JP6028668B2 - Transparent electrodes, electronic devices and organic electroluminescence devices - Google Patents

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Description

本発明は、透明電極、電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性に優れた透明電極、この透明電極を用いた電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 The present invention relates to a transparent electrode, an electronic device and an organic electroluminescence device, and particularly to a transparent electrode having both conductivity and light transmission and excellent durability, and an electronic device and an organic electroluminescence device using the transparent electrode. ..

有機材料のエレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:以下ELと記す。)を利用した有機EL素子(有機電界発光素子ともいう。)は、数V〜数十V程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。 An organic EL element (also referred to as an organic electroluminescent element) using an organic material electroluminescence (hereinafter referred to as EL) is a thin film type capable of emitting light at a low voltage of about several V to several tens of V. It is a completely solid element and has many excellent features such as high brightness, high emission efficiency, thinness, and light weight. For this reason, it has been attracting attention in recent years as a backlight for various displays, a display board for signboards and emergency lights, and a surface emitter such as an illumination light source.

このような有機EL素子は、2枚の電極間に有機材料からなる発光層を配置した構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、2枚の電極のうちの少なくとも一方は透明電極として構成される。 Such an organic EL element has a configuration in which a light emitting layer made of an organic material is arranged between two electrodes, and the light emitted from the light emitting layer passes through the electrodes and is taken out to the outside. Therefore, at least one of the two electrodes is configured as a transparent electrode.

透明電極としては、酸化インジウムスズ(SnO−In:Indium Tin Oxide:ITO)等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられているが、ITOと銀とを積層して低抵抗化を狙った検討もなされている(例えば、特許文献1、2参照。)。しかしながら、ITOはレアメタルのインジウムを使用しているため、材料コストが高く、また抵抗を下げるために成膜後に300℃程度でアニール処理する必要がある。 As the transparent electrode, an oxide semiconductor-based material such as indium tin oxide (SnO 2-In 2 O 3 : Indium Tin Oxide: ITO) is generally used, but it is low by laminating ITO and silver. Studies aimed at resistance have also been made (see, for example, Patent Documents 1 and 2). However, since ITO uses indium, which is a rare metal, the material cost is high, and in order to reduce the resistance, it is necessary to perform annealing treatment at about 300 ° C. after film formation.

そこで、電気伝導率の高い銀(Ag)とマグネシウム(Mg)との合金を用いて薄膜を構成することで透過率と導電性の両立を図った技術(例えば、特許文献3参照。)や、安価で入手容易な亜鉛(Zn)やスズ(Sn)を原料として薄膜を構成する技術(例えば、特許文献4参照。)、銀とアルミニウムとの合金を用いて薄膜を構成することで短波長領域の光を透過させる技術(例えば、特許文献5参照。)等が提案されている。
しかしながら、特許文献3に開示されている電極の抵抗値はせいぜい100Ω/□前後で、電極の導電性としては不十分であり、加えて、マグネシウムが酸化されやすいため、経時劣化が著しいという問題があった。
特許文献4に開示されている電極では、十分な抵抗値が得られないという問題がある。また、Znを含有したZnO系の薄膜は水と反応して性能が変動しやすく、Snを含有したSnO系の薄膜はエッチングが困難である等の問題もあった。
特許文献5に開示されている電極の作製直後の抵抗値はせいぜい128Ω/□であり、十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極とはいえない。
Therefore, a technique for achieving both transmittance and conductivity by forming a thin film using an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg) having high electric conductivity (see, for example, Patent Document 3), and A technique for forming a thin film using inexpensive and easily available zinc (Zn) or tin (Sn) as a raw material (see, for example, Patent Document 4), and a short wavelength region by forming a thin film using an alloy of silver and aluminum. (For example, see Patent Document 5) and the like have been proposed.
However, the resistance value of the electrode disclosed in Patent Document 3 is at most about 100Ω / □, which is insufficient for the conductivity of the electrode. In addition, magnesium is easily oxidized, so that there is a problem that deterioration with time is remarkable. there were.
The electrode disclosed in Patent Document 4 has a problem that a sufficient resistance value cannot be obtained. Further, the Zn-containing ZnO-based thin film reacts with water and its performance tends to fluctuate, and the Sn-containing SnO 2- based thin film has a problem that etching is difficult.
The resistance value of the electrode disclosed in Patent Document 5 immediately after fabrication is 128 Ω / □ at most, and it cannot be said that the electrode is a transparent electrode having sufficient conductivity and light transmission.

一方、陰極として銀を膜厚15nmで蒸着した有機EL素子について開示されている(例えば、特許文献6参照。)。
しかしながら、特許文献6に開示されている銀膜においては、薄膜化すると、銀がマイグレーションしやすいため電極特性を維持することが困難であり、新たな技術の開発が望まれている。
On the other hand, an organic EL device in which silver is deposited with a film thickness of 15 nm as a cathode is disclosed (see, for example, Patent Document 6).
However, in the silver film disclosed in Patent Document 6, it is difficult to maintain the electrode characteristics because silver easily migrates when the film is thinned, and the development of a new technique is desired.

特開2002−015623号公報JP-A-2002-015623 特開2006−164961号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-164961 特開2006−344497号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-344497 特開2007−031786号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-031786 特開2009−151963号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-151963 米国特許出願公開2011/0260148号明細書U.S. Patent Application Publication 2011/0260148

本発明は上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性に優れた透明電極、当該透明電極を備えた電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems and situations, and the problem to be solved thereof is a transparent electrode having sufficient conductivity and light transmittance and excellent durability, an electronic device provided with the transparent electrode, and the like. It is to provide an organic electroluminescence element.

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、導電性層と、導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備える透明電極であって、導電性層が、銀を主成分として含有し、中間層が、ヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を分子内に2個以上有する芳香族複素環化合物を含有することで、優れた導電性と光透過率とを両立し、かつ優れた耐久性を実現できることを見出し、本発明に至った。 As a result of investigating the causes of the above problems in order to solve the above problems, the present inventor is a transparent electrode including a conductive layer and an intermediate layer provided adjacent to the conductive layer, and is conductive. Excellent conductivity because the layer contains silver as a main component and the intermediate layer contains an aromatic heterocyclic compound having two or more aromatic heterocyclic groups having three or more heteroatoms in the molecule. We have found that it is possible to achieve both light transmittance and excellent durability, and have arrived at the present invention.

すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。 That is, the above-mentioned problem according to the present invention is solved by the following means.

1.中間層と、前記中間に隣接して成膜された導電性層と、を備える透明電極であって、
前記導電性層は、銀を主成分として含有し、
前記中間層は、ヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を分子内に2個以上有する芳香族複素環化合物を含有することを特徴とする透明電極。
1. 1. An intermediate layer, a transparent electrode and a deposited electrically conductive layer adjacent to on the intermediate layer,
The conductive layer contains silver as a main component and contains silver as a main component.
The intermediate layer is a transparent electrode containing an aromatic heterocyclic compound having two or more aromatic heterocyclic groups in the molecule having three or more heteroatoms.

2.前記芳香族複素環化合物が、下記一般式(1)で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第1項に記載の透明電極。

Figure 0006028668
〔一般式(1)において、E〜Eは炭素原子又は窒素原子を表し、このうち少なくとも二つは炭素原子を表す。Rは置換基を表す。m1は0〜4の整数を表す。m1が2以上の場合、Rは同じ置換基であっても異なる置換基であってもよい。Dはヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を表す。n1は2〜6の整数を表す。複数のDは、同じであっても異なっていてもよい。〕 2. 2. The transparent electrode according to Item 1, wherein the aromatic heterocyclic compound is a compound having a structure represented by the following general formula (1).
Figure 0006028668
[In the general formula (1), E 1 to E 6 represent carbon atoms or nitrogen atoms, and at least two of them represent carbon atoms. R 1 represents a substituent. m1 represents an integer from 0 to 4. If m1 is 2 or more, R 1 may be a different substituents be the same substituent. D 1 represents an aromatic heterocyclic group having 3 or more heteroatoms. n1 represents an integer of 2 to 6. The plurality of D 1s may be the same or different. ]

3.前記芳香族複素環化合物が、下記一般式(2)で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第1項に記載の透明電極。

Figure 0006028668
〔一般式(2)において、XはNR12、酸素原子又は硫黄原子を表す。R12は水素原子若しくは置換基を表す。E11〜E18は炭素原子又は窒素原子を表し、このうち少なくとも二つは炭素原子を表す。m11は0〜6の整数を表す。R11は置換基を表す。m11が2以上の場合、R11は同じであっても異なっていてもよい。D11はヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を表す。n11は2〜8の整数を表す。複数のD11は、同じであっても異なっていてもよい。〕 3. 3. The transparent electrode according to Item 1, wherein the aromatic heterocyclic compound is a compound having a structure represented by the following general formula (2).
Figure 0006028668
[In the general formula (2), X represents NR 12 , an oxygen atom or a sulfur atom. R 12 represents a hydrogen atom or a substituent. E 11 to E 18 represent carbon atoms or nitrogen atoms, of which at least two represent carbon atoms. m11 represents an integer from 0 to 6. R 11 represents a substituent. If m11 is 2 or more, R 11 may be different even in the same. D 11 represents an aromatic heterocyclic group having 3 or more heteroatoms. n11 represents an integer of 2-8. The plurality of D 11s may be the same or different. ]

4.前記芳香族複素環化合物が、下記一般式(3)で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第1項に記載の透明電極。

Figure 0006028668
〔一般式(3)において、E21〜E30は炭素原子又は窒素原子を表し、このうち少なくとも二つは炭素原子を表す。R21は置換基を表す。m21は0〜8の整数を表す。m11が2以上の場合、R21は、同じであっても異なってもよい。D21はヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を表す。n21は2〜10の整数を表す。複数のD11は、同じであっても異なっていてもよい。〕 4. The transparent electrode according to Item 1, wherein the aromatic heterocyclic compound is a compound having a structure represented by the following general formula (3).
Figure 0006028668
[In the general formula (3), E 21 to E 30 represent a carbon atom or a nitrogen atom, and at least two of them represent a carbon atom. R 21 represents a substituent. m21 represents an integer from 0 to 8. If m11 is 2 or more, R 21 may be the same or different. D 21 represents an aromatic heterocyclic group having 3 or more heteroatoms. n21 represents an integer of 2 to 10. The plurality of D 11s may be the same or different. ]

5.前記ヘテロ原子が、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であることを特徴とする第1項から第4項までに記載の透明電極。 5. The transparent electrode according to the first to fourth paragraphs, wherein the hetero atom is a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom.

6.前記芳香族複素環基が、五員環であることを特徴とする第1項から第5項までに記載の透明電極。 6. The transparent electrode according to the first to fifth terms, wherein the aromatic heterocyclic group is a five-membered ring.

7.第1項から第6項までのいずれか一項に記載の透明電極を備えることを特徴とする電子デバイス。 7. An electronic device comprising the transparent electrode according to any one of items 1 to 6.

8.第1項から第6項までのいずれか一項に記載の透明電極を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 8. An organic electroluminescence device comprising the transparent electrode according to any one of items 1 to 6.

本発明によれば、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性に優れた透明電極、当該透明電極を備えた電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a transparent electrode having sufficient conductivity and light transmittance and excellent durability, an electronic device provided with the transparent electrode, and an organic electroluminescence device.

本発明の効果の発現機構、作用機構については明確にはなっていないが、以下のように推察される。 Although the mechanism of expression and the mechanism of action of the effects of the present invention have not been clarified, it is presumed as follows.

すなわち、本発明の透明電極は、中間層の上部に、銀を主成分として構成されている導電性層が設けられており、かつ中間層にはヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を分子内に2個以上有する芳香族複素環化合物が含有されている、という構成である。
これにより、中間層の上部に導電性層を成膜する際、導電性層を構成する銀原子が中間層に含有されているヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を分子内に2個以上有する芳香族複素環化合物と相互作用し、中間層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の凝集を抑制することができたものである。
すなわち、銀原子は、まず銀原子と親和性のある成分を有する銀親和性化合物を含有する中間層表面上で2次元的な核を形成し、それを中心に2次元の単結晶層を形成するという層状成長型(Frank−van der Merwe:FM型)の膜成長によって成膜されるようになる。
That is, the transparent electrode of the present invention is provided with a conductive layer composed mainly of silver on the upper part of the intermediate layer, and the intermediate layer is an aromatic heterocyclic group having three or more heteroatoms. The composition is such that an aromatic heterocyclic compound having two or more of the above is contained in the molecule.
As a result, when a conductive layer is formed on the upper part of the intermediate layer, two aromatic heterocyclic groups having three or more heteroatoms containing silver atoms constituting the conductive layer in the intermediate layer are contained in the molecule. By interacting with an aromatic heterocyclic compound having more than one, the diffusion distance of silver atoms on the surface of the intermediate layer was reduced, and the aggregation of silver at specific points could be suppressed.
That is, the silver atom first forms a two-dimensional nucleus on the surface of the intermediate layer containing the silver-affinity compound having a component having an affinity for the silver atom, and forms a two-dimensional single crystal layer around it. The film is formed by the layered growth type (Frank-van der Merwe: FM type) film growth.

なお、一般的には、中間層表面において付着した銀原子が表面を拡散しながら結合して3次元的な核を形成し、3次元的な島状に成長するという島状成長型(Volumer−Weber:VW型)での膜成長により、島状に成膜しやすいと考えられる。
しかし、本発明においては、中間層に含有されている銀親和性化合物であるヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を分子内に2個以上有する芳香族複素環化合物により、島状成長が抑制され、層状成長が促進されると推察される。
したがって、薄い層厚でありながらも均一な層厚の導電性層が得られるようになる。その結果、より薄い層厚として光透過率を保ちつつも、導電性が確保された透明電極とすることができる。
また、本発明は、銀の凝集を抑制することができる新たな化合物の提案でもある。
In general, an island-like growth type (Volumer-) in which silver atoms attached on the surface of the intermediate layer are bonded while diffusing on the surface to form a three-dimensional nucleus and grow in a three-dimensional island shape. It is considered that an island-shaped film is easily formed by the film growth in Weber: VW type).
However, in the present invention, the island-like growth is caused by the aromatic heterocyclic compound having two or more aromatic heterocyclic groups in the molecule having three or more heteroatoms, which are silver-affinitive compounds contained in the intermediate layer. Is suppressed and stratified growth is promoted.
Therefore, a conductive layer having a thin layer thickness but a uniform layer thickness can be obtained. As a result, it is possible to obtain a transparent electrode in which conductivity is ensured while maintaining light transmittance with a thinner layer thickness.
The present invention is also a proposal of a new compound capable of suppressing the aggregation of silver.

本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図Schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the transparent electrode of the present invention. 本発明の透明電極を用いた有機EL素子の第1例を示す概略断面図Schematic cross-sectional view showing a first example of an organic EL device using the transparent electrode of the present invention. 本発明の透明電極を用いた有機EL素子の第2例を示す概略断面図Schematic cross-sectional view showing a second example of an organic EL device using the transparent electrode of the present invention. 本発明の透明電極を用いた有機EL素子の第3例を示す概略断面図Schematic cross-sectional view showing a third example of an organic EL device using the transparent electrode of the present invention. 本発明の透明電極を備えた有機EL素子を用いて発光面を大面積化した照明装置の概略断面図Schematic cross-sectional view of an illuminating device having a large light emitting surface using an organic EL element provided with the transparent electrode of the present invention. 実施例にて作製した有機EL素子を具備した発光パネルの概略断面図Schematic cross-sectional view of a light emitting panel provided with the organic EL element produced in the examples.

本発明の透明電極は、中間層と、前記中間に隣接して成膜された導電性層と、を備える透明電極であって、
前記導電性層は、銀を主成分として含有し、
前記中間層は、ヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を分子内に2個以上有する芳香族複素環化合物を含有することを特徴とする。この特徴は、請求項1から請求項8までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
The transparent electrode of the present invention, an intermediate layer, a transparent electrode and a deposited electrically conductive layer adjacent to on the intermediate layer,
The conductive layer contains silver as a main component and contains silver as a main component.
The intermediate layer is characterized by containing an aromatic heterocyclic compound having two or more aromatic heterocyclic groups in the molecule having three or more heteroatoms. This feature is a technical feature common to the inventions according to claims 1 to 8.

本発明の実施態様としては、銀との親和力及び安定性の点で、前記芳香族複素環化合物が、前記一般式(1)で表される構造を有する化合物であることが好ましい。 In an embodiment of the present invention, the aromatic heterocyclic compound is preferably a compound having a structure represented by the general formula (1) in terms of affinity with silver and stability.

また、本発明においては、銀との親和力及び安定性の点で、前記芳香族複素環化合物が、前記一般式(2)で表される構造を有する化合物であることが、好ましい。 Further, in the present invention, the aromatic heterocyclic compound is preferably a compound having a structure represented by the general formula (2) in terms of affinity with silver and stability.

また、本発明においては、銀との親和力及び安定性の点で、前記芳香族複素環化合物が、前記一般式(3)で表される構造を有する化合物であることが好ましい。 Further, in the present invention, the aromatic heterocyclic compound is preferably a compound having a structure represented by the general formula (3) in terms of affinity with silver and stability.

また、本発明においては、前記ヘテロ原子が、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であることが本発明の効果発現の観点から、好ましい。 Further, in the present invention, it is preferable that the hetero atom is a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom from the viewpoint of exhibiting the effect of the present invention.

また、本発明においては、前記芳香族複素環基が、五員環であることが本発明の効果発現の観点から、好ましい。 Further, in the present invention, it is preferable that the aromatic heterocyclic group is a five-membered ring from the viewpoint of exhibiting the effect of the present invention.

本発明の透明電極は、電子デバイスに好適に具備され得る。これにより、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性に優れた電子デバイスを得ることができる。 The transparent electrode of the present invention can be suitably provided in an electronic device. As a result, it is possible to obtain an electronic device having sufficient conductivity and light transmission and having excellent durability.

本発明の透明電極は、有機エレクトロルミネッセンス素子に好適に具備され得る。これにより、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。 The transparent electrode of the present invention can be suitably provided in an organic electroluminescence device. As a result, it is possible to obtain an organic electroluminescence element having sufficient conductivity and light transmittance and excellent durability.

以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。
なお、本発明において示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
Hereinafter, the present invention, its constituent elements, and modes and modes for carrying out the present invention will be described in detail.
In addition, "~" shown in this invention is used in the meaning which includes the numerical values described before and after it as the lower limit value and the upper limit value.

≪1.透明電極≫
<透明電極の構成>
図1は、本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図である。
図1に示すように、透明電極1は、中間層1aと、この中間層1aの上部に導電性層1bとが積層された2層構造であり、例えば、基板11の上部に、中間層1a、導電性層1bの順に設けられている。このうち中間層1aは、芳香族複素環化合物が含有されている層であり、導電性層1bは銀を主成分として含有している層である。
なお、本発明において導電性層1bの主成分とは、導電性層を構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分をいう。本発明の導電性層1bは、銀を主成分とし、その構成比率としては、60質量%以上であることが好ましく、90質量%以上であることがより好ましく、98質量%以上であることが特に好ましい。
また、本発明の透明電極1の透明とは、波長550nmでの光透過率が50%以上であることをいう。
≪1. Transparent electrode ≫
<Structure of transparent electrode>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the transparent electrode of the present invention.
As shown in FIG. 1, the transparent electrode 1 has a two-layer structure in which an intermediate layer 1a and a conductive layer 1b are laminated on the intermediate layer 1a. For example, the intermediate layer 1a is formed on the upper part of the substrate 11. , The conductive layer 1b is provided in this order. Of these, the intermediate layer 1a is a layer containing an aromatic heterocyclic compound, and the conductive layer 1b is a layer containing silver as a main component.
In the present invention, the main component of the conductive layer 1b means the component having the highest composition ratio among the components constituting the conductive layer. The conductive layer 1b of the present invention contains silver as a main component, and the composition ratio thereof is preferably 60% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and preferably 98% by mass or more. Especially preferable.
Further, the transparency of the transparent electrode 1 of the present invention means that the light transmittance at a wavelength of 550 nm is 50% or more.

次に、このような積層構造の透明電極1が設けられる基板11、透明電極1を構成する中間層1a及び導電性層1bの順に、詳細な構成を説明する。 Next, a detailed configuration will be described in the order of the substrate 11 on which the transparent electrode 1 having such a laminated structure is provided, the intermediate layer 1a constituting the transparent electrode 1, and the conductive layer 1b.

[基板]
本発明の透明電極1が形成される基板11としては、例えば、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、基板11は透明であっても不透明であってもよい。本発明の透明電極1が、基板11側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基板11は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基板11としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。
[substrate]
Examples of the substrate 11 on which the transparent electrode 1 of the present invention is formed include, but are not limited to, glass, plastic, and the like. Further, the substrate 11 may be transparent or opaque. When the transparent electrode 1 of the present invention is used for an electronic device that extracts light from the substrate 11 side, the substrate 11 is preferably transparent. Examples of the transparent substrate 11 preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film.

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、中間層1aとの密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理が施されていてもよいし、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。 Examples of the glass include silica glass, soda lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, non-alkali glass and the like. From the viewpoint of adhesion to the intermediate layer 1a, durability, and smoothness, the surface of these glass materials may be subjected to physical treatment such as polishing, if necessary, from inorganic substances or organic substances. Or a hybrid coating obtained by combining these coatings may be formed.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。 Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, and cellulose acetate propionate. CAP), cellulose acetate phthalate, cellulose esters such as cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyether sulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylates, Arton (trade name: JSR) or Appel Cycloolefin resins such as (trade name: manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) can be mentioned.

上記したように、樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%RH)が0.01g/m・24h以下のバリア性フィルム(バリア膜等ともいう)であることが好ましい。さらには、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/m・24h・atm以下、水蒸気透過度が1×10−5g/m・24h以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 As described above, a film made of an inorganic substance or an organic substance or a hybrid film combining these films may be formed on the surface of the resin film. Such coating films and hybrid coating films have a water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) of 0.01 g / m 2 and measured by a method in accordance with JIS K 7129-1992. A barrier film (also referred to as a barrier film or the like) of 24 hours or less is preferable. Further, JIS K 7126-1987 oxygen permeability measured in compliance with the method provided in the 1 × 10 -3 ml / m 2 · 24h · atm or less, the water vapor permeability of 1 × 10 -5 g / m 2 · 24h The following high barrier film is preferable.

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等の電子デバイスや有機EL素子の劣化をもたらす要因の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。さらに、当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層(有機層)の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層との積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。 The material for forming the barrier film as described above may be any material having a function of suppressing the infiltration of factors that cause deterioration of electronic devices and organic EL elements such as moisture and oxygen, and for example, silicon oxide and dioxide. Silicon, silicon nitride and the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the barrier film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and a layer made of an organic material (organic layer). The stacking order of the inorganic layer and the organic layer is not particularly limited, but it is preferable to stack the inorganic layer and the organic layer alternately a plurality of times.

バリア性フィルムの作製方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。 The method for producing the barrier film is not particularly limited, and for example, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma weight. Although legal, plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, coating method and the like can be used, the atmospheric pressure plasma polymerization method described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

一方、基板11を不透明な材料で構成する場合には、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。 On the other hand, when the substrate 11 is made of an opaque material, for example, a metal substrate such as aluminum or stainless steel, a film or opaque resin substrate, a ceramic substrate, or the like can be used.

[中間層]
本発明に係る中間層1aは、ヘテロ原子を3個以上含有する芳香族複素環基を分子内に2個以上有する芳香族複素環化合物を用いて形成された層である。
このような中間層1aが基板11上に成膜されたものである場合、その成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法等)、スパッタ法、CVD法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。
[Middle layer]
The intermediate layer 1a according to the present invention is a layer formed by using an aromatic heterocyclic compound having two or more aromatic heterocyclic groups in the molecule containing three or more heteroatoms.
When such an intermediate layer 1a is formed on the substrate 11, the film forming method includes a method using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, and a dip method, or a vapor deposition method ( Resistance heating, EB method, etc.), sputtering method, CVD method, and other methods using a dry process can be mentioned. Of these, the thin-film deposition method is preferably applied.

次に、一般式(1)から一般式(3)で表される芳香族複素環化合物について詳細に説明する。 Next, the aromatic heterocyclic compounds represented by the general formulas (1) to (3) will be described in detail.

芳香族複素環化合物が、下記一般式(1)で表される構造を有する化合物であることが好ましい。 The aromatic heterocyclic compound is preferably a compound having a structure represented by the following general formula (1).

Figure 0006028668
Figure 0006028668

一般式(1)において、E〜Eは炭素原子又は窒素原子を表し、このうち少なくとも二つは炭素原子を表す。Rは置換基を表す。m1は0〜4の整数を表す。m1が2以上の場合、Rは同じ置換基であっても異なる置換基であってもよい。Dはヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を表す。n1は2〜6の整数を表す。複数のDは、同じであっても異なっていてもよい。 In the general formula (1), E 1 to E 6 represent a carbon atom or a nitrogen atom, and at least two of them represent a carbon atom. R 1 represents a substituent. m1 represents an integer from 0 to 4. If m1 is 2 or more, R 1 may be a different substituents be the same substituent. D 1 represents an aromatic heterocyclic group having 3 or more heteroatoms. n1 represents an integer of 2 to 6. The plurality of D 1s may be the same or different.

一般式(1)において、Rで表される置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基、ピペリジル基(ピペリジニル基ともいう)、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、リン酸エステル基(例えば、ジヘキシルホスホリル基等)、亜リン酸エステル基(例えばジフェニルホスフィニル基等)、ホスホノ基等が挙げられる。 In the general formula (1), the substituent represented by R 1 is an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl). Group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl group (eg, ethynyl group, propargyl group, etc.) Etc.), aromatic hydrocarbon groups (also referred to as aromatic carbocyclic groups, aryl groups, etc., for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, trill group, xsilyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl Group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic group (for example, frill group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group) , Pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (indicating one of any carbon atoms constituting the carbolin ring of the carbolinyl group replaced with a nitrogen atom), phthalazinyl. Groups, etc.), heterocyclic groups (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholic group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group). , Dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio) Group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.) , Methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (sulfamoyl group, etc.) For example, aminosulfonyl group, methylaminosul Honyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.) , Acyl group (eg, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group Etc.), acyloxy group (eg, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (eg, methylcarbonylamino group, ethyl) Carbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group Etc.), carbamoyl group (eg aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecyl Aminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methyl ureido group, ethyl ureido group, pentyl ureido group, cyclohexyl ureido group, octyl ureido group, dodecyl ureido group) , A phenylureid group, a naphthylureid group, a 2-pyridylaminoureid group, etc.), a sulfinyl group (for example, a methylsulfinyl group, an ethylsulfinyl group, a butylsulfinyl group, a cyclohexylsulfinyl group, a 2-ethylhexylsulfinyl group, a dodecylsulfinyl group, a phenylsulfinyl group. , Naftylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group) , Cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (eg, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (eg, amino) Group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, piperidyl group (also called piperidinyl group), 2 , 2,6,6-tetramethylpiperidinyl group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, penta) Fluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphoric acid Examples thereof include an ester group (for example, a dihexylphosphoryl group, etc.), a phosphite ester group (for example, a diphenylphosphinyl group, etc.), a phosphono group, and the like.

一般式(1)において、E〜Eで形成される環として例えば、ベンゼン、ナフタレン、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノキサリン、キナゾリン、キノリン等が挙げられる。
一般式(1)において、Dで表される芳香族複素環基としては、以下のものが好ましい。
In the general formula (1), examples of the ring formed by E 1 to E 6 include benzene, naphthalene, pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoxaline, quinazoline, quinoline and the like.
In the general formula (1), the aromatic heterocyclic group represented by D 1 is preferably as follows.

Figure 0006028668
Figure 0006028668

31、R32、R33及びR34は水素原子若しくは置換基を表す。置換基としては上記Rと同様の基を表す。Lは結合手若しくは2価の連結基を表す。連結基として例えばアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、ヘテロ原子を含む基(例えば、−O−、−S−等のカルコゲン原子を含む2価の基、−N(R35)−基、ここで、R35は、水素原子又はアルキル基を表す。)、アミド基、カルバモイル基等が挙げられる。なお、*は、結合部位を表す。 R 31 , R 32 , R 33 and R 34 represent a hydrogen atom or a substituent. As the substituent, the same group as R 1 is represented. L represents a bond or a divalent linking group. Linking group as for example an alkylene group, a cycloalkylene group, an arylene group, a group containing a hetero atom (e.g., -O -, - 2 divalent group containing a chalcogen atom S- like, -N (R 35) - group, wherein R 35 represents a hydrogen atom or an alkyl group), an amide group, a carbamoyl group and the like. Note that * represents a binding site.

また、芳香族複素環化合物が、下記一般式(2)で表される構造を有する化合物であることも好ましい。 It is also preferable that the aromatic heterocyclic compound is a compound having a structure represented by the following general formula (2).

Figure 0006028668
Figure 0006028668

一般式(2)において、XはNR12、酸素原子又は硫黄原子を表す。R12は水素原子若しくは置換基を表す。E11〜E18は炭素原子又は窒素原子を表し、このうち少なくとも二つは炭素原子を表す。m11は0〜6の整数を表す。R11は置換基を表す。m11が2以上の場合、R11は同じであっても異なっていてもよい。D11はヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を表す。n11は2〜8の整数を表す。複数のD11は、同じであっても異なっていてもよい。 In the general formula (2), X represents NR 12 , an oxygen atom or a sulfur atom. R 12 represents a hydrogen atom or a substituent. E 11 to E 18 represent carbon atoms or nitrogen atoms, of which at least two represent carbon atoms. m11 represents an integer from 0 to 6. R 11 represents a substituent. If m11 is 2 or more, R 11 may be different even in the same. D 11 represents an aromatic heterocyclic group having 3 or more heteroatoms. n11 represents an integer of 2-8. The plurality of D 11s may be the same or different.

一般式(2)において、D11で表される芳香族複素環基としては、Dと同様の基が挙げられる。 In the general formula (2), examples of the aromatic heterocyclic group represented by D 11 include the same groups as D 1.

一般式(2)において、R11で表される置換基としては、Rで表される置換基と同様のものを挙げることができる。
一般式(2)において、E11〜E18で形成される環としては以下のものが好ましい。
In the general formula (2), examples of the substituent represented by R 11 include the same substituents represented by R 1.
In the general formula (2), the rings formed by E 11 to E 18 are preferably as follows.

Figure 0006028668
Figure 0006028668

また、芳香族複素環化合物が、下記一般式(3)で表される構造を有する化合物であることも好ましい。 It is also preferable that the aromatic heterocyclic compound is a compound having a structure represented by the following general formula (3).

Figure 0006028668
Figure 0006028668

一般式(3)において、E21〜E30は炭素原子又は窒素原子を表し、このうち少なくとも二つは炭素原子を表す。R21は置換基を表す。m21は0〜8の整数を表す。m11が2以上の場合、R21は、同じであっても異なってもよい。D21はヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を表す。n21は2〜10の整数を表す。複数のD11は、同じであっても異なっていてもよい。 In the general formula (3), E 21 to E 30 represent a carbon atom or a nitrogen atom, and at least two of them represent a carbon atom. R 21 represents a substituent. m21 represents an integer from 0 to 8. If m11 is 2 or more, R 21 may be the same or different. D 21 represents an aromatic heterocyclic group having 3 or more heteroatoms. n21 represents an integer of 2 to 10. The plurality of D 11s may be the same or different.

一般式(3)において、R21で表される置換基としては、Rで表される置換基と同様のものを挙げることができる。
一般式(3)において、E21〜E30で形成される環として例えば、1,1′−ビフェニル、2−フェニルピリジン、3−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、2,2′−ビピリジン、3,3′−ビピリジン、4,4′−ビピリジン等が挙げられる。
一般式(3)において、D21で表される芳香族複素環基としては、Dと同様の基が挙げられる。
In the general formula (3), examples of the substituent represented by R 21 include those similar to those represented by R 1.
In the general formula (3), examples of the ring formed by E 21 to E 30 include 1,1'-biphenyl, 2-phenylpyridine, 3-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, 2,2'-bipyridine, and 3 , 3'-bipyridine, 4,4'-bipyridine and the like.
In the general formula (3), examples of the aromatic heterocyclic group represented by D 21 include the same groups as D 1.

なお、一般式(2)が備える置換基(D11及びR11)は、E1114により形成される環又はE15〜E18により形成される環のいずれかが備えていていればよいことを表している。すなわち、例えば、E1114により形成される環のみが複数の置換基を有することもできるし、E1114により形成される環又はE15〜E18により形成される環のいずれもが置換基を有することもできる。一般式(3)についても同様である。 The substituents (D 11 and R 11 ) included in the general formula (2) may include either a ring formed by E 11 to 14 or a ring formed by E 15 to E 18. It represents that. That is, for example, only the ring formed by E 11 to 14 may have a plurality of substituents, or either the ring formed by E 11 to 14 or the ring formed by E 15 to E 18 may be present. It can also have a substituent. The same applies to the general formula (3).

[中間層に含有される化合物の具体例]
芳香族複素環化合物に含有されているヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であることが好ましい。また、芳香族複素環基は、五員環であることが好ましい。
以下に、本発明の中間層1aに含有される芳香族複素環化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
[Specific examples of compounds contained in the intermediate layer]
The hetero atom contained in the aromatic heterocyclic compound is preferably a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom. The aromatic heterocyclic group is preferably a five-membered ring.
Specific examples of the aromatic heterocyclic compound contained in the intermediate layer 1a of the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.

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本発明に係る有機化合物は、従来公知の合成方法に準じて、容易に合成することができる。 The organic compound according to the present invention can be easily synthesized according to a conventionally known synthesis method.

合成例1(I−7の合成)
1,3,5−トリブロモベンゼン3.14g、ベンゾトリアゾール4.20g、酸化第一銅1.43g、ジピバロイルメタン1.30g、リン酸カリウム6.36g、ジメチルスルホキシド(DMSO)50mlを窒素気流下160℃で24時間加熱撹拌した。反応液を濾過して不溶分を除去したのち、THFを加えて飽和食塩水で洗浄した。減圧蒸留で溶媒を除去し、得られた粗結晶をカラムクロマトグラフィー(SiO、展開液THF/トルエン)で精製し、目的物2.27g(収率53.0%、淡黄色結晶)を得た。
Synthesis Example 1 (Synthesis of I-7)
3.14 g of 1,3,5-tribromobenzene, 4.20 g of benzotriazole, 1.43 g of cuprous oxide, 1.30 g of dipivaloylmethane, 6.36 g of potassium phosphate, 50 ml of dimethyl sulfoxide (DMSO). The mixture was heated and stirred at 160 ° C. under a nitrogen stream for 24 hours. The reaction mixture was filtered to remove insoluble matter, THF was added, and the mixture was washed with saturated brine. The solvent was removed by vacuum distillation, and the obtained crude crystals were purified by column chromatography (SiO 2 , developing solution THF / toluene) to obtain 2.27 g (yield 53.0%, pale yellow crystals) of the target product. It was.

Figure 0006028668
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合成例2(I−29の合成)
ジヨードジベンゾチオフェン4.36g、メルカプトフェニルテトラゾール4.45g、酸化第一銅1.10g、ジピバロイルメタン1.00g、リン酸カリウム4.36g、DMSO 50mlを窒素気流下160℃で24時間加熱撹拌した。反応液を濾過して不溶分を除去したのち、THFを加えて飽和食塩水で洗浄した。減圧蒸留で溶媒を除去し、得られた粗結晶をカラムクロマトグラフィー(SiO、展開液THF/トルエン)で精製し、目的物3.00g(収率56.0%、淡黄色結晶)を得た。
Synthesis Example 2 (Synthesis of I-29)
4.36 g of diiododibenzothiophene, 4.45 g of mercaptophenyltetrazole, 1.10 g of cuprous oxide, 1.00 g of dipivaloyl methane, 4.36 g of potassium phosphate, and 50 ml of DMSO at 160 ° C. for 24 hours under a nitrogen stream. It was heated and stirred. The reaction mixture was filtered to remove insoluble matter, THF was added, and the mixture was washed with saturated brine. The solvent was removed by vacuum distillation, and the obtained crude crystals were purified by column chromatography (SiO 2 , developing solution THF / toluene) to obtain 3.00 g (yield 56.0%, pale yellow crystals) of the target product. It was.

Figure 0006028668
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合成例3(I−41の合成)
4,4′−ジヨード−1,1′−ビフェニル4.06g、メルカプトフェニルオキサジアゾール3.80g、酸化第一銅1.10g、ジピバロイルメタン1.00g、リン酸カリウム4.36g、DMSO 50mlを窒素気流下160℃で24時間加熱撹拌した。反応液を濾過して不溶分を除去したのち、THFを加えて飽和食塩水で洗浄した。減圧蒸留で溶媒を除去し、得られた粗結晶をカラムクロマトグラフィー(SiO、展開液THF/トルエン)で精製し、目的物2.43g(収率48.0%、淡黄色結晶)を得た。
Synthesis Example 3 (Synthesis of I-41)
4,4'-diiodo-1,1'-biphenyl 4.06 g, mercaptophenyloxadiazole 3.80 g, cuprous oxide 1.10 g, dipivaloyl methane 1.00 g, potassium phosphate 4.36 g, 50 ml of DMSO was heated and stirred at 160 ° C. under a nitrogen stream for 24 hours. The reaction mixture was filtered to remove insoluble matter, THF was added, and the mixture was washed with saturated brine. The solvent was removed by vacuum distillation, and the obtained crude crystals were purified by column chromatography (SiO 2 , developing solution THF / toluene) to obtain 2.43 g (yield 48.0%, pale yellow crystals) of the target product. It was.

Figure 0006028668
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[導電性層]
導電性層1bは、銀を主成分として構成されている層であって、中間層1a上に成膜された層である。
このような導電性層1bの成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法等)、スパッタ法、CVD法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。
また、導電性層1bは、中間層1a上に成膜されることにより、導電性層1bの成膜後に高温アニール処理(例えば、150℃以上の加熱プロセス)等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。
[Conductive layer]
The conductive layer 1b is a layer composed of silver as a main component, and is a layer formed on the intermediate layer 1a.
Examples of the film forming method of the conductive layer 1b include a method using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, and a dip method, a vapor deposition method (resistive heating, EB method, etc.), a sputtering method, and a CVD method. And the like using a dry process such as. Of these, the thin-film deposition method is preferably applied.
Further, since the conductive layer 1b is formed on the intermediate layer 1a, it is sufficiently conductive even if there is no high temperature annealing treatment (for example, a heating process of 150 ° C. or higher) after the film formation of the conductive layer 1b. However, if necessary, a high-temperature annealing treatment or the like may be performed after the film formation.

導電性層1bは銀(Ag)を含有する合金から構成されていてもよく、そのような合金としては、例えば、銀マグネシウム(AgMg)、銀銅(AgCu)、銀パラジウム(AgPd)、銀パラジウム銅(AgPdCu)、銀インジウム(AgIn)等が挙げられる。 The conductive layer 1b may be composed of an alloy containing silver (Ag), and examples of such an alloy include silver magnesium (AgMg), silver copper (AgCu), silver palladium (AgPd), and silver palladium. Examples thereof include copper (AgPdCu) and silver indium (AgIn).

以上のような導電性層1bは、銀を主成分として構成されている層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。 The conductive layer 1b as described above may have a structure in which a layer composed of silver as a main component is divided into a plurality of layers and laminated as needed.

さらに、この導電性層1bは、層厚が5〜20nmの範囲にあることが好ましく、5〜12nmの範囲にあることがより好ましい。
層厚が20nmより薄いと層の吸収成分又は反射成分が少なくなり、透明電極の透過率が向上するためより好ましい。また、層厚が5nmより厚いと層の導電性が十分になるため好ましい。
Further, the conductive layer 1b preferably has a layer thickness in the range of 5 to 20 nm, and more preferably in the range of 5 to 12 nm.
When the layer thickness is thinner than 20 nm, the absorption component or the reflection component of the layer is reduced, and the transmittance of the transparent electrode is improved, which is more preferable. Further, it is preferable that the layer thickness is thicker than 5 nm because the conductivity of the layer becomes sufficient.

なお、以上のような中間層1aとこの上部に成膜された導電性層1bとからなる積層構造の透明電極1は、導電性層1bの上部が保護膜で覆われていてもよいし、別の導電性層が積層されていてもよい。この場合、透明電極1の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び別の導電性層が光透過性を有することが好ましい。また中間層1aの下部、すなわち中間層1aと基板11との間にも、必要に応じた層を設けた構成としてもよい。 In the transparent electrode 1 having a laminated structure composed of the intermediate layer 1a and the conductive layer 1b formed on the intermediate layer 1a as described above, the upper part of the conductive layer 1b may be covered with a protective film. Another conductive layer may be laminated. In this case, it is preferable that the protective film and another conductive layer have light transmission so as not to impair the light transmission of the transparent electrode 1. Further, a layer may be provided in the lower part of the intermediate layer 1a, that is, between the intermediate layer 1a and the substrate 11, if necessary.

<透明電極の効果>
以上のような構成の透明電極1は、ヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を分子内に2個以上有する芳香族複素環化合物を含有する中間層1a上に、銀を主成分として含有する導電性層1bを備える。これにより、中間層1aの上部に導電性層1bを成膜する際には、導電性層1bを構成する銀原子が中間層1aに含有される有機化合物と相互作用し、銀原子の中間層1a表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。
<Effect of transparent electrode>
The transparent electrode 1 having the above configuration contains silver as a main component on an intermediate layer 1a containing an aromatic heterocyclic compound having two or more aromatic heterocyclic groups in the molecule having three or more heteroatoms. The conductive layer 1b containing the mixture is provided. As a result, when the conductive layer 1b is formed on the upper part of the intermediate layer 1a, the silver atoms constituting the conductive layer 1b interact with the organic compound contained in the intermediate layer 1a, and the intermediate layer of the silver atoms is formed. The diffusion distance on the surface of 1a is reduced, and silver aggregation is suppressed.

ここで、一般的に銀を主成分として含有する導電性層の成膜においては、島状成長型(Volumer−Weber:VW型)で薄膜成長するため、銀粒子が島状に孤立しやすく、層厚(膜厚)が薄いときは導電性を得ることが困難であり、シート抵抗値が高くなる。
したがって、導電性を確保するには膜厚を厚くする必要があるが、膜厚を厚くすると光透過率が下がるため、透明電極としては不適であった。
Here, in general, in the film formation of the conductive layer containing silver as a main component, the thin film grows in an island-like growth type (Volumer-Weber: VW type), so that the silver particles are easily isolated in an island shape. When the layer thickness (thickness) is thin, it is difficult to obtain conductivity, and the sheet resistance value becomes high.
Therefore, it is necessary to increase the film thickness in order to secure the conductivity, but if the film thickness is increased, the light transmittance decreases, so that it is not suitable as a transparent electrode.

しかしながら、本発明の透明電極1によれば、上述したように中間層1a上において銀の凝集が抑えられるため、銀を主成分として構成されている導電性層1bの成膜においては、層状成長型(Frank−van der Merwe:FM型)で薄膜成長するようになる。 However, according to the transparent electrode 1 of the present invention, since silver aggregation is suppressed on the intermediate layer 1a as described above, layered growth occurs in the film formation of the conductive layer 1b composed of silver as a main component. A thin film grows in a mold (Frank-van der Merwe: FM type).

またここで、本発明の透明電極1の透明とは波長550nmでの光透過率が50%以上であることをいうが、中間層1aとして用いられる上述した各材料は、銀を主成分とした導電性層1bと比較して、十分に光透過性の良好な膜を形成する。一方、透明電極1の導電性は主に導電性層1bによって確保される。したがって上述のように、銀を主成分として構成されている導電性層1bが、より薄い層厚で導電性が確保されたものとなることにより、透明電極1の導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になるのである。 Further, here, the transparency of the transparent electrode 1 of the present invention means that the light transmittance at a wavelength of 550 nm is 50% or more, but each of the above-mentioned materials used as the intermediate layer 1a contains silver as a main component. A film having sufficiently good light transmittance is formed as compared with the conductive layer 1b. On the other hand, the conductivity of the transparent electrode 1 is mainly ensured by the conductive layer 1b. Therefore, as described above, the conductive layer 1b composed of silver as a main component has a thinner layer thickness to ensure conductivity, thereby improving the conductivity of the transparent electrode 1 and transmitting light. It is possible to achieve both improvement and improvement.

≪2.透明電極の用途≫
上述した構成の透明電極1は、各種電子デバイスに用いることができる。電子デバイスの例としては、有機EL素子、LED(Light Emitting Diode)、液晶素子、太陽電池、タッチパネル等が挙げられ、これらの電子デバイスにおいて光透過性を必要とされる電極部材として、上述の透明電極1を用いることができる。
以下では、用途の一例として、本発明の透明電極1を用いた有機EL素子の実施の形態を説明する。
≪2. Applications of transparent electrodes ≫
The transparent electrode 1 having the above-described configuration can be used in various electronic devices. Examples of electronic devices include organic EL elements, LEDs (Light Emitting Diodes), liquid crystal elements, solar cells, touch panels, and the like, and the above-mentioned transparent electrode members are examples of electrode members that require light transmission in these electronic devices. The electrode 1 can be used.
Hereinafter, as an example of the application, an embodiment of an organic EL device using the transparent electrode 1 of the present invention will be described.

≪3.有機EL素子の第1例≫
<有機EL素子の構成>
図2は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極1を用いた有機EL素子の第1例を示す概略断面図である。
以下に、この図に基づいて有機EL素子の構成を説明する。
≪3. First example of organic EL element ≫
<Structure of organic EL element>
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a first example of an organic EL device using the above-mentioned transparent electrode 1 as an example of the electronic device of the present invention.
The configuration of the organic EL element will be described below based on this figure.

図2に示すとおり、有機EL素子100は、透明基板(基板)13上に設けられており、透明基板13側から順に、透明電極1、有機材料等を用いて構成された発光機能層3、及び対向電極5aをこの順に積層して構成されている。この有機EL素子100においては、透明電極1として、先に説明した本発明の透明電極1を用いている。このため有機EL素子100は、発生させた光(以下、発光光hと記す)を、少なくとも透明基板13側から取り出すように構成されている。 As shown in FIG. 2, the organic EL element 100 is provided on the transparent substrate (substrate) 13, and the transparent electrode 1 and the light emitting functional layer 3 formed of an organic material are used in this order from the transparent substrate 13 side. And the counter electrode 5a are laminated in this order. In the organic EL element 100, the transparent electrode 1 of the present invention described above is used as the transparent electrode 1. Therefore, the organic EL element 100 is configured to take out the generated light (hereinafter referred to as emission light h) from at least the transparent substrate 13 side.

また、有機EL素子100の層構造は以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよい。ここでは、透明電極1がアノード(すなわち陽極)として機能し、対向電極5aがカソード(すなわち陰極)として機能することとする。この場合、例えば、発光機能層3は、アノードである透明電極1側から順に正孔注入層3a/正孔輸送層3b/発光層3c/電子輸送層3d/電子注入層3eを積層した構成が例示されるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層3cを有することが必須である。正孔注入層3a及び正孔輸送層3bは、正孔輸送注入層として設けられていてもよい。電子輸送層3d及び電子注入層3eは、電子輸送注入層として設けられていてもよい。また、これらの発光機能層3のうち、例えば、電子注入層3eは無機材料で構成されているものとしてもよい。 Further, the layer structure of the organic EL element 100 is not limited to the examples described below, and may be a general layer structure. Here, the transparent electrode 1 functions as an anode (that is, an anode), and the counter electrode 5a functions as a cathode (that is, a cathode). In this case, for example, the light emitting functional layer 3 has a structure in which the hole injection layer 3a / hole transport layer 3b / light emitting layer 3c / electron transport layer 3d / electron injection layer 3e are laminated in this order from the transparent electrode 1 side which is the anode. Although exemplified, it is essential to have at least a light emitting layer 3c constructed by using an organic material. The hole injection layer 3a and the hole transport layer 3b may be provided as the hole transport injection layer. The electron transport layer 3d and the electron injection layer 3e may be provided as an electron transport injection layer. Further, among these light emitting functional layers 3, for example, the electron injection layer 3e may be made of an inorganic material.

また、発光機能層3は、これらの層の他に正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてもよい。さらに、発光層3cは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の補助層を介して積層させた構造としてもよい。補助層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらにカソードである対向電極5aも、必要に応じた積層構造であってもよい。このような構成においては、透明電極1と対向電極5aとで発光機能層3が挟持された部分のみが、有機EL素子100における発光領域となる。 Further, in the light emitting functional layer 3, in addition to these layers, a hole blocking layer, an electron blocking layer and the like may be laminated at necessary positions as needed. Further, the light emitting layer 3c may have each color light emitting layer that generates light emitted in each wavelength region, and each of these color light emitting layers may be laminated via a non-light emitting auxiliary layer. The auxiliary layer may function as a hole blocking layer and an electron blocking layer. Further, the counter electrode 5a, which is a cathode, may also have a laminated structure, if necessary. In such a configuration, only the portion where the light emitting functional layer 3 is sandwiched between the transparent electrode 1 and the counter electrode 5a is the light emitting region in the organic EL element 100.

また、以上のような層構成においては、透明電極1の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極1の導電性層1bに接して補助電極15が設けられていてもよい。 Further, in the layer structure as described above, the auxiliary electrode 15 may be provided in contact with the conductive layer 1b of the transparent electrode 1 for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode 1.

以上のような構成の有機EL素子100は、有機材料等を用いて構成された発光機能層3の劣化を防止することを目的として、透明基板13上において後述する封止材17で封止されている。この封止材17は、接着剤19を介して透明基板13側に固定されている。ただし、透明電極1及び対向電極5aの端子部分は、透明基板13上において発光機能層3によって互いに絶縁性を保った状態で封止材17から露出させた状態で設けられていることとする。 The organic EL element 100 having the above configuration is sealed on the transparent substrate 13 with a sealing material 17 described later for the purpose of preventing deterioration of the light emitting functional layer 3 constructed by using an organic material or the like. ing. The sealing material 17 is fixed to the transparent substrate 13 side via an adhesive 19. However, it is assumed that the terminal portions of the transparent electrode 1 and the counter electrode 5a are provided on the transparent substrate 13 in a state of being exposed from the sealing material 17 in a state of being insulated from each other by the light emitting functional layer 3.

以下、上述した有機EL素子100を構成するための主要各層の詳細を、透明基板13、透明電極1、対向電極5a、発光機能層3の発光層3c、発光機能層3の他の層、補助電極15、及び封止材17の順に説明する。 Hereinafter, the details of each of the main layers for forming the above-mentioned organic EL element 100 are described in the transparent substrate 13, the transparent electrode 1, the counter electrode 5a, the light emitting layer 3c of the light emitting functional layer 3, the other layer of the light emitting functional layer 3, and the auxiliary. The electrode 15 and the sealing material 17 will be described in this order.

[透明基板]
透明基板13は、先に説明した本発明の透明電極1が設けられる基板11であり、先に説明した基板11のうち光透過性を有する透明な基板11が用いられる。
[Transparent board]
The transparent substrate 13 is a substrate 11 on which the transparent electrode 1 of the present invention described above is provided, and among the substrates 11 described above, the transparent substrate 11 having light transmission is used.

[透明電極(アノード)]
透明電極1は、先に説明した本発明の透明電極1であり、透明基板13側から順に中間層1a及び導電性層1bを順に成膜した構成である。ここでは特に、透明電極1はアノードとして機能するものであり、導電性層1bが実質的なアノードとなる。
[Transparent electrode (anode)]
The transparent electrode 1 is the transparent electrode 1 of the present invention described above, and has a configuration in which an intermediate layer 1a and a conductive layer 1b are formed in order from the transparent substrate 13 side. Here, in particular, the transparent electrode 1 functions as an anode, and the conductive layer 1b becomes a substantial anode.

[対向電極(カソード)]
対向電極5aは、発光機能層3に電子を供給するカソードとして機能する電極膜であり、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属、ITO、ZnO、TiO、SnO等の酸化物半導体等が挙げられる。
[Counter electrode (cathode)]
The counter electrode 5a is an electrode film that functions as a cathode that supplies electrons to the light emitting functional layer 3, and is composed of a metal, an alloy, an organic or inorganic conductive compound, a mixture thereof, or the like. Specifically, aluminum, silver, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, indium, lithium / aluminum mixture, rare earth metals, ITO, ZnO, TiO 2 , Examples thereof include oxide semiconductors such as SnO 2.

対向電極5aは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極5aとしてのシート抵抗値は、数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常5nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲で選ばれる。 The counter electrode 5a can be produced by forming a thin film of these conductive materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance value of the counter electrode 5a is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 5 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm.

なお、この有機EL素子100が、対向電極5a側からも発光光hを取り出すものである場合には、上述した導電性材料のうちから選択される光透過性の良好な導電性材料により対向電極5aが構成されていればよい。 When the organic EL element 100 also extracts the emitted light h from the counter electrode 5a side, the counter electrode is made of a conductive material having good light transmission selected from the above-mentioned conductive materials. It suffices that 5a is configured.

[発光層]
本発明に用いられる発光層3cは、発光材料が含有されているが、中でも発光材料としてリン光発光性化合物(リン光発光材料、リン光発光化合物、リン光性化合物)が含有されていることが好ましい。
[Light emitting layer]
The light emitting layer 3c used in the present invention contains a light emitting material, and among them, a phosphorescent compound (phosphorescent material, phosphorescent compound, phosphorescent compound) is contained as the light emitting material. Is preferable.

この発光層3cは、電極又は電子輸送層3dから注入された電子と、正孔輸送層3bから注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層3cの層内であっても発光層3cと隣接する層との界面であってもよい。 The light emitting layer 3c is a layer in which the electrons injected from the electrode or the electron transport layer 3d and the holes injected from the hole transport layer 3b recombine to emit light, and the light emitting portion is the light emitting layer 3c. It may be in the layer or at the interface between the light emitting layer 3c and the adjacent layer.

このような発光層3cとしては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層3c間には非発光性の補助層(図示せず)を有していることが好ましい。 The configuration of such a light emitting layer 3c is not particularly limited as long as the contained light emitting material satisfies the light emitting requirements. Further, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum and emission maximum wavelength. In this case, it is preferable to have a non-luminescent auxiliary layer (not shown) between the light emitting layers 3c.

発光層3cの層厚の総和は、好ましくは、1〜100nmの範囲であり、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから1〜30nmの範囲である。なお、発光層3cの層厚の総和とは、発光層3c間に非発光性の補助層が存在する場合には、当該補助層も含む層厚である。 The total layer thickness of the light emitting layer 3c is preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably in the range of 1 to 30 nm because a lower driving voltage can be obtained. The total layer thickness of the light emitting layer 3c is the layer thickness including the auxiliary layer when a non-light emitting auxiliary layer is present between the light emitting layers 3c.

複数層を積層した構成の発光層3cの場合、個々の発光層の層厚としては、1〜50nmの範囲に調整することが好ましく、1〜20nmの範囲に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の層厚の関係については、特に制限はない。 In the case of the light emitting layer 3c having a structure in which a plurality of layers are laminated, the layer thickness of each light emitting layer is preferably adjusted in the range of 1 to 50 nm, and more preferably adjusted in the range of 1 to 20 nm. When the plurality of laminated light emitting layers correspond to the respective light emitting colors of blue, green, and red, there is no particular limitation on the relationship between the layer thicknesses of the blue, green, and red light emitting layers.

以上のように構成されている発光層3cは、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により成膜して形成することができる。 The light emitting layer 3c configured as described above is formed by forming a light emitting material or host compound described later by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an inkjet method. Can be formed.

また発光層3cは、複数の発光材料が混合されて構成されていてもよく、またリン光発光性化合物と蛍光性化合物(蛍光発光材料、蛍光ドーパント)とが混合されて構成されていてもよい。 Further, the light emitting layer 3c may be formed by mixing a plurality of light emitting materials, or may be formed by mixing a phosphorescent compound and a fluorescent compound (fluorescent light emitting material, fluorescent dopant). ..

発光層3cの構成として、ホスト化合物(発光ホスト)、発光材料(発光ドーパント化合物)を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。 It is preferable that the light emitting layer 3c contains a host compound (light emitting host) and a light emitting material (light emitting dopant compound) and emits light from the light emitting material.

(ホスト化合物)
発光層3cに含有されるホスト化合物としては、室温(25℃)におけるリン光発光のリン光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層3cに含有される化合物の中で、その層中での体積比が50%以上であることが好ましい。
(Host compound)
As the host compound contained in the light emitting layer 3c, a compound having a phosphorescent quantum yield of phosphorescent emission at room temperature (25 ° C.) of less than 0.1 is preferable. More preferably, the phosphorus photon yield is less than 0.01. Further, among the compounds contained in the light emitting layer 3c, the volume ratio in the layer is preferably 50% or more.

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。 As the host compound, a known host compound may be used alone, or a plurality of kinds may be used. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of electric charges, and it is possible to improve the efficiency of the organic EL device. Further, by using a plurality of types of light emitting materials described later, it is possible to mix different light emitting materials, whereby an arbitrary light emitting color can be obtained.

用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもよい。 The host compound used may be a conventionally known low molecular weight compound, a high molecular weight compound having a repeating unit, or a low molecular weight compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (vapor deposition polymerizable light emitting host). ..

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Tg(ガラス転移温度)の化合物が好ましい。
ここでいうガラス転移温度とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS K 7121−1987に準拠した方法により求められる値である。
As the known host compound, a compound having a hole transporting ability and an electron transporting ability, which prevents the wavelength of light emission from being lengthened and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
The glass transition temperature referred to here is a value obtained by a method based on JIS K 7121-1987 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).

以下に、本発明で用いることのできるホスト化合物の具体例(H1〜H79)を示すが、これらに限定されない。なお、ホスト化合物H68におけるx及びy、ホスト化合物H69におけるp,q及びrはランダム共重合体の比率を表す。その比率は、例えば、x:y=1:10等とすることができる。 Specific examples (H1 to H79) of the host compound that can be used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto. In addition, x and y in the host compound H68 and p, q and r in the host compound H69 represent the ratio of the random copolymer. The ratio can be, for example, x: y = 1:10 or the like.

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公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等が挙げられる。 As a specific example of the known host compound, the compounds described in the following documents can also be used. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357977, 2002-334786, 2002-8860. Publication No. 2002-334787, No. 2002-15871, No. 2002-334788, No. 2002-43056, No. 2002-334789, No. 2002-75645, No. 2002-338579. 2002-105445, 2002-343568, 2002-141173, 2002-352957, 2002-203683, 2002-363227, 2002-231453, 2003-3165, 2002-234888, 2003-27048, 2002-255934, 2002-260861, 2002-280183, 2002-299060, 2002. Examples thereof include Publication No. 2002-302516, Publication No. 2002-305083, Publication No. 2002-305084, and Publication No. 2002-308837.

(発光材料)
(1)リン光発光性化合物
本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光性化合物が挙げられる。
(Luminescent material)
(1) Phosphorescent compound Examples of the light emitting material that can be used in the present invention include a phosphorescent compound.

リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。 The phosphorescent compound is a compound in which light emission from the excited triplet is observed, specifically, a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and the phosphorescence quantum yield is 0 at 25 ° C. It is defined as a compound of 0.01 or more, but a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.

上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。 The phosphorus photon yield can be measured by the method described on page 398 (1992 edition, Maruzen) of Spectroscopy II of the 4th edition Experimental Chemistry Course 7. The phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, but when the phosphorescence luminescent compound is used in the present invention, the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) is determined in any of the solvents. It should be achieved.

リン光発光性化合物の発光の原理としては2種挙げられる。
一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光性化合物に移動させることでリン光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型である。
もう一つは、リン光発光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。
There are two types of luminescence principles of phosphorescent compounds.
One is that carrier recombination occurs on the host compound to which the carrier is transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent compound to emit light from the phosphorescent compound. It is an energy transfer type that obtains.
The other is a carrier trap type in which a phosphorescent compound serves as a carrier trap, carriers are recombined on the phosphorescent compound, and light emission from the phosphorescent compound is obtained. In either case, the excited state energy of the phosphorescent compound must be lower than the excited state energy of the host compound.

リン光発光性化合物は、一般的な有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム錯体、オスミウム錯体、又は白金錯体、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム錯体である。 The phosphorescent compound can be appropriately selected from known compounds used for the light emitting layer of a general organic EL element, and preferably contains a metal of Group 8 to 10 in the periodic table of the element. It is a complex-based compound, more preferably an iridium complex, an osmium complex, a platinum complex, or a rare earth complex, and the most preferable is an iridium complex.

本発明においては、少なくとも一つの発光層3cに2種以上のリン光発光性化合物が含有されていてもよく、発光層3cにおけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層3cの厚さ方向で変化していてもよい。 In the present invention, at least one light emitting layer 3c may contain two or more kinds of phosphorescent compounds, and the concentration ratio of the phosphorescent compounds in the light emitting layer 3c is in the thickness direction of the light emitting layer 3c. It may be changing.

リン光発光性化合物は好ましくは発光層3cの総量に対し0.1体積%以上30体積%未満である。 The phosphorescent compound is preferably 0.1% by volume or more and less than 30% by volume with respect to the total amount of the light emitting layer 3c.

(1.1)一般式(A)で表される化合物
発光層3cに含まれる化合物(リン光発光性化合物)は、下記一般式(A)で表される化合物であることが好ましい。
(1.1) Compound represented by the general formula (A) The compound (phosphorescent compound) contained in the light emitting layer 3c is preferably a compound represented by the following general formula (A).

なお、一般式(A)で表されるリン光発光性化合物(リン光発光性の金属錯体ともいう)は、有機EL素子100の発光層3cに発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層3c以外の発光機能層に含有されていてもよい。 The phosphorescent compound represented by the general formula (A) (also referred to as a phosphorescent metal complex) is preferably contained as a light emitting dopant in the light emitting layer 3c of the organic EL element 100. However, it may be contained in a light emitting functional layer other than the light emitting layer 3c.

Figure 0006028668
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一般式(A)中、P及びQは、各々炭素原子又は窒素原子を表し、Aは、P−Cとともに芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を形成する原子群を表す。Aは、Q−Nとともに芳香族複素環を形成する原子群を表す。P−L−Pは、2座の配位子を表し、P、Pは各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Lは、P、Pとともに2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2又は3である。Mは、元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表す。 In the general formula (A), P and Q represent carbon atoms or nitrogen atoms, respectively, and A 1 represents a group of atoms forming an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle together with PCC. A 2 represents a group of atoms forming an aromatic heterocycle with Q-N. P 1- L 1- P 2 represents a bidentate ligand, and P 1 and P 2 independently represent a carbon atom, a nitrogen atom or an oxygen atom, respectively. L 1 represents a group of atoms forming a bidentate ligand together with P 1 and P 2. j1 represents an integer of 1 to 3 and j2 represents an integer of 0 to 2, while j1 + j2 is 2 or 3. M 1 represents a transition metal element of Group 8 to Group 10 in the Periodic Table of the Elements.

一般式(A)において、AがP−Cとともに形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
これらの環は、さらに、一般式(1)においてRで表される置換基を有していてもよい。
In the general formula (A), the aromatic hydrocarbon rings formed by A 1 together with PC include a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, a chrysen ring, and a naphthalene ring. , Triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphene ring, coronen ring, fluorene ring, fluorantrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphene ring, pyrene ring , Pyrene ring, pyrenethrene ring, anthranetrene ring and the like.
These rings may further have a substituent represented by R 1 in the general formula (1).

一般式(A)において、Aが、P−Cとともに形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。
ここで、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が一つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。
これらの環は、さらに、一般式(1)においてRで表される置換基を有していてもよい。
In formula (A), A 1 is the aromatic heterocyclic ring formed together with the P-C, a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring , Benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring, aza Examples include a carbazole ring.
Here, the azacarbazole ring refers to one in which one or more carbon atoms of the benzene ring constituting the carbazole ring are replaced with nitrogen atoms.
These rings may further have a substituent represented by R 1 in the general formula (1).

一般式(A)において、Aが、Q−Nとともに形成する芳香族複素環としては、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
これらの環は、さらに、一般式(1)においてRで表される置換基を有していてもよい。
In the general formula (A) , examples of the aromatic heterocycle formed by A 2 together with Q-N include an oxadiazole ring, an oxadiazole ring, an oxatriazole ring, an isooxazole ring, a tetrazole ring, a thiatriazole ring, and a thiatriazole ring. Examples thereof include an isothiazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, and a triazole ring.
These rings may further have a substituent represented by R 1 in the general formula (1).

−L−Pで表される2座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。 Examples of the bidentate ligand represented by P 1- L 1- P 2 include phenylpyridine, phenylpyrazole, phenylimidazole, phenyltriazole, phenyltetrazole, pyrazabol, acetylacetone, picolinic acid and the like.

一般式(A)において、j2は0〜2の整数を表すが、中でも、j2は0である場合が好ましい。 In the general formula (A), j2 represents an integer of 0 to 2, and among them, j2 is preferably 0.

一般式(A)において、Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)が用いられるが、中でも、イリジウムが好ましい。 In the general formula (A), M 1 uses a transition metal element of Group 8 to 10 in the Periodic Table of the Elements (also simply referred to as a transition metal), and among them, iridium is preferable.

(1.2)一般式(B)で表される化合物
上記一般式(A)で表される化合物は、下記一般式(B)で表される化合物であることが好ましい。
(1.2) Compound represented by the general formula (B) The compound represented by the general formula (A) is preferably a compound represented by the following general formula (B).

Figure 0006028668
Figure 0006028668

一般式(B)中、Zは、炭化水素環基又は複素環基を表す。P、Qは、各々炭素原子又は窒素原子を表し、Aは、P−Cとともに芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を形成する原子群を表す。Aは、−C(R01)=C(R02)−、−N=C(R02)−、−C(R01)=N−又は−N=N−を表し、R01、R02は、各々水素原子又は置換基を表す。P−L−Pは2座の配位子を表し、P、Pは各々独立に炭素原子、窒素原子、又は酸素原子を表す。Lは、P、Pとともに2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2又は3である。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表す。 In the general formula (B), Z represents a hydrocarbon ring group or a heterocyclic group. P and Q represent carbon atoms or nitrogen atoms, respectively, and A 1 represents a group of atoms forming an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle together with PCC. A 3 represents -C (R 01 ) = C (R 02 )-, -N = C (R 02 )-, -C (R 01 ) = N- or -N = N-, and R 01 , R 02 represents a hydrogen atom or a substituent, respectively. P 1- L 1- P 2 represents a bidentate ligand, and P 1 and P 2 independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L 1 represents a group of atoms forming a bidentate ligand together with P 1 and P 2. j1 represents an integer of 1 to 3 and j2 represents an integer of 0 to 2, while j1 + j2 is 2 or 3. M 1 represents a transition metal element of Group 8 to Group 10 in the Periodic Table of the Elements.

一般式(B)において、Zで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)においてRで表される置換基を有していてもよい。
In the general formula (B), examples of the hydrocarbon ring group represented by Z include a non-aromatic hydrocarbon ring group and an aromatic hydrocarbon ring group, and examples of the non-aromatic hydrocarbon ring group include a cyclopropyl group. , Cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like.
These groups may be unsubstituted, or may have a substituent represented by R 1 in the general formula (1).

また、芳香族炭化水素環基(芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう)としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)においてRで表される置換基を有していてもよい。
Examples of the aromatic hydrocarbon ring group (also referred to as an aromatic hydrocarbon group, an aryl group, etc.) include a phenyl group, a p-chlorophenyl group, a mesityl group, a trill group, a xsilyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and azulenyl group. Examples thereof include a group, an acenaphthenyl group, a fluorenyl group, a phenanthryl group, an indenyl group, a pyrenyl group, a biphenylyl group and the like.
These groups may be unsubstituted, or may have a substituent represented by R 1 in the general formula (1).

一般式(B)において、Zで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、1,3−ジオキサン環、1,4−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−1,1−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ[2,2,2]−オクタン環等から導出される基を挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)においてRで表される置換基を有していてもよい。
In the general formula (B), examples of the heterocyclic group represented by Z include a non-aromatic heterocyclic group, an aromatic heterocyclic group and the like, and examples of the non-aromatic heterocyclic group include an epoxy ring and aziridine. Ring, thiirane ring, oxetane ring, azetidine ring, thietan ring, tetrahydrofuran ring, dioxolan ring, pyrrolidine ring, pyrazolidine ring, imidazolidine ring, oxazolidine ring, tetrahydrothiophene ring, sulfolan ring, thiazolidine ring, ε-caprolactone ring, ε- Caprolactam ring, piperidine ring, hexahydropyridazine ring, hexahydropyrimidine ring, piperazine ring, morpholine ring, tetrahydropyran ring, 1,3-dioxane ring, 1,4-dioxane ring, trioxane ring, tetrahydrothiopyran ring, thiomorpholin Examples thereof include groups derived from a ring, a thiomorpholine-1,1-dioxide ring, a pyranose ring, a diazabicyclo [2,2,2] -octane ring and the like.
These groups may be unsubstituted, or may have a substituent represented by R 1 in the general formula (1).

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)においてRで表される置換基を有していてもよい。
Examples of the aromatic heterocyclic group include pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group and triazolyl group (for example, 1,2,4-triazole-1-yl). Group, 1,2,3-triazole-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isooxazolyl group, isothiazolyl group, frazayl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group. , Benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (indicating one of the carbon atoms constituting the carbolin ring of the carbolinyl group replaced with a nitrogen atom), quinoxalinyl. Examples thereof include a group, a pyridadinyl group, a triazineyl group, a quinazolinyl group, a phthalazinyl group and the like.
These groups may be unsubstituted, or may have a substituent represented by R 1 in the general formula (1).

Zで表される基は、好ましくは芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基である。 The group represented by Z is preferably an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.

一般式(B)において、Aが、P−Cとともに形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)においてRで表される置換基を有していてもよい。
In the general formula (B), the aromatic hydrocarbon rings formed by A 1 together with PC include a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, a chrysen ring, and a naphthacene ring. Ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphene ring, coronen ring, fluorene ring, fluorantrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphene ring, pyrene ring. Examples include a ring, a pyrene ring, a pyrenethrene ring, an anthranetrene ring and the like.
These groups may be unsubstituted, or may have a substituent represented by R 1 in the general formula (1).

一般式(B)において、AがP−Cとともに形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、アザカルバゾール環等が挙げられる。
ここで、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が一つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。
これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)においてRで表される置換基を有していてもよい。
In Formula (B), the aromatic heterocyclic ring A 1 forms together with the P-C, a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, Benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring, carbazole ring. , Azacarbazole ring and the like.
Here, the azacarbazole ring refers to one in which one or more carbon atoms of the benzene ring constituting the carbazole ring are replaced with nitrogen atoms.
These groups may be unsubstituted, or may have a substituent represented by R 1 in the general formula (1).

一般式(B)のAで表される、−C(R01)=C(R02)−、−N=C(R02)−、−C(R01)=N−において、R01,R02で各々表される置換基は、一般式(1)においてRで表される置換基と同義である。 In -C (R 01 ) = C (R 02 )-, -N = C (R 02 )-, and -C (R 01 ) = N-, which are represented by A 3 of the general formula (B) , R 01 , R 02 are synonymous with the substituents represented by R 1 in the general formula (1).

一般式(B)において、P−L−Pで表される2座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。 In the general formula (B) , examples of the bidentate ligand represented by P 1- L 1- P 2 include phenylpyridine, phenylpyrazole, phenylimidazole, phenyltriazole, phenyltetrazole, pyrazabol, acetylacetone, picolinic acid and the like. Can be mentioned.

一般式(B)において、j2は0〜2の整数を表すが、中でも、j2は0である場合が好ましい。 In the general formula (B), j2 represents an integer of 0 to 2, and among them, j2 is preferably 0.

一般式(B)において、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)は、一般式(A)において、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素と同義である。 In the general formula (B), (also referred to simply as a transition metal) group 8-10 transition metal elements in the periodic table represented by M 1, the periodic In the formula (A), represented by M 1 It is synonymous with the transition metal elements of groups 8 to 10 in the table.

(1.3)一般式(C)で表される化合物
上記一般式(B)で表される化合物は、下記一般式(C)で表される化合物が好ましい。
(1.3) Compound represented by the general formula (C) The compound represented by the general formula (B) is preferably a compound represented by the following general formula (C).

Figure 0006028668
Figure 0006028668

一般式(C)中、R03は置換基を表し、R04は水素原子又は置換基を表し、複数のR04は互いに結合して環を形成してもよい。n01は1〜4の整数を表す。R05は水素原子又は置換基を表し、複数のR05は互いに結合して環を形成してもよい。n02は1又は2を表す。R06は水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。n03は1〜4の整数を表す。ZはC−Cとともに六員の芳香族炭化水素環若しくは、五員又は六員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Zは炭化水素環基又は複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。P−L−Pは2座の配位子を表し、P、Pは各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。LはP、Pとともに2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2又は3である。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表す。R03とR06、R04とR06及びR05とR06は互いに結合して環を形成していてもよい。 In the general formula (C), R 03 represents a substituent, R 04 represents a hydrogen atom or a substituent, and a plurality of R 04 may be bonded to each other to form a ring. n01 represents an integer of 1 to 4. R 05 represents a hydrogen atom or a substituent, and a plurality of R 05 may be bonded to each other to form a ring. n02 represents 1 or 2. R 06 represents a hydrogen atom or a substituent and may be bonded to each other to form a ring. n03 represents an integer of 1 to 4. Z 1 represents a group of atoms required to form a six-membered aromatic hydrocarbon ring or a five- or six-membered aromatic heterocycle together with CC. Z 2 represents a group of atoms required to form a hydrocarbon ring group or a heterocyclic group. P 1- L 1- P 2 represents a bidentate ligand, and P 1 and P 2 independently represent a carbon atom, a nitrogen atom or an oxygen atom, respectively. L 1 represents a group of atoms forming a bidentate ligand together with P 1 and P 2. j1 represents an integer of 1 to 3 and j2 represents an integer of 0 to 2, while j1 + j2 is 2 or 3. M 1 represents a transition metal element of Group 8 to Group 10 in the Periodic Table of the Elements. R 03 and R 06 , R 04 and R 06, and R 05 and R 06 may be coupled to each other to form a ring.

一般式(C)において、R03、R04、R05、R06で各々表される置換基は、一般式(1)においてRで表される置換基と同義である。 In the general formula (C), the substituents represented by R 03 , R 04 , R 05 , and R 06 are synonymous with the substituents represented by R 1 in the general formula (1).

一般式(C)において、ZがC−Cとともに形成する六員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環等が挙げられる。
これらの環は、さらに、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、一般式(1)においてRで表される置換基と同様のものが挙げられる。
In the general formula (C), examples of the six-membered aromatic hydrocarbon ring formed by Z 1 together with CC include a benzene ring and the like.
These rings may further have a substituent, and examples of the substituent include those in the general formula (1) similar to the substituents represented by R 1 can be mentioned.

一般式(C)において、ZがC−Cとともに形成する五員又は六員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
これらの環は、さらに、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、一般式(1)においてRで表される置換基と同様のものが挙げられる。
In the general formula (C) , examples of the five- or six-membered aromatic heterocycle formed by Z 1 together with CC include an oxadiazole ring, an oxadiazole ring, an oxatriazole ring, an isooxazole ring, and a tetrazole ring. Examples thereof include a thiazizole ring, a thitriazole ring, an isothiazole ring, a thiophene ring, a furan ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, an imidazole ring, a pyrazole ring and a triazole ring.
These rings may further have a substituent, and examples of the substituent include those in the general formula (1) similar to the substituents represented by R 1 can be mentioned.

一般式(C)において、Zで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよいし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、一般式(1)においてRで表される置換基と同様のものが挙げられる。
In the general formula (C), examples of the hydrocarbon ring group represented by Z 2 include a non-aromatic hydrocarbon ring group and an aromatic hydrocarbon ring group, and examples of the non-aromatic hydrocarbon ring group include cyclopropyl. Groups, cyclopentyl groups, cyclohexyl groups and the like can be mentioned.
These groups may be unsubstituted, may have a substituent, and examples of the substituent include those similar to the substituents represented by R 1 in the general formula (1) ..

また、芳香族炭化水素環基(芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう)としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよいし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、一般式(1)においてRで表される置換基と同様のものが挙げられる。
Examples of the aromatic hydrocarbon ring group (also referred to as an aromatic hydrocarbon group, an aryl group, etc.) include a phenyl group, a p-chlorophenyl group, a mesityl group, a trill group, a xsilyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and azulenyl group. Examples thereof include a group, an acenaphthenyl group, a fluorenyl group, a phenanthryl group, an indenyl group, a pyrenyl group, a biphenylyl group and the like.
These groups may be unsubstituted, may have a substituent, and examples of the substituent include those similar to the substituents represented by R 1 in the general formula (1) ..

一般式(C)において、Zで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、1,3−ジオキサン環、1,4−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−1,1−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ[2,2,2]−オクタン環等から導出される基を挙げることができる。
これらの基は無置換でもよいし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、一般式(1)においてRで表される置換基と同様のものが挙げられる。
In the general formula (C), examples of the heterocyclic group represented by Z 2 include a non-aromatic heterocyclic group, an aromatic heterocyclic group, and the like, and examples of the non-aromatic heterocyclic group include an epoxy ring. Aziridine ring, thiirane ring, oxetane ring, azetidine ring, thietan ring, tetrahydrofuran ring, dioxolan ring, pyrrolidine ring, pyrazolidine ring, imidazolidine ring, oxazolidine ring, tetrahydrothiophene ring, sulfolan ring, thiazolidine ring, ε-caprolactone ring, ε -Caprolactam ring, piperidine ring, hexahydropyridazine ring, hexahydropyrimidine ring, piperazine ring, morpholine ring, tetrahydropyran ring, 1,3-dioxane ring, 1,4-dioxane ring, trioxane ring, tetrahydrothiopyran ring, thio Groups derived from morpholine rings, thiomorpholin-1,1-dioxide rings, pyranose rings, diazabicyclo [2,2,2] -octane rings and the like can be mentioned.
It may be these groups are unsubstituted, may have a substituent, and examples of the substituent include those in the general formula (1) similar to the substituents represented by R 1 can be mentioned.

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。
これらの環は無置換でもよいし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、一般式(1)においてRで表される置換基と同様のものが挙げられる。
Examples of the aromatic heterocyclic group include pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group and triazolyl group (for example, 1,2,4-triazole-1-yl). Group, 1,2,3-triazole-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isooxazolyl group, isothiazolyl group, frazayl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group. , Benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (indicating one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group replaced with a nitrogen atom), quinoxalinyl group , Pyridadinyl group, triazinyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group and the like.
May be the these rings unsubstituted, it may have a substituent, and examples of the substituent include those in the general formula (1) similar to the substituents represented by R 1 can be mentioned.

一般式(C)において、Z及びZで形成される基としては、ベンゼン環が好ましい。 In the general formula (C), a benzene ring is preferable as the group formed by Z 1 and Z 2.

一般式(C)において、P−L−Pで表される2座の配位子は、一般式(A)において、P−L−Pで表される2座の配位子と同義である。 In formula (C), bidentate ligand represented by P 1 -L 1 -P 2 is In formula (A), coordination of bidentate represented by P 1 -L 1 -P 2 It is synonymous with rank child.

一般式(C)において、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素は、一般式(A)において、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素と同義である。 In formula (C), 8 Group 10 transition metal elements of the periodic table represented by M 1 are the compounds of formula (A), 8 Group 10 Group in the periodic table represented by M 1 It is synonymous with the transition metal element of.

また、リン光発光性化合物は、有機EL素子100の発光層3cに使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。 Further, the phosphorescent compound can be appropriately selected and used from known compounds used for the light emitting layer 3c of the organic EL element 100.

本発明に係るリン光発光性化合物の具体例(Pt−1〜Pt−3、A−1、Ir−1〜Ir−45)を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。なお、これらの化合物において、m及びnは繰り返し数を表す。 Specific examples of the phosphorescent compound according to the present invention (Pt-1 to Pt-3, A-1, Ir-1 to Ir-45) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In these compounds, m and n represent the number of repetitions.

Figure 0006028668
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Figure 0006028668
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上記のリン光発光性化合物(リン光発光性金属錯体等ともいう)は、例えば、Organic Letter誌、vol3、No.16、2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻、695〜709頁(2004年)、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。 The above-mentioned phosphorescent compounds (also referred to as phosphorescent metal complexes and the like) are described, for example, in Organic Letters, vol3, No. 16, 2579-2581 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 30, No. 8, pp. 1685-1687 (1991), J. Mol. Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), Inorganic Chemistry, 40, 7, 1704-1711 (2001), Inorganic Chemistry, 41, 12, 3055-3066 (2002). , New Journal of Chemistry. , Vol. 26, p. 1171 (2002), European Journal of Organic Chemistry, Vol. 4, p. 695-709 (2004), and synthesized by applying the methods such as references described in these documents. it can.

(2)蛍光性化合物
蛍光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
(2) Fluorescent compounds Examples of fluorescent compounds include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, and pyrylium dyes. Examples thereof include perylene-based dyes, fluorescein-based dyes, polythiophene-based dyes, and rare earth complex-based phosphors.

[注入層:正孔注入層、電子注入層]
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層3cの間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層3aと電子注入層3eとがある。
[Injection layer: hole injection layer, electron injection layer]
The injection layer is a layer provided between the electrode and the light emitting layer 3c in order to reduce the driving voltage and improve the light emitting brightness. It is described in detail in Volume 2, Chapter 2, "Electrode Materials" (pages 123 to 166) of "S Co., Ltd.", and includes a hole injection layer 3a and an electron injection layer 3e.

注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層3aであれば、アノードと発光層3c又は正孔輸送層3bとの間、電子注入層3eであればカソードと発光層3c又は電子輸送層3dとの間に存在させてもよい。 The injection layer can be provided as needed. In the case of the hole injection layer 3a, it may be present between the anode and the light emitting layer 3c or the hole transport layer 3b, and in the case of the electron injection layer 3e, it may be present between the cathode and the light emitting layer 3c or the electron transport layer 3d. ..

正孔注入層3aは、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。 The details of the hole injection layer 3a are also described in JP-A-9-45479, 9-2660062, 8-288609, etc., and as a specific example, phthalocyanine typified by copper phthalocyanine. Examples thereof include a layer, an oxide layer typified by vanadium oxide, an amorphous carbon layer, and a polymer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

電子注入層3eは、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。電子注入層3eはごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその層厚は1nm〜10μmの範囲が好ましい。 The details of the electron injection layer 3e are also described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, etc., and specifically, typified by strontium, aluminum, and the like. Examples thereof include a metal layer, an alkali metal halide layer typified by potassium fluoride, an alkaline earth metal compound layer typified by magnesium fluoride, and an oxide layer typified by molybdenum oxide. The electron injection layer 3e is preferably a very thin film, and the layer thickness is preferably in the range of 1 nm to 10 μm, although it depends on the material.

[正孔輸送層]
正孔輸送層3bは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層3a、電子阻止層も正孔輸送層3bに含まれる。正孔輸送層3bは単層又は複数層設けることができる。
[Hole transport layer]
The hole transport layer 3b is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, the hole injection layer 3a and the electron blocking layer are also included in the hole transport layer 3b. The hole transport layer 3b may be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。 The hole transporting material has either injection or transport of holes or an electron barrier property, and may be either an organic substance or an inorganic substance. For example, triazole derivatives, oxaziazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stillben derivatives, silazane derivatives, aniline-based copolymers, and conductive polymer oligomers, especially thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。 As the hole transporting material, the above-mentioned ones can be used, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第5061569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが三つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。 Typical examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds are N, N, N', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'-. Bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-Di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N' -Di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadri Phenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4'-[4- (di-p-tolylamino) styryl] Stilben; 4-N, N-diphenyl Amino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostillbenzene; N-phenylcarbazole, as well as the two condensed fragrances described in US Pat. No. 5,061569. Those having a group ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), triphenyl described in JP-A-4-308688. Examples thereof include 4,4', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA) in which an amine unit is linked in a three-star burst type.

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。 Further, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. Inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as hole injection materials and hole transport materials.

また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.,Applied Physics Letters,80(2002),p.139に記載されているような、いわゆるp型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。 In addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-251067, J. Am. Hung et. al. , Applied Physics Letters, 80 (2002), p. So-called p-type hole transporting materials, such as those described in 139, can also be used. In the present invention, it is preferable to use these materials because a light emitting device with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層3bは、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層3bの層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。この正孔輸送層3bは、上記材料の1種又は2種以上からなる1層構造であってもよい。 The hole transport layer 3b is formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an inkjet method, or an LB method. be able to. The thickness of the hole transport layer 3b is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm. The hole transport layer 3b may have a one-layer structure composed of one or more of the above materials.

また、正孔輸送層3bの材料に不純物をドープしてp性を高くすることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。 Further, the material of the hole transport layer 3b can be doped with impurities to increase the p property. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J. Am. Apple. Phys. , 95, 5773 (2004) and the like.

このように、正孔輸送層3bのp性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。 As described above, it is preferable to increase the p property of the hole transport layer 3b because an element having lower power consumption can be manufactured.

[電子輸送層]
電子輸送層3dは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層3e、正孔阻止層も電子輸送層3dに含まれる。電子輸送層3dは単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。
[Electron transport layer]
The electron transport layer 3d is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer 3e and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer 3d. The electron transport layer 3d can be provided as a single-layer structure or a multi-layer laminated structure.

単層構造の電子輸送層3d、及び積層構造の電子輸送層3dにおいて発光層3cに隣接する層部分を構成する電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、カソードより注入された電子を発光層3cに伝達する機能を有していればよい。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層3dの材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 As the electron transporting material (also serving as the hole blocking material) constituting the layer portion adjacent to the light emitting layer 3c in the electron transporting layer 3d having a single layer structure and the electron transporting layer 3d having a laminated structure, electrons injected from the cathode are used. It suffices to have a function of transmitting to the light emitting layer 3c. As such a material, any of conventionally known compounds can be selected and used. Examples thereof include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, freolenidene methane derivatives, anthracinodimethanes, anthrone derivatives and oxadiazole derivatives. Further, among the above oxadiazole derivatives, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is replaced with a sulfur atom, and a quinoxalin derivative having a quinoxalin ring known as an electron-withdrawing group are also used as materials for the electron transport layer 3d. Can be done. Further, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送層3dの材料として用いることができる。 Also, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol). Aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg. , Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the material for the electron transport layer 3d.

その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層3dの材料として好ましく用いることができる。また、発光層3cの材料としても用いられるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層3dの材料として用いることができるし、正孔注入層3a、正孔輸送層3bと同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送層3dの材料として用いることができる。 In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those whose terminals are substituted with an alkyl group, a sulfonic acid group, or the like can also be preferably used as a material for the electron transport layer 3d. In addition, a distyrylpyrazine derivative that is also used as a material for the light emitting layer 3c can also be used as a material for the electron transport layer 3d, and is n-type-Si or n-type like the hole injection layer 3a and the hole transport layer 3b. -Inorganic semiconductors such as SiC can also be used as the material for the electron transport layer 3d.

電子輸送層3dは、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層3dの層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmの範囲である。電子輸送層3dは上記材料の1種又は2種以上からなる1層構造であってもよい。 The electron transport layer 3d can be formed by thinning the material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an inkjet method, or an LB method. The layer thickness of the electron transport layer 3d is not particularly limited, but is usually in the range of about 5 nm to 5 μm, preferably in the range of 5 to 200 nm. The electron transport layer 3d may have a one-layer structure composed of one or more of the above materials.

また、電子輸送層3dに不純物をドープし、n性を高くすることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。さらに電子輸送層3dには、カリウムやカリウム化合物等を含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層3dのn性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。 Further, the electron transport layer 3d can be doped with impurities to increase the n property. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J. Am. Apple. Phys. , 95, 5773 (2004) and the like. Further, it is preferable that the electron transport layer 3d contains potassium, a potassium compound, or the like. As the potassium compound, for example, potassium fluoride or the like can be used. By increasing the n property of the electron transport layer 3d in this way, it is possible to manufacture an element having lower power consumption.

また電子輸送層3dの材料(電子輸送性化合物)として、上述した中間層1aを構成する材料と同様のものを用いてもよい。これは、電子注入層3eを兼ねた電子輸送層3dであっても同様であり、上述した中間層1aを構成する材料と同様のものを用いてもよい。 Further, as the material (electron transporting compound) of the electron transporting layer 3d, the same material as the material constituting the intermediate layer 1a described above may be used. This also applies to the electron transport layer 3d that also serves as the electron injection layer 3e, and the same material as that constituting the intermediate layer 1a described above may be used.

[阻止層:正孔阻止層、電子阻止層]
阻止層は、上記した発光機能層3の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
[Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer]
The blocking layer is provided as needed in addition to the basic constituent layer of the light emitting functional layer 3 described above. For example, it is described in JP-A-11-204258, No. 11-204359, and page 237 of "Organic EL Element and Its Industrialization Frontline (November 30, 1998, published by NTS Co., Ltd.)". There is a hole blocking (hole block) layer.

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層3dの機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記の電子輸送層3dの構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層3cに隣接して設けられていることが好ましい。 The hole blocking layer has a function of the electron transport layer 3d in a broad sense. The hole blocking layer is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons and a significantly small ability to transport holes, and recombines electrons and holes by blocking holes while transporting electrons. The probability can be improved. Further, the configuration of the electron transport layer 3d described above can be used as a hole blocking layer, if necessary. The hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer 3c.

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層3bの機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記の正孔輸送層3bの構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。正孔阻止層の層厚としては、好ましくは3〜100nmの範囲であり、さらに好ましくは5〜30nmの範囲である。 On the other hand, the electron blocking layer has a function of the hole transport layer 3b in a broad sense. The electron blocking layer is made of a material that has a function of transporting holes and a significantly small ability to transport electrons, and improves the probability of recombination of electrons and holes by blocking electrons while transporting holes. be able to. Further, the structure of the hole transport layer 3b described above can be used as an electron blocking layer as needed. The thickness of the hole blocking layer is preferably in the range of 3 to 100 nm, and more preferably in the range of 5 to 30 nm.

[補助電極]
補助電極15は、透明電極1の抵抗を下げる目的で設けられるものであって、透明電極1の導電性層1bに接して設けられる。補助電極15を形成する材料としては、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面13aからの発光光hの取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極15の作製方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法等が挙げられる。補助電極15の線幅は、光を取り出す開口率の観点から50μm以下であることが好ましく、補助電極15の厚さは、導電性の観点から1μm以上であることが好ましい。
[Auxiliary electrode]
The auxiliary electrode 15 is provided for the purpose of lowering the resistance of the transparent electrode 1, and is provided in contact with the conductive layer 1b of the transparent electrode 1. As the material for forming the auxiliary electrode 15, a metal having a low resistance such as gold, platinum, silver, copper, and aluminum is preferable. Since these metals have low light transmission, a pattern is formed within a range not affected by the extraction of the emitted light h from the light extraction surface 13a. Examples of the method for producing such an auxiliary electrode 15 include a vapor deposition method, a sputtering method, a printing method, an inkjet method, an aerosol jet method, and the like. The line width of the auxiliary electrode 15 is preferably 50 μm or less from the viewpoint of the aperture ratio for extracting light, and the thickness of the auxiliary electrode 15 is preferably 1 μm or more from the viewpoint of conductivity.

[封止材]
封止材17は、有機EL素子100を覆うものであって、板状(フィルム状)の封止部材であって接着剤19によって透明基板13側に固定されるものであってもよく、封止膜であってもよい。このような封止材17は、有機EL素子100における透明電極1及び対向電極5aの端子部分を露出させる状態で、少なくとも発光機能層3を覆う状態で設けられている。また封止材17に電極を設け、有機EL素子100の透明電極1及び対向電極5aの端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。
[Encapsulant]
The sealing material 17 covers the organic EL element 100, and may be a plate-shaped (film-shaped) sealing member that is fixed to the transparent substrate 13 side by the adhesive 19, and is sealed. It may be a still film. Such a sealing material 17 is provided so as to cover at least the light emitting functional layer 3 in a state where the terminal portions of the transparent electrode 1 and the counter electrode 5a in the organic EL element 100 are exposed. Further, an electrode may be provided on the sealing material 17 so that the terminal portion of the transparent electrode 1 and the counter electrode 5a of the organic EL element 100 and this electrode are made conductive.

板状(フィルム状)の封止材17としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板、金属基板等が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる1種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。 Specific examples of the plate-shaped (film-shaped) encapsulant 17 include a glass substrate, a polymer substrate, a metal substrate, and the like, and these substrate materials may be used in the form of a thinner film. Examples of the glass substrate include soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer substrate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone and the like. Examples of the metal substrate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium and tantalum.

中でも、素子を薄膜化できるということから、封止材としてポリマー基板や金属基板を薄型のフィルム状にしたものを好ましく使用することができる。 Above all, since the element can be thinned, a polymer substrate or a metal substrate in the form of a thin film can be preferably used as the sealing material.

さらには、フィルム状としたポリマー基板は、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/m・24h・atm以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/m・24h以下のものであることが好ましい。 Furthermore, the polymer substrate having a film shape, the oxygen permeability was measured by the method based on JIS K 7126-1987 is 1 × 10 -3 ml / m 2 · 24h · atm or less, conforming to JIS K 7129-1992 was measured by the method, the water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably one of the following 1 × 10 -3 g / m 2 · 24h.

また以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材17として用いてもよい。この場合、上述した基板材料に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。 Further, the substrate material as described above may be processed into an intaglio shape and used as the sealing material 17. In this case, the above-mentioned substrate material is subjected to processing such as sandblasting and chemical etching to form a concave shape.

またこのような板状の封止材17を透明基板13側に固定するための接着剤19は、封止材17と透明基板13との間に挟持された有機EL素子100を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤19は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。
また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることもできる。
Further, the adhesive 19 for fixing the plate-shaped sealing material 17 to the transparent substrate 13 side is for sealing the organic EL element 100 sandwiched between the sealing material 17 and the transparent substrate 13. It is used as a sealant for. Specifically, such an adhesive 19 is a photocurable and thermosetting adhesive having a reactive vinyl group of an acrylic acid-based oligomer, a methacrylic acid-based oligomer, a moisture-curable type such as 2-cyanoacrylic acid ester, and the like. Adhesives can be mentioned.
Further, heat and chemical curing type (two-component mixing) such as epoxy type, hot melt type polyamide, polyester, polyolefin, and cationic curing type ultraviolet curable epoxy resin adhesive can also be mentioned.

なお、有機EL素子100を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、接着剤19は、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤19中に乾燥剤を分散させておいてもよい。 The organic material constituting the organic EL element 100 may be deteriorated by heat treatment. Therefore, the adhesive 19 is preferably one that can be adhesively cured from room temperature to 80 ° C. Further, the desiccant may be dispersed in the adhesive 19.

封止材17と透明基板13との接着部分への接着剤19の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。 The adhesive 19 may be applied to the adhesive portion between the sealing material 17 and the transparent substrate 13 by using a commercially available dispenser or by printing as in screen printing.

また、板状の封止材17と透明基板13と接着剤19との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。 Further, when a gap is formed between the plate-shaped sealing material 17, the transparent substrate 13, and the adhesive 19, in the gas phase and the liquid phase, an inert gas such as nitrogen or argon or a foot is formed in the gap. It is preferable to inject an inert liquid such as hydrogenated hydrocarbon or silicon oil. It is also possible to create a vacuum. Further, a hygroscopic compound can be enclosed inside.

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。 Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, etc.) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate, etc.). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide, etc.), perchlorates (eg, perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, etc.) and the like, and anhydrous salts are preferably used for sulfates, metal halides and perchlorates.

一方、封止材17として封止膜を用いる場合、有機EL素子100における発光機能層3を完全に覆い、かつ有機EL素子100における透明電極1及び対向電極5aの端子部分を露出させる状態で、透明基板13上に封止膜が設けられる。 On the other hand, when a sealing film is used as the sealing material 17, the light emitting functional layer 3 of the organic EL element 100 is completely covered, and the terminal portions of the transparent electrode 1 and the counter electrode 5a of the organic EL element 100 are exposed. A sealing film is provided on the transparent substrate 13.

このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機EL素子100における発光機能層3の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜とともに、有機材料からなる膜を用いて積層構造としてもよい。 Such a sealing film is constructed by using an inorganic material or an organic material. In particular, it is made of a material having a function of suppressing the infiltration of substances such as water and oxygen that cause deterioration of the light emitting functional layer 3 in the organic EL element 100. As such a material, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon dioxide, or silicon nitride is used. Further, in order to improve the brittleness of the sealing film, a film made of an organic material may be used together with the film made of these inorganic materials to form a laminated structure.

これらの膜の作製方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。 The method for producing these films is not particularly limited, and for example, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma. A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method and the like can be used.

[保護膜、保護板]
透明基板13とともに、有機EL素子100及び封止材17を挟むようにして保護膜若しくは保護板を設けてもよい。この保護膜若しくは保護板は、有機EL素子100を機械的に保護するためのものであり、特に封止材17が封止膜である場合には、有機EL素子100に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜若しくは保護板を設けることが好ましい。
[Protective film, protective plate]
A protective film or a protective plate may be provided so as to sandwich the organic EL element 100 and the sealing material 17 together with the transparent substrate 13. This protective film or protective plate is for mechanically protecting the organic EL element 100, and particularly when the sealing material 17 is a sealing film, the mechanical protection for the organic EL element 100 is sufficient. Therefore, it is preferable to provide such a protective film or protective plate.

以上のような保護膜若しくは保護板としては、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。 As the protective film or protective plate as described above, a glass plate, a polymer plate, a thinner polymer film, a metal plate, a thinner metal film, or a polymer material film or a metal material film is applied. Of these, it is particularly preferable to use a polymer film because it is lightweight and thin.

<有機EL素子の製造方法>
ここでは一例として、図2に示す有機EL素子100の製造方法について説明する。
<Manufacturing method of organic EL element>
Here, as an example, a method for manufacturing the organic EL element 100 shown in FIG. 2 will be described.

まず、透明基板13上に、ヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を分子内に2個以上有する芳香族複素環化合物からなる中間層1aを、1μm以下、好ましくは10〜100nmの層厚になるように蒸着法等の適宜の方法により形成する。次に銀(又は銀を含有する合金)からなる導電性層1bを5〜20nmの範囲、好ましくは5〜12nmの範囲の層厚になるように蒸着法等の適宜の方法により中間層1a上に形成し、アノードとなる透明電極1を作製する。 First, on the transparent substrate 13, an intermediate layer 1a composed of an aromatic heterocyclic compound having two or more aromatic heterocyclic groups having three or more heteroatoms in the molecule is formed in a layer of 1 μm or less, preferably 10 to 100 nm. It is formed by an appropriate method such as a vapor deposition method so as to be thick. Next, the conductive layer 1b made of silver (or an alloy containing silver) is placed on the intermediate layer 1a by an appropriate method such as a vapor deposition method so that the layer thickness is in the range of 5 to 20 nm, preferably in the range of 5 to 12 nm. A transparent electrode 1 which is formed in the above and serves as an anode is produced.

次に、この上に正孔注入層3a、正孔輸送層3b、発光層3c、電子輸送層3d、電子注入層3eの順に成膜し、発光機能層3を形成する。これらの各層の成膜は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。さらに、層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。これらの各層の成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度1×10−6〜1×10−2Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、層厚0.1〜5μmの範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。 Next, the hole injection layer 3a, the hole transport layer 3b, the light emitting layer 3c, the electron transport layer 3d, and the electron injection layer 3e are formed in this order to form the light emitting functional layer 3. The film formation of each of these layers includes a spin coating method, a casting method, an inkjet method, a vapor deposition method, a printing method, etc., but vacuum deposition is performed because a homogeneous film can be easily obtained and pinholes are unlikely to be formed. The method or spin coating method is particularly preferable. Further, a different film forming method may be applied for each layer. The case of employing an evaporation method in the deposition of these layers, the depositing conditions thereof are varied according to kinds of materials used, generally boat temperature 50 to 450 ° C., vacuum 1 × 10 -6 ~1 × 10 -2 It is desirable to appropriately select each condition in the range of Pa, the vapor deposition rate of 0.01 to 50 nm / sec, the substrate temperature of -50 to 300 ° C., and the layer thickness of 0.1 to 5 μm.

以上のようにして発光機能層3を形成した後、この上部にカソードとなる対向電極5aを、蒸着法やスパッタ法等の適宜の成膜法によって形成する。この際、対向電極5aは、発光機能層3によって透明電極1に対して絶縁状態を保ちつつ、発光機能層3の上方から透明基板13の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。これにより、有機EL素子100が得られる。またその後には、有機EL素子100における透明電極1及び対向電極5aの端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層3を覆う封止材17を設ける。 After the light emitting functional layer 3 is formed as described above, the counter electrode 5a serving as a cathode is formed on the upper portion by an appropriate film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method. At this time, the counter electrode 5a forms a pattern in a shape in which the terminal portion is pulled out from above the light emitting functional layer 3 to the peripheral edge of the transparent substrate 13 while maintaining an insulating state with respect to the transparent electrode 1 by the light emitting functional layer 3. As a result, the organic EL element 100 is obtained. After that, a sealing material 17 that covers at least the light emitting functional layer 3 is provided in a state where the terminal portions of the transparent electrode 1 and the counter electrode 5a in the organic EL element 100 are exposed.

以上により、透明基板13上に所望の有機EL素子が得られる。このような有機EL素子100の作製においては、一回の真空引きで一貫して発光機能層3から対向電極5aまで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板13を取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。 As described above, a desired organic EL element can be obtained on the transparent substrate 13. In the production of such an organic EL element 100, it is preferable to consistently produce the light emitting functional layer 3 to the counter electrode 5a by one vacuum drawing, but the transparent substrate 13 is taken out from the vacuum atmosphere in the middle of the process and is different. A membrane method may be applied. At that time, consideration must be given to performing the work in a dry inert gas atmosphere.

このようにして得られた有機EL素子100に直流電圧を印加する場合には、アノードである透明電極1を+の極性とし、カソードである対向電極5aを−の極性として、電圧2〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。 When a DC voltage is applied to the organic EL element 100 thus obtained, the transparent electrode 1 as the anode has a positive polarity and the counter electrode 5a as the cathode has a negative polarity, and the voltage is about 2 to 40 V. When is applied, luminescence can be observed. Further, an AC voltage may be applied. The waveform of the alternating current to be applied may be arbitrary.

<有機EL素子の効果>
以上説明した有機EL素子100は、本発明の導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極1をアノードとして用い、この上部に発光機能層3とカソードとなる対向電極5aとを設けた構成である。このため、透明電極1と対向電極5aとの間に十分な電圧を印加して有機EL素子100での高輝度発光を実現しつつ、透明電極1側からの発光光hの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。
なお、後述するように、本発明の中間層1aは、アノード又はカソードが備えてもよいし、電子注入性を有する電子輸送層3dが、透明電極1における中間層1aとして設けられてもよい。特に、発光に関与しないアノードが中間層1aを備えることが、層厚を適宜変更することができる点で好ましい。
<Effect of organic EL element>
The organic EL element 100 described above has a configuration in which a transparent electrode 1 having both conductivity and light transmission of the present invention is used as an anode, and a light emitting functional layer 3 and a counter electrode 5a serving as a cathode are provided above the transparent electrode 1. is there. Therefore, a sufficient voltage is applied between the transparent electrode 1 and the counter electrode 5a to realize high-luminance light emission by the organic EL element 100, and the efficiency of extracting the emitted light h from the transparent electrode 1 side is improved. It is possible to increase the brightness by this. Further, it is possible to improve the light emission life by reducing the driving voltage for obtaining a predetermined brightness.
As will be described later, the intermediate layer 1a of the present invention may be provided with an anode or a cathode, or an electron transporting layer 3d having an electron injecting property may be provided as an intermediate layer 1a in the transparent electrode 1. In particular, it is preferable that the anode not involved in light emission includes the intermediate layer 1a because the layer thickness can be appropriately changed.

≪4.有機EL素子の第2例≫
<有機EL素子の構成>
図3は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極1を用いた有機EL素子の第2例を示す概略断面図である。図3に示す第2例の有機EL素子200が、図2に示した第1例の有機EL素子100と異なるところは、透明電極1をカソードとして用いるところにある。以下、第1例と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第2例の有機EL素子200の特徴的な構成を説明する。
≪4. Second example of organic EL element ≫
<Structure of organic EL element>
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a second example of the organic EL element using the transparent electrode 1 described above as an example of the electronic device of the present invention. The difference between the organic EL element 200 of the second example shown in FIG. 3 and the organic EL element 100 of the first example shown in FIG. 2 is that the transparent electrode 1 is used as a cathode. Hereinafter, the overlapping detailed description of the same components as in the first example will be omitted, and the characteristic configuration of the organic EL element 200 in the second example will be described.

図3に示すとおり、有機EL素子200は、透明基板13上に設けられており、第1例と同様に、透明基板13上の透明電極1として先に説明した本発明の透明電極1を用いている。このため有機EL素子200は、少なくとも透明基板13側から発光光hを取り出せるように構成されている。ただし、この透明電極1は、カソード(陰極)として用いられる。このため、対向電極5bは、アノードとして用いられることになる。 As shown in FIG. 3, the organic EL element 200 is provided on the transparent substrate 13, and similarly to the first example, the transparent electrode 1 of the present invention described above is used as the transparent electrode 1 on the transparent substrate 13. ing. Therefore, the organic EL element 200 is configured so that the emitted light h can be extracted from at least the transparent substrate 13 side. However, the transparent electrode 1 is used as a cathode. Therefore, the counter electrode 5b is used as an anode.

このように構成される有機EL素子200の層構造は以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよいことは、第1例と同様である。 The layer structure of the organic EL element 200 configured in this way is not limited to the examples described below, and may be a general layer structure, as in the first example.

第2例の場合の一例としては、カソードとして機能する透明電極1の上部に、電子注入層3e/電子輸送層3d/発光層3c/正孔輸送層3b/正孔注入層3aをこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料で構成された発光層3cを有することが必須である。 As an example of the second example, the electron injection layer 3e / electron transport layer 3d / light emitting layer 3c / hole transport layer 3b / hole injection layer 3a are laminated in this order on the transparent electrode 1 that functions as a cathode. The configuration is illustrated. However, it is essential to have at least a light emitting layer 3c made of an organic material.

なお、発光機能層3は、これらの層の他にも、第1例で説明したのと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用される。このような構成において、透明電極1と対向電極5bとで発光機能層3が挟持された部分のみが、有機EL素子200における発光領域となることも第1例と同様である。 In addition to these layers, the light emitting functional layer 3 adopts various configurations as required, as described in the first example. In such a configuration, it is the same as the first example that only the portion where the light emitting functional layer 3 is sandwiched between the transparent electrode 1 and the counter electrode 5b becomes the light emitting region in the organic EL element 200.

また、以上のような層構成においては、透明電極1の低抵抗化を図ることを目的として透明電極1の導電性層1bに接して補助電極15が設けられていてもよいことも、第1例と同様である。 Further, in the layer structure as described above, the auxiliary electrode 15 may be provided in contact with the conductive layer 1b of the transparent electrode 1 for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode 1. Similar to the example.

ここで、アノードとして用いられる対向電極5bは、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、金(Au)等の金属、ヨウ化銅(CuI)、ITO、ZnO、TiO、SnO等の酸化物半導体等が挙げられる。 Here, the counter electrode 5b used as the anode is composed of a metal, an alloy, an organic or inorganic conductive compound, a mixture thereof, or the like. Specific examples thereof include metals such as gold (Au), oxide semiconductors such as copper iodide (CuI), ITO, ZnO, TiO 2 and SnO 2.

以上のように構成されている対向電極5bは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極5bとしてのシート抵抗値は、数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常5nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲で選ばれる。 The counter electrode 5b configured as described above can be manufactured by forming a thin film of these conductive materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance value of the counter electrode 5b is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 5 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm.

なお、この有機EL素子200が、対向電極5b側からも発光光hを取り出せるように構成されている場合、対向電極5bを構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。 When the organic EL element 200 is configured so that the emitted light h can be taken out from the counter electrode 5b side as well, the material constituting the counter electrode 5b has good light transmission among the above-mentioned conductive materials. Conductive material is selected and used.

以上のような構成の有機EL素子200は、発光機能層3の劣化を防止することを目的として、第1例と同様に封止材17で封止されている。 The organic EL element 200 having the above configuration is sealed with a sealing material 17 as in the first example for the purpose of preventing deterioration of the light emitting functional layer 3.

以上説明した有機EL素子200を構成する主要各層のうち、アノードとして用いられる対向電極5b以外の構成要素の詳細な構成、及び有機EL素子200の製造方法は、第1例と同様である。このため詳細な説明は省略する。 Among the main layers constituting the organic EL element 200 described above, the detailed configuration of the components other than the counter electrode 5b used as the anode and the manufacturing method of the organic EL element 200 are the same as those in the first example. Therefore, detailed description thereof will be omitted.

<有機EL素子の効果>
以上説明した有機EL素子200は、本発明の導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極1をカソードとして用い、この上部に発光機能層3とアノードとなる対向電極5bとを設けた構成である。このため、第1例と同様に、透明電極1と対向電極5bとの間に十分な電圧を印加して有機EL素子200での高輝度発光を実現しつつ、透明電極1側からの発光光hの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。
<Effect of organic EL element>
The organic EL element 200 described above has a configuration in which a transparent electrode 1 having both conductivity and light transmission of the present invention is used as a cathode, and a light emitting functional layer 3 and a counter electrode 5b serving as an anode are provided above the transparent electrode 1. is there. Therefore, as in the first example, a sufficient voltage is applied between the transparent electrode 1 and the counter electrode 5b to realize high-luminance light emission in the organic EL element 200, and the light emitted from the transparent electrode 1 side. It is possible to increase the brightness by improving the extraction efficiency of h. Further, it is possible to improve the light emission life by reducing the driving voltage for obtaining a predetermined brightness.

≪5.有機EL素子の第3例≫
<有機EL素子の構成>
図4は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極1を用いた有機EL素子の第3例を示す概略断面図である。図4に示す第3例の有機EL素子300が、図2に示した第1例の有機EL素子100と異なるところは、基板131側に対向電極5cを設け、この上部に発光機能層3と透明電極1とをこの順に積層したところにある。以下、第1例と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第3例の有機EL素子300の特徴的な構成を説明する。
≪5. Third example of organic EL element ≫
<Structure of organic EL element>
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a third example of the organic EL element using the transparent electrode 1 described above as an example of the electronic device of the present invention. The difference between the organic EL element 300 of the third example shown in FIG. 4 and the organic EL element 100 of the first example shown in FIG. 2 is that a counter electrode 5c is provided on the substrate 131 side, and a light emitting functional layer 3 is provided above the counter electrode 5c. The transparent electrodes 1 are laminated in this order. Hereinafter, the overlapping detailed description of the same components as in the first example will be omitted, and the characteristic configuration of the organic EL element 300 in the third example will be described.

図4に示す有機EL素子300は、基板131上に設けられており、基板131側から、アノードとなる対向電極5c、発光機能層3、及びカソードとなる透明電極1がこの順に積層されている。このうち、透明電極1として、先に説明した本発明の透明電極1を用いている。このため有機EL素子300は、少なくとも基板131とは逆の透明電極1側から発光光hを取り出せるように構成されている。 The organic EL element 300 shown in FIG. 4 is provided on the substrate 131, and the counter electrode 5c serving as the anode, the light emitting functional layer 3 and the transparent electrode 1 serving as the cathode are laminated in this order from the substrate 131 side. .. Of these, the transparent electrode 1 of the present invention described above is used as the transparent electrode 1. Therefore, the organic EL element 300 is configured so that the emitted light h can be extracted from at least the transparent electrode 1 side opposite to the substrate 131.

このように構成される有機EL素子300の層構造は以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよいことは、第1例と同様である。 The layer structure of the organic EL element 300 configured in this way is not limited to the examples described below, and may be a general layer structure, as in the first example.

第3例の場合の一例としては、アノードとして機能する対向電極5cの上部に、正孔注入層3a/正孔輸送層3b/発光層3c/電子輸送層3dをこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層3cを有することが必須である。また、電子輸送層3dは、電子注入層3eを兼ねたもので、電子注入性を有する電子輸送層3dとして設けられていることとする。 As an example of the case of the third example, a configuration in which a hole injection layer 3a / a hole transport layer 3b / a light emitting layer 3c / an electron transport layer 3d are laminated in this order is exemplified on an upper portion of a counter electrode 5c that functions as an anode. To. However, it is essential to have at least a light emitting layer 3c constructed by using an organic material. Further, the electron transport layer 3d also serves as an electron injection layer 3e, and is provided as an electron transport layer 3d having an electron injection property.

特に、第3例の有機EL素子300に特徴的な構成としては、電子注入性を有する電子輸送層3dが、透明電極1における中間層1aとして設けられているところにある。すなわち、第3例においては、カソードとして用いられる透明電極1が、電子注入性を有する電子輸送層3dを兼ねる中間層1aと、その上部に設けられた導電性層1bとで構成されているものである。 In particular, as a characteristic configuration of the organic EL element 300 of the third example, an electron transport layer 3d having an electron injecting property is provided as an intermediate layer 1a in the transparent electrode 1. That is, in the third example, the transparent electrode 1 used as a cathode is composed of an intermediate layer 1a that also serves as an electron transporting layer 3d having electron injectability, and a conductive layer 1b provided above the intermediate layer 1a. Is.

このような電子輸送層3dは、上述した透明電極1の中間層1aを構成する材料を用いて構成されている。 Such an electron transport layer 3d is constructed by using the material constituting the intermediate layer 1a of the transparent electrode 1 described above.

なお、発光機能層3は、これらの層の他にも、第1例で説明したと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用されるが、透明電極1の中間層1aを兼ねる電子輸送層3dと、透明電極1の導電性層1bとの間には、電子注入層や正孔阻止層が設けられることはない。以上のような構成において、透明電極1と対向電極5cとで発光機能層3が挟持された部分のみが、有機EL素子300における発光領域となることは、第1例と同様である。 In addition to these layers, the light emitting functional layer 3 adopts various configurations as required as described in the first example, but electron transport that also serves as the intermediate layer 1a of the transparent electrode 1. No electron injection layer or hole blocking layer is provided between the layer 3d and the conductive layer 1b of the transparent electrode 1. In the above configuration, it is the same as the first example that only the portion where the light emitting functional layer 3 is sandwiched between the transparent electrode 1 and the counter electrode 5c becomes the light emitting region in the organic EL element 300.

また、以上のような層構成においては、透明電極1の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極1の導電性層1bに接して補助電極15が設けられていてもよいことも、第1例と同様である。 Further, in the layer structure as described above, the auxiliary electrode 15 may be provided in contact with the conductive layer 1b of the transparent electrode 1 for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode 1. It is the same as one example.

さらに、アノードとして用いられる対向電極5cは、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、金(Au)等の金属、ヨウ化銅(CuI)、ITO、ZnO、TiO、SnO等の酸化物半導体等が挙げられる。 Further, the counter electrode 5c used as an anode is composed of a metal, an alloy, an organic or inorganic conductive compound, a mixture thereof, or the like. Specific examples thereof include metals such as gold (Au), oxide semiconductors such as copper iodide (CuI), ITO, ZnO, TiO 2 and SnO 2.

以上のように構成されている対向電極5cは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極5cとしてのシート抵抗値は、数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常5nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲で選ばれる。 The counter electrode 5c configured as described above can be manufactured by forming a thin film of these conductive materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance value of the counter electrode 5c is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 5 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm.

なお、この有機EL素子300が、対向電極5c側からも発光光hを取り出せるように構成されている場合、対向電極5cを構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。またこの場合、基板131としては、第1例で説明した透明基板13と同様のものが用いられる。 When the organic EL element 300 is configured so that the emitted light h can be taken out from the counter electrode 5c side as well, the material constituting the counter electrode 5c has good light transmission among the above-mentioned conductive materials. Conductive material is selected and used. Further, in this case, as the substrate 131, the same substrate as the transparent substrate 13 described in the first example is used.

以上のような構成の有機EL素子300は、発光機能層3の劣化を防止することを目的として、第1例と同様に封止材17で封止されている。また、有機EL素子300では、封止材17の基板131とほぼ平行な部分の有機EL素子300とは逆側の面を光取り出し面17aとしている。 The organic EL element 300 having the above configuration is sealed with a sealing material 17 as in the first example for the purpose of preventing deterioration of the light emitting functional layer 3. Further, in the organic EL element 300, the surface of the sealing material 17 that is substantially parallel to the substrate 131 and that is opposite to the organic EL element 300 is the light extraction surface 17a.

<有機EL素子の効果>
以上説明した有機EL素子300は、発光機能層3の最上部を構成する電子注入性を有する電子輸送層3dを中間層1aとし、この上部に導電性層1bを設けることにより、中間層1aとこの上部の導電性層1bとからなる透明電極1をカソードとして設けた構成である。このため、第1例及び第2例と同様に、透明電極1と対向電極5cとの間に十分な電圧を印加して有機EL素子300での高輝度発光を実現しつつ、透明電極1側からの発光光hの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。また、対向電極5cが光透過性を有する場合には、対向電極5cからも発光光hを取り出すことができる。
<Effect of organic EL element>
In the organic EL element 300 described above, the electron transporting layer 3d having an electron injecting property forming the uppermost portion of the light emitting functional layer 3 is used as an intermediate layer 1a, and the conductive layer 1b is provided on the intermediate layer 1a. The transparent electrode 1 formed of the upper conductive layer 1b is provided as a cathode. Therefore, as in the first and second examples, a sufficient voltage is applied between the transparent electrode 1 and the counter electrode 5c to realize high-luminance light emission in the organic EL element 300, and the transparent electrode 1 side. It is possible to increase the brightness by improving the extraction efficiency of the emitted light h from the light emitting light h. Further, it is possible to improve the light emission life by reducing the driving voltage for obtaining a predetermined brightness. Further, when the counter electrode 5c has light transmission property, the emitted light h can be extracted from the counter electrode 5c as well.

なお、上述の第3例においては、透明電極1の中間層1aが電子注入性を有する電子輸送層3dを兼ねているものとして説明したが、本例はこれに限られるものではなく、中間層1aが電子注入性を有していない電子輸送層3dを兼ねているものであってもよいし、中間層1aが電子輸送層ではなく電子注入層を兼ねているものであってもよい。また、中間層1aが有機EL素子の発光機能に影響を及ぼさない程度の極薄膜として形成されているものとしてもよく、この場合には、中間層1aは電子輸送性及び電子注入性を有していない。 In the third example described above, it has been described that the intermediate layer 1a of the transparent electrode 1 also serves as the electron transport layer 3d having electron injectability, but this example is not limited to this, and the intermediate layer is not limited to this. 1a may also serve as an electron-transporting layer 3d having no electron-injecting property, or the intermediate layer 1a may also serve as an electron-injecting layer instead of an electron-transporting layer. Further, the intermediate layer 1a may be formed as an ultrathin film that does not affect the light emitting function of the organic EL element. In this case, the intermediate layer 1a has electron transporting property and electron injecting property. Not.

さらに、透明電極1の中間層1aが有機EL素子の発光機能に影響を及ぼさない程度の極薄膜として形成されている場合には、基板131側の対向電極5cをカソードとし、発光機能層3上の透明電極1をアノードとしてもよい。この場合、発光機能層3は、基板131上の対向電極(カソード)5c側から順に、例えば、電子注入層3e/電子輸送層3d/発光層3c/正孔輸送層3b/正孔注入層3aが積層される。そしてこの上部に極薄い中間層1aと導電性層1bとの積層構造からなる透明電極1が、アノードとして設けられる。 Further, when the intermediate layer 1a of the transparent electrode 1 is formed as an ultrathin film that does not affect the light emitting function of the organic EL element, the counter electrode 5c on the substrate 131 side is used as a cathode on the light emitting function layer 3. The transparent electrode 1 of the above may be used as an anode. In this case, the light emitting functional layer 3 is formed in order from the counter electrode (cathode) 5c side on the substrate 131, for example, electron injection layer 3e / electron transport layer 3d / light emitting layer 3c / hole transport layer 3b / hole injection layer 3a. Are laminated. A transparent electrode 1 having a laminated structure of an extremely thin intermediate layer 1a and a conductive layer 1b is provided on the upper portion as an anode.

≪6.有機EL素子の用途≫
上述した各構成の有機EL素子は、上述したように面発光体であるため各種の発光光源として用いることができる。例えば、家庭用照明や車内照明等の照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
≪6. Applications of organic EL elements ≫
Since the organic EL element having each of the above-described configurations is a surface-emitting body as described above, it can be used as various light-emitting light sources. For example, lighting devices such as household lighting and interior lighting, backlights for clocks and liquid crystals, lighting for signage advertisements, light sources for traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, etc. Examples include the light source of an optical sensor. In particular, it can be effectively used as a backlight of a liquid crystal display device combined with a color filter and a light source for lighting.

また、本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。この場合、近年の照明装置及びディスプレイの大型化にともない、有機EL素子を設けた発光パネル同士を平面的に接合する、いわゆるタイリングによって発光面を大面積化してもよい。 Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp such as for lighting or an exposure light source, a projection device of a type for projecting an image, or a type for directly visually recognizing a still image or a moving image. It may be used as a display device (display). In this case, with the recent increase in size of lighting devices and displays, the area of the light emitting surface may be increased by so-called tiling, in which light emitting panels provided with organic EL elements are joined in a plane.

動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、カラー又はフルカラー表示装置を作製することが可能である。 When used as a display device for video reproduction, the drive system may be either a simple matrix (passive matrix) system or an active matrix system. Further, a color or full-color display device can be manufactured by using two or more kinds of organic EL elements of the present invention having different emission colors.

以下では、用途の一例として照明装置について説明し、次にタイリングによって発光面を大面積化した照明装置について説明する。 In the following, a lighting device will be described as an example of its application, and then a lighting device in which the light emitting surface has a large area by tiling will be described.

≪6−1.照明装置−1≫
照明装置は、本発明の有機EL素子を具備することができる。
≪6-1. Lighting device-1 >>
The lighting device can be equipped with the organic EL element of the present invention.

照明装置に用いる有機EL素子は、上述した構成の各有機EL素子に共振器構造を持たせた設計としてもよい。共振器構造を有するように構成された有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。 The organic EL element used in the lighting device may be designed so that each organic EL element having the above-described configuration has a resonator structure. The purpose of use of the organic EL element configured to have a resonator structure includes a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processor, a light source of an optical sensor, and the like. Not limited to. Further, it may be used for the above purpose by oscillating a laser.

なお、本発明の有機EL素子に用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機EL素子(白色有機EL素子)に適用できる。例えば、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて、混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の三原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。 The material used for the organic EL element of the present invention can be applied to an organic EL element (white organic EL element) that emits substantially white light. For example, it is possible to simultaneously emit a plurality of emission colors with a plurality of light emitting materials and obtain white emission by mixing the colors. The combination of a plurality of emission colors may include three emission maximum wavelengths of the three primary colors of red, green, and blue, or two emissions using the relationship of complementary colors such as blue and yellow and blue-green and orange. It may contain a maximum wavelength.

また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、白色有機EL素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合したものでもよい。 The combination of light emitting materials for obtaining a plurality of emission colors is a combination of a plurality of phosphorescent or phosphorescent materials, a light emitting material that emits fluorescence or phosphorescence, and an excitation of light from the light emitting material. Any combination with a dye material that emits light as light may be used, but in the white organic EL element, a plurality of light emitting dopants may be combined and mixed.

このような白色有機EL素子は、各色発光の有機EL素子をアレー状に個別に並列配置して白色発光を得る構成と異なり、有機EL素子自体が白色を発光する。このため、素子を構成するほとんどの層の成膜にマスクを必要とせず、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で成膜することができ、生産性も向上する。 Such a white organic EL element is different from the configuration in which the organic EL elements of each color emission are individually arranged in parallel in an array to obtain white emission, and the organic EL element itself emits white light. Therefore, a mask is not required for film formation of most of the layers constituting the element, and film formation can be performed on one surface by a thin film deposition method, a casting method, a spin coating method, an inkjet method, a printing method, etc., and productivity is also improved. To do.

また、このような白色有機EL素子の発光層に用いる発光材料としては、特に制限はなく、例えば液晶表示素子におけるバックライトであれば、CF(カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するように、上記した金属錯体や公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。 Further, the light emitting material used for the light emitting layer of such a white organic EL element is not particularly limited, and for example, a backlight in a liquid crystal display element is adapted to a wavelength range corresponding to CF (color filter) characteristics. In addition, any of the above-mentioned metal complexes and known light-emitting materials may be selected and combined for whitening.

以上に説明した白色有機EL素子を用いれば、実質的に白色の発光を生じる照明装置を作製することが可能である。 By using the white organic EL element described above, it is possible to manufacture a lighting device that emits substantially white light.

≪6−2.照明装置−2≫
図5は、上記各構成の有機EL素子を複数用いて発光面を大面積化した照明装置の概略断面図である。
図5に示すとおり、照明装置21は、透明基板13上に有機EL素子100を備えた複数の発光パネル22を、支持基板23上に複数配列する(タイリングする)ことによって発光面を大面積化した構成である。支持基板23は、封止材17を兼ねるものであってもよく、この支持基板23と、発光パネル22の透明基板13との間に有機EL素子100を挟持する状態で各発光パネル22をタイリングする。支持基板23と透明基板13との間には接着剤19を充填し、これによって有機EL素子100を封止してもよい。なお、発光パネル22の周囲には、アノードである透明電極1及びカソードである対向電極5aの端部を露出させておく。ただし、図5においては対向電極5aの露出部分のみを図示した。
なお、図5では、有機EL素子100を構成する発光機能層3として、透明電極1上に、正孔注入層3a/正孔輸送層3b/発光層3c/電子輸送層3d/電子注入層3eを順次積層した構成を一例として示している。
≪6-2. Lighting device-2 >>
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an illuminating device in which a plurality of organic EL elements having the above configurations are used to increase the area of the light emitting surface.
As shown in FIG. 5, the lighting device 21 has a large area of the light emitting surface by arranging (tiling) a plurality of light emitting panels 22 having the organic EL element 100 on the transparent substrate 13 on the support substrate 23. It is a modified configuration. The support substrate 23 may also serve as a sealing material 17, and each light emitting panel 22 is tied with the organic EL element 100 sandwiched between the support substrate 23 and the transparent substrate 13 of the light emitting panel 22. Ring. An adhesive 19 may be filled between the support substrate 23 and the transparent substrate 13, thereby sealing the organic EL element 100. The ends of the transparent electrode 1 as the anode and the counter electrode 5a as the cathode are exposed around the light emitting panel 22. However, in FIG. 5, only the exposed portion of the counter electrode 5a is shown.
In FIG. 5, as the light emitting functional layer 3 constituting the organic EL element 100, the hole injection layer 3a / hole transport layer 3b / light emitting layer 3c / electron transport layer 3d / electron injection layer 3e are placed on the transparent electrode 1. Are shown as an example in a configuration in which the above are sequentially laminated.

このような構成の照明装置21では、各発光パネル22の中央が発光領域Aとなり、発光パネル22間には非発光領域Bが発生する。このため、非発光領域Bからの光取り出し量を増加させるための光取り出し部材を、光取り出し面13aの非発光領域Bに設けてもよい。光取り出し部材としては、集光シートや光拡散シートを用いることができる。 In the lighting device 21 having such a configuration, the center of each light emitting panel 22 is the light emitting region A, and the non-light emitting region B is generated between the light emitting panels 22. Therefore, a light extraction member for increasing the amount of light extracted from the non-light emitting region B may be provided in the non-light emitting region B of the light extraction surface 13a. As the light extraction member, a light condensing sheet or a light diffusion sheet can be used.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

[実施例1]
《透明電極の作製》
以下に説明するように、透明電極1−1〜1−19を、導電性領域の面積が5cm×5cmとなるように作製した。透明電極1−1〜1−4は、導電性層のみからなる単層構造の透明電極として作製し、透明電極1−5〜1−19は、中間層と導電性層との積層構造の透明電極として作製した。
[Example 1]
<< Fabrication of transparent electrode >>
As described below, the transparent electrodes 1-1 to 1-19 were manufactured so that the area of the conductive region was 5 cm × 5 cm. The transparent electrodes 1-1 to 1-4 are manufactured as transparent electrodes having a single-layer structure consisting of only a conductive layer, and the transparent electrodes 1 to 5 to 1-19 are transparent with a laminated structure of an intermediate layer and a conductive layer. Made as an electrode.

(1)透明電極1−1の作製
まず、透明な無アルカリガラス製の基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。またタングステン製の抵抗加熱ボードに銀(Ag)を充填し、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、抵抗加熱ボードを通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲内で、基板上に層厚5nmの銀からなる導電性層を成膜し、単層構造の透明電極1−1を作製した。
(1) Preparation of Transparent Electrode 1-1 First, a transparent non-alkali glass substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus and attached to a vacuum chamber of the vacuum vapor deposition apparatus. Further, a tungsten resistance heating board was filled with silver (Ag) and installed in the vacuum chamber. Next, after depressurizing the vacuum chamber to 4 × 10 -4 Pa, the resistance heating board is energized and heated, and the layer thickness is 5 nm on the substrate within the vapor deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / sec. A conductive layer made of silver was formed to form a transparent electrode 1-1 having a single-layer structure.

(2)透明電極1−2〜1−4の作製
透明電極1−1の作製において、導電性層の層厚をそれぞれ8nm、10nm、15nmに変更した以外は同様にして、透明電極1−2〜1−4を作製した。
(2) Preparation of Transparent Electrode 1-2 to 1-4 In the production of the transparent electrode 1-1, the transparent electrode 1-2 is similarly formed except that the thickness of the conductive layer is changed to 8 nm, 10 nm, and 15 nm, respectively. ~ 1-4 were prepared.

(3)透明電極1−5の作製
透明な無アルカリガラス製の基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、本発明の化合物I−47をタンタル製抵抗加熱ボードに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボードとを真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボードに銀を充填し、第2真空槽内に取り付けた。
(3) Preparation of Transparent Electrode 1-5 A transparent non-alkali glass substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus, and the compound I-47 of the present invention is filled in a tantalum resistance heating board. The substrate holder and the heating board were attached to the first vacuum chamber of the vacuum vapor deposition apparatus. Further, a tungsten resistance heating board was filled with silver and installed in a second vacuum chamber.

この状態で、まず、第1真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、化合物I−47の入った加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲内で、基板上に層厚20nmの化合物I−47からなる中間層を設けた。 In this state, first, the first vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 -4 Pa, and then the heating board containing the compound I-47 was energized and heated, and the vapor deposition rate was 0.1 to 0.2 nm / sec. Within the range, an intermediate layer made of compound I-47 having a layer thickness of 20 nm was provided on the substrate.

次に、中間層まで成膜した基板を真空のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、銀の入った加熱ボードを通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲内で、層厚5nmの銀からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極1−5を作製した。 Next, the substrate on which the film was formed up to the intermediate layer was transferred to the second vacuum chamber in a vacuum, the second vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 -4 Pa, and then a heating board containing silver was energized to heat it. A conductive layer made of silver having a layer thickness of 5 nm was formed within a vapor deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / sec, and a transparent electrode 1-5 having a laminated structure of an intermediate layer and a conductive layer was produced. ..

(4)透明電極1−6〜1−8の作製
透明電極5の作製において、導電性層の層厚をそれぞれ8nm、10nm、15nmに変更した以外は同様にして、透明電極1−6〜1−8を作製した。
(4) Preparation of Transparent Electrodes 1-6 to 1-8 In the production of the transparent electrode 5, the transparent electrodes 1-6 to 1 are similarly formed except that the thickness of the conductive layer is changed to 8 nm, 10 nm, and 15 nm, respectively. -8 was prepared.

(5)透明電極1−9〜1−16の作製
透明電極1−6の作製において、中間層の構成材料をそれぞれ表1に記載の化合物に変更した以外は同様にして、透明電極1−9〜1−16を作製した。
(5) Preparation of Transparent Electrodes 1-9 to 1-16 In the production of transparent electrodes 1-6, the transparent electrodes 1-9 are similarly prepared except that the constituent materials of the intermediate layers are changed to the compounds shown in Table 1. ~ 1-16 was prepared.

(6)透明電極1−17〜1−19の作製
透明電極1−17〜1−19の作製において、基板を無アルカリガラスからPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに変更した以外は同様にして、透明電極1−17〜1−19を作製した。
(6) Preparation of transparent electrodes 1-17 to 1-19 In the production of transparent electrodes 1-17 to 1-19, the transparent electrodes are similarly prepared except that the substrate is changed from non-alkali glass to PET (polyethylene terephthalate) film. 1-17 to 1-19 were prepared.

《透明電極の評価》
作製した透明電極1−1〜1−19について、下記の方法に従い、素子透過率、シート抵抗値及び耐久性(電極寿命)の測定を行った。
<< Evaluation of transparent electrode >>
With respect to the produced transparent electrodes 1-1 to 1-19, the element transmittance, the sheet resistance value and the durability (electrode life) were measured according to the following methods.

(1)光透過率の測定
作製した各透明電極について、分光光度計(日立製作所製U−3300)を用い、各透明電極の基板をリファレンスとして、波長550nmにおける光透過率(%)を測定した。測定結果を表1に示す。
(1) Measurement of light transmittance For each of the manufactured transparent electrodes, the light transmittance (%) at a wavelength of 550 nm was measured using a spectrophotometer (U-3300 manufactured by Hitachi, Ltd.) with the substrate of each transparent electrode as a reference. .. The measurement results are shown in Table 1.

(2)シート抵抗値の測定
作製した各透明電極について、抵抗率計(三菱化学社製MCP−T610)を用い、4探針法定電流印加方式でシート抵抗値(Ω/□)を測定した。
測定結果を表1に示す。
(2) Measurement of sheet resistance value For each of the manufactured transparent electrodes, the sheet resistance value (Ω / □) was measured using a resistivity meter (MCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) by a 4-probe method constant current application method.
The measurement results are shown in Table 1.

(3)定電流下における電極寿命の測定
作製した各透明電極に、大気下において10Aの定電流を流し続け、シート抵抗値が初期値の2倍のシート抵抗値になるのに要する時間を測定した。
測定結果を表1に示す。
なお、電極寿命は、透明電極1−4の電極寿命を100とする相対値で示している。
(3) Measurement of electrode life under constant current Measure the time required for the sheet resistance value to become twice the initial value by continuing to apply a constant current of 10 A to each of the manufactured transparent electrodes in the atmosphere. did.
The measurement results are shown in Table 1.
The electrode life is shown as a relative value with the electrode life of the transparent electrodes 1-4 as 100.

Figure 0006028668
Figure 0006028668

(4)まとめ
表1から明らかなように、本発明の化合物を用いた中間層上に銀(Ag)を主成分とした導電性層を設けた本発明の透明電極1−5〜1−19は、いずれも光透過率が良好であり、シート抵抗値が低く抑えられている。これに対して、比較例の透明電極1−1〜1−4は、光透過率がいずれも低く、しかもシート抵抗値が高いことが分かる。
また、耐久性(電極寿命)においても、本発明の透明電極1−5〜1−19が、比較例の透明電極1−1〜1−4と比較して、優れていることがわかる。
(4) Summary As is clear from Table 1, the transparent electrodes 1-5 to 1-19 of the present invention are provided with a conductive layer containing silver (Ag) as a main component on an intermediate layer using the compound of the present invention. All have good light transmittance and the sheet resistance value is kept low. On the other hand, it can be seen that the transparent electrodes 1-1 to 1-4 of the comparative example all have low light transmittance and high sheet resistance value.
It can also be seen that the transparent electrodes 1-5 to 1-19 of the present invention are superior in durability (electrode life) to the transparent electrodes 1-1 to 1-4 of the comparative example.

以上から、本発明の透明電極は、高い光透過率と導電性とを兼ね備え、耐久性に優れていることが確認された。 From the above, it was confirmed that the transparent electrode of the present invention has both high light transmittance and conductivity and is excellent in durability.

[実施例2]
《発光パネルの作製》
実施例1と同様の方法で作製した透明電極をアノードとして用いた両面発光型の発光パネル2−1〜2−19を作製した。以下、図6を参照して、作製手順を説明する。
[Example 2]
<< Fabrication of light emitting panel >>
Double-sided light emitting panels 2-1 to 2-19 were produced using a transparent electrode produced in the same manner as in Example 1 as an anode. Hereinafter, the manufacturing procedure will be described with reference to FIG.

(1)発光パネル2−1の作製
まず、実施例1で作製した、導電性層1bのみを有する透明電極1が形成された透明基板13を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、透明電極1の形成面側に蒸着マスクを対向配置した。また、真空蒸着装置内の加熱ボードの各々に、発光機能層3を構成する各材料を、それぞれの層の成膜に最適な量で充填した。なお、加熱ボードはタングステン製抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
(1) Preparation of Light Emitting Panel 2-1 First, the transparent substrate 13 on which the transparent electrode 1 having only the conductive layer 1b, which was produced in Example 1, was formed, was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus. A thin-film deposition mask was placed facing each other on the forming surface side of the transparent electrode 1. In addition, each of the heating boards in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with each material constituting the light emitting functional layer 3 in an optimum amount for film formation of each layer. The heating board used was made of a tungsten resistance heating material.

次いで、真空蒸着装置の蒸着室内を真空度4×10−4Paまで減圧し、各材料が入った加熱ボードを順次通電して加熱することにより、以下のように各層を成膜した。 Next, the vapor deposition chamber of the vacuum vapor deposition apparatus was depressurized to a degree of vacuum of 4 × 10 -4 Pa, and a heating board containing each material was sequentially energized and heated to form a film of each layer as follows.

まず、正孔輸送注入材料として下記構造式に示すα−NPDが入った加熱ボードに通電して加熱し、α−NPDよりなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送注入層31を、透明電極1を構成する導電性層1b上に成膜した。この際、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒、層厚20nmとした。 First, as a hole transport injection material, a heating board containing α-NPD shown in the following structural formula is energized and heated, and hole transport injection that also serves as a hole injection layer and a hole transport layer made of α-NPD is performed. The layer 31 was formed on the conductive layer 1b constituting the transparent electrode 1. At this time, the vapor deposition rate was 0.1 to 0.2 nm / sec and the layer thickness was 20 nm.

Figure 0006028668
Figure 0006028668

次いで、ホスト材料H4の入った加熱ボードと、リン光発光性化合物Ir−4の入った加熱ボードとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料H4とリン光発光性化合物Ir−4とよりなる発光層3cを、正孔輸送注入層31上に成膜した。この際、蒸着速度がホスト材料H4:リン光発光性化合物Ir−4=100:6となるように、加熱ボードの通電を調節した。また、層厚は30nmとした。 Next, the heating board containing the host material H4 and the heating board containing the phosphorescent compound Ir-4 are independently energized, and the host material H4 and the phosphorescent compound Ir-4 emit light. The layer 3c was formed on the hole transport injection layer 31. At this time, the energization of the heating board was adjusted so that the vapor deposition rate was the host material H4: phosphorescent compound Ir-4 = 100: 6. The layer thickness was 30 nm.

次いで、正孔阻止材料として下記構造式に示すBAlqが入った加熱ボードに通電して加熱し、BAlqよりなる正孔阻止層33を、発光層3c上に成膜した。この際、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒、層厚10nmとした。 Next, a heating board containing BAlq represented by the following structural formula as a hole blocking material was energized and heated to form a hole blocking layer 33 made of BAlq on the light emitting layer 3c. At this time, the vapor deposition rate was 0.1 to 0.2 nm / sec and the layer thickness was 10 nm.

その後、電子輸送材料として下記構造式に示すET−4の入った加熱ボードと、フッ化カリウムの入った加熱ボードとを、それぞれ独立に通電し、ET−4とフッ化カリウムとよりなる電子輸送層3dを、正孔阻止層33上に成膜した。この際、蒸着速度がET−4:フッ化カリウム=75:25になるように、加熱ボードの通電を調節した。また層厚30nmとした。 After that, the heating board containing ET-4 shown in the following structural formula and the heating board containing potassium fluoride are independently energized as electron transport materials, and electron transport consisting of ET-4 and potassium fluoride is performed. The layer 3d was formed on the hole blocking layer 33. At this time, the energization of the heating board was adjusted so that the vapor deposition rate was ET-4: potassium fluoride = 75:25. The layer thickness was 30 nm.

Figure 0006028668
Figure 0006028668

次に、電子注入材料としてフッ化カリウムの入った加熱ボードに通電して加熱し、フッ化カリウムよりなる電子注入層3eを、電子輸送層3d上に成膜した。この際、蒸着速度0.01〜0.02nm/秒、層厚1nmとした。 Next, a heating board containing potassium fluoride as an electron injection material was energized and heated to form an electron injection layer 3e made of potassium fluoride on the electron transport layer 3d. At this time, the vapor deposition rate was 0.01 to 0.02 nm / sec, and the layer thickness was 1 nm.

その後、電子注入層3eまで成膜した透明基板13を、真空蒸着装置の蒸着室から、対向電極材料としてITOのターゲットが取り付けられたスパッタ装置の処理室内に、真空状態を保持したまま移動させた。次いで、処理室内において、成膜速度0.3〜0.5nm/秒で、層厚150nmのITOからなる光透過性の対向電極5aをカソードとして成膜した。以上により透明基板13上に有機EL素子400を形成した。 After that, the transparent substrate 13 formed up to the electron injection layer 3e was moved from the vapor deposition chamber of the vacuum vapor deposition apparatus to the processing chamber of the sputtering apparatus to which the ITO target was attached as the counter electrode material while maintaining the vacuum state. .. Next, in the processing chamber, a film was formed using a light-transmitting counter electrode 5a made of ITO having a layer thickness of 150 nm as a cathode at a film formation rate of 0.3 to 0.5 nm / sec. As described above, the organic EL element 400 is formed on the transparent substrate 13.

その後、有機EL素子400を、厚さ300μmのガラス基板からなる封止材17で覆い、有機EL素子400を囲む状態で、封止材17と透明基板13との間に接着剤19(シール材)を充填した。接着剤19としては、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を用いた。封止材17と透明基板13との間に充填した接着剤19に対して、ガラス基板(封止材17)側からUV光を照射し、接着剤19を硬化させて有機EL素子400を封止した。 After that, the organic EL element 400 is covered with a sealing material 17 made of a glass substrate having a thickness of 300 μm, and the adhesive 19 (sealing material) is placed between the sealing material 17 and the transparent substrate 13 in a state of surrounding the organic EL element 400. ) Was filled. As the adhesive 19, an epoxy-based photocurable adhesive (Luxtrac LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) was used. The adhesive 19 filled between the sealing material 17 and the transparent substrate 13 is irradiated with UV light from the glass substrate (sealing material 17) side to cure the adhesive 19 and seal the organic EL element 400. I stopped.

なお、有機EL素子400の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、5cm×5cmの透明基板13における中央の4.5cm×4.5cmを発光領域Aとし、発光領域Aの全周に幅0.25cmの非発光領域Bを設けた。また、アノードである透明電極1とカソードである対向電極5aとは、正孔輸送注入層31から電子注入層3eまでの発光機能層3によって絶縁された状態で、透明基板13の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。 In the formation of the organic EL element 400, a thin-film mask is used to form each layer, and the central 4.5 cm × 4.5 cm of the transparent substrate 13 of 5 cm × 5 cm is set as the light emitting region A, and the entire circumference of the light emitting region A is set. A non-emissive region B having a width of 0.25 cm was provided in the above. Further, the transparent electrode 1 as the anode and the counter electrode 5a as the cathode are in a state of being insulated by the light emitting functional layer 3 from the hole transport injection layer 31 to the electron injection layer 3e, and the terminal portion is formed on the peripheral edge of the transparent substrate 13. Was formed in a pulled-out shape.

以上のようにして、透明基板13上に有機EL素子400を設け、これを封止材17と接着剤19とで封止した発光パネル2−1を作製した。
発光パネル2−1においては、発光層3cで発生した各色の発光光hが、透明電極1側すなわち透明基板13側と、対向電極5a側すなわち封止材17側との両方から取り出される。
As described above, the organic EL element 400 was provided on the transparent substrate 13, and the light emitting panel 2-1 was prepared by sealing the organic EL element 400 with the sealing material 17 and the adhesive 19.
In the light emitting panel 2-1 the light emitting light h of each color generated in the light emitting layer 3c is taken out from both the transparent electrode 1 side, that is, the transparent substrate 13 side, and the counter electrode 5a side, that is, the sealing material 17 side.

(2)発光パネル2−2〜2−2−19の作製
発光パネル2−1の作製において、表2に示す透明電極に変更した以外は同様にして、発光パネル2−2〜2−16を作製した。
また、発光パネル2−17〜2−19の作製において、基板を無アルカリガラスからPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに変更した以外は同様にして、発光パネル2−17〜2−19を作製した。
(2) Preparation of light emitting panel 2-2-2-2-19 In the production of the light emitting panel 2-1 in the same manner except that the transparent electrode shown in Table 2 was used, the light emitting panel 2-2-2-16 was formed in the same manner. Made.
Further, in the production of the light emitting panels 2-17 to 2-19, the light emitting panels 2-17 to 2-19 were produced in the same manner except that the substrate was changed from non-alkali glass to PET (polyethylene terephthalate) film.

《発光パネルの評価》
作製した発光パネル2−1〜2−19について、下記の方法に従い、光透過率、駆動電圧、及び耐久性(輝度半減寿命)の測定を行った。
<< Evaluation of light emitting panel >>
With respect to the produced light emitting panels 2-1 to 2-19, the light transmittance, the driving voltage, and the durability (luminance half life) were measured according to the following methods.

(1)光透過率の測定
作製した各発光パネルについて、分光光度計(日立製作所製U−3300)を用い、各発光パネルの透明電極の基板をリファレンスとして、波長550nmにおける光透過率(%)を測定した。
測定結果を表2に示す。
(1) Measurement of light transmittance For each light emitting panel manufactured, a spectrophotometer (U-3300 manufactured by Hitachi, Ltd.) was used, and the light transmittance (%) at a wavelength of 550 nm was used as a reference with the substrate of the transparent electrode of each light emitting panel as a reference. Was measured.
The measurement results are shown in Table 2.

(2)駆動電圧の測定
作製した各発光パネルについて、各発光パネルの透明電極1側(すなわち透明基板13側)と、対向電極5a側(すなわち封止材17側)との両側での正面輝度を測定し、その和が1000cd/mとなるときの電圧を駆動電圧(V)として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ社製)を用いた。得られた駆動電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。
測定結果を表2に示す。
(2) Measurement of drive voltage For each light emitting panel produced, the front luminance on both sides of the transparent electrode 1 side (that is, the transparent substrate 13 side) and the counter electrode 5a side (that is, the sealing material 17 side) of each light emitting panel. Was measured, and the voltage when the sum was 1000 cd / m 2 was measured as the drive voltage (V). A spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta) was used for the measurement of the brightness. The smaller the value of the obtained drive voltage, the more preferable the result.
The measurement results are shown in Table 2.

(3)輝度半減寿命の測定
作製した各発光パネルを、室温下において2.5mA/cmの定電流条件下で連続発光させ、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。
測定結果を表2に示す。
なお、輝度半減寿命は、発光パネル2−4の輝度半減寿命を100とする相対値で示している。
(3) Measurement of half-luminance life The time required for each of the manufactured light-emitting panels to continuously emit light under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature to achieve half the brightness of the initial brightness (τ1 / 2). ) Was measured.
The measurement results are shown in Table 2.
The luminance half-life is shown as a relative value with the luminance half-life of the light emitting panel 2-4 as 100.

Figure 0006028668
Figure 0006028668

(4)まとめ
表2から明らかなように、本発明の透明電極を有機EL素子のアノードに用いた本発明の発光パネル2−5〜2−19は、いずれも光透過率が良好であり、かつ駆動電圧が低く抑えられていることがわかる。
また、耐久性(輝度半減寿命)においても、本発明の発光パネル2−5〜2−19が、比較例の発光パネル2−1〜2−4と比較して、優れていることがわかる。
(4) Summary As is clear from Table 2, all of the light emitting panels 2-5 to 2-19 of the present invention using the transparent electrode of the present invention as the anode of the organic EL element have good light transmittance. Moreover, it can be seen that the drive voltage is kept low.
It can also be seen that the light emitting panels 2-5 to 2-19 of the present invention are superior to the light emitting panels 2-1 to 2-4 of the comparative example in terms of durability (luminance half life).

これにより本発明の透明電極を用いた発光パネルは、低い駆動電圧で高輝度発光が可能であることが確認された。またこれにより、所定輝度を得るための駆動電圧の低減と、発光寿命の向上が見込まれることが確認された。 As a result, it was confirmed that the light emitting panel using the transparent electrode of the present invention can emit high-intensity light with a low driving voltage. It was also confirmed that this is expected to reduce the drive voltage for obtaining a predetermined brightness and improve the light emission life.

[実施例3]
《発光パネル3−1の作製》
実施例1と同様の方法で作製した透明電極をカソード(対向電極5a)として用いた両面発光型の発光パネル3−1〜3−19を作製した。以下、作製手順を説明する。
[Example 3]
<< Production of light emitting panel 3-1 >>
A double-sided light emitting panel 3-1 to 3-19 was produced using a transparent electrode produced in the same manner as in Example 1 as a cathode (opposite electrode 5a). The production procedure will be described below.

(1)発光パネル3−1の作製
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(AvanStrate株式会社製、NA−45)にパターニングを行った。その後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明基板13を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、透明電極1の形成面側に蒸着マスクを対向配置した。また、真空蒸着装置内の加熱ボードの各々に、発光機能層3を構成する各材料を、それぞれの層の成膜に最適な量で充填した。なお、加熱ボードはタングステン製抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
(1) Preparation of light emitting panel 3-1 On a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm, patterning was performed on a substrate (NA-45 manufactured by AvanStrate Inc.) in which ITO (indium tin oxide) was deposited at 100 nm as an anode. went. Then, the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaning was performed for 5 minutes.
The transparent substrate 13 was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus, and a vapor deposition mask was placed facing the formation surface side of the transparent electrode 1. In addition, each of the heating boards in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with each material constituting the light emitting functional layer 3 in an optimum amount for film formation of each layer. The heating board used was made of a tungsten resistance heating material.

次いで、真空蒸着装置の蒸着室内を真空度4×10−4Paまで減圧し、各材料が入った加熱ボードを順次通電して加熱することにより、以下のように各層を成膜した。 Next, the vapor deposition chamber of the vacuum vapor deposition apparatus was depressurized to a degree of vacuum of 4 × 10 -4 Pa, and a heating board containing each material was sequentially energized and heated to form a film of each layer as follows.

まず、正孔輸送注入材料としてα−NPDが入った加熱ボードに通電して加熱し、α−NPDよりなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送注入層31を、透明電極1を構成する導電性層1b上に成膜した。この際、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒、層厚20nmとした。 First, a heating board containing α-NPD as a hole transport injection material is energized and heated, and the hole transport injection layer 31 composed of α-NPD and also serves as a hole transport layer is transparent. A film was formed on the conductive layer 1b constituting the electrode 1. At this time, the vapor deposition rate was 0.1 to 0.2 nm / sec and the layer thickness was 20 nm.

次いで、ホスト材料H4の入った加熱ボードと、リン光発光性化合物Ir−4の入った加熱ボードとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料H4とリン光発光性化合物Ir−4とよりなる発光層3cを、正孔輸送注入層31上に成膜した。この際、蒸着速度がホスト材料H4:リン光発光性化合物Ir−4=100:6となるように、加熱ボードの通電を調節した。また、層厚は30nmとした。 Next, the heating board containing the host material H4 and the heating board containing the phosphorescent compound Ir-4 are independently energized, and the host material H4 and the phosphorescent compound Ir-4 emit light. The layer 3c was formed on the hole transport injection layer 31. At this time, the energization of the heating board was adjusted so that the vapor deposition rate was the host material H4: phosphorescent compound Ir-4 = 100: 6. The layer thickness was 30 nm.

次いで、正孔阻止材料としてBAlqが入った加熱ボードに通電して加熱し、BAlqよりなる正孔阻止層33を、発光層3c上に成膜した。この際、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒、層厚10nmとした。 Next, a heating board containing BAlq as a hole blocking material was energized and heated to form a hole blocking layer 33 made of BAlq on the light emitting layer 3c. At this time, the vapor deposition rate was 0.1 to 0.2 nm / sec and the layer thickness was 10 nm.

その後、電子輸送材料として下記構造式に示すET−6の入った加熱ボードと、フッ化カリウムの入った加熱ボードとを、それぞれ独立に通電し、ET−6とフッ化カリウムとよりなる電子輸送層3dを、正孔阻止層33上に成膜した。この際、蒸着速度がET−6:フッ化カリウム=75:25になるように、加熱ボードの通電を調節した。また層厚30nmとした。 After that, the heating board containing ET-6 shown in the following structural formula and the heating board containing potassium fluoride are independently energized as electron transport materials, and electron transport consisting of ET-6 and potassium fluoride is performed. The layer 3d was formed on the hole blocking layer 33. At this time, the energization of the heating board was adjusted so that the vapor deposition rate was ET-6: potassium fluoride = 75:25. The layer thickness was 30 nm.

Figure 0006028668
Figure 0006028668

次に、電子注入材料としてフッ化カリウムの入った加熱ボードに通電して加熱し、フッ化カリウムよりなる電子注入層3eを、電子輸送層3d上に成膜した。この際、蒸着速度0.01〜0.02nm/秒、層厚1nmとした。 Next, a heating board containing potassium fluoride as an electron injection material was energized and heated to form an electron injection layer 3e made of potassium fluoride on the electron transport layer 3d. At this time, the vapor deposition rate was 0.01 to 0.02 nm / sec, and the layer thickness was 1 nm.

その後、電子注入層3eまで成膜した透明基板13を、真空蒸着装置の蒸着室から、対向電極材料としてAgが取り付けられたスパッタ装置の処理室内に、真空状態を保持したまま移動させた。次いで、実施例1と同様に、処理室内において、成膜速度0.1〜0.2nm/秒で、層厚5nmのAgからなる光透過性の対向電極5aとして導電性層1bを、カソードとして成膜した。以上により透明基板13上に有機EL素子400を形成した。 Then, the transparent substrate 13 formed up to the electron injection layer 3e was moved from the vapor deposition chamber of the vacuum vapor deposition apparatus to the processing chamber of the sputtering apparatus to which Ag was attached as the counter electrode material while maintaining the vacuum state. Next, in the same manner as in Example 1, a conductive layer 1b was used as a cathode as a light-transmitting counter electrode 5a made of Ag having a layer thickness of 5 nm at a film formation rate of 0.1 to 0.2 nm / sec. A film was formed. As described above, the organic EL element 400 is formed on the transparent substrate 13.

その後、有機EL素子400を、厚さ300μmのガラス基板からなる封止材17で覆い、有機EL素子400を囲む状態で、封止材17と透明基板13との間に接着剤19(シール材)を充填した。接着剤19としては、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を用いた。封止材17と透明基板13との間に充填した接着剤19に対して、ガラス基板(封止材17)側からUV光を照射し、接着剤19を硬化させて有機EL素子400を封止した。 After that, the organic EL element 400 is covered with a sealing material 17 made of a glass substrate having a thickness of 300 μm, and an adhesive 19 (seal material) is placed between the sealing material 17 and the transparent substrate 13 in a state of surrounding the organic EL element 400. ) Was filled. As the adhesive 19, an epoxy-based photocurable adhesive (Luxtrac LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) was used. The adhesive 19 filled between the sealing material 17 and the transparent substrate 13 is irradiated with UV light from the glass substrate (sealing material 17) side to cure the adhesive 19 and seal the organic EL element 400. I stopped.

なお、有機EL素子400の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、5cm×5cmの透明基板13における中央の4.5cm×4.5cmを発光領域Aとし、発光領域Aの全周に幅0.25cmの非発光領域Bを設けた。また、アノードであるITO透明電極1とカソードであるAgからなる対向電極5aとは、正孔輸送注入層31〜電子注入層3eまでの発光機能層3によって絶縁された状態で、透明基板13の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。 In the formation of the organic EL element 400, a thin-film mask is used to form each layer, and the central 4.5 cm × 4.5 cm of the transparent substrate 13 of 5 cm × 5 cm is set as the light emitting region A, and the entire circumference of the light emitting region A is set. A non-emissive region B having a width of 0.25 cm was provided in the above. Further, the counter electrode 5a composed of the ITO transparent electrode 1 as the anode and the Ag as the cathode is insulated from the light emitting functional layer 3 from the hole transport injection layer 31 to the electron injection layer 3e on the transparent substrate 13. The terminal portion was formed in a pulled-out shape on the peripheral edge.

以上のようにして、透明基板13上に有機EL素子400を設け、これを封止材17と接着剤19とで封止した発光パネル2−1を作製した。
発光パネル1においては、発光層3cで発生した各色の発光光hが、透明電極1側、すなわち透明基板13側と、対向電極5a側すなわち封止材17側との両方から取り出される。
As described above, the organic EL element 400 was provided on the transparent substrate 13, and the light emitting panel 2-1 was prepared by sealing the organic EL element 400 with the sealing material 17 and the adhesive 19.
In the light emitting panel 1, the light emitted h of each color generated in the light emitting layer 3c is taken out from both the transparent electrode 1 side, that is, the transparent substrate 13 side, and the counter electrode 5a side, that is, the sealing material 17 side.

(2)発光パネル3−2〜3−19の作製
発光パネル3−1の作製において、対向電極5aを表3に示す透明電極に変更した以外は同様にして、発光パネル3−2〜3−16を作製した。
また、発光パネル3−17〜3−19の作製において、基板を無アルカリガラスからPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに変更した以外は同様にして、発光パネル3−17〜3−19を作製した。
(2) Preparation of light emitting panel 3-2-3-19 In the production of the light emitting panel 3-1 in the same manner except that the counter electrode 5a was changed to the transparent electrode shown in Table 3, the light emitting panel 3-2-3- 16 was made.
Further, in the production of the light emitting panels 3-17 to 3-19, the light emitting panels 3-17 to 3-19 were produced in the same manner except that the substrate was changed from non-alkali glass to PET (polyethylene terephthalate) film.

《発光パネルの評価》
作製した発光パネル3−2〜3−19について、下記の方法に従い、光透過率、駆動電圧、及び輝度半減寿命の測定を行った。
<< Evaluation of light emitting panel >>
With respect to the produced light emitting panel 3-2-3-19, the light transmittance, the driving voltage, and the half-luminance life were measured according to the following methods.

(1)光透過率の測定
作製した各発光パネルについて、分光光度計(日立製作所製U−3300)を用い、各発光パネルの透明電極の基板をリファレンスとして、波長550nmにおける光透過率(%)を測定した。
測定結果を表3に示す。
(1) Measurement of light transmittance For each light emitting panel manufactured, a spectrophotometer (U-3300 manufactured by Hitachi, Ltd.) was used, and the light transmittance (%) at a wavelength of 550 nm was used as a reference with the substrate of the transparent electrode of each light emitting panel as a reference. Was measured.
The measurement results are shown in Table 3.

(2)駆動電圧の測定
作製した各発光パネルについて、各発光パネルの透明電極1側(すなわち透明基板13側)と、対向電極5a側(すなわち封止材17側)との両側での正面輝度を測定し、その和が1000cd/mとなるときの電圧を駆動電圧(V)として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ社製)を用いた。得られた駆動電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。
測定結果を表3に示す。
(2) Measurement of drive voltage For each light emitting panel produced, the front luminance on both sides of the transparent electrode 1 side (that is, the transparent substrate 13 side) and the counter electrode 5a side (that is, the sealing material 17 side) of each light emitting panel. Was measured, and the voltage when the sum was 1000 cd / m 2 was measured as the drive voltage (V). A spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta) was used for the measurement of the brightness. The smaller the value of the obtained drive voltage, the more preferable the result.
The measurement results are shown in Table 3.

(3)輝度半減寿命の測定
作製した各発光パネルを、室温下において2.5mA/cmの定電流条件下で連続発光させ、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。
測定結果を表3に示す。
なお、輝度半減寿命は、発光パネル3−4の輝度半減寿命を100とする相対値で示している。
(3) Measurement of half-luminance life The time required for each of the manufactured light-emitting panels to continuously emit light under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature to achieve half the brightness of the initial brightness (τ1 / 2). ) Was measured.
The measurement results are shown in Table 3.
The luminance half-life is shown as a relative value with the luminance half-life of the light emitting panel 3-4 as 100.

Figure 0006028668
Figure 0006028668

(4)まとめ
表3から明らかなように、本発明の透明電極を有機EL素子のカソードに用いた発光パネル3−5〜3−19は、いずれも光透過率が良好であり、かつ駆動電圧が低く抑えられている。
また、耐久性(輝度半減寿命)においても、発光パネル3−5〜3−19が、比較例の発光パネル3−1〜3−4と比較して、優れていることがわかる。
(4) Summary As is clear from Table 3, all of the light emitting panels 3-5 to 3-19 using the transparent electrode of the present invention as the cathode of the organic EL element have good light transmittance and drive voltage. Is kept low.
It can also be seen that the light emitting panels 3-5 to 3-19 are superior to the light emitting panels 3 to 3 to 4 of the comparative example in terms of durability (luminance half life).

これにより本発明の透明電極を用いた発光パネルは、低い駆動電圧で高輝度発光が可能であることが確認された。またこれにより、所定輝度を得るための駆動電圧の低減と、発光寿命の向上が見込まれることが確認された。 As a result, it was confirmed that the light emitting panel using the transparent electrode of the present invention can emit high-intensity light with a low driving voltage. It was also confirmed that this is expected to reduce the drive voltage for obtaining a predetermined brightness and improve the light emission life.

1 透明電極
1a 中間層
1b 導電性層
3 発光機能層
3a 正孔注入層
3b 正孔輸送層
3c 発光層
3d 電子輸送層
3e 電子注入層
5a、5b、5c 対向電極
11 基板
13、131 透明基板(基板)
13a、17a 光取り出し面
15 補助電極
17 封止材
19 接着剤
21 照明装置
22 発光パネル
23 支持基板
31 正孔輸送注入層
33 正孔阻止層
100、200、300、400 有機EL素子
A 発光領域
B 非発光領域
h 発光光
1 Transparent electrode 1a Intermediate layer 1b Conductive layer 3 Light emitting functional layer 3a Hole injection layer 3b Hole transport layer 3c Light emitting layer 3d Electron transport layer 3e Electron injection layer 5a, 5b, 5c Opposite electrode 11 Substrate 13, 131 Transparent substrate ( substrate)
13a, 17a Light extraction surface 15 Auxiliary electrode 17 Encapsulant 19 Adhesive 21 Lighting device 22 Light emitting panel 23 Support substrate 31 Hole transport injection layer 33 Hole blocking layer 100, 200, 300, 400 Organic EL element A Light emitting region B Non-emission area h Emission light

Claims (8)

中間層と、前記中間に隣接して成膜された導電性層と、を備える透明電極であって、
前記導電性層は、銀を主成分として含有し、
前記中間層は、ヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を分子内に2個以上有する芳香族複素環化合物を含有することを特徴とする透明電極。
An intermediate layer, a transparent electrode and a deposited electrically conductive layer adjacent to on the intermediate layer,
The conductive layer contains silver as a main component and contains silver as a main component.
The intermediate layer is a transparent electrode containing an aromatic heterocyclic compound having two or more aromatic heterocyclic groups in the molecule having three or more heteroatoms.
前記芳香族複素環化合物が、下記一般式(1)で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項1に記載の透明電極。
Figure 0006028668
〔一般式(1)において、E〜Eは炭素原子又は窒素原子を表し、このうち少なくとも二つは炭素原子を表す。Rは置換基を表す。m1は0〜4の整数を表す。m1が2以上の場合、Rは同じ置換基であっても異なる置換基であってもよい。Dはヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を表す。n1は2〜6の整数を表す。複数のDは、同じであっても異なっていてもよい。〕
The transparent electrode according to claim 1, wherein the aromatic heterocyclic compound is a compound having a structure represented by the following general formula (1).
Figure 0006028668
[In the general formula (1), E 1 to E 6 represent carbon atoms or nitrogen atoms, and at least two of them represent carbon atoms. R 1 represents a substituent. m1 represents an integer from 0 to 4. If m1 is 2 or more, R 1 may be a different substituents be the same substituent. D 1 represents an aromatic heterocyclic group having 3 or more heteroatoms. n1 represents an integer of 2 to 6. The plurality of D 1s may be the same or different. ]
前記芳香族複素環化合物が、下記一般式(2)で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項1に記載の透明電極。
Figure 0006028668
〔一般式(2)において、XはNR12、酸素原子又は硫黄原子を表す。R12は水素原子若しくは置換基を表す。E11〜E18は炭素原子又は窒素原子を表し、このうち少なくとも二つは炭素原子を表す。m11は0〜6の整数を表す。R11は置換基を表す。m11が2以上の場合、R11は同じであっても異なっていてもよい。D11はヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を表す。n11は2〜8の整数を表す。複数のD11は、同じであっても異なっていてもよい。〕
The transparent electrode according to claim 1, wherein the aromatic heterocyclic compound is a compound having a structure represented by the following general formula (2).
Figure 0006028668
[In the general formula (2), X represents NR 12 , an oxygen atom or a sulfur atom. R 12 represents a hydrogen atom or a substituent. E 11 to E 18 represent carbon atoms or nitrogen atoms, of which at least two represent carbon atoms. m11 represents an integer from 0 to 6. R 11 represents a substituent. If m11 is 2 or more, R 11 may be different even in the same. D 11 represents an aromatic heterocyclic group having 3 or more heteroatoms. n11 represents an integer of 2-8. The plurality of D 11s may be the same or different. ]
前記芳香族複素環化合物が、下記一般式(3)で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項1に記載の透明電極。
Figure 0006028668
〔一般式(3)において、E21〜E30は炭素原子又は窒素原子を表し、このうち少なくとも二つは炭素原子を表す。R21は置換基を表す。m21は0〜8の整数を表す。m11が2以上の場合、R21は、同じであっても異なってもよい。D21はヘテロ原子を3個以上有する芳香族複素環基を表す。n21は2〜10の整数を表す。複数のD11は、同じであっても異なっていてもよい。〕
The transparent electrode according to claim 1, wherein the aromatic heterocyclic compound is a compound having a structure represented by the following general formula (3).
Figure 0006028668
[In the general formula (3), E 21 to E 30 represent a carbon atom or a nitrogen atom, and at least two of them represent a carbon atom. R 21 represents a substituent. m21 represents an integer from 0 to 8. If m11 is 2 or more, R 21 may be the same or different. D 21 represents an aromatic heterocyclic group having 3 or more heteroatoms. n21 represents an integer of 2 to 10. The plurality of D 11s may be the same or different. ]
前記ヘテロ原子が、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であることを特徴とする請求項1から請求項4までに記載の透明電極。 The transparent electrode according to claim 1 to 4, wherein the hetero atom is a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom. 前記芳香族複素環基が、五員環であることを特徴とする請求項1から請求項5までに記載の透明電極。 The transparent electrode according to claim 1 to 5, wherein the aromatic heterocyclic group is a five-membered ring. 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の透明電極を備えることを特徴とする電子デバイス。 An electronic device comprising the transparent electrode according to any one of claims 1 to 6. 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の透明電極を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 An organic electroluminescence device comprising the transparent electrode according to any one of claims 1 to 6.
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