JP5998537B2 - Electro-mechanical conversion element, droplet discharge head, and droplet discharge apparatus - Google Patents

Electro-mechanical conversion element, droplet discharge head, and droplet discharge apparatus Download PDF

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Description

本発明は、電気−機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置に関する。   The present invention relates to an electro-mechanical conversion element, a droplet discharge head, and a droplet discharge device.

近年、圧電セラミックスを利用した電気−機械変換素子は、各種分野で用いられている。   In recent years, electromechanical transducers using piezoelectric ceramics have been used in various fields.

例えば、プリンタ、ファクシミリ、複写装置等の画像記録装置あるいは画像形成装置として使用されるインクジェット記録装置の液滴吐出ヘッドにおいて利用されている。   For example, it is used in a droplet discharge head of an ink jet recording apparatus used as an image recording apparatus or an image forming apparatus such as a printer, a facsimile machine, and a copying apparatus.

液滴吐出ヘッドは、液滴を吐出するノズルと、該ノズルに連通し液滴となるインク等を収容した加圧室(インク流路、加圧液室、圧力室、吐出室、液室等とも称される)、加圧室内のインクを加圧する駆動源としての圧電素子等から構成され、圧電素子により加圧室内のインクを加圧し、ノズルからインク滴を吐出させる。   The liquid droplet ejection head includes a nozzle that ejects liquid droplets and a pressure chamber (an ink channel, a pressure liquid chamber, a pressure chamber, a discharge chamber, a liquid chamber, etc.) that contains ink and the like that communicates with the nozzle. Also, it is composed of a piezoelectric element or the like as a drive source that pressurizes the ink in the pressurizing chamber, pressurizes the ink in the pressurizing chamber by the piezoelectric element, and ejects ink droplets from the nozzles.

駆動源として用いられる圧電アクチュエータとして、半導体デバイス、電子デバイス等の膜構造体が知られている。そして、電気−機械変換素子である圧電素子により加圧室内のインクを加圧する際に、圧電素子の軸方向に伸張、収縮する縦振動モード圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの2種類が実用化されている。   As piezoelectric actuators used as drive sources, film structures such as semiconductor devices and electronic devices are known. A piezoelectric vibration actuator that uses a longitudinal vibration mode piezoelectric actuator that expands and contracts in the axial direction of the piezoelectric element when the ink in the pressurizing chamber is pressurized by the piezoelectric element that is an electro-mechanical conversion element, and a piezoelectric actuator that operates in the flexural vibration mode. There are two types of products that use the.

例えば、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものとしては、振動板の表面全体にわたって成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生室に独立するように圧電素子を形成したものが知られている。   For example, in the case of using a flexural vibration mode piezoelectric actuator, a uniform piezoelectric material layer is formed over the entire surface of the diaphragm by a film forming technique, and this piezoelectric material layer is formed into a shape corresponding to the pressure generating chamber by lithography. A known piezoelectric element is formed so as to be separated into each pressure generating chamber.

このような圧電アクチュエータにおいては、圧電膜の自発分極軸のベクトル成分と電界印加方向とが一致するときに、電界印加強度の増減に伴う伸縮が効果的に起こり、大きな圧電定数が得られるため、圧電膜の自発分極軸と電界印加方向とは完全に一致することが最も好ましい。また、インク吐出量のばらつき等を抑制するには、圧電膜の圧電性能の面内ばらつきが小さいことが好ましい。これらの点を考慮すれば、結晶配向性に優れた圧電膜が好ましい。   In such a piezoelectric actuator, when the vector component of the spontaneous polarization axis of the piezoelectric film matches the electric field application direction, the expansion and contraction accompanying the increase and decrease of the electric field application intensity occurs effectively, and a large piezoelectric constant is obtained. Most preferably, the spontaneous polarization axis of the piezoelectric film and the electric field application direction completely coincide. Further, in order to suppress variations in the ink discharge amount, it is preferable that the in-plane variation in the piezoelectric performance of the piezoelectric film is small. Considering these points, a piezoelectric film having excellent crystal orientation is preferable.

結晶配向性に関する技術としては、特許文献1には表面にTiが島状に析出したTi含有貴金属電極上に圧電膜を成膜することで、結晶配向性に優れた圧電膜を成膜する技術が開示されている。   As a technique relating to crystal orientation, Patent Document 1 discloses a technique for forming a piezoelectric film having excellent crystal orientation by forming a piezoelectric film on a Ti-containing noble metal electrode on which Ti is deposited in an island shape. Is disclosed.

また、特許文献2には、基板としてMgO基板を用いることで、結晶配向性に優れた圧電膜を成膜する技術が開示されている。   Patent Document 2 discloses a technique for forming a piezoelectric film having excellent crystal orientation by using an MgO substrate as a substrate.

特許文献3には、アモルファス強誘電体膜を成膜し、その後、急速加熱法によって該膜を結晶化させる強誘電体膜の製造方法が開示されている。   Patent Document 3 discloses a method for manufacturing a ferroelectric film in which an amorphous ferroelectric film is formed and then crystallized by a rapid heating method.

特許文献4には、正方晶系、斜方晶系、及び菱面体晶系のうちいずれかの結晶構造を有するペロブスカイト型複合酸化物からなり、(100)面、(001)面、及び(111)面のうちいずれかの面に優先配向し、配向度が95%以上である圧電膜を成膜方法が開示されている。   Patent Document 4 includes a perovskite complex oxide having a crystal structure of any one of a tetragonal system, an orthorhombic system, and a rhombohedral system, and includes (100) plane, (001) plane, and (111). ) Discloses a method for forming a piezoelectric film which is preferentially oriented to any one of the planes and has an orientation degree of 95% or more.

上記特許文献に開示された技術の多くはPt上にPZT膜を作製している。このようにPtが多用されたのは、Ptが最密充填構造である面心立方格子(FCC)をとるため、自己配向性が強く、振動板の材料であるアモルファスのSiOのような材料上に成膜しても(111)に強く配向し、その上に形成する圧電体膜の配向性もよくなるためである。しかし、配向性が強いため柱状結晶が成長し、粒界に沿ってPbなどが下地電極に拡散し易くなるという問題もあった。なお、一般的に電極材料としては、Pt以外にはIr、Ru、Ti、Ta、Rh、Pd等も使用されている。 Many of the techniques disclosed in the above patent documents produce a PZT film on Pt. Pt is frequently used in this way because Pt has a face-centered cubic lattice (FCC) having a close-packed structure, and thus has a strong self-orientation and is a material such as amorphous SiO 2 that is a material of a diaphragm. This is because even if the film is formed thereon, it is strongly oriented to (111) and the orientation of the piezoelectric film formed thereon is also improved. However, since the orientation is strong, columnar crystals grow, and there is also a problem that Pb and the like are easily diffused into the base electrode along the grain boundary. In general, Ir, Ru, Ti, Ta, Rh, Pd, etc. are used as electrode materials in addition to Pt.

また、圧電体が動作する際、経時的に圧電体中の酸素欠損が増大するという可能性が指摘されている。このため、その欠損酸素成分の補給源として、下部電極材料と誘電体材料の接触界面で導電性の酸化物電極が利用されるようになってきている。   Further, it has been pointed out that oxygen vacancies in the piezoelectric body may increase over time when the piezoelectric body operates. For this reason, a conductive oxide electrode has come to be used at the contact interface between the lower electrode material and the dielectric material as a supply source of the deficient oxygen component.

導電性酸化物電極として利用される材料としては、IrO、LaNiO、RuO、SrO、SrRuO、CaRuO等が挙げられる。 Examples of the material used as the conductive oxide electrode include IrO 2 , LaNiO 3 , RuO 2 , SrO, SrRuO 3 , and CaRuO 3 .

上記した導電性酸化物電極の材料の中でも特にSrRuOで表されるルテニウム酸ストロンチウム(以下、単に「SRO」とも記載する)は、PZTと同じペロブスカイト型結晶構造を有している。このため、PZTとの界面での接合性に優れ、また、PZTのエピタキシャル成長を実現し易く、Pbの拡散バリア層としての特性にも優れており、圧電アクチュエータへの適用について各種検討がなされている。 Among the materials of the conductive oxide electrode described above, strontium ruthenate represented by SrRuO 3 (hereinafter, also simply referred to as “SRO”) has the same perovskite crystal structure as PZT. For this reason, it is excellent in bondability at the interface with PZT, is easy to realize the epitaxial growth of PZT, has excellent characteristics as a diffusion barrier layer of Pb, and various studies have been made on its application to piezoelectric actuators. .

特許文献5には、2層の、ペロブスカイト構造を有する(111)配向のSRO間にイリジウム又は白金の層を挟み込んだ構造を有する下部電極を用い、下部電極上には、(111)配向のPZTからなる圧電体層、上部電極を備えた圧電アクチュエータが記載されている。しかしながら、本発明者らの検討によると、SROの(111)配向が、(110)配向や(100)配向、(001)配向に比べて優先配向している程度によっては、圧電アクチュエータとしての必要な初期変位、さらに連続動作したときの変位劣化に対して不具合が発生することが判明した。   In Patent Document 5, a lower electrode having a structure in which an iridium or platinum layer is sandwiched between two (111) -oriented SROs having a perovskite structure is used, and (111) -oriented PZT is formed on the lower electrode. A piezoelectric actuator provided with a piezoelectric layer and an upper electrode is described. However, according to the study by the present inventors, depending on the degree to which the (111) orientation of the SRO is preferentially compared with the (110) orientation, the (100) orientation, and the (001) orientation, it is necessary as a piezoelectric actuator. It has been found that problems occur with the initial displacement and the deterioration of the displacement during continuous operation.

特許文献6には、上部、下部電極の少なくとも一方にSRO膜を備え、両電極間に誘電膜を挟んで構成されたキャパシタを有する半導体装置について記載がある。ここではSRO膜を、室温でアモルファスSRO膜を成膜した後、RTA法により結晶化SRO膜を得る旨記載されている。しかしながら、SRO膜の膜厚は10〜20nmであるため、同様の構成を圧電アクチュエータとして使用した場合に、初期変位が十分得られず、さらに連続動作したときに不具合が発生する。また、本発明者らの検討によると、係る方法によりSRO膜を成膜した場合(110)が優先配向しやすくなり、その上に成膜したPZTについても(110)配向となるため、圧電アクチュエータとした場合に変位劣化抑制ができないという問題があった。   Patent Document 6 describes a semiconductor device having a capacitor in which an SRO film is provided on at least one of an upper electrode and a lower electrode, and a dielectric film is sandwiched between both electrodes. Here, it is described that after forming an SRO film at room temperature, an amorphous SRO film is obtained, and then a crystallized SRO film is obtained by the RTA method. However, since the film thickness of the SRO film is 10 to 20 nm, when the same configuration is used as a piezoelectric actuator, the initial displacement cannot be obtained sufficiently, and a problem occurs when the continuous operation is performed. Further, according to the study by the present inventors, when the SRO film is formed by such a method, the (110) is easily preferentially oriented, and the PZT formed thereon is also (110) oriented. In this case, there is a problem that displacement deterioration cannot be suppressed.

特許文献7には、Si(100)面を表面に有する基板上にSROを主成分とするエピタキシャル膜を作製し、その表面粗さ(平均粗さ)を10nm以下とした構造体について記載がある。この上に作製した強誘電体膜は(100)配向を有している。圧電アクチュエータとして連続動作したときの変位特性劣化を抑えるには、圧電体膜として、PZT膜を用いた場合、その配向性としては(111)が好ましく、(100)配向したものでは十分劣化抑制できないという問題があった。   Patent Document 7 describes a structure in which an epitaxial film mainly composed of SRO is formed on a substrate having a Si (100) surface on the surface, and the surface roughness (average roughness) is 10 nm or less. . The ferroelectric film fabricated thereon has a (100) orientation. In order to suppress the deterioration of displacement characteristics when continuously operating as a piezoelectric actuator, when a PZT film is used as the piezoelectric film, the orientation is preferably (111), and the (100) oriented material cannot sufficiently suppress the deterioration. There was a problem.

また、下部電極として、振動板上にチタン膜、白金膜、SrRuO膜を順に形成した積層構造を有するものについても従来、検討がなされていた。チタン膜を用いるのは、振動板と下部電極の密着性を改善させるためである。しかし、チタン膜を密着層とした場合には白金、SrRuO成膜後、下部電極膜中および下部電極表面に100nm以下の微小な空孔が発生する場合があるという問題があった。これは、SrRuO膜の高温成膜時に、白金膜内へのチタンの拡散のため、白金膜に空孔が形成されたものと考えられる。 Further, as a lower electrode, an electrode having a laminated structure in which a titanium film, a platinum film, and an SrRuO 3 film are sequentially formed on a vibration plate has been conventionally studied. The reason why the titanium film is used is to improve the adhesion between the diaphragm and the lower electrode. However, when the titanium film is used as an adhesion layer, there is a problem that fine pores of 100 nm or less may be generated in the lower electrode film and on the lower electrode surface after the formation of platinum and SrRuO 3 . This is presumably because voids were formed in the platinum film due to diffusion of titanium into the platinum film when the SrRuO 3 film was formed at a high temperature.

特許文献8には、下部電極の密着層として働く酸化チタン膜上に、下部電極として白金と酸化チタンとの化合物からなる結晶体を形成しており、該結晶体の粒界は圧電体膜の膜面に対して垂直方向に存在してなる圧電体薄膜素子が開示されている。しかし、この場合、係る構造では、圧電アクチュエータとして連続動作したときの変位劣化を抑えることができないという問題があった。   In Patent Document 8, a crystal body made of a compound of platinum and titanium oxide is formed as a lower electrode on a titanium oxide film serving as an adhesion layer of a lower electrode, and the grain boundary of the crystal body is the piezoelectric film. A piezoelectric thin film element that exists in a direction perpendicular to the film surface is disclosed. However, in this case, there is a problem that such a structure cannot suppress displacement deterioration when continuously operating as a piezoelectric actuator.

特許文献9には、導電性ペロブスカイト型金属酸化物の熱力学的な安定性を向上させるため、SROの下部層にチタンを配置することで、SROに含まれるRuの一部をTiに置換したものが開示されている。しかし、実施例に開示された電極構成をみると、SRO/Ti/Pt/Tiの構成になっており、Pt/Tiについては、合金化されている。このため、圧電アクチュエータとして連続動作したときの変位劣化を十分に抑えることができないという問題があった。   In Patent Document 9, in order to improve the thermodynamic stability of the conductive perovskite-type metal oxide, a portion of Ru contained in SRO was replaced with Ti by disposing titanium in the lower layer of SRO. Are disclosed. However, the electrode configuration disclosed in the examples is SRO / Ti / Pt / Ti, and Pt / Ti is alloyed. For this reason, there has been a problem that displacement deterioration when continuously operating as a piezoelectric actuator cannot be sufficiently suppressed.

このように、従来から電気−機械変換素子の構造について各種検討がなされてきたが、圧電アクチュエータとして連続動作したときの変位劣化特性を抑えることができないという問題があった。   As described above, various studies have been made on the structure of the electro-mechanical conversion element. However, there has been a problem that the displacement deterioration characteristic when the piezoelectric actuator is continuously operated cannot be suppressed.

上記従来技術の問題に鑑み、本発明は、構造が比較的簡易であるとともに変位劣化を抑制し、経時的に安定した駆動力を得ることができる電気−機械変換素子を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-described problems of the prior art, an object of the present invention is to provide an electro-mechanical conversion element that has a relatively simple structure, suppresses displacement deterioration, and can obtain a stable driving force over time. To do.

上記課題を解決するため本発明は、基板または下地膜上に形成された第1の密着層と、前記第1の密着層上に形成された、金属からなる第1の電極と、前記第1の電極上に形成された第2の密着層と、前記第2の密着層上に形成され、(111)面方位に優先配向しているルテニウム酸ストロンチウムからなる膜厚が40nm以上150nm以下の第2の電極と、前記第2の電極上に形成された電気―機械変換膜と、前記電気−機械変換膜上に形成された、酸化物からなる第3の電極と、前記第3の電極上に形成された金属からなる第4の電極と、を有しており、前記第3、4の電極は個別電極であり、前記第1の密着層は金属酸化膜からなり、前記第2の密着層は金属膜からなり、その膜厚が5nm以上20nm以下であることを特徴とする電気−機械変換素子を提供する。 In order to solve the above problems, the present invention provides a first adhesion layer formed on a substrate or a base film, a first electrode made of metal, formed on the first adhesion layer, and the first A second adhesion layer formed on the first electrode, and a strontium ruthenate film formed on the second adhesion layer and preferentially oriented in the (111) plane orientation, and having a thickness of 40 nm to 150 nm. Two electrodes, an electro-mechanical conversion film formed on the second electrode, a third electrode made of an oxide formed on the electro-mechanical conversion film, and the third electrode has a fourth electrode, a made of formed metal, said third and fourth electrodes are individual electrodes, the first contact layer is made of metallic oxide film, the second The adhesion layer is made of a metal film and has a thickness of 5 nm to 20 nm. Mind - to provide a mechanical conversion element.

本発明の電気−機械変換素子は連続動作を行った場合でも変位劣化を抑制し、経時的に安定した駆動力を得ることができる。   The electromechanical conversion element of the present invention can suppress displacement deterioration even when performing continuous operation, and can obtain a stable driving force over time.

本発明の第1の実施形態に係る電気−機械変換素子の構成の説明図Explanatory drawing of the structure of the electromechanical conversion element which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態におけるSrRuO膜のX線回折パターンX-ray diffraction pattern of SrRuO 3 film in the first embodiment of the present invention 本発明の第1の実施形態における第2の密着層の有無によるPZT膜の結晶性の変化の説明図Explanatory drawing of the crystallinity change of the PZT film | membrane by the presence or absence of the 2nd contact | adherence layer in the 1st Embodiment of this invention 本発明の第2の実施形態に係る電気−機械変換素子の構成の説明図Explanatory drawing of the structure of the electromechanical conversion element which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る液滴吐出ヘッドの構成の説明図Explanatory drawing of the structure of the droplet discharge head which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る液滴吐出ヘッドの構成の説明図Explanatory drawing of the structure of the droplet discharge head which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態に係る液滴吐出装置の構成の斜視説明図FIG. 9 is a perspective explanatory view of a configuration of a droplet discharge device according to a fourth embodiment of the present invention. 本発明の第4の実施形態に係る液滴吐出装置の機構部の側面説明図Side surface explanatory drawing of the mechanism part of the droplet discharge apparatus which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の実施例1におけるPZT膜の製造工程の説明図Explanatory drawing of the manufacturing process of the PZT film in Example 1 of this invention 本発明の実施例1に係る電気−機械変換素子の構造の説明図Explanatory drawing of the structure of the electromechanical conversion element which concerns on Example 1 of this invention. 本発明の実施例2に係る電気−機械変換素子の構造の説明図Explanatory drawing of the structure of the electromechanical conversion element which concerns on Example 2 of this invention. 比較例1に係る電気−機械変換素子の構造の説明図Explanatory drawing of the structure of the electromechanical conversion element which concerns on the comparative example 1 本発明の電気―機械変換素子のP−Eヒステリシス曲線の例示図FIG. 4 is an exemplary diagram of a PE hysteresis curve of the electromechanical transducer of the present invention.

以下に、発明を実施するための形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
[第1の実施形態]
本実施形態では、以下の構成を有する電気―機械変換素子について説明する。
Hereinafter, modes for carrying out the invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to these examples.
[First Embodiment]
In the present embodiment, an electromechanical conversion element having the following configuration will be described.

まず、基板または下地膜上に形成された第1の密着層と、前記第1の密着層上に形成された、金属からなる第1の電極と、前記第1の電極上に形成された第2の密着層とを有している。さらに、前記第2の密着層上に形成され、(111)面方位に優先配向しているルテニウム酸ストロンチウムからなる膜厚が40nm以上150nm以下の第2の電極と、前記第2の電極上に形成された電気―機械変換膜と、前記電気−機械変換膜上に形成された、酸化物からなる第3の電極と、前記第3の電極上に形成された金属からなる第4の電極とを有している。そして、前記第3、4の電極は個別電極であり、前記第1の密着層は金属膜をRTA法により酸化した膜からなり、前記第2の密着層は金属膜からなり、その膜厚が5nm以上20nm以下であることを特徴とするものである。   First, a first adhesion layer formed on a substrate or a base film, a first electrode made of metal formed on the first adhesion layer, and a first electrode formed on the first electrode 2 adhesion layers. Furthermore, a second electrode having a thickness of 40 nm or more and 150 nm or less formed of strontium ruthenate formed on the second adhesion layer and preferentially oriented in the (111) plane direction, and on the second electrode An electro-mechanical conversion film formed; a third electrode made of an oxide formed on the electro-mechanical conversion film; and a fourth electrode made of a metal formed on the third electrode; have. The third and fourth electrodes are individual electrodes, the first adhesion layer is made of a film obtained by oxidizing a metal film by an RTA method, and the second adhesion layer is made of a metal film, and the film thickness is It is 5 nm or more and 20 nm or less.

本実施形態の電気−機械変換素子の横断面図を模式的に図1に示す。   A cross-sectional view of the electromechanical conversion element of this embodiment is schematically shown in FIG.

図1に示すように本実施形態の電気−機械変換素子10は、基板11上の下地膜としての振動板(成膜振動板)12上に、第1の密着層13、第1の電極14、第2の密着層15、第2の電極16が下部電極21として備えられている。そして、下部電極21上には圧電膜としての電気−機械変換膜17が、さらに電気−機械変換膜17上には、第3の電極18、第4の電極19が上部電極22として備えた圧電素子となっている。このように本実施形態の電気−機械変換素子10は、上記の順番で各層(膜)が積層された構造を有しており、後述するように半導体製造プロセス等の、膜構造体の製造において用いられる手法によって成膜、形成される。   As shown in FIG. 1, the electromechanical conversion element 10 of this embodiment includes a first adhesion layer 13 and a first electrode 14 on a vibration plate (film formation vibration plate) 12 as a base film on a substrate 11. The second adhesion layer 15 and the second electrode 16 are provided as the lower electrode 21. An electro-mechanical conversion film 17 as a piezoelectric film is provided on the lower electrode 21, and a third electrode 18 and a fourth electrode 19 are provided on the electro-mechanical conversion film 17 as the upper electrode 22. It is an element. As described above, the electro-mechanical conversion element 10 of the present embodiment has a structure in which the respective layers (films) are stacked in the above order. In the manufacture of a film structure such as a semiconductor manufacturing process as described later. The film is formed and formed by the technique used.

以下、本実施形態の電気―機械変換素子を構成する各部材について説明する。   Hereafter, each member which comprises the electromechanical conversion element of this embodiment is demonstrated.

基板11としては、特に限定されるものではないが、シリコン単結晶基板を用いることが好ましい。また、その厚みとしては100〜600μmであることが好ましい。シリコン単結晶基板の面方位としては、(100)、(110)、(111)と3種あるが、半導体産業では一般的に(100)、(111)が広く使用されており、入手、加工の容易性から(100)の面方位を持つ単結晶基板を用いることが好ましい。   The substrate 11 is not particularly limited, but a silicon single crystal substrate is preferably used. Moreover, it is preferable that it is 100-600 micrometers as the thickness. There are three types of plane orientations of silicon single crystal substrates, (100), (110), and (111), but (100) and (111) are generally widely used in the semiconductor industry, and are available and processed. From the standpoint of ease, it is preferable to use a single crystal substrate having a (100) plane orientation.

また、後述するように、液滴吐出ヘッドとする際に基板11を加工して圧力室を作製する場合、一般的にエッチングを利用して加工していくが、この場合のエッチング方法としては、異方性エッチングを用いることが一般的である。異方性エッチングとは結晶構造の面方位に対してエッチング速度が異なる性質を利用したものである。例えばKOH等のアルカリ溶液に浸漬させた異方性エッチングでは、(100)面に比べて(111)面は約1/400程度のエッチング速度となる。従って、面方位(100)では約54°の傾斜を持つ構造体が作製できるのに対して、面方位(110)では深い溝を掘ることができるため、より剛性を保ちつつ、配列密度を高くすることができる。このため、異方性エッチングを利用して基板を加工して圧力室等を作成する場合、(110)の面方位を持った単結晶基板を使用することも可能である。   As will be described later, when the pressure chamber is manufactured by processing the substrate 11 when the droplet discharge head is formed, the processing is generally performed using etching. In this case, as an etching method, It is common to use anisotropic etching. Anisotropic etching utilizes the property that the etching rate differs with respect to the plane orientation of the crystal structure. For example, in anisotropic etching immersed in an alkaline solution such as KOH, the (111) plane has an etching rate of about 1/400 compared to the (100) plane. Therefore, a structure having an inclination of about 54 ° can be produced in the plane orientation (100), whereas a deep groove can be dug in the plane orientation (110), so that the arrangement density is increased while maintaining rigidity. can do. For this reason, when processing a substrate using anisotropic etching to create a pressure chamber or the like, it is also possible to use a single crystal substrate having a (110) plane orientation.

振動板12は、上記のように液滴吐出ヘッドとした場合に、電気−機械変換膜17によって発生した力を受けて、振動板12(下地)が変形変位して、圧力室内のインク滴を吐出させる働きをする。そのため、振動板12としては(液滴吐出ヘッドで要求される)所定の強度を有したものであることが好ましい。   When the vibration plate 12 is a droplet discharge head as described above, the vibration plate 12 (base) is deformed and displaced by the force generated by the electro-mechanical conversion film 17, and ink droplets in the pressure chamber are discharged. It works to discharge. Therefore, it is preferable that the diaphragm 12 has a predetermined strength (required by the droplet discharge head).

振動板12の材料としては、例えば珪素、シリカ、窒化珪素等が挙げられ、この場合、CVD法により作製することができる。   Examples of the material of the diaphragm 12 include silicon, silica, and silicon nitride. In this case, the diaphragm 12 can be manufactured by a CVD method.

また、振動板12としては、下部電極21、電気−機械変換膜17の線膨張係数に近い材料を選択することが好ましい。このため、例えば電気−機械変換膜としては、一般的に材料としてPZTが使用されることから、PZTの線膨張係数8×10−6(1/K)に近い材料を選択することが好ましい。具体的には、5×10−6〜10×10−6(1/K)の線膨張係数を有した材料が好ましく、さらには7×10−6〜9×10−6(1/K)の線膨張係数を有した材料がより好ましい。この場合の具体的な材料としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イリジウム、酸化ルテニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化ロジウム、酸化パラジウム及びそれらの化合物等が挙げられ、これらについても振動板12の材料として用いることができる。 Further, as the diaphragm 12, it is preferable to select a material close to the linear expansion coefficient of the lower electrode 21 and the electromechanical conversion film 17. For this reason, for example, since PZT is generally used as the material for the electro-mechanical conversion film, it is preferable to select a material having a linear expansion coefficient of 8 × 10 −6 (1 / K). Specifically, a material having a linear expansion coefficient of 5 × 10 −6 to 10 × 10 −6 (1 / K) is preferable, and further 7 × 10 −6 to 9 × 10 −6 (1 / K). A material having a linear expansion coefficient of is more preferable. Specific examples of the material in this case include aluminum oxide, zirconium oxide, iridium oxide, ruthenium oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, osmium oxide, rhenium oxide, rhodium oxide, palladium oxide, and compounds thereof. These can also be used as the material of the diaphragm 12.

その製造方法については限定されるものではなく、材料により適切な方法を選択することができるが、例えばスパッタ法もしくは、Sol−gel法を用いてスピンコーターにて作製することができる。   The manufacturing method is not limited, and an appropriate method can be selected depending on the material. For example, it can be manufactured by a spin coater using a sputtering method or a Sol-gel method.

振動板12の膜厚としては特に限定されるものではなく、0.1μm以上10μm以下が好ましく、0.5μm以上3μm以下がさらに好ましい。この範囲より薄いと後述する液滴吐出ヘッドとする際に、圧力室の加工が難しくなる場合がある。また、この範囲より厚いと振動板(下地)が変形変位しにくくなり、液滴吐出ヘッドとした場合にインク滴の吐出が不安定になる場合がある。   The film thickness of the diaphragm 12 is not particularly limited, but is preferably 0.1 μm or more and 10 μm or less, and more preferably 0.5 μm or more and 3 μm or less. If the thickness is smaller than this range, it may be difficult to process the pressure chamber when a droplet discharge head described later is used. If it is thicker than this range, the vibration plate (underground) is difficult to deform and displace, and in the case of a droplet discharge head, the discharge of ink droplets may become unstable.

第1の密着層13は、金属膜を成膜後、RTA(rapid thermal annealing)装置を用いて、RTA法により酸化(熱酸化)して酸化膜とすることにより得られる。酸化(熱酸化)を行う際の条件としては限定されるものではなく、用いる金属膜の材質等により選択することができる。例えば650〜800℃、1〜30分、O雰囲気でRTA法により金属膜を熱酸化する方法が挙げられる。金属膜は例えばスパッタ法により成膜することができる。金属膜の材料としてはTi、Ta、Ir、Ru等の材料を好ましく用いることができ、中でもTiを好ましく用いることができる。 The first adhesion layer 13 is obtained by forming a metal film and then oxidizing it (thermal oxidation) by an RTA method using a rapid thermal annealing (RTA) apparatus to form an oxide film. Conditions for the oxidation (thermal oxidation) are not limited, and can be selected depending on the material of the metal film to be used. For example, a method of thermally oxidizing a metal film by an RTA method in an O 2 atmosphere at 650 to 800 ° C. for 1 to 30 minutes can be given. The metal film can be formed by sputtering, for example. As a material for the metal film, materials such as Ti, Ta, Ir, and Ru can be preferably used, and among these, Ti can be preferably used.

金属酸化膜を作製する方法として、反応性スパッタを用いてもよいが、反応性スパッタによって作製する場合、基板11も一緒に高温で加熱する必要があるため、特別なスパッタチャンバ構成を必要となり、コスト上好ましくない。   As a method for producing the metal oxide film, reactive sputtering may be used. However, when producing by reactive sputtering, the substrate 11 also needs to be heated together at a high temperature, so that a special sputtering chamber configuration is required. It is not preferable in terms of cost.

また、RTA装置により酸化を行うのは、RTA装置を用いた方が一般の加熱炉による酸化よりも金属酸化膜の結晶性が良好になるためである。これは、例えばチタン酸化膜を作製する場合、一般の加熱炉により酸化処理を行うと、酸化しやすいチタン膜は、低温においてはいくつもの結晶構造を作るため、一旦、それを壊す必要が生じる。これに対して、RTA法による酸化であれば昇温速度が速いため、そのような過程を経る必要がなく、良好な結晶を形成することが可能になる。   The reason why oxidation is performed by the RTA apparatus is that the crystallinity of the metal oxide film is better when the RTA apparatus is used than when oxidation is performed by a general heating furnace. This is because, for example, when a titanium oxide film is manufactured, if an oxidation process is performed in a general heating furnace, the easily oxidized titanium film forms several crystal structures at a low temperature, so that it is necessary to break it once. On the other hand, if the oxidation is performed by the RTA method, the rate of temperature rise is fast, so that it is not necessary to go through such a process, and a good crystal can be formed.

第1の密着層13の膜厚としては特に限定されるものではないが、10nm以上50nm以下であることが好ましく、15nm以上30nm以下であることがさらに好ましい。膜厚が上記範囲よりも薄い場合においては、振動板12、第1の電極14との密着性が悪くなる場合がある。また、膜厚が上記範囲よりも厚いとその上に作製する第1の電極14の膜の結晶の質に影響が出てくる場合がある。このため、上記範囲を選択することが好ましい。   The thickness of the first adhesion layer 13 is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more and 50 nm or less, and more preferably 15 nm or more and 30 nm or less. When the film thickness is thinner than the above range, the adhesion between the diaphragm 12 and the first electrode 14 may deteriorate. Further, if the film thickness is larger than the above range, the crystal quality of the film of the first electrode 14 formed thereon may be affected. For this reason, it is preferable to select the said range.

本発明においては第1の密着層として、上記のように金属膜をRTA法により熱酸化した金属酸化物からなる膜を採用しており、第1の密着層は良好な結晶性を有している。このため、この後に第2の電極を形成する際に加熱処理を行っても第1の電極への金属成分の拡散を防止することが可能になる。   In the present invention, a film made of a metal oxide obtained by thermally oxidizing a metal film by the RTA method as described above is employed as the first adhesion layer, and the first adhesion layer has good crystallinity. Yes. For this reason, it becomes possible to prevent the diffusion of the metal component to the first electrode even if a heat treatment is performed when the second electrode is formed later.

第1の電極14、第4の電極19の材料としては、従来から用いられている高い耐熱性と低い反応性を有する白金や、鉛に対するバリア性が白金よりも高いイリジウムや白金−ロジウムなどの白金族元素や、これら合金が挙げられる。   Examples of the material for the first electrode 14 and the fourth electrode 19 include platinum having high heat resistance and low reactivity, and iridium and platinum-rhodium, which have higher barrier properties against lead than conventional platinum. Examples include platinum group elements and alloys thereof.

従来、第1の電極14として白金を使用する場合には下地(特に振動板12としてSiOを用いた場合)との密着性が悪くなる場合があったが、本発明においては第1の密着層13を設けているため、第1の電極14として白金も問題なく使用できる。 Conventionally, in the case where platinum is used as the first electrode 14, the adhesion with the base (particularly when SiO 2 is used as the diaphragm 12) may be deteriorated. Since the layer 13 is provided, platinum can be used as the first electrode 14 without any problem.

このため、本発明においては、第1の電極14として、高耐熱性、低反応性の特性を有する白金を用いることが好ましい。   Therefore, in the present invention, it is preferable to use platinum having high heat resistance and low reactivity as the first electrode 14.

第1の電極14、第4の電極19は、例えばスパッタ法や真空蒸着等の真空成膜により作製することができる。   The first electrode 14 and the fourth electrode 19 can be produced by vacuum film formation such as sputtering or vacuum deposition.

第1の電極14、第4の電極19の膜厚としては、80nm以上200nm以下であることが好ましく、100nm以上150nm以下であることがさらに好ましい。   The film thicknesses of the first electrode 14 and the fourth electrode 19 are preferably 80 nm or more and 200 nm or less, and more preferably 100 nm or more and 150 nm or less.

第2の密着層15は金属膜であることが好ましく、その具体的な材料としては例えば、Ti、Taが挙げられるが、特にTiを用いることが好ましい。   The second adhesion layer 15 is preferably a metal film. Specific examples of the material include Ti and Ta, and it is particularly preferable to use Ti.

その膜厚としては5nm以上20nm以下であることが好ましく、10nm以上15nm以下であることがさらに好ましい。膜厚が上記範囲よりも薄い場合、第1の電極14、第2の電極16との密着性が悪くなる場合がある。また、上記範囲よりも膜厚が厚い場合、第2の密着層上に作製する第2の電極膜16、電気−機械変換膜17の結晶の質に影響が出てくる場合がある。   The film thickness is preferably 5 nm or more and 20 nm or less, and more preferably 10 nm or more and 15 nm or less. When the film thickness is thinner than the above range, the adhesion with the first electrode 14 and the second electrode 16 may deteriorate. If the film thickness is larger than the above range, the crystal quality of the second electrode film 16 and the electro-mechanical conversion film 17 formed on the second adhesion layer may be affected.

第2の密着層15はスパッタで作製することが望ましい。また、成膜後、真空を破らず、次の第2の電極16を連続して成膜することが好ましく、この場合、基板を500℃以上加熱させた状態で第2の電極を成膜することがより好ましい。これは、第2の電極16を作製した後に作製する電気−機械変換膜の結晶の質をさらに高めることができるためであり、それにより得られる電気−機械変換素子を、圧電アクチュエータとして用いた場合、連続駆動後の変位劣化を抑制することができるためである。   The second adhesion layer 15 is preferably produced by sputtering. Further, after the film formation, it is preferable to continuously form the next second electrode 16 without breaking the vacuum. In this case, the second electrode is formed with the substrate heated at 500 ° C. or more. It is more preferable. This is because the crystal quality of the electro-mechanical conversion film produced after producing the second electrode 16 can be further improved, and the electro-mechanical conversion element obtained thereby is used as a piezoelectric actuator. This is because displacement deterioration after continuous driving can be suppressed.

第2の電極16としては、ルテニウム酸ストロンチウム(SrRuO)を材料として用いることができる。また、ルテニウム酸ストロンチウムの一部を置換した材料、具体的には、Sr(A)1−xRu(B)(1−y)(式中、AはBa、Ca、 BはCo、Ni、 x、y=0〜0.5)で表される材料についても用いることができる。 As the second electrode 16, strontium ruthenate (SrRuO 3 ) can be used as a material. Further, a material in which a part of strontium ruthenate is substituted, specifically, Sr x (A) 1-x Ru y (B) (1-y) O 3 (where A is Ba, Ca, B is Co, Ni, x, y = 0 to 0.5) can also be used.

第2の電極の成膜方法については例えばスパッタ法により作製することができる。スパッタ条件については限定されるものではないが、スパッタ条件によってSrRuO薄膜の膜質が変化するため、要求される結晶配向性等により選択することができる。 For example, the second electrode can be formed by sputtering. The sputtering conditions are not limited. However, since the film quality of the SrRuO 3 thin film varies depending on the sputtering conditions, it can be selected according to the required crystal orientation.

例えば、後述する電気―機械変換膜17は、連続動作したときの変位特性劣化を抑えるためにはその結晶性としては(111)面方位に配向していることが好ましい。係る電気―機械変換膜を得るためには、その下層に配置した第2の電極16についても(111)面方位に配向していることが好ましい。   For example, the electro-mechanical conversion film 17 to be described later is preferably oriented in the (111) plane orientation as its crystallinity in order to suppress deterioration of displacement characteristics when continuously operated. In order to obtain such an electromechanical conversion film, it is preferable that the second electrode 16 disposed in the lower layer is also oriented in the (111) plane orientation.

このため、第2の電極16は(111)面方位に優先配向しているSrRuO膜からなることが好ましい。 For this reason, the second electrode 16 is preferably made of a SrRuO 3 film preferentially oriented in the (111) plane orientation.

そして、第2の電極16について(111)面方位に優先配向したSrRuO膜は、500℃以上に基板加熱を行い、これにスパッタ法により第2の電極を成膜することにより得られる。また、その下層になる第1の電極14は白金膜からなりその面方位として、(111)面方位に配向していることが好ましい。これは、第2の電極16について(111)面方位に優先配向したSrRuO膜が得やすくなるためである。 The SrRuO 3 film preferentially oriented in the (111) plane orientation with respect to the second electrode 16 is obtained by heating the substrate to 500 ° C. or higher and forming the second electrode thereon by sputtering. The first electrode 14 as the lower layer is preferably made of a platinum film and is oriented in the (111) plane direction as the plane direction. This is because an SrRuO 3 film preferentially oriented in the (111) plane orientation for the second electrode 16 is easily obtained.

ここで、例えば第1の電極14として(111)面方位に配向した白金膜を用い、その上に第2の電極(SrRuO膜)を作製した場合に、第2の電極の結晶性をX線回折測定により評価する方法について説明する。PtとSROとは格子定数が近いため、通常のX線回折測定におけるθ−2θ測定では、SRO膜の(111)面とPtの(111)面の2θ位置が重なってしまい判別が難しくなるという問題がある。しかし、Ptについては消滅則の関係からPsi=35°に傾けた場合、2θが約32°付近の位置では回折線が打ち消し合い、Ptの回折強度が見られなくなる。そのため、Psi方向を約35°傾けて、2θが約32°付近のピーク強度で判断することでSROが(111)面方位に優先配向しているかを確認することができる。 Here, for example, when a platinum film oriented in the (111) plane direction is used as the first electrode 14 and a second electrode (SrRuO 3 film) is formed thereon, the crystallinity of the second electrode is expressed as X A method for evaluation by line diffraction measurement will be described. Since Pt and SRO have close lattice constants, in the θ-2θ measurement in the normal X-ray diffraction measurement, the 2θ positions of the (111) plane of the SRO film and the (111) plane of Pt overlap, making it difficult to discriminate. There's a problem. However, when Pt is tilted to Psi = 35 ° due to the extinction law, the diffraction lines cancel each other at a position where 2θ is about 32 °, and the diffraction intensity of Pt cannot be seen. Therefore, it is possible to confirm whether the SRO is preferentially oriented in the (111) plane orientation by inclining the Psi direction by about 35 ° and judging from the peak intensity where 2θ is about 32 °.

図2に、シリコン基板上に、酸化チタン膜を成膜した後、 (111)面方位に配向しているPt膜を成膜し、その上に第2の密着層(Ti膜)を形成した後、基板を550℃に加熱しながら、スパッタ法によりSrRuO膜を成膜した試料のX線回折測定結果を示す。 In FIG. 2, after a titanium oxide film is formed on a silicon substrate, a Pt film oriented in the (111) plane direction is formed, and a second adhesion layer (Ti film) is formed thereon. after, while heating the substrate to 550 ° C., it illustrates a SrRuO 3 film X-ray diffraction measurement results of the formed sample by sputtering.

図2においては、2θ=32°に固定し、Psiを変化させたときのデータを示す。Psi=0°ではSROの(110)面の回折線はほとんど回折強度が見られず、Psi=35°付近において、回折強度が見られることから、この測定方法によりSROが(111)面方位に優先配向していることが確認できる。また、この結果から、本成膜条件にて作製したものについては、SROが(111)面方位に優先配向していることを確認できた。   FIG. 2 shows data when 2θ = 32 ° is fixed and Psi is changed. At Psi = 0 °, almost no diffraction intensity is observed on the diffraction line of the (110) plane of SRO, and diffraction intensity is observed at around Psi = 35 °. Therefore, this measurement method allows SRO to be in the (111) plane orientation. It can be confirmed that the orientation is preferential. In addition, from this result, it was confirmed that SRO was preferentially oriented in the (111) plane direction for those produced under the present film forming conditions.

第2の電極16に用いるSrRuO膜の表面粗さは4nm以上15nm以下であることが好ましく、6nm以上10nm以下であることがさらに好ましい。なお、ここでの表面粗さについてはAFMにより測定される表面粗さ(平均粗さ)を意味している。 The surface roughness of the SrRuO 3 film used for the second electrode 16 is preferably 4 nm or more and 15 nm or less, and more preferably 6 nm or more and 10 nm or less. In addition, about the surface roughness here, the surface roughness (average roughness) measured by AFM is meant.

SrRuO膜の表面粗さは成膜温度に影響し、室温から300℃に基材を加熱して成膜した場合、表面粗さが非常に小さく2nm以下になる。この場合、表面粗さとしては、非常に小さくフラットになっているが、SrRuO膜の結晶性は十分でなくなる。このため、その後に成膜する電気−機械変換膜(例えばPZT膜)の圧電アクチュエータとしての初期変位や連続駆動後の変位劣化については十分な特性が得られなくなってします。 The surface roughness of the SrRuO 3 film affects the film formation temperature. When the substrate is heated from room temperature to 300 ° C., the surface roughness is very small and is 2 nm or less. In this case, the surface roughness is very small and flat, but the crystallinity of the SrRuO 3 film is not sufficient. For this reason, sufficient characteristics cannot be obtained for the initial displacement as a piezoelectric actuator of the electro-mechanical conversion film (for example, PZT film) to be formed thereafter and the deterioration of the displacement after continuous driving.

従って、成膜条件からみて、SrRuO膜の結晶性を悪化させずに得られる表面粗さは上記範囲となることから、上記範囲を有することが好ましい。 Accordingly, the surface roughness obtained without deteriorating the crystallinity of the SrRuO 3 film is within the above range in view of the film forming conditions, and thus preferably has the above range.

上記範囲からはずれた場合、SrRuO膜の結晶性を悪化する場合があり、その後成膜する電気−機械変換膜の絶縁耐圧が悪化し、リークしやすくなる場合があるため好ましくない。 When deviating from the above range, the crystallinity of the SrRuO 3 film may be deteriorated, and the withstand voltage of the electro-mechanical conversion film to be formed thereafter is deteriorated and may easily leak, which is not preferable.

そして、上述のような、結晶性や表面粗さを有するSrRuO膜を得るためには、成膜条件(温度)としては500℃〜700℃、好ましくは520℃〜600℃の範囲に基板を加熱して、スパッタ法により成膜することが好ましい。 In order to obtain the SrRuO 3 film having crystallinity and surface roughness as described above, the film formation conditions (temperature) are 500 ° C. to 700 ° C., preferably 520 ° C. to 600 ° C. It is preferable to form a film by heating and sputtering.

成膜後のSrとRuの組成比については特に限定されるものではなく、要求される導電性等により選択されるが、Sr/Ruが0.82以上1.22以下であることが好ましい。   The composition ratio of Sr and Ru after film formation is not particularly limited, and is selected according to required conductivity, but it is preferable that Sr / Ru is 0.82 or more and 1.22 or less.

これは、上記範囲から外れると比抵抗が大きくなり、電極として十分な導電性が得られなくなる場合があるためである。   This is because if it is out of the above range, the specific resistance increases, and sufficient conductivity as an electrode may not be obtained.

さらに第2の電極16としてSRO膜の膜厚としては、40nm以上150nm以下であることが好ましく、50nm以上80nm以下であることがさらに好ましい。上記膜厚範囲よりも薄いと初期変位や連続駆動後の変位劣化については十分な特性が得られない場合がある。また、上記膜厚範囲を超えると、その後成膜したPZTの絶縁耐圧が悪くなり、リークしやすくなる場合があるためである。   Furthermore, the film thickness of the SRO film as the second electrode 16 is preferably 40 nm or more and 150 nm or less, and more preferably 50 nm or more and 80 nm or less. If the thickness is less than the above range, sufficient characteristics may not be obtained for initial displacement and displacement deterioration after continuous driving. Further, if the film thickness exceeds the above-mentioned film thickness range, the dielectric strength voltage of the PZT formed thereafter is deteriorated and it may be likely to leak.

第3の電極18としては酸化物、すなわち導電性酸化物を用いることができる。導電性酸化物を用いることによって、電気−機械変換素子が動作する際、経時的に生じる圧電体中の酸素欠損の補給源として機能させることができる。   As the third electrode 18, an oxide, that is, a conductive oxide can be used. By using a conductive oxide, when the electromechanical conversion element operates, it can function as a supply source for oxygen vacancies in the piezoelectric body that occur over time.

導電性酸化物電極層として用いることができる材料としては具体的には、例えば、IrO、LaNiO、RuO、SrO、SrRuO、CaRuO等が挙げられる。特に、第2の電極16と同様の材料を用いることが好ましい。すなわち、SrRuO膜(または一部置換した材料)を用いることが好ましい。 Specific examples of materials that can be used for the conductive oxide electrode layer include IrO 2 , LaNiO 3 , RuO 2 , SrO, SrRuO 3 , and CaRuO 3 . In particular, it is preferable to use the same material as that of the second electrode 16. That is, it is preferable to use a SrRuO 3 film (or a partially substituted material).

また、第3の電極18としてSRO膜を用いる場合、その膜厚としては、40nm以上80nm以下が好ましく、50nm以上60nm以下がさらに好ましい。上記膜厚範囲よりも薄いと初期変位や変位劣化特性については十分な特性が得られない場合がある。また、上記範囲を超えると、PZTの絶縁耐圧が悪くなり、リークしやすくなる場合があるため好ましくない。   When an SRO film is used as the third electrode 18, the film thickness is preferably 40 nm or more and 80 nm or less, and more preferably 50 nm or more and 60 nm or less. If it is thinner than the above film thickness range, sufficient characteristics may not be obtained for the initial displacement and displacement deterioration characteristics. On the other hand, exceeding the above range is not preferable because the dielectric strength voltage of PZT is deteriorated and may easily leak.

電気−機械変換膜17としては、圧電性を有する材料であれば使用することができる。   As the electro-mechanical conversion film 17, any material having piezoelectricity can be used.

例えば、広く用いられているPZTを好ましく使用することができる。   For example, PZT that is widely used can be preferably used.

なお、PZTとはジルコン酸鉛(PbZrO)とチタン酸鉛(PbTiO)の固溶体で、その比率により特性が異なるが、その比率についても限定されるものではなく、要求される圧電性能等に応じて選択することができる。中でもPbZrOとPbTiOの比率(モル比)が53:47の割合で、化学式で示すとPb(Zr0.53,Ti0.47)Oで表わされるPZT(PZT(53/47)とも示される)は、特に優れた圧電特性を示すことから好ましく用いることができる。 PZT is a solid solution of lead zirconate (PbZrO 3 ) and lead titanate (PbTiO 3 ), and the characteristics differ depending on the ratio. However, the ratio is not limited, and the required piezoelectric performance, etc. Can be selected accordingly. Among them, the ratio (molar ratio) of PbZrO 3 and PbTiO 3 is 53:47, and it is expressed by the chemical formula PZT (PZT (53/47)) represented by Pb (Zr 0.53 , Ti 0.47 ) O 3. Can be preferably used because it exhibits particularly excellent piezoelectric properties.

PZT以外の材料として、チタン酸バリウムも用いることができる。   Barium titanate can also be used as a material other than PZT.

また、上記PZTや、チタン酸バリウムは一般式ABOで表わされるが、PZT、チタン酸バリウム以外にもABO(A=Pb、Ba、Sr、B=Ti、Zr、Sn、Ni、Zn、Mg、Nb)で表わされる複合酸化物を主成分とする複合酸化物を用いることができる。 The PZT and barium titanate are represented by the general formula ABO 3. In addition to PZT and barium titanate, ABO 3 (A = Pb, Ba, Sr, B = Ti, Zr, Sn, Ni, Zn, A composite oxide mainly composed of a composite oxide represented by Mg, Nb) can be used.

さらに、(Pb1−x,Ba)(Zr,Ti)O、(Pb1−x,Sr)(Zr,Ti)Oの様にAサイトのPbを一部BaやSrで置換した複合酸化物も使用することができる。置換に用いる元素としては2価の元素であれば可能であり、Pbの一部を2価の元素で置換することにより電気−機械変換膜17を成膜する際等に熱処理を行った場合に鉛の蒸発による特性劣化を低減させる効果がある。 Further, as in (Pb 1-x , Ba x ) (Zr, Ti) O 3 , (Pb 1-x , Sr x ) (Zr, Ti) O 3 , part of Pb at the A site is replaced with Ba or Sr. It is also possible to use the composite oxide. The element used for the substitution can be any divalent element, and when heat treatment is performed when the electromechanical conversion film 17 is formed by substituting a part of Pb with the divalent element. There is an effect of reducing characteristic deterioration due to evaporation of lead.

電気−機械変換膜17の作製方法としては、特に限定されるものではないが、例えばスパッタ法や、Sol−gel法により作製することができる。   The method for producing the electro-mechanical conversion film 17 is not particularly limited, and for example, it can be produced by a sputtering method or a Sol-gel method.

そして、成膜後、フォトリソエッチング等によりパターニングを行い、所望のパターンを得ることができる。   Then, after film formation, patterning can be performed by photolithography etching or the like to obtain a desired pattern.

PZTからなる電気−機械変換膜17をSol−gel法により作製する場合を例に説明する。   The case where the electromechanical conversion film 17 made of PZT is manufactured by the Sol-gel method will be described as an example.

酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料とし、共通溶媒としてメトキシエタノールを用い、上記出発原料が所定比になるように共通溶液に溶解させ均一溶液とすることで、PZT前駆体溶液を作製する。   PZT precursor solution is prepared by using lead acetate, zirconium alkoxide, and titanium alkoxide compound as starting materials, using methoxyethanol as a common solvent, and dissolving the above starting materials in a common solution so as to have a predetermined ratio to obtain a uniform solution. To do.

なお、金属アルコキシド化合物は大気中の水分により容易に加水分解してしまうので、前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミンなどの安定化剤を適量、添加しておくこともできる。また、鉛成分は成膜工程で熱処理を行う際などに蒸発することがあるので、量論比よりも多めに添加しておくこともできる。   Since the metal alkoxide compound is easily hydrolyzed by moisture in the atmosphere, an appropriate amount of a stabilizer such as acetylacetone, acetic acid or diethanolamine can be added to the precursor solution as a stabilizer. In addition, since the lead component may evaporate during heat treatment in the film forming process, it can be added in a larger amount than the stoichiometric ratio.

基板全面にPZT膜を得る場合、スピンコートなどの溶液塗布法により塗膜を形成し、溶媒乾燥、熱分解、結晶化の各々の熱処理を施すことでPZT膜を得ることができる。塗膜から結晶化膜への変態には体積収縮が伴うので、クラックフリーな膜を得るには一度の工程で100nm以下の膜厚が得られるように前駆体濃度の調整を行うことが好ましく、成膜工程を繰り返し行うことで所望の膜厚のPZT膜を得ることができる。   When a PZT film is obtained on the entire surface of the substrate, the PZT film can be obtained by forming a coating film by a solution coating method such as spin coating and applying heat treatments such as solvent drying, thermal decomposition, and crystallization. Since the transformation from the coating film to the crystallized film involves volume shrinkage, it is preferable to adjust the precursor concentration so as to obtain a film thickness of 100 nm or less in one step in order to obtain a crack-free film, A PZT film having a desired film thickness can be obtained by repeatedly performing the film forming process.

なお、チタン酸バリウム膜の場合であれば、例えば、バリウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒に溶解させることでチタン酸バリウム前駆体溶液を作製し、これを用いて例えば上記PZTの場合と同様の手順でSol−gel法により成膜することが可能である。   In the case of a barium titanate film, for example, a barium alkoxide, titanium alkoxide compound is used as a starting material, and dissolved in a common solvent to prepare a barium titanate precursor solution. It is possible to form a film by the Sol-gel method in the same procedure as in the case.

電気−機械変換膜の膜厚としては限定されるものではなく、要求される圧電特性に応じて選択すればよいが、0.5μm以上5μm以下であることが好ましく、1μm以上2μm以下であることがより好ましい。これは、上記範囲より薄いと圧電アクチュエータとして使用する際に十分な変位を発生することができない場合があるためであり、また、上記範囲より厚いと、その製造工程において何層も積層させて成膜するため、工程数が多くなりプロセス時間が長くなるためである。   The film thickness of the electro-mechanical conversion film is not limited and may be selected according to the required piezoelectric characteristics, but is preferably 0.5 μm or more and 5 μm or less, and preferably 1 μm or more and 2 μm or less. Is more preferable. This is because if the thickness is smaller than the above range, sufficient displacement may not be generated when used as a piezoelectric actuator. If the thickness is larger than the above range, many layers are laminated in the manufacturing process. This is because film formation increases the number of steps and the process time.

ここで、熱酸化膜を形成したシリコン基板上に、上記のように、酸化チタンからなる第1の密着層、白金からなる第1の電極、チタンからなる第2の密着層、膜厚が0.06μmのルテニウム酸ストロンチウム第2の電極を形成したものを用意し、さらに、Sol−gel法により2μmの膜厚のPZT膜を成膜した試料のX線回折パターンを図3に示す。   Here, on the silicon substrate on which the thermal oxide film is formed, as described above, the first adhesion layer made of titanium oxide, the first electrode made of platinum, the second adhesion layer made of titanium, and the film thickness is 0. FIG. 3 shows an X-ray diffraction pattern of a sample prepared by forming a 0.06 μm strontium ruthenate second electrode and further forming a PZT film having a thickness of 2 μm by the Sol-gel method.

また、図3には、比較の試料として、第2の密着層を設けない点以外は同様にして作成した試料のX線回折パターンもあわせて示す。   FIG. 3 also shows an X-ray diffraction pattern of a sample prepared in the same manner except that the second adhesion layer is not provided as a comparative sample.

これによると、第2の密着層有無で比較すると、第2の密着層を入れた時の方が、PZT膜の結晶性をさらに高めることができており、(111)面方位に優先配向した膜が得られていることが分かる。このため、電気―機械変換素子を圧電アクチュエータとして用いた場合に、変位劣化を抑制し、経時的に安定した駆動力を得ることが可能となる。   According to this, when compared with the presence or absence of the second adhesion layer, the crystallinity of the PZT film can be further enhanced when the second adhesion layer is inserted, and the (111) plane orientation is preferentially oriented. It can be seen that a film is obtained. For this reason, when the electro-mechanical conversion element is used as a piezoelectric actuator, it is possible to suppress displacement deterioration and obtain a stable driving force with time.

なお、ここでは、PZTを用いた電気−機械変換膜を例に説明したが、他の材料を用いた場合でも第2の密着層を設けることにより同様に結晶性を高めることができ、同様の効果が得られる。   Here, the electro-mechanical conversion film using PZT has been described as an example, but even when other materials are used, the crystallinity can be similarly improved by providing the second adhesion layer. An effect is obtained.

以上に説明したように、本実施形態の電気−機械変換素子10は、簡便な構造を有しており、連続動作を行った場合でも変位劣化を抑制し、経時的に安定した駆動力を得ることが可能である
[第2の実施形態]
本実施形態では、以下の構成を有する電気−機械変換素子について説明する。
As described above, the electromechanical conversion element 10 of the present embodiment has a simple structure, suppresses displacement deterioration even when continuous operation is performed, and obtains a stable driving force over time. [Second Embodiment]
In this embodiment, an electromechanical conversion element having the following configuration will be described.

まず、基板または下地膜上に形成された第1の密着層と、前記第1の密着層上に形成された、金属からなる第1の電極と、前記第1の電極上に形成され、(111)面方位に優先配向しているルテニウム酸ストロンチウムからなる膜厚が40nm以上150nm以下の第2の電極を有している。さらに、前記第2の電極上に形成された第3の密着層と、前記第3の密着層上に形成された電気―機械変換膜と、前記電気−機械変換膜上に形成された、酸化物からなる第3の電極と、前記第3の電極上に形成された金属からなる第4の電極と、を有している。そして、前記第3、4の電極は個別電極であり、前記第1の密着層は金属膜をRTA法により酸化した膜からなり、前記第3の密着層は金属膜からなり、その膜厚が1nm以上10nm以下であることを特徴とするものである。   First, a first adhesion layer formed on a substrate or a base film, a first electrode made of metal formed on the first adhesion layer, and formed on the first electrode, A second electrode having a thickness of 40 nm to 150 nm made of strontium ruthenate preferentially oriented in the (111) plane orientation. Furthermore, a third adhesion layer formed on the second electrode, an electro-mechanical conversion film formed on the third adhesion layer, and an oxidation formed on the electro-mechanical conversion film A third electrode made of a material, and a fourth electrode made of metal formed on the third electrode. The third and fourth electrodes are individual electrodes, the first adhesion layer is made of a film obtained by oxidizing a metal film by an RTA method, and the third adhesion layer is made of a metal film, and the film thickness is It is 1 nm or more and 10 nm or less.

具体的な本実施形態の電気−機械変換素子の構成を図4に示す。   FIG. 4 shows a specific configuration of the electromechanical conversion element of this embodiment.

本実施形態に示した電気−機械変換素子40は、図4に示す構成を有しており、第1の実施形態で説明した電気―機械変換素子10において、第2の密着層15を設けずに第3の密着層41を設けたものであるので、この点について説明する。他の膜(層)の構成については、第1の実施形態を参照されたい。なお、図4中、図1と同じ部材については同じ番号を付している。   The electro-mechanical conversion element 40 shown in this embodiment has the configuration shown in FIG. 4, and the second adhesion layer 15 is not provided in the electro-mechanical conversion element 10 described in the first embodiment. Since this is provided with the third adhesion layer 41, this point will be described. For the configuration of other films (layers), refer to the first embodiment. In FIG. 4, the same members as those in FIG.

第3の密着層41は、図4に示すように、第2の電極16上に設けている。   As shown in FIG. 4, the third adhesion layer 41 is provided on the second electrode 16.

第3の密着層41は金属膜であることが好ましく、その具体的な材料としては例えば、Ti、Taが挙げられるが、特にTiを用いることが好ましい。   The third adhesion layer 41 is preferably a metal film, and specific materials thereof include, for example, Ti and Ta, and it is particularly preferable to use Ti.

第3の密着層は例えばスパッタ法により作製することができる。   The third adhesion layer can be produced, for example, by sputtering.

そして、その膜厚としては、1nm以上10nm以下であることが好ましく、3nm以上7nm以下であることがより好ましい。上記範囲よりも膜厚が薄い場合、得られた電気−機械変換素子を連続駆動後の変位劣化抑制について十分な効果が得られない場合がある。また、上記範囲よりも膜厚が厚い場合、第3の密着層41上に作製する電気−機械変換膜17の結晶の質に影響が出てくる。   The film thickness is preferably 1 nm or more and 10 nm or less, and more preferably 3 nm or more and 7 nm or less. When the film thickness is thinner than the above range, there may be a case where a sufficient effect cannot be obtained for suppressing displacement deterioration after the obtained electro-mechanical conversion element is continuously driven. When the film thickness is larger than the above range, the crystal quality of the electromechanical conversion film 17 formed on the third adhesion layer 41 is affected.

第3の密着層41を設けることにより、第1の実施形態で説明した第2の密着層の場合と同様に、その上に形成する電気―機械変換素子17の結晶性を高めることが可能になる。このため、本実施形態の電気−機械変換素子40は、簡便な構造を有しており、連続動作を行った場合でも変位劣化を抑制し、経時的に安定した駆動力を得ることが可能である。
[第3の実施形態]
本実施形態では、第1の実施形態、第2の実施形態で説明した電気−機械変換素子10(40)を備えた液滴吐出ヘッドについて説明する。
By providing the third adhesion layer 41, as in the case of the second adhesion layer described in the first embodiment, it is possible to increase the crystallinity of the electromechanical conversion element 17 formed thereon. Become. For this reason, the electromechanical conversion element 40 of the present embodiment has a simple structure, and even when continuous operation is performed, it is possible to suppress displacement deterioration and obtain a stable driving force over time. is there.
[Third Embodiment]
In this embodiment, a droplet discharge head including the electro-mechanical conversion element 10 (40) described in the first embodiment and the second embodiment will be described.

本実施形態で説明する液滴吐出ヘッドを図5、図6に示す。なお、図5に示す液滴吐出ヘッド50は1ノズルの構成の一例の概略図であり、図6は図5に示した1ノズルの液滴吐出ヘッド50を複数個配列して形成された液滴吐出ヘッド60の概略を示したものである。   A droplet discharge head described in this embodiment is shown in FIGS. 5 is a schematic diagram showing an example of the configuration of one nozzle, and FIG. 6 is a liquid formed by arranging a plurality of one-nozzle droplet discharge heads 50 shown in FIG. An outline of the droplet discharge head 60 is shown.

図5、図6の液滴吐出ヘッドは、液滴を吐出するノズルと、前記ノズルが連通する加圧室と、前記加圧室の壁の一部を構成する振動板と、前記振動板上に形成された第1、第2の実施形態で説明した電気−機械変換素子と、を有することを特徴とする液滴吐出ヘッドである。   5 and 6 includes a nozzle that discharges droplets, a pressurizing chamber that communicates with the nozzle, a diaphragm that forms part of the wall of the pressurizing chamber, and a diaphragm on the diaphragm. A droplet discharge head comprising the electro-mechanical conversion element described in the first and second embodiments.

液滴吐出ヘッド50の構成について図5を用いて具体的に説明する。   The configuration of the droplet discharge head 50 will be specifically described with reference to FIG.

加圧室53内の液体を昇圧させる吐出駆動手段として、加圧室の壁の一部を構成する振動板12で構成し、振動板に電気−機械変換素子10(40)が配置されている。また、電気−機械変換素子10(40)が形成されている基板11をエッチングして形成されインク等の液体(以下、「インク」という)を収容するインク室である加圧室(圧力室)53と、加圧室53内のインクを液滴状に吐出するインク吐出口としてのノズル孔であるノズル54を備えたインクノズルとしてのノズル板55とを有している。   The discharge driving means for increasing the pressure of the liquid in the pressurizing chamber 53 is constituted by the vibration plate 12 constituting a part of the wall of the pressurization chamber, and the electro-mechanical conversion element 10 (40) is disposed on the vibration plate. . In addition, a pressurizing chamber (pressure chamber) that is an ink chamber that is formed by etching the substrate 11 on which the electro-mechanical conversion element 10 (40) is formed and stores a liquid such as ink (hereinafter referred to as “ink”). 53 and a nozzle plate 55 as an ink nozzle provided with a nozzle 54 as a nozzle hole as an ink discharge port for discharging the ink in the pressurizing chamber 53 in the form of droplets.

液滴吐出ヘッド50が液滴を吐出するメカニズムとしては、下部電極21、上部電極22に給電されることで電気−機械変換膜17に応力が発生し、これによって振動板(振動板)12を振動させる。そして、この振動に伴って、ノズル54から加圧室53内のインクを液滴状に吐出するようになっている。なお、加圧室53内にインクを供給するインク供給手段である液体供給手段、インクの流路、流体抵抗についての図示及び説明は省略している。   As a mechanism by which the droplet discharge head 50 discharges droplets, power is supplied to the lower electrode 21 and the upper electrode 22 to generate stress in the electro-mechanical conversion film 17, thereby causing the vibration plate (vibration plate) 12 to move. Vibrate. Along with this vibration, the ink in the pressurizing chamber 53 is ejected from the nozzle 54 in the form of droplets. Note that illustration and description of liquid supply means, ink flow paths, and fluid resistance, which are ink supply means for supplying ink into the pressurizing chamber 53, are omitted.

係る液滴吐出ヘッドによれば、第1、第2の実施形態で説明した本発明の電気−機械変換素子を用いているため、振動板駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られる。   According to such a droplet discharge head, since the electro-mechanical conversion element of the present invention described in the first and second embodiments is used, there is no ink droplet discharge failure due to vibration plate drive failure, and stable ink droplets. Discharge characteristics can be obtained.

また、電気−機械変換素子が簡便な構造を有しており(かつバルクセラミックスと同等の性能を持つ)、さらに、その後の圧力室形成のための裏面からのエッチング除去、ノズル孔を有するノズル板を接合することで容易に液滴吐出ヘッドとすることができる。
[第4の実施形態]
本実施形態では、第3の実施形態で説明した液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする液滴吐出装置について説明する。
Further, the electro-mechanical conversion element has a simple structure (and has performance equivalent to that of bulk ceramics), and further, etching removal from the back surface for forming a pressure chamber, and a nozzle plate having nozzle holes By joining the droplets, a droplet discharge head can be easily obtained.
[Fourth Embodiment]
In the present embodiment, a droplet discharge device including the droplet discharge head described in the third embodiment will be described.

液滴吐出装置としては、例えばインクジェット記録装置が挙げられ、ここでは、インクジェット記録装置の具体的な構成例について図7、図8を用いて説明する。   An example of the droplet discharge device is an ink jet recording device, and a specific configuration example of the ink jet recording device will be described with reference to FIGS.

なお、図7は同記録装置の斜視説明図、図8は同記録装置の機構部の側面説明図をそれぞれ示している。   7 is an explanatory perspective view of the recording apparatus, and FIG. 8 is an explanatory side view of a mechanism portion of the recording apparatus.

このインクジェット記録装置は、記録装置本体70の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ71、キャリッジ71に搭載した本発明を実施したインクジェットヘッドからなる記録ヘッド、記録ヘッドへインクを供給するインクカートリッジ72等で構成される印字機構部73等を収納し、装置本体70の下方部には前方側から多数枚の用紙74を積載可能な給紙カセット(或いは給紙トレイでもよい。)75を抜き差し自在に装着することができ、また、用紙74を手差しで給紙するための手差しトレイ76を開倒することができ、給紙カセット75或いは手差しトレイ76から給送される用紙74を取り込み、印字機構部73によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ77に排紙する。   The ink jet recording apparatus includes a carriage 71 movable in the main scanning direction inside the recording apparatus main body 70, a recording head comprising the ink jet head embodying the present invention mounted on the carriage 71, and an ink cartridge 72 for supplying ink to the recording head. A paper feed cassette (or a paper feed tray) 75 on which a large number of sheets 74 can be stacked from the front side is freely detachable at the lower part of the apparatus main body 70. The manual feed tray 76 for manually feeding the paper 74 can be opened, the paper 74 fed from the paper feed cassette 75 or the manual feed tray 76 is taken in, and the printing mechanism After recording a required image by the unit 73, the image is discharged to a discharge tray 77 mounted on the rear side.

印字機構部73は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド78と従ガイドロッド79とでキャリッジ71を主走査方向に摺動自在に保持し、このキャリッジ71にはイエロー(Y)、シアン(C)、マゼンタ(M)、ブラック(Bk)の各色のインク滴を吐出する本発明に係るインクジェットヘッドからなるヘッド80を複数のインク吐出口(ノズル)を主走査方向と交差する方向に配列し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着している。またキャリッジ71にはヘッド80に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ72を交換可能に装着している。   The printing mechanism 73 holds a carriage 71 slidably in the main scanning direction by a main guide rod 78 and a sub guide rod 79 which are guide members horizontally mounted on left and right side plates (not shown). (Y), cyan (C), magenta (M), and black (Bk). The head 80 formed of the inkjet head according to the present invention that discharges ink droplets of each color has a plurality of ink discharge ports (nozzles) as the main scanning direction. They are arranged in the intersecting direction and mounted with the ink droplet ejection direction facing downward. Further, each ink cartridge 72 for supplying ink of each color to the head 80 is replaceably mounted on the carriage 71.

インクカートリッジ72は上方に大気と連通する大気口、下方にはインクジェットヘッド80へインクを供給する供給口を、内部にはインクが充填された多孔質体を有しており、多孔質体の毛管力によりインクジェットヘッドへ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。また、記録ヘッドとしてここでは各色のヘッド80を用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する1個のヘッドでもよい。   The ink cartridge 72 has an air port that communicates with the atmosphere upward, a supply port that supplies ink to the inkjet head 80 below, and a porous body filled with ink inside, and a capillary tube for the porous body. The ink supplied to the inkjet head is maintained at a slight negative pressure by force. Further, although the heads 80 of the respective colors are used here as the recording heads, a single head having nozzles for ejecting ink droplets of the respective colors may be used.

ここで、キャリッジ71は後方側(用紙搬送方向下流側)を主ガイドロッド78に摺動自在に嵌装し、前方側(用紙搬送方向上流側)を従ガイドロッド79に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ71を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ81で回転駆動される駆動プーリ82と従動プーリ83との間にタイミングベルト84を張装し、このタイミングベルト84をキャリッジ71に固定しており、主走査モータ81の正逆回転によりキャリッジ71が往復駆動される。   Here, the carriage 71 is slidably fitted to the main guide rod 78 on the rear side (downstream side in the paper conveyance direction), and is slidably mounted on the sub guide rod 79 on the front side (upstream side in the paper conveyance direction). doing. In order to move and scan the carriage 71 in the main scanning direction, a timing belt 84 is stretched between a driving pulley 82 and a driven pulley 83 that are rotationally driven by a main scanning motor 81, and the timing belt 84 is moved to the carriage 71. The carriage 71 is reciprocated by the forward and reverse rotation of the main scanning motor 81.

一方、給紙カセット75にセットした用紙74をヘッド80の下方側に搬送するために、給紙カセット75から用紙74を分離給装する給紙ローラ85及びフリクションパッド86と、用紙74を案内するガイド部材87と、給紙された用紙74を反転させて搬送する搬送ローラ88と、この搬送ローラ88の周面に押し付けられる搬送コロ89及び搬送ローラ89からの用紙74の送り出し角度を規定する先端コロ90とを設けている。搬送ローラ88は副走査モータ91によってギヤ列を介して回転駆動される。   On the other hand, in order to convey the paper 74 set in the paper feed cassette 75 to the lower side of the head 80, the paper 74 is guided from the paper feed cassette 75 to the paper feed roller 85 and the friction pad 86 for separating and feeding the paper 74. A guide member 87, a transport roller 88 that reverses and transports the fed paper 74, a transport roller 89 that is pressed against the peripheral surface of the transport roller 88, and a tip that defines the feed angle of the paper 74 from the transport roller 89 A roller 90 is provided. The transport roller 88 is rotationally driven by a sub-scanning motor 91 through a gear train.

そして、キャリッジ71の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ88から送り出された用紙74を記録ヘッド80の下方側で案内する用紙ガイド部材である印写受け部材92を設けている。この印写受け部材92の用紙搬送方向下流側には、用紙74を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ93、拍車94を設け、さらに用紙74を排紙トレイ77に送り出す排紙ローラ95及び拍車96と、排紙経路を形成するガイド部材97、98とを配設している。   A printing receiving member 92 is provided as a paper guide member for guiding the paper 74 fed from the transport roller 88 below the recording head 80 corresponding to the range of movement of the carriage 71 in the main scanning direction. On the downstream side of the printing receiving member 92 in the sheet conveyance direction, a conveyance roller 93 and a spur 94 that are rotationally driven to send the sheet 74 in the sheet discharge direction are provided, and the sheet 74 is further discharged to the sheet discharge tray 77. A roller 95 and a spur 96, and guide members 97 and 98 that form a paper discharge path are disposed.

記録時には、キャリッジ71を移動させながら画像信号に応じて記録ヘッド80を駆動することにより、停止している用紙74にインクを吐出して1行分を記録し、用紙74を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号または、用紙74の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙74を排紙する。
また、図7中、キャリッジ71の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、ヘッド80の吐出不良を回復するための回復装置99を配置している。回復装置99はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有している。キャリッジ71は印字待機中にはこの回復装置99側に移動されてキャッピング手段でヘッド80をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。
At the time of recording, the recording head 80 is driven according to the image signal while moving the carriage 71 to eject ink onto the stopped paper 74 to record one line. Record the line. Upon receiving a recording end signal or a signal that the trailing edge of the paper 74 has reached the recording area, the recording operation is terminated and the paper 74 is discharged.
In FIG. 7, a recovery device 99 for recovering the ejection failure of the head 80 is disposed at a position outside the recording area on the right end side in the movement direction of the carriage 71. The recovery device 99 includes a cap unit, a suction unit, and a cleaning unit. The carriage 71 is moved to the recovery device 99 side during printing standby, and the head 80 is capped by the capping means, and the ejection port portion is kept in a wet state to prevent ejection failure due to ink drying. Further, by ejecting ink that is not related to recording during recording or the like, the ink viscosity of all the ejection ports is made constant and stable ejection performance is maintained.

吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段でヘッド80の吐出口(ノズル)を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出し、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。また、吸引されたインクは、本体下部に設置された廃インク溜(不図示)に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。   When a discharge failure occurs, the discharge port (nozzle) of the head 80 is sealed with a capping unit, and bubbles and the like are sucked out from the discharge port with the suction unit through the tube. Is removed by the cleaning means to recover the ejection failure. Further, the sucked ink is discharged to a waste ink reservoir (not shown) installed at the lower part of the main body and absorbed and held by an ink absorber inside the waste ink reservoir.

そして、このようなインクジェット記録装置において、第3の実施形態で説明した電気―機械変換素子を用いた液滴吐出ヘッド(インクジェットヘッド)を搭載することにより、振動板駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られ、画像品質を向上することができる。   In such an ink jet recording apparatus, by mounting the droplet discharge head (inkjet head) using the electro-mechanical conversion element described in the third embodiment, ink droplet discharge failure due to vibration plate drive failure is prevented. Therefore, stable ink droplet ejection characteristics can be obtained, and image quality can be improved.

以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
[実施例1]
以下の手順により電気−機械変換素子を作製した。
The present invention will be described below with reference to specific examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples [Example 1].
The electromechanical conversion element was produced by the following procedure.

シリコンウェハに振動板となる熱酸化膜(膜厚1μm)を形成した。   A thermal oxide film (film thickness 1 μm) serving as a vibration plate was formed on a silicon wafer.

次いで、チタン膜(膜厚30nm)をスパッタ装置にて成膜した後にRTA法により750℃にて熱酸化することにより、第1の密着層を形成した。   Next, after forming a titanium film (film thickness: 30 nm) with a sputtering apparatus, the first adhesion layer was formed by thermal oxidation at 750 ° C. by the RTA method.

引き続き第1の電極として白金膜(膜厚150nm)、第2の密着層としてチタン膜(膜厚10nm)、第2の電極としてSrRuO膜(膜厚60nm)をスパッタ成膜した。第2の電極のスパッタ成膜を行う際の基板加熱温度は550℃として成膜を行った。 Subsequently, a platinum film (film thickness: 150 nm) was formed as the first electrode, a titanium film (film thickness: 10 nm) as the second adhesion layer, and an SrRuO 3 film (film thickness: 60 nm) as the second electrode. The substrate was heated at 550 ° C. when the second electrode was formed by sputtering.

次に電気−機械変換膜を成膜するための前駆体溶液として以下に示すモル比で金属種を含む2種の溶液(PZT−1、PZT−2)を用意し、図9に示すような積層膜を作製した。
PZT−1(Pb:Zr:Ti=110:53:47)
PZT−2(Pb:Zr:Ti=120:53:47)
上記各PZT溶液においては、いずれも化学両論組成に対し鉛量を過剰にしてある。これは熱処理中のいわゆる鉛抜けによる結晶性低下を防ぐためである。
Next, as a precursor solution for forming an electromechanical conversion film, two types of solutions (PZT-1 and PZT-2) containing metal species at the molar ratio shown below are prepared, as shown in FIG. A laminated film was produced.
PZT-1 (Pb: Zr: Ti = 110: 53: 47)
PZT-2 (Pb: Zr: Ti = 120: 53: 47)
In each of the above PZT solutions, the lead amount is excessive with respect to the stoichiometric composition. This is to prevent crystallinity deterioration due to so-called lead loss during heat treatment.

具体的な前駆体塗布液の合成に手順について説明する。   A procedure for synthesizing a specific precursor coating solution will be described.

まず、出発材料として酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを用いた。酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後、脱水した。   First, lead acetate trihydrate, isopropoxide titanium and isopropoxide zirconium were used as starting materials. Crystal water of lead acetate was dissolved in methoxyethanol and then dehydrated.

イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを所定比でメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、さらに上記酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と所定比になるように混合することでPZT前駆体溶液を合成した。この際、溶液中のPZT濃度は0.5mol/Lとなるように調整した。   By dissolving isopropoxide titanium and isopropoxide zirconium in methoxyethanol at a predetermined ratio, proceeding with alcohol exchange reaction and esterification reaction, and mixing with methoxyethanol solution in which lead acetate is dissolved to a predetermined ratio. A PZT precursor solution was synthesized. At this time, the PZT concentration in the solution was adjusted to 0.5 mol / L.

この液を用いて、スピンコート法により基材に塗布し、各層について塗布後、120℃で乾燥し、さらに500℃で熱分解を行った。   Using this liquid, it apply | coated to the base material with the spin coat method, and after apply | coating about each layer, it dried at 120 degreeC and also thermally decomposed at 500 degreeC.

図9に示すように、1、2層目に上記PZT−1溶液を用いて、3層目にPZT−2溶液を用いた。3層目の熱分解処理後に、1〜3層部分について結晶化熱処理(温度750℃)をRTA法(急速熱処理)により行った。このとき得られたPZTの膜厚は240nmであった。そして、この工程を計8回(24層)繰り返し実施して膜厚約2μmのPZT膜を得た。   As shown in FIG. 9, the PZT-1 solution was used for the first and second layers, and the PZT-2 solution was used for the third layer. After the thermal decomposition treatment of the third layer, crystallization heat treatment (temperature 750 ° C.) was performed on the first to third layer portions by the RTA method (rapid heat treatment). The film thickness of PZT obtained at this time was 240 nm. This process was repeated a total of 8 times (24 layers) to obtain a PZT film having a thickness of about 2 μm.

次に第3の電極としてSrRuO膜(膜厚40nm)、第4の電極としてPt膜(膜厚125nm)をそれぞれスパッタ法により成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト(TSMR8800)をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、ICPエッチング装置(サムコ製)を用いてパターンを作製した。 Next, a SrRuO 3 film (film thickness 40 nm) was formed as a third electrode, and a Pt film (film thickness 125 nm) was formed as a fourth electrode by sputtering. Thereafter, a photoresist (TSMR8800) manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. was formed by spin coating, a resist pattern was formed by ordinary photolithography, and then a pattern was prepared using an ICP etching apparatus (manufactured by Samco).

次に絶縁保護膜107として、パリレン膜(膜厚2μm)をCVD成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト(TSMR8800)をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、RIE(サムコ製)を用いて図10のようなパターンを作製した。   Next, as the insulating protective film 107, a parylene film (film thickness: 2 μm) was formed by CVD. Thereafter, a photoresist made by Tokyo Ohka Co., Ltd. (TSMR8800) was formed by spin coating, a resist pattern was formed by ordinary photolithography, and then a pattern as shown in FIG. 10 was produced using RIE (manufactured by Samco).

最後に第5、第6の電極としてAl膜(膜厚5μm)をスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジスト(TSMR8800)をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、RIE(サムコ製)を用いて図10のようなパターンを作製し、電気−機械変換素子を作製した。   Finally, an Al film (film thickness 5 μm) was formed by sputtering as the fifth and sixth electrodes. Thereafter, a photoresist made by Tokyo Ohka Co., Ltd. (TSMR8800) was formed by spin coating, a resist pattern was formed by ordinary photolithography, and then a pattern as shown in FIG. 10 was produced using RIE (manufactured by Samco). An electromechanical conversion element was produced.

以上の工程により、図10に示す構造の電気−機械変換素子を作製した。図10の上図(a)は断面図、下図(b)は上面図を示している。図中、図1と同じ部材については同じ符号を付している。   Through the above steps, an electromechanical transducer having the structure shown in FIG. 10 was produced. An upper view (a) of FIG. 10 shows a cross-sectional view, and a lower view (b) shows a top view. In the figure, the same members as those in FIG.

具体的には、基板11、振動板12、第1の密着層13、第1の電極14上に、さらに、第2の密着層及び第2の電極101、電気―機械変換膜17、第3の電極及び第4の電極102が形成され、これを覆うように絶縁保護膜107が形成されている。そして、絶縁保護膜107の所定の場所にはコンタクトホール103、104が形成され、係るコンタクトホールを介して、第5の電極105、第6の電極106はそれぞれ電気機械変換素子の下部電極、上部電極と接続されている。   Specifically, on the substrate 11, the diaphragm 12, the first adhesion layer 13, and the first electrode 14, the second adhesion layer and the second electrode 101, the electromechanical conversion film 17, the third The fourth electrode 102 and the fourth electrode 102 are formed, and an insulating protective film 107 is formed so as to cover it. Contact holes 103 and 104 are formed at predetermined positions of the insulating protective film 107, and the fifth electrode 105 and the sixth electrode 106 are respectively connected to the lower electrode and the upper electrode of the electromechanical transducer through the contact holes. It is connected to the electrode.

第5の電極105は共通電極となっており、これにより電気−機械変換素子の下部電極を共通電極として機能させるようになっている。また、第6の電極106は個別電極となっており、これにより電気−機械変換素子の上部電極を個別電極として機能させるようになっている。   The fifth electrode 105 is a common electrode, so that the lower electrode of the electromechanical conversion element functions as a common electrode. Further, the sixth electrode 106 is an individual electrode, so that the upper electrode of the electro-mechanical conversion element functions as an individual electrode.

得られた電気―機械変換素子について評価を行った結果を表1に示す。評価方法については後述する。   Table 1 shows the results of evaluation of the obtained electro-mechanical conversion element. The evaluation method will be described later.

[実施例2]
以下の手順により、電気―機械変換素子を作製した。
[Example 2]
An electromechanical conversion element was produced by the following procedure.

シリコンウェハに振動板となる熱酸化膜(膜厚1μm)を形成した。   A thermal oxide film (film thickness 1 μm) serving as a vibration plate was formed on a silicon wafer.

次いで、チタン膜(膜厚30nm)をスパッタ装置にて成膜した後にRTA法により750℃にて熱酸化することにより、第1の密着層を形成した。   Next, after forming a titanium film (film thickness: 30 nm) with a sputtering apparatus, the first adhesion layer was formed by thermal oxidation at 750 ° C. by the RTA method.

引き続き第1の電極として白金膜(膜厚150nm)、第2の電極としてSrRuO膜(膜厚60nm)、第3の密着層として、チタン膜(膜厚5nm)をスパッタ成膜した。第2の電極のスパッタ成膜時の基板加熱温度については550℃にて成膜を実施した。それ以外は実施例1と同様にして、図11に示すような電気−機械変換素子を作製した。 Subsequently, a platinum film (thickness: 150 nm) was formed as a first electrode, a SrRuO 3 film (thickness: 60 nm) as a second electrode, and a titanium film (thickness: 5 nm) as a third adhesion layer. The substrate was heated at 550 ° C. when the second electrode was formed by sputtering. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the electromechanical conversion element as shown in FIG.

なお、図11は図10の場合と同様に、上図(a)は断面図、下図(b)は上面図を示している。図10と同じ部材については同じ符号を付しており、上記のように第2の密着層及び第2の電極101にかえて、第2の電極および第3の密着層108となっている点が相違している。   Note that FIG. 11 shows a cross-sectional view of the upper view (a) and a top view of the lower view (b) as in the case of FIG. The same members as those in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals, and instead of the second adhesion layer and the second electrode 101 as described above, the second electrode and the third adhesion layer 108 are used. Is different.

[実施例3]
第2の電極としてSrRuO膜(膜厚145nm)とした以外は実施例1と同様に図10に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Example 3]
An electromechanical conversion element as shown in FIG. 10 was produced in the same manner as in Example 1 except that a SrRuO 3 film (film thickness: 145 nm) was used as the second electrode.

[実施例4]
第2の電極としてSrRuO膜(膜厚45nm)とした以外は実施例1と同様に図10に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Example 4]
An electro-mechanical conversion element as shown in FIG. 10 was produced in the same manner as in Example 1 except that the second electrode was a SrRuO 3 film (film thickness 45 nm).

[実施例5]
第2の密着層としてチタン膜(膜厚15nm)とした以外は実施例1と同様に図10に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Example 5]
An electromechanical conversion element as shown in FIG. 10 was produced in the same manner as in Example 1 except that a titanium film (film thickness: 15 nm) was used as the second adhesion layer.

[実施例6]
第3の密着層としてチタン膜(膜厚8nm)とした以外は実施例2と同様に図11に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Example 6]
An electromechanical conversion element as shown in FIG. 11 was produced in the same manner as in Example 2 except that a titanium film (film thickness: 8 nm) was used as the third adhesion layer.

[実施例7]
第3の密着層としてチタン膜(膜厚2nm)とした以外は実施例2と同様に図11に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Example 7]
An electromechanical conversion element as shown in FIG. 11 was produced in the same manner as in Example 2 except that a titanium film (film thickness: 2 nm) was used as the third adhesion layer.

[比較例1]
第2の密着層、第3の密着層を設けないこと以外は実施例1と同様に図12に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Comparative Example 1]
An electromechanical conversion element as shown in FIG. 12 was produced in the same manner as in Example 1 except that the second adhesion layer and the third adhesion layer were not provided.

なお、図12も図10と同様に上図(a)が断面図、下図(b)が上面図を示している。図1、図10と同じ部材については同じ符号を付している。   In FIG. 12, as in FIG. 10, the upper diagram (a) shows a cross-sectional view and the lower diagram (b) shows a top view. The same members as those in FIGS. 1 and 10 are denoted by the same reference numerals.

[比較例2]
第2の電極としてSrRuO膜(膜厚165nm)とした以外は実施例1と同様に図10に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Comparative Example 2]
An electromechanical conversion element as shown in FIG. 10 was produced in the same manner as in Example 1 except that the second electrode was a SrRuO 3 film (film thickness: 165 nm).

[比較例3]
第2の密着層としてチタン膜(膜厚30nm)とした以外は実施例1と同様に図10に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Comparative Example 3]
An electromechanical conversion element as shown in FIG. 10 was produced in the same manner as in Example 1 except that a titanium film (film thickness 30 nm) was used as the second adhesion layer.

[比較例4]
第2の密着層としてチタン膜(膜厚2nm)とした以外は実施例1と同様に図10に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Comparative Example 4]
An electromechanical conversion element as shown in FIG. 10 was produced in the same manner as in Example 1 except that a titanium film (film thickness: 2 nm) was used as the second adhesion layer.

[比較例5]
第3の密着層としてチタン膜(膜厚30nm)とした以外は実施例2と同様に図11に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Comparative Example 5]
An electromechanical conversion element as shown in FIG. 11 was produced in the same manner as in Example 2 except that a titanium film (film thickness: 30 nm) was used as the third adhesion layer.

[比較例6]
第3の密着層としてチタン膜(膜厚0.5nm)とした以外は実施例2と同様に図11に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Comparative Example 6]
An electro-mechanical conversion element as shown in FIG. 11 was produced in the same manner as in Example 2 except that a titanium film (film thickness: 0.5 nm) was used as the third adhesion layer.

[比較例7]
第1の密着層として、チタン膜(膜厚30nm)をスパッタ装置にて成膜した後に、RTA処理を行わず、連続して第1の電極として白金膜(膜厚150nm)、第2の密着層として、チタン膜(膜厚10nm)、第2の電極としてSrRuO膜(膜厚60nm)をスパッタ成膜した以外は実施例1と同様に図10に示すような電気−機械変換素子を作製した。
[Comparative Example 7]
After forming a titanium film (thickness 30 nm) as a first adhesion layer with a sputtering apparatus, RTA treatment is not performed, and a platinum film (thickness 150 nm) is continuously used as the first electrode. An electro-mechanical conversion element as shown in FIG. 10 was produced in the same manner as in Example 1 except that a titanium film (film thickness: 10 nm) as a layer and a SrRuO 3 film (film thickness: 60 nm) as a second electrode were formed by sputtering. did.

実施例1〜7、比較例1〜7で作製した電気−機械変換素子について、電気特性、電気−機械変換能(圧電定数)の評価を行った。代表的なP−Eヒステリシス曲線は図13に示す。電気−機械変換能は電界印加(150kV/cm)による変形量をレーザードップラー振動計で計測し、シミュレーションによる合わせ込みから算出した。初期特性を評価した後に、耐久性(1010回繰り返し電圧を加えた直後の特性)評価を実施した。これらの詳細結果について表1にまとめた。 About the electromechanical conversion element produced in Examples 1-7 and Comparative Examples 1-7, the electrical property and the electromechanical conversion ability (piezoelectric constant) were evaluated. A typical PE hysteresis curve is shown in FIG. The electro-mechanical conversion ability was calculated from the amount of deformation due to electric field application (150 kV / cm) measured by a laser Doppler vibrometer and adjusted by simulation. After evaluating the initial characteristics, durability (characteristics immediately after applying the voltage 10 times 10 times) was evaluated. These detailed results are summarized in Table 1.

Figure 0005998537
Figure 0005998537

実施例1〜7は初期特性の結果についても一般的なセラミック焼結体と同等の特性を有していた(残留分極Pr:20〜27μC/cm、圧電定数:−120〜−140pm/V)。さらに、耐久性試験後においてもその性能がほとんど変化していないことが確認できた。 In Examples 1 to 7, the results of the initial characteristics were similar to those of a general ceramic sintered body (residual polarization Pr: 20 to 27 μC / cm 2 , piezoelectric constant: −120 to −140 pm / V). ). Furthermore, it was confirmed that the performance hardly changed even after the durability test.

一方、比較例1〜7については、初期特性は一般的なセラミックス焼結体と同程度であるが、1010回繰り返し電圧を加えた耐久性試験後(1010回繰り返し印加電圧を加えた直後)の特性においては、実施例1〜7に比べて、残留分極及び圧電定数の双方において大きく劣化しているのが確認された。 On the other hand, immediately after the comparative example 1-7, the initial characteristics is a common ceramic sintered body and the same degree that the repeatedly applied voltage to 10 10 times repetition durability after the test plus voltage (10 10 times ), It was confirmed that both the remanent polarization and the piezoelectric constant were greatly deteriorated as compared with Examples 1-7.

実施例1〜7で作製した電気−機械変換素子を用いて、図5、図6に示す液滴吐出ヘッドを作製し液の吐出評価を行った。粘度を5cpに調整したインクを用いて、単純Push波形により−10〜−30Vの印可電圧を加えたときの吐出状況を確認したところ、全てのノズル孔からインクを吐出できていることを確認できた。   Using the electro-mechanical conversion elements produced in Examples 1 to 7, the droplet ejection heads shown in FIGS. 5 and 6 were produced, and liquid ejection was evaluated. Using ink with viscosity adjusted to 5 cp and confirming the discharge status when an applied voltage of -10 to -30 V was applied with a simple Push waveform, it was confirmed that ink could be discharged from all nozzle holes. It was.

以上の結果によれば、本発明の電気−機械変換素子である実施例1〜7においては、連続動作を行った場合でも変位劣化を抑制し、経時的に安定した駆動力を得ることが確認できた。また、液滴吐出ヘッドとした場合にも安定したインク滴吐出特性を有することが確認できた。   According to the above results, in Examples 1 to 7 which are the electromechanical conversion elements of the present invention, it is confirmed that even when continuous operation is performed, displacement deterioration is suppressed and a stable driving force is obtained over time. did it. Further, it was confirmed that the ink droplet ejection head has stable ink droplet ejection characteristics even when it is a droplet ejection head.

11 基板、下地膜
12 振動板
13 第1の密着層
14 第1の電極
15 第2の密着層
16 第2の電極
17 電気−機械変換膜
18 第3の電極
19 第4の電極
10、60 電気―機械変換素子
20 液滴吐出ヘッド
23 加圧室
24 ノズル
61 第3の密着層
11 substrate, base film 12 diaphragm 13 first adhesion layer 14 first electrode 15 second adhesion layer 16 second electrode 17 electro-mechanical conversion film 18 third electrode 19 fourth electrode 10, 60 electricity Mechanical conversion element 20 droplet discharge head 23 pressurizing chamber 24 nozzle 61 third adhesion layer

特開2004−186646号公報JP 2004-186646 A 特開2004−262253号公報JP 2004-262253 A 特開2003−218325号公報JP 2003-218325 A 特開2007−258389号公報JP 2007-258389 A 特許第4099818号公報Japanese Patent No. 4099818 特許第3249496号公報Japanese Patent No. 3249696 特許第3472087号公報Japanese Patent No. 3472877 特許第4572346号公報Japanese Patent No. 4572346 特許第3782401号公報Japanese Patent No. 3784401

Claims (9)

基板または下地膜上に形成された第1の密着層と、
前記第1の密着層上に形成された、金属からなる第1の電極と、
前記第1の電極上に形成された第2の密着層と、
前記第2の密着層上に形成され、(111)面方位に優先配向しているルテニウム酸ストロンチウムからなる膜厚が40nm以上150nm以下の第2の電極と、
前記第2の電極上に形成された電気―機械変換膜と、
前記電気−機械変換膜上に形成された、酸化物からなる第3の電極と、
前記第3の電極上に形成された金属からなる第4の電極と、を有しており、
前記第3、4の電極は個別電極であり、
前記第1の密着層は金属酸化膜からなり、
前記第2の密着層は金属膜からなり、その膜厚が5nm以上20nm以下であることを特徴とする電気−機械変換素子。
A first adhesion layer formed on a substrate or a base film;
A first electrode made of metal formed on the first adhesion layer;
A second adhesion layer formed on the first electrode;
A second electrode having a thickness of 40 nm or more and 150 nm or less formed of strontium ruthenate formed on the second adhesion layer and preferentially oriented in the (111) plane orientation;
An electro-mechanical conversion film formed on the second electrode;
A third electrode made of an oxide formed on the electro-mechanical conversion film;
A fourth electrode made of metal formed on the third electrode,
The third and fourth electrodes are individual electrodes,
Said first contact layer is made of metallic oxide film,
The electro-mechanical conversion element, wherein the second adhesion layer is made of a metal film and has a thickness of 5 nm to 20 nm.
基板または下地膜上に形成された第1の密着層と、
前記第1の密着層上に形成された、金属からなる第1の電極と、
前記第1の電極上に形成され、(111)面方位に優先配向しているルテニウム酸ストロンチウムからなる膜厚が40nm以上150nm以下の第2の電極と、
前記第2の電極上に形成された第3の密着層と、
前記第3の密着層上に形成された電気―機械変換膜と、
前記電気−機械変換膜上に形成された、酸化物からなる第3の電極と、
前記第3の電極上に形成された金属からなる第4の電極と、を有しており
前記第3、4の電極は個別電極であり、
前記第1の密着層は金属酸化膜からなり、
前記第3の密着層は金属膜からなり、その膜厚が1nm以上10nm以下であることを特徴とする電気−機械変換素子。
A first adhesion layer formed on a substrate or a base film;
A first electrode made of metal formed on the first adhesion layer;
A second electrode having a thickness of 40 nm or more and 150 nm or less made of strontium ruthenate formed on the first electrode and preferentially oriented in the (111) plane orientation;
A third adhesion layer formed on the second electrode;
An electro-mechanical conversion film formed on the third adhesion layer;
A third electrode made of an oxide formed on the electro-mechanical conversion film;
A fourth electrode made of metal formed on the third electrode, and the third and fourth electrodes are individual electrodes,
Said first contact layer is made of metallic oxide film,
The electro-mechanical conversion element, wherein the third adhesion layer is made of a metal film and has a thickness of 1 nm to 10 nm.
前記第2の密着層はチタンからなることを特徴とする請求項1に記載の電気−機械変換素子。   The electromechanical transducer according to claim 1, wherein the second adhesion layer is made of titanium. 前記第3の密着層はチタンからなることを特徴とする請求項2に記載の電気−機械変換素子。   The electro-mechanical transducer according to claim 2, wherein the third adhesion layer is made of titanium. 前記第1の密着層の膜厚が10nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1乃至4いずれか一項に記載の電気−機械変換素子。   5. The electromechanical conversion element according to claim 1, wherein the first adhesion layer has a thickness of 10 nm to 50 nm. 前記第1の密着層は、チタンの金属酸化膜であることを特徴とする請求項1乃至5いずれか一項に記載の電気−機械変換素子。 The first adhesion layer, electric according to any one of claims 1 to 5, characterized in that a metal oxide film of titanium emissions - mechanical conversion element. 前記第1の電極は白金からなり、その膜厚が80nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項1乃至6いずれか一項に記載の電気−機械変換素子。 The electromechanical conversion element according to any one of claims 1 to 6, wherein the first electrode is made of platinum and has a thickness of 80 nm to 200 nm. 液滴を吐出するノズルと、
前記ノズルが連通する加圧室と、
前記加圧室の壁の一部を構成する振動板と、
前記振動板上に形成された請求項1乃至7いずれか一項に記載の電気−機械変換素子と、を有することを特徴とする液滴吐出ヘッド。
A nozzle for discharging droplets;
A pressurizing chamber to which the nozzle communicates;
A diaphragm constituting a part of the wall of the pressurizing chamber;
A liquid droplet ejection head comprising: the electro-mechanical conversion element according to claim 1 formed on the vibration plate.
請求項8に記載の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。   A droplet discharge apparatus comprising the droplet discharge head according to claim 8.
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