JP2012056991A - Conductive thienopyrazine copolymer composition - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、透明導電膜の材料として有用である導電性チエノピラジン共重合体組成物に関するものである。 The present invention relates to a conductive thienopyrazine copolymer composition useful as a material for a transparent conductive film.
透明導電膜は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネル等の透明電極、又は電磁波シールド材等の基材のコーティング等に用いられている。 The transparent conductive film is used for coating of a transparent electrode such as a liquid crystal display, a plasma display, an electroluminescence display, an electrochromic display, a solar battery and a touch panel, or a substrate such as an electromagnetic shielding material.
最も広く汎用されている透明導電膜は、インジウム−スズの複合酸化物(ITO)の蒸着膜である。このITOの蒸着膜は、ITOの主原料であるインジウムが希少金属であるため、資源問題による価格高騰や安定供給の確保によって原料コストが高く、さらに成膜工程において高温処理が必要であるため、成膜コストも高いものである。また、ITO等の無機酸化物で形成された透明導電膜は、基材のゆがみによりクラックが入りやすく、そのため導電性が低下しやすいものである。 The most widely used transparent conductive film is a deposited film of indium-tin composite oxide (ITO). Since this ITO vapor deposition film is a rare metal indium, which is the main raw material for ITO, the raw material cost is high due to the rising prices and stable supply due to resource problems, and further high temperature treatment is required in the film formation process. The film formation cost is also high. Moreover, the transparent conductive film formed with inorganic oxides, such as ITO, is easy to crack by the distortion of a base material, Therefore, it is a thing which electroconductivity falls easily.
これらの問題点を改善するものとして、ITO代替材料の開発が精力的に行われている。特にフレキシブルディスプレイ等の次世代エレクトロニクスデバイス用途を想定した場合、導電性高分子による有機物代替技術は、その導電性高分子が軽量で加工しやすいことや形状の自由度が高く柔軟性を示すこと等の様々な利点を有することから、有望な手段である。 In order to improve these problems, vigorous development of ITO substitute materials has been carried out. Especially when assuming next-generation electronic device applications such as flexible displays, the organic substance replacement technology using conductive polymers is that the conductive polymers are lightweight and easy to process, have high degree of freedom in shape, and exhibit flexibility. This is a promising means because of its various advantages.
導電性高分子として、チオフェン、ピロール、アニリン、それらの誘導体を重合したものが数多く開示されている。例えば、π共役系導電性高分子にドープしたポリアニオンと、塩基性有機化合物とのイオン対を、有機溶剤を含む溶媒中に分散してなる導電性組成物、及びそれを使用した透明導電膜が開示されている(特許文献1)。このようなπ共役系高分子にドーパントを注入することで金属様の性質を発現することが知られている。その中でも、特にポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との複合体(PEDOT/PSS)は、導電性が高い共役高分子の1つであり、一部で水分散液として実用化されているが(非特許文献1)、有機溶媒への溶解性が低く加工性に劣る。その他、太陽電池や発光デバイス等に有用である導電性薄膜の材料としてPEDOT/PSSの研究がされているが(非特許文献2、3、4)、PEDOT/PSSは水分散型が中心であり、分散粒子が凝集してしまうことや、水を使うことからエレクトロニクス分野においてデバイスの性能低下を引き起こしてしまうこと等、その使用工程において課題がある。 Many conductive polymers obtained by polymerizing thiophene, pyrrole, aniline, and derivatives thereof have been disclosed. For example, a conductive composition obtained by dispersing an ion pair of a polyanion doped with a π-conjugated conductive polymer and a basic organic compound in a solvent containing an organic solvent, and a transparent conductive film using the same (Patent Document 1). It is known that a metal-like property is expressed by injecting a dopant into such a π-conjugated polymer. Among them, in particular, a complex of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) is one of conjugated polymers having high conductivity, and partly as an aqueous dispersion Although it has been put into practical use (Non-patent Document 1), its solubility in organic solvents is low and its processability is poor. In addition, PEDOT / PSS has been studied as a material for conductive thin films useful for solar cells and light emitting devices (Non-Patent Documents 2, 3, and 4), but PEDOT / PSS is mainly water-dispersed. There are problems in the process of use, such as aggregation of dispersed particles and the use of water, which causes a reduction in device performance in the electronics field.
このように十分な性能を満たす材料は得られていないため、溶媒への溶解性が高く加工性に優れており、高い導電性と透明性とを有する透明導電膜を形成することができる材料が切望されている。 Since no material satisfying such a sufficient performance has been obtained, a material that is highly soluble in a solvent and excellent in workability, and that can form a transparent conductive film having high conductivity and transparency. Longed for.
本発明は前記の課題を解決するためになされたもので、高い溶解性を示し、加工性に優れたものであって、高い導電性と透明性とを有する透明導電膜の材料として有用である導電性チエノピラジン共重合体組成物を提供することを目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and exhibits high solubility, excellent workability, and is useful as a material for a transparent conductive film having high conductivity and transparency. An object is to provide a conductive thienopyrazine copolymer composition.
前記の目的を達成するためになされた、特許請求の範囲の請求項1に記載された導電性チエノピラジン共重合体組成物は、下記化学式(I)
R7−[X1−(CH2)a]b−(X2)c− ・・・(II)
(式(II)中、R7は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、X1及びX2は同一又は異なる酸素原子若しくは硫黄原子、[X1−(CH2)a]は繰り返し単位毎にX1と−(CH2)a−とが同一又は異なり、aは1〜20、bは0〜20、cは0〜1)で示される側鎖基]で表される繰り返し単位を有するチエノピラジン共重合体と、ドーパントとを含有していることを特徴とする。
The conductive thienopyrazine copolymer composition according to claim 1, which has been made to achieve the above object, has the following chemical formula (I):
R 7 - [X 1 - ( CH 2) a] b - (X 2) c - ··· (II)
(In formula (II), R 7 is a hydrogen atom, or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, X 1 and X 2 are the same or different oxygen atoms or sulfur atoms, [X 1 - (CH 2) a] for each repeating unit X 1 and - (CH 2) a - the same or different, side a is 1 to 20, b is 0 to 20, c is represented by 0 or 1) A thienopyrazine copolymer having a repeating unit represented by a chain group] and a dopant.
請求項2に記載の導電性チエノピラジン共重合体組成物は、請求項1に記載されたものであって、前記化学式(I)中、R3及びR6がそれぞれ水素原子であることを特徴とする。 The conductive thienopyrazine copolymer composition according to claim 2 is the composition according to claim 1, wherein R 3 and R 6 are each a hydrogen atom in the chemical formula (I), To do.
請求項3に記載の導電性チエノピラジン共重合体組成物は、請求項1に記載されたものであって、前記化学式(I)中、R3及びR6がそれぞれ水素原子、R4及びR5が前記化学式(II)中のb及びcの少なくとも一方を正数とし、又はb=c=0でR7を前記アルキル基とする前記側鎖基であることを特徴とする。 The conductive thienopyrazine copolymer composition according to claim 3 is the composition according to claim 1, wherein, in the chemical formula (I), R 3 and R 6 are a hydrogen atom, R 4 and R 5 , respectively. Is a side chain group in which at least one of b and c in the chemical formula (II) is a positive number, or b = c = 0 and R 7 is the alkyl group.
請求項4に記載の透明導電膜は、基材上に、請求項1に記載の導電性チエノピラジン共重合体組成物が硬化していることを特徴とする。 The transparent conductive film according to claim 4 is characterized in that the conductive thienopyrazine copolymer composition according to claim 1 is cured on a substrate.
本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物は、透明性と導電性とに優れた透明導電膜の材料として用いることができる。この導電性チエノピラジン共重合体組成物は、溶媒に高い溶解性を示し安定であるため、透明導電膜としての加工性に優れており簡便に透明導電膜を形成することができる。 The conductive thienopyrazine copolymer composition of the present invention can be used as a material for a transparent conductive film excellent in transparency and conductivity. Since this conductive thienopyrazine copolymer composition is highly stable and exhibits high solubility in a solvent, it is excellent in processability as a transparent conductive film and can easily form a transparent conductive film.
本発明の透明導電膜は、高い溶解性と加工性とを有する導電性チエノピラジン共重合体組成物を用いて煩雑な工程を必要とせずに原料コスト及び成膜コストを抑えて多量に生産することができるものであって、かつ優れた透明性と導電性とを示すことができる。 The transparent conductive film of the present invention can be produced in large quantities using a conductive thienopyrazine copolymer composition having high solubility and workability, without requiring complicated steps and suppressing raw material costs and film formation costs. And can exhibit excellent transparency and conductivity.
以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの形態に限定されるものではない。 Hereinafter, although the form for implementing this invention is demonstrated in detail, the scope of the present invention is not limited to these forms.
本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物は、前記化学式(I)に表される繰り返し単位を有するチエノピラジン共重合体とドーパントと溶媒とを含有しているものである。 The conductive thienopyrazine copolymer composition of the present invention contains a thienopyrazine copolymer having a repeating unit represented by the chemical formula (I), a dopant, and a solvent.
前記化学式(I)中、R3、R4、R5及びR6が表す前記化学式(II)において、[X1−(CH2)a]の繰り返し単位は、X1がそれぞれ酸素原子のみ又は硫黄原子のみであってもよく、両原子が規則的又は不規則的に含有されているものであってもよい。 In the chemical formula (II) represented by R 3 , R 4 , R 5 and R 6 in the chemical formula (I), the repeating unit of [X 1- (CH 2 ) a ] is such that X 1 is only an oxygen atom or Only a sulfur atom may be sufficient and both atoms may be contained regularly or irregularly.
前記化学式(I)及び(II)において、R1、R2及びR7が表す炭素数1〜20の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−ヘキサデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、2−メチルヘキシル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロプロピル基等が挙げられる。 In the chemical formulas (I) and (II), examples of the linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 1 , R 2 and R 7 include a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, n-hexadecyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group , 2-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, cyclohexyl group, cyclopropyl group and the like.
前記化学式(I)において、R1及びR2が表すアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。 In the chemical formula (I), examples of the aryl group represented by R 1 and R 2 include a phenyl group and a naphthyl group.
前記化学式(I)において、W及びYが表す2価のチオフェン環としては、例えば、チオフェン、3−メチルチオフェン、3−エチルチオフェン、3−プロピルチオフェン、3−ブチルチオフェン、3−ペンチルチオフェン、3−ヘキシルチオフェン、3−ヘプチルチオフェン、3−デシルチオフェン、3−ドデシルチオフェン、3−ヘキサデシルチオフェン、3−(2−エチルエキシル)チオフェン、3−メトキシチオフェン、3−エトキシチオフェン、3−プロポキシチオフェン、3−ブトキシチオフェン、3−ペンチルオキシチオフェン、3−ヘキシルオキシチオフェン、3−デシルオキシチオフェン、3−ドデシルオキシチオフェン、3−ヘキサデシルオキシチオフェン、3−〔2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ〕チオフェン、3−{2−〔2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ〕エトキシ}チオフェン、〔2−(2−エトキシエトキシ)エトキシ〕エトキシ}チオフェン、3−〔2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ〕メチルチオフェン、3,4−エチレンジオキシチオフェン等が挙げられる。 Examples of the divalent thiophene ring represented by W and Y in the chemical formula (I) include thiophene, 3-methylthiophene, 3-ethylthiophene, 3-propylthiophene, 3-butylthiophene, 3-pentylthiophene, 3 -Hexylthiophene, 3-heptylthiophene, 3-decylthiophene, 3-dodecylthiophene, 3-hexadecylthiophene, 3- (2-ethylexyl) thiophene, 3-methoxythiophene, 3-ethoxythiophene, 3-propoxythiophene, 3 -Butoxythiophene, 3-pentyloxythiophene, 3-hexyloxythiophene, 3-decyloxythiophene, 3-dodecyloxythiophene, 3-hexadecyloxythiophene, 3- [2- (2-methoxyethoxy) ethoxy] thiophene 3- {2- [2- (2-methoxyethoxy) ethoxy] ethoxy} thiophene, [2- (2-ethoxyethoxy) ethoxy] ethoxy} thiophene, 3- [2- (2-methoxyethoxy) ethoxy] methylthiophene 3,4-ethylenedioxythiophene and the like.
これらのアルキル基及び2価のチオフェン環は、置換基を有してもよく、かかる置換基としては、例えば、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状、又は環状であるアルキル基、アルコキシ基等、前記で列挙した置換基が挙げられる。 These alkyl groups and divalent thiophene rings may have a substituent. Examples of the substituent include a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group. Examples of the substituents listed above include groups.
列挙したアルキル基、アリール基、2価のチオフェン環及び置換基は、具体例であって、これらに限定されるものではない。 The listed alkyl group, aryl group, divalent thiophene ring and substituent are specific examples and are not limited thereto.
以下に前記化学式(I)で表されるチエノピラジン共重合体の具体例を化学式(1)〜(26)として示すが、本発明はこれに限定されるものではない。 Specific examples of the thienopyrazine copolymer represented by the chemical formula (I) are shown as chemical formulas (1) to (26) below, but the present invention is not limited thereto.
前記化学式(I)及び化学式(1)〜(26)で示されるチエノピラジン共重合体の構造の結合配列は、位置規則的にヘッド−テイル繰返構造が配列したものであってもよく、ヘッド−ヘッド繰返構造、及び/又はテイル−テイル繰返構造が配列したものであってもよい。これらのチエノピラジン共重合体の数平均分子量は、1,000〜2,000,00の範囲であると好ましく、2,000〜500,000の範囲であるとより好ましい。 The bond arrangement of the thienopyrazine copolymer structure represented by the chemical formula (I) and the chemical formulas (1) to (26) may be a head-tail repeating structure arranged in a positional order. The head repeating structure and / or the tail-tail repeating structure may be arranged. The number average molecular weight of these thienopyrazine copolymers is preferably in the range of 1,000 to 2,000,00, and more preferably in the range of 2,000 to 500,000.
本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物は、前記化学式(I)で表されるチエノピラジン共重合体にドーパントを作用させ、導電性を付与することであるドーピングによって得ることができる。 The conductive thienopyrazine copolymer composition of the present invention can be obtained by doping which is to impart conductivity by allowing a dopant to act on the thienopyrazine copolymer represented by the chemical formula (I).
ドーパントは、チエノピラジン共重合体を酸化還元させることにより導電性を向上できるものであれば、特に制限はなく、公知の種々の電子供与性物質や電子吸引性物質を適宜選択し、用いることができる。中でも、電子吸引性物質をドーパントとして用いることが好ましい。電子吸引性物質は、酸化され正の電荷を帯びた前記化学式(I)で示されるチエノピラジン共重合体に対するカウンターアニオンとして機能する。 The dopant is not particularly limited as long as the conductivity can be improved by oxidizing and reducing the thienopyrazine copolymer, and various known electron donating substances and electron withdrawing substances can be appropriately selected and used. . Among these, it is preferable to use an electron-withdrawing substance as a dopant. The electron-withdrawing substance functions as a counter anion for the thienopyrazine copolymer represented by the chemical formula (I) that is oxidized and has a positive charge.
ドーパントとして使用される電子吸引物質は、具体的に、ハロゲンとしてCl2、Br2、I2、ICl、IBr、及びIF、ルイス酸としてPF5、AsF5、SbF5、BF3、BCl3、BBr3、及びSO3、プロトン酸としてHF、HCl、HNO3、H2SO4、HClO4、FSO3H、CISO3H、CF3SO3H、p−トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、カンファースルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、その他各種有機酸、及びアミノ酸等、遷移金属化合物としてFeCl3、Fe(ClO4)3、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、NbF5、NbCl5、TaCl5、MoF5、MoCl5、UF6、及びLnCl3(Ln=La、Ce、Pr、Nd、Sm等のランタノイド)、電解質アニオンとしてCl−、Br−、I−、ClO4 −、AlCl4 −、FeCl4 −、SnCl5 −、PF6 −、AsF6 −、SbF6 −、BF4 −、NO3 −、SO4 2−、p−トルエンスルホン酸アニオン、ナフタレンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオン、ドデシルベンゼンスルホン酸アニオン、及びその他各種有機酸アニオン等、FSO2OOSO2F、AgClO4、H2IrCl6、La(NO3)3・6H2O等が挙げられる。電子吸引物質はこれらに限定されるものではない。 Electron withdrawing materials used as dopants are specifically Cl 2 , Br 2 , I 2 , ICl, IBr, and IF as halogens, PF 5 , AsF 5 , SbF 5 , BF 3 , BCl 3 , IF as Lewis acids, BBr 3, and SO 3, HF as a proton acid, HCl, HNO 3, H 2 SO 4, HClO 4, FSO 3 H, CISO 3 H, CF 3 SO 3 H, p- toluenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid, camphor As transition metal compounds such as sulfonic acid, dodecylbenzene sulfonic acid, polystyrene sulfonic acid, polyvinyl sulfonic acid, other various organic acids, and amino acids, FeCl 3 , Fe (ClO 4 ) 3 , TiCl 4 , ZrCl 4 , HfCl 4 , NbF 5 , NbCl 5, TaCl 5, MoF 5, MoCl 5, UF Cl, and LnCl 3 as (Ln = La, Ce, Pr , Nd, lanthanoid Sm, etc.), electrolyte anions -, Br -, I -, ClO 4 -, AlCl 4 -, FeCl 4 -, SnC l5 -, PF 6 -, AsF 6 -, SbF 6 -, BF 4 -, NO 3 -, SO 4 2-, p- toluenesulfonate anion, a naphthalenesulfonic acid anion, camphorsulfonic acid anion, dodecylbenzenesulfonic acid anion, and various other Examples include organic acid anions such as FSO 2 OOSO 2 F, AgClO 4 , H 2 IrCl 6 , La (NO 3 ) 3 .6H 2 O, and the like. The electron withdrawing substance is not limited to these.
本発明に含有されるドーパントは1種を単独で用いられてもよく、又は2種以上を併用して用いられてもよい。このドーパントの添加方法は、特に限定されず、例えば、重合後に所望のドーパントを適宜添加することができる。 The dopant contained in this invention may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. The addition method of this dopant is not specifically limited, For example, a desired dopant can be added suitably after superposition | polymerization.
本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物におけるドーパントの含有率は、特に制限はなく、任意に選択することができるが、1〜50質量%の範囲であると好ましい。その含有量は、導電性チエノピラジン共重合体組成物の調製工程において、イオン交換樹脂や種々ろ過法等によって、適宜調製することができる。 There is no restriction | limiting in particular in the content rate of the dopant in the electroconductive thienopyrazine copolymer composition of this invention, Although it can select arbitrarily, It is preferable in it being the range of 1-50 mass%. The content can be appropriately adjusted by an ion exchange resin, various filtration methods, or the like in the step of preparing the conductive thienopyrazine copolymer composition.
本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物は、チエノピラジン共重合体とドーパントとの必須構成成分の他に、溶媒が含まれていてもよい。溶媒としては、特に限定されず、チエノピラジン共重合体組成物が分散、及び溶解するものであればよく、例えば、水、メタノール、エタノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、1,2―エタンジオール等のセロソロブ類、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム等のハロゲン化類等が挙げられる。これらの溶媒に対して、チエノピラジン共重合体は高い溶解性を示す。 The conductive thienopyrazine copolymer composition of the present invention may contain a solvent in addition to the essential components of the thienopyrazine copolymer and the dopant. The solvent is not particularly limited as long as it can disperse and dissolve the thienopyrazine copolymer composition. For example, water, alcohols such as methanol, ethanol, butanol and octanol, and ketones such as acetone and methyl ethyl ketone. , Ethers such as diisopropyl ether and tetrahydrofuran, cellosorob such as 1,2-ethanediol, aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane and octane, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, chlorobenzene, dichlorobenzene, And halogenated compounds such as chloroform. The thienopyrazine copolymer shows high solubility in these solvents.
さらに、導電性チエノピラジン共重合体組成物には、チエノピラジン共重合体、ドーパント、及び溶媒の成分の他に、必要に応じて任意の添加剤を含有してもよく、その添加するタイミングも任意に選択することができる。添加剤としては、公知の添加剤等の中から適宜選択することができ、例えば、紫外線吸収剤、酸化防止剤、劣化防止剤、重合禁止剤、表面改質剤、脱泡剤、可塑剤、抗菌剤等が挙げられる。これらの添加剤は、1種を単独で使用してもよく、又は2種以上を併用して使用してもよい。 Furthermore, the conductive thienopyrazine copolymer composition may contain any additive as necessary in addition to the thienopyrazine copolymer, dopant, and solvent components, and the timing of addition thereof is also arbitrary. You can choose. The additive can be appropriately selected from known additives, for example, ultraviolet absorbers, antioxidants, deterioration inhibitors, polymerization inhibitors, surface modifiers, defoamers, plasticizers, Examples include antibacterial agents. These additives may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.
化学式(I)で表される繰り返し単位を含むチエノピラジン共重合体の製法は、特に制限されず、クロスカップリング重合法、化学酸化重合法、電解重合法など如何なる合成方法であってもよい。例えば、ジャーナル オブ ポリマー サイエンス パートA:ポリマー ケミストリー(Journal of Polymer Science:Part A:Polymer Chemistry),2002年,第40巻,p.2360−2372、マクロモレキュラーズ(Macromolecules),2006年,第39巻,p.8712−8719、マクロモレキュラーズ(Macromolecules),2008年,第41巻,p.6952−6959、に挙げられる文献を参考に、下記化学反応式(A)に示すように、金属錯体存在下で、クロスカップリングする方法により共重合体を得ることができる。 The method for producing the thienopyrazine copolymer containing the repeating unit represented by the chemical formula (I) is not particularly limited, and may be any synthetic method such as a cross-coupling polymerization method, a chemical oxidation polymerization method, or an electrolytic polymerization method. For example, Journal of Polymer Science Part A: Polymer Chemistry, 2002, Vol. 40, pp. 2360-2372, Macromolecules, 2006, Vol. 39 , P.8712-8719, Macromolecules, 2008, Vol. 41, p.6952-6959, as shown in the following chemical reaction formula (A), a metal complex exists. Below, a copolymer can be obtained by the method of cross coupling.
前記化学反応式(A)において、R1、R2、R3、R4、R5、R6、W、及びYは、前記化学式(I)及び(II)と同様のものであり、L及びL’は同一又は異なるハロゲン原子である脱離基であり、Q及びQ’は同一又は異なり、−MgCl、−MgBr、−MgI、−ZnCl、−ZnBr、−ZnI、及び−Sn(Aky)3から選ばれる基である。なお式中、m〜nは整数であってもよい。ここでAkyとは、アルキル基を示す。 In the chemical reaction formula (A), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , W, and Y are the same as those in the chemical formulas (I) and (II), and L And L ′ are leaving groups that are the same or different halogen atoms, Q and Q ′ are the same or different, and —MgCl, —MgBr, —MgI, —ZnCl, —ZnBr, —ZnI, and —Sn (Aky) 3 is a group selected from 3 ; In the formula, m to n may be integers. Here, Aky represents an alkyl group.
上記のクロスカップリング重合法で得られたチエノピラジン共重合体は、中性状態を示しており、ドーピング工程を経て、導電性を有する導電性チエノピラジン共重合体組成物となる。 The thienopyrazine copolymer obtained by the above cross-coupling polymerization method is in a neutral state, and becomes a conductive thienopyrazine copolymer composition having conductivity through a doping step.
このようにして得られた本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物は、優れた透明性と電気伝導性とを有する透明導電膜の材料として有用である。この中性状態のチエノピラジン共重合体を透明基材に塗布した後に、前記のドーピング操作を行い導電性チエノピラジン共重合体組成物とし透明導電膜を形成してもよく、又は、チエノピラジン共重合体とドーパントとを含む導電性チエノピラジン共重合体組成物を透明基材に塗布し成膜することによって透明導電膜を形成してもよい。 The conductive thienopyrazine copolymer composition of the present invention thus obtained is useful as a material for a transparent conductive film having excellent transparency and electrical conductivity. After applying this neutral state thienopyrazine copolymer to a transparent substrate, the above-mentioned doping operation may be performed to form a transparent conductive film as a conductive thienopyrazine copolymer composition, or a thienopyrazine copolymer and A transparent conductive film may be formed by applying a conductive thienopyrazine copolymer composition containing a dopant to a transparent substrate and forming a film.
透明基材としては特に制限はなく、その材料、形状、厚み等については公知のものから任意に選択することができ、例えば、ガラスや樹脂材料が挙げられる。 There is no restriction | limiting in particular as a transparent base material, About the material, a shape, thickness, etc., it can select arbitrarily from well-known things, For example, glass and a resin material are mentioned.
樹脂材料としては、公知のものから任意に選択することが可能で、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリフッ化ビニリデン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、酢酸セルロース、硝酸セルロース、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂等が挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、又は2種以上を併用して使用してもよい。 The resin material can be arbitrarily selected from known materials, such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polyvinyl chloride resin, polyethersulfone resin, polycarbonate resin, polystyrene resin. , Polyimide resin, polyetherimide resin, polyvinyl acetate resin, polyvinylidene chloride resin, polyvinylidene fluoride resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl acetal resin, polyvinyl butyral resin, polyacrylonitrile resin, polyolefin resin, polyamide resin, polybutadiene resin, acetic acid Examples thereof include cellulose, cellulose nitrate, and acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer resin. These may be used alone or in combination of two or more.
本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物を用いて得られる透明導電膜の厚みは、特に制限は無く、任意に選択することが可能であるが、導電性、透明性、及び基材との接着性等を考慮すると、例えば0.01〜10μmであると好ましい。 The thickness of the transparent conductive film obtained by using the conductive thienopyrazine copolymer composition of the present invention is not particularly limited and can be arbitrarily selected. Considering adhesiveness and the like, it is preferably 0.01 to 10 μm, for example.
透明導電膜の電気抵抗値としては、表面抵抗率として、10000Ω/□以下であることが好ましく、1000Ω/□以下であることが更に好ましい。表面抵抗率は、例えばJIS−K6911、ASTM D257等に準拠して測定することができ、また市販の表面抵抗率計を用いて簡便に測定することができる。 The electrical resistance value of the transparent conductive film is preferably 10,000 Ω / □ or less, more preferably 1000 Ω / □ or less, as the surface resistivity. The surface resistivity can be measured based on, for example, JIS-K6911, ASTM D257, etc., and can be easily measured using a commercially available surface resistivity meter.
透明導電膜の可視光線透過率としては、70%以上であることが好ましく、80%以上であることが更に好ましく、90%以上であることが最も好ましい。 The visible light transmittance of the transparent conductive film is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and most preferably 90% or more.
本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物を用いて得られる透明導電膜の形成方法としては、特に制限は無く、公知の方法の中から適宜選択することができ、例えば、塗布法や印刷法等が好適に挙げられる。これらは1種の単独の方法であってもよく、2種以上を併用した方法であってもよい。 The method for forming the transparent conductive film obtained using the conductive thienopyrazine copolymer composition of the present invention is not particularly limited and can be appropriately selected from known methods. For example, a coating method or a printing method. Etc. are preferable. These may be a single method, or a method using two or more in combination.
塗布法としては特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法、ロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、グラビアコート法、カーテンコート法、ダイコート法、スプレーコート法、ドクターコート法等を挙げることができる。印刷法としては特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択することができ、例えば、スクリーン印刷法、スプレー印刷法、インクジェット印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法等を挙げることができる。 There is no restriction | limiting in particular as a coating method, It can select suitably from well-known methods, for example, a spin coat method, a roll coat method, a bar coat method, a dip coating method, a gravure coat method, a curtain coat method, a die coat method , Spray coating method, doctor coating method and the like. The printing method is not particularly limited and can be appropriately selected from known methods. Examples include screen printing methods, spray printing methods, ink jet printing methods, letterpress printing methods, intaglio printing methods, lithographic printing methods, and the like. be able to.
透明導電膜は、透明基材上の全面に形成されていてもよく、又は電極や配線パターンを形成する等部分的に形成されていてもよい。 The transparent conductive film may be formed on the entire surface of the transparent substrate, or may be partially formed such as forming an electrode or a wiring pattern.
以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。 Examples of the present invention will be described in detail below, but the scope of the present invention is not limited to these examples.
本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物に用いられるチエノピラジン共重合体の合成を合成例1〜5に示し、得られたチエノピラジン共重合体を含有する導電性チエノピラジン共重合体組成物、及びそれを用いてその薄膜を調製して透明導電膜を作製した例を実施例1〜15に示す。 Synthesis of thienopyrazine copolymer used in the conductive thienopyrazine copolymer composition of the present invention is shown in Synthesis Examples 1 to 5, and the conductive thienopyrazine copolymer composition containing the obtained thienopyrazine copolymer, and the same Examples 1 to 15 show examples in which a thin film was prepared using a transparent conductive film.
得られたチエノピラジン共重合体の数平均分子量(Mn)及び重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比である分散度(Mw/Mn)は、検出器として示差屈折率計を用い、溶離液としてテトラヒドロフランを用いたゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)測定により、標準ポリスチレンで作成した検量線による換算値として求めた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained thienopyrazine copolymer and the dispersity (Mw / Mn), which is the ratio of the weight average molecular weight (Mw) to the number average molecular weight (Mn), are measured using a differential refractometer as a detector. It was determined by gel permeation chromatography (GPC) measurement using tetrahydrofuran as an eluent and calculated as a conversion value using a calibration curve prepared with standard polystyrene.
GPC測定:カラムとして、TSK−gel SuperMultipore HZ−M(商品名:東ソー株式会社製、)2本を直列につないだものを使用し、カラム温度40℃、溶離液の流速0.35mL/分の条件で測定した。 GPC measurement: A column in which two TSK-gel SuperMultipore HZ-M (trade name: manufactured by Tosoh Corporation) are connected in series is used, the column temperature is 40 ° C., and the eluent flow rate is 0.35 mL / min. Measured under conditions.
<合成例1>
下記化学式(III)に示されるポリ〔2,5−ジデルオキシ−1,4−フェニレン−5,7−ジチエン−2−イル−チエノ〔3,4−b〕ピラジン〕(チエノピラジン共重合体1)の合成
Of poly [2,5-dideroxy-1,4-phenylene-5,7-dithien-2-yl-thieno [3,4-b] pyrazine] (thienopyrazine copolymer 1) represented by the following chemical formula (III) Composition
<合成例2>
下記化学式(IV)に示されるポリ〔2,5−ジデルオキシ−1,4−フェニレン−alt−5,7−ビス(3−ヘキシルチオフェン−2−イル)−チエノ〔3,4−b〕ピラジン〕(チエノピラジン共重合体2)の合成
Poly [2,5-dideroxy-1,4-phenylene-alt-5,7-bis (3-hexylthiophen-2-yl) -thieno [3,4-b] pyrazine] represented by the following chemical formula (IV) Synthesis of (thienopyrazine copolymer 2)
<合成例3>
下記化学式(V)に示されるポリ〔2,5−ジデシルオキシ−1,4−フェニレン−alt−2,3−ジドデシル−5,7−ジチエン−2−イル〕チエノ〔3,4−b〕ピラジン(チエノピラジン共重合体3)の合成
Poly [2,5-didecyloxy-1,4-phenylene-alt-2,3-didodecyl-5,7-dithien-2-yl] thieno [3,4-b] pyrazine represented by the following chemical formula (V) Synthesis of thienopyrazine copolymer 3)
<合成例4>
下記化学式(VI)に示されるポリ〔2,5−ジヘキシルデシルオキシ−1,4−フェニレン−5,7−ジチエン−2−イル−チエノ〔3,4−b〕ピラジン〕(チエノピラジン共重合体4)の合成
Poly [2,5-dihexyldecyloxy-1,4-phenylene-5,7-dithien-2-yl-thieno [3,4-b] pyrazine] (thienopyrazine copolymer 4) represented by the following chemical formula (VI) ) Synthesis
<合成例5>
下記化学式(VII)に示されるポリ〔2,5−ジデシルオキシ−1,4−フェニレン−alt−5,7−(チエノ〔3,4−b〕ピラジン)(チエノピラジン共重合体5)の合成
Synthesis of poly [2,5-didecyloxy-1,4-phenylene-alt-5,7- (thieno [3,4-b] pyrazine) (thienopyrazine copolymer 5) represented by the following chemical formula (VII)
<調製例>
(PEDOT/PSS分散体の調製)
ポリスチレンスルホン酸(PSS)を1重量%含む水溶液19gに、1%硫酸鉄(III)水溶液を490mg、濃硝酸を300mg、3,4−エチレンジオキシチオフェンを90mg、及び11重量%ぺルオキソ二硫酸水溶液を1.2g添加した。この反応液を18℃で20時間攪拌した。次いで、この反応混合物にイオン交換樹脂を加えて2時間攪拌した後、イオン交換樹脂をろ別して脱塩を行い、ポリ(3,4−チレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との複合物の分散体(固形分1.42%)を得た。
<Preparation example>
(Preparation of PEDOT / PSS dispersion)
19 g of an aqueous solution containing 1% by weight of polystyrene sulfonic acid (PSS), 490 mg of 1% iron (III) sulfate aqueous solution, 300 mg of concentrated nitric acid, 90 mg of 3,4-ethylenedioxythiophene, and 11% by weight of peroxodisulfuric acid 1.2 g of aqueous solution was added. The reaction was stirred at 18 ° C. for 20 hours. Subsequently, after adding an ion exchange resin to this reaction mixture and stirring for 2 hours, the ion exchange resin is filtered and desalted to disperse a composite of poly (3,4-tylenedithiothiophene) and polystyrenesulfonic acid. The product (solid content 1.42%) was obtained.
<実施例1>
(組成物1−1による薄膜作製)
5mgのチエノピラジン共重合体1を1mlのクロロベンゼンに溶解させた。この液を、ガラス板(2.5cm×2.5cm×0.1cm)に滴下しスピンコーターにて1000rpmで30秒回転させ、約50nmの薄膜を作製した。その後、得られた薄膜を、ヨウ素雰囲気下に1時間さらした。
<Example 1>
(Thin film production by composition 1-1)
5 mg of thienopyrazine copolymer 1 was dissolved in 1 ml of chlorobenzene. This liquid was dropped on a glass plate (2.5 cm × 2.5 cm × 0.1 cm) and rotated at 1000 rpm for 30 seconds with a spin coater to produce a thin film of about 50 nm. Thereafter, the obtained thin film was exposed to an iodine atmosphere for 1 hour.
<実施例2>
(組成物1−2による薄膜作製)
チエノピラジン共重合体1の薄膜を実施例1と同様の方法で作製した。その後、得られた薄膜を、0.3M過塩素酸テトラブチルアンモニウム−アセトニトリル溶液に浸漬し、電圧をかけた。その後、水、アセトンで洗浄し、風乾した。
<Example 2>
(Thin film production by composition 1-2)
A thin film of thienopyrazine copolymer 1 was produced in the same manner as in Example 1. Thereafter, the obtained thin film was immersed in a 0.3 M tetrabutylammonium perchlorate-acetonitrile solution and a voltage was applied. Then, it wash | cleaned with water and acetone, and air-dried.
<実施例3>
(組成物1−3による薄膜作製)
チエノピラジン共重合体1の薄膜を実施例1と同様の方法で作製した。その後、得られた薄膜を、0.3Mのp−トルエンスルホン酸テトラブチルアンモニウム−アセトニトリル溶液に浸漬し、電圧をかけた。その後、水、アセトンで洗浄し、風乾した。
<Example 3>
(Thin film preparation with composition 1-3)
A thin film of thienopyrazine copolymer 1 was produced in the same manner as in Example 1. Thereafter, the obtained thin film was immersed in a 0.3 M solution of tetrabutylammonium p-toluenesulfonate-acetonitrile and a voltage was applied. Then, it wash | cleaned with water and acetone, and air-dried.
<実施例4>
(組成物2−1による薄膜作製)
実施例1のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体2を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 4>
(Thin film production by composition 2-1)
The same operation was performed except that the thienopyrazine copolymer 2 was used instead of the thienopyrazine copolymer 1 of Example 1.
<実施例5>
(組成物2−2による薄膜作製)
実施例2のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体2を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 5>
(Thin film production by composition 2-2)
The same operation was performed except that thienopyrazine copolymer 2 was used instead of thienopyrazine copolymer 1 of Example 2.
<実施例6>
(組成物2−3による薄膜作製)
実施例3のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体2を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 6>
(Thin film production by composition 2-3)
The same operation was performed except that the thienopyrazine copolymer 2 was used in place of the thienopyrazine copolymer 1 of Example 3.
<実施例7>
(組成物3−1による薄膜作製)
実施例1のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体3を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 7>
(Thin film production by composition 3-1)
The same operation was performed except that the thienopyrazine copolymer 3 was used in place of the thienopyrazine copolymer 1 of Example 1.
<実施例8>
(組成物3−2による薄膜作製)
実施例2のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体3を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 8>
(Thin film production by composition 3-2)
The same operation was performed except that thienopyrazine copolymer 3 was used instead of thienopyrazine copolymer 1 of Example 2.
<実施例9>
(組成物3−3による薄膜作製)
実施例3のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体3を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 9>
(Thin film production by composition 3-3)
The same operation was performed except that thienopyrazine copolymer 3 was used instead of thienopyrazine copolymer 1 of Example 3.
<実施例10>
(組成物4−1による薄膜作製)
実施例1のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体4を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 10>
(Thin film production by composition 4-1)
The same operation was performed except that thienopyrazine copolymer 4 was used instead of thienopyrazine copolymer 1 of Example 1.
<実施例11>
(組成物4−2による薄膜作製)
実施例2のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体4を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 11>
(Thin film production by composition 4-2)
The same operation was performed except that thienopyrazine copolymer 4 was used instead of thienopyrazine copolymer 1 of Example 2.
<実施例12>
(組成物4−3による薄膜作製)
実施例3のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体4を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 12>
(Thin film production by composition 4-3)
The same operation was performed except that thienopyrazine copolymer 4 was used instead of thienopyrazine copolymer 1 of Example 3.
<実施例13>
(組成物5−1による薄膜作製)
実施例1のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体5を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 13>
(Thin film production by composition 5-1)
The same operation was performed except that thienopyrazine copolymer 5 was used instead of thienopyrazine copolymer 1 of Example 1.
<実施例14>
(組成物5−2による薄膜作製)
実施例2のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体5を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 14>
(Preparation of thin film by composition 5-2)
The same operation was performed except that thienopyrazine copolymer 5 was used instead of thienopyrazine copolymer 1 of Example 2.
<実施例15>
(組成物5−3による薄膜作製)
実施例3のチエノピラジン共重合体1の代わりにチエノピラジン共重合体5を用いた以外は同様の操作を行った。
<Example 15>
(Preparation of thin film by composition 5-3)
The same operation was performed except that thienopyrazine copolymer 5 was used instead of thienopyrazine copolymer 1 of Example 3.
<比較例>
調製例で作製したPEDOT/PSS分散体を、ガラス板(2.5cm×2.5cm×0.1cm)に滴下しスピンコーターにて1000rpmで30秒回転させ、約400nmの薄膜を作製した。
<Comparative example>
The PEDOT / PSS dispersion produced in the preparation example was dropped on a glass plate (2.5 cm × 2.5 cm × 0.1 cm) and rotated at 1000 rpm for 30 seconds with a spin coater to produce a thin film of about 400 nm.
<電気伝導度の測定>
実施例1〜15及び比較例で得られた薄膜の電気伝導度を、4探針方式の測定器(三菱化学株式会社製 MCP−T610)により測定した。それらの結果を表1に示す。
<Measurement of electrical conductivity>
The electrical conductivities of the thin films obtained in Examples 1 to 15 and the comparative example were measured with a 4-probe type measuring instrument (MCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). The results are shown in Table 1.
<透過率の測定>
実施例1〜15及び比較例で得られた薄膜の透過率を、紫外可視分光光度計(UV−VIS−NIR)(株式会社島津製作所製 Solidspec−3700)にて測定した。それらの結果を表1に示す。
<Measurement of transmittance>
The transmittance | permeability of the thin film obtained in Examples 1-15 and the comparative example was measured with the ultraviolet visible spectrophotometer (UV-VIS-NIR) (Shimadzu Corporation Solidspec-3700). The results are shown in Table 1.
表1から明らかであるように、本発明である実施例1〜15の導電性チエノピラジン共重合体組成物を用いた薄膜は、比較例であるPEDOT/PSS分散体を用いた薄膜に比べて、高い電気伝導度を示し、さらに高い透過率を示した。以上の結果から、本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物が透明導電膜の材料として有用であることが確認できた。 As is clear from Table 1, the thin film using the conductive thienopyrazine copolymer composition of Examples 1 to 15 according to the present invention is compared with the thin film using the PEDOT / PSS dispersion as a comparative example. It showed high electrical conductivity and higher transmittance. From the above results, it was confirmed that the conductive thienopyrazine copolymer composition of the present invention was useful as a material for the transparent conductive film.
本発明の導電性チエノピラジン共重合体組成物は、透明性が高く、優れた導電性を示す透明導電膜の材料として用いることができる。また、導電性チエノピラジン共重合体組成物により形成された透明導電膜は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネル等の透明電極、コンデンサー、二次電池、接続用部材、高分子半導体素子、帯電防止コーティング、帯電防止包装材等の帯電防止材、電磁波シールド材、更に、転写ベルト、現像ロール、帯電ロール、転写ロール等の電子写真機器部品等に用いることができる。 The conductive thienopyrazine copolymer composition of the present invention is highly transparent and can be used as a material for a transparent conductive film exhibiting excellent conductivity. Moreover, the transparent conductive film formed from the conductive thienopyrazine copolymer composition is used for transparent electrodes such as liquid crystal displays, plasma displays, electroluminescence displays, electrochromic displays, solar cells, touch panels, capacitors, secondary batteries, and connections. It can be used for members, polymer semiconductor elements, antistatic materials such as antistatic coatings, antistatic packaging materials, electromagnetic shielding materials, and electrophotographic equipment parts such as transfer belts, developing rolls, charging rolls, transfer rolls, etc. .
Claims (4)
R7−[X1−(CH2)a]b−(X2)c− ・・・(II)
(式(II)中、R7は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、X1及びX2は同一又は異なる酸素原子若しくは硫黄原子、[X1−(CH2)a]は繰り返し単位毎にX1と−(CH2)a−とが同一又は異なり、aは1〜20、bは0〜20、cは0〜1)で示される側鎖基]
で表される繰り返し単位を有するチエノピラジン共重合体と、ドーパントとを含有していることを特徴とする導電性チエノピラジン共重合体組成物。 The following chemical formula (I)
R 7 - [X 1 - ( CH 2) a] b - (X 2) c - ··· (II)
(In formula (II), R 7 is a hydrogen atom, or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, X 1 and X 2 are the same or different oxygen atoms or sulfur atoms, [X 1 - (CH 2) a] for each repeating unit X 1 and - (CH 2) a - the same or different, side a is 1 to 20, b is 0 to 20, c is represented by 0 or 1) Chain group]
A conductive thienopyrazine copolymer composition comprising a thienopyrazine copolymer having a repeating unit represented by formula (I) and a dopant.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014521761A (en) * | 2011-11-21 | 2014-08-28 | クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー | Direct CH arylation process using palladium-based catalyst |
JP2014211964A (en) * | 2013-04-17 | 2014-11-13 | コニカミノルタ株式会社 | Transparent electrode, electronic device and organic electroluminescent element |
JP2019095724A (en) * | 2017-11-28 | 2019-06-20 | 国立大学法人千葉大学 | Display element |
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