JP6041265B2 - Light emitting diode - Google Patents
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Description
本発明は、半導体、特に化合物半導体を材料とする高効率発光ダイオード（Light-Emitting Diode: LED）に関し、より詳しくは微細リッジ構造または微細錐台構造におけるエバネッセント光の結合現象を利用し、発光に高い空間指向性を持たせた発光ダイオードに関する。 The present invention relates to a high-efficiency light-emitting diode (LED) made of a semiconductor, in particular, a compound semiconductor, and more particularly, to emit light by utilizing a coupling phenomenon of evanescent light in a fine ridge structure or a fine frustum structure. The present invention relates to a light emitting diode having high spatial directivity.
半導体ＬＥＤは、車載ランプや交通信号機、液晶ディスプレイのバックライト、植物工場、一般照明を初めとする様々な分野において省エネルギーの光源として広く使われている。ＬＥＤは自然放出光源であるため、光は一般的にあらゆる方向に等方的に放射され、発光強度の空間分布に指向性を持っていない。従来のＬＥＤ発光の空間分布はいわゆるランバーシアン（Lambertian）分布に従い、放射輝度（単位面積あたりの光源が単位立体角に放射される光の量）が観測方向によらず一定である。
この場合、ある方向に放射される光の強度Ｉは、以下の式で表わされる。
式： Ｉ= Ｉ０ｃｏｓθ
Semiconductor LEDs are widely used as energy-saving light sources in various fields including in-vehicle lamps, traffic signals, liquid crystal display backlights, plant factories, and general lighting. Since the LED is a spontaneous emission light source, light is generally emitted isotropically in all directions and has no directivity in the spatial distribution of emission intensity. The conventional spatial distribution of LED emission follows a so-called Lambertian distribution, and the radiance (the amount of light emitted from a light source per unit area to a unit solid angle) is constant regardless of the observation direction.
In this case, the intensity I of light emitted in a certain direction is expressed by the following equation.
Formula: I = I 0 cos θ
ここで、Ｉ０は放射面の法線方向の光の強度で、θは放射方向（観測方向）と放射面の法線方向との角度である。上記の式から、従来のＬＥＤ（樹脂封止をしていない場合）において、観測角度θ＝±６０度の方向の発光強度は法線方向の半分になる。すなわち、発光の空間指向性を表す半値全角度幅（発光強度が法線方向の半分になる角度幅）は１２０度となる。 Here, I 0 is the intensity of light in the normal direction of the radiation surface, and θ is the angle between the radiation direction (observation direction) and the normal direction of the radiation surface. From the above formula, in the conventional LED (when resin sealing is not performed), the emission intensity in the direction of the observation angle θ = ± 60 degrees is half of the normal direction. That is, the full width at half maximum representing the spatial directivity of light emission (the angle width at which the light emission intensity becomes half of the normal direction) is 120 degrees.
しかし、高い空間指向性を有するＬＥＤ光源は様々な分野において強く求められている。代表的な例として、光通信の光源、プロジェクタの光源、高解像度ディスプレイ、自動車のヘッドランプ、ＬＥＤプリンターのヘッドアレイ、リモートセンシングなどが上げられる。従来、指向性を向上させる方法として、共鳴キャビティＬＥＤまたはマイクロキャビティＬＥＤ（resonant cavity LED, micro-cavity LED）と呼ばれる技術がある。
この技術において、ＬＥＤの活性層を上下一対の分布ブラッグ反射鏡によって構成される光学キャビティの中に置き、活性層の発光をキャビティの共振モードと共鳴させることによって、キャビティの軸方向（通常半導体表面に垂直な方向）の発光の強度を増強させることができる（非特許文献１）。
この他、本発明者が出願した特許文献１、２を参考として、下記に挙げる。
However, LED light sources having high spatial directivity are strongly demanded in various fields. Typical examples include a light source for optical communication, a light source for a projector, a high-resolution display, a headlamp for an automobile, a head array for an LED printer, and remote sensing. Conventionally, as a method for improving directivity, there is a technique called resonance cavity LED or microcavity LED (resonant cavity LED, micro-cavity LED).
In this technology, the active layer of an LED is placed in an optical cavity composed of a pair of upper and lower distributed Bragg reflectors, and the light emitted from the active layer is resonated with the resonance mode of the cavity, thereby causing the cavity axial direction (usually the semiconductor surface). The intensity of light emission in the direction perpendicular to the direction can be increased (Non-Patent Document 1).
In addition, Patent Documents 1 and 2 filed by the inventor are listed below as references.
上記の従来技術は以下のような問題点を有する。共鳴キャビティ構造において、強い共鳴効果を得るために活性層の発光波長をキャビティの共振波長と正確に一致させなければならない。ＬＥＤのような広い発光スペクトルを持つ光源の場合、一部の発光に対してしか共鳴効果が得られず、指向性の改善はかなり限定的なものになってしまう。
例えば、Ｊｏｒａｙらは６周期のＡｌ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ/Ａｌ０．９５Ｇａ０．０５Ａｓ多層膜を分布ブラッグ反射鏡として用いたＡｌＧａＩｎＰ系共鳴キャビティＬＥＤを作製し、半値全角度幅１００度程度の指向性が得られている（非特許文献１）。
The above prior art has the following problems. In a resonant cavity structure, the emission wavelength of the active layer must be exactly matched to the resonant wavelength of the cavity in order to obtain a strong resonance effect. In the case of a light source having a broad emission spectrum such as an LED, a resonance effect can be obtained only for a part of light emission, and the improvement of directivity is considerably limited.
For example, Joray et al. Fabricated an AlGaInP-based resonant cavity LED using a six-period Al 0.53 Ga 0.47 As / Al 0.95 Ga 0.05 As multilayer film as a distributed Bragg reflector, and the full width at half maximum. A directivity of about 100 degrees is obtained (Non-Patent Document 1).
また、同様な理由により、デバイスの動作温度や注入電流によって発光波長がキャビティの共振波長からずれると、指向性も大きく変わってしまう。
本発明は、従来技術の問題点に鑑み成されたもので、その目的は微細表面リッジ構造または錐台構造におけるエバネッセント光の結合現象を利用し、動作温度や注入電流の変化による影響を受けにくい高指向性・高効率発光ダイオードを提供することである。
For the same reason, if the emission wavelength deviates from the resonance wavelength of the cavity due to the operating temperature of the device or the injection current, the directivity also changes greatly.
The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and its purpose is to utilize the coupling phenomenon of evanescent light in a fine surface ridge structure or frustum structure, and is less susceptible to changes in operating temperature and injection current. It is to provide a high directivity and high efficiency light emitting diode.
以上から、本願発明は、
１．第１導電型の障壁層、発光層となる活性層、第２導電型の障壁層を少なくとも備える発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオードの光取り出し側の表面に一つの平坦面と少なくとも二つの傾斜面によって構成されるリッジ構造を備え、（１）前記リッジ構造の上部平坦面の幅が２λ（λ：発光波長）以下であり、（２）前記活性層が、幅が前記リッジ構造の上部平坦面の幅より狭いストライプ状の微小領域であり、（３）前記活性層が基板面内方向（結晶成長方向に垂直）において前記リッジ構造の上部平坦面に対応する場所に配置されていることを特徴とする発光ダイオード、を提供する。
From the above, the present invention is
1. In a light emitting diode including at least a first conductivity type barrier layer, an active layer serving as a light emitting layer, and a second conductivity type barrier layer, a surface on the light extraction side of the light emitting diode is provided with one flat surface and at least two inclined surfaces. (1) the width of the upper flat surface of the ridge structure is 2λ (λ: emission wavelength) or less, and (2) the active layer has a width of the upper flat surface of the ridge structure. (3) the active layer is disposed at a location corresponding to the upper flat surface of the ridge structure in the in-plane direction of the substrate (perpendicular to the crystal growth direction). A light emitting diode.
また、本願発明は、
２．第１導電型の障壁層、発光層となる活性層、第２導電型の障壁層を少なくとも備える発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオードの光取り出し側の表面に一つの平坦面と少なくとも二つの傾斜面によって構成されるリッジ構造を備え、（１） 前記リッジ構造の上部平坦面の幅が２λ（λ：発光波長）以下であること、（２）前記活性層が、幅が前記リッジ構造の上部平坦面の幅より狭いストライプ状の微小領域であること、（３）前記活性層が基板面内方向（結晶成長方向に垂直）において前記リッジ構造の上部平坦面に対応する場所に配置されていること、（４）前記活性層の中心から発生した光が前記リッジ構造の傾斜面と空気との界面にて全反射を開始する地点から平坦面となる地点までの最短距離がλ（λ：発光波長）以下であることを特徴とする発光ダイオード、を提供する。
ここで、「全反射を開始する地点」とは、傾斜面の法線方向に対してθｃ＝ ｓｉｎ−１（１／ｎ）（θｃ：全反射の臨界角、ｎ：半導体の屈折率）の角度をなす、活性層の中心から傾斜面に向かう線と傾斜面・空気界面との交点を意味する。
また、「界面にて全反射を開始する地点から平坦面となる地点までの最短距離」とは、傾斜面の法線の両側に存在する二つの全反射を開始する地点の内、上部平坦面に近い地点から上部平坦面となる地点までの長さを意味する。
In addition, the present invention
2. In a light emitting diode including at least a first conductivity type barrier layer, an active layer serving as a light emitting layer, and a second conductivity type barrier layer, a surface on the light extraction side of the light emitting diode is provided with one flat surface and at least two inclined surfaces. (1) the width of the upper flat surface of the ridge structure is 2λ (λ: emission wavelength) or less; (2) the active layer has a width of the upper flat surface of the ridge structure. (3) the active layer is disposed at a location corresponding to the upper flat surface of the ridge structure in the in-plane direction of the substrate (perpendicular to the crystal growth direction); (4) The shortest distance from the point where the light generated from the center of the active layer starts total reflection at the interface between the inclined surface of the ridge structure and the air to the flat surface is λ (λ: emission wavelength) This is Light emitting diodes, characterized by providing a.
Here, “the point where total reflection starts” refers to θ c = sin −1 (1 / n) (θ c : critical angle of total reflection, n: refractive index of the semiconductor with respect to the normal direction of the inclined surface. ) And the intersection of the line from the center of the active layer to the inclined surface and the inclined surface / air interface.
In addition, "the shortest distance from the point where total reflection starts at the interface to the point where the surface is flat" is the upper flat surface among the two points where total reflection starts on both sides of the normal of the inclined surface It means the length from the point near to the point that becomes the upper flat surface.
また、本願発明は、
３．第１導電型の障壁層、発光層となる活性層、第２導電型の障壁層を少なくとも備える発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオードの光取り出し側の表面に一つの平坦面と少なくとも三つの傾斜面によって構成される角錐台構造、または円錐台構造を備え、（１）前記角錐台構造の上部平坦面の最も長い対角線の長さ若しくは辺の長さが２λ（λ：発光波長）以下、又は前記円錐台構造の上部平坦面の直径が２λ（λ：発光波長）であり、（２）前記活性層が、面積が前記角錐台構造又は円錐台構造の上部平坦面の面積より小さい微小領域であること、（３）前記活性層が基板面内方向（結晶成長方向に垂直）において前記角錐台構造または円錐台構造の上部平坦面に対応する場所に配置されていることを特徴とする発光ダイオード、を提供する。
ここで、錐台構造とは、錐体から頂点を共有し相似に縮小した錐体を取り除いた立体構造と定義する（フリー百科事典「ウィキペディア」より）。角錐台および円錐台はそれぞれ上部平坦面の形状が三角形、四角形、六角形などの多角形および円形である錐台構造を指す。また、円錐台について、作製技術の精度等により上部平坦面の形状が正確な円形からずれた構造および楕円錐台構造を含むこととする。
In addition, the present invention
3. In a light emitting diode including at least a first conductivity type barrier layer, an active layer serving as a light emitting layer, and a second conductivity type barrier layer, a surface on the light extraction side of the light emitting diode is provided with one flat surface and at least three inclined surfaces. (1) the longest diagonal or side length of the upper flat surface of the truncated pyramid structure is 2λ (λ: emission wavelength) or less, or the cone The diameter of the upper flat surface of the trapezoidal structure is 2λ (λ: emission wavelength), and (2) the active layer is a small region whose area is smaller than the area of the upper flat surface of the truncated pyramid structure or the truncated cone structure. (3) The light-emitting diode, wherein the active layer is disposed at a location corresponding to the upper flat surface of the truncated pyramid structure or the truncated cone structure in the in-plane direction of the substrate (perpendicular to the crystal growth direction). Provide .
Here, the frustum structure is defined as a three-dimensional structure obtained by removing a cone that shares a vertex from a cone and reduced in size (from the free encyclopedia “Wikipedia”). The truncated pyramid and the truncated cone indicate a truncated cone structure in which the shape of the upper flat surface is a polygon such as a triangle, a quadrangle, and a hexagon, and a circle, respectively. Further, the truncated cone includes a structure in which the shape of the upper flat surface deviates from an accurate circle due to the accuracy of the manufacturing technique and the like and an elliptical truncated cone structure.
また、本願発明は、
４．第１導電型の障壁層、発光層となる活性層、第２導電型の障壁層を少なくとも備える発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオードの光取り出し側の表面に一つの平坦面と少なくとも三つの傾斜面によって構成される角錐台構造、または円錐台構造を備え、（１）前記角錐台構造の上部平坦面の最も長い対角線の長さ若しくは辺の長さが２λ（λ：発光波長）以下、又は前記円錐台構造の上部平坦面の直径が２λ（λ：発光波長）であること、（２）前記活性層が、面積が前記角錐台構造又は円錐台構造の上部平坦面の面積より小さい微小領域であること、（３）前記活性層が基板面内方向（結晶成長方向に垂直）において前記角錐台構造または円錐台構造の上部平坦面に対応する場所に配置されていること、（４）前記活性層の中心から発生した光が前記角錐台構造又は円錐台構造の傾斜面と空気との界面にて全反射を開始する地点から上部平坦面となる地点までの距離がλ以下であることを特徴とする発光ダイオード、を提供する。
In addition, the present invention
4). In a light emitting diode including at least a first conductivity type barrier layer, an active layer serving as a light emitting layer, and a second conductivity type barrier layer, a surface on the light extraction side of the light emitting diode is provided with one flat surface and at least three inclined surfaces. (1) the longest diagonal or side length of the upper flat surface of the truncated pyramid structure is 2λ (λ: emission wavelength) or less, or the cone The diameter of the upper flat surface of the trapezoidal structure is 2λ (λ: emission wavelength), and (2) the active layer is a small region whose area is smaller than the area of the upper flat surface of the truncated pyramid structure or the truncated cone structure (3) The active layer is disposed at a location corresponding to the truncated pyramid structure or the upper flat surface of the truncated cone structure in the in-plane direction of the substrate (perpendicular to the crystal growth direction), and (4) the active layer From the center of A light emitting diode characterized in that the distance from the point where the light begins to be totally reflected at the interface between the inclined surface of the truncated pyramid structure or the truncated cone structure and the air to the upper flat surface is λ or less, I will provide a.
また、本願発明は、
５．前記リッジ構造がアレイ状に複数配列していることを特徴とする前記１又は２記載の発光ダイオード、を提供する。
また、本願発明は、
６．前記角錐台構造又は円錐台構造がアレイ状に複数配列していることを特徴とする前記３又は４記載の発光ダイオード、を提供する。
また、本願発明は、
７．前記活性層が量子ドットを含むことを特徴とする前記１〜６のいずれかに記載の発光ダイオード、を提供する。
また、本願発明は、
In addition, the present invention
5. The light-emitting diode according to 1 or 2, wherein a plurality of the ridge structures are arranged in an array.
In addition, the present invention
6). The light-emitting diode according to 3 or 4, wherein a plurality of the truncated pyramid structures or the truncated cone structures are arranged in an array.
In addition, the present invention
7). The light-emitting diode according to any one of 1 to 6, wherein the active layer includes quantum dots.
In addition, the present invention
８．前記発光ダイオードの電流注入のための第１導電型のオーミック電極は前記リッジ構造又は前記角錐台構造若しくは円錐台構造の最表面層より屈折率の小さい透明導電膜であることを特徴とする前記１〜７のいずれかに記載の発光ダイオード、を提供する。
また、本願発明は、
９．前記透明導電膜は前記リッジ構造又は前記角錐台構造若しくは円錐台構造の少なくとも一部を覆うように形成されていることを特徴とする前記８に記載の発光ダイオード、を提供する。
8). The first conductive ohmic electrode for current injection of the light emitting diode is a transparent conductive film having a refractive index smaller than that of the outermost surface layer of the ridge structure, the truncated pyramid structure, or the truncated cone structure. A light-emitting diode according to any one of -7.
In addition, the present invention
9. 9. The light-emitting diode according to 8 above, wherein the transparent conductive film is formed so as to cover at least a part of the ridge structure, the truncated pyramid structure, or the truncated cone structure.
本発明の発光ダイオードは、微細リッジ構造または微細錐台構造の中心付近に配置した活性層からの自然放出光はリッジ構造または錐台構造の表面において発現するエバネッセント光の結合効果によって、リッジ構造または錐台構造の上部平坦面の法線方向に強く放射される現象を利用するものである。
本発明の発光ダイオードによれば、従来技術より優れた空間指向性が容易に得られる。また、高い指向性は、発光ダイオードの動作温度や注入電流による影響をほとんど受けることなく、安定的に得られる。
The light emitting diode of the present invention has a ridge structure or a structure in which the spontaneous emission light from the active layer disposed near the center of the fine ridge structure or the fine frustum structure is coupled to the ridge structure or the evanescent light that appears on the surface of the frustum structure. This utilizes the phenomenon of strong radiation in the normal direction of the upper flat surface of the frustum structure.
According to the light emitting diode of the present invention, the spatial directivity superior to the prior art can be easily obtained. Moreover, high directivity can be obtained stably without being substantially affected by the operating temperature of the light emitting diode and the injected current.
発明者はこれまでに表面上に微細なリッジ構造を形成することにより、リッジ構造の上部平坦面の真下に位置する活性層からの自然放出光はリッジ表面において発現するエバネッセント光の結合効果によって高い効率で空気中に取り出せる現象を見出してきた（特許文献１）。
ここで、図１を用いてこの現象について簡単に説明する。図１において、リッジ構造１は一つの上部平坦面と左右対称の二つの傾斜面によって構成されている。
The inventor has so far formed a fine ridge structure on the surface, so that the spontaneous emission light from the active layer located directly below the upper flat surface of the ridge structure is high due to the coupling effect of the evanescent light that appears on the ridge surface. A phenomenon has been found that can be efficiently taken out into the air (Patent Document 1).
Here, this phenomenon will be briefly described with reference to FIG. In FIG. 1, the ridge structure 1 is composed of one upper flat surface and two symmetrically inclined surfaces.
まず、図１（ａ）に示すようにリッジ構造の上部平坦面と谷との間に位置する量子井戸３の中心Ｃから発生した光が全反射の臨界角４より大きい角度で傾斜面と空気との界面に到達すると、全反射に伴い二つの傾斜面においてエバネッセント光２が生成される。傾斜面の法線５の下側に形成されるエバネッセント光は本現象に寄与しないので省略している。両側のエバネッセント光が傾斜面に沿ってリッジの上部平坦面に向かって少し移動し、リッジ頂上に到達すると互いに結合し非常に高い効率で空気伝播光６に変換される。 First, as shown in FIG. 1 (a), the light generated from the center C of the quantum well 3 located between the upper flat surface and the valley of the ridge structure is inclined with respect to the inclined surface and the air at an angle larger than the critical angle 4 of total reflection. , The evanescent light 2 is generated on the two inclined surfaces due to total reflection. Evanescent light formed below the normal 5 of the inclined surface is omitted because it does not contribute to this phenomenon. The evanescent lights on both sides move slightly along the inclined surface toward the upper flat surface of the ridge, and when they reach the top of the ridge, they are combined with each other and converted into the air propagating light 6 with very high efficiency.
この現象を強く発現させるためには、リッジ構造の形状に二つの条件を満たさなければならない。すなわち、（i）リッジ平坦面の横幅Ｗが２λ（λ：発光波長）以下、望ましくは発光波長程度であることが必要である。（ii）光が傾斜面で全反射を開始する位置（エバネッセント光の発生位置）から平坦面までの距離Ｌを発光波長より短くしなければならない。これは、言い換えれば、光が傾斜面で全反射を開始する位置、すなわち光が全反射の臨界角４に相当する角度で傾斜面に到達する位置から平坦面までの距離を発光波長より短くなるように活性層の位置を調整する必要があることを意味する。 In order to express this phenomenon strongly, the shape of the ridge structure must satisfy two conditions. That is, (i) the lateral width W of the ridge flat surface must be 2λ (λ: emission wavelength) or less, preferably about the emission wavelength. (Ii) The distance L from the position where the light starts total reflection on the inclined surface (position where the evanescent light is generated) to the flat surface must be shorter than the emission wavelength. In other words, the distance from the position where the light starts total reflection on the inclined surface, that is, the position where the light reaches the inclined surface at an angle corresponding to the critical angle 4 of total reflection, to the flat surface becomes shorter than the emission wavelength. It is necessary to adjust the position of the active layer.
活性層が上記（ii）の条件より深い場所に位置する場合、傾斜面で全反射する光の割合が減少するため、光の取出し効率、すなわち発光効率が小さくなる。したがって、上記（ii）の条件は、エバネッセント光の結合効果を最大限発現させるために必要なものであり、エバネッセント光の結合効果そのものの発現に必要不可欠な条件ではないことが理解されるべきである。 When the active layer is located deeper than the above condition (ii), the ratio of light totally reflected by the inclined surface is reduced, so that the light extraction efficiency, that is, the light emission efficiency is reduced. Therefore, it should be understood that the above condition (ii) is necessary for maximizing the evanescent light coupling effect and is not an indispensable condition for the evanescent light coupling effect itself. is there.
また、図１（ｂ）に示すように、活性層３がリッジ構造の外側、すなわちリッジ構造の谷よりも深い場所に位置する場合においても、リッジ構造の上部平坦面に対応する活性層領域から発生した光に対して強いエバネッセント光の結合効果を発現させることが可能である（特許文献２）。 Further, as shown in FIG. 1B, even when the active layer 3 is located outside the ridge structure, that is, at a place deeper than the valley of the ridge structure, the active layer region corresponding to the upper flat surface of the ridge structure It is possible to develop a strong evanescent light coupling effect to the generated light (Patent Document 2).
また、リッジ構造の表面に半導体層より屈折率の低い薄膜、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、酸化インジウム・酸化スズ（ＩＴＯ）透明導電膜を堆積させると、半導体・低屈折率膜及び低屈折率膜・空気という二つの界面においてエバネッセント光の結合現象が発現し、光の取り出し効率がさらに高くなることも判明している。
この現象についてさらに研究を進めた結果、活性層のサイズ・位置を制御することによって発光の空間指向性を制御することが可能であることを判明し、本発明に至った。
Further, when a thin film having a refractive index lower than that of the semiconductor layer, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or an indium oxide / tin oxide (ITO) transparent conductive film is deposited on the surface of the ridge structure, a semiconductor / low refractive index film and a low refractive index film are formed. It has also been found that the evanescent light coupling phenomenon occurs at the two interfaces of the refractive index film and air, and the light extraction efficiency is further increased.
As a result of further research on this phenomenon, it has been found that the spatial directivity of light emission can be controlled by controlling the size and position of the active layer, and the present invention has been achieved.
図２に、図１（ａ）の構造に対して、ＦＤＴＤ（有限差分時間領域）法を用いてシミュレーションしたＧａＡｓ/ＡｌＧａＡｓリッジ構造の放射パターン（リッジ周辺の電界強度分布）の光源位置依存性を示す。ここで、リッジ平坦面の横幅を０．６μｍとし、発光波長を０．８μｍとした。また、量子井戸活性層７の幅および量子井戸から上部平坦面までの距離をそれぞれ０．６μｍ と０．９μｍとした。光源として横方向（リッジストライプに垂直な方向）に偏光する電気双極子を用いた。 FIG. 2 shows the light source position dependency of the radiation pattern (electric field intensity distribution around the ridge) of the GaAs / AlGaAs ridge structure simulated using the FDTD (finite difference time domain) method for the structure of FIG. Show. Here, the width of the flat surface of the ridge was 0.6 μm, and the emission wavelength was 0.8 μm. The width of the quantum well active layer 7 and the distance from the quantum well to the upper flat surface were 0.6 μm and 0.9 μm, respectively. As a light source, an electric dipole polarized in the lateral direction (direction perpendicular to the ridge stripe) was used.
図中の数値は点光源からリッジ構造の上部平坦面の中心までの距離を示す。白い点線８と黒い点線９はそれぞれ半導体と空気との界面および光の放射方向（主ピーク）を示す。この図から、点光源をリッジ構造の中心に配置した場合、光はリッジ平坦面の法線方向に高い指向性を持って放射されるのが分かる。これは、物理的に、傾斜面に沿う波数ベクトルを持つ両側のエバネッセント光が互いに結合した結果、リッジ構造の上部平坦面の法線方向に強く指向する波に変換されたとして理解できる。点光源の位置がリッジ構造の中心からずれてくると光はリッジ平坦面の法線方向に対して角度を持って放射されるようになる。点光源を量子井戸のエッジに配置した場合（リッジ中心との距離：３００ｎｍ）、光の放射方向（主ピーク）はリッジ平坦面の法線方向に対して約５５°の角度をなす。 The numerical value in the figure indicates the distance from the point light source to the center of the upper flat surface of the ridge structure. A white dotted line 8 and a black dotted line 9 indicate the interface between the semiconductor and air and the light emission direction (main peak), respectively. From this figure, it can be seen that when the point light source is arranged at the center of the ridge structure, the light is emitted with high directivity in the normal direction of the flat surface of the ridge. This can be understood as being physically converted into waves that are strongly directed in the normal direction of the upper flat surface of the ridge structure as a result of the coupling of the evanescent lights on both sides having a wave vector along the inclined surface. When the position of the point light source deviates from the center of the ridge structure, light is emitted at an angle with respect to the normal direction of the ridge flat surface. When the point light source is arranged at the edge of the quantum well (distance from the ridge center: 300 nm), the light emission direction (main peak) forms an angle of about 55 ° with respect to the normal direction of the ridge flat surface.
したがって、キャリア（点光源）が量子井戸に均一に存在する場合、発光は主にリッジ平坦面の法線方向に対して±５５°程度の角度範囲内に分布し、従来の平坦基板のランバーシアン分布とほぼ同等な空間分布を示すことになる。逆の考え方をすれば、上記の結果は、活性層を幅がリッジ構造の上部平坦面の横幅より狭いストライプ状の微小領域に分割し、それを基板の面内方向（結晶成長方向に垂直）においてリッジ構造の上部平坦面に対応する領域（図２において量子井戸７に相当する領域）、望ましくはリッジ構造平坦面の中心付近に配置させることができれば、従来の平坦基板より高い空間指向性を実現できることを意味する。 Therefore, when carriers (point light sources) are uniformly present in the quantum well, light emission is mainly distributed within an angular range of about ± 55 ° with respect to the normal direction of the flat surface of the ridge, and the conventional flat substrate Lambertian. It shows a spatial distribution almost equivalent to the distribution. In other words, the above results show that the active layer is divided into striped microregions whose width is narrower than the lateral width of the upper flat surface of the ridge structure, and this is divided into the in-plane direction of the substrate (perpendicular to the crystal growth direction) In FIG. 2, the region corresponding to the upper flat surface of the ridge structure (the region corresponding to the quantum well 7 in FIG. 2), preferably near the center of the flat surface of the ridge structure, has higher spatial directivity than the conventional flat substrate. It means that it can be realized.
以上、リッジ構造について説明をしてきた。しかし、この場合、リッジストライプに垂直な方向にのみエバネッセント光の結合効果がなく、３次元的に見て放射パターンはリッジストライプに沿う細い帯になる。上記現象を微細錐台構造に拡張すれば、すべての方向において高い指向性を実現することができる。
すなわち、前記個々のストライプ状の活性層を、さらに長さ方向に微小領域に分割し、それらを錐台構造の上部平坦面下に配置することができる。これによって、基板面と直交する全ての面内において発光強度の空間分布に高い指向性を持たせることが可能となる。３次元的に見て放射パターンは錐台構造の上部平坦面の法線方向に指向する細いビームになる。活性層のストライプの長さ方向への分割の形状と数は任意であり、必要に応じて調整することができる。
The ridge structure has been described above. However, in this case, there is no coupling effect of evanescent light only in the direction perpendicular to the ridge stripe, and the radiation pattern becomes a thin band along the ridge stripe in three dimensions. If the above phenomenon is extended to a fine frustum structure, high directivity can be realized in all directions.
That is, the individual stripe-like active layers can be further divided into minute regions in the length direction, and these can be arranged below the upper flat surface of the frustum structure. This makes it possible to give high directivity to the spatial distribution of the emission intensity in all the planes orthogonal to the substrate surface. When viewed three-dimensionally, the radiation pattern is a thin beam directed in the normal direction of the upper flat surface of the frustum structure. The shape and number of divisions in the length direction of the stripes of the active layer are arbitrary and can be adjusted as necessary.
図３に、円錐台に対して行ったＦＤＴＤシミュレーションの結果を示す。シミュレーションにおいて、図２のリッジ構造のシミュレーションと同様に材料系としてＧａＡｓ/ＡｌＧａＡｓを想定し、発光波長を０．８μｍとした。また、円錐台の上部平坦面および底面の直径をそれぞれ０．５μｍと４．７μｍとした。発光源１０は上部平坦面から０．９μｍ離れた円錐台の中心に配置した。
図３（ｂ）、３（ｃ）はそれぞれ円錐台の中心を切断した面（図３（ａ）のＡＡ'切断面）における電界強度分布（１波長積分値）および円錐台の上部平坦面から１μｍ離れた場所における放射パターン１２を示す。同図から、この場合、光は円錐台の上部平坦面の法線方向１１に３次元的に高い指向性を持って放射されているのが分かる。
FIG. 3 shows the result of FDTD simulation performed on the truncated cone. In the simulation, as in the simulation of the ridge structure in FIG. 2, GaAs / AlGaAs was assumed as the material system, and the emission wavelength was set to 0.8 μm. The diameters of the upper flat surface and the bottom surface of the truncated cone were 0.5 μm and 4.7 μm, respectively. The light emitting source 10 was arranged at the center of a truncated cone spaced 0.9 μm from the upper flat surface.
3 (b) and 3 (c) are respectively an electric field intensity distribution (one-wavelength integrated value) on a plane (AA 'cut plane in FIG. 3 (a)) obtained by cutting the center of the truncated cone, and an upper flat surface of the truncated cone. The radiation pattern 12 at a location 1 μm away is shown. From this figure, it can be seen that in this case, light is radiated with a high three-dimensional directivity in the normal direction 11 of the upper flat surface of the truncated cone.
ここで、円錐台についてのシミュレーション結果を示したが、同様な効果は原理的に任意の上部平坦面の形状を持つ錐台構造、例えば、上部平坦面の形状が３角形、４角形、６角形などの多角形である角錐台構造、上部平坦面の形状が作製プロセスの精度等により正確な円形からずれた円錐台構造、楕円錐台構造を用いても実現することが可能である。
また、上部平坦面のサイズ、すなわち、３角錐台の場合は最も長い辺の長さ、３角錐台以外の角錐台の場合は最も長い対角線の長さ、円錐台の場合は円の直径、楕円錐台の場合は楕円の長辺の長さを２λ（λ：発光波長）以下にすることによって、すべての傾斜面において発生したエバネッセント光に対して結合効果を発現させることが可能である。
Here, the simulation results for the truncated cone are shown, but the same effect is in principle a frustum structure having an arbitrary upper flat surface shape, for example, the upper flat surface shape is triangular, tetragonal, hexagonal. It can also be realized by using a truncated pyramid structure such as a polygon, a truncated cone structure in which the shape of the upper flat surface deviates from an accurate circle due to the accuracy of the manufacturing process, or an elliptic truncated cone structure.
In addition, the size of the upper flat surface, that is, the length of the longest side in the case of a triangular pyramid, the length of the longest diagonal line in the case of a truncated pyramid, the diameter of the circle in the case of a truncated cone, an ellipse In the case of the frustum, by making the length of the long side of the ellipse 2λ (λ: emission wavelength) or less, it is possible to cause a coupling effect to evanescent light generated on all inclined surfaces.
また、リッジ構造の場合と同様に、エバネッセント光の結合効果を最大限発現させるためには、前記活性層の中心から発生した光が前記錐台構造の傾斜面と空気との界面にて全反射を開始する地点から上部平坦面となる地点までの距離がλ（発光波長）以下となるように、成長方向における活性層の位置を調整することが望ましい。
さらに、活性層の形状も円形や正方形などの対称形状のほか、楕円形や長方形などの非対称形状を用いることも可能である。特に、非対称形状を用いることによって、光の放射パターンを様々な形状に制御することが可能である。
Similarly to the ridge structure, in order to maximize the coupling effect of the evanescent light, the light generated from the center of the active layer is totally reflected at the interface between the inclined surface of the frustum structure and the air. It is desirable to adjust the position of the active layer in the growth direction so that the distance from the starting point to the point that becomes the upper flat surface is λ (emission wavelength) or less.
Further, the active layer may be a symmetric shape such as a circle or a square, or an asymmetric shape such as an ellipse or a rectangle. In particular, by using an asymmetric shape, the light radiation pattern can be controlled to various shapes.
上記のシミュレーションにおいて、材料系としてＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓを例として用いたが、この現象は特定の材料系に限定したものではなく、原理的にあらゆる材料系に適用可能である。実際に、可視光ＬＥＤの重要な材料であるＡｌＧａＩｎＰおよびＧａＮについてシミュレーションを行ったところ、ＧａＡｓ系と同様な結果が得られている。ただ、その場合、材料の屈折率および発光波長に応じてリッジ構造や錐台構造の寸法を調整する必要があることは容易に理解されるべきである。 In the above simulation, GaAs / AlGaAs is used as an example of the material system, but this phenomenon is not limited to a specific material system, and can be applied to any material system in principle. Actually, when AlGaInP and GaN, which are important materials for visible light LEDs, are simulated, results similar to those of the GaAs system are obtained. However, in that case, it should be easily understood that the dimensions of the ridge structure and the frustum structure need to be adjusted according to the refractive index of the material and the emission wavelength.
さらに、エバネッセント光の結合現象は、少なくとも通常の半導体ＬＥＤの発光スペクトル波長範囲（〜数十ｎｍ）において、発光波長にほとんど依存しないことがシミュレーションおよびフォトルミネセンスによる発光特性評価の両面から確認されている。このため、動作温度や注入電流の変化によって素子の発光波長が多少ずれても、指向性にほとんど影響を与えない。 Furthermore, it has been confirmed from both aspects of simulation and evaluation of light emission characteristics by photoluminescence that the coupling phenomenon of evanescent light is almost independent of the light emission wavelength at least in the emission spectrum wavelength range (up to several tens of nm) of a normal semiconductor LED. Yes. For this reason, even if the light emission wavelength of the element is slightly deviated due to a change in operating temperature or injection current, directivity is hardly affected.
（実施例１）
以下に、図４を用いて、本発明に係る第１の実施例について説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、有機金属気相エピタキシー法（ＭＯＣＶＤ）を用いて、サファイアー基板２０上にＧａＮ低温バッファー層、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層障壁層２１（〜４μｍ、ｎ＝２ｘ１０１８ｃｍ−３）、ＧａＮ（１０ｎｍ）/Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ（３ｎｍ）多重量子井戸（３〜５周期）活性層２２、ＭｇドープＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ電子ブロック層（２０ｎｍ）、ＭｇドープＧａＮ障壁層２３（〜４０ｎｍ）を順次成長させる。なお、図において、簡単のため、低温バッファー層および電子ブロック層が省略されている。
Example 1
The first embodiment according to the present invention will be described below with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 4A, a GaN low-temperature buffer layer and a Si-doped n-type GaN layer barrier layer 21 (˜4 μm, n) are formed on the sapphire substrate 20 using metal organic vapor phase epitaxy (MOCVD). = 2 × 10 18 cm −3 ), GaN (10 nm) / In 0.15 Ga 0.85 N (3 nm) multiple quantum well (3 to 5 periods) active layer 22, Mg-doped Al 0.1 Ga 0.9 N electrons A block layer (20 nm) and an Mg-doped GaN barrier layer 23 (˜40 nm) are grown sequentially. In the figure, for the sake of simplicity, the low-temperature buffer layer and the electron block layer are omitted.
次に、上記ウェハー表面上に、プラズマＣＶＤ法を用いて厚さ約１００ｎｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を堆積させる。次に、例えば、ｉ線露光装置を用いて、上記試料表面上に直径約５００ｎｍの円形のフォトレジストパターンを形成する。また、この時、次の工程で露光マスクの位置合わせに必要なアライメントマークを試料の適当な場所に同時に形成する。その後、バッファードフッ酸を用いてＳｉＯ２膜をエッチングする。 Next, a silicon oxide film (SiO 2 ) having a thickness of about 100 nm is deposited on the wafer surface by plasma CVD. Next, a circular photoresist pattern having a diameter of about 500 nm is formed on the surface of the sample using, for example, an i-line exposure apparatus. At this time, alignment marks necessary for alignment of the exposure mask are simultaneously formed at appropriate locations on the sample in the next step. Thereafter, the SiO 2 film is etched using buffered hydrofluoric acid.
この時、最終的に残るＳｉＯ２パターンの直径が１００〜２００ｎｍ程度になるように、エッチングの時間を調整する。この工程によって、ＧａＮ表面上に直径が１００〜２００ｎｍ程度で、エッジがテーパー状の円形のＳｉＯ２パターン２４が形成される（図４（ｂ）参照）。 At this time, the etching time is adjusted so that the diameter of the finally remaining SiO 2 pattern is about 100 to 200 nm. By this step, a circular SiO 2 pattern 24 having a diameter of about 100 to 200 nm and a tapered edge is formed on the GaN surface (see FIG. 4B).
次に、円形のＳｉＯ２パターン２４をマスクとして用いて、塩素をガスとしたＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチングにより、ＳｉＯ２パターン以外の領域をｎ−ＧａＮ層２１に達するまで（深さ〜１００ｎｍ）エッチングする。ここで、できるだけ量子井戸活性層へのダメージの少ないエッチング条件を用いる。その後、ＳｉＯ２マスクをバッファードフッ酸により除去する。この工程により、表面上に直径が１００〜２００ｎｍ程度の微小領域化された量子井戸活性層を含む円柱状（より正確に円錐台状）のＧａＮパターンが形成される（図４（ｃ））。 Next, using the circular SiO 2 pattern 24 as a mask, a region other than the SiO 2 pattern reaches the n-GaN layer 21 by ICP (inductively coupled plasma) etching using chlorine as a gas (depth to 100 nm). Etch. Here, etching conditions that cause as little damage to the quantum well active layer as possible are used. Thereafter, the SiO 2 mask is removed with buffered hydrofluoric acid. By this step, a columnar (more precisely frustoconical) GaN pattern including a quantum well active layer with a microregion having a diameter of about 100 to 200 nm is formed on the surface (FIG. 4C).
次に、上記試料をＭＯＣＶＤ成長装置に導入し、厚さ約５００ｎｍのＭｇドープＧａＮ層２５を再成長させる。なお、この時、活性層へのダメージを抑えるため、再成長は９００〜１０００℃程度の比較的低い温度で行うのが望ましい。この再成長により、試料の表面はほぼ平坦化される。成長後、試料を７５０〜８００℃で２０分間アニールし、Ｍｇを活性化させる。次に、プラズマＣＶＤ法を用いて上記試料表面上に厚さ約２００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させる。 Next, the sample is introduced into an MOCVD growth apparatus, and the Mg-doped GaN layer 25 having a thickness of about 500 nm is regrown. At this time, the regrowth is preferably performed at a relatively low temperature of about 900 to 1000 ° C. in order to suppress damage to the active layer. By this regrowth, the surface of the sample is almost flattened. After the growth, the sample is annealed at 750 to 800 ° C. for 20 minutes to activate Mg. Next, a SiO 2 film having a thickness of about 200 nm is deposited on the surface of the sample by plasma CVD.
次に、ｉ線露光装置を用いて、試料表面上に直径１μｍ程度の円形のフォトレジストパターンを形成する。この時、図４（ｃ）の工程で形成した円形状の活性層がレジストパターンの中心に来るように、アライメントマークを用いて露光マスクの位置を調整する。次に、バッファードフッ酸によりＳｉＯ２膜をエッチングし、エッジがテーパー状のＳｉＯ２パターン２６を形成する（図４（ｄ））。この時、ＳｉＯ２パターンの上部平坦面の直径が３００〜４００ｎｍとなるようにエッチング時間を調整する。 Next, a circular photoresist pattern having a diameter of about 1 μm is formed on the sample surface using an i-line exposure apparatus. At this time, the position of the exposure mask is adjusted using the alignment mark so that the circular active layer formed in the step of FIG. 4C is at the center of the resist pattern. Next, the SiO 2 film is etched with buffered hydrofluoric acid to form a SiO 2 pattern 26 having a tapered edge (FIG. 4D). At this time, the etching time is adjusted so that the diameter of the upper flat surface of the SiO 2 pattern is 300 to 400 nm.
次に、ＳｉＯ２パターン２６をマスクとして用いて、再成長ＧａＮ層２５をＩＣＰ法によりエッチングする。この時、ＳｉＯ２マスク２６のテーパー形状がＧａＮ層２５に転写され、ｐ−ＧａＮの円錐台構造２７が形成される。ここで、錐台の谷が、ｎ型ＧａＮ層に達しないようにエッチング時間を調整する。
次に、ＩＴＯ透明導電膜（厚さ〜１５０ｎｍ）をスパッター法により試料全面に成膜した後、５５０℃で２０分間アニール処理を行い、ｐ型オーミック電極２８を形成する（図４（ｅ））。ここで、ＩＴＯ透明導電膜はオーミック電極として機能すると同時に、エバネッセント光の二重結合効果の発現に必要な低屈折率膜としても働く。
最後に、図４には書いていないが、ｎ−ＧａＮ表面上の所定の場所にｎ型オーミック電極（Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ）、ＩＴＯ膜表面上にｐ型ボンディングパッド（Ｃｒ／ＡｕまたはＮｉ／Ａｕ）をそれぞれ従来の方法で形成する。
Next, the regrowth GaN layer 25 is etched by the ICP method using the SiO 2 pattern 26 as a mask. At this time, the tapered shape of the SiO 2 mask 26 is transferred to the GaN layer 25, and a p-GaN truncated cone structure 27 is formed. Here, the etching time is adjusted so that the valley of the frustum does not reach the n-type GaN layer.
Next, an ITO transparent conductive film (thickness to 150 nm) is formed on the entire surface of the sample by sputtering, and then annealed at 550 ° C. for 20 minutes to form the p-type ohmic electrode 28 (FIG. 4E). . Here, the ITO transparent conductive film functions as an ohmic electrode and at the same time functions as a low refractive index film necessary for the expression of the double bond effect of evanescent light.
Finally, although not shown in FIG. 4, an n-type ohmic electrode (Ti / Al / Ni / Au) is formed at a predetermined position on the n-GaN surface, and a p-type bonding pad (Cr / Au or Cr) is formed on the ITO film surface. Ni / Au) is formed by a conventional method.
この実施例のデバイスの場合、注入されたキャリアがエッチング界面に存在する欠陥や深い準位にトラップされない工夫を講じることが必要である。ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子井戸の場合、Ｉｎ組成の揺らぎにより量子井戸の中にＩｎリッチの領域（エネルギー準位が低い）が局所的に形成されており、注入されたキャリアが転移や欠陥によってトラップされるのを効果的に防いでいる。 In the case of the device of this embodiment, it is necessary to take measures to prevent the injected carriers from being trapped by defects or deep levels present at the etching interface. In the case of an InGaN / GaN quantum well, an In-rich region (low energy level) is locally formed in the quantum well due to fluctuations in the In composition, and the injected carriers are trapped by dislocations and defects. Is effectively prevented.
実際に、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子井戸を直径５００ｎｍ程度の柱状にドライエッチングで加工しても内部量子効率がほとんど落ちないことが報告されている。本実施例のデバイスを他の材料系、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓやＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓなどに応用する場合、界面ダメージのより少ないウェットエッチング法を用いたり、活性層に量子ドット構造を導入したりするなどの方法が有効であると考えられる。 In fact, it has been reported that the internal quantum efficiency is hardly lowered even when an InGaN / GaN quantum well is processed into a columnar shape having a diameter of about 500 nm by dry etching. When the device of this embodiment is applied to other material systems such as GaAs / AlGaAs, AlGaInP, and InGaAs, a wet etching method with less interface damage is used, or a quantum dot structure is introduced into the active layer. This method is considered to be effective.
（実施例２）
以下に、図５を用いて本発明に係る第２の実施例について説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いて（００１）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板上３０に、ＡｌＧaＩｎＰ第１障壁層３１、ＧａＩｎＰ量子井戸層３２、ＡｌＧaＩｎＰ第２障壁層３４を少なくとも有する量子井戸構造を成長する。ここで、説明を簡単にするため、ドーピング構造やバッファー層、キャップ層などを省略した。
また、必要に応じて[１１０]方向に５度〜１５度傾斜するＧａＡｓ基板を使用し、ＭＯＣＶＤ成長における秩序化現象によるバンドギャップエネルギーの縮小現象を抑える。また、量子井戸層から試料表面までの距離を１００程度ｎｍとする。次に、試料表面上に実施例１と同様なプロセスを用いて直径１００〜２００ｎｍ程度の円形のＳｉＯ２パターン３３を形成する。また、この工程において、次の工程で露光マスクの位置合わせに必要なアライメントマークを試料の適当な場所に同時に形成する。
(Example 2)
The second embodiment according to the present invention will be described below with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 5A, an AlGaInP first barrier layer 31, a GaInP quantum well layer 32, and an AlGaInP second barrier layer 34 are formed on an (001) -oriented n-type GaAs substrate 30 using MOCVD. A quantum well structure having at least Here, in order to simplify the description, a doping structure, a buffer layer, a cap layer, and the like are omitted.
Further, if necessary, a GaAs substrate inclined by 5 to 15 degrees in the [110] direction is used to suppress the band gap energy reduction phenomenon due to the ordering phenomenon in MOCVD growth. The distance from the quantum well layer to the sample surface is about 100 nm. Next, a circular SiO 2 pattern 33 having a diameter of about 100 to 200 nm is formed on the sample surface using the same process as in the first embodiment. In this step, alignment marks necessary for aligning the exposure mask are formed simultaneously at appropriate locations on the sample in the next step.
次に、上記試料をＺｎ３Ｐ２を原料とする閉管式拡散炉またはジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛などのＺｎ原料を備えるＭＯＣＶＤ装置に導入し、５００〜６００℃の温度において、Ｚｎ拡散処理を行う。ＡｌＧａＡｓ/ＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ/ＧａＩｎＰなどのＡｌとＧａを含むヘテロ構造の中にＺｎを高濃度に拡散させると、ヘテロ界面においてＡｌ原子とＧａ原子の相互拡散が起き、ヘテロ構造が混晶化（無秩序化）されることがよく知られている。 Next, the sample is introduced into a closed tube diffusion furnace using Zn 3 P 2 as a raw material or an MOCVD apparatus including a Zn raw material such as dimethyl zinc or diethyl zinc, and Zn diffusion treatment is performed at a temperature of 500 to 600 ° C. . When Zn is diffused at a high concentration in a heterostructure containing Al and Ga, such as AlGaAs / GaAs and AlGaInP / GaInP, mutual diffusion of Al atoms and Ga atoms occurs at the heterointerface, and the heterostructure is mixed (disordered). It is well known that
本実施例の場合、ＳｉＯ２マスクによって保護されていない領域からヘテロ構造の無秩序化、すなわちＡｌＧａＩｎＰ/ＧａＩｎＰ量子井戸の混晶化が進み、ＳｉＯ２マスクの直下にのみ量子井戸が残ることになる。また、ここでＳｉＯ２マスクの直下にサイズ１００ｎｍ程度の量子井戸が残るように、Ｚｎ原料の流量や拡散温度、拡散時間などのパラメーターを調整する。無秩序化された領域３５は、そのバンドギャップエネルギーがＧａＩｎＰ量子井戸層より高くなるので、横方向（基板面内方向または成長面内方向）においてＳｉＯ２マスクの直下に残された量子井戸のキャリア閉じ込め層として機能する。以上の工程により、成長面内において、面積が次工程で最終的に形成される円錐台構造の上部平坦面の面積より小さい円形の微小発光領域が形成される（図５（ｂ））。 In this embodiment, disordering of the heterostructure from the regions not protected by the SiO 2 mask, i.e. progressed disordering of AlGaInP / GaInP quantum wells, so that the quantum well remains only directly below the SiO 2 mask. In addition, parameters such as the flow rate of Zn material, diffusion temperature, and diffusion time are adjusted so that a quantum well having a size of about 100 nm remains immediately below the SiO 2 mask. The disordered region 35 has a band gap energy higher than that of the GaInP quantum well layer, so that the carrier confinement of the quantum well left immediately below the SiO 2 mask in the lateral direction (the substrate in-plane direction or the growth in-plane direction). Acts as a layer. Through the above steps, a circular minute light emitting region whose area is smaller than the area of the upper flat surface of the truncated cone structure finally formed in the next step is formed in the growth surface (FIG. 5B).
次に、ＳｉＯ２マスク３３をバーファッドフッ酸により除去した後、試料をＭＯＣＶＤ装置に導入し、Ｚｎドープのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ障壁層３６を再成長させる（図５（ｃ））。再成長層の膜厚を６００〜７００ｎｍ程度とする。
次にｉ線露光装置により、図５（ａ）の工程で形成したアライメントマークを利用し、試料表面上に直径５００〜６００ｎｍ程度の円形のフォトレジストパターン３７をその中心が図５（ｂ）の工程で形成した微小領域化された量子井戸活性層の中心と一致するように形成する。ここで、フォトレジストとして例えば住友化学製のｉ線露光用フォトレジストＰＦＩ３８Ａを使用する。
Next, after removing the SiO 2 mask 33 with bar-fad hydrofluoric acid, the sample is introduced into an MOCVD apparatus, and the Zn-doped p-type AlGaInP barrier layer 36 is regrown (FIG. 5C). The film thickness of the regrown layer is set to about 600 to 700 nm.
Next, by using the alignment mark formed in the step of FIG. 5A by an i-line exposure apparatus, a circular photoresist pattern 37 having a diameter of about 500 to 600 nm is centered on the sample surface as shown in FIG. It is formed so as to coincide with the center of the microwell active layer formed into a micro region formed in the process. Here, for example, a photoresist PFI38A for i-line exposure manufactured by Sumitomo Chemical is used as the photoresist.
次に、上記フォトレジストパターンを１８０〜１９０℃の温度でリフローさせ、レジストパターンの断面形状を略円弧形に変更させる。次にこのように形成したレジストパターン３７をマスクに用いて、Ｃｌ２、ＢＣｌ３をガスとしたＩＣＰエッチングにより、上記試料をエッチングする。この時、レジストマスクの略円弧形状が試料に転写され、微小領域化された量子井戸活性層を囲むように微小円錐台３８が形成される（図５（ｄ））。
次に、ｐ型オーミック電極およびエバネッセント光の二重結合効果の発現に必要な低屈折率膜としてＩＴＯ透明導電膜を試料表面全面に成膜する。最後に、図５に示していないが、表面にボンディングパッド、裏面にｎ型オーミック電極をそれぞれ形成する。
Next, the photoresist pattern is reflowed at a temperature of 180 to 190 ° C., and the cross-sectional shape of the resist pattern is changed to a substantially arc shape. Next, using the resist pattern 37 thus formed as a mask, the sample is etched by ICP etching using Cl 2 and BCl 3 as gases. At this time, the substantially circular arc shape of the resist mask is transferred to the sample, and a minute truncated cone 38 is formed so as to surround the quantum well active layer that has been made into a minute region (FIG. 5D).
Next, an ITO transparent conductive film is formed on the entire surface of the sample as a low refractive index film necessary for the expression of the double bond effect of the p-type ohmic electrode and the evanescent light. Finally, although not shown in FIG. 5, a bonding pad is formed on the front surface and an n-type ohmic electrode is formed on the rear surface.
本発明の発光ダイオードは、従来技術より優れた空間指向性を動作温度や注入電流による影響をほとんど受けることなく安定的に得られる特徴を持っており、光通信やリモートセンシング、ＬＥＤプリンターのヘッドアレイ、プロジェクタなどの様々な技術分野への応用が可能と考える。 The light-emitting diode of the present invention has a feature that can stably obtain spatial directivity superior to that of the prior art with almost no influence of operating temperature or injected current, and is used in optical communication, remote sensing, and LED printer head arrays. It can be applied to various technical fields such as projectors.
１：リッジ構造
２：エバネッセント光
３：量子井戸活性層
４：全反射の臨界角
５：傾斜面の法線
６：伝播光
７：量子井戸発光層
８：リッジ構造と空気との境界線
９．光の放射方向（主ピーク）を示す黒い点線
１０．点光源
１１．光の放射方向を示す点線
１２．光の放射パターン（ファーフィールドパターン）
２０．サファイアー基板
２１．ＳｉドープＧａＮ
２２．ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子井戸活性層
２３．ＭｇドープＧａＮ
２４．ＳｉＯ２マスクパターン
２５．再成長ＭｇドープＧａＮ
２６．ＳｉＯ２マスクパターン
２７．円錐台構造
２８．ＩＴＯ透明導電膜
３０．ＧａＡｓ基板
３１．ＡｌＧａＩｎＰ
３２．ＧａＩｎＰ量子井戸層
３３．ＳｉＯ２マスク
３４．ＡｌＧａＩｎＰ
３５．Ｚｎ拡散領域
３６．再成長ＡｌＧaＩｎＰ層
３７．フォトレジストマスク
３８．円錐台構造
３９．ＩＴＯ透明導電膜
1: Ridge structure 2: Evanescent light 3: Quantum well active layer 4: Critical angle of total reflection 5: Normal surface of inclined surface 6: Propagating light 7: Quantum well light emitting layer 8: Boundary line between ridge structure and air 10. Black dotted line indicating light emission direction (main peak) Point light source 11. 11. Dotted line indicating light emission direction Light emission pattern (far field pattern)
20. Sapphire substrate 21. Si-doped GaN
22. InGaN / GaN quantum well active layer 23. Mg-doped GaN
24. SiO 2 mask pattern 25. Regrown Mg-doped GaN
26. SiO 2 mask pattern 27. Frustum structure 28. ITO transparent conductive film 30. GaAs substrate 31. AlGaInP
32. GaInP quantum well layer 33. SiO 2 mask 34. AlGaInP
35. Zn diffusion region 36. Regrown AlGaInP layer 37. Photoresist mask 38. Frustum structure 39. ITO transparent conductive film
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