JP6000727B2 - 光センシング装置及びその駆動方法、光センシング装置を含む光タッチスクリーン装置 - Google Patents
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Description
11 基板
12 絶縁層
13 ゲート
14 ゲート絶縁膜
15 チャネル層
16 ソース
17 ドレイン
18 透明絶縁層
100,210s 光センシング装置
110 光センシング画素
111 スイッチトランジスタ
112,214 光センサトランジスタ
113,215 位相反転器
120,220 ゲートドライバ
130,230 信号出力部
200 光タッチスクリーン装置
210 画素
210d ディスプレイ画素
211 第1スイッチトランジスタ
212 ディスプレイセル
213 第2スイッチトランジスタ
240 データドライバ
Claims (26)
- 光を感知するための光センサトランジスタと、
前記光センサトランジスタから光センシング信号を出力するためのスイッチトランジスタと、
前記スイッチトランジスタのゲートに連結されるゲートラインと、
前記光センサトランジスタのゲートに連結されるリセットラインと、
前記リセットラインと前記ゲートラインとの間に連結される位相反転器と、を含み、
前記スイッチトランジスタ及び前記光センサトランジスタには、互いに対して位相反転された信号が同時に印加される光センシング装置。 - 前記位相反転器の入力端は、前記ゲートラインに連結され、出力端は、前記リセットラインに連結されていることを特徴とする請求項1に記載の光センシング装置。
- 前記スイッチトランジスタと光センサトランジスタは、互いに直列に連結されていることを特徴とする請求項1に記載の光センシング装置。
- 前記光センサトランジスタは、酸化物半導体をチャネル層の材料として使用する酸化物半導体トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の光センシング装置。
- 前記酸化物半導体トランジスタは、
基板と、
前記基板上に部分的に配置されたゲートと、
少なくとも前記ゲートの周囲を覆うように、前記基板及びゲートの上に配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上で、前記ゲートと対向するように配置され、酸化物半導体の材料からなるチャネル層と、
前記チャネル層の両側にそれぞれ配置されたソース及びドレインと、
前記ソース、ドレイン及びチャネル層を覆うように配置された透明絶縁層と、を含むことを特徴とする請求項4に記載の光センシング装置。 - 前記酸化物半導体の材料は、ZnO、InO、SnO、InZnO、ZnSnOまたはInSnOを含むか、あるいは前記ZnO、InO、SnO、InZnO、ZnSnOまたはInSnOに、Hf、Zr、Ti、Ta、Ga、Nb、V、Al及びSnのうちから少なくとも1つの材料が追加して混合された材料を含むことを特徴とする請求項5に記載の光センシング装置。
- 多数の行及び列によって配列された多数の光センシング画素を有する光センシング画素アレイと、
互いに対して位相反転されたゲート電圧とリセット信号とをそれぞれの光センシング画素に提供するためのゲートドライバと、
それぞれの光センシング画素から光センシング信号を受けてデータ信号を出力するための信号出力部と、を含み、
それぞれの光センシング画素は、光を感知するための光センサトランジスタと、前記光センサトランジスタから光センシング信号を出力するためのスイッチトランジスタと、を含み、
前記ゲートドライバは、
前記スイッチトランジスタのゲートに連結される多数のゲートラインと、
前記光センサトランジスタのゲートに連結される多数のリセットラインと、
互いに対応するリセットラインとゲートラインとの間にそれぞれ連結される多数の位相反転器と、を含む光センシング装置。 - 前記位相反転器の入力端は、前記ゲートラインに連結され、出力端は、前記リセットラインに連結されていることを特徴とする請求項7に記載の光センシング装置。
- 前記スイッチトランジスタ及び前記光センサトランジスタには、互いに対して位相反転されたゲート電圧とリセット信号とが、それぞれ同時に印加されることを特徴とする請求項8に記載の光センシング装置。
- 前記ゲートラインは、前記ゲートドライバに直接に連結されており、前記リセットラインは、前記位相反転器とゲートラインとを介して間接的に前記ゲートドライバに連結されていることを特徴とする請求項8に記載の光センシング装置。
- 前記スイッチトランジスタと光センサトランジスタは、互いに直列に連結されていることを特徴とする請求項7に記載の光センシング装置。
- それぞれのゲートラインとリセットラインは、同じ行に沿って配列されている多数の光センシング画素に連結されていることを特徴とする請求項7に記載の光センシング装置。
- 前記信号出力部は、列方向に沿って配列された多数のデータラインを含むことを特徴とする請求項7に記載の光センシング装置。
- それぞれのデータラインは、同じ列に沿って配列されている多数の光センシング画素に連結されており、1つの列に沿って配列された光センシング画素のスイッチトランジスタのソースには、当該列に対応するデータラインが連結されていることを特徴とする請求項13に記載の光センシング装置。
- 前記光センサトランジスタは、酸化物半導体をチャネル層の材料として使用する酸化物半導体トランジスタであることを特徴とする請求項7に記載の光センシング装置。
- 多数の行及び多数の列で配列された多数のディスプレイ画素と、多数の光センシング画素とを有する画素アレイと、
行方向に沿って配列されており、それぞれのディスプレイ画素と光センシング画素とにゲート電圧を提供する多数のゲートラインと、
行方向に沿って配列されており、それぞれの光センシング画素にリセット信号を提供する多数のリセットラインと、
互いに対応するリセットラインとゲートラインとの間にそれぞれ連結される多数の位相反転器と、を含み、
それぞれのディスプレイ画素は、ディスプレイセルと、前記ディスプレイセルのオン/オフを制御するための第1スイッチトランジスタと、を含み、それぞれの光センシング画素は、光を感知するための光センサトランジスタと、前記光センサトランジスタから光センシング信号を出力するための第2スイッチトランジスタと、を含み、
前記第1スイッチトランジスタ及び第2スイッチトランジスタ、並びに前記光センサトランジスタには、互いに対して位相反転されたゲート電圧とリセット信号とがそれぞれ同時に印加される光タッチスクリーン装置。 - 前記位相反転器の入力端は、前記ゲートラインに連結され、出力端は、前記リセットラインに連結されていることを特徴とする請求項16に記載の光タッチスクリーン装置。
- 前記光センサトランジスタは、酸化物半導体をチャネル層の材料として使用する酸化物半導体トランジスタであることを特徴とする請求項16に記載の光タッチスクリーン装置。
- 前記多数のゲートラインに順次にゲート電圧を提供するゲートドライバと、
列方向に沿って配列された多数のデータラインを有し、それぞれの光センシング画素から光センシング信号を受けてデータ信号を出力する信号出力部と、
列方向に沿って配列された多数の映像データラインを有し、それぞれのディスプレイ画素に映像信号を提供するデータドライバと、をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の光タッチスクリーン装置。 - 前記ゲートラインは、前記ゲートドライバに直接に連結されており、前記リセットラインは、前記位相反転器とゲートラインとを介して間接的に前記ゲートドライバに連結されていることを特徴とする請求項19に記載の光タッチスクリーン装置。
- それぞれのゲートラインは、同じ行に沿って配列されているディスプレイ画素と、光センシング画素とに連結されており、1つの行に沿って配列されたディスプレイ画素の第1スイッチトランジスタのゲートと、光センシング画素の第2スイッチトランジスタのゲートとには、当該行に対応するゲートラインが連結されていることを特徴とする請求項16に記載の光タッチスクリーン装置。
- それぞれのリセットラインは、同じ行に沿って配列されている光センシング画素に連結されており、1つの行に沿って配列された光センシング画素の光センサトランジスタのゲートには、当該行に対応するリセットラインが連結されていることを特徴とする請求項21に記載の光タッチスクリーン装置。
- 前記第2スイッチトランジスタと光センサトランジスタは、互いに直列に連結されていることを特徴とする請求項16に記載の光タッチスクリーン装置。
- 光を感知するための光センサトランジスタと、前記光センサトランジスタから光センシング信号を出力するためのスイッチトランジスタと、をそれぞれ含み、多数の行及び多数の列で配列された多数の光センシング画素のうちから、いずれか1つの行に配列された光センシング画素のスイッチトランジスタのゲートに、しきい値電圧以上の正の第1ゲート電圧を印加すると同時に、それと同一行に配列された光センシング画素の光センサトランジスタのゲートに、前記第1ゲート電圧に対して位相反転された負の第2ゲート電圧を印加する段階を含む光センシング装置の動作方法。
- 残りの行に配列された光センシング画素のスイッチトランジスタのゲートに、しきい値電圧未満の負の第2ゲート電圧を印加すると同時に、残りの行に配列された光センシング画素の光センサトランジスタのゲートに、前記第2ゲート電圧に対して位相反転された正の第1ゲート電圧を印加する段階をさらに含むことを特徴とする請求項24に記載の光センシング装置の動作方法。
- 前記第2ゲート電圧は、位相反転器によって、前記第1ゲート電圧に対して位相反転されることを特徴とする請求項24に記載の光センシング装置の動作方法。
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