JP6023777B2 - 極端紫外線リソグラフィプロセスおよび低減されたシャドウ効果および向上した強度を有するマスク - Google Patents
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Description
この出願は、２０１３年１１月２２日に出願された米国特許６１／９０７，８８２号の利益を享受し、その内容は引用によって本願に援用される。
本発明は、極端紫外線リソグラフィプロセスおよび低減されたシャドウ効果および向上した強度を有するマスクに関するものである。
本発明は、極端紫外線リソグラフィプロセスおよび低減されたシャドウ効果および向上した強度を有するマスクに関するものである。
半導体集積回路（ＩＣ）産業は、急激な成長を遂げている。ＩＣの材料と設計における技術的な進歩は、ＩＣの世代を産出し、各世代が前の世代に比べ、より小さく、且つより複雑な回路を有している。ＩＣの発展過程では、通常、機能密度（即ち、チップ面積当たりの相互接続の装置の数）は増大されるが、形状寸法（即ち、製造プロセスを用いて作ることができる最小の構成要素（または線））は、減少される。この縮小プロセスは、通常、生産効率を上げ、関連コストを下げることによって利点を提供する。このような縮小は、ＩＣ処理と製造の複雑さも増大させる。これらの進歩を実現するために、ＩＣ処理と製造において同様の開発が必要とされる。例えば、高解像度のリソグラフィプロセスの実行を発展させる必要がある。１つのリソグラフィ技術は、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）である。その他の技術は、Ｘ線リソグラフィ、イオンビーム投影リソグラフィ、電子ビーム投影リソグラフィ、および複数の電子ビームマスクレスリソグラフィを含む。
ＥＵＶＬは、波長が約１〜１００ｎｍある極端紫外線（ＥＵＶ）領域の光を用いたスキャナーを用いている。ＥＵＶスキャナーは、屈折光学でなく、反射光学を用いる以外（即ちレンズでなく、鏡を用いる）、いくつかのＥＵＶスキャナーは、いくつかの光学スキャナーと同様の４Ｘ縮小投影プリント（printing）を用いる。ＥＵＶスキャナーは、反射マスク上に形成された望ましいパターンを吸収層（「ＥＵＶ」マスク吸収体）に提供する。現在、軸上照明（on-axis illumination；ＯＮＩ）を伴うバイナリマスク（ＢＩＭ）がＥＵＶＬで用いられている。後のノード（例えば、最小ピッチが３２ｎｍと２２ｎｍのノードなど）の十分なエアリアルイメージのコントラスト（aerial image contrast）を実現するために、いくつかの技術、例えば、減衰位相シフトマスク（ＡｔｔＰＳＭ）と交互位相シフトマスク（ＡｌｔＰＳＭ）がＥＵＶＬの解像度の向上を得るために開発されている。しかしながら、各技術は、克服しなければならない制限がある。例えば、ＡｌｔＰＳＭで言えば、大きな反射減衰量なしで、位相シフト領域を生成する方法の１つは、基板上に好適な高さの段差を作り、その段差上に多層（ＭＬ）を形成することである。しかしながら、段差の高さをなくす傾向があり、位相シフト領域と非位相シフト領域との間の大きな遷移領域となる。これは、実現できる解像限界を制限する。このため、マスク構造およびその製造と使用方法がこの領域で更に向上されることが望まれている。
極端紫外線リソグラフィプロセスおよび低減されたシャドウ効果および向上した強度を有するマスクを提供する。
本発明は、いくつかの実施形態に従って極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）のマスクを提供する。マスクは、互いに異なる第１の状態と第２の状態、第１のメインポリゴンと第１のメインポリゴンと隣接する第２のメインポリゴン、複数のサブレゾリューションアシストポリゴン、およびフィールドを含む。第２のメインポリゴンに割り当てられる状態は、サブレゾリューションアシストポリゴンの状態に関連し、第１のメインポリゴンに割り当てられる状態は、フィールドの状態と関連する。第１のメインポリゴンに割り当てられた状態は、第２のメインポリゴンに割り当てられた状態と異なる。複数のアシストポリゴンは、同じ状態に割り当てられ、フィールドに割り当てられた状態と異なる。
本発明は、いくつかの実施形態に従ってターゲットをパターン化する極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）プロセスを提供する。ＥＵＶＬプロセスは、マスクを受けるステップを含む。マスクは、第１の状態と、第１の状態と異なる第２の状態、第１のメインポリゴンと第１のメインポリゴンと隣接する第２のメインポリゴン、複数のサブレゾリューションアシストポリゴン、およびフィールドを含む。第１のメインポリゴンに割り当てられた状態は、第２のメインポリゴンに割り当てられた状態と異なる。複数のアシストポリゴンは、同じ状態に割り当てられ、フィールドに割り当てられた状態と異なる。ＥＵＶＬプロセスは、０.３未満の部分干渉性σの略軸上照明（ＯＮＩ）によってマスクを露光し、回折光と非回折光を生成するステップ、フィルタによって殆どの非回折光を除去するステップ、および投影光学ボックス（ＰＯＢ）によって、回折光と除去されていない非回折光を収集して導いて、ターゲットを露光するステップを更に含む。
本開示の態様は、添付の図面を参照して、次の詳細な説明から良く理解される。工業における標準的プラクティスに従って、種々の特徴は寸法通りには描かれないことに注意すべきである。実際、種々の特徴の寸法は、議論の明確化のために、任意に増加または減少されているかもしれない。
次の開示は、その開示の異なる特徴を実施するための、多くの異なる実施の形態または実施例を提供することが分る。本開示を簡素化するために、複数の要素および複数の配列の特定の実施例が以下に述べられる。これらは単に実施例であり、これらに制限されるものではないことは勿論である。例えば、本説明の第２特徴の上方の、または第２特徴上の第１特徴の形成は、続いて、特徴が直接接触で形成される複数の実施の形態を含むことができ、且つ前記特徴が直接接触でないように、付加的な特徴が前記第１と第２特徴間に形成された複数の実施の形態を含むこともできる。また、本開示は、種々の実施例において、参照番号および／または文字を繰り返し用いている。この反復は、簡素化と明確さの目的のためであって、種々の実施の形態および／または議論された構成との間の関係を規定するものではない。
また、空間的に相対的な用語、例えば“下の方”、“下方”、“下の”、“上方”、“上の”などの派生語は、本開示の１つの要素または特徴と、別の要素と特徴との関係を簡略化するために用いられる。空間的に相対的な用語は、特徴に表される方向以外に、使用中または動作中におけるデバイスの異なる方向をカバーすることを意図している。例えば、図の装置が逆さにある場合、他の要素または特徴の“下方”、また“下の方”で記述される要素は、他の要素または特徴の“上方”に方向を定められる。従って、例示的な用語“下方”は、上方と下方の両方向を含むことができる。前記装置は、他の方式で方向づけされてもよく（９０度回転して、または他の方向に）、ここで用いられる空間的に相対する記述が同様にそれに応じて解釈され得る。
図１は、本発明の１つ以上の実施形態から利点を受け得る極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィシステム１０が以下に述べられている。ＥＵＶリソグラフィシステム１０でＥＵＶリソグラフィプロセスを実現する方法およびシステム１０が図１を参照しながら併せて説明される。ＥＵＶリソグラフィシステム１０は、１〜１００ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長のＥＵＶ光を生成する放射源２０を用いている。
ＥＵＶリソグラフィシステム１０は、照明装置３０も用いる。照明装置３０は、放射源２０からの光をマスク４０に導くための、例えば単一のレンズまたは複数のレンズ（ゾーンプレート）を有するレンズシステムなどの屈折光学、または例えば単一のミラーまた複数のミラーを有するミラーシステムなどの反射光学を含むことができる。ＥＵＶの波長範囲では、ほぼ全ての凝縮材料は、吸収率が高く、通常、複数のミラー（後述される）からなる反射光学が用いられる。しかしながら、屈折光学は、例えばゾーンプレートによって実現されることもできる。ゾーンプレートによって実現された屈折光学は、主にローエンドのアプリケーション用の低コストの解決策である。本実施形態では、照明装置３０が設置され、マスク４０を照射するように軸上照明（ＯＮＩ）を提供する。ＯＮＩでは、マスクに投射する全ての入射光線が形成する入射角は、主光線が形成する入射角（ＡＯＩ）と同じ入射角、例えば、ＡＯＩ＝６°である。実際の状況では、入射光の広がり角があってもよい。例えば、小さい部分干渉性σ（例えば、σ＝０.３）のディスク照明（即ち、瞳面上の照明の形状が瞳中心で集中したディスクのようになっている）が用いられる場合、主光線からずれた最大角度は、ｓｉｎ-1［ｍ×σ×ＮＡ］であり、ｍとＮＡは、それぞれ撮像システムの投影光学ボックス（ＰＯＢ）５０（下記に詳述される）の倍率と開口数である。軸外照明の場合、部分干渉性σは、マスク４０を照射する平面波を生成する点光源を説明するのに用いられることもできる。この場合、瞳中心から瞳面上の点光源までの距離はＮＡ×σであり、マスク４０に投射する対応の平面波のＡＯＩはｓｉｎ-1［ｍ×σ×ＮＡ］である。本実施形態では、０.３未満のσの点光源からなる略軸上照明（殆どＯＮＩ）を用いるのに十分である。我々の実験と評価によると、ＥＵＶＬにおいて、５％の減衰位相シフトマスク（ＡｔｔＰＳＭ）を伴った軸外照明（ＯＡＩ）を用いた従来の超解像技術（ＲＥＴ）は、レジストブラ（resist blur）が非常に小さくなることができない限り、３２ｎｍの最小ピッチのテクノロジーノードを超えることができない。これがこの発明でＯＮＩが用いられる理由である。
ＥＵＶリソグラフィシステム１０は、マスクステージ４２に固定されたマスク４０（文献ではフォトマスクまたはレクチルとも呼ばれる）も用いる。マスク４０は、透過マスクまたは反射マスクであることができる。本実施形態では、マスク４０は、下記に詳述される反射マスクである。
本実施形態では、マスク４０は、複数のメインポリゴン（main polygons）を含む。メインポリゴンは、ＩＣデザインの層のパターンを示しており、ターゲット６０にイメージ化される。メインポリゴンのないバックグラウンド領域は、サブレゾリューションアシストポリゴン（sub-resolution assist polygon）で満たされることができ、バックグラウンド領域の効果的な反射係数を調整する。サブレゾリューションアシストポリゴンは、長い長方形を含むことができる。例えば、ピッチｐの同一の長い長方形の規則的な配列では（ｐ＝ｗ＋ｓ、ｗは長い長方形の短い端の幅であり、ｓは２つの長い長方形の間の間隔である）、ｐ＜λ／ＮＡの場合、ターゲット６０にプリントしない。メインポリゴンとサブレゾリューションアシストポリゴンのない領域は、フィールドと呼ばれる。
ＥＵＶリソグラフィシステム１０は、ＰＯＢ５０も用いる。ＰＯＢ５０は、屈折光学または反射光学を有することができる。本実施形態では、ＰＯＢ５０は、反射光学を有する。マスク４０から反射された放射線（例えばパターン化された放射線）は、ＰＯＢ５０によって収集される。マスク４０から反射された放射線は、種々な回折次数に回折され、ＰＯＢ５０によって収集される。ＰＯＢ５０は、１より小さい倍率を含むことができる（そのため、ターゲット６０上の「イメージ」のサイズは、マスク４０上の対応の「オブジェクト」のサイズより小さい）。
ＥＵＶリソグラフィシステム１０とマスク４０を用いたＥＵＶリソグラフィプロセスのための方法が図２を参照しながら１つの実施形態に従って説明される。図２では、マスク４０から反射された後、入射光線７０は、マスク４０上のポリゴンの存在により、種々な回折次数の光線、例えば０次回折光７１、−１次回折光７２、および＋１次回折光７３などに回折される。リソグラフィイメージングでは、通常、純粋なコヒーレント照明は、用いられない。本実施形態では、照明装置３０より生成された部分干渉性σの最大値が０.３であるディスク照明が用いられる。これは、主光線の入射角（ＡＯＩ）がｓｉｎ-1［ｍ×σ×ＮＡ］より大きくない主光線の入射角からずれたマスクに入射する多くの光線があり、各入射光線が種々な回折次数の光線を生成することを意味する。次いで、非回折光線７１は、例えば、瞳面の中心遮光膜（obscuration）によって殆ど除去される（実際の状況では、丁度ＰＯＢ５０によって収集されない）。−１次回折光７２と＋１次回折光７３は、ＰＯＢ５０によって収集され、ターゲット６０を露光するように導かれる。−１次回折光７２と＋１次回折光７３の強度は、バランスが取れているため、それらは互いに干渉し、高コントラストのエアリアル（aerial）イメージを生成する。最も高いエアリアルイメージのコントラストが実現されることができ、露光ラチチュード（ＥＬ）が最大限に生かされる。−１次回折光７２と＋１次回折光７３が瞳面の瞳中心から同じ距離であるため、焦点深度（ＤＯＦ）も最大化される。より孤立したパターン（例えば、接触層のパターン）では、より多くの回折次数は、同じＮＡにおいて収集されることができる。この場合、軸外照明（０次回折次数はそのまま除去されている）を用いて、解像度の向上を実現し、瞳充填率（照らされた領域対瞳の全面積）を上げることができる。
ターゲット６０は、本実施形態のＥＵＶ放射などの放射ビームに敏感である、感光層（例えば、フォトレジストまたはレジスト）を有する半導体ウエハを含む。ターゲット６０は、リソグラフィシステム１０のターゲット基板ステージによって保持されることができる。ターゲット基板ステージは、マスクの像が繰り返してターゲット基板上にスキャンされるように（他のリソグラフィ方法でも可能であるが）、ターゲット基板の位置の制御を提供する。
以下の説明は、マスク４０とマスク製造プロセスに関することである。マスク製造プロセスは、２つのステップ、ブランクマスク（blank mask）製造プロセスとマスクパターニングプロセスを含む。ブランクマスク製造プロセスでは、ブランクマスクは、好適な層（例えば、反射多層膜）を好適な基板上に堆積することによって形成される。ブランクマスクは、マスクパターニングプロセス中にパターン化され、集積回路（ＩＣ）の層の設計を有する。次いで、パターン化されたマスクは、回路パターンを半導体ウエハ上に転写するように用いられる。マスク上のパターンは、種々なリソグラフィプロセスによって繰り返し複数のウエハ上に転送されることができる。複数のマスク（例えば、１５〜３０のセットのマスク）は、完全なＩＣを構成するのに用いられることができる。一般的に、種々マスクが種々のリソグラフィプロセスに用いられるように製造される。ＥＵＶマスクのタイプは、バイナリマスク（ＢＩＭ）と位相シフトマスク（ＰＳＭ）を含む。
図３と図４は、本発明の種々の実施形態の態様に応じて構成された種々の製造段階でのマスク４０の断面図である。マスク４０とその製造方法は、図３〜図４および他の図を参照にしながら併せて説明される。
図３では、この段階のマスク４０は、低熱膨張材料（ＬＴＥＭ）で作られている基板１１０を含むブランクＥＵＶマスクである。ＬＴＥＭの材料は、ＴｉＯ2ドープＳｉＯ2、または当技術分野で周知の他の低熱膨張材料を含むことができる。ＬＴＥＭ基板１１０は、マスクの加熱（heating）による画像歪みを最小化するために用いられる。本実施形態では、ＬＴＥＭ基板は、欠陥レベルが低く、スムーズな面の材料を含む。また、導電層１０５は、静電吸着の実現のためにＬＴＥＭ基板１１０の後面に配置される。１つの実施形態では、導電層１０５は、他の合成物でも可能であるが、窒化クロム（ＣｒＮ）を含む。
反射層（ＭＬ）１２０は、前述のＬＴＥＭ基板１１０上に配置される。ＭＬ１２０は、第１の反射層１２０とも呼ばれ、他の反射層が後で導かれるとき、混乱を避ける。フレネルの式に従って、光が異なる屈折率の２種類の材料間のインターフェースを介して伝播するとき、光反射が生じる。反射光は、屈折率の差が大きいとき、大きくなる。反射光を増加させるために、多層の代替材料を堆積することによってインターフェースの数を増加させて、多層内の各層用に、好適な厚さを選ぶことによって異なるインターフェースから反射された光を構造的に干渉させる。しかしながら、多層の使用材料の吸収は、実現できる最大の反射率を制限する。ＭＬ１２０は、例えば、モリブデン−シリコン（Ｍｏ／Ｓｉ）層ペア（例えば、各層ペアのシリコン層の上方または下方にモリブデン層がある）など、複数の層ペアを含む。また、ＭＬ１２０は、モリブデン−ベリリウム（Ｍｏ／Ｂｅ）層ペア、またはＭＬ１２０に用いられることができる、ＥＵＶ波長で高反射である任意の材料を含むことができる。ＭＬ１２０の各層の厚さは、ＥＵＶ波長および入射角によって決まる。ＭＬ１２０の厚さは、各インターフェースで反射されたＥＵＶ光の最大の構造的なインターフェースと、ＭＬ１２０によるＥＵＶ光の最小の吸収を実現するように調節される。ＭＬ１２０は、高反射率を選ばれた放射タイプ／波長に提供するように選ばれることができる。通常、層ペアの数は、２０〜８０の範囲にあるが、層ペアの数は、いくつでも可能である。１つの実施形態では、ＭＬ１２０は、４０ペアのＭｏ／Ｓｉ層ペアを含む。各Ｍｏ／Ｓｉ層ペアは、約７ｎｍの厚さを有し、全部の厚さが２８０ｎｍである。この場合、約７０％の反射率が実現される。
バッファ層１３０は、１つ以上の機能のためにＭＬ１２０よりも上方に形成されることができる。１つの実施形態では、バッファ層１３０は、パターニングプロセスまたは例えば、リペアまたはクリーニングなどの他の動作でエッチストップ層として機能する。もう１つの実施例では、バッファ層１３０は、ＭＬ１２０の酸化を防ぐように機能する。バッファ層１３０は、１つ以上の膜層を含み、所定の機能を実現する。本実施形態では、バッファ層１３０は、第２の反射層１５０と異なるエッチング特性を有し、下記に後述される。１つの実施形態では、バッファ層１３０は、ルテニウム（Ｒｕ）を含む。さらなる実施例においては、バッファ層１３０は、２〜５ｎｍの範囲の厚さを有するＲｕ膜層を含む。もう１つの実施例では、バッファ層１３０は、例えば、ＲｕＢ、ＲｕＳｉなどのＲｕ化合物、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム、または窒化クロムを含むことができる。低温堆積プロセスは、バッファ層を形成してＭＬ１２０の相互拡散を防止するようにしばしば選択される。
特に、マスク４０は、第１の反射層１２０上に形成される第２の反射層１５０を含む。バッファ層１３０が存在する実施形態では、第２の反射層１５０は、図３に示されるように、バッファ層１３０上に形成される。第２の反射層１５０は、ＩＣレイアウトに応じてパターン化されることになる。第２の反射層は、反射係数で１８０°の位相シフトを生じるように（第２の反射層がパターニング後に除去される領域に対して）設計されるため、ＥＵＶＬの位相シフトマスクが実現されることができる。ここでは、第２の領域に対する第１の領域の相対的な反射係数は、同じ入射光の第１の領域と第２の領域から反射された光の振幅（共通のマスク面（例えば、マスク底面）から同じ垂直高さで評価される、位相情報を含む複素数）の比率として定義される。
反射係数が−１（「１」は、衰退なしを表し、「−」は、１８０°位相シフトを表す）であり得るとき、マスク４０は交互位相シフトマスク（Ａｌｔ−ＰＳＭ）である。この場合、ＩＣレイアウトのライン／スペースの面積比が１：１である場合、０次回折がなく、高コントラストのエアリアルイメージが実現されることができる。しかしながら、第２の反射層の必要な厚さが大き過ぎる場合、マスクシャドーイング効果が生じ、逆にエアリアルイメージのコントラストを低下させる。このため、第２の反射層の設計は、反射係数と厚さとの間の妥協が必要である。本実施形態では、高コントラストのエアリアルイメージは、０次回折が瞳フィルタによって除去されるため、常に実現されることができる。しかしながら、反射係数が−１に近づくことができる場合、０次回折の振幅は、０に近づけることができ、０次回折の除去による照射量の損失は、最小化されることができ、露光ツールのスループットは最大化されることができる。また、１８０°の位相シフトを実現する第２の反射層の必要な厚さをより小さくすることができる場合、マスクトポグラフィによる光散乱は低減されることができ、露光ツールのスループットは、１次回折の強度の増加によりさらに向上させることができる。ＥＵＶ波長の範囲では、各材料は、高吸収性である。第２の反射層用に単一の材料を用いて−１に近い反射係数を実現することは難しい。ＥＵＶＬでは、交互材料の多層が用いられて高反射率を実現する。注意すべきは、反射率は、反射係数の絶対値の２乗と定義されることである。
１３.５ｎｍの波長を用いるＥＵＶＬでは、１３.５ｎｍ近傍のスペクトル範囲に対して最大の積分反射率を与えるため、ＳｉとＭｏがベストな選択である。典型的なＭＬの設計は、各ペアで約３ｎｍのＭｏと約４ｎｍのＳｉのＳｉ／Ｍｏペアからなる。この典型的なＭＬの設計が位相シフトマスクを実現するために第２の反射層に用いられるとき、各Ｓｉ／Ｍｏペアは約１２°の位相シフトに寄与する。このため、１８０°の位相シフトを実現するには、総厚約１０５ｎｍの１５のＳｉ／Ｍｏペアを必要とし、この場合、マスクシャドーイング効果は、顕著でなければならない。Ｓｉの屈折率と消滅（extinction）係数がそれぞれ１と０に近いため、Ｓｉは、位相シフト（空気に伝播する光を基準にして）に殆ど寄与しない。殆どの全ての位相シフトは、Ｍｏの存在によって決まる。Ｓｉが行う役割は、光の反射が起こるより多くのＳｉ／Ｍｏインターフェースを生成することだけである。従って、Ｍｏの総厚は、４４ｎｍに近く、どんな設計が第２の反射層に用いられても同じである。この典型的なＭＬの設計では、隣接のＳｉ／Ｍｏペアから反射された光の位相差は、３６０°であり（３６０°の整数倍のみが高反射率を実現するために許容可能である最小値）、この場合、全ての３ｎｍのＭｏは、４ｎｍのＳｉを伴い、かなりの積層の高さとなる。しかしながら、隣接のＳｉ／Ｍｏペアから反射された反射された光の位相差を７２０°にした場合、それほど多くのＳｉ層を挿入する必要がなく、第２の反射層のために１８０°の位相シフトを生じさせるのに必要な総厚がこのため、減少させることができる。
第１の実施形態では、図４に示されるように、第２の反射層１５０は、約４４ｎｍの厚さを有する単一のモリブデン（Ｍｏ）膜１５１を含む。前項に述べられた理由によると、これはＭｏが用いられる場合、最も薄い設計の反射層でなければならない。この実施形態では、反射係数は、約−０.７７５７であり、反射率は約０.６０１７である。
第２の実施形態では、第２の反射層１５０は、断面図として図５に示されるように、多層膜を含む。具体的に言えば、第２の反射層１５０は、５つのＭｏ膜１６２、１６４、１６６、１６８、および１７０と５つのＳｉ膜１５２、１５４、１５６、１５８、および１６０を含み、２つの隣接するＭｏ膜がＳｉ膜を挟み、２つの隣接するＳｉ膜がＭｏ膜を挟むように構成される。本実施形態では、Ｍｏ膜１６２は、約１ｎｍの厚さを有し、Ｍｏ膜１６４、１６６、１６８、および１７０は、約１０.１ｎｍの同じ厚さを有する。Ｓｉ膜１５２は、約４ｎｍの厚さを有し、Ｓｉ膜１５４、１５６と、１５８は、約４.３ｎｍの同じ厚さを有し、上部のＳｉ膜１６０は、約２.６ｎｍの厚さを有する。第２の反射層１５０は、上部のシリコン膜１６０上に堆積されたもう１つのバッファ層１７２を更に含むことができる。この実施形態では、反射係数は、約−０.８６６５であり、反射率は約０.７５０８である。この実施形態では、第２の反射層の総厚は、約６３.４ｎｍであり、１０５ｎｍよりはるかに小さい。第１の実施形態と比較し、第２の反射層の総厚は、約１９.４ｎｍより大きいが、反射率は約５５.７％高い。
第１または第２の実施形態では、各厚さは、その各公称値の２０％以内にある。言い換えれば、各厚さはその各公称値の８０％〜１２０％の範囲内にある。
バッファ層１７２は、バッファ層１３０と同様である。例えば、バッファ層１７２は、Ｒｕ膜を含む。実施例を推進するために、バッファ層１７２は、２〜５ｎｍの範囲の厚さを有するＲｕ膜層を含む。もう１つの実施例では、バッファ層１７２は、例えば、ＲｕＢ、ＲｕＳｉなどのＲｕ化合物、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム、または窒化クロムを含むことができる。
図３を再度参照すると、１つ以上の層１０５、１２０、１３０、と１５０（例えば、図３の１５１または図５の１５２〜１７０）は、例えば蒸着とＤＣマグネトロンスパッタなどの物理蒸着（ＰＶＤ）プロセス、例えば無電解めっきまたは電気めっきなどのめっきプロセス、例えば大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、または高密度プラズマＣＶＤ（ＨＤＰ ＣＶＤ）などの化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、イオンビーム蒸着、スピンオンコーティング、有機金属分解（ＭＯＤ）、および／または当技術分野で周知の他の方法を含む種々の方法によって形成されることができる。ＭＯＤは、非真空環境において液体ベースの方法を用いる蒸着技術である。ＭＯＤを用いることで、溶剤で溶解される有機金属前駆体は、基板上にスピンコーティングされ、且つ溶剤は蒸発される。真空紫外（ＶＵＶ）光源は、有機金属前駆体を金属成分元素に変換するように用いられる。
図６を参照すると、本実施形態の１つは、第２の反射層１５０は、パターン化されて２つの状態を有するマスクを形成する。第２の反射層１５０は、マスクパターニングプロセスによって状態２１０と状態２２０を形成する。マスクパターニングプロセスは、レジスト塗布（例えばスピンオンコーティング）、ソフトベーキング、マスク合わせ、露光、露光後ベーク、現像、水洗、乾燥（例えばハードベーキング）、他の好適なプロセス、および／またはその組み合わせを含んで、パターン化されたレジスト層を形成することができる。電子、イオン、または光子ビームによる直接書き込みは、マスクパターニングプロセスの露光ステップに用いられることができる。
前述のパターニングプロセスでは、エッチングプロセスは、次いでエッチングマスクとしてパターン化されたレジスト層で第２の反射層１５０の部分を除去するのに用いられる。エッチングプロセスは、ドライ（プラズマ）エッチング、ウェットエッチング、および／または他のエッチング方法を含むことができる。状態２１０では、第２の反射層が除去される。状態２２０では、第２の反射層が残る。
図６をさらに参照して、ＥＵＶマスク４０は、２つの状態２１０と２２０を含む。状態２１０と状態２２０の反射係数は、それぞれｒ１とｒ２とする。２つの状態は、ｒ２の絶対値がｒ１の絶対値に実質的に等しいまたは近いように構成される。また、本実施形態では、状態２１０の領域からの反射されたＥＵＶ光と状態２２０の領域からの反射されたＥＵＶ光は、１８０°の位相差を有する。
図７は、本発明の１つ以上の実施形態の態様に応じたマスク４０の上面図である。０次回折（周波数空間）を除去することは、空間周波数を２倍（実際の空間において）にする。従って、空間周波数をマスク上で二分割し、ターゲット６０で望ましいＩＣパターンを得ることが必要である。これは３つの状態、即ち３つの異なる反射係数のマスクによって、且つ異なる状態を隣接したメインポリゴン（ＩＣパターン用の）とバックグラウンド（即ち、メインポリゴンのない領域）に割り当てることによって実現されることができる。２つの状態、即ち、状態２１０と２２０が既にある。本実施形態では、バックグラウンドのための第３の状態は、サブレゾリューションアシストポリゴンをバックグラウンドに実施し、同じ状態（例えば、状態２２０）を全てのサブレゾリューションアシストポリゴンに割り当てることによって作られる。注意するのは、バックグラウンドは、メインポリゴンなしの領域に定義され、フィールドはメインポリゴンとアシストポリゴンなしの領域として定義される。フィールドとサブレゾリューションアシストポリゴンは、併せてバックグラウンドを定義する。次いで、フィールドはアシストポリゴンに割り当てられた状態と異なるもう一つの状態（例えば、状態２１０）と関連する。サブレゾリューションアシストポリゴンは、リソグラフィ露光プロセス中、印刷可能でない。サブレゾリューションアシストポリゴンの少なくとも１つのエッジは、／ＮＡより短く、は、放射源の波長であり、ＮＡは、ＰＯＢの開口数である。サブレゾリューションアシストポリゴンは、印刷可能でないため、バックグラウンドは、併せてそれらの第１と第２の状態（２１０と２２０）と異なる効果的な反射係数を有する。従って、バックグラウンドの効果的な反射係数は、バックグラウンドの種々の領域の反射係数の面積加重平均である。
よって、図７に示されるように、マスク４０は、３つの異なる状態を有する。隣接のメインポリゴン３１０と３２０は、異なる状態（例えば、それぞれ状態２１０と２２０）に割り当てられる。バックグラウンドでは、フィールド３３０とサブレゾリューションアシストポリゴン３４０は、異なる状態（例えば、それぞれ状態２１０と２２０）に割り当てられるため、第１と第２のマスク状態（２１０と２２０）と異なる第３のマスク状態のバックグラウンドを作る。サブレゾリューションアシストポリゴン３４０は、印刷可能でないため、バックグラウンドは、それらの第１と第２の状態と異なる効果的な反射係数を有するが、バックグラウンドのサブレゾリューションアシストポリゴン３４０のパターン密度によって調節可能である。
リソグラフィ露光プロセス中、マスク４０は、０.３より小さい部分干渉性σの略軸上照明（ＯＮＩ）によって露光され、回折光と非回折光を生成し、殆どの非回折光を除去し、且つ投影光学ボックス（ＰＯＢ）によって、回折光と除去されていない非回折光を収集して導いて、ターゲットを露光する。
本実施形態では、マスク４０は、ＥＵＶリソグラフィシステム１０用に例えば交互に位相がシフトするマスク（ＡｌｔＰＳＭ）などの位相シフトマスクとして設計される。マスク４０は、複数のメインポリゴン（ＩＣパターン用の）とアシストポリゴンを含む。隣接のメインポリゴンは、異なる状態に割り当てられる。例えば、種々のメインポリゴン３１０と３２０は、状態２１０と２２０にそれぞれ割り当てられる。サブレゾリューションアシストポリゴンは、ＥＵＶリソグラフィシステム１０で、ターゲット６０（ウエハなど）に撮像されていない。しかしながら、それらは、バックグラウンドの（効果的な）反射係数を変える。本実施形態では、バックグラウンドのパターン密度は、実質的に均一である。バックグラウンドのパターン密度は、単位面積のアシストポリゴンの総面積として定義される。バックグラウンドの（効果的な）反射係数は、バックグラウンドでパターン密度を変えることによって調整されることができる。メインポリゴンとアシストポリゴンは、第２の反射層１５０をパターン化することで形成される。
また、第２の反射層１５０は、状態２１０からの反射されたＥＵＶ光と状態２２０からの反射されたＥＵＶ光が１８０°の位相差を有するように設計される。この場合、０次回折の振幅（マスク上のメインポリゴン、アシストポリゴン、およびフィールドを含む種々の領域の反射係数の面積加重の比）は、パターン密度を調節することによって０であることができる。例えば、ｒ２＝−ｒ１で、パターン密度が５０％であるとき、０次回折の振幅は、０である。よって、０次回折の除去による照射量の損失は、最小化されることができ、露光ツールのスループットは最大化されることができる。
第２の反射層１５０は、状態２１０の反射係数に対する状態２２０の反射係数を決定する。図４と関連した第１の実施形態では、（対応する）反射係数は、約−０．７７５７である。図５と関連した第２の実施形態では、（対応する）反射係数は、約−０．８６６５である。ここでは、「−」の記号は、１８０°の位相差を表している。
様々な利点が本発明の異なる実施形態において表されることができる。例えば、マスク４０は、交互位相シフトマスクとして設計され、撮像品質、コントラスト、および解像度が向上される。マスク４０は、従来の交互位相シフトマスクに比べ、パターンの不均衡の問題を受けない。１つの実施形態では、振幅Ａは、実質的に１に近く（図４と関連した第１の実施形態での０．７７６と図５と関連した第２の実施形態での０．８６７）、全体の放射エネルギーの損失は、約４０％以下と実質的に低い。従って、リソグラフィ露光プロセスの露光期間は、減少され、スループットは増加される。種々の実施形態では、マスク４０のパターン化された層（第２の反射層１５０）の厚さは、９０ｎｍより下方に減少され、露光プロセス中のシャドウ効果は、減少されるまたは取り除かれる。パターン化された層１５０を形成するように、吸収層が用いられないか、または少ない減衰材が用いられるため、放射エネルギーの損失が低減される。もう１つの実施形態では、図７のマスク４０は、サブレゾリューションアシストポリゴン３４０が第１の状態２１０にあり、フィールド３３０が第２の状態２２０にあるように異なって設計されることができる。
図８は、マスクを製造する方法３５０のフローチャートである。方法３５０は、図７と図８を参照にしながら説明される。方法３５０は、例えばドープ特性（doped feature）、フィン形状のアクティブ領域、ゲート、または金属配線などの複数のＩＣの特徴（メインポリゴンとも呼ばれる）を有するＩＣパターンを受ける動作３５２を含む。
方法３５０は、種々のメインポリゴンを２つの状態（第１の状態と第２の状態）に割り当てることで、隣接のメインポリゴンが異なる状態に割り当てられる動作３５４を含む。第１の状態は、第１の反射率を有し、第２の状態は、第２の反射率を有する。種々の実施例では、第２の反射率は、第１の反射率の５０％より大きいか、または第１の反射率は第２の反射率の５０％より大きい。図７では、メインポリゴン３１０と３２０は、それぞれ状態２１０と２２０に割り当てられる。
方法３５０は、バックグラウンドでサブレゾリューションポリゴンを組み込むという動作３５６を含み、これにより第１の状態２１０と第２の状態２２０などの異なる状態でフィールドとサブレゾリューションポリゴンをそれぞれ割り当てる。図７では、フィールド３３０は、状態２１０で割り当てられ、サブレゾリューションポリゴン３４０は、状態２２０で割り当てられる。バックグラウンドのサブレゾリューションポリゴン３４０のパターン密度は、バックグラウンドが、反射係数で状態２１０と２２０と異なる所望の状態を有するように調整されるように設計される。
方法３５０は、各々の割り当てられた状態（２１０または２２０）のメインポリゴンとサブレゾリューションポリゴンのバックグラウンドを含むＩＣパターンに基づくマスク製造用のテープアウトデータを形成した操作３５８を含む。テープアウトデータは、ＩＣパターンを定義し、マスク製造用に好適なフォーマットに準備される。方法３５０は、操作３５８の前の他の操作を含んでもよい。例えば、方法３５０は、フラクチャリング、光近接効果補正（ＯＰＣ）、シミュレーション、デザインルールチェック、および／またはマスクルールチェックを含むことができる。１つの実施例ではＯＰＣプロセスは、ＩＣパターンに種々のアシストポリゴンを組み込んでいる。実施例の促進には、アシストポリゴンは、例えば第２状態２２０などの同じ状態で割り当てられる。
方法３５０は、テープアウトデータに基づいて、マスク４０を製造する操作３６０を含むことができる。マスク４０の製造は、図３〜図６に上述される。例えば、マスクの製造は、第１の反射層１２０の形成と第２の反射層１５０の形成を含む。マスクの製造は、テープアウトデータに基づき、第２の反射層１５０のパターン化をし、それぞれ状態２１０または状態２２０の種々の特徴を形成するステップを更に含む。
方法３５０は、マスクを用いてウエハを形成する操作３６２を含むことができる。ウエハの製造は、マスク４０を用いてウエハにリソグラフィプロセスを行うステップを含む。操作３６２は、図９に示されたフローチャートのように方法３６２が更に説明される。
方法３６２は、ＥＵＶリソグラフィ露光プロセスを行うことができるリソグラフィシステム１０などのリソグラフィシステム（図１の）にマスク４０をローディングする操作３７２を含むことができる。マスクは、複数の状態２１０と２２０を含む。特に、異なる状態が隣接のメインポリゴンに割り当てられる。サブレゾリューションポリゴンとフィールドは、異なる状態で割り当てられる。
方法３６２は、ターゲット６０をリソグラフィシステム１０にローディングする操作３７４を含むことができる。ウエハなどのターゲット６０は、レジスト層で塗布される。本実施形態では、レジスト層は、リソグラフィシステム１０の放射源２０からのＥＵＶ放射に敏感である。
方法３６２は、リソグラフィシステム１０でリソグラフィ露光プロセスをターゲットに行う操作３７６を含む。リソグラフィ露光プロセスは、マスク４０を用いるため、マスク４０に定義されたマスクパターンは、レジスタ層に撮像される。本実施形態では、操作３７６のリソグラフィ露光プロセスは、非回折光が除去されるモードで実行される。特に、リソグラフィ露光プロセスは、０.３より小さい部分干渉性σの略軸上照明（ＯＮＩ）によってマスク４０を露光し、回折光と非回折光を生成し、殆どの非回折光を除去し、且つ投影光学ボックス（ＰＯＢ）によって、回折光と除去されていない非回折光を収集して導いて、ターゲットを露光するステップを含む。
方法３６２は、露光されたレジスト層を現像することによって、その上に定義された複数の開口を有するレジストパターンを形成する操作３７８を含むことができる。方法３６２は、例えば操作３８０の他の操作を更に含んで、レジストパターンの開口を通してウエハに製造プロセスを行うことができる。１つの実施例では、製造プロセスは、ウエハがレジストパターンをエッチマスクとして用いるエッチングプロセスを含む。もう１つの実施例では、製造プロセスは、ウエハがレジストパターンを注入用のマスクとして用いるイオン注入プロセスを含む。
本発明はリソグラフィシステムとプロセスに導く。１つの実施形態では、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）プロセスは、複数の状態でＥＵＶマスクを受け、ＥＵＶマスクの異なる状態は、隣接のメインポリゴンに割り当てられ、且つサブレゾリューションポリゴンをバックグランドに組み込んで、フィールドとサブレゾリューションポリゴンが異なる状態で割り当てられ、且つ０.３未満の部分干渉性σの略軸上照明によってＥＵＶマスクを露光し、回折光と非回折光を生成し、殆どの非回折光を除去し、且つ投影光学ボックス（ＰＯＢ）によって、回折光と除去されていない非回折光を収集して導いて、ターゲットを露光するステップを含む。
もう１つの実施形態では、ＥＵＶＬプロセスは、２つの状態のＥＵＶマスクを形成し、隣接のメインポリゴンにＥＵＶマスクの異なる状態とフィールドとサブレゾリューションポリゴンに異なる状態を割り当て、０.３未満の部分干渉性σの略軸上照明によってＥＵＶマスクを露光し、回折光と非回折光を生成し、非回折光を除去し、且つＰＯＢによって、回折光と除去されていない非回折光を収集して導いて、半導体ウエハを露光するステップを含む。
本発明は、マスクにも導く。１つの実施形態では、ＥＵＶマスクは、低熱膨張材料（ＬＴＥＭ）基板、ＬＴＥＭ基板の１つの表面上の反射ＭＬ（第１の反射層）、およびＬＴＥＭ基板の反対側の表面上の導電層を含む。バッファ層は、反射ＭＬ上に提供され、第２の反射層は、バッファ層上に提供される。パターニングプロセスは、第２の反射層に行われ、異なるメインポリゴン、フィールドと、サブレゾリューションポリゴンに割り当てられた複数の状態を形成する。
上述に基づくと、本発明がＥＵＶリソグラフィプロセス３６２を提供することが分る。ＥＵＶリソグラフィプロセスは、０.３未満の部分干渉性σの略軸上照明（例えばディスク照明）を用いてＥＵＶマスクを露光し、回折光と非回折光を生成する。ＥＵＶリソグラフィプロセス３６２は、非回折光を除去し、主に２つの対照的に配置され（瞳面上に）、強度のバランスが取れた−１次回折次数と＋１次回折次数からの回折光を用いて、半導体ウエハを露光する。ＥＵＶリソグラフィプロセスは、所定の反射係数を有する２つの状態のＥＵＶマスクも用いる。異なる状態が隣接のメインポリゴン、フィールドと、サブレゾリューションポリゴンに割り当てられる。ＥＵＶリソグラフィプロセスは、両ライン／スペースとエンド−エンドパターン用にエアリアルイメージのコントラストの向上を示し、最大ピッチの範囲で高い焦点深度（ＤＯＦ）を実現する。ＥＵＶリソグラフィプロセスは、先進技術のノードのための超解像技術を提供する。
本開示の精神および範囲からの逸脱なしに、他の選択肢または実施形態が存在することができる。１つの実施例では、方法３５０の１つ以上の操作３５２〜３５８がコンピュータ支援ＩＣ設計システムなどのコンピュータで実行される。
よって、本発明は、いくつかの実施形態に従って極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）のマスクを提供する。マスクは、互いに異なる第１の状態と第２の状態、第１のメインポリゴンと第１のメインポリゴンと隣接する第２のメインポリゴン、複数のサブレゾリューションアシストポリゴン、およびフィールドを含む。各第１と第２のメインポリゴン、サブレゾリューションアシストポリゴン、およびフィールドは、関連した状態を有する。第１のメインポリゴンに割り当てられた状態は、第２のメインポリゴンに割り当てられた状態と異なる。複数のアシストポリゴンは、同じ状態に割り当てられ、フィールドに割り当てられた状態と異なる。
本発明は、いくつかの実施形態に従ってターゲットをパターン化する極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）プロセスを提供する。ＥＵＶＬプロセスは、マスクを受けるステップを含む。マスクは、第１の状態と、第１の状態と異なる第２の状態、第１のメインポリゴンと第１のメインポリゴンと隣接する第２のメインポリゴン、複数のサブレゾリューションアシストポリゴン、およびフィールドを含む。第１のメインポリゴンに割り当てられた状態は、第２のメインポリゴンに割り当てられた状態と異なる。複数のアシストポリゴンは、同じ状態に割り当てられ、フィールドに割り当てられた状態と異なる。ＥＵＶＬプロセスは、０.３未満の部分干渉性σの略軸上照明（ＯＮＩ）によってマスクを露光し、回折光と非回折光を生成するステップ、フィルタによって殆どの非回折光を除去するステップ、および投影光学ボックス（ＰＯＢ）によって、回折光と除去されていない非回折光を収集して導いて、ターゲットを露光するステップを更に含む。
本発明は、いくつかの実施形態に従って極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）プロセスの１つの実施形態を提供する。ＥＵＶＬプロセスは、複数の状態を有する極端紫外線（ＥＵＶ）マスクを受けるステップを含む。ＥＵＶマスクは、第１の状態の第１のメインポリゴン、第１のメインポリゴンと隣接し、第１の状態と異なる第２の状態を有する第２のメインポリゴン、第１の状態を有する第１の複数のアシストポリゴンと第２の状態を有するフィールドを含む。ＥＵＶＬプロセスは、０.３未満の部分干渉性σの略軸上照明（ＯＮＩ）によってＥＵＶマスクを露光し、回折光と非回折光を生成するステップ、殆どの非回折光を除去するステップ、および投影光学ボックス（ＰＯＢ）によって、回折光と除去されていない非回折光を収集して導いて、ターゲットを露光するステップを更に含む。
本発明は、いくつかの実施形態に従ってターゲットをパターン化する極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）プロセスを提供する。ＥＵＶＬプロセスは、第１の状態と第１の状態と異なる第２の状態を更に含むマスクを受けるステップ、第１のメインポリゴンと第１のメインポリゴンと隣接する第２のメインポリゴン、複数のサブレゾリューションアシストポリゴン、およびフィールドを含む。各メインポリゴン、アシストポリゴン、およびフィールドは、関連した状態を有する。第１のメインポリゴンに割り当てられた状態は、第２のメインポリゴンに割り当てられた状態と異なる。複数のアシストポリゴンは、同じ状態に割り当てられ、フィールドに割り当てられた状態と異なる。ＥＵＶＬプロセスは、照明によってマスクを露光し、回折光と非回折光を生成するステップ、フィルタによって殆どの非回折光を除去するステップ、および投影光学ボックス（ＰＯＢ）によって、回折光と除去されていない非回折光を収集して導いて、ターゲットを露光するステップを更に含む。
いくつかの実施例では、照明は、軸外照明であり、σcΔσ／２とσc＋Δσ／２との間の部分干渉性σを有する光源からなり、σcは、約０.５であり、Δσは、０.３未満である。
本発明は、いくつかの実施形態に従って極端紫外線（ＥＵＶ）マスクを提供する。ＥＵＶマスクは、低熱膨張材料（ＬＴＥＭ）基板、ＬＴＥＭ基板の１つの表面上の第１の反射層、およびバッファ層上の第２の反射層を含み、第２の反射層は、パターン化されて種々の開口を有し、第１の状態と第２の状態を定義する。第１の状態は、第１の反射層を含み、第２の反射層を含まない。第２の状態は、両第１と第２の反射層を含む。隣接のメインポリゴンは、第１と第２の状態をそれぞれ定義する。複数のサブレゾリューションポリゴンは、第１と第２の状態の中の１つに定義される。フィールドは第１と第２の状態のもう１つに定義される。
以上、当業者が本開示の態様をより理解できるように幾つかの実施の形態特徴を概説した。当業者は、本開示を、ここで採用された実施の形態の、同じ目的を実行しおよび／または同じ利点を達成するために他のプロセスおよび構造を設計又は改変するための基礎として、容易に使用できることが分る。本開示の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であればそのような等価な構成を達成することが可能であり、当業者は、本開示の精神および範囲を逸脱せずに、ここで種々の変更、代替、および改変をするだろう。
１０ ＥＵＶリソグラフィシステム
２０ 放射源
３０ 照明装置
４０ マスク
４２ マスクステージ
５０ 投影光学ボックス（ＰＯＢ）
６０ ターゲット
７０ 入射光線
７１ ０次回折光
７２ −１次回折光
７３ ＋１次回折光
１０５ 導電層
１１０ ＬＴＥＭ基板
１２０ 反射層（ＭＬ）
１３０ 第１の反射層
１５０ 第２の反射層
１５１ モリブデン（Ｍｏ）膜
１６２、１６４、１６６、１６８、１７０ Ｍｏ膜
１５２、１５４、１５６、１５８、１６０ Ｓｉ膜
１７２ バッファ層
２１０ 第１の状態
２２０ 第２の状態
３１０、３２０ メインポリゴン
３３０ フィールド
３４０ サブレゾリューションアシストポリゴン
２０ 放射源
３０ 照明装置
４０ マスク
４２ マスクステージ
５０ 投影光学ボックス（ＰＯＢ）
６０ ターゲット
７０ 入射光線
７１ ０次回折光
７２ −１次回折光
７３ ＋１次回折光
１０５ 導電層
１１０ ＬＴＥＭ基板
１２０ 反射層（ＭＬ）
１３０ 第１の反射層
１５０ 第２の反射層
１５１ モリブデン（Ｍｏ）膜
１６２、１６４、１６６、１６８、１７０ Ｍｏ膜
１５２、１５４、１５６、１５８、１６０ Ｓｉ膜
１７２ バッファ層
２１０ 第１の状態
２２０ 第２の状態
３１０、３２０ メインポリゴン
３３０ フィールド
３４０ サブレゾリューションアシストポリゴン
Claims (10)
- 極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）のマスクであって、
第１の反射係数を有する第１の状態と、前記第１の反射係数と位相差がほぼ１８０度異なる第２の反射係数を有する第２の状態、
第１のメインポリゴンと前記第１のメインポリゴンと隣接する第２のメインポリゴン、および
前記第１のメインポリゴンと前記第２のメインポリゴンの傍に形成され、複数のサブレゾリューションアシストポリゴンおよび前記サブレゾリューションアシストポリゴンの傍のフィールドを含むバックグラウンド領域、を含み、
前記第１と第２の状態の１つは、前記第１のメインポリゴンに割り当てられ、前記第１と第２の状態の他方は、前記第２のメインポリゴンに割り当てられ、前記複数のサブレゾリューションアシストポリゴンは、前記第２のメインポリゴンに割り当てられた状態と同じ状態に割り当てられ、前記フィールドに割り当てられた状態は、前記第１のメインポリゴンに割り当てられた状態と同じ状態であるマスク。 - 前記第２の状態の反射率は、前記第１の状態の反射率の５０％よりも大きい請求項１に記載のマスク。
- 前記マスクは、
低熱膨張材料（ＬＴＥＭ）基板、
前記ＬＴＥＭ基板上の第１の反射層、
前記第１の反射層上のバッファ層、および
前記バッファ層上の第２の反射層を含み、前記第２の反射層は、パターン化されて開口を有し、前記第１の状態と第２の状態の中の１つは、前記第２の反射層の前記開口内で、前記第１の反射層を含み、前記第２の反射層がない第１の領域に定義され、前記第１の状態と第２の状態のもう１つは、前記第１と第２の反射層の両方を含む第２の領域に定義される請求項１に記載のマスク。 - 前記サブレゾリューションアシストポリゴンの隣接する２つの間のピッチは、λ／ＮＡより短く、λは、放射源の波長であり、ＮＡは、投影光学ボックスの開口数である請求項１に記載のマスク。
- ターゲットをパターン化する極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）プロセスであって、
第１の反射係数を有する第１の状態と、前記第１の反射係数と位相差がほぼ１８０度異なる第２の反射係数を有する第２の状態、
第１のメインポリゴンと前記第１のメインポリゴンと隣接する第２のメインポリゴン、および
前記第１のメインポリゴンと第２のメインポリゴンの傍に形成され、複数のサブレゾリューションアシストポリゴンおよび前記サブレゾリューションアシストポリゴンの傍のフィールドを含むバックグラウンド領域、を含み、
前記第１と第２の状態の１つは、前記第１のメインポリゴンに割り当てられ、前記第１と第２の状態の他方は、前記第２のメインポリゴンに割り当てられ、前記複数のサブレゾリューションアシストポリゴンは、前記第２のメインポリゴンに割り当てられた状態と同じ状態に割り当てられ、前記フィールドに割り当てられた状態は、前記第１のメインポリゴンに割り当てられた状態と同じ状態であり、
照明によって前記マスクを露光し、回折光と非回折光を生成するステップ、
フィルタによって殆どの前記非回折光を除去するステップ、および
投影光学ボックス（ＰＯＢ）によって、前記回折光と前記除去されていない非回折光を収集して導いて、前記ターゲットを露光するステップを含むＥＵＶＬプロセス。 - 前記照明は、０.３未満の部分干渉性σの略軸上照明（ＯＮＩ）であるか、または軸外照明であり、σcΔσ／２とσc＋Δσ／２との間の部分干渉性σを有する光源からなり、σcは、ほぼ０.５であり、Δσは、０.３未満である請求項５に記載のＥＵＶＬプロセス。
- 前記第２の状態の反射率は、前記第１の状態の反射率の５０％よりも大きい請求項５に記載のＥＵＶＬプロセス。
- 前記マスクは、
低熱膨張材料（ＬＴＥＭ）基板、
前記ＬＴＥＭ基板上の第１の反射層、
前記第１の反射層上のバッファ層、および
パターン化されて開口を有し、前記バッファ層上の第２の反射層を含み、
前記第１と第２の状態の１つは、前記第２の反射層の前記開口内で、前記第１の反射層を含み、前記第２の反射層がない第１の領域に定義され、前記第１と第２の状態のもう１つは、前記第１と第２の反射層の両方を含む第２の領域に定義される請求項５に記載のＥＵＶＬプロセス。 - 前記サブレゾリューションアシストポリゴンの隣接する２つの間のピッチは、λ／ＮＡより短く、λは、放射源の波長であり、ＮＡは、投影光学ボックスの開口数である請求項５に記載のＥＵＶＬプロセス。
- 極端紫外線（ＥＵＶ）マスクであって、
低熱膨張材料（ＬＴＥＭ）基板
前記低熱膨張材料基板の１つの表面上の第１反射層、
前記第１の反射層上のバッファ層、および
前記バッファ層上の第２の反射層を含み、前記第２の反射層は、パターン化されて種々の開口を有して、第１の状態と第２の状態を定義し、前記第１の状態は、前記第１の反射層を含み、前記第２の反射層を含まない開口で規定され、前記第２の状態は、前記第１と第２の反射層の両方を含み、
隣接のメインポリゴンは、前記第１と第２の状態をそれぞれ定義し、
前記メインポリゴンの傍で、複数のサブレゾリューションアシストポリゴンおよび前記サブレゾリューションアシストポリゴンの傍のフィールドを有するバックグラウンド領域を有し、
前記複数のサブレゾリューションアシストポリゴンは、前記第１の状態と前記第２の状態の中の１つに定義され、且つ
前記フィールドは前記第１の状態と前記第２の状態のもう１つに定義されるＥＵＶマスク。
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