JP6024351B2 - Conductive film, organic electroluminescence element, and method of manufacturing conductive film - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示素子、有機発光素子、無機電界発光素子、太陽電池、電磁波シールド、電子ペーパー、タッチパネル等の各種分野において好適に用いることができる導電膜、及び、当該導電膜を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子(以後、有機EL素子ともいう)、並びに、導電膜の製造方法に関する。 The present invention relates to a conductive film that can be suitably used in various fields such as a liquid crystal display element, an organic light emitting element, an inorganic electroluminescent element, a solar cell, an electromagnetic wave shield, electronic paper, and a touch panel, and an organic film using the conductive film. The present invention relates to an electroluminescence element (hereinafter also referred to as an organic EL element) and a method for manufacturing a conductive film .

近年、薄型テレビ需要の高まりに伴い、液晶・プラズマ・有機エレクトロルミネッセンス・フィールドエミッション等、各種方式のディスプレイ技術が開発されている。これら表示方式の異なる何れのディスプレイにおいても、透明電極は必須の構成技術となっている。また、テレビ以外のタッチパネル、携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子等においても、透明電極は欠くことのできない技術要素となっている。   In recent years, various types of display technologies such as liquid crystal, plasma, organic electroluminescence, and field emission have been developed in response to the increasing demand for flat-screen TVs. In any of these displays with different display methods, the transparent electrode is an essential constituent technology. In addition, transparent electrodes are an indispensable technical element in touch panels other than televisions, mobile phones, electronic paper, various solar cells, various electroluminescence light control devices, and the like.

従来、透明電極としては、ガラスや透明なプラスチックフィルム等の透明基材上に、インジウム−スズの複合酸化物(ITO)膜を真空蒸着法やスパッタリング法で製膜したITO透明電極が主に使用されてきた。しかし、ITOに用いられているインジウムはレアメタルであり、かつ価格の高騰により、脱インジウムが望まれている。また、ディスプレイの大画面化、生産性向上に伴い、フレキシブル基板を用いたロール to ロールの生産技術が所望されている。   Conventionally, as the transparent electrode, an ITO transparent electrode in which an indium-tin composite oxide (ITO) film is formed on a transparent substrate such as glass or a transparent plastic film by a vacuum deposition method or a sputtering method is mainly used. It has been. However, indium used in ITO is a rare metal and removal of indium is desired due to the rising price. Also, roll-to-roll production technology using a flexible substrate has been desired along with an increase in display screen and productivity.

近年、このような大面積かつ低抵抗値が要求される製品にも対応できるよう、パターン状に形成された金属細線に導電性ポリマー等の透明電極を積層し、電流の面均一性と高い導電性を併せ持つ透明導電フィルムが開発されている。   In recent years, a transparent electrode such as a conductive polymer has been laminated on a thin metal wire formed in a pattern so that it can be used for products that require such a large area and low resistance. A transparent conductive film having both properties has been developed.

しかしながら、このような構成では、有機電子デバイスのリークの原因となる金属細線の凹凸を、導電性ポリマー等の透明電極でなだらかにする必要があり、導電性ポリマーの厚膜化が必須となる。しかし、導電性ポリマーは可視光領域に吸収を有するため、厚膜化すると、透明電極の透明性が著しく低下してしまうという問題があった。
導電性と透明性とを両立する方法として、細線構造部上へ導電性ポリマーを積層する技術、導電性繊維上に導電性ポリマーと水溶剤に均一分散可能なバインダー樹脂を用いる技術(例えば、特許文献1参照)、及び高温、高湿度環境下における高い導電性、透明性及び平滑性を実現する技術が開示されている。
However, in such a configuration, it is necessary to smooth the irregularities of the fine metal wires that cause leakage of the organic electronic device with a transparent electrode such as a conductive polymer, and it is essential to increase the thickness of the conductive polymer. However, since the conductive polymer has absorption in the visible light region, there is a problem that the transparency of the transparent electrode is remarkably lowered when the film is thickened.
As a method of achieving both conductivity and transparency, a technique of laminating a conductive polymer on a fine wire structure part, a technique of using a binder resin that can be uniformly dispersed in a conductive polymer and an aqueous solvent on a conductive fiber (for example, patents) Reference 1), and a technique for realizing high conductivity, transparency and smoothness in a high temperature and high humidity environment is disclosed.

また、フレキシブル基板を用いたロール to ロールの生産技術において、取り扱いの観点からポリマーフィルムが広く使用されているが、低温且つ短時間での乾燥が所望されている。乾燥負荷低減する方法として、透明電極を構成する材料中の水溶性ポリマー含有量が少ないことが要求され、水溶性ポリマー含有量が少ない導電性材料として、ポリエステル系エマルジョンを用いた導電性組成物(例えば、特許文献2参照)、また粒子を利用することにより、乾燥負荷を低減する技術として、ポリオレフィン系樹脂粒子を含む樹脂粒子からなる導電性組成物(例えば、特許文献3参照)等が知られている。   In roll-to-roll production technology using a flexible substrate, polymer films are widely used from the viewpoint of handling, but drying at a low temperature and in a short time is desired. As a method for reducing the drying load, it is required that the content of the water-soluble polymer in the material constituting the transparent electrode is small, and a conductive composition using a polyester emulsion as a conductive material having a low water-soluble polymer content ( For example, see Patent Document 2), and as a technique for reducing the drying load by using particles, a conductive composition composed of resin particles containing polyolefin resin particles (for example, see Patent Document 3) is known. ing.

特開2010−244746号公報JP 2010-244746 A 特開2009−230885号公報JP 2009-230885 A 特開2011−116860号公報JP 2011-116860 A

しかし、特許文献1に記載された技術においても高温、高湿度環境下における十分な性能が得られず、導電性、透明性及び平滑性を維持することは困難であるという問題があった。また、特許文献2,3に記載された材料では乾燥性不十分のため、環境試験時に水等の揮発成分が層間拡散し、電極及び有機EL素子に悪影響を及ぼし、所望の保存性能が得られないという問題があった。さらに、相溶性不十分、又は、有機粒子及び無機粒子中の粗大粒子の影響で、導電膜のヘイズや表面粗さの性能が得られなかったり、所望の膜物性が得られない等の理由から有機EL素子の性能が悪化するおそれがあるという問題があった。   However, the technique described in Patent Document 1 also has a problem that sufficient performance under a high temperature and high humidity environment cannot be obtained, and it is difficult to maintain conductivity, transparency, and smoothness. In addition, since the materials described in Patent Documents 2 and 3 are insufficiently dry, volatile components such as water diffuse between layers during an environmental test, adversely affect the electrode and the organic EL element, and desired storage performance can be obtained. There was no problem. Furthermore, due to insufficient compatibility or coarse particles in organic and inorganic particles, haze and surface roughness performance of the conductive film cannot be obtained, or desired film physical properties cannot be obtained. There existed a problem that the performance of an organic EL element might deteriorate.

本発明は、前記問題に鑑みなされたものであり、透明性、導電性及び膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても透明性、導電性及び膜強度の劣化が少ない導電膜及び当該導電膜の製造方法、並びに、当該導電膜を用いた、発光均一性に優れ、高温、高湿度環境下においても発光均一性の劣化が少なく、発光寿命に優れる有機EL素子を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and has excellent transparency, conductivity, and film strength, and a conductive film that is less deteriorated in transparency, conductivity, and film strength even in a high temperature and high humidity environment. PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a conductive film, and an organic EL device having excellent light emission uniformity, little deterioration in light emission uniformity even in a high temperature and high humidity environment, and excellent light emission life using the conductive film. And

本発明の上記課題は、以下の構成により解決される。
1.基材上に、パターン状に形成された金属材料を含む第1導電層と、少なくともカチオン性π共役導電性高分子化合物、ポリアニオンと水系溶剤に分散可能なポリマーを含有する有機化合物層からなる第2導電層と、を備え、前記有機化合物層は、カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオンの少なくとも一種を含有し、前記第2導電層は、前記第1導電層と電気的に接続されていることを特徴とする導電膜。
2.前記カチオン性π共役導電性高分子化合物は、ポリチオフェン類であることを特徴とする前記1に記載の導電膜。
3.前記カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオンは、スルホン酸アニオン、クロルアニオン、パークロレートイオンのいずれか一種を含有することを特徴とする前記1又は2に記載の導電膜。
4.前記有機化合物層は、平均粒径300nm以下の微粒子を含有することを特徴とする前記1から3のいずれかに記載の導電膜。
5.前記1から4のいずれかに記載の導電膜を電極として備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
6.基材上に、少なくともカチオン性π共役導電性高分子化合物、ポリアニオンと水系溶剤に分散可能なポリマーを含有する有機化合物層を形成するステップと、前記有機化合物層を低分子スルホン酸化合物、第二鉄化合物含有低級アルコールで表面処理することによって、カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオンの少なくとも一種を前記有機化合物層に導入するステップと、を含むことを特徴とする導電膜の製造方法。
7.基材上に、パターン状に形成された金属材料含有導電性層を形成するステップと、前記基材上に、少なくともカチオン性π共役導電性高分子化合物、ポリアニオンと水系溶剤に分散可能なポリマーを含有する有機化合物層を形成するステップと、前記有機化合物層を低分子スルホン酸化合物、第二鉄化合物含有低級アルコールで表面処理することによって、カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオンの少なくとも一種を前記有機化合物層に導入するステップと、を含むことを特徴とする導電膜の製造方法。
The above-described problems of the present invention are solved by the following configuration.
1. A first conductive layer comprising a metal material formed in a pattern on a substrate, and an organic compound layer containing at least a cationic π-conjugated conductive polymer compound, a polyanion and a polymer dispersible in an aqueous solvent . comprising a second conductive layer, wherein the organic compound layer contains at least one cationic π-conjugated conductive polymer compound and a counter salt with low molecular anions, said second conductive layer, the first conductive layer And a conductive film which is electrically connected to the conductive film.
2. 2. The conductive film according to 1 above, wherein the cationic π-conjugated conductive polymer compound is a polythiophene.
3. 3. The conductive material according to 1 or 2 , wherein the low molecular anion capable of counter-salt with the cationic π-conjugated conductive polymer compound contains any one of a sulfonate anion, a chloro anion, and a perchlorate ion. film.
4). 4. The conductive film according to any one of 1 to 3, wherein the organic compound layer contains fine particles having an average particle size of 300 nm or less.
5. 5. An organic electroluminescence device comprising the conductive film according to any one of 1 to 4 as an electrode.
6). Forming on the substrate an organic compound layer containing at least a cationic π-conjugated conductive polymer compound, a polyanion and a polymer dispersible in an aqueous solvent, the organic compound layer being a low molecular weight sulfonic acid compound, a second Introducing at least one kind of low molecular anion capable of salting with a cationic π-conjugated conductive polymer compound into the organic compound layer by surface treatment with an iron compound-containing lower alcohol. Manufacturing method of electrically conductive film.
7). Forming a metal material-containing conductive layer formed in a pattern on a base material; and at least a cationic π-conjugated conductive polymer compound, a polyanion and a polymer dispersible in an aqueous solvent on the base material A step of forming an organic compound layer to be contained, and a surface treatment of the organic compound layer with a low-molecular sulfonic acid compound and a ferric compound-containing lower alcohol can counteract the cationic π-conjugated conductive polymer compound. Introducing at least one kind of low-molecular anion into the organic compound layer.

本発明により、透明性、導電性及び膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても透明性、導電性及び膜強度の劣化が少ない導電膜、並びに、当該導電膜を用いた、発光均一性に優れ、高温、高湿度環境下においても発光均一性の劣化が少なく、発光寿命に優れる有機EL素子を提供することができる。   According to the present invention, a conductive film that is excellent in transparency, conductivity, and film strength, and has little deterioration in transparency, conductivity, and film strength even in a high temperature and high humidity environment, and uniform light emission using the conductive film It is possible to provide an organic EL element that is excellent in lightness, has little deterioration in light emission uniformity even in a high temperature and high humidity environment, and has an excellent light emission lifetime.

本発明の実施形態に係る導電膜の一例を示す概略図であり、(a)は上面図、(b)は(a)のX矢視断面図である。It is the schematic which shows an example of the electrically conductive film which concerns on embodiment of this invention, (a) is a top view, (b) is X arrow sectional drawing of (a).

従来、導電膜において、基材上に導電層を形成する塗布液としては、導電性及び透過率を両立させるために、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンポリスルホネート(PEDOT/PSS)等の水分散性導電性ポリマーとバインダー樹脂とを含有する組成物が開発されてきた。   Conventionally, as a coating liquid for forming a conductive layer on a substrate in a conductive film, water dispersion such as 3,4-polyethylenedioxythiophene polysulfonate (PEDOT / PSS) is used in order to achieve both conductivity and transmittance. A composition containing a conductive conductive polymer and a binder resin has been developed.

また、バインダー樹脂としては、水分散性導電性ポリマーとの相溶性の観点から、親水性のバインダー樹脂が検討されてきた。しかし、基材に対してフレキシブル性の要求が高まっていることから、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムを基材として使用すると、フィルム変形を避ける観点から、基材としてガラス基板を使用した場合と比べて、乾燥温度を低温とする必要がある。また、PEDOT/PSSと相溶することが知られている水酸基含有バインダー樹脂は、酸性条件下で水酸基が脱水反応を起こしポリマー鎖間で架橋するが、低温で乾燥させた場合には架橋不良が起こり、その結果、保存中に架橋反応が進行し水が発生するばかりか、膜中に残存する水の影響で導電膜及び導電膜を用いた素子性能が著しく劣化するおそれがあった。この問題を解決するために、従来の導電膜においては、乾燥後に膜中に残存する水分量を低減する必要があった。   As binder resins, hydrophilic binder resins have been studied from the viewpoint of compatibility with water-dispersible conductive polymers. However, since the demand for flexibility is increasing for the base material, using a resin film such as polyethylene terephthalate as the base material, from the viewpoint of avoiding film deformation, compared to the case of using a glass substrate as the base material The drying temperature needs to be low. In addition, the hydroxyl group-containing binder resin known to be compatible with PEDOT / PSS causes a hydroxyl group to undergo a dehydration reaction under acidic conditions and crosslinks between polymer chains. As a result, the cross-linking reaction progresses during storage and water is generated, and the conductive film and the device performance using the conductive film may be significantly deteriorated due to the water remaining in the film. In order to solve this problem, in the conventional conductive film, it was necessary to reduce the amount of moisture remaining in the film after drying.

水等の溶媒との相互作用が小さいバインダー樹脂として、ポリマーエマルジョンが知られている。ポリマーエマルジョンのうち、ポリエステル系エマルジョン、アクリル系エマルジョン、ポリエチレン系エマルジョン、ポリウレタン系エマルジョン等には、ポリマー主鎖、側鎖に親水性部位であるエステル基、ウレタン基が多く導入されているばかりでなく、溶剤への分散性を高めるために、スルホン酸、カルボン酸、水酸基、アンモニウム等の親水性基が存在する。ポリマー中に親水性部位が多く存在すると、低温、短時間の乾燥では水を放出しにくく、導電膜及び導電膜を用いた有機EL素子の性能が劣化するおそれがあるという問題があった。すなわち、導電膜の乾燥性を向上させるためには、導電膜を構成する導電性ポリマー、メインバインダー樹脂の使用量を減量することが必要不可欠となる。   As a binder resin having a small interaction with a solvent such as water, a polymer emulsion is known. Among polymer emulsions, polyester emulsions, acrylic emulsions, polyethylene emulsions, polyurethane emulsions, etc. not only have many ester groups and urethane groups introduced into the polymer main chain and side chains, which are hydrophilic sites. In order to improve the dispersibility in a solvent, hydrophilic groups such as sulfonic acid, carboxylic acid, hydroxyl group and ammonium are present. If there are many hydrophilic sites in the polymer, there is a problem that it is difficult to release water by drying at a low temperature for a short time, and the performance of the conductive film and the organic EL device using the conductive film may be deteriorated. That is, in order to improve the drying property of the conductive film, it is indispensable to reduce the amount of the conductive polymer and the main binder resin constituting the conductive film.

本発明者らは、これらの現象を改良すべく鋭意検討した結果、導電性高分子化合物に低分子ドーパントを付与することにより導電性高分子化合物の導電性を向上させ、その結果膜厚を低減することで、導電性ポリマー、メインバインダー樹脂の使用量を減量、又は、さらに微粒子を添加することで、導電性ポリマー、メインバインダー樹脂の使用量を減量する本発明の構成を想到するに至った。   As a result of intensive studies to improve these phenomena, the present inventors have improved the conductivity of the conductive polymer compound by adding a low molecular dopant to the conductive polymer compound, resulting in a reduction in film thickness. As a result, the amount of the conductive polymer and main binder resin used was reduced, or the amount of the conductive polymer and main binder resin used was reduced by further adding fine particles. .

すなわち、本発明の課題が、導電性高分子化合物にドーパント機能を有する低分子アニオンを付与することに伴う導電性向上、又は、さらに微粒子を添加することにより解決できることが判明し、本発明の構成を得るに至った。   That is, it has been found that the problem of the present invention can be solved by improving the conductivity accompanying the addition of a low molecular anion having a dopant function to the conductive polymer compound, or further adding fine particles. I came to get.

カチオン性π共役導電性高分子化合物とポリアニオンからなる導電性高分子化合物は、ドーパントとして機能するポリアニオンはユニットが共有結合しており、スルホン酸、カルボン酸等のドーパント機能部位がカチオン性π共役導電性高分子化合物に対して必ずしも有効な、コンフォメーションになっていない。カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオンの導入は、カチオン性π共役導電性高分子化合物の導電性発現を向上させる機能がある。また、水系溶剤に分散可能なポリマーはスルホン酸、カルボン酸、アンモニウム、水酸基等の親水性基を保有しており、カチオン性π共役導電性高分子化合物、ポリアニオン及び低分子アニオンと相溶性が良く、水溶液中では粒子状態で存在するカチオン性π共役導電性高分子化合物、ポリアニオンからなる導電性高分子化合物をほどく役割を担い、導電性高分子化合物同志の接点を増やすことで導電性向上機能を果たしている。   The conductive polymer compound consisting of a cationic π-conjugated conductive polymer compound and a polyanion has a unit that is covalently bonded to the polyanion that functions as a dopant, and the dopant functional sites such as sulfonic acid and carboxylic acid are cationic π-conjugated conductive It is not necessarily an effective conformation for the conductive polymer compound. Introduction of a low molecular anion capable of counter-salt with a cationic π-conjugated conductive polymer compound has a function of improving the electrical conductivity of the cationic π-conjugated conductive polymer compound. In addition, polymers that can be dispersed in aqueous solvents have hydrophilic groups such as sulfonic acid, carboxylic acid, ammonium, and hydroxyl group, and have good compatibility with cationic π-conjugated conductive polymer compounds, polyanions and low-molecular anions. It plays a role in unwinding cationic π-conjugated conductive polymer compounds and polyanions composed of cationic π-conjugated conductive polymer compounds that exist in the form of particles in aqueous solution, and increases conductivity by increasing the number of contacts between conductive polymer compounds. Plays.

本発明は、低分子アニオンとして、低分子のスルホン酸アニオン、クロリド、過塩素酸イオン等のドーパント機能を有する低分子アニオンを用いる、又は、さらに微粒子を添加することによって、導電膜の透明性と導電性を両立し、かつ膜強度に優れ、さらに高温、高湿度環境下における環境試験後でも高い導電性と透明性及び良好な膜強度を併せ持ち、バインダー樹脂由来の水の発生を抑制することで、安定性の優れた導電膜及び当該導電膜を用いた高寿命の有機EL素子が得られることを見出したものである。   The present invention uses a low molecular anion having a dopant function such as a low molecular sulfonate anion, chloride, perchlorate ion, or the addition of fine particles as the low molecular anion, By having both conductivity and excellent film strength, and also having high conductivity and transparency and good film strength even after environmental tests under high temperature and high humidity environment, it suppresses the generation of water derived from binder resin. The present inventors have found that a conductive film having excellent stability and a long-life organic EL element using the conductive film can be obtained.

以下、本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る導電膜の一例を示す概略図であり、(a)は上面図、(b)は(a)のX矢視断面図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. 1A and 1B are schematic views showing an example of a conductive film according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a top view and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along arrow X in FIG.

図1に示すように、本発明の実施形態に係る導電膜1は、基材11と、第1導電層12と、第2導電層13と、を備える。第1導電層12は、パターン状に形成された金属材料からなり、第2導電層13は、導電性高分子化合物及びポリオレフィン系共重合体を含有する有機化合物層であり、本実施形態では第1導電層12と電気的に接続されている。本発明の特徴は、第2導電層13がポリオレフィン系共重合体を含有することである。なお、第1導電層12は省略可能である。   As shown in FIG. 1, the conductive film 1 according to the embodiment of the present invention includes a base material 11, a first conductive layer 12, and a second conductive layer 13. The first conductive layer 12 is made of a metal material formed in a pattern, and the second conductive layer 13 is an organic compound layer containing a conductive polymer compound and a polyolefin-based copolymer. 1 is electrically connected to the conductive layer 12. A feature of the present invention is that the second conductive layer 13 contains a polyolefin copolymer. The first conductive layer 12 can be omitted.

〔カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオン〕
本発明において、カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオンとは、カチオン性π共役導電性高分子化合物のドーパントとして機能し、カチオン性π共役導電性高分子化合物に導電性を付与する化合物である。アニオンの種類としては、前記機能を有していれば特に限定はないが、I−(I−),Br−,Cl−等のハロゲンアニオン、PF−,AsF−,SbF−,SbCl−等のVa族元素のハロゲン化物アニオン、BF−等のIII a族元素のハロゲン化物アニオン、ClO−等の過塩素酸アニオン、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸、キシレンスルホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸、イソプロピルベンゼンスルホン酸、ブチルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ペンタデシルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、メチルナフタレンスルホン酸、エチルナフタレンスルホン酸、プロピルナフタレンスルホン酸、ブチルナフタレンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸等のスルホン酸アニオン等が挙げられる。これらのアニオンをカチオン性π共役導電性高分子化合物へ導入する化合物としては、例えば塩素、ヨウ素、臭素等ハロゲン類、五弗化ヒ素、五弗化アンチモン、四弗化珪素、五塩化燐、五弗化燐、塩化アルミニウム、臭化アルミニウムおよび弗化アルミニウム等の金属ハロゲン化物、硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、トリフルオロメタン硫酸およびクロロ硫酸等のプロトン酸、三酸化硫黄、二酸化窒素、ジフルオロスルフォニルパーオキシド、過塩素酸銀、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、クロラニル、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノベンゾキノン、2,3−ジブロモ−5,6−ジシアノベンゾキノン等、FeCl3、Fe(ClO4)3等の第二鉄塩、上記スルホン酸及び上記スルホン酸の第二鉄塩等が使用できる。これらは単独で使用しても、併用しても良い。またこれらの化合物は市販の試薬を使用することができる。スルホン酸の第二鉄塩は特開2002−138136号公報により合成することもできる。導電性高分子化合物に導電性付与可能な低分子アニオンを導入する方法としては、(イ)ポリアニオン存在下でカチオン性π共役導電性高分子化合物前駆体を重合する時にハロゲン化類、金属ハロゲン化物、プロトン酸、第二鉄塩、スルホン酸、スルホン酸の第二鉄塩を添加等、又はその組合せを添加、(ロ)導電性化合物にハロゲン化類、金属ハロゲン化物、プロトン酸、第二鉄塩、スルホン酸、スルホン酸の第二鉄塩、又はその組合せを添加等を併用する方法等が挙げられる。また、基材上に導電膜を形成した後に、ハロゲン化類、金属ハロゲン化物、プロトン酸、第二鉄塩、スルホン酸、スルホン酸の第二鉄塩を添加等の低級アルコール溶液を塗布し、膜表面から導入することもできる。添加量は導電性化合物中のカチオン性π共役導電性高分子化合物のユニットモル数に対して0.1〜1000モル%が良く、好ましくは1〜100モル%であり、更に好ましくは5〜50モル%である。また、導電性高分子化合物中のカチオン性π共役導電性高分子化合物に低分子アニオンを付与する温度は、0〜100℃が好ましく、より好ましくは10〜50℃である。
[Low molecular anion capable of counter-salt with cationic π-conjugated conductive polymer compound]
In the present invention, the low molecular anion capable of counter-salt with the cationic π-conjugated conductive polymer compound functions as a dopant for the cationic π-conjugated conductive polymer compound, and conducts to the cationic π-conjugated conductive polymer compound. It is a compound that imparts properties. The type of anion is not particularly limited as long as it has the above function, but halogen anions such as I- (I 3- ), Br-, Cl-, PF 6- , AsF 6- , SbF 6- , SbCl 6 - halide anions of Va group elements, such as, BF 4 - halide anions of III a group element such as, ClO 4 - perchloric acid anion, methanesulfonic acid, etc., ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid, butane Sulfonic acid, benzenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, ethylbenzenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, propylbenzenesulfonic acid, isopropylbenzenesulfonic acid, butylbenzenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, pentadecylbenzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid, methyl Naphthalene sulfonic acid, ethyl naphthalene sulfo Acid, propyl naphthalene sulfonic acid, butyl naphthalene sulfonic acid, dibutyl naphthalene sulfonic acid, sulfonic acid anion such as dinonyl naphthalene sulfonic acid. Examples of the compound that introduces these anions into the cationic π-conjugated conductive polymer compound include halogens such as chlorine, iodine, bromine, arsenic pentafluoride, antimony pentafluoride, silicon tetrafluoride, phosphorus pentachloride, pentachloride, and the like. Metal halides such as phosphorus fluoride, aluminum chloride, aluminum bromide and aluminum fluoride, proton acids such as sulfuric acid, nitric acid, fluorosulfuric acid, trifluoromethanesulfuric acid and chlorosulfuric acid, sulfur trioxide, nitrogen dioxide, difluorosulfonyl peroxide, Silver perchlorate, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, chloranil, 2,3-dichloro-5,6-dicyanobenzoquinone, 2,3-dibromo-5,6-dicyanobenzoquinone, FeCl3, Fe (ClO4) Ferric salts such as 3 and the like, the sulfonic acid, and the ferric salt of the sulfonic acid can be used. These may be used alone or in combination. Moreover, a commercially available reagent can be used for these compounds. The ferric salt of sulfonic acid can also be synthesized according to JP-A No. 2002-138136. As a method for introducing a low molecular anion capable of imparting conductivity to a conductive polymer compound, (i) a halide or a metal halide when polymerizing a cationic π-conjugated conductive polymer compound precursor in the presence of a polyanion , Protonic acid, ferric salt, sulfonic acid, ferric salt of sulfonic acid added, or combinations thereof, or (b) halogenated compounds, metal halides, protonic acid, ferric acid to conductive compounds Examples thereof include a method in which a salt, sulfonic acid, a ferric salt of sulfonic acid, or a combination thereof is added. In addition, after forming a conductive film on the substrate, a lower alcohol solution such as addition of halides, metal halides, protonic acid, ferric salt, sulfonic acid, or ferric salt of sulfonic acid is applied, It can also be introduced from the membrane surface. The addition amount is preferably from 0.1 to 1000 mol%, preferably from 1 to 100 mol%, more preferably from 5 to 50, based on the number of unit moles of the cationic π-conjugated conductive polymer compound in the conductive compound. Mol%. In addition, the temperature at which the low molecular anion is imparted to the cationic π-conjugated conductive polymer compound in the conductive polymer compound is preferably 0 to 100 ° C, more preferably 10 to 50 ° C.

〔水系溶剤に分散可能なポリマー〕
本発明において、水系溶剤に分散可能なポリマーとは、ミセル形成を補助する界面活性剤や乳化剤等を含まず、ポリマー単体で水系溶剤に分散可能なものである。また、本発明において、「水系溶剤に分散可能」とは、水系溶剤中に凝集せずにバインダー樹脂からなるコロイド粒子が分散している状況であることをいう。コロイド粒子の大きさ(平均粒径)は一般的に0.001〜1μm(1〜1000μm)程度である。水系溶剤に分散可能なポリマーのコロイド粒子の大きさ(平均粒径)は、導電性高分子化合物のコロイド粒子と同様、好ましくは1〜500nmであり、より好ましくは5〜300nmであり、さらに好ましくは5〜100nmである。水系溶剤に分散可能なポリマーのコロイド粒子が大きい場合には(500nmよりも大きい場合)には、分散液を基材11へ塗布することによって生成される第2導電層(透明導電層)13のヘイズ及び平滑性(表面粗さ(Ra))が劣化する。また、水系溶剤に分散可能なポリマーのコロイド粒子が極端に小さい場合(1nmよりも小さい場合)には、粒子同士の凝集が発生して分散液の分散性が低下し、その結果、第2導電層(透明導電層)13のヘイズ及び平滑性(表面粗さ(Ra))が劣化する。造膜する際の平滑性を高めるためには、コロイド粒子の大きさは、3〜300nmであることがより好ましく、5〜100nmであることがさらに好ましい。かかるコロイド粒子の大きさについては、光散乱光度計により測定することができる。
[Polymer dispersible in aqueous solvent]
In the present invention, the polymer dispersible in an aqueous solvent does not contain a surfactant, an emulsifier, or the like that assists micelle formation, and can be dispersed in an aqueous solvent as a single polymer. In the present invention, “dispersible in an aqueous solvent” means that colloidal particles made of a binder resin are dispersed in the aqueous solvent without agglomeration. The size (average particle diameter) of the colloidal particles is generally about 0.001 to 1 μm (1 to 1000 μm). The size (average particle diameter) of the colloidal particles of the polymer that can be dispersed in the aqueous solvent is preferably 1 to 500 nm, more preferably 5 to 300 nm, and still more preferably the same as the colloidal particles of the conductive polymer compound. Is 5 to 100 nm. When the colloidal particles of the polymer dispersible in the aqueous solvent are large (when larger than 500 nm), the second conductive layer (transparent conductive layer) 13 generated by applying the dispersion to the substrate 11 is used. Haze and smoothness (surface roughness (Ra)) deteriorate. Further, when the colloidal particles of the polymer dispersible in the aqueous solvent are extremely small (smaller than 1 nm), the particles are aggregated to reduce the dispersibility of the dispersion liquid. As a result, the second conductive The haze and smoothness (surface roughness (Ra)) of the layer (transparent conductive layer) 13 deteriorate. In order to improve the smoothness at the time of film formation, the size of the colloidal particles is more preferably 3 to 300 nm, and further preferably 5 to 100 nm. The size of the colloidal particles can be measured with a light scattering photometer.

また、前記水系溶剤とは、純水(蒸留水、脱イオン水を含む)のみならず、酸、アルカリ、塩等を含む水溶液、含水の有機溶剤、又は、親水性の有機溶剤である。水系溶剤としては、純水(蒸留水、脱イオン水を含む)、メタノール、エタノール等のアルコール系溶剤、水とアルコールとの混合溶剤等が挙げられる。   The aqueous solvent is not only pure water (including distilled water and deionized water) but also an aqueous solution containing acid, alkali, salt, etc., a water-containing organic solvent, or a hydrophilic organic solvent. Examples of the aqueous solvent include pure water (including distilled water and deionized water), alcohol solvents such as methanol and ethanol, and mixed solvents of water and alcohol.

本発明に係る水系溶剤に分散可能なポリマーは、透明であることが好ましい。水系溶剤に分散可能なポリマーとしては、フィルムを形成する媒体であれば、特に限定されない。また、透明導電膜1表面へのブリードアウト、有機EL素子を積層した場合の素子性能に問題がなければ特に限定はないが、ポリマー分散液は、界面活性剤(乳化剤)や造膜温度をコントロールする可塑剤等を含まないことが好ましい。   The polymer dispersible in the aqueous solvent according to the present invention is preferably transparent. The polymer dispersible in the aqueous solvent is not particularly limited as long as it is a medium for forming a film. In addition, there is no particular limitation as long as there is no problem in the bleed out to the surface of the transparent conductive film 1 and the element performance when the organic EL element is laminated, but the polymer dispersion controls the surfactant (emulsifier) and the film forming temperature. It is preferable not to contain a plasticizer or the like.

本発明に係る水系溶剤に分散可能なポリマーの平均粒径は、5〜100nmであることが望ましい。平均粒径が5nm以上であれば、粒子同士の凝集を抑え、分散安定性を向上させ、塗布面の平滑性を高めることができる。また、平均粒径が100nm以下であれば、導電性高分子化合物との相溶性を向上させることができるとともに、塗布膜のヘイズを抑え、光学フィルムとしての好適な性能を得ることができる。   The average particle size of the polymer dispersible in the aqueous solvent according to the present invention is desirably 5 to 100 nm. If the average particle diameter is 5 nm or more, aggregation of particles can be suppressed, dispersion stability can be improved, and smoothness of the coated surface can be improved. Moreover, if an average particle diameter is 100 nm or less, while being able to improve compatibility with a conductive polymer compound, the haze of a coating film can be suppressed and the suitable performance as an optical film can be obtained.

本発明に係る水系溶剤に分散可能なポリマーのガラス転移温度(Tg)は、好ましくは25〜150℃であり、より好ましくは50〜80℃である。Tgが25℃以上であれば、透明導電膜1の表面平滑性の劣化傾向を抑え、導電膜1及び導電膜1を備える有機EL素子の環境試験後の性能の悪化を防ぐことができる。Tgが50〜80℃の場合には、透明導電膜1の製造時の乾燥温度で水系溶剤に分散可能なポリマー粒子の溶融が十分に進行する。Tgが80℃を超える場合には、透明導電膜1の製造時の乾燥温度では水系溶剤に分散可能なポリマー粒子の溶融が十分に進行しないおそれがあるが、乾燥後の表面が粗くなく、有機エレクトロルミネッセンス素子等を積層した時にリークが起こらず所望の性能が得られれば、水系溶剤に分散可能なポリマーの粒子形状を保った状態であっても良い。また、水系溶剤に分散可能なポリマーのTgを150℃よりも高くするためには、骨格の剛直化、高分子量化等が必要であり、これらのポリマーを100nm未満にして分散液中に分散することは困難である。ガラス転移温度Tgは、示差走査熱量測定器(Perkin Elmer社製DSC−7型)を用いて、昇温速度20℃/分で測定し、JIS K7121(1987)に従い求めることができる。   The glass transition temperature (Tg) of the polymer dispersible in the aqueous solvent according to the present invention is preferably 25 to 150 ° C, more preferably 50 to 80 ° C. If Tg is 25 degreeC or more, the deterioration tendency of the surface smoothness of the transparent conductive film 1 can be suppressed, and the deterioration of the performance after the environmental test of the organic EL element provided with the conductive film 1 and the conductive film 1 can be prevented. When Tg is 50 to 80 ° C., the melting of the polymer particles that can be dispersed in the aqueous solvent sufficiently proceeds at the drying temperature when the transparent conductive film 1 is produced. When Tg exceeds 80 ° C., the polymer particles dispersible in the aqueous solvent may not sufficiently melt at the drying temperature during the production of the transparent conductive film 1, but the surface after drying is not rough and organic. If a desired performance can be obtained without causing leakage when the electroluminescent element or the like is laminated, the polymer particle shape dispersible in an aqueous solvent may be maintained. Further, in order to increase the Tg of the polymer dispersible in the aqueous solvent to higher than 150 ° C., it is necessary to make the skeleton rigid, increase the molecular weight, etc., and disperse these polymers in the dispersion by making the polymer less than 100 nm. It is difficult. The glass transition temperature Tg can be measured according to JIS K7121 (1987) using a differential scanning calorimeter (DSC-7 model manufactured by Perkin Elmer) at a temperature rising rate of 20 ° C./min.

透明導電膜1の製造に用いる水系溶剤に分散可能なポリマーの分散液のpHは、別途相溶させる導電性高分子化合物溶液との相溶性、水系溶剤に分散可能なポリマーと導電性高分子化合物との混合液の導電性の観点から、好ましくは0.1〜11.0であり、より好ましくは3.0〜9.0であり、さらに好ましくは4.0〜7.0である。   The pH of the polymer dispersion that can be dispersed in the aqueous solvent used in the production of the transparent conductive film 1 is compatible with the conductive polymer compound solution that is separately compatible, and the polymer and conductive polymer compound that can be dispersed in the aqueous solvent. From the viewpoint of the conductivity of the mixed solution, it is preferably 0.1 to 11.0, more preferably 3.0 to 9.0, and still more preferably 4.0 to 7.0.

水系溶剤に分散可能なポリマーに使用される解離性基としては、アニオン性基(スルホン酸及びその塩、カルボン酸及びその塩、リン酸及びその塩等)、カチオン性基(アンモニウム塩等)等が挙げられる。かかる解離性基は、特に限定はされないが、導電性高分子溶液との相溶性の観点から、アニオン性基が好ましい。解離性基の量は、水系溶剤に分散可能なポリマーが水系溶剤に分散可能であればよく、可能な限り少ない方が工程適性的に乾燥負荷が低減されるため、好ましい。また、アニオン性基、カチオン性基に使用されるカウンター種は、特に限定されないが、透明導電膜1及び透明導電膜1を備える有機EL素子を積層した場合の性能の観点から、疎水性で少量であることが好ましい。   Examples of dissociable groups used in polymers dispersible in aqueous solvents include anionic groups (sulfonic acid and its salts, carboxylic acid and its salts, phosphoric acid and its salts, etc.), cationic groups (ammonium salts, etc.), etc. Is mentioned. The dissociable group is not particularly limited, but an anionic group is preferable from the viewpoint of compatibility with the conductive polymer solution. The amount of the dissociable group is not particularly limited as long as the polymer dispersible in the aqueous solvent is dispersible in the aqueous solvent, and is preferably as small as possible because the drying load is reduced appropriately in the process. In addition, the counter species used for the anionic group and the cationic group are not particularly limited, but from the viewpoint of performance when the organic EL element including the transparent conductive film 1 and the transparent conductive film 1 is laminated, it is hydrophobic and has a small amount. It is preferable that

水系溶剤に分散可能なポリマーの主骨格としては、ポリエチレン、ポリエチレン−ポリビニルアルコール(PVA)、ポリエチレン−ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン−ポリウレタン、ポリブタジエン、ポリブタジエン−ポリスチレン、ポリオレフィン共重合体、ポリアミド(ナイロン)、ポリ塩化ビニリデン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリアクリレート−ポリエステル、ポリアクリレート−ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン−ポリカーボネート、ポリウレタン−ポリエーテル、ポリウレタン−ポリエステル、ポリウレタン−ポリアクリレート、シリコーン、シリコーン−ポリウレタン、シリコーン−ポリアクリレート、ポリフッ化ビニリデン−ポリアクリレート、ポリフルオロオレフィン−ポリビニルエーテル等が挙げられる。また、これらの骨格をベースに、さらに他のモノマーを使用した共重合が主骨格であってもよい。これらの中では、エステル骨格を有するポリエステル樹脂エマルジョン、ポリエステル−アクリル樹脂エマルジョン、エチレン骨格を有するポリエチレン樹脂エマルジョンが好ましい。   The main skeleton of the polymer that can be dispersed in the aqueous solvent includes polyethylene, polyethylene-polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene-polyvinyl acetate, polyethylene-polyurethane, polybutadiene, polybutadiene-polystyrene, polyolefin copolymer, polyamide (nylon), poly Vinylidene chloride, polyester, polyacrylate, polyacrylate-polyester, polyacrylate-polystyrene, polyvinyl acetate, polyurethane-polycarbonate, polyurethane-polyether, polyurethane-polyester, polyurethane-polyacrylate, silicone, silicone-polyurethane, silicone-polyacrylate , Polyvinylidene fluoride-polyacrylate, polyfluoroolefin-polyvinyl ether, etc. It is. Further, based on these skeletons, copolymerization using another monomer may be the main skeleton. Among these, a polyester resin emulsion having an ester skeleton, a polyester-acrylic resin emulsion, and a polyethylene resin emulsion having an ethylene skeleton are preferable.

市販品としては、ポリゾールFP3000(ポリエステル樹脂、アニオン、コア:アクリル、シェル:ポリエステル、昭和電工社製)、バイロナールMD1480(ポリエステル樹脂、アニオン、東洋紡社製)、バイロナールMD1245(ポリエステル樹脂、アニオン、東洋紡社製)、バイロナールMD1500(ポリエステル樹脂、アニオン、東洋紡社製)、バイロナールMD2000(ポリエステル樹脂、アニオン、東洋紡社製)、バイロナールMD1930(ポリエステル樹脂、アニオン、東洋紡社製)、プラスコートRZ105(ポリエステル樹脂、アニオン、互応化学社製)、プラスコートRZ570(ポリエステル樹脂、アニオン、互応化学社製)、プラスコートRZ571(ポリエステル樹脂、アニオン、互応化学社製)、ハイテックS−9242(ポリエチレン樹脂、アニオン、東邦化学社製)、モビニール7720(アクリル樹脂、ノニオン、日本合成化学社製)、モビニール7820(アクリル樹脂、ノニオン、日本合成化学社製)を用いることができる。また、水系溶剤に分散可能なポリマーは、前記したものを1種含有するものであってもよく、複数種含有するものであってもよい。   As commercial products, Polysol FP3000 (polyester resin, anion, core: acrylic, shell: polyester, manufactured by Showa Denko KK), Vironal MD1480 (polyester resin, anion, manufactured by Toyobo Co., Ltd.), Vironal MD1245 (polyester resin, anion, Toyobo Co., Ltd.) ), Bironal MD1500 (polyester resin, anion, manufactured by Toyobo Co., Ltd.), Bironal MD2000 (polyester resin, anion, manufactured by Toyobo Co., Ltd.), Bironal MD1930 (polyester resin, anion, manufactured by Toyobo Co., Ltd.), Plus Coat RZ105 (polyester resin, anion) , Manufactured by Mutual Chemical Co., Ltd.), Plus Coat RZ570 (polyester resin, anion, manufactured by Interactive Chemical Co., Ltd.) Itec S-9242 (polyethylene resin, anion, manufactured by Toho Chemical Co., Ltd.), Movinyl 7720 (acrylic resin, nonion, manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd.), Movinyl 7820 (acrylic resin, nonion, manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd.) can be used. . In addition, the polymer dispersible in the aqueous solvent may contain one kind of those described above, or may contain a plurality of kinds.

〔微粒子〕
本発明における微粒子とは、無機材料又は有機材料からなる微少粒子である。微粒子の平均粒子径は2〜500nmの範囲が好ましく、より好ましくは5〜100nmの範囲が好ましい。微粒子の平均粒子径が500nm以下であれば、導電膜1の表面粗さが抑えられて良好な性能が得られ、また2nm以上であれば、粒子同士の凝集の発生が抑えられて分散液の分散性が向上し、その結果、導電膜1のヘイズ及び平滑性(表面粗さ(Ra))が向上する。微粒子組成に関しては、特に制限はなく、例えば、単一無機材料からなる無機微粒子、複合無機材料からなる無機微粒子、単一有機材料からなる有機微粒子、複合有機材料からなる有機微粒子、無機材料からなる粒子の表面に有機樹脂をコーティングされてなる微粒子、逆に有機粒子の表面に無機材料をコーティングされてなる微粒子(コアーシェル構造を含む)等が挙げられる。無機及び/又は有機の複合粒子の場合、例えば、無機微粒子が無機微粒子を被覆、有機微粒子が有機微粒子を被覆、無機微粒子が有機微粒子を被覆、有機微粒子が無機微粒子を被覆等が考えられ、被覆材料の結合様式は、中心のコア材料と物理的に固定される様式であってもよく、化学的に固定される様式であってもよい。微粒子の粒子形状に関しては、特に制限はないが、球状、針状、板状、鱗片状、破砕状等の任意の粒子形状でよく、特に限定されないが、球状又は球状に近い形状が好ましい。
[Fine particles]
The fine particles in the present invention are fine particles made of an inorganic material or an organic material. The average particle diameter of the fine particles is preferably in the range of 2 to 500 nm, more preferably in the range of 5 to 100 nm. If the average particle diameter of the fine particles is 500 nm or less, the surface roughness of the conductive film 1 is suppressed and good performance is obtained. If the average particle diameter is 2 nm or more, the occurrence of aggregation between the particles is suppressed and the dispersion liquid Dispersibility is improved, and as a result, haze and smoothness (surface roughness (Ra)) of the conductive film 1 are improved. The fine particle composition is not particularly limited. For example, the fine particle composition includes inorganic fine particles made of a single inorganic material, inorganic fine particles made of a composite inorganic material, organic fine particles made of a single organic material, organic fine particles made of a composite organic material, and an inorganic material. Examples thereof include fine particles obtained by coating the surface of the particles with an organic resin, and fine particles (including a core-shell structure) obtained by coating the surface of the organic particles with an inorganic material. In the case of inorganic and / or organic composite particles, for example, inorganic fine particles may be coated with inorganic fine particles, organic fine particles may be coated with organic fine particles, inorganic fine particles may be coated with organic fine particles, and organic fine particles may be coated with inorganic fine particles. The bonding mode of the material may be a mode physically fixed to the central core material or a mode fixed chemically. The particle shape of the fine particles is not particularly limited, but may be any particle shape such as a spherical shape, a needle shape, a plate shape, a scale shape, and a crushed shape, and is not particularly limited, but a spherical shape or a shape close to a spherical shape is preferable.

本発明に係る微粒子と有機化合物層を構成する導電性高分子化合物及びポリオレフィン系共重合体との結合様式は、物理的に固定される様式であってもよく、化学的固定されりる様式であってもよい。物理的に固定とは、例えば、細孔構造を持つ微粒子中に導電性高分子化合物又はポリオレフィン系共重合体の一部が固定化されている状態等である。化学的に固定とは、例えば、化学結合によって導電性高分子化合物又はポリオレフィン系共重合体と微粒子が固定化されている状態等である。   The bonding mode between the fine particles according to the present invention and the conductive polymer compound and the polyolefin copolymer constituting the organic compound layer may be a physically fixed mode or a chemically fixed mode. There may be. The term “physically fixed” refers to, for example, a state in which a part of a conductive polymer compound or a polyolefin copolymer is fixed in fine particles having a pore structure. The term “chemically fixed” means, for example, a state in which the conductive polymer compound or the polyolefin copolymer and the fine particles are fixed by a chemical bond.

本発明に係る微粒子を用いることの利点は次のように考えられる。つまり、微粒子を用いることによって、有機化合物層全域に偏り無く均一に細孔が存在することになり、細孔のネットワーク構造を形成することができる。この細孔のネットワーク構造の間隙を、導電性高分子化合物及びポリオレフィン系共重合体の混合物が広げることで導電パスが形成され、導電性高分子化合物及びポリオレフィン系共重合体の総量を減量することで乾燥負荷が低減される。また、この細孔のネットワーク構造により、造膜中の内部から膜表面への水分揮発のルートが確保され、乾燥造膜時の水分揮発性をさらに大きく向上させることができる。これにより、必要最低限量の導電性高分子化合物で効率的な導電パスを形成することができ、導電性向上と透明性とが両立されたものと本発明者らは推定している。   The advantages of using the fine particles according to the present invention are considered as follows. That is, by using the fine particles, the pores exist uniformly throughout the organic compound layer, and a network structure of the pores can be formed. A conductive path is formed by the mixture of the conductive polymer compound and the polyolefin copolymer expanding the gap in the pore network structure, and the total amount of the conductive polymer compound and the polyolefin copolymer is reduced. The drying load is reduced. In addition, this pore network structure secures a route for water volatilization from the inside of the film formation to the film surface, and the water volatility during dry film formation can be further improved. As a result, the present inventors presume that an efficient conductive path can be formed with a minimum amount of the conductive polymer compound, and both improved conductivity and transparency are compatible.

本発明における無機微粒子の無機材料としては、例えば、酸化ケイ素、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、ケイ酸ソーダ、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化ジルコニウム、硫酸バリウム、酸化チタン、酸化錫、三酸化アンチモン、カーボンブラック、二硫化モリブデン及びこれらの混合粒子等を用いることができる。無機微粒子の無機材料としては、これらのうち、酸化ケイ素が特に好ましい。   As the inorganic material of the inorganic fine particles in the present invention, for example, silicon oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium oxide, zinc oxide, magnesium oxide, sodium silicate, aluminum oxide, iron oxide, zirconium oxide, barium sulfate, titanium oxide, Tin oxide, antimony trioxide, carbon black, molybdenum disulfide, and mixed particles thereof can be used. Of these, silicon oxide is particularly preferable as the inorganic material of the inorganic fine particles.

また、無機微粒子としては、粒子形態であることが好ましく、好ましい無機粒子としては、一次粒子径が100nm以下で、かつ二次粒子径が500nm以下の無機粒子が好ましい。かかる無機微粒子としては、例えば、特開平1−97678号公報、特開平2−275510号公報、特開平3−281383号公報、特開平3−285814号公報、特開平3−285815号公報、特開平4−92183号公報、特開平4−267180号公報、特開平4−275917号公報等に開示されているアルミナ水和物である擬ベーマイトゾル、特開昭60−219083号公報、特開昭61−19389号公報、特開昭61−188183号公報、特開昭63−178074号公報、特開平5−51470号公報等に記載されているようなコロイダルシリカ、特公平4−19037号公報、特開昭62−286787号公報等に記載されているようなシリカ/アルミナハイブリッドゾル、特開平10−119423号公報、特開平10−217601号公報等に記載されているような、気相法シリカを高速ホモジナイザーで分散したシリカゾル、その他にもヘクタイト、モンモリロナイト等のスメクタイト粘土(特開平7−81210号公報参照)、ジルコニアゾル、クロミアゾル、イットリアゾル、セリアゾル、酸化鉄ゾル、ジルコンゾル、酸化アンチモンゾル等を代表的なものとして挙げることができる。これらの無機微粒子の中でも特に、コロイダルシリカが、無機微粒子として好適に使用可能である。   The inorganic fine particles are preferably in the form of particles, and preferred inorganic particles are preferably inorganic particles having a primary particle diameter of 100 nm or less and a secondary particle diameter of 500 nm or less. Examples of such inorganic fine particles include, for example, JP-A-1-97678, JP-A-2-275510, JP-A-3-281383, JP-A-3-285814, JP-A-3-285815, JP-A-3-285815. Pseudoboehmite sols, which are hydrated aluminas disclosed in JP-A-4-92183, JP-A-4-267180, JP-A-4-275717, etc., JP-A-60-219083, JP-A-61. No. 19389, JP-A-61-188183, JP-A-63-178074, JP-A-5-51470, etc., Japanese Patent Publication No. 4-19037, Silica / alumina hybrid sol as described in JP-A-62-286787, JP-A-10-119423, Silica sol in which gas phase method silica is dispersed with a high-speed homogenizer as described in Kaihei 10-217601 and the like, smectite clay such as hectite and montmorillonite (see JP-A-7-81210), zirconia sol Typical examples include chromia sol, yttria sol, ceria sol, iron oxide sol, zircon sol, and antimony oxide sol. Among these inorganic fine particles, colloidal silica can be suitably used as the inorganic fine particles.

本発明で好ましく用いられるコロイダルシリカとしては、従来汎用の無変性コロイダルシリカの他に、シリカ表面をカルシウムやアルミナ等のイオンや化合物で被覆してイオン性やpH変動に対する挙動を変えた変性コロイダルシリカが挙げられる。   As colloidal silica preferably used in the present invention, in addition to conventional general-purpose unmodified colloidal silica, modified colloidal silica whose surface is coated with ions and compounds such as calcium and alumina to change the behavior with respect to ionicity and pH fluctuation. Is mentioned.

本発明において好適に用いることができるコロイダルシリカとしては、市販品が使用可能であり、市販のコロイダルシリカの例としては、日産化学工業製のスノーテックス20、スノーテックス40、スノーテックスN、スノーテックスO、スノーテックスS、スノーテックス20L、スノーテックスAK、スノーテックスUP等、日本化学工業製のシリカドール20、シリカドール20A、シリカドール20G、シリカドール20P等、旭電化工業製のアデライトAT−20、アデライトAT−20N、アデライトAT−30A、アデライトAT−20Q等、デュポン社製のルドックスHS−30、ルドックスLS、ルドックスSM−30、ルドックスAS、ルドックスAM等が挙げられる。   As the colloidal silica that can be suitably used in the present invention, commercially available products can be used. Examples of commercially available colloidal silica include Snowtex 20, Snowtex 40, Snowtex N, and Snowtex manufactured by Nissan Chemical Industries. O, Snowtex S, Snowtex 20L, Snowtex AK, Snowtex UP, etc., Nippon Chemical Industry's silica doll 20, silica doll 20A, silica doll 20G, silica doll 20P, etc., Adelite AT-20 made by Asahi Denka Kogyo , Adelite AT-20N, Adelite AT-30A, Adelite AT-20Q, etc., DuPont Ludox HS-30, Ludox LS, Ludox SM-30, Ludox AS, Ludox AM and the like.

本発明における微粒子の有機材料としては、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、スチレン−アクリル系共重合、ジビニルベンゼン樹脂、アクリロニトリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、スチレン−イソプレン系樹脂、フッ素樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、フェノール樹脂、ナイロン樹脂、ポリエチレンワックスその他反応性ミクロゲル等が挙げられる。この中でもアクリル系樹脂、スチレン系樹脂が微粒子の有機材料として好ましく用いられる。   As the organic material of fine particles in the present invention, acrylic resin, styrene resin, styrene-acrylic copolymer, divinylbenzene resin, acrylonitrile resin, silicone resin, urethane resin, melamine resin, styrene-isoprene resin, fluorine resin, Examples include benzoguanamine resin, phenol resin, nylon resin, polyethylene wax, and other reactive microgels. Among these, acrylic resins and styrene resins are preferably used as the fine organic material.

本発明において好適に用いることができる有機微粒子としては、市販品が使用可能であり、市販の有機微粒子の例としては、東洋紡社製のタフチックF167(ポリメタクリル酸メチル、300nm)、タフチックF120(ポリアクリロニトリル、200nm)、モリテックス社製の3020A(ポリスチレン、21nm)、3030A(ポリスチレン、33nm)、3040A(ポリスチレン、40nm)、3050A(ポリスチレン、46nm)、3060A(ポリスチレン、60nm)、3070A(ポリスチレン、73nm)、3080A(ポリスチレン、81nm)、3090A(ポリスチレン、92nm)、3100A(ポリスチレン、97nm)、5003A(ポリスチレン、30nm)、5006A(ポリスチレン、60nm)、5009A(ポリスチレン、90nm)、5020A(ポリスチレン、200nm)等が挙げられる。   Commercially available products can be used as the organic fine particles that can be suitably used in the present invention. Examples of commercially available organic fine particles include Tufic F167 (polymethyl methacrylate, 300 nm) and Tufic F120 (polymethyl methacrylate) manufactured by Toyobo Co., Ltd. Acrylonitrile, 200 nm), Moritex 3020A (polystyrene, 21 nm), 3030A (polystyrene, 33 nm), 3040A (polystyrene, 40 nm), 3050A (polystyrene, 46 nm), 3060A (polystyrene, 60 nm), 3070A (polystyrene, 73 nm) 3080A (polystyrene, 81 nm), 3090A (polystyrene, 92 nm), 3100A (polystyrene, 97 nm), 5003A (polystyrene, 30 nm), 5006A (polystyrene, 60 m), 5009A (polystyrene, 90nm), 5020A (polystyrene, 200 nm), and the like.

本発明に係る微粒子としては、無機微粒子のみ、複数種類の無機微粒子の混合物、有機微粒子のみ、複数種類の無機微粒子の混合物、無機微粒子と有機微粒子との混合物等、様々な組み合わせの微粒子が使用可能である。   As the fine particles according to the present invention, various combinations of fine particles such as only inorganic fine particles, a mixture of plural kinds of inorganic fine particles, only organic fine particles, a mixture of plural kinds of inorganic fine particles, a mixture of inorganic fine particles and organic fine particles can be used. It is.

<導電性高分子化合物>
本発明において、「導電性」とは、電気が流れる状態を指し、JIS K 7194の「導電電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法」に準拠した方法で測定したシート抵抗が1×10Ω/□よりも低いことをいう。
<Conductive polymer compound>
In the present invention, “conductive” refers to a state in which electricity flows, and the sheet resistance measured by a method in accordance with JIS K 7194 “Resistivity Test Method by Conductive Plastic Four-Probe Method” is 1 ×. It means lower than 10 8 Ω / □.

本発明において、導電性高分子化合物とは、カチオン性π共役系導電性高分子とポリアニオンとを有してなる導電性高分子化合物である。こうした導電性高分子化合物は、後記するカチオン性π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを、適切な酸化剤及び酸化触媒と後記するポリアニオンとの存在下で化学酸化重合することによって容易に製造することができる。   In the present invention, the conductive polymer compound is a conductive polymer compound having a cationic π-conjugated conductive polymer and a polyanion. Such a conductive polymer compound can be easily obtained by chemical oxidative polymerization of a precursor monomer that forms a cationic π-conjugated conductive polymer, which will be described later, in the presence of an appropriate oxidizing agent and an oxidation catalyst, and a polyanion, which will be described later. Can be manufactured.

(カチオン性π共役系導電性高分子)
本発明において、カチオン性π共役系導電性高分子としては、特に限定されず、ポリチオフェン(基本のポリチオフェンを含む、以下同様)類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、又は、ポリチアジル類の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。カチオン性π共役系導電性高分子としては、導電性、透明性、安定性等の観点から、ポリチオフェン類又はポリアニリン類が好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンがより好ましい。
(Cationic π-conjugated conductive polymer)
In the present invention, the cationic π-conjugated conductive polymer is not particularly limited, and includes polythiophenes (including basic polythiophenes, the same applies hereinafter), polypyrroles, polyindoles, polycarbazoles, polyanilines, and polyacetylenes. A chain conductive polymer of polyfurans, polyparaphenylene vinylenes, polyazulenes, polyparaphenylenes, polyparaphenylene sulfides, polyisothianaphthenes, or polythiazyl compounds can be used. As the cationic π-conjugated conductive polymer, polythiophenes or polyanilines are preferable, and polyethylenedioxythiophene is more preferable from the viewpoints of conductivity, transparency, stability, and the like.

(カチオン性π共役系導電性高分子前駆体モノマー)
本発明において、カチオン性π共役系導電性高分子の形成に用いられる前駆体モノマーとは、分子内にπ共役系を有し、適切な酸化剤の作用によって高分子化した際にもその主鎖にπ共役系が形成されるものである。かかる前駆体モノマーとしては、例えば、ピロール類及びその誘導体、チオフェン類及びその誘導体、アニリン類及びその誘導体等が挙げられる。
(Cationic π-conjugated conductive polymer precursor monomer)
In the present invention, a precursor monomer used for forming a cationic π-conjugated conductive polymer has a π-conjugated system in the molecule, and the main monomer even when polymerized by the action of an appropriate oxidizing agent. A π-conjugated system is formed in the chain. Examples of such precursor monomers include pyrroles and derivatives thereof, thiophenes and derivatives thereof, anilines and derivatives thereof, and the like.

前駆体モノマーの具体例としては、ピロール、3−メチルピロール、3−エチルピロール、3−n−プロピルピロール、3−ブチルピロール、3−オクチルピロール、3−デシルピロール、3−ドデシルピロール、3,4−ジメチルピロール、3,4−ジブチルピロール、3−カルボキシルピロール、3−メチル−4−カルボキシルピロール、3−メチル−4−カルボキシエチルピロール、3−メチル−4−カルボキシブチルピロール、3−ヒドロキシピロール、3−メトキシピロール、3−エトキシピロール、3−ブトキシピロール、3−ヘキシルオキシピロール、3−メチル−4−ヘキシルオキシピロール、チオフェン、3−メチルチオフェン、3−エチルチオフェン、3−プロピルチオフェン、3−ブチルチオフェン、3−ヘキシルチオフェン、3−ヘプチルチオフェン、3−オクチルチオフェン、3−デシルチオフェン、3−ドデシルチオフェン、3−オクタデシルチオフェン、3−ブロモチオフェン、3−クロロチオフェン、3−ヨードチオフェン、3−シアノチオフェン、3−フェニルチオフェン、3,4−ジメチルチオフェン、3,4−ジブチルチオフェン、3−ヒドロキシチオフェン、3−メトキシチオフェン、3−エトキシチオフェン、3−ブトキシチオフェン、3−ヘキシルオキシチオフェン、3−ヘプチルオキシチオフェン、3−オクチルオキシチオフェン、3−デシルオキシチオフェン、3−ドデシルオキシチオフェン、3−オクタデシルオキシチオフェン、3,4−ジヒドロキシチオフェン、3,4−ジメトキシチオフェン、3,4−ジエトキシチオフェン、3,4−ジプロポキシチオフェン、3,4−ジブトキシチオフェン、3,4−ジヘキシルオキシチオフェン、3,4−ジヘプチルオキシチオフェン、3,4−ジオクチルオキシチオフェン、3,4−ジデシルオキシチオフェン、3,4−ジドデシルオキシチオフェン、3,4−エチレンジオキシチオフェン、3,4−プロピレンジオキシチオフェン、3,4−ブテンジオキシチオフェン、3−メチル−4−メトキシチオフェン、3−メチル−4−エトキシチオフェン、3−カルボキシチオフェン、3−メチル−4−カルボキシチオフェン、3−メチル−4−カルボキシエチルチオフェン、3−メチル−4−カルボキシブチルチオフェン、アニリン、2−メチルアニリン、3−イソブチルアニリン、2−アニリンスルホン酸、3−アニリンスルホン酸等が挙げられる。   Specific examples of the precursor monomer include pyrrole, 3-methylpyrrole, 3-ethylpyrrole, 3-n-propylpyrrole, 3-butylpyrrole, 3-octylpyrrole, 3-decylpyrrole, 3-dodecylpyrrole, 3, 4-dimethylpyrrole, 3,4-dibutylpyrrole, 3-carboxylpyrrole, 3-methyl-4-carboxylpyrrole, 3-methyl-4-carboxyethylpyrrole, 3-methyl-4-carboxybutylpyrrole, 3-hydroxypyrrole 3-methoxypyrrole, 3-ethoxypyrrole, 3-butoxypyrrole, 3-hexyloxypyrrole, 3-methyl-4-hexyloxypyrrole, thiophene, 3-methylthiophene, 3-ethylthiophene, 3-propylthiophene, 3 -Butylthiophene, 3-hexylchi Phen, 3-heptylthiophene, 3-octylthiophene, 3-decylthiophene, 3-dodecylthiophene, 3-octadecylthiophene, 3-bromothiophene, 3-chlorothiophene, 3-iodothiophene, 3-cyanothiophene, 3-phenyl Thiophene, 3,4-dimethylthiophene, 3,4-dibutylthiophene, 3-hydroxythiophene, 3-methoxythiophene, 3-ethoxythiophene, 3-butoxythiophene, 3-hexyloxythiophene, 3-heptyloxythiophene, 3- Octyloxythiophene, 3-decyloxythiophene, 3-dodecyloxythiophene, 3-octadecyloxythiophene, 3,4-dihydroxythiophene, 3,4-dimethoxythiophene, 3,4-diethoxythiol 3,4-dipropoxythiophene, 3,4-dibutoxythiophene, 3,4-dihexyloxythiophene, 3,4-diheptyloxythiophene, 3,4-dioctyloxythiophene, 3,4-didecyloxy Thiophene, 3,4-didodecyloxythiophene, 3,4-ethylenedioxythiophene, 3,4-propylenedioxythiophene, 3,4-butenedioxythiophene, 3-methyl-4-methoxythiophene, 3-methyl -4-ethoxythiophene, 3-carboxythiophene, 3-methyl-4-carboxythiophene, 3-methyl-4-carboxyethylthiophene, 3-methyl-4-carboxybutylthiophene, aniline, 2-methylaniline, 3-isobutyl Aniline, 2-aniline sulfonic acid, 3-aniline A sulfonic acid etc. are mentioned.

(ポリアニオン)
本発明において、導電性高分子化合物に用いられるポリアニオンは、置換又は未置換のポリアルキレン、置換又は未置換のポリアルケニレン、置換又は未置換のポリイミド、置換又は未置換のポリアミド、置換又は未置換のポリエステル、及び、これらの共重合体のいずれかであって、アニオン基を有する構成単位とアニオン基を有さない構成単位とからなるものである。
(Polyanion)
In the present invention, the polyanion used in the conductive polymer compound is substituted or unsubstituted polyalkylene, substituted or unsubstituted polyalkenylene, substituted or unsubstituted polyimide, substituted or unsubstituted polyamide, substituted or unsubstituted. Polyester and any of these copolymers, which are composed of a structural unit having an anionic group and a structural unit having no anionic group.

このポリアニオンは、カチオン性π共役系導電性高分子を溶媒に可溶化させる可溶化高分子である。また、ポリアニオンのアニオン基は、カチオン性π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、カチオン性π共役系導電性高分子の導電性及び耐熱性を向上させる。また、ポリアニオンは、カチオン性π共役系高分子化合物に対し過剰量が用いられることで、カチオン性π共役系高分子化合物とポリアニオンとからなる導電性高分子化合物粒子の分散性及び製膜性を向上させる機能も有している。   This polyanion is a solubilized polymer that solubilizes a cationic π-conjugated conductive polymer in a solvent. The anion group of the polyanion functions as a dopant for the cationic π-conjugated conductive polymer, and improves the conductivity and heat resistance of the cationic π-conjugated conductive polymer. In addition, the polyanion is used in an excess amount with respect to the cationic π-conjugated polymer compound, thereby reducing the dispersibility and film-forming property of the conductive polymer compound particles composed of the cationic π-conjugated polymer compound and the polyanion. It also has a function to improve.

ポリアニオンのアニオン基としては、π共役系導電性高分子への化学酸化ドープが起こりうる官能基であればよい。かかるアニオン基としては、製造の容易さ及び安定性の観点から、一置換硫酸エステル基、一置換リン酸エステル基、リン酸基、カルボキシ基、スルホ基等が好ましい。さらに、かかるアニオン基としては、官能基のπ共役系導電性高分子へのドープ効果の観点から、スルホ基、一置換硫酸エステル基、又は、カルボキシ基がより好ましい。   The anion group of the polyanion may be a functional group that can cause chemical oxidation doping to the π-conjugated conductive polymer. As such an anion group, a mono-substituted sulfate group, a mono-substituted phosphate group, a phosphate group, a carboxy group, a sulfo group and the like are preferable from the viewpoint of ease of production and stability. Further, the anionic group is more preferably a sulfo group, a monosubstituted sulfate group, or a carboxy group from the viewpoint of the doping effect of the functional group on the π-conjugated conductive polymer.

ポリアニオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ−2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ−2−アクリルアミド−2−メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等が挙げられる。また、ポリアニオンは、これらの単独重合体であってもよいし、2種以上の共重合体であってもよい。   Specific examples of polyanions include polyvinyl sulfonic acid, polystyrene sulfonic acid, polyallyl sulfonic acid, polyacrylic acid ethyl sulfonic acid, polyacrylic acid butyl sulfonic acid, poly-2-acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, polyisoprene sulfone. Examples include acid, polyvinyl carboxylic acid, polystyrene carboxylic acid, polyallyl carboxylic acid, polyacryl carboxylic acid, polymethacryl carboxylic acid, poly-2-acrylamido-2-methylpropane carboxylic acid, polyisoprene carboxylic acid, polyacrylic acid and the like. . Moreover, these homopolymers may be sufficient as a polyanion, and 2 or more types of copolymers may be sufficient as it.

また、ポリアニオンは、化合物内にさらにF(フッ素原子)を有するものであってもよい。かかるポリアニオンとして、具体的には、パーフルオロスルホン酸基を含有するナフィオン(Dupont社製)、カルボン酸基を含有するパーフルオロ型ビニルエーテルからなるフレミオン(旭硝子社製)等を挙げることができる。   Further, the polyanion may further have F (fluorine atom) in the compound. Specific examples of such a polyanion include Nafion (manufactured by Dupont) containing a perfluorosulfonic acid group, and Flemion (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) made of perfluoro vinyl ether containing a carboxylic acid group.

これらのうち、ポリアニオンとしてスルホン酸を有する化合物を用いた場合には、塗布及び乾燥によって導電性ポリマー含有層を形成した後に、さらに100〜120℃で5分以上の加熱乾燥処理を施してからマイクロ波、近赤外光等の照射をしてもよい。また、場合によっては加熱乾燥処理を省きマイクロ波、近赤外光等の照射のみでもよい。   Among these, when a compound having a sulfonic acid is used as a polyanion, after forming a conductive polymer-containing layer by coating and drying, it is further subjected to a heating and drying treatment at 100 to 120 ° C. for 5 minutes or more, and then the microanion. You may irradiate a wave, near infrared light, etc. In some cases, heat drying may be omitted, and only irradiation with microwaves, near infrared light, or the like may be performed.

さらに、スルホン酸を有する化合物の中でも、ポリスチレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、又は、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸が好ましい。   Furthermore, among the compounds having sulfonic acid, polystyrene sulfonic acid, polyisoprene sulfonic acid, polyethyl acrylate sulfonic acid, or polybutyl acrylate sulfonate is preferable.

ポリアニオンの重合度は、導電性高分子化合物の分散性の観点からは、モノマー単位が10〜100000個の範囲であることが好ましく、溶媒溶解性及び導電性の観点からは、50〜10000個の範囲がより好ましい。   The degree of polymerization of the polyanion is preferably in the range of 10 to 100,000 monomer units from the viewpoint of dispersibility of the conductive polymer compound, and from the viewpoint of solvent solubility and conductivity, it is preferably 50 to 10,000. A range is more preferred.

ポリアニオンの製造方法としては、例えば、酸を用いてアニオン基を有しないポリマーにアニオン基を直接導入する方法、アニオン基を有しないポリマーをスルホ化剤によりスルホン酸化する方法、アニオン基含有重合性モノマーの重合により製造する方法等が挙げられる。   Examples of the polyanion production method include a method of directly introducing an anionic group into a polymer having no anionic group using an acid, a method of sulfonating a polymer having no anionic group with a sulfonating agent, and an anionic group-containing polymerizable monomer. And the like.

アニオン基含有重合性モノマーの重合により製造する方法としては、溶媒中、アニオン基含有重合性モノマーを、酸化剤及び/又は重合触媒の存在下で、酸化重合又はラジカル重合によって製造する方法が挙げられる。具体的には、所定量のアニオン基含有重合性モノマーを溶媒に溶解させ、これを一定温度に保ち、それに予め溶媒に所定量の酸化剤及び/又は重合触媒を溶解した溶液を添加し、所定時間で反応させる。その反応により得られたポリマーは、溶媒によって一定の濃度に調整される。なお、この製造方法において、アニオン基含有重合性モノマーにアニオン基を有さない重合性モノマーを共重合させてもよい。   Examples of the method for producing an anionic group-containing polymerizable monomer by polymerization include a method for producing an anionic group-containing polymerizable monomer in a solvent by oxidative polymerization or radical polymerization in the presence of an oxidizing agent and / or a polymerization catalyst. . Specifically, a predetermined amount of the anionic group-containing polymerizable monomer is dissolved in a solvent, kept at a constant temperature, and a solution in which a predetermined amount of an oxidizing agent and / or a polymerization catalyst is dissolved in the solvent is added to the predetermined amount. React with time. The polymer obtained by the reaction is adjusted to a certain concentration by the solvent. In this production method, a polymerizable monomer having no anionic group may be copolymerized with the anionic group-containing polymerizable monomer.

なお、得られたポリマーがポリアニオンの塩である場合には、ポリアニオンの酸に変質させることが好ましい。ポリアニオンの塩をポリ陰イオン酸に変質させる方法としては、イオン交換樹脂を用いたイオン交換法、透析法、限外ろ過法等が挙げられ、これらの中でも、作業が容易な点から限外ろ過法が好ましい。   In addition, when the obtained polymer is a salt of a polyanion, it is preferable to change the acid to a polyanion acid. Examples of methods for transforming polyanion salts into polyanionic acids include ion exchange methods using ion exchange resins, dialysis methods, ultrafiltration methods, etc. Among these, ultrafiltration is used because it is easy to work with. The method is preferred.

導電性高分子化合物に含まれるカチオン性π共役系導電性高分子と導電性高分子化合物を構成するポリアニオンとの比率、すなわち、カチオン性π共役系導電性高分子に対するポリアニオンの重量比は、導電性及び分散性の観点から、0.5以上25未満が好ましい。   The ratio between the cationic π-conjugated conductive polymer contained in the conductive polymer compound and the polyanion constituting the conductive polymer compound, that is, the weight ratio of the polyanion to the cationic π-conjugated conductive polymer From the viewpoints of properties and dispersibility, 0.5 or more and less than 25 are preferable.

カチオン性π共役系導電性高分子に対するポリアニオンの重量比が25未満であれば、導電性が向上するのに加えて、親水性であるポリアニオン又は導電性高分子化合物が保持している水分量が少なくなり、導電膜及び導電膜を用いた有機EL素子等の保存性が向上する。また、重量比が0.5以上であれば、ドーパントの増加に伴い、導電性高分子化合物の抵抗が低くなるのに加えて、保護コロイドとして作用しているポリアニオンの効果が強まり粒子の安定性が向上し、粒径が抑えられる。このように、導電性、粒子安定性、導電膜及び導電膜を用いた有機レクトロルミネッセンス素子等の保存性の観点から、カチオン性π共役系導電性高分子に対するポリアニオンの重量比は、0.5以上25未満が好ましい。   If the weight ratio of the polyanion to the cationic π-conjugated conductive polymer is less than 25, in addition to improving the conductivity, the amount of water retained by the hydrophilic polyanion or the conductive polymer compound is Thus, the storability of the conductive film and the organic EL element using the conductive film is improved. If the weight ratio is 0.5 or more, the resistance of the conductive polymer compound decreases as the dopant increases, and the effect of the polyanion acting as a protective colloid increases, and the stability of the particles Is improved and the particle size is suppressed. Thus, from the viewpoint of the storage stability of the electroconductivity, particle stability, the conductive film and the organic electroluminescence device using the conductive film, the weight ratio of the polyanion to the cationic π-conjugated conductive polymer is 0.5. More than 25 is preferable.

カチオン性π共役系導電性高分子に対するポリアニオンの重量比を所望の値にする方法としては、導電性高分子化合物合成時に使用するポリアニオン量を調節する方法が挙げられる。この方法において、ポリアニオン量をカチオン性π共役系導電性高分子に対して1.0以下の重量比とすれば、導電性高分子化合物粒子が大きくなる傾向があるため、導電性高分子化合物合成時に他の高分子化合物を併用することができる。併用可能な高分子化合物としては、導電性化合物粒子を安定化し、かつ、透過率及び導電性を劣化させなければ特に限定は無いが、2−ヒドロキシエチルアクリレート等のポリアクリル、又は、解離性基含有自己分散型ポリマー等の水系分散ポリマーが好ましい。また、市販のPEDOT/PSS中の水を乾燥除去、トルエンで共沸除去、又は、凍結乾燥等公知の方法で粉末化した後に、水洗し、PSSを除去する方法、限外ろ過によりPSSを除去しながら水で置換する方法等が利用可能である。   Examples of a method for setting the weight ratio of the polyanion to the cationic π-conjugated conductive polymer to a desired value include a method of adjusting the amount of polyanion used during the synthesis of the conductive polymer compound. In this method, if the weight ratio of polyanion is 1.0 or less with respect to the cationic π-conjugated conductive polymer, the conductive polymer compound particles tend to be large. Sometimes other polymer compounds can be used in combination. The polymer compound that can be used in combination is not particularly limited as long as the conductive compound particles are stabilized and the transmittance and conductivity are not deteriorated, but polyacryl such as 2-hydroxyethyl acrylate, or a dissociative group An aqueous dispersion polymer such as a contained self-dispersing polymer is preferred. Also, water in commercially available PEDOT / PSS is removed by drying, azeotropic removal with toluene, or pulverized by a known method such as freeze-drying, then washed with water, PSS is removed, and PSS is removed by ultrafiltration. A method of replacing with water can be used.

カチオン性π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーをポリ陰イオンの存在下で化学酸化重合して、本発明に係る導電性ポリマーを得る際に使用される酸化剤としては、例えば、J.Am.Soc.,85、454(1963)に記載されるピロールの酸化重合に適する、いずれかの酸化剤が挙げられる。かかる酸化剤としては、実際的な理由のために、安価かつ取扱い易い酸化剤、例えば鉄(III)塩(例えばFeCl、Fe(ClO、有機酸及び有機残基を含む無機酸の鉄(III)塩)、過酸化水素、重クロム酸カリウム、過硫酸アルカリ(例えば過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム)、アンモニウム、過ホウ酸アルカリ、過マンガン酸カリウム、又は、銅塩(例えば四フッ化ホウ酸銅)を用いることが好ましい。加えて、酸化剤として、随時触媒量の金属イオン(例えば鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、モリブデンイオン、バナジウムイオン)の存在下における空気又は酸素も使用することができる。これらの中でも、過硫酸塩、有機酸を含む無機酸の鉄(III)塩又は有機残基を含む無機酸の鉄(III)塩の使用が腐食性でないために大きな応用上の利点を有する。 As an oxidant used when obtaining a conductive polymer according to the present invention by chemical oxidative polymerization of a precursor monomer that forms a cationic π-conjugated conductive polymer in the presence of a polyanion, for example, J. et al. Am. Soc. 85, 454 (1963), and any oxidizing agent suitable for oxidative polymerization of pyrrole. Such oxidants include, for practical reasons, cheap and easy to handle oxidants such as iron (III) salts (eg FeCl 3 , Fe (ClO 4 ) 3 , organic acids and inorganic acids containing organic residues). Iron (III) salt), hydrogen peroxide, potassium dichromate, alkali persulfate (eg, potassium persulfate, sodium persulfate), ammonium, alkali perborate, potassium permanganate, or copper salts (eg, tetrafluoride). It is preferable to use copper borate). In addition, air or oxygen in the presence of catalytic amounts of metal ions (for example, iron ions, cobalt ions, nickel ions, molybdenum ions, vanadium ions) can be used as an oxidizing agent. Among these, the use of persulfate, iron (III) salts of inorganic acids including organic acids, or iron (III) salts of inorganic acids including organic residues has great application advantages.

有機残基を含む無機酸の鉄(III)塩の例としては、炭素数1〜20のアルカノールの硫酸半エステルの鉄(III)塩(例えばラウリル硫酸)、炭素数1〜20のアルキルスルホン酸(例えばメタン、ドデカンスルホン酸)、脂肪族炭素数1〜20のカルボン酸(例えば2−エチルヘキシルカルボン酸)、脂肪族パーフルオロカルボン酸(例えばトリフルオロ酢酸、パーフルオロオクタノン酸)、脂肪族ジカルボン酸(例えばシュウ酸)、殊に芳香族の、随時炭素数1〜20のアルキル置換されたスルホン酸(例えばベンゼセンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸のFe(III)塩)が挙げられる。   Examples of the iron (III) salt of an inorganic acid containing an organic residue include iron (III) salts of sulfuric acid half esters of alkanols having 1 to 20 carbon atoms (for example, lauryl sulfate), alkyl sulfonic acids having 1 to 20 carbon atoms. (For example, methane, dodecanesulfonic acid), carboxylic acid having 1 to 20 aliphatic carbon atoms (for example, 2-ethylhexylcarboxylic acid), aliphatic perfluorocarboxylic acid (for example, trifluoroacetic acid, perfluorooctanoic acid), aliphatic dicarboxylic acid Acids (eg oxalic acid), in particular aromatic, optionally alkyl substituted sulfonic acids having 1 to 20 carbon atoms (eg Fe (III) salts of benzesenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid) Is mentioned.

こうした導電性高分子化合物としては、市販の材料も好ましく利用することができる。例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸とからなる導電性ポリマー(PEDOT−PSSと略す)が、ヘレオス社からCleviosシリーズとして、Aldrich社からPEDOT−PSSの483095、560596として、Nagase Chemtex社からDenatronシリーズとして市販されている。また、ポリアニリンが、日産化学社からORMECONシリーズとして市販されている。本発明において、こうした剤も導電性高分子化合物として好ましく用いることができる。   A commercially available material can also be preferably used as such a conductive polymer compound. For example, a conductive polymer (abbreviated as PEDOT-PSS) composed of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrene sulfonic acid is a Clevios series from Helios, and PEDOT-PSS 483095 and 560596 from Aldrich. , Commercially available from Nagase Chemtex as the Denatron series. Polyaniline is also commercially available from Nissan Chemical as the ORMECON series. In the present invention, such an agent can also be preferably used as the conductive polymer compound.

導電性高分子化合物は、第2ドーパントとして有機化合物を含有してもよい。本発明で用いることができる有機化合物には特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、酸素含有化合物が好適に挙げられる。前記酸素含有化合物としては、酸素を含有する限り特に制限はなく、例えば、ヒドロキシ基含有化合物、カルボニル基含有化合物、エーテル基含有化合物、スルホキシド基含有化合物等が挙げられる。前記ヒドロキシ基含有化合物としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、1,4−ブタンジオール、グリセリン等が挙げられ、これらの中でも、エチレングリコール、ジエチレングリコールが好ましい。前記カルボニル基含有化合物としては、例えば、イソホロン、プロピレンカーボネート、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。前記エーテル基含有化合物としては、例えば、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、等が挙げられる。前記スルホキシド基含有化合物としては、例えば、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは、1種単独で使用されてもよいし、2種以上が併用されてもよいが、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、ジエチレングリコールから選ばれる少なくとも1種が用いられることが好ましい。   The conductive polymer compound may contain an organic compound as the second dopant. There is no restriction | limiting in particular in the organic compound which can be used by this invention, It can select suitably from well-known things, For example, an oxygen containing compound is mentioned suitably. The oxygen-containing compound is not particularly limited as long as it contains oxygen, and examples thereof include a hydroxy group-containing compound, a carbonyl group-containing compound, an ether group-containing compound, and a sulfoxide group-containing compound. Examples of the hydroxy group-containing compound include ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, trimethylene glycol, 1,4-butanediol, and glycerin. Among these, ethylene glycol and diethylene glycol are preferable. Examples of the carbonyl group-containing compound include isophorone, propylene carbonate, cyclohexanone, and γ-butyrolactone. Examples of the ether group-containing compound include diethylene glycol monoethyl ether. Examples of the sulfoxide group-containing compound include dimethyl sulfoxide. These may be used alone or in combination of two or more, but at least one selected from dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, and diethylene glycol is preferably used.

〔導電性高分子化合物と水系溶剤に分散可能なポリマーからなる分散液〕
本発明に係る導電性高分子化合物と水系溶剤に分散可能なポリマーとを含有する分散液は、導電性高分子化合物と水系溶剤に分散可能なポリマーとが水系溶剤中に分散された液である。前記水系溶剤としては、純水(蒸留水、脱イオン水を含む)のみならず、酸、アルカリ、塩等を含む水溶液、含水の有機溶剤、又は、親水性の有機溶剤である。水系溶剤としては、純水(蒸留水、脱イオン水を含む)、メタノール、エタノール等のアルコール系溶剤、水とアルコールとの混合溶剤等が挙げられる。
[Dispersion made of conductive polymer compound and polymer dispersible in aqueous solvent]
The dispersion containing the conductive polymer compound and the polymer dispersible in the aqueous solvent according to the present invention is a liquid in which the conductive polymer compound and the polymer dispersible in the aqueous solvent are dispersed in the aqueous solvent. . The aqueous solvent is not only pure water (including distilled water and deionized water), but also an aqueous solution containing acid, alkali, salt, etc., a water-containing organic solvent, or a hydrophilic organic solvent. Examples of the aqueous solvent include pure water (including distilled water and deionized water), alcohol solvents such as methanol and ethanol, and mixed solvents of water and alcohol.

本発明に係る分散液は、透明であることが好ましく、フィルムを形成する媒体であれば、特に限定されない。また、導電膜1表面へのブリードアウト、有機EL素子を積層した場合の素子性能に問題がなければ特に限定はないが、分散液は、ミセル形成を補助する界面活性剤(乳化剤)や造膜温度をコントロールする可塑剤等を含まないことが好ましい。   The dispersion according to the present invention is preferably transparent and is not particularly limited as long as it is a medium for forming a film. In addition, there is no particular limitation as long as there is no problem in the bleed out to the surface of the conductive film 1 and the element performance when the organic EL element is laminated, but the dispersion is a surfactant (emulsifier) or a film forming agent that assists micelle formation. It is preferable not to include a plasticizer for controlling the temperature.

本発明に係る分散液のpHは、所望の導電性が得られれば特に問題ないが、0.1〜7.0が好ましく、より好ましくは0.3〜5.0である。   The pH of the dispersion according to the present invention is not particularly problematic as long as desired conductivity is obtained, but is preferably 0.1 to 7.0, and more preferably 0.3 to 5.0.

本発明に係る分散液の表面張力をコントロールするために、分散液に有機溶剤を添加してもよい。有機溶剤は、所望の表面張力が得られれば特に限定されないが、一価、二価又は多価のアルコール系溶剤が好ましい。有機溶剤の沸点は、好ましくは200℃以下であり、より好ましくは150℃以下である。   In order to control the surface tension of the dispersion according to the present invention, an organic solvent may be added to the dispersion. The organic solvent is not particularly limited as long as a desired surface tension can be obtained, but a monovalent, divalent or polyvalent alcohol solvent is preferable. The boiling point of the organic solvent is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower.

本発明に係る分散液に含有される分散処理後の導電性高分子化合物及び水系溶剤に分散可能なポリマーの分散処理後における大きさ(平均粒径)は、好ましくは1〜100nmであり、より好ましくは3〜80nmであり、さらに好ましくは5〜50nmである。分散液内の粒子の大きさが100nm以下であれば、分散液を基材11へ塗布することによって生成される第2導電層(導電層)13のヘイズ及び平滑性(表面粗さ(Ra))が向上し、さらには有機エレクトロルミネッセンス素子の性能が向上する。また分散液内の粒子の大きさが1nm以上であれば、粒子同士の凝集の発生が抑えられて分散液の分散性が向上し、その結果、第2導電層(導電層)13のヘイズ及び平滑性(表面粗さ(Ra))が向上する。造膜する際の平滑性を高めるためには、分散液内の粒子の大きさは、3〜80nmであることがより好ましく、5〜50nmであることがさらに好ましい。また、平均粒径をコントロールしても、使用している水系溶剤に分散可能なポリマーの造膜温度が高すぎると乾燥温度内では造膜せずに粒子形状が残り膜表面の平均粗さを劣化させることがあるため、造膜温度もコントロールすることが望ましい。   The size (average particle size) after dispersion treatment of the conductive polymer compound after dispersion treatment and the polymer dispersible in an aqueous solvent contained in the dispersion according to the present invention is preferably 1 to 100 nm, and more Preferably it is 3-80 nm, More preferably, it is 5-50 nm. If the size of the particles in the dispersion is 100 nm or less, the haze and smoothness (surface roughness (Ra)) of the second conductive layer (conductive layer) 13 generated by applying the dispersion to the substrate 11. ) And the performance of the organic electroluminescence device is improved. Further, if the size of the particles in the dispersion is 1 nm or more, the occurrence of aggregation between the particles is suppressed and the dispersibility of the dispersion is improved. As a result, the haze of the second conductive layer (conductive layer) 13 and Smoothness (surface roughness (Ra)) is improved. In order to improve the smoothness during film formation, the size of the particles in the dispersion is more preferably 3 to 80 nm, and further preferably 5 to 50 nm. In addition, even if the average particle size is controlled, if the film forming temperature of the polymer that can be dispersed in the aqueous solvent used is too high, the film shape does not form within the drying temperature, and the particle shape remains and the average roughness of the film surface is reduced. Since the film may deteriorate, it is desirable to control the film forming temperature.

前記分散液の平均粒径を所望の範囲とする手法としては、ホモジナイザー、超音波分散機(US分散機)、ボールミル等を用いた分散技術、逆浸透膜、限外ろ過膜、精密ろ過膜を用いた粒子の分級等を用いることができる。ホモジナイザー、超音波分散機(US分散機)、ボールミル等を用いた分散技術は、いずれも高温になると粒子の増大が起こりやすくなるため、分散操作中の温度は、好ましくは−10℃以上50℃以下であり、より好ましくは0℃よりも高く30℃未満である。ポリマーを切断するような大きな剪断力による分散操作の場合には、分散液の温度が高くなる傾向があり、導電性ポリマーの共役系が熱により寸断され、性能劣化を引き起こすおそれがある。その結果、温度が50℃を超える場合には、粒径は小さくなる傾向にあるが、分散液によって生成される第2導電層(導電層)13のシート抵抗が上昇してしまうおそれがある。また、水系溶媒中に有機溶媒が含有される場合には、0℃以下(例えば、−10度以上0℃以下)であっても、溶媒が凝固しなければ好適に分散操作を行うことが可能である。また、分散液は水リッチであるため、0℃以下では粘度上昇が起こり、撹拌に負荷がかかってしまう。また、30度以上では溶媒の蒸発が起こり、分散液の濃度変動が起きやすく、その結果、導電膜13の性能に影響をきたすおそれがある。分級は、必要に応じて使用する膜を選択すれば特に限定されない。   Examples of a method for setting the average particle size of the dispersion to a desired range include a homogenizer, an ultrasonic disperser (US disperser), a dispersion technique using a ball mill, a reverse osmosis membrane, an ultrafiltration membrane, and a microfiltration membrane. The classification of the used particles can be used. Dispersion techniques using a homogenizer, an ultrasonic disperser (US disperser), a ball mill, etc. all tend to increase particles at high temperatures. Therefore, the temperature during the dispersion operation is preferably -10 ° C to 50 ° C. It is below, More preferably, it is higher than 0 degreeC and less than 30 degreeC. In the case of a dispersion operation by a large shearing force that cuts the polymer, the temperature of the dispersion liquid tends to be high, and the conjugated system of the conductive polymer is broken by heat, which may cause performance deterioration. As a result, when the temperature exceeds 50 ° C., the particle size tends to be small, but the sheet resistance of the second conductive layer (conductive layer) 13 generated by the dispersion may increase. In addition, when an organic solvent is contained in the aqueous solvent, even when the temperature is 0 ° C. or lower (for example, −10 ° C. or higher and 0 ° C. or lower), the dispersion operation can be suitably performed as long as the solvent does not solidify. It is. Further, since the dispersion is water-rich, the viscosity increases at 0 ° C. or lower, and a load is applied to the stirring. Further, if the temperature is 30 degrees or more, the solvent is evaporated and the dispersion concentration is likely to fluctuate. As a result, the performance of the conductive film 13 may be affected. Classification is not particularly limited as long as a membrane to be used is selected as necessary.

本発明に係る分散液中の水系溶剤に分散可能なポリマー粒子と導電性ポリマー粒子とは、各々の粒子が独立に分散されて状態になっていて粒径が各々の粒径の和になっていてもよく、組成の異なる粒子同士が凝集していてもよい。また、分散操作中に組成の異なる粒子同士が一部混合した状態になっていてもよく、完全に混合して粒子を形成していてもよい。   The polymer particles and conductive polymer particles dispersible in the aqueous solvent in the dispersion according to the present invention are in a state where each particle is dispersed independently, and the particle size is the sum of the particle sizes. Alternatively, particles having different compositions may be aggregated. Further, particles having different compositions may be partially mixed during the dispersion operation, or may be completely mixed to form particles.

本発明に係る水系溶剤に分散可能なポリマーの使用量(固形分)は、導電性高分子化合物の固形分に対して好ましくは50〜5000質量%であり、より好ましくは100〜3500質量%であり、さらに好ましくは200〜2000重量%である。ここで、水系溶剤に分散可能なポリマーの使用量が導電性高分子化合物に対して50〜5000質量%であることがより好ましい理由は、50質量%以上であれば、透過率の向上効果が十分となり(導電性高分子化合物は可視光領域の光を吸収するため、透過率を向上させるためには導電性を低下させない範囲で導電性高分子化合物をできるだけ減らしたい)、5000質量%以下であれば、導電性ポリマーの比率が小さくなりすぎずに好適な導電性が得られるためである。このように、透過率の向上効果を得るとともに導電性の低下を防ぐためには、ポリオレフィン系共重合体の使用量は、導電性高分子に対して100〜3500質量%であることがより好ましく、導電性高分子化合物に対して200〜2000質量%であることがさらに好ましい。   The amount (solid content) of the polymer dispersible in the aqueous solvent according to the present invention is preferably 50 to 5000 mass%, more preferably 100 to 3500 mass%, based on the solid content of the conductive polymer compound. Yes, more preferably 200 to 2000% by weight. Here, it is more preferable that the amount of the polymer dispersible in the aqueous solvent is 50 to 5000% by mass with respect to the conductive polymer compound. (The conductive polymer compound absorbs light in the visible light region, so in order to improve the transmittance, it is desirable to reduce the conductive polymer compound as much as possible without reducing the conductivity.) If it exists, it is because the suitable electroconductivity is obtained, without the ratio of a conductive polymer becoming small too much. Thus, in order to obtain the effect of improving the transmittance and prevent the decrease in conductivity, the amount of the polyolefin-based copolymer used is more preferably 100 to 3500% by mass with respect to the conductive polymer. More preferably, it is 200-2000 mass% with respect to a conductive polymer compound.

本発明に係る分散液の粒径測定法は、特に限定されないが、好ましくは動的光散乱法、レーザー回折法又は画像イメージング法であり、より好ましくは動的光散乱法である。水系溶剤に分散可能なポリマー粒子及び導電性ポリマー粒子は、希釈により粒径が不安定になるため、溶剤希釈せずにそのままの状態で測定できる濃厚系粒径測定機が好ましく、かかる濃厚系粒径測定機としては、濃厚系粒径アナライザー(大塚電子社製)、ゼータサイザーナノシリーズ(Malvern社製)等が挙げられる。
本発明に係る分散液には、本発明の微粒子が添加されてもよく、かかる微粒子は、乾燥負荷低減、有機化合物層の膜厚抑制の観点から、有機化合物層を構成する水系溶剤に分散可能なポリマーの置き換えで使用されることが好ましい。微粒子の使用量は、好ましくは水系溶剤に分散可能なポリマーに対して固形分重量で25〜75質量%であり、より好ましくは導電性高分子化合物に対して30〜60質量%である。ここで、水系溶剤に分散可能なポリマーの使用量が導電性高分子に対して25〜75質量%であることが好ましい理由は、25質量%以上であれば、乾燥負荷低減効果が十分となり、75質量%以下であれば、有機化合物層の膜物性が向上するためである。このように、乾燥負荷低減効果を得るとともに有機化合物層の膜物性低下を防ぐためには、水系溶剤に分散可能なポリマーの使用量を、水系溶剤に分散可能なポリマーに対して固形分重量で25〜75質量%であることがより好ましい。
The particle size measurement method of the dispersion according to the present invention is not particularly limited, but is preferably a dynamic light scattering method, a laser diffraction method or an image imaging method, and more preferably a dynamic light scattering method. Since the particle size of the polymer particles and conductive polymer particles dispersible in an aqueous solvent becomes unstable due to dilution, a concentrated particle size measuring machine that can measure as it is without diluting the solvent is preferable. Examples of the diameter measuring device include a concentrated particle size analyzer (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.), a zeta sizer nano series (manufactured by Malvern), and the like.
The fine particles of the present invention may be added to the dispersion according to the present invention, and such fine particles can be dispersed in the aqueous solvent constituting the organic compound layer from the viewpoint of reducing the drying load and suppressing the film thickness of the organic compound layer. It is preferably used in the replacement of new polymers. The amount of the fine particles used is preferably 25 to 75% by mass in terms of solid content based on the polymer dispersible in the aqueous solvent, and more preferably 30 to 60% by mass based on the conductive polymer compound. Here, the reason why the amount of the polymer dispersible in the aqueous solvent is preferably 25 to 75% by mass with respect to the conductive polymer is that if it is 25% by mass or more, the drying load reduction effect is sufficient, If it is 75% by mass or less, the film physical properties of the organic compound layer are improved. As described above, in order to obtain a drying load reduction effect and prevent a decrease in film physical properties of the organic compound layer, the amount of the polymer dispersible in the aqueous solvent can be reduced to a solid weight of 25 with respect to the polymer dispersible in the aqueous solvent. More preferably, it is -75 mass%.

(金属材料)
図1に示すように、本発明の実施形態に係る導電膜1は、導電性高分子化合物とポリオレフィン系共重合体とを含有する導電性層(図1の第2導電層13)の他に、基材11上にパターン状に形成された金属材料含有導電性層(図1の第1導電層12)を有する。
(Metal material)
As shown in FIG. 1, the conductive film 1 according to the embodiment of the present invention includes a conductive layer (second conductive layer 13 in FIG. 1) containing a conductive polymer compound and a polyolefin-based copolymer. And a metal material-containing conductive layer (first conductive layer 12 in FIG. 1) formed in a pattern on the substrate 11.

金属材料としては、導電性を有するものであれば、特に制限はなく、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケル、クロム等の金属の他に合金でもよい。特に、後述のようにパターンの形成のしやすさの観点から金属材料の形状は、金属微粒子又は金属ナノワイヤであることが好ましく、金属材料は、導電性の観点から銀であることが好ましい。   The metal material is not particularly limited as long as it has conductivity, and may be an alloy in addition to a metal such as gold, silver, copper, iron, nickel, or chromium. In particular, from the viewpoint of ease of pattern formation as described later, the shape of the metal material is preferably metal fine particles or metal nanowires, and the metal material is preferably silver from the viewpoint of conductivity.

本発明に係る第1導電層12は、透明な導電膜1を構成するために、開口部12aを有するパターン状を呈するように基材11上に形成される。開口部12aは、基材11上に金属材料を有さない部分であり透光性窓部である。パターン形状には特に制限はないが、例えば、ストライプ状、メッシュ状又はランダムな網目状であることが好ましい。導電膜1全体の面に対して開口部12aは示す割合、すなわち、開口率は、透明性の観点から80%以上であることが好ましい。開口率とは、光不透過の導電部が全体に占める割合である。例えば、光不透過の導電部がストライプ状又はメッシュ状である場合、線幅100μm、線間隔1mmのストライプ状パターンの開口率は、約90%である。   In order to form the transparent conductive film 1, the first conductive layer 12 according to the present invention is formed on the substrate 11 so as to have a pattern shape having the opening 12a. The opening part 12a is a part which does not have a metal material on the base material 11, and is a translucent window part. Although there is no restriction | limiting in particular in a pattern shape, For example, it is preferable that they are stripe shape, mesh shape, or random mesh shape. The ratio of the opening 12a to the entire surface of the conductive film 1, that is, the opening ratio is preferably 80% or more from the viewpoint of transparency. The aperture ratio is the ratio of the light-impermeable conductive portion to the whole. For example, when the light-impermeable conductive portion is striped or meshed, the aperture ratio of the striped pattern having a line width of 100 μm and a line interval of 1 mm is about 90%.

パターンの線幅は、透明性及び導電性の観点から、10〜200μmが好ましい。細線の線幅が10μm以上であれば、所望の導電性が得られ、また細線の線幅が200μm以下であれば、所望の透明性が得られる。細線の高さは、0.1〜10μmが好ましい。細線の高さが0.1μm以上であれば、所望の導電性が得られ、また細線の高さが10μm以下であれば、有機電子デバイスの形成において、電流リークや機能層の膜厚の分布不良が防止される。   The line width of the pattern is preferably 10 to 200 μm from the viewpoint of transparency and conductivity. If the line width of the fine line is 10 μm or more, desired conductivity can be obtained, and if the line width of the fine line is 200 μm or less, desired transparency can be obtained. The height of the thin wire is preferably 0.1 to 10 μm. If the height of the fine wire is 0.1 μm or more, desired conductivity is obtained, and if the height of the fine wire is 10 μm or less, current leakage and functional layer thickness distribution in the formation of an organic electronic device Defects are prevented.

ストライプ状又はメッシュ状の第1導電層12を形成する手法としては、特に、制限はなく、従来公知な手法が利用できる。例えば、基材11全面に金属層を形成し、金属層に公知のフォトリソ法を施すことによって形成できる。具体的には、基材11上の全面に、印刷、蒸着、スパッタ、めっき等の1又は2以上の物理的又は化学的形成手法を用いて金属層を形成する、若しくは、金属箔を接着剤で基材11に積層した後、公知のフォトリソ法を用いて、エッチングすることにより、所望のストライプ状又はメッシュ状に加工された第1導電層12を得ることができる。金属種としては、通電可能であれば特に制限されず、銅、鉄、コバルト、金、銀等を用いることができるが、導電性の観点から、好ましくは銀又は銅であり、より好ましくは銀である。   There is no restriction | limiting in particular as a method of forming the stripe-shaped or mesh-shaped 1st conductive layer 12, A conventionally well-known method can be utilized. For example, it can be formed by forming a metal layer on the entire surface of the substrate 11 and subjecting the metal layer to a known photolithography method. Specifically, a metal layer is formed on the entire surface of the substrate 11 using one or more physical or chemical forming methods such as printing, vapor deposition, sputtering, plating, or the like, or a metal foil is used as an adhesive. The first conductive layer 12 processed into a desired stripe shape or mesh shape can be obtained by laminating the substrate 11 on the substrate 11 and then etching using a known photolithography method. The metal species is not particularly limited as long as it can be energized, and copper, iron, cobalt, gold, silver, and the like can be used. From the viewpoint of conductivity, silver or copper is preferable, and silver is more preferable. It is.

別な手法としては、金属微粒子を含有するインクをスクリーン印刷により所望の形状に印刷する手法、メッキ可能な触媒インクをグラビア印刷又はインクジェット方式で所望の形状に塗布した後にメッキ処理する手法、又は、銀塩写真技術を応用した方法が挙げられる。   As another method, a method of printing an ink containing metal fine particles in a desired shape by screen printing, a method of applying a plating catalyst ink in a desired shape by gravure printing or an inkjet method, or a plating process, or A method using silver salt photography technology is mentioned.

銀塩写真技術を応用した手法については、例えば、特開2009−140750号公報の[0076]−[0112]及び実施例を参考にして実施可能である。また、触媒インクをグラビア印刷してメッキ処理する手法については、例えば、特開2007−281290号公報を参考にして実施可能である。   A technique using silver salt photography technology can be implemented with reference to, for example, [0076]-[0112] of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-140750 and Examples. Further, a method for carrying out a plating process by gravure printing of the catalyst ink can be carried out with reference to, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-281290.

また、ランダムな網目構造としては、例えば、特表2005−530005号公報に記載されているように、金属微粒子を含有する液を塗布乾燥することにより、自発的に導電性微粒子の無秩序な網目構造を形成する手法が利用可能である。また、別な手法として、例えば、特表2009−505358号公報に記載されているように、金属ナノワイヤを含有する塗布液(分散液)を塗布乾燥することで、金属ナノワイヤのランダムな網目構造を形成する手法が利用可能である。   In addition, as a random network structure, for example, as described in JP 2005-530005 A, a random network structure of conductive fine particles is spontaneously formed by coating and drying a liquid containing metal fine particles. Techniques for forming can be used. As another method, for example, as described in JP-T-2009-505358, a coating solution (dispersion) containing metal nanowires is applied and dried to form a random network structure of metal nanowires. Techniques to form are available.

金属ナノワイヤとは、金属元素を主要な構成要素とする繊維状構造体のことをいう。特に、本発明における金属ナノワイヤとは、原子スケールからnmサイズの短径を有する多数の繊維状構造体を意味する。   The metal nanowire refers to a fibrous structure having a metal element as a main component. In particular, the metal nanowire in the present invention means a large number of fibrous structures having a minor axis from the atomic scale to the nm size.

金属ナノワイヤとしては、1つの金属ナノワイヤで長い導電パスを形成するために、平均長さが3μm以上であることが好ましく、3〜500μmであることがより好ましい。金属ナノワイヤの長さが500μm以下であれば、一本のワイヤがうまく広がって他のワイヤと重ならずに配置され、その結果、第1導電層12の膜厚が抑えられ、薄膜化が達成されるとともに透過率が向上する。また、金属ナノワイヤの長さが3μm以上であれば、金属ナノワイヤ同士の接点が増加し、金属ナノワイヤの添加量を抑えつつ、所望のシート抵抗及び透過率が得られる。併せて、長さの相対標準偏差は、40%以下であることが好ましい。これは、長さの相対標準偏差が40%以下であれば、第1導電層12の膜厚ムラ及びシート抵抗の均一性低下が防止されるためである。また、平均短径には特に制限はないが、透明性の観点からは小さいことが好ましく、一方で、導電性の観点からは大きい方が好ましい。したがって、金属ナノワイヤの平均短径は、10〜300nmであることが好ましく、30〜200nmであることがより好ましい。併せて、短径の相対標準偏差は20%以下であることが好ましい。これは、短径の相対標準偏差が20%以下であれば、第1導電層12の膜厚ムラの発生が抑えられるとともに、有機EL素子の輝度ムラの発生が抑えられるためである。金属ナノワイヤの目付け量は、0.02〜0.5g/mが好ましい。金属ナノワイヤの目付け量が0.02g/m以上であれば、所望のシート抵抗が得られ、目付け量が0.5g/m以下であれば、所望のシート抵抗及び透過率が得られる。金属ナノワイヤの目付け量は、シート抵抗及び透過率の観点から、0.03〜0.2g/mがより好ましい。 As a metal nanowire, in order to form a long conductive path with one metal nanowire, the average length is preferably 3 μm or more, and more preferably 3 to 500 μm. If the length of the metal nanowire is 500 μm or less, one wire spreads well and is arranged without overlapping with other wires, and as a result, the film thickness of the first conductive layer 12 is suppressed, and thinning is achieved. As a result, the transmittance is improved. Moreover, if the length of metal nanowire is 3 micrometers or more, the contact of metal nanowire will increase and desired sheet resistance and transmittance | permeability will be obtained, suppressing the addition amount of metal nanowire. In addition, the relative standard deviation of the length is preferably 40% or less. This is because when the relative standard deviation of the length is 40% or less, the film thickness unevenness of the first conductive layer 12 and the uniformity of the sheet resistance are prevented from being reduced. Moreover, although there is no restriction | limiting in particular in an average breadth, it is preferable that it is small from a transparency viewpoint, and the larger one is preferable from a conductive viewpoint. Therefore, the average minor axis of the metal nanowire is preferably 10 to 300 nm, and more preferably 30 to 200 nm. In addition, the relative standard deviation of the minor axis is preferably 20% or less. This is because when the relative standard deviation of the minor axis is 20% or less, the occurrence of unevenness in the thickness of the first conductive layer 12 is suppressed, and the occurrence of unevenness in luminance of the organic EL element is suppressed. The basis weight of the metal nanowire is preferably 0.02 to 0.5 g / m 2 . If the basis weight of the metal nanowire is 0.02 g / m 2 or more, a desired sheet resistance is obtained, and if the basis weight is 0.5 g / m 2 or less, desired sheet resistance and transmittance are obtained. The weight of the metal nanowire is more preferably 0.03 to 0.2 g / m 2 from the viewpoint of sheet resistance and transmittance.

金属ナノワイヤに用いられる金属としては、銅、鉄、コバルト、金、銀等が挙げられるが、導電性の観点から銀が好ましい。また、金属は単一で用いてもよいが、導電性と安定性(金属ナノワイヤの硫化耐性、酸化耐性、及び、マイグレーション耐性)を両立するために、主成分となる金属と1種類以上の他の金属を任意の割合で含んでもよい。   Examples of the metal used for the metal nanowire include copper, iron, cobalt, gold, silver and the like, and silver is preferable from the viewpoint of conductivity. In addition, although a single metal may be used, in order to achieve both conductivity and stability (sulfurization resistance, oxidation resistance, and migration resistance of metal nanowires), the metal as the main component and one or more other types are used. These metals may be included in any proportion.

金属ナノワイヤの製造方法には特に制限はなく、例えば、液相法、気相法等の公知の手法を用いることができる。また、具体的な製造方法にも特に制限はなく、公知の製造方法を用いることができる。例えば、銀ナノワイヤの製造方法としては、Adv.Mater.,2002,14,833〜837、Chem.Mater.,2002,14,4736〜4745、金ナノワイヤの製造方法としては特開2006−233252号公報等、銅ナノワイヤの製造方法としては特開2002−266007号公報等、コバルトナノワイヤの製造方法としては特開2004−149871号公報等を参考にすることができ
る。特に、前記した文献に開示された銀ナノワイヤの製造方法は、水溶液中で簡便に銀ナノワイヤを製造することができ、また銀の導電率は金属中で最大であることから、本発明に好ましく適用することができる。
There is no restriction | limiting in particular in the manufacturing method of metal nanowire, For example, well-known methods, such as a liquid phase method and a gaseous-phase method, can be used. Moreover, there is no restriction | limiting in particular in a specific manufacturing method, A well-known manufacturing method can be used. For example, as a method for producing silver nanowires, Adv. Mater. , 2002, 14, 833-837, Chem. Mater. 2002, 14, 4736-4745, a method for producing gold nanowires is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-233252, a method for producing copper nanowires is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-266007, and the like. Reference can be made to 2004-149871. In particular, the method for producing silver nanowires disclosed in the above-mentioned literature can easily produce silver nanowires in an aqueous solution, and the electrical conductivity of silver is the highest among metals, so it is preferably applied to the present invention. can do.

また、金属材料からなる細線部(第1導電層12)の表面比抵抗は、大面積化という観点から、100Ω/□以下であることが好ましく、20Ω/□以下であることがより好ましい。表面比抵抗は、例えば、JIS K6911、ASTM D257等に準拠して測定することができ、また市販の表面抵抗率計を用いて簡便に測定することができる。
また、金属材料からなる細線部(第1導電層12)は、基材11にダメージを与えない範囲で加熱処理を施されることが好ましい。これにより、金属微粒子や金属ナノワイヤ同士の融着が進み、金属材料からなる細線部が高導電化する。
In addition, the surface specific resistance of the thin wire portion (first conductive layer 12) made of a metal material is preferably 100Ω / □ or less, and more preferably 20Ω / □ or less, from the viewpoint of increasing the area. The surface specific resistance can be measured based on, for example, JIS K6911, ASTM D257, etc., and can be easily measured using a commercially available surface resistivity meter.
Moreover, it is preferable that the thin wire | line part (1st conductive layer 12) which consists of metal materials is heat-processed in the range which does not damage the base material 11. FIG. As a result, fusion between the metal fine particles and the metal nanowires proceeds, and the thin wire portion made of the metal material becomes highly conductive.

(基材)
基材11は、導電層12,13を担持しうる板状体であり、透明な導電膜1を得るためには、JIS K 7361−1:1997(プラスチック−透明材料の全光線透過率の試験方法)に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が80%以上のものが好ましく用いられる。
(Base material)
The base material 11 is a plate-like body that can carry the conductive layers 12 and 13, and in order to obtain the transparent conductive film 1, JIS K 7361-1: 1997 (Plastic-Transparent Material Total Light Transmittance Test Preferably, those having a total light transmittance of 80% or more in the visible light wavelength region measured by a method based on (Method) are preferably used.

基材11としては、フレキシブル性に優れており、誘電損失係数が十分小さくて、マイクロ波の吸収が導電層12,13よりも小さい材質であるものが好ましく用いられる。   As the substrate 11, a material that is excellent in flexibility, has a sufficiently low dielectric loss coefficient, and is a material that absorbs microwaves smaller than the conductive layers 12 and 13 is preferably used.

基材11としては、例えば、樹脂基板、樹脂フィルム等が好適に挙げられるが、生産性の観点、及び、軽量性と柔軟性といった性能の観点から透明樹脂フィルムを用いることが好ましい。透明樹脂フィルムとは、JIS K 7361−1:1997(プラスチック−透明材料の全光線透過率の試験方法)に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が50%以上のものをいう。   As the base material 11, for example, a resin substrate, a resin film, and the like are preferably exemplified. However, it is preferable to use a transparent resin film from the viewpoints of productivity and performance such as lightness and flexibility. The transparent resin film is a film having a total light transmittance of 50% or more measured in a visible light wavelength region measured by a method in accordance with JIS K 7361-1: 1997 (a test method for total light transmittance of plastic-transparent material). Say.

好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限はなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。かかる透明樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン(PE)樹脂フィルム、ポリプロピレン(PP)樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂フィルム、ポリサルホン(PSF)樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン(PES)樹脂フィルム、ポリカーボネート(PC)樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース(TAC)樹脂フィルム等を挙げることができる。   There is no restriction | limiting in particular in the transparent resin film which can be used preferably, About the material, a shape, a structure, thickness, etc., it can select suitably from well-known things. Examples of such transparent resin films include polyester resin films such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, and modified polyester, polyethylene (PE) resin films, polypropylene (PP) resin films, polystyrene resin films, and cyclic olefin resins. Polyolefin resin films such as polyvinyl chloride, polyvinyl resin such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyether ether ketone (PEEK) resin film, polysulfone (PSF) resin film, polyether sulfone (PES) resin film, polycarbonate ( PC) resin film, polyamide resin film, polyimide resin film, acrylic resin film, triacetyl cellulose (TAC) resin film, etc. .

前記した全光線透過率が80%以上である樹脂フィルムであれば、本発明の基材11として用いられるフィルム基板として好ましく用いられる。かかるフィルム基板としては、透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの観点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム又はポリカーボネートフィルムが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム又は二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムがより好ましい。   If it is a resin film whose above-mentioned total light transmittance is 80% or more, it is preferably used as a film board | substrate used as the base material 11 of this invention. The film substrate is preferably a biaxially stretched polyethylene terephthalate film, a biaxially stretched polyethylene naphthalate film, a polyethersulfone film or a polycarbonate film from the viewpoint of transparency, heat resistance, ease of handling, strength and cost. An axially stretched polyethylene terephthalate film or a biaxially stretched polyethylene naphthalate film is more preferred.

本発明に用いられる基材11には、塗布液(分散液)の濡れ性及び接着性を確保するために、表面処理を施したり易接着層を設けたりすることができる。表面処理及び易接着層   The base material 11 used in the present invention can be subjected to a surface treatment or an easy adhesion layer in order to ensure wettability and adhesion of the coating liquid (dispersion). Surface treatment and easy adhesion layer

例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。   For example, the surface treatment includes surface activation treatment such as corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet treatment, high frequency treatment, glow discharge treatment, active plasma treatment, and laser treatment.

また、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。易接着層は単層でもよいが、接着性を向上させるためには2層以上の構成にしてもよい。   Examples of the easy adhesion layer include polyester, polyamide, polyurethane, vinyl copolymer, butadiene copolymer, acrylic copolymer, vinylidene copolymer, and epoxy copolymer. The easy adhesion layer may be a single layer, but may be composed of two or more layers in order to improve adhesion.

また、フィルム基板の表面又は裏面には、無機物の被膜、有機物の被膜又はこれらの両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、かかる被膜が形成されたフィルム基板は、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定した水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらには、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定した酸素透過度が、1×10−3ml/m・24h・atm以下、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 In addition, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both of these may be formed on the front or back surface of the film substrate, and the film substrate on which such a film is formed conforms to JIS K 7129-1992. The water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured by the above method is 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less barrier film. More preferably, the oxygen transmission rate measured by a method according to JIS K 7126-1987 is 1 × 10 −3 ml / m 2 · 24 h · atm or less, water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity) (90 ± 2)% RH) is preferably a high barrier film of 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less.

高バリア性フィルムとするためにフィルム基板の表面又は裏面に形成されるバリア膜を形成する材料としては、水分、酸素等といった素子の劣化をもたらすものの侵入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらにバリア膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層及び有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   As a material for forming a barrier film formed on the front surface or the back surface of a film substrate in order to obtain a high barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing invasion of elements such as moisture, oxygen, etc. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Furthermore, in order to improve the brittleness of the barrier film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

(塗布、加熱、乾燥)
本発明の第2導電層13は、前記した導電性高分子化合物、及び、ポリオレフィン系共重合体を含有する塗布液(分散液)を、基材11上に塗布し、加熱、乾燥することによって形成される。透明導電膜1が第1導電層11として金属材料からなる細線部を有する場合は、この金属材料からなる細線部が形成された基材11上に前記した塗布液を塗布し、加熱、乾燥することによって第2導電層13が形成される。ここで、第2導電層13は、第1導電層12である金属細線部と電気的に接続されていればよく、パターン形成された金属細線部を完全に被覆してもよいし、金属細線部の一部を被覆してもよいし、金属細線部に接触していてもよい。
(Coating, heating, drying)
The second conductive layer 13 of the present invention is obtained by applying a coating liquid (dispersion liquid) containing the above-described conductive polymer compound and a polyolefin-based copolymer on the substrate 11, heating and drying. It is formed. When the transparent conductive film 1 has a fine wire portion made of a metal material as the first conductive layer 11, the above-described coating solution is applied onto the substrate 11 on which the thin wire portion made of the metal material is formed, and is heated and dried. Thus, the second conductive layer 13 is formed. Here, the second conductive layer 13 only needs to be electrically connected to the thin metal wire portion that is the first conductive layer 12, and may completely cover the patterned thin metal wire portion. A part of the part may be covered, or may be in contact with the fine metal wire part.

導電性高分子化合物、及び、ポリオレフィン系共重合体からなる塗布液の塗布は、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法等の印刷方法に加えて、ロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、インクジェット法等の塗布法のいずれかを用いることができる。   In addition to printing methods such as gravure printing method, flexographic printing method, screen printing method, etc., coating of coating liquid consisting of conductive polymer compound and polyolefin-based copolymer can be performed by roll coating method, bar coating method, dip coating. Any of coating methods such as coating method, spin coating method, casting method, die coating method, blade coating method, bar coating method, gravure coating method, curtain coating method, spray coating method, doctor coating method, and ink jet method can be used. .

また、金属細線部(第1導電層12)の一部を導電性高分子化合物と水系溶剤に分散可能なポリマーとを含有する第2導電層13が被覆又は接触している導電膜1を製造する方法としては、転写フィルムに第1導電層12を前記した方法で形成し、さらに導電性ポリマーと水系溶剤に分散可能なポリマーとを含有する第2導電層13を後記する方法で積層したしたものを、前記した基材11に転写する方法が挙げられる。   In addition, a conductive film 1 is manufactured in which a part of the thin metal wire portion (first conductive layer 12) is covered or in contact with a second conductive layer 13 containing a conductive polymer compound and a polymer dispersible in an aqueous solvent. As a method for forming, the first conductive layer 12 was formed on the transfer film by the method described above, and the second conductive layer 13 containing a conductive polymer and a polymer dispersible in an aqueous solvent was laminated by the method described later. A method of transferring the material to the above-described base material 11 is exemplified.

また、導電膜1を製造する方法として、金属細線部の非導電部(開口部12a)にインクジェット法等の公知の方法で、導電性ポリマーと水系溶剤に分散可能なポリマーとを含有する第2導電層13を形成する方法等が挙げられる。   In addition, as a method for producing the conductive film 1, a second method containing a conductive polymer and a polymer dispersible in an aqueous solvent in a non-conductive portion (opening portion 12 a) of the thin metal wire portion by a known method such as an inkjet method. Examples thereof include a method of forming the conductive layer 13.

導電性高分子化合物と水系溶剤に分散可能なポリマーとを含有する第2導電層13は、カチオン性π共役系高分子に対するポリアニオンの重量比が0.5〜2.5未満の導電性高分子化合物を含むことが好ましい。これにより、高い導電性、高い透明性、及び、強い膜強度を得ることができる。   The second conductive layer 13 containing a conductive polymer compound and a polymer dispersible in an aqueous solvent is a conductive polymer in which the weight ratio of the polyanion to the cationic π-conjugated polymer is less than 0.5 to 2.5. It is preferable to include a compound. Thereby, high electroconductivity, high transparency, and strong film | membrane intensity | strength can be obtained.

このような構造を有する本発明の導電層12,13を形成することで、金属若しくは金属酸化物細線、又は、導電性ポリマー層単独では得ることのできない高い導電性を、導電膜1の面内において均一に得ることができる。   By forming the conductive layers 12 and 13 of the present invention having such a structure, high conductivity that cannot be obtained by a metal or metal oxide fine wire or a conductive polymer layer alone is obtained. Can be obtained uniformly.

第2導電層13の乾燥膜厚は、表面平滑性及び透明性の観点から、30〜2000nmであることが好ましく、導電性の観点から、100nm以上であることがより好ましく、導電膜1の表面平滑性の観点から、200nm以上であることがさらに好ましい。また、第2導電層13の乾燥膜厚は、透明性の観点から、1000nm以下であることがより好ましい。   The dry film thickness of the second conductive layer 13 is preferably 30 to 2000 nm from the viewpoint of surface smoothness and transparency, more preferably 100 nm or more from the viewpoint of conductivity, and the surface of the conductive film 1. From the viewpoint of smoothness, it is more preferably 200 nm or more. The dry film thickness of the second conductive layer 13 is more preferably 1000 nm or less from the viewpoint of transparency.

第2導電層12は、導電性高分子化合物と水系溶剤に分散可能なポリマーとを含有する塗布液(分散液)を塗布した後、乾燥処理を施すことによって形成される。乾燥処理の条件として特に制限はないが、基材11及び導電層12,13が損傷しない範囲の温度で乾燥処理することが好ましい。例えば、80〜120℃で10秒から10分の乾燥処理をすることができる。これにより導電膜1の洗浄耐性及び溶剤耐性が著しく向上し、さらに素子性能が向上する。特に、導電膜1を備える有機EL素子においては、駆動電圧の低減及び寿命の向上といった効果が得られる。   The second conductive layer 12 is formed by applying a coating liquid (dispersion liquid) containing a conductive polymer compound and a polymer dispersible in an aqueous solvent and then performing a drying treatment. Although there is no restriction | limiting in particular as conditions of a drying process, It is preferable to dry-process at the temperature of the range in which the base material 11 and the conductive layers 12 and 13 are not damaged. For example, the drying process can be performed at 80 to 120 ° C. for 10 seconds to 10 minutes. As a result, the cleaning resistance and solvent resistance of the conductive film 1 are remarkably improved, and the device performance is further improved. In particular, in an organic EL element including the conductive film 1, effects such as a reduction in driving voltage and an improvement in life are obtained.

前記した塗布液は、添加剤として、可塑剤、安定剤(酸化防止剤、硫化防止剤等)、界面活性剤、溶解促進剤、重合禁止剤、着色剤(染料、顔料等)等を含んでいてもよい。さらに、前記した塗布液は、塗布性等の作業性を高める観点から、溶剤(例えば、水や、アルコール類、グリコール類、セロソルブ類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、炭化水素類等の有機溶剤)を含んでいてもよい。   The coating liquid described above contains, as additives, plasticizers, stabilizers (antioxidants, antioxidants, etc.), surfactants, dissolution accelerators, polymerization inhibitors, colorants (dyes, pigments, etc.) and the like. May be. Furthermore, from the viewpoint of improving workability such as coating properties, the coating liquid described above is a solvent (for example, water, alcohols, glycols, cellosolves, ketones, esters, ethers, amides, hydrocarbons). Or other organic solvents).

本発明において、導電層である第2導電層13の表面の平滑性を表すRyとRaは、Ry=最大高さ(表面の山頂部と谷底部との高低差)とRa=算術平均粗さを意味し、JIS B601(1994)に規定される表面粗さに準ずる値である。本発明に係る導電膜1は、導電性の向上という観点から、導電層である第2導電層13の表面の平滑性がRy≦50nmであり、かつ、導電層である第2導電層13の表面の平滑性がRa≦10nmであることが好ましい。本発明において、Ry及びRaの測定には、市販の原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscopy:AFM)を用いることができ、例えば、以下の手法で測定可能である。   In the present invention, Ry and Ra representing the smoothness of the surface of the second conductive layer 13 which is a conductive layer are Ry = maximum height (the difference in height between the top and bottom of the surface) and Ra = arithmetic mean roughness. This is a value according to the surface roughness defined in JIS B601 (1994). In the conductive film 1 according to the present invention, the surface smoothness of the second conductive layer 13 that is a conductive layer is Ry ≦ 50 nm and the second conductive layer 13 that is a conductive layer has a smoothness from the viewpoint of improving conductivity. The surface smoothness is preferably Ra ≦ 10 nm. In the present invention, a commercially available atomic force microscope (AFM) can be used for the measurement of Ry and Ra. For example, it can be measured by the following method.

AFMとして、セイコーインスツルメンツ社製SPI3800Nプローブステーション及びSPA400多機能型ユニットを使用し、約1cm角の大きさに切り取った試料を、ピエゾスキャナー上の水平な試料台上にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、XY方向にスキャンし、その際の試料の凹凸をZ方向のピエゾの変位で捉える。ピエゾスキャナーは、XY20μm、Z2μmが走査可能なものを使用する。カンチレバーは、セイコーインスツルメンツ社製シリコンカンチレバーSI−DF20で、共振周波数120〜150kHz、バネ定数12〜20N/mのものを用い、DFMモード(Dynamic Force Mode)で測定する。測定領域80×80μmを、走査周波数1Hzで測定する。   Using an SPI 3800N probe station manufactured by Seiko Instruments Inc. and a SPA400 multifunctional unit as the AFM, set a sample cut to a size of about 1 cm square on a horizontal sample table on a piezo scanner, and place the cantilever on the sample surface. When approaching and reaching the region where the atomic force works, scanning is performed in the XY direction, and the unevenness of the sample at that time is captured by the displacement of the piezo in the Z direction. A piezo scanner that can scan XY 20 μm and Z 2 μm is used. The cantilever is a silicon cantilever SI-DF20 manufactured by Seiko Instruments Inc., which has a resonance frequency of 120 to 150 kHz and a spring constant of 12 to 20 N / m, and is measured in a DFM mode (Dynamic Force Mode). A measurement area of 80 × 80 μm is measured at a scanning frequency of 1 Hz.

本発明において、Ryの値は、導電性の向上という観点から、50nm以下であることがより好ましく、40nm以下であることがさらに好ましい。同様に、Raの値は、導電性の向上という観点から、10nm以下であることがより好ましく、5nm以下であることがさらに好ましい。   In the present invention, the value of Ry is more preferably 50 nm or less, and further preferably 40 nm or less, from the viewpoint of improving conductivity. Similarly, the value of Ra is more preferably 10 nm or less, and further preferably 5 nm or less, from the viewpoint of improving conductivity.

本発明において、導電膜1は、全光線透過率が60%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましく、80%以上であることがさらに好ましい。全光透過率は、分光光度計等を用いた公知の方法に従って測定することができる。また、本発明の導電膜1における導電層である第2導電層13の電気抵抗値としては、性能向上という観点から、表面抵抗率として1000Ω/□以下であることが好ましく、100Ω/□以下であることがより好ましい。さらには、導電膜1を電流駆動型オプトエレクトロニクスデバイスに適用するためには、電流駆動型オプトエレクトロニクスデバイスに適用した際の性能向上という観点から、表面抵抗率が50Ω/□以下であることが好ましく、10Ω/□以下であることがより好ましい。すなわち、表面抵抗率が10Ω/□以下であると各種オプトエレクトロニクスデバイスにおいて、導電膜1が電極として好適に機能することができて好ましい。前記した表面抵抗率は、例えば、JIS K 7194:1994(導電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法)等に準拠して測定することができ、また市販の表面抵抗率計を用いて簡便に測定することができる。 In the present invention, the conductive film 1 preferably has a total light transmittance of 60% or more, more preferably 70% or more, and further preferably 80% or more. The total light transmittance can be measured according to a known method using a spectrophotometer or the like. In addition, the electrical resistance value of the second conductive layer 13 which is a conductive layer in the conductive film 1 of the present invention is preferably 1000Ω / □ or less as the surface resistivity from the viewpoint of performance improvement, and is 100Ω / □ or less. More preferably. Furthermore, in order to apply the conductive film 1 to a current-driven optoelectronic device, the surface resistivity is preferably 50Ω / □ or less from the viewpoint of improving the performance when applied to a current-driven optoelectronic device. More preferably, it is 10Ω / □ or less. That is, when the surface resistivity is 10 3 Ω / □ or less, the conductive film 1 can preferably function as an electrode in various optoelectronic devices. The above-mentioned surface resistivity can be measured in accordance with, for example, JIS K 7194: 1994 (resistivity test method by conductive probe four-probe method) or the like, or using a commercially available surface resistivity meter. It can be easily measured.

本発明に係る導電膜1の厚みには特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、一般的に10μm以下であることが好ましく、厚みが薄くなるほど透明性及び柔軟性が向上するためより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the electrically conductive film 1 which concerns on this invention, Although it can select suitably according to the objective, Generally it is preferable that it is 10 micrometers or less, and transparency and a softness | flexibility improve, so that thickness becomes thin. Therefore, it is more preferable.

<有機EL素子>
本発明の実施形態に係る有機EL素子は、導電膜1を電極として備えることを特徴とするものであり、有機発光層を含む有機層と、導電膜1と、を備える。本発明の実施形態に係る有機EL素子は、導電膜1を陽極として備えることが好ましく、有機発光層及び陰極については、有機EL素子に一般的に使われている材料、構成等の任意のものを用いることができる。
<Organic EL device>
An organic EL device according to an embodiment of the present invention includes the conductive film 1 as an electrode, and includes an organic layer including an organic light emitting layer and the conductive film 1. The organic EL element according to the embodiment of the present invention preferably includes the conductive film 1 as an anode, and the organic light-emitting layer and the cathode are arbitrarily selected from materials and configurations generally used for organic EL elements. Can be used.

有機EL素子の素子構成としては、陽極/有機発光層/陰極、陽極/ホール輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極、陽極/ホール注入層/ホール輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極、陽極/ホール注入層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、陽極/ホール注入層/有機発光層/電子注入層/陰極、等の各種の構成のものを挙げることができる。   The element structure of the organic EL element includes anode / organic light emitting layer / cathode, anode / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / cathode, anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer. / Cathode, anode / hole injection layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, anode / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode, etc. it can.

また、本発明において、有機発光層に使用できる発光材料又はドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチルベンゼン誘導体、ジスチルアリーレン誘導体、各種蛍光色素、希土類金属錯体、燐光発光材料等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの化合物のうちから選択される発光材料を90〜99.5質量部、ドーピング材料を0.5〜10質量部含むようにすることが好ましい。有機発光層は、前記した材料等を用いて、蒸着、塗布、転写等の公知の方法によって製造される。この有機発光層の厚みは、発光効率の観点から、0.5〜500nmが好ましく、0.5〜200nmがより好ましい。   In the present invention, the light emitting material or doping material that can be used in the organic light emitting layer includes anthracene, naphthalene, pyrene, tetracene, coronene, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin, oxadiazole, bis. Benzoxazoline, bisstyryl, cyclopentadiene, quinoline metal complex, tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex, tris (4-methyl-8-quinolinato) aluminum complex, tris (5-phenyl-8-quinolinato) aluminum complex , Aminoquinoline metal complex, benzoquinoline metal complex, tri- (p-terphenyl-4-yl) amine, 1-aryl-2,5-di (2-thienyl) pyrrole derivative, pyran, quinacridone Rubrene, distyrylbenzene derivatives, di still arylene derivatives, various fluorescent dyes, rare earth metal complex, but phosphorescent material and the like, but is not limited thereto. Moreover, it is preferable to contain 90-99.5 mass parts of luminescent materials selected from these compounds, and 0.5-10 mass parts of doping materials. An organic light emitting layer is manufactured by well-known methods, such as vapor deposition, application | coating, transcription | transfer, using the above-mentioned material. The thickness of the organic light emitting layer is preferably 0.5 to 500 nm and more preferably 0.5 to 200 nm from the viewpoint of light emission efficiency.

本発明の実施形態に係る導電膜1は、高い導電性と透明性とを併せ持ち、液晶表示素子、有機発光素子、無機電界発光素子、電子ペーパー、有機太陽電池、無機太陽電池等の各種オプトエレクトロニクスデバイスや、電磁波シールド、タッチパネル等の分野において好適に用いることができる。その中でも、導電膜表面の平滑性が厳しく求められる有機EL素子や有機薄膜太陽電池素子の導電膜として特に好ましく用いることができる。   The conductive film 1 according to an embodiment of the present invention has both high conductivity and transparency, and various optoelectronics such as a liquid crystal display element, an organic light emitting element, an inorganic electroluminescent element, electronic paper, an organic solar cell, and an inorganic solar cell. It can be suitably used in the fields of devices, electromagnetic wave shields, touch panels and the like. Among these, it can use especially preferably as an electrically conductive film of the organic EL element and organic thin-film solar cell element by which the smoothness of the electrically conductive film surface is calculated | required severely.

また、本発明に係る有機EL素子は、均一にムラなく発光させることができるため、照明用途で用いることが好ましいものであり、自発光型ディスプレイ、液晶用バックライト、照明等に用いることができる。   Moreover, since the organic EL element according to the present invention can emit light uniformly and without unevenness, it is preferably used for lighting applications, and can be used for self-luminous displays, liquid crystal backlights, lighting, and the like. .

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」及び「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」及び「質量%」を表す。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the display of "part" and "%" is used in an Example, unless there is particular notice, "mass part" and "mass%" are represented.

<本発明ポリオレフィン系共重合体の合成>
以下に、本発明に係るポリオレフィン共重合体分散液及び比較共重合体分散液の合成例を示す。
<Synthesis of the polyolefin copolymer of the present invention>
The synthesis examples of the polyolefin copolymer dispersion and the comparative copolymer dispersion according to the present invention are shown below.

合成例1
導電性高分子化合物CP−1(PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)/PSS、PEDOT/PSS=1.0/2.4(質量比))の合成
ポリスチレンスルホン酸(PSS)(2.7g、2.6mmol;モノマー換算、モノマー分子量184.02)18%水溶液へ添加し、更に過硫酸カリウム(0.46g、1.7mmol、分子量270.32、関東化学社製)及び硫酸鉄(III)・n水和物(2.6mg、4.5×10−3mmol(純度70%換算)、分子量399.88、関東化学社製)、純水68mlを加え溶解した。ホモジナイザー(本体:ウルトラタテックス T−25、シャフトジェネレーター:S25N−10G(IKA社製))を溶液の液面下に設置、作動させた後、前記溶液中へ3.4−エチレンジオキシチオフェン(0.2g、1.4mmol、分子量142.18、アルドリッチ社製)を添加し、室温で24時間重合させた。続いて、陰イオン交換体(Bayer AG Lewatit MP62)5.0g、陽イオン交換体(Bayer AG Lewatit S100)5.0gを溶液へ添加し、8時間攪拌した。イオン交換体を濾過によって取り除き、得られた溶液に対し71kPa、ノズル直径0.1mm、5〜10℃の条件下、高圧ホモジナイザーを用いて2回均質化し、導電性高分子化合物CP−Aを得た(固形分濃度:1.0%)。
Synthesis example 1
Synthesis of conductive polymer compound CP-1 (PEDOT (polyethylenedioxythiophene) / PSS, PEDOT / PSS = 1.0 / 2.4 (mass ratio)) Polystyrene sulfonic acid (PSS) (2.7 g, 2. 6 mmol; monomer conversion, monomer molecular weight 184.02) added to 18% aqueous solution, and further potassium persulfate (0.46 g, 1.7 mmol, molecular weight 270.32, manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) and iron (III) sulfate n water A Japanese product (2.6 mg, 4.5 × 10 −3 mmol (purity 70% conversion), molecular weight 399.88, manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) and 68 ml of pure water were added and dissolved. A homogenizer (main body: Ultratatex T-25, shaft generator: S25N-10G (manufactured by IKA)) was installed and operated under the surface of the solution, and then 3.4-ethylenedioxythiophene ( 0.2 g, 1.4 mmol, molecular weight 142.18, manufactured by Aldrich) was added and polymerized at room temperature for 24 hours. Subsequently, 5.0 g of an anion exchanger (Bayer AG Lewatit MP62) and 5.0 g of a cation exchanger (Bayer AG Lewatit S100) were added to the solution and stirred for 8 hours. The ion exchanger was removed by filtration, and the resulting solution was homogenized twice using a high pressure homogenizer under conditions of 71 kPa, nozzle diameter 0.1 mm, and 5 to 10 ° C. to obtain a conductive polymer compound CP-A. (Solid content concentration: 1.0%).

合成例2
導電性高分子化合物CP−2(PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)/PSS、PEDOT/PSS=1.0/2.5(質量比)のエタノール分散体)の合成
PEDOT−PSS CLEVIOS PH510(固形分濃度1.89%、H.C.Starck社製)の水分散体を凍結乾燥機FDU−2200(東京理化器機社製)で凍結乾燥してPEDOT−PSSの固体を得た。この固体にエタノールを添加して、グラインダー(栗田機械製作所製「KM1−10」)にて、このエタノール分散液を、ほぼ接触させた状態の1200rpmで回転するディスク間を、中央から外に向かって通過させる操作を12回(12pass)行い、固形分1%の導電性高分子化合物CP−Bを製造した。
Synthesis example 2
Synthesis of conductive polymer compound CP-2 (PEDOT (polyethylenedioxythiophene) / PSS, ethanol dispersion of PEDOT / PSS = 1.0 / 2.5 (mass ratio)) PEDOT-PSS CLEVIOS PH510 (solid content concentration) An aqueous dispersion of 1.89% (manufactured by HC Starck) was lyophilized with a freeze dryer FDU-2200 (manufactured by Tokyo Rika Kikai Co., Ltd.) to obtain a solid of PEDOT-PSS. Ethanol was added to this solid, and this ethanol dispersion liquid was almost contacted with a grinder ("Kurita Kikai Seisakusho" KM1-10 ") between the disks rotating at 1200 rpm from the center to the outside. The operation to pass through was performed 12 times (12 passes) to produce a conductive polymer compound CP-B having a solid content of 1%.

合成例3
導電性高分子化合物CP−3(PANI(ポリアニリン)/PSS、PANI/PSS=1.0/2.0(質量比))の合成
20%ポリスチレンスルホン酸ナトリウム水溶液(東ソー株式会社製PS5、分子量5-10万)50mlを蒸留水1Lで希釈し、カラムに充填したH型カチオン交換樹脂(ダウエックス50W X12)にて処理し、ポリスチレンスルホン酸を含む溶液を得た。この溶液をロータリーエバポレータにて濃縮し、20%ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。
Synthesis example 3
Synthesis of conductive polymer compound CP-3 (PANI (polyaniline) / PSS, PANI / PSS = 1.0 / 2.0 (mass ratio)) 20% polystyrene sodium sulfonate aqueous solution (PS5 manufactured by Tosoh Corporation, molecular weight 5) −100,000) 50 ml was diluted with 1 L of distilled water and treated with an H-type cation exchange resin (Dowex 50W X12) packed in a column to obtain a solution containing polystyrene sulfonic acid. This solution was concentrated with a rotary evaporator to obtain a 20% aqueous polystyrene sulfonic acid solution.

重クロム酸アンモニウム0.366g(1.5ミリモル)を蒸留水20mlに溶解した。これとは別に300mlビーカーに蒸留水80gと上記20%ポリスチレンスルホン酸溶液3.73g(4ミリモル)を添加し、ホモジナイザー(本体:ウルトラタテックス T−25、シャフトジェネレーター:S25N−10G(IKA社製))を溶液の液面下に設置、作動させた後、この溶液中へアニリン0.373g(4ミリモル)を添加した。内温5℃を維持させながら、上記重クロム酸アンモニウム水溶液を30分かけて滴下した。数分後に反応溶液は緑色に着色した。重クロム酸アンモニウム水溶液滴下後、反応溶液を1時間撹拌した。続いて、陰イオン交換体(Bayer AG Lewatit MP62)5.0g、陽イオン交換体(Bayer AG Lewatit S100)5.0gを黒緑色溶液へ添加し、8時間攪拌した。イオン交換体を濾過によって取り除き、得られた溶液に対し71kPa、ノズル直径0.1mm、5〜10℃の条件下、高圧ホモジナイザーを用いて2回均質化し、導電性高分子化合物CP−Cを得た(固形分濃度:1.3%)。   0.366 g (1.5 mmol) of ammonium dichromate was dissolved in 20 ml of distilled water. Separately, 80 g of distilled water and 3.73 g (4 mmol) of the above 20% polystyrene sulfonic acid solution are added to a 300 ml beaker, and a homogenizer (main body: UltraTex T-25, shaft generator: S25N-10G (manufactured by IKA) )) Was placed and operated under the surface of the solution, and 0.373 g (4 mmol) of aniline was added to the solution. While maintaining the internal temperature at 5 ° C., the aqueous ammonium dichromate solution was added dropwise over 30 minutes. After a few minutes, the reaction solution turned green. After dropwise addition of the aqueous ammonium dichromate solution, the reaction solution was stirred for 1 hour. Subsequently, 5.0 g of an anion exchanger (Bayer AG Lewatit MP62) and 5.0 g of a cation exchanger (Bayer AG Lewatit S100) were added to the black-green solution and stirred for 8 hours. The ion exchanger was removed by filtration, and the resulting solution was homogenized twice using a high-pressure homogenizer under conditions of 71 kPa, nozzle diameter 0.1 mm, and 5 to 10 ° C. to obtain a conductive polymer compound CP-C. (Solid content concentration: 1.3%).

合成例4
ポリエステル系重合体分散液PO−1(ポリエステル共重合体分散液)の合成
<ポリエステルの製造例>
攪拌機、温度計及び還流用冷却器を装備した反応釜内に、テレフタル酸75g、イソフタル酸75g、5−Naスルホイソフタル酸ジメチル10g、エチレングリコール100g、ネオペンチルグリコール100g、触媒としてn−テトラブチルチタネート0.1g、重合安定剤として酢酸ナトリウム0.3g、酸化防止剤としてイルガノックス1330を2g仕込み、170〜230℃で2時間エステル交換反応を行った。エステル交換反応終了後、反応系を230℃から270℃まで昇温する一方、系内をゆっくりと減圧にしてゆき、60分かけて270℃で5Torrとした。そしてさらに1Torr以下で30分間重縮合反応を行った。重縮合反応終了後、窒素を用いて系を真空から常圧に戻し、溶融状態のポリエステル(A)を得た。ポリエステル(D)は、NMR分析の結果、ジカルボン酸成分はテレフタル酸49モル%、イソフタル酸48.5モル%、5−Naスルホイソフタル酸2.5モル%、ジオール成分はエチレングリコール50モル%、ネオペンチルグリコール50モル%で、ガラス転移温度は67℃、還元粘度0.53dl/gであった。
Synthesis example 4
Synthesis of polyester polymer dispersion PO-1 (polyester copolymer dispersion) <Polyester Production Example>
In a reaction kettle equipped with a stirrer, thermometer and reflux condenser, 75 g of terephthalic acid, 75 g of isophthalic acid, 10 g of dimethyl 5-Nasulfoisophthalate, 100 g of ethylene glycol, 100 g of neopentyl glycol, n-tetrabutyl titanate as a catalyst 0.1 g, 0.3 g of sodium acetate as a polymerization stabilizer and 2 g of Irganox 1330 as an antioxidant were charged, and a transesterification reaction was performed at 170 to 230 ° C. for 2 hours. After completion of the transesterification reaction, the temperature of the reaction system was raised from 230 ° C. to 270 ° C., while the pressure in the system was slowly reduced to 5 Torr at 270 ° C. over 60 minutes. Further, a polycondensation reaction was carried out at 1 Torr or less for 30 minutes. After completion of the polycondensation reaction, the system was returned from vacuum to normal pressure using nitrogen to obtain molten polyester (A). As for the polyester (D), as a result of NMR analysis, the dicarboxylic acid component was 49 mol% terephthalic acid, 48.5 mol% isophthalic acid, 2.5 mol% 5-Na sulfoisophthalic acid, the diol component was 50 mol% ethylene glycol, Neopentyl glycol was 50 mol%, the glass transition temperature was 67 ° C., and the reduced viscosity was 0.53 dl / g.

<水分散体の製造例>
重縮合反応終了後のポリエステル(D)25gの入った撹拌機、温度計及び還流用冷却器を装備した反応缶を系内の温度が200℃になるまで窒素雰囲気下で撹拌しながら冷却した。所定の温度に到達後、撹拌を続けながらブチロセルソルブ15gを投入し、系内の温度が80℃になるように調節しながら樹脂を溶解した。樹脂の溶解を確認後、撹拌しながら水を55g、少量ずつ加えていくことにより水分散を行った。その後冷却することにより水分散体(D)を得た。得られた分散体にイオン交換水を加え固形分濃度25%に調製し、ポリエステル共重合体分散液PO−1を得た。
<Example of water dispersion production>
After completion of the polycondensation reaction, a reaction vessel equipped with a stirrer containing 25 g of polyester (D), a thermometer and a reflux condenser was cooled with stirring in a nitrogen atmosphere until the temperature inside the system reached 200 ° C. After reaching a predetermined temperature, 15 g of butyrocelsolve was added while continuing stirring, and the resin was dissolved while adjusting the temperature in the system to 80 ° C. After confirming the dissolution of the resin, water was dispersed by adding 55 g of water little by little while stirring. Thereafter, an aqueous dispersion (D) was obtained by cooling. Ion exchange water was added to the obtained dispersion to prepare a solid content concentration of 25%, and a polyester copolymer dispersion PO-1 was obtained.

合成例5
ポリオレフィン系重合体PO−2(エチレン−メタクリル酸共重合体分散液)の合成
300mlオートクレーブ中に、エチレン−メタクリル酸共重合体(メタクリル酸20%)62.5g、KOHを4.74g、ZnOを3.55g、及びイオン交換水187.5gを仕込み、密閉した後150℃で2時間撹拌して分散反応を行った。反応終了後、氷浴で急冷し微白濁の分散液を得た。この分散体にイオン交換水を加え固形分濃度25%に調製し、ポリオレフィン系重合体PO−2を得た。
Synthesis example 5
Synthesis of polyolefin polymer PO-2 (ethylene-methacrylic acid copolymer dispersion) In a 300 ml autoclave, 62.5 g of ethylene-methacrylic acid copolymer (20% methacrylic acid), 4.74 g of KOH, ZnO 3.55 g and 187.5 g of ion-exchanged water were charged, sealed, and stirred at 150 ° C. for 2 hours to carry out a dispersion reaction. After completion of the reaction, the mixture was quenched in an ice bath to obtain a slightly cloudy dispersion. Ion exchange water was added to this dispersion to prepare a solid content concentration of 25% to obtain a polyolefin polymer PO-2.

合成例6
比較バインダー樹脂PO−A(ポリアクリル水溶液)の合成:比較化合物
[ポリ−2−ヒドロキシエチルアクリレート(PO−A)の合成]
300mlナスフラスコに2−ヒドロキシエチルアクリレート(東京化成社製)5.0g(43.1mmol、Fw116.12)、2,2′−アゾビス(2−メチルイソプロピオニトリル)0.7g(4.3mmol、Fw164.21)及びテトラヒドロフラン100mlを加え、8時間加熱還流した。その後、溶液を室温まで冷却し、激しく攪拌されたメチルエチルケトン2.0L中へ滴下した。反応溶液を1時間攪拌後、メチルエチルケトンをデカンテーションし、メチルエチルケトン100mlで壁面に付着した重合体を3回洗浄した。ポリマーはテトラヒドロフラン100mlに溶解し、200mlフラスコへ移し、ロータリーエバポレーターによりテトラヒドロフランを減圧留去した。その後、80℃3時間減圧することで、残留しているTHFを留去し、数平均分子量57,800、分子量分布1.24のP−1を4.1g(収率82%)得た。
Synthesis Example 6
Synthesis of Comparative Binder Resin PO-A (Polyacrylic Aqueous Solution): Comparative Compound [Synthesis of Poly-2-hydroxyethyl Acrylate (PO-A)]
In a 300 ml eggplant flask, 2-hydroxyethyl acrylate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 5.0 g (43.1 mmol, Fw 116.12), 2,2′-azobis (2-methylisopropionitrile) 0.7 g (4.3 mmol, Fw164.21) and 100 ml of tetrahydrofuran were added, and the mixture was heated to reflux for 8 hours. The solution was then cooled to room temperature and added dropwise into 2.0 L of vigorously stirred methyl ethyl ketone. After stirring the reaction solution for 1 hour, methyl ethyl ketone was decanted and the polymer adhering to the wall surface was washed three times with 100 ml of methyl ethyl ketone. The polymer was dissolved in 100 ml of tetrahydrofuran, transferred to a 200 ml flask, and tetrahydrofuran was distilled off under reduced pressure using a rotary evaporator. Then, the remaining THF was distilled off by reducing the pressure at 80 ° C. for 3 hours, and 4.1 g (yield 82%) of P-1 having a number average molecular weight of 57,800 and a molecular weight distribution of 1.24 was obtained.

構造及び分子量に関しては、各々H−NMR(400MHz、日本電子社製)、GPC(Waters2695、Waters社製)で測定した。また、得られたP−14.0gを16.0gの純水に溶解し、PO−Aの20%水溶液を作製した。 The structure and molecular weight were measured by 1 H-NMR (400 MHz, manufactured by JEOL Ltd.) and GPC (Waters 2695, manufactured by Waters), respectively. Further, P-14.0 g obtained was dissolved in 16.0 g of pure water to prepare a 20% aqueous solution of PO-A.

<GPC測定条件>
装置:Waters2695(Separations Module)
検出器:Waters 2414(Refractive Index Detector)
カラム:Shodex Asahipak GF−7M HQ
溶離液:ジメチルホルムアミド(20mM LiBr含有)
流速:1.0ml/min
温度:40℃
<GPC measurement conditions>
Device: Waters 2695 (Separations Module)
Detector: Waters 2414 (Refractive Index Detector)
Column: Shodex Asahipak GF-7M HQ
Eluent: Dimethylformamide (containing 20 mM LiBr)
Flow rate: 1.0 ml / min
Temperature: 40 ° C

合成例7
酸化剤兼ドーパント化合物OX−1(p−トルエンスルホン酸第二鉄のブタノール溶液)の合成
室温下、1000mlの蒸留水にFe(SO・8HOを108.6g(0.2mol)溶解した溶液中に、この溶液を激しく攪拌しながら、濃度が5mol/lの水酸化ナトリウム水溶液をゆっくりと添加してpH7に調整した後、遠心分離により上澄みを取り除いて水酸化第二鉄の沈殿物を得た。そして、余分の水溶性塩を取り除くため、4000mlの蒸留水に上記水酸化第二鉄の沈殿物を分散させた後、遠心分離で上澄みを取り除く操作を2回繰り返した。得られた水酸化第二鉄の沈殿物を500gのノルマルブタノールに分散させた。上記とは別に、p−トルエンスルホン酸206gをあらかじめ500gのノルマルブタノールにそれぞれ溶解しておき、その溶液中に上記水酸化第二鉄の分散液を添加し、室温下、12時間かき混ぜて反応させた後、蒸留してそれぞれ濃度40重量%のp−トルエンスルホン酸第二鉄塩のノルマルブタノール溶液OX−1を得た。
Synthesis example 7
Synthesis of oxidizing agent / dopant compound OX-1 (butanol solution of ferric p-toluenesulfonate) 108.6 g (0.2 mol) of Fe 2 (SO 4 ) 3 · 8H 2 O in 1000 ml of distilled water at room temperature ) While stirring this solution vigorously while stirring the solution, slowly add a 5 mol / l sodium hydroxide aqueous solution to adjust the pH to 7, then remove the supernatant by centrifugation and remove ferric hydroxide. A precipitate was obtained. Then, in order to remove excess water-soluble salt, the operation of dispersing the ferric hydroxide precipitate in 4000 ml of distilled water and then removing the supernatant by centrifugation was repeated twice. The obtained ferric hydroxide precipitate was dispersed in 500 g of normal butanol. Separately from the above, 206 g of p-toluenesulfonic acid was previously dissolved in 500 g of normal butanol, the above-mentioned ferric hydroxide dispersion was added to the solution, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours to be reacted. After distillation, a normal butanol solution OX-1 of p-toluenesulfonic acid ferric salt having a concentration of 40% by weight was obtained.

合成例8,9
酸化剤兼ドーパント化合物OX−2,OX−3(p−メトキシスルホン酸第二鉄、ドデシルベンゼンスルホン酸第二鉄のブタノール溶液)の合成
酸化剤兼ドーパント化合物OX−1の合成において、p−トルエンスルホン酸206gをp−メトキシスルホン酸第二鉄225g、ドデシルベンゼンスルホン酸357gに変更した以外は同様にして、濃度40重量%の酸化剤兼ドーパント化合物OX−2,OX−3のノルマルブタノール溶液を合成した。
Synthesis Examples 8 and 9
Synthesis of oxidizing agent / dopant compound OX-2, OX-3 (butanol solution of ferric p-methoxysulfonate and ferric dodecylbenzenesulfonate) In the synthesis of oxidizing agent / dopant compound OX-1, p-toluene Similarly, except that 206 g of sulfonic acid was changed to 225 g of ferric p-methoxysulfonate and 357 g of dodecylbenzenesulfonic acid, a normal butanol solution of oxidizer and dopant compounds OX-2 and OX-3 having a concentration of 40% by weight was prepared. Synthesized.

<基材の作製>
厚み100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(コスモシャインA4100、東洋紡績株式会社製)の下引き加工していない面に、JSR株式会社製UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材:OPSTAR Z7501を塗布、乾燥後の平均膜厚が4μmになるようにワイヤーバーで塗布した後、80℃、3分で乾燥後、空気雰囲気下、高圧水銀ランプ使用して硬化条件1.0J/cmで硬化を行い、平滑層を形成した。
<Production of base material>
A UV curable organic / inorganic hybrid hard coat material: OPSTAR Z7501 manufactured by JSR Co., Ltd. was applied to a non-undercoated surface of a polyethylene terephthalate film (Cosmo Shine A4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm, and dried. After coating with a wire bar so that the average film thickness becomes 4 μm, after drying at 80 ° C. for 3 minutes, curing is performed under a curing condition of 1.0 J / cm 2 using a high-pressure mercury lamp in an air atmosphere, and a smooth layer Formed.

次に、上記平滑層を設けた試料上に、ガスバリア層を以下に示す条件で形成した。
(ガスバリア層塗布液)
パーヒドロポリシラザン(PHPS、AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製アクアミカ NN320)の20質量%ジブチルエーテル溶液をワイヤレスバーにて、乾燥後の(平均)膜厚が、0.30μmとなるように塗布し、塗布試料を得た。
Next, a gas barrier layer was formed on the sample provided with the smooth layer under the following conditions.
(Gas barrier layer coating solution)
A 20% by weight dibutyl ether solution of perhydropolysilazane (PHPS, AZ Electronic Materials Co., Ltd. Aquamica NN320) was applied with a wireless bar so that the (average) film thickness after drying was 0.30 μm. A coated sample was obtained.

(第一工程;乾燥処理)
得られた塗布試料を温度85℃、湿度55%RHの雰囲気下で1分処理し、乾燥試料を得た。
(First step; drying treatment)
The obtained coated sample was treated for 1 minute in an atmosphere having a temperature of 85 ° C. and a humidity of 55% RH to obtain a dried sample.

(第二工程;除湿処理)
乾燥試料をさらに温度25℃、湿度10%RH(露点温度−8℃)の雰囲気下に10分間保持し、除湿処理を行った。
(Second step; dehumidification treatment)
The dried sample was further held for 10 minutes in an atmosphere of a temperature of 25 ° C. and a humidity of 10% RH (dew point temperature −8 ° C.) to perform dehumidification.

(改質処理A)
除湿処理を行った試料を下記の条件で改質処理を行い、試料上にガスバリア層を形成した。改質処理時の露点温度は−8℃で実施した。
(Modification A)
The sample subjected to the dehumidification treatment was subjected to a modification treatment under the following conditions to form a gas barrier layer on the sample. The dew point temperature during the reforming treatment was -8 ° C.

(改質処理装置)
株式会社エム・ディ・コム製エキシマ照射装置MODEL:MECL−M−1−200、波長172nm、ランプ封入ガス Xe
稼動ステージ上に固定した試料に対して、以下の条件で改質処理を行った。
(Modification equipment)
Ex. Irradiator MODEL: MECL-M-1-200, wavelength 172 nm, lamp filled gas Xe manufactured by M.D.Com
The sample fixed on the operation stage was subjected to a modification treatment under the following conditions.

(改質処理条件)
エキシマ光強度 60mW/cm(172nm)
試料と光源の距離 1mm
ステージ加熱温度 70℃
照射装置内の酸素濃度 1%
エキシマ照射時間 3秒
上記のようにしてガスバリア性を有する導電膜(導電膜1)用のフィルム基板(基材11)を作製した。
(Reforming treatment conditions)
Excimer light intensity 60 mW / cm 2 (172 nm)
1mm distance between sample and light source
Stage heating temperature 70 ℃
Oxygen concentration in irradiation device 1%
Excimer irradiation time 3 seconds As described above, a film substrate (base material 11) for a conductive film (conductive film 1) having gas barrier properties was produced.

<実施例1>
<導電膜の作製>
<導電膜TC−101の作製>
ガスバリア性を有する導電膜用のフィルム基板上のバリアのない面に、下記のように調製した塗布液Aを、押し出し法を用いて、乾燥膜厚200nmになるように押し出しヘッドのスリット間隙を調整して塗布し、110℃、3分で加熱乾燥し、導電層を形成し、得られた電極を8×8cmに切り出した。得られた電極を、オーブンを用いて110℃、7分加熱することで導電膜TC−101を作製した。
<Example 1>
<Preparation of conductive film>
<Preparation of Conductive Film TC-101>
Adjust the slit gap of the extrusion head to a dry film thickness of 200 nm on the non-barrier surface of the film substrate for a conductive film having gas barrier properties by using the extrusion method to achieve a dry film thickness of 200 nm. Then, it was heated and dried at 110 ° C. for 3 minutes to form a conductive layer, and the obtained electrode was cut into 8 × 8 cm. The obtained electrode was heated in an oven at 110 ° C. for 7 minutes to produce a conductive film TC-101.

(導電性高分子化合物CP−A1の合成)
導電性高分子化合物CP−A(固形分濃度:1.0%)に無水メタンスルホン酸(40.4mg、0.42mmol、分子量96.11、東京化成社製)、過硫酸カリウム(0.11g、0.42mmol、分子量270.32、関東化学社製)及び硫酸鉄(III)・n水和物(0.78mg、4.5×10−4mmol(純度70%換算)、分子量399.88、関東化学社製を加え溶解した。ホモジナイザー(本体:ウルトラタテックス T−25、シャフトジェネレーター:S25N−10G(IKA社製))を溶液の液面下に設置、作動させた後、室温で12時間攪拌した。続いて、陰イオン交換体(Bayer AG Lewatit MP62)0.5g、陽イオン交換体(Bayer AG Lewatit S100)0.5gを溶液へ添加し、8時間攪拌した。イオン交換体を濾過によって取り除き、得られた溶液に対し71kPa、ノズル直径0.1mm、5〜10℃の条件下、高圧ホモジナイザーを用いて2回均質化し、導電性高分子化合物CP−A1を得た(固形分濃度:1.0%)。
(Synthesis of conductive polymer compound CP-A1)
Conductive polymer compound CP-A (solid content concentration: 1.0%) to methanesulfonic anhydride (40.4 mg, 0.42 mmol, molecular weight 96.11, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), potassium persulfate (0.11 g) , 0.42 mmol, molecular weight 270.32, manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) and iron (III) sulfate n hydrate (0.78 mg, 4.5 × 10 −4 mmol (purity 70% conversion), molecular weight 399.88 A homogenizer (main body: Ultratatex T-25, shaft generator: S25N-10G (manufactured by IKA)) was placed and operated under the liquid level of the solution, and then at room temperature. Subsequently, 0.5 g of an anion exchanger (Bayer AG Lewatit MP62) and 0.5 g of a cation exchanger (Bayer AG Lewatit S100) were added as a solution. The ion exchanger was removed by filtration, and the resulting solution was homogenized twice using a high-pressure homogenizer under conditions of 71 kPa, nozzle diameter 0.1 mm, and 5 to 10 ° C. A polymer compound CP-A1 was obtained (solid content concentration: 1.0%).

(塗布液A)
下記組成の溶液に対し71kPa、ノズル直径0.1mm、5〜10℃の条件下、高圧ホモジナイザーを用いて2回均質化し、塗布液Aを得た。
導電性ポリマー分散液:導電性高分子化合物CP−A1(固形分濃度1.0%) 37.5g
ポリエステル系共重合体分散液:PO−1(固形分濃度25%、固形分875mg) 3.5g
ジメチルスルホキシド(DMSO、導電性ポリマー溶液質量の5分の1) 1.0g
(Coating liquid A)
The solution having the following composition was homogenized twice using a high-pressure homogenizer under conditions of 71 kPa, nozzle diameter 0.1 mm, and 5 to 10 ° C. to obtain a coating solution A.
Conductive polymer dispersion: conductive polymer compound CP-A1 (solid content concentration 1.0%) 37.5 g
Polyester copolymer dispersion: PO-1 (solid content concentration 25%, solid content 875 mg) 3.5 g
1.0 g of dimethyl sulfoxide (DMSO, 1/5 of the conductive polymer solution mass)

(導電膜TC−102〜TC−104の作製)
導電膜TC−101の作製において、導電性高分子化合物CP−A1の合成に用いたメタンスルホン酸を無水ベンゼンスルホン酸(66.4mg、0.42mmol、分子量158.18、東京化成社製)、2−ナルタレンスルホン酸(87.5mg、0.42mmol、分子量208.23、東京化成社製)、p−トルエンスルホン酸一水和物(79.9mg、0.42mmol、分子量190.22、東京化成社製)に変更し、導電性高分子化合物CP−A2〜CP−A4を作製し、塗布液A中の導電性高分子化合物CP−A1に導電性高分子化合物CP−A2〜CP−A4を用いた以外は導電膜TC−101の作製と同様にして、導電膜TC−102〜TC−104を作製した。
(Production of conductive films TC-102 to TC-104)
In the production of the conductive film TC-101, methanesulfonic acid used for the synthesis of the conductive polymer compound CP-A1 was changed to benzenesulfonic anhydride (66.4 mg, 0.42 mmol, molecular weight 158.18, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 2-Naltalenesulfonic acid (87.5 mg, 0.42 mmol, molecular weight 208.23, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), p-toluenesulfonic acid monohydrate (79.9 mg, 0.42 mmol, molecular weight 190.22, Tokyo) Manufactured by Kasei Co., Ltd., and produced conductive polymer compounds CP-A2 to CP-A4, and the conductive polymer compounds CP-A2 to CP-A4 in the coating liquid A were prepared. Conductive films TC-102 to TC-104 were prepared in the same manner as the conductive film TC-101 except that was used.

(導電膜TC−105〜TC−107の作製)
導電膜TC−104の作製において、塗布液Aのポリエステル系共重合体分散物をプラスコートZ561(互応化学社製、固形分濃度25%)、ヨドゾールAD166(ヘンケル社製、固形分濃度49%)、PO−2(固形分濃度25%)に変更し、固形分量が875mgになるように添加することで導電膜C−105〜TC−107を作製した。
<導電膜TC−108の作製>
ガスバリア性を有する導電膜用のフィルム基板上のバリアのない面に、下記のように調製した塗布液Aを、押し出し法を用いて、乾燥膜厚300nmになるように押し出しヘッドのスリット間隙を調整して塗布し、110℃、5分で加熱乾燥し、導電性ポリマーとオレフィン系共重合体からなる導電層を形成し、得られた電極を8×8cmに切り出した。得られた電極を、オーブンを用いて110℃、15分加熱することで導電膜TC−108を作製した。
(Production of conductive films TC-105 to TC-107)
In the production of the conductive film TC-104, the polyester-based copolymer dispersion of the coating liquid A was added to plus coat Z561 (manufactured by Kyoyo Chemical Co., Ltd., solid content concentration 25%), iodosol AD166 (manufactured by Henkel Co., Ltd., solid content concentration 49%). The conductive films C-105 to TC-107 were prepared by changing to PO-2 (solid content concentration 25%) and adding the solid content to 875 mg.
<Preparation of Conductive Film TC-108>
Adjust the slit gap of the extrusion head to a dry film thickness of 300 nm on the non-barrier surface of the film substrate for a conductive film having gas barrier properties by using the extrusion method to a dry film thickness of 300 nm. Then, it was heated and dried at 110 ° C. for 5 minutes to form a conductive layer made of a conductive polymer and an olefin copolymer, and the obtained electrode was cut into 8 × 8 cm. The obtained electrode was heated in an oven at 110 ° C. for 15 minutes to produce a conductive film TC-108.

(導電性高分子化合物CP−B1の合成)
導電性高分子化合物CP−B(固形分濃度:1.0%)5.0gに酸化剤兼ドーパント化合物OX−1のノルマルブタノール溶液(固形分濃度:40%)0.14gを添加し、ホモジナイザー(本体:ウルトラタテックス T−25、シャフトジェネレーター:S25N−10G(IKA社製))を溶液の液面下に設置、作動させた後、室温で12時間攪拌した。続いて、陰イオン交換体(Bayer AG Lewatit MP62)0.5g、陽イオン交換体(Bayer AG Lewatit S100)0.5gを溶液へ添加し、8時間攪拌した。イオン交換体を濾過によって取り除き、得られた溶液に対し71kPa、ノズル直径0.1mm、5〜10℃の条件下、高圧ホモジナイザーを用いて2回均質化し、導電性高分子化合物CP−B1を得た(固形分濃度:1.0%)。
(Synthesis of conductive polymer compound CP-B1)
0.14 g of a normal butanol solution (solid content concentration: 40%) of an oxidizing agent / dopant compound OX-1 is added to 5.0 g of the conductive polymer compound CP-B (solid content concentration: 1.0%), and a homogenizer. (Main body: Ultratatex T-25, shaft generator: S25N-10G (manufactured by IKA)) was placed and operated under the liquid level of the solution, and then stirred at room temperature for 12 hours. Subsequently, 0.5 g of an anion exchanger (Bayer AG Lewatit MP62) and 0.5 g of a cation exchanger (Bayer AG Lewatit S100) were added to the solution and stirred for 8 hours. The ion exchanger was removed by filtration, and the resulting solution was homogenized twice using a high pressure homogenizer under conditions of 71 kPa, nozzle diameter 0.1 mm, and 5 to 10 ° C. to obtain a conductive polymer compound CP-B1. (Solid content concentration: 1.0%).

(塗布液A)
下記組成の溶液に対し71kPa、ノズル直径0.1mm、5〜10℃の条件下、高圧ホモジナイザーを用いて2回均質化し、塗布液Aを得た。
導電性ポリマー分散液:導電性高分子化合物CP−B1(固形分濃度1.0%) 37.5g
ポリエステル系共重合体分散液:PO−1(固形分濃度25%、固形分875mg) 3.5g
ジメチルスルホキシド(DMSO、導電性ポリマー溶液質量の5分の1) 1.0g
(Coating liquid A)
The solution having the following composition was homogenized twice using a high-pressure homogenizer under conditions of 71 kPa, nozzle diameter 0.1 mm, and 5 to 10 ° C. to obtain a coating solution A.
Conductive polymer dispersion: conductive polymer compound CP-B1 (solid content concentration 1.0%) 37.5 g
Polyester copolymer dispersion: PO-1 (solid content concentration 25%, solid content 875 mg) 3.5 g
1.0 g of dimethyl sulfoxide (DMSO, 1/5 of the conductive polymer solution mass)

(導電膜TC−109〜TC−112の作製)
導電膜TC−108の作製において、酸化剤兼ドーパント化合物OX−1のノルマルブタノール溶液(固形分濃度:40%)を0.14g添加する代わりに、酸化剤兼ドーパント化合物OX−2のノルマルブタノール溶液(固形分濃度:40%)0.15g、酸化剤兼ドーパント化合物OX−3のノルマルブタノール溶液(固形分濃度:40%)0.24g、無水塩化第二鉄16.2mg(関東化学社製)、過塩素酸第二鉄35.4mg(関東化学社製)に変更し、導電性高分子化合物CP−B2〜CP−B5を作製し、塗布液A中の導電性高分子化合物CP−B1に導電性高分子化合物CP−B2〜CP−B5を用いた以外は導電膜TC−104の作製と同様にして、導電膜TC−109〜TC−112を作製した。
(Preparation of conductive films TC-109 to TC-112)
In the production of the conductive film TC-108, instead of adding 0.14 g of the normal butanol solution (solid content concentration: 40%) of the oxidizer and dopant compound OX-1, the normal butanol solution of the oxidizer and dopant compound OX-2 (Solid content concentration: 40%) 0.15 g, normal butanol solution of oxidizer and dopant compound OX-3 (solid content concentration: 40%) 0.24 g, anhydrous ferric chloride 16.2 mg (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) The ferric perchlorate was changed to 35.4 mg (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.), and conductive polymer compounds CP-B2 to CP-B5 were prepared, and the conductive polymer compound CP-B1 in the coating liquid A was prepared. Conductive films TC-109 to TC-112 were prepared in the same manner as the conductive film TC-104 except that the conductive polymer compounds CP-B2 to CP-B5 were used.

(導電膜TC−113の作製)
導電膜TC−101の作製において、塗布液Aの導電性高分子化合物CP−A1(固形分濃度1.0%)の代わりに、導電性高分子化合物CP−A(固形分濃度1.0%)を用い導電膜TC−Wを作製した。別途調整したp-トルエンスルホン酸の10%エタノール溶液に導電膜TC−Wを1時間浸漬させた。その後導電膜を溶液から出し、エタノールで洗浄し、110℃で5分加熱乾燥させることで導電膜TC−113を作製した。
(Preparation of conductive film TC-113)
In the production of the conductive film TC-101, instead of the conductive polymer compound CP-A1 (solid content concentration 1.0%) of the coating liquid A, the conductive polymer compound CP-A (solid content concentration 1.0%). ) To prepare a conductive film TC-W. The conductive film TC-W was immersed in a separately prepared 10% ethanol solution of p-toluenesulfonic acid for 1 hour. Thereafter, the conductive film was taken out of the solution, washed with ethanol, and dried by heating at 110 ° C. for 5 minutes, whereby a conductive film TC-113 was produced.

(導電膜TC−114,TC−115の作製)
導電膜TC−113の作製において、p−トルエンスルホン酸を無水塩化第二鉄(関東化学社製)、過塩素酸第二鉄(関東化学社製)に置き換えた以外は導電膜TC−113の作製と同様にして、導電膜C−114,TC−115を作製した。
(Production of conductive films TC-114 and TC-115)
In the production of the conductive film TC-113, p-toluenesulfonic acid was replaced with anhydrous ferric chloride (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) and ferric perchlorate (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.). Conductive films C-114 and TC-115 were produced in the same manner as the production.

(導電膜TC−116〜TC−118の作製)
導電膜TC−104の作製において、塗布液Aのポリエステル系共重合体分散物の固形分重量の半量(438mg)を架橋PMMA系微粒子(タフチックFH−S010、平均粒径300nm、固形分濃度27%、東洋紡社製)、ポリスチレン微粒子(5003A、平均粒径30nm、固形分濃度10%、モリテックス社製)、コロイダルシリカ(スノーテックスO、平均粒径18nm、固形分濃度20.6%、日産化学社製)に置き換えた以外は導電膜TC−104の作製と同様にして、導電膜C−116〜TC−118を作製した。
(Production of conductive films TC-116 to TC-118)
In the production of the conductive film TC-104, half of the solid content weight (438 mg) of the polyester copolymer dispersion of the coating liquid A was cross-linked PMMA-based fine particles (Toughtic FH-S010, average particle size 300 nm, solid content concentration 27%. Manufactured by Toyobo Co., Ltd.), polystyrene fine particles (5003A, average particle size 30 nm, solid content concentration 10%, manufactured by Moritex Corporation), colloidal silica (Snowtex O, average particle size 18 nm, solid content concentration 20.6%, Nissan Chemical Co., Ltd.) The conductive films C-116 to TC-118 were manufactured in the same manner as the conductive film TC-104 except that the conductive films TC-104 were replaced.

(導電膜TC−119の作製)
導電膜TC−104の作製において、導電性高分子化合物CP−A1の合成で用いた導電性高分子化合物CP−Aを、導電性高分子化合物CP−Cに変更し、導電性高分子化合物CP−Cを作製し、塗布液Aの導電性高分子化合物CP−A137.5g(固形分濃度1.0%)を、導電性高分子化合物CP−C128.8g(固形分濃度1.3%)に変更したこと以外は導電膜TC−104の作製と同様にして、導電膜TC−119を作製した。
(Preparation of conductive film TC-119)
In the production of the conductive film TC-104, the conductive polymer compound CP-A used in the synthesis of the conductive polymer compound CP-A1 was changed to the conductive polymer compound CP-C. -C was prepared, and 137.5 g of the conductive polymer compound CP-A (solid content concentration 1.0%) of the coating liquid A was replaced with 128.8 g of the conductive polymer compound CP-C (solid content concentration 1.3%). A conductive film TC-119 was manufactured in the same manner as the conductive film TC-104 except that the conductive film TC-104 was changed.

(比較導電膜TC−120の作製)
導電膜TC−101の作製において、塗布液Aの導電性高分子化合物CP−A1(固形分濃度1.0%)の代わりに、導電性高分子化合物CP−A(固形分濃度1.0%)を用い導電膜TC−Zを作製した。この導電膜TC−Zを比較導電膜TC−120とした。
(比較導電膜TC−121の作製)
導電膜TC−104の作製において、塗布液Aのポリエステル系共重合体分散液PO−13.5g(固形分濃度25%)を、比較バインダー樹脂PO−A4.38g(固形分濃度20%)に変更したこと以外は導電膜TC−104の作製と同様にして、導電膜TC−121を作製した。
(Preparation of comparative conductive film TC-120)
In the production of the conductive film TC-101, instead of the conductive polymer compound CP-A1 (solid content concentration 1.0%) of the coating liquid A, the conductive polymer compound CP-A (solid content concentration 1.0%). ) To produce a conductive film TC-Z. This conductive film TC-Z was used as a comparative conductive film TC-120.
(Preparation of comparative conductive film TC-121)
In the production of the conductive film TC-104, the polyester-based copolymer dispersion PO-13.5 g (solid content concentration 25%) of the coating liquid A was changed to 4.38 g of a comparative binder resin PO-A (solid content concentration 20%). A conductive film TC-121 was produced in the same manner as in the production of the conductive film TC-104 except for the change.

(比較導電膜TC−122の作製)
導電膜TC−116の作製において、塗布液Aのポリオレフィン系共重合体分散物の固形分重量の半量(438mg)をシリカゾル分散液(製品名IPA−ST、粒子状、平均粒径10nm、固形分濃度30質量%、日産化学工業株式会社製)243mg、ポリエチレン粒子(Ceracol39、平均粒径13000nm、固形分濃度40%、ビックケミ−社製)913mgに変更した以外は導電膜TC−116の作製と同様にして、比較例導電膜TC−122を作製した。
(Preparation of comparative conductive film TC-122)
In the production of the conductive film TC-116, half of the solid content weight of the polyolefin copolymer dispersion of the coating liquid A (438 mg) was converted to a silica sol dispersion (product name IPA-ST, particulate, average particle size 10 nm, solid content). Concentration 30% by mass, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) 243 mg, polyethylene particles (Ceracol 39, average particle size 13000 nm, solid content concentration 40%, manufactured by BYK-Chemie) 913 mg, except for changing to 913 mg Thus, a comparative conductive film TC-122 was produced.

(比較導電膜TC−123の作製)
導電膜TC−101の作製において、塗布液Aのポリエステル系共重合体分散液:PO−1を添加せず、また無水メタンスルホン酸(40.4mg、0.42mmol、分子量96.11、東京化成社製)をp−トルエンスルホン酸一水和物(79.9mg、0.42mmol、分子量190.22、東京化成社製)に変更した以外は導電膜TC−101の作製と同様にして、比較例導電膜TC−123を作製した。
(Preparation of comparative conductive film TC-123)
In the production of the conductive film TC-101, the polyester-based copolymer dispersion of coating solution A: PO-1 was not added, and methanesulfonic anhydride (40.4 mg, 0.42 mmol, molecular weight 96.11, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) Comparison with p-toluenesulfonic acid monohydrate (79.9 mg, 0.42 mmol, molecular weight 190.22, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) Example Conductive film TC-123 was produced.

<導電膜の評価>
得られた導電膜の形状、透明性、表面抵抗(導電性)、表面粗さ及び膜強度を下記のように評価した。また、導電膜の安定性を評価するため、80℃90%RHの環境下で14日間置く強制劣化試験後の導電膜試料のフィルム形状、透明性、表面抵抗、表面粗さ及び膜強度の評価を行った。
<Evaluation of conductive film>
The shape, transparency, surface resistance (conductivity), surface roughness and film strength of the obtained conductive film were evaluated as follows. In addition, in order to evaluate the stability of the conductive film, the film shape, transparency, surface resistance, surface roughness and film strength of the conductive film sample after the forced deterioration test placed in an environment of 80 ° C. and 90% RH for 14 days are evaluated. Went.

(透明性)
JIS K 7361−1:1997に準拠して、東京電色社製 HAZE METER NDH5000を用いて、全光線透過率を測定し、下記基準で評価した。有機電子デバイスに用いるため、75%以上であることが好ましい。
◎:80%以上
○:75%〜80%未満
△:70%〜75%未満
×:70%未満
評価基準:◎,○と評価された試料が本発明として合格
(transparency)
Based on JIS K 7361-1: 1997, total light transmittance was measured using HAZE METER NDH5000 manufactured by Tokyo Denshoku Co., Ltd., and evaluated according to the following criteria. Since it is used for an organic electronic device, it is preferably 75% or more.
A: 80% or more B: 75% to less than 80% B: 70% to less than 75% X: Less than 70% Evaluation criteria: Samples evaluated as A and B pass as the present invention.

(表面抵抗)
JIS K 7194:1994に準拠して、抵抗率計(ロレスタGP(MCP−T610型):(株)ダイヤインスツルメンツ社製)を用いて表面抵抗を測定した。表面抵抗は100Ω/□以下であることが好ましく、有機電子デバイスを大面積にするには、30Ω/□以下であることが好ましい。
評価基準:強制劣化後30Ω/□以下と評価された試料が本発明として合格
(表面粗さ(Ra、Ry))
AFM(セイコーインスツルメンツ社製SPI3800Nプローブステーション及びSPA400多機能型ユニット)を使用し、約1cm角の大きさに切り取った試料を用いて、前記の方法(JIS B601(1994)に規定される表面粗さに準ずる。)で測定した。
評価基準:Ry≦50nm、かつ、Ra≦10nmと評価された試料が本発明として合格
(Surface resistance)
The surface resistance was measured using a resistivity meter (Loresta GP (MCP-T610 type): manufactured by Dia Instruments Co., Ltd.) in accordance with JIS K 7194: 1994. The surface resistance is preferably 100Ω / □ or less, and preferably 30Ω / □ or less in order to increase the area of the organic electronic device.
Evaluation criteria: Samples evaluated as 30 Ω / □ or less after forced deterioration pass the present invention (surface roughness (Ra, Ry))
Using an AFM (Seiko Instruments SPI3800N probe station and SPA400 multifunctional unit) and using a sample cut to a size of about 1 cm square, the surface roughness specified in the above method (JIS B601 (1994)). ).
Evaluation criteria: Samples evaluated as Ry ≦ 50 nm and Ra ≦ 10 nm passed the present invention.

(膜強度)
導電層の膜の強度を、テープ剥離法により評価した。
導電層の上に住友スリーエム社製スコッチテープを用いて圧着/剥離を10回繰り返し
、導電層の脱落を目視観察し、下記基準で評価した。
◎:5回の圧着/剥離で変化無し
○:3回の圧着剥離で変化無し
△:1回の圧着剥離で剥離が見られるが8割以上のパターンが残っている
×:1回の圧着剥離で剥離が見られ、残っているパターンが8割未満
評価基準:◎,○と評価された試料が本発明として合格
評価の結果を表1に示す。
(Membrane strength)
The strength of the conductive layer film was evaluated by a tape peeling method.
Crimping / peeling was repeated 10 times on the conductive layer using a Scotch tape manufactured by Sumitomo 3M Co., and the dropping of the conductive layer was visually observed and evaluated according to the following criteria.
◎: No change after 5 times of pressure bonding / peeling ○: No change after 3 times of pressure peeling / bonding △: Peeling is observed after 1 time of pressure peeling, but more than 80% pattern remains ×: 1 time of pressure peeling Table 1 shows the results of the pass evaluation of the present invention, in which peeling is observed and the remaining pattern is evaluated as less than 80% of the evaluation criteria: ◎, ○.

Figure 0006024351
Figure 0006024351

表1から、比較例の導電膜TC−120〜TC−123に対して、本発明の導電膜TC−101〜119は、平滑性、導電性、光透過性及び膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても平滑性、導電性、光透過性及び膜強度の劣化が少なく、安定性に優れることが分かる。   From Table 1, with respect to the conductive films TC-120 to TC-123 of the comparative examples, the conductive films TC-101 to 119 of the present invention are excellent in smoothness, conductivity, light transmittance and film strength, and at a high temperature. It can be seen that even in a high humidity environment, there is little deterioration in smoothness, conductivity, light transmission and film strength, and the stability is excellent.

<実施例2>
<導電膜の作製>
<第1導電層の形成>
上記で得られたガスバリア性を有する導電膜(導電膜1)用フィルム基板(基材11)上のバリア面に、以下の方法で第1導電層を形成した。
<Example 2>
<Preparation of conductive film>
<Formation of first conductive layer>
A first conductive layer was formed on the barrier surface on the film substrate (base material 11) for the conductive film (conductive film 1) having gas barrier properties obtained above by the following method.

(細線格子)
細線格子(金属材料)については、以下に示すグラビア印刷又は銀ナノワイヤにより作製した。
(Thin wire grid)
The fine wire lattice (metal material) was produced by gravure printing or silver nanowire as shown below.

(グラビア印刷)
銀ナノ粒子ペースト1(M−Dot SLP:三ツ星ベルト製)をRK Print Coat Instruments Ltd製グラビア印刷試験機K303MULTICOATERを用いて線幅50μm、高さ1.5μm、間隔1.0mmの細線格子を印刷した後、110℃、5分の乾燥処理を行った。
(Gravure printing)
Silver nanoparticle paste 1 (M-Dot SLP: manufactured by Mitsuboshi Belting Co., Ltd.) was printed on a fine wire grid having a line width of 50 μm, a height of 1.5 μm, and an interval of 1.0 mm using a gravure printing tester K303MULTICATOR manufactured by RK Print Coat Instruments Ltd. Thereafter, a drying process was performed at 110 ° C. for 5 minutes.

<導電膜TC−101の作製>
ガスバリア性を有する導電膜用のフィルム基板上のバリアのない面に、下記のように調製した塗布液Aを、押し出し法を用いて、乾燥膜厚200nmになるように押し出しヘッドのスリット間隙を調整して塗布し、110℃、3分で加熱乾燥し、導電層を形成し、得られた電極を8×8cmに切り出した。得られた電極を、オーブンを用いて110℃、7分加熱することで導電膜TC−201を作製した。
<Preparation of Conductive Film TC-101>
Adjust the slit gap of the extrusion head to a dry film thickness of 200 nm on the non-barrier surface of the film substrate for a conductive film having gas barrier properties by using the extrusion method to achieve a dry film thickness of 200 nm. Then, it was heated and dried at 110 ° C. for 3 minutes to form a conductive layer, and the obtained electrode was cut into 8 × 8 cm. The obtained electrode was heated in an oven at 110 ° C. for 7 minutes to produce a conductive film TC-201.

(導電性高分子化合物CP−A1の合成)
導電性高分子化合物CP−A(固形分濃度:1.0%)に無水メタンスルホン酸(40.4mg、0.42mmol、分子量96.11、東京化成社製)、過硫酸カリウム(0.11g、0.42mmol、分子量270.32、関東化学社製)及び硫酸鉄(III)・n水和物(0.78mg、4.5×10−4mmol(純度70%換算)、分子量399.88、関東化学社製を加え溶解した。ホモジナイザー(本体:ウルトラタテックス T−25、シャフトジェネレーター:S25N−10G(IKA社製))を溶液の液面下に設置、作動させた後、室温で12時間攪拌した。続いて、陰イオン交換体(Bayer AG Lewatit MP62)0.5g、陽イオン交換体(Bayer AG Lewatit S100)0.5gを溶液へ添加し、8時間攪拌した。イオン交換体を濾過によって取り除き、得られた溶液に対し71kPa、ノズル直径0.1mm、5〜10℃の条件下、高圧ホモジナイザーを用いて2回均質化し、導電性高分子化合物CP−A1を得た(固形分濃度:1.0%)。
(Synthesis of conductive polymer compound CP-A1)
Conductive polymer compound CP-A (solid content concentration: 1.0%) to methanesulfonic anhydride (40.4 mg, 0.42 mmol, molecular weight 96.11, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), potassium persulfate (0.11 g) , 0.42 mmol, molecular weight 270.32, manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) and iron (III) sulfate n hydrate (0.78 mg, 4.5 × 10 −4 mmol (purity 70% conversion), molecular weight 399.88 A homogenizer (main body: Ultratatex T-25, shaft generator: S25N-10G (manufactured by IKA)) was placed and operated under the liquid level of the solution, and then at room temperature. Subsequently, 0.5 g of an anion exchanger (Bayer AG Lewatit MP62) and 0.5 g of a cation exchanger (Bayer AG Lewatit S100) were added as a solution. The ion exchanger was removed by filtration, and the resulting solution was homogenized twice using a high-pressure homogenizer under conditions of 71 kPa, nozzle diameter 0.1 mm, and 5 to 10 ° C. A polymer compound CP-A1 was obtained (solid content concentration: 1.0%).

(塗布液A)
下記組成の溶液に対し71kPa、ノズル直径0.1mm、5〜10℃の条件下、高圧ホモジナイザーを用いて2回均質化し、塗布液Aを得た。
導電性ポリマー分散液:導電性高分子化合物CP−A1(固形分濃度1.0%) 37.5g
ポリエステル系共重合体分散液:PO−1(固形分濃度25%、固形分875mg) 3.5g
ジメチルスルホキシド(DMSO、導電性ポリマー溶液質量の5分の1) 1.0g
(Coating liquid A)
The solution having the following composition was homogenized twice using a high-pressure homogenizer under conditions of 71 kPa, nozzle diameter 0.1 mm, and 5 to 10 ° C. to obtain a coating solution A.
Conductive polymer dispersion: conductive polymer compound CP-A1 (solid content concentration 1.0%) 37.5 g
Polyester copolymer dispersion: PO-1 (solid content concentration 25%, solid content 875 mg) 3.5 g
1.0 g of dimethyl sulfoxide (DMSO, 1/5 of the conductive polymer solution mass)

(導電膜TC−202〜TC−204の作製)
導電膜TC−201の作製において、導電性高分子化合物CP−A1の合成に用いたメタンスルホン酸を無水ベンゼンスルホン酸(66.4mg、0.42mmol、分子量158.18、東京化成社製)、2−ナルタレンスルホン酸(87.5mg、0.42mmol、分子量208.23、東京化成社製)、p−トルエンスルホン酸一水和物(79.9mg、0.42mmol、分子量190.22、東京化成社製)に変更し、導電性高分子化合物CP−A2〜CP−A4を作製し、塗布液A中の導電性高分子化合物CP−A1に導電性高分子化合物CP−A2〜CP−A4を用いた以外は導電膜TC−101の作製と同様にして、導電膜TC−202〜TC−204を作製した。
(Production of conductive films TC-202 to TC-204)
In the production of the conductive film TC-201, methanesulfonic acid used for the synthesis of the conductive polymer compound CP-A1 was changed to benzenesulfonic anhydride (66.4 mg, 0.42 mmol, molecular weight 158.18, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 2-Naltalenesulfonic acid (87.5 mg, 0.42 mmol, molecular weight 208.23, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), p-toluenesulfonic acid monohydrate (79.9 mg, 0.42 mmol, molecular weight 190.22, Tokyo) Manufactured by Kasei Co., Ltd., and produced conductive polymer compounds CP-A2 to CP-A4, and the conductive polymer compounds CP-A2 to CP-A4 in the coating liquid A were prepared. The conductive films TC-202 to TC-204 were prepared in the same manner as the conductive film TC-101 except that the conductive film TC-101 was used.

(導電膜TC−205〜TC−207の作製)
導電膜TC−204の作製において、塗布液Aのポリエステル系共重合体分散物をプラスコートZ561(互応化学社製、固形分濃度25%)、ヨドゾールAD166(ヘンケル社製、固形分濃度49%)、PO−2(固形分濃度25%)に変更し、固形分量が875mgになるように添加することで導電膜C−205〜TC207を作製した。
(Production of conductive films TC-205 to TC-207)
In the production of the conductive film TC-204, the polyester-based copolymer dispersion of the coating liquid A was added to PLUS COAT Z561 (manufactured by Kyoyo Chemical Co., Ltd., solid content concentration 25%), Yodosol AD166 (manufactured by Henkel Co., Ltd., solid content concentration 49%). The conductive films C-205 to TC207 were prepared by changing to PO-2 (solid concentration 25%) and adding so that the solid content was 875 mg.

<導電膜TC−208の作製>
ガスバリア性を有する導電膜用のフィルム基板上のバリアのない面に、下記のように調製した塗布液Aを、押し出し法を用いて、乾燥膜厚300nmになるように押し出しヘッドのスリット間隙を調整して塗布し、110℃、5分で加熱乾燥し、導電性ポリマーとオレフィン系共重合体からなる導電層を形成し、得られた電極を8×8cmに切り出した。得られた電極を、オーブンを用いて110℃、15分加熱することで導電膜TC−208を作製した。
<Preparation of Conductive Film TC-208>
Adjust the slit gap of the extrusion head to a dry film thickness of 300 nm on the non-barrier surface of the film substrate for a conductive film having gas barrier properties by using the extrusion method to a dry film thickness of 300 nm. Then, it was heated and dried at 110 ° C. for 5 minutes to form a conductive layer made of a conductive polymer and an olefin copolymer, and the obtained electrode was cut into 8 × 8 cm. The obtained electrode was heated in an oven at 110 ° C. for 15 minutes to produce a conductive film TC-208.

(導電性高分子化合物CP−B1の合成)
導電性高分子化合物CP−B(固形分濃度:1.0%)5.0gに酸化剤兼ドーパント化合物OX−1のノルマルブタノール溶液(固形分濃度:40%)0.14gを添加し、ホモジナイザー(本体:ウルトラタテックス T−25、シャフトジェネレーター:S25N−10G(IKA社製))を溶液の液面下に設置、作動させた後、室温で12時間攪拌した。続いて、陰イオン交換体(Bayer AG Lewatit MP62)0.5g、陽イオン交換体(Bayer AG Lewatit S100)0.5gを溶液へ添加し、8時間攪拌した。イオン交換体を濾過によって取り除き、得られた溶液に対し71kPa、ノズル直径0.1mm、5〜10℃の条件下、高圧ホモジナイザーを用いて2回均質化し、導電性高分子化合物CP−B1を得た(固形分濃度:1.0%)。
(Synthesis of conductive polymer compound CP-B1)
0.14 g of a normal butanol solution (solid content concentration: 40%) of an oxidizing agent / dopant compound OX-1 is added to 5.0 g of the conductive polymer compound CP-B (solid content concentration: 1.0%), and a homogenizer. (Main body: Ultratatex T-25, shaft generator: S25N-10G (manufactured by IKA)) was placed and operated under the liquid level of the solution, and then stirred at room temperature for 12 hours. Subsequently, 0.5 g of an anion exchanger (Bayer AG Lewatit MP62) and 0.5 g of a cation exchanger (Bayer AG Lewatit S100) were added to the solution and stirred for 8 hours. The ion exchanger was removed by filtration, and the resulting solution was homogenized twice using a high pressure homogenizer under conditions of 71 kPa, nozzle diameter 0.1 mm, and 5 to 10 ° C. to obtain a conductive polymer compound CP-B1. (Solid content concentration: 1.0%).

(塗布液A)
下記組成の溶液に対し71kPa、ノズル直径0.1mm、5〜10℃の条件下、高圧ホモジナイザーを用いて2回均質化し、塗布液Aを得た。
導電性ポリマー分散液:導電性高分子化合物CP−B1(固形分濃度1.0%) 37.5g
ポリエステル系共重合体分散液:PO−1(固形分濃度25%、固形分875mg) 3.5g
ジメチルスルホキシド(DMSO、導電性ポリマー溶液質量の5分の1) 1.0g
(Coating liquid A)
The solution having the following composition was homogenized twice using a high-pressure homogenizer under conditions of 71 kPa, nozzle diameter 0.1 mm, and 5 to 10 ° C. to obtain a coating solution A.
Conductive polymer dispersion: conductive polymer compound CP-B1 (solid content concentration 1.0%) 37.5 g
Polyester copolymer dispersion: PO-1 (solid content concentration 25%, solid content 875 mg) 3.5 g
1.0 g of dimethyl sulfoxide (DMSO, 1/5 of the conductive polymer solution mass)

(導電膜TC−209〜TC−212の作製)
導電膜TC−208の作製において、酸化剤兼ドーパント化合物OX−1のノルマルブタノール溶液(固形分濃度:40%)を0.14g添加する代わりに、酸化剤兼ドーパント化合物OX−2のノルマルブタノール溶液(固形分濃度:40%)0.15g、酸化剤兼ドーパント化合物OX−3のノルマルブタノール溶液(固形分濃度:40%)0.24g、無水塩化第二鉄16.2mg(関東化学社製)、過塩素酸第二鉄35.4mg(関東化学社製)に変更し、導電性高分子化合物CP−B2〜CP−B5を作製し、塗布液A中の導電性高分子化合物CP−B1に導電性高分子化合物CP−B2〜CP−B5を用いた以外は導電膜TC−204の作製と同様にして、導電膜TC−209〜TC−212を作製した。
(Production of conductive films TC-209 to TC-212)
In the production of the conductive film TC-208, instead of adding 0.14 g of the normal butanol solution (solid content concentration: 40%) of the oxidizer and dopant compound OX-1, the normal butanol solution of the oxidizer and dopant compound OX-2 (Solid content concentration: 40%) 0.15 g, normal butanol solution of oxidizer and dopant compound OX-3 (solid content concentration: 40%) 0.24 g, anhydrous ferric chloride 16.2 mg (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) The ferric perchlorate was changed to 35.4 mg (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.), and conductive polymer compounds CP-B2 to CP-B5 were prepared, and the conductive polymer compound CP-B1 in the coating liquid A was prepared. Conductive films TC-209 to TC-212 were prepared in the same manner as the conductive film TC-204 except that the conductive polymer compounds CP-B2 to CP-B5 were used.

(導電膜TC−213の作製)
導電膜TC−201の作製において、塗布液Aの導電性高分子化合物CP−A1(固形分濃度1.0%)の代わりに、導電性高分子化合物CP−A(固形分濃度1.0%)を用い導電膜TC−Xを作製した。別途調整したp-トルエンスルホン酸の10%エタノール溶液に導電膜TC−Xを1時間浸漬させた。その後導電膜を溶液から出し、エタノールで洗浄し、110℃で5分加熱乾燥させることで導電膜TC−213を作製した。
(Preparation of conductive film TC-213)
In the production of the conductive film TC-201, instead of the conductive polymer compound CP-A1 (solid content concentration 1.0%) of the coating liquid A, the conductive polymer compound CP-A (solid content concentration 1.0%). ) To prepare a conductive film TC-X. The conductive film TC-X was immersed in a 10% ethanol solution of p-toluenesulfonic acid prepared separately for 1 hour. Thereafter, the conductive film was taken out of the solution, washed with ethanol, and dried by heating at 110 ° C. for 5 minutes, whereby a conductive film TC-213 was produced.

(導電膜TC−214,TC−215の作製)
導電膜TC−213の作製において、p−トルエンスルホン酸を無水塩化第二鉄(関東化学社製)、過塩素酸第二鉄(関東化学社製)に置き換えた以外は導電膜TC−113の作製と同様にして、導電膜TC−214,TC−215を作製した。
(Production of conductive films TC-214 and TC-215)
In the production of the conductive film TC-213, p-toluenesulfonic acid was replaced with anhydrous ferric chloride (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) and ferric perchlorate (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.). Conductive films TC-214 and TC-215 were produced in the same manner as the production.

(導電膜TC−216〜TC−218の作製)
導電膜TC−204の作製において、塗布液Aのポリエステル系共重合体分散物の固形分重量の半量(438mg)を架橋PMMA系微粒子(タフチックFH−S010、平均粒径300nm、固形分濃度27%、東洋紡社製)、ポリスチレン微粒子(5003A、平均粒径30nm、固形分濃度10%、モリテックス社製)、コロイダルシリカ(スノーテックスO、平均粒径18nm、固形分濃度20.6%、日産化学社製)に置き換えた以外は導電膜TC−204の作製と同様にして、導電膜TC−216〜TC218を作製した。
(Production of conductive films TC-216 to TC-218)
In the production of the conductive film TC-204, half of the solid content weight (438 mg) of the polyester copolymer dispersion of the coating liquid A was used as crosslinked PMMA-based fine particles (Toughtic FH-S010, average particle size 300 nm, solid content concentration 27%. Manufactured by Toyobo Co., Ltd.), polystyrene fine particles (5003A, average particle size 30 nm, solid content concentration 10%, manufactured by Moritex Corporation), colloidal silica (Snowtex O, average particle size 18 nm, solid content concentration 20.6%, Nissan Chemical Co., Ltd.) The conductive films TC-216 to TC218 were manufactured in the same manner as the conductive film TC-204 except that the conductive films TC-204 were replaced.

(導電膜TC−219の作製)
導電膜TC−204の作製において、導電性高分子化合物CP−A1の合成で用いた導電性高分子化合物CP−Aを、導電性高分子化合物CP−Cに変更し、導電性高分子化合物CP−Cを作製し、塗布液Aの導電性高分子化合物CP−A137.5g(固形分濃度1.0%)を、導電性高分子化合物CP−C128.8g(固形分濃度1.3%)に変更したこと以外は導電膜TC−204の作製と同様にして、導電膜TC−219を作製した。
(Preparation of conductive film TC-219)
In the production of the conductive film TC-204, the conductive polymer compound CP-A used in the synthesis of the conductive polymer compound CP-A1 was changed to the conductive polymer compound CP-C. -C was prepared, and 137.5 g of the conductive polymer compound CP-A (solid content concentration 1.0%) of the coating liquid A was replaced with 128.8 g of the conductive polymer compound CP-C (solid content concentration 1.3%). A conductive film TC-219 was manufactured in the same manner as the conductive film TC-204 except that the conductive film TC-204 was changed.

(導電膜TC−220の作製)
(ランダムな網目構造)
銀ナノワイヤ分散液は、Adv.Mater.,2002,14,833〜837に記載の方法を参考に、PVP K30(分子量5万;ISP社製)を利用して、平均短径75nm、平均長さ35μmの銀ナノワイヤを作製し、限外濾過膜を用いて銀ナノワイヤを濾別、洗浄処理した後、ヒドロキシプロピルメチルセルロース60SH−50(信越化学工業社製)を銀に対し25質量%加えた水溶液に再分散し、銀ナノワイヤ分散液を調製した。
(Preparation of conductive film TC-220)
(Random network structure)
Silver nanowire dispersions are described in Adv. Mater. , 2002, 14, 833 to 837, by using PVP K30 (molecular weight 50,000; manufactured by ISP), silver nanowires having an average minor axis of 75 nm and an average length of 35 μm were produced. Silver nanowires are filtered and washed using a filtration membrane, and then redispersed in an aqueous solution in which 25% by mass of hydroxypropylmethylcellulose 60SH-50 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is added to silver to prepare a silver nanowire dispersion. did.

ランダムな網目構造については、以下に示すように銀ナノワイヤを用いて作製した。銀ナノワイヤ分散液を、銀ナノワイヤの目付け量が0.06g/mとなるように、銀ナノワイヤ分散液を、バーコート法を用いて塗布し110℃、5分乾燥加熱し、銀ナノワイヤ基板(基材)を作製した。銀ナノワイヤによりランダムな網目構造を形成した第1導電層上に、TC−204と同様の塗布液Aを用いて導電膜TC−204の作製と同様の方法により第2導電層を形成し、8×8cmに切り出した。得られた電極を、オーブンを用いて110℃、15分加熱することで導電膜TC−220を作製した。 The random network structure was prepared using silver nanowires as shown below. The silver nanowire dispersion liquid is applied by using a bar coating method so that the amount of silver nanowires is 0.06 g / m 2, and dried and heated at 110 ° C. for 5 minutes to form a silver nanowire substrate ( Substrate). A second conductive layer is formed on the first conductive layer having a random network structure formed of silver nanowires by using the same coating solution A as that for TC-204 and by the same method as that for forming the conductive film TC-204. Cut out to 8 cm. The obtained electrode was heated using an oven at 110 ° C. for 15 minutes to produce a conductive film TC-220.

(導電膜TC−221,TC−222の作製)
導電膜TC−217,TC−218の作製において用いた塗布液Aを使用した以外は導電膜TC−217,TC−218の作製と同様にして、導電膜TC−221,TC−222を作製した。
(Production of conductive films TC-221 and TC-222)
Conductive films TC-221 and TC-222 were prepared in the same manner as the conductive films TC-217 and TC-218 except that the coating solution A used in the preparation of the conductive films TC-217 and TC-218 was used. .

(導電膜TC−223の作製)
導電膜TC−201の作製において、塗布液Aの導電性高分子化合物CP−A1(固形分濃度1.0%)の代わりに、導電性高分子化合物CP−A(固形分濃度1.0%)を用い、塗布液Aのポリエステル系共重合体分散物の固形分重量の半量(438mg)をコロイダルシリカ(スノーテックスO、平均粒径18nm、固形分濃度20.6%、日産化学社製)に置換えることで導電膜TC−Yを作製した。別途調整したp-トルエンスルホン酸の10%エタノール溶液に導電膜TC−Yを1時間浸漬させた。その後導電膜を溶液から出し、エタノールで洗浄し、110℃で5分加熱乾燥させることで導電膜TC−213を作製した。
(Preparation of conductive film TC-223)
In the production of the conductive film TC-201, instead of the conductive polymer compound CP-A1 (solid content concentration 1.0%) of the coating liquid A, the conductive polymer compound CP-A (solid content concentration 1.0%). ), Colloidal silica (Snowtex O, average particle size 18 nm, solid content concentration 20.6%, manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is used as a solid weight (438 mg) of the polyester copolymer dispersion of coating liquid A. The conductive film TC-Y was manufactured by substituting The conductive film TC-Y was immersed in a separately prepared 10% ethanol solution of p-toluenesulfonic acid for 1 hour. Thereafter, the conductive film was taken out of the solution, washed with ethanol, and dried by heating at 110 ° C. for 5 minutes, whereby a conductive film TC-213 was produced.

(導電膜TC−224の作製)
(銅メッシュ基板)
基板(基材)上に、補助電極として、下記の方法により、銅メッシュを作製し、金属微粒子除去液BFによるパターンニングを行い、銅メッシュ基板を作製した。
(Preparation of conductive film TC-224)
(Copper mesh substrate)
On the substrate (base material), a copper mesh was prepared as an auxiliary electrode by the following method, followed by patterning with the metal fine particle removing liquid BF, to prepare a copper mesh substrate.

パラジウムナノ粒子を含有する森村ケミカル社製の触媒インクJIPD−7を用い、それにCabot製の自己分散型カーボンブラック溶液CAB−O−JET300を、触媒インクに対するカーボンブラック比率が10.0質量%になるように添加し、さらにサーフィノール465(日信化学工業株式会社)を添加して、25℃における表面張力が48mN/mである導電性インクを調製した。   The catalyst ink GIPD-7 manufactured by Morimura Chemical Co. containing palladium nanoparticles is used, and the CAB-O-JET300, a self-dispersing carbon black solution manufactured by Cabot, has a carbon black ratio of 10.0% by mass with respect to the catalyst ink. In addition, Surfinol 465 (Nisshin Chemical Industry Co., Ltd.) was added to prepare a conductive ink having a surface tension at 25 ° C. of 48 mN / m.

導電性インクを、インクジェット記録ヘッドとして、圧力印加手段と電界印加手段とを有し、ノズル口径25μm、駆動周波数12kHz、ノズル数128、ノズル密度180dpi(dpiとは1インチ、即ち2.54cm当たりのドット数を表す)のピエゾ型ヘッドを搭載したインクジェットプリント装置に装填し、基材上に線幅10μm、乾燥後膜厚0.5μm、線間隔300μmの格子状の導電性細線を図A−6部分に形成した後、乾燥した。   Conductive ink as an ink jet recording head has a pressure applying means and an electric field applying means, and has a nozzle diameter of 25 μm, a driving frequency of 12 kHz, a number of nozzles of 128, a nozzle density of 180 dpi (dpi is 1 inch, that is, 2.54 cm per 2.54 cm). A grid-like conductive thin wire having a line width of 10 μm, a film thickness after drying of 0.5 μm, and a line spacing of 300 μm is loaded on the base material. After forming into parts, it was dried.

次いで、メルテックス社製の高速無電解銅メッキ液CU−5100を用い、温度55℃で10分間浸漬した後、洗浄して、無電解メッキ処理を施して、メッキ厚3μmの補助電極を作製した。   Subsequently, using a high-speed electroless copper plating solution CU-5100 manufactured by Meltex, the substrate was immersed for 10 minutes at a temperature of 55 ° C., washed, and subjected to electroless plating treatment to produce an auxiliary electrode having a plating thickness of 3 μm. .

銅メッシュを第1導電層として形成した導電膜上に、TC−204と同様の塗布液Aを用いて導電膜TC−204の作製と同様の方法により第2導電層を形成し、8×8cmに切り出した。得られた電極を、オーブンを用いて110℃、15分加熱することで導電膜TC−224を作製した。   On the conductive film in which the copper mesh is formed as the first conductive layer, the second conductive layer is formed by the same method as the production of the conductive film TC-204 using the same coating liquid A as TC-204, and 8 × 8 cm. Cut out. The obtained electrode was heated using an oven at 110 ° C. for 15 minutes to produce a conductive film TC-224.

(導電膜TC−225,TC−226の作製)
導電膜TC−217,TC−218の作製において用いた塗布液Aを使用した以外は導電膜TC−217,TC−218の作製と同様にして、導電膜TC−225,TC−226を作製した。
(Production of conductive films TC-225 and TC-226)
Conductive films TC-225 and TC-226 were prepared in the same manner as the conductive films TC-217 and TC-218 except that the coating solution A used in the preparation of the conductive films TC-217 and TC-218 was used. .

(導電膜TC−227の作製)
導電膜TC−201の作製において、塗布液Aの導電性高分子化合物CP−A1(固形分濃度1.0%)の代わりに、導電性高分子化合物CP−A(固形分濃度1.0%)を用い、塗布液Aのポリエステル系共重合体分散物の固形分重量の半量(438mg)をコロイダルシリカ(スノーテックスO、平均粒径18nm、固形分濃度20.6%、日産化学社製)に置換えることで導電膜TC−Zを作製した。別途調整したp-トルエンスルホン酸の10%エタノール溶液に導電膜TC−Yを1時間浸漬させた。その後導電膜を溶液から出し、エタノールで洗浄し、110℃で5分加熱乾燥させることで導電膜TC−227を作製した。
(Preparation of conductive film TC-227)
In the production of the conductive film TC-201, instead of the conductive polymer compound CP-A1 (solid content concentration 1.0%) of the coating liquid A, the conductive polymer compound CP-A (solid content concentration 1.0%). ), Colloidal silica (Snowtex O, average particle size 18 nm, solid content concentration 20.6%, manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is used as a solid weight (438 mg) of the polyester copolymer dispersion of coating liquid A. The conductive film TC-Z was produced by replacing with. The conductive film TC-Y was immersed in a separately prepared 10% ethanol solution of p-toluenesulfonic acid for 1 hour. Thereafter, the conductive film was taken out of the solution, washed with ethanol, and dried by heating at 110 ° C. for 5 minutes, whereby a conductive film TC-227 was produced.

(比較導電膜TC−228の作製)
導電膜TC−201の作製において、塗布液Aの導電性高分子化合物CP−A1(固形分濃度1.0%)の代わりに、導電性高分子化合物CP−A(固形分濃度1.0%)を用い導電膜TC−*を作製した。この導電膜TC−*を比較導電膜TC−228とした。
(Preparation of comparative conductive film TC-228)
In the production of the conductive film TC-201, instead of the conductive polymer compound CP-A1 (solid content concentration 1.0%) of the coating liquid A, the conductive polymer compound CP-A (solid content concentration 1.0%). ) To prepare a conductive film TC- *. This conductive film TC- * was used as a comparative conductive film TC-228.

(比較導電膜TC−229の作製)
導電膜TC−204の作製において、塗布液Aのポリエステル系共重合体分散液PO−13.5g(固形分濃度25%)を、比較バインダー樹脂PO−A4.38g(固形分濃度20%)に変更したこと以外は導電膜TC−204の作製と同様にして、導電膜TC−229を作製した。
(Preparation of comparative conductive film TC-229)
In the production of the conductive film TC-204, the polyester-based copolymer dispersion PO-13.5 g (solid content concentration 25%) of the coating liquid A was changed to 4.38 g of a comparative binder resin PO-A (solid content concentration 20%). A conductive film TC-229 was produced in the same manner as in the production of the conductive film TC-204 except that it was changed.

(比較導電膜TC−230の作製)
導電膜TC−216の作製において、塗布液Aのポリオレフィン系共重合体分散物の固形分重量の半量(438mg)をシリカゾル分散液(製品名IPA−ST、粒子状、平均粒径10nm、固形分濃度30質量%、日産化学工業株式会社製)243mg、ポリエチレン粒子(Ceracol39、平均粒径13000nm、固形分濃度40%、ビックケミ−社製)913mgに変更した以外は導電膜TC−216の作製と同様にして、比較例導電膜TC−230を作製した。
(Preparation of comparative conductive film TC-230)
In the production of the conductive film TC-216, half the solid weight (438 mg) of the polyolefin copolymer dispersion of the coating liquid A was used as a silica sol dispersion (product name IPA-ST, particulate, average particle size 10 nm, solid content). Concentration 30% by mass, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) 243 mg, polyethylene particles (Ceracol 39, average particle size 13000 nm, solid content concentration 40%, manufactured by BYK-Chemie) 913 mg, except for changing to 913 mg Thus, a comparative conductive film TC-230 was produced.

(比較導電膜TC−231の作製)
導電膜TC−201の作製において、塗布液Aのポリエステル系共重合体分散液:PO−1を添加せず、また無水メタンスルホン酸(40.4mg、0.42mmol、分子量96.11、東京化成社製)をp−トルエンスルホン酸一水和物(79.9mg、0.42mmol、分子量190.22、東京化成社製)に変更した以外は導電膜TC−201の作製と同様にして、比較例導電膜TC−231を作製した。
(Preparation of comparative conductive film TC-231)
In the production of the conductive film TC-201, the polyester copolymer dispersion of coating liquid A: PO-1 was not added, and methanesulfonic anhydride (40.4 mg, 0.42 mmol, molecular weight 96.11, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) Comparison with p-toluenesulfonic acid monohydrate (79.9 mg, 0.42 mmol, molecular weight 190.22, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) Example A conductive film TC-231 was produced.

<導電膜の評価>
得られた導電膜に関して、実施例1と同様に評価した。評価の結果を表2に示す。
<Evaluation of conductive film>
The obtained conductive film was evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 2.

Figure 0006024351
Figure 0006024351

表2から、比較例の導電膜TC−228〜TC−231に対して、本発明の導電膜TC−201〜227は、平滑性、導電性、光透過性及び膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても平滑性、導電性、光透過性及び膜強度の劣化が少なく、安定性に優れることが分かる。   From Table 2, with respect to the conductive films TC-228 to TC-231 of the comparative examples, the conductive films TC-201 to 227 of the present invention are excellent in smoothness, conductivity, light transmittance and film strength, and at a high temperature. It can be seen that even in a high humidity environment, there is little deterioration in smoothness, conductivity, light transmission and film strength, and the stability is excellent.

<実施例3>
<有機ELデバイスの作製>
実施例2で作製した導電膜を超純水で洗浄後、パターン辺長20mmの正方形タイル状パターン一個が中央に配置されるように30mm角に切り出し、アノード電極に用いて、以下の手順でそれぞれ有機ELデバイスを作製した。正孔輸送層以降は蒸着により形成した。導電膜TC−201〜TC−231を用い、それぞれ有機EL素子OEL−301〜OEL−331を作製した。
<Example 3>
<Production of organic EL device>
The conductive film produced in Example 2 was washed with ultrapure water, then cut into 30 mm squares so that one square tile-shaped pattern with a pattern side length of 20 mm was placed in the center, and used for the anode electrode according to the following procedure. An organic EL device was produced. The hole transport layer and subsequent layers were formed by vapor deposition. Using the conductive films TC-201 to TC-231, organic EL elements OEL-301 to OEL-331 were produced, respectively.

市販の真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を各々素子作製に必要量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。   Each crucible for vapor deposition in a commercially available vacuum vapor deposition apparatus was filled with a constituent material of each layer in a necessary amount for device production. The evaporation crucible used was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.

まず、正孔輸送層、有機発光層、正孔阻止層、電子輸送層からなる有機EL層を順次形成した。   First, an organic EL layer including a hole transport layer, an organic light emitting layer, a hole blocking layer, and an electron transport layer was sequentially formed.

<正孔輸送層の形成>
真空度1×10−4Paまで減圧した後、化合物1の入った前記蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、厚さ30nmの正孔輸送層を設けた。
<Formation of hole transport layer>
After depressurizing to a vacuum of 1 × 10 −4 Pa, the deposition crucible containing compound 1 was heated by energization, and deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second to provide a 30 nm thick hole transport layer. It was.

<有機発光層の形成>
次に、以下の手順で各発光層を設けた。
形成した正孔輸送層上に、化合物2が13.0質量%、化合物3が3.7質量%、化合物5が83.3質量%になるように、化合物2、化合物3及び化合物5を蒸着速度0.1nm/秒で正孔輸送層と同じ領域に共蒸着し、発光極大波長が622nm、厚さ10nmの緑赤色燐光発光の有機発光層を形成した。
<Formation of organic light emitting layer>
Next, each light emitting layer was provided in the following procedures.
Compound 2, Compound 3 and Compound 5 are deposited on the formed hole transport layer so that Compound 2 is 13.0% by mass, Compound 3 is 3.7% by mass, and Compound 5 is 83.3% by mass. Co-evaporation was performed in the same region as the hole transport layer at a speed of 0.1 nm / second to form a green-red phosphorescent organic light emitting layer having a maximum emission wavelength of 622 nm and a thickness of 10 nm.

次いで、化合物4が10.0質量%、化合物5が90.0質量%になるように、化合物4及び化合物5を蒸着速度0.1nm/秒で緑赤色燐光発光の有機発光層と同じ領域に共蒸着し、発光極大波長が471nm、厚さ15nmの青色燐光発光の有機発光層を形成した。   Next, compound 4 and compound 5 are deposited in the same region as the organic light-emitting layer emitting green-red phosphorescence at a deposition rate of 0.1 nm / second so that compound 4 is 10.0% by mass and compound 5 is 90.0% by mass. Co-evaporation was performed to form a blue phosphorescent organic light emitting layer having an emission maximum wavelength of 471 nm and a thickness of 15 nm.

<正孔阻止層の形成>
さらに、形成した有機発光層と同じ領域に、化合物6を膜厚5nmに蒸着して正孔阻止層を形成した。
<Formation of hole blocking layer>
Further, a hole blocking layer was formed by depositing compound 6 in a thickness of 5 nm on the same region as the formed organic light emitting layer.

<電子輸送層の形成>
引き続き、形成した正孔阻止層と同じ領域に、CsFを膜厚比で10%になるように化合物6と共蒸着し、厚さ45nmの電子輸送層を形成した。
<Formation of electron transport layer>
Subsequently, in the same region as the formed hole blocking layer, CsF was co-evaporated with compound 6 so as to have a film thickness ratio of 10% to form an electron transport layer having a thickness of 45 nm.

Figure 0006024351
Figure 0006024351

<カソード電極の形成>
形成した電子輸送層の上に、導電膜を陽極として陽極外部取り出し端子及び15mm×15mmの陰極形成用材料としてAlを5×10−4Paの真空下にてマスク蒸着し、厚さ100nmの陽極を形成した。
さらに、陰極及び陽極の外部取り出し端子が形成できるように、端部を除き陽極の周囲に接着剤を塗り、ポリエチレンテレフタレートを基材としAlを厚さ300nmで蒸着した可撓性封止部材を貼合した後、熱処理で接着剤を硬化させ封止膜を形成し、発光エリア15mm×15mmの有機EL素子を作製した。
<Formation of cathode electrode>
On the formed electron transport layer, Al was mask-deposited under a vacuum of 5 × 10 −4 Pa as a cathode forming material having a conductive film as an anode and an anode external takeout terminal of 15 mm × 15 mm, and an anode having a thickness of 100 nm Formed.
Further, a flexible seal in which an adhesive is applied around the anode except for the end portion, and polyethylene terephthalate is used as a base material and Al 2 O 3 is deposited in a thickness of 300 nm so that external terminals for the cathode and anode can be formed. After pasting the members, the adhesive was cured by heat treatment to form a sealing film, and an organic EL device having a light emitting area of 15 mm × 15 mm was produced.

<有機EL素子の評価>
得られた有機EL素子について、発光ムラ及び寿命を下記のように評価した。
(発光均一性)
発光均一性は、KEITHLEY製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電圧を有機EL素子に印加し発光させた。1000cd/mで発光させた有機EL素子OEL−201〜OEL−230について、50倍の顕微鏡で各々の発光輝度ムラを観察した。また、有機EL素子OEL−201〜OEL−230をオーブンにて60%RH、80℃2時間加熱したのち、再び前記23±3℃、55±3%RHの環境下で1時間以上調湿した後、同様に発光均一性を観察した。
◎:完全に均一発光しており、申し分ない
○:ほとんど均一発光しており、問題ない
△:部分的に若干発光ムラが見られるが、許容できる
×:全面にわたって発光ムラが見られ、許容できない
評価基準:強制劣化後◎,○と評価された試料が本発明として合格
<Evaluation of organic EL element>
About the obtained organic EL element, the light emission nonuniformity and lifetime were evaluated as follows.
(Emission uniformity)
For light emission uniformity, a KEITHLEY source measure unit 2400 type was used to apply a DC voltage to the organic EL element to emit light. Regarding the organic EL elements OEL-201 to OEL-230 that emitted light at 1000 cd / m 2 , each light emission luminance unevenness was observed with a 50 × microscope. In addition, after heating the organic EL elements OEL-201 to OEL-230 in an oven at 60% RH and 80 ° C. for 2 hours, the humidity was adjusted again in the environment of 23 ± 3 ° C. and 55 ± 3% RH for 1 hour or more. Thereafter, the emission uniformity was observed in the same manner.
A: Completely uniform light emission, satisfactory O: Almost uniform light emission, no problem Δ: Some light emission unevenness is observed partially, but acceptable X: Light emission unevenness is observed over the entire surface, not acceptable Evaluation criteria: Samples evaluated as ◎ and ○ after forced deterioration pass the present invention.

(寿命)
得られた有機EL素子の、初期の輝度を5000cd/mで連続発光させて、電圧を固定して、輝度が半減するまでの時間を求めた。アノード電極をITOとした有機EL素子を上記と同様の方法で作製し、これに対する比率を求め、以下の基準で評価した。100%以上が好ましく、150%以上であることがより好ましい。
◎:150%以上
○:100〜150%未満
△:80〜100%未満
×:80%未満
評価基準:強制劣化後◎,○と評価された試料が本発明として合格
(lifespan)
The obtained organic EL device was continuously emitted at an initial luminance of 5000 cd / m 2 , the voltage was fixed, and the time until the luminance was reduced by half was determined. An organic EL element having an anode electrode made of ITO was produced by the same method as described above, the ratio to this was determined, and evaluated according to the following criteria. 100% or more is preferable, and 150% or more is more preferable.
◎: 150% or more ○: 100 to less than 150% △: less than 80 to 100% ×: less than 80% Evaluation criteria: After forced deterioration ◎, samples evaluated as ○ pass as the present invention.

評価の結果を表3に示す。表3において、備考における「本発明」は本発明の実施例に
該当することを表し、「比較」は比較例であることを表す。
Table 3 shows the evaluation results. In Table 3, “Invention” in the remarks indicates that it corresponds to an example of the present invention, and “Comparison” indicates that it is a comparative example.

Figure 0006024351
Figure 0006024351

表3から、比較例の有機EL素子OEL−328〜OEL−331は、60%RH、80℃2時間の加熱後、発光均一性が著しく劣化するのに対し、本発明の有機EL素子OEL−301〜OEL−327は、発光均一性が加熱後でも安定しており耐久性に優れることが分かる。   From Table 3, the organic EL elements OEL-328 to OEL-331 of the comparative examples are significantly deteriorated in light emission uniformity after heating at 60% RH and 80 ° C. for 2 hours, whereas the organic EL elements OEL- of the present invention. It can be seen that 301 to OEL-327 have stable emission even after heating and excellent durability.

1 導電膜
11 基材
12 第1導電層
13 第2導電層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conductive film 11 Base material 12 1st conductive layer 13 2nd conductive layer

Claims (7)

基材上に、
パターン状に形成された金属材料を含む第1導電層と、
少なくともカチオン性π共役導電性高分子化合物、ポリアニオンと水系溶剤に分散可能なポリマーを含有する有機化合物層からなる第2導電層と、
を備え、
前記有機化合物層は、カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオンの少なくとも一種を含有し、
前記第2導電層は、前記第1導電層と電気的に接続されている
ことを特徴とする導電膜。
On a substrate,
A first conductive layer including a metal material formed in a pattern;
A second conductive layer comprising an organic compound layer containing at least a cationic π-conjugated conductive polymer compound, a polyanion and a polymer dispersible in an aqueous solvent;
With
The organic compound layer contains at least one kind of a low molecular anion capable of salting with a cationic π-conjugated conductive polymer compound ,
The conductive film, wherein the second conductive layer is electrically connected to the first conductive layer .
前記カチオン性π共役導電性高分子化合物は、ポリチオフェン類であるThe cationic π-conjugated conductive polymer compound is a polythiophene
ことを特徴とする請求項1に記載の導電膜。The conductive film according to claim 1.
前記カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオンは、スルホン酸アニオン、クロルアニオン、パークロレートイオンのいずれか一種を含有する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の導電膜。
The cationic π-conjugated conductive polymer compound and a counter salt with Low molecular anions, sulfonate anions, chlorine anion, claim characterized by containing one kind of perchlorate ions 1 or claim 2 The electrically conductive film of description.
前記有機化合物層は、平均粒径300nm以下の微粒子を含有する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の導電膜。
The conductive film according to any one of claims 1 to 3, wherein the organic compound layer contains fine particles having an average particle size of 300 nm or less.
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の導電膜を電極として備える
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
An organic electroluminescence element comprising the conductive film according to any one of claims 1 to 4 as an electrode.
基材上に、少なくともカチオン性π共役導電性高分子化合物、ポリアニオンと水系溶剤に分散可能なポリマーを含有する有機化合物層を形成するステップと、On the substrate, forming an organic compound layer containing at least a cationic π-conjugated conductive polymer compound, a polyanion and a polymer dispersible in an aqueous solvent;
前記有機化合物層を低分子スルホン酸化合物、第二鉄化合物含有低級アルコールで表面処理することによって、カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオンの少なくとも一種を前記有機化合物層に導入するステップと、By subjecting the organic compound layer to a surface treatment with a low molecular sulfonic acid compound and a ferric compound-containing lower alcohol, at least one kind of low molecular anion capable of salting with a cationic π-conjugated conductive polymer compound is converted into the organic compound layer. The steps to introduce into,
を含むことを特徴とする導電膜の製造方法。The manufacturing method of the electrically conductive film characterized by including.
基材上に、パターン状に形成された金属材料含有導電性層を形成するステップと、Forming a metal material-containing conductive layer formed in a pattern on a substrate;
前記基材上に、少なくともカチオン性π共役導電性高分子化合物、ポリアニオンと水系溶剤に分散可能なポリマーを含有する有機化合物層を形成するステップと、Forming an organic compound layer containing at least a cationic π-conjugated conductive polymer compound, a polyanion and a polymer dispersible in an aqueous solvent on the substrate;
前記有機化合物層を低分子スルホン酸化合物、第二鉄化合物含有低級アルコールで表面処理することによって、カチオン性π共役導電性高分子化合物と対塩可能な低分子アニオンの少なくとも一種を前記有機化合物層に導入するステップと、By subjecting the organic compound layer to a surface treatment with a low molecular sulfonic acid compound and a ferric compound-containing lower alcohol, at least one kind of low molecular anion capable of salting with a cationic π-conjugated conductive polymer compound is converted into the organic compound layer. The steps to introduce into,
を含むことを特徴とする導電膜の製造方法。The manufacturing method of the electrically conductive film characterized by including.
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JP6746276B2 (en) * 2015-03-11 2020-08-26 マクセルホールディングス株式会社 Transparent conductive sheet and method for manufacturing the same
JP6459729B2 (en) * 2015-04-02 2019-01-30 新日鐵住金株式会社 Manufacturing method of coated substrate
JP6606427B2 (en) * 2015-12-25 2019-11-13 信越ポリマー株式会社 Conductive polymer dispersion, conductive film and film, and method for producing the film
CN114843007B (en) * 2021-02-02 2023-05-16 湖南文理学院 Method for preparing poly (3, 4-dioxyethylene thiophene) nano pattern by micelle etching
CN113789168B (en) * 2021-10-08 2023-06-06 中山大学 Thermal-activation delayed fluorescent material and preparation method and application thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3078100B2 (en) * 1992-03-18 2000-08-21 日本カーリット株式会社 Water-dispersible polyaniline composition and method for producing the same
KR20010031137A (en) * 1997-10-15 2001-04-16 그래햄 이. 테일러 Electronically-conductive polymers
JP2010167564A (en) * 2007-03-29 2010-08-05 Nagase Chemtex Corp Conductive multilayer body
JP5255532B2 (en) * 2009-03-26 2013-08-07 富士フイルム株式会社 EL element, photosensitive material for forming conductive film, and conductive film
JP5625256B2 (en) * 2009-04-02 2014-11-19 コニカミノルタ株式会社 Transparent electrode, method for producing transparent electrode, and organic electroluminescence element
JP2011116860A (en) * 2009-12-03 2011-06-16 Shin Etsu Polymer Co Ltd Conductive coating, method for producing the same and conductive molded product

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