JP6003021B2 - Organic electroluminescent device, organic EL module, organic EL display device, and method of manufacturing organic EL lighting - Google Patents

Organic electroluminescent device, organic EL module, organic EL display device, and method of manufacturing organic EL lighting Download PDF

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Description

本発明は、有機電界発光素子、有機ELモジュール、有機EL表示装置及び有機EL照明に関する。詳しくは、光取り出し効率の改善のために散乱層を設けた有機電界発光素子であって、散乱層を設けたことによるダークスポットの発生や陽極/陰極間の短絡の問題を改善した有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を備える有機ELモジュール、有機EL表示装置及び有機EL照明に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent element, an organic EL module, an organic EL display device, and organic EL illumination. More specifically, an organic electroluminescent device provided with a scattering layer for improving light extraction efficiency, which has improved dark spot generation and short circuit between the anode and the cathode due to the provision of the scattering layer. The present invention relates to an element, an organic EL module including the organic electroluminescent element, an organic EL display device, and organic EL illumination.

コダック社による蒸着法を用いた積層型有機電界発光素子(以下、「有機EL」と称することがある。)の発表以来、有機ELディスプレイや有機EL照明の開発が盛んに行なわれ、現在実用化されつつある。有機電界発光素子は、薄膜形状で、小型、軽量、高い発光効率などの特徴を有するため、フラットディスプレイ用途だけでなく、広く照明用途などにも大きな期待が持たれている。   Since the launch of Kodak's stacked organic electroluminescent device (hereinafter sometimes referred to as “organic EL”) using the vapor deposition method, organic EL displays and organic EL lighting have been actively developed and are now in practical use. It is being done. The organic electroluminescent element has a thin film shape and has features such as small size, light weight, and high luminous efficiency. Therefore, the organic electroluminescent element has great expectations not only for flat display applications but also for illumination applications.

また、近年の低炭酸ガス排出環境問題、省エネルギーなどの社会的な要請から、有機電界発光素子においても、ますます高い発光効率が求められており、発光材料の開発とともに高い光り取り出し効率の光素子構造や光装置構造の開発も行われている。   In addition, due to social demands such as low carbon dioxide emission environmental problems and energy savings in recent years, organic electroluminescent devices are also required to have higher luminous efficiency. With the development of light emitting materials, optical devices with high light extraction efficiency are required. Structures and optical device structures are also being developed.

有機電界発光素子は、ガラス基板上に陽極、陰極と両電極間に形成された発光層とを含む構成からなり、両電極への通電で発生した光の一部は、高い屈折率の陽極(例えば、ITO等の透明電極)とガラス基板との界面でITO側へ反射され、残部がガラス基板内へ入射される。ガラス基板を通過した光は、ガラス基板から大気へ出射する際に更にガラス基板と低屈折率の空気との界面でもガラス基板内部へ反射され、最終的には約20%の光だけがガラス基板から大気へ放射されている。   An organic electroluminescent element comprises an anode, a cathode and a light emitting layer formed between both electrodes on a glass substrate, and a part of the light generated by energizing both electrodes is a high refractive index anode ( For example, it is reflected to the ITO side at the interface between the transparent electrode such as ITO) and the glass substrate, and the remainder enters the glass substrate. When the light that has passed through the glass substrate is emitted from the glass substrate to the atmosphere, it is further reflected to the inside of the glass substrate at the interface between the glass substrate and the low refractive index air. Finally, only about 20% of the light is reflected on the glass substrate. To the atmosphere.

従来、有機電界発光素子の光取り出し効率を改善するために、陽極であるITO等の透明電極とガラス基板との間、或いは、ガラス基板の大気側の表面に、散乱体を含む散乱層を設け、透明電極からガラス基板内部へ或いはガラス基板内から大気へ光を効率的に導波する試みが報告されている。   Conventionally, in order to improve the light extraction efficiency of an organic electroluminescence device, a scattering layer containing a scatterer is provided between a transparent electrode such as ITO as an anode and a glass substrate, or on the atmosphere side surface of the glass substrate. Attempts have been reported to efficiently guide light from the transparent electrode into the glass substrate or from the glass substrate to the atmosphere.

例えば、特許文献1には、ガラスフリット(粉体)を樹脂とともに練りインクとしたものを使用して、ガラス基板上へ塗布し、高温にて焼成・加熱することにより、ガラスフリットを溶融すると共に、樹脂を焼失させ、その際発生するCOガスを利用して散乱機能を有するCO由来の気泡をガラス散乱層内に形成させることが報告されている。 For example, in Patent Document 1, glass frit (powder) is used as a kneaded ink together with resin, applied onto a glass substrate, fired and heated at a high temperature, thereby melting the glass frit. It has been reported that CO 2 -derived bubbles having a scattering function are formed in a glass scattering layer by using a CO 2 gas generated by burning out the resin.

なお、この特許文献1では、透明電極上の有機層の形成方法として、「ここで、有機層は、塗布法と蒸着法の併用により、形成される。例えば、有機層のある1層以上が塗布法により形成されれば、その他の層は蒸着法により形成される。塗布法により形成した層の後、その上の層を蒸着法で形成する場合、蒸着法で有機層を形成する前に、濃縮乾燥硬化を行う。また、有機層が塗布法のみ蒸着法のみで形成するようにしてもよい。」と記載されるのみで、具体的な正孔注入層、正孔輸送層の形成方法についての記載は一切なされていない。   In addition, in this patent document 1, as a formation method of the organic layer on a transparent electrode, "Here, an organic layer is formed by the combined use of a coating method and a vapor deposition method. For example, one or more layers with an organic layer are formed. If the layer is formed by the coating method, the other layers are formed by the vapor deposition method.If the layer above the layer formed by the coating method is formed by the vapor deposition method, before forming the organic layer by the vapor deposition method, Further, the organic layer may be formed only by a coating method or a vapor deposition method only, and a specific method for forming a hole injection layer and a hole transport layer is described. There is no mention of.

特許文献1に記載される気泡を散乱層の散乱体とする技術であれば、次のような利点がある。
(1) 散乱層の形成に当たり、透明無機粒子等の散乱体を別途添加する必要はなく、CO由来の気泡を散乱体として使用すれば、散乱体並びに散乱層自体の経時安定性を確保することができ、その結果、有機電界発光素子の劣化を防ぐことができる。
(2) CO由来の気泡、即ち光取出しに必要な散乱体を容易に発生させることができる。
(3) CO由来の気泡は、散乱層を形成するガラス成分と屈折率差が大きいため、光の拡散効果が大きく、また、気泡自体も高い透明性を有することによって背向散乱が少なく、透明電極から散乱層への光取出し効率が高い。
If it is the technique which uses the bubble described in patent document 1 as the scatterer of a scattering layer, there exists the following advantages.
(1) In forming the scattering layer, it is not necessary to add a scatterer such as transparent inorganic particles, and if bubbles derived from CO 2 are used as the scatterer, the stability over time of the scatterer and the scattering layer itself is secured. As a result, deterioration of the organic electroluminescent element can be prevented.
(2) It is possible to easily generate CO 2 -derived bubbles, that is, scatterers necessary for light extraction.
(3) CO 2 -derived bubbles have a large difference in refractive index from the glass component forming the scattering layer, and thus have a large light diffusion effect. Also, the bubbles themselves have high transparency, and therefore backscattering is small. The light extraction efficiency from the transparent electrode to the scattering layer is high.

国際公開2009/060916号パンフレットInternational Publication 2009/060916 Pamphlet

しかしながら、特許文献1の技術では、次のような課題があった。
(1) 散乱層を形成するインクで気泡を発生させると、気泡がガラス基板側に偏って分布するため、この気泡は透明電極近傍に捕捉された光とは強く作用することができず、このため、透明電極側からの光をガラス基板の中に効率よく取り込むことができない。
(2) 散乱層を形成する過程での冷却過程におけるインク由来のガラス成分の収縮及び表面近傍の気泡の影響により、形成される散乱層の表面平坦性が悪い。このような散乱層上に、通常の真空蒸着法によって有機層を積層成膜した有機電界発光素子では、ダークスポットの発生あるいは透明電極と陰極との間に短絡などの欠陥が発生しやすい。
However, the technique of Patent Document 1 has the following problems.
(1) When bubbles are generated with the ink forming the scattering layer, the bubbles are unevenly distributed on the glass substrate side, so that the bubbles cannot act strongly on the light captured near the transparent electrode. Therefore, the light from the transparent electrode side cannot be efficiently taken into the glass substrate.
(2) The surface flatness of the formed scattering layer is poor due to the shrinkage of the glass component derived from the ink in the cooling process during the formation of the scattering layer and the influence of bubbles near the surface. In such an organic electroluminescent device in which an organic layer is laminated on the scattering layer by a normal vacuum vapor deposition method, a dark spot or a defect such as a short circuit is easily generated between the transparent electrode and the cathode.

本発明は、光取り出し効率の改善のために散乱層を設けた有機電界発光素子であって、散乱層を設けたことによるダークスポットの発生や陽極/陰極間の短絡の問題を改善した有機電界発光素子、更には、散乱層内の散乱体の分布を制御することにより、光取り出し効率をより一層高めた有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を備える有機ELモジュール、有機EL表示装置及び有機EL照明を提供することを課題とする。   The present invention relates to an organic electroluminescent device provided with a scattering layer to improve light extraction efficiency, and an organic electric field in which the generation of dark spots and short circuit between the anode and the cathode due to the provision of the scattering layer is improved. A light emitting element, and further, an organic electroluminescent element that further improves the light extraction efficiency by controlling the distribution of scatterers in the scattering layer, an organic EL module including the organic electroluminescent element, an organic EL display device, and It is an object to provide organic EL lighting.

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、散乱層に近い正孔注入層及び/又は正孔輸送層(以下、正孔注入層と正孔輸送層とを併せて「下地層」と称する場合がある。)を湿式成膜法(以下、「塗布法」と称する場合がある。)で形成することにより、下地層が散乱層表面の凹凸に追従する形で成膜され、保護膜としての機能を発揮し、その結果、下地層の上に形成される各層の成膜欠陥を防ぎ、ダークスポットや短絡の問題のない高寿命の有機電界発光素子を実現することができること、また、散乱層内の散乱体の分布を調節することにより、透明電極からガラス基板への光の導波をより一層効果的に行って、光取出し効率の更なる向上を図ることができること、を見出した。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that a hole injection layer and / or a hole transport layer close to the scattering layer (hereinafter referred to as a “underlayer” together with a hole injection layer and a hole transport layer). ) Is formed by a wet film formation method (hereinafter also referred to as “coating method”), whereby the underlayer is formed so as to follow the irregularities on the surface of the scattering layer, Demonstrating the function as a protective film, as a result, it is possible to prevent a film formation defect of each layer formed on the underlayer, and to realize a long-life organic electroluminescence element free from dark spots and short-circuit problems, In addition, by adjusting the distribution of scatterers in the scattering layer, light can be guided more effectively from the transparent electrode to the glass substrate, and the light extraction efficiency can be further improved. I found it.

本発明はこのような知見に基いて達成されたものであり、以下を要旨とする。   The present invention has been achieved on the basis of such findings, and the gist thereof is as follows.

[1] 散乱層、正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層を含む積層体を有する有機電界発光素子の製造方法において、該散乱層は、高屈折率ガラスと散乱体としての気泡で構成され、且つ該正孔注入層及び/又は正孔輸送層湿式製膜法により形成る有機電界発光素子の製造方法であって、該有機電界発光素子は、前記積層体を支持するガラス基板を有し、前記散乱層が、該ガラス基板に隣接して形成されており、前記散乱層のガラス基板側とは反対側の面に隣接して、更に透明電極が積層されており、前記散乱層の厚み方向の前記散乱体の数密度が、前記透明電極の近傍において、前記透明電極に向かって大きくなっていることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法(ただし、「散乱体の数密度」は「散乱層の単位体積当たりの散乱体の個数(個/m)」である。)。 [1] In the method of manufacturing an organic electroluminescent device having a laminate including a scattering layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer, the scattering layer is made of high refractive index glass and bubbles as a scatterer. is configured, and the hole injection layer and / or hole transporting layer to a method of fabricating an organic light emitting device you formed by a wet film-forming method, the organic electroluminescent device, supports the laminate glass A substrate, the scattering layer is formed adjacent to the glass substrate, a transparent electrode is further stacked adjacent to the surface of the scattering layer opposite to the glass substrate side, and The method of manufacturing an organic electroluminescent element (provided that “the number of scatterers”), wherein the number density of the scatterers in the thickness direction of the scattering layer increases toward the transparent electrode in the vicinity of the transparent electrode. "Number density" means "scatterers per unit volume of scattering layer" (Number of pieces / m 3 ) ”.)

[2] 前記正孔注入層及び前記正孔輸送層、熱不溶性のポリアリールアミノ樹脂を用いて形成ることを特徴とする[1]に記載の有機電界発光素子の製造方法[2] The hole injection layer and the hole transport layer, a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to be formed using a polyaryl amino resin thermal insoluble characterized Rukoto [1].

[3] 前記散乱層の厚み方向の中央部分における前記散乱体の数密度と、前記散乱層の双方の界面側における前記散乱体の数密度との差が30%以下であることを特徴とする[1]又は[2]に記載の有機電界発光素子の製造方法(ただし、「散乱体の数密度」は「散乱層の単位体積当たりの散乱体の個数(個/m)」である。)。 [3] The difference between the number density of the scatterers in the central portion in the thickness direction of the scattering layer and the number density of the scatterers on the interface side of both of the scattering layers is 30% or less. The method for producing an organic electroluminescence device according to [1] or [2] (where “number density of scatterers” is “number of scatterers per unit volume of scattering layer (pieces / m 3 )”). ).

[4] [1]ないし[3]のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法により有機電界発光素子を製造し、該有機電界発光素子を複数個、前記積層体の積層方向と交叉方向に並列配置る有機ELモジュールの製造方法であって、該複数の有機電界発光素子に含まれる発光層が、それぞれ特定の発光スペクトルを有することを特徴とする有機ELモジュールの製造方法[4] An organic electroluminescent device is manufactured by the method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of [1] to [3], and a plurality of the organic electroluminescent devices are crossed in the stacking direction and the crossing direction of the stack. a manufacturing method of an organic EL module that arranged parallel to, a method of manufacturing an organic EL module, wherein a light-emitting layer included in the organic electroluminescent device of said plurality of comprises a respective specific emission spectrum.

[5] [1]ないし[3]のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法により有機電界発光素子を製造し、該有機電界発光素子を用いて有機EL表示装置を製造することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法[5] An organic electroluminescence device is produced by the method for producing an organic electroluminescence device according to any one of [1] to [3], and an organic EL display device is produced using the organic electroluminescence device. A method for manufacturing an organic EL display device.

[6] [1]ないし[3]のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法により有機電界発光素子を製造し、該有機電界発光素子を用いて有機EL照明を製造することを特徴とする有機EL照明の製造方法[6] [1] to features that you produce organic EL illumination using to prepare an organic electroluminescent device, the organic electroluminescent device by the manufacturing method of the organic electroluminescent device according to any one of [3] The manufacturing method of organic EL lighting.

[7] [4]に記載の有機ELモジュールの製造方法により有機ELモジュールを製造し、該有機ELモジュールを用いて有機EL照明を製造することを特徴とする有機EL照明の製造方法[7] [4] to produce an organic EL module by the production method of the organic EL module according to manufacturing method of the organic EL lighting which is characterized that you produce organic EL illumination using the organic EL module.

本発明によれば、散乱層に近い正孔注入層及び/又は正孔輸送層(下地層)を湿式成膜法で形成することにより、下地層が散乱層表面の凹凸に追従する形で成膜され、保護膜としての機能を発揮し、その結果、下地層の上に形成される各層の成膜欠陥を防ぎ、ダークスポットや短絡の問題のない高寿命の有機電界発光素子を実現することができる。また、散乱層内の散乱体の分布を調節することにより、透明電極からガラス基板への光の導波をより一層効果的に行って、光取出し効率の更なる向上を図ることができる。   According to the present invention, the hole injection layer and / or the hole transport layer (underlying layer) close to the scattering layer is formed by a wet film forming method so that the underlayer follows the irregularities on the surface of the scattering layer. To achieve a long-life organic electroluminescence device free from problems of dark spots and short-circuits by preventing film formation defects in each layer formed on the underlying layer as a result. Can do. Further, by adjusting the distribution of the scatterers in the scattering layer, light can be guided more effectively from the transparent electrode to the glass substrate, and the light extraction efficiency can be further improved.

本発明の有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図である。It is a schematic diagram of the cross section which shows the structural example of the organic electroluminescent element of this invention.

以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。   Embodiments of the present invention will be described in detail below. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention.

[1] 有機電界発光素子
本発明の有機電界発光素子は、散乱層、正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層を含む積層体を有する有機電界発光素子において、散乱層に含まれる散乱体が気泡或いはガラス粒であり、且つ正孔注入層及び/又は正孔輸送層が湿式製膜法により形成されていることを特徴とする。
[1] Organic electroluminescent device The organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having a laminate including a scattering layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer. The body is a bubble or a glass particle, and the hole injection layer and / or the hole transport layer is formed by a wet film forming method.

なお、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、ノズルコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。これは、有機電界発光素子に用いられる湿式成膜用の組成物特有の液性に合うためである。   In the present invention, the wet film forming method includes, for example, a spin coating method, a dip coating method, a die coating method, a bar coating method, a blade coating method, a roll coating method, a spray coating method, a capillary coating method, a nozzle coating method, an inkjet method. This method is a wet film formation method such as a printing method, a screen printing method, a gravure printing method, or a flexographic printing method. Among these film forming methods, a spin coating method, a spray coating method, and an ink jet method are preferable. This is because the liquid property unique to the composition for wet film formation used in the organic electroluminescence device is met.

以下に、本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例である図1を参照して各層の構成及びその形成方法について説明する。
図1は本発明にかかる有機電界発光素子20の構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は散乱層、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は正孔阻止層、7は電子輸送層、8は電子注入層、9は陰極、10は基板を各々表す。
Below, with reference to FIG. 1 which is an example of embodiment of the organic electroluminescent element of this invention, the structure of each layer and its formation method are demonstrated.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic electroluminescent device 20 according to the present invention. In FIG. 1, 1 is a scattering layer, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, and 4 is a hole transport layer. Reference numeral 5 denotes a light emitting layer, 6 denotes a hole blocking layer, 7 denotes an electron transport layer, 8 denotes an electron injection layer, 9 denotes a cathode, and 10 denotes a substrate.

[基板]
基板10は有機電界発光素子の支持体となるものであり、主としてガラス基板など、可視光に対する透過率が高い材料が用いられる。透過率の高い材料は、具体的にはガラス基板のほかにはプラスチック基板が用いられる。ガラス基板の材料としては、アルカリガラス、無アルカリガラス又は石英ガラスなどの無機ガラスがある。また、プラスチック基板の材料としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリスルホン、ポリメタクリレート、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコール、ポリフッ化ビニリデンやポリフッ化ビニルなどのフッ素含有ポリマーなどが挙げられる。なお、基板を水分が透過するのを防止するために、プラスチック基板にバリア性をもたせる構成としても良い。このため、プラスチック基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
[substrate]
The substrate 10 serves as a support for the organic electroluminescent element, and a material having a high visible light transmittance, such as a glass substrate, is mainly used. Specifically, a plastic substrate is used as the material having a high transmittance in addition to the glass substrate. Examples of the material of the glass substrate include inorganic glass such as alkali glass, non-alkali glass, and quartz glass. Examples of the material for the plastic substrate include polyester, polycarbonate, polyether, polysulfone, polymethacrylate, polyethersulfone, polyvinyl alcohol, fluorine-containing polymers such as polyvinylidene fluoride and polyvinyl fluoride. Note that in order to prevent moisture from permeating through the substrate, the plastic substrate may have a barrier property. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the plastic substrate is also a preferable method.

ガラス基板としては、環境保護の点からPbを含まないものが好ましい。また、本発明に使用するガラス基板は、その屈折率が1〜2.5、特に1.4〜2.2であることが好ましい。屈折率が上記下限以上であると、散乱層とガラス基板との界面の全反射が起こり難くなり、散乱層からガラス基板への光の透過率が高められる。ガラス基板の屈折率が大きいほど散乱層からガラス基板への光の透過率は向上するが、屈折率が上記上限以下であることによりガラス基板と大気との界面での全反射を起こり難くして、ガラス基板から大気への光の透過率を高めることができる。
散乱層とガラス基板界面での全反射を抑制するため、散乱層とガラス基板界面を不均一にするか、散乱層とガラス基板界面の片面あるいは両面を粗面化し、その間に、ガラス基板と同じ屈折率のオイルもしくは接着剤を浸透させるなど、不均一の界面にすることも有効である。
As a glass substrate, the thing which does not contain Pb from the point of environmental protection is preferable. Moreover, it is preferable that the refractive index of the glass substrate used for this invention is 1-2.5, especially 1.4-2.2. When the refractive index is not less than the above lower limit, total reflection at the interface between the scattering layer and the glass substrate is difficult to occur, and the light transmittance from the scattering layer to the glass substrate is increased. The greater the refractive index of the glass substrate, the better the light transmittance from the scattering layer to the glass substrate. However, since the refractive index is below the above upper limit, total reflection at the interface between the glass substrate and the atmosphere is less likely to occur. The transmittance of light from the glass substrate to the atmosphere can be increased.
In order to suppress total reflection at the interface between the scattering layer and the glass substrate, the interface between the scattering layer and the glass substrate is made non-uniform, or one or both sides of the interface between the scattering layer and the glass substrate are roughened. It is also effective to have a non-uniform interface, such as infiltrating a refractive index oil or adhesive.

好ましいガラス基板の厚みは0.1〜100mmであり、より好ましくは0.2〜50mm、さらに好ましくは0.3〜10mmである。ガラス基板の厚みが上記上限以下であることにより光の透過率の低下を抑制し、上記下限以上であることにより物理的強度を維持して基板の割れを防止することができる。   The thickness of a preferable glass substrate is 0.1-100 mm, More preferably, it is 0.2-50 mm, More preferably, it is 0.3-10 mm. When the thickness of the glass substrate is not more than the above upper limit, a decrease in light transmittance can be suppressed, and when it is not less than the above lower limit, physical strength can be maintained and cracking of the substrate can be prevented.

なお、散乱層をガラスフリットで作製するには、歪の問題等を防止するために、ガラス基板の熱膨張係数は50×10−7/℃以上、好ましくは70×10−7/℃以上、より好ましくは80×10−7/℃以上が好ましい。また、さらには散乱層の100〜400℃における平均熱膨張係数は、70×10−7〜95×10−7(℃−1)であり、且つガラス転移温度が450〜550℃であることが好ましい。 Incidentally, in order to produce the scattering layer with glass frit, the thermal expansion coefficient of the glass substrate is not less than 50 × 10 −7 / ° C., preferably not less than 70 × 10 −7 / ° C. More preferably, it is 80 × 10 −7 / ° C. or higher. Furthermore, the average thermal expansion coefficient at 100 to 400 ° C. of the scattering layer is 70 × 10 −7 to 95 × 10 −7 (° C. −1 ), and the glass transition temperature is 450 to 550 ° C. preferable.

[散乱層]
散乱層は、有機電界発光素子の光の取り出し効率向上のために形成されるものである。
[Scattering layer]
The scattering layer is formed to improve the light extraction efficiency of the organic electroluminescent element.

<屈折率>
散乱層の屈折率は、その上に形成される陽極としての透明電極の屈折率と同等若しくは低いものが好ましく、ガラス基板の屈折率以上のものが、透明電極と散乱層との界面及び散乱層とガラス基板との界面での全反射が抑制されるため好ましい。
本発明では、散乱層を構成するベース層の屈折率と、このベース層に分布している散乱体の屈折率との差を調整することで、散乱層の屈折率を透明電極の屈折率と同等若しくは低いものとすることができる。
<Refractive index>
The refractive index of the scattering layer is preferably equal to or lower than the refractive index of the transparent electrode as the anode formed thereon, and the refractive index higher than the refractive index of the glass substrate is the interface between the transparent electrode and the scattering layer and the scattering layer. This is preferable because total reflection at the interface between the glass substrate and the glass substrate is suppressed.
In the present invention, by adjusting the difference between the refractive index of the base layer constituting the scattering layer and the refractive index of the scatterers distributed in the base layer, the refractive index of the scattering layer is changed to the refractive index of the transparent electrode. It can be equivalent or low.

散乱体とベース層の屈折率はいずれも高くても構わないが、屈折率の差(Δn)は、少なくとも発光層の発光スペクトル範囲における一部分において0.2以上であることが好ましい。十分な散乱特性を得るために、屈折率の差(Δn)は、発光スペクトル範囲全域(430nm〜650nm)若しくは可視光の波長範囲全域(360nm〜830nm)に亘って0.2以上であることがより好ましい。
The refractive index of the scatterer and the base layer may be high, but the difference in refractive index (Δn) is preferably 0.2 or more at least in a part of the emission spectrum range of the light emitting layer. In order to obtain sufficient scattering characteristics, the difference in refractive index (Δn) should be 0.2 or more over the entire emission spectrum range (430 nm to 650 nm) or the entire visible wavelength range (360 nm to 830 nm). More preferred.

最大の屈折率差を得るためには、散乱層のベース層を構成する高光透過率材料(以下、「ベース材」と称す場合がある。)としては高屈折率ガラス、散乱体としては気体の物体すなわち気泡という構成とすることが望ましい。   In order to obtain the maximum refractive index difference, the high light transmittance material (hereinafter sometimes referred to as “base material”) constituting the base layer of the scattering layer is a high refractive index glass, and the scatterer is a gas. It is desirable to have a configuration of an object, that is, a bubble.

本発明ではベース材の屈折率が透明電極の屈折率よりも小さくてもよいため、使用できる材料の選択における自由度は高くなる。しかしながら、この場合も、ベース材の屈折率はできるだけ高いことが望ましいため、ベース材を高屈折率のガラスとすることが好ましい。高屈折率のガラスの成分として、ネットワークフォーマとしてはP、SiO、B、GeO、TeO2から選ばれる1種類又は2種類以上の成分を、高屈折率成分として、TiO2、Nb、WO、Bi、La、Gd、Y、ZrO2、ZnO、BaO、PbO、Sbから選ばれる1種類又は2種類以上の成分を含有する高屈折率ガラスを使用することができる。その他に、ガラスの特性を調整する意味で、アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物、フッ化物などを屈折率に対して要求される物性を損なわない範囲で使用してもよい。具体的なガラス系としては、B−ZnO−La系、P−B−R’O−R’’O−TiO2−Nb−WO−Bi系、TeO2−ZnO系、B−Bi系、SiO−Bi系、SiO−ZnO系、B−ZnO系、P−ZnO系などが挙げられる。ここで、R’はアルカリ金属元素、R’’はアルカリ土類金属元素を示す。なお、以上は例であり、上記の条件を満たすような構成であれば、この例に限定されるものではない。 In this invention, since the refractive index of a base material may be smaller than the refractive index of a transparent electrode, the freedom degree in selection of the material which can be used becomes high. However, also in this case, since it is desirable that the refractive index of the base material be as high as possible, it is preferable that the base material be glass having a high refractive index. As a high refractive index glass component, as a network former, one or more components selected from P 2 O 5 , SiO 2 , B 2 O 3 , Ge 2 O, TeO 2 are used as a high refractive index component. , TiO 2 , Nb 2 O 5 , WO 3 , Bi 2 O 3 , La 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Y 2 O 3 , ZrO 2 , ZnO, BaO, PbO, Sb 2 O 3 Alternatively, a high refractive index glass containing two or more kinds of components can be used. In addition, in order to adjust the characteristics of the glass, alkali oxides, alkaline earth oxides, fluorides, and the like may be used as long as the physical properties required for the refractive index are not impaired. Specific glass systems include B 2 O 3 —ZnO—La 2 O 3 system, P 2 O 5 —B 2 O 3 —R ′ 2 O—R ″ O—TiO 2 —Nb 2 O 5 —WO 3- Bi 2 O 3 system, TeO 2 —ZnO system, B 2 O 3 —Bi 2 O 3 system, SiO 2 —Bi 2 O 3 system, SiO 2 —ZnO system, B 2 O 3 —ZnO system, P 2 Examples thereof include an O 5 —ZnO system. Here, R ′ represents an alkali metal element, and R ″ represents an alkaline earth metal element. In addition, the above is an example, and if it is the structure which satisfy | fills said conditions, it will not be limited to this example.

ベース材に特定の透過率スペクトルを持たせることにより、発光の色味を変化させることもできる。着色剤としては、遷移金属酸化物、希土類金属酸化物、金属コロイドなどの公知のものを、単独であるいは組み合わせて使うことができる。   By giving the base material a specific transmittance spectrum, the color of light emission can be changed. As the colorant, known ones such as transition metal oxides, rare earth metal oxides and metal colloids can be used alone or in combination.

<散乱体>
散乱層中の散乱体としては、気泡或いはガラス粒が挙げられる。気泡は、後述のように、散乱層形成時のガス発生で形成される。ガラス粒とは、散乱層形成時の加熱焼成工程で溶融せずに残留したガラスフリットの未溶融核である。
<Scatterer>
Examples of the scatterer in the scattering layer include bubbles or glass particles. Bubbles are formed by gas generation during the formation of the scattering layer, as will be described later. The glass grains are unmelted nuclei of the glass frit that remains without being melted in the heating and firing step when forming the scattering layer.

散乱体の粒径は、0.1〜10μm、特に0.2〜8μmの範囲であり、その平均粒径は0.5〜7μm、特に1〜5μmてあることが好ましい。   The particle size of the scatterer is in the range of 0.1 to 10 μm, particularly 0.2 to 8 μm, and the average particle size is preferably 0.5 to 7 μm, particularly 1 to 5 μm.

散乱体の粒径が上記下限以上であることにより高い光散乱効果が得られ、上記上限以下であることにより散乱体が散乱層表面に突出することを抑制し、高い平坦性が保持される。   When the particle size of the scatterer is not less than the above lower limit, a high light scattering effect is obtained, and when the particle size is not more than the above upper limit, the scatterer is prevented from protruding to the surface of the scattering layer, and high flatness is maintained.

なお、ここで、散乱体の粒径とは電子顕微鏡観測により測定された散乱体粒子の直径の値であり、平均粒径はその数平均値である。   Here, the particle size of the scatterer is the value of the diameter of the scatterer particles measured by electron microscope observation, and the average particle size is the number average value thereof.

散乱層内の散乱体の分布については、次のような分布となっていることが好ましい。
(1) 散乱層の厚み方向において、散乱体の数密度が陽極の透明電極近傍で、透明電極側に向って小さくなる。
(2) 散乱層の厚み方向において、散乱体の数密度が散乱体の透明電極近傍で、透明電極側に向って大きくなる。
The distribution of scatterers in the scattering layer is preferably as follows.
(1) In the thickness direction of the scattering layer, the number density of the scatterers decreases in the vicinity of the transparent electrode of the anode toward the transparent electrode.
(2) In the thickness direction of the scattering layer, the number density of the scatterers increases toward the transparent electrode near the transparent electrode of the scatterer.

なお、ここで、数密度とは、散乱層の単位体積当たりの散乱体の個数(個/m)である。 Here, the number density is the number of scatterers (units / m 3 ) per unit volume of the scattering layer.

また、陽極の透明電極近傍とは散乱層中の透明電極側から、厚さ方向に1/3までの部分をさす。   Further, the vicinity of the transparent electrode of the anode refers to a portion from the transparent electrode side in the scattering layer to 1/3 in the thickness direction.

上記(1)の散乱体分布であると高い光散乱効果が得られる。   A high light scattering effect is obtained with the scatterer distribution of (1) above.

上記(2)の散乱体分布であると高い光散乱効果に加え、透明電極に束縛された光を散乱層中に導くことができ、光取出し効率の更なる向上が期待できる。   With the scatterer distribution of (2) above, in addition to a high light scattering effect, light constrained by the transparent electrode can be guided into the scattering layer, and further improvement in light extraction efficiency can be expected.

ただし、散乱体は散乱層中に均一に分布していてもよく、この場合には高い光の散乱、透明電極に束縛された光の散乱層への導入効果に加え、散乱層中に取り込まれた光が散乱体粒子間を伝わって、ガラス基板中に効率よく導波することで高い光取り出し効率を実現可能にする。   However, the scatterers may be uniformly distributed in the scattering layer. In this case, in addition to the high light scattering and the effect of introducing the light constrained by the transparent electrode into the scattering layer, it is taken into the scattering layer. The light transmitted through the scatterer particles and efficiently guided into the glass substrate enables high light extraction efficiency to be realized.

いずれの場合においても、散乱層の厚み方向の中央部分における散乱体の数密度と、散乱層の双方の界面側における散乱体の数密度との差が30%以下、すなわち散乱層の厚み方向の中央部分における散乱体の数密度A(個/m)と散乱層の双方の界面側における散乱体の数密度B(個/m)との差(A―B)の絶対値が、AとBのうち大きい方の値の30%以下であることが、光取出し効率の点から好ましい。ここで、散乱層の厚み方向の中央部分とは散乱層の透明電極側から厚み方向に1/3〜2/3の部分をさす。 In any case, the difference between the number density of the scatterers in the central portion in the thickness direction of the scattering layer and the number density of the scatterers on both interface sides of the scattering layer is 30% or less, that is, in the thickness direction of the scattering layer. The absolute value of the difference (A−B) between the number density A (number / m 3 ) of scatterers in the central portion and the number density B (number / m 3 ) of scatterers on the interface side of both scattering layers is A And B is preferably 30% or less of the larger value from the viewpoint of light extraction efficiency. Here, the central portion in the thickness direction of the scattering layer refers to a portion of 1/3 to 2/3 in the thickness direction from the transparent electrode side of the scattering layer.

<表面粗さ(Ra)>
散乱層の表面(陽極である透明電極形成側の表面)は平滑であることが好ましく、その10μm間におけるJIS B0610−1994に規定される算術平均粗さ(表面粗さ:Ra)は30nm以下が好ましく、10nm以下であることがより好ましい。
ここで、散乱層の表面の「10μm間」とは、散乱層表面上において任意に選択された2点間の距離をさす。
<Surface roughness (Ra)>
The surface of the scattering layer (the surface on the transparent electrode forming side that is the anode) is preferably smooth, and the arithmetic average roughness (surface roughness: Ra) defined in JIS B0610-1994 between 10 μm is 30 nm or less. Preferably, it is 10 nm or less.
Here, “between 10 μm” on the surface of the scattering layer refers to a distance between two points arbitrarily selected on the surface of the scattering layer.

<散乱層の厚さ>
本発明に係る散乱層の厚さは2〜100μmが好ましく、特に5〜70μmであることが好ましい。
散乱層の厚さが上記下限以上であることにより光散乱効率が高くなり、上記上限以下であることにより散乱層のひび割れを抑制することができる。
<Thickness of scattering layer>
The thickness of the scattering layer according to the present invention is preferably 2 to 100 μm, particularly preferably 5 to 70 μm.
When the thickness of the scattering layer is not less than the above lower limit, the light scattering efficiency is increased, and when it is not more than the above upper limit, cracking of the scattering layer can be suppressed.

<散乱層の形成方法>
散乱層の形成は、塗布及び焼成により行うが、特に、10〜100μmの厚膜かつ大面積の散乱層を均一かつ迅速に形成するという観点から、ガラスをフリットペースト化して形成する方法が好ましい。
<Method for forming scattering layer>
The scattering layer is formed by coating and baking. In particular, from the viewpoint of uniformly and rapidly forming a 10-100 μm thick, large-area scattering layer, a method of forming glass by frit paste is preferable.

ここで、フリットペーストとは、ガラス粉末を樹脂、溶剤、フィラーなどに分散させたものを指す。フリットペーストをスクリーン印刷などのパターン形成技術を用いてパターニング、焼成することで、散乱層のガラス層被覆が可能となる。   Here, the frit paste refers to a glass powder dispersed in a resin, a solvent, a filler or the like. The scattering layer can be coated with the glass layer by patterning and baking the frit paste using a pattern forming technique such as screen printing.

フリットペースト法で散乱層を形成する際のガラス基板の熱変形を抑制するべく、散乱層のガラスの軟化点(Ts)が基板を構成するガラスの歪点(SP)よりも低く、かつ熱膨張係数αの差が小さいことが望ましい。この軟化点と歪点の差は30℃以上であることが好ましく、50℃以上であることがより好ましい。また、散乱層と基板を構成するガラスの熱張率の差は、±10×10−7(1/K)以下であることが好ましく、±5×10−7(1/K)以下であることがより好ましい。 In order to suppress thermal deformation of the glass substrate when forming the scattering layer by the frit paste method, the glass softening point (Ts) of the scattering layer is lower than the strain point (SP) of the glass constituting the substrate, and thermal expansion is achieved. It is desirable that the difference in coefficient α is small. The difference between the softening point and the strain point is preferably 30 ° C. or higher, and more preferably 50 ° C. or higher. In addition, the difference in thermal tension between the scattering layer and the glass constituting the substrate is preferably ± 10 × 10 −7 (1 / K) or less, and is ± 5 × 10 −7 (1 / K) or less. It is more preferable.

以下フリットペーストの技術概要を示す。   The technical outline of frit paste is shown below.

(フリットペースト材料)
〈ガラス粉末〉
用いるガラス粉末の粒径は通常1μm〜10μmである。焼成された膜の熱膨張を制御するため、フィラーを入れることがある。フィラーは、具体的には、ジルコン、シリカ、アルミナなどが用いられ、その粒径は0.1μm〜20μmである。
(Frit paste material)
<Glass powder>
The particle size of the glass powder used is usually 1 μm to 10 μm. In order to control the thermal expansion of the fired film, a filler may be added. Specifically, zircon, silica, alumina or the like is used as the filler, and the particle size thereof is 0.1 μm to 20 μm.

以下にガラス材料について説明する。
本発明では、散乱層が、P:0〜30モル%、B:0〜14モル%、LiOとNaOとKOの総量:0〜20モル%、Bi:10〜20モル%、TiO:3〜15モル%、Nb:0〜20モル%、WO:0〜15モル%を含み、以上の成分の合量が、90モル%以上であるものも好適に用いられる。
The glass material will be described below.
In the present invention, the scattering layer, P 2 O 5: 0~30 mol%, B 2 O 3: 0~14 mol%, the total amount of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O: 0 to 20 mol%, Bi 2 O 3 : 10 to 20 mol%, TiO 2 : 3 to 15 mol%, Nb 2 O 5 : 0 to 20 mol%, WO 3 : 0 to 15 mol%, and the total amount of the above components is What is 90 mol% or more is also used suitably.

散乱層を形成するガラス組成としては、所望の散乱特性が得られ、フリットペースト化して焼成可能であれば特に限定はされないが、取り出し効率を最大化するためには、例えば、Pを必須成分として含有し、さらにNb、Bi、TiO、WO、の一成分以上を含有する系、B、ZnO及びLaを必須成分として含み、Nb、ZrO、Ta、WOの一成分以上を含有する系、SiOを必須成分として含み、Nb、TiOの一成分以上を含有する系、Biを主成分として含有し、ネットワーク形成成分としてSiO、Bなどを含有する系などが挙げられる。 The glass composition for forming the scattering layer is not particularly limited as long as the desired scattering characteristics can be obtained and frit paste can be fired, but in order to maximize the extraction efficiency, for example, P 2 O 5 is used. A system containing one or more components of Nb 2 O 5 , Bi 2 O 3 , TiO 2 , WO 3 , B 2 O 3 , ZnO and La 2 O 3 as essential components A system containing one or more components of 2 O 5 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , WO 3 , a system containing SiO 2 as an essential component, and containing one or more components of Nb 2 O 5 , TiO 2 , Bi 2 O 3 as a main component, and a system containing SiO 2 , B 2 O 3 or the like as a network forming component.

散乱層を形成するガラス組成としては、所望の散乱特性が得られ、フリットペースト化して焼成可能であれば特に限定はされないが、取り出し効率を最大化するためには、例えば、Pを含み、Nb、Bi、TiO、WOの一成分以上を含有する系、B、Laを必須成分として含み、Nb、ZrO、Ta、WOの一成分以上を含有する系、SiOを必須成分として含み、Nb、TiOの一成分以上を含有する系、Biを主成分として含有し、ガラス形成助剤としてSiO、Bなどを含有する系などが挙げられる。 The glass composition for forming the scattering layer is not particularly limited as long as the desired scattering characteristics can be obtained and frit paste can be fired, but in order to maximize the extraction efficiency, for example, P 2 O 5 is used. Nb 2 O 5 , Bi 2 O 3 , TiO 2 , a system containing one or more components of WO 3 , B 2 O 3 , La 2 O 3 as essential components, Nb 2 O 5 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , a system containing one or more components of WO 3 , SiO 2 as an essential component, Nb 2 O 5 , a system containing one or more components of TiO 2 , Bi 2 O 3 as a main component, Examples of the glass forming aid include systems containing SiO 2 , B 2 O 3 and the like.

[1] Pを含み、Nb、Bi、TiO、WO、の一成分以上を含有する散乱層は、モル%表記で、P15〜30%、SiO0〜15%、B0〜18%、Nb5〜40%、TiO0〜15%、WO0〜50%、Bi0〜30%、ただし、Nb+TiO+WO+Bi20〜60%、LiO0〜20%、NaO0〜20%、KO0〜20%、ただしLiO+NaO+KO5〜40%、MgO0〜10%、CaO0〜10%、SrO0〜10%、BaO0〜20%、ZnO0〜20%、Ta0〜10%の組成範囲のガラスが好ましい。 [1] include P 2 O 5, Nb 2 O 5, Bi 2 O 3, TiO 2, WO 3, scattering layer containing more than one component of, in mole percent notation, P 2 O 5 15 to 30% SiO 2 0-15%, B 2 O 3 0-18%, Nb 2 O 5 5-40%, TiO 2 0-15%, WO 3 0-50%, Bi 2 O 3 0-30%, , Nb 2 O 5 + TiO 2 + WO 3 + Bi 2 O 3 20~60%, Li 2 O0~20%, Na 2 O0~20%, K 2 O0~20%, provided that Li 2 O + Na 2 O + K 2 O5~40% A glass having a composition range of MgO 0 to 10%, CaO 0 to 10%, SrO 0 to 10%, BaO 0 to 20%, ZnO 0 to 20%, Ta 2 O 5 0 to 10% is preferable.

各成分の効果は、モル%表記で、以下の通りである。   The effect of each component is as follows in terms of mol%.

は、このガラス系の骨格を形成しガラス化させる必須成分であり、ガラスの失透性を大きくすることなくガラスを得るために、15%以上が好ましく、18%以上がより好ましい。また、屈折率の低下を防止するために、含有量は30%以下が好ましく、28%以下がより好ましい。 P 2 O 5 is an essential component for forming and vitrifying the glass-based skeleton. In order to obtain glass without increasing the devitrification property of the glass, 15% or more is preferable, and 18% or more is more preferable. . In order to prevent a decrease in refractive index, the content is preferably 30% or less, and more preferably 28% or less.

は、ガラス中に添加することにより耐失透性を向上させ、熱膨張率を低下させる任意成分であるが、屈折率の低下を抑制するために、含有量は18%以下が好ましく、15%以下がより好ましい。 B 2 O 3 is an optional component that improves devitrification resistance and decreases the coefficient of thermal expansion by adding it to the glass. However, in order to suppress a decrease in refractive index, the content is 18% or less. Preferably, 15% or less is more preferable.

SiOは、微量を添加することによりガラスを安定化させ、耐失透性を向上させる任意成分であるが、屈折率の低下を抑制するために、含有量は15%以下が好ましく、10%以下がより好ましく、8%以下が特に好ましい。 SiO 2 is an optional component that stabilizes the glass by adding a trace amount and improves devitrification resistance. However, in order to suppress a decrease in the refractive index, the content is preferably 15% or less, and 10% The following is more preferable, and 8% or less is particularly preferable.

Nbは、屈折率を向上させ、耐侯性を高める効果も同時に有する必須成分である。そのため、含有量は、5%以上が好ましく、8%以上がより好ましい。一方、失透性を抑えて安定してガラスを得るためにその含有量は40%以下が好ましく、35%以下がより好ましい。 Nb 2 O 5 is an essential component that simultaneously has the effects of improving the refractive index and enhancing weather resistance. Therefore, the content is preferably 5% or more, and more preferably 8% or more. On the other hand, in order to suppress devitrification and stably obtain glass, the content is preferably 40% or less, and more preferably 35% or less.

TiOは、屈折率を向上させる任意成分であるが、ガラスの着色を抑えて散乱層における損失を小さくし、光取り出し効率の向上を図るために、含有量は15%以下が好ましく、13%以下であるとさらに好ましい。 TiO 2 is an optional component that improves the refractive index, but the content is preferably 15% or less in order to suppress the coloring of the glass, reduce the loss in the scattering layer, and improve the light extraction efficiency, 13% More preferably, it is as follows.

WOは、屈折率を向上させ、ガラス転移温度を低下させて焼成温度を低下させる任意成分であるが、ガラスの着色を防止して光取り出し効率を維持するため、その含有量は50%以下が好ましく、45%以下がさらに好ましい。 WO 3 is an optional component that improves the refractive index, lowers the glass transition temperature, and lowers the firing temperature. However, in order to prevent the coloring of the glass and maintain the light extraction efficiency, its content is 50% or less. Is preferable, and 45% or less is more preferable.

Biは屈折率を向上させる成分であり、ガラスの安定性を維持しながら比較的多量にガラス中に導入することができるが、ガラスの着色による透過率の低下を抑制するために、含有量は30%以下が好ましく、25%以下がより好ましい。 Bi 2 O 3 is a component that improves the refractive index and can be introduced into the glass in a relatively large amount while maintaining the stability of the glass, but in order to suppress a decrease in transmittance due to the coloring of the glass, The content is preferably 30% or less, and more preferably 25% or less.

屈折率を所望の値よりも高くするためには、上記Nb、TiO、WO、Biのうちの一成分又はそれ以上を必ず含まなくてはならない。具体的には(Nb+TiO+WO+Bi)の合量が20%以上であることが好ましく、25%以上であることがより好ましい。一方、着色や失透性を抑えるために、これらの成分の合量は60%以下であることが好ましく、55%以下であることがより好ましい。 In order to make the refractive index higher than a desired value, one or more of Nb 2 O 5 , TiO 2 , WO 3 and Bi 2 O 3 must be included. Specifically, the total amount of (Nb 2 O 5 + TiO 2 + WO 3 + Bi 2 O 3 ) is preferably 20% or more, and more preferably 25% or more. On the other hand, in order to suppress coloring and devitrification, the total amount of these components is preferably 60% or less, and more preferably 55% or less.

Taは屈折率を向上させる任意成分であるが、耐失透性の低下、価格の上昇を抑えるために、その含有量は10%以下が好ましく、5%以下がより好ましい。 Ta 2 O 5 is an optional component that improves the refractive index, but its content is preferably 10% or less, and more preferably 5% or less, in order to suppress a decrease in devitrification resistance and an increase in price.

LiO、NaO、KO等のアルカリ金属酸化物(RO)は、溶融性を向上させ、ガラス転移温度を低下させる効果をもつと同時に、ガラス基板との親和性を高め、密着力を高める効果を奏する。そのため、これらの1種類又は2種類以上を含有していることが望ましい。LiO+NaO+KOの合量として5%以上を含むことが望ましく、10%以上であることがより好ましい。また、ガラスの安定性を保ち、ガラスの屈折率を維持して所望の光取り出し効率の向上を図るために、これらの合計の含有量は40%以下であることが好ましく、35%以下であることがより好ましい。 Alkali metal oxides (R 2 O) such as Li 2 O, Na 2 O, K 2 O have the effect of improving the meltability and lowering the glass transition temperature, and at the same time, increasing the affinity with the glass substrate. And has the effect of increasing the adhesion. Therefore, it is desirable to contain one or more of these. The total amount of Li 2 O + Na 2 O + K 2 O is desirably 5% or more, and more preferably 10% or more. Further, in order to maintain the stability of the glass and maintain the refractive index of the glass to improve the desired light extraction efficiency, the total content thereof is preferably 40% or less, and 35% or less. It is more preferable.

LiOは、ガラス転移温度を低下させ、溶解性を向上させるための成分であるが、失透を抑えて、均質なガラスを得るために、また、熱膨張率を抑えて、基板との膨張率差を小さくするとともに屈折率の低下を防止して所望の光取出し効率の向上を図るために、その含有量は20%以下であることが望ましく、15%以下であることがさらに好ましい。 Li 2 O is a component for lowering the glass transition temperature and improving the solubility. However, in order to suppress devitrification and obtain a homogeneous glass, the thermal expansion coefficient is suppressed, In order to reduce the difference in expansion coefficient and prevent a decrease in the refractive index to improve the desired light extraction efficiency, the content is desirably 20% or less, and more desirably 15% or less.

NaO、KOはいずれも溶融性を向上させる任意成分であるが、屈折率の低下を防止して所望の光取り出し効率を得るために、含有量はそれぞれ20%以下であることが好ましく、15%以下であることがより好ましい。 Na 2 O, but neither K 2 O is an optional component for improving the meltability, in order to obtain the desired light-extraction efficiency by preventing a decrease in the refractive index, it is the content is 20% or less, respectively Preferably, it is 15% or less.

ZnOは、屈折率を向上させ、ガラス転移温度を低下させる成分であるが、ガラスの失透性を下げ、均質なガラスを得るために、その含有量は20%以下であることが好ましく、18%以下であることがより好ましい。   ZnO is a component that improves the refractive index and lowers the glass transition temperature, but in order to reduce the devitrification of the glass and obtain a homogeneous glass, its content is preferably 20% or less, 18 % Or less is more preferable.

BaOは、屈折率を向上させると同時に、溶解性を向上させる成分であるが、ガラスの安定性を維持するために、その含有量は20%以下であることが好ましく、18%以下であることがより好ましい。   BaO is a component that improves the refractive index and at the same time improves the solubility, but in order to maintain the stability of the glass, its content is preferably 20% or less, and 18% or less. Is more preferable.

MgO、CaO、SrOは、溶融性を向上させる任意成分であるが、屈折率の低下を防止するためにいずれも10%以下であることが好ましく、8%以下であることがより好ましい。   MgO, CaO, and SrO are optional components that improve the meltability, but are preferably 10% or less, and more preferably 8% or less, in order to prevent a decrease in the refractive index.

高屈折率かつ安定なガラスを得るためには、上記成分の合量は、90%以上であることが好ましく、93%以上であることがより好ましく、95%以上であることがさらに好ましい。   In order to obtain a glass having a high refractive index and stability, the total amount of the above components is preferably 90% or more, more preferably 93% or more, and further preferably 95% or more.

以上に記載の成分の他に、必要なガラスの特性を損なわない範囲で、清澄剤やガラス化促進成分、屈折率調整成分、波長変換成分などを少量添加しても良い。具体的には、清澄剤としてはSb、SnOが挙げられ、ガラス化促進成分としては、GeO、Ga、In、屈折率調整成分としては、ZrO、Y、La、Gd、Yb、波長変換成分としては、CeO、Eu、Erなどの希土類成分などが挙げられる。 In addition to the components described above, a small amount of a refining agent, a vitrification promoting component, a refractive index adjusting component, a wavelength converting component, or the like may be added within a range that does not impair the required glass properties. Specifically, Sb 2 O 3 and SnO 2 are exemplified as the fining agent, GeO 2 , Ga 2 O 3 , In 2 O 3 as the vitrification promoting component, ZrO 2 as the refractive index adjusting component, Examples of Y 2 O 3 , La 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Yb 2 O 3 , and wavelength conversion component include rare earth components such as CeO 2 , Eu 2 O 3 , and Er 2 O 3 .

[2] B、Laを必須成分として含み、Nb、ZrO、Ta、WO、の一成分以上を含有する散乱層は、モル%表記で、B20〜60%、SiO0〜20%、LiO0〜20%、NaO0〜10%、KO0〜10%、ZnO5〜50%、La5〜25%、Gd0〜25%、Y0〜20%、Yb0〜20%、ただし、La+Gd+Y+Yb5%〜30%、ZrO0〜15%、Ta0〜20%、Nb0〜20%、WO0〜20%、Bi0〜20%、BaO0〜20%の組成範囲のガラスが好ましい。 [2] The scattering layer containing B 2 O 3 , La 2 O 3 as essential components, and containing one or more components of Nb 2 O 5 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , WO 3 is expressed in mol%. B 2 O 3 20~60%, SiO 2 0~20%, Li 2 O0~20%, Na 2 O0~10%, K 2 O0~10%, ZnO5~50%, La 2 O 3 5~25% Gd 2 O 3 0-25%, Y 2 O 3 0-20%, Yb 2 O 3 0-20%, but La 2 O 3 + Gd 2 O 3 + Y 2 O 3 + Yb 2 O 3 5% -30 %, ZrO 2 0-15%, Ta 2 O 5 0-20%, Nb 2 O 5 0-20%, WO 3 0-20%, Bi 2 O 3 0-20%, BaO 0-20% The glass is preferred.

各成分の効果は、モル%表記で、以下の通りである。   The effect of each component is as follows in terms of mol%.

は、ネットワーク形成酸化物であり、このガラス系における必須成分である。ガラスを形成すると共に、ガラスの耐失透性の低下を防止するために、その含有量は、20%以上であることが好ましく、25%以上であることがより好ましい。一方、屈折率、耐候性の低下を防止するために、その含有量は60%以下であり、より好ましくは55%以下である。 B 2 O 3 is a network forming oxide and is an essential component in this glass system. While forming glass, in order to prevent the fall of devitrification resistance of glass, the content is preferably 20% or more, and more preferably 25% or more. On the other hand, in order to prevent a decrease in refractive index and weather resistance, the content is 60% or less, more preferably 55% or less.

SiOは、この系のガラス中に添加されるとガラスの安定性を向上させる成分であるが、屈折率の低下やガラス転移温度の上昇を防止するために、その含有量は20%以下であることが好ましく、18%以下であることがより好ましい。 SiO 2 is a component that improves the stability of the glass when added to the glass of this system, but its content is 20% or less in order to prevent a decrease in the refractive index and an increase in the glass transition temperature. It is preferable that it is 18% or less.

LiOは、ガラス転移温度を低下させる成分であるが、ガラスの耐失透性の低下を防止するために、その含有量は20%以下であることが好ましく、18%以下であることがより好ましい。 Li 2 O is a component that lowers the glass transition temperature, but in order to prevent a decrease in the devitrification resistance of the glass, its content is preferably 20% or less, and 18% or less. More preferred.

NaO及びKOは溶解性を向上させるが、耐失透性や屈折率を維持するために、その含有量はそれぞれ10%以下であることが好ましく、8%以下であることがより好ましい。 Na 2 O and K 2 O improve solubility, but in order to maintain devitrification resistance and refractive index, their contents are each preferably 10% or less, more preferably 8% or less. preferable.

ZnOは、ガラスの屈折率を向上させるとともに、ガラス転移温度を低下させる必須成分である。そのため、その含有量は5%以上が好ましく、7%以上がより好ましい。一方、耐失透性を維持して均質なガラスを得るために、その含有量は50%以下であることが好ましく、45%以下であることがより好ましい。   ZnO is an essential component that improves the refractive index of the glass and lowers the glass transition temperature. Therefore, the content is preferably 5% or more, and more preferably 7% or more. On the other hand, in order to maintain the devitrification resistance and obtain a homogeneous glass, the content is preferably 50% or less, and more preferably 45% or less.

Laは高屈折率を達成し、かつB系ガラスに導入すると耐侯性を向上させる必須成分である。そのため、その含有量は5%以上であることが好ましく、7%以上であることがより好ましい。一方、ガラス転移温度を下げ、ガラスの耐失透性を維持して均質なガラスを得るために、その含有量は25%以下であることが好ましく、22%以下であることがさらに好ましい。 La 2 O 3 is an essential component that achieves a high refractive index and improves weather resistance when introduced into B 2 O 3 glass. Therefore, the content is preferably 5% or more, and more preferably 7% or more. On the other hand, in order to lower the glass transition temperature and maintain the devitrification resistance of the glass to obtain a homogeneous glass, the content is preferably 25% or less, and more preferably 22% or less.

Gdは高屈折率を達成し、かつB系ガラスに導入すると耐侯性を向上させ、Laと共存させることにより、ガラスの安定性を向上させる成分であるが、ガラスの安定性を確保するために、その含有量は25%以下であることが好ましく、22%以下であることがさらに好ましい。 Gd 2 O 3 is a component that achieves a high refractive index and improves weather resistance when introduced into B 2 O 3 glass, and improves the stability of the glass by coexisting with La 2 O 3 , In order to ensure the stability of the glass, the content is preferably 25% or less, and more preferably 22% or less.

及びYbは高屈折率を達成し、かつB系ガラスに導入すると耐侯性を向上させ、Laと共存させることにより、ガラスの安定性を向上させる成分であるが、ガラスの安定性を維持するために、その含有量はそれぞれ20%以下であることが好ましく、18%以下であることがより好ましい。 Y 2 O 3 and Yb 2 O 3 achieve a high refractive index, improve the weather resistance when introduced into B 2 O 3 glass, and improve the stability of the glass by coexisting with La 2 O 3 . Although it is a component, in order to maintain the stability of the glass, the content thereof is preferably 20% or less, and more preferably 18% or less.

La、Gd、Y、Yb、といった希土類酸化物は、高屈折率を達成し、かつガラスの耐侯性を向上させるためには必須の成分であるため、これらの成分の合量、La+Gd+Y+Ybは5%以上であることが好ましく、8%以上であることがより好ましい。しかしながら、ガラスの耐失透性を維持して、均質なガラスを得るために、これらの成分の合量は30%以下であることが好ましく、25%以下であることがより好ましい。 Rare earth oxides such as La 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Y 2 O 3 and Yb 2 O 3 are essential components for achieving a high refractive index and improving the weather resistance of glass. The total amount of these components, La 2 O 3 + Gd 2 O 3 + Y 2 O 3 + Yb 2 O 3 is preferably 5% or more, and more preferably 8% or more. However, in order to maintain the devitrification resistance of the glass and obtain a homogeneous glass, the total amount of these components is preferably 30% or less, and more preferably 25% or less.

ZrOは屈折率を向上させるための成分であるが、耐失透性の低下、液相温度の過度な上昇を抑えるために、その含有量は15%以下であることが好ましく、10%以下であることがより好ましい。 ZrO 2 is a component for improving the refractive index, but its content is preferably 15% or less in order to suppress a decrease in devitrification resistance and an excessive increase in liquidus temperature, and is preferably 10% or less. It is more preferable that

Taは屈折率を向上させるための成分であるが、耐失透性の低下、液相温度の過度な上昇を抑えるために、その含有量は20%以下であることが好ましく、15%以下であることがより好ましい。 Ta 2 O 5 is a component for improving the refractive index, but in order to suppress a decrease in devitrification resistance and an excessive increase in the liquidus temperature, its content is preferably 20% or less, 15 % Or less is more preferable.

Nbは屈折率を向上させるための成分であるが、耐失透性の低下、液相温度の過度な上昇を抑えるために、その含有量は20%以下であることが好ましく、15%以下であることがより好ましい。 Nb 2 O 5 is a component for improving the refractive index, but its content is preferably 20% or less in order to suppress a decrease in devitrification resistance and an excessive increase in liquidus temperature. % Or less is more preferable.

WOは屈折率を向上させるための成分であるが、耐失透性の低下、液相温度の過度な上昇を抑えるために、その含有量は20%以下であることが好ましく、15%以下であることがより好ましい。 WO 3 is a component for improving the refractive index. However, in order to suppress a decrease in devitrification resistance and an excessive increase in the liquidus temperature, the content is preferably 20% or less, and 15% or less. It is more preferable that

Biは屈折率を向上させるための成分であるが、耐失透性の低下、ガラスの着色及びそれによる透過率の低下を防止して取り出し効率を維持するためにその含有量は20%以下であることが好ましく、15%以下であることがより好ましい。 Bi 2 O 3 is a component for improving the refractive index, but its content is 20 in order to prevent devitrification resistance reduction, coloration of the glass and the resulting reduction in transmittance and maintain the extraction efficiency. % Or less is preferable, and 15% or less is more preferable.

BaOは屈折率を向上させる成分であるが、耐失透性を確保するために、その含有量は、20%以下であることが好ましく、15%以下であることがより好ましい。   BaO is a component that improves the refractive index, but in order to ensure devitrification resistance, its content is preferably 20% or less, more preferably 15% or less.

また、以上に記載の成分の合量は90%以上であることが望ましく、95%以上であることがさらに好ましい。以上に記載の成分以外であっても、清澄、溶解性向上などの目的で本発明の効果を損なわない範囲で添加しても良い。このような成分として、例えば、Sb、SnO、MgO、CaO、SrO、GeO、Ga、In、フッ素が挙げられる。 The total amount of the components described above is preferably 90% or more, and more preferably 95% or more. Even components other than those described above may be added within the range not impairing the effects of the present invention for the purpose of clarifying and improving solubility. Examples of such components include Sb 2 O 3 , SnO 2 , MgO, CaO, SrO, GeO 2 , Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , and fluorine.

[3] SiOを必須成分として含み、Nb、TiO、Biのうち一成分以上を含有する散乱層は、モル%表記で、SiO20〜50%、B0〜20%、Nb1〜20%、TiO1〜20%、Bi0〜15%、ZrO0〜15%、Nb+TiO+Bi+ZrO5〜40%、LiO0〜40%、NaO0〜30%、KO0〜30%、LiO+NaO+KO1〜40%、MgO0〜20%、CaO0〜20%、SrO0〜20%、BaO0〜20%、ZnO0〜20%の組成範囲のガラスが好ましい。 [3] The scattering layer containing SiO 2 as an essential component and containing one or more components of Nb 2 O 5 , TiO 2 , and Bi 2 O 3 is expressed in terms of mol%, SiO 2 20 to 50%, B 2 O. 3 0~20%, Nb 2 O 5 1~20%, TiO 2 1~20%, Bi 2 O 3 0~15%, ZrO 2 0~15%, Nb 2 O 5 + TiO 2 + Bi 2 O 3 + ZrO 2 5~40%, Li 2 O0~40%, Na 2 O0~30%, K 2 O0~30%, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O1~40%, MgO0~20%, CaO0~20%, SrO0~20 %, BaO 0 to 20%, ZnO 0 to 20% composition range glass is preferable.

各成分の効果は、モル%表記で、以下の通りである。   The effect of each component is as follows in terms of mol%.

SiOはガラス形成をさせるためのネットワークフォーマとして働く必須成分であり、ガラスを形成するために20%以上であることが好ましく、22%以上であることがより好ましい。また、SiOの結晶化を抑制するために50%以下であることが好ましい。 SiO 2 is an essential component that functions as a network former for forming glass, and is preferably 20% or more, and more preferably 22% or more in order to form glass. Further, it is preferable in order to suppress crystallization of SiO 2 is 50% or less.

はSiOと共に比較的少量添加することによりガラス形成を助け失透性を低下させるが、屈折率の低下を防止するために、その含有量は20%以下であることが好ましく、18%以下であることがより好ましい。 B 2 O 3 helps to form glass by adding a relatively small amount together with SiO 2 to reduce devitrification, but in order to prevent a decrease in refractive index, its content is preferably 20% or less, More preferably, it is 18% or less.

Nbは屈折率を向上させるための必須成分であり、その含有量は1%以上であることが好ましく、3%以上であることがより好ましい。一方、ガラスの耐失透性を維持して均質なガラスを得るために、その含有量は20%以下であることが望ましく、18%以下であることがより好ましい。 Nb 2 O 5 is an essential component for improving the refractive index, and the content thereof is preferably 1% or more, and more preferably 3% or more. On the other hand, in order to maintain the devitrification resistance of the glass and obtain a homogeneous glass, its content is desirably 20% or less, and more desirably 18% or less.

TiOは屈折率を向上させるための必須成分であり、その含有量は1%以上であることが好ましく、3%以上であることがより好ましい。一方、ガラスの耐失透性を維持して均質なガラスを得ると共に、着色を防止して、散乱層を光が伝播する際の吸収による損失を小さくするために、その含有量は20%以下であることが望ましく、18%以下であることがより好ましい。 TiO 2 is an essential component for improving the refractive index, and its content is preferably 1% or more, and more preferably 3% or more. On the other hand, in order to maintain the devitrification resistance of the glass to obtain a homogeneous glass, to prevent coloring, and to reduce loss due to absorption when light propagates through the scattering layer, the content is 20% or less. It is desirable that it is 18% or less.

Biは屈折率を向上させるための成分であるが、ガラスの耐失透性を維持して、均質なガラスを得ると共に、着色を防止して散乱層を光が伝播する際の吸収による損失を小さくするために、その含有量は15%以下であることが望ましく、12%以下であることがより好ましい。 Bi 2 O 3 is a component for improving the refractive index. However, it maintains the devitrification resistance of the glass to obtain a homogeneous glass, and prevents absorption when light propagates through the scattering layer. In order to reduce the loss due to the above, the content is desirably 15% or less, and more desirably 12% or less.

ZrOは着色度を悪化させること無く屈折率を向上させる成分であるが、ガラスの耐失透性を維持して、均質なガラスを得るために、その含有量は15%以下であることが好ましく、10%以下であることがより好ましい。 ZrO 2 is a component that improves the refractive index without deteriorating the degree of coloring, but in order to maintain the devitrification resistance of the glass and obtain a homogeneous glass, its content should be 15% or less. Preferably, it is 10% or less.

高屈折率のガラスを得るためには、Nb+TiO+Bi+ZrOが5%以上であることが好ましく、8%以上であることがより好ましい。一方、この合量は、ガラスの耐失透性を維持すると共に、着色を防止するために、40%以下であることが好ましく、38%以下であることがより好ましい。 In order to obtain a glass having a high refractive index, Nb 2 O 5 + TiO 2 + Bi 2 O 3 + ZrO 2 is preferably 5% or more, and more preferably 8% or more. On the other hand, this total amount is preferably 40% or less, and more preferably 38% or less, in order to maintain the devitrification resistance of the glass and prevent coloring.

LiO、NaO、KOは溶解性を向上させるとともにガラス転移温度を低下させる成分であり、さらにガラス基板との親和性を高める成分である。そのためこれらの成分の合量LiO+NaO+KOは、1%以上であることが好ましく、3%以上であることがより好ましい。一方、アルカリ酸化物成分の含有量を抑えて、ガラスの耐失透性を維持し、均質なガラスを得るために、この合量は、40%以下であることが好ましく、35%以下であることがより好ましい。 Li 2 O, Na 2 O, and K 2 O are components that improve the solubility and lower the glass transition temperature, and further increase the affinity with the glass substrate. Therefore, the total amount Li 2 O + Na 2 O + K 2 O of these components is preferably 1% or more, and more preferably 3% or more. On the other hand, in order to suppress the content of the alkali oxide component, maintain the devitrification resistance of the glass, and obtain a homogeneous glass, this total amount is preferably 40% or less, and 35% or less. It is more preferable.

BaOは屈折率を向上させると同時に溶解性を向上させる成分であるが、ガラスの安定性を維持して、均質なガラスを得るために、その含有量は20%以下であることが好ましく、15%以下であることがより好ましい。   BaO is a component that improves the refractive index and at the same time improves the solubility, but in order to maintain the stability of the glass and obtain a homogeneous glass, its content is preferably 20% or less, 15 % Or less is more preferable.

MgO、CaO、SrO、ZnOはガラスの溶解性を向上させる成分であり、適度に添加するとガラスの耐失透性を低下させることができるが、失透性を抑えて均質なガラスを得るために、その含有量はそれぞれ20%以下であることが好ましく、15%以下であることがより好ましい。   MgO, CaO, SrO, and ZnO are components that improve the solubility of the glass. If added appropriately, the devitrification resistance of the glass can be reduced, but in order to suppress the devitrification and obtain a homogeneous glass The content thereof is preferably 20% or less, and more preferably 15% or less.

本発明の目的に合致させるためには、以上に記載の成分の合量は90%以上であることが望ましい。また、以上に記載の成分以外であっても、清澄、溶解性向上などの目的で本発明の効果を損なわない範囲で添加しても良い。このような成分として、例えば、Sb、SnO、GeO、Ga、In、WO、Ta、La、Gd、Y、Ybが挙げられる。 In order to meet the object of the present invention, the total amount of the components described above is desirably 90% or more. In addition, components other than those described above may be added within the range not impairing the effects of the present invention for the purpose of clarifying and improving solubility. Examples of such components include Sb 2 O 3 , SnO 2 , GeO 2 , Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , WO 3 , Ta 2 O 5 , La 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Y 2 O. 3 and Yb 2 O 3 .

[4] Biを主成分として含有し、ガラス形成助剤としてSiO、Bなどを含有する散乱層は、モル%表記で、Bi10〜50%、B1〜95%、SiO0〜30%、ただし、B+SiO10〜40%、P0〜20%、LiO0〜15%、NaO0〜15%、KO0〜15%、TiO0〜20%、Nb0〜20%、TeO0〜20%、MgO0〜10%、CaO0〜10%、SrO0〜10%、BaO0〜10%、GeO0〜10%、Ga0〜10%の組成範囲のガラスが好ましい。 [4] The scattering layer containing Bi 2 O 3 as a main component and containing SiO 2 , B 2 O 3, etc. as a glass forming aid is expressed in mol%, Bi 2 O 3 10-50%, B 2 O 3 1-95%, SiO 2 0-30%, but B 2 O 3 + SiO 2 10-40%, P 2 O 5 0-20%, Li 2 O 0-15%, Na 2 O 0-15%, K 2 O 0-15%, TiO 2 0-20%, Nb 2 O 5 0-20%, TeO 2 0-20%, MgO 0-10%, CaO 0-10%, SrO 0-10%, BaO 0-10%, A glass having a composition range of GeO 2 0 to 10% and Ga 2 O 3 0 to 10% is preferable.

各成分の効果は、モル%表記で、以下の通りである。   The effect of each component is as follows in terms of mol%.

Biは、高屈折率を達成し、かつ多量に導入しても安定にガラスを形成する必須成分である。そのため、その含有量は、10%以上が好ましく、15%以上がより好ましい。一方、ガラスの着色及びそれによる光の吸収を防止して取り出し効率を維持すると共に、失透を防止して均質なガラスを得るために、その含有量は50%以下であることが好ましく、45%以下であることがより好ましい。 Bi 2 O 3 is an essential component that achieves a high refractive index and stably forms glass even when introduced in a large amount. Therefore, the content is preferably 10% or more, and more preferably 15% or more. On the other hand, in order to prevent the coloring of the glass and the absorption of light thereby to maintain the extraction efficiency and to prevent the devitrification and obtain a homogeneous glass, its content is preferably 50% or less, 45 % Or less is more preferable.

は、Biを多量に含むガラスにおいて、ネットワークフォーマとして働き、ガラス形成を助ける必須成分であり、その含有量は、1%以上が好ましく、3%以上がより好ましい。一方、ガラスの屈折率の低下を防止するために、その含有量は、95%以下であることが好ましく、90%以下であることがより好ましい。 B 2 O 3 is an essential component that works as a network former and assists glass formation in a glass containing a large amount of Bi 2 O 3 , and its content is preferably 1% or more, and more preferably 3% or more. On the other hand, in order to prevent a decrease in the refractive index of the glass, the content is preferably 95% or less, more preferably 90% or less.

SiOは、Biをネットワークフォーマとしてガラス形成を助ける働きをする成分であるが、屈折率の低下を防止すると共に、SiOの結晶化を抑制するために、その含有量は、30%以下であることが好ましく、25%以下であることがより好ましい。 SiO 2 is a component that works to assist glass formation using Bi 2 O 3 as a network former, but in order to prevent a decrease in refractive index and suppress crystallization of SiO 2 , its content is 30 % Or less, and more preferably 25% or less.

とSiOは、組合わせることによってガラス形成を向上させるため、その合量は5%以上であることが好ましく、10%以上であることがより好ましい。一方、屈折率の低下を防止するために、その含有量は40%以下であることが好ましく、38%であることがより好ましい。 B 2 O 3 and SiO 2, for improving the glass formed by combining, total amount thereof is preferably 5% or more, more preferably 10% or more. On the other hand, in order to prevent a decrease in refractive index, the content is preferably 40% or less, and more preferably 38%.

また、BaOの含有量が大きいと、るつぼを侵食、溶解させるため、高価な耐侵食性のるつぼを必要とし、製造コストが高くなることから、10%以下とすることが好ましい。   In addition, when the content of BaO is large, the crucible is eroded and dissolved, so that an expensive erosion-resistant crucible is required and the manufacturing cost is increased.

は、ガラス形成を助けるとともに、着色度の悪化を抑制する成分であるが、屈折率を維持するために、20%以下であることが好ましく、18%以下であることがより好ましい。 P 2 O 5 is a component that assists in glass formation and suppresses deterioration of the degree of coloring, but is preferably 20% or less, and more preferably 18% or less in order to maintain the refractive index. .

LiO、NaO、KOは、ガラス溶解性を向上させ、さらにガラス転移温度を低下させるための成分であるが、ガラスの耐失透性を維持し、均質なガラスを得るために、それぞれ15%以下であることが好ましく、13%以下であることがより好ましい。また、以上のアルカリ酸化物成分の合量、LiO+NaO+KOが多すぎると屈折率の低下を招き、さらにガラスの耐失透性を低下させるため、良好な屈折率と耐失透性のために、30%以下であることが好ましく、25%以下であることがより好ましい。 Li 2 O, Na 2 O, and K 2 O are components for improving the glass solubility and further lowering the glass transition temperature. In order to maintain the devitrification resistance of the glass and obtain a homogeneous glass. Further, it is preferably 15% or less, more preferably 13% or less. Further, if the total amount of the above alkali oxide components, too much Li 2 O + Na 2 O + K 2 O, the refractive index is lowered, and the devitrification resistance of the glass is further lowered. In view of the properties, it is preferably 30% or less, and more preferably 25% or less.

TiOは、屈折率を向上させる成分であるが、着色を防止し、耐失透性を維持して、均質なガラスを得るために、その含有量は20%以下であることが好ましく、18%以下であることがより好ましい。 TiO 2 is a component that improves the refractive index, but in order to prevent coloration, maintain devitrification resistance, and obtain a homogeneous glass, its content is preferably 20% or less, 18 % Or less is more preferable.

Nbは屈折率を向上させる成分であるが、ガラスの耐失透性を維持して安定なガラスを得るために、その含有量は20%以下であることが好ましく、18%以下であることがさらに好ましい。 Nb 2 O 5 is a component that improves the refractive index, but in order to maintain the devitrification resistance of the glass and obtain a stable glass, its content is preferably 20% or less, and 18% or less. More preferably it is.

TeOは着色度を悪化させずに屈折率を向上させる成分であるが、耐失透性を維持し、フリット化したのちに焼成した時の着色を防止するために、その含有量は20%以下であることが好ましく、15%以下であることがより好ましい。 TeO 2 is a component that improves the refractive index without deteriorating the degree of coloring, but its content is 20% in order to maintain devitrification resistance and prevent coloring when fired after frit formation. Or less, and more preferably 15% or less.

GeOは、屈折率を比較的高く維持しつつ、ガラスの安定性を向上させる成分であるが、極めて高価であるため、コスト低減のために、その含有量は10%以下であることが好ましく、8%以下であることがより好ましく、含まないことがさらに好ましい。 GeO 2 is a component that improves the stability of the glass while maintaining a relatively high refractive index. However, since it is extremely expensive, its content is preferably 10% or less in order to reduce costs. More preferably, it is 8% or less, and even more preferably not.

Gaは、屈折率を比較的高く維持しつつ、ガラスの安定性を向上させる成分であるが、極めて高価であるため、コスト低減のために、その含有量は10%以下であることが好ましく、8%以下であることがより好ましく、含まないことがさらに好ましい。 Ga 2 O 3 is a component that improves the stability of the glass while maintaining a relatively high refractive index. However, since it is extremely expensive, its content is 10% or less in order to reduce costs. Is preferable, it is more preferable that it is 8% or less, and it is still more preferable not to contain.

本発明の目的に合致させるためには、以上に記載の成分の合量は90%以上であることが望ましく、95%以上であることがさらに好ましい。以上に記載の成分以外であっても、清澄、溶解性向上、屈折率調整などの目的で本発明の効果を損なわない範囲で添加しても良い。このような成分として、例えば、Sb、SnO、In、ZrO、Ta、WO、La、Gd、Y、Yb、Alが挙げられる。 In order to meet the object of the present invention, the total amount of the components described above is desirably 90% or more, and more preferably 95% or more. Even components other than those described above may be added within the range not impairing the effects of the present invention for purposes such as clarifying, improving solubility, and adjusting the refractive index. Examples of such components include Sb 2 O 3 , SnO 2 , In 2 O 3 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , WO 3 , La 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Y 2 O 3 , Yb 2 O. 3 and Al 2 O 3 .

なお、本発明において散乱層として使用する全てのガラス系において、環境に対して悪影響を及ぼす成分である、As、PbO、CdO、ThO、HgOについては、原料由来の不純物としてやむを得ず混入する場合を除いて含んでいてはならない。 In all glass systems used as the scattering layer in the present invention, As 2 O 3 , PbO, CdO, ThO 2 , and HgO, which are components that adversely affect the environment, are inevitably mixed as impurities derived from the raw materials. It must not be included except when doing so.

更にまた、屈折率が低くてよい場合には、RO−RO−BaO−B−SiO、RO−Al−P、RO−B−SiO(ROは、LiO、NaO、KOのいずれかであり、ROは、MgO、CaO、SrOのいずれか)等を用いることができる。 Furthermore, when the refractive index may be low, R 2 O—RO—BaO—B 2 O 3 —SiO 2 , RO—Al 2 O 3 —P 2 O 5 , R 2 O—B 2 O 3 — SiO 2 (R 2 O is any one of Li 2 O, Na 2 O, and K 2 O, and RO is any one of MgO, CaO, and SrO) can be used.

本発明に係る散乱層を形成するガラス組成として、好ましい具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。なお、下表における数値はモル比を表す。   Preferred specific examples of the glass composition for forming the scattering layer according to the present invention are shown below, but are not limited thereto. In addition, the numerical value in the following table represents molar ratio.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

〈樹脂〉
樹脂は、スクリーン印刷後、塗膜中のガラス粉末、フィラーを支持するために用いられる。樹脂の具体例としては、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂、酢酸ビニル、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、ロジン樹脂などが挙げられる。主剤として用いられる樹脂としては、エチルセルロースとニトロセルロースが挙げられる。なお、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、ロジン樹脂は通常塗膜強度向上の為の添加剤として用いられる。焼成時の脱バインダ温度は、エチルセルロースで350℃から400℃、ニトロセルロースで200℃から300℃である。
<resin>
The resin is used to support the glass powder and filler in the coating film after screen printing. Specific examples of the resin include ethyl cellulose, nitrocellulose, acrylic resin, vinyl acetate, butyral resin, melamine resin, alkyd resin, and rosin resin. Examples of the resin used as the main agent include ethyl cellulose and nitrocellulose. Butyral resin, melamine resin, alkyd resin, and rosin resin are usually used as additives for improving the strength of the coating film. The binder removal temperature during firing is 350 ° C. to 400 ° C. for ethyl cellulose and 200 ° C. to 300 ° C. for nitrocellulose.

〈溶剤〉
溶剤は、樹脂を溶解し、かつフリットペーストを印刷に必要な粘度に調整するために用いられる。また、用いる溶剤は、印刷中には乾燥せず、乾燥工程では、すばやく乾燥するものが好ましく、沸点200℃から230℃のものが望ましい。溶剤は、粘度、固形分比、乾燥速度調整のため2種以上をブレンドして用いてもよい。
<solvent>
The solvent is used to dissolve the resin and adjust the frit paste to the viscosity required for printing. Moreover, the solvent to be used is not dried during printing, and is preferably dried quickly in the drying step, and preferably has a boiling point of 200 ° C. to 230 ° C. Two or more solvents may be blended for adjusting the viscosity, solid content ratio, and drying speed.

溶剤の具体例としては、スクリーン印刷時のペーストの乾燥適合性からエーテル系溶剤(ブチルカルビトール(BC)、ブチルカルビトールアセテート(BCA)、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、酢酸ブチルセロソルブ)、アルコール系溶剤(α−テルピネオール、パインオイル、ダワノール)、エステル系溶剤(2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート)、フタル酸エステル系溶剤(DBP(ジブチルフタレート)、DMP(ジメチルフタレート)、DOP(ジオクチルフタレート))などが挙げられる。主に用いられている溶剤は、α−テルピネオールや2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート)である。なお、DBP(ジブチルフタレート)、DMP(ジメチルフタレート)、DOP(ジオクチルフタレート)は、可塑剤としても機能する。   Specific examples of the solvent include ether solvents (butyl carbitol (BC), butyl carbitol acetate (BCA), diethylene glycol di-n-butyl ether, dipropylene glycol butyl ether, tripropylene due to the dry compatibility of the paste during screen printing. Glycol butyl ether, butyl cellosolve), alcohol solvents (α-terpineol, pine oil, dawanol), ester solvents (2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate), phthalate ester solvents (DBP (dibutyl phthalate), DMP (dimethyl phthalate), DOP (dioctyl phthalate)) and the like. Mainly used solvents are α-terpineol and 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate). DBP (dibutyl phthalate), DMP (dimethyl phthalate), and DOP (dioctyl phthalate) also function as a plasticizer.

〈その他〉
フリットペーストには、粘度調整、フリット分散促進の為、界面活性剤を使用してもよい。フリット表面改質の為、シランカップリング剤を使用してもよい。
<Others>
In the frit paste, a surfactant may be used for viscosity adjustment and frit dispersion promotion. A silane coupling agent may be used to modify the frit surface.

(フリットペースト膜の形成方法)
〈フリットペースト〉
上記のガラス粉末とビヒクルを準備する。ここで、ビヒクルとは、上記の樹脂、溶剤、界面活性剤等を混合したものをいう。具体的には、50℃〜80℃に加熱した溶剤中に樹脂、界面活性剤などを投入し、その後4時間から12時間程度静置した後、濾過して調製。
(Method for forming frit paste film)
<Frit paste>
Prepare the above glass powder and vehicle. Here, the vehicle refers to a mixture of the above resin, solvent, surfactant and the like. Specifically, a resin, a surfactant, and the like are put in a solvent heated to 50 ° C. to 80 ° C., and then allowed to stand for about 4 to 12 hours, and then filtered.

次に、ガラス粉末とビヒクルとを、プラネタリーミキサーで混合した後、3本ロールで均一分散させる。その後、粘度調整のため、混練機で混練する。通常、ガラス材料40〜80重量%に対してビヒクル20〜60重量%とする。   Next, the glass powder and the vehicle are mixed with a planetary mixer and then uniformly dispersed with three rolls. Thereafter, the mixture is kneaded with a kneader to adjust the viscosity. Usually, the vehicle is 20 to 60% by weight with respect to 40 to 80% by weight of the glass material.

ここで用いるガラス粉末としては、粒径D10が0.2μm以上で、かつD90が5μm以下であるものを用いることが望ましい。粒径D90が5μmを以下であれば、形成される散乱層の表面の均一性が良好となる。一方、粒径D10が0.2μm以上であれば、界面の存在比率が下がり、結晶が析出し難く、失透し難く好ましい。 The glass powder used herein, in the particle diameter D 10 of 0.2μm or more and it is desirable to use a D 90 of at 5μm or less. If the particle size D90 is 5 μm or less, the uniformity of the surface of the formed scattering layer will be good. On the other hand, if the particle diameter D 10 of 0.2μm or more, lower the existence ratio of the interface, crystals hardly precipitate, loss hardly watermarks preferred.

〈印刷〉
上記のようにして調製したフリットペーストをスクリーン印刷機を用いて印刷する。この際、スクリーン版のメッッシュ粗さ、乳剤の厚み、印刷時の押し圧、スキージ押し込み量などで形成される、フリットペースト膜の膜厚を制御できる。印刷後は焼成炉で乾燥させる。
<printing>
The frit paste prepared as described above is printed using a screen printer. At this time, it is possible to control the film thickness of the frit paste film formed by the screen plate mesh roughness, emulsion thickness, pressing pressure during printing, squeegee pressing amount, and the like. After printing, it is dried in a baking oven.

〈焼成〉
次いで印刷、乾燥した基板を焼成炉で焼成する。焼成は、フリットペースト中の樹脂を分解・消失させる脱バインダ処理とガラス粉末を焼結、軟化させる焼成処理からなる。脱バインダ温度は、エチルセルロースで350℃〜400℃、ニトロセルロースで200℃〜300℃であり、30分から1時間大気雰囲気で加熱する。その後温度を上げて、ガラスを焼結、軟化させる。焼成温度は軟化温度から軟化温度+20℃であり、処理温度により内部に残存する気泡の形状、大きさが異なるが全面に均一に塗布された膜を焼成しているため、基本的には面内にわたって均一な気泡分布を持つように形成される。その後、冷却して基板上にガラス層が形成される。得られる膜の厚さは、5μm〜30μmであるが、印刷時に積層することでさらに厚いガラス層が形成可能である。
<Baking>
Next, the printed and dried substrate is baked in a baking furnace. Firing consists of a binder removal process for decomposing and disappearing the resin in the frit paste and a firing process for sintering and softening the glass powder. The binder removal temperature is 350 ° C. to 400 ° C. for ethyl cellulose and 200 ° C. to 300 ° C. for nitrocellulose, and heating is performed in an air atmosphere for 30 minutes to 1 hour. Thereafter, the temperature is raised to sinter and soften the glass. The firing temperature is from the softening temperature to the softening temperature + 20 ° C., and the shape and size of the bubbles remaining inside varies depending on the processing temperature, but the film uniformly applied to the entire surface is fired. It is formed so as to have a uniform bubble distribution over. Then, it cools and a glass layer is formed on a board | substrate. The thickness of the obtained film is 5 μm to 30 μm, but a thicker glass layer can be formed by laminating at the time of printing.

なお、上記で印刷工程をドクターブレード印刷法、ダイコート印刷法を用いると、より厚い膜形成が可能となる(グリーンシート印刷)。例えば、PETフィルム等の上に膜を形成した後、乾燥するとグリーンシートが得られる。次いでローラー等によりグリーンシートを基板上に熱圧着し、フリットペーストと同様の焼成工程を経て焼成膜を得る。得られる膜の厚さは、50μm〜400μmであるが、グリーンシートを積層して用いることにより、さらに厚いガラス膜が形成可能である。   If a doctor blade printing method or a die coat printing method is used for the printing process as described above, a thicker film can be formed (green sheet printing). For example, when a film is formed on a PET film or the like and then dried, a green sheet is obtained. Next, the green sheet is thermocompression-bonded on the substrate with a roller or the like, and a fired film is obtained through the same firing process as that of the frit paste. The thickness of the obtained film is 50 μm to 400 μm, but a thicker glass film can be formed by stacking green sheets.

なお、前記(1)の散乱体分布を有する散乱層を形成するためには、以下のような方法を採用すればよい。
ガラス基板に塗布したガラスフリットを含むインクを、ガラスフリットインクの軟化温度より10〜20℃高い温度で加熱処理を行うことにより、ガラスフリットを高粘度のガラス溶融体にする。この際、ガラスフリットインクに含有されるヒビクル樹脂の熱分解で生じた0.1〜10μm径の熱分解ガス気泡は、高粘度のガラス材料中では移動速度が遅い。その結果、ガラスインクによって形成された層の透明電極に近い部分にある気泡は、移動し、大気中へガスを放出し、消滅するが、透明電極と反対側の気泡はガラスインクによって形成された層中に残留し、前記(1)の散乱体分布を形成できる。
In order to form the scattering layer having the scatterer distribution (1), the following method may be employed.
The ink containing the glass frit applied to the glass substrate is subjected to a heat treatment at a temperature 10 to 20 ° C. higher than the softening temperature of the glass frit ink, whereby the glass frit is made into a high-viscosity glass melt. At this time, pyrolytic gas bubbles having a diameter of 0.1 to 10 μm generated by thermal decomposition of the vehicle resin contained in the glass frit ink have a low moving speed in a glass material having a high viscosity. As a result, the bubbles near the transparent electrode in the layer formed by the glass ink move, release the gas into the atmosphere, and disappear, but the bubbles on the opposite side of the transparent electrode were formed by the glass ink. The scatterer distribution of (1) can be formed by remaining in the layer.

また、前記(2)の散乱体分布を有する散乱層を形成するためには、以下のような方法を採用すればよい。
ガラス基板に塗布されたガラスフリットインク層は、当該インクの軟化温度より高温で焼成した場合、焼成温度が高くなるにつれて、層内のガラスフリット溶融体の粘度が低下する。これに伴い、ガラスフリットインク層内に発生した気泡の移動速度が上昇し、大きな径の気泡が層表面に移動し、大気中へガスを放出して消滅する。併せて、層の厚み方向における気泡(つまり散乱体)の数密度の差が小さくなり、インクの軟化温度より100℃以上高温になると、層内の散乱体の数密度は、厚み方向においてほぼ一定となる。
Moreover, in order to form the scattering layer having the scatterer distribution of (2), the following method may be employed.
When the glass frit ink layer applied to the glass substrate is baked at a temperature higher than the softening temperature of the ink, the viscosity of the glass frit melt in the layer decreases as the baking temperature increases. Along with this, the moving speed of the bubbles generated in the glass frit ink layer increases, the bubbles having a large diameter move to the surface of the layer, and the gas is discharged into the atmosphere and disappears. At the same time, the difference in the number density of bubbles (that is, scatterers) in the thickness direction of the layer becomes small, and when the temperature becomes higher by 100 ° C. or more than the softening temperature of the ink, the number density of scatterers in the layer is almost constant in the thickness direction It becomes.

このようなガラスフリットインク層の性質を利用し、例えば上記(1)の散乱体分布を有する散乱体の形成方法に記載されたガラスフリットインクの塗布、及び焼成等の工程を繰り返し行い、2層以上の散乱層を積層形成する。形成された積層散乱層の下層にある散乱層は、焼成が2回行われたため、気泡の数密度が上層の散乱層の気泡の数密度より低くなる。よって、上層にある散乱層の膜厚を下層より薄くすることにより前記(2)の散乱体分布が形成される。   By utilizing such properties of the glass frit ink layer, for example, the steps of applying and baking the glass frit ink described in the method for forming a scatterer having the scatterer distribution in (1) above are repeated to form two layers. The above scattering layers are laminated. Since the scattering layer in the lower layer of the formed multilayer scattering layer has been fired twice, the number density of bubbles is lower than the number density of bubbles in the upper scattering layer. Therefore, the scatterer distribution of (2) is formed by making the thickness of the scattering layer in the upper layer thinner than that of the lower layer.

また、積層するそれぞれの散乱層の膜厚や加熱条件等を適宜選択することにより散乱層内に散乱体が均一に分散した散乱層を形成することができる。   In addition, a scattering layer in which scatterers are uniformly dispersed in the scattering layer can be formed by appropriately selecting the thickness of each scattering layer to be laminated, heating conditions, and the like.

更に、ガラス未溶融核よりなる散乱体が分布した散乱層を形成するには、以下のような方法を採用すればよい。
ヒビクル等の樹脂成分を除いたガラスフリットインクによって形成された層をガラス材料の軟化点温度より10℃程度高い温度にて焼成処理を行うと、ガラスフリットの粒子の外側は溶融するが、中心部分は未溶融状態からなる状態のガラスフリット溶融層が形成される。
Furthermore, in order to form a scattering layer in which scatterers made of glass unmelted nuclei are distributed, the following method may be employed.
When a layer formed of glass frit ink excluding resin components such as a vehicle is baked at a temperature about 10 ° C. higher than the softening point temperature of the glass material, the outside of the glass frit particles melts, but the central portion A glass frit melted layer in an unmelted state is formed.

また、本発明に係る散乱層は、ガラス基板を兼ねるものであってもよく、この場合には、以下のようにして光散乱機能を有するガラス基板を作製することができる。
陶板上にガラスフリットインクを乾燥後の膜厚が10〜20mmとなるように塗布、焼成して散乱層を形成した後、自然放冷し、陶板を外し、散乱層よりなるガラス基板を形成する。次いで、当該ガラス基板の両面を研磨して厚み調整し、光散乱機能を有するガラス基板を得る。
The scattering layer according to the present invention may also serve as a glass substrate. In this case, a glass substrate having a light scattering function can be produced as follows.
A glass frit ink is applied on a porcelain plate so that the film thickness after drying is 10 to 20 mm, fired to form a scattering layer, and then naturally cooled, the porcelain plate is removed, and a glass substrate made of the scattering layer is formed. . Next, both surfaces of the glass substrate are polished and the thickness is adjusted to obtain a glass substrate having a light scattering function.

<透過率>
散乱層を形成したガラス基板について、後述の実施例の項に記載の方法で測定される波長610nmにおける光の透過率は90%以下、特に80%以下であることが光の散乱効率が高く好ましい。
<Transmissivity>
With respect to the glass substrate on which the scattering layer is formed, the light transmittance at a wavelength of 610 nm measured by the method described in the Examples section below is preferably 90% or less, particularly preferably 80% or less because of high light scattering efficiency. .

<平坦膜>
本発明にかかる散乱層には、必要に応じ、散乱層の表面を平滑にする目的で、更に光又は熱硬化性の有機もしくは無機被覆材を散乱層上に塗布して平坦膜を設けることもできる。かかる平坦膜の厚みは、0.001〜5μmであることが好ましく、0.005〜2μmであることがより好ましく、0.01〜1μmであることが更に好ましい。
尚、この平坦膜形成のための被覆材として、油化電子社製アクリル系光硬化樹脂UV1000、大阪ガス化学社製熱硬化樹脂オグソール2A200、ダウコーニング社製シリコン系熱硬化樹脂OE−6665A/B、日興社製液体ガラスデオスコートG等を挙げることができる。
<Flat film>
For the purpose of smoothing the surface of the scattering layer, the scattering layer according to the present invention may be further provided with a flat film by applying a light or thermosetting organic or inorganic coating material on the scattering layer. it can. The thickness of the flat film is preferably 0.001 to 5 μm, more preferably 0.005 to 2 μm, and still more preferably 0.01 to 1 μm.
As a coating material for forming the flat film, Yuka Denshi Co., Ltd. acrylic photo-curing resin UV1000, Osaka Gas Chemical Co., Ltd. thermosetting resin Ogsol 2A200, Dow Corning Co., Ltd. silicon-based thermosetting resin OE-6665A / B. , Nikko Co., Ltd. liquid glass deoscoat G etc. can be mentioned.

[陽極]
陽極2は発光層5側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
[anode]
The anode 2 plays the role of hole injection into the layer on the light emitting layer 5 side.

陽極は、発光層5で発生した光を外部に取り出すために、80%以上の透光性が要求される。また、多くの正孔を注入するため、仕事関数が高いものが要求される。具体的には、ITO、SnO、ZnO、IZO(Indium Zinc Oxide)、AZO(ZnO−Al:アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物)、GZO(ZnO-Ga:ガリウムがドーピングされた亜鉛酸化物)、NbドープTiO、TaドープTiOなどの材料が用いられる。 The anode is required to have a translucency of 80% or more in order to extract the light generated in the light emitting layer 5 to the outside. In addition, a high work function is required to inject many holes. Specifically, ITO, SnO 2 , ZnO, IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (ZnO—Al 2 O 3 : zinc oxide doped with aluminum), GZO (ZnO—Ga 2 O 3 : gallium doped) Zb oxide), Nb-doped TiO 2 , Ta-doped TiO 2 and the like are used.

陽極の屈折率は、1.9〜2.2である。ここで、キャリア濃度を増加させると、ITOの屈折率を低下させることができる。市販されているITOは、SnOが10重量%が標準となっているが、これより、Sn濃度を増やすことで、ITOの屈折率を下げることができる。但し、Sn濃度増加により、キャリア濃度は増加するが、移動度及び透過率の低下がある為、これらのバランスをとって、Sn量を決める必要がある。ここで、ITOの屈折率は、散乱層を構成するベース材の屈折率や反射電極となる陰極9の屈折率を考慮して決定することが好ましい。陽極2のITOの屈折率と散乱層1のベース材の屈折率との差は0.2以下で高いことが好ましい。 The refractive index of the anode is 1.9 to 2.2. Here, when the carrier concentration is increased, the refractive index of ITO can be lowered. In the case of commercially available ITO, SnO 2 is 10% by weight as a standard. From this, the refractive index of ITO can be lowered by increasing the Sn concentration. However, although the carrier concentration increases with an increase in Sn concentration, there is a decrease in mobility and transmittance, so it is necessary to determine the Sn amount by balancing these. Here, the refractive index of ITO is preferably determined in consideration of the refractive index of the base material constituting the scattering layer and the refractive index of the cathode 9 serving as the reflective electrode. The difference between the refractive index of ITO of the anode 2 and the refractive index of the base material of the scattering layer 1 is preferably 0.2 or less and high.

陽極の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法、及び湿式塗布法等により行われることが多い。
陽極は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
In general, the anode is often formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, a wet coating method, or the like.
The anode usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure composed of a plurality of materials if desired.

陽極の厚みは、通常10〜500nm、好ましくは70〜150nmである。陽極の厚みが上記下限以上であることにより、光取り出し効率が向上し、また、電気抵抗が低下して素子発光時の電圧を低くすることができる。陽極の厚みが上記上限以下であることにより透明性が高められる。   The thickness of the anode is usually 10 to 500 nm, preferably 70 to 150 nm. When the thickness of the anode is not less than the above lower limit, the light extraction efficiency can be improved, and the electric resistance can be lowered to reduce the voltage during device light emission. Transparency is enhanced when the thickness of the anode is not more than the above upper limit.

陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。   The surface of the anode is treated with ultraviolet (UV) / ozone, oxygen plasma, or argon plasma for the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve hole injection. Is preferred.

[正孔注入層]
正孔注入層3は、陽極2から発光層5へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極2上に形成される。
[Hole injection layer]
The hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5, and is usually formed on the anode 2.

本発明に係る正孔注入層の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット及び両電極間の短絡低減の観点から正孔注入層を湿式成膜法により形成することが好ましい。   The method for forming the hole injection layer according to the present invention may be either a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole injection layer is formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots and short-circuits between both electrodes. It is preferable to form by a method.

正孔注入層の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。   The thickness of the hole injection layer is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

{湿式成膜法による正孔注入層の形成}
湿式成膜により正孔注入層を形成する場合、通常は、正孔注入層を構成する材料を適切な溶剤(正孔注入層用溶剤)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層の下層に該当する層(通常は、陽極)上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。
{Formation of hole injection layer by wet film formation method}
When the hole injection layer is formed by wet film formation, the material for forming the hole injection layer is usually mixed with an appropriate solvent (hole injection layer solvent) to form a composition for film formation (hole injection). Layer forming composition), and applying this hole injection layer forming composition onto a layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer (usually an anode) by an appropriate technique, A hole injection layer is formed by drying.

{正孔輸送性化合物}
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。
{Hole transporting compound}
The composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transporting compound and a solvent as a constituent material of the hole injection layer.

正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。   The hole transporting compound is a compound having a hole transporting property that is usually used in a hole injection layer of an organic electroluminescence device, and may be a polymer compound or the like, a monomer or the like. Although it may be a low molecular weight compound, it is preferably a high molecular weight compound.

正孔輸送性化合物としては、陽極から正孔注入層への電荷注入障壁の観点から4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。   The hole transporting compound is preferably a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode to the hole injection layer. Examples of hole transporting compounds include aromatic amine derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl derivatives, compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group, hydrazone derivatives, silazane derivatives, silanamines Derivatives, phosphamine derivatives, quinacridone derivatives, polyaniline derivatives, polypyrrole derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyquinoline derivatives, polyquinoxaline derivatives, carbon and the like.

尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。   In the present invention, the derivative includes, for example, an aromatic amine derivative, and includes an aromatic amine itself and a compound having an aromatic amine as a main skeleton. It may be a mer.

正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種又は2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種又は2種以上とを併用することが好ましい。   The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. In the case of containing two or more kinds of hole transporting compounds, the combination is arbitrary, but one or more kinds of aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two kinds of other hole transporting compounds. It is preferable to use the above in combination.

上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。   Among the above examples, an aromatic amine compound is preferable from the viewpoint of amorphousness and visible light transmittance, and an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型化合物)がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式(I)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。   The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerizable compound in which repeating units are linked) is further included. preferable. Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (I).

Figure 0006003021
Figure 0006003021

(式(I)中、Ar及びArは、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar〜Arは、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Zは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ar〜Arのうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。 (In the formula (I), Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. .Ar 3 to Ar 5, the .Z b representing each independently, may have a which may have aromatic hydrocarbon group or a substituent substituted aromatic heterocyclic group, the following In addition, two groups bonded to the same N atom among Ar 1 to Ar 5 may be bonded to each other to form a ring.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

(上記各式中、Ar〜Ar16は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。R及びRは、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。)) (In the above formulas, Ar 6 to Ar 16 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.))

Ar〜Ar16の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。 As the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 , a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene from the viewpoint of the solubility, heat resistance, hole injection / transport property of the polymer compound A group derived from a ring or a pyridine ring is preferred, and a group derived from a benzene ring or a naphthalene ring is more preferred.

Ar〜Ar16の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。 The aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less. As the substituent, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group and the like are preferable.

及びRが任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。 When R 1 and R 2 are optional substituents, examples of the substituent include alkyl groups, alkenyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxy groups, aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic groups, and the like. .

式(I)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載のものが挙げられる。   Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the formula (I) include those described in International Publication No. 2005/089024.

また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4−ethylenedioxythiophene(3,4−エチレンジオキシチオフェン)を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー(PEDOT/PSS)もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。   In addition, as a hole transporting compound, a conductive polymer (PEDOT / PSS) obtained by polymerizing 3,4-ethylenedioxythiophene (3,4-ethylenedioxythiophene), which is a derivative of polythiophene, in high molecular weight polystyrene sulfonic acid. Is also preferred. Moreover, the end of this polymer may be capped with methacrylate or the like.

尚、正孔輸送性化合物は、下記<正孔輸送層>の項に記載の架橋性重合体であってもよい。該架橋性重合体を用いた場合の成膜方法についても同様である。   The hole transporting compound may be a crosslinkable polymer described in the section <Hole transporting layer> below. The same applies to the film formation method when the crosslinkable polymer is used.

正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、また、通常70重量%以下、好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。この濃度が上記上限以下であると膜厚ムラが防止され、また、上記下限以上であると成膜された正孔注入層の欠陥が防止される。   The concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01% by weight or more, preferably in terms of film thickness uniformity. Is 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. When this concentration is not more than the above upper limit, film thickness unevenness is prevented, and when it is not less than the above lower limit, defects in the formed hole injection layer are prevented.

{電子受容性化合物}
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
{Electron-accepting compound}
The composition for forming a hole injection layer preferably contains an electron accepting compound as a constituent material of the hole injection layer.

電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。   The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is further more preferable.

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンダフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩(国際公開2005/089024号パンフレット);塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンダフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素;ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。   Examples of such electron-accepting compounds include triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. Examples thereof include one or more compounds selected from the group. More specifically, an onium salt substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate (International Publication No. WO 2005/089024); High valent inorganic compounds such as iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067), ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris (pendafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365) Aromatic boron compounds such as); fullerene derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and the like.

これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。   These electron accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer by oxidizing the hole transporting compound.

正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常0.1モル%以上、好ましくは1モル%以上である。但し、通常100モル%以下、好ましくは40モル%以下である。   The content of the electron-accepting compound in the hole-injecting layer or the composition for forming a hole-injecting layer with respect to the hole-transporting compound is usually 0.1 mol% or more, preferably 1 mol% or more. However, it is usually 100 mol% or less, preferably 40 mol% or less.

{その他の構成材料}
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
{Other components}
As a material for the hole injection layer, other components may be further contained in addition to the above-described hole transporting compound and electron accepting compound as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Examples of other components include various light emitting materials, electron transporting compounds, binder resins, and coating property improving agents. In addition, only 1 type may be used for another component and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

{溶剤}
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも1種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常80℃以上、好ましくは100℃以上、中でも200℃以上、通常400℃以下、中でも300℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が上記下限以上であると、乾燥速度が速すぎず、膜質の悪化が防止される。また、溶剤の沸点が上記上限以下であると乾燥工程の温度を高くする必要がなく、他の層や基板に悪影響を与える可能性がない。
{solvent}
At least one of the solvents of the composition for forming a hole injection layer used in the wet film formation method is preferably a compound that can dissolve the constituent material of the hole injection layer. The boiling point of this solvent is usually 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, particularly 200 ° C. or higher, usually 400 ° C. or lower, and preferably 300 ° C. or lower. When the boiling point of the solvent is not less than the above lower limit, the drying speed is not too fast, and deterioration of the film quality is prevented. Moreover, when the boiling point of the solvent is not more than the above upper limit, it is not necessary to increase the temperature of the drying step, and there is no possibility of adversely affecting other layers and the substrate.

溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。   Examples of the solvent include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, amide solvents, and the like.

エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。   Examples of ether solvents include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, aromatic ethers such as 2,4-dimethylanisole, and the like.

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。   Examples of the ester solvent include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.

芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3−イロプロピルビフェニル、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylpropylphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene, and methylnaphthalene. Can be mentioned.

アミド系溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。   Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and the like.

その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
これらの溶剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
In addition, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.
These solvent may use only 1 type and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio.

{成膜方法}
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層の下層に該当する層(通常は、陽極)上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。
{Film formation method}
After preparing the composition for forming the hole injection layer, the composition is applied to the layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer (usually an anode) by wet film formation, and dried to dry the hole. An injection layer is formed.

塗布工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、10℃以上が好ましく、50℃以下が好ましくい。   The temperature in the coating step is preferably 10 ° C. or higher and preferably 50 ° C. or lower in order to prevent film loss due to the formation of crystals in the composition.

塗布工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.01ppm以上、通常80%以下である。   Although the relative humidity in an application | coating process is not limited unless the effect of this invention is impaired remarkably, it is 0.01 ppm or more normally, and usually 80% or less.

塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。   After coating, the film of the composition for forming a hole injection layer is usually dried by heating or the like. Examples of the heating means used in the heating step include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, microwave irradiation and the like. Among them, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が2種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも1種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは120℃以上、好ましくは410℃以下で加熱することが好ましい。   The heating temperature in the heating step is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent used in the composition for forming a hole injection layer as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In the case of a mixed solvent containing two or more types of solvents used in the hole injection layer, at least one type is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent. In consideration of an increase in the boiling point of the solvent, the heating step is preferably performed at 120 ° C. or higher, preferably 410 ° C. or lower.

加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは10秒以上、通常180分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は2回に分けて行ってもよい。   In the heating step, the heating time is not limited as long as the heating temperature is not lower than the boiling point of the solvent of the composition for forming a hole injection layer and sufficient insolubilization of the coating film does not occur. Is less than a minute. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, the hole injection layer tends to be inhomogeneous. Heating may be performed in two steps.

{真空蒸着法による正孔注入層の形成}
真空蒸着により正孔注入層を形成する場合には、正孔注入層の構成材料(前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等)の1種又は2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層を形成することもできる。
{Formation of hole injection layer by vacuum evaporation}
When forming the hole injection layer by vacuum deposition, one or more of the constituent materials of the hole injection layer (the aforementioned hole transporting compound, electron accepting compound, etc.) are placed in a vacuum vessel. Put in crucibles (in case of using two or more kinds of materials, put them in each crucible), evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump, and then heat the crucible (two or more kinds) When using materials, heat each crucible) and evaporate by controlling the amount of evaporation (when using two or more materials, evaporate by independently controlling the amount of evaporation) and place it facing the crucible. A hole injection layer is formed on the anode of the substrate. In addition, when using 2 or more types of materials, those hole mixture layers can also be formed by putting them in a crucible and heating and evaporating them.

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1×10−6Torr(0.13×10−4Pa)以上、通常9.0×10−6Torr(12.0×10−4Pa)以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1Å/秒以上、通常5.0Å/秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは10℃以上で、好ましくは50℃以下で行われる。 The degree of vacuum at the time of vapor deposition is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1 × 10 −6 Torr (0.13 × 10 −4 Pa) or more, usually 9.0 × 10 −6 Torr. (12.0 × 10 −4 Pa) or less. The deposition rate is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1 Å / second or more and usually 5.0 Å / second or less. The film forming temperature at the time of vapor deposition is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 10 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or lower.

[正孔輸送層]
正孔輸送層4は、正孔注入層3の上に形成される。
[Hole transport layer]
The hole transport layer 4 is formed on the hole injection layer 3.

本発明に係る正孔輸送層の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット及び両電極間の短絡低減の観点から正孔輸送層を湿式成膜法により形成することが好ましい。   The method for forming the hole transport layer according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole transport layer is formed by wet film formation from the viewpoint of reducing dark spots and short-circuits between both electrodes. It is preferable to form by a method.

正孔輸送層を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層に接するため、発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。   The material for forming the hole transport layer is preferably a material having high hole transportability and capable of efficiently transporting injected holes. Therefore, it is preferable that the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities that become traps are not easily generated during manufacturing or use. In many cases, since it is in contact with the light emitting layer, it is preferable not to quench the light emitted from the light emitting layer or to reduce the efficiency by forming an exciplex with the light emitting layer.

このような正孔輸送層の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。   As a material of such a hole transport layer, any material that has been conventionally used as a constituent material of a hole transport layer may be used. For example, as a hole transport compound used in the above-described hole injection layer What was illustrated is mentioned. In addition, arylamine derivatives, fluorene derivatives, spiro derivatives, carbazole derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, silole derivatives, oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatics Group derivatives, metal complexes and the like.

また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
In addition, for example, polyvinylcarbazole derivatives, polyarylamine derivatives, polyvinyltriphenylamine derivatives, polyfluorene derivatives, polyarylene derivatives, polyarylene ether sulfone derivatives containing tetraphenylbenzidine, polyarylene vinylene derivatives, polysiloxane derivatives, polythiophenes Derivatives, poly (p-phenylene vinylene) derivatives, and the like. These may be any of an alternating copolymer, a random polymer, a block polymer, or a graft copolymer. Further, it may be a polymer having a branched main chain and three or more terminal portions, or a so-called dendrimer.
Of these, polyarylamine derivatives and polyarylene derivatives are preferred.

ポリアリールアミン誘導体としては、下記式(II)で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式(II)で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ar又はArが異なっているものであってもよい。 The polyarylamine derivative is preferably a polymer containing a repeating unit represented by the following formula (II). In particular, a polymer composed of a repeating unit represented by the following formula (II) is preferable. In this case, Ar a or Ar b may be different in each repeating unit.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

(式(II)中、Ar及びArは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。) (In formula (II), Ar a and Ar b each independently represent an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、6員環の単環又は2〜5縮合環由来の基及びこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent include, for example, a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and acenaphthene. Examples include a group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as a ring, a fluoranthene ring, a fluorene ring, and a group in which these rings are linked by a direct bond.

置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5又は6員環の単環又は2〜4縮合環由来の基及びこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。   Examples of the aromatic heterocyclic group which may have a substituent include a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, an indole ring, and a carbazole ring. , Pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine Ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. ring Are those groups group and the rings of from 2-4 fused ring is linked by a direct bond or two or more rings.

溶解性、耐熱性の点から、Ar及びArは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が2環以上連結してなる基(例えば、ビフェニル基(ビフェニル基)やターフェニレン基(ターフェニレン基))が好ましい。 From the viewpoints of solubility and heat resistance, Ar a and Ar b are each independently selected from the group consisting of a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, triphenylene ring, pyrene ring, thiophene ring, pyridine ring, and fluorene ring. A group derived from a selected ring or a group formed by linking two or more benzene rings (for example, a biphenyl group (biphenyl group) or a terphenylene group (terphenylene group)) is preferable.

中でも、ベンゼン環由来の基(フェニル基)、ベンゼン環が2環連結してなる基(ビフェニル基)及びフルオレン環由来の基(フルオレニル基)が好ましい。   Among these, a group derived from a benzene ring (phenyl group), a group formed by connecting two benzene rings (biphenyl group), and a group derived from a fluorene ring (fluorenyl group) are preferable.

Ar及びArにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。 Examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group in Ar a and Ar b may have include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkoxycarbonyl group, and a dialkyl. Examples thereof include an amino group, a diarylamino group, an acyl group, a halogen atom, a haloalkyl group, an alkylthio group, an arylthio group, a silyl group, a siloxy group, a cyano group, an aromatic hydrocarbon ring group, and an aromatic heterocyclic group.

ポリアリーレン誘導体としては、前記式(II)におけるArやArとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。 As a polyarylene derivative, an arylene group such as an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent exemplified as Ar a or Ar b in the formula (II) is used as a repeating unit. The polymer which has is mentioned.

ポリアリーレン誘導体としては、下記式(III-1)及び/又は下記式(III-2)からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。   As the polyarylene derivative, a polymer having a repeating unit composed of the following formula (III-1) and / or the following formula (III-2) is preferable.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

(式(III-1)中、R、R、R及びRは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。t及びsは、各々独立に、0〜3の整数を表す。t又はsが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のR又はRは同一であっても異なっていてもよく、隣接するR又はR同士で環を形成していてもよい。) (In formula (III-1), R a , R b , R c and R d are each independently an alkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, a phenylalkoxy group, a phenyl group, a phenoxy group, an alkylphenyl group, Represents an alkoxyphenyl group, an alkylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxy group, and t and s each independently represent an integer of 0 to 3. When t or s is 2 or more, they are contained in one molecule. A plurality of R a or R b may be the same or different, and adjacent R a or R b may form a ring.)

Figure 0006003021
Figure 0006003021

(式(III-2)中、R及びRは、各々独立に、上記式(III-1)におけるR、R、R又はRと同義である。r及びuは、各々独立に、0〜3の整数を表す。r又はuが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のR及びRは同一であっても異なっていてもよく、隣接するR又はR同士で環を形成していてもよい。Xは、5員環又は6員環を構成する原子又は原子群を表す。) (In the formula (III-2), R e and R f are each independently synonymous with R a , R b , R c or R d in the formula (III-1). Independently represents an integer of 0 to 3. When r or u is 2 or more, a plurality of R e and R f contained in one molecule may be the same or different, and adjacent R e or R f may form a ring, and X represents an atom or a group of atoms constituting a 5-membered ring or a 6-membered ring.)

Xの具体例としては、―O―、―BR―、―NR―、―SiR―、―PR―、―SR―、―CR―又はこれらが結合してなる基である。尚、Rは、水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。 Specific examples of X are —O—, —BR—, —NR—, —SiR 2 —, —PR—, —SR—, —CR 2 —, or a group formed by bonding thereof. R represents a hydrogen atom or an arbitrary organic group. The organic group in the present invention is a group containing at least one carbon atom.

また、ポリアリーレン誘導体としては、前記式(III-1)及び/又は前記式(III-2)からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式(III-3)で表される繰り返し単位を有することが好ましい。   In addition to the repeating unit consisting of the formula (III-1) and / or the formula (III-2), the polyarylene derivative further has a repeating unit represented by the following formula (III-3). Is preferred.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

(式(III-3)中、Ar〜Arは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。v及びwは、各々独立に0又は1を表す。) (In the formula (III-3), Ar c to Ar j each independently represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Independently represents 0 or 1.)

Ar〜Arの具体例としては、前記式(II)における、Ar及びArと同様である。 Specific examples of Ar c to Ar j are the same as Ar a and Ar b in the formula (II).

上記式(III-1)〜(III-3)の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開2008−98619号公報に記載のものなどが挙げられる。   Specific examples of the above formulas (III-1) to (III-3) and specific examples of polyarylene derivatives include those described in JP-A-2008-98619.

湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合は、上記正孔注入層の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。   When the hole transport layer is formed by a wet film formation method, a composition for forming a hole transport layer is prepared in the same manner as the formation of the hole injection layer, followed by heat drying after the wet film formation.

正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層の形成の場合と同様である。   The composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the above hole transport compound. The solvent used is the same as that used for the composition for forming a hole injection layer. The film forming conditions, heat drying conditions, and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer.

真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層の形成の場合と同様である。   When the hole transport layer is formed by the vacuum deposition method, the film forming conditions are the same as those in the case of forming the hole injection layer.

正孔輸送層は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。   The hole transport layer may contain various light emitting materials, electron transport compounds, binder resins, coatability improvers, and the like in addition to the hole transport compound.

正孔輸送層はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。架橋性基とは、熱及び/又は活性エネルギー線の照射により近傍に位置する他の分子の同一または異なる基と反応して、新規な化学結合を生成する基のことをいう。   The hole transport layer may also be a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound. The crosslinkable compound is a compound having a crosslinkable group, and forms a network polymer compound by crosslinking. The crosslinkable group refers to a group that reacts with the same or different group of other molecules located nearby by irradiation with heat and / or active energy rays to form a new chemical bond.

この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基;ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基;ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。不溶化がし易いという点では、例えば以下の[架橋性基群T]に示す基が挙げられる。   Examples of this crosslinkable group include groups derived from cyclic ethers such as oxetane and epoxy; groups derived from unsaturated double bonds such as vinyl, trifluorovinyl, styryl, acrylic, methacryloyl and cinnamoyl; benzo Examples include groups derived from cyclobutene. In terms of easy insolubilization, for example, groups shown in the following [Crosslinkable group T] can be mentioned.

[架橋性基群T]

Figure 0006003021
[Crosslinkable group T]
Figure 0006003021

(式中、R11〜R15は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Ar31は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。) (In formula, R < 11 > -R < 15 > represents a hydrogen atom or an alkyl group each independently. Ar < 31 > may have the aromatic hydrocarbon group or substituent which may have a substituent. Represents an aromatic heterocyclic group.)

架橋性基としては、エポキシ基、オキセタン基などの環状エーテル基、ビニルエーテル基などのカチオン重合によって不溶化反応する基が、反応性が高く不溶化が容易な点で好ましい。中でも、カチオン重合の速度を制御しやすい点でオキセタン基が特に好ましく、カチオン重合の際に素子の劣化を招くおそれのあるヒドロキシ基が生成しにくい点でビニルエーテル基が好ましい。   As the crosslinkable group, a cyclic ether group such as an epoxy group or an oxetane group, or a group that is insolubilized by cationic polymerization such as a vinyl ether group is preferable in terms of high reactivity and easy insolubilization. Among these, an oxetane group is particularly preferable in terms of easy control of the rate of cationic polymerization, and a vinyl ether group is preferable in that a hydroxy group that may cause deterioration of the device during cationic polymerization is difficult to generate.

架橋性基としてはまた、シンナモイル基などのアリールビニルカルボニル基、ベンゾシクロブテン環由来の基などの環化付加反応する基が、電気化学的安定性をさらに向上させる点で好ましい。   As the crosslinkable group, an arylvinylcarbonyl group such as a cinnamoyl group and a group that undergoes a cycloaddition reaction such as a group derived from a benzocyclobutene ring are preferable from the viewpoint of further improving electrochemical stability.

また、架橋性基の中でも、不溶化後の構造が特に安定な点で、ベンゾシクロブテン環由来の基が特に好ましい。具体的には、下記式(IV)で表される基であることが好ましい。   Among the crosslinkable groups, a group derived from a benzocyclobutene ring is particularly preferable in that the structure after insolubilization is particularly stable. Specifically, a group represented by the following formula (IV) is preferable.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

(式(IV)中のベンゾシクロブテン環は、置換基を有していてもよい。また、置換基同士が、互いに結合して環を形成してもよい。) (The benzocyclobutene ring in formula (IV) may have a substituent. The substituents may be bonded to each other to form a ring.)

架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。   The crosslinkable compound may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer. The crosslinkable compound may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式(II)や式(III-1)〜(III-3)に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。   As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used. Examples of the hole transporting compound include those exemplified above, and those having a crosslinkable group bonded to the main chain or side chain with respect to these hole transporting compounds. In particular, the crosslinkable group is preferably bonded to the main chain via a linking group such as an alkylene group. In particular, the hole transporting compound is preferably a polymer containing a repeating unit having a crosslinkable group, and the above formula (II) and formulas (III-1) to (III-3) can be used as a crosslinkable group. Is preferably a polymer having a repeating unit bonded directly or via a linking group.

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体;トリフェニルアミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。   As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used. Examples of hole transporting compounds include nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives; triphenylamine derivatives Silole derivatives; oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes and the like. Among them, nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, etc. Particularly preferred are triphenylamine derivatives.

架橋性化合物を架橋して正孔輸送層を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。   In order to form a hole transport layer by crosslinking a crosslinkable compound, a composition for forming a hole transport layer in which a crosslinkable compound is dissolved or dispersed in a solvent is usually prepared and formed by wet film formation. Crosslink.

正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤;などが挙げられる。   The composition for forming a hole transport layer may contain an additive for promoting a crosslinking reaction in addition to the crosslinking compound. Examples of additives that promote the crosslinking reaction include polymerization initiators and polymerization accelerators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; condensed polycyclic hydrocarbons, And photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds.

また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤;電子受容性化合物;バインダー樹脂;などを含有していてもよい。   Further, it may contain a coating property improving agent such as a leveling agent and an antifoaming agent; an electron accepting compound; a binder resin;

正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下含有する。   In the composition for forming a hole transport layer, the crosslinkable compound is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 20%. It is contained in an amount of not more than wt%, more preferably not more than 10 wt%.

このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層(通常は正孔注入層)上に成膜後、加熱及び/又は光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。   After forming a composition for forming a hole transport layer containing a crosslinkable compound at such a concentration on a lower layer (usually a hole injection layer), the crosslinkable compound is formed by heating and / or irradiation with active energy such as light. A network polymer compound is formed by crosslinking.

成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層の湿式成膜時と同様である。   Conditions such as temperature and humidity during film formation are the same as those during wet film formation of the hole injection layer.

成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常120℃以上、好ましくは400℃以下である。   The heating method after film formation is not particularly limited. As heating temperature conditions, it is 120 degreeC or more normally, Preferably it is 400 degrees C or less.

加熱時間としては、通常1分以上、好ましくは24時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上加熱する等の条件を用いることができる。   The heating time is usually 1 minute or longer, preferably 24 hours or shorter. The heating means is not particularly limited, and means such as placing a laminated body having a deposited layer on a hot plate or heating in an oven is used. For example, conditions such as heating on a hot plate at 120 ° C. or more for 1 minute or more can be used.

光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、0.1秒以上、好ましくは10時間以下照射される。   In the case of irradiation with active energy such as light, a method of irradiating directly using an ultraviolet / visible / infrared light source such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, an infrared lamp, or the above-mentioned light source is incorporated. Examples include a mask aligner and a method of irradiation using a conveyor type light irradiation device. In active energy irradiation other than light, for example, there is a method of irradiation using a so-called microwave oven that irradiates a microwave generated by a magnetron. As the irradiation time, it is preferable to set conditions necessary for reducing the solubility of the film, but irradiation is usually performed for 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.

加熱及び光などの活性エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。   The irradiation of active energy such as heating and light may be performed alone or in combination. When combined, the order of implementation is not particularly limited.

このようにして形成される正孔輸送層の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。   The film thickness of the hole transport layer thus formed is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

[正孔注入層・正孔輸送層]
本発明において、正孔注入層及び/又は正孔輸送層は湿式成膜法で形成されることを特徴とする。好ましくは、正孔注入層及び正孔輸送層の双方が湿式成膜法により形成される。
[Hole injection layer / hole transport layer]
In the present invention, the hole injection layer and / or the hole transport layer is formed by a wet film formation method. Preferably, both the hole injection layer and the hole transport layer are formed by a wet film formation method.

また、本発明において、好ましくは、正孔注入層及び/又は前記正孔輸送層、より好ましくは正孔注入層及び正孔輸送層が熱不溶性のポリアリールアミノ樹脂を用いて形成される。
ここで、熱不溶性ポリアリールアミノ樹脂としては、国際公開2009/102027号パンフレットに記載された共役ポリマーや、国際公開2010/016555号パンフレットに記載された重合体等が挙げられる。
このような熱不溶性ポリアリールアミノ樹脂を用いることにより正孔注入層もしくは正孔輸送層上に、他の有機層を積層形成する際、上層の塗布溶媒で下層の熱不溶性樹脂が溶解されるという問題を解消することができる。
In the present invention, preferably, the hole injection layer and / or the hole transport layer, more preferably the hole injection layer and the hole transport layer are formed using a heat-insoluble polyarylamino resin.
Here, as a heat-insoluble polyarylamino resin, the conjugated polymer described in the international publication 2009/102027 pamphlet, the polymer described in the international publication 2010/016555 pamphlet, etc. are mentioned.
By using such a heat-insoluble polyarylamino resin, when forming another organic layer on the hole injection layer or hole transport layer, the lower layer heat-insoluble resin is dissolved in the upper layer coating solvent. The problem can be solved.

なお、本発明における熱不溶性ポリアリールアミノ樹脂は、不溶化基を有する重合体である。不溶化基とは、熱及び/又は活性エネルギー線の照射により反応する基であり、反応後は反応前に比べて、該基が結合する化合物(重合体など)の有機溶媒や水への溶解性を低下させる効果を有する基である。具体的には、解離基又は架橋性基が挙げられる。   The heat-insoluble polyarylamino resin in the present invention is a polymer having an insolubilizing group. The insolubilizing group is a group that reacts by irradiation with heat and / or active energy rays, and the solubility of the compound (polymer, etc.) to which the group is bonded in an organic solvent or water is higher after the reaction than before the reaction. It is a group having an effect of lowering. Specific examples include a dissociable group or a crosslinkable group.

架橋性基や、該基を有する架橋性化合物については、[正孔輸送層]の項にて述べたもの等が挙げられる。架橋性基は、不溶化反応前後で、該基が結合した化合物の溶媒に対する溶解性に大きな差を生じさせることができる点で好ましい。   Examples of the crosslinkable group and the crosslinkable compound having the group include those described in the section of [Hole Transport Layer]. A crosslinkable group is preferable in that it can cause a large difference in solubility in a solvent of a compound to which the group is bonded before and after the insolubilization reaction.

解離基とは、結合している芳香族炭化水素環から70℃以上で解離し、さらに溶媒に対して可溶性を示す基をいう。該基の解離温度は100℃以上であることが好ましく、また通常300℃以下である。ここで溶媒に対して可溶性を示すとは、化合物が熱及び/又は活性エネルギー線の照射によって反応する前の状態で、常温でトルエンに0.1重量%以上溶解することを言い、化合物のトルエンへの溶解性は、好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1重量%以上である。   The dissociating group refers to a group that dissociates from a bonded aromatic hydrocarbon ring at 70 ° C. or higher and is soluble in a solvent. The dissociation temperature of the group is preferably 100 ° C. or higher, and usually 300 ° C. or lower. Here, being soluble in a solvent means that the compound is dissolved in toluene at 0.1% by weight or more at room temperature in a state before reacting by irradiation with heat and / or active energy rays. The solubility in is preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight or more.

不溶化基として解離基を有する化合物を用いた場合、不溶化反応後の該化合物を含む層の電荷輸送能が優れる点で好ましい。このような解離基として好ましくは、芳香族炭化水素環側に極性基を形成せずに熱解離する基であり、逆ディールスアルダー反応により熱解離する基であることがより好ましい。   When a compound having a dissociating group is used as the insolubilizing group, it is preferable in that the charge transport ability of the layer containing the compound after the insolubilizing reaction is excellent. Such a dissociating group is preferably a group that thermally dissociates without forming a polar group on the aromatic hydrocarbon ring side, and more preferably a group that dissociates thermally by a reverse Diels-Alder reaction.

以下に解離基の具体例を挙げるが、本発明における解離基はこれらに限定されるものではない。   Specific examples of the dissociating group are shown below, but the dissociating group in the present invention is not limited to these.

解離基が2価の基である場合の具体例は、以下の<2価の解離基群A>の通りである。   A specific example in the case where the dissociating group is a divalent group is as shown in <Divalent dissociating group group A> below.

<2価の解離基群A>

Figure 0006003021
<Divalent dissociation group A>
Figure 0006003021

解離基が1価の基である場合の具体例は、以下の<1価の解離基群B>の通りである。   A specific example in the case where the dissociating group is a monovalent group is as shown in <Monovalent dissociating group B> below.

<1価の解離基群B>

Figure 0006003021
<Monovalent dissociation group B>
Figure 0006003021

なお、このような不溶化基は、正孔注入層や正孔輸送層の形成材料のみならず、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、あるいは電子注入層の形成材料にも導入することができる。不溶化基を有する材料を用いて湿式成膜し、これを不溶化させて得られた層は、溶剤に不溶であるため、さらに湿式成膜にて別の層を積層することができるため好ましい。   Such an insolubilizing group may be introduced not only in the hole injection layer and hole transport layer forming material, but also in the light emitting layer, hole blocking layer, electron transport layer, or electron injection layer forming material. it can. A layer obtained by performing wet film formation using a material having an insolubilizing group and insolubilizing this is preferable because another layer can be laminated by wet film formation because it is insoluble in a solvent.

[発光層]
正孔輸送層4の上には発光層5が設けられる。発光層5は、電界を与えられた電極間において、陽極2から注入された正孔と、陰極9から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
[Light emitting layer]
A light emitting layer 5 is provided on the hole transport layer 4. The light emitting layer 5 is a layer that is excited by recombination of holes injected from the anode 2 and electrons injected from the cathode 9 between electrodes to which an electric field is applied, and becomes a main light emitting source.

{発光層の材料}
発光層は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料(発光材料)を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物(正孔輸送性化合物)、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物(電子輸送性化合物)を含有する。発光材料をドーパント材料として使用し、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などをホスト材料として使用してもよい。発光材料については特に限定はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよい。更に、発光層は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層を形成する場合は、何れも低分子量の材料を使用することが好ましい。
{Light emitting layer material}
The light emitting layer contains at least a material having a light emitting property (light emitting material) as a constituent material, and preferably a compound having a hole transporting property (hole transporting compound) or an electron transporting material. Contains a compound having properties (electron transporting compound). A light emitting material may be used as a dopant material, and a hole transporting compound, an electron transporting compound, or the like may be used as a host material. There is no particular limitation on the light-emitting material, and a material that emits light at a desired light emission wavelength and has favorable light emission efficiency may be used. Furthermore, the light emitting layer may contain other components as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In addition, when forming a light emitting layer with a wet film-forming method, it is preferable to use a low molecular weight material in any case.

{発光材料}
発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。また、青色は蛍光発光材料を用い、緑色や赤色は燐光発光材料を用いるなど、組み合わせて用いてもよい。
{Luminescent material}
Any known material can be applied as the light emitting material. For example, a fluorescent material or a phosphorescent material may be used, but a phosphorescent material is preferable from the viewpoint of internal quantum efficiency. Alternatively, blue may be used in combination, such as using a fluorescent material, and green and red using a phosphorescent material.

なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
以下、発光材料のうち蛍光発光材料の例を挙げるが、蛍光色素は以下の例示物に限定されるものではない。
For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is preferable to reduce the symmetry and rigidity of the molecules of the luminescent material, or to introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.
Hereinafter, examples of the fluorescent light emitting material among the light emitting materials will be given, but the fluorescent dye is not limited to the following examples.

青色発光を与える蛍光発光材料(青色蛍光色素)としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、クリセン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。   Examples of the fluorescent light-emitting material (blue fluorescent dye) that emits blue light include naphthalene, perylene, pyrene, chrysene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof.

緑色発光を与える蛍光発光材料(緑色蛍光色素)としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Al(CNO)などのアルミニウム錯体等が挙げられる。 Examples of the fluorescent light emitting material (green fluorescent dye) that gives green light emission include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and aluminum complexes such as Al (C 9 H 6 NO) 3 .

黄色発光を与える蛍光発光材料(黄色蛍光色素)としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。   Examples of the fluorescent light emitting material (yellow fluorescent dye) that gives yellow light include rubrene, perimidone derivatives, and the like.

赤色発光を与える蛍光発光材料(赤色蛍光色素)としては、例えば、DCM(4−(dicyanomethylene)−2−methyl−6−(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。   Examples of the fluorescent light-emitting material (red fluorescent dye) that emits red light include, for example, DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) -based compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, Examples thereof include benzothioxanthene derivatives and azabenzothioxanthene.

燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)第7〜11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。   As the phosphorescent material, for example, a long-period type periodic table (hereinafter referred to as a long-period type periodic table when referred to as “periodic table” unless otherwise specified) is selected from the seventh to eleventh groups. And an organometallic complex containing a metal.

周期表第7〜11族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。   Preferred examples of the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold.

錯体の配位子としては、(ヘテロ)アリールピリジン配位子、(ヘテロ)アリールピラゾール配位子などの(ヘテロ)アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、(ヘテロ)アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。   As the ligand of the complex, a ligand in which a (hetero) aryl group such as a (hetero) arylpyridine ligand or a (hetero) arylpyrazole ligand and a pyridine, pyrazole, phenanthroline, or the like is connected is preferable. A pyridine ligand and a phenylpyrazole ligand are preferable. Here, (hetero) aryl represents an aryl group or a heteroaryl group.

燐光発光材料として、具体的には、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム、トリス(2−フェニルピリジン)ルテニウム、トリス(2−フェニルピリジン)パラジウム、ビス(2−フェニルピリジン)白金、トリス(2−フェニルピリジン)オスミウム、トリス(2−フェニルピリジン)レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。   Specific examples of the phosphorescent material include tris (2-phenylpyridine) iridium, tris (2-phenylpyridine) ruthenium, tris (2-phenylpyridine) palladium, bis (2-phenylpyridine) platinum, tris (2- Phenylpyridine) osmium, tris (2-phenylpyridine) rhenium, octaethyl platinum porphyrin, octaphenyl platinum porphyrin, octaethyl palladium porphyrin, octaphenyl palladium porphyrin, and the like.

発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは4000以下、更に好ましくは3000以下、また、通常100以上、好ましくは200以上、より好ましくは300以上、更に好ましくは400以上の範囲である。発光材料の分子量が上記下限以上であると、耐熱性の低下が防止され、ガス発生が抑えられ、膜を形成した際の膜質の低下が防止され、またマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化が防止される。一方、発光材料の分子量が上記上限以下であると、有機化合物の精製が容易であり、溶剤に溶解させやすくなる。   The molecular weight of the compound used as the light emitting material is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, still more preferably 3000 or less, and usually 100 or more, Preferably it is 200 or more, More preferably, it is 300 or more, More preferably, it is the range of 400 or more. When the molecular weight of the luminescent material is equal to or higher than the above lower limit, the heat resistance is prevented from being lowered, the gas generation is suppressed, the film quality is prevented from being lowered when the film is formed, and the morphology change of the organic electroluminescent element due to migration or the like. Is prevented. On the other hand, when the molecular weight of the light emitting material is not more than the above upper limit, the organic compound can be easily purified and easily dissolved in a solvent.

なお、上述した発光材料は、いずれか1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   In addition, any 1 type may be used for the luminescent material mentioned above, and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.

発光層における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.05重量%以上、通常35重量%以下である。発光材料が上記下限以上であると発光ムラが防止され、上記上限以下であると発光効率が高められる。なお、2種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。   The ratio of the light emitting material in the light emitting layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.05% by weight or more and usually 35% by weight or less. When the luminescent material is at least the above lower limit, uneven luminescence is prevented, and when it is at the above upper limit, the luminous efficiency is increased. In addition, when using together 2 or more types of luminescent material, it is made for the total content of these to be contained in the said range.

{正孔輸送性化合物}
発光層には、その構成材料として、正孔輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、正孔輸送性化合物のうち、低分子量の正孔輸送性化合物の例としては、前述の正孔注入層における(低分子量の正孔輸送性化合物)として例示した各種の化合物のほか、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルに代表される、2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4’,4”−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(Journal of Luminescence,1997年,Vol.72−74,pp.985)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chemical Communications,1996年,pp.2175)、2,2’,7,7’−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synthetic Metals,1997年,Vol.91,pp.209)等が挙げられる。
{Hole transporting compound}
The light emitting layer may contain a hole transporting compound as a constituent material. Here, among the hole transporting compounds, examples of the low molecular weight hole transporting compound include various compounds exemplified as (low molecular weight hole transporting compound) in the above-described hole injection layer, For example, two or more condensed aromatic rings including two or more tertiary amines represented by 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl are substituted with nitrogen atoms. Aromatic amine compounds having a starburst structure (Journal of Luminescence, 1997) such as aromatic diamines (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234811), 4,4 ′, 4 ″ -tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine , Vol.72-74, pp.985), an aromatic amine compound comprising a tetramer of triphenylamine (Chemical Communica) ions, 1996, pp. 2175), spiro compounds such as 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- (diphenylamino) -9,9′-spirobifluorene (Synthetic Metals, 1997, Vol. 91, pp. 209) and the like.

なお、発光層において、正孔輸送性化合物は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   In the light emitting layer, only one hole transporting compound may be used, or two or more hole transporting compounds may be used in any combination and ratio.

発光層における正孔輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.1重量%以上、通常65重量%以下である。正孔輸送性化合物が上記下限以上であると短絡の影響を受けにくく、上記上限以下であると、膜厚ムラが防止される。なお、2種以上の正孔輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。   The ratio of the hole transporting compound in the light emitting layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1% by weight or more and usually 65% by weight or less. When the hole transporting compound is at least the above lower limit, it is difficult to be affected by a short circuit, and when it is at most the above upper limit, film thickness unevenness is prevented. In addition, when using together 2 or more types of hole transportable compounds, it is made for the total content of these to be contained in the said range.

{電子輸送性化合物}
発光層には、その構成材料として、電子輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、電子輸送性化合物のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール(BND)や、2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(PyPySPyPy)や、バソフェナントロリン(BPhen)や、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP、バソクプロイン)、2−(4−ビフェニリル)−5−(p−ターシャルブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(tBu−PBD)や、4,4’−ビス(9−カルバゾール)−ビフェニル(CBP)等が挙げられる。なお、発光層において、電子輸送性化合物は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
{Electron transporting compound}
The light emitting layer may contain an electron transporting compound as a constituent material. Here, among the electron transporting compounds, examples of low molecular weight electron transporting compounds include 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole (BND), 2,5, -Bis (6 '-(2', 2 "-bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole (PyPySPyPy), bathophenanthroline (BPhen), 2,9-dimethyl-4,7 -Diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP, bathocuproin), 2- (4-biphenylyl) -5- (p-tertiarybutylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD), 4 , 4′-bis (9-carbazole) -biphenyl (CBP), etc. In the light emitting layer, only one type of electron transporting compound may be used, or two or more types may be combined in any combination. And it may be used in combination in a ratio.

発光層における電子輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.1重量%以上、通常65重量%以下である。電子輸送性化合物が上記下限以上であると短絡の影響を受けにくく、上記上限以下であると膜厚ムラが防止される。なお、2種以上の電子輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。   The ratio of the electron transporting compound in the light emitting layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1% by weight or more and usually 65% by weight or less. When the electron transporting compound is not less than the above lower limit, it is difficult to be affected by a short circuit, and when it is not more than the above upper limit, film thickness unevenness is prevented. In addition, when using together 2 or more types of electron transport compounds, it is made for the total content of these to be contained in the said range.

{発光層の形成}
本発明に係る湿式成膜法により発光層を形成する場合は、上記材料を適切な溶剤に溶解させて発光層形成用組成物を調製し、それを用いて成膜することにより形成する。
{Formation of light emitting layer}
When the light emitting layer is formed by the wet film forming method according to the present invention, the above material is dissolved in a suitable solvent to prepare a light emitting layer forming composition, which is then formed into a film.

発光層を本発明に係る湿式成膜法で形成するための発光層形成用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、発光層の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。発光層用溶剤の好適な例は、上記正孔注入層形成用組成物で説明した溶剤と同様である。   As the luminescent layer solvent to be contained in the luminescent layer forming composition for forming the luminescent layer by the wet film forming method according to the present invention, any solvent can be used as long as the luminescent layer can be formed. Suitable examples of the solvent for the light emitting layer are the same as those described for the composition for forming a hole injection layer.

発光層を形成するための発光層形成用組成物に対する発光層用溶剤の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常30重量%以上、通常99.9重量%以下、である。なお、発光層用溶剤として2種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。   The ratio of the light-emitting layer solvent to the light-emitting layer-forming composition for forming the light-emitting layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 30% by weight or more, usually 99.9% by weight or less, It is. In addition, when mixing and using 2 or more types of solvents as a solvent for light emitting layers, it is made for the sum total of these solvents to satisfy | fill this range.

また、発光層形成用組成物中の発光材料、正孔輸送性化合物、電子輸送性化合物等の固形分濃度としては、通常0.01重量%以上、通常70重量%以下である。この濃度が上記上限以下であると膜厚ムラが防止され、また、上記下限以上であると膜欠陥が防止される。   The solid content concentration of the light emitting material, hole transporting compound, electron transporting compound and the like in the composition for forming a light emitting layer is usually 0.01% by weight or more and usually 70% by weight or less. When this concentration is not more than the above upper limit, film thickness unevenness is prevented, and when it is not less than the above lower limit, film defects are prevented.

発光層形成用組成物を湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶剤を除去することにより、発光層が形成される。具体的には、上記正孔注入層の形成において記載した方法と同様である。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。   After wet-deposition of the composition for forming a light emitting layer, the resulting coating film is dried and the solvent is removed to form a light emitting layer. Specifically, it is the same as the method described in the formation of the hole injection layer. The method of the wet film forming method is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, and any of the methods described above can be used.

発光層の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常3nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。発光層の膜厚が、上記下限以上であると膜欠陥が防止され、上記上限以下であると駆動電圧が抑えられる。   The thickness of the light emitting layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 3 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less. When the thickness of the light emitting layer is not less than the above lower limit, film defects are prevented, and when it is not more than the above upper limit, the driving voltage is suppressed.

[正孔阻止層]
発光層5と後述の電子注入層8との間に、正孔阻止層6を設けてもよい。正孔阻止層6は、発光層5の上に、発光層5の陰極側9の界面に接するように積層される層である。
[Hole blocking layer]
A hole blocking layer 6 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later. The hole blocking layer 6 is a layer laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the interface on the cathode side 9 of the light emitting layer 5.

この正孔阻止層6は、陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とを有する。   The hole blocking layer 6 has a role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. Have

正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005−022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。   The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer include high electron mobility, low hole mobility, large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). It is expensive. Examples of the material for the hole blocking layer satisfying such conditions include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Mixed metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives, etc. Triazole derivatives such as styryl compounds (JP-A-11-242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7 -41759), phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-A-10-79297), and the like. That. Furthermore, compounds having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in International Publication No. 2005-022962 are also preferable as the material for the hole blocking layer.

なお、正孔阻止層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   In addition, the material of a hole-blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

正孔阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。   There is no restriction | limiting in the formation method of a hole-blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。   The thickness of the hole blocking layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

[電子輸送層]
発光層5と後述の電子注入層8の間に、電子輸送層7を設けてもよい。
[Electron transport layer]
An electron transport layer 7 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later.

電子輸送層7は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。   The electron transport layer 7 is provided for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device, and efficiently transports electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 5. Formed from a compound capable of

電子輸送層に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極又は電子注入層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−ヒドロキシフラボン金属錯体、5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。   The electron transporting compound used for the electron transporting layer is usually a compound that has high electron injection efficiency from the cathode or the electron injection layer and has high electron mobility and can efficiently transport the injected electrons. Is used. Examples of the compound satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives , Distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds ( JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide , N-type zinc sulfide, n-type zinc Such as emissions of zinc, and the like.

なお、電子輸送層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   In addition, only 1 type may be used for the material of an electron carrying layer, and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.

電子輸送層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of an electron carrying layer. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

電子輸送層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。   The thickness of the electron transport layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

[電子注入層]
電子注入層8は、陰極9から注入された電子を効率良く発光層5へ注入する役割を果たす。
[Electron injection layer]
The electron injection layer 8 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5.

電子注入を効率よく行なうには、電子注入層を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。   In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer is preferably a metal having a low work function. Examples include alkali metals such as sodium and cesium, alkaline earth metals such as barium and calcium, and the film thickness is preferably from 0.1 nm to 5 nm.

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、5nm以上、中でも10nm以上が好ましく、また、通常200nm以下、中でも100nm以下が好ましい。   Furthermore, an organic electron transport compound represented by a metal complex such as a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium ( (As described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.), it is possible to improve the electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. preferable. In this case, the film thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

なお、電子注入層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   In addition, only 1 type may be used for the material of an electron injection layer, and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.

電子注入層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of an electron injection layer. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

[陰極]
陰極9は、発光層5側の層(電子注入層8又は発光層5など)に電子を注入する役割を果たすものである。
[cathode]
The cathode 9 plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer 5 side (such as the electron injection layer 8 or the light emitting layer 5).

陰極の材料としては、前記の陽極に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。   As the material of the cathode, it is possible to use the material used for the anode described above, but in order to perform electron injection efficiently, a metal having a low work function is preferable, for example, tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

なお、陰極の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   In addition, only 1 type may be used for the material of a cathode, and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.

陰極の膜厚は、通常、陽極と同様である。   The thickness of the cathode is usually the same as that of the anode.

さらに、低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   Further, for the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere because the stability of the device is increased. For this purpose, for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

[その他の層]
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極2と陰極9との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
[Other layers]
The organic electroluminescent element according to the present invention may have another configuration without departing from the gist thereof. For example, as long as the performance is not impaired, an arbitrary layer may be provided between the anode 2 and the cathode 9 in addition to the layers described above, and an arbitrary layer may be omitted. .

有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層又は正孔輸送層と発光層との間に設けられ、発光層から移動してくる電子が正孔注入層に到達するのを阻止することで、発光層内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層内に閉じこめる役割と、正孔注入層から注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
Examples of the layer that may be included include an electron blocking layer.
The electron blocking layer is provided between the hole injecting layer or the hole transporting layer and the light emitting layer, and prevents electrons moving from the light emitting layer from reaching the hole injecting layer. Increases the recombination probability of holes and electrons, and has the role of confining the generated excitons in the light-emitting layer and the role of efficiently transporting holes injected from the hole injection layer toward the light-emitting layer. . In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting material, it is effective to provide an electron blocking layer.

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(国際公開第2004/084260号パンフレット)等が挙げられる。   The characteristics required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Furthermore, in the present invention, when the light emitting layer is formed as an organic layer according to the present invention by a wet film formation method, the electron blocking layer is also required to be compatible with the wet film formation. Examples of the material used for such an electron blocking layer include a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB (International Publication No. 2004/084260).

なお、電子阻止層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   In addition, the material of an electron blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of an electron blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

さらに陰極と発光層又は電子輸送層との界面に、例えばフッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF)、酸化リチウム(LiO)、炭酸セシウム(II)(CsCO)等で形成された極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Applied Physics Letters,1997年,Vol.70,pp.152;特開平10−74586号公報;IEEE Transactions on Electron Devices,1997年,Vol.44,pp.1245;SID 04 Digest,pp.154等参照)。 Further, at the interface between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer, for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium oxide (Li 2 O), cesium carbonate (II) (CsCO 3 ), etc. are formed. It is also an effective method to improve the efficiency of the device by inserting a very thin insulating film (0.1 to 5 nm) (Applied Physics Letters, 1997, Vol. 70, pp. 152; No. 74586; IEEE Transactions on Electron Devices, 1997, Vol. 44, pp. 1245; SID 04 Digest, pp. 154, etc.).

また、本発明の有機電界発光素子には、発光の色調を均一にするため、更に光拡散シートを基板の発光層とは反対側の面に密着させて設けてもよい。或いは当該光拡散シートは、素子と離して、具体的には基板から0.1〜100mmの空間を隔てて設置してもよい。光拡散シートとしては、屈折率が異なる散乱体を光学シート中に分散させたもの、光学シートの表面をサンドブラスト、あるいは、光又は熱によるインプリント(金型プレス)により凹凸を形成したもの等を挙げることができるが、光取り出し効率の点から、拡散シートの拡散角は、50°以上であることが好ましく、より好ましくは60°以上100°以下である。   Moreover, in the organic electroluminescent element of this invention, in order to make the color tone of light emission uniform, you may provide the light-diffusion sheet | seat in close contact with the surface on the opposite side to the light emitting layer of a board | substrate. Or you may install the said light-diffusion sheet | seat apart from an element, specifically, 0.1 to 100 mm away from the board | substrate. As the light diffusion sheet, a scatterer having a different refractive index is dispersed in the optical sheet, the surface of the optical sheet is sandblasted, or an uneven surface is formed by light or heat imprint (mold press), etc. The diffusion angle of the diffusion sheet is preferably 50 ° or more and more preferably 60 ° or more and 100 ° or less from the viewpoint of light extraction efficiency.

特に、Luminit社等で取り扱われている干渉露光法(Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering(1988),883(Hologr.Opt.:Des.Appl.),84-93、及び Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering(1990),1213(Photopolym. Device Phys.,Chem.,Appl.),100-10の記載と同様の技術)を用い、大面積かつロール(筒)状に表面加工を施したマスターロール(金型)を使用して得られる光拡散制御シート(レリーフホログラフィック拡散シート)(Luminit社製Light Shaping Diffuser:LSD)が散乱効率が高く、且つ、背向散乱などの光の取り出し効率を低下させる光り拡散を抑制できるため、最も好ましい。   In particular, the interference exposure method (Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering (1988), 883 (Hologr.Opt.:Des.Appl.)), 84-93, and Proceedings of SPIE- Using the International Society for Optical Engineering (1990), 1213 (Photopolym. Device Phys., Chem., Appl.), Technology similar to that described in 100-10), surface processing into a large area and roll (cylinder) shape Light diffusion control sheet (relief holographic diffusion sheet) (Lumit's Light Shaping Diffuser: LSD) obtained by using the applied master roll (mold) has high scattering efficiency, and light such as backscattering The light diffusion that lowers the extraction efficiency can be suppressed, which is most preferable.

また、本発明の有機電界発光素子では、光取り出しシートを基板の発光層とは反対側の面に密着させて設置することもできる。光取り出しシートとしては、例えばレンズ径が0.5〜500μmで高さ/レンズ径が0.2〜2のレンズシート、プリズムの一辺が0.5〜500μmで頂角50〜150°のプリズムシート、前述した拡散角が50°以上の光拡散シート等が使用できる。光取出しシートと大気との界面での全反射を抑制し、大気へ光を効率よく透過させる点から、前記レリーフホログラフィック拡散シートが特に好ましい。
尚、光り取り出しシートは、前記光拡散シートを兼ねることもできる。
Moreover, in the organic electroluminescent element of this invention, a light extraction sheet | seat can also be closely_contact | adhered and installed in the surface on the opposite side to the light emitting layer of a board | substrate. Examples of the light extraction sheet include a lens sheet having a lens diameter of 0.5 to 500 μm and a height / lens diameter of 0.2 to 2, and a prism sheet having a prism side of 0.5 to 500 μm and an apex angle of 50 to 150 °. A light diffusion sheet having a diffusion angle of 50 ° or more can be used. The relief holographic diffusion sheet is particularly preferable from the viewpoint of suppressing total reflection at the interface between the light extraction sheet and the atmosphere and efficiently transmitting light to the atmosphere.
The light extraction sheet can also serve as the light diffusion sheet.

また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図1の層構成であれば、基板上に他の構成要素を陰極、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極、散乱層の順に設けてもよい。   Moreover, in the layer structure demonstrated above, it is also possible to laminate | stack components other than a board | substrate in reverse order. For example, in the case of the layer configuration of FIG. 1, the other components on the substrate are cathode, electron injection layer, electron transport layer, hole blocking layer, light emitting layer, hole transport layer, hole injection layer, anode, and scattering. You may provide in order of a layer.

更には、少なくとも一方が透明性を有する2枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。   Furthermore, it is also possible to constitute the organic electroluminescent element according to the present invention by laminating components other than the substrate between two substrates, at least one of which is transparent.

また、基板以外の構成要素(発光ユニット)を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その場合には、各段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合は、それら2層)の代わりに、例えば五酸化バナジウム(V)等からなる電荷発生層(Carrier Generation Layer:CGL)を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 In addition, a structure in which a plurality of components (light emitting units) other than the substrate are stacked in a plurality of layers (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interface layer between the steps (between the light emitting units) (in the case where the anode is ITO and the cathode is Al, these two layers), for example, a charge made of vanadium pentoxide (V 2 O 5 ) or the like. When a generation layer (Carrier Generation Layer: CGL) is provided, a barrier between steps is reduced, which is more preferable from the viewpoint of light emission efficiency and driving voltage.

更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。   Furthermore, the organic electroluminescent device according to the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array. You may apply to the structure by which the cathode is arrange | positioned at XY matrix form.

また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。   Each layer described above may contain components other than those described as materials unless the effects of the present invention are significantly impaired.

尚、本発明の有機電界発光素子には、CO削減、消費エネルギー削減の環境的な配慮から、長時間使用した素子の発光層と陰極を除去し、新たに発光層と陰極を形成、封止を施して有機電界発光素子を再生することができ、又、ガラス基板を繰り返し使用することもできる。 In the organic electroluminescent device of the present invention, from the environmental consideration of CO 2 reduction and energy consumption reduction, the light emitting layer and cathode of the device used for a long time are removed, and a new light emitting layer and cathode are formed and sealed. The organic electroluminescence device can be regenerated by stopping the operation, and the glass substrate can be used repeatedly.

[有機ELモジュール]
本発明の有機ELモジュールは、上述の本発明の有機電界発光素子が複数個、ガラス基板上の散乱層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の積層方向と交叉方向(通常は直交方向)に並列配置されてなるものであり、該複数の有機電界発光素子に含まれる発光層が、それぞれ特定のスペクトルを有することを特徴とする。
[Organic EL module]
The organic EL module of the present invention includes a plurality of organic electroluminescent elements of the present invention described above, and a stacking direction and a crossing direction (usually, a scattering layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, etc.) on a glass substrate (usually The light emitting layers included in the plurality of organic electroluminescent elements each have a specific spectrum.

[有機EL表示装置]
本発明の有機EL表示装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機EL表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で、本発明の有機EL表示装置を形成することができる。
[Organic EL display device]
The organic EL display device of the present invention uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the model and structure of the organic electroluminescent display apparatus of this invention, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.
For example, the organic EL display device of the present invention can be obtained by the method described in “Organic EL display” (Ohm, published on Aug. 20, 2004, Shizushi Tokito, Chiba Adachi, Hideyuki Murata). Can be formed.

[有機EL照明]
本発明の有機EL照明は、上述の本発明の有機電界発光素子又は有機ELモジュールを用いたものである。本発明の有機EL照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子又は有機ELモジュールを用いて常法に従って組み立てることができる。
[Organic EL lighting]
The organic EL lighting of the present invention uses the above-described organic electroluminescent element or organic EL module of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the type and structure of the organic EL illumination of this invention, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element or organic EL module of this invention.

以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実施できる。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and the present invention can be arbitrarily modified and implemented without departing from the gist thereof.

[実施例1]
以下の方法で、図1に示す有機電界発光素子20を作製した。
[Example 1]
The organic electroluminescent element 20 shown in FIG. 1 was produced by the following method.

<散乱層1の形成>
軟化温度550℃の(株)住田光学ガラス製高屈折ガラス(K−VC89)(屈折率n=1.8)を、ボールミル(タナカラック社製「Universal Ball Mill Model RBD−21」)を用いて粉砕して平均粒径5μmのガラスフリット(以下、このガラスフリットを「ガラスフリットA」と称す場合がある。)20gを製造した。このガラスフリットAと、日新化成(株)製15重量%エチルセルロースのα−テルピネオール溶液(E3−260)35g、及びα−テルピネオール20gを60℃にて1時間攪拌し、散乱層塗布溶液(以下、この散乱層塗布溶液を「フリットインク1」と称す場合がある。)を調液した。
<Formation of scattering layer 1>
Using a ball mill ("Universal Ball Mill Model RBD-21" manufactured by Tanaka Rack Co., Ltd.), a high refractive glass (K-VC89) (refractive index n = 1.8) manufactured by Sumita Optical Glass Co., Ltd. having a softening temperature of 550 ° C. By pulverizing, 20 g of glass frit having an average particle diameter of 5 μm (hereinafter, this glass frit may be referred to as “glass frit A”) was produced. The glass frit A, 35 g of α-terpineol solution (E3-260) of 15% by weight ethylcellulose manufactured by Nisshin Kasei Co., Ltd., and 20 g of α-terpineol were stirred at 60 ° C. for 1 hour to obtain a scattering layer coating solution (hereinafter referred to as “the scattering layer coating solution”). This scattering layer coating solution is sometimes referred to as “frit ink 1”).

このフリットインク1を、厚さ0.7mmのセントラル硝子社製ガラス基板(CP600V)(屈折率n=1.52)の上に、乾燥後の膜厚が15μmとなるよう、アプリケーターにより塗布した後、ホットプレート上にて180℃で20分間乾燥させた。次いで、ケンデン(株)製マッフル炉(KDF−S−7)を用いて560℃になるまで毎分19℃の速度で昇温し、560℃で15分間保持した後、自然放冷し、ガラス基板上に膜厚10μmの気泡タイプの散乱層1を形成した。   After applying this frit ink 1 on a glass substrate (CP600V) (refractive index n = 1.52) manufactured by Central Glass Co., Ltd. having a thickness of 0.7 mm so that the film thickness after drying is 15 μm. And dried on a hot plate at 180 ° C. for 20 minutes. Subsequently, using a muffle furnace (KDF-S-7) manufactured by Kenden Co., Ltd., the temperature was raised at a rate of 19 ° C. per minute until it reached 560 ° C., held at 560 ° C. for 15 minutes, then allowed to cool naturally, and glass A bubble type scattering layer 1 having a film thickness of 10 μm was formed on the substrate.

日立製作所社製走査型電子顕微鏡「S4100」により、形成された散乱層の断面を観測したところ、粒径1〜10μm、平均粒径5μmの気泡が以下のように分布していることが確認された。
ガラス基板側から厚さ2μmの領域a:数密度7〜8×10個/m
表層(陽極形成面側)から厚さ2μmの領域c:数密度2〜4×10個/m
上記領域aと領域cの中間の領域b:数密度7〜8×10個/m
When the cross section of the formed scattering layer was observed with a scanning electron microscope “S4100” manufactured by Hitachi, Ltd., it was confirmed that bubbles having a particle diameter of 1 to 10 μm and an average particle diameter of 5 μm were distributed as follows. It was.
Region a having a thickness of 2 μm from the glass substrate side: number density 7 to 8 × 10 8 pieces / m 3
A region c having a thickness of 2 μm from the surface layer (anode forming surface side): number density 2 to 4 × 10 8 pieces / m 3
Region b between region a and region c: number density 7-8 × 10 8 / m 3

また、この散乱層を有するガラス基板について、紫外−可視分光光度計((株)日立製作所製「U−3900」)により波長610nmにおける光の透過率を測定したところ50%であった。
更に、KLA−Tencor Japan社製段差・表面あらさ・微細形状測定装置(P−6)を用いて、10μm間における散乱層の表面粗さ(Ra)を測定したところ、6nmであった。
Further, the transmittance of light at a wavelength of 610 nm was measured for the glass substrate having this scattering layer with an ultraviolet-visible spectrophotometer ("U-3900" manufactured by Hitachi, Ltd.), and it was 50%.
Furthermore, the surface roughness (Ra) of the scattering layer between 10 μm was measured using a step / surface roughness / fine shape measuring device (P-6) manufactured by KLA-Tencor Japan, and the result was 6 nm.

<陽極2の形成>
上記散乱層1上に、陽極2として膜厚150nmのインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を形成した。
<Formation of anode 2>
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film having a thickness of 150 nm was formed as the anode 2 on the scattering layer 1.

<正孔注入層3の形成>
以下に示す繰り返し単位を有する高分子化合物(HI−1)と4−イソプロピル−4−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートとを重量比100対20で混合し、混合物の濃度が2.0重量%となるよう安息香酸エチルに溶解させた正孔注入層形成用組成物を調製した。
<Formation of hole injection layer 3>
A polymer compound (HI-1) having a repeating unit shown below and 4-isopropyl-4-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate are mixed at a weight ratio of 100: 20, and the concentration of the mixture is 2.0. A composition for forming a hole injection layer dissolved in ethyl benzoate so as to have a weight% was prepared.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

この正孔注入層形成用組成物を、大気雰囲気中で、前記陽極2上に、スピナ回転数500rpmで2秒、そして1500rpmで30秒の2段階でスピンコートした後、230℃で1時間加熱することで、膜厚30nmの正孔注入層3を形成した。   This composition for forming a hole injection layer was spin-coated on the anode 2 in two steps of spinner rotation speed of 500 rpm for 2 seconds and 1500 rpm for 30 seconds in the atmosphere, and then heated at 230 ° C. for 1 hour. As a result, a hole injection layer 3 having a thickness of 30 nm was formed.

<正孔輸送層4の形成>
下記繰り返し単位を有する高分子化合物(HT−1)を1.0重量%濃度となるようにシクロヘキシルベンゼンに溶解させて正孔輸送層形成用組成物を調製した。
<Formation of hole transport layer 4>
A composition for forming a hole transport layer was prepared by dissolving a polymer compound (HT-1) having the following repeating unit in cyclohexylbenzene so as to have a concentration of 1.0% by weight.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

この正孔輸送層形成用組成物を、乾燥窒素雰囲気下で、前記正孔注入層3上に、スピナ回転数500rpmで2秒、そして1500rpmで120秒の2段階でスピンコートした後、230℃で1時間加熱することで、膜厚15nmの正孔輸送層4を形成した。   This composition for forming a hole transport layer was spin-coated on the hole injection layer 3 in a dry nitrogen atmosphere in two stages of a spinner rotation speed of 500 rpm for 2 seconds and 1500 rpm for 120 seconds, and then 230 ° C. The hole transport layer 4 having a film thickness of 15 nm was formed by heating for 1 hour.

<発光層5の形成>
以下に示す青色蛍光発光材料BH−1とBD−1とを重量比100対7の割合で混合し、混合物濃度が6.0重量%となるようシクロヘキシルベンゼンに溶解させて青色発光層形成用組成物を調製した。
<Formation of the light emitting layer 5>
Blue fluorescent material BH-1 and BD-1 shown below are mixed at a weight ratio of 100: 7 and dissolved in cyclohexylbenzene so that the mixture concentration becomes 6.0% by weight. A product was prepared.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

この発光層形成用組成物を、前記正孔輸送層4上に、スピナ回転数500rpmで2秒、そして2250rpmで120秒の2段階でスピンコートした後、130℃で1時間加熱することで、膜厚50nmの発光層5を形成した。   By spin-coating the composition for forming a light emitting layer on the hole transport layer 4 in two steps of spinner rotation speed of 500 rpm for 2 seconds and 2250 rpm for 120 seconds, and then heating at 130 ° C. for 1 hour, A light emitting layer 5 having a thickness of 50 nm was formed.

<正孔阻止層6及び電子輸送層7の形成>
前記発光層5上に、以下に示す化合物HB−1を膜厚10nmとなるように真空蒸着法によって蒸着して、正孔阻止層6を形成した。
<Formation of hole blocking layer 6 and electron transport layer 7>
A compound HB-1 shown below was deposited on the light emitting layer 5 by a vacuum deposition method so as to have a film thickness of 10 nm, thereby forming a hole blocking layer 6.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

更に、正孔阻止層6上に、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウムを膜厚20nmとなるように真空蒸着法によって蒸着して電子輸送層7を形成した。   Further, on the hole blocking layer 6, tris (8-hydroxyquinolinate) aluminum was deposited by a vacuum deposition method so as to have a film thickness of 20 nm, thereby forming the electron transport layer.

<電子注入層8及び陰極9の形成>
前記電子輸送層7上に、フッ化リチウム(LiF)を膜厚0.5nmとなるよう真空蒸着法によって蒸着して電子注入層8を形成した後に、アルミニウムを膜厚80nmとなるよう真空蒸着法によって蒸着して陰極9を形成した。
<Formation of Electron Injection Layer 8 and Cathode 9>
On the electron transport layer 7, lithium fluoride (LiF) is deposited by a vacuum deposition method so as to have a film thickness of 0.5 nm to form the electron injection layer 8, and then the aluminum is vacuum deposited so that the film thickness becomes 80 nm. The cathode 9 was formed by evaporation.

<封止>
引き続き、窒素グローブボックス中で、封止用のガラス板の外周部に光硬化性樹脂を塗布し、中央部に水分ゲッターシートを設置した。
この封止用ガラス板を、上記の、ガラス基板上に散乱層から陰極までの積層体を積層形成した素子と貼り合わせ、その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射して樹脂を硬化させることにより、有機電界発光素子の封止を行った。
<Sealing>
Subsequently, in a nitrogen glove box, a photocurable resin was applied to the outer periphery of the glass plate for sealing, and a moisture getter sheet was installed in the center.
This sealing glass plate is bonded to the above-mentioned element in which the laminate from the scattering layer to the cathode is laminated on the glass substrate, and then the ultraviolet light is irradiated only to the region where the photocurable resin is applied. Then, the organic electroluminescent element was sealed by curing the resin.

<光強度(μW)の測定>
得られた素子に7Vの電圧を印加し、発光させた時の光の強度を、素子表面から2mmの距離において、10mm角のディテクターを有するIndustrial Fiber Optics社「Digital Photometer」により測定した。
<Measurement of light intensity (μW)>
A voltage of 7 V was applied to the obtained device, and the intensity of the light emitted was measured with a “Digital Photometer” manufactured by Industrial Fiber Optics having a 10 mm square detector at a distance of 2 mm from the surface of the device.

[実施例2]
散乱層の形成を以下のようにして行ったこと以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子の作製と評価を行った。
[Example 2]
An organic electroluminescent device was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the scattering layer was formed as follows.

<散乱層の形成>
実施例1におけるフリットインク1を、厚さ0.7mmのセントラルガラス社製ガラス基板(CP600V)(屈折率n=1.52)の上に乾燥後の膜厚が15μmとなるよう、アプリケーターにより塗布した後、ホットプレート上にて180℃で20分間乾燥させた。次いで、ケンデン(株)製マッフル炉(KDF−S−7)を用いて580℃になるまで毎分19℃の速度で昇温し、580℃で15分間保持した後、自然放冷し、ガラス基板上に膜厚10μmの気泡タイプの第1の散乱層を形成した。
<Formation of scattering layer>
The frit ink 1 in Example 1 was applied on an 0.7 mm thick glass substrate (CP600V) (refractive index n = 1.52) manufactured by Central Glass with an applicator so that the film thickness after drying was 15 μm. Then, it was dried at 180 ° C. for 20 minutes on a hot plate. Subsequently, using a muffle furnace (KDF-S-7) manufactured by Kenden Co., Ltd., the temperature was raised at a rate of 19 ° C. per minute until it reached 580 ° C., held at 580 ° C. for 15 minutes, and then allowed to cool naturally. A bubble type first scattering layer having a film thickness of 10 μm was formed on the substrate.

次に、この第1の散乱層上に、フリットインク1を乾燥後の膜厚が10μmとなるよう、アプリケーターにて塗布した以外は第1の散乱層の形成と同様の操作を行って、膜厚6μmの気泡タイプの第2の散乱層を形成した。
以下、この第1の散乱層と第2の散乱層とを併せて「積層散乱層」という。
Next, the same operation as in the formation of the first scattering layer was performed except that the frit ink 1 was coated on the first scattering layer with an applicator so that the film thickness after drying was 10 μm. A bubble-type second scattering layer having a thickness of 6 μm was formed.
Hereinafter, the first scattering layer and the second scattering layer are collectively referred to as “laminated scattering layer”.

日立製作所社製走査型電子顕微鏡「S4100」により、この積層散乱層の断面を観測したところ、粒径1〜4μm、平均粒径2μmの気泡が以下のように分布していることが確認された。
ガラス基板側の厚さ3μmの領域a:数密度3〜5×10個/m
表層(陽極形成面側)の厚さ3μmの領域c:数密度8〜10×10個/m
上記領域aと領域cの中間の領域b:数密度5〜7×10個/m
Observation of a cross section of the laminated scattering layer with a scanning electron microscope “S4100” manufactured by Hitachi, Ltd. confirmed that bubbles having a particle diameter of 1 to 4 μm and an average particle diameter of 2 μm were distributed as follows. .
Region a having a thickness of 3 μm on the glass substrate side: number density of 3 to 5 × 10 8 pieces / m 3
Surface layer (anode forming surface side) thickness 3 μm region c: number density 8 to 10 × 10 8 pieces / m 3
Region b between region a and region c: Number density 5-7 × 10 8 / m 3

また、この積層散乱層を有するガラス基板について、紫外−可視分光光度計((株)日立製作所製「U−3900」)により波長610nmにおける光の透過率を測定したところ40%であった。
更に、KLA−Tencor Japan社製段差・表面あらさ・微細形状測定装置(P−6)を用いて、10μm間における積層散乱層の表面粗さ(Ra)を測定したところ、3nmであった。
Further, the transmittance of light at a wavelength of 610 nm was measured for the glass substrate having the laminated scattering layer with an ultraviolet-visible spectrophotometer ("U-3900" manufactured by Hitachi, Ltd.) and found to be 40%.
Furthermore, the surface roughness (Ra) of the laminated scattering layer between 10 μm was measured using a step / surface roughness / fine shape measuring device (P-6) manufactured by KLA-Tencor Japan, and found to be 3 nm.

[実施例3]
散乱層の形成を以下のようにして行ったこと以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子の作製と評価を行った。
[Example 3]
An organic electroluminescent device was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the scattering layer was formed as follows.

<散乱層の形成>
実施例1におけるガラスフリットA20g、ポッターズ・バロティーニ(株)製中空ガラスビーズ(SphericeHSC−110)(平均粒径6μm)0.3g、及びα−テルピネオール20gを60℃にて1時間攪拌し、散乱層塗布溶液(以下、この散乱層塗布溶液を「フリットインク2」と称す場合がある。)を調液した。
<Formation of scattering layer>
20 g of glass frit A in Example 1, 0.3 g of hollow glass beads (Spheric HSC-110) (average particle size 6 μm) manufactured by Potters Ballotini Co., Ltd., and 20 g of α-terpineol were stirred at 60 ° C. for 1 hour and scattered. A layer coating solution (hereinafter, this scattering layer coating solution may be referred to as “frit ink 2”) was prepared.

このフリットインク2を、厚さ0.7mmのセントラルガラス社製ガラス基板(CP600V)(屈折率n=1.52)の上に乾燥後の膜厚が20μmとなるよう、アプリケーターにより塗布した後、ホットプレート上にて180℃20分間乾燥させた。次いで、ケンデン(株)製マッフル炉(KDF−S−7)を用いて波長610℃になるまで毎分20℃の速度で昇温し、610℃で15分間保持した後、自然放冷し、膜厚16μmの気泡タイプの散乱層を形成した。   After applying this frit ink 2 on a glass substrate (CP600V) (refractive index n = 1.52) manufactured by Central Glass Co., Ltd. having a thickness of 0.7 mm so that the film thickness after drying becomes 20 μm, It was dried on a hot plate at 180 ° C. for 20 minutes. Next, using a muffle furnace (KDF-S-7) manufactured by Kenden Co., Ltd., the temperature was increased at a rate of 20 ° C. until the wavelength reached 610 ° C., held at 610 ° C. for 15 minutes, and then allowed to cool naturally. A bubble type scattering layer having a film thickness of 16 μm was formed.

日立製作所社製走査型電子顕微鏡「S4100」により、形成された散乱層の断面を観測したところ、粒径1〜10μm、平均粒径6μmの気泡が散乱層中に数密度7〜9×10個/mで散乱層内に均一に分布していた。 When the cross section of the formed scattering layer was observed with a scanning electron microscope “S4100” manufactured by Hitachi, Ltd., bubbles with a particle diameter of 1 to 10 μm and an average particle diameter of 6 μm were number density 7 to 9 × 10 8 in the scattering layer. It was uniformly distributed in the scattering layer at the number of particles / m 3 .

また、この散乱層を有するガラス基板について、紫外−可視分光光度計((株)日立製作所製「U−3900」)により波長610nmにおける光の透過率を測定したところ30%であった。
更に、KLA−Tencor Japan社製段差・表面あらさ・微細形状測定装置(P−6)を用いて、10μm間における散乱層の表面粗さ(Ra)を測定したところ、4nmであった。
Further, the transmittance of light at a wavelength of 610 nm was measured for the glass substrate having the scattering layer with an ultraviolet-visible spectrophotometer (“U-3900” manufactured by Hitachi, Ltd.) and found to be 30%.
Furthermore, the surface roughness (Ra) of the scattering layer between 10 μm was measured using a step / surface roughness / fine shape measuring device (P-6) manufactured by KLA-Tencor Japan, and found to be 4 nm.

[実施例4]
散乱層の形成を以下のようにして行ったこと以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子の作製と評価を行った。
[Example 4]
An organic electroluminescent device was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the scattering layer was formed as follows.

<散乱層の形成>
実施例1におけるガラスフリットA20gをα−テルピネオール40gを60℃にて1時間攪拌し、散乱層塗布溶液(以下、この散乱層塗布溶液を「フリットインク3」と称す場合がある。)を調液した。
<Formation of scattering layer>
20 g of glass frit A in Example 1 and 40 g of α-terpineol were stirred at 60 ° C. for 1 hour to prepare a scattering layer coating solution (hereinafter, this scattering layer coating solution may be referred to as “frit ink 3”). did.

このフリットインク3を、厚さ0.7mmのセントラルガラス社製ガラス基板(CP600V)(屈折率n=1.52)の上に乾燥後の膜厚が10μmとなるよう、アプリケーターにより塗布した後、ホットプレート上にて180℃20分間乾燥させた。次いで、ケンデン(株)製マッフル炉(KDF−S−7)を用いて550℃になるまで毎分18℃の速度で昇温し、550℃で15分間保持した後、自然放冷し、膜厚8μmのガラスフリット未溶融核タイプの散乱層を形成した。   After applying this frit ink 3 on a glass substrate (CP600V) (refractive index n = 1.52) manufactured by Central Glass Co., Ltd. having a thickness of 0.7 mm so that the film thickness after drying becomes 10 μm, It was dried on a hot plate at 180 ° C. for 20 minutes. Subsequently, using a muffle furnace (KDF-S-7) manufactured by Kenden Co., Ltd., the temperature was increased at a rate of 18 ° C. per minute until reaching 550 ° C., held at 550 ° C. for 15 minutes, and then allowed to cool naturally. A glass frit unmelted core type scattering layer having a thickness of 8 μm was formed.

日立製作所社製走査型電子顕微鏡「S4100」により、この散乱層の断面を観測したところ、粒径1〜3μm、平均粒径2μmのガラスフリット未溶融核が数密度6×10個/mで散乱層内に均一に分布していた。 When the cross section of this scattering layer was observed with a scanning electron microscope “S4100” manufactured by Hitachi, Ltd., glass frit unmelted nuclei with a particle size of 1 to 3 μm and an average particle size of 2 μm had a number density of 6 × 10 8 particles / m 3. And uniformly distributed in the scattering layer.

また、この散乱層を有するガラス基板について、紫外−可視分光光度計((株)日立製作所製「U−3900」)により波長610nmにおける光の透過率を測定したところ10%であった。
更に、KLA−Tencor Japan社製段差・表面あらさ・微細形状測定装置(P−6)を用いて、10μm間における散乱層の表面粗さ(Ra)を測定したところ、10nmであった。
Further, the light transmittance at a wavelength of 610 nm was measured for the glass substrate having this scattering layer with an ultraviolet-visible spectrophotometer ("U-3900" manufactured by Hitachi, Ltd.), and it was 10%.
Furthermore, when the surface roughness (Ra) of the scattering layer between 10 micrometers was measured using the level | step difference, surface roughness, fine shape measuring apparatus (P-6) by KLA-Tencor Japan, it was 10 nm.

[実施例5]
ガラス基板に散乱層を形成する代りに、以下のようにして、光散乱機能を有するガラス基板を作製して用いたこと以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子の作製と評価を行った。
[Example 5]
Instead of forming the scattering layer on the glass substrate, the organic electroluminescence device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a glass substrate having a light scattering function was prepared and used as follows. went.

<光散乱機能を有するガラス基板の作製>
実施例1におけるガラスフリットA20gと、日新化成(株)製15重量%エチルセルロースのα−テルピネオール溶液(E3−260)1g及びα−テルピネオール30gを60℃にて1時間攪拌し、散乱層塗布溶液(以下、この散乱層塗布溶液を「フリットインク4」と称す場合がある。)を調液した。
<Production of glass substrate having light scattering function>
20 g of glass frit A in Example 1, 1 g of α-terpineol solution (E3-260) of 15% by weight ethyl cellulose manufactured by Nisshin Kasei Co., Ltd. and 30 g of α-terpineol were stirred at 60 ° C. for 1 hour, and a scattering layer coating solution (Hereinafter, this scattering layer coating solution may be referred to as “frit ink 4”).

このフリットインク4を、陶板の上に乾燥後の膜厚が12mmとなるよう、アプリケーターにより塗布した後、ホットプレート上にて180℃20分間乾燥させた。次に、マッフル炉を用いて700℃になるまで毎分23℃の速度で昇温し、700℃で30分間保持した後、自然放冷し、陶板から剥離して厚さ8mmの気泡を含有するガラス基板を得た。   The frit ink 4 was applied on a ceramic plate by an applicator so that the film thickness after drying was 12 mm, and then dried on a hot plate at 180 ° C. for 20 minutes. Next, using a muffle furnace, the temperature was raised at a rate of 23 ° C. per minute until 700 ° C., held at 700 ° C. for 30 minutes, allowed to cool naturally, and peeled off from the ceramic plate to contain bubbles of 8 mm thickness. A glass substrate was obtained.

次いで、このガラス基板を両面光学研磨し、厚さ0.7mmの気泡タイプ光散乱機能を有するガラス基板を得た。   Next, this glass substrate was optically polished on both sides to obtain a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and having a bubble type light scattering function.

日立製作所社製走査型電子顕微鏡「S4100」により、このガラス基板の断面を観測したところ、粒径1〜10μm、平均粒径4μmの気泡が以下のように分布していることが確認された。
陶板と接していた側から厚さ150μmの領域a:数密度7〜9×10個/m
表層(陽極形成面側)から厚さ150μmの領域c:数密度7〜9×10個/m
上記領域aと領域cの中間の領域b:数密度7〜9×10個/m
When a cross section of this glass substrate was observed with a scanning electron microscope “S4100” manufactured by Hitachi, Ltd., it was confirmed that bubbles having a particle diameter of 1 to 10 μm and an average particle diameter of 4 μm were distributed as follows.
150 μm thick area a from the side in contact with the porcelain plate: number density 7-9 × 10 6 pieces / m 3
A region c having a thickness of 150 μm from the surface layer (anode forming surface side): number density 7 to 9 × 10 6 pieces / m 3
Region b between region a and region c: number density 7-9 × 10 6 / m 3

また、このガラス基板について、紫外−可視分光光度計((株)日立製作所製「U−3900」)により波長610nmにおける光の透過率を測定したところ20%であった。
更に、KLA−Tencor Japan社製段差・表面あらさ・微細形状測定装置(P−6)を用いて、表面(陽極形成面側)の10μm間における表面粗さ(Ra)を測定したところ、1nmであった。
Further, with respect to this glass substrate, the light transmittance at a wavelength of 610 nm was measured with an ultraviolet-visible spectrophotometer ("U-3900" manufactured by Hitachi, Ltd.), and it was 20%.
Furthermore, when the surface roughness (Ra) between 10 μm of the surface (anode forming surface side) was measured using a step / surface roughness / fine shape measuring device (P-6) manufactured by KLA-Tencor Japan, it was 1 nm. there were.

[実施例6]
散乱層の形成を以下のようにして行ったこと以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子の作製と評価を行った。
[Example 6]
An organic electroluminescent device was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the scattering layer was formed as follows.

<散乱層の形成>
実施例1におけるフリットインク1の調液において、高屈折ガラス(K−VC89)の代わりに、前掲の表1に記載の「組成2」の高屈折ガラス(軟化温度430℃)(屈折率n=2.0)を使用したこと以外は同様にして散乱層塗布溶液(以下、この散乱層塗布溶液を「フリットインク5」と称す場合がある。)を調液した。
<Formation of scattering layer>
In the preparation of the frit ink 1 in Example 1, instead of the high refractive glass (K-VC89), the high refractive glass (softening temperature 430 ° C.) of “Composition 2” described in Table 1 above (refractive index n = 2.0) was used in the same manner to prepare a scattering layer coating solution (hereinafter, this scattering layer coating solution may be referred to as “frit ink 5”).

このフリットインク5を、厚さ0.7mmのセントラルガラス社製ガラス基板(CP600V)(屈折率n=1.52)の上に乾燥後の膜厚が15μmとなるよう、アプリケーターにより塗布した後、ホットプレート上にて180℃で20分間乾燥させた。次いで、ケンデン(株)製マッフル炉(KDF−S−7)を用いて500℃になるまで毎分16.5℃の速度で昇温し、500℃で15分間保持した後、自然放冷し、ガラス基板上に膜厚10μmの気泡タイプの第1の散乱層を形成した。   After applying this frit ink 5 on a glass substrate (CP600V) (refractive index n = 1.52) manufactured by Central Glass Co., Ltd. having a thickness of 0.7 mm so that the film thickness after drying becomes 15 μm, It was dried at 180 ° C. for 20 minutes on a hot plate. Next, using a muffle furnace (KDF-S-7) manufactured by Kenden Co., Ltd., the temperature was raised at a rate of 16.5 ° C. per minute until reaching 500 ° C., held at 500 ° C. for 15 minutes, and then allowed to cool naturally. A bubble type first scattering layer having a thickness of 10 μm was formed on a glass substrate.

次に、この第1の散乱層上に、フリットインク5を乾燥後の膜厚が10μmとなるよう、アプリケーターにて塗布した以外は第1の散乱層の形成と同様の操作を行って、膜厚6μmの気泡タイプの第2の散乱層を形成した。
以下、この第1の散乱層と第2の散乱層とを併せて「積層散乱層」という。
Next, the same operation as in the formation of the first scattering layer was performed except that the frit ink 5 was applied on the first scattering layer with an applicator so that the film thickness after drying was 10 μm. A bubble-type second scattering layer having a thickness of 6 μm was formed.
Hereinafter, the first scattering layer and the second scattering layer are collectively referred to as “laminated scattering layer”.

日立製作所社製走査型電子顕微鏡「S4100」により、この積層散乱層の断面を観測したところ、粒径1〜3μm、平均粒径2μmの気泡が以下のように分布していることが確認された。
ガラス基板側の厚さ3μmの領域a:数密度3〜4×10個/m
表層(陽極形成面側)の厚さ3μmの領域c:数密度7〜10×10個/m
上記領域aと領域cの中間の領域b:数密度5〜10×10個/m
Observation of a cross section of the laminated scattering layer with a scanning electron microscope “S4100” manufactured by Hitachi, Ltd. confirmed that bubbles having a particle diameter of 1 to 3 μm and an average particle diameter of 2 μm were distributed as follows. .
Region a having a thickness of 3 μm on the glass substrate side: number density of 3 to 4 × 10 8 pieces / m 3
Surface layer (anode forming surface side) thickness 3 μm c: number density 7 to 10 × 10 8 pieces / m 3
Region b between region a and region c: number density 5-10 × 10 8 / m 3

また、この積層散乱層を有するガラス基板について、紫外−可視分光光度計((株)日立製作所製「U−3900」)により波長610nmにおける光の透過率を測定したところ48%であった。
更に、KLA−Tencor Japan社製段差・表面あらさ・微細形状測定装置(P−6)を用いて、10μm間における積層散乱層の表面粗さ(Ra)を測定したところ、5nmであった。
Further, with respect to the glass substrate having this laminated scattering layer, the light transmittance at a wavelength of 610 nm was measured with an ultraviolet-visible spectrophotometer ("U-3900" manufactured by Hitachi, Ltd.), and it was 48%.
Furthermore, the surface roughness (Ra) of the laminated scattering layer between 10 μm was measured using a step / surface roughness / fine shape measuring device (P-6) manufactured by KLA-Tencor Japan, and it was 5 nm.

[参考例1]
散乱層を形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして有機電界発光素子の作製と評価を行った。
なお、用いたガラス基板について、KLA−Tencor Japan社製段差・表面あらさ・微細形状測定装置(P−6)を用いて測定した10μm間における表面粗さ(Ra)は0.5nmであった。
[Reference Example 1]
An organic electroluminescent element was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the scattering layer was not formed.
In addition, about the used glass substrate, the surface roughness (Ra) between 10 micrometers measured using the level | step difference, surface roughness, and fine shape measuring apparatus (P-6) by KLA-Tencor Japan was 0.5 nm.

実施例1〜6及び参考例1で得られた有機電界発光素子のITO陽極形成面の表面粗さ(Ra)と光強度を表2にまとめて示す。
また、参考例1における光強度に対する割合を算出し、この値を光取り出し効率として表2に併記した。
Table 2 summarizes the surface roughness (Ra) and light intensity of the ITO anode forming surface of the organic electroluminescent elements obtained in Examples 1 to 6 and Reference Example 1.
Moreover, the ratio with respect to the light intensity in Reference Example 1 was calculated, and this value was also shown in Table 2 as the light extraction efficiency.

Figure 0006003021
Figure 0006003021

表2より、散乱層を形成することにより光取り出し効率が向上することが分かる。   From Table 2, it can be seen that the light extraction efficiency is improved by forming the scattering layer.

[比較例1]
実施例1において、正孔注入層を、正孔注入材料である銅フタロシアニンを真空蒸着することにより膜厚30nmに形成し、正孔輸送層を、正孔輸送材料であるN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンを真空蒸着することにより膜厚15nmに形成したこと以外は同様にして有機電界発光素子を作製したが、得られた有機電界発光素子は短絡のために発光を得ることはできなかった。
[Comparative Example 1]
In Example 1, the hole injection layer was formed to a thickness of 30 nm by vacuum-depositing copper phthalocyanine, which is a hole injection material, and the hole transport layer was formed from N, N′-di, which is a hole transport material. An organic electroluminescent device was similarly formed except that (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl- (1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine was formed to a thickness of 15 nm by vacuum deposition. However, the obtained organic electroluminescent device could not obtain light emission due to a short circuit.

1 散乱層
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
10 基板
20 有機電界発光素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Scattering layer 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer 9 Cathode 10 Substrate 20 Organic electroluminescence device

Claims (7)

散乱層、正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層を含む積層体を有する有機電界発光素子の製造方法において、該散乱層は、高屈折率ガラスと散乱体としての気泡で構成され、且つ該正孔注入層及び/又は正孔輸送層を湿式製膜法により形成する有機電界発光素子の製造方法であって、
該有機電界発光素子は、前記積層体を支持するガラス基板を有し、前記散乱層が、該ガラス基板に隣接して形成されており、
前記散乱層のガラス基板側とは反対側の面に隣接して、更に透明電極が積層されており、
前記散乱層の厚み方向の前記散乱体の数密度が、前記透明電極の近傍において、前記透明電極に向かって大きくなっていることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法(ただし、「散乱体の数密度」は「散乱層の単位体積当たりの散乱体の個数(個/m)」である。)。
In the method for producing an organic electroluminescent device having a laminate including a scattering layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer, the scattering layer is composed of high refractive index glass and bubbles as a scatterer, And it is a manufacturing method of the organic electroluminescent element which forms the hole injection layer and / or the hole transport layer by a wet film forming method,
The organic electroluminescent element has a glass substrate that supports the laminate, and the scattering layer is formed adjacent to the glass substrate,
Adjacent to the surface of the scattering layer opposite to the glass substrate side, a transparent electrode is further laminated,
The method for producing an organic electroluminescent element (wherein “scatterer” is characterized in that the number density of the scatterers in the thickness direction of the scattering layer increases toward the transparent electrode in the vicinity of the transparent electrode) Is the number of scatterers per unit volume of the scattering layer (pieces / m 3 ) ”.
前記正孔注入層及び前記正孔輸送層を、熱不溶性のポリアリールアミノ樹脂を用いて形成することを特徴とする請求項に記載の有機電界発光素子の製造方法。 The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 1 , wherein the hole injection layer and the hole transport layer are formed using a heat-insoluble polyarylamino resin. 前記散乱層の厚み方向の中央部分における前記散乱体の数密度と、前記散乱層の双方の界面側における前記散乱体の数密度との差が30%以下であることを特徴とする請求項又はに記載の有機電界発光素子の製造方法(ただし、「散乱体の数密度」は「散乱層の単位体積当たりの散乱体の個数(個/m)」である。)。 Claim 1, wherein the difference between the number density of the scatterer in the central portion in the thickness direction of the scattering layer, and the number density of the scatterer in the interface side of both of said scattering layer is 30% or less Or the manufacturing method of the organic electroluminescent element of 2 (however, "the number density of the scatterers" is "the number of the scatterers per unit volume of the scattering layer (pieces / m 3 )"). 請求項ないしのいずれか1項に記載の有機電界発光素子の製造方法により有機電界発光素子を製造し、該有機電界発光素子を複数個、前記積層体の積層方向と交叉方向に並列配置する有機ELモジュールの製造方法であって、該複数の有機電界発光素子に含まれる発光層が、それぞれ特定の発光スペクトルを有することを特徴とする有機ELモジュールの製造方法。 An organic electroluminescent device is manufactured by the method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 3 , and a plurality of the organic electroluminescent devices are arranged in parallel in the stacking direction and the crossing direction of the stacked body. A method for manufacturing an organic EL module, wherein each of the light-emitting layers included in the plurality of organic electroluminescent elements has a specific emission spectrum. 請求項ないしのいずれか1項に記載の有機電界発光素子の製造方法により有機電界発光素子を製造し、該有機電界発光素子を用いて有機EL表示装置を製造することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 An organic electroluminescent device is manufactured by the method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 3 , and an organic EL display device is manufactured using the organic electroluminescent device. Manufacturing method of EL display device. 請求項ないしのいずれか1項に記載の有機電界発光素子の製造方法により有機電界発光素子を製造し、該有機電界発光素子を用いて有機EL照明を製造することを特徴とする有機EL照明の製造方法。 An organic electroluminescent device is manufactured by the method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 3 , and an organic EL illumination is manufactured using the organic electroluminescent device. Manufacturing method of lighting. 請求項に記載の有機ELモジュールの製造方法により有機ELモジュールを製造し、該有機ELモジュールを用いて有機EL照明を製造することを特徴とする有機EL照明の製造方法。 An organic EL module is manufactured by the manufacturing method of the organic EL module of Claim 4 , and organic EL lighting is manufactured using this organic EL module, The manufacturing method of the organic EL lighting characterized by the above-mentioned.
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