of the cross-shaped branch of the second subpixel, and the right end of the second pixel electrode connection portion 717l is on the right side of the upper end of the second subpixel. The horizontal connection portion 194LUr connected to a certain micro branch is connected to the second subpixel electrode horizontal connection portion 713l that extends in the horizontal direction so as to be inclined. Except for this configuration, the description is the same as that described above with reference to FIG. 19A.

図23Eを参照すると、第1の画素電極接点接続部は、第1の画素電極斜線接続部714hと第1の画素電極縦接続部715hと第1の画素電極接触部192hとで構成される。第1の画素電極斜線接続部714h及び第1の画素電極横接続部713hが接続される部分がくさび状であり、例えば図23Eに示すように第1の画素電極横接続部713hの右側先端部が尖る形状をなしていることを除き、図23Eに示す第1の画素電極接点接続部は、図19Aを参照して上述した説明と同様である。第2の画素電極接点接続部は、第2の画素電極横接続部713l、第2の画素電極接続部717l、及び第2の画素電極接触部192lで構成される。横方向の第2の画素電極横接続部713lは、画素電極接触部192l及び第2の画素電極接続部717lを電気的に接続する。第2の副画素電極及び第2の画素電極接続部717lを構成する微細ブランチがストライプ状であることを除き、第2の画素電極接続部717lは、図23Bと関連した説明と同様である。領域A22eで表示された領域において、微細ブランチ197は、画素電極の縦接続部193lでデータ線に隣接するように伸張することにより突出する。このように突出する微細ブランチは、降圧ゲート線123、保持電極線縦部128、及びデータ線171により形成された電場を分散するか又は遮断することができる。領域A22eに突出した微細ブランチの形状は、データ線171に隣接した第1の画素電極191h又は第2の画素電極191lのエッジの近くに形成されることができる。第2の画素電極横接続部713lの構造及び第2の画素電極接点接続部の効果は、図19Aと関連して上述したものと実質的に同様である。   Referring to FIG. 23E, the first pixel electrode contact connection portion includes a first pixel electrode oblique connection portion 714h, a first pixel electrode vertical connection portion 715h, and a first pixel electrode contact portion 192h. A portion to which the first pixel electrode oblique connection portion 714h and the first pixel electrode lateral connection portion 713h are connected has a wedge shape. For example, as shown in FIG. 23E, the right end portion of the first pixel electrode lateral connection portion 713h The first pixel electrode contact connection portion shown in FIG. 23E is the same as described above with reference to FIG. The second pixel electrode contact connection portion includes a second pixel electrode lateral connection portion 713l, a second pixel electrode connection portion 717l, and a second pixel electrode contact portion 192l. The second pixel electrode lateral connection portion 713l in the horizontal direction electrically connects the pixel electrode contact portion 192l and the second pixel electrode connection portion 717l. The second pixel electrode connection portion 717l is the same as that described in connection with FIG. 23B, except that the fine branch constituting the second subpixel electrode and the second pixel electrode connection portion 717l has a stripe shape. In the area indicated by the area A22e, the fine branch 197 protrudes by extending so as to be adjacent to the data line at the vertical connection portion 193l of the pixel electrode. The protruding micro branches can disperse or block the electric field formed by the step-down gate line 123, the storage electrode line vertical portion 128, and the data line 171. The shape of the fine branch protruding in the region A22e can be formed near the edge of the first pixel electrode 191h or the second pixel electrode 191l adjacent to the data line 171. The structure of the second pixel electrode lateral connection portion 713l and the effect of the second pixel electrode contact connection portion are substantially the same as those described above with reference to FIG. 19A.

図23Fを参照すると、第1の画素電極接点接続部は、第1の画素電極縦接続部715h、第1の画素電極接続部717h、及び第1の画素電極接触部192hで構成される。第1の画素電極接続部717hは、十字状ブランチの縦部195vの下端に形成され、第1の画素電極縦接続部715hに接続された第1の画素電極接触部192hを第1の画素電極と電気的に接続する。ハンガー形状であり得る第1の画素電極接続部717hに形成された横接続部717hhは、縦部195vの下端にある微細ブランチ197及び縦部195vの両側に接続される。第1の画素電極接続部717hは、上述した同一の効果を有することができる。第2の画素電極接点接続部は、第2の画素電極横接続部713l、第2の画素電極縦接続部715l、及び第2の副画素電極接触部192lで構成される。横方向に伸張する第2の画素電極横接続部713lは、第2の画素電極接触部192l及び第2の画素電極縦接続部715lを電気的に接続する。第2の画素電極縦接続部715lは、データ線171の方向に突出した複数の微細ブランチに接続される。他の配置は、図23Cと関連して説明したものと同様である。第2の画素電極接点接続部の効果は、上述したものと同様である。   Referring to FIG. 23F, the first pixel electrode contact connection part includes a first pixel electrode vertical connection part 715h, a first pixel electrode connection part 717h, and a first pixel electrode contact part 192h. The first pixel electrode connection portion 717h is formed at the lower end of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch, and the first pixel electrode contact portion 192h connected to the first pixel electrode vertical connection portion 715h is connected to the first pixel electrode. Connect electrically. The horizontal connection portion 717hh formed in the first pixel electrode connection portion 717h, which may have a hanger shape, is connected to both sides of the fine branch 197 and the vertical portion 195v at the lower end of the vertical portion 195v. The first pixel electrode connection portion 717h can have the same effect as described above. The second pixel electrode contact connection portion includes a second pixel electrode horizontal connection portion 713l, a second pixel electrode vertical connection portion 715l, and a second subpixel electrode contact portion 192l. The second pixel electrode horizontal connection portion 713l extending in the horizontal direction electrically connects the second pixel electrode contact portion 192l and the second pixel electrode vertical connection portion 715l. The second pixel electrode vertical connection portion 715 l is connected to a plurality of fine branches protruding in the direction of the data line 171. Other arrangements are similar to those described in connection with FIG. 23C. The effect of the second pixel electrode contact connection portion is the same as that described above.

上述の通り、第1の画素電極接続部接続点及び第2の画素電極接続部接続点の組み合わせとして、図23A〜図23Fが開示されている。その他にも、図23A〜図23Fの第1の画素電極接続部接続点と、図23A〜図23Fの第2の画素電極接続部接続点と、をそれぞれ多様に組み合わせることができる。例えば、図23Aの第1の画素電極接続部接続点と、図23Bの第2の画素電極接続部接続点と、組み合わせることができる。また、図23A等において、第1の画素電極接続部接続点の構成と第2の画素電極接続部接続点の構成とを入れ替えることも可能である。   As described above, FIGS. 23A to 23F are disclosed as combinations of the first pixel electrode connection part connection point and the second pixel electrode connection part connection point. In addition, the first pixel electrode connection part connection point in FIGS. 23A to 23F and the second pixel electrode connection part connection point in FIGS. 23A to 23F can be variously combined. For example, the first pixel electrode connection part connection point in FIG. 23A can be combined with the second pixel electrode connection part connection point in FIG. 23B. In FIG. 23A and the like, the configuration of the first pixel electrode connection portion connection point and the configuration of the second pixel electrode connection portion connection point can be interchanged.

以下、図24A〜図24Tを参照して液晶分子の未復元及び光漏れ不良を改善するための様々な実施形態について説明する。図24A〜図24Tは、画素電極の一部分及び副画素電極の境界部での画素電極層の部分パターンを示す。図24A〜図24Tに示す構造は、第1及び第2の画素電極の画素電極接点接続部に適用されることができる。図24Aを参照すると、画素電極接点接続部は、副画素電極接触部192、画素電極横接続部713、画素電極斜線接続部714、及び画素電極縦接続部715で構成される。十字状ブランチの縦部195vの右側にある複数の微細ブランチは、画素電極縦接続部715に接続される。画素電極縦接続部715は、2個以上の微細ブランチ197を共通に接続(join)し、画素電極斜線接続部714に接続され、画素電極斜線接続部714は、画素電極横接続部713を介して副画素電極接触部192に接続される。副画素電極接触部192の右側下端部に接続された画素電極横接続部713の線は、約120°〜150°の範囲内のいずれか1つの値で画素電極斜線接続部714の形状を構成するラインのうちの2本の斜線に接続される。このように形成された画素電極接点接続部は、画素電極斜線接続部714の外郭形状により電界が分散され、液晶分子の未復元及び光漏れ不良を改善することができる。   Hereinafter, various embodiments for improving non-restoration of liquid crystal molecules and poor light leakage will be described with reference to FIGS. 24A to 24T. 24A to 24T show a partial pattern of the pixel electrode layer at a part of the pixel electrode and the boundary portion of the sub-pixel electrode. The structure shown in FIGS. 24A to 24T can be applied to the pixel electrode contact connection portion of the first and second pixel electrodes. Referring to FIG. 24A, the pixel electrode contact connection part includes a sub-pixel electrode contact part 192, a pixel electrode horizontal connection part 713, a pixel electrode oblique line connection part 714, and a pixel electrode vertical connection part 715. A plurality of fine branches on the right side of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch are connected to the pixel electrode vertical connection portion 715. The pixel electrode vertical connection unit 715 connects two or more fine branches 197 in common and is connected to the pixel electrode diagonal line connection unit 714, and the pixel electrode diagonal line connection unit 714 passes through the pixel electrode horizontal connection unit 713. To the subpixel electrode contact portion 192. The line of the pixel electrode horizontal connection portion 713 connected to the lower right end portion of the subpixel electrode contact portion 192 forms the shape of the pixel electrode oblique line connection portion 714 with any one value within a range of about 120 ° to 150 °. Are connected to two diagonal lines. In the pixel electrode contact connection portion formed in this way, the electric field is dispersed by the outer shape of the pixel electrode oblique connection portion 714, and liquid crystal molecules are not restored and light leakage defects can be improved.

図24Bを参照すると、画素電極接点接続部は、画素電極斜線接続部714で構成される。十字状ブランチの縦部195vの左側下端部から伸張する複数の微細ブランチは、画素電極斜線接続部714に接続され、画素電極斜線接続部714は、画素電極接続部192の上部右方向に傾斜するように接続され、傾斜角は、伸張する複数の微細ブランチにより決定されることができる。ここで、2つに分離された画素電極斜線接続部714が電界を分散する。   Referring to FIG. 24B, the pixel electrode contact connection part is composed of a pixel electrode oblique line connection part 714. A plurality of fine branches extending from the lower left end of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch are connected to the pixel electrode oblique line connecting portion 714, and the pixel electrode oblique line connecting portion 714 is inclined to the upper right direction of the pixel electrode connecting portion 192. Thus, the inclination angle can be determined by a plurality of extending micro branches. Here, the pixel electrode oblique line connecting portion 714 separated into two disperses the electric field.

図24Cを参照すると、画素電極接点接続部は、画素電極横接続部713及び画素電極縦接続部715で構成される。データ線171に隣接した領域にある画素電極のコーナーにある複数の微細ブランチ197は、画素電極縦接続部715に接続される。接続部715は、副画素電極の横接続部194及び縦接続部193から分離される。横接続部194及び縦接続部193に接続された微細ブランチ、画素電極縦接続部715、画素電極横接続部713、及び画素電極接触部192は、一体化した層で同一の材質で形成されることに留意すべきである。画素電極縦接続部715が、画素電極の外郭に形成されているため、電界を中央ではなく外郭に形成するため、液晶分子の未復元及び光漏れ不良を改善することができる。   Referring to FIG. 24C, the pixel electrode contact connection unit includes a pixel electrode horizontal connection unit 713 and a pixel electrode vertical connection unit 715. A plurality of fine branches 197 at the corners of the pixel electrode in the region adjacent to the data line 171 are connected to the pixel electrode vertical connection portion 715. The connection portion 715 is separated from the horizontal connection portion 194 and the vertical connection portion 193 of the subpixel electrode. The fine branch connected to the horizontal connection part 194 and the vertical connection part 193, the pixel electrode vertical connection part 715, the pixel electrode horizontal connection part 713, and the pixel electrode contact part 192 are formed of the same material in an integrated layer. It should be noted. Since the pixel electrode vertical connection portion 715 is formed on the outer periphery of the pixel electrode, the electric field is formed not on the center but on the outer periphery, so that non-restoration of liquid crystal molecules and poor light leakage can be improved.

図24Dを参照すると、画素電極接点接続部は、画素電極の微細ブランチ197及び画素電極接触部192を接続するための画素電極横接続部713と画素電極縦接続部715とで構成される。画素電極縦接続部715が画素電極縦接続部193及び横接続部の一部分に接続されることを除いた他の構造は、図24Cと関連して上述した説明と同様である。図24A乃至図24Tに示すパターン、すなわち、画素電極の微細ブランチ197、微細ブランチを画素電極接触部192に接続するための画素電極接点接続部、及び画素電極接触部192を含むパターンのすべては、同一の材質で形成される単一(integrated)層である。   Referring to FIG. 24D, the pixel electrode contact connection part includes a pixel electrode horizontal connection part 713 and a pixel electrode vertical connection part 715 for connecting the fine branch 197 of the pixel electrode and the pixel electrode contact part 192. The other structure except that the pixel electrode vertical connection portion 715 is connected to part of the pixel electrode vertical connection portion 193 and the horizontal connection portion is the same as that described above with reference to FIG. 24C. The patterns shown in FIGS. 24A to 24T, that is, all of the patterns including the fine branch 197 of the pixel electrode, the pixel electrode contact connection part for connecting the fine branch to the pixel electrode contact part 192, and the pixel electrode contact part 192, An integrated layer formed of the same material.

図24Eを参照すると、画素電極接点接続部は、画素電極横接続部713、画素電極縦接続部715、及び画素電極接続部717で構成される。画素電極接続部717は、十字状ブランチの縦部195vの左側での複数の微細ブランチ197にそれぞれ接続された縦接続部193と、これに接続された画素電極横接続部713とで構成される。画素電極横接続部713は、画素電極の横接続部194の下から横方向に伸張し、伸張した複数の微細ブランチ197に接続され、画素電極接触部192の上部に接続された画素電極縦接続部715に接続される。画素電極縦接続部715の幅は、画素電極横接続部713の配線幅より大きくなり得る。電場を分散するために十字状ブランチの縦部195vの下端部に形成された微細ブランチ197は、横接続部194から分離された第2の横接続部194’に接続されるために伸張しており、ハンガー形状を有する。   Referring to FIG. 24E, the pixel electrode contact connection unit includes a pixel electrode horizontal connection unit 713, a pixel electrode vertical connection unit 715, and a pixel electrode connection unit 717. The pixel electrode connection portion 717 includes a vertical connection portion 193 connected to each of the plurality of fine branches 197 on the left side of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch, and a pixel electrode horizontal connection portion 713 connected thereto. . The pixel electrode horizontal connection part 713 extends in the horizontal direction from below the horizontal connection part 194 of the pixel electrode, is connected to the extended micro branches 197, and is connected to the upper part of the pixel electrode contact part 192. Connected to the unit 715. The width of the pixel electrode vertical connection portion 715 may be larger than the wiring width of the pixel electrode horizontal connection portion 713. A fine branch 197 formed at the lower end of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch to disperse the electric field is extended to be connected to the second horizontal connection portion 194 ′ separated from the horizontal connection portion 194. And has a hanger shape.

図24Fを参照すると、画素電極接点接続部は、画素電極横接続部713、画素電極縦接続部715、及び画素電極接続部717で構成される。画素電極接続部717は、図24Eに示す横接続部713の代わりに、分岐したブランチ713’を有する点を除き、図24Eの構成と同様である。   Referring to FIG. 24F, the pixel electrode contact connection unit includes a pixel electrode horizontal connection unit 713, a pixel electrode vertical connection unit 715, and a pixel electrode connection unit 717. The pixel electrode connection portion 717 is the same as the configuration in FIG. 24E except that the pixel electrode connection portion 717 has a branched branch 713 ′ instead of the horizontal connection portion 713 shown in FIG. 24E.

図24G及び図24Hを参照すると、画素電極接点接続部は、画素電極縦接続部715及び画素電極接続部717で構成される。画素電極接続部717は、十字状ブランチの縦部195vの下端部に位置した上述したようなハンガー形状を有する。電場を分散させるために、画素電極接続部717は、両側に形成された画素電極の横接続部194から分離される。また、画素電極接続部717は、両側の画素電極の横接続部194の下で突出している第2の横接続部194’を有する。図24Gに形成された画素電極縦接続部715の一端は、画素電極接続部717の第2の横接続部194’の一端に接続され、その他端は、画素電極接触部192に接続される。図24Hに形成された画素電極縦接続部715は、十字状ブランチの縦部195vにより伸張した画素電極接続部717の中心部に接続される。   Referring to FIG. 24G and FIG. 24H, the pixel electrode contact connection part includes a pixel electrode vertical connection part 715 and a pixel electrode connection part 717. The pixel electrode connection portion 717 has a hanger shape as described above located at the lower end of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch. In order to disperse the electric field, the pixel electrode connection portion 717 is separated from the horizontal connection portions 194 of the pixel electrodes formed on both sides. Further, the pixel electrode connection portion 717 includes a second horizontal connection portion 194 ′ that protrudes under the horizontal connection portions 194 of the pixel electrodes on both sides. One end of the pixel electrode vertical connection portion 715 formed in FIG. 24G is connected to one end of the second horizontal connection portion 194 ′ of the pixel electrode connection portion 717, and the other end is connected to the pixel electrode contact portion 192. The pixel electrode vertical connection portion 715 formed in FIG. 24H is connected to the center portion of the pixel electrode connection portion 717 extended by the vertical portion 195v of the cross-shaped branch.

図24Iを参照すると、画素電極接点接続部は、画素電極斜線接続部714及び画素電極接続部717を含む。上述したように、画素電極接続部717は、ハンガー形状を有し、その第2の横接続部194’は、縦接続部193に接続された画素電極の横接続部194と一直線上にある。画素電極斜線接続部714は、第2の横接続部194’の中央部から左下斜め方向に約30°〜60°の範囲内のいずれか1つの鋭角で傾斜するように伸張することにより画素電極接触部192の上部に接続される。   Referring to FIG. 24I, the pixel electrode contact connection part includes a pixel electrode oblique line connection part 714 and a pixel electrode connection part 717. As described above, the pixel electrode connection portion 717 has a hanger shape, and the second horizontal connection portion 194 ′ is in line with the horizontal connection portion 194 of the pixel electrode connected to the vertical connection portion 193. The pixel electrode oblique connection portion 714 extends from the center portion of the second horizontal connection portion 194 ′ so as to be inclined at any one acute angle in a range of about 30 ° to 60 ° in the lower left oblique direction. It is connected to the upper part of the contact part 192.

図24J、図24K、及び図24Lを参照すると、画素電極接点接続部は、画素電極縦接続部715及び画素電極接続部717を含む。画素電極接続部717は、画素電極縦接続部715により画素電極接触部192に接続される。図24J及び図24Kに示す画素電極縦接続部715は、ノッチ形状を有することができる。図24Jに示す縦接続部715は、凹状のノッチ761を有し、ノッチの深さは、約2.0μm〜5μmの範囲内のいずれか1つの値であり得る。図24Kに示す縦接続部715の配線は、凸状のノッチ763を有し、 凸状のノッチの高さは、約2.0μm〜5μmの範囲内のいずれか1つの値であり得る。図24Lに示す画素電極縦接続部715は、その内に溝765が形成されており、この溝は、特異点として作用することができる。   Referring to FIGS. 24J, 24K, and 24L, the pixel electrode contact connection part includes a pixel electrode vertical connection part 715 and a pixel electrode connection part 717. The pixel electrode connection part 717 is connected to the pixel electrode contact part 192 by the pixel electrode vertical connection part 715. The pixel electrode vertical connection portion 715 illustrated in FIGS. 24J and 24K may have a notch shape. The vertical connection portion 715 shown in FIG. 24J has a concave notch 761, and the depth of the notch can be any one value within a range of about 2.0 μm to 5 μm. The wiring of the vertical connection portion 715 shown in FIG. 24K has a convex notch 763, and the height of the convex notch can be any one value within a range of about 2.0 μm to 5 μm. The pixel electrode vertical connection portion 715 shown in FIG. 24L has a groove 765 formed therein, and this groove can act as a singular point.

図24M〜図24Qを参照すると、電場を分散するために、画素電極接点接続部は、Z字状の配線を有する。Z字状の配線は、2個の第1の画素電極横接続部713a、第2の画素電極横接続部713b、及び第2の画素電極斜線接続部714bを含む。第1の画素電極横接続部713aは、薄膜トランジスタのドレーン電極と重なることができ、第2の画素電極横接続部713bは、薄膜トランジスタのドレーン電極及びソース電極と重なることができる。Z字状の横接続部713bは、画素電極接触部192の下端に接続される。図24M〜図24Oに示す第1の画素電極斜線接続部714aは、十字状ブランチの縦部195vの左側下端のドメインにある微細ブランチ197の少なくとも2本の微細ブランチに伸張する2本に分岐した(bifurcate)形状を有し、第1の画素電極横接続部713aに対して傾斜している。第2の画素電極斜線接続部714bは、横方向に伸張する第1の画素電極横接続部713a及び第2の画素電極横接続部713bを接続し、第1の画素電極斜線接続部714aに実質的に平行であり、第2の画素電極横接続部713bは、画素電極接触部192の下端に接続される。   Referring to FIGS. 24M to 24Q, in order to disperse the electric field, the pixel electrode contact connection part has a Z-shaped wiring. The Z-shaped wiring includes two first pixel electrode lateral connection portions 713a, a second pixel electrode lateral connection portion 713b, and a second pixel electrode oblique line connection portion 714b. The first pixel electrode horizontal connection portion 713a can overlap with the drain electrode of the thin film transistor, and the second pixel electrode horizontal connection portion 713b can overlap with the drain electrode and the source electrode of the thin film transistor. The Z-shaped lateral connection portion 713 b is connected to the lower end of the pixel electrode contact portion 192. The first pixel electrode oblique line connecting portion 714a shown in FIGS. 24M to 24O branches into two extending to at least two fine branches of the fine branch 197 in the left lower end domain of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch. It has a (bifurcate) shape and is inclined with respect to the first pixel electrode lateral connection portion 713a. The second pixel electrode oblique connection portion 714b connects the first pixel electrode lateral connection portion 713a and the second pixel electrode lateral connection portion 713b extending in the horizontal direction, and is substantially connected to the first pixel electrode oblique connection portion 714a. The second pixel electrode lateral connection portion 713b is connected to the lower end of the pixel electrode contact portion 192.

図24Nに示す第1の画素電極斜線接続部714aは、凹状のノッチ761を有する。図24Oに示す第1の画素電極斜線接続部714aは、凸状のノッチ763を有する。ノッチのサイズは、上述した通りである。図24Pに示すZ字状の配線は、微細ブランチ197が接続された縦接続部193を伸張することにより接続された第1の画素電極横接続部713aを有するものを除き、上述したような同一の配線を有する。図24Qに示すZ字状の配線は、左側下端のドメインから横方向に伸張する第1の画素電極斜線接続部の複数のブランチが第1の画素電極横接続部713aに接続されることを除き、上述したものと同一の配線を有する。   The first pixel electrode oblique line connecting portion 714a shown in FIG. 24N has a concave notch 761. The first pixel electrode oblique line connecting portion 714a shown in FIG. 24O has a convex notch 763. The size of the notch is as described above. The Z-shaped wiring shown in FIG. 24P is the same as described above except that it has the first pixel electrode horizontal connection portion 713a connected by extending the vertical connection portion 193 to which the fine branch 197 is connected. Wiring. The Z-shaped wiring shown in FIG. 24Q is except that a plurality of branches of the first pixel electrode oblique line connecting portion extending in the horizontal direction from the left bottom domain are connected to the first pixel electrode horizontal connecting portion 713a. Have the same wiring as described above.

図24Rを参照すると、画素電極接点接続部は、画素電極横接続部713、第1の画素電極斜線接続部714a及び第2の画素電極斜線接続部714b、画素電極縦接続部715、及び画素電極接続部717を含む。画素電極接続部717は、上述したハンガー形状を有する。画素電極接続部717の横接続部194’の一端部は、第1の画素電極斜線接続部714aにより画素電極接触部192の一端部に傾斜するように接続され、横接続部194’の他端部は、画素電極縦接続部715、第2の画素電極斜線接続部714b、及び画素電極横接続部713を通して画素電極接触部192の右側下端部に接続される。画素電極横接続部713と第2の画素電極斜線接続部714b間で作られた鋭角は、約30°〜60°の範囲内のいずれか1つの値であり得る。   Referring to FIG. 24R, the pixel electrode contact connection part includes a pixel electrode horizontal connection part 713, a first pixel electrode oblique line connection part 714a and a second pixel electrode oblique line connection part 714b, a pixel electrode vertical connection part 715, and a pixel electrode. A connection portion 717 is included. The pixel electrode connection portion 717 has the hanger shape described above. One end portion of the horizontal connection portion 194 ′ of the pixel electrode connection portion 717 is connected to be inclined to one end portion of the pixel electrode contact portion 192 by the first pixel electrode oblique line connection portion 714a, and the other end of the horizontal connection portion 194 ′. This portion is connected to the lower right end of the pixel electrode contact portion 192 through the pixel electrode vertical connection portion 715, the second pixel electrode oblique line connection portion 714 b, and the pixel electrode horizontal connection portion 713. The acute angle created between the pixel electrode lateral connection portion 713 and the second pixel electrode oblique line connection portion 714b may be any one value within a range of about 30 ° to 60 °.

図24Sを参照すると、画素電極接点接続部は、第1の画素電極斜線接続部714a、第2の画素電極斜線接続部714b、及び画素電極接続部717を含む。画素電極接続部717は、十字状ブランチの縦部195vに対して対称である複数の微細ブランチ197で構成される。第1の画素電極斜線接続部714aは、複数の微細ブランチ197に接続され、画素電極接触部192の上部に傾斜するように接続された第2の画素電極斜線接続部714bに接続される。第1の画素電極斜線接続部714a及び第2の画素電極斜線接続部714bは、概ね直角に接続され、溝765は、第1の画素電極斜線接続部714aに含まれ得る。画素電極斜線接続部714は、十字状ブランチ部の縦部195vに対して対称である。   Referring to FIG. 24S, the pixel electrode contact connection part includes a first pixel electrode oblique line connection part 714a, a second pixel electrode oblique line connection part 714b, and a pixel electrode connection part 717. The pixel electrode connection portion 717 includes a plurality of fine branches 197 that are symmetrical with respect to the vertical portion 195v of the cross-shaped branch. The first pixel electrode oblique line connecting part 714a is connected to the plurality of fine branches 197 and is connected to the second pixel electrode oblique line connecting part 714b connected to be inclined to the upper part of the pixel electrode contact part 192. The first pixel electrode oblique line connecting part 714a and the second pixel electrode oblique line connecting part 714b are connected substantially at right angles, and the groove 765 may be included in the first pixel electrode oblique line connecting part 714a. The pixel electrode oblique line connecting portion 714 is symmetric with respect to the vertical portion 195v of the cross-shaped branch portion.

図24Tを参照すると、画素電極接点接続部は、第1の画素電極接点接続部771及び第2の画素電極接点接続部773を含む。第1の画素電極接点接続部771は、第1の画素電極横接続部713a、第1の画素電極斜線接続部714a、及び第1の画素電極縦接続部715aを含む。第1の画素電極縦接続部715aは、左側下端ドメインに形成された画素電極横接続部194を第1の画素電極斜線接続部714aに接続する。第1の画素電極縦接続部715aは、2本のブランチを含み得る。第1の画素電極斜線接続部714aは、画素電極上に形成された微細ブランチ197の傾斜角と実質的に同一であり得る。第1の画素電極斜線接続部714aは、約30°〜60°の範囲内のいずれか1つの鋭角で第1の画素電極縦接続部715aに対して傾斜することができる。第1の画素電極横接続部713aは、第1の画素電極斜線接続部714aを画素電極接続部192の上部に接続させる。第2の画素電極接点接続部773は、第2の画素電極横接続部713b、第2の画素電極斜線接続部714b、及び第2の画素電極縦接続部715bを含む。第2の画素電極縦接続部715bは、第1の画素電極接点接続部771が接続されるドメインに隣接した右側下端のドメインに形成された画素電極横接続部194を第2の画素電極斜線接続部714bに接続させる。第2の画素電極縦接続部715bは、2本のブランチを有することができる。第2の画素電極斜線接続部714bは、画素電極上に形成された微細ブランチ197の傾斜角と実質的に同一であり得る。第2の画素電極斜線接続部714bは、約30°〜60°の範囲内のいずれか1つの鋭角で第2の画素電極縦接続部715bに対して傾斜することができる。第2の画素電極横接続部713bは、第2の画素電極斜線接続部714b及び画素電極接触部192の上部を接続する。このように形成された画素電極接点接続部は、液晶分子の未復元及び光漏れ不良を改善することができる。   Referring to FIG. 24T, the pixel electrode contact connection part includes a first pixel electrode contact connection part 771 and a second pixel electrode contact connection part 773. The first pixel electrode contact connection part 771 includes a first pixel electrode horizontal connection part 713a, a first pixel electrode oblique line connection part 714a, and a first pixel electrode vertical connection part 715a. The first pixel electrode vertical connection portion 715a connects the pixel electrode horizontal connection portion 194 formed in the left bottom domain to the first pixel electrode oblique line connection portion 714a. The first pixel electrode vertical connection portion 715a may include two branches. The first pixel electrode oblique connection portion 714a may be substantially the same as the inclination angle of the fine branch 197 formed on the pixel electrode. The first pixel electrode oblique connection portion 714a may be inclined with respect to the first pixel electrode vertical connection portion 715a at any one acute angle within a range of about 30 ° to 60 °. The first pixel electrode horizontal connection portion 713 a connects the first pixel electrode oblique line connection portion 714 a to the upper portion of the pixel electrode connection portion 192. The second pixel electrode contact connection portion 773 includes a second pixel electrode horizontal connection portion 713b, a second pixel electrode oblique line connection portion 714b, and a second pixel electrode vertical connection portion 715b. The second pixel electrode vertical connection portion 715b connects the pixel electrode horizontal connection portion 194 formed in the lower right domain adjacent to the domain to which the first pixel electrode contact connection portion 771 is connected to the second pixel electrode oblique line connection. Connected to the unit 714b. The second pixel electrode vertical connection portion 715b can have two branches. The second pixel electrode oblique connection portion 714b may be substantially the same as the inclination angle of the fine branch 197 formed on the pixel electrode. The second pixel electrode oblique connection portion 714b may be inclined with respect to the second pixel electrode vertical connection portion 715b at any one acute angle within a range of about 30 ° to 60 °. The second pixel electrode horizontal connection portion 713 b connects the second pixel electrode oblique line connection portion 714 b and the upper portion of the pixel electrode contact portion 192. The pixel electrode contact connecting portion formed in this way can improve the non-restoration of liquid crystal molecules and the light leakage failure.

液晶分子の未復元を改善するための他の実施形態として、ドメイン領域に形成された電場と非ドメイン領域に形成された電場とが上部表示板及び下部表示板に垂直である直線について実質的に対称であり得る。ドメイン領域は、図19Aに示す領域A19で微細ブランチ197が形成された領域であり、非ドメイン領域は、微細ブランチ197が形成されない領域又は遮光部材220が形成された領域であり得る。また、ドメイン領域と非ドメイン領域間で形成された配向膜の傾斜方向がドメイン領域で形成された液晶分子の方向に実質的に垂直であり得る。   As another embodiment for improving the non-restoration of liquid crystal molecules, the electric field formed in the domain region and the electric field formed in the non-domain region are substantially about a straight line perpendicular to the upper display panel and the lower display panel. Can be symmetric. The domain region may be a region where the fine branch 197 is formed in the region A19 shown in FIG. 19A, and the non-domain region may be a region where the fine branch 197 is not formed or a region where the light shielding member 220 is formed. In addition, the tilt direction of the alignment film formed between the domain region and the non-domain region may be substantially perpendicular to the direction of the liquid crystal molecules formed in the domain region.

上記では、図24A〜図24Tに、様々な画素電極接点接続部が開示されている。これらの構成は、第1の画素電極接続部接続点にも適用可能であり、また、第2の画素電極接続部接続点にも適用可能である。また、第1の画素電極接続部接続点の構成及び第2の画素電極接続部接続点の構成の組み合わせとして、図24A〜図24Tを多様に組み合わせ可能である。   In the above, various pixel electrode contact connection portions are disclosed in FIGS. 24A to 24T. These configurations can also be applied to the first pixel electrode connection part connection point, and can also be applied to the second pixel electrode connection part connection point. 24A to 24T can be variously combined as combinations of the configuration of the first pixel electrode connection portion connection point and the configuration of the second pixel electrode connection portion connection point.

実施形態3
以下、図25〜図27Bを参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板アセンブリ300を詳細に説明する。液晶表示板アセンブリ300は、本発明の特徴に従ってデータ駆動部500を構成する駆動ICの個数を減少させるために、単位画素電極の長辺に平行であるようにゲート線を配置する。これにより、液晶表示板アセンブリ300が上述した液晶表示板アセンブリの構造及び画素電極層のパターンを有することにより液晶表示装置の表示の品質を一層向上させ、製造コストを低減させることができる。
Embodiment 3
Hereinafter, a liquid crystal panel assembly 300 according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 25 to 27B. In the liquid crystal panel assembly 300, gate lines are arranged to be parallel to the long side of the unit pixel electrode in order to reduce the number of driving ICs constituting the data driving unit 500 according to the feature of the present invention. Accordingly, the liquid crystal display panel assembly 300 has the above-described structure of the liquid crystal display panel assembly and the pattern of the pixel electrode layer, so that the display quality of the liquid crystal display device can be further improved and the manufacturing cost can be reduced.

図25は、本発明の実施形態による液晶表示板アセンブリ300を構成する1つの画素の概略的な配置を示す図である。画素構造を簡略に表現するために、図25に示す画素の配置でゲート層導電体、データ層導電体、コンタクトホール185、及び画素電極層のパターンを選択的に配列する。   FIG. 25 is a view showing a schematic arrangement of one pixel constituting the liquid crystal panel assembly 300 according to the embodiment of the present invention. In order to simply represent the pixel structure, the gate layer conductor, the data layer conductor, the contact hole 185, and the pixel electrode layer pattern are selectively arranged in the pixel arrangement shown in FIG.

図26A〜図26Cは、図25に示す画素構造を構成する主要層に対するパターンを示す。具体的に、図26A乃至図26Cは、図25に示す画素配置において、ゲート層導電体パターン、データ層導電体パターン、及び画素電極を含む画素電極層パターンをそれぞれ示す。図27Aは、図25に示す画素配置の27a−27a’の線に沿って切断された断面図であり、図27Bは、図25に示す画素配置の27b−27b’の線に沿って切断された断面図である。図27A及び図27Bに示す断面図は、図25で省略した複数層を追加で開示する。図27A及び図27Bに示す液晶表示板アセンブリ300の断面図において、方向27a及び方向27bに沿った断面は、図25の画素構造が行及び列のマトリックス形態で配置された時に図25に示す切断線に沿ってなされる。以下、図25〜図27Bと関連する説明において、下部表示板100及び上部表示板200の積層の順序は、図3〜図4Cと関連して説明したものと同一であるので、これに関する詳細な説明を省略する。また、図3〜図4C及び図18〜図20Bと関連して説明した部分と重複する説明は、説明の便宜上省略する。また、説明の便宜のために、単位画素に関連した説明がなされることに留意すべきである。   FIG. 26A to FIG. 26C show patterns for main layers constituting the pixel structure shown in FIG. Specifically, FIGS. 26A to 26C respectively show a gate layer conductor pattern, a data layer conductor pattern, and a pixel electrode layer pattern including a pixel electrode in the pixel arrangement shown in FIG. 27A is a cross-sectional view taken along the line 27a-27a ′ of the pixel arrangement shown in FIG. 25, and FIG. 27B is cut along the line 27b-27b ′ of the pixel arrangement shown in FIG. FIG. The cross-sectional views shown in FIGS. 27A and 27B additionally disclose a plurality of layers omitted in FIG. 27A and 27B, the cross sections along the direction 27a and the direction 27b are cross-sectional views shown in FIG. 25 when the pixel structure of FIG. 25 is arranged in a matrix form of rows and columns. Made along a line. Hereinafter, in the description related to FIGS. 25 to 27B, the order of stacking the lower display panel 100 and the upper display panel 200 is the same as that described with reference to FIGS. Description is omitted. Moreover, the description which overlaps with the part demonstrated in relation to FIGS. 3-4C and FIGS. 18-20B is abbreviate | omitted for convenience of explanation. Also, it should be noted that for convenience of explanation, explanation related to unit pixels is made.

以下、図25〜図27Bを参照して液晶表示板アセンブリ300を構成する下部表示板100及び上部表示板200の配置図を詳細に説明する。ゲート層導電体は、下部基板110上に形成され、複数のゲート線121n及び121n+1、降圧ゲート線123、及び複数のゲート電極124h、124l、124cを含む。データ層導電体は、線形抵抗性接触部材165上に形成され、データ線171、第1のソース電極173h、第2のソース電極173l、第3のソース電極173c、第1のドレーン電極175h、第2のドレーン電極175l、第3のドレーン電極175c、及び第3のドレーン電極拡張部177cを含む。画素電極層は、第2の保護膜182上に形成され、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191l、第1の画素電極接触部192h及び第2の画素電極接触部192l、縦接続部193h及び193l、横接続部194h及び194l、十字状ブランチ部195h及び195l、微細ブランチ197h及び197l、第1の画素電極縦接続部715h及び第2の画素電極縦接続部715l、及びガス出口ホールカバー(outgasing hole cover)187を含む。   Hereinafter, the layout of the lower display panel 100 and the upper display panel 200 constituting the liquid crystal display panel assembly 300 will be described in detail with reference to FIGS. 25 to 27B. The gate layer conductor is formed on the lower substrate 110 and includes a plurality of gate lines 121n and 121n + 1, a step-down gate line 123, and a plurality of gate electrodes 124h, 124l, and 124c. The data layer conductor is formed on the linear resistive contact member 165, and includes the data line 171, the first source electrode 173h, the second source electrode 173l, the third source electrode 173c, the first drain electrode 175h, and the first drain electrode 175h. 2 drain electrodes 175l, a third drain electrode 175c, and a third drain electrode extension 177c. The pixel electrode layer is formed on the second protective film 182, and includes a first subpixel electrode 191 h and a second subpixel electrode 191 l, a first pixel electrode contact portion 192 h and a second pixel electrode contact portion 192 l, Vertical connection portions 193h and 193l, horizontal connection portions 194h and 194l, cross-shaped branch portions 195h and 195l, fine branches 197h and 197l, first pixel electrode vertical connection portion 715h and second pixel electrode vertical connection portion 715l, and gas An outgassing hole cover 187 is included.

第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、n+1番目のゲート線121n+1に接続された薄膜トランジスタQh25及びQl25を介してデータ線171からデータ電圧を受信する。第1の副画素電極191hは、図23Bに示す画素電極接点接続部715hの形状により第1の画素電極接触部192hから画素又は階調電圧を受信する。第2の副画素電極191lは、第2の画素電極接触部192lに接続され、降圧ゲート線123の方向に伸張する配線又は線により画素又は階調電圧を受信する。第2の副画素電極191lを第2の画素電極接触部192lに接続する配線は、降圧ゲート線123を全体的に覆うことができ、データ線171の方向に伸張することができる。   The first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l receive the data voltage from the data line 171 through the thin film transistors Qh25 and Ql25 connected to the (n + 1) th gate line 121n + 1. The first subpixel electrode 191h receives a pixel or a gray scale voltage from the first pixel electrode contact portion 192h according to the shape of the pixel electrode contact connection portion 715h shown in FIG. 23B. The second subpixel electrode 191 l is connected to the second pixel electrode contact portion 192 l and receives a pixel or a grayscale voltage through a wiring or a line extending in the direction of the step-down gate line 123. The wiring connecting the second subpixel electrode 191l to the second pixel electrode contact portion 192l can cover the entire step-down gate line 123 and can extend in the direction of the data line 171.

第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lの上部横接続部194h及び194lは、n番目のゲート線121nと重なる。第2の副画素電極191lの下部横接続部194lは、降圧ゲート線123と重なる。第1の薄膜トランジスタQh25及び第2の薄膜トランジスタQl25を構成するゲート電極124h及び124lは、データ線171の方向に伸張することにより第3のドレーン電極の拡張部177cと重なる。   Upper horizontal connection portions 194h and 194l of the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l overlap with the nth gate line 121n. The lower horizontal connection portion 194 l of the second subpixel electrode 191 l overlaps the step-down gate line 123. The gate electrodes 124h and 124l constituting the first thin film transistor Qh25 and the second thin film transistor Ql25 extend in the direction of the data line 171 to overlap the extended portion 177c of the third drain electrode.

第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、相互に隣接し、この電極に形成された微細ブランチ197h及び197lと微細スリット199h及び199lとは、ジグザグ形状を有する。第1の副画素電極191hに形成された微細ブランチ197h及び微細スリット199hの幅は、それぞれ約5μm〜6μmの範囲内のいずれか1つの値であり得、それぞれの幅は、約5μmから約6μmまで徐々に変わり得る。ジグザグ微細ブランチ197又は微細スリット199の単位長さは、約14μmであり得る。微細ブランチ197又は微細スリット199の主方向は、十字状ブランチ方向に対して約±40°であり得、ジグザグ角は、約±7°であり得る。第2の副画素電極191lに形成された微細ブランチ197l及び微細スリット199lの幅は、それぞれ約5μm〜7μmの範囲内のいずれか1つの値であり得る。本発明の他の実施形態に従って、微細スリット199lの幅が一定であり、微細ブランチ197lの幅が図面に示す矢印方向に約5μmから約7μmまで徐々に大きくなり得る。他方、微細スリット199lの幅が矢印方向に徐々に大きくなり得る。ジグザグ微細ブランチ197又は微細スリット199の単位長さは、約10μmであり得る。微細ブランチ197又は微細スリット199の主方向は、十字状ブランチの方向に対して約±45°であり得、ジグザグ角は、約±15°であり得る。   The first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are adjacent to each other, and the micro branches 197h and 197l and the micro slits 199h and 199l formed on the electrodes have a zigzag shape. The widths of the micro branches 197h and the micro slits 199h formed in the first subpixel electrode 191h may be any one of a range of about 5 μm to 6 μm, and each width may be about 5 μm to about 6 μm. Can change gradually. The unit length of the zigzag micro branch 197 or the micro slit 199 may be about 14 μm. The main direction of the fine branch 197 or the fine slit 199 may be about ± 40 ° with respect to the cross-shaped branch direction, and the zigzag angle may be about ± 7 °. The widths of the micro branches 197 l and the micro slits 199 l formed in the second subpixel electrode 191 l may be any one value within a range of about 5 μm to 7 μm. According to another embodiment of the present invention, the width of the fine slit 199l is constant, and the width of the fine branch 197l can be gradually increased from about 5 μm to about 7 μm in the direction of the arrow shown in the drawing. On the other hand, the width of the fine slit 199l can gradually increase in the direction of the arrow. The unit length of the zigzag micro branch 197 or the micro slit 199 may be about 10 μm. The main direction of the micro branches 197 or micro slits 199 may be about ± 45 ° with respect to the direction of the cruciform branch, and the zigzag angle may be about ± 15 °.

図27A及び図27Bを参照すると、上部表示板200に形成された遮光部材220は、画素間に形成され、降圧ゲート線123とゲート線121とが重なるようにする。より望ましく、遮光部材220の一端は、画素電極に隣接した降圧ゲート線123の一端と実質的に一致し、他端は、画素電極に隣接した降圧ゲート線121の一端と実質的に一致する。このように形成された画素構造は、本発明の特徴に従って、図3及び図18に示す画素構造とは異なり、画素電極の長辺がゲート線121に平行である方向に形成される。すなわち、1つの画素電極を取り囲んでいるゲート線は長く、データ線171は短い。したがって、この画素構造を有する液晶表示装置は、より少ないデータドライブIC(drive IC)の個数、例えば、一般的な液晶表示装置を構成するデータドライブICの個数の約1/3の個数で動作することができる。したがって、本発明による液晶表示装置の製造コストを減少させることができ、表示の品質を向上させることができる。   Referring to FIGS. 27A and 27B, the light blocking member 220 formed on the upper display panel 200 is formed between the pixels so that the step-down gate line 123 and the gate line 121 overlap each other. More preferably, one end of the light shielding member 220 substantially coincides with one end of the step-down gate line 123 adjacent to the pixel electrode, and the other end substantially coincides with one end of the step-down gate line 121 adjacent to the pixel electrode. The pixel structure formed in this manner is formed in a direction in which the long side of the pixel electrode is parallel to the gate line 121, unlike the pixel structure shown in FIGS. That is, the gate line surrounding one pixel electrode is long and the data line 171 is short. Accordingly, the liquid crystal display device having this pixel structure operates with a smaller number of data drive ICs (drive ICs), for example, about 1/3 of the number of data drive ICs constituting a general liquid crystal display device. be able to. Therefore, the manufacturing cost of the liquid crystal display device according to the present invention can be reduced, and the display quality can be improved.

本発明の他の実施形態において、基本画素群に形成された基本色のカラーフィルターがデータ線171の方向に反復的にかつ周期的に形成されてもよい。すなわち、基本色で構成された1つのグループのカラーフィルターがデータ線171の方向に反復して連続的に配置されてもよい。他方、図32に示す基本画素群のように、相互に異なる4つの色が配置されてよい。図32に示す基本画素群の構造について後述する。   In another embodiment of the present invention, a basic color filter formed in the basic pixel group may be formed repeatedly and periodically in the direction of the data line 171. That is, one group of color filters composed of basic colors may be continuously arranged repeatedly in the direction of the data line 171. On the other hand, four different colors may be arranged as in the basic pixel group shown in FIG. The structure of the basic pixel group shown in FIG. 32 will be described later.

液晶表示板アセンブリのモード
以下、上述した方法で製造された表示板100及び200を用いて様々な方法で製造された液晶表示板アセンブリ300を詳細に説明する。図6A、図6B、及び図6Cは、それぞれ図1乃至図5A及び図5Bに従って製造された下部表示板100及び上部表示板200を用いてSVAモード(Super Vertical Alignment Mode)、SC−VAモード(Surface-Controlled Alignment Mode)及び偏光UV−VAモード(Polarized Ultra-Violet Vertical-Alignment Mode)に基づいて液晶表示板アセンブリ300を製造する方法を説明するための概略的なフローチャートである。各モードにおいて、下板配向膜291及び上板配向膜292の形成過程は実質的に同一である。したがって、以下では、説明の重複を避けるために、下板配向膜291の形成過程について詳細に説明する。
The following mode of the liquid crystal display panel assembly will be described in detail a liquid crystal display panel assembly 300 manufactured in various ways using the display panel 100 and 200 produced in the manner described above. FIGS. 6A, 6B, and 6C are respectively an SVA mode (Super Vertical Alignment Mode) and an SC-VA mode (using the lower display panel 100 and the upper display panel 200 manufactured according to FIGS. 1 to 5A and 5B). 4 is a schematic flowchart for explaining a method of manufacturing a liquid crystal panel assembly 300 based on a surface-controlled alignment mode and a polarized UV-VA mode. In each mode, the formation process of the lower plate alignment film 291 and the upper plate alignment film 292 is substantially the same. Therefore, in the following, the formation process of the lower plate alignment film 291 will be described in detail in order to avoid duplication of explanation.

SVAモード(Super Vertical Alignment Mode)
まず、図6Aを参照してSVAモードの液晶表示板アセンブリ300が製造される方法について詳細に説明する。
SVA mode (Super Vertical Alignment Mode)
First, a method of manufacturing the SVA mode LCD panel assembly 300 will be described in detail with reference to FIG. 6A.

最初のステップS110及びS120において、図1乃至図5A及び図5Bと関連して上述した方法で、画素電極191を有する下部表示板100と共通電極270を有する上部表示板200とがそれぞれ製造される。主配向物質(図示せず)は、画素電極191及び共通電極270上にインクジェット又はロールプリンティングにより塗布される。主配向物質は、下部表示板100及び上部表示板200の内部領域上に形成され、部分的に外郭領域に塗布されることができる。下部表示板100の外郭領域は、データ電圧の印加を受けて画素が形成されない領域であり、内部領域は、データ電圧の印加を受けて画素が形成される領域である。上部表示板200の外郭領域及び内部領域の各々は、下部表示板100と上部表示板200とが組み立てられる際に下部表示板100の外郭領域及び内部領域に対応する領域である。本発明の実施形態に従って、一部の領域で、主配向物質は、スペーサ、カラーフィルター、又は絶縁膜に直接接触するように塗布されることができる。   In the first steps S110 and S120, the lower display panel 100 having the pixel electrode 191 and the upper display panel 200 having the common electrode 270 are manufactured by the method described above with reference to FIGS. 1 to 5A and 5B, respectively. . A main alignment material (not shown) is applied on the pixel electrode 191 and the common electrode 270 by inkjet or roll printing. The main alignment material is formed on the inner region of the lower display panel 100 and the upper display panel 200 and may be partially applied to the outer region. The outer region of the lower display panel 100 is a region where pixels are not formed upon application of a data voltage, and the inner region is a region where pixels are formed upon application of a data voltage. Each of the outer region and the inner region of the upper display panel 200 corresponds to the outer region and the inner region of the lower display panel 100 when the lower display panel 100 and the upper display panel 200 are assembled. According to an embodiment of the present invention, in some regions, the main alignment material may be applied so as to be in direct contact with the spacer, the color filter, or the insulating film.

本発明の実施形態に従って、主配向物質は、側鎖に結合された光吸収剤、例えば、感光剤(photo-sensitizer)を含むことができる。主配向物質に含まれた感光剤は、ステップS154を参照して、後述する工程で約300nm〜約400nm波長の紫外線を吸収するために、主配向物質の下部膜、例えば、有機物の絶縁膜が入射する光により損傷されない。   According to an embodiment of the present invention, the main alignment material may include a light absorber bonded to the side chain, for example, a photo-sensitizer. Referring to step S154, the photosensitive agent included in the main alignment material absorbs ultraviolet rays having a wavelength of about 300 nm to about 400 nm in a process described later, so that a lower film of the main alignment material, for example, an organic insulating film is formed. It is not damaged by incident light.

感光剤は、2−ヒドロキシフェニル2H−ベンゾトリアゾール(2-Hydroxyphenyl 2H-benzotriazole)誘導体であり得る。2−ヒドロキシフェニル2H−ベンゾトリアゾール誘導体(2-Hydroxyphenyl 2H-benzotriazole derivative)を構成するベンゼン環(benzene ring)のヒドロキシ基及びオルト位置でベンゾトリアゾール(Benzotriazole)基の窒素(N)原子が水素結合を行うことにより約300〜約400nm波長を有する紫外線は容易に吸収される。2−ヒドロキシフェニル2H−ベンゾトリアゾル誘導体(2-Hydroxyphenyl 2H-benzotriazole derivative)は、(2,4-[di(2H-benzotriazol-2-yl)]-1,3-dihydroxybenzene)、2,4-[di(2H-benzotriazol-2-yl)]-1,3,5-trihydroxybenzene)、又は(2,4-[di(2H-benzotriazol-2-yl)]-1,3,5-trihydroxybenzene)であり得る。2−ヒドロキシフェニル2H−ベンゾトリアゾル誘導体(2-Hydroxyphenyl 2H-benzotriazole derivative)の構造式は、下の構造式PS−B1〜構造式PS−B7の中のいずれか1つであり得る。   The photosensitizer may be a 2-hydroxyphenyl 2H-benzotriazole derivative. The nitrogen (N) atom of the benzotriazole group forms a hydrogen bond at the hydroxy group and ortho position of the benzene ring that constitutes the 2-hydroxyphenyl 2H-benzotriazole derivative (2-Hydroxyphenyl 2H-benzotriazole derivative). By doing so, ultraviolet light having a wavelength of about 300 to about 400 nm is easily absorbed. 2-Hydroxyphenyl 2H-benzotriazole derivative is (2,4- [di (2H-benzotriazol-2-yl)]-1,3-dihydroxybenzene), 2,4- In [di (2H-benzotriazol-2-yl)]-1,3,5-trihydroxybenzene) or (2,4- [di (2H-benzotriazol-2-yl)]-1,3,5-trihydroxybenzene) possible. The structural formula of 2-hydroxyphenyl 2H-benzotriazole derivative may be any one of the following structural formulas PS-B1 to PS-B7.

構造式PS−B1   Structural formula PS-B1

構造式PS−B2   Structural formula PS-B2

構造式PS−B3   Structural formula PS-B3

構造式PS−B4   Structural formula PS-B4

構造式PS−B5   Structural formula PS-B5

構造式PS−B6   Structural formula PS-B6

構造式PS−B7   Structural formula PS-B7

また、感光剤は、アミノ官能基(amino functional group)を有する以下の構造式PS−A1又はPS−A2を有することができる。感光剤がアミノ基(amino group)を有することによりポリイミド化反応を行うことができる側鎖(side chain)が形成されるために、アミノ基を有する感光剤は、低分子形態の感光剤が有する短所を改善することができる。低分子形態の感光剤は、主配向物質の構成成分となりつつ工程進行中にガスが発生することができ、主配向物質のコーティングの均一性(Uniformity)を低くすることができる。   The photosensitizer can also have the following structural formula PS-A1 or PS-A2 having an amino functional group. Since the photosensitizer has an amino group, a side chain capable of undergoing a polyimidation reaction is formed. Therefore, the photosensitizer having an amino group has a low molecular weight photosensitizer. Disadvantages can be improved. The low molecular weight photosensitizer is a component of the main alignment material, can generate gas during the process, and can reduce the coating uniformity of the main alignment material.

構造式PS−A1   Structural formula PS-A1


構造式PS−A2   Structural formula PS-A2

ここで、Xは、Hであり、O又はnが1〜10である整数を有する(CH)nであり得る。また、R1〜R5は、水素又はアルキル基であり得る。 Here, X is H, O or n can be a (CH 2) n having integer from 1 to 10. R1 to R5 may be hydrogen or an alkyl group.

本発明の実施形態に従って、光吸収剤を含む主配向物質は、以下の構造式PI−A1を有することができ、下記のように製造されることができる。まず、20モル(mol)%のTCAAH(2,3,5-tricarboxy cyclopentyl acetic dian-hydride)、12モル%のp−フェニルジアミン(p-phenyldiamine)、2モル%のコレステロールジアミン(Cholesteric diamine)、及び2モル%の2−ヒドロキシベンゾトリアゾールジアミン(2-Hydroxybenzotriazole diamine,構造式PS−A1)の混合物は、窒素雰囲気及び弱常温〜100℃で約48時間の間にDMAc(N,N-Dimethyl acetamide)溶媒と混合される。このように混合された(stirred)中間生成物は、約95%以上の純度を有するエタノール(Ethanol)と混合されることにより沈殿されたポリアミック酸(Polyamic acid)が得られる。この後に、約4〜10重量(wt)%のポリアミック酸、約0.1〜40重量(wt)%の熱硬化剤と約80〜95重量(wt)%の溶媒とが混合されることにより、下記の構造式PI−A1を有する主配向物質が製造されることができる。熱硬化剤は、エポキシ(Epoxy)系列の低分子であり得、溶媒は、ブチルラクトン(Butyl Lactone))、Nビニルピロリドン(NVinyl pyrrolidone:NMP)、及びブチルセルロース(Butyl Cellulose)がそれぞれ約4:約3:約3の割合で混合されたものであり得る。   According to an embodiment of the present invention, the main alignment material including the light absorber may have the following structural formula PI-A1 and may be manufactured as follows. First, 20 mol (mol)% TCAAH (2,3,5-tricarboxycyclopentyl acetic dianhydride), 12 mol% p-phenyldiamine, 2 mol% cholesterol diamine (Cholesteric diamine), And 2 mol% of 2-hydroxybenzotriazole diamine (Structure Formula PS-A1) is a mixture of DMAc (N, N-dimethyl acetamide) in a nitrogen atmosphere and a weak room temperature to 100 ° C. for about 48 hours. ) Mixed with solvent. The intermediate product thus mixed is mixed with ethanol having a purity of about 95% or more to obtain a precipitated polyamic acid. This is followed by mixing about 4-10 wt.% Polyamic acid, about 0.1-40 wt.% Thermosetting agent and about 80-95 wt.% Solvent. A main alignment material having the following structural formula PI-A1 can be manufactured. The thermosetting agent may be a small molecule of the Epoxy series, and the solvent may be about 4: butyl lactone (Nutyl pyrrolidone: NMP) and butyl cellulose (Butyl Cellulose) each about 4: It may be a mixture of about 3: 3.

構造式PI−A1   Structural formula PI-A1

主配向物質は、後述する工程、例えば、光又は熱で硬化された後に主配向膜33となる。本発明の他の実施形態に従って、主配向物質は、垂直整列(vertical alignment:VA)モード又はツイステッドネマチック(twisted nematic:TN)モードなどに一般的に使用される物質であり得ることは、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば容易に分かるはずである。   The main alignment material becomes the main alignment film 33 after being cured by a process described later, for example, light or heat. According to other embodiments of the present invention, it is known in the art that the main alignment material may be a material generally used in a vertical alignment (VA) mode or a twisted nematic (TN) mode. Those with ordinary knowledge in the field should be able to easily understand.

ステップS110及びS120の完了後に、次のステップS140では、上部表示板200の配向膜292と下部表示板100の主配向膜34及び33との間で液晶分子31及び光硬化剤(図示せず)を有する液晶層3が形成され、下部表示板100及び上部表示板200は、シール剤(図示せず)により密封されることにより組み立てられる。下部表示板100と上部表示板200との間で後述する上板共通電圧印加点(図示せず)が形成されることができる。シール剤は、熱硬化、可視光線、又は紫外線(UV)により硬化される。光硬化剤は、液晶層3に対して約1.0重量%以下であり、より望ましくは、約0.5重量%以下である。   After the completion of steps S110 and S120, in the next step S140, liquid crystal molecules 31 and a photo-curing agent (not shown) are provided between the alignment film 292 of the upper display panel 200 and the main alignment films 34 and 33 of the lower display panel 100. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 are assembled by being sealed with a sealant (not shown). An upper plate common voltage application point (not shown) described later can be formed between the lower display panel 100 and the upper display panel 200. The sealant is cured by heat curing, visible light, or ultraviolet light (UV). The photocuring agent is about 1.0% by weight or less with respect to the liquid crystal layer 3, and more preferably about 0.5% by weight or less.

本発明の実施形態に従って、液晶層3を構成する液晶分子は、本発明の特徴に従って、3個のベンゼン環モノマーを有する混合物であり得る。この混合物を構成するLC−Aモノマーは、約19重量%〜約29重量%であり得、より望ましくは、約24重量%であり得、LC−Bモノマーは、約2重量%〜約8重量%であり得、より望ましくは、約5重量%であり得、LC−Cモノマーは、約1重量%〜約5重量%であり得、より望ましくは、約3重量%であり得、LC−Dモノマーは、約19重量%〜約29重量%であり得、より望ましくは、約24重量%であり得、LC−Eモノマーは、約23重量%〜約33重量%であり得、より望ましくは、約28重量%であり得、LC−Fモノマーは、約5重量%〜約11重量%であり得、より望ましくは、約8重量%であり得、LC−Gモノマーは、約5重量%〜約11重量%であり得、より望ましくは、約8重量%であり得る。LC−Aモノマーの構造式は、   According to the embodiment of the present invention, the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 3 may be a mixture having three benzene ring monomers according to the characteristics of the present invention. The LC-A monomer making up the mixture can be from about 19% to about 29% by weight, more desirably about 24% by weight, and the LC-B monomer can be from about 2% to about 8% by weight. %, More desirably about 5% by weight, and the LC-C monomer can be about 1% to about 5% by weight, and more desirably about 3% by weight. The D monomer can be about 19% to about 29% by weight, more desirably about 24% by weight, and the LC-E monomer can be about 23% to about 33% by weight, more desirably. Can be about 28 wt%, the LC-F monomer can be about 5 wt% to about 11 wt%, more desirably about 8 wt%, and the LC-G monomer can be about 5 wt% % To about 11% by weight, and more desirably about 8% by weight. The structural formula of the LC-A monomer is

であり、
LC−Bモノマーの構造式は、
And
The structural formula of the LC-B monomer is

であり、
LC−Cモノマーの構造式は、
And
The structural formula of the LC-C monomer is

LC−Dモノマーの構造式は、   The structural formula of the LC-D monomer is

であり、LC−Eモノマーの構造式は、 And the structural formula of the LC-E monomer is

であり、
LC−Fモノマーの構造式は、
And
The structural formula of LC-F monomer is

であり、LC−Gモノマーの構造式は、   And the structural formula of the LC-G monomer is

である。ここで、R及びR’は、アルキル基又はアルコール(alcohol)であり得る。この混合物の回転粘度は、約80〜約110mPs*sであり、屈折率は、約0.088〜約0.1080であり、誘電率は、約−2.5〜約−3.7及び液相−等方相転移温度(Tni)は、約70°〜約90°であり得る。このような混合物で構成された液晶分子は、4個のベンゼン環を含まないために液晶分子の復元力は優秀である。したがって、液晶分子が遅く復元されることにより発生する光漏れ不良が減少することができる。この混合物で構成された液晶分子は、後述するSC−VAモード及び偏光UV−VAモードに適用されることができる。 It is. Here, R and R 'may be an alkyl group or an alcohol. The rotational viscosity of this mixture is about 80 to about 110 mPs * s, the refractive index is about 0.088 to about 0.1080, the dielectric constant is about −2.5 to about −3.7 and liquid The phase-isotropic phase transition temperature (Tni) can be from about 70 ° to about 90 °. Since the liquid crystal molecules composed of such a mixture do not contain four benzene rings, the resilience of the liquid crystal molecules is excellent. Accordingly, it is possible to reduce light leakage defects that occur due to the liquid crystal molecules being restored slowly. Liquid crystal molecules composed of this mixture can be applied to an SC-VA mode and a polarized UV-VA mode described later.

本発明の一実施形態による光硬化剤は、反応性メソゲン(Reactive Mesogen:RM)であり得る。用語‘メソゲン’は、液晶性質のメソゲン基(mesogen group)を含む光架橋性モノマー又はポリマー共重合体(copolymer)を意味する。反応性メソゲンは、例えば、アクリレート、メタクリルレート、エポキシ、オキセタン、ビニル−エーテル、スチレン、又はチオレン(thiolene)で構成された基から選択された1つを含み得、上板配向膜の形成について上述した反応性メソゲンに含まれた材料であり得る。反応性メソゲンは、棒型、バナナ型、板型、又はディスク型構造の物質であり得、液晶相挙動を誘発する能力を有する基であるなお、棒型または板型を有する液晶(LC)化合物はまた、当該分野において、「カラミティック」液晶として知られている。ディスク型基を有する液晶化合物はまた、当該分野において、「ディスコティック」液晶として知られている。また、上述した光開始剤(図示せず)が液晶層3にさらに含まれてもよい。液晶層3に含まれた光開始剤は、光硬化剤の全重量に対して約0.01重量%〜1重量%である。光開始剤は、長波長紫外線(UV)を吸収することによりラジカルで分解されるため、光硬化剤の光重合反応を促進させる。光開始剤は、約300nm〜400nmの波長を吸収する材料であり得る。   The photocuring agent according to an embodiment of the present invention may be a reactive mesogen (RM). The term 'mesogen' means a photocrosslinkable monomer or polymer copolymer containing a mesogen group of liquid crystalline nature. The reactive mesogen may comprise, for example, one selected from a group composed of acrylate, methacrylate, epoxy, oxetane, vinyl-ether, styrene, or thiolene, as described above for the formation of the top plate alignment film. The material contained in the reactive mesogen. The reactive mesogen may be a rod-type, banana-type, plate-type, or disk-type structure, and is a group having the ability to induce liquid crystal phase behavior. A liquid crystal (LC) compound having a rod-type or plate-type Is also known in the art as “calamitic” liquid crystals. Liquid crystal compounds having a disc-type group are also known in the art as “discotic” liquid crystals. Further, the above-described photoinitiator (not shown) may be further included in the liquid crystal layer 3. The photoinitiator contained in the liquid crystal layer 3 is about 0.01% by weight to 1% by weight with respect to the total weight of the photocuring agent. Since the photoinitiator is decomposed by radicals by absorbing long wavelength ultraviolet rays (UV), it promotes the photopolymerization reaction of the photocuring agent. The photoinitiator can be a material that absorbs wavelengths from about 300 nm to 400 nm.

以下、本発明の他の実施形態に従って、反応性メソゲン(RM)と液晶分子とが混合された新規のRM−液晶混合物、すなわち、ZSM−7160混合物が開示される。   Hereinafter, according to another embodiment of the present invention, a novel RM-liquid crystal mixture in which reactive mesogens (RM) and liquid crystal molecules are mixed, that is, a ZSM-7160 mixture is disclosed.

ZSM−7160混合物を構成するホスト液晶分子は、本発明の特徴に従ってジシクロヘキシル基(dicyclohexyl group)モノマー、シクロヘキシルフェニレンフッ素化テルフェニル基(cyclohexyl-fluorinated terphenyl group)モノマー、及びフッ素化されたテルフェニル基(Fluorinated terphenyl group)モノマーを含む。ZSM−7160混合物は、ホスト液晶分子と反応性メソゲンとの混合物であり、反応性メソゲンは、ホスト液晶分子の全重量に対して約0.1重量%〜1重量%、より望ましくは、約0.2重量%〜0.5重量%で混合されることができる。ホスト液晶分子は、約20重量%〜30重量%のジシクロヘキシル基(dicyclohexyl group)モノマー、約0重量%〜10重量%のシクロヘキシルフェニレン基(cyclohexyl-phenylene group)モノマー、約0重量%〜10重量%のジシクロヘキシルフェニレン基(Dicyclohexyl-phenylene group)モノマー、約20重量%〜30重量%のシクロヘキシル脱フッ素化ジフェニレン基(Cyclohexyl phenylene-defluorinated phenylene group)モノマー、約20重量%〜30重量%のシクロヘキシルエチルフッ素化フェニレン基(cyclohexyl-phenylene group)モノマー、約5重量%〜10重量%のジシクロヘキシル脱フッ素化フェニレン基(Dicyclohexyl-defluorinated phenylene group)モノマー、及び約0重量%〜10重量%のシクロヘキシルフッ素化テルフェニル基(cyclohexyl-fluorinated terphenyl group)モノマー、又はフッ素化テルフェニル基(fluorinated terphenyl group)モノマーを含むことができる。ホスト液晶分子を構成するモノマーの重量%は、それぞれ溶媒を除くホスト液晶分子に対する重量%である。ホスト液晶分子の屈折率は、約0.08〜0.13であり得る。   The host liquid crystal molecules constituting the ZSM-7160 mixture include dicyclohexyl group monomers, cyclohexyl-phenylene terphenyl group monomers, and fluorinated terphenyl groups according to the characteristics of the present invention. Fluorinated terphenyl group) monomer. The ZSM-7160 mixture is a mixture of host liquid crystal molecules and reactive mesogens, and the reactive mesogens are about 0.1% to 1% by weight, more preferably about 0%, based on the total weight of the host liquid crystal molecules. .2 wt% to 0.5 wt% can be mixed. The host liquid crystal molecules comprise about 20% to 30% by weight of a dicyclohexyl group monomer, about 0% to 10% by weight of a cyclohexyl-phenylene group monomer, about 0% to 10% by weight. Dicyclohexyl-phenylene group monomer, about 20-30% by weight of cyclohexyl-defluorinated diphenylene group monomer, about 20-30% by weight of cyclohexylethyl fluorinated Cyclohexyl-phenylene group monomer, about 5 wt% to 10 wt% dicyclohexyl-defluorinated phenylene group monomer, and about 0 wt% to 10 wt% cyclohexyl fluorinated terphenyl group (Cyclohexyl-fluorinated terphenyl group) monomer , Or a fluorinated terphenyl group (fluorinated terphenyl group) can include a monomer. The weight percent of the monomer constituting the host liquid crystal molecule is the weight percent of the host liquid crystal molecule excluding the solvent. The refractive index of the host liquid crystal molecules can be about 0.08 to 0.13.

ジシクロヘキシル基(dicyclohexyl group)モノマーの化学構造は、構造式LC−A1で表現されることができる。   The chemical structure of the dicyclohexyl group monomer can be represented by the structural formula LC-A1.

構造式LC−A1   Structural formula LC-A1

シクロヘキシルフェニレン基(cyclohexyl-phenylene group)モノマーの化学構造は、構造式LC−A2で表現されることができる。   The chemical structure of a cyclohexyl-phenylene group monomer can be represented by the structural formula LC-A2.

構造式LC−A2   Structural formula LC-A2

ジシクロヘキシルフェニレン基(Dicyclohexyl-phenylene group)モノマーの化学構造は、構造式LC−A3で表現されることができる。   The chemical structure of a dicyclohexyl-phenylene group monomer can be represented by the structural formula LC-A3.

構造式LC−A3   Structural formula LC-A3

シクロヘキシル脱フッ素化ジフェニレン基モノマー、の化学構造は、構造式LC−A4で表現されることができる。   The chemical structure of the cyclohexyl defluorinated diphenylene group monomer can be represented by the structural formula LC-A4.

構造式LC−A4   Structural formula LC-A4

シクロヘキシルエチル脱フッ素化フェニレン基(cyclohexyl-ethyl-defluorinated phenylene group)モノマーの化学構造は、構造式LC−A5で表現されることができ、ホスト液晶分子の誘電率異方性及び回転粘度を調節する。   The chemical structure of the cyclohexyl-ethyl-defluorinated phenylene group monomer can be expressed by the structural formula LC-A5, which adjusts the dielectric anisotropy and rotational viscosity of the host liquid crystal molecules. .

構造式LC−A5   Structural formula LC-A5

ジシクロヘキシル脱フッ素化フェニレン基(Dicyclohexyl-defluorinated phenylene group)モノマーの化学構造は、構造式LC−A6で表現されることができ、ホスト液晶分子の誘電率異方性及び回転粘度を調節する。   The chemical structure of the dicyclohexyl-defluorinated phenylene group monomer can be expressed by the structural formula LC-A6, and adjusts the dielectric anisotropy and rotational viscosity of the host liquid crystal molecules.

構造式LC−A6   Structural formula LC-A6

シクロヘキシルフッ素化テルフェニル基(cyclohexyl-fluorinated terphenyl group)モノマー及びフッ素化テルフェニル基モノマーの化学構造は、構造式LC−A7−1及びLC−A7−2でそれぞれ表現されることができ、ホスト液晶分子の誘電率異方性を調節する。   The chemical structures of the cyclohexyl-fluorinated terphenyl group monomer and the fluorinated terphenyl group monomer can be represented by structural formulas LC-A7-1 and LC-A7-2, respectively, and the host liquid crystal Adjust the dielectric anisotropy of the molecule.

構造式LC−A7−1   Structural formula LC-A7-1

構造式LC−A7−2   Structural formula LC-A7-2

ここで、R1、R2、R及びR’は、それぞれ1〜10個の炭素(C)原子を有するアルキル(alkyl)基、−O−、−CH=CH−、−CO−、−OCO−、又は−COO−であり得る。   Here, R1, R2, R and R ′ are each an alkyl group having 1 to 10 carbon (C) atoms, —O—, —CH═CH—, —CO—, —OCO—, Or it may be -COO-.

反応性メソゲン(RM)は、構造式RM−A1で表現されるフッ素化ビフェニルジメタクリレート(Fluorinated biphenyl dimethacrylate)モノマーであり得、このモノマーは、日本特許第4,175,826号に開示されている。   The reactive mesogen (RM) may be a fluorinated biphenyl dimethacrylate monomer represented by the structural formula RM-A1, which is disclosed in Japanese Patent No. 4,175,826. .

構造式RM−A1   Structural formula RM-A1

ホスト液晶分子と反応性メソゲン(RM)との混合物で構成されたZSM−7160混合物は、反応性メソゲン(RM)の全重量に対して約0〜1.0重量(%)の光開始剤を含み得る。このようなZSM−7160混合物は、従来のRM−液晶混合物と同一の特性を有するためにRM−液晶混合物の材料が多様化され得、生産者によるRM−液晶混合物のコストの上昇を抑制することができる。   A ZSM-7160 mixture composed of a mixture of host liquid crystal molecules and reactive mesogens (RM) contains about 0 to 1.0 weight (%) of photoinitiator relative to the total weight of reactive mesogens (RM). May be included. Since the ZSM-7160 mixture has the same characteristics as the conventional RM-liquid crystal mixture, the material of the RM-liquid crystal mixture can be diversified, thereby suppressing the cost increase of the RM-liquid crystal mixture by the producer. Can do.

以下、本発明の他の実施形態に従って、反応性メソゲンと液晶分子とが混合された新規RM−液晶混合物、すなわち、DS−09−9301混合物が開示される。DS−09−9301混合物を構成するホスト液晶分子は、本発明の特徴に従って、ビフェニル基(Biphenyl group)モノマーとキノン誘導体(Quinone derivative)とを含む。DS−09−9301混合物を有する液晶表示装置は、速い応答速度の特性を有することができる。DS−09−9301混合物は、ホスト液晶分子と反応性メソゲンとの混合物であり、反応性メソゲンは、ホスト液晶分子の全重量に対して約0.1重量%〜約1重量%、より望ましく、約0.2重量%〜約0.4重量%で混合され得、ホスト液晶分子は、約10重量%〜20重量%のビフェニル基モノマー、約0重量%〜約10重量%のシクロヘキシルフェニレン基(Cyclohexyl-phenylene group)モノマー、約5重量%〜約10重量%のジシクロヘキシルフェニレン基(Dicyclohexyl-phenylene group)モノマー、約15重量%〜約30重量%のシクロヘキシル脱フッ素化ジフェニレン基モノマー、約15重量%〜30重量%のキノン誘導体(Quinone derivative)、約0重量%〜約5重量%のジシクロヘキシル脱フッ素化フェニレン基(Dicyclohexyl-defluorinated phenylene group)モノマー、及び約0重量%〜約10重量%のシクロヘキシルエチル脱フッ素化フェニレン基(Cyclohexyl-ethyl-defluorinated phenylene group)モノマーを含み得る。ホスト液晶分子を構成するモノマーの重量%は、それぞれ溶媒を除くホスト液晶分子に対する重量%である。ホスト液晶分子の屈折率は、約0.08〜約0.13であり得る。   Hereinafter, according to another embodiment of the present invention, a novel RM-liquid crystal mixture in which reactive mesogens and liquid crystal molecules are mixed, that is, a DS-09-9301 mixture is disclosed. The host liquid crystal molecules constituting the DS-09-9301 mixture include a biphenyl group monomer and a quinone derivative according to the characteristics of the present invention. A liquid crystal display device having a DS-09-9301 mixture can have a fast response speed characteristic. The DS-09-9301 mixture is a mixture of host liquid crystal molecules and reactive mesogens, and the reactive mesogens are more preferably about 0.1 wt% to about 1 wt%, more preferably based on the total weight of the host liquid crystal molecules, The liquid crystal molecules can be mixed in an amount of about 0.2 wt% to about 0.4 wt%, and the host liquid crystal molecules can contain about 10 wt% to 20 wt% biphenyl group monomer, about 0 wt% to about 10 wt% cyclohexylphenylene group ( Cyclohexyl-phenylene group monomer, about 5 wt% to about 10 wt% dicyclohexyl-phenylene group monomer, about 15 wt% to about 30 wt% cyclohexyl defluorinated diphenylene group monomer, about 15 wt% ~ 30% by weight quinone derivative, about 0% to about 5% by weight of dicyclohexyl-defluorinated phenyle ne group) monomers, and from about 0% to about 10% by weight of cyclohexylethyl-defluorinated phenylene group monomers. The weight percent of the monomer constituting the host liquid crystal molecule is the weight percent of the host liquid crystal molecule excluding the solvent. The refractive index of the host liquid crystal molecules can be from about 0.08 to about 0.13.

ビフェニル基モノマーの化学構造は、構造式LC−B1−1又は構造式LC−B1−2で表現されることができ、ビフェニル基を含んでいるため、高屈折率特性を有する。   The chemical structure of the biphenyl group monomer can be expressed by the structural formula LC-B1-1 or the structural formula LC-B1-2, and has a high refractive index characteristic because it contains a biphenyl group.

構造式LC−B1-1   Structural formula LC-B1-1

構造式LC−B1-2   Structural formula LC-B1-2

キノン誘導体の化学構造は、構造式LC−B7−1又は構造式LC−B7−2で表現されることができ、ホスト液晶分子の誘電率異方性及び回転粘度を調節する。また、構造式LC−B7−1又は構造式LC−B7−2のポリマーは、高い分極性(polarity)を有するためにホスト液晶分子の応答速度は、
一層大きくなることができる。
The chemical structure of the quinone derivative can be expressed by the structural formula LC-B7-1 or the structural formula LC-B7-2, and adjusts the dielectric anisotropy and rotational viscosity of the host liquid crystal molecules. In addition, since the polymer of the structural formula LC-B7-1 or the structural formula LC-B7-2 has high polarizability, the response speed of the host liquid crystal molecules is
It can be even larger.

構造式LC−B7−1   Structural formula LC-B7-1

構造式LC−B7−2   Structural formula LC-B7-2

ここで、R、R’又はOR’は、それぞれ1〜10個の炭素(C)原子を有するアルキル基、−O−、−CH=CH−、−CO−、−OCO−、又は−COO−であり得る。   Here, R, R ′, and OR ′ are each an alkyl group having 1 to 10 carbon (C) atoms, —O—, —CH═CH—, —CO—, —OCO—, or —COO—. It can be.

シクロヘキシルフェニレン基(Cyclohexyl-phenylene group)モノマーの化学構造は、上述した構造式LC−A2であり得る。ジシクロヘキシルフェニレン基モノマーの化学構造は、上述した構造式LC−A3であり得る。シクロヘキシル脱フッ素化ジフェニレン基モノマーの化学構造は、上述した構造式LC−A4であり得る。シクロヘキシル脱フッ素化ジフェニレン基モノマーの化学構造は、上述した構造式LC−A6であり得る。シクロヘキシルエチル脱フッ素化フェニレン基(Cyclohexyl-ethyl-defluorinated phenylene group)モノマーの化学構造は、それぞれ上述した構造式LC−A5であり得る。反応性メソゲン(RM)は、上述した構造式RM−A1であり得る。ホスト液晶分子と反応性メソゲンとの混合物で構成されたDS−09−9301混合物は、反応性メソゲンの全重量に対して約0〜1.0重量(%)の光開始剤を含み得る。このようなDS−09−9301混合物を有する液晶表示装置は、速い応答速度の特性を有することができる。   The chemical structure of the cyclohexyl phenylene group monomer may be the structural formula LC-A2 described above. The chemical structure of the dicyclohexylphenylene group monomer may be the structural formula LC-A3 described above. The chemical structure of the cyclohexyl defluorinated diphenylene group monomer may be the structural formula LC-A4 described above. The chemical structure of the cyclohexyl defluorinated diphenylene group monomer may be the structural formula LC-A6 described above. The chemical structure of the cyclohexylethyl-defluorinated phenylene group monomer may be respectively the structural formula LC-A5 described above. The reactive mesogen (RM) can be the structural formula RM-A1 described above. A DS-09-9301 mixture composed of a mixture of host liquid crystal molecules and reactive mesogens may contain about 0-1.0% (%) of photoinitiator relative to the total weight of reactive mesogens. A liquid crystal display device having such a DS-09-9301 mixture can have a high response speed characteristic.

本発明の他の実施形態に従って、新規RM−液晶混合物を構成するホスト液晶分子は、炭素二重結合を有するアルケニル(alkenyl)基モノマー及び下記の構造式LC−C9を有するモノマーを含み得る。炭素二重結合を有するアルケニル基モノマーは、低粘度モノマーであるため、これを含むRM−液晶混合物は、低粘度特性を有し、これを含む液晶表示装置は、速い応答速度の特性を有することができる。炭素二重結合を有するアルケニル基モノマーは、ホスト液晶分子の回転粘度を改善するために炭素二重結合を有する下記の構造式LC−C8−1又は構造式LC−C8−2モノマーであり得る。炭素二重結合を有するアルケニル基モノマーは、溶媒を除く全ホスト液晶分子に対して約1〜60重量(%)でRM−液晶混合物に含まれ得る。   According to another embodiment of the present invention, the host liquid crystal molecules constituting the novel RM-liquid crystal mixture may include an alkenyl group monomer having a carbon double bond and a monomer having the following structural formula LC-C9. Since the alkenyl group monomer having a carbon double bond is a low-viscosity monomer, the RM-liquid crystal mixture including the alkenyl group monomer has a low-viscosity characteristic, and the liquid crystal display including the alkenyl group monomer has a fast response speed characteristic. Can do. The alkenyl group monomer having a carbon double bond may be the following structural formula LC-C8-1 or structural formula LC-C8-2 monomer having a carbon double bond in order to improve the rotational viscosity of the host liquid crystal molecule. The alkenyl group monomer having a carbon double bond may be included in the RM-liquid crystal mixture at about 1 to 60% by weight (%) with respect to all host liquid crystal molecules excluding the solvent.

構造式LC−C8−1   Structural formula LC-C8-1

構造式LC−C8−2   Structural formula LC-C8-2

ここで、A、B、及びCは、それぞれベンゼン環(benzene ring)又はシクロヘキサン環(cyclohexane ring)構造であり得る。X及びYの中の少なくとも1つは、   Here, A, B, and C may each be a benzene ring or cyclohexane ring structure. At least one of X and Y is

または Or

形態の炭素二重結合を有する。A、B、及びCの各々を構成する外郭水素原子は、F及びClのような極性原子に置き換えられることができる。 It has a form of carbon double bond. The outer hydrogen atoms constituting each of A, B, and C can be replaced with polar atoms such as F and Cl.

構造式LC−C9を有するモノマーは、RM−液晶混合物でアルケニル(alkenyl)基モノマーが反応性メソゲンと結合することを防止する。アルケニル基モノマーを構成する二重結合のパイ結合(π bond)が反応性メソゲンのメタクリレート基(methacrylate radical)と結合することにより反応性メソゲンが硬化されないことがある。その結果、液晶表示装置は、反応性メソゲンの未硬化による残像の不良を有し得る。構造式LC−C9を有するモノマーは、溶媒を除いた全ホスト液晶分子に対して約5重量(%)以下にRM−液晶混合物に含まれ得る。   The monomer having the structural formula LC-C9 prevents the alkenyl group monomer from binding to the reactive mesogen in the RM-liquid crystal mixture. The reactive mesogen may not be cured by bonding of the double bond π bond constituting the alkenyl group monomer to the methacrylate group of the reactive mesogen. As a result, the liquid crystal display device may have an afterimage defect due to uncured reactive mesogens. The monomer having the structural formula LC-C9 may be included in the RM-liquid crystal mixture in an amount of about 5% by weight or less based on all host liquid crystal molecules excluding the solvent.

構造式LC−C9   Structural formula LC-C9

ここで、Z1〜Z4は、それぞれベンゼン環又はシクロヘキサン環(cyclohexane ring)構造であり得、より望ましく、Z1〜Z4は、4個のベンゼン環であり得る。R1及びR2は、それぞれ1〜10個の炭素(C)原子を有するアルキル基、−O−、−CH=CH−、−CO−、−OCO−、又は−COO−、F、又はClであり得る。また、Z1〜Z4の外郭水素原子は、F及びClのような極性原子に置き換えられることができる。   Here, Z1 to Z4 may each be a benzene ring or a cyclohexane ring structure, and more preferably Z1 to Z4 may be four benzene rings. R 1 and R 2 are each an alkyl group having 1 to 10 carbon (C) atoms, —O—, —CH═CH—, —CO—, —OCO—, or —COO—, F, or Cl. obtain. Further, the outer hydrogen atoms of Z1 to Z4 can be replaced with polar atoms such as F and Cl.

反応性メソゲンは、溶媒を除く全ホスト液晶分子に対して約0.05重量%〜1重量%、より望ましく、約0.2重量%〜0.4重量%でホスト液晶分子と混合されることができる。反応性メソゲンは、上述した又は後述する物質であり得る。このようなアルケニル基モノマー及び下記の構造式LC−C9を有するRM−液晶混合物は、従来の混合物より低い約90mPa・s〜108mPa・sの回転粘度特性を示す。また、この混合物を含む液晶表示装置は、従来の混合物より低い約25ppm〜35ppmの未硬化反応性メソゲンを有し、約3以下レベルのブラック残像を有することができる。   The reactive mesogen is mixed with the host liquid crystal molecules at about 0.05 wt% to 1 wt%, more preferably about 0.2 wt% to 0.4 wt%, based on all host liquid crystal molecules excluding the solvent. Can do. The reactive mesogen can be a substance as described above or below. Such an alkenyl group monomer and an RM-liquid crystal mixture having the following structural formula LC-C9 exhibit a rotational viscosity characteristic of about 90 mPa · s to 108 mPa · s, which is lower than the conventional mixture. In addition, the liquid crystal display device including this mixture has about 25 ppm to 35 ppm of uncured reactive mesogen, which is lower than the conventional mixture, and can have a black afterimage of about 3 or less level.

以下、ステップS140で行われる工程について詳細に説明する。ステップS110及びステップS120で塗布された主配向物質は、ステップS140で、約80℃〜約110℃で約100秒〜約140秒の間、より望ましくは、約95℃で約120秒の間に1次加熱する。1次加熱の間に主配向物質の溶媒は気化され、イミド化された垂直配向性のモノマーは、下部膜に対して垂直方向に整列されることにより主配向膜を形成する。   Hereinafter, the process performed in step S140 will be described in detail. In step S140, the main alignment material applied in step S110 and step S120 is about 80 ° C. to about 110 ° C. for about 100 seconds to about 140 seconds, and more preferably about 95 ° C. for about 120 seconds. Heat primary. During the primary heating, the solvent of the main alignment material is vaporized, and the imidized vertical alignment monomer is aligned in a direction perpendicular to the lower film to form a main alignment film.

1次加熱の後、主配向物質は、約200℃〜約240℃で約1000秒〜約1400秒の間、より望ましくは、約220℃で約1200秒の間2次加熱される。2次加熱の間に主配向物質が硬化されることにより主配向膜が形成される。   After the primary heating, the main alignment material is secondarily heated at about 200 ° C. to about 240 ° C. for about 1000 seconds to about 1400 seconds, more desirably at about 220 ° C. for about 1200 seconds. The main alignment layer is formed by curing the main alignment material during the secondary heating.

2次加熱の後、主配向膜は、純水(DeIonized Water:DIW)により洗浄され、イソプロピルアルコール(isopropyl alcohol:IPA)により追加で洗浄されることができる。洗浄の後、主配向膜は乾燥される。乾燥の後に、液晶層は、下部表示板100又は上部表示板200に形成される。液晶層は、上述した液晶分子及び光硬化剤を構成する混合物、ZSM−7160混合物、DS−09−9301混合物又は液晶分子及び上述した光硬化剤の化合物を有し得る。下部表示板100及び上部表示板200は、液晶分子及び光硬化剤を有する状態でシール剤により組み立てられる。   After the secondary heating, the main alignment layer can be cleaned with pure water (DeIonized Water: DIW) and additionally cleaned with isopropyl alcohol (IPA). After the cleaning, the main alignment film is dried. After drying, the liquid crystal layer is formed on the lower display panel 100 or the upper display panel 200. The liquid crystal layer may have a mixture of the liquid crystal molecules and the photocuring agent described above, a ZSM-7160 mixture, a DS-09-9301 mixture, or a compound of liquid crystal molecules and the photocuring agent described above. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 are assembled with a sealant in a state having liquid crystal molecules and a photocuring agent.

この組み立てられた後に、液晶分子のファジー性(fuzziness)及び均一性を向上させるために、下部及び上部表示板は、約100℃〜約120℃のチャンバー(chamber)内で約60分〜約80分の間にアニーリング(annealing)が行われる。   After being assembled, in order to improve the fuzziness and uniformity of the liquid crystal molecules, the lower and upper display panels are placed in a chamber at about 100 ° C. to about 120 ° C. for about 60 minutes to about 80 minutes. Annealing takes place during the minute.

次のステップS150において、この組み立てられた後に、光により硬化された光硬化剤は、光硬化層35となる。光硬化層35及び主配向膜33は、下板配向膜291を構成する。   In the next step S150, the photocuring agent cured by light after the assembly becomes the photocured layer 35. The photocuring layer 35 and the main alignment film 33 constitute a lower plate alignment film 291.

ステップS150を構成するステップS152において、硬化された下板光硬化層35が形成される前に、液晶層3に形成された電場及び露光工程を詳細に説明する。電圧が下部表示板100の画素電極191及び上部表示板200の共通電極270に供給される場合に、電場は、液晶層3に形成される。   In step S152 constituting step S150, the electric field and exposure process formed on the liquid crystal layer 3 before the cured lower plate photocured layer 35 is formed will be described in detail. When a voltage is supplied to the pixel electrode 191 of the lower display panel 100 and the common electrode 270 of the upper display panel 200, an electric field is formed in the liquid crystal layer 3.

以下、本発明の実施形態に従って電場を液晶層3に形成する方法について説明する。上記方法は、直流電流(Direct Current:DC)電圧を供給する方法及びマルチステップ電圧を供給する方法を含む。まず、1番目に、図7Aを参照してDC電圧を液晶表示板アセンブリ300に供給する方法を説明する。所定の第1の電圧V1が‘TA1’期間の間に液晶表示板アセンブリ300のゲート線121及びデータ線171に供給される場合に、副画素電極191h及び191lは、第1の電圧V1の供給を受ける。この際に、接地電圧又は約ゼロボルト(0V)の電圧が共通電極270に供給される。‘TA1’期間は、約1秒〜300秒、より望ましくは約100秒である。第1の電圧V1は、約5V〜20Vであり、より具体的には約7V〜15Vである。   Hereinafter, a method for forming an electric field in the liquid crystal layer 3 according to an embodiment of the present invention will be described. The method includes a method of supplying a direct current (DC) voltage and a method of supplying a multi-step voltage. First, a method of supplying a DC voltage to the liquid crystal panel assembly 300 will be described with reference to FIG. 7A. When the predetermined first voltage V1 is supplied to the gate line 121 and the data line 171 of the liquid crystal panel assembly 300 during the 'TA1' period, the subpixel electrodes 191h and 191l are supplied with the first voltage V1. Receive. At this time, a ground voltage or a voltage of about zero volts (0 V) is supplied to the common electrode 270. The 'TA1' period is about 1 to 300 seconds, more preferably about 100 seconds. The first voltage V1 is about 5V to 20V, and more specifically about 7V to 15V.

以下、‘TA1’期間の間に、液晶層3で生成された電場により配列された液晶分子31の動きについて詳細に説明する。‘TA1’期間は、液晶分子をフリンジ電場(fringe electric field)方向に配列する期間である。副画素電極191h及び191lに供給された電圧と共通電極270に供給された電圧間の差により液晶層3で電場が生成され、この電場により屈折率異方性を有する液晶分子が配列される。図3に示す微細ブランチ197h、197lと微細スリット199h、199lとからなるエッジ画素電極及び縦接続部193h、193lと横接続部194h、194lとからなるエッジ画素電極が電場を歪曲するために、フリンジ電場は、液晶層3で形成される。フリンジ電場により、液晶分子31の長軸は、微細ブランチ197のエッジに垂直する方向に傾く傾向がある。   Hereinafter, the movement of the liquid crystal molecules 31 arranged by the electric field generated in the liquid crystal layer 3 during the “TA1” period will be described in detail. The 'TA1' period is a period in which liquid crystal molecules are arranged in the fringe electric field direction. An electric field is generated in the liquid crystal layer 3 by the difference between the voltage supplied to the subpixel electrodes 191h and 191l and the voltage supplied to the common electrode 270, and liquid crystal molecules having refractive index anisotropy are arranged by this electric field. The edge pixel electrode composed of the micro branches 197h and 197l and the micro slits 199h and 199l and the edge pixel electrode composed of the vertical connection portions 193h and 193l and the horizontal connection portions 194h and 194l shown in FIG. The electric field is formed by the liquid crystal layer 3. Due to the fringe electric field, the long axis of the liquid crystal molecules 31 tends to tilt in the direction perpendicular to the edges of the fine branches 197.

次に、隣接する微細ブランチ197h、197lのエッジにより発生するフリンジ電場の水平成分の方向が相互に反対であり、微細ブランチ197hと197l間の間隔W、すなわち、微細スリット199h、199lの幅Wが狭いために、液晶分子31は、水平成分により電場方向に傾く傾向がある。しかしながら、画素電極191の縦接続部193h、193l及び横接続部194h、194lのエッジによるフリンジ電場の強度が微細ブランチ197h、197lのエッジによるフリンジ電場の強度より大きいために、液晶分子31は、結局、微細ブランチ197h、197lの長さ方向に平行に傾く。すなわち、液晶分子31は、相対的に大きいフリンジ電場の法線方向、すなわち、微細ブランチ197h、197lの長さ方向に対して平行に傾く。この平行である微細ブランチ197がある領域内の液晶分子31は、傾斜角を同一の方向になすようにすることにより1つのドメインを形成する。図3に示す第1の副画素又は第2の副画素で微細ブランチ197が4つの方向に伸張するので、画素電極191の近傍の液晶分子31は、4本の方向に傾斜し、各副画素191h、191lは、4つのドメインを有する。1つの画素PXが多くの数のドメインを有する場合に、液晶表示装置の側面視認性がよくなる。   Next, the directions of the horizontal components of the fringe electric field generated by the edges of the adjacent micro branches 197h and 197l are opposite to each other, and the interval W between the micro branches 197h and 197l, that is, the width W of the micro slits 199h and 199l is Since it is narrow, the liquid crystal molecules 31 tend to tilt in the electric field direction due to the horizontal component. However, since the strength of the fringe electric field by the edges of the vertical connection portions 193h and 193l and the horizontal connection portions 194h and 194l of the pixel electrode 191 is larger than the strength of the fringe electric field by the edges of the fine branches 197h and 197l, the liquid crystal molecules 31 are eventually The micro branches 197h and 197l are inclined parallel to the length direction. That is, the liquid crystal molecules 31 are inclined in parallel to the normal direction of the relatively large fringe electric field, that is, the length direction of the fine branches 197h and 197l. The liquid crystal molecules 31 in the region where the parallel micro branches 197 are present form one domain by making the tilt angles in the same direction. Since the fine branch 197 extends in four directions in the first subpixel or the second subpixel shown in FIG. 3, the liquid crystal molecules 31 in the vicinity of the pixel electrode 191 are inclined in four directions, and each subpixel. 191h, 191l have four domains. When one pixel PX has a large number of domains, the side visibility of the liquid crystal display device is improved.

この後に、光が液晶表示板アセンブリ300に照射される‘TD1’期間の間に所定の露光電圧が供給され、これにより、液晶分子が安定した状態で配列され、この期間の間に電界露光工程が行われる。この露光電圧は、‘TA1’期間の第1の電圧V1と同一であり得る。‘TD1’期間は、約50秒〜150秒、より望ましくは約90秒である。   Thereafter, a predetermined exposure voltage is supplied during a period “TD1” in which the liquid crystal panel assembly 300 is irradiated with light, whereby liquid crystal molecules are arranged in a stable state, and an electric field exposure process is performed during this period. Is done. The exposure voltage may be the same as the first voltage V1 in the “TA1” period. The 'TD1' period is about 50 seconds to 150 seconds, more preferably about 90 seconds.

他の実施形態において、画素電極191は、接地電圧又は約0Vの電圧の供給を受け、共通電極270は、第1の電圧V1又は露光電圧の供給を受けることができる。   In another embodiment, the pixel electrode 191 may be supplied with a ground voltage or a voltage of about 0V, and the common electrode 270 may be supplied with a first voltage V1 or an exposure voltage.

図7Bを参照して、本発明の他の実施形態に従うマルチステップ電圧を液晶表示板アセンブリ300に供給する方法について詳細に説明する。下記の説明において、液晶層3で生成された電場による液晶分子31の動きが図7Aの‘TA1’期間で詳細に説明されたので、重複説明を避けるために省略する。   Referring to FIG. 7B, a method for supplying a multi-step voltage to the liquid crystal panel assembly 300 according to another embodiment of the present invention will be described in detail. In the following description, the movement of the liquid crystal molecules 31 due to the electric field generated in the liquid crystal layer 3 has been described in detail in the “TA1” period of FIG.

所定の第2の電圧(低電圧を有する)V2が‘TA2’期間の間にゲート線121及びデータ線171に供給される場合に、第2の電圧は、第2の副画素電極191h、191lに供給される。接地電圧又は約ゼロボルト(0V)電圧が共通電極270に供給される。第2の電圧は、‘TA2’期間の電圧であり、低電圧及び高電圧(V2)で構成される。第2の電圧は、副画素電極191h、191lに交互に供給され、約0.1〜120Hzの周波数を有する。低電圧は、接地電圧又は0Vであり得る。高電圧(V2)は、液晶表示装置の最大駆動電圧より高いことが好ましく、高電圧(V2)は、約5V〜60Vであり、より具体的には、約30V〜50Vであり得る。‘TA2’期間は、約1秒〜300秒、より望ましくは、約60秒である。‘TA2’期間の間に、低電圧又は高電圧(V2)が保持される時間は、約1秒である。   When the predetermined second voltage (having a low voltage) V2 is supplied to the gate line 121 and the data line 171 during the 'TA2' period, the second voltage is set to the second subpixel electrodes 191h and 191l. To be supplied. A ground voltage or about zero volts (0V) voltage is supplied to the common electrode 270. The second voltage is a voltage in the ‘TA2’ period, and includes a low voltage and a high voltage (V2). The second voltage is alternately supplied to the subpixel electrodes 191h and 191l and has a frequency of about 0.1 to 120 Hz. The low voltage can be ground voltage or 0V. The high voltage (V2) is preferably higher than the maximum driving voltage of the liquid crystal display device, and the high voltage (V2) is about 5V to 60V, more specifically, about 30V to 50V. The 'TA2' period is about 1 to 300 seconds, more preferably about 60 seconds. The time during which the low voltage or the high voltage (V2) is held during the 'TA2' period is about 1 second.

上述したように、副画素電極191h、191lに供給された電圧と共通電極270に供給された電圧間の電圧差のために、電場は、液晶層3で形成される。この電場が液晶層3で形成される場合に、液晶分子31は、微細ブランチ197h及び197lの長さ方向に平行である方向に傾き、電場が形成されない場合には、液晶分子31は、上部表示板100又は下部表示板200に垂直である方向に配列される。低電圧及び高電圧(V2)を副画素電極191h、191lに交互に供給することは、液晶層3の液晶分子31に加えられる電場をオン(ON)及びオフ(OFF)でスイッチングするために、初期に垂直に配向されている液晶分子31が所望の傾斜方向に均一に整列されることができる。   As described above, an electric field is formed in the liquid crystal layer 3 due to a voltage difference between the voltage supplied to the subpixel electrodes 191 h and 191 l and the voltage supplied to the common electrode 270. When this electric field is formed in the liquid crystal layer 3, the liquid crystal molecules 31 are inclined in a direction parallel to the length direction of the fine branches 197h and 197l, and when no electric field is formed, the liquid crystal molecules 31 are displayed on the upper display. They are arranged in a direction perpendicular to the panel 100 or the lower display panel 200. By alternately supplying a low voltage and a high voltage (V2) to the sub-pixel electrodes 191h and 191l, the electric field applied to the liquid crystal molecules 31 of the liquid crystal layer 3 is switched on (ON) and off (OFF). The liquid crystal molecules 31 that are initially vertically aligned can be uniformly aligned in a desired tilt direction.

この後に、‘TB2’期間の間に低電圧から高電圧V2に徐々に増加する電圧が供給され、これにより、液晶分子が徐々に配列される。‘TB2’期間は、約1秒〜約100秒、より望ましくは、約30秒であり得る。‘TB2’期間の間に、液晶分子31が経時的に垂直配向状態で画素電極191の微細ブランチ197の長さ方向に平行である方向に順次に横たわるために、液晶分子31の不規則な移動が防止され、これは、急速な電場が液晶層3で形成される際に発生し得る。   Thereafter, a voltage gradually increasing from a low voltage to a high voltage V2 is supplied during the period of ‘TB2’, whereby liquid crystal molecules are gradually aligned. The 'TB2' period may be about 1 second to about 100 seconds, more preferably about 30 seconds. During the 'TB2' period, the liquid crystal molecules 31 lie in the vertical alignment with time and sequentially lie in a direction parallel to the length direction of the fine branch 197 of the pixel electrode 191. This can occur when a rapid electric field is formed in the liquid crystal layer 3.

期間‘TC2’において、液晶分子31が画素電極191の微細ブランチ197の長さ方向に平行である方向に傾斜した後に液晶配列が安定する。‘TC2’期間は、約1秒〜600秒であり、より望ましくは、約40秒である。‘TC2’期間の間に高電圧(V2)が供給される状態が保持される。   In the period ‘TC 2’, the liquid crystal alignment is stabilized after the liquid crystal molecules 31 are tilted in the direction parallel to the length direction of the fine branch 197 of the pixel electrode 191. The 'TC2' period is about 1 second to 600 seconds, and more preferably about 40 seconds. The state in which the high voltage (V2) is supplied during the ‘TC2’ period is maintained.

この後に、光が液晶表示板アセンブリ300に照射される‘TD2’期間に所定の露光電圧が供給され、これにより、液晶分子が安定した状態で配列され、この期間の間に電界露光工程が行われる。‘TD2’期間は、約80秒〜200秒であり、より望ましくは約150秒である。露光電圧は、第2の電圧(V2)の最終電圧と同一であり得る。露光電圧は、約5V〜60Vであり、より望ましくは、約30V〜50Vである。本発明の一実施形態において、液晶層3の厚さが約3.6μmである場合、露光電圧は、約20V〜40Vであり得、液晶層3の厚さが約3.2μmである場合、露光電圧V3は、約10V〜30Vであり得る。   Thereafter, a predetermined exposure voltage is supplied during a period “TD2” when the liquid crystal panel assembly 300 is irradiated with light, whereby liquid crystal molecules are arranged in a stable state, and an electric field exposure process is performed during this period. Is called. The 'TD2' period is about 80 seconds to 200 seconds, more preferably about 150 seconds. The exposure voltage can be the same as the final voltage of the second voltage (V2). The exposure voltage is about 5V to 60V, and more preferably about 30V to 50V. In one embodiment of the present invention, when the thickness of the liquid crystal layer 3 is about 3.6 μm, the exposure voltage may be about 20V to 40V, and when the thickness of the liquid crystal layer 3 is about 3.2 μm, The exposure voltage V3 can be about 10V-30V.

本発明の他の実施形態において、接地電圧又は約0Vの電圧は、副画素電極191h及び191lに供給され、所定の第2の電圧(0V及びV2)は、共通電極270に供給され得る。   In another embodiment of the present invention, a ground voltage or a voltage of about 0V may be supplied to the sub-pixel electrodes 191h and 191l, and a predetermined second voltage (0V and V2) may be supplied to the common electrode 270.

次のステップS154において、上述したDC又はマルチステップ電圧が上部表示板200及び下部表示板100に供給された後に、所定の電場が液晶層3で形成される間に、すなわち、TD1又はTD2期間の間に、光が液晶層3又は配向反応物を有する下部及び上部表示板に照射され、結果的に光硬化層が形成される。液晶層3に照射される光は、下部基板110及び上部基板210の方向の中のいずれか一方又は両方で照射することができる。より望ましくは、未硬化の光硬化剤を減少させ、光硬化層を均一に形成するために、光は、光を吸収するか又は遮断する膜がより少ない下部表示板100の基板110又は上部表示板200の基板210の方向に入射することができる。   In the next step S154, after the above-described DC or multi-step voltage is supplied to the upper display panel 200 and the lower display panel 100, a predetermined electric field is formed in the liquid crystal layer 3, that is, in a TD1 or TD2 period. In the meantime, light is applied to the liquid crystal layer 3 or the lower and upper display panels having alignment reactants, and as a result, a photocured layer is formed. The light applied to the liquid crystal layer 3 can be applied in one or both of the directions of the lower substrate 110 and the upper substrate 210. More preferably, in order to reduce the uncured photocuring agent and form the photocured layer uniformly, the light absorbs or blocks the light on the substrate 110 or the upper display of the lower display panel 100. The light can enter the direction of the substrate 210 of the plate 200.

以下、電場が形成される液晶層3に光が照射される工程、すなわち、電界露光工程により下板光硬化層35が形成される方法について詳細に説明される。電場が液晶層3に存在する状態で、主配向膜33に隣接した液晶分子31は、微細ブランチ197の方向に平行に傾斜しつつ配列される。液晶層3に存在する光硬化剤は、照射される光により主配向膜33上の液晶分子31と実質的に同一の傾斜角を有しつつ硬化することにより光硬化層35を形成する。光硬化層35は、主配向膜33上に形成される。液晶層3に形成された電場の除去の後にも、光硬化層35の側鎖(side chain)ポリマーは、隣接した液晶分子31の方向性をそのまま保持する。本発明の実施形態によるメソゲンは、光硬化剤として紫外線(UV)又は一定の温度でメソゲンの異方性の誘導により液晶分子31の方向性をそのまま保持する。   Hereinafter, a process in which light is applied to the liquid crystal layer 3 where an electric field is formed, that is, a method in which the lower plate photocured layer 35 is formed by an electric field exposure process will be described in detail. In a state where an electric field is present in the liquid crystal layer 3, the liquid crystal molecules 31 adjacent to the main alignment film 33 are aligned while being inclined in parallel with the direction of the fine branch 197. The photocuring agent present in the liquid crystal layer 3 is cured while having substantially the same inclination angle as the liquid crystal molecules 31 on the main alignment film 33 by the irradiated light, thereby forming the photocured layer 35. The photocuring layer 35 is formed on the main alignment film 33. Even after the removal of the electric field formed in the liquid crystal layer 3, the side chain polymer of the photocured layer 35 maintains the directionality of the adjacent liquid crystal molecules 31. The mesogen according to the embodiment of the present invention maintains the orientation of the liquid crystal molecules 31 as it is by inducing ultraviolet (UV) as a photocuring agent or anisotropy of the mesogen at a constant temperature.

‘TD1’又は‘TD2’期間は、上述した通りである。液晶層3に照射される光は、平行紫外線(Collimated UV)、偏光紫外線(Polarized UV)又は無偏光紫外線(non-polarized UV)であり得る。紫外線波長は、約300nm〜400nmであり得る。光エネルギーは、約0.5J/cm〜40J/cmであり、より望ましくは、約5J/cmである。光硬化剤及びシール剤を硬化する光は、異なる波長及びエネルギーであり得る。 The “TD1” or “TD2” period is as described above. The light applied to the liquid crystal layer 3 may be collimated UV, polarized UV, or non-polarized UV. The ultraviolet wavelength can be about 300 nm to 400 nm. Light energy is about 0.5J / cm 2 ~40J / cm 2 , more preferably about 5 J / cm 2. The light that cures the photocuring agent and the sealant can be at different wavelengths and energies.

このように、液晶分子31が光硬化層35のポリマーにより微細ブランチ197の長さ方向に平行である方向にプレチルト角を保持する場合に、電場が液晶分子31の運動方向の決定により形成される場合に、液晶分子31が急速に傾くため、液晶表示装置の高速の応答速度(Response Time:RT)を保証する。光硬化層35の側鎖に近い液晶分子31は、下部表示板100の垂直方向に対して若干一定のプレチルト角を有するが、光硬化層35から液晶層3の中央に移動するほど、液晶分子31は、一定のプレチルト角を有しないことがある。液晶表示装置のコントラスト比を改善させ、無電界状態(no-electric field state)で光漏れを防止するために、液晶層3の中央での液晶分子は、光化層35に隣接した液晶分子とは異なり、プレチルト角を有しないことがある。   Thus, when the liquid crystal molecules 31 maintain a pretilt angle in the direction parallel to the length direction of the fine branch 197 by the polymer of the photocuring layer 35, an electric field is formed by determining the motion direction of the liquid crystal molecules 31. In this case, since the liquid crystal molecules 31 are tilted rapidly, a high response speed (RT) of the liquid crystal display device is guaranteed. The liquid crystal molecules 31 close to the side chain of the photocuring layer 35 have a slightly constant pretilt angle with respect to the vertical direction of the lower display panel 100. 31 may not have a constant pretilt angle. In order to improve the contrast ratio of the liquid crystal display device and prevent light leakage in a no-electric field state, the liquid crystal molecules at the center of the liquid crystal layer 3 are separated from the liquid crystal molecules adjacent to the light-emitting layer 35. May not have a pretilt angle.

本発明の一実施形態において、液晶層3に残っている未硬化の光硬化剤が残像を誘発するために、液晶層3に存在する未硬化の光硬化剤を除去するために又はプレチルト角を有する光硬化層35及び36を安定化するためには、液晶層3に形成された電場がない状態で液晶層3に光が照射される工程、すなわち、蛍光露光工程が行われることができる。本発明の一実施形態に従って、蛍光露光工程は、約20分〜約80分、より望ましくは、約40分の間照射されることができる。この時に、照射される光の波長は、約300nm〜約390nmであり、310nm波長で、光の照度は、約0.05mW/cm〜約0.4mW/cmである紫外線であり得る。 In one embodiment of the present invention, an uncured photocuring agent remaining in the liquid crystal layer 3 induces an afterimage, an uncured photocuring agent present in the liquid crystal layer 3 is removed, or a pretilt angle is set. In order to stabilize the photocured layers 35 and 36, a process of irradiating the liquid crystal layer 3 with light without an electric field formed on the liquid crystal layer 3, that is, a fluorescence exposure process can be performed. According to one embodiment of the present invention, the fluorescence exposure step can be irradiated for about 20 minutes to about 80 minutes, more desirably about 40 minutes. At this time, the wavelength of light to be irradiated is about 300nm~ about 390 nm, at 310nm wavelength, intensity of light may be ultraviolet is about 0.05 mW / cm 2 ~ about 0.4 mW / cm 2.

本発明の他の実施形態において、液晶層3に形成された電場の強度、画素電圧のレベル、画素PXに供給される電圧の時間、光エネルギー、光照射量、光照射時間、又はこれらの組合せに基づいて様々なプレチルト角の側鎖を有する下板光硬化層35又は上板光硬化層36が形成され得る。1つの実施形態において、露光電圧が副画素電極191h、191lに相互に異なって供給された状態で電界露光により相互に異なるプレチルト角の光硬化層35を有する第1の副画素190h及び第2の副画素190lが形成され得る。もう1つの実施形態において、基本画素群PSを構成する基本色画素の中の少なくとも1つの画素、例えば、青色画素は、他の画素のプレチルト角とは異なるプレチルト角を有する光硬化層を有することができるように、異なる露光電圧又は異なる電界露光工程が画素に従って適用されることができる。   In another embodiment of the present invention, the intensity of the electric field formed in the liquid crystal layer 3, the level of the pixel voltage, the time of the voltage supplied to the pixel PX, the light energy, the light irradiation amount, the light irradiation time, or a combination thereof Accordingly, the lower plate photo-curing layer 35 or the upper plate photo-curing layer 36 having side chains with various pretilt angles can be formed. In one embodiment, the first sub-pixel 190h and the second sub-pixel 190h having the photocuring layer 35 having different pre-tilt angles by electric field exposure in a state where the exposure voltages are supplied to the sub-pixel electrodes 191h and 191l. A subpixel 190l may be formed. In another embodiment, at least one of the basic color pixels constituting the basic pixel group PS, for example, a blue pixel has a photo-curing layer having a pretilt angle different from the pretilt angle of the other pixels. Different exposure voltages or different electric field exposure steps can be applied according to the pixel.

偏光子(図示せず)は、シール剤により組み立てられた下部表示板100及び上部表示板200に取り付けられる。上述したように、光硬化剤が液晶層3に含まれた状態で製造された液晶表示板アセンブリ300は、SVAモード特性を有する。   A polarizer (not shown) is attached to the lower display panel 100 and the upper display panel 200 assembled with a sealant. As described above, the liquid crystal display panel assembly 300 manufactured with the photocuring agent included in the liquid crystal layer 3 has SVA mode characteristics.

SC−VAモード(Surface-Controlled Alignment Mode)
実施形態1
以下、図6B、図8A乃至図8E、及び図9A及び図9Bを参照してSC−VAモードに基づく液晶表示板アセンブリ300を製造する方法について詳細に説明する。SVAモードに基づく液晶表示板アセンブリ300を製造する方法と重複する詳細な説明は、説明の便宜上省略し、SC−VAモードにより特徴づけられる液晶表示板アセンブリ300を製造する方法について詳細に説明する。
SC-VA mode (Surface-Controlled Alignment Mode)
Embodiment 1
Hereinafter, a method of manufacturing the liquid crystal panel assembly 300 based on the SC-VA mode will be described in detail with reference to FIGS. 6B, 8A to 8E, and 9A and 9B. A detailed description overlapping with the method of manufacturing the liquid crystal panel assembly 300 based on the SVA mode will be omitted for convenience of description, and the method of manufacturing the liquid crystal panel assembly 300 characterized by the SC-VA mode will be described in detail.

図6Bは、図1乃至図5A及び図5Bと関連して製造された下部表示板100及び上部表示板200を用いてSC−VAモードに基づいて液晶表示板アセンブリ300を製造する方法を示すフローチャートである。図8A乃至図8Eは、本発明の実施形態によるSC−VAモードに基づく液晶表示板アセンブリ300の下板配向膜291を形成する工程を順次に示す断面図であり、図9A及び図9Bは、表面光硬化剤を硬化することにより光硬化層35を形成するステップを概略的に示す図である。   FIG. 6B is a flowchart illustrating a method of manufacturing the liquid crystal panel assembly 300 based on the SC-VA mode using the lower display panel 100 and the upper display panel 200 manufactured in association with FIGS. 1 to 5A and 5B. It is. 8A to 8E are cross-sectional views sequentially illustrating a process of forming a lower alignment film 291 of the liquid crystal panel assembly 300 based on the SC-VA mode according to an embodiment of the present invention. It is a figure which shows roughly the step which forms the photocuring layer 35 by hardening | curing a surface photocuring agent.

1番目のステップS210及びS220において、画素電極191を有する下部表示板100及び共通電極270を有する上部表示板200の製造については、図1乃至図5A及び図5Bを参照して既に説明した。   In the first steps S210 and S220, the manufacture of the lower display panel 100 having the pixel electrode 191 and the upper display panel 200 having the common electrode 270 has already been described with reference to FIGS. 1 to 5A and 5B.

次のステップS231及びS232において、表面光硬化剤層35a及び主配向膜33は、画素電極191及び共通電極270にそれぞれ形成される。   In the next steps S231 and S232, the surface photocuring agent layer 35a and the main alignment film 33 are formed on the pixel electrode 191 and the common electrode 270, respectively.

図8A乃至図8Eを参照して、下板主配向膜33及び表面光硬化剤層35aを形成する工程について詳細に説明する。図8Aを参照すると、表面光硬化剤(図示せず)及び表面主配向物質(図示せず)で構成された表面配向反応物10が画素電極191上にインクジェットプリンティング又はロールプリンティングの方法で形成される。表面配向反応物10は、下部表示板100及び上部表示板200の内部領域に形成され、部分的に外郭領域に塗布されることができる。画素電極191及び共通電極270の他の下部層は、上述したものと同一であるので省略した。すなわち、表面配向反応物10は、表面光硬化剤と表面主配向物質との混合物又は化合物である。表面主配向物質は、液晶分子31を基板又は画素電極191の平面に対して垂直配向する垂直配向物質である。表面光硬化剤は、基板又は画素電極191の平面に対して特定の傾斜方向に液晶分子31をプレチルトするように硬化される物質である。表面主配向物質及び表面光硬化剤の材料については後述する。   With reference to FIG. 8A thru | or FIG. 8E, the process of forming the lower board main orientation film 33 and the surface photocuring agent layer 35a is demonstrated in detail. Referring to FIG. 8A, a surface alignment reactant 10 composed of a surface light curing agent (not shown) and a surface main alignment material (not shown) is formed on the pixel electrode 191 by inkjet printing or roll printing. . The surface alignment reactant 10 may be formed in the inner region of the lower display panel 100 and the upper display panel 200 and may be partially applied to the outer region. The other lower layers of the pixel electrode 191 and the common electrode 270 are the same as those described above, and thus are omitted. That is, the surface alignment reactant 10 is a mixture or compound of a surface photocuring agent and a surface main alignment material. The surface main alignment material is a vertical alignment material that vertically aligns the liquid crystal molecules 31 with respect to the plane of the substrate or the pixel electrode 191. The surface light curing agent is a substance that is cured so as to pretilt the liquid crystal molecules 31 in a specific tilt direction with respect to the plane of the substrate or the pixel electrode 191. The material of the surface main alignment material and the surface light curing agent will be described later.

図8Bを参照すると、画素電極191上に形成された表面配向反応物10は、低温で1次加熱される。1次加熱工程は、約100秒〜約140秒、より望ましくは約120秒の間に約80℃〜約110℃、より望ましくは、約95℃で行われる。1次加熱において、表面配向反応物10の溶媒が気化される。図8Cを参照すると、表面配向反応物10が表面主配向物質を有する表面主配向物質層33aと表面光硬化剤を有する表面光硬化剤層35aとに相分離される。表面配向反応物10において、極性差に基づいて、相対的に大きい極性を有する物質は、画素電極191の周辺に移動することにより表面主配向物質を有する表面主配向物質層33aとなり、相対的に小さい極性を有する物質は、表面主配向物質層33a上に移動することにより表面光硬化剤を有する表面光硬化剤層35aとなる。表面主配向物質は、相対的に大きい極性を有し、液晶分子31を基板又は画素電極191の平面に対して垂直に配向する。表面光硬化剤層35aは、側鎖極性を弱化させる非極性作用をするアルキル化芳香族ジアミン(alkylated aromatic diamine)系モノマーを含むために相対的に小さい極性を有する。   Referring to FIG. 8B, the surface alignment reactant 10 formed on the pixel electrode 191 is primarily heated at a low temperature. The primary heating step is performed at about 80 ° C. to about 110 ° C., more preferably about 95 ° C. for about 100 seconds to about 140 seconds, more preferably about 120 seconds. In the primary heating, the solvent of the surface alignment reactant 10 is vaporized. Referring to FIG. 8C, the surface alignment reactant 10 is phase-separated into a surface main alignment material layer 33a having a surface main alignment material and a surface photocuring agent layer 35a having a surface photocuring agent. In the surface alignment reactant 10, a material having a relatively large polarity based on the polarity difference moves to the periphery of the pixel electrode 191 to become a surface main alignment material layer 33 a having the surface main alignment material, The substance having a small polarity moves to the surface main alignment material layer 33a to become a surface photocuring agent layer 35a having a surface photocuring agent. The surface main alignment material has a relatively large polarity and aligns the liquid crystal molecules 31 perpendicular to the plane of the substrate or the pixel electrode 191. The surface light curing agent layer 35a has a relatively small polarity because it includes an alkylated aromatic diamine-based monomer having a nonpolar action that weakens the side chain polarity.

図8D及び図8Eを参照すると、相分離が起こった表面主配向物質層33a及び表面光硬化剤層35aを高温で2次加熱する場合に、下部に相対的に大きい極性を有し、液晶分子31を基板又は画素電極191の平面に対して垂直配向する主配向膜33が形成され、上部に相対的に小さい極性を有する表面光硬化剤層35aが形成される。その結果、主配向膜33及び表面光硬化剤層35aは、異なる極性値を有する。2次加熱工程は、約1000秒〜約1400秒、より望ましくは約1200秒の間に約200℃〜約240℃、より望ましくは約220℃で行われることができる。   Referring to FIGS. 8D and 8E, when the surface main alignment material layer 33a and the surface photocuring agent layer 35a in which phase separation has occurred are secondarily heated at a high temperature, the liquid crystal molecules 31 have a relatively large polarity at the bottom. Is formed perpendicularly to the plane of the substrate or pixel electrode 191, and a surface light curing agent layer 35a having a relatively small polarity is formed thereon. As a result, the main alignment film 33 and the surface photocuring agent layer 35a have different polar values. The secondary heating step may be performed at about 200 ° C. to about 240 ° C., more preferably about 220 ° C. for about 1000 seconds to about 1400 seconds, more desirably about 1200 seconds.

本発明の実施形態において、表面主配向物質を有する表面主配向物質層33a及び表面光硬化層35aが下部層及び上部層に個別に形成される場合に1次加熱工程を省略してもよい。   In the embodiment of the present invention, the primary heating step may be omitted when the surface main alignment material layer 33a having the surface main alignment material and the surface photocured layer 35a are individually formed in the lower layer and the upper layer.

以下、表面光硬化剤及び表面主配向物質について詳細に説明する。本発明の実施形態によると、表面配向反応物10の中で表面主配向物質は、約85モル%〜95モル%であり、表面光硬化剤は、約5モル%〜15モル%であり、より具体的に表面主配向物質は、約90モル%であり、表面光硬化剤は、約10モル%である。表面主配向物質及び表面光硬化剤のモル%組成比は、それぞれ溶媒を除く表面配向反応物10に対するモル%であり、主配向膜33及び光硬化剤層35aに相分離された後又は主配向膜33及び光硬化層35が形成された後にも、表面主配向物質及び表面光硬化剤のモル%組成比は、実質的に同一である。   Hereinafter, the surface light curing agent and the surface main alignment material will be described in detail. According to the embodiment of the present invention, the surface main alignment material in the surface alignment reactant 10 is about 85 mol% to 95 mol%, the surface photocuring agent is about 5 mol% to 15 mol%, and more. Specifically, the surface main alignment material is about 90 mol%, and the surface photocuring agent is about 10 mol%. The mol% composition ratio of the surface main alignment material and the surface photocuring agent is mol% with respect to the surface alignment reactant 10 excluding the solvent, respectively, or after phase separation into the main alignment film 33 and the photocuring agent layer 35a or the main alignment film. Even after 33 and the photocuring layer 35 are formed, the mole% composition ratio of the surface main alignment material and the surface photocuring agent is substantially the same.

本発明の一実施形態において、表面光硬化剤は、上述した反応性メソゲンを有する。本発明の一実施形態に従って、表面配向反応物10を広く薄い方法で下部又は上部表示板によく伸びるように塗布される印刷性を向上させるために、溶媒は、表面配向反応物10に付加されることができる。また、溶媒は、表面配向反応物10を構成する物質を容易に溶解するか又は混合するようにする。溶媒は、クロロベンゼン(chlorobenzene)、ジメチル・スルホキシド(dimethyl sulfoxide)、ジメチルホルムアミド(dimethylformamide)、N−メチルピロリドン(N-methylpyrrolidone)、γ−ブチロラクトン(γ-butyrolactone)、エチルメトキシブタノール(ethyl methoxy butanol)、メチルエトキシブタノール(methyl ethoxy butanol)、トルエン(toluene)、クロロホルム(chloroform)、ガンマブチロラクトン(gamma-butyrolactone)、メチル・セロソルブ(methyl cellosolve)、ブチル・セロソルブ(butyl cellosolve)、ブチル・カルビトール(butyl carbitol)、テトラヒドロフラン(tetrahydrofuran)、及びこれらの組合せでなる群から選択されることができ、本発明の範囲及び趣旨を逸脱することなく、他の物質も溶媒として選択可能であることは、当該分野における通常の知識を有する者には容易に理解されることができる。上述した溶媒は、上述した又は後述する主配向物質、表面配向反応物10、又は偏光配向反応物に適用されてもよい。この溶媒は、上述した又は後述する1次加熱、2次加熱、予備加熱、又は後加熱工程により気化されることができる。   In one embodiment of the present invention, the surface light curing agent has the reactive mesogen described above. In accordance with an embodiment of the present invention, a solvent is added to the surface alignment reactant 10 in order to improve the printability of the surface alignment reactant 10 being applied in a wide and thin manner to extend well to the lower or upper display panel. Can. In addition, the solvent easily dissolves or mixes the material constituting the surface alignment reactant 10. Solvents are chlorobenzene, dimethyl sulfoxide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, ethyl methoxy butanol, Methyl ethoxy butanol, toluene, chloroform, gamma-butyrolactone, methyl cellosolve, butyl cellosolve, butyl carbitol ), Tetrahydrofuran (tetrahydrofuran), and combinations thereof, and other materials can be selected as solvents without departing from the scope and spirit of the present invention. Those who have ordinary knowledge It can will be readily understood. The solvent described above may be applied to the main alignment material, the surface alignment reactant 10 or the polarization alignment reactant described above or described below. This solvent can be vaporized by the primary heating, secondary heating, preheating, or post-heating steps described above or below.

表面主配向物質は、脂環式二無水物系モノマー(alicyclic dianhydride-based monomer)のような二無水物系モノマー(dianhydride-based monomer)、芳香族ジアミン(aromatic diamine)系モノマー及び脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマー(aliphatic ring substituted aromatic diamine-based monomer)のようなジアミン系モノマー、及び芳香族エポキシド系モノマーのような架橋剤(cross-linker)を含むポリマーであり得る。   Surface primary alignment materials include dianhydride-based monomers such as alicyclic dianhydride-based monomers, aromatic diamine monomers, and aliphatic ring substitution. The polymer may include a diamine-based monomer such as an aromatic diamine-based monomer, and a cross-linker such as an aromatic epoxide-based monomer.

表面主配向物質に含まれた脂環式二無水物(alicyclic dianhydride)系モノマーは、表面配向反応物10の中で約39.5モル%〜49.5モル%であり得、芳香族ジアミン系モノマーは、表面配向反応物10の中で約30.5モル%〜40.5モル%であり得、脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーは、表面配向反応物10の中で約7.5モル%〜10.5モル%であり得、芳香族エポキシド系モノマーは、表面配向反応物10の中で約0.5〜1.5モル%であり得る。   The alicyclic dianhydride monomer contained in the surface main alignment material may be about 39.5 mol% to 49.5 mol% in the surface alignment reactant 10. The monomer may be about 30.5 mol% to 40.5 mol% in the surface alignment reactant 10, and the aliphatic ring-substituted aromatic diamine-based monomer is about 7.5 in the surface alignment reactant 10. The aromatic epoxide-based monomer may be about 0.5 to 1.5 mol% in the surface alignment reactant 10.

脂環式二無水物系モノマーは、下記の化学式I乃至化学式Vの中のいずれか1つで表現されるモノマーであり得る。脂環式二無水物系モノマーは、表面主配向物質に含まれたポリマーが溶媒によく溶解されるようにし、表面主配向物質の電気光学特性を強化する。   The alicyclic dianhydride monomer may be a monomer represented by any one of the following chemical formulas I to V. The alicyclic dianhydride monomer allows the polymer contained in the surface main alignment material to be well dissolved in the solvent and enhances the electro-optical characteristics of the surface main alignment material.

化学式I   Formula I

化学式II   Formula II

化学式III   Formula III

化学式IV   Formula IV

化学式V   Formula V

芳香族ジアミン系モノマーは、次の化学式VIで表現されるモノマーであり得る。この表面主配向物質内の芳香族ジアミン系モノマーは、表面主配向物質に含まれたポリマーが溶媒に溶解されるようにする。   The aromatic diamine-based monomer may be a monomer represented by the following chemical formula VI. The aromatic diamine-based monomer in the surface main alignment material allows the polymer contained in the surface main alignment material to be dissolved in the solvent.

化学式VI   Formula VI

ここで、W3は、下記の化学式VII乃至IXの中のいずれ1つであり得る。 Here, W3 may be any one of the following chemical formulas VII to IX.

化学式VII   Formula VII

化学式VIII   Formula VIII

化学式IX   Formula IX

脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーは、下記の化学式Xで表現されるモノマーであり得る。表面主配向物質内の脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーは、垂直配向成分であり、表面主配向物質の耐熱性及び耐化学性を向上させる。   The aliphatic ring-substituted aromatic diamine monomer may be a monomer represented by the following chemical formula X. The aliphatic ring-substituted aromatic diamine monomer in the surface main alignment material is a vertical alignment component, and improves the heat resistance and chemical resistance of the surface main alignment material.

化学式X   Formula X

ここで、W2は、下記の化学式XI及び化学式XIIの中のいずれか1つであり得る。   Here, W2 may be any one of the following chemical formula XI and chemical formula XII.

化学式XI   Formula XI

化学式XII   Formula XII

芳香族エポキシド(aromatic epoxide)系モノマーは、下記の化学式XIIIで表現されるモノマーであり得る。表面主配向物質内の芳香族エポキシド系モノマーは、架橋構造を形成するために、表面主配向物質に含まれたポリマーと表面光硬化剤に含まれたポリマー(反応性メソゲン)とが結合されることができるようにする。また、芳香族エポキシド系モノマーは、膜物性(film property)を向上させ、耐熱性及び耐化学性を向上させる。   The aromatic epoxide monomer may be a monomer represented by the following chemical formula XIII. The aromatic epoxide monomer in the surface main alignment material is bonded to the polymer included in the surface main alignment material and the polymer (reactive mesogen) included in the surface photocuring agent in order to form a crosslinked structure. To be able to. In addition, the aromatic epoxide-based monomer improves film properties, and improves heat resistance and chemical resistance.

化学式XIII   Formula XIII

ここで、Zは、次の化学式XIV及びXVの中のいずれか1つであり得る。 Here, Z 3 may be any one of the following chemical formulas XIV and XV.

化学式XIV   Formula XIV

化学式XV   Formula XV

1つの実施形態による表面主配向物質は、ポリマー系列の物質、例えば、ポリシロキサン(polysiloxane)、ポリアミック酸(polyamic acid)、ポリイミド(poly-imide)、ナイロン(nylon)、ポリビニルアルコール(polyvinylalcohol:PVA)、及びPVCの中の少なくとも1つを含んでもよい。   The surface main alignment material according to one embodiment may be a polymer series material, such as polysiloxane, polyamic acid, polyimide, nylon, polyvinyl alcohol (PVA). , And at least one of the PVCs.

表面光硬化剤は、脂環式二無水物系モノマーのような二無水物系モノマーと、光反応性ジアミン系モノマーのようなジアミン系モノマーと、アルキル化芳香族ジアミン(alkylated aromatic diamine)系モノマーと、芳香族ジアミン系モノマーとを含む。   Surface photocuring agents include dianhydride monomers such as alicyclic dianhydride monomers, diamine monomers such as photoreactive diamine monomers, alkylated aromatic diamine monomers, And an aromatic diamine monomer.

表面光硬化剤に含まれた脂環式二無水物系モノマーは、表面配向反応物10の中で約2.5モル%〜7.5モル%であり得、光反応性ジアミン系モノマーは、表面配向反応物10の中で約0.75モル%〜2.25モル%であり得、アルキル化芳香族ジアミン系モノマーは、表面配向反応物10の中で約0.75モル%〜2.25モル%であり得、芳香族ジアミン系モノマーは、表面配向反応物10の中で約1モル%〜3モル%であり得る。   The alicyclic dianhydride monomer contained in the surface photocuring agent may be about 2.5 mol% to 7.5 mol% in the surface alignment reactant 10, and the photoreactive diamine monomer The alignment reactant 10 may be about 0.75 mol% to 2.25 mol%, and the alkylated aromatic diamine-based monomer is about 0.75 mol% to 2.25 mol in the surface alignment reactant 10. The aromatic diamine-based monomer may be about 1 mol% to 3 mol% in the surface alignment reactant 10.

表面光硬化剤に含まれた脂環式二無水物系モノマー及び芳香族ジアミン系モノマーは、それぞれ表面主配向物質に含まれた脂環式二無水物系モノマー及び芳香族ジアミン系モノマーと同一であり得る。   The alicyclic dianhydride monomer and aromatic diamine monomer contained in the surface photocuring agent are the same as the alicyclic dianhydride monomer and aromatic diamine monomer contained in the surface main alignment material, respectively. obtain.

光反応性ジアミン系モノマーは、反応性メソゲンを含むモノマーであり、光硬化層35及び36と液晶分子とのプレチルト角の方向を決定する機能をする。化学構造の観点において、光反応性ジアミン系モノマーは、次の化学式XVIで表現されるモノマーであり得、より具体的には、化学式XVIIで表現されるモノマーであり得る。   The photoreactive diamine-based monomer is a monomer containing a reactive mesogen and functions to determine the direction of the pretilt angle between the photocured layers 35 and 36 and the liquid crystal molecules. In view of the chemical structure, the photoreactive diamine-based monomer may be a monomer represented by the following chemical formula XVI, and more specifically, a monomer represented by the chemical formula XVII.

化学式XVI   Formula XVI

ここで、Pは、反応性メソゲンであり、Wは、芳香族環であり、上述したような化学式VII乃至化学式IXの中のいずれか1つであり得る。 Here, P 1 is a reactive mesogen, W 3 is an aromatic ring, and may be any one of Chemical Formula VII to Chemical Formula IX as described above.

化学式XVII   Formula XVII

ここで、Xは、メチレン(methylene)(CH)、フェニレン(phenylene)(C)、ビフェニレン(biphenylene)(C1)、シクロへキシレン(cyclohexylene)(C)、ビシクロヘキシレン(bicyclohexylene)(C1H1)、及びフェニル−シクロヘキシレン(phenyl-cyclohexylene)(C−C)の中のいずれか1つであり得、Yは、メチレン(methylene)(CH)、 エーテル(ether)(O)、エステル(ester)(O−C=O又はO=C−O)、フェニレン)(C)、及びシクロへキシレン(C)の中のいずれか1つであり得、Zは、メチル(CH)又は水素(H)であり得る。また、nは、1〜10の中のいずれか1つの整数であり得る。 Here, X is methylene (CH 2 ), phenylene (C 6 H 4 ), biphenylene (C 1 2 H 8 ), cyclohexylene (C 6 H 8 ), Bicyclohexylene (C1 2 H1 6 ) and phenyl-cyclohexylene (C 6 H 4 -C 6 H 8 ) can be any one, and Y is methylene ( methylene) (CH 2 ), ether (O), ester (O—C═O or O═C—O), phenylene) (C 6 H 4 ), and cyclohexylene (C 6 H). 8 ) and Z can be methyl (CH 3 ) or hydrogen (H). N may be any one integer from 1 to 10.

アルキル化芳香族ジアミン系モノマーは、下記の化学式XVIIIで表現される垂直配向モノマーであり得る。表面光硬化剤に含まれたポリマーのアルキル化芳香族ジアミン系モノマーが垂直配向成分を有するが、側鎖で極性を示さないアルキル基を含んでいるために、表面光硬化剤層35aのポリマーは、表面主配向物質層33aのポリマーよりさらに低い極性を有する。   The alkylated aromatic diamine-based monomer may be a vertical alignment monomer represented by the following chemical formula XVIII. Since the alkylated aromatic diamine monomer of the polymer contained in the surface photocuring agent has a vertical alignment component but contains an alkyl group that does not show polarity in the side chain, the polymer of the surface photocuring agent layer 35a It has a lower polarity than the polymer of the main alignment material layer 33a.

化学式XVIII   Formula XVIII

ここで、R’及びR’’は、それぞれ次のように定義される。
Here, R ′ and R ″ are defined as follows.

また、Wは、下記の化学式XIXで表現されることができる。 W 5 can be expressed by the following chemical formula XIX.

化学式XIX   Formula XIX

芳香族ジアミン系モノマーは、化学式VI乃至化学式IXで表現されたモノマーであり得る。芳香族ジアミン系モノマーは、表面光硬化剤を構成するポリマーが溶媒によく溶解されるようにする。上述した光開始剤は、表面光硬化剤に添加されることができる。   The aromatic diamine monomer may be a monomer represented by Formula VI to Formula IX. The aromatic diamine monomer allows the polymer constituting the surface light curing agent to be well dissolved in the solvent. The photoinitiator described above can be added to the surface photocuring agent.

2次加熱の後に、表面配向反応物10は、純水(DeIonized Water:DIW)により洗浄され、イソプロピルアルコール(IPA)により追加で洗浄されることがある。洗浄の後に、表面配向反応物10は乾燥される。   After the secondary heating, the surface alignment reactant 10 may be washed with pure water (DeIonized Water: DIW) and additionally washed with isopropyl alcohol (IPA). After the cleaning, the surface alignment reactant 10 is dried.

ステップS240で、表面光硬化剤層35a及び主配向膜33がそれぞれ形成された下部表示板100と上部表示板200間で上板共通電圧印加点(図示せず)、シール剤、及び液晶層3が形成された後に、表示板100及び200が組み立てられる。乾燥の後に、シール剤は、下部表示板100上に形成される。シール剤は、接着力を向上させるために表面配向反応物10が形成されない下部表示板100の外郭領域に形成されることができる。他方、シール剤は、表面配向反応物10と一部重なるように下部表示板100又は上部表示板200の外郭領域に形成されてもよい。シール剤は、約300nm〜約400nmの波長を有する紫外線により硬化される光開始剤を含み得る。約300nm〜約400nmの波長で硬化される光開始剤は、ベンジルジメチルケータル(Benzyl Dimethyl Ketal(BDK)、Irgacure-651)であるか又は上述した光開始剤であり得る。   In step S240, an upper plate common voltage application point (not shown), a sealing agent, and the liquid crystal layer 3 are formed between the lower display panel 100 and the upper display panel 200 on which the surface light curing agent layer 35a and the main alignment film 33 are formed. After being formed, the display panels 100 and 200 are assembled. After drying, the sealant is formed on the lower display panel 100. The sealing agent may be formed in an outer region of the lower display panel 100 where the surface alignment reactant 10 is not formed in order to improve adhesion. On the other hand, the sealing agent may be formed in the outer region of the lower display panel 100 or the upper display panel 200 so as to partially overlap the surface alignment reactant 10. The sealant can include a photoinitiator that is cured by ultraviolet radiation having a wavelength of about 300 nm to about 400 nm. The photoinitiator that is cured at a wavelength of about 300 nm to about 400 nm may be benzyl dimethyl ketal (BDK), Irgacure-651) or the photoinitiator described above.

乾燥の後に、上板共通電圧印加点(図示せず)及び液晶層は、上部表示板200上に形成される。上板共通電圧印加点は、外部、例えば、データ駆動部500から供給された共通電圧Vcomを受信し、上部表示板200上に形成された共通電極270に共通電圧Vcomを供給する。上板共通電圧印加点は、下部表示板100上に形成された共通電圧印加パターン(図示せず)及び上部表示板200に形成された共通電極270を直接接触することができる。共通電圧印加パターンは、データ駆動部500に接続されることにより共通電圧Vcomを受信し、画素電極層が形成される間に形成され得る。上板共通電圧印加点は、表面配向反応物10が形成されない上部表示板の外郭領域に形成され得る。上板共通電圧印加点は、導電特性を有し、直径が約4μm以下の球形導体で構成され得る。液晶層は、上部表示板200の表面配向反応物10が形成される領域上に形成されるか、又はシール剤が形成された内側に形成される。上板共通電圧印加点及び液晶層を形成する工程は、同時に行われることができる。本発明の他の実施形態に従って、シール剤、すなわち、伝導性シール剤を上板共通電圧印加点を形成する導電体と混合することにより、このシール剤及び上板共通電圧印加点は、単一の工程で同一の材質で形成されることができる。この時、伝導性シール剤が形成される下部表示板100の領域は、伝導性シール剤の下部層にデータ層導電体のパターンを実質的に有しないことがある。したがって、伝導性シール剤及びデータ層導電体のパターンの短絡(short)を防止することができる。   After drying, an upper plate common voltage application point (not shown) and a liquid crystal layer are formed on the upper display panel 200. The upper plate common voltage application point receives the common voltage Vcom supplied from the outside, for example, the data driver 500, and supplies the common voltage Vcom to the common electrode 270 formed on the upper display panel 200. The upper plate common voltage application point can directly contact a common voltage application pattern (not shown) formed on the lower display panel 100 and a common electrode 270 formed on the upper display panel 200. The common voltage application pattern may be formed while the pixel electrode layer is formed by receiving the common voltage Vcom by being connected to the data driver 500. The upper plate common voltage application point may be formed in an outer region of the upper display panel where the surface alignment reactant 10 is not formed. The upper plate common voltage application point may have a conductive characteristic and may be formed of a spherical conductor having a diameter of about 4 μm or less. The liquid crystal layer is formed on a region of the upper display panel 200 where the surface alignment reactant 10 is formed, or is formed inside the sealant. The step of forming the upper plate common voltage application point and the liquid crystal layer can be performed simultaneously. According to another embodiment of the present invention, the sealing agent, i.e., the conductive sealing agent, is mixed with the conductor forming the upper plate common voltage application point so that the sealing agent and the upper plate common voltage application point are single. In this process, the same material can be used. At this time, the region of the lower display panel 100 where the conductive sealant is formed may have substantially no data layer conductor pattern in the lower layer of the conductive sealant. Therefore, a short of the pattern of the conductive sealant and the data layer conductor can be prevented.

このシール剤及び液晶層が形成された後に、下部表示板100及び上部表示板200は、シール剤により真空チャンバーで組み立てられる。   After the sealant and the liquid crystal layer are formed, the lower display panel 100 and the upper display panel 200 are assembled in a vacuum chamber with the sealant.

ステップS250で、露光電圧がこの組み立てられた表示板100及び200に供給された後に、光が照射され、すなわち、この組み立てられた表示板100及び200が電界露光工程を経るために、下板光硬化層35は、下板主配向膜33上に形成され、上板光硬化層36は、上板主配向膜34上に形成される。主配向膜33、34及び光硬化層35、36は、それぞれ配向膜291及び292を構成する。   In step S250, after an exposure voltage is supplied to the assembled display panels 100 and 200, light is irradiated, that is, the assembled display panels 100 and 200 are subjected to an electric field exposure process. The cured layer 35 is formed on the lower plate main alignment film 33, and the upper plate photocured layer 36 is formed on the upper plate main alignment film 34. The main alignment films 33 and 34 and the photocurable layers 35 and 36 constitute alignment films 291 and 292, respectively.

この組み立てられた後に、シール剤は、約300nm〜約400nmの波長を有する紫外線又は約400nm以上の可視光線に照射されることにより約80%が硬化される。紫外線又は可視光線は、下部表示板の外部方向から入射することによりシール剤に照射されることができる。遮蔽マスク(shield mask)は、シール剤と紫外線光源との間に位置し、紫外線(UV)がシール剤外の部分に照射されないように紫外線を遮断する。シール剤に照射された紫外線が外れることによりシール剤周辺の光硬化剤を硬化する場合に、シール剤周辺の光硬化剤が予め硬化されるために、液晶表示装置は、シール剤周辺でエッジ染みの不良を有することがある。シール剤周辺の光硬化剤は、配向膜を形成する光硬化剤又は液晶層に存在する光硬化剤であり得る。可視光線は、遮蔽マスクなしにシール剤に照射されることができる。   After being assembled, about 80% of the sealant is cured by irradiation with ultraviolet light having a wavelength of about 300 nm to about 400 nm or visible light of about 400 nm or more. Ultraviolet rays or visible rays can be applied to the sealant by being incident from the outside of the lower display panel. The shielding mask is located between the sealant and the ultraviolet light source, and blocks the ultraviolet rays so that the ultraviolet rays (UV) are not irradiated to the portion outside the sealant. When the photo-curing agent around the sealing agent is cured by removing the ultraviolet rays irradiated to the sealing agent, the liquid-curing agent around the sealing agent is pre-cured. May have defects. The photocuring agent around the sealant may be a photocuring agent that forms the alignment film or a photocuring agent that exists in the liquid crystal layer. Visible light can be applied to the sealant without a shielding mask.

この後に、シール剤は、約100℃で約70分の間に熱硬化される。   After this, the sealant is heat cured at about 100 ° C. for about 70 minutes.

この組み立てられた後に、液晶分子のファジー性(fuzziness)及び均一性(uniformity)を向上させるために下部及び上部表示板は、約100℃〜約120℃のチャンバー内で約60分〜約80分の間にアニーリングが行われる。   After being assembled, in order to improve the fuzziness and uniformity of the liquid crystal molecules, the lower and upper display panels are placed in a chamber of about 100 ° C. to about 120 ° C. for about 60 minutes to about 80 minutes. Annealing is performed during this period.

アニーリングの後に、露光電圧が組み立てられた表示板100及び200に供給され、電場が液晶層3で形成される工程(ステップS252)は、SVAモード製造方法のステップS152と実質的に同一であるため、その説明を省略する。   Since the exposure voltage is supplied to the assembled display panels 100 and 200 after annealing and the electric field is formed by the liquid crystal layer 3 (step S252) is substantially the same as step S152 of the SVA mode manufacturing method. The description is omitted.

次のステップS254で、電場が形成されている間に、光が組み立てられた液晶表示板アセンブリ300に照射される電界露光工程により光硬化層35が形成される工程について説明する。ステップS254で、光が照射される工程及び光硬化層35が液晶分子31を配向する工程がSVAモードでのステップS154と同一であるので、その詳細な説明を省略する。未硬化の光硬化剤を減少させ、光硬化層を均一に形成するために光硬化剤層35aに照射される光は、光を吸収するか又は遮断する膜がより少ない下部表示板100の基板110又は上部表示板200の基板210の方向に入射することができる。   In the next step S254, a process in which the photocured layer 35 is formed by an electric field exposure process in which light is assembled on the assembled liquid crystal display panel assembly 300 while an electric field is being formed will be described. In step S254, the process of irradiating light and the process of aligning the liquid crystal molecules 31 by the photocuring layer 35 are the same as in step S154 in the SVA mode, and thus detailed description thereof is omitted. In order to reduce the uncured photocuring agent and form the photocured layer uniformly, the light irradiated to the photocuring agent layer 35a is a substrate of the lower display panel 100 that absorbs or blocks light. 110 or the substrate 210 of the upper display panel 200.

以下、図9A及び図9Bを参照して、光を受信する際に、主配向膜33上に形成された表面光硬化剤層35aが光硬化層35となる工程について詳細に説明する。   Hereinafter, with reference to FIG. 9A and FIG. 9B, a process in which the surface photocuring agent layer 35 a formed on the main alignment film 33 becomes the photocuring layer 35 when receiving light will be described in detail.

電場が液晶層3で形成される場合に、表面光硬化剤層35aの表面光硬化剤43が周辺液晶分子31と実質的に同一の方向に配列され、この際入射した紫外線により表面光硬化剤43が周辺液晶分子31と実質的に同一の方向に硬化される。このように配列され硬化された表面光硬化剤43は、光硬化層35を形成し、それにより、光硬化層35に隣接した液晶分子は、プレチルト角を有する。図9A、図9Bに示す表面光硬化剤43は、表面主配向物質を構成する垂直配向モノマー41と反応性メソゲンとを含むモノマーが化学的に結合されているポリマー化合物(compound)である。紫外線が照射された時、反応性メソゲンを有する表面光硬化剤43は、二重結合が紫外線(UV)により取れ、側鎖ネットワーク40が追加で形成される。このような反応により、表面光硬化剤43は、紫外線照射による硬化により光硬化層35を形成する。その結果、下部基板110の法線方向に対して若干傾いた方向に配向された光硬化層35は、液晶分子31を垂直配向する主配向膜33上に形成される。未硬化の光硬化剤を硬化し、光硬化層を安定化するためには、上述した蛍光露光工程が行われることができる。   When the electric field is formed by the liquid crystal layer 3, the surface photocuring agent 43 of the surface photocuring agent layer 35 a is arranged in substantially the same direction as the peripheral liquid crystal molecules 31. The liquid crystal molecules 31 are cured in substantially the same direction. The surface photocuring agent 43 arranged and cured in this way forms a photocuring layer 35, whereby the liquid crystal molecules adjacent to the photocuring layer 35 have a pretilt angle. The surface light curing agent 43 shown in FIGS. 9A and 9B is a polymer compound in which a monomer including a vertical alignment monomer 41 constituting a surface main alignment material and a reactive mesogen is chemically bonded. When irradiated with ultraviolet rays, the surface photocuring agent 43 having a reactive mesogen has double bonds formed by ultraviolet rays (UV), and the side chain network 40 is additionally formed. By such a reaction, the surface photocuring agent 43 forms the photocured layer 35 by curing with ultraviolet irradiation. As a result, the photocurable layer 35 aligned in a direction slightly inclined with respect to the normal direction of the lower substrate 110 is formed on the main alignment film 33 that vertically aligns the liquid crystal molecules 31. In order to cure the uncured photocuring agent and stabilize the photocured layer, the above-described fluorescence exposure process can be performed.

SVAモードと関連して上述したように、光硬化層35が液晶分子31の傾斜方向に沿って配向された状態で硬化されるために、電場が液晶層3に加えられない状態でも、液晶分子31は、画素電極191の微細ブランチ197の長さ方向に平行である傾斜方向にプレチルト角を有する。   As described above in connection with the SVA mode, the photocured layer 35 is cured in a state of being aligned along the tilt direction of the liquid crystal molecules 31, so that the liquid crystal molecules can be obtained even when no electric field is applied to the liquid crystal layer 3. 31 has a pretilt angle in an inclination direction parallel to the length direction of the fine branch 197 of the pixel electrode 191.

このように製造された液晶表示板アセンブリ300は、SC−VAモードの特性を有する。液晶表示装置がSC−VAモードに従って製造される場合に、光硬化剤が液晶層3に存在せず、主配向膜33の周辺に存在するために、液晶層3に残留する未硬化の光硬化剤が格段に減少する。したがって、SC−VAモードの特性を有する液晶表示装置は、残像の不良を改善することにより優秀な品質を有する。また、未硬化の光硬化剤を硬化するために、無電界状態で光を照射する工程を省略することができるので、液晶表示装置の製造コストが減少する。   The liquid crystal panel assembly 300 manufactured in this way has SC-VA mode characteristics. When the liquid crystal display device is manufactured according to the SC-VA mode, the photocuring agent is not present in the liquid crystal layer 3 but is present around the main alignment film 33, so that the uncured photocuring remaining in the liquid crystal layer 3. The agent is dramatically reduced. Therefore, a liquid crystal display device having SC-VA mode characteristics has excellent quality by improving afterimage defects. In addition, since the step of irradiating light in a non-electric field state can be omitted to cure the uncured photocuring agent, the manufacturing cost of the liquid crystal display device is reduced.

以下、図10と表2及び表3とを参照して、SC−VAモードにより製造された液晶表示装置の特性を詳細に説明する。表2は、表面配向反応物10に含まれた表面主配向物質及び表面光硬化剤の成分比の変化に従ってSC−VAモードの液晶表示装置の特性が現れている。   Hereinafter, the characteristics of the liquid crystal display device manufactured by the SC-VA mode will be described in detail with reference to FIG. 10 and Tables 2 and 3. Table 2 shows the characteristics of the SC-VA mode liquid crystal display device according to the change in the component ratio of the surface main alignment material and the surface photocuring agent contained in the surface alignment reactant 10.

この実験に適用された表面主配向物質を構成する脂環式二無水物系モノマーは、トリシクロヘキシル二無水物(tricyclohexyl dianhydride)であり、芳香族ジアミン系モノマーは、テルフェニルジアミン(Terphenyl diamine)であり、脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーは、コレステリルベンゼンジアミン(Cholesteryl benzenediamine)であり、芳香族エポキシド系モノマーは、ヘキサエポキシベンゼン誘導体(hexaepoxy benzene derivative)である。   The alicyclic dianhydride monomer constituting the surface main alignment material applied in this experiment is tricyclohexyl dianhydride, and the aromatic diamine monomer is terphenyl diamine. The aliphatic ring-substituted aromatic diamine-based monomer is cholesteryl benzenediamine, and the aromatic epoxide-based monomer is a hexaepoxy benzene derivative.

また、この実験に適用された表面光硬化剤を構成する脂環式二無水物系モノマーは、トリシクロヘキシル二無水物(tricyclo-hexyl dianhydride)であり、光反応性ジアミン系モノマーは、モノメタクリルベンゼンジアミン(mono-methacrylic benzenediamine)であり、アルキル化芳香族ジアミン(alkylated aromatic diamine)系モノマーは、 モノアルキル化フェニルシクロヘキシベンゼンジアミン(mono-alkylated phenylcyclohexy benzenediamine)であり、芳香族ジアミン系モノマーは、ヘキサエポキシベンゼン誘導体(hexaepoxy benzene derivative)である。   In addition, the alicyclic dianhydride monomer constituting the surface photo-curing agent applied in this experiment is tricyclo-hexyl dianhydride, and the photoreactive diamine monomer is monomethacrylbenzenediamine. (Mono-methacrylic benzenediamine), the alkylated aromatic diamine monomer is mono-alkylated phenylcyclohexy benzenediamine, and the aromatic diamine monomer is hexaepoxy. It is a benzene derivative (hexaepoxy benzene derivative).

画素(PX)の構造は、図3の構造と実質的に同様である。画素電極191の微細ブランチ197の幅は、約3μmであり、液晶層3のセル間隔は、約3.6μmである。露光電圧は、約7.5Vであり、電界露光での紫外線の強度は、約5J/cmである。液晶表示装置は、図11を参照して、後述する電荷共有に基づく1ゲート線1データ線(1G1D)駆動により動作する。他の条件は、上述したSC−VAモードに基づく液晶表示装置に適用されたものと同様である。 The structure of the pixel (PX) is substantially the same as the structure of FIG. The width of the fine branch 197 of the pixel electrode 191 is about 3 μm, and the cell interval of the liquid crystal layer 3 is about 3.6 μm. The exposure voltage is about 7.5 V, and the intensity of ultraviolet rays in the electric field exposure is about 5 J / cm 2 . The liquid crystal display device operates by driving one gate line and one data line (1G1D) based on charge sharing described later with reference to FIG. Other conditions are the same as those applied to the liquid crystal display device based on the SC-VA mode described above.

表2を参照すると、実験例2から分かるように、表面配向反応物10の中の表面主配向物質が約85モル%〜95モル%であり、表面光硬化剤が約5モル%〜15モル%である時、液晶表示装置の応答速度は、約0.0079秒であり、残像は、168時間まで発生しなかったため、他の実験例に比べてさらによい結果が得られた。 Referring to Table 2, as can be seen from Experimental Example 2, the surface main alignment material in the surface alignment reactant 10 is about 85 mol% to 95 mol%, and the surface photocuring agent is about 5 mol% to 15 mol%. In this case, the response speed of the liquid crystal display device was about 0.0079 seconds, and no afterimage was generated until 168 hours. Therefore, better results were obtained than in other experimental examples.

表3は、表面光硬化剤に含まれた光反応ジアミン系反応性メソゲンとアルキル化芳香族ジアミン系垂直配向モノマーの成分比の変化に従ってSC−VAモードの液晶表示装置の特性が現れている。この実験に適用された反応性メソゲンは、モノメタクリルベンゼンジアミン(Mono-methacrylic benzenediamine)であり、垂直配向モノマーは、モノアルキル化フェニルシクロヘキシベンゼンジアミンであった。他の条件は、上述した表2の液晶表示装置に適用されたものと同一である。   Table 3 shows the characteristics of the liquid crystal display device of the SC-VA mode according to the change in the component ratio of the photoreactive diamine-based reactive mesogen and the alkylated aromatic diamine-based vertical alignment monomer contained in the surface photocuring agent. The reactive mesogen applied in this experiment was mono-methacrylic benzenediamine, and the vertical alignment monomer was monoalkylated phenylcyclohexylbenzenediamine. Other conditions are the same as those applied to the liquid crystal display device of Table 2 described above.


表3を参照すると、実験例7からわかるように、表面配向反応物10の中で反応性メソゲン(RM)及び垂直配向モノマーがそれぞれ約0.75モル%〜2.25モル%及び約0.75モル%〜2.25モル%である場合に、液晶表示装置の応答速度は、約0.0079秒であり、光漏れは、ブラック状態で発生しなかった。したがって、実験例7が他の実験例に比べて優秀な特性を有することがわかる。

Referring to Table 3, as can be seen from Experimental Example 7, in the surface alignment reactant 10, the reactive mesogen (RM) and the vertical alignment monomer are about 0.75 mol% to 2.25 mol% and about 0.02 mol%, respectively. In the case of 75 mol% to 2.25 mol%, the response speed of the liquid crystal display device was about 0.0079 seconds, and no light leakage occurred in the black state. Therefore, it can be seen that Experimental Example 7 has superior characteristics compared to the other experimental examples.

図10は、SC−VAモードにより特徴づけられる液晶表示装置の1つの画素PXを時間に従って撮影した走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM) 写真である。図10の液晶表示装置を製造するのに適用された表面配向反応物10の組成は、次のようである。   FIG. 10 is a scanning electron microscope (SEM) photograph obtained by photographing one pixel PX of the liquid crystal display device characterized by the SC-VA mode according to time. The composition of the surface alignment reactant 10 applied to manufacture the liquid crystal display device of FIG. 10 is as follows.

表面主配向物質に含まれた脂環式二無水物(alicyclic dianhydride)系モノマー、すなわち、トリシクロヘキシル二無水物(tricyclohexyl dianhydride)は、約45モル%であり、芳香族ジアミン(aromatic diamine)系モノマー、すなわち、テルフェニルジアミン(Terphenyl diamine)は、約36モル%であり、脂肪族環置換芳香族ジアミン(aliphatic ring substituted aromatic diamine)系モノマー、すなわち、コレステリルベンゼンジアミン(Cholesteryl benzenediamine)は、約9モル%であり、芳香族エポキシド(aromatic epoxide)系モノマー、すなわち、ヘキサエポキシベンゼン誘導体(hexaepoxy benzene derivative)は、約1.25モル%である。表面光硬化剤の脂環式二無水物系モノマー、すなわち、トリシクロヘキシル二無水物は、約5モル%であり、光反応性ジアミン系モノマー、すなわち、モノメタクリルベンゼンジアミンは、約1.5モル%であり、アルキル化芳香族ジアミン系モノマー、すなわち、モノアルキル化フェニルシクロヘキシベンゼンジアミンは、約1.5モル%であり、芳香族ジアミン系モノマー、すなわち、ヘキサエポキシベンゼン誘導体は、約2モル%である。他の条件は、上述した表2と関連して説明した液晶表示装置に適用されたものと同一である。表2、表3、及び図10と関連して説明した液晶表示装置に適用された各成分のモル%は、表面配向反応物10に関するモル%であり、溶媒は、表面配向反応物10の成分比に含まれない。   The alicyclic dianhydride monomer, ie, tricyclohexyl dianhydride, contained in the surface main alignment material is about 45 mol%, and is an aromatic diamine monomer. That is, terphenyl diamine is about 36 mol%, and an aliphatic ring substituted aromatic diamine monomer, that is, cholesteryl benzenediamine is about 9 mol. The aromatic epoxide monomer, that is, the hexaepoxy benzene derivative is about 1.25 mol%. The surface photocuring agent alicyclic dianhydride monomer, i.e., tricyclohexyl dianhydride, is about 5 mol%, and the photoreactive diamine monomer, i.e., monomethacrylbenzenediamine, is about 1.5 mol%. The alkylated aromatic diamine monomer, i.e., monoalkylated phenylcyclohexylbenzenediamine, is about 1.5 mol%, and the aromatic diamine monomer, i.e., hexaepoxybenzene derivative, is about 2 mol%. It is. Other conditions are the same as those applied to the liquid crystal display device described in connection with Table 2 above. The mol% of each component applied to the liquid crystal display device described in connection with Table 2, Table 3, and FIG. 10 is the mol% with respect to the surface alignment reactant 10, and the solvent is a component of the surface alignment reactant 10. Not included in the ratio.

図10から分かるように、テクスチャーは、0秒から0.048秒まで撮影された画素PXの写真に発生しなかった。また、液晶表示装置の階調間の応答速度は、約0.008秒である。このように、上述したSC−VAモードで製造された液晶表示装置は、速い応答速度を有し、残像及び光漏れが長時間発生しなかったためによい品質特性を有する。   As can be seen from FIG. 10, the texture did not occur in the picture of the pixel PX taken from 0 seconds to 0.048 seconds. The response speed between gradations of the liquid crystal display device is about 0.008 seconds. Thus, the liquid crystal display device manufactured in the SC-VA mode described above has a fast response speed and good quality characteristics because no afterimage and light leakage occurred for a long time.

実施形態2
本発明の一実施形態による液晶表示装置の配向膜は、負電気特性を有する。配向膜を構成する光硬化層35及び36は、負電気特性を有し、負電気特性を有する光硬化層35及び36は、表面配向反応物10が硬化されることにより形成される。フッ素原子(F)のような物質が光硬化剤を構成する分子の一部分に結合されているために、表面配向反応物10は、負電気特性を有することができる。光硬化層35及び36が負電気特性を有するために、光硬化層35及び36を構成する負電気特性を有するポリマー及び液晶層上の液晶分子は、液晶層に形成された電場により同時に配向されることができる。その結果、光硬化層35及び36は、より均一のプレチルト角を有することができる。また、液晶表示装置が駆動される場合に、液晶層上の液晶分子及び負電気特性を有する光硬化層が電場により同時に動くので、液晶表示装置の高速の応答速度を保証することができる。
Embodiment 2
The alignment film of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention has negative electrical characteristics. The photocuring layers 35 and 36 constituting the alignment film have negative electric characteristics, and the photocuring layers 35 and 36 having negative electric characteristics are formed by curing the surface alignment reactant 10. Since a substance such as a fluorine atom (F) is bonded to a part of a molecule constituting the photocuring agent, the surface alignment reactant 10 can have negative electrical characteristics. Since the photocuring layers 35 and 36 have negative electrical characteristics, the polymer having the negative electrical characteristics constituting the photocuring layers 35 and 36 and the liquid crystal molecules on the liquid crystal layer are simultaneously aligned by the electric field formed in the liquid crystal layer. Can be. As a result, the photocured layers 35 and 36 can have a more uniform pretilt angle. In addition, when the liquid crystal display device is driven, the liquid crystal molecules on the liquid crystal layer and the photocuring layer having negative electrical characteristics move simultaneously by the electric field, so that a high response speed of the liquid crystal display device can be ensured.

本実施形態が上述したSC−VAモードに基づく製造方法と実質的に異なる点は、表面配向反応物10を構成する材料及び図8Cとは異なり、表面配向反応物10が配向膜を形成する過程で相分離が行われないことがある。本実施形態の特徴的なものを除いた他のものは、上述したSC−VAモードに基づく製造方法でのそれと実質的に同一であるので、説明の便宜上、重複説明は、簡素化するか又は省略する。上板配向膜292及び下板配向膜291が実質的に同一の方式で形成されるので、本発明の実施形態による配向膜を形成する工程について、配向膜292及び291の区別なしに詳細に説明する。   The present embodiment is substantially different from the above-described manufacturing method based on the SC-VA mode in that the surface alignment reactant 10 forms an alignment film, unlike the material constituting the surface alignment reactant 10 and FIG. 8C. Phase separation may not occur. Other than the characteristic features of the present embodiment are substantially the same as those in the manufacturing method based on the SC-VA mode described above. Omitted. Since the upper plate alignment film 292 and the lower plate alignment film 291 are formed in substantially the same manner, the step of forming the alignment film according to the embodiment of the present invention will be described in detail without distinguishing the alignment films 292 and 291. To do.

以下、負電気特性を有する配向膜の形成過程について詳細に説明する。画素電極191を有する下部表示板100及び共通電極270を有する上部表示板200の各々は、上述した又は後で説明する方法で製造される。   Hereinafter, a process of forming an alignment film having negative electrical characteristics will be described in detail. Each of the lower display panel 100 having the pixel electrode 191 and the upper display panel 200 having the common electrode 270 is manufactured by the method described above or described later.

本発明の実施形態に従って後述する負電気特性を有する表面配向反応物10が上述した方法により画素電極191及び共通電極270上に塗布される。表面配向反応物10は、下部表示板100及び上部表示板200の内部領域に形成され、部分的に外郭領域に塗布されることができる。   A surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics, which will be described later, is applied on the pixel electrode 191 and the common electrode 270 according to the above-described method. The surface alignment reactant 10 may be formed in the inner region of the lower display panel 100 and the upper display panel 200 and may be partially applied to the outer region.

表面配向反応物10は、負電気特性を示す結合された物質である光硬化剤と主配向膜を形成する物質とが化学的に結合されることにより得られた化合物であり、これは、負電気特性を有する。光硬化剤は、上述したように硬化されることにより液晶分子31を基板110及び210又は画素電極191の平面に対して一定の傾斜方向にプレチルトするようにする物質であり、これは、光硬化層35及び36を形成する。光硬化剤は、主配向膜を形成する物質の側鎖に結合されることができる。光硬化剤は、上述した光反応性ポリマー、反応性メソゲン、光重合物質、光異性化物質、及びこれらの化合物又は混合物から選択された少なくとも1つの物質であり得る。本発明の一実施形態に従って負電気特性を有する反応性メソゲンは、後述する光反応性フッ素化ジアミン(photo-reactive fluorinated diamine)系モノマーである。   The surface alignment reactant 10 is a compound obtained by chemically combining a photocuring agent, which is a bonded substance exhibiting negative electrical characteristics, and a substance that forms the main alignment film. Has electrical properties. The photo-curing agent is a substance that, when cured as described above, causes the liquid crystal molecules 31 to pre-tilt in a certain tilt direction with respect to the planes of the substrates 110 and 210 or the pixel electrode 191. Layers 35 and 36 are formed. The photocuring agent can be bonded to the side chain of the material forming the main alignment film. The photocuring agent may be at least one material selected from the photoreactive polymers, reactive mesogens, photopolymerization materials, photoisomerization materials, and compounds or mixtures thereof described above. The reactive mesogen having negative electrical characteristics according to an embodiment of the present invention is a photoreactive fluorinated diamine monomer described below.

主配向膜を形成する物質は、上述したように、液晶分子31を基板110及び210又は画素電極191の平面に対して垂直方向に配向する垂直配向物質である。主配向膜を形成する物質は、脂環式二無水物系モノマーと脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーとの化合物であり得る。また、主配向膜を形成する物質は、芳香族ジアミン系モノマー又は架橋剤(crosslinker)を含んでもよく、上述した表面主配向物質32aであってもよい。   As described above, the material that forms the main alignment film is a vertical alignment material that aligns the liquid crystal molecules 31 in a direction perpendicular to the planes of the substrates 110 and 210 or the pixel electrode 191. The substance forming the main alignment film may be a compound of an alicyclic dianhydride monomer and an aliphatic ring-substituted aromatic diamine monomer. The material forming the main alignment layer may include an aromatic diamine monomer or a crosslinker, and may be the surface main alignment material 32a described above.

以下、本発明の一実施形態による負電気特性を有する表面配向反応物10について詳細に説明する。負電気特性を有する表面配向反応物10は、脂環式二無水物系モノマーのような二無水物系モノマーと、光反応性フッ素化ジアミン系モノマー、アルキル化芳香族ジアミン系モノマー、芳香族ジアミン系モノマー、及び脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーのようなジアミン系モノマーと、芳香族エポキシド系モノマーのような架橋剤とを含むポリマーであり得る。   Hereinafter, the surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics according to an embodiment of the present invention will be described in detail. The surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics includes a dianhydride monomer such as an alicyclic dianhydride monomer, a photoreactive fluorinated diamine monomer, an alkylated aromatic diamine monomer, and an aromatic diamine. It may be a polymer containing a diamine monomer such as an aliphatic ring-substituted aromatic diamine monomer and a crosslinking agent such as an aromatic epoxide monomer.

本発明の一実施形態による負電気特性を有する表面配向反応物10は、ポリイミド(PI)系化合物と架橋剤とが混合される混合物である。ポリイミド系化合物は、二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーを構成するモノマーが化学的に結合された化合物である。ポリイミド系化合物は、二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーに含まれたモノマーを極性溶媒に混合し溶解する場合に、ジアミン系モノマーに含まれたモノマーのアミノ基が二無水物系モノマーの酸無水物基を求核攻撃(neucleophilic attack)するイミド化反応により製造されることができる。ジアミン系モノマーを構成するモノマー、すなわち、光反応性フッ素化ジアミン系モノマー、アルキル化芳香族ジアミン系モノマー、芳香族ジアミン系モノマー、及び脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーは、イミド化反応の前に混合される。   The surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics according to an embodiment of the present invention is a mixture in which a polyimide (PI) compound and a crosslinking agent are mixed. The polyimide compound is a compound in which monomers constituting a dianhydride monomer and a diamine monomer are chemically bonded. When a polyimide compound is mixed with a dianhydride monomer and a monomer contained in a diamine monomer in a polar solvent and dissolved, the amino group of the monomer contained in the diamine monomer is an acid anhydride of the dianhydride monomer. It can be produced by an imidization reaction that nucleophilic attacks a substance group. The monomer constituting the diamine monomer, that is, the photoreactive fluorinated diamine monomer, the alkylated aromatic diamine monomer, the aromatic diamine monomer, and the aliphatic ring-substituted aromatic diamine monomer are not subjected to the imidization reaction. To be mixed.

負電気特性を有する表面配向反応物10は、約44モル%〜約54モル%であり得、より望ましくは、約49モル%の脂環式二無水物系モノマーと、約0.5モル%〜約1.5モル%であり得、より望ましくは、約1モル%の光反応性フッ素化ジアミン系モノマーと、約12モル%〜約18モル%であり得、より望ましくは、約15モル%のアルキル化芳香族ジアミン系モノマーと、約25モル%〜約35モル%であり得、より望ましくは、約30モル%の芳香族ジアミン系モノマーと、約2モル%〜約6モル%であり得、より望ましくは、約4モル%の脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーと、約0.5モル%〜約1.5モル%であり得、より望ましくは、約1モル%の芳香族エポキシド系モノマーとを含む。表面配向反応物10のモル%組成比は、溶媒を除いたモル%である。   The surface alignment reactant 10 having negative electrical properties can be from about 44 mole percent to about 54 mole percent, and more desirably about 49 mole percent alicyclic dianhydride-based monomer and about 0.5 mole percent. To about 1.5 mole%, more desirably about 1 mole% of the photoreactive fluorinated diamine-based monomer and about 12 mole% to about 18 mole%, more desirably about 15 moles. % Alkylated aromatic diamine-based monomer, and can be from about 25 mol% to about 35 mol%, more desirably from about 30 mol% aromatic diamine-based monomer, from about 2 mol% to about 6 mol%. More desirably, about 4 mole percent aliphatic ring-substituted aromatic diamine-based monomer and about 0.5 mole percent to about 1.5 mole percent, more desirably about 1 mole percent aromatic. Group epoxide monomers. The mol% composition ratio of the surface alignment reactant 10 is mol% excluding the solvent.

脂環式二無水物系モノマーは、図6Bと関連して上述した物質と同一である。脂環式二無水物系モノマーは、表面配向反応物10に含まれたポリマーが溶媒によく溶解されるようにし、配向膜の電気光学特性、例えば、電圧保持率(VHR)を向上させ、残留DC(Residual Direct Current:RDC)電圧を低くする。電圧保持率は、データ電圧が画素電極に印加されない間に液晶層が充電された電圧を保持する程度を意味し、電圧保持率が100%に近いほど理想的である。電圧保持率が大きいほど液晶表示装置の画質の特性はよくなる。残留DC電圧は、イオン化された液晶層の不純物が配向膜に吸着されることにより、外部から印加された電圧がなくても液晶層にかかっている電圧を意味し、残留DC電圧が低いほど液晶表示装置の画質の特性は良くなる。   The alicyclic dianhydride monomer is the same as described above in connection with FIG. 6B. The alicyclic dianhydride monomer allows the polymer contained in the surface alignment reactant 10 to be well dissolved in a solvent, and improves the electro-optical characteristics of the alignment film, for example, the voltage holding ratio (VHR). Reduce the DC (Residual Direct Current: RDC) voltage. The voltage holding ratio means the degree to which the liquid crystal layer holds the charged voltage while the data voltage is not applied to the pixel electrode, and is ideal as the voltage holding ratio is closer to 100%. The higher the voltage holding ratio, the better the image quality characteristics of the liquid crystal display device. The residual DC voltage means a voltage applied to the liquid crystal layer even when there is no voltage applied from the outside due to the ionized impurities in the liquid crystal layer adsorbed on the alignment film. The image quality characteristics of the display device are improved.

光反応性フッ素化ジアミン系モノマーは、紫外線により硬化されることにより光硬化層35及び36を形成する。フッ素原子(F)がベンゼンの特定の方向に結合されるため、光反応性フッ素化ジアミン系モノマーは、負電気特性を有する。本発明の実施形態に従って、光反応性フッ素化ジアミン系モノマーの化学構造は、下記の構造式XVI−Fで表現されるモノマーであり得、より具体的には、構造式XVII−Fで表現されるモノメタクリルフッ素化ベンゼンジアミンモノマーであり得る。   The photoreactive fluorinated diamine-based monomer forms the photocured layers 35 and 36 by being cured by ultraviolet rays. Since the fluorine atom (F) is bonded in a specific direction of benzene, the photoreactive fluorinated diamine monomer has negative electrical characteristics. According to an embodiment of the present invention, the chemical structure of the photoreactive fluorinated diamine-based monomer may be a monomer represented by the following structural formula XVI-F, and more specifically represented by the structural formula XVII-F. Monomethacrylic fluorinated benzenediamine monomer.

構造式XVI−F   Structural formula XVI-F

ここで、P2は、フッ素化アリールアクリレート系反応性メソゲン(fluorinated aryl acrylate-based reactive mesogen)であり、下記の構造式XVI−F−P2−11、XVI−F−P2−21、XVI−F−P2−22、XVI−F−P2−23、XVI−F−P2−31、XVI−F−P2−32、XVI−F−P2−41及びこれらの混合物から選択されたものであり得る。また、Wは、芳香族環であり、図6Bと関連して説明した構造式VII〜構造式IXの中のいずれか1つであり得る。R’は、図6Bと関連して説明した。 Here, P2 is a fluorinated aryl acrylate-based reactive mesogen, and the following structural formulas XVI-F-P2-11, XVI-F-P2-21, and XVI-F- It may be selected from P2-22, XVI-F-P2-23, XVI-F-P2-31, XVI-F-P2-32, XVI-F-P2-41 and mixtures thereof. W 3 is an aromatic ring and may be any one of Structural Formula VII to Structural Formula IX described in connection with FIG. 6B. R ′ has been described in connection with FIG. 6B.

構造式XVI−F−P2−11   Structural Formula XVI-F-P2-11

構造式XVI−F−P2−21   Structural Formula XVI-F-P2-21

構造式XVI−F−P2−22   Structural formula XVI-F-P2-22

構造式XVI−F−P2−23   Structural Formula XVI-F-P2-23

構造式XVI−F−P2−31   Structural formula XVI-F-P2-31

構造式XVI−F−P2−32   Structural Formula XVI-F-P2-32

構造式XVI−F−P2−41   Structural formula XVI-F-P2-41

ここで、フッ素(F)原子がベンゼンと結合することにより、P2は、負電気特性を帯びる。   Here, P2 has negative electrical characteristics due to the bonding of fluorine (F) atoms with benzene.

モノメタクリルフッ素化ベンゼンジアミン(mono-methacrylic fluorinated benzene diamine)モノマーは、下記の構造式XVII−Fで表現される。   Mono-methacrylic fluorinated benzene diamine monomer is represented by the following structural formula XVII-F.

構造式XVII−F   Structural formula XVII-F

ここで、nは、1〜6の中のいずれか1つの整数であり得る。   Here, n may be any one integer from 1 to 6.

モノメタクリルフッ素化ベンゼンジアミンモノマーは、モノメタクリルヒドロキシフッ素化ビフェニル(mono-methacrylic hydroxy fluorinated biphenyl)中間体とブロモアルキルベンゼンジアミン誘導体(Bromoalkyl benzenediamine derivative)とを極性溶媒に混合する場合に、ビフェニル中間体のヒドロキシ基がジアミン誘導体のブロモ基を求核攻撃するようにし、これにより、ブロモ基が離脱することにより製造されることができる。モノメタクリルヒドロキシフッ素化ビフェニル中間体は、メタクリルクロライド(methacrylic chloride)とジヒドロキシフッ素化ビフェニル(Dihydroxy fluorinated biphenyl)分子とを極性溶媒に混合する場合に、エステル化(esterification)反応により合成されることができる。   Monomethacryl fluorinated benzene diamine monomer is obtained by mixing the mono-methacrylic hydroxy fluorinated biphenyl intermediate and the bromoalkyl benzenediamine derivative in a polar solvent. It can be produced by allowing the group to nucleophilic attack the bromo group of the diamine derivative, thereby leaving the bromo group. Monomethacrylhydroxyfluorinated biphenyl intermediates can be synthesized by esterification reaction when methacrylic chloride and dihydroxy fluorinated biphenyl molecules are mixed in a polar solvent. .

アルキル化芳香族ジアミン系モノマーは、図6Bと関連して上述した物質と同様である。表面配向反応物10に含まれたアルキル化芳香族ジアミン系モノマーは、垂直配向モノマーである。アルキル化芳香族ジアミン系モノマーは、無極性特性を有することができる。   The alkylated aromatic diamine-based monomer is similar to the material described above in connection with FIG. 6B. The alkylated aromatic diamine monomer contained in the surface alignment reactant 10 is a vertical alignment monomer. The alkylated aromatic diamine-based monomer can have nonpolar characteristics.

芳香族ジアミン系モノマーは、図6Bと関連して上述した物質と同様である。芳香族ジアミン系モノマーは、表面配向反応物10に含まれたポリマーが溶媒によく溶解されるようにする。   The aromatic diamine-based monomer is similar to the material described above in connection with FIG. 6B. The aromatic diamine monomer allows the polymer contained in the surface alignment reactant 10 to be well dissolved in the solvent.

脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーは、図6Bと関連して上述した物質と同様である。脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーは、下部表示板又は上部表示板に対して液晶分子を垂直配向する垂直配向モノマーである。   The aliphatic ring-substituted aromatic diamine-based monomer is similar to the material described above in connection with FIG. 6B. The aliphatic ring-substituted aromatic diamine monomer is a vertical alignment monomer that vertically aligns liquid crystal molecules with respect to the lower display panel or the upper display panel.

芳香族エポキシド系モノマーは、図6Bと関連して上述した物質と同様である。芳香族エポキシド系モノマーは、架橋構造を形成するために、二無水物系モノマーとジアミン系モノマーとが結合されることができるようにするか、又はジアミン系モノマーが結合された二無水物系モノマーと二無水物系モノマーとが結合されることができるようにする。芳香族エポキシド系モノマーは、膜物性を向上させ、耐熱性及び耐化学性を向上させる。   The aromatic epoxide-based monomer is similar to the material described above in connection with FIG. 6B. Aromatic epoxide monomers allow dianhydride monomers and diamine monomers to be combined to form a crosslinked structure, or dianhydride monomers with diamine monomers bonded And dianhydride monomer can be combined. The aromatic epoxide monomer improves film physical properties and improves heat resistance and chemical resistance.

負電気特性を有する表面配向反応物10は、光開始剤を含み得る。光開始剤は、上述したものと同一であるか又はα−ヒドロキシケトン(α-hydroxyketone:Irgacure-127, Ciba, Switzerland)、ベンゾイルギ酸メチル(methyl benzoyl formate:Irgacure-754, Ciba, Switzerland)、アクリロホスフィンルオキシド(acrylophosphine oxide:Irgacure-819, Ciba, Switzerland)、チタノセン(Titanocene:Irgacure-784, Ciba, Switzerland)、α−アミノアセトフェノン(α-aminoacetophenone:Irgacure-369, Ciba, Switzerland)、α−アミノケトン(α-aminoketone:Irgacure-379, Ciba, Switzerland)、α−ヒドロキシケトン(α-hydroxyketone:Irgacure-2959, Ciba, Switzerland)、オキシムエステル(Oxime ester:Irgacure-OXE01, Ciba, Switzerland)、オキシムエステル(Oxime ester:Irgacure-OXE02, Ciba, Switzerland)、又はアクリロホスフィンオキシド(Acrylo phosphine oxide:Irgacure-TPO, Ciba, Switzerland)であり得る。   The surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics can include a photoinitiator. The photoinitiator is the same as described above, or α-hydroxyketone (Irgacure-127, Ciba, Switzerland), methyl benzoyl formate (Irgacure-754, Ciba, Switzerland), acrylic Lophosphine oxide (Irgacure-819, Ciba, Switzerland), titanocene (Titanocene: Irgacure-784, Ciba, Switzerland), α-aminoacetophenone (α-aminoacetophenone: Irgacure-369, Ciba, Switzerland), α- Aminoketone (α-aminoketone: Irgacure-379, Ciba, Switzerland), α-hydroxyketone (α-hydroxyketone: Irgacure-2959, Ciba, Switzerland), oxime ester (Oxime ester: Irgacure-OXE01, Ciba, Switzerland), oxime ester (Oxime ester: Irgacure-OXE02, Ciba, Switzerland), or Acrylophosphine oxide (Irgacure-TPO, Ciba, Switzerland).

本発明の一実施形態による負電気特性を有する表面配向反応物10は、塩素原子(chlorine atoms:cl)又は塩素分子(chlorine molecules:cl2)が結合された負電気特性を有する反応性メソゲンを含み得る。   The surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics according to an embodiment of the present invention includes a reactive mesogen having negative electrical characteristics to which chlorine atoms (cl) or chlorine molecules (cl2) are bonded. obtain.

本発明の一実施形態による負電気特性を有する表面配向反応物10は、二無水物系モノマーとジアミン系モノマーとが化学的に結合された化合物で構成され得る。   The surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics according to an embodiment of the present invention may be composed of a compound in which a dianhydride monomer and a diamine monomer are chemically bonded.

本発明の一実施形態による架橋剤及び負電気特性を有する表面配向反応物10の混合により表面配向反応物10が構成され得る。   The surface alignment reactant 10 may be formed by mixing the cross-linking agent and the surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics according to an embodiment of the present invention.

本発明の一実施形態による表面配向反応物10は、負電気特性を有する反応性メソゲン及び主配向膜を形成する物質との混合物であり得る。   The surface alignment reactant 10 according to an embodiment of the present invention may be a mixture of a reactive mesogen having negative electrical characteristics and a material forming a main alignment layer.

本発明の一実施形態による表面配向反応物10は、一部の領域で、スペーサ、カラーフィルター又は絶縁膜と直接接触するように塗布され得る。   The surface alignment reactant 10 according to an embodiment of the present invention may be applied so as to be in direct contact with a spacer, a color filter, or an insulating film in some regions.

塗布された負電気特性を有する表面配向反応物10は、上述した1次加熱工程により加熱される。1次加熱の間に表面配向反応物10を構成する反応性メソゲン成分及び主配向膜を形成する垂直配向成分のモノマーは、下部膜に対して垂直方向に整列される。また、表面配向反応物10を構成する物質の側鎖にリンクされた反応性メソゲン分子が表面配向反応物10の表面で発現され得る。1次加熱の間に負電気特性を有する表面配向反応物10は、図8Cと関連して上述したような相分離の現象を有しないことがある。   The applied surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics is heated by the primary heating process described above. During the primary heating, the reactive mesogen component constituting the surface alignment reactant 10 and the monomer of the vertical alignment component forming the main alignment film are aligned in the vertical direction with respect to the lower film. In addition, reactive mesogen molecules linked to the side chains of the substances constituting the surface alignment reactant 10 can be expressed on the surface of the surface alignment reactant 10. The surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics during the primary heating may not have the phase separation phenomenon as described above in connection with FIG. 8C.

1次加熱の後に、負電気特性を有する表面配向反応物10は、上述した2次加熱工程により加熱される。2次加熱の間に、表面配向反応物10の溶媒が蒸発し、架橋剤は、架橋構造を形成することにより主配向膜が形成される。   After the primary heating, the surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics is heated by the secondary heating process described above. During the secondary heating, the solvent of the surface alignment reactant 10 evaporates, and the cross-linking agent forms a cross-linked structure, thereby forming a main alignment film.

2次加熱の後に、負電気特性を有する表面配向反応物10は、純水(DIW)により洗浄され、イソプロピルアルコール(IPA)により追加で洗浄されることができる。洗浄の後に、表面配向反応物10は乾燥される。   After the secondary heating, the surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics can be washed with pure water (DIW) and additionally washed with isopropyl alcohol (IPA). After the cleaning, the surface alignment reactant 10 is dried.

乾燥の後に、シール剤は、下部表示板100上に形成される。シール剤は、上述した方法と同様に、下部表示板100の外郭領域に形成されるか、または表面配向反応物10と部分的に重なるように下部表示板100又は上部表示板200の外郭領域に形成され得る。シール剤は、上述した材料であり得、約300nm〜約400nmの波長を有する紫外線又は後述する約400nm以上の波長を有する可視光線により硬化され得る。   After drying, the sealant is formed on the lower display panel 100. Similar to the above-described method, the sealant is formed in the outer region of the lower display panel 100 or in the outer region of the lower display panel 100 or the upper display panel 200 so as to partially overlap the surface alignment reactant 10. Can be formed. The sealant can be the above-described material, and can be cured by ultraviolet light having a wavelength of about 300 nm to about 400 nm or visible light having a wavelength of about 400 nm or more described later.

乾燥の後に、上板共通電圧印加点(図示せず)及び液晶層は、上述した方法で上部表示板200上に形成される。   After drying, an upper plate common voltage application point (not shown) and a liquid crystal layer are formed on the upper display panel 200 by the method described above.

シール剤及び液晶層が形成された後に、下部表示板100及び上部表示板200は、真空チャンバーでシール剤により組み立てられる。   After the sealant and the liquid crystal layer are formed, the lower display panel 100 and the upper display panel 200 are assembled with the sealant in a vacuum chamber.

この組み立てられた後に、シール剤は、約300nm〜約400nmの波長を有する紫外線又は約400nm以上の波長を有する可視光線に照射されることにより約80%が硬化される。   After being assembled, about 80% of the sealant is cured by irradiation with ultraviolet light having a wavelength of about 300 nm to about 400 nm or visible light having a wavelength of about 400 nm or more.

この後に、シール剤は、約100°Cで約70分の間熱硬化される。   After this, the sealant is heat cured at about 100 ° C. for about 70 minutes.

この組み立てられた後に、液晶分子のファジー性(fuzziness)及び均一性(uniformity)を向上させるために下部及び上部表示板は、約100℃〜約120℃のチャンバー内で約60分〜約80分の間アニーリングが行われる。   After being assembled, in order to improve the fuzziness and uniformity of the liquid crystal molecules, the lower and upper display panels are placed in a chamber of about 100 ° C. to about 120 ° C. for about 60 minutes to about 80 minutes. Annealing is performed during

アニーリングの後に、図7A及び図7Bと関連して、電圧が上述したDC電圧又はマルチステップ電圧の供給方法により表示板100及び200の画素電極及び共通電極に供給される。電場が液晶層で形成される工程も図7A及び図7Bと関連して上述したものと同様である。負電気特性を有しない反応性メソゲンは、液晶分子との相互作用を通じて電場で傾斜するよう配向される。しかしながら、本発明による反応性メソゲン分子が負電気特性を有するために、液晶分子とともに電場で傾斜するように配向される。したがって、負電気特性を有する反応性メソゲンは、より容易にかつ均一に傾斜するように配向されることができるという長所を有する。   After the annealing, the voltage is supplied to the pixel electrode and the common electrode of the display panels 100 and 200 by the above-described DC voltage or multi-step voltage supply method in connection with FIGS. 7A and 7B. The process of forming the electric field with the liquid crystal layer is similar to that described above in connection with FIGS. 7A and 7B. Reactive mesogens that do not have negative electrical properties are oriented to tilt in the electric field through interaction with liquid crystal molecules. However, since the reactive mesogen molecules according to the present invention have negative electrical characteristics, they are aligned with the liquid crystal molecules so as to be inclined in the electric field. Accordingly, reactive mesogens having negative electrical properties have the advantage that they can be more easily and uniformly oriented.

液晶分子及び反応性メソゲンポリマーが一定の傾斜角で配向されている間に、光は、液晶表示板アセンブリに照射される電界露光工程が行われる。電界露光工程及び光硬化層35、36が液晶分子31のプレチルト角を形成する方法は、上述したステップS254と実質的に同様であるので簡略に説明する。   While the liquid crystal molecules and the reactive mesogenic polymer are aligned at a certain tilt angle, an electric field exposure process is performed in which light is applied to the liquid crystal panel assembly. The method of forming the pretilt angle of the liquid crystal molecules 31 by the electric field exposure process and the photocured layers 35 and 36 is substantially the same as step S254 described above, and will be described briefly.

反応性メソゲンポリマーと液晶分子とが傾斜するように配向されている間に紫外線が入射する場合に、反応性メソゲンは、入射した紫外線により周辺液晶分子31と実質的に同一の方向に硬化される。反応性メソゲンのアクリレート反応基が紫外線により架橋するか又は硬化することにより光硬化層35及び36を形成するものは、上述したようである。このように配向された状態で硬化された反応性メソゲンは、主配向膜上に光硬化層35及び36を形成し、光硬化層35及び36に隣接した液晶分子は、硬化された反応性メソゲンによりプレチルト角を有する。2次加熱工程で形成された主配向膜及び光硬化により形成された光硬化層35及び36は、配向膜を構成する。   When ultraviolet rays are incident while the reactive mesogenic polymer and the liquid crystal molecules are aligned so as to be inclined, the reactive mesogens are cured in substantially the same direction as the peripheral liquid crystal molecules 31 by the incident ultraviolet rays. . What forms the photocured layers 35 and 36 when the acrylate reactive group of the reactive mesogen is crosslinked or cured by ultraviolet rays is as described above. The reactive mesogen cured in such an aligned state forms photocured layers 35 and 36 on the main alignment film, and the liquid crystal molecules adjacent to the photocured layers 35 and 36 are cured reactive mesogens. Has a pretilt angle. The main alignment film formed in the secondary heating step and the photocured layers 35 and 36 formed by photocuring constitute an alignment film.

本発明の一実施形態に従って上述した蛍光露光工程が行われることができる。   The fluorescence exposure process described above may be performed according to an embodiment of the present invention.

このように製造された液晶表示板アセンブリ300は、図6Bと関連して上述したSC−VAモードの特性を有し、より均一のプレチルト角を有する光硬化層35及び36を有する。すなわち、従来技術の非極性光硬化層に比べて、本発明の光硬化層35及び36は、液晶分子のプレチルト角を均一に形成する長所を有する。また、液晶表示装置が駆動される時に液晶層に形成された電場により負電気特性を有する光硬化層が制御され、この制御された光硬化層が液晶分子を制御するために、液晶分子の応答速度は速くなる。その結果、本発明の液晶表示装置は、テクスチャーの発生を減少させ、高速駆動による動映像特性を向上させることができる。また、反応性メソゲンが負電気特性を有するために、光硬化層35及び36は、低い露光電圧により形成されることができる。   The liquid crystal panel assembly 300 manufactured in this manner has the photo-curing layers 35 and 36 having the characteristics of the SC-VA mode described above with reference to FIG. 6B and having a more uniform pretilt angle. That is, compared with the non-polar photocured layer of the prior art, the photocured layers 35 and 36 of the present invention have an advantage of forming the pretilt angle of the liquid crystal molecules uniformly. In addition, when the liquid crystal display device is driven, the photocured layer having negative electrical characteristics is controlled by the electric field formed in the liquid crystal layer, and the controlled photocured layer controls the liquid crystal molecules in order to control the liquid crystal molecules. Speed increases. As a result, the liquid crystal display device of the present invention can reduce the occurrence of texture and improve the moving image characteristics by high-speed driving. In addition, since the reactive mesogen has negative electrical characteristics, the photocured layers 35 and 36 can be formed with a low exposure voltage.

本発明の一実施形態に従って、主配向膜を形成する垂直配向成分のポリマー、例えば、ジアミン系モノマーを構成するアルキル化芳香族ジアミン系モノマーは、負電気特性を有することができる。負電気特性を有する垂直配向ポリマーは、電場により制御される液晶分子の高速の移動を容易にする。その結果、垂直配向ポリマーを有する液晶表示装置は、速い応答速度の特性を有することができる。   In accordance with an embodiment of the present invention, the polymer of the vertical alignment component forming the main alignment film, for example, the alkylated aromatic diamine monomer constituting the diamine monomer may have negative electrical characteristics. A vertically aligned polymer having negative electrical properties facilitates fast movement of liquid crystal molecules controlled by an electric field. As a result, a liquid crystal display device having a vertically aligned polymer can have a fast response speed characteristic.

本発明の一実施形態に従って、光硬化層を形成するモノマー又は主配向膜を形成する垂直配向成分のモノマーは、正電気特性を有することができる。正電気特性を有する配向膜は、上述した負電気特性を有する配向膜と同一の効果を有する。   In accordance with an embodiment of the present invention, the monomer for forming the photocured layer or the monomer for the vertical alignment component forming the main alignment layer may have positive electrical characteristics. The alignment film having positive electric characteristics has the same effect as the alignment film having negative electric characteristics described above.

本発明の一実施形態に従って、光硬化層を形成するモノマー又は主配向膜を形成する垂直配向成分のモノマーは、負又は正の誘電率異方性の特性を有することができる。負又は正の誘電率異方性の特性は、液晶層に形成された電場により分極される物質を含むために発生し得る。負又は正の誘電率異方性の特性を有する配向膜は、上述した負電気特性を有する配向膜と同一の効果を有する。   According to an embodiment of the present invention, the monomer for forming the photocuring layer or the monomer for the vertical alignment component forming the main alignment layer may have a characteristic of negative or positive dielectric anisotropy. The characteristic of negative or positive dielectric anisotropy can occur because it includes a material that is polarized by an electric field formed in the liquid crystal layer. An alignment film having negative or positive dielectric anisotropy characteristics has the same effect as the alignment film having negative electrical characteristics described above.

以下、上述した方法により製造された負電気特性を有する配向膜を有する液晶表示装置の特性について説明する。負電気特性を有する配向膜は、フッ素原子(F)が結合された反応性メソゲンを有する表面配向反応物10により形成される。   Hereinafter, characteristics of a liquid crystal display device having an alignment film having negative electrical characteristics manufactured by the above-described method will be described. The alignment film having negative electrical characteristics is formed by the surface alignment reactant 10 having a reactive mesogen to which a fluorine atom (F) is bonded.

液晶表示装置を製造するために、負電気特性を有する表面配向反応物10は、脂環式二無水物系モノマーとしての約49モル%のトリシクロヘキシル二無水物(tricyclohexyl dianhydride)と、光反応性フッ素化ジアミン(photo-reactive fluorinated diamine)系モノマーとしての約1モル%のモノメタクリルフッ素化ベンゼンジアミン(mono-methacrylic fluorinated benzenediamine)と、アルキル化芳香族ジアミン(alkylated aromatic diamine)系モノマーとしての約15モル%のモノアルキル化フェニルシクロヘキシベンゼンジアミン(mono-alkylated phenylcyclohexy benzenediamine)と、芳香族ジアミン系モノマーとしての約30モル%のテルフェニルジアミンと、脂肪族環置換芳香族ジアミン系モノマーとしての約4モル%のコレステリルベンゼンジアミンと、芳香族エポキシド系モノマーとしての約1モル%のヘキサエポキシベンゼン誘導体とで構成される。各成分のモル%は、表面配向反応物10に対するモル%であり、溶媒は、表面配向反応物10の成分比に含まれない。   In order to manufacture a liquid crystal display device, the surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics is photoreactive with about 49 mol% of tricyclohexyl dianhydride as an alicyclic dianhydride monomer. About 1 mol% of mono-methacrylic fluorinated benzenediamine as a photo-reactive fluorinated diamine monomer and about 15 as an alkylated aromatic diamine monomer. Mol% mono-alkylated phenylcyclohexy benzenediamine, about 30 mol% terphenyldiamine as an aromatic diamine monomer, and about 4 as an aliphatic ring-substituted aromatic diamine monomer. Mol% cholesterylbenzenediamine and aromatic epoxide Composed of about 1 mole percent of hexamethylene epoxy benzene derivative as mer. The mol% of each component is mol% with respect to the surface alignment reactant 10, and the solvent is not included in the component ratio of the surface alignment reactant 10.

液晶表示装置の画素PXの構造は、図3の構造と実質的に同様である。画素電極191の微細ブランチ197の幅は、約3μmであり、液晶層3のセル間隔は、約3.6μmである。露光電圧は、約20Vであり、電界露光工程での紫外線の強度は、約6.55J/cmである。蛍光露光工程に適用された紫外線の照度は、約0.15mW/cmであり、照射時間は、約40分である。液晶表示装置は、図11を参照して上述した電荷共有に基づく1ゲート線1データ線(1G1D)駆動により動作する。 The structure of the pixel PX of the liquid crystal display device is substantially the same as the structure of FIG. The width of the fine branch 197 of the pixel electrode 191 is about 3 μm, and the cell interval of the liquid crystal layer 3 is about 3.6 μm. The exposure voltage is about 20 V, and the intensity of ultraviolet rays in the electric field exposure process is about 6.55 J / cm 2 . The illuminance of ultraviolet light applied to the fluorescence exposure process is about 0.15 mW / cm 2 and the irradiation time is about 40 minutes. The liquid crystal display device operates by driving one gate line and one data line (1G1D) based on charge sharing described above with reference to FIG.

本発明の実施形態による負電気特性を有する配向膜を有する液晶表示装置は、許容可能なレベルのテクスチャーを有し、240hzの高速駆動にもテクスチャーの発生なしに優秀な品質を示す。   The liquid crystal display device having an alignment film having negative electrical characteristics according to an embodiment of the present invention has an acceptable level of texture, and exhibits excellent quality without generating texture even at a high-speed drive of 240 hz.

実施形態3
本発明の一実施形態による液晶表示装置の配向膜は、リジッド(rigid)垂直配向側鎖を有する。リジッド垂直配向側鎖は、配向膜291及び292を構成する主配向膜33及び34に含まれる。リジッド垂直配向側鎖を有する主配向膜は、配向膜の近傍で液晶分子が過度にプレチルトすることを防止する。配向膜の近傍で液晶分子が過度にプレチルト角を有する場合に、液晶表示装置は、ブラック映像で光漏れ不良を有し、液晶表示装置のコントラスト比又は画質鮮明度を減少させる。本発明の実施形態に従って製造されたリジッド垂直配向側鎖を有する配向膜は、液晶表示装置の光漏れ不良を減少させ、液晶表示装置の画質を向上させる。
Embodiment 3
The alignment layer of the liquid crystal display according to an embodiment of the present invention has a rigid vertical alignment side chain. The rigid vertical alignment side chain is included in the main alignment films 33 and 34 constituting the alignment films 291 and 292. The main alignment film having rigid vertical alignment side chains prevents liquid crystal molecules from pretilting excessively in the vicinity of the alignment film. When the liquid crystal molecules have an excessive pretilt angle in the vicinity of the alignment film, the liquid crystal display device has a light leakage defect in a black image and reduces the contrast ratio or the image quality definition of the liquid crystal display device. An alignment film having rigid vertical alignment side chains manufactured according to an embodiment of the present invention reduces light leakage defects of a liquid crystal display device and improves the image quality of the liquid crystal display device.

本実施形態が上述した負電気特性を有する配向膜の製造方法と実質的に異なる点は、表面配向反応物10を構成する材料及び側鎖にリンクされたリジッド垂直配向成分の構造である。また、液晶表示板アセンブリに照射される紫外線強度は、図6Bと関連して上述したSC−VAモードの方法でさらに大きくなり得る。本実施形態の特徴外の詳細は、上述した負電気特性を有する配向膜の製造方法と実質的に同様であるために、説明の便宜上、重複説明を簡略に説明するか又は省略する。しかしながら、表面配向反応物10を構成する材料、垂直配向成分の構造、及び液晶表示板アセンブリに照射される紫外線の強度のような本実施形態の特徴的な詳細については、詳細に説明する。   This embodiment is substantially different from the above-described method for producing an alignment film having negative electrical characteristics in the structure of the material constituting the surface alignment reactant 10 and the rigid vertical alignment component linked to the side chain. Further, the intensity of the ultraviolet rays applied to the liquid crystal panel assembly can be further increased by the SC-VA mode method described above with reference to FIG. 6B. Details outside the features of the present embodiment are substantially the same as those of the method for manufacturing an alignment film having negative electrical characteristics described above, and therefore, for the sake of convenience of explanation, a duplicate description will be briefly described or omitted. However, the characteristic details of the present embodiment, such as the material constituting the surface alignment reactant 10, the structure of the vertical alignment component, and the intensity of the ultraviolet rays irradiated to the liquid crystal display panel assembly will be described in detail.

以下、リジッド垂直配向成分を有する配向膜の形成過程について詳細に説明する。上述した説明のように、リジッド垂直配向成分を有する表面配向反応物10は、画素電極191及び共通電極270上に塗布される。   Hereinafter, a process of forming an alignment film having a rigid vertical alignment component will be described in detail. As described above, the surface alignment reactant 10 having a rigid vertical alignment component is applied on the pixel electrode 191 and the common electrode 270.

リジッド垂直配向成分を有する表面配向反応物10は、光反応性モノマーを有する光硬化剤及びリジッド垂直配向成分を有し、主配向膜を形成する物質は、化学的に結合される化合物である。光硬化剤は、上述した光反応性ポリマー、反応性メソゲン、光重合物質、光異性化物質、及びこれらの化合物又は混合物から選択された少なくとも1つの物質であり、硬化されることにより光硬化層35、36を形成する。また、光硬化剤は、主配向膜を形成する物質の側鎖に結合されることができる。主配向膜を形成する物質は、上述したように、液晶分子31を基板110及び210又は画素電極191の平面に対して垂直方向に配向する垂直配向物質である。本発明に従って、主配向膜を形成する物質は、後述する脂環式二無水物系モノマーとアルキル化芳香族ジアミン系モノマーとの化合物であり得る。アルキル化芳香族ジアミン系モノマーは、垂直配向を堅固(リジッド)にし、ベンゼンに結合された板状のサイクリック環を有することができる。主配向膜を形成する物質は、芳香族ジアミン系モノマー又は架橋剤を含んでもよく、上述した表面主配向物質32aであってもよい。   The surface alignment reactant 10 having a rigid vertical alignment component has a photocuring agent having a photoreactive monomer and a rigid vertical alignment component, and the substance forming the main alignment film is a chemically bonded compound. The photocuring agent is at least one substance selected from the above-mentioned photoreactive polymer, reactive mesogen, photopolymerization substance, photoisomerization substance, and compounds or mixtures thereof, and is cured to be a photocuring layer. 35 and 36 are formed. In addition, the photocuring agent can be bonded to the side chain of the substance forming the main alignment film. As described above, the material that forms the main alignment film is a vertical alignment material that aligns the liquid crystal molecules 31 in a direction perpendicular to the planes of the substrates 110 and 210 or the pixel electrode 191. According to the present invention, the substance forming the main alignment film may be a compound of an alicyclic dianhydride monomer and an alkylated aromatic diamine monomer described later. The alkylated aromatic diamine-based monomer can have a plate-like cyclic ring bonded to benzene with rigid vertical alignment. The material forming the main alignment film may include an aromatic diamine monomer or a crosslinking agent, and may be the surface main alignment material 32a described above.

以下、リジッド垂直配向成分の側鎖を有する表面配向反応物10について詳細に説明する。リジッド垂直配向側鎖の配向膜を形成する表面配向反応物10は、脂環式二無水物系モノマーのような二無水物系モノマーと、光反応性ジアミン系モノマー、アルキル化芳香族ジアミン系モノマー、及び芳香族ジアミン系モノマーのようなジアミン系モノマーと、芳香族エポキシド系モノマーのような架橋剤とを含むポリマーであり得る。   Hereinafter, the surface alignment reactant 10 having the side chain of the rigid vertical alignment component will be described in detail. The surface alignment reactant 10 forming the alignment film of the rigid vertical alignment side chain includes a dianhydride monomer such as an alicyclic dianhydride monomer, a photoreactive diamine monomer, and an alkylated aromatic diamine monomer. And a polymer containing a diamine monomer such as an aromatic diamine monomer and a crosslinking agent such as an aromatic epoxide monomer.

本発明の一実施形態によるリジッド垂直配向成分の側鎖を有する表面配向反応物10は、ポリイミド(PI)系化合物と架橋剤とが混合される混合物である。ポリイミド系化合物は、二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーが化学的に結合された化合物である。ポリイミド系化合物は、上述したように、二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーに含まれたモノマーのイミド化反応により製造されることができる。ジアミン系モノマーを構成するモノマー、すなわち、光反応性ジアミン系モノマー、アルキル化芳香族ジアミン系モノマー、及び芳香族ジアミン系モノマーは、イミド化反応の前に混合される。   The surface alignment reactant 10 having a side chain of a rigid vertical alignment component according to an embodiment of the present invention is a mixture in which a polyimide (PI) -based compound and a crosslinking agent are mixed. The polyimide compound is a compound in which a dianhydride monomer and a diamine monomer are chemically bonded. As described above, the polyimide compound can be produced by an imidation reaction of monomers contained in the dianhydride monomer and the diamine monomer. The monomer constituting the diamine monomer, that is, the photoreactive diamine monomer, the alkylated aromatic diamine monomer, and the aromatic diamine monomer are mixed before the imidization reaction.

リジッド垂直配向側鎖の配向膜を形成する表面配向反応物10は、約38モル%〜約48モル%であり得、より望ましくは、約43モル%の脂環式二無水物系モノマーと、約5モル%〜約11.5モル%であり得、より望ましくは、約8.5モル%の光反応性ジアミン系モノマーと、約3.5モル%〜約9.5モル%であり得、より望ましくは、約6.5モル%のアルキル化芳香族ジアミン系モノマーと、約23モル%〜約33モル%であり得、より望ましくは、約28モル%の芳香族ジアミン系モノマーと、約11モル%〜約17モル%であり得、より望ましくは、約14モル%の芳香族エポキシド系モノマーとを含む。表面配向反応物10のモル%の組成比は、溶媒を除くモル%である。   The surface alignment reactant 10 forming the alignment film of the rigid vertical alignment side chain may be about 38 mol% to about 48 mol%, more preferably about 43 mol% of the alicyclic dianhydride monomer, From about 5 mol% to about 11.5 mol%, more desirably from about 8.5 mol% photoreactive diamine-based monomer and from about 3.5 mol% to about 9.5 mol%. More desirably about 6.5 mole percent alkylated aromatic diamine monomer and about 23 mole percent to about 33 mole percent, more desirably about 28 mole percent aromatic diamine monomer; About 11 mol% to about 17 mol%, and more desirably about 14 mol% aromatic epoxide-based monomer. The composition ratio of mol% of the surface alignment reactant 10 is mol% excluding the solvent.

脂環式二無水物系モノマーは、表面配向反応物10に含まれたポリマーが溶媒によく溶解されるようにし、配向膜の電気光学特性、例えば、電圧保持率(VHR)を増加させ、残留DC(RDC)の電圧を減少させる。脂環式二無水物系モノマーの化学構造は、下記の構造式XVI−RCAで表現されるシクロブチル二無水物(cyclobutyl dianhydride)モノマーであり得る。   The alicyclic dianhydride monomer allows the polymer contained in the surface alignment reactant 10 to be well dissolved in the solvent, and increases the electro-optical characteristics of the alignment film, for example, the voltage holding ratio (VHR). Reduce the voltage of DC (RDC). The chemical structure of the alicyclic dianhydride monomer may be a cyclobutyl dianhydride monomer represented by the following structural formula XVI-RCA.

構造式XVI−RCA   Structural formula XVI-RCA

光反応性ジアミン系モノマーは、反応性メソゲンを含み、紫外線により硬化されることにより光硬化層35及び36を構成する。また、光反応性フッ素化ジアミン(photo-reactive fluorinated diamine)系モノマーは、光硬化層35及び36のプレチルト角と光硬化層35及び36に近接する液晶分子のプレチルト角とを決定する機能をする。化学構造の観点で、光反応性ジアミン系モノマーは、下記の構造式XVI−RC又はXVI−RAで表現されるモノマーであり得、より具体的には、構造式XVI−RC1、XVI−RC2、XVI−RC3、XVI−RC4、XVI−RA1、XVI−RA2、XVI−RA3、XVI−RA4、XVI−RA5、又はXVI−RA6で表現されるモノマーであり得る。   The photoreactive diamine-based monomer contains a reactive mesogen, and constitutes the photocured layers 35 and 36 by being cured by ultraviolet rays. The photo-reactive fluorinated diamine monomer functions to determine the pretilt angle of the photocuring layers 35 and 36 and the pretilt angle of liquid crystal molecules adjacent to the photocuring layers 35 and 36. . In view of chemical structure, the photoreactive diamine-based monomer may be a monomer represented by the following structural formula XVI-RC or XVI-RA, and more specifically, structural formula XVI-RC1, XVI-RC2, It may be a monomer represented by XVI-RC3, XVI-RC4, XVI-RA1, XVI-RA2, XVI-RA3, XVI-RA4, XVI-RA5, or XVI-RA6.

構造式XVI−RC   Structural formula XVI-RC

この構造式において、XRCは、アルキル(alkyl)、エーテル(ether)、エステル(ester)、フェニル(phenyl)、シクロヘキシル(Cyclohexyl)、及びフェニルエステル(phenyl ester)の中のいずれか1つであり得、YRCは、アルキル、フェニル、ビフェニル(biphenyl)、シクロヘキシル、ビシクロヘキシル(bicyclohexyl)、及びフェニルシクロヘキシル(phenylcyclohexyl)の中のいずれか1つであり得る。   In this structural formula, XRC may be any one of alkyl, ether, ester, phenyl, cyclohexyl, and phenyl ester. , YRC can be any one of alkyl, phenyl, biphenyl, cyclohexyl, bicyclohexyl, and phenylcyclohexyl.

構造式XVI−RA   Structural formula XVI-RA

この構造式において、ZRAは、アルキル(alkyl)、アルキルエーテル(alkyl ether)(n−O)、アルキルエステル(alkyl ester)、アルキルフェニルエステル(alkyl phenyl ester)、アルキルフェニルエーテル(alkyl phenyl ether)、アルキルビフェニルエステル(alkyl biphenyl ester)、アルキルビフェニルエーテル(alkyl biphenyl ether)、フェニルエーテル(phenyl ether)、フェニルエーテルアルキル(phenyl ether alkyl)、ビフェニルエーテル(biphenyl ether)、ビフェニルエーテルアルキル(biphenyl ether alkyl)、シクロヘキシルアルキル(cyclohexyl alkyl)、及びビシクロヘキシルアルキル( bicyclohexyl alkyl)、シクロヘキシルアルキルエステル(cyclohexyl alkyl ester)の中のいずれか1つであり得る。   In this structural formula, ZRA is alkyl, alkyl ether (n-O), alkyl ester, alkyl phenyl ester, alkyl phenyl ether, Alkyl biphenyl ester, alkyl biphenyl ether, phenyl ether, phenyl ether alkyl, biphenyl ether, biphenyl ether alkyl, It can be any one of cyclohexyl alkyl, bicyclohexyl alkyl, cyclohexyl alkyl ester.

構造式XVI−RC1   Structural formula XVI-RC1

構造式XVI−RC2   Structural formula XVI-RC2

構造式XVI−RC3   Structural formula XVI-RC3

構造式XVI−RC4   Structural formula XVI-RC4

構造式XVI−RA1   Structural formula XVI-RA1

構造式XVI−RA2   Structural formula XVI-RA2

構造式XVI−RA3   Structural formula XVI-RA3

構造式XVI−RA4   Structural formula XVI-RA4

構造式XVI−RA5   Structural formula XVI-RA5

構造式XVI−RA6   Structural formula XVI-RA6

光反応性ジアミン系モノマーは、デシルシンナモイルベンゼンジアミンモノマー又はモノメタクリルベンゼンジアミンモノマーであり得る。デシルシンナモイルベンゼンジアミンモノマーは、デシルシンナモイルフェノール(Decyl cinnamoyl phenol)中間体及びジアミノベンゾイルクロライド誘導体(Diamino benzoyl chloride derivative)を極性溶媒に混合し、この混合物のエステル化(esterification)反応により製造されることができる。デシルシンナモイルフェノール中間体は、ヒドロキシベンゼンシンナモイルクロライド(Hydroxy benzene cinnamoyl chloride)及びデシルアルコール(Decyl alcohol)を極性溶媒に混合し、この混合物のエステル化反応により製造されることができる。モノメタクリルベンゼンジアミン(mono-methacrylic benzenediamine)モノマーは、ヒドロキシアルキルベンゼンジアミン誘導体(Hydroxy alkyl benzenediamine derivative)及びメタクリルクロライド(methacrylic chloride)を極性溶媒に混合した後に、この混合物のエステル化反応により製造されることができる。   The photoreactive diamine-based monomer can be a decylcinnamoylbenzenediamine monomer or a monomethacrylbenzenediamine monomer. Decyl cinnamoyl benzenediamine monomer is produced by mixing a decyl cinnamoyl phenol intermediate and a diamino benzoyl chloride derivative in a polar solvent and esterifying the mixture. be able to. The decylcinnamoyl phenol intermediate can be prepared by mixing hydroxybenzene cinnamoyl chloride and Decyl alcohol in a polar solvent and esterifying the mixture. Mono-methacrylic benzenediamine monomer may be prepared by mixing a hydroxyalkyl benzenediamine derivative and methacrylic chloride in a polar solvent and then esterifying the mixture. it can.

他の実施形態に従って、光反応性ジアミン系モノマーは、構造式XVI−RDで表現されるアクリルシンナモイルハイブリッドベンゼンジアミン(acryl-cinnamoyl hybird benzenediamine)であり得る。アクリルシンナモイルハイブリッドベンゼンジアミンモノマーは、アクリレート反応基(acrylate reactive group)及びシンナメート反応基(cinnamate reactive group)を有する。アクリレート反応基は、側鎖に架橋結合を形成し、シンナメート反応基は、相互にリンクされることによりプレチルト角を大きくする。   According to another embodiment, the photoreactive diamine-based monomer may be acryl-cinnamoyl hybird benzenediamine represented by Structural Formula XVI-RD. Acrylic cinnamoyl hybrid benzenediamine monomers have an acrylate reactive group and a cinnamate reactive group. The acrylate reactive groups form crosslinks in the side chains, and the cinnamate reactive groups are linked together to increase the pretilt angle.

構造式XVI−RD   Structural formula XVI-RD

Xは、1〜10個の炭素(C)原子を有するアルキル基、エーテル、及びエステルの中のいずれか1つであり得、Yは、アルキル、フェニル、ビフェニル、シクロへキシル、ビシクロへキシル、及びフェニルシクロヘキシルの中のいずれか1つであり得る。   X can be any one of alkyl groups having 1 to 10 carbon (C) atoms, ethers, and esters, and Y is alkyl, phenyl, biphenyl, cyclohexyl, bicyclohexyl, And phenylcyclohexyl.

アルキル化芳香族ジアミン系モノマーは、垂直配向成分のモノマーである。ベンゼンに結合されたサイクリック環(cyclic ring)は、垂直配向を堅固(リジッド)にする。アルキル化芳香族ジアミン系分子と隣接した液晶分子は、垂直方向に配向される。サイクリック環は、板状分子であり得る。アルキル化芳香族ジアミン系モノマーの化学構造は、構造式XVIII−RCA1で表現されるオクタデシルシクロヘキシルベンゼンジアミン(octadecyl cyclohexyl benzenediamine)又は構造式XVIII−RCA2で表現されるアルキル化脂肪族芳香族置換ベンゼンジアミン(alkyl substituted aliphatic aromatic benzenediamine)であり得る。   The alkylated aromatic diamine monomer is a monomer of a vertical alignment component. A cyclic ring attached to benzene makes the vertical orientation rigid. Liquid crystal molecules adjacent to the alkylated aromatic diamine-based molecules are aligned in the vertical direction. The cyclic ring can be a plate molecule. The chemical structure of the alkylated aromatic diamine-based monomer is octadecyl cyclohexyl benzenediamine represented by structural formula XVIII-RCA1 or alkylated aliphatic aromatic substituted benzenediamine represented by structural formula XVIII-RCA2. alkyl substituted aliphatic aromatic benzenediamine).

構造式XVIII−RCA1   Structural formula XVIII-RCA1


構造式XVIII−RCA2   Structural formula XVIII-RCA2

この化学式において、XR2は、エーテル又はエステルであり得る。YR2は、エーテルであり得る。n2は、10〜20であり得る。a2及びb2は、0〜3であり得、すべて0とならない。   In this formula, XR2 can be an ether or an ester. YR2 can be an ether. n2 can be 10-20. a2 and b2 can be 0-3, not all 0.

オクタデシルシクロヘキシルベンゼンジアミンモノマーは、オクタデシルシクロヘキサノール(octadecyl cyclohexanol)中間体及びジアミノベンゾルクロライド誘導体(diamino benzoyl chloride derivative)を極性溶媒に混合し、この混合物のエステル化反応により製造されることができる。オクタデシルシクロヘキサノール中間体は、ブロモオクタデカン(bromo octadecane)及びシクロヘキサンジオール(cyclohexanediol)を極性溶媒に混合し、この混合物でシクロヘキサンジオールのヒドロキシル基がブロモオクタデカンのブロモ基を求核攻撃することによりブロモ基が離脱しつつ製造されることができる。   The octadecyl cyclohexyl benzene diamine monomer can be prepared by mixing an octadecyl cyclohexanol intermediate and a diamino benzoyl chloride derivative in a polar solvent and esterifying the mixture. The octadecylcyclohexanol intermediate is prepared by mixing bromooctadecane and cyclohexanediol in a polar solvent, and in this mixture, the hydroxyl group of cyclohexanediol attacks the bromo group of bromooctadecane by nucleophilic attack. It can be manufactured while being detached.

芳香族ジアミン系モノマーは、表面配向反応物10に含まれたポリマーが溶媒によく溶解されるようにする。芳香族ジアミン系モノマーの化学構造は、構造式VI−RCAで表現されるジフェニルジアミン(diphenyl diamine)であり得る。   The aromatic diamine monomer allows the polymer contained in the surface alignment reactant 10 to be well dissolved in the solvent. The chemical structure of the aromatic diamine monomer may be diphenyl diamine represented by the structural formula VI-RCA.

構造式VI−RCA   Structural formula VI-RCA

ここで、Xは、脂肪族化合物(aliphatic compound)であり得る。   Here, X may be an aliphatic compound.

芳香族エポキシド系モノマー(aromatic epoxide-based monomer)は、架橋構造を形成することにより熱安全性及び耐化学性を向上させる。化学構造において、芳香族エポキシド系モノマーは、化学式XIII−RCAで表現されるエポキシベンゼン誘導剤(epoxy benzene derivative)であり得る。   Aromatic epoxide-based monomers improve thermal safety and chemical resistance by forming a crosslinked structure. In the chemical structure, the aromatic epoxide-based monomer may be an epoxy benzene derivative represented by the chemical formula XIII-RCA.

化学式XIII−RCA   Chemical formula XIII-RCA

上述した光開始剤は、表面配向反応物10に添加されることができる。リジッド垂直配向成分を有する表面配向反応物10は、負電気特性を有する表面配向反応物10とは異なり、負電気特性を有するポリマーを有しないことがある。   The photoinitiator described above can be added to the surface alignment reactant 10. Unlike the surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics, the surface alignment reactant 10 having a rigid vertical alignment component may not have a polymer having negative electrical characteristics.

リジッド垂直配向成分を有する塗布された表面配向反応物10は、上述した方法により1次加熱が施される。1次加熱が施される間に、表面配向反応物10を構成し、光反応ジアミン系モノマーを構成する反応性メソゲン成分と主配向膜を形成する垂直配向成分とで構成されるアルキル化芳香族ジアミン系モノマーは、下部膜に対して垂直に配向される。1次加熱が施される間に、表面配向反応物10は、図8Cと関連して上述したような相分離現象を有しないこともある。   The applied surface alignment reactant 10 having a rigid vertical alignment component is subjected to primary heating by the method described above. While the primary heating is performed, the alkylated aromatic is composed of the surface alignment reactant 10 and the reactive mesogen component that forms the photoreactive diamine monomer and the vertical alignment component that forms the main alignment film. The diamine monomer is oriented perpendicular to the lower film. During the primary heating, the surface alignment reactant 10 may not have the phase separation phenomenon as described above in connection with FIG. 8C.

1次加熱が施された表面配向反応物10は、上述した方法により2次加熱が施される。2次加熱が施されつつ表面配向反応物10の溶媒が蒸発する。2次加熱で反応性メソゲン(RM)の側鎖が表面配向反応物10の表面で形成されることができる。2次加熱の後に、表面配向反応物10は、上述した方法により洗浄され、乾燥される。   The surface alignment reactant 10 subjected to the primary heating is subjected to the secondary heating by the method described above. The solvent of the surface alignment reactant 10 evaporates while being subjected to secondary heating. Reactive mesogen (RM) side chains may be formed on the surface of the surface alignment reactant 10 by secondary heating. After the secondary heating, the surface alignment reactant 10 is washed and dried by the method described above.

乾燥の後に、シール剤は、上述した方法により乾燥の後に形成され、上述したように、約300nm〜約400nmの波長を有する紫外線で硬化されるか又は約400nm以上の波長で硬化されることができる。この後に、上述した方法により、上板共通電圧印加点(図示せず)及び液晶層が形成され、下部表示板100及び上部表示板200が組み立てられる。シール剤は、上述したように光又は熱により硬化される。   After drying, the sealant is formed after drying by the method described above and, as described above, cured with ultraviolet light having a wavelength of about 300 nm to about 400 nm, or cured at a wavelength of about 400 nm or more. it can. Thereafter, an upper plate common voltage application point (not shown) and a liquid crystal layer are formed by the above-described method, and the lower display panel 100 and the upper display panel 200 are assembled. The sealant is cured by light or heat as described above.

この組み立てられた表示板は、上述した方法によりアニーリングが行われ、DC電圧又はマルチステップ電圧の供給方法により電圧の供給を受ける。   The assembled display panel is annealed by the above-described method and is supplied with a voltage by a DC voltage or multi-step voltage supply method.

液晶分子及び反応性メソゲンが供給された電圧により特定の傾斜角で配向されている間に、電界露光工程は、上述した方法によりこの組み立てられた液晶表示板アセンブリに行われる。負電気特性を有する配向膜を形成する方法とは異なり、反応性メソゲンは、液晶分子との相互作用を介して特定の傾斜角で配向されることができる。本発明の実施形態によるリジッド垂直配向成分を有する液晶表示板アセンブリには、上述したUVの強度より大きい強度を有する紫外線が照射されることができる。本発明の一実施形態に従って電界が液晶層に形成されている間に液晶表示板アセンブリに照射される紫外線の強度は、約6J/cm〜17.5J/cmであり得、より望ましくは、約12J/cmであり得る。反応性メソゲンが光により硬化されることにより、光硬化層35及び36を主配向膜上に形成し、上述したように、光硬化層35及び36は、プレチルト角を有する。しかしながら、本発明による主配向膜がリジッド垂直配向成分を有するために、光硬化層35及び36のプレチルト角は小さいことがある。光硬化層35及び36のプレチルト角が小さい場合に、ブラック映像で光漏れを減少させることにより液晶表示装置の画面の品質及びコントラスト比を向上させることができる。 While the liquid crystal molecules and the reactive mesogens are aligned at a specific tilt angle by the supplied voltage, the electric field exposure process is performed on the assembled liquid crystal panel assembly by the above-described method. Unlike the method of forming an alignment film having negative electrical characteristics, reactive mesogens can be aligned at a specific tilt angle through interaction with liquid crystal molecules. The liquid crystal panel assembly having a rigid vertical alignment component according to an embodiment of the present invention may be irradiated with ultraviolet rays having an intensity greater than that of the UV described above. Intensity of ultraviolet rays irradiated to the liquid crystal display panel assembly while the electric field in accordance with an embodiment of the present invention is formed in the liquid crystal layer may be about 6J / cm 2 ~17.5J / cm 2 , more preferably About 12 J / cm 2 . The reactive mesogen is cured by light to form photocured layers 35 and 36 on the main alignment film. As described above, the photocured layers 35 and 36 have a pretilt angle. However, since the main alignment film according to the present invention has a rigid vertical alignment component, the pretilt angles of the photocured layers 35 and 36 may be small. When the pretilt angles of the photocuring layers 35 and 36 are small, the screen quality and contrast ratio of the liquid crystal display device can be improved by reducing light leakage in the black image.

この後に、上述した蛍光露光工程が行われることができる。   Thereafter, the above-described fluorescence exposure process can be performed.

この工程を介して、リジッド垂直配向成分を有する表面配向反応物10は、配向膜を形成することにより液晶表示板アセンブリ300を製造する。本発明に従って製造されたリジッド垂直配向側鎖を有する配向膜は、液晶表示装置のブラック光漏れ(black light leakage)不良を減少させることができる。   Through this process, the surface alignment reactant 10 having a rigid vertical alignment component manufactures the liquid crystal panel assembly 300 by forming an alignment film. An alignment layer having a rigid vertical alignment side chain manufactured according to the present invention can reduce black light leakage defects of a liquid crystal display device.

本発明の実施形態によるリジッド垂直配向側鎖を有する主配向膜33及び34を含む配向膜291及び292を有する液晶表示装置が製造される。リジッド垂直配向側鎖を有する表面配向反応物10は、脂環式二無水物系モノマーとしての約43モル%のシクロブチル二無水物と、光反応性ジアミン系モノマーとしての約8.5モル%のモノメタクリルベンゼンジアミンと、アルキル化芳香族ジアミン系モノマーとしての約6.5モル%のオクタデジルシクロヘキシルベンゼンジアミン(octadecyl cyclohexyl benzenediamine)と、芳香族ジアミン(aromatic diamine)系モノマーとしての約28モル%のジフェニルジアミン(diphenyl diamine)と、芳香族エポキシド系モノマーとしての約14モル%のエポキシベンゼン誘導体(epoxy benzene derivative)とから構成される。各成分のモル%は、表面配向反応物10に対するモル%であり、溶媒は、表面配向反応物10の成分比に含まれない。   A liquid crystal display device having alignment films 291 and 292 including main alignment films 33 and 34 having rigid vertical alignment side chains according to an embodiment of the present invention is manufactured. The surface alignment reactant 10 having a rigid vertical alignment side chain comprises about 43 mol% of cyclobutyl dianhydride as an alicyclic dianhydride monomer and about 8.5 mol% of a photoreactive diamine monomer. Monomethacrylbenzenediamine, about 6.5 mol% octadecylcyclohexylbenzenediamine as an alkylated aromatic diamine monomer, and about 28 mol% as an aromatic diamine monomer It is composed of diphenyl diamine and about 14 mol% of an epoxy benzene derivative as an aromatic epoxide monomer. The mol% of each component is mol% with respect to the surface alignment reactant 10, and the solvent is not included in the component ratio of the surface alignment reactant 10.

液晶表示板アセンブリは、上述した方法に従って製造される。液晶表示装置の画素PXの構造は、図3の構造と実質的に同様である。液晶層3内のセル間隔は、約3.6μmであり、画素電極191の微細ブランチ197の幅は、約3μmであり、露光電圧は、DC電圧供給により約7.5V、10V、20V、30V、及び40Vであり、電界露光工程の紫外線強度は、約7J/cm、9J/cm、11J/cm、12J/cm、及び15J/cmである。このように製造された液晶表示装置は、図11と関連して上述した電荷共有方式の1G1D駆動によって動作する。 The liquid crystal panel assembly is manufactured according to the method described above. The structure of the pixel PX of the liquid crystal display device is substantially the same as the structure of FIG. The cell interval in the liquid crystal layer 3 is about 3.6 μm, the width of the fine branch 197 of the pixel electrode 191 is about 3 μm, and the exposure voltage is about 7.5 V, 10 V, 20 V, 30 V by DC voltage supply. , and a 40V, UV intensity of field exposure process is about 7J / cm 2, 9J / cm 2, 11J / cm 2, 12J / cm 2, and 15 J / cm 2. The liquid crystal display device manufactured as described above operates by the charge sharing type 1G1D driving described above with reference to FIG.

このように製造された液晶表示装置の応答速度は、約0.01秒〜約0.014秒であり、ブラック残像は、約2のレベルに良好である。   The response speed of the liquid crystal display device manufactured in this way is about 0.01 second to about 0.014 second, and the black afterimage is good at a level of about 2.

実施形態4
本発明の一実施形態に従って配向膜を形成する表面配向反応物10は、光硬化剤と架橋剤とが結合された化合物を有する。光硬化剤が架橋剤と結合された状態で表面配向反応物10が構成されるために、液晶表示板アセンブリを製造する過程で発生する未硬化の光硬化剤が減少する。未硬化の光硬化剤は、液晶表示装置で残留DCを増加させ、残像の不良を発生させる。本発明の実施形態に従って光硬化剤と架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10により製造された配向膜は、液晶表示装置の残像を減少させる。
Embodiment 4
The surface alignment reactant 10 that forms an alignment film according to an embodiment of the present invention includes a compound in which a photocuring agent and a crosslinking agent are combined. Since the surface alignment reactant 10 is formed in a state where the photocuring agent is combined with the crosslinking agent, the uncured photocuring agent generated in the process of manufacturing the liquid crystal panel assembly is reduced. The uncured photocuring agent increases the residual DC in the liquid crystal display device and causes a residual image. An alignment film manufactured by the surface alignment reactant 10 having a compound in which a photocuring agent and a crosslinking agent are bonded according to an embodiment of the present invention reduces afterimages of a liquid crystal display device.

本発明の実施形態は、表面配向反応物10を構成する材料と、光硬化剤と結合された架橋剤が主配向膜の側鎖と結合するものを除き、上述した負電気特性を有する配向膜291及び292を有する液晶表示板アセンブリを製造する方法と実質的に同様である。説明の便宜上、重複説明を簡略に説明するか又は省略する。   The embodiment of the present invention is an alignment film having the above-described negative electrical characteristics except for the material constituting the surface alignment reactant 10 and the cross-linking agent bonded to the photocuring agent bonded to the side chain of the main alignment film. This is substantially the same as the method of manufacturing the liquid crystal panel assembly having 291 and 292. For convenience of explanation, the duplicate explanation will be briefly explained or omitted.

以下、光硬化剤と架橋剤とが結合された化合物で配向膜を形成する工程について詳細に説明する。上述した方法により、光硬化剤と架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、画素電極191を有する下部表示板100及び共通電極270を有する上部表示板200に塗布される。   Hereinafter, the process of forming an alignment film with the compound with which the photocuring agent and the crosslinking agent were combined is demonstrated in detail. By the method described above, the surface alignment reactant 10 having a compound in which a photocuring agent and a crosslinking agent are bonded is applied to the lower display panel 100 having the pixel electrodes 191 and the upper display panel 200 having the common electrode 270.

光硬化剤と架橋剤とが結合された化合物は、主配向膜を形成する物質と混合されることにより表面配向反応物10を構成する。光硬化剤は、架橋剤と化学的に結合されるためにイオン性不純物の発生を減少させる。光硬化剤は、上述した光反応性ポリマー、反応性メソゲン、光硬化剤、光重合物質、又は光異性化物質であり得、光硬化層を形成する。主配向膜を形成する物質は、上述した物質であり得、液晶分子31が基板110及び210又は画素電極191の平面に対して垂直方向に配向されるようにする。   The compound in which the photocuring agent and the crosslinking agent are combined constitutes the surface alignment reactant 10 by being mixed with a substance that forms the main alignment film. The photo-curing agent is chemically combined with the cross-linking agent, thereby reducing the generation of ionic impurities. The photocuring agent can be a photoreactive polymer, a reactive mesogen, a photocuring agent, a photopolymerizable material, or a photoisomerized material as described above, and forms a photocured layer. The material for forming the main alignment layer may be the above-described material, so that the liquid crystal molecules 31 are aligned in a direction perpendicular to the planes of the substrates 110 and 210 or the pixel electrode 191.

以下、光硬化剤と架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10の材料について詳細に説明する。本発明の一実施形態に従って光硬化剤と架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、ポリイミド(PI)系化合物と架橋剤とが混合される混合物である。ポリイミド系化合物は、二無水物系モノマーとジアミン系モノマーとが化学的に結合された化合物である。上述したように、ポリイミド系化合物は、二無水物系モノマー及びジアミン系モノマーに含まれたモノマーのイミド化反応により製造されることができる。ジアミン系モノマーを構成するモノマー、すなわち、アルキル化芳香族ジアミン系モノマー及び芳香族ジアミン系モノマーは、イミド化の反応の前に混合される。   Hereinafter, the material of the surface alignment reactant 10 having a compound in which a photocuring agent and a crosslinking agent are bonded will be described in detail. The surface alignment reactant 10 having a compound in which a photo-curing agent and a crosslinking agent are bonded according to an embodiment of the present invention is a mixture in which a polyimide (PI) compound and a crosslinking agent are mixed. The polyimide compound is a compound in which a dianhydride monomer and a diamine monomer are chemically bonded. As described above, the polyimide compound can be produced by an imidization reaction of monomers contained in a dianhydride monomer and a diamine monomer. The monomer constituting the diamine monomer, that is, the alkylated aromatic diamine monomer and the aromatic diamine monomer are mixed before the imidation reaction.

本発明の一実施形態による光硬化剤は、反応性メソゲンである。したがって、反応性メソゲンと架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、脂環式二無水物系モノマーのような二無水物系モノマーと、アルキル化芳香族ジアミン系モノマー及び芳香族ジアミン系モノマーのようなジアミン系モノマーと、芳香族アクリルエポキシド系モノマーのような架橋剤とを含むポリマーであり得る。本発明の実施形態による芳香族アクリルエポキシド系モノマーは、反応性メソゲンと架橋剤とが結合された化合物である。   The photocuring agent according to one embodiment of the present invention is a reactive mesogen. Accordingly, the surface alignment reactant 10 having a compound in which a reactive mesogen and a crosslinking agent are combined includes a dianhydride monomer such as an alicyclic dianhydride monomer, an alkylated aromatic diamine monomer, and an aromatic compound. It may be a polymer containing a diamine monomer such as an aromatic diamine monomer and a crosslinking agent such as an aromatic acrylic epoxide monomer. The aromatic acrylic epoxide monomer according to the embodiment of the present invention is a compound in which a reactive mesogen and a crosslinking agent are combined.

反応性メソゲンと架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、約31モル%〜約41モル%であり得、より望ましくは、約36モル%の脂環式二無水物系モノマーと、約3モル%〜約9モル%であり得、より望ましくは、約6モル%のアルキル化芳香族ジアミン系モノマーと、約25モル%〜約35モル%であり得、より望ましくは、約30モル%の芳香族ジアミン系モノマーと、約23モル%〜約33モル%であり得、より望ましくは、約28モル%の芳香族アクリルエポキシド系モノマーとから構成される。表面配向反応物10のモル%組成比は、溶媒を除いたモル%である。   The surface alignment reactant 10 having a compound in which a reactive mesogen and a crosslinking agent are combined may be about 31 mol% to about 41 mol%, and more preferably about 36 mol% alicyclic dianhydride system. Monomer, and may be from about 3 mol% to about 9 mol%, more preferably from about 6 mol% alkylated aromatic diamine-based monomer and from about 25 mol% to about 35 mol%, more preferably About 30 mol% aromatic diamine-based monomer and about 23 mol% to about 33 mol%, and more desirably about 28 mol% aromatic acrylic epoxide-based monomer. The mol% composition ratio of the surface alignment reactant 10 is mol% excluding the solvent.

脂環式二無水物系モノマーは、表面配向反応物10に含まれたポリマーが溶媒によく溶解されるようにし、配向膜の電気光学特性、例えば、電圧保持率(VHR)を増加させ、RDCの電圧を減少させる。脂環式二無水物系モノマーの化学構造は、上述した構造式XVI−RCAで表現されるシクロブチル二無水物(cyclobutyl dianhydride)モノマーであり得る。   The alicyclic dianhydride monomer allows the polymer contained in the surface alignment reactant 10 to be well dissolved in the solvent, and increases the electro-optical characteristics of the alignment film, for example, the voltage holding ratio (VHR). Reduce the voltage. The chemical structure of the alicyclic dianhydride monomer may be a cyclobutyl dianhydride monomer represented by the above-described structural formula XVI-RCA.

アルキル化芳香族ジアミン系モノマーは、垂直配向成分のモノマーである。ベンゼンに結合されたサイクリック環は、垂直配向を堅固(リジッド)にする。サイクリック環は、板状分子であり得る。アルキル化芳香族ジアミン系モノマーの化学構造は、上述した構造式XVIII−RCA1又はXVIII−RCA2で表現されるオクタデシルシクロヘキシルベンゼンジアミン(octadecyl cyclohexyl benzenediamine)又はアルキル化脂肪族芳香族置換ベンゼンジアミン(alkyl substituted aliphatic aromatic benzenediamine)であり得る。   The alkylated aromatic diamine monomer is a monomer of a vertical alignment component. Cyclic rings attached to benzene make the vertical orientation rigid. The cyclic ring can be a plate molecule. The chemical structure of the alkylated aromatic diamine-based monomer is octadecyl cyclohexyl benzenediamine or alkylated aliphatic aromatic substituted benzenediamine represented by the structural formula XVIII-RCA1 or XVIII-RCA2 described above. aromatic benzenediamine).

芳香族ジアミン系モノマーは、表面配向反応物10に含まれたポリマーが溶媒によく溶解されるようにする。芳香族ジアミン系モノマーの化学構造は、上述した構造式VI−RCAで表現されるジフェニルジアミンであり得る。   The aromatic diamine monomer allows the polymer contained in the surface alignment reactant 10 to be well dissolved in the solvent. The chemical structure of the aromatic diamine monomer may be diphenyldiamine represented by the structural formula VI-RCA described above.

芳香族アクリルエポキシド系モノマーは、架橋構造を形成することにより熱安全性及び耐化学性を向上させ、紫外線により硬化されることによりプレチルト角を有する光硬化層を形成する。芳香族アクリルエポキシド系モノマーは、架橋剤であるエポキシ分子と光硬化剤であるアクリレート分子とが化学的に結合された化合物である。光硬化剤が架橋剤と結合されるために、イオン性不純物の発生が減少することができる。芳香族アクリルエポキシド系モノマーの化学構造は、構造式XIII−Cで表現されるアクリルエポキシハイブリッドベンゼン誘導体(acryl-epoxy hybrid benzene derivative)であり得る。   The aromatic acrylic epoxide-based monomer improves the thermal safety and chemical resistance by forming a crosslinked structure, and forms a photocured layer having a pretilt angle by being cured by ultraviolet rays. The aromatic acrylic epoxide-based monomer is a compound in which an epoxy molecule as a cross-linking agent and an acrylate molecule as a photocuring agent are chemically bonded. Since the photo-curing agent is combined with the cross-linking agent, the generation of ionic impurities can be reduced. The chemical structure of the aromatic acrylic epoxide monomer may be an acrylic-epoxy hybrid benzene derivative represented by the structural formula XIII-C.

構造式XIII−C   Structural Formula XIII-C

ここで、YCは、フェニル誘導体(Phenyl derivative)であり得る。   Here, YC may be a phenyl derivative.

アクリルエポキシハイブリッドベンゼン誘導体は、エポキシ置換フェノール誘導体とメタクリルクロライドとを極性溶媒に混合し、この混合物のエステル化反応により製造されることができる。   The acrylic epoxy hybrid benzene derivative can be produced by mixing an epoxy-substituted phenol derivative and methacryl chloride in a polar solvent and esterifying the mixture.

上述した光開始剤は、表面配向反応物10に添加されることができる。負電気特性を有する表面配向反応物10とは異なり、光硬化剤と架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、負電気特性のポリマーを有しないことがある。   The photoinitiator described above can be added to the surface alignment reactant 10. Unlike the surface alignment reactant 10 having negative electrical characteristics, the surface alignment reactant 10 having a compound in which a photo-curing agent and a crosslinking agent are bonded may not have a polymer having negative electrical characteristics.

塗布の後に、反応性メソゲンと架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、上述した方法により1次加熱が施される。1次加熱が施される間に、反応性メソゲン成分及び主配向膜を形成する垂直配向成分を有するモノマーは、下部層に垂直して配向される。1次加熱の間に、反応性メソゲンと架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、図8Cと関連して上述した相分離現象を有しないことがある。   After the coating, the surface alignment reactant 10 having a compound in which a reactive mesogen and a crosslinking agent are bonded is subjected to primary heating by the method described above. During the primary heating, the monomer having the reactive mesogenic component and the vertical alignment component forming the main alignment film is aligned perpendicular to the lower layer. During the primary heating, the surface alignment reactant 10 having a compound in which a reactive mesogen and a crosslinking agent are combined may not have the phase separation phenomenon described above in connection with FIG. 8C.

1次加熱が施された後に、表面配向反応物10は、上述した方法により2次加熱が施される。2次加熱により表面配向反応物10の溶媒は、蒸発する。また、反応性メソゲンと結合された架橋剤は、主配向膜を形成するポリマーの側鎖に結合される。したがって、反応性メソゲンの側鎖は、表面配向反応物10の表面に形成される。   After the primary heating, the surface alignment reactant 10 is subjected to secondary heating by the method described above. The solvent of the surface alignment reactant 10 is evaporated by the secondary heating. In addition, the crosslinking agent bonded to the reactive mesogen is bonded to the side chain of the polymer forming the main alignment film. Therefore, the side chain of the reactive mesogen is formed on the surface of the surface alignment reactant 10.

2次加熱が施された後に、表面配向反応物10は、上述した方法により洗浄の後に乾燥される。乾燥の後に、シール剤は、上述した方法により形成される。シール剤は、上述したように、約300nm〜約400nmの波長を有する紫外線で硬化されるか又は約400nm以上の波長で硬化されることができる。この後、上述した方法により上板共通電圧印加点(図示せず)及び液晶層が形成され、下部表示板100と上部表示板200とが組み立てられる。シール剤は、上述したように光又は熱により硬化される。   After the secondary heating, the surface alignment reactant 10 is dried after washing by the method described above. After drying, the sealant is formed by the method described above. The sealant can be cured with ultraviolet light having a wavelength of about 300 nm to about 400 nm, as described above, or can be cured with a wavelength of about 400 nm or more. Thereafter, an upper plate common voltage application point (not shown) and a liquid crystal layer are formed by the above-described method, and the lower display panel 100 and the upper display panel 200 are assembled. The sealant is cured by light or heat as described above.

組み立てられた表示板は、上述した方法によりアニーリングが行われ、DC電圧又はマルチステップ電圧の供給方法により電圧の供給を受ける。電場が液晶層に形成される工程は、上述したものと実質的に同様である。垂直配向された反応性メソゲンは、負電気特性を有する配向膜を形成する方法とは異なり、液晶分子との相互作用を通して電場で傾斜するように配向される。供給された電圧により液晶分子と反応性メソゲン(RM)とが一定の傾斜角で配向される間に、上述した方法により、電界露光工程は、組み立てられた液晶表示板アセンブリに行われる。光により反応性メソゲン(RM)のアクリレート反応基が硬化されることにより反応性メソゲン(RM)モノマー間でネットワークが形成される。ネックワークとして形成された反応性メソゲン(RM)は、プレチルト角を有する光硬化層35及び36を主配向膜上に形成されるようにする。本発明の実施形態による光硬化剤、すなわち、反応性メソゲン(RM)は、架橋剤と結合されているために未硬化の反応性メソゲン(RM)及びイオン性不純物の発生を格段に減少させる。また、反応性メソゲンと架橋剤との結合は、イオン性不純物及び残留DCを減少させ、これにより、液晶表示装置の残像を改善させることができる。   The assembled display panel is annealed by the above-described method and is supplied with a voltage by a DC voltage or multi-step voltage supply method. The process of forming the electric field on the liquid crystal layer is substantially the same as described above. Unlike the method of forming an alignment film having negative electrical characteristics, the vertically aligned reactive mesogen is aligned so as to be inclined by an electric field through interaction with liquid crystal molecules. While the liquid crystal molecules and the reactive mesogens (RM) are aligned with a certain tilt angle by the supplied voltage, the electric field exposure process is performed on the assembled liquid crystal display panel assembly according to the above-described method. A network is formed between the reactive mesogenic (RM) monomers by curing the acrylate reactive group of the reactive mesogen (RM) with light. The reactive mesogen (RM) formed as a neckwork allows the photocured layers 35 and 36 having a pretilt angle to be formed on the main alignment film. The photo-curing agent, i.e., reactive mesogen (RM), according to an embodiment of the present invention significantly reduces the generation of uncured reactive mesogen (RM) and ionic impurities because it is combined with the cross-linking agent. In addition, the bond between the reactive mesogen and the crosslinking agent can reduce ionic impurities and residual DC, thereby improving the afterimage of the liquid crystal display device.

この後に、上述したような蛍光露光工程が行われることができる。   Thereafter, a fluorescence exposure process as described above may be performed.

このようにして、反応性メソゲン(RM)と架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、配向膜を形成することにより液晶表示板アセンブリ300を製造する。本発明の実施形態に従って架橋剤と結合された化合物により製造された配向膜は、液晶表示装置の残像の不良を減少させることができる。   In this manner, the surface alignment reactant 10 having the compound in which the reactive mesogen (RM) and the crosslinking agent are bonded forms the liquid crystal display panel assembly 300 by forming an alignment film. An alignment film manufactured using a compound combined with a crosslinking agent according to an embodiment of the present invention can reduce afterimage defects of a liquid crystal display device.

本発明の実施形態に従って反応性メソゲンと架橋剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10により形成された配向膜291及び292が製造され、これを有する液晶表示装置が製造された。本発明の実施形態に従って、配向膜を形成する表面配向反応物10は、脂環式二無水物系モノマーとしての約36モル%のシクロブチル二無水物と、アルキル化芳香族ジアミン系モノマーとしての約6モル%のオクタデシルシクロヘキシルベンゼンジアミン(octadecyl cyclohexyl benzenediamine)と、芳香族ジアミン系モノマーとしての約30モル%のジフェニルジアミンと、芳香族アクリルエポキシド系モノマーとしての約28モル%のアクリルエポキシハイブリッドベンゼン誘導体とを含む。各成分のモル%は、表面配向反応物10に対するモル%であり、溶媒は、表面配向反応物10の成分比に含まれない。   According to the embodiment of the present invention, alignment films 291 and 292 formed by the surface alignment reactant 10 having a compound in which a reactive mesogen and a crosslinking agent are bonded are manufactured, and a liquid crystal display device including the alignment films 291 and 292 is manufactured. In accordance with an embodiment of the present invention, the surface alignment reactant 10 forming the alignment film has about 36 mol% of cyclobutyl dianhydride as an alicyclic dianhydride monomer and about 6 mol% octadecyl cyclohexyl benzenediamine, about 30 mol% diphenyldiamine as an aromatic diamine monomer, and about 28 mol% acrylic epoxy hybrid benzene derivative as an aromatic acrylic epoxide monomer; including. The mol% of each component is mol% with respect to the surface alignment reactant 10, and the solvent is not included in the component ratio of the surface alignment reactant 10.

液晶表示板アセンブリは、上述した方法に従って製造される。液晶表示装置の画素PXの構造は、図3の構造と実質的に同様である。液晶層3のセル間隔は約3.6μmであり、画素電極191の微細ブランチ197の幅は3μmであり、露光電圧は、DC電圧供給方式により約30V、約40V、及び約50Vであり、電界露光工程の紫外線の強度は、約9J/cm、約12J/cm、及び17J/cmである。このように製造された液晶表示装置は、図11と関連して上述した電荷共有方式の1G1D駆動により動作する。 The liquid crystal panel assembly is manufactured according to the method described above. The structure of the pixel PX of the liquid crystal display device is substantially the same as the structure of FIG. The cell interval of the liquid crystal layer 3 is about 3.6 μm, the width of the fine branch 197 of the pixel electrode 191 is 3 μm, and the exposure voltage is about 30 V, about 40 V, and about 50 V according to the DC voltage supply method. the intensity of the ultraviolet exposure step is about 9J / cm 2, from about 12 J / cm 2, and 17 J / cm 2. The liquid crystal display device manufactured in this way operates by the charge sharing type 1G1D driving described above with reference to FIG.

このように製造された液晶表示装置は、約336時間の間動作し、そのブラック残像は、約2以下のレベルに良好である。   The liquid crystal display device thus manufactured operates for about 336 hours, and its black afterimage is good at a level of about 2 or less.

実施形態5
本発明の他の実施形態に従って、配向膜を形成する表面配向反応物10は、無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する。すなわち、光硬化剤と結合された無機物系物質で構成された表面配向反応物10は、配向膜を形成する。
Embodiment 5
According to another embodiment of the present invention, the surface alignment reactant 10 that forms the alignment film includes a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined. That is, the surface alignment reactant 10 composed of an inorganic material combined with a photocuring agent forms an alignment film.

配向膜を形成する無機物系物質は、有機物系物質とは異なり液晶内のイオン不純物と吸着せず、物理的特性の変化が小さく、高温で酸化されるか又はイオン性不純物が発生しないために、光硬化剤と結合された無機物系物質により形成された配向膜は、物理的特性の変化が小さく、安定したプレチルト角を有する光硬化層を有するだけではなく、長時間動作でも液晶表示装置の残像及びムラを減少させ、電圧保持率を低下させない。また、無機物系物質は、低温工程でも配向膜を形成することができるために、配向膜の下部層を構成する材料を様々に選択することができるようにする。無機物系物質は、オルトケイ酸(orthosilicate)系モノマー又はシロキサン系モノマーであり得る。有機物系物質で形成された配向膜は、イミド化することができない多量のカルボキシが液晶層内のイオン不純物と吸着するために電圧保持率を低くし、残像、ムラ、及びDC電圧を発生させる。ここで、‘イミド化(imidization)’は、二無水物系と芳香族ジアミンとの縮合重合(condensation polymerization)を施すことにより得られたポリアミック(polyamic acid)の熱的脱水環化(thermal cyclodehydration)を行うことを意味する。   Unlike organic substances, inorganic substances that form alignment films do not adsorb with ionic impurities in the liquid crystal, have little change in physical properties, and are oxidized at high temperatures or do not generate ionic impurities. An alignment film formed of an inorganic material combined with a photo-curing agent has a small change in physical properties and has a photo-curing layer having a stable pretilt angle. In addition, the unevenness is reduced and the voltage holding ratio is not lowered. In addition, since the inorganic material can form an alignment film even in a low temperature process, various materials for forming the lower layer of the alignment film can be selected. The inorganic material may be an orthosilicate monomer or a siloxane monomer. An alignment film formed of an organic substance reduces the voltage holding ratio because a large amount of carboxy that cannot be imidized is adsorbed with ionic impurities in the liquid crystal layer, and generates afterimages, unevenness, and DC voltage. Here, 'imidization' refers to thermal cyclodehydration of polyamic acid obtained by condensation polymerization of dianhydride system and aromatic diamine. Means to do.

本発明の実施形態は、表面配向反応物10を構成する材料と主配向膜を形成する2次加熱を除き、上述した負電気特性の配向膜291及び292を有する液晶表示板アセンブリを製造する方法と実質的に同様である。以下、説明の便宜上、重複説明を簡略に説明するか又は省略する。   The embodiment of the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal display panel assembly having the above-described alignment films 291 and 292 having negative electrical characteristics except for the secondary heating for forming the main alignment film and the material constituting the surface alignment reactant 10. And substantially the same. Hereinafter, for convenience of explanation, the duplicate explanation will be briefly explained or omitted.

以下、無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、上述した方法により、画素電極191を有する下部表示板100及び共通電極270を有する上部表示板200上に塗布される。無機物系物質及び光硬化剤は、化学的に結合されることができる。本発明の他の実施形態による表面配向反応物10は、化学気相蒸着(Chemical Vapor Deposition:CVD)のような蒸着(Vapor Deposition)により画素電極191及び共通電極270上に蒸着することができる。   Hereinafter, the surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined is formed on the lower display panel 100 having the pixel electrode 191 and the upper display panel 200 having the common electrode 270 by the above-described method. Applied. The inorganic material and the photocuring agent can be chemically combined. The surface alignment reactant 10 according to another embodiment of the present invention may be deposited on the pixel electrode 191 and the common electrode 270 by vapor deposition such as chemical vapor deposition (CVD).

以下、無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10の材料について詳細に説明する。本発明の一実施形態による無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、オルトケイ酸(orthosilicate)系モノマー及びアルコキシド系モノマーに含まれたアルキルアルコール系モノマーとビニルアルコール系モノマーとが化学的に結合された化合物である。表面配向反応物10は、オルトケイ酸系モノマー、アルキルアルコール系モノマー、及びビニルアルコール系モノマーが極性溶媒に混合され、この混合物が酸(acid)又は塩基(base)触媒で構成された水分H2Oとかき混ぜられる場合に、アルキルアルコール系モノマー及びビニルアルコール系モノマーのヒドロキシル基がオルトケイ酸のシリコン原子の求核攻撃(neucleophilic attack)を行い、これにより、加水分解(hydrolysis)及び縮合重合(condensation polymerization)反応を起こす方法で製造されることができる。   Hereinafter, the material of the surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined will be described in detail. The surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined according to an embodiment of the present invention includes an alkyl alcohol monomer and vinyl contained in an orthosilicate monomer and an alkoxide monomer. A compound in which an alcohol monomer is chemically bonded. In the surface alignment reactant 10, an orthosilicate monomer, an alkyl alcohol monomer, and a vinyl alcohol monomer are mixed in a polar solvent, and this mixture is stirred with water H 2 O constituted by an acid or base catalyst. In some cases, the hydroxyl groups of alkyl alcohol monomers and vinyl alcohol monomers perform a nucleophilic attack of the silicon atom of orthosilicate, thereby carrying out hydrolysis and condensation polymerization reactions. Can be manufactured by waking method.

本発明の一実施形態に従って、無機物系物質は、オルトケイ酸系モノマーである。したがって、無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、約30モル%〜約60モル%、より望ましくは、約44モル%のオルトケイ酸系モノマーと光硬化剤を含む約40モル%〜約70モル%、より望ましくは、約56モル%のアルコキシド(alkoxide)系モノマーとで構成されたポリマーであり得る。オルトケイ酸系モノマーは、テトラアルコキシオルトケイ酸(tetra alkoxy orthosilicate)モノマーであり得る。アルコキシド系モノマーは、約1モル%〜約10モル%、より望ましくは、約6モル%のアルキルアルコール系モノマーと約40モル%〜約60モル%、より望ましくは、約50モル%の光硬化剤を含むモノマーとで構成されることができる。この溶媒は、表面配向反応物10の各モル%組成比に含まれない。本発明による光硬化剤を含むモノマーは、ビニルアルコール系モノマー、アクリル系モノマー、シンナモイル系モノマー、及びこれらの混合物又は化合物から選択された少なくとも1つの物質であり得る。   According to one embodiment of the present invention, the inorganic material is an orthosilicate monomer. Accordingly, the surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined may be about 30 mol% to about 60 mol%, more preferably about 44 mol% of an orthosilicate monomer and photocuring. It may be a polymer composed of about 40 mol% to about 70 mol%, more desirably about 56 mol% of an alkoxide monomer containing an agent. The orthosilicate monomer may be a tetraalkoxy orthosilicate monomer. The alkoxide-based monomer is about 1 mol% to about 10 mol%, more desirably about 6 mol% alkyl alcohol-based monomer and about 40 mol% to about 60 mol%, more desirably about 50 mol% photocuring. And a monomer containing an agent. This solvent is not included in each mole% composition ratio of the surface alignment reactant 10. The monomer containing the photocuring agent according to the present invention may be at least one substance selected from vinyl alcohol monomers, acrylic monomers, cinnamoyl monomers, and mixtures or compounds thereof.

オルトケイ酸系モノマーは、主配向膜の主鎖を形成し、表面配向反応物10に含まれたポリマーが溶媒によく溶解されることができるようにし、配向膜の電気光学特性、例えば、電圧保持率(VHR)を増加させる。本発明の実施形態によるオルトケイ酸モノマーは、テトラアルコキシオルトケイ酸モノマーであり得る。化学構造の観点において、テトラアルコキシオルトケイ酸モノマーは、次の構造式XIX−T1で表現されるテトラエチルオルトケイ酸系モノマー、アルキル系モノマー、又はヒドロキシル(hydroxyl)系モノマーであり得る。   The orthosilicate-based monomer forms the main chain of the main alignment film so that the polymer contained in the surface alignment reactant 10 can be well dissolved in the solvent, and the electro-optical characteristics of the alignment film, for example, voltage holding Increase rate (VHR). The orthosilicic acid monomer according to embodiments of the present invention may be a tetraalkoxyorthosilicate monomer. In terms of chemical structure, the tetraalkoxy orthosilicate monomer may be a tetraethyl orthosilicate monomer, an alkyl monomer, or a hydroxyl monomer represented by the following structural formula XIX-T1.

構造式XIX−T1   Structural formula XIX-T1

本発明によるオルトケイ酸系モノマーは、シラン化合物又はアルコキシシラン化合物を重合することにより製造されたポリシロキサン系ポリマーであり得る。   The orthosilicic acid monomer according to the present invention may be a polysiloxane polymer produced by polymerizing a silane compound or an alkoxysilane compound.

アルキルアルコール系モノマーは、主鎖を構成するオルトケイ酸系ポリマーの側鎖にリンクされた垂直配向成分のモノマーである。したがって、アルキルアルコール系モノマーは、長鎖アルキル(long-chain alkyl)系ポリマーを含むことができる。化学構造において、アルキルアルコール系モノマーは、下記の構造式XIX−A1で表現されるドデカノール(dodecanol)系モノマー、構造式XIX−A2で表現されるコレステロール系(cholesteric group)モノマー、構造式XIX−A3で表現されるアルキル化二無水物(alkylated alicyclic)系モノマー、構造式XIX−4で表現されるアルキル化芳香族系モノマー又はアルキル系モノマーであり得る。   The alkyl alcohol monomer is a monomer of a vertical alignment component linked to the side chain of the orthosilicate polymer constituting the main chain. Accordingly, the alkyl alcohol-based monomer can include a long-chain alkyl-based polymer. In the chemical structure, the alkyl alcohol monomer includes a dodecanol monomer represented by the following structural formula XIX-A1, a cholesterol group monomer represented by the structural formula XIX-A2, and a structural formula XIX-A3. The alkylated alicyclic monomer represented by the above formula, the alkylated aromatic monomer represented by the structural formula XIX-4, or the alkyl monomer.

構造式XIX−A1   Structural formula XIX-A1

構造式XIX−A2   Structural formula XIX-A2

構造式XIX−A3   Structural formula XIX-A3

構造式XIX−A4   Structural formula XIX-A4

ビニルアルコール系モノマーは、ビニル系モノマーとして紫外線により硬化されることによりプレチルト角を有する光硬化層を形成する。ビニルアルコール系モノマーは、主鎖を構成するオルトケイ酸系ポリマーの側鎖にリンクされる。ビニルアルコール系モノマーの化学構造は、構造式XIX−V1で表現されるヒドロキシアルキルアクリレートモノマー又は構造式XIX−V2で表現されるアルキル化ビニル系モノマーであり得る。   A vinyl alcohol monomer forms a photocured layer having a pretilt angle by being cured with ultraviolet rays as a vinyl monomer. The vinyl alcohol monomer is linked to the side chain of the orthosilicate polymer constituting the main chain. The chemical structure of the vinyl alcohol monomer may be a hydroxyalkyl acrylate monomer represented by the structural formula XIX-V1 or an alkylated vinyl monomer represented by the structural formula XIX-V2.

構造式XIX−V1   Structural formula XIX-V1

構造式XIX−V2   Structural formula XIX-V2

ここで、XVは、アルキル、エーテル、又はエステルであり得、YVは、メチル又は水素であり得る。   Here, XV can be alkyl, ether, or ester, and YV can be methyl or hydrogen.

シンナモイル系モノマーは、主鎖を構成するオルトケイ酸系ポリマーの側鎖にリンクされ、紫外線により硬化されることによりプレチルト角を有する光硬化層を形成する。ヒドロキシアルキルアクリレート(hydroxy alkyl acrylate)モノマーは、アルカンジオール(alkane diol)及びアクリルクロライド(Acrylic chloride)を極性溶媒に混合し、この混合物のエステル化反応により製造されることができる。   The cinnamoyl monomer is linked to the side chain of the orthosilicate polymer constituting the main chain, and is cured by ultraviolet rays to form a photocured layer having a pretilt angle. The hydroxy alkyl acrylate monomer may be prepared by mixing alkane diol and Acrylic chloride in a polar solvent and esterifying the mixture.

化学構造の観点において、シンナモイル系モノマーは、構造式XIX−C1で表現されるアルキル化シンナモイル(alkylated cinnamoyl)系モノマーであり得る。   In view of the chemical structure, the cinnamoyl monomer may be an alkylated cinnamoyl monomer represented by the structural formula XIX-C1.

構造式XIX−C1   Structural formula XIX-C1

ここで、XCは、アルキル、エーテル、エステル、フェニル、シクロヘキシル、又はフェニルエステルの中のいずれか1つであり得る。YCは、アルキル、フェニル、ビフェニル、シクロヘキシル、ビシクロヘキシル、又はフェニルシクロヘキシルの中のいずれか1つであり得る。光硬化剤は、上述した光反応性ポリマー、反応性メソゲン(RM)、光硬化剤、光重合物質、又は光異性化物質であり得る。無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10に上述した光開始剤が添加されることができる。   Here, XC may be any one of alkyl, ether, ester, phenyl, cyclohexyl, or phenyl ester. YC can be any one of alkyl, phenyl, biphenyl, cyclohexyl, bicyclohexyl, or phenylcyclohexyl. The photocuring agent can be a photoreactive polymer, a reactive mesogen (RM), a photocuring agent, a photopolymerization material, or a photoisomerization material as described above. The above-mentioned photoinitiator can be added to the surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined.

塗布された無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、上述した方法により1次加熱が施される。1次加熱が施される間に、オルトケイ酸系モノマーの側鎖にリンクされた垂直配向成分のアルキルアルコール系分子及び光硬化層35及び36を形成する光硬化剤は、下部膜に対して垂直に配向される。1次加熱の間に、無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、図8Cと関連して上述したような相分離現象を有しないことがある。   The surface alignment reactant 10 having a compound in which the coated inorganic substance and the photocuring agent are bonded is subjected to primary heating by the method described above. During the primary heating, the photo-curing agent that forms the alkyl alcohol-based molecules of the vertical alignment component linked to the side chain of the orthosilicate monomer and the photo-curing layers 35 and 36 is perpendicular to the lower film. Oriented. During the primary heating, the surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined may not have the phase separation phenomenon as described above with reference to FIG. 8C.

1次加熱を施した後に、表面配向反応物10は、上述した2次加熱温度より低い温度、すなわち、約150℃〜約200℃、より望ましくは約180℃で2次加熱が施される。2次加熱は、約1000秒〜約1400秒、より望ましくは約1200秒の間に施されることができる。2次加熱温度が低いために表面配向反応物10の下部膜を構成する材料は、幅広く選択されることができる。本発明の一実施形態に従って表面配向反応物10の下部に形成されたカラーフィルター材料は、低い温度で工程可能な染料(dye)であり得る。2次加熱の間に、表面配向反応物10の溶媒は蒸発し、主鎖を構成するオルトケイ酸系モノマー及び側鎖にリンクされた垂直配向成分のアルキルアルコール系モノマーは、主配向膜を形成する。無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10により形成された主配向膜は、イオン性不純物を吸着せず、高温で酸化されるか又はイオン性不純物を発生しないために、液晶表示装置の残像及びムラを減少させ、電圧保持率(VHR)を増加させる。   After the primary heating, the surface alignment reactant 10 is subjected to the secondary heating at a temperature lower than the above-described secondary heating temperature, that is, about 150 ° C. to about 200 ° C., more preferably about 180 ° C. The secondary heating can be applied for about 1000 seconds to about 1400 seconds, more desirably about 1200 seconds. Since the secondary heating temperature is low, the material constituting the lower film of the surface alignment reactant 10 can be widely selected. The color filter material formed under the surface alignment reactant 10 according to an embodiment of the present invention may be a dye that can be processed at a low temperature. During the secondary heating, the solvent of the surface alignment reactant 10 evaporates, and the orthosilicic acid monomer constituting the main chain and the alkyl alcohol monomer of the vertical alignment component linked to the side chain form a main alignment film. . The main alignment film formed by the surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined does not adsorb ionic impurities and is oxidized at a high temperature or does not generate ionic impurities. Therefore, the afterimage and unevenness of the liquid crystal display device are reduced, and the voltage holding ratio (VHR) is increased.

2次加熱の後に、無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、上述した方法により洗浄の後に乾燥される。本発明の実施形態による表面配向反応物10は、洗浄又は乾燥工程により物質の特性が低下しない。   After the secondary heating, the surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined is dried after washing by the method described above. In the surface alignment reactant 10 according to the embodiment of the present invention, the properties of the material are not deteriorated by the cleaning or drying process.

乾燥の後に、シール剤は、上述した方法により形成される。上述したように、シール剤は、約300nm〜約400nmの波長を有する紫外線で硬化されるか、又は約400nm以上の波長で硬化されることができる。この後、上述した方法により上板共通電圧印加点(図示せず)及び液晶層が形成され、下部表示板100と上部表示板200とが組み立てられる。シール剤は、上述したように光又は熱により硬化される。   After drying, the sealant is formed by the method described above. As described above, the sealant can be cured with ultraviolet light having a wavelength of about 300 nm to about 400 nm, or can be cured with a wavelength of about 400 nm or more. Thereafter, an upper plate common voltage application point (not shown) and a liquid crystal layer are formed by the above-described method, and the lower display panel 100 and the upper display panel 200 are assembled. The sealant is cured by light or heat as described above.

組み立てられた表示板は、上述した方法によりアニーリングが行われ、DC電圧又はマルチステップ電圧の供給方法により電圧の供給を受ける。電場が液晶層に形成される工程は、上述したものと実質的に同様である。垂直配向された光硬化剤又は反応性メソゲンは、負電気特性を有する配向膜を形成する方法とは異なり、液晶分子との相互作用を通して電場で傾斜するように配向される。供給された電圧により液晶分子と反応性メソゲン(RM)とが一定の傾斜角で配向される間に、上述した方法により、電界露光工程は、組み立てられた液晶表示板アセンブリに行われる。電界露光工程の紫外線強度は、約6J/cm〜20J/cmであり得、より望ましくは、約12J/cmであり得る。 The assembled display panel is annealed by the above-described method and is supplied with a voltage by a DC voltage or multi-step voltage supply method. The process of forming the electric field on the liquid crystal layer is substantially the same as described above. Unlike the method of forming an alignment film having negative electrical characteristics, the vertically aligned photocuring agent or reactive mesogen is aligned so as to be inclined by an electric field through interaction with liquid crystal molecules. While the liquid crystal molecules and the reactive mesogens (RM) are aligned with a certain tilt angle by the supplied voltage, the electric field exposure process is performed on the assembled liquid crystal display panel assembly according to the above-described method. UV intensity of field exposure process may be about 6J / cm 2 ~20J / cm 2 , and more desirably, about 12 J / cm 2.

光により反応性メソゲン(RM)のアクリレート反応基が硬化されることにより反応性メソゲン(RM)モノマー間のネットワークが形成される。ネックワークとして形成された反応性メソゲンは、主配向膜上にプレチルト角を有する光硬化層35及び36を構成する。前工程で形成された主配向膜及び光硬化層は、配向膜を構成する。無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10により形成された光硬化層は、無機物系物質と結合されるために優秀な信頼性及び安全性を示す。   The acrylate reactive group of the reactive mesogen (RM) is cured by light, thereby forming a network between reactive mesogen (RM) monomers. The reactive mesogen formed as a neckwork constitutes the photocured layers 35 and 36 having a pretilt angle on the main alignment film. The main alignment film and the photocured layer formed in the previous step constitute an alignment film. The photocured layer formed by the surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined has excellent reliability and safety because it is combined with the inorganic substance.

この後に、上述したような蛍光露光工程が行われることができる。   Thereafter, a fluorescence exposure process as described above may be performed.

このようにして、無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、主配向膜33及び34と光硬化層35及び36とで構成された配向膜を形成することにより、この配向膜を有する液晶表示板アセンブリ300を製造する。   In this way, the surface alignment reactant 10 having the compound in which the inorganic substance and the photocuring agent are combined forms an alignment film composed of the main alignment films 33 and 34 and the photocuring layers 35 and 36. Thus, the liquid crystal panel assembly 300 having the alignment film is manufactured.

本発明の実施形態による無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10により形成された配向膜は、安定したプレチルト角を有する光硬化層を有し、配向膜の耐熱性、長期信頼性、耐化学性、及び均一性に優れる。また、無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10は、静電気消去性(electrostatic elimination)がよいために追加の工程が不要である。したがって、液晶表示装置を製造する時間を短縮することができる。   An alignment film formed by the surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic material and a photocuring agent are bonded according to an embodiment of the present invention has a photocuring layer having a stable pretilt angle, Excellent heat resistance, long-term reliability, chemical resistance, and uniformity. In addition, the surface alignment reactant 10 having a compound in which an inorganic substance and a photocuring agent are combined has good electrostatic elimination, and therefore no additional process is required. Therefore, the time for manufacturing the liquid crystal display device can be shortened.

本発明の実施形態による無機物系物質と光硬化剤とが結合された化合物を有する表面配向反応物10により形成された配向膜291及び292が製造され、これを有する液晶表示装置が製造された。本発明の実施形態に従って、配向膜を形成する表面配向反応物10は、テトラアルコキシオルトケイ酸モノマーとしての約44モル%のテトラアルコキシオルトケイ酸モノマーと、アルキルアルコール系モノマーとしての約6モル%のドデカノール系モノマーと、ビニルアルコール系モノマーとしての約50モル%のヒドロキシアルキルアクリレート(hydroxy alkyl acrylate)モノマーとで構成される。各成分のモル%は、表面配向反応物10に対するモル%であり、溶媒は、表面配向反応物10の成分比に含まれない。   The alignment films 291 and 292 formed by the surface alignment reactant 10 having the compound in which the inorganic substance and the photocuring agent are bonded according to the embodiment of the present invention are manufactured, and the liquid crystal display device including the alignment films 291 and 292 is manufactured. In accordance with an embodiment of the present invention, the surface alignment reactant 10 forming the alignment film comprises about 44 mol% tetraalkoxy orthosilicate monomer as a tetraalkoxy orthosilicate monomer and about 6 mol% dodecanol as an alkyl alcohol-based monomer. And about 50 mol% of a hydroxyalkyl acrylate monomer as a vinyl alcohol monomer. The mol% of each component is mol% with respect to the surface alignment reactant 10, and the solvent is not included in the component ratio of the surface alignment reactant 10.

液晶表示板アセンブリは、上述した方法に従って製造される。液晶表示装置の画素PXの構造は、図3の構造と実質的に同様である。液晶層3のセル間隔は、約3.6μmであり、画素電極191の微細ブランチ197の幅は、3μmであり、露光電圧は、DC電圧供給方式により約20V又は約24Vであり、電界露光工程の紫外線の強度は、約5J/cm、約10J/cm、約20J/cmである。このように製造された液晶表示装置は、図11と関連して上述した電荷共有方式の1G1D駆動により動作する。 The liquid crystal panel assembly is manufactured according to the method described above. The structure of the pixel PX of the liquid crystal display device is substantially the same as the structure of FIG. The cell interval of the liquid crystal layer 3 is about 3.6 μm, the width of the fine branch 197 of the pixel electrode 191 is 3 μm, and the exposure voltage is about 20 V or about 24 V depending on the DC voltage supply method. The intensity of the ultraviolet rays is about 5 J / cm 2 , about 10 J / cm 2 , and about 20 J / cm 2 . The liquid crystal display device manufactured in this way operates by the charge sharing type 1G1D driving described above with reference to FIG.

このように製造された液晶表示装置は、電圧保持率が約90.5%以上であり、イオン密度(ion density)は、約5pC/cm以下であり、ブラック残像は、168時間の間の動作で約2.5レベルに良好である。 The liquid crystal display device thus manufactured has a voltage holding ratio of about 90.5% or more, an ion density of about 5 pC / cm 2 or less, and a black afterimage for 168 hours. Good to about 2.5 levels in operation.

本発明の一実施形態によるシール剤は、約400nm以上の波長を有する光で硬化される。下部又は上部表示板の内部領域に存在する光硬化剤が硬化されないために、シール剤の周辺で発生するエッジムラの不良が減少する。約300nm〜約400nmの波長を有する紫外線で硬化されるシール剤が配向膜又は液晶を形成する物質に含まれた光硬化剤を硬化する光により硬化されるために、シール剤周辺の光硬化剤は、シール剤の硬化の間に硬化されることにより、液晶表示装置は、エッジムラの不良を有し得る。これを改善するために、シール剤及び光硬化剤は、異なる波長を有する光で硬化される必要がある。   The sealant according to an embodiment of the present invention is cured with light having a wavelength of about 400 nm or more. Since the photo-curing agent present in the inner region of the lower or upper display panel is not cured, the edge unevenness generated around the sealing agent is reduced. Since the sealing agent cured with ultraviolet rays having a wavelength of about 300 nm to about 400 nm is cured by light curing the photocuring agent contained in the alignment film or the substance forming the liquid crystal, the photocuring agent around the sealing agent Since the liquid crystal display device is cured during the curing of the sealant, the liquid crystal display device may have a defect in edge unevenness. In order to improve this, the sealing agent and the photocuring agent need to be cured with light having different wavelengths.

本発明の実施形態による約400nm以上の波長を有する光で硬化されるシール剤は、シール剤の材料及びシール剤を硬化する方法を除き、上述した工程と実質的に同様に適用される。したがって、上述したシール剤の工程と重複した詳細な説明は、説明の便宜のために省略し、本実施形態の特徴について詳細に説明する。   The sealant cured with light having a wavelength of about 400 nm or more according to an embodiment of the present invention is applied in substantially the same manner as described above, except for the sealant material and the method of curing the sealant. Therefore, the detailed description overlapping with the above-described sealing agent process is omitted for convenience of description, and the features of this embodiment will be described in detail.

本発明の実施形態による約400nm以上の波長を有する光で硬化されるシール剤は、図6A、図6B、及び図6Cと関連して上述した又は後述する液晶表示板アセンブ製造方法、すなわち、SVAモード、SC−VAモード、及び偏光UV−VAモードに従って下部表示板又は上部表示板に塗布されることができる。塗布されたこのシール剤は、約400nm以上の波長を有する光で硬化される。本発明による約400nm以上の波長を有する光は、可視光線(visible ray)であり得る。   The sealant cured with light having a wavelength of about 400 nm or more according to an embodiment of the present invention is a liquid crystal panel assembly manufacturing method described above or below in connection with FIGS. 6A, 6B, and 6C, ie, SVA. It can be applied to the lower display panel or the upper display panel according to the mode, SC-VA mode, and polarized UV-VA mode. The applied sealant is cured with light having a wavelength of about 400 nm or more. The light having a wavelength of about 400 nm or more according to the present invention may be visible ray.

本発明によるシール剤が約400nm以上の波長で硬化されるために、シール剤に照射される光がシール剤の周辺部に外れていても、配向膜を形成するか又は液晶層に含まれた光硬化剤は硬化されない。したがって、シール剤に照射された光がシール剤の周辺部に外れることを遮断するための遮蔽マスク(shield mask)が必要でないことがあり、これにより、液晶表示板アセンブリの製造工程を簡素化し、液晶表示装置内のシール剤の周辺で発生するエッジムラの不良を防止する。   Since the sealing agent according to the present invention is cured at a wavelength of about 400 nm or more, an alignment film is formed or included in the liquid crystal layer even if the light irradiated to the sealing agent is out of the periphery of the sealing agent. The photocuring agent is not cured. Therefore, a shielding mask for shielding the light applied to the sealant from coming off to the periphery of the sealant may not be necessary, thereby simplifying the manufacturing process of the liquid crystal panel assembly, The defect of edge unevenness generated around the sealing agent in the liquid crystal display device is prevented.

以下、約400nm以上の波長を有する光で硬化されるシール剤の材料について詳細に説明する。約400nm以上の波長を有する光で硬化されるシール剤は、アクリルエポキシハイブリッド樹脂(acryl-epoxy hybrid resin)、アクリル樹脂(acryl resin)、及びエポキシ樹脂(epoxy resin)で構成された樹脂と、ジアミンで構成された硬化剤と、シランで構成されたカップリング剤(coupling agent)と、オキシムエステルで構成された光開始剤と、シリカ(silica)及びアクリル粒子(acryl particle)で構成されたフィラー(filler)とを有する。本発明の実施形態による約400nm以上の波長を有する光で硬化されるシール剤は、オキシムエステル系光開始剤を有することができる。   Hereinafter, the material of the sealing agent cured with light having a wavelength of about 400 nm or more will be described in detail. A sealant that is cured by light having a wavelength of about 400 nm or more includes a resin composed of an acrylic-epoxy hybrid resin, an acrylic resin, and an epoxy resin, and a diamine. A curing agent composed of silane, a coupling agent composed of silane, a photoinitiator composed of oxime ester, and a filler composed of silica and acryl particles (silica particles) filler). The sealant cured with light having a wavelength of about 400 nm or more according to an embodiment of the present invention may have an oxime ester photoinitiator.

アクリルエポキシハイブリッド樹脂、アクリル樹脂、及びエポキシ樹脂は、シール剤の主鎖を構成し、プレポリマー(prepolymer)として機能する。アクリルエポキシハイブリッド樹脂は、下記の構造式S−Iで表現されるジフェニルプロピルアクリルエポキシハイブリッド樹脂(diphenyl propyl acryl-epoxy hybrid resin)であり、アクリル樹脂は、下記の構造式S−IIで表現されるジフェニルプロピルアクリル樹脂(diphenyl propyl acryl resin)であり、エポキシ樹脂は、下記の構造式S−IIIで表現されるジフェニルプロピルエポキシハイブリッド樹脂(diphenyl propyl epoxy hybrid resin)であり得る。   The acrylic epoxy hybrid resin, the acrylic resin, and the epoxy resin constitute a main chain of the sealing agent and function as a prepolymer. The acrylic epoxy hybrid resin is a diphenyl propyl acryl-epoxy hybrid resin represented by the following structural formula SI, and the acrylic resin is represented by the following structural formula S-II. The epoxy resin can be a diphenyl propyl epoxy hybrid resin represented by the following structural formula S-III.

化学式S−I   Chemical formula S-I

化学式S−II   Chemical formula S-II

化学式S−III   Chemical formula S-III

ジアミンは、エポキシ樹脂と反応することにより硬化し、シール剤の汚染を減少させる。ジアミンは、オクタンジヒドラジド(octane dihydrazide)であり得、下記の化学式S−IVで表現されることができる。   The diamine cures by reacting with the epoxy resin and reduces the contamination of the sealant. The diamine may be octane dihydrazide and may be represented by the following chemical formula S-IV.

化学式S−IV   Chemical formula S-IV

シランは、フィラー、有機物、又は無機物の接着力を向上させる。このシランは、トリメトキシ[3−(オキシラニルメトキシ)プロピル]シラン(trimethoxy [3-(oxiranylmethoxy) propyl] silane)であり得、下記の化学式S−Vで表現されることができる。   Silane improves the adhesion of fillers, organic substances, or inorganic substances. The silane may be trimethoxy [3- (oxiranylmethoxy) propyl] silane, and may be represented by the following chemical formula SV.

化学式S−V   Chemical formula SV

オキシムエステルは、プレポリマーを硬化する光重合開始剤である。オキシムエステルは、4−アセチルジフェニルスルフィドオキシムエステル(4-acetyl diphenyl sulfide oxime ester)(Ciba, IRGACURE OXE01, OXE02)であり得、下記の化学式S−VIで表現されることができる。オキシムエステルは、約400nm以上の波長で硬化されることもあり、可視光線により硬化されることもある。   The oxime ester is a photopolymerization initiator that cures the prepolymer. The oxime ester may be 4-acetyl diphenyl sulfide oxime ester (Ciba, IRGACURE OXE01, OXE02), and may be represented by the following chemical formula S-VI. The oxime ester may be cured at a wavelength of about 400 nm or more, and may be cured by visible light.

化学式S−VI   Chemical formula S-VI

本発明の他の実施形態によるオキシムエステルは、下記の化学式S−VIIで表現されることができる。   The oxime ester according to another embodiment of the present invention may be represented by the following chemical formula S-VII.

化学式S−VII   Chemical formula S-VII

ここで、Xは、4−アセチルジフェニルスルフィド(4-acetyl diphenyl sulfide)、N−エチルカルバゾール(N-ethyl carbazole)、及び2’−メチルフェノニルn−エチルカルバゾール(2’-methyl phenonyl n-ethyl carbazole)の中のいずれか1つであり得、これらは、下記の化学式S−VII−X1、 S−VII−X2、及びS−VII−X3でそれぞれ表現されることができる。Y及びZは、それぞれアルキル基(CnH2n+1)であり得る。nは、1〜12の中のいずれか1つの整数であり得る。また、Zは、フェニルであり得る。   Here, X is 4-acetyl diphenyl sulfide, N-ethyl carbazole, and 2'-methyl phenonyl n-ethyl. carbazole), which can be represented by the following chemical formulas S-VII-X1, S-VII-X2, and S-VII-X3, respectively. Y and Z may each be an alkyl group (CnH2n + 1). n may be any one integer from 1 to 12. Z can also be phenyl.

化学式S−VII−X1   Chemical formula S-VII-X1

化学式S−VII−X2   Chemical formula S-VII-X2

化学式S−VII−X3   Chemical formula S-VII-X3

アクリル粒子(acryl particle)は、シール剤の内部応力を減少させ、接着強度を増加させ、樹脂の液晶溶出を防止する。アクリル粒子は、アクリル樹脂であり得、下記の化学式S−VIIIで表現されることができる。   Acrylic particles reduce the internal stress of the sealant, increase the adhesive strength, and prevent the liquid crystal from elution of the resin. The acrylic particles may be an acrylic resin and may be represented by the following chemical formula S-VIII.

化学式S−VIII   Chemical formula S-VIII

シリカは、シール剤の熱膨張係数及び吸収性を減少させ、シール剤の強度を増加させる。シリカは、シリカダイオキシド(SiO2)であり得る。   Silica reduces the thermal expansion coefficient and absorbency of the sealant and increases the strength of the sealant. The silica can be silica dioxide (SiO2).

本発明の1つの実施形態に従って、約400nm以上の波長を有する光で硬化されるシール剤は、約13重量%〜約19重量%であり得、より望ましくは、約16重量%のジフェニルプロピルアクリルエポキシハイブリッド樹脂と、約39重量%〜約49重量%であり得、より望ましくは、約44重量%のジフェニルプロピルアクリル樹脂と、約2重量%〜約7重量%であり得、より望ましくは、約4.5重量%のジフェニルプロピルエポキシハイブリッド樹脂と、約2重量%〜約6重量%であり得、より望ましくは、約4重量%kのオクタンジヒドラジドと、約0.75重量%〜約1.75重量%であり得、より望ましくは、約1.25重量%のトリメトキシ[3−(オキシラニルメトキシ)プロピル]シラン(trimethoxy [3-(oxiranylmethoxy) propyl] silane)と、約0.75重量%〜約1.75重量%であり得、より望ましくは、約1.25重量%の4−アセチルジフェニルスルフィドオキシムエステル(Ciba, IRGACURE OXE01, OXE02)と、約13重量%〜約19重量%であり得、より望ましくは、約16重量%のシリカダイオキシド(SiO2)と、約10重量%〜約16重量%であり得、より望ましくは、約13重量%のアクリル樹脂とを含み得る。   According to one embodiment of the present invention, the light-cured sealant having a wavelength of about 400 nm or more can be from about 13 wt% to about 19 wt%, and more desirably about 16 wt% diphenylpropylacrylic. The epoxy hybrid resin can be about 39% to about 49% by weight, more preferably about 44% by weight diphenylpropyl acrylic resin and about 2% to about 7% by weight, more preferably About 4.5 wt.% Diphenylpropyl epoxy hybrid resin and about 2 wt.% To about 6 wt.%, More preferably about 4 wt.% K octane dihydrazide, about 0.75 wt.% To about 1 .75% by weight, more desirably about 1.25% by weight of trimethoxy [3- (oxiranylmethoxy) propyl] silane (trimethoxy [3- (oxiranylmethoxy) propy l] silane), and may be from about 0.75% to about 1.75% by weight, more preferably about 1.25% by weight of 4-acetyldiphenyl sulfide oxime ester (Ciba, IRGACURE OXE01, OXE02) About 13 wt% to about 19 wt%, more desirably about 16 wt% silica dioxide (SiO 2) and about 10 wt% to about 16 wt%, more desirably about 13 wt%. % By weight acrylic resin.

本発明の実施形態に従って、約400nm以上の波長を有する光で硬化されるシール剤を含む液晶表示板アセンブリの製造工程は簡素化される。また、液晶表示装置は、シール剤の周辺で発生するエッジムラの不良を有しないことがある。さらに、エッジムラを減少させるためにシール剤を表示板100及び200の内部領域から離隔して形成する必要がなく、シール剤を表示板100及び200の内部領域又は内部領域の近傍に形成することができるために、液晶表示装置の外郭領域の幅が従来より約0.3mm〜約1.5mmだけ狭く形成されることができる。   According to an embodiment of the present invention, the manufacturing process of a liquid crystal panel assembly including a sealant that is cured with light having a wavelength of about 400 nm or more is simplified. In addition, the liquid crystal display device may not have a defect of edge unevenness that occurs around the sealant. Further, in order to reduce edge unevenness, it is not necessary to form the sealing agent separately from the inner region of the display plates 100 and 200, and the sealing agent can be formed in the inner region of the display plates 100 and 200 or in the vicinity of the inner region. Therefore, the width of the outer region of the liquid crystal display device can be formed to be narrower by about 0.3 mm to about 1.5 mm than before.

本発明の実施形態に従って、約400nm以上の波長を有する光で硬化されるシール剤は、図6A、図6B、及び図6Cと関連して上述した又は後述する液晶表示板アセンブリ製造方法、すなわち、SVAモード、SC−VAモード、及び偏光UV−VAモードに適用されることができる。   According to an embodiment of the present invention, the sealant cured with light having a wavelength of about 400 nm or more is a liquid crystal panel assembly manufacturing method described above or below in connection with FIGS. 6A, 6B, and 6C. It can be applied to SVA mode, SC-VA mode, and polarized UV-VA mode.

本発明の1つの実施形態に従って、下部及び上部マザーガラス(mother glass)(図示せず)表示板により製造された液晶表示板アセンブリについて詳細に説明する。本発明に従って複数の液晶表示板アセンブリが含まれたマザーガラスアセンブリに露光電圧を安定して供給するために、液晶表示板アセンブリの製造時間を減少させ、量産を可能にする。   A liquid crystal display panel assembly manufactured with lower and upper mother glass (not shown) display panels according to an embodiment of the present invention will be described in detail. In order to stably supply an exposure voltage to a mother glass assembly including a plurality of liquid crystal panel assemblies according to the present invention, the manufacturing time of the liquid crystal panel assembly is reduced and mass production is possible.

本発明の実施形態による下部マザーガラス表示板は、複数の下部表示板100を有し、上部マザーガラス表示板は、複数の上部表示板200を有する。下部又は上部マザーガラス表示板は、それぞれ下部又は上部表示板のサイズに従って異なる個数の表示板を有することができることは、当該分野における通常の知識を有する者に容易に理解される。組み立てられた1つのマザーガラス表示板が複数の液晶表示板アセンブリを有するものを除き、1つの液晶表示板アセンブリを製造する方法は、図6A及び図6Bと関連して上述したSVAモード又はSC−VAモードの製造方法と実質的に同様である。したがって、マザーガラス表示板を使用する液晶表示板アセンブリを製造するための方法の説明において、SVAモード又はSC−VAモードに基づく製造方法と重複する説明を説明の便宜上省略するか又は簡素化し、本発明の特徴を有する製造方法について詳細に説明する。   The lower mother glass display panel according to the embodiment of the present invention includes a plurality of lower display panels 100, and the upper mother glass display panel includes a plurality of upper display panels 200. It will be readily understood by those skilled in the art that the lower or upper mother glass display panel may have different numbers of display panels according to the size of the lower or upper display panel, respectively. Except for the case where one assembled mother glass display panel has a plurality of liquid crystal display panel assemblies, a method for manufacturing one liquid crystal display panel assembly is the SVA mode or SC− described above with reference to FIGS. 6A and 6B. This is substantially the same as the VA mode manufacturing method. Accordingly, in the description of the method for manufacturing the liquid crystal display panel assembly using the mother glass display panel, the description overlapping with the manufacturing method based on the SVA mode or the SC-VA mode is omitted or simplified for the sake of description. The manufacturing method having the features of the invention will be described in detail.

複数の下部表示板100を有する下部マザーガラス表示板と複数の上部表示板200とを有する上部マザーガラス表示板は、上述した下部表示板100及び上部表示板200の製造方法と実質的に同様に製造される。図6A及び図6Bと関連して上述したSVAモード又はSC−VAモードの製造方法により製造され、組み立てられたマザーガラス表示板は、上述したようにアニーリングが行われる。組み立てられたマザーガラス表示板は、下部マザーガラス表示板と上部マザーガラス表示板とで構成され、組み立てられた複数の液晶表示板を含む。   An upper mother glass display panel having a lower mother glass display panel having a plurality of lower display panels 100 and a plurality of upper display panels 200 is substantially the same as the method of manufacturing the lower display panel 100 and the upper display panel 200 described above. Manufactured. The mother glass display panel manufactured and assembled by the SVA mode or SC-VA mode manufacturing method described above with reference to FIGS. 6A and 6B is annealed as described above. The assembled mother glass display panel is composed of a lower mother glass display panel and an upper mother glass display panel, and includes a plurality of assembled liquid crystal display panels.

アニーリングの後に、露光電圧を組み立てられた複数の液晶表示板の画素電極及び共通電極に印加するために組み立てられたマザーガラス表示板の中の下部マザーガラス表示板は、1個以上の辺で部分的に切断される。すなわち、下部マザーガラス表示板のサイズが上部マザーガラス表示板のサイズより約10mm小さく下部マザーガラス表示板の横辺又は縦辺が切断される。したがって、上部マザーガラス表示板は、下部マザーガラス表示板より約10mm大きいために、上部マザーガラス表示板に形成された共通電極層は露出する。露出した共通電極層は、共通電圧印加トリミングパターン(trimming pattern)及び画素電圧印加トリミングパターンを有する。共通電圧印加トリミングパターン及び画素電圧印加トリミングパターンは、前の工程でレーザトリミング(laser trimming)のような方法で形成されることができる。共通電圧印加トリミングパターンは、組み立てられた液晶表示板の各共通電極に接続される。画素電圧印加トリミングパターンは、組み立てられた液晶表示板の各画素電極に接続される。   After annealing, the lower mother glass display panel in the mother glass display panel assembled to apply the exposure voltage to the pixel electrodes and the common electrode of the assembled liquid crystal display panels is partially formed by one or more sides. Disconnected. That is, the size of the lower mother glass display plate is about 10 mm smaller than the size of the upper mother glass display plate, and the horizontal or vertical sides of the lower mother glass display plate are cut. Accordingly, since the upper mother glass display panel is approximately 10 mm larger than the lower mother glass display panel, the common electrode layer formed on the upper mother glass display panel is exposed. The exposed common electrode layer has a common voltage application trimming pattern and a pixel voltage application trimming pattern. The common voltage application trimming pattern and the pixel voltage application trimming pattern may be formed by a method such as laser trimming in the previous process. The common voltage application trimming pattern is connected to each common electrode of the assembled liquid crystal display panel. The pixel voltage application trimming pattern is connected to each pixel electrode of the assembled liquid crystal display panel.

露光電圧は、露出した共通電極層のトリミングパターンに印加される。すなわち、共通電極電圧は、共通電圧印加トリミングパターンに印加され、画素電圧は、画素電圧印加トリミングパターンに印加される。露光電圧は、図6Aと関連して上述したDC電圧又はマルチステップ電圧の供給方法により供給される。本発明の他の実施形態に従って、共通電圧印加トリミングパターン及び画素電圧印加トリミングパターンは、約0V電圧と約9V〜25V電圧との供給を交互に受けることができる。すなわち、約0V電圧及び約9V〜25V電圧の範囲内のいずれか1つの電圧は、約0.05Hz〜5Hzにスイングしつつ、共通電圧印加トリミングパターン及び画素電圧印加トリミングパターンに印加される。より望ましく、約0V電圧及び約10V電圧は、約0.05Hz〜1Hzの範囲内のいずれか1つの値にスイングし、約0V電圧及び約20V電圧は、約0.05Hz〜5Hzの範囲内のいずれか1つの値にスイングすることができる。1周期の間の時間は、約0ms〜5msの範囲内ののいずれか1つの値であり得る。印加された露光電圧は、複数の液晶表示板を構成する画素電極及び共通電極に同時に供給される。したがって、複数の液晶表示板アセンブリの画素電極及び共通電極に接続されたマザーガラス表示板のトリミングパターンに露光電圧を印加するために、工程が簡素であり、均一の露光電圧が複数の液晶表示板アセンブリに印加されることができる。この後に、紫外線を液晶表示板アセンブリに照射することによりプレチルト角を有する光硬化層35及び36を形成する方法が行われ、この方法は、図6A及び図6Bと関連して上述したSVAモード又はSC−VAモードの製造方法と実質的に同様である。完成された液晶表示板アセンブリは、マザーガラス表示板でそれぞれ分離される。   The exposure voltage is applied to the exposed trimming pattern of the common electrode layer. That is, the common electrode voltage is applied to the common voltage application trimming pattern, and the pixel voltage is applied to the pixel voltage application trimming pattern. The exposure voltage is supplied by the DC voltage or multi-step voltage supply method described above with reference to FIG. 6A. According to another embodiment of the present invention, the common voltage application trimming pattern and the pixel voltage application trimming pattern may be alternately supplied with about 0V voltage and about 9V-25V voltage. That is, any one voltage within the range of about 0 V voltage and about 9 V to 25 V voltage is applied to the common voltage application trimming pattern and the pixel voltage application trimming pattern while swinging to about 0.05 Hz to 5 Hz. More desirably, the approximately 0V voltage and approximately 10V voltage swing to any one value within a range of approximately 0.05 Hz to 1 Hz, and approximately 0 V voltage and approximately 20 V voltage are within a range of approximately 0.05 Hz to 5 Hz. It can swing to any one value. The time during one cycle can be any one value in the range of about 0 ms to 5 ms. The applied exposure voltage is simultaneously supplied to the pixel electrode and the common electrode constituting the plurality of liquid crystal display panels. Accordingly, in order to apply the exposure voltage to the trimming pattern of the mother glass display panel connected to the pixel electrode and the common electrode of the plurality of liquid crystal display panel assemblies, the process is simple and the uniform exposure voltage is applied to the plurality of liquid crystal display panels. Can be applied to the assembly. Thereafter, a method of forming the photocured layers 35 and 36 having a pretilt angle by irradiating the liquid crystal panel assembly with ultraviolet rays is performed, and this method is performed in the SVA mode described above with reference to FIGS. 6A and 6B. This is substantially the same as the SC-VA mode manufacturing method. The completed liquid crystal panel assembly is separated by a mother glass panel.

本発明の実施形態に従って露光電圧をマザーガラス表示板に供給することにより液晶表示板アセンブリの画質の特性が均一になり、液晶表示板アセンブリが短時間内に大量製造されることができる。   By supplying the exposure voltage to the mother glass display panel according to the embodiment of the present invention, the image quality characteristics of the liquid crystal display panel assembly become uniform, and the liquid crystal display panel assembly can be mass-produced in a short time.

本発明の1つの実施形態に従って、マザーガラス表示板に形成された後に組み立てられた液晶表示板アセンブリの画素電極及び共通電極に印加される電圧間の偏差及び信号遅延を減少させるために、下部マザーガラス表示板の切断部分は、向かい合う2個以上の辺であり得る。例えば、切断部分が表示板の中心線に対して対称に2つ配置されている場合には、両サイドから電圧を供給可能であり片方から電圧を供給する場合よりも信号遅延が減少し、また、対称でああるために両サイドの電圧の偏差を小さくすることができる。   In order to reduce the deviation and signal delay between voltages applied to the pixel electrode and the common electrode of a liquid crystal display panel assembly formed on the mother glass display panel and then assembled according to one embodiment of the present invention, the lower mother The cut portion of the glass display panel may be two or more sides facing each other. For example, when two cut portions are arranged symmetrically with respect to the center line of the display panel, the voltage can be supplied from both sides, and the signal delay is reduced as compared with the case where the voltage is supplied from one side. Because of the symmetry, the deviation of the voltages on both sides can be reduced.

本発明の1つの実施形態に従って、画素電圧印加トリミングパターンは、上板共通電圧印加点を形成する際に適用される導電体により上板共通電圧印加点を形成する工程と同時に画素電極と電気的に接続されることができる。   According to one embodiment of the present invention, the pixel voltage application trimming pattern is electrically connected to the pixel electrode simultaneously with the step of forming the upper plate common voltage application point by the conductor applied when forming the upper plate common voltage application point. Can be connected to.

偏光UV−VAモード(Polarized Ultra-Violet Vertical-Alignment Mode)
実施形態1
以下、図6Cを参照して、偏光UV−VAモードを有する液晶表示板アセンブリ300の製造方法について説明する。図6Cは、図1乃至図5A及び図5Bを参照して製造された下部表示板100及び上部表示板200を用いて偏光UV−VAモードに基づく液晶表示板アセンブリ300を製造する方法を示す概略的なフローチャートである。偏光UV−VAモードに基づく液晶表示板アセンブリ300を製造する方法は、配向膜291及び292を形成する方法を除き、上述したSVAモード及びSC−VAモードに基づく液晶表示板アセンブリ300を製造する方法と同様である。したがって、配向膜291及び292を形成する方法を除いた製造方法の重複説明は、説明の便宜上省略し、偏光UV−VAモードと他のモード間の差について詳細に説明する。また、下板配向膜291及び上板配向膜292を形成する過程は、実質的に同様であるため、重複説明を避けるために、下板配向膜291の形成過程について詳細に説明する。
Polarized UV-VA mode (Polarized Ultra-Violet Vertical-Alignment Mode)
Embodiment 1
Hereinafter, with reference to FIG. 6C, a method of manufacturing the liquid crystal panel assembly 300 having the polarization UV-VA mode will be described. FIG. 6C schematically illustrates a method of manufacturing a liquid crystal display panel assembly 300 based on a polarized UV-VA mode using the lower display panel 100 and the upper display panel 200 manufactured with reference to FIGS. 1 to 5A and 5B. It is a typical flowchart. A method of manufacturing the liquid crystal display panel assembly 300 based on the polarized UV-VA mode is a method of manufacturing the liquid crystal display panel assembly 300 based on the SVA mode and the SC-VA mode described above except for the method of forming the alignment films 291 and 292. It is the same. Therefore, the redundant description of the manufacturing method excluding the method of forming the alignment films 291 and 292 is omitted for convenience of description, and the difference between the polarized UV-VA mode and other modes will be described in detail. Further, since the process of forming the lower plate alignment film 291 and the upper plate alignment film 292 is substantially the same, the formation process of the lower plate alignment film 291 will be described in detail in order to avoid redundant description.

1番目のステップ、すなわち、ステップS310及びステップS320で、画素電極191を有する下部表示板100及び共通電極270を有する上部表示板200の製造は、図1乃至図5A及び図5Bと関連して説明したものと実質的に同一である。画素電極191及び共通電極270は、上述した微細ブランチ又は微細スリットを有しないことがある。   The manufacture of the lower display panel 100 having the pixel electrode 191 and the upper display panel 200 having the common electrode 270 in the first step, that is, the steps S310 and S320 will be described with reference to FIGS. 1 to 5A and 5B. Is substantially the same as The pixel electrode 191 and the common electrode 270 may not have the fine branch or the fine slit described above.

次のステップS331及びステップS332において、偏光配向反応物(図示せず)は、画素電極191及び共通電極270のそれぞれに塗布された後に、熱により垂直光配向物質層(図示せず)及び偏光主配向物質層(図示せず)にマイクロ相分離(Micro Phase Separation:以下、“MPS”と称する。)が起こるようにする。偏光紫外線がマイクロ相分離が起こった偏光配向反応物に照射された後に、方向性を有する下板配向膜291及び上板配向膜292が形成される。以下、下板配向膜291の形成工程について詳細に説明する。   In the next step S331 and step S332, a polarization alignment reactant (not shown) is applied to each of the pixel electrode 191 and the common electrode 270, and then thermally applied to the vertical photo alignment material layer (not shown) and the polarization main layer. Micro phase separation (hereinafter referred to as “MPS”) occurs in the alignment material layer (not shown). After the polarized ultraviolet light is irradiated to the polarized alignment reactant that has undergone microphase separation, a directional lower plate alignment film 291 and an upper plate alignment film 292 are formed. Hereinafter, the process of forming the lower plate alignment film 291 will be described in detail.

偏光配向反応物は、垂直光配向物質と偏光主配向物質とからなされる。偏光配向反応物は、インクジェット又はロールプリンティングにより電極191及び270上に塗布された後に、後述する硬化によりマイクロ相分離(MPS)が起こるようにする。マイクロ相分離のための硬化は、2つのステップに進むことができる。まず、予備加熱、例えば約60〜90℃、より望ましくは、約80℃で約1〜5分の間、より望ましくは、約2〜3分の間に予備硬化(pre-bake)工程が行われ、偏光配向反応物の溶媒が除去された後、後加熱、例えば、約200℃〜240℃で進む。より望ましくは約220℃で約10〜60分、より望ましくは約10〜20分の間に後硬化(post-bake)工程が行われることによりマイクロ相分離(MPS)構造を形成する。偏光配向反応物のマイクロ相分離が生じた後に、垂直光配向物質は、主に液晶層3の近傍に垂直光配向物質層(図示せず)を形成し、偏光主配向物質は、主に画素電極191の近傍に偏光主配向物質層(図示せず)を形成する。硬化によりマイクロ相分離が生じた偏光主配向物質層は、主配向膜33及び34となる。下板主配向膜33は、約1000Åの厚さを有し得る。したがって、液晶層3に近いほど偏光主配向物質のモル濃度に比べて垂直光配向物質のモル濃度がさらに大きくなる。   The polarization alignment reactant is made of a vertical photo alignment material and a polarization main alignment material. After the polarization alignment reactant is applied on the electrodes 191 and 270 by ink jet or roll printing, microphase separation (MPS) is caused by curing described later. Curing for microphase separation can proceed in two steps. First, a pre-bake step is performed, for example, at about 60-90 ° C., more preferably at about 80 ° C. for about 1-5 minutes, more preferably about 2-3 minutes. Then, after the solvent of the polarization alignment reactant is removed, it is followed by post-heating, for example, about 200 ° C. to 240 ° C. More preferably, a post-bake process is performed at about 220 ° C. for about 10 to 60 minutes, more preferably about 10 to 20 minutes to form a micro phase separation (MPS) structure. After the micro-phase separation of the polarization alignment reactant occurs, the vertical photo alignment material mainly forms a vertical photo alignment material layer (not shown) in the vicinity of the liquid crystal layer 3, and the polarization main alignment material is mainly a pixel. A polarized main alignment material layer (not shown) is formed in the vicinity of the electrode 191. The polarized main alignment material layer that has undergone microphase separation by curing becomes the main alignment films 33 and 34. The lower plate main alignment film 33 may have a thickness of about 1000 mm. Therefore, the closer to the liquid crystal layer 3, the higher the molar concentration of the vertical photo-alignment material is compared with the molar concentration of the polarization main alignment material.

偏光配向反応物を構成する垂直光配向物質と偏光主配向物質との混合重量%比率は、約5:95〜50:50であり得、より望ましくは、約10:90〜30:70である。溶媒は、偏光配向反応物の成分比に含まれない。偏光配向反応物に混合された垂直光配向物質が少ないほど未硬化の光反応基が少ないために、液晶表示装置の残像が減少するだけではなく、光反応基の反応効率が向上する。したがって、垂直光配向物質が約50重量%以下に混合されることが望ましい。また、垂直光配向物質が約5重量%以上に混合される場合に、プレチルト角の均一性がよくなるので、液晶表示装置のムラが減少する。垂直光配向物質及び偏光主配向物質の表面張力は、それぞれ約25−65dyne/cmである。マイクロ相分離がより鮮明に形成されるためには、垂直光配向物質の表面張力は、偏光主配向物質の表面張力より同一であるか又は小さくなければならない。   The mixing weight% ratio of the vertical photo alignment material and the polarization main alignment material constituting the polarization alignment reactant may be about 5:95 to 50:50, more preferably about 10:90 to 30:70. . The solvent is not included in the component ratio of the polarization alignment reactant. The smaller the vertical photo alignment material mixed with the polarization alignment reactant, the fewer uncured photoreactive groups, so that not only the afterimage of the liquid crystal display device is reduced, but also the reaction efficiency of the photoreactive groups is improved. Therefore, it is desirable that the vertical photo alignment material is mixed to about 50% by weight or less. Further, when the vertical photo alignment material is mixed to about 5% by weight or more, the uniformity of the pretilt angle is improved, so that the unevenness of the liquid crystal display device is reduced. The surface tension of the vertical photo alignment material and the polarization main alignment material is about 25-65 dyne / cm, respectively. In order for the microphase separation to be formed more clearly, the surface tension of the vertical photo-alignment material must be the same or less than the surface tension of the polarized main alignment material.

約1,000−1,000,000の重量平均分子量を有するポリマー物質である垂直光配向物質は、柔軟基(flexible functional group)、熱可塑性作用基(thermoplastic functional group)、光反応基(photoreactive group)、及び垂直発現基(vertical functional group)を含む少なくとも1つの側鎖が主鎖にリンクされる化合物である。   A vertical photo-alignment material, which is a polymer material having a weight average molecular weight of about 1,000-1,000,000, includes a flexible functional group, a thermoplastic functional group, a photoreactive group. ), And at least one side chain containing a vertical functional group is a compound linked to the main chain.

柔軟基又は熱可塑性作用基は、ポリマー主鎖にリンクされている側鎖が容易に配向されるようにする作用基であり、約3〜20の炭素数(carbon number)を有する置換又は非置換がなされたアルキル基又はアルコキシ基で構成されることができる。   A flexible or thermoplastic functional group is a functional group that allows the side chain linked to the polymer backbone to be easily oriented, substituted or unsubstituted having a carbon number of about 3-20. Can be composed of an alkyl group or an alkoxy group.

光反応基は、紫外線のような光の照射により直接光重合(photo dimerization)反応又は光異性化(photo isomerization)反応が発生する作用基である。例えば、光反応基は、アゾ(azo)系化合物、シンナメート系化合物、カルコン系化合物、クマリン系化合物、マレイミド系化合物、及びこれらの混合物から選択された少なくとも1つの物質で構成される。   A photoreactive group is a functional group that undergoes a direct photopolymerization reaction or photoisomerization reaction upon irradiation with light such as ultraviolet rays. For example, the photoreactive group is composed of at least one substance selected from an azo compound, a cinnamate compound, a chalcone compound, a coumarin compound, a maleimide compound, and a mixture thereof.

垂直発現基は、基板110及び210と平行に位置した主鎖に対して垂直方向に側鎖の全体を移動させる官能基であり、約3〜10の炭素数を有するアルキル基又はアルコキシ基が置き換えられたアリール基又は約3〜10の炭素数を有するアルキル基又はアルコキシ基が置き換えられたシクロヘキシル基で構成され得る。   The vertical expression group is a functional group that moves the entire side chain in a direction perpendicular to the main chain located parallel to the substrates 110 and 210, and is replaced by an alkyl group or an alkoxy group having about 3 to 10 carbon atoms. Or a cyclohexyl group substituted with an alkyl group or alkoxy group having about 3 to 10 carbon atoms.

柔軟基、光反応基、及び垂直官能基が結合されているジアミンのようなモノマーは、酸無水物(acid anhydride)とともにポリマー重合がなされることにより垂直光配向物質が製造されることができる。例えば、フッ素F、アリール基、及びシンナメートを含む少なくても1つの側鎖がジアミンと酸二無水物(acid dianhydride)とを重合することにより垂直光配向物質を形成する。フッ素Fは、垂直光配向物質を検出するための表示子である。   A monomer such as a diamine to which a flexible group, a photoreactive group, and a vertical functional group are bonded can be polymerized with an acid anhydride to produce a vertical photo-alignment material. For example, at least one side chain containing fluorine F, an aryl group, and cinnamate forms a vertical photo-alignment material by polymerizing diamine and acid dianhydride. Fluorine F is an indicator for detecting a vertical photo alignment material.

他の実施形態による垂直光配向物質は、熱可塑性作用基、光反応基、及び垂直発現基が結合されている化合物をポリイミド、ポリアミック酸などに添加することにより製造されることもある。この場合、熱可塑性作用基がポリマー主鎖に直接リンクされることにより、側鎖は、熱可塑性作用基、光反応基、垂直発現基などを含む。   The vertical photo-alignment material according to another embodiment may be prepared by adding a compound having a thermoplastic functional group, a photoreactive group, and a vertical expression group to polyimide, polyamic acid, or the like. In this case, the thermoplastic functional group is directly linked to the polymer main chain, so that the side chain includes a thermoplastic functional group, a photoreactive group, a vertical expression group, and the like.

一方、偏光主配向物質は、ポリマー主鎖を含むことができ、重量平均分子量は、約10,000−1,000,000である。偏光主配向物質が約50−80モル%濃度のイミド基を含む場合に、液晶表示装置のムラ及び残像が減少する。マイクロ相分離がより鮮明に形成され、液晶表示装置の残像を減少させるために、偏光主配向物質は、ポリマー主鎖にリンクされた垂直発現基を約5モル%以下に含み得る。   Meanwhile, the polarization main alignment material may include a polymer main chain, and the weight average molecular weight is about 10,000-1,000,000. When the polarized main alignment material contains an imide group having a concentration of about 50 to 80 mol%, unevenness and afterimage of the liquid crystal display device are reduced. In order that the micro phase separation is more clearly formed and the afterimage of the liquid crystal display device is reduced, the polarization main alignment material may include about 5 mol% or less of vertically expressing groups linked to the polymer main chain.

主鎖は、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリアミックイミド(polyamicimide)、ポリエステル、ポリエチレン、ポリウレタン、ポリスチレン、及びこれらの混合物から選択された少なくとも1つの物質でなされることができる。主鎖がイミド基の環構造を多く含むほど、例えば、望ましくは、イミド基を約50モル%以上含む場合に、主鎖の剛性がさらに大きくなる。したがって、液晶表示装置を長期間駆動した時に発生するムラが減少し、液晶分子の配向安全性がよくなる。   The main chain may be made of at least one material selected from polyimide, polyamic acid, polyamide, polyamicimide, polyester, polyethylene, polyurethane, polystyrene, and mixtures thereof. The more the main chain contains the ring structure of the imide group, the higher the rigidity of the main chain, for example, desirably when the imide group contains about 50 mol% or more. Therefore, unevenness generated when the liquid crystal display device is driven for a long time is reduced, and the alignment safety of the liquid crystal molecules is improved.

偏光主配向物質は、上述したSC−VAモードの表面主配向物質であり得る。また、偏光主配向物質は、VAモード又はTNモードに一般的に使用される物質であり得ることは、当該分野における通常の知識を有する者には容易に理解される。   The polarized main alignment material may be the SC-VA mode surface main alignment material described above. In addition, it is easily understood by those skilled in the art that the polarization main alignment material may be a material generally used for the VA mode or the TN mode.

紫外線がマイクロ相分離が起こった垂直光配向物質層に照射される場合に、光反応基は、光硬化されることにより光硬化層35を形成する。熱硬化により形成された主配向膜33及び紫外線により形成された光硬化層35は、下板配向膜291を構成する。   When the vertical photo-alignment material layer having undergone microphase separation is irradiated with ultraviolet rays, the photoreactive group is photocured to form the photocured layer 35. The main alignment film 33 formed by heat curing and the photocured layer 35 formed by ultraviolet rays constitute a lower plate alignment film 291.

垂直光配向物質層に照射される光は、偏光紫外線、平行紫外線(Collimated UV)又は傾斜した光であり得る。偏光紫外線は、直線偏光紫外線(linearly polarized ultra-violet:LPUV)又は部分偏光紫外線(partially polarized ultra-violet:PPUV)であり得る。照射波長は、約270nm〜360nmであり、照射エネルギーは、約10〜5,000mJであり得る。光を透過する開口部と遮光する遮光部とが備えられたマスクが下部表示板100又は上部表示板200の光硬化領域又は非光硬化領域に対応するように配置された後に、光が照射される。本発明の一実施形態に従って、LPUVは、表示板の基板110及び210に対して所定の傾斜角、例えば、約20°〜70°に照射される。マスクの開口部を通過した光により、垂直光配向物質層は、二量化反応(dimerization reaction)、シストランス異性化反応(cis-trans isomerization)、又は光分解反応(light-decomposition reaction)を起こす。したがって、LPUVの方向及び偏光方向に従って光硬化された光硬化層35のポリマーは、基板110に垂直である方向に対して若干斜めに傾いた方向性を有する。   The light applied to the vertical photo alignment material layer may be polarized UV light, collimated UV light, or tilted light. The polarized ultraviolet light can be linearly polarized ultra-violet (LPUV) or partially polarized ultra-violet (PPUV). The irradiation wavelength can be about 270 nm to 360 nm, and the irradiation energy can be about 10 to 5,000 mJ. After a mask having an opening that transmits light and a light blocking portion that blocks light is disposed so as to correspond to the light-curing region or the non-light-curing region of the lower display panel 100 or the upper display panel 200, light is irradiated. The In accordance with an embodiment of the present invention, the LPUV is irradiated to the substrates 110 and 210 of the display panel at a predetermined inclination angle, for example, about 20 ° to 70 °. The vertical photo alignment material layer undergoes a dimerization reaction, a cis-trans isomerization reaction, or a light-decomposition reaction due to light passing through the opening of the mask. Therefore, the polymer of the photocured layer 35 that has been photocured according to the LPUV direction and the polarization direction has a direction that is slightly inclined with respect to the direction perpendicular to the substrate 110.

これは、配向膜291及び292の表面が一定の方向にラビングされたものと同一の効果を有し、光硬化層35に隣接した液晶分子31は、光硬化層35のポリマーと同様に傾くことにより一定の角のプレチルト角を有する。したがって、偏光紫外線の傾斜角に基づいて液晶分子31のプレチルト角の方向が決定され、一定のプレチルト角方向の液晶分子を有するドメインが形成される。本発明の実施形態に従って、2個のプレチルト角の方向を有する光硬化層35及び36は、下部表示板100及び上部表示板200の各々に形成され、液晶表示装置の液晶層3は、光硬化層35及び36のプレチルト角の方向にベクトル和により相互に異なる方位角を有する4個のドメインを有する。他方、4個の相互に異なる方向を有する光硬化層35及び36は、下部表示板100及び上部表示板200の中のいずれか1つに形成され、これにより、液晶層3は、4個のドメインを有することができる。4個のドメインの方位角は、偏光子の偏光軸に対して約45°傾き得る。   This has the same effect as that in which the surfaces of the alignment films 291 and 292 are rubbed in a certain direction, and the liquid crystal molecules 31 adjacent to the photocured layer 35 are tilted similarly to the polymer of the photocured layer 35. To have a constant pretilt angle. Therefore, the direction of the pretilt angle of the liquid crystal molecules 31 is determined based on the tilt angle of the polarized ultraviolet light, and a domain having liquid crystal molecules having a certain pretilt angle direction is formed. According to the embodiment of the present invention, the photocuring layers 35 and 36 having two pretilt angle directions are formed on the lower display panel 100 and the upper display panel 200, respectively, and the liquid crystal layer 3 of the liquid crystal display device is photocured. The layers 35 and 36 have four domains having different azimuth angles by vector sum in the direction of the pretilt angle. On the other hand, the four photo-curing layers 35 and 36 having different directions are formed on any one of the lower display panel 100 and the upper display panel 200, so that the liquid crystal layer 3 includes four liquid crystal layers 3. You can have a domain. The azimuth angles of the four domains can be tilted about 45 ° with respect to the polarization axis of the polarizer.

次のステップS340において、シール剤は、下板配向膜291及び上板配向膜292が形成された下部表示板100と上部表示板200との間に形成され、2つの表示板100及び200が密封されることにより液晶表示板アセンブリ300が製造される。このように製造された液晶表示板アセンブリ300は、偏光UV−VAモードの特性を有する。液晶表示装置が偏光UV−VAモードに基づいて製造される場合に、未硬化の光反応基が減少することにより液晶表示装置の残像が減少する。また、ドメインが偏光紫外線の方向に基づいて形成されることにより、液晶表示装置の加工性(processability)が改善する。言い換えれば、SVAモード又はSC−VAモードにおいて、液晶分子31は、露光電圧により液晶層3に形成された電場及び微細ブランチ197の方向に従ってプレチルト角を有するが、偏光UV−VAモードにおいて、光硬化層35は、微細ブランチ197が存在するか否か及び微細ブランチ197の方向に無関係に、2つの表示板100及び200の密封の前に形成されることにより加工性を改善させる。   In the next step S340, the sealant is formed between the lower display panel 100 and the upper display panel 200 on which the lower plate alignment film 291 and the upper plate alignment film 292 are formed, and the two display panels 100 and 200 are sealed. As a result, the liquid crystal panel assembly 300 is manufactured. The liquid crystal panel assembly 300 manufactured in this way has a polarization UV-VA mode characteristic. When the liquid crystal display device is manufactured based on the polarized UV-VA mode, an afterimage of the liquid crystal display device is reduced due to a decrease in uncured photoreactive groups. Also, the processability of the liquid crystal display device is improved by forming the domains based on the direction of polarized ultraviolet rays. In other words, in the SVA mode or the SC-VA mode, the liquid crystal molecules 31 have a pretilt angle according to the direction of the electric field and fine branch 197 formed in the liquid crystal layer 3 by the exposure voltage, but in the polarized UV-VA mode, photocuring The layer 35 is formed before the sealing of the two display panels 100 and 200 to improve workability regardless of whether the micro branch 197 exists or not and the direction of the micro branch 197.

実施形態2
本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配向膜は、混合光配向物質48を有する偏光配向反応物により形成される。本発明による偏光配向反応物に含まれた混合光配向物質48は、相分離過程で偏光配向反応物の表面に容易に移動し、これにより、未硬化の光反応性ポリマーが減少し、液晶表示装置の生産コスト、残留DC電圧又は残像が減少する。本発明の一実施形態による混合光配向物質48は、熱反応部48a、光反応部48b、及び垂直発現部48cを含み、これらで構成された化合物であり得る。
Embodiment 2
The alignment film of the liquid crystal display according to another embodiment of the present invention is formed of a polarization alignment reactant having a mixed photo alignment material 48. The mixed photo alignment material 48 contained in the polarization alignment reactant according to the present invention easily moves to the surface of the polarization alignment reactant in the phase separation process, thereby reducing the uncured photoreactive polymer and the liquid crystal display. Equipment production costs, residual DC voltage or afterimage are reduced. The mixed photo alignment material 48 according to an embodiment of the present invention may include a thermal reaction part 48a, a light reaction part 48b, and a vertical expression part 48c, and may be a compound composed of these.

本発明の実施形態は、偏光配向反応物を構成する材料及び熱硬化工程でマイクロ相分離(MPS)工程を除き、上述した偏光UV−VAモードにより製造された液晶表示板アセンブリと実質的に同様である。以下、説明の便宜上、重複説明を簡略に説明するか又は省略する。上板配向膜292及び下板配向膜291を形成することは実質的に同様であるので、上板配向膜292及び下板配向膜291を区分せず、本発明の実施形態による配向膜の形成工程について詳細に説明する。   The embodiment of the present invention is substantially the same as the liquid crystal panel assembly manufactured by the polarized UV-VA mode described above except for the material constituting the polarization alignment reactant and the micro-phase separation (MPS) process in the thermosetting process. It is. Hereinafter, for convenience of explanation, the duplicate explanation will be briefly explained or omitted. Since the formation of the upper plate alignment film 292 and the lower plate alignment film 291 is substantially the same, the upper plate alignment film 292 and the lower plate alignment film 291 are not distinguished, and the alignment film according to the embodiment of the present invention is formed. The process will be described in detail.

以下、図15A〜図15Gを参照して本発明の実施形態に従って混合光配向物質48を有する偏光配向反応物47により形成された配向膜の形成工程について詳細に説明する。図15A〜図15Gは、本発明の2番目のUV−VAモードの実施形態に従って液晶表示板アセンブリの配向膜が形成される工程を順次に示す断面図である。図15Aを参照して、混合光配向物質48を有する偏光配向反応物47は、上述したように、画素電極191及び共通電極270上に塗布される。混合光配向物質48を有する偏光配向反応物47は、下部表示板100及び上部表示板200の内部領域に形成され、又は外郭領域に一部重なるように塗布されることもある。混合光配向物質48を有する偏光配向反応物47は、偏光主配向物質37、光配向垂直物質49、混合光配向物質48、及び溶媒の混合物であり得る。画素電極191及び共通電極270は、上述した微細ブランチ又は微細スリットを有しないこともある。   Hereinafter, with reference to FIGS. 15A to 15G, a process of forming an alignment film formed by the polarization alignment reactant 47 having the mixed photo alignment material 48 according to the embodiment of the present invention will be described in detail. 15A to 15G are cross-sectional views sequentially illustrating a process of forming an alignment film of the liquid crystal panel assembly according to the second UV-VA mode embodiment of the present invention. Referring to FIG. 15A, the polarization alignment reactant 47 having the mixed photo alignment material 48 is applied on the pixel electrode 191 and the common electrode 270 as described above. The polarization alignment reactant 47 having the mixed light alignment material 48 may be formed in the inner region of the lower display panel 100 and the upper display panel 200, or may be applied so as to partially overlap the outer region. The polarization alignment reactant 47 having the mixed photo alignment material 48 may be a mixture of a polarization main alignment material 37, a photo alignment vertical material 49, a mixed photo alignment material 48, and a solvent. The pixel electrode 191 and the common electrode 270 may not have the fine branch or the fine slit described above.

以下、混合光配向物質48を有する偏光配向反応物47を構成する偏光主配向物質37、光配向垂直物質49、混合光配向物質48、及び溶媒の構成比について詳細に説明する。   Hereinafter, the composition ratio of the polarization main alignment material 37, the photo alignment vertical material 49, the mixed photo alignment material 48, and the solvent constituting the polarization alignment reactant 47 having the mixed photo alignment material 48 will be described in detail.

光配向垂直物質49、偏光主配向物質37、及び混合光配向物質48を含むことにより製造された固形分(solid contents)は、溶媒に溶解されることにより混合光配向物質48を有する偏光配向反応物47を形成する。偏光配向反応物47において、溶媒は、約85重量%〜約98重量%であり得、より望ましくは、約93.5重量%であり、溶媒を除いた固形分、すなわち、偏光主配向物質37と光配向垂直物質49と混合光配向物質48との混合物は、偏光配向反応物47の中で約2重量%〜約15重量%であり得、より望ましくは、約6.5重量%である。約2重量%以上の含量を有する固形分は、下部又は上部表示板に塗布される時に偏光配向反応物47の印刷性をよくすることができる。約15重量%以下の含量を有する固形分は、固形分が溶媒に溶けないために形成される沈着物(precipitates)の生成を防止することができ、偏光配向反応物47の印刷性をよくすることができる。   The solid contents produced by including the photo alignment vertical material 49, the polarization main alignment material 37, and the mixed photo alignment material 48 are dissolved in a solvent to thereby have the polarization alignment reaction having the mixed photo alignment material 48. An object 47 is formed. In the polarization alignment reactant 47, the solvent may be about 85 wt% to about 98 wt%, more preferably about 93.5 wt%, and the solid content excluding the solvent, that is, the polarization main alignment material 37. The mixture of the photo alignment vertical material 49 and the mixed photo alignment material 48 may be about 2 wt% to about 15 wt% in the polarization alignment reactant 47, more preferably about 6.5 wt%. . The solid content having a content of about 2% by weight or more can improve the printability of the polarization alignment reactant 47 when applied to the lower or upper display panel. The solid content having a content of about 15% by weight or less can prevent the formation of precipitates formed because the solid content does not dissolve in the solvent, and improves the printability of the polarization alignment reactant 47. be able to.

偏光主配向物質37は、固形分の中で約34重量%〜約89.55重量%であり得、より望ましくは、約70重量%であり、光配向垂直物質49は、固形分の中で約8.5重量%〜約59.7重量%であり得、より望ましくは、約30重量%であり、混合光配向物質48は、固形分の中で約0.5重量%〜約15重量%であり得、より望ましくは、約5重量%である。固形分は、偏光配向反応物47の中で溶媒を除いたものである。固形分の全重量の約0.5重量%以上の含量を有する混合光配向物質48は、光配向垂直物質49と反応することにより光配向垂直物質49に最小の光反応性を提供することができる。また、固形分の全重量の約15重量%以下の含量を有する混合光配向物質48は、偏光配向反応物47により形成された配向膜の配向特性が減少することを最小にすることができる。   The polarization main alignment material 37 may be about 34 wt% to about 89.55 wt% in the solid content, more preferably about 70 wt%, and the photo alignment vertical material 49 is in the solid content. From about 8.5 wt% to about 59.7 wt%, more desirably about 30 wt%, and the mixed photoalignment material 48 is about 0.5 wt% to about 15 wt% in solids. %, More desirably about 5% by weight. The solid content is obtained by removing the solvent from the polarization alignment reactant 47. The mixed photo-alignment material 48 having a content of about 0.5% by weight or more of the total weight of the solid content can provide the photo-alignment vertical material 49 with minimum photoreactivity by reacting with the photo-alignment vertical material 49. it can. In addition, the mixed photo alignment material 48 having a content of about 15% by weight or less of the total weight of the solid content can minimize the decrease in the alignment characteristics of the alignment film formed by the polarization alignment reactant 47.

光配向垂直物質49と偏光主配向物質37との重量比は、約1:9〜約6:4であり得、より望ましくは、約1:9〜約5:5であり得る。このような重量比を有する偏光配向反応物47は、上述した予備加熱又は後加熱によりマイクロ相分離が容易に起こり得、混合光配向物質48は、空気と接触する偏光配向反応物47の表面に容易に移動されることができる。光配向垂直物質49及び偏光主配向物質37は、物質の保管性及び印刷性のためにそれぞれ約10,000〜約900,000の重量平均分子量を有することができる。重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(Gel Permeation Chromatography:GPC)により測定された単分散ポリスチレン換算値(polystyrene-reduced value)である。   The weight ratio of the photo alignment vertical material 49 and the polarization main alignment material 37 may be about 1: 9 to about 6: 4, and more preferably about 1: 9 to about 5: 5. The polarization alignment reactant 47 having such a weight ratio can easily undergo microphase separation by the above-described pre-heating or post-heating, and the mixed photo-alignment material 48 is formed on the surface of the polarization alignment reactant 47 in contact with air. Can be easily moved. The photo alignment vertical material 49 and the polarization main alignment material 37 may have a weight average molecular weight of about 10,000 to about 900,000, respectively, for the storage property and printability of the material. The weight average molecular weight is a monodispersed polystyrene-reduced value measured by gel permeation chromatography (GPC).

以下、混合光配向物質48を有する偏光配向反応物47を構成する偏光主配向物質37、光配向垂直物質49、混合光配向物質48、及び溶媒について詳細に説明する。   Hereinafter, the polarization main alignment material 37, the photo alignment vertical material 49, the mixed photo alignment material 48, and the solvent that constitute the polarization alignment reactant 47 having the mixed photo alignment material 48 will be described in detail.

偏光主配向物質37は、側鎖を有しない約95モル%〜約100モル%のモノマーと側鎖を有する約0モル%〜約5モル%のモノマーとで構成された化合物であり、これらの組成を有する偏光主配向物質37は、水平配向性を有する。側鎖を有しないモノマーは、偏光主配向物質37の中で約100モル%であるものが望ましいが、水平配向性を減少させない組成範囲、すなわち、約95モル%〜約100モル%であり得る。また、側鎖を有するモノマーは、水平配向性を減少させない組成範囲、すなわち、偏光主配向物質37の中で約0モル%〜約5モル%であり得る。偏光主配向物質37を構成するモノマーの側鎖は、−Hを除くすべての作用基を含むことができる。表面主配向物質37を構成するモノマーの側鎖が光配向垂直物質49を構成するモノマーの側鎖と実質的に同一であり得るが、側鎖を有するモノマーの組成比が小さいので、偏光主配向物質37は、水平配向性を有することができる。   The polarization main alignment material 37 is a compound composed of about 95 mol% to about 100 mol% monomer having no side chain and about 0 mol% to about 5 mol% monomer having a side chain. The polarization main alignment material 37 having the composition has horizontal alignment. The monomer having no side chain is preferably about 100 mol% in the polarization main alignment material 37, but may have a composition range that does not reduce horizontal alignment, that is, about 95 mol% to about 100 mol%. . Further, the monomer having a side chain may be in a composition range that does not reduce the horizontal alignment, that is, about 0 mol% to about 5 mol% in the polarization main alignment material 37. The side chain of the monomer constituting the polarization main alignment material 37 can include all functional groups except -H. Although the side chain of the monomer constituting the surface main alignment material 37 may be substantially the same as the side chain of the monomer constituting the photo alignment vertical material 49, the composition ratio of the monomer having the side chain is small, so that the polarization main alignment The material 37 may have a horizontal orientation.

偏光主配向物質37は、ポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、ポリシロキサン系化合物、ポリビニルシンナメート系化合物、ポリアクリレート系化合物、ポリメチルメタクリレート系化合物及びこれらの混合物から選択された少なくとも1つの物質であり得る。   The polarization main alignment material 37 is at least one material selected from a polyimide compound, a polyamic acid compound, a polysiloxane compound, a polyvinyl cinnamate compound, a polyacrylate compound, a polymethyl methacrylate compound, and a mixture thereof. possible.

本発明の一実施形態に従って、偏光主配向物質37がポリイミド系化合物である場合に、主鎖は、イミド結合を有するモノマーであり得る。   According to an embodiment of the present invention, when the polarization main alignment material 37 is a polyimide compound, the main chain may be a monomer having an imide bond.

光配向垂直物質49は、末端が疎水性基(hydrophobic group)を有する側鎖にリンクされたモノマーと側鎖を有しないモノマーとで構成された化合物である。光配向垂直物質49を構成する側鎖を有するモノマーは、10モル%(モル%)〜70モル%であり得、より望ましくは、約20モル%〜約60モル%であり得、側鎖を有しないモノマーは、30モル%〜90モル%であり得、より望ましくは、約40モル%〜約80モル%であり得る。これらの組成を有する光配向垂直物質49は、垂直配向性を有する。   The photo-alignment vertical material 49 is a compound composed of a monomer having a terminal linked to a side chain having a hydrophobic group and a monomer having no side chain. The monomer having a side chain constituting the photo-alignment vertical material 49 may be 10 mol% (mol%) to 70 mol%, and more desirably about 20 mol% to about 60 mol%. The monomer that does not have can be from 30 mole% to 90 mole%, and more desirably from about 40 mole% to about 80 mole%. The photo-alignment vertical material 49 having these compositions has vertical alignment.

光配向垂直物質49を構成する側鎖を有するモノマーと側鎖を有しないモノマーとは、それぞれポリイミド系化合物を構成するイミド結合のモノマー、ポリアミック酸系化合物を構成するアミック酸系モノマー、ポリシロキサン系化合物を構成するシロキサン系モノマー、ポリビニルシンナメート系化合物を構成するビニルシンナメート系モノマー、ポリアクリル酸系化合物を構成するアクリレート系モノマー、ポリメチルメタクリレート系化合物を構成するメチルメタクリル酸系モノマー及びこれらの混合物から選択された少なくとも1つの物質であり得る。   The monomer having a side chain and the monomer having no side chain constituting the photo-alignment vertical substance 49 are respectively an imide bond monomer constituting a polyimide compound, an amic acid monomer constituting a polyamic acid compound, and a polysiloxane Siloxane monomer constituting compound, vinyl cinnamate monomer constituting polyvinyl cinnamate compound, acrylate monomer constituting polyacrylic acid compound, methyl methacrylic acid monomer constituting polymethyl methacrylate compound, and these It may be at least one substance selected from a mixture.

光配向垂直物質49の主鎖は、ポリイミド系化合物又はポリアミック酸系化合物であり得る。本発明の実施形態に従ってイミド結合のモノマーで構成された光配向垂直物質49は、主鎖としてポリイミド系化合物を含み、側鎖が主鎖にリンクされた構造を有する。イミド結合のモノマーで構成された光配向垂直物質49は、ポリアミック酸系化合物の一部をイミド化させることにより製造されることができる。光配向垂直物質49の主鎖は、側鎖を除いたモノマーの接続部分として定義される。本発明の実施形態に従って、主鎖としてポリアミック酸系化合物を含む光配向垂直物質49は、ジアミン系化合物及び酸無水物の反応により製造されることができる。ジアミン系化合物は、側鎖と実質的に同一の作用基を有するジアミンであり得る。   The main chain of the photo-alignment vertical material 49 may be a polyimide compound or a polyamic acid compound. The photo-alignment vertical material 49 composed of imide bond monomers according to an embodiment of the present invention has a structure in which a polyimide-based compound is included as a main chain and side chains are linked to the main chain. The photo-alignment vertical material 49 composed of an imide bond monomer can be produced by imidizing a part of a polyamic acid compound. The main chain of the photo-alignment vertical material 49 is defined as the connecting portion of the monomer excluding the side chain. According to an embodiment of the present invention, the photo-alignment vertical material 49 including a polyamic acid compound as a main chain can be manufactured by a reaction of a diamine compound and an acid anhydride. The diamine-based compound may be a diamine having substantially the same functional group as the side chain.

光配向垂直物質49の側鎖は、第1の作用基と、第1の作用基に接続され、複数の炭素環を含む第2の作用基と、第2の作用基に接続された垂直発現基49cとを有する。第1の作用基は、約1〜10の炭素数を有するアルキル基又はアルコキシ基を含むことができる。第2の作用基は、第1の作用基により主鎖にリンクされ、垂直発現基49cにリンクされる。第2の作用基は、シクロヘキサン、ベンゼン、クロマン(chroman)、ナフタレン(naphthalene)、テトラヒドロピラン(tetrahydropyran)、ジオキサン(dioxane)、又はステロイド誘導体を含むことができる。図15Cに示す垂直発現基49cは、側鎖の末端にリンクされた疏水性基である。垂直発現基49cは、1〜12の炭素数を有する直鎖アルキル基、直鎖アルキルに側鎖がリンクされた分岐アルキル基、又は2〜12の炭素数を有するアルケニル基を含むことができる。垂直発現基49cにおいて、水素原子は、それぞれF又はClに置き換えられることができる。   The side chain of the photo-alignment vertical material 49 is connected to the first functional group, the first functional group, the second functional group including a plurality of carbon rings, and the vertical expression connected to the second functional group. Group 49c. The first functional group can include an alkyl group or an alkoxy group having about 1 to 10 carbon atoms. The second functional group is linked to the main chain by the first functional group and is linked to the vertical expression group 49c. The second functional group can include cyclohexane, benzene, chroman, naphthalene, tetrahydropyran, dioxane, or a steroid derivative. The vertical expression group 49c shown in FIG. 15C is a hydrophobic group linked to the end of the side chain. The vertical expression group 49c may include a linear alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a branched alkyl group having a side chain linked to the linear alkyl, or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms. In the vertically expressed group 49c, the hydrogen atom can be replaced with F or Cl, respectively.

本発明の実施形態に従って、光配向垂直物質49の側鎖は、次の化学式X−UV1〜X−UV4で表現されるモノマーであり得る。   According to the embodiment of the present invention, the side chain of the photo-alignment vertical material 49 may be a monomer represented by the following chemical formulas X-UV1 to X-UV4.

化学式X−UV1   Chemical formula X-UV1

化学式X−UV2   Chemical formula X-UV2

化学式X−UV3   Chemical formula X-UV3

化学式X−UV4   Chemical formula X-UV4

本発明の一実施形態に従って、光配向垂直物質49の側鎖は、光反応基を有する光反応部を含むことができる。光配向垂直物質49の側鎖にリンクされた光反応基は、光により硬化されることによりプレチルト角を有する光硬化層を形成することができる。光反応部48bは、第2の作用基と置き換えられ、すなわち、第1の作用基と垂直発現基49c間に介在し、第1の作用基及び垂直発現基49cにリンクされることができる。他方、光反応部48bは、第1の作用基と第2の作用基との間に介在することにより、第1及び第2の作用基にそれぞれリンクされることができる。光配向垂直物質49の側鎖にリンクされた光反応部は、下記の化学式X−UV5〜X−UV9で表現されるモノマーであり得る。   According to an embodiment of the present invention, the side chain of the photo-alignment vertical material 49 may include a photoreactive portion having a photoreactive group. The photoreactive group linked to the side chain of the photo-alignment vertical material 49 can be cured by light to form a photocured layer having a pretilt angle. The photoreaction unit 48b can be replaced with the second functional group, that is, interposed between the first functional group and the vertical expression group 49c and linked to the first functional group and the vertical expression group 49c. On the other hand, the photoreactive portion 48b can be linked to the first and second working groups by interposing between the first working group and the second working group. The photoreactive portion linked to the side chain of the photo-alignment vertical material 49 may be a monomer represented by the following chemical formulas X-UV5 to X-UV9.

化学式X−UV5   Chemical formula X-UV5

化学式X−UV6   Chemical formula X-UV6

化学式X−UV7   Chemical formula X-UV7

化学式X−UV8   Chemical formula X-UV8

化学式X−UV9   Chemical formula X-UV9

光配向垂直物質49の側鎖にリンクされた光反応部は、上述した光反応性ポリマー、反応性メソゲン(RM)、光重合物質、光異性化物質、及びこれらの化合物又は混合物から選択された少なくとも1つの物質であり得る。   The photoreactive portion linked to the side chain of the photo-alignment vertical material 49 was selected from the photoreactive polymer, reactive mesogen (RM), photopolymerization material, photoisomerization material, and compounds or mixtures thereof. It can be at least one substance.

本発明による混合光配向物質48は、下記の化学式X−UP1で表現される化合物を有する。混合光配向物質48は、熱反応部48a、光反応部48b、接続部及び垂直発現部48cで構成される。熱反応部48aは、熱により炭素間の結合が切れ、光配向垂直物質49と混合光配向物質48との結合が容易となる。光反応部48bは、光により他の光反応部に結合される。接続部は、光反応部48b、熱反応部48a、及び垂直発現部48cを接続する。垂直発現部48cは、混合光配向物質48の垂直配向性を向上させる。   The mixed photo alignment material 48 according to the present invention includes a compound represented by the following chemical formula X-UP1. The mixed photo-alignment material 48 includes a thermal reaction part 48a, a light reaction part 48b, a connection part, and a vertical expression part 48c. In the thermal reaction part 48a, the bond between carbons is cut by heat, and the bond between the photo alignment vertical material 49 and the mixed photo alignment material 48 becomes easy. The light reaction part 48b is coupled to another light reaction part by light. The connection part connects the light reaction part 48b, the heat reaction part 48a, and the vertical expression part 48c. The vertical manifestation part 48 c improves the vertical alignment property of the mixed light alignment material 48.

化学式X−UP1   Chemical formula X-UP1

(化129)
−X−A−Y−D
上述した化学式において、Aは、図15Cに示す混合光配向物質48の光反応部48bである。光反応部48bは、照射される光を受信することにより隣接した光反応部48bと重合されるか又は硬化されることができる。Aは、シンナメート、クマリン、又はカルコンであり得る。
(Chemical Formula 129)
B 1 -X 1 -A 1 -Y 1 -D
In the chemical formula described above, A 1 is the photoreaction portion 48b of the mixed photo-alignment material 48 shown in FIG. 15C. The photoreaction unit 48b can be polymerized or cured with the adjacent photoreaction unit 48b by receiving the irradiated light. A 1 can be cinnamate, coumarin, or chalcone.

及びYは、接続部であり、光反応部A、熱反応部B、及び垂直発現部Dを接続させる。X及びYは、それぞれ単結合又は−C2n−(nは、1〜6の整数である)であり得る。X及び/又はYが−C2n−である場合、X及び/又はYは、直鎖(linear)型又は分岐(branched)型炭化水素を有することができる。 X 1 and Y 1 are connection parts, and connect the photoreaction part A 1 , the thermal reaction part B 1 , and the vertical expression part D. X 1 and Y 1 may each be a single bond or —C n H 2n — (n is an integer of 1 to 6). When X 1 and / or Y 1 is —C n H 2n —, X 1 and / or Y 1 can have a linear type or branched type hydrocarbon.

及びYを構成する1つ以上の−CH−は、−O−又は−Si−に置き換えられることができる。本発明の実施形態に従って、X及び/又はYは、−CH−、−CH−CH−、−O−CH−、−CH−Si−、又は−O−Si−O−であり得る。 One or more —CH 2 — constituting X 1 and Y 1 can be replaced by —O— or —Si—. According to an embodiment of the present invention, X 1 and / or Y 1 is —CH 2 —, —CH 2 —CH 2 —, —O—CH 2 —, —CH 2 —Si—, or —O—Si—O. -Can be

は、図15Cに示す熱反応部48aである。Bは、熱により容易に切れる炭素間の結合又は炭素と酸素との結合で構成され、光配向垂直物質49と容易に結合されることができる。Bは、 B 1 represents a heat-reactive part 48a shown in FIG. 15C. B 1 is composed of a bond between carbons or a bond between carbon and oxygen that can be easily cut by heat, and can be easily bonded to the photo-alignment vertical material 49. B 1 is

又は Or

であり得る。 It can be.

Dは、図15Cに示す垂直配向性を有する混合光配向物質48の垂直発現部48cであり、1〜12の炭素数を有するアルキル基又は2〜12の炭素数を有するアルケニル基である。混合光配向物質48の垂直発現部48cは、垂直配向性を向上させる。すなわち、光配向垂直物質49の側鎖にリンクされた垂直発現基49cの他に、混合光配向物質48が垂直発現部48cを有することにより偏光配向反応物47を構成する垂直作用基が多くなる。したがって、垂直発現部48cを有する混合光配向物質48及び垂直発現基49cを有する光配向垂直物質49は、熱硬化過程で結合されることにより垂直配向作用基の密度を増加させ、配向膜の垂直配向性を向上させることができる。化学式X−UP1において、Bを除いた水素原子は、それぞれF又はClに置き換えられることができる。 D is the vertical expression part 48c of the mixed photo-alignment material 48 having the vertical alignment shown in FIG. 15C, and is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms. The vertical expression part 48c of the mixed photo-alignment material 48 improves the vertical alignment. That is, in addition to the vertical expression group 49 c linked to the side chain of the photo-alignment vertical material 49, the mixed photo-alignment material 48 has the vertical expression part 48 c, thereby increasing the number of vertical action groups constituting the polarization alignment reactant 47. . Accordingly, the mixed photo-alignment material 48 having the vertical development part 48c and the photo-alignment vertical material 49 having the vertical development group 49c are combined in the thermosetting process to increase the density of the vertical alignment functional groups, thereby increasing the vertical alignment layer. The orientation can be improved. In the chemical formula X-UP1, hydrogen atoms other than B 1 can be replaced with F or Cl, respectively.

本発明の実施形態に従って、化学式X−UP1で表現される混合光配向物質48は、Aを構成するシンナメート、X及びYをそれぞれ構成する−O−Si−O−、Bを構成する In accordance with an embodiment of the present invention, the mixed photo alignment material 48 expressed by Formula X-UP1, the configuration of the -O-Si-O-, B 1 constituting cinnamate constituting the A 1, X 1 and Y 1 each Do

、及びDを構成する , And D

を有することができる。 Can have.

本発明の他の実施形態に従って、混合光配向物質48は、次の化学式X−UP2で表現される化合物を有することができる。   According to another embodiment of the present invention, the mixed photo alignment material 48 may include a compound represented by the following chemical formula X-UP2.

化学式X−UP2   Chemical formula X-UP2

(化136)
−X−A
上述した化学式において、Aは、混合光配向物質48の光反応部48bを構成する物質であり得る。Xは、混合光配向物質48の接続部を構成する物質であり得る。Bは、混合光配向物質48の熱反応を構成する物質であり得る。B、X、Aの物質は、それぞれB、X、Aと同様であり得る。また、化学式X−UP2において、Bを除いた水素原子は、それぞれF又はClに置き換えられることができる。
(Chemical 136)
B 2 -X 2 -A 2
In the chemical formula described above, A 2 may be a material constituting the photoreaction portion 48 b of the mixed photo-alignment material 48. X 2 may be a material constituting the connection portion of the mixed photo-alignment material 48. B 2 may be a material constituting a thermal reaction of the mixed photo alignment material 48. The substances B 2 , X 2 and A 2 may be the same as B 1 , X 1 and A 1 , respectively. In the chemical formula X-UP2, hydrogen atoms excluding B 2 can be replaced with F or Cl, respectively.

化学式X−UP1で表現される混合光配向物質48に比べて、化学式X−UP2で表現される混合光配向物質48は、垂直発現部48cを有しない。化学式X−UP2で表現される混合光配向物質48が垂直発現部48cを有しなくても、大きなサイズの光反応部48bは、光配向垂直物質49の側鎖の安定した配置を可能にする。   Compared with the mixed photo-alignment material 48 expressed by the chemical formula X-UP1, the mixed photo-alignment material 48 expressed by the chemical formula X-UP2 does not have the vertical expression part 48c. Even if the mixed photo-alignment material 48 expressed by the chemical formula X-UP2 does not have the vertical expression portion 48c, the large-size photoreaction portion 48b enables stable arrangement of the side chains of the photo-alignment vertical material 49. .

この溶媒は、光配向垂直物質49、偏光主配向物質37、及び混合光配向物質48の溶解又は混合を可能にする化合物又は印刷性を向上させることができる化合物であり得る。この溶媒は、有機溶媒であり得、上述した物質であり得る。   The solvent may be a compound that can dissolve or mix the photo-alignment vertical material 49, the polarization main alignment material 37, and the mixed photo-alignment material 48, or a compound that can improve printability. The solvent can be an organic solvent and can be the material described above.

光硬化反応を向上させるために、偏光配向反応物47は、上述した光開始剤をさらに含んでもよい。   In order to improve the photocuring reaction, the polarization alignment reactant 47 may further include the above-described photoinitiator.

図15B〜図15Eを参照すると、塗布された後に、偏光配向反応物47は、上述したように、予備加熱(図15A)又は後加熱(図15D)の熱処理により熱硬化される。偏光配向反応物47は、熱硬化によりマイクロ相分離が起こる。本発明の実施形態に従って、偏光配向反応物47は、予備加熱ステップで相分離が起こり、後加熱ステップで相分離が完了する。以下、偏光配向反応物47の相分離工程について詳細に説明する。   Referring to FIGS. 15B to 15E, after being applied, the polarization alignment reactant 47 is thermally cured by preheating (FIG. 15A) or post-heating (FIG. 15D) heat treatment, as described above. The polarization alignment reactant 47 undergoes microphase separation by thermosetting. According to the embodiment of the present invention, the polarization alignment reactant 47 undergoes phase separation in the preheating step and phase separation is completed in the post-heating step. Hereinafter, the phase separation process of the polarization alignment reactant 47 will be described in detail.

図15Bを参照して、偏光配向反応物47は、予備加熱が施される。予備加熱が施された偏光配向反応物47は、偏光主配向物質層37a及び垂直光配向物質層46aでマイクロ相分離が起こり、偏光配向反応物47の溶媒は気化する。偏光主配向物質層37aは、画素電極又は共通電極の近傍に形成され、主に偏光主配向物質37を含む。偏光主配向物質層37aは、光配向垂直物質49及び混合光配向物質48を含み得る。垂直光配向物質層46aは、空気と接触する表面の近傍に形成され、主に、偏光主配向物質37と混合光配向物質48とを含む。垂直光配向物質層46aは、偏光主配向物質37を含み得る。偏光主配向物質層37a及び垂直光配向物質層46aの界面には、光配向垂直物質49及び偏光主配向物質37が実質的に混合された状態であり得る。   Referring to FIG. 15B, the polarization alignment reactant 47 is preheated. The pre-heated polarization alignment reactant 47 undergoes microphase separation in the polarization main alignment material layer 37a and the vertical photo alignment material layer 46a, and the solvent of the polarization alignment reaction material 47 is vaporized. The polarization main alignment material layer 37 a is formed in the vicinity of the pixel electrode or the common electrode, and mainly includes the polarization main alignment material 37. The polarization main alignment material layer 37 a may include a photo alignment vertical material 49 and a mixed photo alignment material 48. The vertical photo alignment material layer 46a is formed in the vicinity of the surface in contact with air, and mainly includes the polarization main alignment material 37 and the mixed photo alignment material 48. The vertical photo alignment material layer 46 a may include a polarization main alignment material 37. The light alignment vertical material 49 and the polarization main alignment material 37 may be substantially mixed at the interface between the polarization main alignment material layer 37a and the vertical photo alignment material layer 46a.

図15Cを参照すると、偏光配向反応物47の相分離が起こる工程は、次のようである。本発明の実施形態に従って、偏光配向反応物47を構成する光配向垂直物質49は、偏光主配向物質37に比べて相対的に無極性(non-polarity)を有し、偏光主配向物質37は、光配向垂直物質49に比べて相対的に極性を有する。空気は、画素又は共通電極を構成する物質に比べて無極性を有し、画素又は共通電極を構成する物質は、空気に比べて極性を有する。したがって、予備加熱工程において、偏光配向反応物47を構成する光配向垂直物質49は、偏光主配向物質37より空気との親和力がさらに大きいために、主に空気と接触する表面の方向に移動される。また、極性を有する偏光主配向物質37が混合光配向物質48を押し出すために、混合光配向物質48は、光配向垂直物質49のように移動することにより光配向垂直物質49と混合される。したがって、予備加熱工程において、表面の方向に移動した混合光配向物質48及び光配向垂直物質49は、垂直光配向物質層46aを形成する。その結果、混合光配向物質48は、偏光主配向物質37及び光配向垂直物質49の相分離工程により、空気と接触する表面に容易に移動することができるために、偏光配向反応物47に含まれた混合光配向物質48の含量を減少させることができる。   Referring to FIG. 15C, the process in which the phase separation of the polarization alignment reactant 47 occurs is as follows. According to the embodiment of the present invention, the photo-alignment vertical material 49 constituting the polarization alignment reactant 47 has a relatively non-polarity compared to the polarization main alignment material 37, and the polarization main alignment material 37 includes , Which is relatively polar compared to the photo-alignment vertical material 49. Air has a non-polarity compared to the material constituting the pixel or common electrode, and the material constituting the pixel or common electrode has a polarity compared to air. Accordingly, in the preheating process, the photo-alignment vertical material 49 constituting the polarization alignment reactant 47 has a greater affinity with air than the polarization main alignment material 37, and is thus moved mainly in the direction of the surface in contact with air. The Further, since the polarized main alignment material 37 having polarity pushes out the mixed photo alignment material 48, the mixed photo alignment material 48 is mixed with the photo alignment vertical material 49 by moving like the photo alignment vertical material 49. Accordingly, the mixed photo alignment material 48 and the photo alignment vertical material 49 moved in the direction of the surface in the preheating step form a vertical photo alignment material layer 46a. As a result, the mixed photo-alignment material 48 can be easily moved to the surface in contact with air by the phase separation process of the polarization main alignment material 37 and the photo-alignment vertical material 49, and thus included in the polarization alignment reactant 47. The content of the mixed photo-alignment material 48 can be reduced.

他方、偏光配向反応物47を構成する偏光主配向物質37は、光配向垂直物質49より偏光配向反応物47の下部に形成された物質、すなわち画素電極又は共通電極との親和力がより大きいために電極層の方向に移動する。電極層の方向に移動した偏光主配向物質37及び一部の光配向垂直物質49は、偏光主配向物質層37aを形成する。光配向垂直物質49の垂直発現基49cは、1次加熱で垂直配向を有することができる。混合光配向物質48は、熱反応部48a、光反応部48b、及び垂直発現部48cで構成され得る。   On the other hand, the polarization main alignment material 37 constituting the polarization alignment reactant 47 has a higher affinity with the material formed below the polarization alignment reactant 47 than the photo alignment vertical material 49, that is, the pixel electrode or the common electrode. Move in the direction of the electrode layer. The polarized main alignment material 37 and a part of the photo alignment vertical material 49 moved in the direction of the electrode layer form a polarized main alignment material layer 37a. The vertical expression group 49c of the photo-alignment vertical material 49 may have a vertical alignment by primary heating. The mixed photo-alignment material 48 may include a thermal reaction part 48a, a light reaction part 48b, and a vertical expression part 48c.

図15D〜図15Eを参照すると、相分離が起こった偏光配向反応物46a及び37aは、上述したように後加熱される。後加熱された偏光配向反応物46a及び37aは、主配向膜33と垂直配向を形成する。主配向膜33は、主に偏光主配向物質37の硬化により形成される。また、後加熱工程において、混合光配向物質48を構成する熱反応部48aの化学結合は、容易に切れ、切れた熱反応部48aは、光配向垂直物質49との化学結合を行う。したがって、垂直光配向物質層46aを構成する光配向垂直物質49及び混合光配向物質48の熱反応部48aは、化学的に結合され、光反応部48b及び垂直発現部48cは、垂直光配向物質層46aの表面で垂直配向を形成し、これにより、光配向垂直物質49が光反応性を有しなくても、混合光配向物質48の熱反応部48aと結合することにより、光配向垂直物質49は、光反応性を有することができる。混合光配向物質48と結合された光配向垂直物質49又は偏光主配向物質37は、光反応性を有することができるので偏光配向反応物47に含まれた混合光配向物質48をさらに減少させることができる。後加熱工程において、偏光配向反応物47の溶媒は、追加で気化することができる。また、後加熱工程において、光配向垂直物質49に含まれた垂直発現基49cは、垂直配向され得る。   Referring to FIGS. 15D to 15E, the polarization alignment reactants 46a and 37a in which phase separation has occurred are post-heated as described above. The post-heated polarized alignment reactants 46 a and 37 a form a vertical alignment with the main alignment film 33. The main alignment film 33 is mainly formed by curing the polarization main alignment material 37. Further, in the post-heating step, the chemical reaction of the thermal reaction unit 48 a constituting the mixed photo alignment material 48 is easily broken, and the broken thermal reaction unit 48 a performs chemical bonding with the photo alignment vertical material 49. Therefore, the photoreactive vertical material 49 and the thermal reaction part 48a of the mixed photoalignment material 48 constituting the vertical photoalignment material layer 46a are chemically combined, and the photoreaction part 48b and the vertical expression part 48c are A vertical alignment is formed on the surface of the layer 46a, so that even if the photo-alignment vertical material 49 does not have photoreactivity, the photo-alignment vertical material is bonded to the thermal reaction part 48a of the mixed photo-alignment material 48. 49 can have photoreactivity. Since the photo alignment vertical material 49 or the polarization main alignment material 37 combined with the mixed photo alignment material 48 may have photoreactivity, the mixed photo alignment material 48 included in the polarization alignment reactant 47 may be further reduced. Can do. In the post-heating step, the solvent of the polarization alignment reactant 47 can be additionally vaporized. In the post-heating process, the vertical expression group 49c included in the photo-alignment vertical material 49 may be vertically aligned.

後加熱工程が完了した偏光配向反応物47は、純水(DIW)により洗浄され、イソプロピルアルコール(IPA)により追加で洗浄されることができる。洗浄の後に、偏光配向反応物47は、乾燥される。   After the post-heating step, the polarization alignment reactant 47 can be washed with pure water (DIW) and additionally washed with isopropyl alcohol (IPA). After washing, the polarization alignment reactant 47 is dried.

次に、図15F〜図15Gを参照すると、光を垂直光配向物質層46aに照射する場合に、混合光配向物質48の光反応部48bが硬化されることにより、図15Gに示すように、光硬化層35が主配向膜上に形成される。熱硬化により形成された主配向膜33及び紫外線により形成された光硬化層35は、下板配向膜291を構成する。図15Fに示す垂直光配向物質層46aに照射された光及び光硬化工程は、偏光UV−VAモードに関連して上述したものと同一である。非接触方式の光硬化工程により、光硬化層は、プレチルト角を有する。光硬化層のプレチルト角は、表示板100及び200の基板に対して約80゜〜約90゜であり得、より望ましくは、約87.5゜〜約89.5゜であり得る。上述した光照射方法により、画素電極が微細スリット又は微細ブランチを有しなくても、本発明の実施形態による液晶表示装置は、液晶層を複数のドメインに分ける複数のドメインを有することができる。   Next, referring to FIGS. 15F to 15G, when the vertical photo-alignment material layer 46a is irradiated with light, the photoreaction portion 48b of the mixed photo-alignment material 48 is cured, as shown in FIG. 15G. A photocuring layer 35 is formed on the main alignment film. The main alignment film 33 formed by heat curing and the photocured layer 35 formed by ultraviolet rays constitute a lower plate alignment film 291. The light applied to the vertical photo-alignment material layer 46a shown in FIG. 15F and the photocuring process are the same as those described above in connection with the polarized UV-VA mode. The photocuring layer has a pretilt angle by a non-contact type photocuring step. The pretilt angle of the photocured layer may be about 80 ° to about 90 ° with respect to the substrates of the display panels 100 and 200, and more preferably about 87.5 ° to about 89.5 °. Even if the pixel electrode does not have a fine slit or a fine branch by the light irradiation method described above, the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention can have a plurality of domains dividing the liquid crystal layer into a plurality of domains.

この後に、ステップS340に関連して上述したように、下板配向膜291及び上板配向膜292が形成された下部表示板100と上部表示板200との間で液晶層3及びシール剤が形成される。シール剤により組み立てられた表示板は、アニーリングが行われる。シール剤の材料、シール剤を硬化する工程、及びアニーリングは、リジッド垂直配向側鎖の主配向膜33及び34について上述したものと同一であり得る。このように製造された液晶表示板アセンブリ300は、偏光UV−VAモードの特性を有する。   Thereafter, as described above with reference to step S340, the liquid crystal layer 3 and the sealant are formed between the lower display panel 100 and the upper display panel 200 on which the lower plate alignment film 291 and the upper plate alignment film 292 are formed. Is done. The display board assembled with the sealant is annealed. The material of the sealant, the step of curing the sealant, and the annealing can be the same as described above for the main alignment films 33 and 34 of the rigid vertical alignment side chain. The liquid crystal panel assembly 300 manufactured in this way has a polarization UV-VA mode characteristic.

本発明に従って、偏光配向反応物47に含まれた混合光配向物質48は、配向膜を形成する工程で光が照射される表面に容易に移動されることができるので、偏光配向反応物47に含まれた混合光配向物質48の含量を減少させることができる。したがって、液晶表示装置の生産コストを減少させることができる。   In accordance with the present invention, the mixed photo alignment material 48 included in the polarization alignment reactant 47 can be easily moved to the surface irradiated with light in the step of forming the alignment film. The content of the mixed photo-alignment material 48 included can be reduced. Therefore, the production cost of the liquid crystal display device can be reduced.

また、光配向垂直物質49又は偏光主配向物質37は、混合光配向物質48との結合により光反応性を有することができるので、偏光配向反応物47に含まれた混合光配向物質48の含量をさらに減少させることができる。   In addition, since the photo-alignment vertical material 49 or the polarization main alignment material 37 can have photoreactivity by being combined with the mixed photo-alignment material 48, the content of the mixed photo-alignment material 48 contained in the polarization alignment reactant 47. Can be further reduced.

さらに、反応することなく配向膜に残留する混合光配向物質48の量を最小化することができるために、液晶表示装置の残留DC電圧又は残像を減少させることができる。   Furthermore, since the amount of the mixed photo alignment material 48 remaining in the alignment film without reacting can be minimized, the residual DC voltage or afterimage of the liquid crystal display device can be reduced.

本発明の実施形態に従って、主配向膜33及び34は、混合光配向物質48を有する偏光配向反応物47によって形成され、これを有する液晶表示装置が製造された。   According to the embodiment of the present invention, the main alignment films 33 and 34 are formed by the polarization alignment reactant 47 having the mixed photo alignment material 48, and the liquid crystal display device having the same is manufactured.

本発明の実験に適用された偏光配向反応物47は、偏光主配向物質37、光配向垂直物質49、及び混合光配向物質48を有する固形分及び溶媒を含む。偏光配向反応物47を構成する固形分は、約6.5重量%であり、溶媒は、約93.5重量%である。また、固形分を構成する光配向垂直物質49は、固形分の中で約30重量%であり、偏光主配向物質37は、固形分の中で約70重量%であり、混合光配向物質48は、固形分の中で約5重量%である。   The polarization alignment reactant 47 applied to the experiment of the present invention includes a solid and a solvent having a polarization main alignment material 37, a photo alignment vertical material 49, and a mixed photo alignment material 48. The solid content constituting the polarization alignment reactant 47 is about 6.5% by weight, and the solvent is about 93.5% by weight. Further, the photo-alignment vertical material 49 constituting the solid content is about 30% by weight in the solid content, the polarization main alignment material 37 is about 70% by weight in the solid content, and the mixed photo-alignment material 48 is. Is about 5% by weight in the solids.

光配向垂直物質49は、   The photo-alignment vertical material 49 is

及び as well as

がそれぞれ約1:0.4:0.6の割合で構成された二酸無水物(Diacid anhydride)とジアミンとの化合物(JSR,PI−37)である。ここで、Wは、 Are compounds of diacid anhydride and diamine (JSR, PI-37) each having a ratio of about 1: 0.4: 0.6. Where W 2 is

であり、Wは、 And W 3 is

である。 It is.

偏光主配向物質37は、   The polarized main alignment material 37 is

及び as well as

がそれぞれ約1:1の割合で構成された二無水物酸とジアミンとの化合物(JSR,PA−4)である。 Are compounds (JSR, PA-4) of dianhydride acid and diamine, each constituted in a ratio of about 1: 1.

ここで、W1は、  Where W1 is

である。 It is.

混合光配向物質48は、下記の化学式X−UP3で表現される化合物(JSR,P_A(std.))である。   The mixed photo-alignment material 48 is a compound (JSR, P_A (std.)) Represented by the following chemical formula X-UP3.

化学式X−UP3   Chemical formula X-UP3

溶媒は、約45重量%のN−メチルピロリドン(N-methylpyrrolidone)と約55重量%のブチルセロソルブ(butyl cellosolve)との混合物である。   The solvent is a mixture of about 45% by weight N-methylpyrrolidone and about 55% by weight butyl cellosolve.

17インチの液晶表示板に塗布された上述した成分比を有する偏光配向反応物47は、約80℃で予備加熱が施された後に、約220℃で約20分の間後加熱が施される。この後、直線偏光紫外線は、表示板の基板面に対して約50゜の傾斜角を有しつつ、上部表示板を構成する共通電極上に形成された偏光配向反応物47に相互に反対(anti-parallel)である方向に照射される。また、下部表示板を構成する画素電極上に形成された偏光配向反応物47に対しても、上述したように、直線偏光紫外線が照射される。   The polarization alignment reactant 47 having the above-described component ratio applied to a 17-inch liquid crystal display panel is preheated at about 80 ° C. and then post-heated at about 220 ° C. for about 20 minutes. . Thereafter, the linearly polarized ultraviolet rays are opposite to the polarization alignment reactant 47 formed on the common electrode constituting the upper display panel while having an inclination angle of about 50 ° with respect to the substrate surface of the display panel ( Irradiated in a direction that is anti-parallel). Further, as described above, linearly polarized ultraviolet rays are also irradiated to the polarization alignment reactant 47 formed on the pixel electrode constituting the lower display panel.

下板光硬化層35及び上板光硬化層36は、照射された紫外線により、逆並行であるプレチルト角を有する。言い換えれば、光硬化層35及び36は、異なる4つのプレチルト角を有し、液晶表示装置の液晶層3は、異なる4つのプレチルト角を有する光硬化層35及び36により異なる方位角を有するように形成された4個のドメインを有する。4個のドメインの方位角は、異なる4つのプレチルト角のベクトル和により定義される。直線偏光紫外線の強度は、約20mJ/cmである。このように製造された液晶表示板アセンブリは、図11と関連して上述した電荷共有方式の1G1D駆動により動作する。 The lower plate photocuring layer 35 and the upper plate photocuring layer 36 have a pretilt angle that is antiparallel to the irradiated ultraviolet rays. In other words, the photocuring layers 35 and 36 have four different pretilt angles, and the liquid crystal layer 3 of the liquid crystal display device has different azimuth angles by the photocuring layers 35 and 36 having four different pretilt angles. It has 4 domains formed. The azimuth angles of the four domains are defined by the vector sum of four different pretilt angles. The intensity of linearly polarized ultraviolet light is about 20 mJ / cm 2 . The liquid crystal panel assembly thus manufactured operates by the charge sharing type 1G1D driving described above with reference to FIG.

このように製造された液晶表示装置で光硬化層に隣接した液晶分子は、液晶表示板の基板面に対して約88.2゜のプレチルト角を有する。チェックフリッカー(check flicker)パターンの映像で約50℃の高温チャンバーで24時間の間動作される液晶表示装置の面残像は、約3のレベルで良好である。   In the liquid crystal display device thus manufactured, the liquid crystal molecules adjacent to the photocured layer have a pretilt angle of about 88.2 ° with respect to the substrate surface of the liquid crystal display panel. The surface afterimage of a liquid crystal display operated in a high temperature chamber of about 50 ° C. for 24 hours with a check flicker pattern image is good at a level of about 3.

液晶表示装置の駆動
以下、図11を参照して液晶表示装置の1つの画素PXに対する等価回路の構造及び動作について説明する。図11は、本発明の実施形態に従って、図3に示す1つの画素Xに対する電荷共有(Charge Sharing:CS)充電方式1G1D(1 Gate line 1 Data line)の等価回路図である。液晶表示装置の1つの画素PXに対する等価回路は、ゲート線121、保持電極線125、降圧ゲート線123、及びデータ線171を含む信号線とこれに接続された画素PXとを含む。
Driving of Liquid Crystal Display Device Hereinafter, the structure and operation of an equivalent circuit for one pixel PX of the liquid crystal display device will be described with reference to FIG. FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of a charge sharing (CS) charging method 1G1D (1 Gate line 1 Data line) for one pixel X shown in FIG. 3 according to an embodiment of the present invention. An equivalent circuit for one pixel PX of the liquid crystal display device includes a signal line including a gate line 121, a storage electrode line 125, a step-down gate line 123, and a data line 171, and a pixel PX connected thereto.

1つの画素PXは、第1の薄膜トランジスタQh、第2の薄膜トランジスタQl、及び第3の薄膜トランジスタQcと、第1の液晶蓄電器Clch及び第2の液晶蓄電器Clclと、第1の保持蓄電器Csth及び第2の保持蓄電器Cstlと、降圧蓄電器Cstdとから構成される。   One pixel PX includes a first thin film transistor Qh, a second thin film transistor Ql, a third thin film transistor Qc, a first liquid crystal capacitor Clch, a second liquid crystal capacitor Clcl, a first holding capacitor Csth, and a second Of the storage capacitor Cstl and the step-down capacitor Cstd.

下部表示板100に形成された第1の薄膜トランジスタQh及び第2の薄膜トランジスタQlは、三端子素子(three-terminal device)であり、第1の薄膜トランジスタQh及び第2の薄膜トランジスタQlのゲート電極、すなわち、制御端子は、ゲート線121に接続され、これらのソース電極、すなわち、入力端子は、データ線171に接続され、これらのドレーン電極、すなわち、出力端子は、第1の液晶蓄電器Clch及び第2の液晶蓄電器Clclと第1の保持蓄電器Csth及び第2の保持蓄電器Cstlとにそれぞれ接続される。   The first thin film transistor Qh and the second thin film transistor Ql formed on the lower display panel 100 are three-terminal devices, that is, the gate electrodes of the first thin film transistor Qh and the second thin film transistor Ql, ie, The control terminal is connected to the gate line 121, these source electrodes, ie, the input terminal, are connected to the data line 171, and these drain electrodes, ie, the output terminal, are the first liquid crystal capacitor Clch and the second liquid crystal capacitor Clch. The liquid crystal capacitor Clcl is connected to the first holding capacitor Csth and the second holding capacitor Cstl, respectively.

第3の薄膜トランジスタQcは、三端子素子であり、第3の薄膜トランジスタQcのゲート電極、すなわち、制御端子は、降圧ゲート線123に接続され、そのソース電極、すなわち、入力端子は、第2の液晶蓄電器Clcl又は第2の薄膜トランジスタQlの出力端子に接続され、そのドレーン電極、すなわち、出力端子は、降圧蓄電器Cstdに接続される。   The third thin film transistor Qc is a three-terminal element, the gate electrode of the third thin film transistor Qc, that is, the control terminal is connected to the step-down gate line 123, and the source electrode, that is, the input terminal, is the second liquid crystal. The drain electrode, that is, the output terminal of the capacitor Clcl or the second thin film transistor Ql is connected to the step-down capacitor Cstd.

画素電極191を構成する第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、第1の薄膜トランジスタQh及び第2の薄膜トランジスタQlのドレーン電極、すなわち、出力端子に接続される。第1の液晶蓄電器Clch及び第2の液晶蓄電器Clclの電極は、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lに接続され、それらの他の電極は、上部表示板200の共通電極270にそれぞれ接続される。第1の保持蓄電器Csth及び第2の保持蓄電器Cstlの電極は、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lにそれぞれ接続され、それらの他の電極は、下部表示板100の保持電極線125又は保持電極線に接続された部分126、127、及び128に接続される。降圧蓄電器Cstdの1つの電極は、第3の薄膜トランジスタQcの出力端子に接続され、他の電極は、保持電極線125に接続される。第1の保持蓄電器Csth及び第2の保持蓄電器Cstlは、それぞれ第1の液晶蓄電器Clch及び第2の液晶蓄電器Clclの電圧保持能力を強化する。蓄電器Clch、Clcl、Csth、Cstl、Cstdの電極は、絶縁体3、140、181、及び182を間に置いて重なる。   The first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l constituting the pixel electrode 191 are connected to the drain electrodes, that is, the output terminals of the first thin film transistor Qh and the second thin film transistor Ql. The electrodes of the first liquid crystal capacitor Clch and the second liquid crystal capacitor Clcl are connected to the first subpixel electrode 191 h and the second subpixel electrode 191 l, and the other electrodes are common electrodes of the upper display panel 200. 270, respectively. The electrodes of the first holding capacitor Csth and the second holding capacitor Cstl are connected to the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l, respectively, and the other electrodes are used for holding the lower display panel 100. The electrode lines 125 or the portions 126, 127, and 128 connected to the holding electrode lines are connected. One electrode of the step-down capacitor Cstd is connected to the output terminal of the third thin film transistor Qc, and the other electrode is connected to the holding electrode line 125. The first holding capacitor Csth and the second holding capacitor Cstl enhance the voltage holding capability of the first liquid crystal capacitor Clch and the second liquid crystal capacitor Clcl, respectively. The electrodes of the capacitors Clch, Clcl, Csth, Cstl, Cstd overlap with the insulators 3, 140, 181, and 182 in between.

以下、画素PXの充電原理について詳細に説明する。ゲートオン電圧Vonがn番目のゲート線Gnに供給される場合に、これに接続された第1の薄膜トランジスタQh及び第2の薄膜トランジスタQlはターンオンとなり、ゲートオフ電圧Voffは、n番目の降圧ゲート線Anに供給される。従って、n番目のデータ線Dnのデータ電圧は、ターンオンとなった第1の薄膜トランジスタQh及び第2の薄膜トランジスタQlを通して第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lに同一に供給される。このとき、第1の液晶蓄電器Clch及び第2の液晶蓄電器Clclは、共通電極270の共通電圧Vcomと第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lの電圧との差だけ充電するために、第1の液晶蓄電器Clchの充電電圧値と第2の液晶蓄電器Clclの充電電圧値とは同一である。   Hereinafter, the charging principle of the pixel PX will be described in detail. When the gate-on voltage Von is supplied to the nth gate line Gn, the first thin film transistor Qh and the second thin film transistor Ql connected thereto are turned on, and the gate-off voltage Voff is applied to the nth step-down gate line An. Supplied. Accordingly, the data voltage of the nth data line Dn is supplied to the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l through the first thin film transistor Qh and the second thin film transistor Ql which are turned on. . At this time, the first liquid crystal capacitor Clch and the second liquid crystal capacitor Clcl are charged by the difference between the common voltage Vcom of the common electrode 270 and the voltages of the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l. In addition, the charging voltage value of the first liquid crystal capacitor Clch and the charging voltage value of the second liquid crystal capacitor Clcl are the same.

この後に、ゲートオフ電圧Voffは、n番目のゲート線Gnに供給され、ゲートオン電圧Vonは、n番目の降圧ゲート線Anに供給される。すなわち、第1の薄膜トランジスタQh及び第2の薄膜トランジスタQlは、それぞれターンオフとなり、第3の薄膜トランジスタQcは、ターンオンとなる。したがって、第2の薄膜トランジスタQlの出力端子に接続された第2の副画素電極191lの電荷が降圧蓄電器Cstdに流れ、第2の液晶蓄電器Clclの電圧が降下する。その結果、同一のデータ電圧が第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lにそれぞれ供給されるが、第1の液晶蓄電器Clchの充電電圧が第2の液晶蓄電器Clclの充電電圧より大きくなる。第2の液晶蓄電器Clclの電圧対第1の液晶蓄電器Clchの電圧の比は、約0.6〜0.9:1であり得、より望ましくは、約0.77:1である。このように、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lが同一のデータ電圧の供給を受け、第2の副画素電極191lの第2の液晶蓄電器Clcl及び降圧蓄電器Cstdが電荷を共有することにより、第1の液晶蓄電器Clch及び第2の液晶蓄電器Clclの容量値を相互に異ならせる。これを電荷共有(CS)方式の充電と呼ぶ。   Thereafter, the gate-off voltage Voff is supplied to the nth gate line Gn, and the gate-on voltage Von is supplied to the nth step-down gate line An. That is, the first thin film transistor Qh and the second thin film transistor Ql are turned off, and the third thin film transistor Qc is turned on. Accordingly, the charge of the second subpixel electrode 191l connected to the output terminal of the second thin film transistor Ql flows to the step-down capacitor Cstd, and the voltage of the second liquid crystal capacitor Clcl drops. As a result, the same data voltage is supplied to the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l, respectively, but the charging voltage of the first liquid crystal capacitor Clch is higher than the charging voltage of the second liquid crystal capacitor Clcl. growing. The ratio of the voltage of the second liquid crystal capacitor Clcl to the voltage of the first liquid crystal capacitor Clch can be about 0.6 to 0.9: 1, more preferably about 0.77: 1. In this way, the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are supplied with the same data voltage, and the second liquid crystal capacitor Clcl and the step-down capacitor Cstd of the second subpixel electrode 191l are charged. By sharing, the capacitance values of the first liquid crystal capacitor Clch and the second liquid crystal capacitor Clcl are made different from each other. This is called charge sharing (CS) charging.

その結果、第1の副画素電極191hの液晶分子31が第2の副画素電極191lの液晶分子31より大きい電場強度を受けるために、第1の副画素電極191hの液晶分子31がさらに大きく傾く。電荷共有(CS)方式により充電された第1の副画素190h及び第2の副画素190lの液晶分子31が相互に異なる傾斜角を有する場合に、光の位相遅延を補償するために、本発明の液晶表示装置は、よい側面視認性及び大きな基準視野角を有する。基準視野角は、正面コントラスト比に対する側面コントラスト比が約1/10である限界角又は階調間の輝度反転限界角を意味する。基準視野角が大きいと大きいほど、液晶表示装置の側面視認性がさらによくなる。また、1本のゲート線121及び1本のデータ線171が1つの画素PXに接続されることにより、1個の画素PXを構成する第1の副画素190h及び第2の副画素190lが動作され、したがって、液晶表示装置の開口率が増加する。このように、1本のゲート線121及び1本のデータ線171が1つの画素PXに接続されており、これを1ゲート線1データ線(1 Gate line 1 Data line:1G1D)と呼ぶ。   As a result, since the liquid crystal molecules 31 of the first subpixel electrode 191h receive a larger electric field strength than the liquid crystal molecules 31 of the second subpixel electrode 191l, the liquid crystal molecules 31 of the first subpixel electrode 191h are further inclined. . In order to compensate for the phase delay of light when the liquid crystal molecules 31 of the first sub-pixel 190h and the second sub-pixel 190l charged by the charge sharing (CS) method have different tilt angles, the present invention The liquid crystal display device has good side visibility and a large reference viewing angle. The reference viewing angle means a limit angle at which a side contrast ratio to a front contrast ratio is about 1/10 or a luminance inversion limit angle between gradations. The larger the reference viewing angle, the better the side visibility of the liquid crystal display device. In addition, when one gate line 121 and one data line 171 are connected to one pixel PX, the first sub-pixel 190h and the second sub-pixel 190l constituting one pixel PX operate. Therefore, the aperture ratio of the liquid crystal display device is increased. In this way, one gate line 121 and one data line 171 are connected to one pixel PX, and this is referred to as one gate line 1 data line (1G1D).

本発明の一実施形態において、ゲートオン電圧の信号遅延により、n番目のゲート線Gnに供給されるゲートオン電圧Vonとn番目の降圧ゲート線Anに供給されるゲートオン電圧Vonとが重なる場合に、画素電極で充電の不良が発生し得る。このような問題を解消するために、n番目の降圧ゲート線Anは、(n+m)番目(ここで、m≧1)のゲート線121、より望ましくは、(n+4)番目のゲート線121に接続されることによりゲートオン電圧Vonを受信することができる。   In one embodiment of the present invention, when the gate-on voltage Von supplied to the nth gate line Gn and the gate-on voltage Von supplied to the nth step-down gate line An overlap due to a signal delay of the gate-on voltage, Poor charging can occur at the electrodes. In order to solve such a problem, the n-th step-down gate line An is connected to the (n + m) -th (here, m ≧ 1) gate line 121, more preferably the (n + 4) -th gate line 121. As a result, the gate-on voltage Von can be received.

本発明の他の実施形態による1つの画素PX回路は、2つの薄膜トランジスタ及び2本のデータ線が1つの画素PXに接続された2−TFT(2T)充電方式の1ゲート線2データ線(1G2D)である。すなわち、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、同一のゲート線に接続されたゲート電極を有する第1及び第2の薄膜トランジスタの出力端子にそれぞれ接続され、相互に異なる2本のデータ線は、第1及び第2の薄膜トランジスタの入力端子にそれぞれ接続される。異なる2本のデータ線を通して第1の副電極191h及び第2の副電極191lに供給される異なるデータ電圧は、1つの映像に対応する電圧の分割電圧である。2T充電方式の1G2D駆動は、任意のデータ電圧を副画素電極191h及び191lの各々に印加することができ、したがって、液晶表示装置の側面視認性を一層改善させることができる。   One pixel PX circuit according to another embodiment of the present invention includes a two-TFT (2T) charging type one gate line and two data lines (1G2D) in which two thin film transistors and two data lines are connected to one pixel PX. ). That is, the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are respectively connected to the output terminals of the first and second thin film transistors having gate electrodes connected to the same gate line, and are different from each other. The data lines are connected to the input terminals of the first and second thin film transistors, respectively. Different data voltages supplied to the first sub-electrode 191h and the second sub-electrode 191l through two different data lines are divided voltages of voltages corresponding to one video. In the 1G2D driving of the 2T charging method, an arbitrary data voltage can be applied to each of the sub-pixel electrodes 191h and 191l, and thus the side visibility of the liquid crystal display device can be further improved.

本発明のまた他の実施形態は、スイング電圧電極線駆動方式である。この駆動方式の画素の各々は、2個の薄膜トランジスタ、1本のゲート線、1本のデータ線、及び2本のスイング電圧電極線を有する。第1及び第2の薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート線に接続され、これらのソース電極は、データ線に接続され、これらのドレーン電極は、第1及び第2の副画素電極と第1及び第2の保持蓄電器とにそれぞれ接続される。第1及び第2の液晶蓄電器の電極は、第1及び第2の副画素電極にそれぞれ接続され、それらの他の電極は、上部表示板に形成された共通電極にそれぞれ接続される。第1及び第2の保持蓄電器の電極は、第1及び第2の副画素電極にそれぞれ接続され、それらの他の電極は、スイング電圧電極線にそれぞれ接続される。画素動作の間に、一定の周期の電圧レベルを有するパルス列は、スイング電圧電極線に印加され、逆位相電圧(opposite phase voltage)は、第1の副画素のスイング電圧電極線及び第2の副画素のスイング電圧電極線に同時に印加される。スイング電圧電極線に供給されるパルス列は、異なる2個の電圧を有することができる。したがって、第1の副画素液晶蓄電器に充電された電圧と第2の副画素液晶蓄電器に充電された電圧とのレベルが相互に異なるために、液晶表示装置の側面視認性がよくなる。   Another embodiment of the present invention is a swing voltage electrode line driving system. Each pixel of this driving method has two thin film transistors, one gate line, one data line, and two swing voltage electrode lines. The gate electrodes of the first and second thin film transistors are connected to the gate lines, their source electrodes are connected to the data lines, and these drain electrodes are connected to the first and second subpixel electrodes and the first and second sub-pixel electrodes. And 2 holding capacitors. The electrodes of the first and second liquid crystal capacitors are connected to the first and second subpixel electrodes, respectively, and the other electrodes are connected to the common electrode formed on the upper display panel, respectively. The electrodes of the first and second storage capacitors are connected to the first and second subpixel electrodes, respectively, and the other electrodes are connected to the swing voltage electrode lines, respectively. During the pixel operation, a pulse train having a voltage level with a constant period is applied to the swing voltage electrode line, and the opposite phase voltage is applied to the swing voltage electrode line of the first subpixel and the second subpixel voltage. Simultaneously applied to the swing voltage electrode line of the pixel. The pulse train supplied to the swing voltage electrode line can have two different voltages. Therefore, the level of the voltage charged in the first sub-pixel liquid crystal capacitor and the voltage charged in the second sub-pixel liquid crystal capacitor are different from each other, so that the side visibility of the liquid crystal display device is improved.

本発明のもう1つの実施形態は、保持電極線電荷共有駆動方式である。この駆動方式の画素の各々は、3個の薄膜トランジスタ、1本のゲート線、1本のデータ線、及び1本の保持電極線を有する。第1及び第2の薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート線に接続され、これらのソース電極は、データ線に接続され、これらのドレーン電極の各々は、第1及び第2の副画素液晶蓄電器に接続される。第1及び第2の副画素液晶蓄電器の他端は、上板共通電極にそれぞれ接続される。第3の薄膜トランジスタのゲート電極は、保持電極線に接続され、このソース電極は、第2の薄膜トランジスタのドレーン電極に接続された第2の液晶蓄電器の電極に接続され、このドレーン電極は、保持電極線の対向電極(opposite electrode)又は第3の薄膜トランジスタのドレーン電極拡張部に接続される。第2の副画素液晶蓄電器の充電電圧は、保持電極線の電圧により第3の薄膜トランジスタのドレーン電極拡張部及び電荷を共有するために、第2の副画素の充電電圧は、第1の副画素の充電電圧より低い。保持電極線に供給される電圧は、共通電極の電圧と実質的に同一であり得る。   Another embodiment of the present invention is a storage electrode line charge sharing drive system. Each pixel of this driving method has three thin film transistors, one gate line, one data line, and one storage electrode line. The gate electrodes of the first and second thin film transistors are connected to the gate lines, their source electrodes are connected to the data lines, and each of these drain electrodes is connected to the first and second subpixel liquid crystal capacitors. Is done. The other ends of the first and second subpixel liquid crystal capacitors are respectively connected to the upper plate common electrode. The gate electrode of the third thin film transistor is connected to the holding electrode line, the source electrode is connected to the electrode of the second liquid crystal capacitor connected to the drain electrode of the second thin film transistor, and the drain electrode is connected to the holding electrode. Connected to the line's opposite electrode or the drain electrode extension of the third thin film transistor. The charge voltage of the second sub-pixel liquid crystal capacitor shares the charge with the drain electrode extension of the third thin film transistor by the voltage of the holding electrode line, so that the charge voltage of the second sub-pixel is the first sub-pixel Lower than the charging voltage. The voltage supplied to the storage electrode line may be substantially the same as the voltage of the common electrode.

以下、上述した方法により製造された液晶表示装置の動作を詳細に説明する。液晶表示装置は、図3に示す画素PXの構造を有し、図11と関連して説明した方法で動作する。液晶表示板アセンブリ300を製造するモード、すなわち、SVA、SC−VA、及び偏光UV−VAモードの各々は、配向膜291及び292を形成する方法に基づいて区別される。しかしながら、液晶表示板アセンブリ300が製造された後に、液晶表示装置は、各モードに関係なしに実質的に同一に動作する。したがって、後述する液晶表示装置の動作は、配向膜を形成するモードに関係なしに説明される。   Hereinafter, the operation of the liquid crystal display device manufactured by the above-described method will be described in detail. The liquid crystal display device has the structure of the pixel PX shown in FIG. 3, and operates by the method described in relation to FIG. The modes for manufacturing the liquid crystal panel assembly 300, that is, the SVA, SC-VA, and polarized UV-VA modes are distinguished based on the method of forming the alignment films 291 and 292, respectively. However, after the liquid crystal panel assembly 300 is manufactured, the liquid crystal display device operates substantially the same regardless of each mode. Therefore, the operation of the liquid crystal display device described later will be described regardless of the mode in which the alignment film is formed.

液晶表示板アセンブリ300は、図3の画素PXを有する下部表示板100及び上部表示板200を用いてSVA、SC−VA、又は偏光UV−VAモードに基づいて組み立てられる。図1に示すように、液晶表示装置は、駆動部400及び500、信号制御部600、及び階調電圧生成部800を液晶表示板アセンブリ300に接続することにより製造される。電圧が液晶表示装置の画素PXに供給されない状態で、配向膜291及び292に隣接した液晶分子31は、下部表示板100及び上部表示板200に垂直である方向に対して若干斜めに傾いた一定のプレチルト角を有する。データ電圧が画素電極191に供給される場合に、同一のドメイン内の液晶分子31は、同一の傾斜方向に動く。第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lの微細ブランチ197の方向が偏光子の透過軸又は偏光軸に対して相互に異なり、フリンジ電場(fringe electric field)の強度が微細スリットの幅に従って異なり、液晶蓄電器の電圧が異なるために、副画素電極190h及び190lの輝度は異なる。このように、副画素電極の液晶傾斜角を調節することにより液晶表示装置の側面視認性を改善することができる。また、第2の副画素電極191lが上述したMA領域を有しており、液晶分子31の配列が連続して変わることにより、液晶分子31が不連続的に配向される時に発生するテクスチャーが減少する。   The liquid crystal panel assembly 300 is assembled based on the SVA, SC-VA, or polarized UV-VA mode using the lower display panel 100 and the upper display panel 200 having the pixels PX of FIG. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device is manufactured by connecting the driving units 400 and 500, the signal control unit 600, and the gray voltage generator 800 to the liquid crystal panel assembly 300. In a state in which no voltage is supplied to the pixel PX of the liquid crystal display device, the liquid crystal molecules 31 adjacent to the alignment films 291 and 292 are constant and slightly inclined with respect to the direction perpendicular to the lower display panel 100 and the upper display panel 200. The pretilt angle is as follows. When the data voltage is supplied to the pixel electrode 191, the liquid crystal molecules 31 in the same domain move in the same tilt direction. The directions of the fine branches 197 of the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are different from each other with respect to the transmission axis or the polarization axis of the polarizer, and the strength of the fringe electric field is smaller than that of the fine slit. The luminance of the subpixel electrodes 190h and 190l is different because the voltage varies depending on the width and the voltage of the liquid crystal capacitor is different. Thus, the side visibility of the liquid crystal display device can be improved by adjusting the liquid crystal tilt angle of the sub-pixel electrode. In addition, the second subpixel electrode 191l has the above-described MA region, and the texture generated when the liquid crystal molecules 31 are discontinuously aligned is reduced by continuously changing the alignment of the liquid crystal molecules 31. To do.

液晶表示装置の基本画素群
実施形態1
以下、図12、図14、及び図28〜図32を参照して本発明の実施形態に従って基本色を考慮して上述したパラメータを基本画素群PSの各画素PXに適用した時液晶表示装置の品質の特性について詳細に説明する。基本画素群PSは、液晶表示装置の視認性を向上させ、虹ムラ又は黄色がかった現象を減少させる。したがって、基本画素群を有する液晶表示装置の品質を改善させることができる。図12、図14、及び図28〜図32は、本発明の実施形態による液晶表示装置を構成する基本画素群PSの画素電極191を示す平面図である。図12、図14、及び図28〜図32は、下部表示板100に形成された基本画素群PSの画素電極を示す平面図である。画素電極191の平面図を除いた他の平面図が上述したものと同様であるので、説明の便宜上、重複説明を省略する。
Basic pixel group of LCD
Embodiment 1
Hereinafter, when the above-described parameters are applied to each pixel PX of the basic pixel group PS in consideration of the basic color according to the embodiment of the present invention with reference to FIG. 12, FIG. 14, and FIGS. The quality characteristics will be described in detail. The basic pixel group PS improves the visibility of the liquid crystal display device and reduces rainbow unevenness or yellowish phenomenon. Therefore, the quality of the liquid crystal display device having the basic pixel group can be improved. 12, FIG. 14, and FIGS. 28 to 32 are plan views showing the pixel electrodes 191 of the basic pixel group PS constituting the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention. 12, 14, and 28 to 32 are plan views illustrating pixel electrodes of the basic pixel group PS formed on the lower display panel 100. Since other plan views excluding the plan view of the pixel electrode 191 are the same as those described above, the duplicated explanation is omitted for convenience of explanation.

図12に示すように、基本画素群PSは、赤色、緑色、及び青色の基本色に対応する画素電極191R、191G、191Bで構成される。赤色及び緑色画素PXの画素電極191R、191Gの構造は同一であるが、青色画素PXの画素電極191Bの構造は、画素電極191R、191Gの構造と部分的に異なる。基本画素群PSは、3つの基本色、すなわち、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)に対応する赤色、緑色、及び青色画素PXでなされる。赤色、緑色、及び青色画素PXは、それぞれ赤色画素電極191R、緑色画素電極191G、及び青色画素電極191Bを有する。基本色を示す基本色カラーフィルターは、下部表示板又は上部表示板に形成されることができる。   As shown in FIG. 12, the basic pixel group PS includes pixel electrodes 191R, 191G, and 191B corresponding to red, green, and blue basic colors. The structure of the pixel electrodes 191R and 191G of the red and green pixels PX is the same, but the structure of the pixel electrode 191B of the blue pixel PX is partially different from the structure of the pixel electrodes 191R and 191G. The basic pixel group PS is made up of three basic colors, namely, red, green, and blue pixels PX corresponding to red (R), green (G), and blue (B). The red, green, and blue pixels PX include a red pixel electrode 191R, a green pixel electrode 191G, and a blue pixel electrode 191B, respectively. A basic color filter indicating a basic color may be formed on the lower display panel or the upper display panel.

各画素電極191R、191G、191Bは、2つの副画素領域に形成された2個の副画素電極191h、191lに分けられる。赤色画素電極191Rは、赤色画素の第1の副画素領域に形成された第1の赤色副画素電極191Rhと赤色画素の第2の副画素領域に形成された第2の赤色副画素電極191Rlとを有する。緑色画素電極191Gは、緑色画素の第1の副画素領域に形成された第1の緑色副画素電極191Ghと緑色画素の第2の副画素領域に形成された第2の緑色副画素電極191Glとを有する。青色画素電極191Bは、青色画素の第1の副画素領域に形成された第1の青色副画素電極191Bhと青色画素の第2の副画素領域に形成された第2の青色副画素電極191Blとを有する。   Each pixel electrode 191R, 191G, 191B is divided into two subpixel electrodes 191h, 191l formed in two subpixel regions. The red pixel electrode 191R includes a first red subpixel electrode 191Rh formed in the first subpixel area of the red pixel, and a second red subpixel electrode 191Rl formed in the second subpixel area of the red pixel. Have The green pixel electrode 191G includes a first green subpixel electrode 191Gh formed in the first subpixel area of the green pixel and a second green subpixel electrode 191Gl formed in the second subpixel area of the green pixel. Have The blue pixel electrode 191B includes a first blue subpixel electrode 191Bh formed in the first subpixel area of the blue pixel and a second blue subpixel electrode 191Bl formed in the second subpixel area of the blue pixel. Have

第1の赤色副画素電極191Rh及び第1の緑色副画素電極191Ghの微細ブランチ幅及び微細スリット幅は、それぞれ約3μm及び約3μmであり、第1の青色副画素電極191Bhの微細ブランチ幅及び微細スリット幅は、約3μm及び約4μmである。第2の赤色副画素電極191Rl、第2の緑色副画素電極191G、及び第2の青色副画素電極191Blの微細ブランチ幅及び微細スリット幅は、それぞれ約3μm及び約3μmである。本発明の特徴に従って、青色画素にある第1の副画素電極191Bhの微細スリットの幅は、他の画素にある第1の副画素電極191Rh、191Gh及び第2の副画素電極191Rl、191Gl、191Blの微細スリットの幅より大きいために、青色画素の第1の副画素の輝度を減少させる。   The fine branch width and fine slit width of the first red subpixel electrode 191Rh and the first green subpixel electrode 191Gh are about 3 μm and about 3 μm, respectively, and the fine branch width and fineness of the first blue subpixel electrode 191Bh The slit width is about 3 μm and about 4 μm. The fine branch width and fine slit width of the second red subpixel electrode 191Rl, the second green subpixel electrode 191G, and the second blue subpixel electrode 191Bl are about 3 μm and about 3 μm, respectively. According to the feature of the present invention, the width of the fine slit of the first subpixel electrode 191Bh in the blue pixel is set to the first subpixel electrode 191Rh, 191Gh and the second subpixel electrode 191Rl, 191Gl, 191Bl in the other pixel. Therefore, the luminance of the first subpixel of the blue pixel is decreased.

第1の赤色副画素電極191Rh、第1の緑色副画素電極191Gh、及び第1の青色副画素電極191Bhの各微細ブランチ方向は、θ3である。θ3は、約40°である。第2の赤色副画素電極191Rl、第2の緑色副画素電極191Gl、及び第2の青色副画素電極191Blの各微細ブランチ方向は、θ4である。θ4は、約45°である。θ3及びθ4は、それぞれ偏光子の偏光軸に対する角度である。このように、第1の赤色副画素電極191Rh、第1の緑色副画素電極191Gh、及び第1の青色副画素電極191Bhと第2の赤色副画素電極191Rl、第2の緑色副画素電極191Gl、及び第2の青色副画素電極191Blとの微細ブランチ方向を異ならせる場合に、第1の副画素の輝度及び第2の副画素の輝度が調節される。基本画素群を構成する各画素において、第2の副画素の面積は、第1の副画素の面積より約1.75倍である。   Each fine branch direction of the first red subpixel electrode 191Rh, the first green subpixel electrode 191Gh, and the first blue subpixel electrode 191Bh is θ3. θ3 is about 40 °. Each fine branch direction of the second red subpixel electrode 191Rl, the second green subpixel electrode 191Gl, and the second blue subpixel electrode 191Bl is θ4. θ4 is about 45 °. θ3 and θ4 are angles with respect to the polarization axis of the polarizer, respectively. As described above, the first red subpixel electrode 191Rh, the first green subpixel electrode 191Gh, the first blue subpixel electrode 191Bh, the second red subpixel electrode 191Rl, the second green subpixel electrode 191Gl, When the fine branch direction is different from that of the second blue subpixel electrode 191Bl, the luminance of the first subpixel and the luminance of the second subpixel are adjusted. In each pixel constituting the basic pixel group, the area of the second subpixel is about 1.75 times the area of the first subpixel.

以下、図12の基本画素群PSの画素電極191を有する液晶表示装置の光学的な特性及び効果について説明する。図13Aは、基本画素群PSを構成する画素電極がすべて同一の構造を有する従来技術の液晶表示装置で測定された階調レベル−輝度比を示すグラフであり、図13Bは、本発明の実施形態に従って図12に示す基本画素群PSの画素電極191を有する液晶表示装置で測定された階調レベル−輝度比を示すグラフである。また、本発明の液晶表示装置は、SVAモード方法で製造され、電荷共有充電の1G1D方式で動作する。さらに、本発明の第2の副画素電極に充電された電圧は、第1の副画素電極に充電された電圧に対して約0.77倍であり、液晶層のセル間隔は約3.55μmである。   Hereinafter, the optical characteristics and effects of the liquid crystal display device having the pixel electrode 191 of the basic pixel group PS of FIG. 12 will be described. FIG. 13A is a graph showing a gradation level-luminance ratio measured by a conventional liquid crystal display device in which all the pixel electrodes constituting the basic pixel group PS have the same structure, and FIG. 13B shows the implementation of the present invention. 13 is a graph showing a gradation level-luminance ratio measured by a liquid crystal display device having the pixel electrode 191 of the basic pixel group PS shown in FIG. 12 according to the embodiment. In addition, the liquid crystal display device of the present invention is manufactured by the SVA mode method and operates in the 1G1D method of charge sharing charging. Further, the voltage charged in the second subpixel electrode of the present invention is about 0.77 times the voltage charged in the first subpixel electrode, and the cell spacing of the liquid crystal layer is about 3.55 μm. It is.

階調レベル−輝度比グラフの横軸は、副画素電極191h及び191lに供給された電圧に対応する階調レベルを示し、その縦軸は、約60゜右側で分光器により測定された液晶表示装置の輝度比を示す。縦軸の輝度比は、約60゜右側で測定された各色の最大輝度に対する階調レベルの輝度である。例えば、図13Aに示す青色輝度曲線B1を参照すると、最も高い階調、すなわち、250階調での青色画素輝度が100カンデラ(Candela:cd)であり、150階調での青色画素輝度が50cdである場合に、青色輝度曲線B1の輝度比は、約0.5である。図13Aに示すグラフR1、G1、B1、及びW1は、それぞれ従来技術の液晶表示装置で測定された赤色光、緑色光、青色光、及び白色光の輝度比曲線であり、図13Bに示す曲線R2、G2、B2、及びW2は、それぞれ本発明の液晶表示装置で測定された赤色光、緑色光、青色光及び白色光の輝度比曲線である。白色光輝度W1、W2は、赤色光輝度R1、R2と、緑色光輝度G1、G2と、青色光輝度B1、B2との和であり、白色光輝度に対する赤色光輝度、緑色光輝度、及び青色光輝度の比は、それぞれ約55%〜65%、約20%〜30%、及び約10%〜20%である。   The horizontal axis of the gradation level-luminance ratio graph indicates the gradation level corresponding to the voltage supplied to the subpixel electrodes 191h and 191l, and the vertical axis thereof is a liquid crystal display measured by a spectroscope on the right side at about 60 °. The brightness ratio of the device is shown. The luminance ratio on the vertical axis is the luminance of the gradation level with respect to the maximum luminance of each color measured at the right side of about 60 °. For example, referring to the blue luminance curve B1 shown in FIG. 13A, the blue pixel luminance at the highest gradation, that is, 250 gradations is 100 candela (cd), and the blue pixel luminance at 150 gradations is 50 cd. , The luminance ratio of the blue luminance curve B1 is about 0.5. Graphs R1, G1, B1, and W1 shown in FIG. 13A are luminance ratio curves of red light, green light, blue light, and white light, respectively, measured by a conventional liquid crystal display device, and the curves shown in FIG. 13B. R2, G2, B2, and W2 are brightness ratio curves of red light, green light, blue light, and white light, respectively, measured by the liquid crystal display device of the present invention. The white light luminances W1 and W2 are the sum of the red light luminances R1 and R2, the green light luminances G1 and G2, and the blue light luminances B1 and B2, and the red light luminance, the green light luminance, and the blue light with respect to the white light luminance. The ratio of light luminance is about 55% to 65%, about 20% to 30%, and about 10% to 20%, respectively.

図13Aのグラフからわかるように、楕円で表示された中間階調レベル部分A8において、従来技術の赤色光輝度比曲線R1は、スロープが急激に増加することにより青色光輝度比曲線B1と交差する。赤色光輝度比曲線G1と青色光輝度比曲線B1とが交差する点を通過した後に、赤色光輝度比は、青色光輝度比より高くなる。このように、青色光輝度比が赤色光輝度比より低くなる階調レベル部分A8において、液晶表示装置の側面で黄色がかった色が現れる。黄色がかった色が視認される場合に、画質の品質が低下し、元来の映像の色が不調な状態となり、これにより、液晶表示装置の表示の品質が低下する。したがって、黄色がかった色が視認されることを防止することが要求される。高階調レベルの特定の階調でも基本色光の輝度比が交差するが、高階調では、階調レベル間の輝度差が大きいために黄色がかった色がよく観察されない。   As can be seen from the graph of FIG. 13A, the red light luminance ratio curve R1 of the prior art intersects with the blue light luminance ratio curve B1 due to a sharp increase in slope at the halftone level portion A8 displayed as an ellipse. . After passing through the point where the red light luminance ratio curve G1 and the blue light luminance ratio curve B1 intersect, the red light luminance ratio becomes higher than the blue light luminance ratio. Thus, in the gradation level portion A8 where the blue light luminance ratio is lower than the red light luminance ratio, a yellowish color appears on the side surface of the liquid crystal display device. When a yellowish color is visually recognized, the quality of the image quality is degraded, and the original video color is in an abnormal state, thereby degrading the display quality of the liquid crystal display device. Therefore, it is required to prevent the yellowish color from being visually recognized. Although the luminance ratio of the basic color light intersects even at a specific gradation at a high gradation level, a yellowish color is not often observed at a high gradation because of a large luminance difference between gradation levels.

しかしながら、図13Bに示すように、本発明で提案した基本画素群PSの画素電極を有する液晶表示装置は、従来の液晶表示装置で観察される赤色光輝度比曲線G1と青色光輝度比曲線B1とが交差する点を有しない。図13Bに楕円で示す中間階調レベル部分A8において、赤色光輝度比曲線R2のスロープと青色光輝度比曲線B2のスロープとが同様であるので、赤色光輝度比と青色光輝度比とが相互に交差する部分が存在しない。したがって、本発明の液晶表示装置は、黄色がかった色が発生する問題を解決した。   However, as shown in FIG. 13B, the liquid crystal display device having the pixel electrodes of the basic pixel group PS proposed in the present invention has a red light luminance ratio curve G1 and a blue light luminance ratio curve B1 observed in the conventional liquid crystal display device. Does not have a crossing point. In the middle gradation level portion A8 indicated by an ellipse in FIG. 13B, the slope of the red light luminance ratio curve R2 and the slope of the blue light luminance ratio curve B2 are the same, so that the red light luminance ratio and the blue light luminance ratio are mutually different. There is no part that intersects. Therefore, the liquid crystal display device of the present invention has solved the problem that a yellowish color is generated.

また、異なる基本色の輝度比が特定の階調レベルで相互に交差しつつ基本色間の輝度比が変わる場合に、液晶表示装置は、カラーエラー又は色座標移動の他の問題を発生させ得る。この問題を解決するために、基本画素群を構成する基本色画素間の輝度比が均衡をなすように設計される必要がある。   Also, when the luminance ratio between the basic colors changes while the luminance ratios of different basic colors intersect each other at a specific gradation level, the liquid crystal display device may generate a color error or other problem of color coordinate movement. . In order to solve this problem, the luminance ratio between the basic color pixels constituting the basic pixel group needs to be designed to be balanced.

実施形態2
図14は、本発明のもう1つの実施形態による液晶表示装置を構成する基本画素群PSの画素電極191を示す平面図である。図14は、下部表示板100上に形成された基本画素群PSの画素電極191のみを示す平面図である。画素電極191の平面図を除いた他の平面図は、図12で説明したものと同一であるので、その説明を省略し、他の重複説明も省略し、差異点のみを詳細に説明する。基本画素群PSは、3つの基本色、すなわち、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)に対応する赤色、緑色、及び青色画素PXからなる。画素電極が各画素に形成されており、各画素電極は、第1及び第2の副画素電極で構成される。
Embodiment 2
FIG. 14 is a plan view showing a pixel electrode 191 of a basic pixel group PS constituting a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention. FIG. 14 is a plan view showing only the pixel electrodes 191 of the basic pixel group PS formed on the lower display panel 100. The other plan views excluding the plan view of the pixel electrode 191 are the same as those described with reference to FIG. 12, so the description thereof will be omitted, other overlapping descriptions will be omitted, and only the differences will be described in detail. The basic pixel group PS includes three basic colors, that is, red, green, and blue pixels PX corresponding to red (R), green (G), and blue (B). A pixel electrode is formed in each pixel, and each pixel electrode is composed of first and second subpixel electrodes.

第1の赤色副画素電極191Rh及び第1の緑色副画素電極191Ghの微細ブランチ幅及び微細スリット幅は、それぞれ約3μm及び約3μmであり、第1の青色副画素電極191Bhの微細ブランチ幅及び微細スリット幅について、HA領域では、約3μm及び約3μmであり、LA領域では、約3μm及び約4μmであり、MA領域では、約3μm及び約3μm〜4μmである。各ドメインに形成された微細ブランチ197は、十字状の横及び縦ブランチ195に対して対称である。このように、第1の青色副画素電極191Bhが形成される場合に、第1の青色副画素は、他の色画素の第1の副画素輝度より低い輝度を有する。   The fine branch width and fine slit width of the first red subpixel electrode 191Rh and the first green subpixel electrode 191Gh are about 3 μm and about 3 μm, respectively, and the fine branch width and fineness of the first blue subpixel electrode 191Bh The slit width is about 3 μm and about 3 μm in the HA region, about 3 μm and about 4 μm in the LA region, and about 3 μm and about 3 μm to 4 μm in the MA region. The fine branch 197 formed in each domain is symmetric with respect to the cross-shaped horizontal and vertical branches 195. Thus, when the first blue subpixel electrode 191Bh is formed, the first blue subpixel has a lower luminance than the first subpixel luminance of other color pixels.

第2の赤色副画素電極191Rl、第2の緑色副画素電極191Gl、及び第2の青色副画素電極191Blの微細ブランチ幅及び微細スリット幅は、HA領域では、約3μm及び約3μmであり、LA領域では、約3μm及び約4μmであり、MA領域では、約3μm及び約3μm〜4μmである。第1の青色副画素電極191Bh及び第2の青色副画素電極191Bl、第2の赤色副画素電極191Rl及び第2の緑色副画素電極191Glのそれぞれに含まれたMA領域において、微細ブランチ幅は、約3μmで一定であり、微細スリット幅は、約3μmから約4μmに徐々に変わる領域である。各ドメインにおいて、HA領域の面積は、全領域面積、すなわち、HA領域、LA領域、及びMA領域を合わせた面積に対して約61%である。また、各ドメインにおいて、MA領域の面積は、HA領域の面積に対して約30〜35%である。各副画素内で各ドメインに形成された微細ブランチ197は、十字状の横及び縦ブランチ195に対して対称である。このように、第2の副画素の画素電極を形成することにより第1の副画素に対する第2の副画素の輝度を調節することができる。また、MA領域が第2の副画素電極上に形成されるために、テクスチャーの発生は減少し、第2の副画素の輝度は増加する。   The fine branch width and fine slit width of the second red subpixel electrode 191Rl, the second green subpixel electrode 191Gl, and the second blue subpixel electrode 191Bl are about 3 μm and about 3 μm in the HA region, and LA In the region, it is about 3 μm and about 4 μm, and in the MA region, it is about 3 μm and about 3 μm to 4 μm. In the MA region included in each of the first blue subpixel electrode 191Bh, the second blue subpixel electrode 191Bl, the second red subpixel electrode 191Rl, and the second green subpixel electrode 191Gl, the fine branch width is It is constant at about 3 μm, and the fine slit width is a region that gradually changes from about 3 μm to about 4 μm. In each domain, the area of the HA region is about 61% of the total area, that is, the total area of the HA region, the LA region, and the MA region. In each domain, the area of the MA region is about 30 to 35% with respect to the area of the HA region. The fine branch 197 formed in each domain in each subpixel is symmetric with respect to the cross-shaped horizontal and vertical branches 195. In this manner, the luminance of the second subpixel relative to the first subpixel can be adjusted by forming the pixel electrode of the second subpixel. In addition, since the MA region is formed on the second subpixel electrode, the occurrence of texture decreases and the luminance of the second subpixel increases.

第1の赤色副画素電極191Rh、第1の緑色副画素電極191Gh、及び第1の青色副画素電極191Bhの微細ブランチの方向は、θ5に同一である。θ5は、約40°である。第2の赤色副画素電極191Rl、第2の緑色副画素電極191Gl、及び第2の青色副画素電極191Blの各微細ブランチ方向は、θ6に同一である。θ6は、約45°である。θ5及びθ6の各々は、偏光子の偏光軸に対する角である。θ5及びθ6の角が異なって形成されるので、第1の副画素及び第2の副画素の輝度が調節されることにより、液晶表示装置の側面視認性が改善する。図14に示すように、青色画素電極191Bの第1の副画素電極191Bhの微細スリット幅を他の画素の第1の副画素電極と異ならせることにより、液晶表示装置の黄色がかった現象を防止することができる。   The directions of the fine branches of the first red subpixel electrode 191Rh, the first green subpixel electrode 191Gh, and the first blue subpixel electrode 191Bh are the same as θ5. θ5 is about 40 °. The fine branch directions of the second red subpixel electrode 191Rl, the second green subpixel electrode 191Gl, and the second blue subpixel electrode 191Bl are the same as θ6. θ6 is about 45 °. Each of θ5 and θ6 is an angle with respect to the polarization axis of the polarizer. Since the angles of θ5 and θ6 are formed differently, the side visibility of the liquid crystal display device is improved by adjusting the luminance of the first subpixel and the second subpixel. As shown in FIG. 14, the yellowish phenomenon of the liquid crystal display device is prevented by making the fine slit width of the first subpixel electrode 191Bh of the blue pixel electrode 191B different from the first subpixel electrode of other pixels. can do.

図12及び図14に示す実施形態とは異なり、青色画素電極を除く1つの画素電極の構造は、他の画素電極の構造と異なって形成されることができる。   Unlike the embodiments shown in FIGS. 12 and 14, the structure of one pixel electrode excluding the blue pixel electrode can be formed differently from the structure of the other pixel electrodes.

本発明の他の実施形態において、各ドメインに形成された微細ブランチ197は、十字状の横及び縦ブランチ195の中のいずれか1つに対して対称であり得、より望ましくは、十字状の横ブランチ195に対して対称であり得る。   In other embodiments of the present invention, the micro branches 197 formed in each domain may be symmetric with respect to any one of the cross-shaped horizontal and vertical branches 195, and more preferably, the cross-shaped It can be symmetric with respect to the lateral branch 195.

本発明のもう1つの実施形態において、基本画素群PSは、黄色を含み、4つ以上の色で構成され得る。液晶表示装置の色の品質を向上させるために、4つ以上の基本色で構成された基本画素群PSで2つ以上の基本色画素電極191の構造は、他の1つの基本色画素電極191の構造と異なって形成されることができる。   In another embodiment of the present invention, the basic pixel group PS includes yellow and may be configured with four or more colors. In order to improve the color quality of the liquid crystal display device, the structure of two or more basic color pixel electrodes 191 in the basic pixel group PS composed of four or more basic colors is the same as the other basic color pixel electrode 191. It can be formed differently from the structure.

実施形態3
以下、図28〜図32を参照して基本画素群PSの画素電極の構造について詳細に説明する。図28〜図32に示す微細ブランチ197及び微細スリット199は、ジグザグ形状を有する。第1の副画素電極191h28対第2の副画素電極191l28の面積比は、約1:2乃至約1:1.5の範囲内の1つの値であり得る。説明の便宜上、重複説明を省略する。
Embodiment 3
Hereinafter, the structure of the pixel electrodes of the basic pixel group PS will be described in detail with reference to FIGS. The fine branch 197 and the fine slit 199 shown in FIGS. 28 to 32 have a zigzag shape. The area ratio of the first subpixel electrode 191h28 to the second subpixel electrode 191128 may be a value in the range of about 1: 2 to about 1: 1.5. For convenience of explanation, duplicate explanation is omitted.

本発明の特徴に従って、図28に示す基本画素群PSは、異なる基本色を有する画素に対応する画素電極の異なる構造を含む。基本色は、赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)を含み、これらは、それぞれ赤色、緑色、及び青色画素PXを構成する。赤色画素電極191R28は、赤色画素PX上に形成され、第1の副画素電極191Rh28と第2の副画素電極191Rl28とを含む。緑色画素電極191G28は、緑色画素PX上に形成され、第1の副画素電極191Gh28と第2の副画素電極191Gl28とを含む。青色画素電極191B28は、青色画素PX上に形成され、第1の副画素電極191Bh28と第2の副画素電極191Bl28とを含む。基本画素群の画素電極、すなわち、赤色画素電極191R28、緑色画素電極191G28、及び青色画素電極191B28の第1の副画素電極191Bh28、191Gh28、及び191Rh28の各々は、4個のドメイン領域Dh1、Dh2、Dh3、及びDh4を有し、それらの第2の副画素電極191Bl28、191Gl28、191Rl28の各々は、4つのドメイン領域Dl1、Dl2、Dl3、及びDl4を有する。   In accordance with a feature of the present invention, the basic pixel group PS shown in FIG. 28 includes different structures of pixel electrodes corresponding to pixels having different basic colors. The basic colors include red (R), green (G), and blue (B), which constitute red, green, and blue pixels PX, respectively. The red pixel electrode 191R28 is formed on the red pixel PX, and includes a first subpixel electrode 191Rh28 and a second subpixel electrode 191Rl28. The green pixel electrode 191G28 is formed on the green pixel PX and includes a first subpixel electrode 191Gh28 and a second subpixel electrode 191Gl28. The blue pixel electrode 191B28 is formed on the blue pixel PX, and includes a first subpixel electrode 191Bh28 and a second subpixel electrode 191Bl28. The pixel electrodes of the basic pixel group, that is, the red pixel electrode 191R28, the green pixel electrode 191G28, and the first subpixel electrode 191Bh28, 191Gh28, and 191Rh28 of the blue pixel electrode 191B28 each have four domain regions Dh1, Dh2, Each of the second subpixel electrodes 191Bl28, 191Gl28, and 191Rl28 has four domain regions Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4.

基本色の画素電極を構成する微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、基本色の各画素電極で異なる幅を有することができる。例えば、赤色画素電極191R28の第1の副画素電極191Rh28及び第2の副画素電極191Rl28に形成された8個のドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4、Dl1、Dl2、Dl3、及びDl4において、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に約3.4μmから約4.2μmまで約0.2μm〜0.5μmの範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。緑色画素電極191G28の第1の副画素電極191Gh28及び第2の副画素電極191Gl28に形成された8個のドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4、Dl1、Dl2、Dl3、及びDl4において、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に約3μmから約3.8μmまで約0.2μm〜0.5μmの範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。青色画素電極191B28の第1の副画素電極191Bh28及び第2の副画素電極191Bl28に形成された8個のドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4、Dl1、Dl2、Dl3、及びDl4において、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に約2.5μmから約4μmまで約0.2μm〜0.5μmの範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。本発明の実施形態に従って、ドメインDh1〜Dh4及びDl1〜Dl4の各々は、複数のグループに分割され、このグループの各々は、同一のグループ内では同一の幅Sを有する微細ブランチと同一の幅Wを有する微細スリットとを有し、各グループ内の微細ブランチ及び微細スリットの幅は、矢印方向のグループに沿って増加することができる。   The width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 constituting the basic color pixel electrode may be different for each basic color pixel electrode. For example, in the eight domains Dh1, Dh2, Dh3, Dh4, Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 formed in the first subpixel electrode 191Rh28 and the second subpixel electrode 191Rl28 of the red pixel electrode 191R28, a fine branch The width S of 197 and the width W of the fine slit 199 gradually increase in the direction of the arrow shown in the drawing from about 3.4 μm to about 4.2 μm by any one value within the range of about 0.2 μm to 0.5 μm. To do. In the eight domains Dh1, Dh2, Dh3, Dh4, Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 formed in the first subpixel electrode 191Gh28 and the second subpixel electrode 191Gl28 of the green pixel electrode 191G28, the fine branch 197 The width S and the width W of the fine slit 199 gradually increase from about 3 μm to about 3.8 μm in any direction within the range of about 0.2 μm to 0.5 μm in the arrow direction shown in the drawing. In the eight domains Dh1, Dh2, Dh3, Dh4, Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 formed in the first subpixel electrode 191Bh28 and the second subpixel electrode 191Bl28 of the blue pixel electrode 191B28, the fine branch 197 The width S and the width W of the fine slit 199 are gradually increased by any one value in the range of about 0.2 μm to 0.5 μm from about 2.5 μm to about 4 μm in the arrow direction shown in the drawing. According to the embodiment of the present invention, each of the domains Dh1 to Dh4 and D11 to D14 is divided into a plurality of groups, each of which has the same width W as the fine branch having the same width S in the same group. The width of the micro branches and the micro slits in each group can be increased along the group in the arrow direction.

以下、ジグザグ形状の微細ブランチ197に対する微細ブランチ197の主方向、ジグザグ角及びジグザグ単位の長さについて説明する。基本画素群の画素電極191R28、191G28、191B28の第1の副画素電極191Rh28、191Gh28、191Bh28に形成されたドメインDh1及びDh2において、ジグザグ単位の長さは、約20μmであり、微細ブランチ197の主方向角は、約40°であり、ジグザグ角は、図面に示す矢印方向に約±0から約±12まで約0.5°〜1°の範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。   The main direction, zigzag angle, and zigzag unit length of the fine branch 197 with respect to the zigzag fine branch 197 will be described below. In the domains Dh1 and Dh2 formed in the first subpixel electrodes 191Rh28, 191Gh28, 191Bh28 of the pixel electrodes 191R28, 191G28, 191B28 of the basic pixel group, the zigzag unit length is about 20 μm, and the main branch 197 The direction angle is about 40 °, and the zigzag angle is gradually increased from about ± 0 to about ± 12 by any one value in the range of about 0.5 ° to 1 ° in the arrow direction shown in the drawing. .

基本画素群の画素電極191R28、191G28、191B28の第1の副画素電極191Rh28、191Gh28、191Bh28に形成されたドメインDh3及びDh4において、ジグザグ単位の長さは、約7μmであり、微細ブランチ197の主方向角は、約40°であり、ジグザグ角は、約±15である。   In the domains Dh3 and Dh4 formed in the first subpixel electrodes 191Rh28, 191Gh28, 191Bh28 of the pixel electrodes 191R28, 191G28, 191B28 of the basic pixel group, the zigzag unit length is about 7 μm, and the main branch 197 The direction angle is about 40 ° and the zigzag angle is about ± 15.

赤色画素電極191R28、緑色画素電極191G28、青色画素電極191B28の第2の副画素電極191Rl28、191Gl28、191Bl28に形成されたドメインDl1及びDl2において、ジグザグ単位の長さは、約20μmであり、微細ブランチ197の主方向角は、約45°であり、ジグザグ角は、約±15である。   In the domains Dl1 and Dl2 formed on the second subpixel electrodes 191Rl28, 191Gl28, and 191Bl28 of the red pixel electrode 191R28, the green pixel electrode 191G28, and the blue pixel electrode 191B28, the length of the zigzag unit is about 20 μm, and the minute branch The main direction angle of 197 is about 45 ° and the zigzag angle is about ± 15.

基本画素群の画素電極191R28、191G28、191B28の第2の副画素電極191Rl28、191Gl28、191Bl28に形成されたドメインDl3及びDl4において、ジグザグ単位の長さは、約14μmであり、微細ブランチ197の主方向角は、約45°であり、ジグザグ角は、図面に示す矢印方向に約±0から約±15まで約0.5°〜1°の範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。   In the domains Dl3 and Dl4 formed on the second subpixel electrodes 191Rl28, 191Gl28, 191Bl28 of the pixel electrodes 191R28, 191G28, 191B28 of the basic pixel group, the length of the zigzag unit is about 14 μm, and the main branch 197 The direction angle is about 45 °, and the zigzag angle gradually increases by any one value within a range of about 0.5 ° to 1 ° from about ± 0 to about ± 15 in the arrow direction shown in the drawing. .

緑色画素電極191G28を構成するドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4、Dl1、Dl2、Dl3、及びDl4のそれぞれに形成された微細ブランチ197の主方向、ジグザグ角、及びジグザグ単位の長さは、赤色画素電極191R28及び青色画素電極191B28を構成するドメインのそれぞれに形成された微細ブランチ197の主方向、ジグザグ角、及びジグザグ単位の長さと同一である。   The main direction, zigzag angle, and zigzag unit length of the micro branches 197 formed in each of the domains Dh1, Dh2, Dh3, Dh4, Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 constituting the green pixel electrode 191G28 are red pixels. The main branch, zigzag angle, and zigzag unit length of the micro branches 197 formed in the domains constituting the electrode 191R28 and the blue pixel electrode 191B28 are the same.

本発明の実施形態に従って、基本画素群の画素電極191R28、191G28、191B28において、十字状ブランチの縦部195vの左側に形成されたドメインDh1、Dh4、Dl1、Dl4の画素電極の構造は、縦部195vに対して十字状ブランチの縦部195vの右側に形成されたドメインDh2、Dh3、Dl2、Dl3の画素電極の構造と対称であり得る。このような画素電極で構成された基本画素群は、液晶表示装置の視認性を向上させ、黄色がかった色が視認されることを防止し、液晶表示装置で回折した光の回折点を分散させることにより虹ムラを著しく減少させることができる。   In the pixel electrodes 191R28, 191G28, 191B28 of the basic pixel group according to the embodiment of the present invention, the structure of the pixel electrodes of the domains Dh1, Dh4, D11, D14 formed on the left side of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch is The pixel electrode structure of the domains Dh2, Dh3, Dl2, and Dl3 formed on the right side of the vertical portion 195v of the cross-shaped branch with respect to 195v may be symmetric. The basic pixel group composed of such pixel electrodes improves the visibility of the liquid crystal display device, prevents the yellowish color from being visually recognized, and disperses the diffraction points of the light diffracted by the liquid crystal display device. As a result, rainbow unevenness can be significantly reduced.

第1の副画素電極191Rh28、191Gh28、191Bh28に形成された画素電極接点接続部は、第1の画素電極接触部192hと十字状ブランチの縦部195vとを接続した画素電極縦接続部715hを有する。第2の副画素電極191Rl28、191Gl28、191Bl28に形成された画素電極接点接続部は、第2の画素電極接触部192lに接続された画素電極横接続部713l及び画素電極横接続部713lと十字状ブランチの縦部195vとを接続した画素電極斜線接続部714lを有する。このような画素電極接点接続部は、液晶分子の未復元及び光漏れ不良を減少させる。   The pixel electrode contact connection portion formed on the first subpixel electrodes 191Rh28, 191Gh28, 191Bh28 has a pixel electrode vertical connection portion 715h connecting the first pixel electrode contact portion 192h and the vertical portion 195v of the cross-shaped branch. . The pixel electrode contact connection portion formed on the second subpixel electrodes 191Rl28, 191Gl28, 191Bl28 is cross-shaped with the pixel electrode horizontal connection portion 713l and the pixel electrode horizontal connection portion 713l connected to the second pixel electrode contact portion 192l. It has a pixel electrode oblique line connecting portion 714l connected to the vertical portion 195v of the branch. Such a pixel electrode contact connection portion reduces unrestoration of liquid crystal molecules and poor light leakage.

実施形態4
図29に示す基本画素群PSを構成する画素電極に形成されたドメインは、本発明の特徴に従って、異なる主方向及び同一のジグザグ角を有する。図29に示す微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、同一の副画素上に形成されたドメインでは同一に形成される。
Embodiment 4
The domains formed in the pixel electrodes constituting the basic pixel group PS shown in FIG. 29 have different main directions and the same zigzag angle according to the characteristics of the present invention. The width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 shown in FIG. 29 are the same in the domains formed on the same subpixel.

すなわち、第1の副画素に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、ドメインごとに同一に分布され、第2の副画素に形成されたドメインDl1、Dl2、Dl3、Dl4において、微細ブランチ197の幅及び微細スリット199の幅は、ドメインごとに同一に分布される。しかしながら、第1の副画素のドメインに形成された微細ブランチ197の幅又は微細スリット199の幅は、第2の副画素のドメインに形成されたものと異なって形成される。   That is, in the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed in the first subpixel, the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 are equally distributed for each domain and formed in the second subpixel. In the domains Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4, the width of the fine branch 197 and the width of the fine slit 199 are equally distributed for each domain. However, the width of the micro branch 197 formed in the domain of the first subpixel or the width of the micro slit 199 is different from that formed in the domain of the second subpixel.

例えば、基本画素群の画素電極191R29、191G29、191B29の第1の副画素電極191Rh29、191Gh29、191Bh29に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に約2.5μmから約3.2μmまで約0.2μm〜0.5μmの範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。基本画素群の画素電極191R29、191G29、191B29の第2の副画素電極191Rl29、191Gl29、191Bl29に形成されたドメインDl1、Dl2、Dl3、及びDl4において、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に約2.5μmから約3.5μmまで約0.2μm〜0.5μmの範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。本発明の実施形態に従って、ドメインDh1〜Dh4、Dl1〜Dl4の各々は、複数のグループに分割され、このグループの各々は、同一のグループ内では同一の幅を有する微細ブランチ及び同一の幅を有する微細スリットを有し、各グループ内の微細ブランチ及び微細スリットの幅は、矢印方向のグループに沿って増加することができる。   For example, in the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed on the first subpixel electrodes 191Rh29, 191Gh29, and 191Bh29 of the pixel electrodes 191R29, 191G29, and 191B29 of the basic pixel group, the width S of the fine branch 197 and the fine slit 199 The width W gradually increases from about 2.5 μm to about 3.2 μm by any one value within the range of about 0.2 μm to 0.5 μm in the direction of the arrow shown in the drawing. The width S of the minute branch 197 and the width of the minute slit 199 in the domains Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 formed in the second subpixel electrodes 191Rl29, 191Gl29, 191Bl29 of the pixel electrodes 191R29, 191G29, 191B29 of the basic pixel group W gradually increases by any one value in the range of about 0.2 μm to 0.5 μm from about 2.5 μm to about 3.5 μm in the direction of the arrow shown in the drawing. According to an embodiment of the present invention, each of the domains Dh1 to Dh4, D11 to D14 is divided into a plurality of groups, each of which has a fine branch having the same width and the same width in the same group. With fine slits, the width of the fine branches and fine slits in each group can increase along the group in the direction of the arrow.

以下、ジグザグ形状の微細ブランチ197に対する微細ブランチ197の主方向、ジグザグ角、及びジグザグ単位の長さについて説明する。基本画素群の画素電極191R29、191G29、191B29の第1の副画素電極191Rh29、191Gh29、191Bh29に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、ジグザグ単位の長さは、約14μmであり、第2の副画素電極191Rl29、191Gl29、191Bl29に形成されたドメインDl1、Dl2、Dl3、Dl4において、ジグザグ単位の長さは、約10μmである。赤色画素電極191R29及び緑色画素電極191G29の第1の副画素電極191Rh29、191Gh29に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4のそれぞれ及び青色画素電極191B29の第2の副画素電極191Bl29に形成されたドメインDl1、Dl2、Dl3、Dl4の各々において、微細ブランチ197の主方向角は、約50°、約48°、約40°、約41.3°であり、ジグザグ角は、各ドメインで約±15である。赤色画素電極191R29及び緑色画素電極191G29の第2の副画素電極191Rl29、191Gl29に形成された各ドメインDl1、Dl2、Dl3、Dl4及び青色画素電極191B29の第1の副画素電極191Bh29に形成された各ドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、微細ブランチ197の主方向角は、約42°、約40.8°、約48°、約49.2°であり、ジグザグ角は、各ドメインで約±15°である。   Hereinafter, the main direction of the fine branch 197 with respect to the zigzag fine branch 197, the zigzag angle, and the length of the zigzag unit will be described. In the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed in the first subpixel electrodes 191Rh29, 191Gh29, and 191Bh29 of the pixel electrodes 191R29, 191G29, and 191B29 of the basic pixel group, the zigzag unit length is about 14 μm. In the domains Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 formed in the two subpixel electrodes 191Rl29, 191Gl29, and 191Bl29, the zigzag unit length is about 10 μm. Each of the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed on the first subpixel electrodes 191Rh29 and 191Gh29 of the red pixel electrode 191R29 and the green pixel electrode 191G29 and the second subpixel electrode 191B129 of the blue pixel electrode 191B29 is formed. In each of the domains Dl1, Dl2, Dl3, Dl4, the main direction angle of the fine branch 197 is about 50 °, about 48 °, about 40 °, about 41.3 °, and the zigzag angle is about ±± for each domain. 15. Each domain Dl1, Dl2, Dl3, Dl4 formed on the second subpixel electrodes 191Rl29, 191Gl29 of the red pixel electrode 191R29 and the green pixel electrode 191G29 and each of the domains formed on the first subpixel electrode 191Bh29 of the blue pixel electrode 191B29 In the domains Dh1, Dh2, Dh3, Dh4, the main direction angles of the micro branches 197 are about 42 °, about 40.8 °, about 48 °, about 49.2 °, and the zigzag angle is about ±± in each domain. 15 °.

基本色を有する基本画素群PS、第1の副画素電極191Rh29、191Gh29、191Bh29及び第2の副画素電極191Rl29、191Gl29、191Bl29を含む各画素電極191R29、191G29、191B29、ドメイン領域Dh1、Dh2、Dh3、Dh4、Dl1、Dl2、Dl3、及びDl4に分割された画素電極、ジグザグ形状の微細ブランチ197、及び第1の副画素電極対第2の副画素電極の面積比は、上述した説明又は図28と関連してなされた説明と実質的に同様である。このような画素電極で構成された基本画素群は、図28と関連して説明した効果を有する。第1の副画素電極191Rh29、191Gh29、191Bh29及び第2の副画素電極191Rl29、191Gl29、191Bl29上に形成された画素電極接点接続部は、図23C及び図24Cを参照して説明したものと同様である。   Each pixel electrode 191R29, 191G29, 191B29, domain region Dh1, Dh2, Dh3 including the basic pixel group PS having the basic color, the first subpixel electrode 191Rh29, 191Gh29, 191Bh29 and the second subpixel electrode 191Rl29, 191Gl29, 191Bl29 , Dh4, Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4, the zigzag fine branch 197, and the area ratio of the first subpixel electrode to the second subpixel electrode is as described above or FIG. Is substantially the same as the explanation made in connection with The basic pixel group constituted by such pixel electrodes has the effect described in relation to FIG. The pixel electrode contact connection portions formed on the first subpixel electrodes 191Rh29, 191Gh29, 191Bh29 and the second subpixel electrodes 191Rl29, 191Gl29, 191Bl29 are the same as those described with reference to FIGS. 23C and 24C. is there.

実施形態5
本発明の特徴に従って、図30に示す基本画素群PSを構成する画素電極において、第2の副画素電極191Rl30、191Gl30、191Bl30のドメインDl1、Dl2、Dl3、及びDl4の各々は、複数のサブドメインを有し、各サブドメイン内の微細ブランチの幅及び微細スリットの幅は、同一の幅を有し、隣接したサブドメイン間の幅は、各サブドメイン内の微細ブランチの幅又は微細スリットの幅よりさらに大きい。
Embodiment 5
In the pixel electrode constituting the basic pixel group PS shown in FIG. 30 according to the feature of the present invention, each of the domains Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 of the second subpixel electrodes 191Rl30, 191Gl30, 191Bl30 includes a plurality of subdomains. The width of the fine branch and the width of the fine slit in each subdomain have the same width, and the width between adjacent subdomains is the width of the fine branch or fine slit in each subdomain. Even bigger.

しかしながら、第1の副画素電極191Rh30、191Gh30、191Bh30のドメインDh1〜Dh4の各々において、微細ブランチの幅及び微細スリットの幅は、矢印方向から徐々に増加する。例えば、赤色画素電極191R30及び緑色画素電極191G30の第1の副画素電極191Rh30及び191Gh30に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅は、図面に示す矢印方向に約2.8μmから約3.3μmまで約0.2μm〜0.5μmの範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。また、青色画素電極191B30の第1の副画素電極191Bh30に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、微細ブランチ197の幅Sは、図面に示す矢印方向に約2.8μmから約3.3μmまで約0.2μm〜0.5μmの範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加し、微細スリット199の幅Wは、約3.8μmから約4.0μmまで増加する。本発明の実施形態に従って、ドメインDh1〜Dh4、Dl1〜Dl4の各々は、複数のグループに分割され、このグループの各々は、同一のグループにおいて同一の幅を有する微細ブランチ及び同一の幅を有する微細スリットを有する。   However, in each of the domains Dh1 to Dh4 of the first subpixel electrodes 191Rh30, 191Gh30, and 191Bh30, the width of the fine branch and the width of the fine slit gradually increase from the arrow direction. For example, in the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed in the first subpixel electrodes 191Rh30 and 191Gh30 of the red pixel electrode 191R30 and the green pixel electrode 191G30, the width S of the micro branch 197 and the width of the micro slit 199 are as follows. In the direction of the arrow shown in FIG. 4, the value gradually increases from about 2.8 μm to about 3.3 μm by any one value within the range of about 0.2 μm to 0.5 μm. In the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed in the first subpixel electrode 191Bh30 of the blue pixel electrode 191B30, the width S of the micro branch 197 is about 2.8 μm to about 3.mu.m in the arrow direction shown in the drawing. The width W of the fine slit 199 increases from about 3.8 μm to about 4.0 μm, gradually increasing by any one value within a range of about 0.2 μm to 0.5 μm up to 3 μm. According to the embodiment of the present invention, each of the domains Dh1 to Dh4, D11 to D14 is divided into a plurality of groups, and each of the groups includes a micro branch having the same width and a micro having the same width in the same group. Has a slit.

基本画素群の画素電極191R30、191G30、191B30の第2の副画素電極191Rl30、191Gl30、191Bl30のドメインDl1、Dl2、Dl3、及びDl4のサブドメインにおいて、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、それぞれ約3.0μmであり、各ドメイン内の各サブドメインの幅は、約27μmであり、各ドメイン内の隣接したサブドメイン間の間隔は、約4.5μmである。また、第2の副画素電極191Rl30、191Gl30、191Bl30に形成されたドメインDl3、Dl4において、大部分の微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、それぞれ約3.0μmであり、一定の距離、例えば、約27μmの間隔で微細スリット199は、隣接した微細スリット199の幅Sとは異なる幅、例えば、約4.5μmの幅Sを含むサブドメインを有することができる。本発明の他の実施形態に従って、一定の距離、すなわち、周期的に隣接した微細ブランチ197又は微細スリット199の幅より大きな幅を有する微細ブランチ197又は微細スリット199が第1の副画素電極又は第2の副画素電極を構成するドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4、Dl1、Dl2、Dl3、及びDl4に形成されることができる。基本画素群の画素電極191R30、191G30、191B30の第1の副画素電極191Rh30、191Gh30、191Bh30に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、ジグザグ単位の長さは、約10μmであり、第2の副画素電極191Rl30、191Gl30、191Bl30に形成されたドメインDl1、Dl2、Dl3、及びDl4において、ジグザグ単位の長さは、約7μmである。各基本画素群のドメインに形成された微細ブランチ197の主方向及びジグザグ角は、図29と関連して説明したものと同様である。   The width S of the minute branch 197 and the width of the minute slit 199 in the subdomains of the domains Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 of the second subpixel electrodes 191Rl30, 191Gl30, 191Bl30 of the pixel electrodes 191R30, 191G30, 191B30 of the basic pixel group Each W is about 3.0 μm, the width of each subdomain in each domain is about 27 μm, and the spacing between adjacent subdomains in each domain is about 4.5 μm. In the domains Dl3 and Dl4 formed in the second subpixel electrodes 191Rl30, 191Gl30, and 191Bl30, the width S of most of the fine branches 197 and the width W of the fine slits 199 are about 3.0 μm, respectively. At a distance of about 27 μm, the micro slit 199 may have a sub-domain including a width S different from the width S of the adjacent micro slit 199, for example, a width S of about 4.5 μm. According to another embodiment of the present invention, a micro branch 197 or micro slit 199 having a certain distance, that is, a width larger than the width of the micro branches 197 or micro slits 199 that are periodically adjacent to each other is the first sub-pixel electrode or It can be formed in domains Dh1, Dh2, Dh3, Dh4, Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 that constitute two subpixel electrodes. In the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed in the first subpixel electrodes 191Rh30, 191Gh30, and 191Bh30 of the pixel electrodes 191R30, 191G30, and 191B30 of the basic pixel group, the length in zigzag units is about 10 μm, In the domains Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 formed in the two subpixel electrodes 191Rl30, 191Gl30, and 191Bl30, the zigzag unit length is about 7 μm. The main direction and zigzag angle of the fine branch 197 formed in the domain of each basic pixel group are the same as those described with reference to FIG.

基本色を有する基本画素群PS、第1の副画素電極191Rh30、191Gh30、191Bh30及び第2の副画素電極191Rl30、191Gl30、191Bl30を含む各画素電極191R30、191G30、191B30、ドメイン領域Dh1、Dh2、Dh3、Dh4、Dl1、Dl2、Dl3、及びDl4に分割された画素電極、ジグザグ形状の微細ブランチ197、及び第1の副画素電極対第2の副画素電極の面積比は、上述した説明又は図28と関連してなされた説明と実質的に同様である。このような画素電極で構成された基本画素群は、図28と関連して説明した効果を有する。第1の副画素電極191Rh30、191Gh30、191Bh30及び第2の副画素電極191Rl30、191Gl30、191Bl30上に形成された画素電極接点接続部は、図23F及び図24Cを参照して説明したものと同様である。   Each pixel electrode 191R30, 191G30, 191B30, domain region Dh1, Dh2, Dh3 including the basic pixel group PS having the basic color, the first subpixel electrode 191Rh30, 191Gh30, 191Bh30 and the second subpixel electrode 191Rl30, 191Gl30, 191Bl30 , Dh4, Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4, the zigzag fine branch 197, and the area ratio of the first subpixel electrode to the second subpixel electrode is as described above or FIG. Is substantially the same as the explanation made in connection with The basic pixel group constituted by such pixel electrodes has the effect described in relation to FIG. Pixel electrode contact connection portions formed on the first subpixel electrodes 191Rh30, 191Gh30, 191Bh30 and the second subpixel electrodes 191Rl30, 191Gl30, 191Bl30 are the same as those described with reference to FIGS. 23F and 24C. is there.

実施形態6
図31に示す基本画素群PSにおいて、微細ブランチ197の主方向角は、本発明の特徴に従って、第1の副画素電極191Rh31、191Gh31、191Bh31に形成されたドメインより第2の副画素電極191Rl31、191Gl31、191Bl31に形成されたドメインがさらに大きい。
Embodiment 6
In the basic pixel group PS shown in FIG. 31, the main direction angle of the fine branch 197 is determined from the second subpixel electrode 191Rl31, from the domain formed in the first subpixel electrode 191Rh31, 191Gh31, 191Bh31, The domains formed in 191Gl31 and 191Bl31 are even larger.

基本画素群の画素電極191R31、191G31、191B31の第1の副画素電極191Rh31、191Gh31、191Bh31のドメインDh1及びDh2において、ジグザグ単位の長さは、約14μmであり、微細ブランチ197の主方向角は、約40.8°であり、ジグザグ角は、約10°である。また、これらのドメインDh3及びDh4において、ジグザグ単位の長さは、約14μmであり、微細ブランチ197の主方向角は、約39.2°であり、ジグザグ角は、約10°である。基本画素群の画素電極191R31、191G31、191B31の第2の副画素電極191Rl31、191Gl31、191Bl31のドメインDl1及びDl2において、ジグザグ単位の長さは、約10μmであり、微細ブランチ197の主方向角は、約42°であり、ジグザグ角は、約15°である。これらのドメインDl3及びDl4において、ジグザグ単位の長さは、約10μmであり、微細ブランチ197の主方向角は、約41.3°であり、ジグザグ角は、約15°である。微細ブランチ197の主方向角は、D1に対する角であり得る。   In the domains Dh1 and Dh2 of the first subpixel electrodes 191Rh31, 191Gh31, 191Bh31 of the pixel electrodes 191R31, 191G31, 191B31 of the basic pixel group, the zigzag unit length is about 14 μm, and the main direction angle of the fine branch 197 is , About 40.8 °, and the zigzag angle is about 10 °. In these domains Dh3 and Dh4, the length of the zigzag unit is about 14 μm, the main direction angle of the fine branch 197 is about 39.2 °, and the zigzag angle is about 10 °. In the domains Dl1 and Dl2 of the second subpixel electrodes 191Rl31, 191Gl31, 191Bl31 of the pixel electrodes 191R31, 191G31, 191B31 of the basic pixel group, the length in zigzag units is about 10 μm, and the main direction angle of the fine branch 197 is , About 42 °, and the zigzag angle is about 15 °. In these domains D13 and D14, the length of the zigzag unit is about 10 μm, the main direction angle of the fine branch 197 is about 41.3 °, and the zigzag angle is about 15 °. The main direction angle of the fine branch 197 may be an angle with respect to D1.

赤色画素電極191R31及び緑色画素電極191G31の第1の副画素電極191Rh31及び191Gh31に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に約2.8μmから約3.3μmまで約0.2μm〜0.5μmの範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。また、青色画素電極191B31の第1の副画素電極191Bh31に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に約3.3μmから約3.7μmまで約0.2μm〜0.5μmの範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。   In the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed in the first subpixel electrodes 191Rh31 and 191Gh31 of the red pixel electrode 191R31 and the green pixel electrode 191G31, the width S of the micro branch 197 and the width W of the micro slit 199 are shown in the drawing. In the direction indicated by the arrow, the value gradually increases from about 2.8 μm to about 3.3 μm by any one value within the range of about 0.2 μm to 0.5 μm. Further, in the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed in the first sub-pixel electrode 191Bh31 of the blue pixel electrode 191B31, the width S of the micro branch 197 and the width W of the micro slit 199 are approximately in the arrow direction shown in the drawing. Gradually increase from 3.3 μm to about 3.7 μm by any one value within the range of about 0.2 μm to 0.5 μm.

画素電極191R31、191G31、191B31の第2の副画素電極191Rl31、191Gl31、191Bl31のドメインDl1、Dl2、Dl3、及びDl4において、微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に約2.8μmから約3.9μmまで約0.2μm〜0.5μmの範囲内のいずれか1つの値づつ徐々に増加する。   In the domains Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4 of the second subpixel electrodes 191Rl31, 191Gl31, and 191Bl31 of the pixel electrodes 191R31, 191G31, and 191B31, the width S of the micro branch 197 and the width W of the micro slit 199 are indicated by arrows in the drawing. In the direction, it gradually increases from about 2.8 μm to about 3.9 μm by any one value within the range of about 0.2 μm to 0.5 μm.

本発明の実施形態に従って、ドメインDh1〜Dh4、Dl1〜Dl4の各々は、複数のグループに分割され、このグループの各々は、同一のグループ内においては同一の幅を有する微細ブランチ及び同一の幅を有する微細スリットを有し、各グループ内の微細ブランチ及び微細スリットの幅は、矢印方向のグループに沿って増加することができる。他の構成要素は、図28と関連して説明したものと同様であるので、その詳細な説明を省略する。第1の副画素電極191Rh31、191Gh31、191Bh31及び第2の副画素電極191Rl31、191Gl31、191Bl31上に形成された画素電極接点接続部は、図20Cを参照して説明したものと同様である。   According to the embodiment of the present invention, each of the domains Dh1 to Dh4 and D11 to D14 is divided into a plurality of groups, and each of the groups has a fine branch having the same width and the same width in the same group. The width of the fine branch and fine slit in each group can be increased along the group in the direction of the arrow. The other components are the same as those described in relation to FIG. 28, and thus detailed description thereof is omitted. The pixel electrode contact connection portions formed on the first subpixel electrodes 191Rh31, 191Gh31, 191Bh31 and the second subpixel electrodes 191Rl31, 191Gl31, 191Bl31 are the same as those described with reference to FIG. 20C.

実施形態7
本発明の他の実施形態に従って、図32に示す基本画素群PSを構成する画素PXは、4個である。また、これらの画素PXは、図25〜図27Bと関連して説明した構造、すなわち、画素電極の長辺がゲート線121に平行である方向に形成される構造を有する。
Embodiment 7
According to another embodiment of the present invention, the number of pixels PX constituting the basic pixel group PS shown in FIG. 32 is four. These pixels PX have the structure described in connection with FIGS. 25 to 27B, that is, the structure in which the long side of the pixel electrode is formed in a direction parallel to the gate line 121.

本発明の実施形態に従って、図32に示す4個の画素PXは、異なる4つの基本色、すなわち、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)、及び白色(W)で構成された赤色画素電極191R32、緑色画素電極191G32、青色画素電極191B32、及び白色画素電極191W32を有する。画素電極191R32、191G32、191B32、191W32の各々は、第1の副画素電極191Rh32、191Gh32、191Bh32、191Wh32と第2の副画素電極191Rl32、191Gl32、191Bl32、191Wl32とを含む。第1の副画素電極の各々は、4個のドメイン領域Dh1、Dh2、Dh3、Dh4を有し、第2の副画素電極の各々は、4個のドメイン領域Dl1、Dl2、Dl3、Dl4を有する。   According to the embodiment of the present invention, the four pixels PX shown in FIG. 32 are configured with four different basic colors, namely red (R), green (G), blue (B), and white (W). A red pixel electrode 191R32, a green pixel electrode 191G32, a blue pixel electrode 191B32, and a white pixel electrode 191W32 are provided. Each of the pixel electrodes 191R32, 191G32, 191B32, 191W32 includes a first subpixel electrode 191Rh32, 191Gh32, 191Bh32, 191Wh32 and a second subpixel electrode 191Rl32, 191Gl32, 191Bl32, 191Wl32. Each of the first subpixel electrodes has four domain regions Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4, and each of the second subpixel electrodes has four domain regions Dl1, Dl2, Dl3, and Dl4. .

赤色画素電極191R32、緑色画素電極191G32、及び白色画素電極191W32の第1の副画素電極は、同一の構造であり、青色画素電極191B32の第1の副画素電極は、他の色を有する画素電極の第1の副画素電極とは異なる。第1の副画素電極191Rh32、191Gh32、及び191Wh32のドメインに形成された微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、約5μm〜5.6μmの範囲内のいずれか1つの値であり得、各幅は、1つのドメインで異なるサイズを有することができる。   The first subpixel electrode of the red pixel electrode 191R32, the green pixel electrode 191G32, and the white pixel electrode 191W32 has the same structure, and the first subpixel electrode of the blue pixel electrode 191B32 is a pixel electrode having another color. Different from the first subpixel electrode. The width S of the minute branch 197 and the width W of the minute slit 199 formed in the domains of the first subpixel electrodes 191Rh32, 191Gh32, and 191Wh32 are any one of the values in the range of about 5 μm to 5.6 μm. Each width can have a different size in one domain.

本発明の実施形態に従って、第1の副画素電極191Rh32、191Gh32、及び191Wh32のドメインに形成された微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に徐々に大きくなることができる。第1の副画素電極191Bh32のドメインに形成された微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、約6μm〜6.8μmの範囲内のいずれか1つの値であり得、各幅は、異なるサイズを有することができる。本発明の実施形態に従って、第1の副画素電極191Bh32のドメインに形成された微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に徐々に大きくなることができる。本発明の実施形態に従って、第1の副画素電極191Bh32のドメインに形成された微細ブランチ197の幅Sは、第1の副画素電極191Rh32、191Gh32、及び191Wh32のドメインに形成された微細ブランチ197の幅Sより大きい。第1の副画素電極191Bh32のドメインに形成された微細スリット199の幅Wは、第1の副画素電極191Rh32、191Gh32、及び191Wh32のドメインに形成された微細スリット199の幅Wより大きい。   According to the embodiment of the present invention, the width S of the minute branch 197 and the width W of the minute slit 199 formed in the domains of the first subpixel electrodes 191Rh32, 191Gh32, and 191Wh32 are gradually increased in the direction of the arrow shown in the drawing. be able to. The width S of the micro branch 197 and the width W of the micro slit 199 formed in the domain of the first subpixel electrode 191Bh32 may be any one value within a range of about 6 μm to 6.8 μm, Can have different sizes. According to the embodiment of the present invention, the width S of the fine branch 197 and the width W of the fine slit 199 formed in the domain of the first subpixel electrode 191Bh32 can be gradually increased in the arrow direction shown in the drawing. According to the embodiment of the present invention, the width S of the fine branch 197 formed in the domain of the first subpixel electrode 191Bh32 is equal to the width S of the fine branch 197 formed in the domain of the first subpixel electrode 191Rh32, 191Gh32, and 191Wh32. Greater than width S. The width W of the fine slit 199 formed in the domain of the first subpixel electrode 191Bh32 is larger than the width W of the fine slit 199 formed in the domain of the first subpixel electrode 191Rh32, 191Gh32, and 191Wh32.

赤色画素電極191R32、緑色画素電極191G32、及び白色画素電極191W32の第2の副画素電極は、同一の構造を有する。第2の副画素電極191Rl32、191Gl32、191Bl32、及び191Wl32のドメインに形成された微細ブランチ197の幅Sと微細スリット199の幅Wとは、約5μm〜6.8μmの範囲内のいずれか1つの値であり得、各幅は、1つのドメインで異なるサイズを有することができる。微細ブランチ197の幅S及び微細スリット199の幅Wは、図面に示す矢印方向に徐々に大きくなることができる。   The second subpixel electrodes of the red pixel electrode 191R32, the green pixel electrode 191G32, and the white pixel electrode 191W32 have the same structure. The width S of the minute branch 197 and the width W of the minute slit 199 formed in the domains of the second subpixel electrodes 191Rl32, 191Gl32, 191Bl32, and 191Wl32 are any one in the range of about 5 μm to 6.8 μm. Each width can have a different size in one domain. The width S of the fine branch 197 and the width W of the fine slit 199 can be gradually increased in the direction of the arrow shown in the drawing.

以下、ジグザグ形状の微細ブランチ197の主方向、ジグザグ角、及びジグザグ単位の長さについて説明する。基本画素群内の画素電極191R32、191G32、191B32、191W32の第1の副画素電極191Rh32、191Gh32、191Bh32、191Wh32上に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、ジグザグ単位の長さは、約14μmであり、微細ブランチ197の主方向角は、約40.8°又は約39.2°であり得、ジグザグ角は、約±7°であり得る。第2の副画素電極191Rl32、191Gl32、191Bl32、191Wl32に形成されたドメインDh1、Dh2、Dh3、Dh4において、ジグザグ単位の長さは、約10μmであり、微細ブランチ197の主方向角は、約42°又は約41.3°であり得、ジグザグ角は、約±5°であり得る。   Hereinafter, the main direction, zigzag angle, and zigzag length of the zigzag fine branch 197 will be described. In the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed on the first subpixel electrodes 191Rh32, 191Gh32, 191Bh32, and 191Wh32 of the pixel electrodes 191R32, 191G32, 191B32, and 191W32 in the basic pixel group, the length of the zigzag unit is It is about 14 μm, the main direction angle of the fine branch 197 can be about 40.8 ° or about 39.2 °, and the zigzag angle can be about ± 7 °. In the domains Dh1, Dh2, Dh3, and Dh4 formed in the second subpixel electrodes 191Rl32, 191Gl32, 191Bl32, and 191Wl32, the zigzag unit length is about 10 μm, and the main direction angle of the fine branch 197 is about 42. Or zigzag angle can be about ± 5 °.

このような画素電極で構成された基本画素群は、図28と関連して説明した効果を有するだけではなく、液晶表示装置の透過率を向上させることができる。第1の副画素電極191Rh32、191Gh32、191Bh32、191Wh32に形成された画素電極接点接続部は、図23Bと関連してなされた説明と同様である。第2の副画素電極191Rl32、191Gl32、191Bl32、191Wl32に形成された画素電極接点接続部は、ゲート線方向に伸張する画素電極接触部に接続されており、図23Aと関連してなされた説明と同様である。本発明の他の実施形態に従って、基本色は、赤色、緑色、青色、及び黄色を含み得る。   The basic pixel group configured with such pixel electrodes not only has the effect described with reference to FIG. 28, but also can improve the transmittance of the liquid crystal display device. The pixel electrode contact connection portions formed on the first subpixel electrodes 191Rh32, 191Gh32, 191Bh32, and 191Wh32 are the same as those described with reference to FIG. 23B. The pixel electrode contact connection formed on the second subpixel electrodes 191Rl32, 191Gl32, 191Bl32, 191Wl32 is connected to the pixel electrode contact part extending in the gate line direction, and the description made in connection with FIG. It is the same. In accordance with other embodiments of the present invention, the basic colors may include red, green, blue, and yellow.

以下、図33A〜図33Iを参照して、画素電極の形状、画素電極の分割、ドメインの分割、及び基本画素群の構造について詳細に説明する。説明の便宜のために、図33A〜図33Iに示す画素電極の形状は、画素電極の外郭線又は画素電極の分割により表示されることができる。画素電極を構成する他の因子、例えば、画素電極接触部、微細ブランチ197、及び微細スリット199については、図33A乃至図33Iで説明する。したがって、図3、図5、図12、図14、図16、図17、図18、図20、図23、図24、図25、及び図28〜図32を参照して説明した構造及び方法は、図33A〜図33Iに示す画素電極に適用されることができる。   Hereinafter, the shape of the pixel electrode, the division of the pixel electrode, the division of the domain, and the structure of the basic pixel group will be described in detail with reference to FIGS. 33A to 33I. For convenience of description, the shape of the pixel electrode shown in FIGS. 33A to 33I can be displayed by the outline of the pixel electrode or the division of the pixel electrode. Other factors constituting the pixel electrode, for example, the pixel electrode contact portion, the fine branch 197, and the fine slit 199 will be described with reference to FIGS. 33A to 33I. Accordingly, the structure and method described with reference to FIGS. 3, 5, 12, 14, 16, 17, 18, 18, 20, 23, 24, 25, and 28-32. Can be applied to the pixel electrodes shown in FIGS. 33A to 33I.

まず、図33A〜図33Fを参照して、画素電極の形状及び分割について詳細に説明する。図33A〜図33Fに示す単位画素電極は、第1の副画素電極191hと第2の副画素電極191lとを含む。副画素電極191h、191lの各々は、上述した方法によりデータ電圧の印加を受けることができ、第1の副画素電極191hは、第2の副画素電極191lより高い充電電圧を有することができる。図33Aを参照すると、第1の副画素電極191hは、4個のドメインを有し、第2の副画素電極191h及び191lは、8個のドメインを有する。すなわち、第1の副画素電極191hは、ドメインDha、Dhb、Dhc、及びDhdを有し、第2の副画素電極191lは、ドメインDla、Dlb、 Dlc、 Dld、Dle、Dlf、Dlg、Dlhを有する。このように形成された第2の副画素電極191lの構造は、液晶表示装置の視認性を向上させることができる。第2の副画素電極191lの面積は、第1の副画素電極191hの面積より大きいことができる。各ドメインは、上述した画素電極構造を有することができる。   First, the shape and division of the pixel electrode will be described in detail with reference to FIGS. 33A to 33F. 33A to 33F include a first subpixel electrode 191h and a second subpixel electrode 191l. Each of the subpixel electrodes 191h and 191l can be applied with a data voltage by the above-described method, and the first subpixel electrode 191h can have a higher charging voltage than the second subpixel electrode 191l. Referring to FIG. 33A, the first subpixel electrode 191h has four domains, and the second subpixel electrodes 191h and 191l have eight domains. That is, the first subpixel electrode 191h has domains Dha, Dhb, Dhc, and Dhd, and the second subpixel electrode 191l has domains Dla, Dlb, Dlc, Dld, Dle, Dlf, Dlg, and Dlh. Have. The structure of the second subpixel electrode 191l formed in this manner can improve the visibility of the liquid crystal display device. The area of the second subpixel electrode 191l may be larger than the area of the first subpixel electrode 191h. Each domain can have the pixel electrode structure described above.

図33B〜図33Fを参照すると、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、それぞれ4個のドメインを含む。すなわち、第1の副画素電極191hは、ドメインDha、Dhb、Dhc、及びDhdを有し、第2の副画素電極191lは、ドメインDla、Dlb、Dlc、及びDldを有する。   Referring to FIGS. 33B to 33F, the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l each include four domains. That is, the first subpixel electrode 191h has domains Dha, Dhb, Dhc, and Dhd, and the second subpixel electrode 191l has domains Dla, Dlb, Dlc, and Dld.

図33Bに示す第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lの辺は、データ線171の方向に伸張する斜線(oblique line)であり得る。斜線は、偏光子の透過軸に実質的に平行であり得る。第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lを構成するドメインは、平行四辺形の形状であり得る。このように形成された画素電極は、液晶表示装置の視認性及び透過率を向上させることができる。   The sides of the first subpixel electrode 191 h and the second subpixel electrode 191 l shown in FIG. 33B may be an oblique line extending in the direction of the data line 171. The diagonal line can be substantially parallel to the transmission axis of the polarizer. The domains constituting the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l may have a parallelogram shape. The pixel electrode formed in this manner can improve the visibility and transmittance of the liquid crystal display device.

図33C〜図33Fに示す第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lは、斜線方向に形成された副画素電極の辺において互いに隣接する。斜線方向は、偏光子の透過軸に実質的に平行であり得る。このように形成された画素電極の構造は、液晶表示装置の視認性及び透過率を向上させることができる。   The first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l shown in FIGS. 33C to 33F are adjacent to each other on the side of the subpixel electrode formed in the oblique line direction. The diagonal direction can be substantially parallel to the transmission axis of the polarizer. The structure of the pixel electrode formed in this way can improve the visibility and transmittance of the liquid crystal display device.

図33D〜図33Fに示す画素電極の構造において、第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lの中のいずれか1つが他の1つを実質的に収容するように配置される。このように、副画素電極が他の副画素の辺に最大に広く隣接するか、または第1の副画素電極191h及び第2の副画素電極191lが均一に分布される場合に、液晶表示装置の視認性は向上することができる。図33Dに示す第1の副画素電極191hは、第2の副画素電極191lに隣接しつつ、2つに分離される。図33Eに示す第2の副画素電極191lは、第1の副画素電極191hを実質的に取り囲み、図33Fに示す第1の副画素電極191hは、第2の副画素電極191lを実質的に取り囲む。図33Fに示す第2の副画素電極191lは、菱形の形状であり、第2の副画素電極191lを構成するドメインは、三角形の形状を有する。   In the pixel electrode structure shown in FIGS. 33D to 33F, any one of the first subpixel electrode 191 h and the second subpixel electrode 191 l is disposed so as to substantially accommodate the other one. . In this way, when the subpixel electrode is maximally adjacent to the side of another subpixel, or when the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are uniformly distributed, the liquid crystal display device The visibility of can be improved. The first subpixel electrode 191h shown in FIG. 33D is separated into two while being adjacent to the second subpixel electrode 191l. The second subpixel electrode 191l shown in FIG. 33E substantially surrounds the first subpixel electrode 191h, and the first subpixel electrode 191h shown in FIG. 33F substantially covers the second subpixel electrode 191l. surround. The second subpixel electrode 191l shown in FIG. 33F has a rhombus shape, and the domain constituting the second subpixel electrode 191l has a triangular shape.

以下、図33G〜図33Iを参照して基本画素群PSの構造を詳細に説明する。図33G〜図33Iに示す基本画素群PSは、それぞれ異なる4個の基本色を有する4個の画素PXa、PXb、PXc、PXdを含む。4個の基本色は、赤色、緑色、青色、及び黄色又は白色を含み得る。画素PXaは、赤色を有し、画素PXbは、緑色を有し、画素PXcは、青色を有し、画素PXdは、黄色又は白色を有することができる。このように形成された基本画素群PSは、液晶表示装置の色再現性(color reproducibility)、透過率、及び視認性を向上させることができる。本発明の他の実施形態に従って、基本色は、上述したように、様々な色を含むことができる。   Hereinafter, the structure of the basic pixel group PS will be described in detail with reference to FIGS. 33G to 33I. The basic pixel group PS shown in FIGS. 33G to 33I includes four pixels PXa, PXb, PXc, and PXd each having four different basic colors. The four basic colors can include red, green, blue, and yellow or white. The pixel PXa may have a red color, the pixel PXb may have a green color, the pixel PXc may have a blue color, and the pixel PXd may have a yellow or white color. The basic pixel group PS thus formed can improve the color reproducibility, transmittance, and visibility of the liquid crystal display device. According to other embodiments of the present invention, the basic colors can include various colors, as described above.

図33Gに示す画素PXa、PXb、PXc、及びPXdは、順次に赤色、緑色、青色、及び白色をそれぞれ有することにより液晶表示装置の透過率を向上させることができる。図33Hに示す画素PXa、PXb、PXc及びPXdの各々は、順次に赤色、緑色、青色及び黄色を有することにより、液晶表示装置の色再現性及び表示品質を著しく向上させることができる。また、液晶表示装置の色再現性及び表示品質を大幅に向上させるために、赤色、緑色、青色、及び黄色の各々に対応する画素の面積比率は、約1.4〜1.8:1.0〜1.3:1.4〜1.8:1、より望ましく、約1.6:1.1:1.6:1であり得る。図33Iに示す画素PXa、PXb、PXc、及びPXdを含む基本画素群PSは、図32と関連して説明したものと同様である。画素の面積比は、実質的に同一であり得る。   The pixels PXa, PXb, PXc, and PXd shown in FIG. 33G have red, green, blue, and white, respectively, in order, thereby improving the transmittance of the liquid crystal display device. Each of the pixels PXa, PXb, PXc, and PXd shown in FIG. 33H sequentially has red, green, blue, and yellow, so that the color reproducibility and display quality of the liquid crystal display device can be significantly improved. In order to greatly improve the color reproducibility and display quality of the liquid crystal display device, the area ratio of the pixels corresponding to each of red, green, blue, and yellow is about 1.4 to 1.8: 1. 0 to 1.3: 1.4 to 1.8: 1, more desirably about 1.6: 1.1: 1.6: 1. The basic pixel group PS including the pixels PXa, PXb, PXc, and PXd shown in FIG. 33I is the same as that described with reference to FIG. The area ratio of the pixels can be substantially the same.

以上、本発明を具体的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明の範囲及び趣旨を逸脱することなく様々な変更が可能であるということは、当業者には明らかであり、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるべきではなく、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものの範囲内で定められるべきである。   Although the present invention has been described in detail with reference to specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the scope and spirit of the invention. The scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be defined within the scope of the appended claims and their equivalents.

PX 画素
3 液晶層
31 液晶分子
33 主配向膜
35 光硬化層
100 下部表示板
110 下部基板
121 ゲート線
123 降圧ゲート線
125 保持電極線
126 保持電極線拡張部
140 ゲート絶縁膜
154 線形半導体
165 線形抵抗性接触部材
171 データ線
173 ソース電極
175 ドレーン電極
181 第1の保護膜
182 第2の保護膜
185 コンタクトホール
191 画素電極
195 十字状ブランチ部
197 微細ブランチ
198 ジグザグ微細ブランチ
199 微細スリット
200 上部表示板
210 上部基板
220 遮光部材
225 蓋膜
230 カラーフィルター
270 共通電極
291 上板配向膜
292 下板配向膜
300 液晶表示板アセンブリ
400 ゲート駆動部
500 データ駆動部
600 信号制御部
800 階調電圧生成部
PX pixel 3 liquid crystal layer 31 liquid crystal molecule 33 main alignment film 35 photocured layer 100 lower display panel 110 lower substrate 121 gate line
123 Step-down gate line 125 Storage electrode line
126 Storage electrode line extension 140 Gate insulating film 154 Linear semiconductor 165 Linear resistive contact member 171 Data line 173 Source electrode 175 Drain electrode 181 First protective film 182 Second protective film 185 Contact hole 191 Pixel electrode 195 Cross-shaped branch 197 Micro branch 198 Zigzag micro branch 199 Micro slit 200 Upper display panel 210 Upper substrate 220 Light shielding member 225 Cover film 230 Color filter 270 Common electrode 291 Upper plate alignment film 292 Lower plate alignment film 300 Liquid crystal display panel assembly 400 Gate driver 500 Data driver 600 Signal controller 800 Grayscale voltage generator

Claims (26)

上部基板上に形成される共通電極を含む上部表示板と、
前記上部基板に対向する下部基板と、前記下部基板上に行列の形態で配列され、前記共通電極と向かい合う複数の画素とを含む下部表示板と、
前記画素の各々に含まれ、相互に離隔した第1及び第2の領域と、
前記第1及び前記第2の領域にそれぞれ形成される第1及び第2の副画素と、
前記第1の副画素に対応して設けられ、第1ゲート電極、第1ソース電極及び第1ドレイン電極を有する第1薄膜トランジスタと、前記第2の副画素に対応して設けられ、前記第1ゲート電極と同一のゲート線に接続された第2ゲート電極、前記第1ソース電極と同一又は異なるデータ線に接続された第2ソース電極及び第2ドレイン電極を有する第2薄膜トランジスタと、
前記第1の副画素に含まれ、前記上部表示板又は前記下部表示板に取り付けられた偏光子の偏光軸に対して第1の角度方向に配列され、前記第1の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第1の微細ブランチを含み、前記第1ドレイン電極と電気的に接続される第1の副画素電極と、
前記第2の副画素に含まれ、前記偏光子の偏光軸に対して第2の角度方向に配列され、前記第2の角度方向は、実質的に20°内で前記第1の角度方向と異なり、前記第2の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第2の微細ブランチを含み、前記第2ドレイン電極と電気的に接続される第2の副画素電極と、
前記上部表示板と前記下部表示板間に介在する液晶層と、
を有し、
前記第1の副画素電極又は前記第2の副画素電極は、前記複数の微細ブランチを接続する微細ブランチ接続部を含み、前記微細ブランチ接続部は、前記第1の副画素電極又は前記第2の副画素電極の中央部又は外側部に形成され、
前記第1の副画素電極又は前記第2の副画素電極の中央部に形成される前記微細ブランチ接続部は、十字状であり、
前記十字状の微細ブランチ接続部は、凹状又は凸状のノッチを含むことを特徴とする液晶表示板アセンブリ。
An upper display panel including a common electrode formed on the upper substrate;
A lower display panel including a lower substrate facing the upper substrate, and a plurality of pixels arranged in a matrix on the lower substrate and facing the common electrode;
First and second regions included in each of the pixels and spaced apart from each other;
First and second subpixels formed in the first and second regions, respectively;
A first thin film transistor provided corresponding to the first sub-pixel and having a first gate electrode, a first source electrode and a first drain electrode; and provided corresponding to the second sub-pixel; A second thin film transistor having a second gate electrode connected to the same gate line as the gate electrode, a second source electrode connected to the same or different data line as the first source electrode, and a second drain electrode;
The first subpixel is arranged in a first angular direction with respect to a polarization axis of a polarizer attached to the upper display panel or the lower display panel, and substantially in the first angular direction. A first subpixel electrode including a plurality of first fine branches spaced apart in the vertical direction and electrically connected to the first drain electrode;
The second sub-pixel is arranged in a second angular direction with respect to the polarization axis of the polarizer, and the second angular direction is substantially within 20 ° with the first angular direction. The second sub-pixel electrode including a plurality of second micro branches spaced substantially perpendicular to the second angular direction and electrically connected to the second drain electrode;
A liquid crystal layer interposed between the upper display panel and the lower display panel;
Have
The first subpixel electrode or the second subpixel electrode includes a microbranch connection unit that connects the plurality of microbranches, and the microbranch connection unit includes the first subpixel electrode or the second subpixel electrode. Formed at the center or outside of the subpixel electrode,
The fine branch connection portion formed at the center of the first subpixel electrode or the second subpixel electrode has a cross shape,
The liquid crystal display panel assembly, wherein the cross-shaped fine branch connection part includes a concave or convex notch.
前記第2の副画素電極の面積と前記第1の副画素電極の面積の比は、実質的に1.5〜2の範囲内にあることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示板アセンブリ。   2. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein a ratio of an area of the second subpixel electrode to an area of the first subpixel electrode is substantially in a range of 1.5 to 2. 3. assembly. 前記第2の副画素の面積は、前記第1の副画素の面積の実質的に1.75倍であることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示板アセンブリ。   3. The liquid crystal panel assembly according to claim 2, wherein the area of the second subpixel is substantially 1.75 times the area of the first subpixel. 前記第1の角度は、前記第2の角度より小さいことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示板アセンブリ。   The liquid crystal panel assembly according to claim 2, wherein the first angle is smaller than the second angle. 前記第1の角度は、実質的に40°であり、前記第2の角度は、実質的に45°であることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示板アセンブリ。   5. The liquid crystal panel assembly according to claim 4, wherein the first angle is substantially 40 degrees, and the second angle is substantially 45 degrees. 前記第1の角度及び前記第2の角度の各々は、実質的に30°〜60°の範囲内にあることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示板アセンブリ。   5. The liquid crystal display panel assembly of claim 4, wherein each of the first angle and the second angle is substantially within a range of 30 [deg.] To 60 [deg.]. 前記複数の第1の微細ブランチ又は前記複数の第2の微細ブランチは、前記十字状の微細ブランチ接続部に対して対称であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示板アセンブリ。   2. The liquid crystal panel assembly according to claim 1, wherein the plurality of first micro branches or the plurality of second micro branches are symmetrical with respect to the cross-shaped micro branch connection part. 前記複数の第1の微細ブランチ又は前記複数の第2の微細ブランチは、前記十字状の微細ブランチ接続部を構成する直線の中のいずれか1つに対して非対称であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示板アセンブリ。   The plurality of first micro branches or the plurality of second micro branches are asymmetric with respect to any one of straight lines constituting the cross-shaped micro branch connection part. Item 2. The liquid crystal display panel assembly according to Item 1. 前記複数の第1の微細ブランチ又は前記複数の第2の微細ブランチの形状、幅、又は伸張方向は、相互に非対称であることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示板アセンブリ。   9. The liquid crystal panel assembly according to claim 8, wherein the plurality of first micro branches or the plurality of second micro branches are asymmetric with respect to each other in shape, width, or extension direction. 前記複数の第1の微細ブランチ又は前記複数の第2の微細ブランチは、前記十字状の微細ブランチ接続部に対して非対称であることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示板アセンブリ。   9. The liquid crystal panel assembly according to claim 8, wherein the plurality of first micro branches or the plurality of second micro branches are asymmetric with respect to the cross-shaped micro branch connection portion. 前記第1の副画素電極又は前記第2の副画素電極の外側部に形成される前記微細ブランチ接続部は、実質的にストライプ状であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示板アセンブリ。   2. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the fine branch connection portion formed on the outer side of the first subpixel electrode or the second subpixel electrode is substantially striped. assembly. 前記第1の副画素電極又は前記第2の副画素電極の外側部に形成される前記微細ブランチ接続部は、同一の方向に伸張し、不連続的に形成される2個以上のストライプ状を有することを特徴とする請求項11に記載の液晶表示板アセンブリ。   The fine branch connection portion formed outside the first subpixel electrode or the second subpixel electrode extends in the same direction and has two or more stripes formed discontinuously. 12. The liquid crystal panel assembly according to claim 11, further comprising: 前記複数の第1の微細ブランチ又は前記複数の第2の微細ブランチ間に位置し、前記複数の第1の微細ブランチ又は前記複数の第2の微細ブランチと交互に配置される複数の第1の微細スリット又は複数の第2の微細スリットをさらに有し、
前記ストライプ状の微細ブランチ接続部が不連続である部分は、前記複数の第1の微細スリット又は前記複数の第2の微細スリットが接続された第1又は第2の微細スリット接続部を含むことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示板アセンブリ。
A plurality of first micro branches located between the plurality of first micro branches or the plurality of second micro branches and alternately arranged with the plurality of first micro branches or the plurality of second micro branches. It further has a fine slit or a plurality of second fine slits,
The portion where the striped micro branch connection part is discontinuous includes the first or second micro slit connection part to which the plurality of first micro slits or the plurality of second micro slits are connected. The liquid crystal display panel assembly according to claim 12.
前記第1の副画素電極及び前記第2の副画素電極の中の少なくともいずれか1つは、複数のドメインを含み、前記複数のドメインの中の少なくともいずれか1つは、前記複数の微細ブランチ又は前記複数の微細スリットの幅が第1の距離に対応する第1のサブドメインと、前記複数の微細ブランチ又は前記複数の微細スリットの幅が第2の距離に対応する第2のサブドメインと、前記第1のサブドメインと前記第2のサブドメイン間に位置し、
前記複数の微細ブランチ又は前記複数の微細スリットの幅が位置によって徐々に変わる第3のサブドメインとを含むことを特徴とする請求項13に記載の液晶表示板アセンブリ。
At least one of the first subpixel electrode and the second subpixel electrode includes a plurality of domains, and at least one of the plurality of domains includes the plurality of micro branches. Or a first subdomain in which the width of the plurality of micro slits corresponds to a first distance, and a second subdomain in which the width of the plurality of micro branches or the plurality of micro slits corresponds to a second distance; , Located between the first subdomain and the second subdomain,
14. The liquid crystal display panel assembly of claim 13, further comprising a third sub-domain in which widths of the plurality of micro branches or the plurality of micro slits gradually change depending on positions.
前記第3のサブドメインに含まれた前記複数の微細ブランチ又は前記複数の微細スリットは、実質的に0.15μm〜0.5μmの範囲内の値だけ徐々に広くなる幅を有することを特徴とする請求項14に記載の液晶表示板アセンブリ。   The plurality of micro branches or the plurality of micro slits included in the third sub-domain have a width that gradually widens by a value substantially within a range of 0.15 μm to 0.5 μm. The liquid crystal panel assembly according to claim 14. 前記第1のサブドメイン及び前記第2のサブドメインに含まれる前記複数の微細のブランチ幅は一定であることを特徴とする請求項15に記載の液晶表示板アセンブリ。   The liquid crystal panel assembly according to claim 15, wherein the plurality of minute branch widths included in the first subdomain and the second subdomain are constant. 前記第1のサブドメイン及び前記第2のサブドメインに含まれる前記複数の微細のブランチ幅は実質的に3μm〜4μmの範囲内にあり、前記第3のサブドメインに含まれる前記複数の微細のブランチ幅は実質的に3μm〜4μmの範囲内にあることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示板アセンブリ。   The plurality of fine branch widths included in the first subdomain and the second subdomain are substantially in a range of 3 μm to 4 μm, and the plurality of fine branchings included in the third subdomain. 17. The liquid crystal panel assembly according to claim 16, wherein the branch width is substantially within a range of 3 [mu] m to 4 [mu] m. 前記第1のサブドメインの面積は、前記第1の副画素電極又は前記第2の副画素電極の面積の実質的に50%〜80%の範囲内にあることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示板アセンブリ。  The area of the first subdomain is substantially in a range of 50% to 80% of the area of the first subpixel electrode or the second subpixel electrode. A liquid crystal display panel assembly as described. 前記第2のサブドメイン及び前記第3のサブドメインの面積は、前記第1の副画素電極又は前記第2の副画素電極の面積の実質的に20%〜50%の範囲内にあることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示板アセンブリ。   The areas of the second subdomain and the third subdomain are substantially in the range of 20% to 50% of the area of the first subpixel electrode or the second subpixel electrode. 19. The liquid crystal panel assembly according to claim 18, wherein 前記第1のサブドメイン、前記第2のサブドメイン、及び前記第3のサブドメインの中の少なくともいずれか1つは、周期的に形成される複数の微細サブドメインを有することを特徴とする請求項15に記載の液晶表示板アセンブリ。   The at least one of the first subdomain, the second subdomain, and the third subdomain has a plurality of fine subdomains formed periodically. Item 16. The liquid crystal display panel assembly according to Item 15. 上部基板上に形成される共通電極を含む上部表示板と、
前記上部基板に対向する下部基板と、前記下部基板上に行列の形態で配列され、前記共通電極と向かい合う複数の画素とを含む下部表示板と、
前記画素の各々に含まれ、相互に離隔した第1及び第2の領域と、
前記第1及び前記第2の領域にそれぞれ形成される第1及び第2の副画素と、
前記第1の副画素に対応して設けられ、第1ゲート電極、第1ソース電極及び第1ドレイン電極を有する第1薄膜トランジスタと、前記第2の副画素に対応して設けられ、前記第1ゲート電極と同一のゲート線に接続された第2ゲート電極、前記第1ソース電極と同一又は異なるデータ線に接続された第2ソース電極及び第2ドレイン電極を有する第2薄膜トランジスタと、
前記第1の副画素に含まれ、前記上部表示板又は前記下部表示板に取り付けられた偏光子の偏光軸に対して第1の角度方向に配列され、前記第1の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第1の微細ブランチを含み、前記第1ドレイン電極と電気的に接続される第1の副画素電極と、
前記第2の副画素に含まれ、前記偏光子の偏光軸に対して第2の角度方向に配列され、前記第2の角度方向は、実質的に20°内で前記第1の角度方向と異なり、前記第2の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第2の微細ブランチを含み、前記第2ドレイン電極と電気的に接続される第2の副画素電極と、
前記上部表示板と前記下部表示板間に介在する液晶層と、
導電性物質で作られる前記複数の第1の微細ブランチ間で前記導電性物質が除去される部分に位置し、前記複数の第1の微細ブランチに対して交互に配置される複数の第1の微細スリット又は前記導電性物質で作られる前記複数の第2の微細ブランチ間で前記導電性物質が除去される部分に位置し、前記複数の第2の微細ブランチに対して交互に配置される複数の第2の微細スリットと、有し、
前記複数の第1の微細ブランチ、前記複数の第2の微細ブランチ、前記複数の第1の微細スリット、及び前記複数の第2の微細スリットの中の少なくとも1つは、反復的であり周期的な谷及び山を有するジグザグ状を有することを特徴とする液晶表示板アセンブリ。
An upper display panel including a common electrode formed on the upper substrate;
A lower display panel including a lower substrate facing the upper substrate, and a plurality of pixels arranged in a matrix on the lower substrate and facing the common electrode;
First and second regions included in each of the pixels and spaced apart from each other;
First and second subpixels formed in the first and second regions, respectively;
A first thin film transistor provided corresponding to the first sub-pixel and having a first gate electrode, a first source electrode and a first drain electrode; and provided corresponding to the second sub-pixel; A second thin film transistor having a second gate electrode connected to the same gate line as the gate electrode, a second source electrode connected to the same or different data line as the first source electrode, and a second drain electrode;
The first subpixel is arranged in a first angular direction with respect to a polarization axis of a polarizer attached to the upper display panel or the lower display panel, and substantially in the first angular direction. A first subpixel electrode including a plurality of first fine branches spaced apart in the vertical direction and electrically connected to the first drain electrode;
The second sub-pixel is arranged in a second angular direction with respect to the polarization axis of the polarizer, and the second angular direction is substantially within 20 ° with the first angular direction. The second sub-pixel electrode including a plurality of second micro branches spaced substantially perpendicular to the second angular direction and electrically connected to the second drain electrode;
A liquid crystal layer interposed between the upper display panel and the lower display panel;
The plurality of first micro branches that are located in a portion where the conductive substance is removed between the plurality of first micro branches made of the conductive substance and are alternately arranged with respect to the plurality of first micro branches. A plurality of micro slits or a plurality of second micro branches that are made of the conductive material are located in a portion where the conductive material is removed between the plurality of second micro branches and are alternately arranged with respect to the plurality of second micro branches. second and micro slits have a,
At least one of the plurality of first micro branches, the plurality of second micro branches, the plurality of first micro slits, and the plurality of second micro slits is repetitive and periodic. A liquid crystal display panel assembly having a zigzag shape having a valley and a mountain.
前記複数の第1の微細ブランチ、前記複数の第2の微細ブランチ、前記複数の第1の微細スリット、及び前記複数の第2の微細スリットの幅は、実質的に1.5μm〜5μmの範囲内にあることを特徴とする請求項21に記載の液晶表示板アセンブリ。   The widths of the plurality of first micro branches, the plurality of second micro branches, the plurality of first micro slits, and the plurality of second micro slits are substantially in the range of 1.5 μm to 5 μm. The liquid crystal panel assembly according to claim 21, wherein the liquid crystal panel assembly is inside. 前記ジグザグ状の谷と山とを接続する単位長さは、実質的に3μm〜25μmの範囲内にあることを特徴とする請求項21に記載の液晶表示板アセンブリ。   The liquid crystal display panel assembly according to claim 21, wherein a unit length connecting the zigzag valley and the mountain is substantially within a range of 3 m to 25 m. 前記ジグザグ状の前記複数の微細ブランチ又は前記複数の微細スリットは、前記谷又は前記山を接続する線が伸張する方向に対応する主方向を有し、前記主方向は、前記偏光子の偏光軸に対して実質的に30°〜60°の範囲内にあることを特徴とする請求項21に記載の液晶表示板アセンブリ。   The plurality of micro branches or the plurality of micro slits in the zigzag shape have a main direction corresponding to a direction in which a line connecting the valleys or the peaks extends, and the main direction is a polarization axis of the polarizer. The liquid crystal panel assembly according to claim 21, wherein the liquid crystal panel assembly is substantially within a range of 30 ° to 60 °. 前記ジグザグ状の単位長さが伸張する方向に対応するジグザグ角度は、前記主方向に対して実質的に±7°〜±20°の範囲内にあることを特徴とする請求項24に記載の液晶表示板アセンブリ。 Zigzag angle the zigzag unit length corresponds to the direction of stretching, according to claim 24, characterized in that in the range of substantially ± 7 ° ~ ± 20 ° with respect to the main direction LCD panel assembly. 隣接した複数の微細ブランチ又は複数の微細スリットのジグザグ角度は、実質的に0.5°〜5°の範囲内の値だけ異なることを特徴とする請求項25に記載の液晶表示板アセンブリ。
The liquid crystal panel assembly according to claim 25 , wherein the zigzag angles of the adjacent micro branches or the micro slits are substantially different by a value in the range of 0.5 ° to 5 °.
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