JP6042933B2 - 鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 6
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 6
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000013538 functional additive Substances 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Er+3].[Er+3] ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N ferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M dipotassium;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].[K+] FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 claims 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 3
- -1 isopropylene alcohol Chemical compound 0.000 description 3
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCO RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- KZJPVUDYAMEDRM-UHFFFAOYSA-M silver;2,2,2-trifluoroacetate Chemical compound [Ag+].[O-]C(=O)C(F)(F)F KZJPVUDYAMEDRM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C3/00—Glass compositions
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- C03C3/122—Silica-free oxide glass compositions containing oxides of As, Sb, Bi, Mo, W, V, Te as glass formers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C3/00—Glass compositions
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C3/16—Silica-free oxide glass compositions containing phosphorus
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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Description
本発明は、導電金属、鉛フリーのガラスフリット及び有機のキャリアを含む導電ペースト、並びにその導電ペーストを使用する製品に関するものである。
従来の太陽電池又は光電池は、半導体の基材、拡散層、反射防止層、背面電極及び正面電極が含まれる。光の吸収を促進するとともに、光電の効率を向上するために、前記反射防止層を使用する。一般には、前記反射防止層に珪素（例えば、窒化珪素又は二酸化珪素）が含まれる。しかし、反射防止層は、半導体の基材から正面電極までの抵抗を増加し、激発状態になる電子の流れが低減される絶縁現象を発生してしまうことがある。
従って、正面電極を形成するには、導電金属又はその誘導体（例えば、銀粒子）、ガラス（例えば、酸化鉛を含む）、有機のキャリアなどを混合して生成される導電ペーストがよく使用されている。ガラスは、融点が低く、溶融の粘度が低い及び制御されない失透状況（ｄｅｖｉｔｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を防止できるという安定性を有している。
スクリーンプリント、ブロックプリントなどの方式で半導体の基材に導電ペーストからなるグリッドライン又は他のパターンが印刷された後、ファイヤスルー工程（焼結）を行うことにより、前記導電ペーストが前記反射防止層を貫通し、前記半導体の基材と前記グリッドライン又は他のパターンとの間に導電金属によって電気接続し、そして正面電極を形成する。
スクリーンプリント、ブロックプリントなどの方式で半導体の基材に導電ペーストからなるグリッドライン又は他のパターンが印刷された後、ファイヤスルー工程（焼結）を行うことにより、前記導電ペーストが前記反射防止層を貫通し、前記半導体の基材と前記グリッドライン又は他のパターンとの間に導電金属によって電気接続し、そして正面電極を形成する。
好適のファイヤスルー工程を行うために、導電ペーストにおけるガラスフリットとして反射防止層に対して優れた溶解度があるガラスを使用することが好ましい。正面電極を形成するために用いられる従来の導電ペーストにおけるガラスフリットは、酸化鉛をよく含有している。これは、ガラスの軟化点を容易に調整することにより、基材の優れた粘着性を提供し、ファイヤースルー工程を容易にし、優れた溶接性を提供し、優れた太陽電池を製造可能とするためである。
また、最近、環境保護意識の向上に伴い、自動車工業、電子工業及び太陽電池工業などの製造工業は、環境保護のために鉛フリーの材料を使用している。しかし、焼結後、前記反射防止層を貫通して前記半導体の基材との優れた粘着力を具備し、且つ太陽電池の優れた転換効率を具備することは、前記導電ペーストの組成、ファイヤースルー後の前記導電ペーストと前記半導体の基材との間の電気接続状態によって決まる。
従って、前記の優れた特性を有し、低温で焼結可能な鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペーストの開発が、業界に望まれている。
本発明の目的は、低温で焼結可能な鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト、並びに前記導電ペーストを含有する製品を提供するものであり、鉛を含有しなくてファイヤースルー後の優れた基材粘着性と優れた転換効率を有し、環境にやさしい導電ペーストを提供することである。
上記の目的を達成するために、本発明は、（ａ）固形分に基づき導電金属またはその誘導体約８５ｗｔ％〜約９９．５ｗｔ％と、（ｂ）固形分に基づきテルル−ビスマス−亜鉛−タングステン−酸化物を含む鉛フリーのガラスフリット約０．５ｗｔ％〜１５ｗｔ％と、（ｃ）有機のキャリアとを含み、前記固形分の重量は、（ａ）導電金属またはその誘導体と（ｂ）鉛フリーのガラスフリットの合計重量であることを特徴とする導電ペーストを提供する。
本発明のよい実施例において、前記導電金属またはその誘導体に銀粉が含まれる。
本発明のよい実施例において、前記鉛フリーのガラスフリットにおける酸化テルルと酸化ビスマスと酸化亜鉛と酸化タングステンの比率は、それぞれ約５５ｗｔ％〜約９０ｗｔ％と約０．１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％と約０．１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％と約０．１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％である。
本発明のよい実施例において、前記有機のキャリアは、ポリマーと溶剤を含む溶液である。
本発明の更によい実施例において、前記鉛フリーのガラスフリットは、リン（Ｐ）、バリウム（Ｂａ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、セレン（Ｓｅ）、鉄（Ｆｅ）、インジウム（Ｉｎ）、マンガン（Ｍｎ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、銀（Ａｇ）、珪素（Ｓｉ）、エルビウム（Ｅｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、セリウム（Ｃｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、サマリウム（Ｓｍ）及びランタン（Ｌａ）から選ばれる少なくとも一つの元素又はその酸化物が含まれ、その比率は、前記鉛フリーのガラスフリットに対する約０．１ｗｔ％〜約１０ｗｔ％である。本発明の更に他のよい実施例において、前記有機のキャリアは、少なくとも一つの機能性添加剤が含まれ、例えば、粘度調整剤、分散剤、チキソトロピー又は湿潤剤などの添加剤である。
本発明の他の目的は、半導体の基材と、前記半導体の基材に設けられる前記導電ペーストからなる製品を提供するものである。本発明のよい実施例において、前記製品は、半導体装置である。本発明の他のよい実施例において、前記半導体装置は、太陽電池である。
本発明をよく理解するために、下記の内容で本発明の実施方式を例として説明するが、これは本発明を限定するものではない。本発明は、他の実施方式で実施することが可能である。
本発明に係わる鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペーストは、各産業に応用されることができる。半導体製造業に応用することが好ましく、太陽電池の製造業に応用することがより好ましい。前記導電ペーストは、（ａ）導電金属又はその誘導体と、（ｂ）テルル−ビスマス−亜鉛−タングステン−酸化物を含む鉛フリーのガラスフリットと、（ｃ）有機のキャリアと、を含む。前記（ａ）導電金属又はその誘導体と（ｂ）鉛フリーのガラスフリットなどの無機成分が前記（ｃ）有機のキャリアに均一に分散されている。
本発明において、有機のキャリアは、固形分の一部に属していないので、ここでいう固形分の重量は、（ａ）導電金属またはその誘導体と（ｂ）鉛フリーのガラスフリットなどの固形成分の合計重量である。
本発明に用いられる導電金属は、特に制限されてはいない。前記導電金属は銀、アルミニウム及び銅から選ばれる単一の元素であってもよく、合金又は混合の金属例えば金、白金、パラジウム及びニッケルなどであってもよい。また、導電度の点を考慮すると、純銀を使用するほうがよい。
前記導電金属は、銀である場合、銀の金属、銀の誘導体及び／又はその混合物であってもよい。例として、銀の誘導体は、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、銀の塩（例えば塩化銀（ＡｇＣｌ）、硝酸銀（ＡｇＮＯ３）、酢酸銀（ＡｇＯＯＣＣＨ３）、トリフルオロ酢酸銀（ＡｇＯＯＣＦ３）、リン酸銀（Ａｇ３ＰＯ４））、表面に銀をコーディングした複合物或いは銀を主成分として銀合金である。
前記導電金属は、粉末の形式（例えばボール形、シート形、不規則形及び／又はその混合）、又はゲル分散液などの従来形式であってもよい。前記導電金属の平均粒子度は、特に制限されてはいないが、０．１〜１０μｍが好ましく、平均粒子度、粒子の分布又は形状の異なる導電金属の混合物を使用してもよい。
本発明のよい実施例において、前記導電金属又はその誘導体は、前記導電ペーストの固形分に基づき約８５ｗｔ％〜約９９．５ｗｔ％である。
本発明における鉛フリーのガラスフリットは、鉛又はその誘導体（例えば、酸化鉛（ＰｂＯ）、二酸化鉛（ＰｂＯ２）又は四酸化三鉛（Ｐｂ３Ｏ４）など鉛の酸化物）を含有していない。本発明の具体的な実施例において、前記鉛フリーのガラスフリットは、主成分として酸化テルルと酸化ビスマスと酸化亜鉛と酸化タングステンである。酸化テルルと酸化ビスマスと酸化亜鉛と酸化タングステンの比率は、四者の合計重量に基づきそれぞれ約５５ｗｔ％〜約９０ｗｔ％と約０．１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％と約０．１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％と約０．１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％である。
本発明の更によい実施例において、酸化テルルと酸化ビスマスと酸化亜鉛と酸化タングステンの混合物は、少なくとも一つの金属酸化物が含まれ、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、五酸化二バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、三酸化二エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、三酸化二ネオジウム（Ｎｄ２Ｏ３）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化セレン（ＳｅＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ナトニウム（Ｎａ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）、五酸化二リン（Ｐ２Ｏ５）、二酸化モリブデン（ＭｏＯ２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、三酸化二サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）、二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２）、三酸化二インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、三酸化二ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）及び三酸化二鉄（Ｆｅ２Ｏ３）などである。従って、本発明における「テルル−ビスマス−亜鉛−タングステン−酸化物」は、少なくとも一つ金属元素又はその酸化物が含まれてもよく、例えば、リン（Ｐ）、バリウム（Ｂａ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、セレン（Ｓｅ）、鉄（Ｆｅ）、インジウム（Ｉｎ）、マンガン（Ｍｎ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、銀（Ａｇ）、珪素（Ｓｉ）、エルビウム（Ｅｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、セリウム（Ｃｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、サマリウム（Ｓｍ）及びランタン（Ｌａ）などであり、その比率は、前記鉛フリーのガラスフリットに対する約０．１ｗｔ％〜約１０ｗｔ％である。
本発明の導電ペーストは、無機成分である（ａ）導電金属またはその誘導体と（ｂ）鉛フリーのガラスフリットなどの固形分と、液体である（ｃ）有機のキャリアとを混合して構成される。好適の有機のキャリアは、前記無機成分を均一に分散させることができ、好適な粘着度を有して前記無機成分がスクリーンプリントやブロックプリントなどの方式で反射防止層の表面に塗布されることができる。前記導電ペーストは、優れた乾燥率と優れたファイヤースルー性質を有しなければならない。
前記有機のキャリアは、溶剤であり、特に制限されてはいないが、導電ペーストに用いられる従来の溶剤を使用することができる。例としてアルコール（例えばイソプロプレンアルコール）、アルコールエステル（例えばプロピオナート、フタル酸ジブチル）及びアルコールエーテル（例えば２−（ ２−ブトキシエトキシ）エタノール）などまたはその混合物である。前記溶剤は、沸騰点が約１２０℃〜約３００℃のアルコールエーテルであるほうが好ましく、前記溶剤は、２−（ ２−ブトキシエトキシ）エタノールであるほうがより好ましい。前記有機のキャリアは、半導体の基材に導電ペーストを使用した後の快速硬化を図るために、更に揮発性の液体が含まれてもよい。
本発明のよい実施例において、前記有機のキャリアは、ポリマーと溶剤を含む溶液である。溶剤と溶解されたポリマーからなる有機のキャリアは、導電金属またはその誘導体と鉛フリーのガラスフリットなどの無機成分を分散させるため、好適な粘着度を有する導電ペーストが製造可能となる。また、反射防止層の表面に塗布して乾燥された後、ポリマーによって導電ペーストの粘着度と強度を向上することができる。
例としてポリマーは、セルロース（例えばエチルセルロース、ニトロセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース又は他のセルロースの派生物）、低級アルコールのポリアクリル酸樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂（例えばフェノール樹脂）、アルキド樹脂（例えばモノステアリン酸エチレングリコール）など又はその混合物である。前記ポリマーは、セルロースであるほうが好ましく、前記ポリマーは、エチルセルロースであるほうがより好ましい。
本発明のよい実施例において、有機のキャリアは、２−（ ２−ブトキシエトキシ）エタノールに溶解されたエチルセルロースが含まれる。
本発明の他のよい実施例において、前記有機のキャリアは、少なくとも一つの機能性添加剤が含まれる。例として機能性添加剤は、粘度調整剤、分散剤、チキソトロピー、湿潤剤及び／又は需要に応じて添加されるほかの添加剤（例えば着色剤、防腐剤又は酸化剤）など従来の添加剤である。本発明の技術効果に悪影響を与えていないものであれば、特に限定されてはいない。
本発明の導電ペーストにおいて、（ａ）導電金属又はその誘導体及び（ｂ）鉛フリーのガラスフリットなどの無機成分と有機のキャリアとの比率は、導電ペーストの粘着度を決めるため、前記導電ペーストを反射防止層に塗布する際の需要に応じて決められる。前記導電ペーストには、約７０ｗｔ％〜約９５ｗｔ％の無機成分と約５ｗｔ％〜約３０ｗｔ％の有機のキャリアが含まれる。
本発明の導電ペーストは、印刷工程（例えばスクリーンプリント、ブロックプリントなど従来の工程）によって反射防止層にグリッドライン又は他のパターンが印刷される。その後、酸素ガスを有する雰囲気（例えば空気）でファイヤースルー工程（加熱温度は約８５０℃〜約９５０℃で、加熱時間は約０．０５〜５分間）を行うことにより、有機のキャリアを除去しながら、導電金属を焼結する。こうすると、前記導電ペーストが有機物質を有さず、焼結期間に前記導電ペーストが前記反射防止層を貫通して下方に位置する半導体の基材と少なくとも一つの反射防止層と接触する。このファイヤースルー工程によって、前記半導体の基材と前記グリッドライン又は他のパターンとの間に導電金属によって電気接続し、そして正面電極を形成する。
本発明の他の形態は、製品に関するものであり、半導体装置を製造することが可能であり、より好ましいのは、太陽電池を製造することが可能である。本発明の実施例において、半導体の基材（前記半導体の基材は、半導体チップ、ガラス基材又は太陽電池形成するためのほかの基材）を提供する。前記半導体の基材には本発明に係わる鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペーストと少なくとも一つの反射防止層（前記反射防止層は、化学気相成長、プラズマ強化気相成長などの従来方式で前記半導体の基材に設けられる）が設けられると共に、前記ファイヤースルー工程を含む従来の半導体製造工程によって前記製品を製造できる。
本発明のよい実施例において、前記半導体の基材は、非晶質、多結晶又は単結晶のシリコンが含まれる。本発明の他のよい実施例において、前記反射防止層は、二酸化珪素、二酸化チタン、窒化珪素又は他の従来の塗層が含まれる。
下記の実施例を介して本発明を詳細に説明するが、これは本発明の目的を限定するためのものではない。
鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペーストの製造
導電ペーストにおける有機のキャリアの製造は、まず５〜２５グラムのエチルセルロースを５〜７５グラムの２−（ ２−ブトキシエトキシ）エタノールに溶解すると共に、少量の粘度調整剤、分散剤、チキソトロピー及び湿潤剤を添加してから得られる。次に８０〜９９．５グラムの工業級の銀粉原料と、０．１〜１０グラムの鉛フリーのガラスフリット（表１、実施例Ｇ１〜Ｇ１５）と、１０〜３０グラムの有機のキャリアがスリロール研磨装置（ｔｈｒｅｅ−ｒｏｌｌ ｍｉｌｌ）によって均一に分散して混合されることにより、スラリー状又はペースト状の導電ペーストが得られる。
導電ペーストにおける有機のキャリアの製造は、まず５〜２５グラムのエチルセルロースを５〜７５グラムの２−（ ２−ブトキシエトキシ）エタノールに溶解すると共に、少量の粘度調整剤、分散剤、チキソトロピー及び湿潤剤を添加してから得られる。次に８０〜９９．５グラムの工業級の銀粉原料と、０．１〜１０グラムの鉛フリーのガラスフリット（表１、実施例Ｇ１〜Ｇ１５）と、１０〜３０グラムの有機のキャリアがスリロール研磨装置（ｔｈｒｅｅ−ｒｏｌｌ ｍｉｌｌ）によって均一に分散して混合されることにより、スラリー状又はペースト状の導電ペーストが得られる。
同じ方式で鉛を含有するガラスフリットを製造する（表２、比較例ＰＧ１〜ＰＧ５）。
＜表１＞鉛フリーのガラスフリット（ＴｅＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＷＯ３）の成分とその重量比率（実施例）
＜表２＞鉛を含有するガラスフリット（ＰｂＯ）の成分とその重量比率（比較例）
＜表１＞鉛フリーのガラスフリット（ＴｅＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＷＯ３）の成分とその重量比率（実施例）
太陽電池における正面電極の製造
スクリーンプリント工程によって鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト（実施例Ｇ１〜Ｇ１５）を太陽電池基材の正面に塗布し、前記太陽電池基材の表面に反射防止層（窒化珪素）の形成を行う。前記太陽電池基材の背面電極は、アルミナゲル（ＧＳＭＣ社、Ａ１３６）によって処理を行った。スクリーンプリント後の乾燥温度は約１００℃〜２５℃であり、乾燥時間は約５〜約３０分間（有機のキャリアの種類と印刷の重量によって異なる）である。そして、スクリーンプリント工程を完了する。
スクリーンプリント工程によって鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト（実施例Ｇ１〜Ｇ１５）を太陽電池基材の正面に塗布し、前記太陽電池基材の表面に反射防止層（窒化珪素）の形成を行う。前記太陽電池基材の背面電極は、アルミナゲル（ＧＳＭＣ社、Ａ１３６）によって処理を行った。スクリーンプリント後の乾燥温度は約１００℃〜２５℃であり、乾燥時間は約５〜約３０分間（有機のキャリアの種類と印刷の重量によって異なる）である。そして、スクリーンプリント工程を完了する。
乾燥後の鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペーストに対してファイヤースルー工程を行い、焼結温度は約８５０℃〜約９５０℃である。ファイヤースルー後の太陽電池における正面と背面には、固体状態の電極を有している。
更に、同じ方式で鉛を含有するガラスフリット（比較例ＰＧ１〜ＰＧ５）を正面電極とする太陽電池を製造する。
太陽電池の性能テスト
製造された太陽電池をソーラーエネルギー測定装置（Ｂｅｒｇｅｒ社、Ｐｕｌｓｅｄ Ｓｏｌａｒ Ｌｏａｄ ＰＳＬ−ＳＣＤ）に設置し、ＡＭ１．５Ｇの太陽状態で前記太陽電池の無負荷電圧（Ｕｏｃ、単位Ｖ）、短絡電流（Ｉｓｃ、単位Ａ）、直列抵抗（Ｒｓ、単位Ω）、曲線因子（ｆｉｌｌ ｆａｃｔｏｒ）（ＦＦ、単位％）及び転換効率（Ｎｃｅｌｌ、単位％）などの電気特性を測定する。その結果を、表３と表４に示す。
製造された太陽電池をソーラーエネルギー測定装置（Ｂｅｒｇｅｒ社、Ｐｕｌｓｅｄ Ｓｏｌａｒ Ｌｏａｄ ＰＳＬ−ＳＣＤ）に設置し、ＡＭ１．５Ｇの太陽状態で前記太陽電池の無負荷電圧（Ｕｏｃ、単位Ｖ）、短絡電流（Ｉｓｃ、単位Ａ）、直列抵抗（Ｒｓ、単位Ω）、曲線因子（ｆｉｌｌ ｆａｃｔｏｒ）（ＦＦ、単位％）及び転換効率（Ｎｃｅｌｌ、単位％）などの電気特性を測定する。その結果を、表３と表４に示す。
＜表３＞鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペーストが塗布される太陽電池（実施例）
＜表４＞鉛を含有するガラスフリットを含む導電ペーストが塗布される太陽電池（比較例）
表３と表４に示す結果から分かるように、テルル−ビスマス−亜鉛−タングステン−酸化物が含有される本発明に係わる鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト（実施例Ｇ１〜Ｇ１５）は、従来の鉛を含有するガラスフリットを含む導電ペースト（比較例ＰＧ１、ＰＧ４）と近似する転換効率を有している。
又、本発明に係わる鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト（実施例Ｇ１〜Ｇ１５）は、従来の鉛を含有するガラスフリットを含む導電ペースト（比較例ＰＧ２、ＰＧ３、ＰＧ５）より優れた転換効率を有している。
又、本発明に係わる鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト（実施例Ｇ１〜Ｇ１５）は、従来の鉛を含有するガラスフリットを含む導電ペースト（比較例ＰＧ２、ＰＧ３、ＰＧ５）より優れた転換効率を有している。
上述のように、本発明によれば、環境にやさしく、低温で焼結可能、且つ従来の鉛を含有するガラスフリットのような特性を有する鉛フリーの導電ペーストを提供することができる。
上述の説明は、本発明の好適な実施例に対する具体的な説明であるが、これらの実施例は本発明における特許請求の範囲を限定するものではなく、本発明の要旨に基づいてこれらの実施例の効果と等しい変形や変更することができ、これらの変形や変更は本発明における特許請求の範囲に含まれるべきである。
Claims (11)
- （ａ）固形分に基づき導電金属またはその誘導体約８５ｗｔ％〜約９９．５ｗｔ％と、
（ｂ）固形分に基づきテルル−ビスマス−亜鉛−タングステン−酸化物を含む鉛フリーのガラスフリット約０．５ｗｔ％〜１５ｗｔ％と、
（ｃ）有機のキャリアとを含み、
前記固形分の重量は、
（ａ）導電金属またはその誘導体と
（ｂ）鉛フリーのガラスフリットの合計重量であり、
前記鉛フリーのガラスフリットは、セレン（Ｓｅ）又はその酸化物を含み、その比率は、前記鉛フリーのガラスフリットの約０．１ｗｔ％〜約１０ｗｔ％であることを特徴とする、
導電ペースト。 - 前記導電金属またはその誘導体には、銀粉が含まれることを特徴とする請求項１に記載の導電ペースト。
- 前記鉛フリーのガラスフリットにおける酸化テルルと酸化ビスマスと酸化亜鉛と酸化タングステンの比率は、それぞれ約５５ｗｔ％〜約９０ｗｔ％と約０．１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％と約０．１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％と約０．１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の導電ペースト。
- 酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、五酸化二バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、三酸化二エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、三酸化二ネオジウム（Ｎｄ２Ｏ３）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化セレン（ＳｅＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ナトニウム（Ｎａ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）、五酸化二リン（Ｐ２Ｏ５）、二酸化モリブデン（ＭｏＯ２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、三酸化二サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）、二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２）、三酸化二インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、三酸化二ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）及び三酸化二鉄（Ｆｅ２Ｏ３）から選ばれる少なくとも一つの金属酸化物が含まれることを特徴とする請求項１に記載の導電ペースト。
- 前記鉛フリーのガラスフリットは、リン（Ｐ）、バリウム（Ｂａ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、鉄（Ｆｅ）、インジウム（Ｉｎ）、マンガン（Ｍｎ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、銀（Ａｇ）、珪素（Ｓｉ）、エルビウム（Ｅｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、セリウム（Ｃｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、サマリウム（Ｓｍ）及びランタン（Ｌａ）から選ばれる少なくとも一つの元素又はその酸化物が更に含まれ、その比率は、前記鉛フリーのガラスフリットに対する約０．１ｗｔ％〜約１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の導電ペースト。
- 前記有機のキャリアは、ポリマーと溶剤を含む溶液であることを特徴とする請求項１に記載の導電ペースト。
- 前記有機のキャリアは、粘度調整剤、分散剤、チキソトロピー及び湿潤剤から選ばれる少なくとも一つの機能性添加剤が含まれることを特徴とする請求項１に記載の導電ペースト。
- 半導体の基材と、前記半導体の基材に設けられる請求項１乃至７の何れかの導電ペーストからなることを特徴とする製品。
- 前記半導体の基材に設けられる少なくとも一つの反射防止層が含まれ、前記導電ペーストは、前記反射防止層と接触すると共に、前記半導体の基材と電気接続することを特徴とする請求項８に記載の製品。
- 前記製品は、半導体装置であることを特徴とする請求項９に記載の製品。
- 前記半導体装置は、太陽電池であることを特徴とする請求項１０に記載の製品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103142667 | 2014-12-08 | ||
| TW103142667A TWI591652B (zh) | 2014-12-08 | 2014-12-08 | 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿（五） |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016110975A JP2016110975A (ja) | 2016-06-20 |
| JP6042933B2 true JP6042933B2 (ja) | 2016-12-14 |
Family
ID=53437722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015083289A Active JP6042933B2 (ja) | 2014-12-08 | 2015-04-15 | 鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160163895A1 (ja) |
| EP (1) | EP3032547B2 (ja) |
| JP (1) | JP6042933B2 (ja) |
| CN (1) | CN105679402B (ja) |
| ES (1) | ES2641145T5 (ja) |
| TW (1) | TWI591652B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180046809A (ko) * | 2016-10-28 | 2018-05-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지용 핑거 전극의 제조방법 |
| WO2018094177A1 (en) | 2016-11-18 | 2018-05-24 | Samtec Inc. | Filling materials and methods of filling through holes of a substrate |
| KR101980270B1 (ko) * | 2017-06-13 | 2019-05-21 | 한국과학기술연구원 | P형 반도체의 오믹 컨택 형성을 위한 페이스트 및 이를 이용한 p형 반도체의 오믹 컨택 형성 방법 |
| JP6876537B2 (ja) * | 2017-06-19 | 2021-05-26 | 日本山村硝子株式会社 | ステンレス鋼製真空二重容器封着用無鉛ガラス組成物 |
| US10040717B1 (en) * | 2017-09-18 | 2018-08-07 | Jiangxi Jiayin Science and Technology, Ltd. | Thick-film paste with multiple discrete frits and methods for contacting crystalline silicon solar cell emitter surfaces |
| CN109119181B (zh) * | 2018-07-13 | 2020-07-24 | 苏州博望新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池用正面银浆及其制备方法和应用 |
| CN109020244B (zh) * | 2018-07-13 | 2021-06-22 | 苏州博望新能源科技有限公司 | 背钝化晶体硅太阳能电池用正面银浆玻璃粉及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060102228A1 (en) | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Ferro Corporation | Method of making solar cell contacts |
| JP5559509B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-07-23 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
| JP5011428B2 (ja) | 2010-10-07 | 2012-08-29 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池素子並びにその製造方法 |
| CN102903414A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 硕禾电子材料股份有限公司 | 导电组合物和用于太阳能电池片的导电组合物 |
| US8894888B2 (en) | 2011-12-21 | 2014-11-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition with synthetic clay additive and its use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8845932B2 (en) * | 2012-04-26 | 2014-09-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8969709B2 (en) | 2012-08-30 | 2015-03-03 | E I Du Pont De Nemours And Company | Use of a conductive composition containing lead—tellurium-based oxide in the manufacture of semiconductor devices with lightly doped emitters |
| CN109065215B (zh) | 2012-09-26 | 2021-06-18 | 贺利氏贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 导电性膏以及太阳能电池 |
| US10069021B2 (en) * | 2012-10-12 | 2018-09-04 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive pastes with salts with an anion consisting of halogen and oxygen in solar cell applications |
| KR101587683B1 (ko) | 2013-02-15 | 2016-01-21 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
| US9899545B2 (en) * | 2013-03-27 | 2018-02-20 | Cheil Industries, Inc. | Composition for forming solar cell electrode and electrode produced from same |
| KR101596548B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2016-02-22 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
| JP5856277B1 (ja) * | 2014-11-27 | 2016-02-09 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池電極用ペーストおよび太陽電池セル |
-
2014
- 2014-12-08 TW TW103142667A patent/TWI591652B/zh active
-
2015
- 2015-04-15 JP JP2015083289A patent/JP6042933B2/ja active Active
- 2015-11-04 US US14/932,220 patent/US20160163895A1/en not_active Abandoned
- 2015-11-12 EP EP15194273.7A patent/EP3032547B2/en active Active
- 2015-11-12 ES ES15194273T patent/ES2641145T5/es active Active
- 2015-11-25 CN CN201510831070.6A patent/CN105679402B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105679402B (zh) | 2018-01-12 |
| ES2641145T3 (es) | 2017-11-07 |
| ES2641145T5 (es) | 2021-03-12 |
| EP3032547B2 (en) | 2020-07-08 |
| TWI591652B (zh) | 2017-07-11 |
| CN105679402A (zh) | 2016-06-15 |
| US20160163895A1 (en) | 2016-06-09 |
| JP2016110975A (ja) | 2016-06-20 |
| TW201515019A (zh) | 2015-04-16 |
| EP3032547B1 (en) | 2017-06-28 |
| EP3032547A1 (en) | 2016-06-15 |
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| JP6042932B2 (ja) | 鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
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|
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