JP6021100B2 - ハニカム構造体、それを利用したガスセンサ、及びそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のハニカム構造体の製造方法は、前記1次粒子、前記2次粒子、及び、存在する場合には前記2次粒子よりも小さい粒子を、加熱分解、プラズマ処理による分解、又は溶媒による溶出によって、消去することが好ましい。
方法2:1次粒子を含む第1の懸濁液に、基板の一端を浸漬させ、溝内に1次粒子を集積させる。次いで、2次粒子及び骨格形成材料を含む第2の懸濁液に、同基板の一端を浸漬させて、溝内に集積された1次粒子の間隙に、2次粒子及び骨格形成材料を充填する。
(実施例1)
シリコン基板の表面に、深堀り反応性イオンエッチング(Deep RIE)で、幅50μm×深さ100μm×長さ10mmのトレンチ状の溝を形成した。次に、1000℃で12時間、熱酸化して、シリコン基板の表面のSiをSiO2に熱酸化した。次に、溝の内部に厚さ0.4μmの金電極を、100μm間隔で2本形成した。そして、基板表面を、O2プラズマ処理して基板の前処理を行った。
ビーカーを載せることができる支持台と、基板を保持して垂直方向に上下移動できるアームとを備えた基板保持移動装置を恒温室に設置した。
1次粒子として平均粒径1μm、濃度1体積%のポリスチレンビーズ懸濁液を2.5ml、2次粒子として平均粒径100nm、濃度1体積%のポリスチレンビーズ懸濁液を50μl、骨格形成材として平均粒径30nm、濃度0.1体積%の酸化錫懸濁液を2.5mlの量で混合し、上記微粒子を合計でおよそ0.5体積%含有する懸濁液1を調製した。なお、上記微粒子の添加量を表す体積は、懸濁液中の微粒子材料の体積である(以下の記載においても同様)。
この懸濁液1を入れた容器を、基板保持移動装置の支持台に載置し、前処理した基板を基板保持移動装置のアームに取り付けて、これを保持したまま下方に移動させ、基板の溝の一部が懸濁液1に接触するように浸漬させ、所定位置でアームを停止させた。この状態で3時間、5mm/秒でアームを上方に移動させて、基板を懸濁液1から引き上げた。基板をアームに取り付けたままの状態で、温度22℃湿度60%に保たれた恒温室内で10分間静置し、懸濁液1の溶媒である水を乾燥除去した。溶媒の乾燥除去後に、高温焼成炉に基板を設置し、大気雰囲気下において温度600℃、時間1時間加熱を行った。
実施例1において、懸濁液1の代わりに、1次粒子として平均粒径1μmの濃度1体積%のポリスチレンビーズ懸濁液を2.5ml、2次粒子として平均粒径平均粒径100nm、濃度1体積%のポリスチレンビーズ懸濁液を200μl、骨格形成材として平均粒径30nmの濃度0.1体積%の酸化錫懸濁液を2.5mlの量で混合し、微粒子を合計でおよそ0.5体積%含有する懸濁液2を用いた以外は、実施例1と同様にしてハニカム構造体を製造した。
実施例1において、懸濁液1の代わりに、1次粒子として平均粒径1μmの濃度1体積%のポリスチレンビーズ懸濁液を2.5ml、骨格形成材として平均粒径30nmの濃度0.1体積%の酸化錫懸濁液を2.5μlの量で混合し、微粒子を合計でおよそ0.5体積%含有する懸濁液3を用いた以外は、実施例1と同様にしてハニカム構造体を製造した。
実施例1、比較例1のハニカム構造体をガスセンサとして用い、検出対象物質をエタノールとし、図8に示す試験装置を用いて各ガスセンサのガス感度を評価した。
すなわち、図8に示すように、エタノールを入れた容器と、ガスセンサとを、それぞれ温度調整可能なヒータ上に載置し、密封容器に入れた。
エタノールを所定量気化させてターゲットガスを調製し、285℃でのガスセンサの抵抗値の変化を測定して、センサ感度を求めた。なお、センサ感度は、以下の式(1)からもとめた
センサ感度=Ra/Rg ・・・(1)
式(1)において、Raは、清浄雰囲気中(エタノール不在下)の抵抗値であり、Rgはターゲットガス雰囲気中(エタノール存在下)の抵抗値である。
2:骨格部
3:2次空孔部
10:基板
13:溝
16:電極層
20:ハニカム構造体
Claims (13)
- 所定の幅及び深さを有する溝が形成された基板と、前記溝内に形成された複数の電極層と、該電極層に接するように配置されたハニカム構造体とを備え、
前記ハニカム構造体は、セル状の1次空孔部が集積されて隣接するものどうしで互いに接触し、その接触箇所で連通しており、該1次空孔部の周囲に骨格部が形成されてなる逆オパール型のハニカム構造体をなし、
前記骨格部に、前記1次空孔部よりも孔径の小さい2次空孔部が形成されており、前記2次空孔部の平均孔径が、前記1次空孔部の平均孔径の15%以下であり、前記1次空孔部の平均孔径が10nm〜1mmであり、前記2次空孔部の平均孔径が1nm〜100μmであり、前記骨格部が金属酸化物で構成されていることを特徴とするガスセンサ。 - 前記骨格部は、前記2次空孔部の周囲に、該2次空孔部よりも孔径の小さい空孔部が形成されている請求項1に記載のガスセンサ。
- 前記骨格部は、粒状物が接合された相、又は連続した相で構成されている請求項1又は2に記載のガスセンサ。
- 前記金属酸化物は、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化クロム、酸化タングステン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化マグネシウム、酸化鉄及び酸化銅から選ばれることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- セル状の1次空孔部が集積されて隣接するものどうしで互いに接触し、その接触箇所で連通しており、該1次空孔部の周囲に骨格部が形成されてなる逆オパール型のハニカム構造体を基板上に形成するハニカム構造体の製造方法であって、
前記1次空孔部を形成するための1次粒子、前記2次空孔部を形成するための、前記1次粒子よりも粒径の小さい2次粒子、及び、前記骨格部を形成するための、前記1次粒子よりも粒径の小さい骨格形成材料を含有する懸濁液を調製する工程と、
前記基板上に、幅5μm〜10mm、深さ5μm〜10mmの溝を形成し、該基板の一端を前記懸濁液に浸漬させて、表面張力によって前記溝内を上昇してくる前記懸濁液を順次乾燥させる工程と、
前記骨格形成材料を前記1次粒子及び前記2次粒子の周囲で焼結させると共に、前記1次粒子及び前記2次粒子を消去する工程と、を含み、
前記懸濁液を調製する工程において、前記2次粒子は、その合計容積が、前記1次粒子の間隙の容積の0%を超え、80%以下となり、前記骨格形成材料は、それを焼結させたときの合計容積が、前記隙間に充填される他の材料を除いた容積となるように調整されることを特徴とするハニカム構造体の製造方法。 - セル状の1次空孔部が集積されて隣接するものどうしで互いに接触し、その接触箇所で連通しており、該1次空孔部の周囲に骨格部が形成されてなる逆オパール型のハニカム構造体を基板上に形成するハニカム構造体の製造方法であって、
前記1次空孔部を形成するための1次粒子を含有する第1の懸濁液を調製する工程と、
前記基板上に幅5μm〜10mm、深さ5μm〜10mmの溝を形成して、前記基板の一端を前記第1の懸濁液に浸漬させて、表面張力によって前記溝内を上昇してくる前記第1の懸濁液を順次乾燥させる工程と、
前記2次空孔部を形成するための、前記1次粒子よりも粒径の小さい2次粒子、及び、前記骨格部を形成するための、前記1次粒子よりも粒径の小さい骨格形成材料を含有する第2の懸濁液を調製する工程と、
前記基板の一端を前記第2の懸濁液に浸漬させて、表面張力によって前記溝内を上昇してくる前記第2の懸濁液を順次乾燥させる工程と、
前記骨格形成材料を前記1次粒子及び前記2次粒子の周囲で焼結させると共に、前記1次粒子及び前記2次粒子を消去する工程と、
を含むことを特徴とするハニカム構造体の製造方法。 - 前記1次粒子及び前記2次粒子は、ポリスチレンビーズ、ポリメタクリル酸メチル樹脂ビーズのいずれかからなることを特徴とする請求項5又は6に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記2次粒子の平均粒径が、前記1次粒子の平均粒径の15%以下である請求項5〜7のいずれか1項に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記骨格形成材料の平均粒径が、前記2次粒子の平均粒径の15%以下である請求項5〜8のいずれか1項に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記1次粒子の平均粒径が10nm〜1mmであり、前記2次粒子の平均粒径が1nm〜100μmである請求項8又は9に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記1次粒子の間隙に、前記2次粒子及び前記骨格形成材料の他に、前記2次粒子よりも更に粒径の小さい粒子を充填させて、前記1次粒子及び前記2次粒子の消去の際に、前記2次粒子よりも小さい粒子も消去させて、前記骨格部の前記2次空孔部の周囲に、該2次空孔部よりも孔径の小さい空孔部を形成する請求項5〜10のいずれか1項に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 前記1次粒子、前記2次粒子、及び、存在する場合には前記2次粒子よりも小さい粒子を、加熱分解、プラズマ処理による分解、又は溶媒による溶出によって、消去する請求項5〜11のいずれか1項に記載のハニカム構造体の製造方法。
- 基板上の前記溝内に、複数の電極層を形成した後、該電極層に接するように、請求項5〜12のいずれか1項に記載された方法によって、かつ、骨格形成材料として、錫、亜鉛、チタン、クロム、タングステン、コバルト、ニッケル、マグネシウム、鉄及び銅から選ばれる金属の金属酸化物、金属アルコキシド及び金属コロイド溶液から選ばれる一種を用いて、ハニカム構造体を形成することを特徴とするガスセンサの製造方法。
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