JP5996774B2 - Ｍｅｍｓスキャニングミラーの視野の提供方法及び装置 - Google Patents

Description

分野
本開示の実施形態は、一般に、オプトエレクトロニクスの分野に、及びより詳しくは、ＭＥＭＳスキャニングミラーの視野の提供に、関する。

背景
レーザースキャナー、プロジェクター、及び他のレーザーデバイスのような、オプトエレクトロニクスのシステムの構築における根本的な設計の考慮すべき事項の一つは、システムに含まれたスキャニングミラーによって提供された、レーザービームの制御された偏向の許容された視野（ＦＯＶ）である。ＦＯＶは、システムの機械的な形態の因子（物理的な寸法）によって制限されることがある。例えば、モバイルデバイスに埋め込まれたレーザープロジェクターユニットは、モバイルデバイスにフィットする為に厳密なサイズの制限を有することがある。それに応じて、プロジェクターユニットは、モバイルデバイスにおいて設計されたユニットの埋め込みをすることを許容するために、投射の方向における厳密なサイズの制限を考慮に入れることで設計されることがある。他方では、例．モバイルデバイスにおける、プロジェクターユニットの短い使用距離の理由で、相対的に大きいＦＯＶを備えたプロジェクターユニットを有することは、望ましいことであることがある。レーザーデバイスについての小さい形態の因子及び大きいＦＯＶの要件の組み合わせは、設計者に難題を与えることがある。形態の因子の制約を備えたレーザーデバイスを築き上げるための解決手段の一つは、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）スキャニングミラー、特定の機械的な形状にエッチングされたシリコンデバイスを使用するものであることがある。しかしながら、ＭＥＭＳスキャニングミラーを備えたプロジェクターユニットのようなレーザーデバイスは、上に記載された機械的な束縛のおかげで非常に制限されたＦＯＶを有することがある。

図１は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、オプトエレクトロニクスの組み立て品を含む例のオプトエレクトロニクスのデバイスを図示する。 図２は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、図１のオプトエレクトロニクスの組み立て品に含まれたＭＥＭＳスキャニングミラーの例の断面の上面図を図示する。 図３は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、図２のＭＥＭＳスキャニングミラーの構成要素のいくつかの側面図を図示する。 図４は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、一つの例のＭＥＭＳスキャニングミラーの視野の透視図を図示する。 図５は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、一つ例のＭＥＭＳスキャニングミラーの視野の透視図を図示する。 図６は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、例のオプトエレクトロニクスの組み立て品の図を図示する。

図面の手短な記載
実施形態は、付随する図面と併せた後に続く詳細な説明によって容易に理解されることになる。この記載を容易にするために、同様の参照数字は、同様の構造的な要素を明示する。実施形態は、付随する図面の図において例の方式によって図示されると共に限定の方式によるものではない。

図１は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、オプトエレクトロニクスの組み立て品を含む例のオプトエレクトロニクスのデバイスを図示する。

図２は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、図１のオプトエレクトロニクスの組み立て品に含まれたＭＥＭＳスキャニングミラーの例の断面の上面図を図示する。

図３は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、図２のＭＥＭＳスキャニングミラーの構成要素のいくつかの側面図を図示する。

図４及び５は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、二つの例のＭＥＭＳスキャニングミラーの視野の透視図を図示する。

図６は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、例のオプトエレクトロニクスの組み立て品の図を図示する。

詳述された記載
本開示の実施形態は、ＭＥＭＳスキャニングミラーの視野の提供のための技術及び構成を含む。

後に続く詳細な説明において、これの部分を形成する付随する図面に参照がなされるが、同様の数字は、終始、同様の部分を明示すると共に、本開示の主たる事項が実行されることがある実施形態が図解の方式で示される。他の実施形態が利用されることがあると共に構造的な又は論理的な変化が本開示の範囲から逸脱することなくなされることがあることは、理解されることである。従って、後に続く詳細な説明は、限定する意味に取られるものではないと共に、実施形態の範囲は、添付された請求項及びそれらの均等物によって定義される。

本開示の目的のために、句“Ａ及び／又はＢ”は、（Ａ）、（Ｂ）、又は（Ａ及びＢ）を意味する。本開示の目的のために、句“Ａ、Ｂ、及び／又はＣ”は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ａ及びＢ）、（Ａ及びＣ）、（Ｂ及びＣ）、又は“Ａ、Ｂ、及びＣ”を意味する。

記載は、上部／下部、中／外、上／下、及び同様のもののような遠近法に基づいた記載を使用することがある。そのような記載は、単に議論を容易にするために使用されると共に、いずれの特定の配向にもここに記載された実施形態の適用を限定することが意図されるものではない。

記載は、句“（単数の）実施形態に”又は“（複数の）実施形態に”を使用することがあるが、それは、各々、同じ又は異なる実施形態の一つのもの又はより多くのものを参照する。さらに、本開示の実施形態に関して使用されるような、用語“を具備する”、“を含む”、“を有する”、及び同様のものは、類義語である。

用語“と結合させられた”は、その派生語と一緒に、ここに使用されることがある。“結合させられた”は、後に続くものの一つのもの又はより多くのものを意味することがある。“結合させられた”は、二つの又はより多くの要素が、直接的な物理的な、電気的な、又は光学的な接触にあるものであることを意味することがある。しかしながら、“結合させられた”は、また、二つの又はより多くの要素が、間接的に相互のものに接触するが、しかしなおもまだ相互のものと協働する又は相互作用することを意味することがあると共に、一つの又はより多くの他の要素が、相互のものと結合させられると言われる要素の間で結合させられる又は接続されることを意味することがある。用語“直接的に結合させられた”は、二つの又はより多くの要素が直接的な接触にあるものであることを意味することがある。

様々な実施形態において、句“第二の特徴に形成された、堆積させられた、又はさもなければ配された第一の特徴”は、第一の特徴が、第二の特徴の上に形成される、堆積させられる、又は配されると共に、第一の特徴の少なくとも一部分が、第二の特徴の少なくとも一部分との直接的な接触（例．直接的な物理的な及び／又は電気的な接触）又は間接的な接触（例．第一の特徴及び第二の特徴の間における一つの又は他の特徴を有すること）にあるものであることがあることを意味することがある。

図１は、概略的に、本開示のいくつかの実施形態に従って提供された視野を備えたＭＥＭＳスキャニングミラーを有する例のオプトエレクトロニクスのデバイス１００を図解する。図解されたような、いくつかの実施形態において、デバイス１００は、ある数の構成要素を有する、レーザープロジェクター又はレーザースキャナーのような、レーザーデバイス１０４を含むことがる。構成要素は、メモリー１０８と結合させられたプロセッサー１０６、及び、オプトエレクトロニクスのデバイス１００から要求された様々な機能性を可能とするように構成された他の構成要素１１０を含むことがある。例えば、プロセッサー１０６は、レーザープロジェクター、レーザースキャナー、又は他のレーザーデバイスの機能性を提供するためにメモリー１０８に格納された実行可能な命令と共に構成されることがある。デバイス１００の構成要素は、以下に記載される様々な実施形態に従った、要求された視野を備えた射出のビームを提供するように構成されたオプトエレクトロニクスの組み立て品１２０を含むことがある。いくつかの実施形態において、プロセッサー１０６、メモリー１０８、他の構成要素１１０、及びオプトエレクトロニクスの組み立て品１２０は、同じ基板に配されることがある。他の実施形態において、プロセッサー１０２、メモリー１０８、他の構成要素１１０、及びオプトエレクトロニクスの組み立て品１２０は、一緒に動作可能なように結合させられる異なる基板に配されることがある。一般的に、オプトエレクトロニクスの組み立て品１２０は、デバイス１００の中に埋め込まれる又はさもなければそれと関連させられることがある。

オプトエレクトロニクスの組み立て品１２０は、入射の光ビーム１５０、いくつかの実施形態においては、入射のレーザービーム、を提供するために構成された光源１２４を含むことがある。いくつかの実施形態において、光源１２４は、組み立て品１２０内に配されることがある一方で、他の実施形態において、光源は、組み立て品１２０の外側に配されることがある。光源１２４は、様々な実施形態に従って、ビーム１５０が光学的なレンズ１２４を通過すると共にＭＥＭＳスキャニングミラー１３２によって受けられると共に偏向させられるように入射のビーム１５０を向けるように構成されるこがある。ＭＥＭＳスキャニングミラー１３２は、より詳細に図２−５を参照して後に記載されるものである本開示の技術を用いることで、向上させられた視野を提供する、又はさもなければ、視野の要件を満たすことがある。

スキャニングミラーの反射の質に関係付けられた要求された性質を提供する異なる材料が、様々な実施形態において利用されることがあるとはいえ、いくつかの実施形態において、ＭＥＭＳスキャニングミラー１３２のミラーは、シリコン（Ｓｉ）で作られることがある。いくつかの実施形態において、ＭＥＭＳスキャニングミラー１３２が、実質的に約４５度で、いくつかの実施形態においては、７０度までのもの又はいずれの衝突する角度でも、あることがある、スキャニングミラー１３２の表面に相対的な角度Ａ１５４の下で、示されたように、それの静止する位置にあるものであるとき、とき、入射のビーム１５０は、ＭＥＭＳスキャニングミラー１３２に入射することがある。他の適切な角度Ａは、他の実施形態において使用されることがある。ＭＥＭＳスキャニングミラー１３２は、静止する位置におけるものである一方で、示されたように、射出の窓１４０を通じてオプトエレクトロニクスの組み立て品１２０から射出することがある射出のビーム１５６の形態で入射のビーム１５０を偏向させることがある。

いくつかの実施形態において、ＭＥＭＳスキャニングミラー１３２は、射出のビーム１６０及び１６４によって定義された望まれた又は要求された視野（ＦＯＶ）に対応することがあるスキャニングの角度Ｂ１６８で入射のビーム１５０を偏向させる為に、弦の軸１３６のまわりに、回転可能なもの、いくつかの実施形態においては、少なくとも部分的に回転可能なもの、であるように構成されることがある。要求されたＦＯＶを提供するために、ＭＥＭＳスキャニングミラー１３２は、ここにさらに記載された技術及び構成に従って構成されることがある。いくつかの実施形態において、弦の軸１３６は、ＭＥＭＳスキャニングミラー１３２の中心の軸を具備することがある。

いくつかの実施形態において、オプトエレクトロニクスの組み立て品１２０は、オプトエレクトロニクスの組み立て品の形態の因子に対する異なる工学技術の要件を満足するように構成されることがある。例えば、オプトエレクトロニクスの組み立て品１２０の幅（即ち、射出のビーム１５６の方向に平行なそれの寸法）は、約２ミリメートル（ｍｍ）から５ｍｍまでの範囲内にあるものであることが要求されることがある。

いくつかの実施形態において、ここに記載されたオプトエレクトロニクスのデバイス１００は、いくつかの実施形態における追加的な構成要素を含むことがある。例えば、プロセッサー１０６、メモリー１０８、及び／又は他の構成要素１１０は、いくつかの実施形態に従って、オプトエレクトロニクスのデバイス１００の一部である又はそれを含むことがある、プロセッサーに基づいたシステムと適合することがある。一つの実施形態のためのメモリー１０８は、例えば、適切なダイナミックランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）のような、いずれの適切な揮発性のメモリーをも含むことがある。

プロセッサー１０６、メモリー１０８、他の構成要素１１０、及びオプトエレクトロニクスの組み立て品１２０は、上述した構成要素の間における情報交換を容易にするように構成された（示されたものではない）一つの又はより多くのインターフェースと結合させられることがある。（示されたものではない）通信インターフェースは、一つの又はより多くの有線の又は無線のネットワーク上で及び／又はいずれの他の適切なデバイスとも通信するためのデバイス１００のためのインタフェースを提供することがある。様々な実施形態において、オプトエレクトロニクスの組み立て品１２０を含むデバイス１００は、サーバー、ワークステーション、デスクトップのコンピューティングデバイス、又はモバイルのコンピューティングデバイス（例．ラップトップのコンピューティングデバイス、ハンドヘルドのコンピューティングデバイス、ハンドセット、タブレット、スマートフォン、ネットブック、ウルトラブック等）であることがあるが、しかしそれに限定されるものではない。

様々な実施形態において、デバイス１００は、より多くい又はより少ない構成要素、及び／又は異なるアーキテクチャーを有することがある。例えば、いくつかの実施形態において、デバイス１００は、カメラ、キーボード、（タッチスクリーンディスプレイを含む）液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）スクリーンのようなディスプレイ、タッチスクリーンコントローラー、不揮発性のメモリーポート、アンテナ、又はマルチプルアンテナ、グラフィックスチップ、ＡＳＩＣ、スピーカー、バッテリー、音声コーデック、映像コーデック、パワーアンプ、グローバルポジショニングシステム（ＧＰＳ）デバイス、コンパス、加速時計、ジャイロスコープ、及び同様のものの一つのもの又はより多くのものを含むことがある。様々な実施形態において、デバイス１００は、より多い又はより少ない構成要素、及び／又は異なるアーキテクチャーを有することがある。様々な実施形態において、ここに記載された技術及び構成は、オプトエレクトロニクスの、電気光学の、ＭＥＭＳの、デバイス及びシステム、並びに同様のもののような、ここに記載された原理から利益を得る多種多様のシステムにおいて使用されることがある。

図２は、概略的に、オプトエレクトロニクスの組み立て品１２０、すなわち、いくつかの実施形態に従った、スキャニングミラー１３２として使用されることがあるＭＥＭＳスキャニングミラー組み立て品２００、のいくつかの部分の例の断面の上面図を図示する。図３は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、図２のＭＥＭＳスキャニングミラー組み立て品２００の構成要素のいくつかの側面図３００を図示する。図２及び３を参照すると、ＭＥＭＳスキャニングミラー組み立て品２００（３００）は、図１のオプトエレクトロニクスの組み立て品１２０と関連して記載された実施形態と適合することがあると共に、逆もまた同じである。

図２を参照すると、組み立て品２００は、以下に記載されるように回転させられたとき、スキャニングミラー２２０によって偏向させられた入射のビーム２２８についての並びに射出のビーム２３４及び２３２によって定義された（又は異なる回転の角度２４６及び２４８における）妨げられてない視野を提供するために、マイクロスケールのスキャニングミラー２２０及びスキャニングミラー２２０を収容するように構成された非対称的なマイクロスケールの支持構造２２４を含むことがある。示されたように、いくつかの実施形態において、支持構造２２４は、射出のビーム２３２、２３４の妨げられてない経路を可能とすることがあるが、それによってＭＥＭＳスキャニングミラー組み立て品２００についての向上させられた視野を提供する。一つの実施形態において、非対称的なマイクロスケールの支持構造２２４は、実質的に線形のものであると共に図３に図示されたような“［”又は“］”と同様の形状を有することがある。非対称的なマイクロスケールの支持構造２２４は、さらに、ミラー２２０がその弦の軸２２２のまわりに少なくとも数字２５０によって指し示された方向において回転可能なものである能力を提供するように構成されることがある。

例えば、スキャニングミラーの最大限の回転（３６０度）は、実質的に球状の三次元の（３Ｄ）空間を定義することがある。３Ｄ空間は、二つの二象限分の半分のものに３Ｄ空間を分割するそれの静止する位置におけるミラー２２０の平面及び他の二つの二象限分の半分のものへと３Ｄ空間を定義するスキャニングミラーの平面に対して垂直な平面と共に、四つの象限によって定義されることがある。球状の３Ｄ空間の中心は、実質的にミラー２２０の幾何学的な中心に一致することがある。例．数字２５０によって指し示されたような、回転において、ミラー２２０の一部分は、３Ｄ空間の第一の象限を横切ることがある一方で、スキャニングミラーの他の部分は、３Ｄ空間の第一の象限に対角に対向する３Ｄ空間の第二の象限を横切ることがある。いくつかの実施形態において、非対称的なマイクロスケールの支持構造２２４は、後方に及び前方に振動するが可能である為に、上に記載されたように定義された球状の３Ｄ空間の大円の、全体より少ないもの、例．二分の一、に最も近くに配されることがある。

示されたように、ミラー２２０は、射出のビーム２３２、２３４、２４６、及び２４８についての要求された視野を保証するスキャンの角度を提供する為に、少なくとも数字２２０によって指し示されたそれの静止する位置から数字２４０によって指し示された位置まで回転可能なものであることがある。いくつかの実施形態において、ミラー２２０は、数字２５０によって指し示されたものと反対の方向に回転可能なものであるように構成されることがある。射出のビーム２４６及び２４８は、射出のビームの異なる方向を指し示す一方で、スキャニングミラーは、２５０によって指し示された方向においてその静止する位置から数字２４０によって指し示されたその第一の位置までの回転である。示されたように、ビーム２３４、２４６、２４８についての経路は、スキャニングミラー２２０の回転の間に妨げられてないものであることがある。対照的に、従来の対称的な支持構造の場合には、偏向させられたビーム２３４、２４６、及び２４８についての経路は、ここに記載された実施形態において不在であることがある（破線によって指し示された）構造２３６の一部分によって妨げられることがある。

図３は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、図２のＭＥＭＳスキャニングミラー組み立て品２００の側面図３００を図示する。ＭＥＭＳスキャニングミラー組み立て品３００は、マイクロスケールのミラー３４０を受けるように構成された実質的に非対称的な線形の支持構造３２０を含むことがある。いくつかの実施形態において、非対称的な線形の支持構造３２０は、実質的にフレームに整形された構造として、例えば、先に記載されたような“］”又は“［”の形状で、構成されることがある。例えば、非対称的な線形の支持構造３２０は、第一のアーム３２２、第二のアーム３２４、並びに、第一の及び第二のアーム３２２及び３２４を結合させる（例．接合させる）縦のセグメント３２６を含むことがある。縦のセグメント３２６と結合させられた、アーム３２２及び３２４は、ミラー３４０を受けるための空間（例．キャビティー）を定義することがある。

ミラー３４０は、数字３８０によって示されたようなその弦の軸のまわりに回転可能なものであることがある。弦の軸は、いくつかの実施形態において、スキャニングミラー３４０の中心の軸と一致することがあると共に、実質的にミラー３４０の弦の軸の第一の端点及び第二の端点でミラー３４０に係合するために、それぞれ（例．実質的に第一の及び第二のアーム３２２及び３２４の末端に向かって位置させられた点３４２及び３４４で）第一の及び第二のアーム３２２及び３２４から延びる、二つの縦のセグメント３６０及び３６２を含むことがある。いくつかの実施形態において、非対称的な線形の支持構造３２０は、半長円形、半円形、及び同様のもののような（示されたものではない）ある数の異なる形状を有することがある。全ての記載された実施形態において、非対称的な線形の支持構造３２０は、数字３８０によって示された及び図２を参照して記載されたように回転する一方でスキャニングミラー３４０によって偏向させられた入射のビームについて妨げられてない視野を提供するように構成されることがある。

スキャニングミラー組み立て品３００を具備するオプトエレクトロニクスの組み立て品１２０の一部分は、スキャニングミラーによって偏向させられた光（例．レーザー）ビームについて要求されたＶＯＦを保証する一方で、図２及び３を参照して上に記載された回転可能なミラーのための十分な支持を提供する為に、多数の異なる方式で実施されることがある。図４及び５は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、二つの例のＭＥＭＳスキャニングミラー組み立て品４００及び５００の透視図を図示する。様々な実施形態に従って、組み立て品４００及び５００の構成要素は、図２−３のスキャニングミラー組み立て品２００（３００）の構成要素と関連して記載された実施形態と適合することがあると共に逆もまた同じである。図４及び５の組み立て品４００及び５００は、さらに、図２及び３に描かれない構成要素を含むことがある。

図４のスキャニングミラー組み立て品４００は、弦の軸４０４のまわりに回転可能なものであるように構成された、実質的に長円形の又は円形の形状を有するミラー４０２、及び、スキャニングミラー４０２を収容するように構成された非対称的なマイクロスケールの支持構造４０６を含むことがある。いくつかの実施形態において、弦の軸４０４は、ミラー４０２の中心軸であることがある。いくつかの実施形態において、ミラー４０２は、一つと比べてより多い自由度を有するように構成されることがある、例えば、ミラーは、回転可能なものであると共に二つの垂直な平面、例．（弦の軸４０４を使用する）鉛直の平面及び（示されたものではない）水平な平面において入射するビームをスキャンするように構成されることがある。非対称的なマイクロスケールの支持構造４０６は、図４に示されたような、少なくとも二つの層を有する多層の基板を含むことがある。層は、いずれの知られた種類の、例．二重の、三重の、及び同様のものの、シリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）ウェハを含むことがある。例えば、非対称的な多層の基板の支持構造４０６は、例えば、フレーム４１０によって、直接的に又は一つの若しくはより多くの中間の層を介して一緒に結合された上側の層（基板）４０８及び下側の層（基板）４１４を含むことがある。下側の層４１４は、多層の基板の支持構造４０６についての裏当てとして使用されることがある。弦の軸４０４を備えたミラー４０２は、示されたような上側の層４０８と実質的に面一にされた、多層の基板４０６の中へ配される／埋め込まれることがある。多層の基板の支持構造４０６は、例．光源１２４によって提供されることがある入射のビームを偏向させるためにミラー４０２が弦の軸４０４のまわりに回転可能なものであることを許容する様式で、ミラー４０２を収容するように構成されることがある。

この機能性を提供するために、多層の基板の支持構造４０６は、ミラー４０２が偏向させられたビームについての向上させられた／拡大されたＦＯＶ及び数字４４０によって指し示されたような回転の要求された自由な状態を提供することを可能とするための大きさにされた上側の層４１８に切り欠き４１８を有することがある。いくつかの実施形態において、多層の基板の構造は、図４に図示されたような、基板４０６の少なくとも一つの側に切り欠き４１８を有することがある。いくつかの実施形態において、切り欠きは、例．入射するビームが７０度の又はより高い角度で向けられることがあるとき、構造４０６の両方の側にまで延びることがある。切り欠き４１８は、もしあれば、上側の層４０８及び中間の層における開口部によって少なくとも部分的に定義されることがある。いくつかの実施形態において、切り欠き４１８は、図４に図示されたような、実質的に台形と同様の形状を有することがある。しかしながら、いくつかの実施形態において、切り欠き４１８は、回転の間にスキャニングミラー４０２によって偏向させられた光（例．レーザー）ビームについて妨げられてない経路を提供するように構成された他の形状を有することがある。例えば、切り欠き４１８は、実質的に矩形の形状を有することがある。

先に記載されたように、静止する位置において、ミラー４０２は、多層の基板の構造４６の上側の層４０８の表面の平面と実質的に面一で配されることがある。ミラー４０２が、それの静止する位置から時計回りに回転するとき、ミラー４０２の上側の（右の）部分４０２は、数字４３０によって指し示されたように、上側の層４０８の平面より下に移動することがある一方で、ミラー４０２の別の下側の（左の）部分４２２は、数字４３２によって指し示されたように、上側の層４０８の平面より上に移動することがある。図１及び２を参照して記載されたような実質的に４５度の下でミラーに向けられた（示されたものではない）入射のビームは、ミラー４０２によって偏向させられることがあると共に、切り欠き４１８によって定義された光搬送場によって提供された妨げられてない経路を介してオプトエレクトロニクスの組み立て品１２０を射出することがある。

図５は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、別の例のＭＥＭＳスキャニングミラー組み立て品５００を図示する。図４を参照して記載された実施形態にやや類似した、スキャニングミラー組み立て品５００は、弦の軸５０４のまわりに回転可能なものであるように構成される実質的に長円形の又は円形の形状を有するマイクロスケールミラー５０２及び支持構造５０６を含むことがある。いくつかの実施形態において、弦の軸５０４は、ミラー５０２の中心軸であることがある。支持構造５０６は、図５に示されたような支持構造を含むことがある。いくつかの実施形態において、支持構造は、多層の基板の構造であることがある。いくつかの実施形態において、支持構造５０６は、少なくとも、フレーム５１０によって実質的に定義されることがある上側の層（基板）５０８を含むことがある。いくつかの実施形態において、（示されたものではない）下側の層（基板）は、支持構造５０６についての裏当てとして使用されることがある。弦の軸５０４を備えたミラー５０２は、示されたように上側の層５０８に配されることがある。支持構造５０６は、例．光源１２４によって、提供されることがある入射のビームを偏向させるためにミラー５０２がミラーの弦の軸５０４のまわりに回転可能なものであることを許容する様式で、ミラー５０２を収容するように構成されることがある。

この機能性を提供するために、支持構造５０６は、偏向させられたビームについての要求されたＦＯＶ及び数字５４０によって指し示されたような回転の要求された自由な状態を備えたミラー５０２を提供するための大きさにされることがある切り欠き５１８を有することがある。いくつかの実施形態において、構造は、図５に図示されたように、構造５０６の一つの側に切り欠き５１８を有することがある。切り欠き５１８は、もしあれば、上側の層５０８及び中間の層における開口部によって少なくとも部分的に定義されることがある。いくつかの実施形態において、切り欠き５１８は、図５に図示されたように、実質的台形と同様の形状を有することがある。しかしながら、いくつかの実施形態において、切り欠き５１８は、回転の間にスキャニングミラー５０２によって偏向させられた光（例．レーザー）ビームについて妨げられてない経路を提供するように構成された他の形状を有することがある。例えば、切り欠き５１８は、実質的に矩形の形状を有することがある。さらに上に述べられた機能性を提供する為に、スキャニングミラー５０２は、弦の軸５０４が、例えば、数字５６０によって指し示された長さだけ、支持構造５０６の中心軸５４４からオフセットされることがあるように、上側の層５０８に配されることがある。中心軸５４４からオフセットされたスキャニングミラー５０２の構成は、ミラー５０２について十分に強い支持構造５０６を維持する一方で、切り欠き５１８が、中心軸５４４のまわりの回転の間にミラー５０２によって偏向させられた入射する光ビームについて妨げられてない視野を提供するために十分なものであることを許容する。

静止する位置において、スキャニングミラー５０２は、支持構造５０６の上側の層５０８の表面の平面と実質的に面一に配されることがある。スキャニングミラー５０２が、それの静止する位置から時計回りに回転するとき、スキャニングミラー５０２の上側の（右の）部分５２０は、数字５３０によって指し示されたように、上側の層５０８の平面よりしたに移動することがある一方で、スキャニングミラー５０２の別の下側の（左の）部分５２２は、数字５３２によって指し示されたように、上側の層５０８の平面より上に移動することがある。図１及び２を参照して記載されたようにスキャニングミラー５０２の表面に相対的な実質的に４５度の下でスキャニングミラー５０２に向けられた（示されたものではない）入射のビームは、スキャニングミラー５０２によって偏向させられることがあると共に、切り欠き５１８によって定義された光搬送場によって提供された妨げられてない経路を介してオプトエレクトロニクスの組み立て品１２０を射出することがある。

図６は、概略的に、いくつかの実施形態に従った、例のオプトエレクトロニクスの組み立て品６００の図を図示する。例のオプトエレクトロニクスの組み立て品６００は、図２を参照して手短に記載されたような従来の対称的なＭＥＭＳスキャニングミラー組み立て品が要求された視野の論点を扱うことを可能とする、以下でより十分に記載されることになる様々な特徴を用いる。しかしながら、例のオプトエレクトロニクスの組み立て品６００は、図２−５を参照して記載された非対称的なＭＥＭＳスキャニングミラー組み立て品を使用することがある。図６は、支持構造６０６によって支持されたミラー６０２の断面の図を図示する。いくつかの実施形態において、支持構造は、即ち、フルフレーム６０６によって定義されたキャビティーにおいてミラー６０２を受けるように構成された、従来の対称的な構造であることがある。例の組み立て品６０６は、さらに、入射のビーム６２０を分裂させると共にスキャニングミラー６０２によって受けられると共に偏向させられることになる反射させられたビーム６２０へと入射のビーム６２０の少なくとも一部分を偏光させるように構成された偏光ビームスプリッター６１０を含むことがある。

図１−５を参照して記載された実施形態と対照的に、対称的なスキャニングミラー組み立て品６０２−６０６を有する組み立て品６００の実施形態においては、入射のビーム６２０が、スキャニングミラー６０２の平面に対して相対的に実質的に平行なものであることがある一方で、ビーム６２４は、それがスキャニングミラー６０２の平面に対して相対的な実質的に直射の角度でスキャニングミラー６０２に向けられるようにビームスプリッター６１０によって少なくとも部分的に反射させられることがあることに留意すること。図１−５を参照して記載された実施形態に類似した、スキャニングミラー６０２は、それの弦の軸（いくつかの実施形態においては、中心軸）６０４のまわりに回転可能なものであるように構成される。

組み立て品６００は、ビームが遅延プレート６１４を通過した後に偏光ビームスプリッター６１０がスキャニングミラー６０２によって偏向させられたビーム６２８（６３０）を透過させることを可能とするために、反射されたビーム６２４の偏光を回転すると共にさらにスキャニングミラー６０２によって偏向させられた射出のビーム６２８（６３０）の偏光を回転させるように構成された位相遅延プレート６１４を含むことがある。例えば、位相遅延プレート６１４は、約４５度だけ反射させられたビーム６２４の偏光を回転させると共にさらに約４５度だけ射出のビーム６２８（６３０）の偏光を回転させるように構成されることがある。それに応じて、（位相遅延プレートによる偏光の回転の前における）反射させられたビーム６２４に相対的な射出のビーム６２８（６３０）の結果として生じる偏光は、約９０度であることがあるが、その偏光は、回転させられた偏光を備えた射出のビーム６２８（６３０）が示されたように偏光ビームスプリッター６１０を通過すると共に、例．オプトエレクトロニクスの組み立て品６００の（示されたものではない）射出の窓を通じて射出することを許容することがある。

それに応じて、組み立て品６００は、浅い機械的なセットアップを提供することがあるが、それにおいて入射の光６２０を提供する光源（例．レーザー源１２４）、偏光ビームスプリッター６１０、及び遅延プレート６１４は、要求された形状因子（例．オプトエレクトロニクスの組み立て品６００の低い幅）を提供する、スキャニングミラー６０４から短い距離に配されることがある。記載された構成は、さらに、偏光ビームスプリッター６１０を通過する偏向させられたビーム６２８（６３０）について妨げられてない光搬送場を保証することがある、急峻なビームの入射角（例．スキャニングミラーの平面に相対的な実質的に直射の角度）を提供する。

いくつかの実施形態において、図２−５を参照して上に記載されたものに類似の非対称的なスキャニングミラー組み立て品は、組み立て品６００と共に使用されることがある。例えば、非対称的なスキャニングミラー組み立て品６０２−６０６は、入射のビーム６２０に相対的な０及び４５度の間における角度で組み立て品６００に配されることがある。偏光ビームスプリッター６１０は、ミラー６０２が、それの静止する位置にあるものであるとき、小さい入射角、例．スキャニングミラー６０２の表面に相対的な０から４５度までの範囲における角度、の下でスキャニングミラー６０２へと反射させられたビーム６２４を向けるように構成されることがある。この目的を達成するために、偏光ビームスプリッター６１０は、実質的に非正方形であるように構成されることあがる。図４−５を参照して記載されたものに類似の、支持構造６０６の側の一つにおいて部分的な切り欠きを使用することは、このように射出のビーム６２８（６３０）についての要求された視野を達成するものである、射出のビーム６２８（６３０）についてのスキャニングの角度を増加させることがある。

例１は、レーザーデバイスと関連させられたオプトエレクトロニクスの組み立て品を具備する、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）スキャニングミラーの妨げられてない視野を提供するための装置であると共に、それにおいて組み立て品は、視野を有するＭＥＭＳスキャニングミラーを含むと共に、それにおいて、ＭＥＭＳスキャニングミラーは、実質的に長円形の又は円形の形状を有するマイクロスケールのスキャニングミラー及びミラーがミラーの弦の軸のまわりに回転可能なものであることを可能とするためにミラーを収容するように構成された非対称的なマイクロスケールの線形のフレームの支持構造を含むと共に、ミラーの一部分が実質的に球状の三次元の（３Ｄ）空間の第一の象限を横切るものである一方でミラーの他の部分が対角的に第一の象限に対向する３Ｄ空間の第二の象限を横切るものであると共に、球状の３Ｄ空間の中心がマイクロスケールのスキャニングミラーの幾何学的な中心に実質的に一致するものである。非対称的なマイクロスケールの線形のフレームの支持構造は、ミラーの妨げを低減すると共に提供された視野を拡大するために球状の３Ｄ空間の大円の全体と比べてより少ないものに最も近くに配される。

例２は、例１の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、非対称的なマイクロスケールの線形のフレームの支持構造が、大円の約二分の一に最も近くに配されることを含む。

例３は、例１の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、非対称的なマイクロスケールの線形のフレームの支持構造が、第一のアーム、第二のアーム、並びに、ミラーを受けるためのキャビティーを定義する、第一の及び第二のアームを接合する第一の縦のセグメント並びに実質的に弦の軸の第一の端点及び第二の端点でミラーに係合するための第一の及び第二のアームからそれぞれ延びる第二の縦のセグメント及び第三の縦のセグメントを有する］又は［に整形されたフレームを含むことを特定する。

例４は、例１の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、オプトエレクトロニクスの組み立て品が、レーザーデバイスに埋め込まれると共に視野内でレーザーデバイスによって生じさせられた入射のレーザービームを偏向させるように構成されることを特定する。

例５は、例４の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、視野が、オプトエレクトロニクスの組み立て品の非対称的なマイクロスケールの線形のフレームの支持構造によって定義されたキャビティーの寸法によって少なくとも部分的に定義されることを特定する。

例６は、例４の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、ミラーが、静止の位置から少なくとも約７０度の位置まで回転させられたミラーで入射のレーザービームを受けるように構成されることを特定する。

例７は、例４の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、装置が、レーザースキャナー又はレーザープロジェクターの選択された一つのものであることを特定する。

例８は、例１の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、ミラーが、シリコン（Ｓｉ）を具備することを特定する。

例９は、例１から８までのいずれの主たる事項をも含むことがあると共に、さらに、弦の軸が、ミラーの中心軸であることを特定する。

例１０は、レーザーデバイスと関連させられたオプトエレクトロニクスの組み立て品を具備する、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）スキャニングミラーの妨げられてない視野を提供するための装置であると共に、それにおいて組み立て品は、視野を有するＭＥＭＳスキャニングミラーを含むと共に、それにおいてＭＥＭＳスキャニングミラーは、少なくとも上部の層を有する基体及び基体の上部の層に埋め込まれた実質的に長円形の又は円形の形状を有するマイクロスケールのミラーを含むと共に、それにおいてミラーは、レーザーデバイスからのビームを偏向させるためにミラーの弦の軸のまわりに回転可能なものであると共に、それにおいて上部の層は、視野を拡大するためにミラーの妨げを低減するための大きさにされた、一つの側における切り欠きを含む。

例１１は、例１０の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、切り欠きが、台形と同等の形状又は矩形のものと同様の形状の一つのものから選択されることを特定する。

例１２は、例１０の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、ミラーが、多層の基体の上部の層と実質的に面一に配されることを特定する。

例１３は、例１０の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、基体が、ＭＥＭＳスキャニングミラーについての支持を提供するように構成された下部の層を含むと共に、それにおいて基体を定義するフレームが、上部の層の一つの側に配された切り欠きに対応する開口部を含むことを特定する。

例１４は、例１０の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、ミラーの回転の弦の軸が、基体の中心軸からオフセットされることを特定する。

例１５は、例１０の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、弦の軸が、ミラーの中心軸であることを特定する。

例１６は、例１０の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、オプトエレクトロニクスの組み立て品が、レーザーデバイスに埋め込まれると共に視野内でレーザーデバイスによって生じさせられた入射のレーザービームを偏向させるように構成されることを特定する。

例１７は、例１６の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、ミラーが、静止の位置から約４５度の角度における位置まで回転させられたミラーで入射のレーザービームを受けるように構成されることを特定する。

例１８は、例１０から１７までのいずれの主たる事項をも含むことがあると共に、さらに、ミラーが、シリコン（Ｓｉ）を具備することを特定する。

例１９は、入射のビームを分裂させると共に反射させられたビームへと入射のビームの少なくとも一部分を偏光させるように構成された偏光ビームスプリッター、反射させられたビームの偏光を回転させるように構成された位相遅延プレート、及び、視野を有すると共に実質的に直射の角度の下で回転させられた偏光を備えた反射させられたビームを受けると共に視野内で受けられたビームを偏向させるように構成されたＭＥＭＳスキャニングミラーを含む、オプトエレクトロニクスの組み立て品を具備する、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）のスキャニングミラーの妨げられてない視野を提供するための装置であると共に、それにおいて位相遅延プレートは、ビームが、遅延プレートを通過した後で、偏光ビームスプリッターが、ＭＥＭＳスキャニングミラーによって偏向させられたビームを透過させることを可能とされるように、ＭＥＭＳスキャニングミラーによって偏向させられたビームの偏光を回転させるように構成される。

例２０は、例１９の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、装置が、さらにレーザーデバイスを具備すると共に、それにおいてオプトエレクトロニクスの組み立て品が、レーザーデバイスに埋め込まれると共に視野内で射出のビームへとレーザーデバイスによって生じさせられた入射のレーザービームを変換するように構成されることを特定する。

例２１は、例２０の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、偏光ビームスプリッターが、スキャニングミラーの平面に相対的な実質的に直射の角度でＭＥＭＳスキャニングミラーで反射させられたビームを向けるように構成されることを特定する。

例２２は、例２１の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、ことを特定する。

例２３は、例１９から２３までのいずれの主たる事項をも含むことがあると共に、さらに、ＭＥＭＳスキャニングミラーが、ＭＥＭＳスキャニングミラーの静止する製麺に対して相対的に少なくとも部分的に回転可能なものであるように構成されることを特定する。

例２４は、ＭＥＭＳスキャニングミラー及びＭＥＭＳスキャニングミラーによって偏向させられた光ビームについての射出の窓を含む、レーザーデバイスと関連させられたオプトエレクトロニクスの組み立て品を具備する、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）のスキャニングミラーの妨げられてない視野を提供するための装置であると共に、それにおいてＭＥＭＳスキャニングミラーは、射出の窓へ入射の光ビームを偏向させるためにミラーの弦の軸のまわりに回転可能なものであるように構成されたマイクロスケールミラー並びに提供された光搬送場を介して射出の窓へ偏向させられた光ビームの経路が妨げられてないものであるようにミラーの表面及び射出の窓の間に光搬送場を提供するためにミラーを収容するように構成された支持構造を含む。

例２５は、例２４の主たる事項を含むことがあると共に、さらに、レーザーデバイスが、レーザースキャナー又はレーザープロジェクターの一つのものより選択されることを特定する。

様々な動作が、請求された主たる事項を理解することに最も助けになるものである様式で、順に多重の離散的な動作として記載される。しかしながら、記載の順序は、これらの動作が必ず順序に依存するものであることを暗示するものとして解されるべきではない。本開示の実施形態は、望まれたように構成するためにいずれの適切なハードウェア及び／又はソフトウェアをも使用するシステムへと実施されることがある。

ある一定の実施形態が、記載の目的のためにここに図示されてきたものであると共に記載されてきたものであるとはいえ、同じ目的を達成するために計算された幅広い多様性の代替の及び／又は均等な実施形態又は実施は、本開示の範囲から逸脱することなく示された及び記載された実施形態について置換されることがある。この用途は、ここに議論された実施形態のいずれの適合又は変動をもカバーすることが意図される。従って、ここに記載された実施形態が、請求項及びそれの均等物によってのみ限定されることは、はっきりと意図される。

クレーム
クレームされるものは、以下のものである：
１． マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）スキャニングミラーの妨げられてない視野を提供するための装置であって、
レーザーデバイスと関連させられたオプトエレクトロニクスの組み立て品
を具備すると共に、
前記組み立て品が視野を有するＭＥＭＳスキャニングミラーを含むと共に、
前記ＭＥＭＳスキャニングミラーが、
実質的に長円形の又は円形の形状を有するマイクロスケールのスキャニングミラー、及び、
前記ミラーが前記ミラーの弦の軸まわりに回転可能なものであることを可能とするように前記ミラーをホストするように構成された非対称的なマイクロスケールの線形のフレーム支持構造
を含むと共に、
前記ミラーの一部分が実質的に球状の三次元（３Ｄ）の空間の第一の象限を横切る一方で前記ミラーの他の部分が前記第一の象限に対角に対向する前記３Ｄの空間の第二の象限を横切ると共に、
前記球状の３Ｄの空間の中心が前記マイクロスケールのスキャニングミラーの幾何学的な中心に実質的に一致すると共に、
前記非対称的なマイクロスケールの線形のフレームの支持構造は、前記ミラーの妨害を低減すると共に前記提供された視野を拡大するために前記球状の３Ｄの空間の大円の全体のものより少ないものに最も近くに配される、
装置。

２． クレーム１の装置において、
前記非対称的なマイクロスケールの線形のフレームの支持構造は、前記大円の約二分の一に最も近くに配される、装置。

３． クレーム１の装置において、
前記非対称的なマイクロスケールの線形のフレームの支持構造は、第一のアーム、第二のアーム、並びに、前記第一の及び第二のアームを接合すると共に前記ミラーを受けるためのキャビティーを定義する第一の縦のセグメント、並びに、実質的に前記弦の軸の第一の端点及び第二の端点で前記ミラーに係合するための前記第一の及び第二のアームからそれぞれ延びる第二の縦のセグメント及び第三の縦のセグメントを有する、］又は［に整形されたフレームを含む、装置。

４． クレーム１の装置において、
前記オプトエレクトロニクスの組み立て品は、前記レーザーデバイスに埋め込まれると共に前記視野内で前記レーザーデバイスによって生じさせられた入射のレーザービームを偏向させるように構成される、装置。

５． クレーム４の装置において、
前記視野は、少なくとも一部分において、前記オプトエレクトロニクスの組み立て品の前記非対称的なマイクロスケールの線形のフレームの支持構造によって定義された前記キャビティーの寸法によって定義される、装置。

６． クレーム４の装置において、
前記ミラーは、静止の位置から少なくとも約７０度の位置まで回転させられた前記ミラーで前記入射のレーザービームを受けるために構成される、装置。

７． クレーム４の装置において、
前記装置は、レーザースキャナー又はレーザープロジェクターの選択された一つである、装置。

８． クレーム１の装置において、
前記ミラーは、シリコン（Ｓｉ）を具備する、装置。

９． クレーム１から８までのいずれかの装置において、
前記弦の軸は、前記ミラーの中心の軸である、装置。

１０． マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）スキャニングミラーの妨げられてない視野を提供するための装置であって、
レーザーデバイスと関連させられたオプトエレクトロニクスの組み立て品
を具備すると共に、
前記組み立て品は、視野を有するＭＥＭＳスキャニングミラーを含むと共に、
前記ＭＥＭＳスキャニングミラーは、
少なくとも上部の層を有する基体、及び、
前記基体の前記上部の層に埋め込まれた実質的に長円形の又は円形の形状を有するマイクロスケールのミラー
を含むと共に、
前記ミラーは、前記レーザーデバイスからのビームを偏向させるために前記ミラーの弦の軸のまわりに回転可能なものであると共に、
前記上部の層は、前記視野を拡大するために前記ミラーの妨害を低減するための大きさにされた一方の側における切り欠きを含む、
装置。

１１． クレーム１０の装置において、
前記切り欠きは、台形と同様の形状又は矩形のものと同様の形状の一つのものより選択される、装置。

１２． クレーム１０の装置において、
前記ミラーは、実質的に前記多層の基体の前記上部の層と面一に配される、装置。

１３． クレーム１０の装置において、
前記基体は、前記ＭＥＭＳスキャニングミラーのための支持を提供するように構成された下部の層を含むと共に、
前記基体を定義するフレームは、前記上部の層の前記一方の側に配された前記切り欠きに対応する開口部を含む、
装置。

１４． クレーム１０の装置において、
前記ミラーの回転の前記弦の軸は、前記基体の中心の軸からオフセットされる、装置。

１５． クレーム１０の装置において、
前記弦の軸は、前記ミラーの中心の軸である、装置。

１６． クレーム１０の装置において、
前記オプトエレクトロニクスの組み立て品は、前記レーザーデバイスに埋め込まれると共に前記視野内で前記レーザーデバイスによって生じさせられた入射のレーザービームを偏向させるために構成される、装置。

１７． クレーム１６の装置において、
前記ミラーは、静止の位置から約４５度の角度における位置まで回転させられた前記ミラーで前記入射のレーザービームを受けるために構成される、装置。

１８． クレーム１０から１７までのいずれかの装置において、
前記ミラーは、シリコン（Ｓｉ）を具備する、装置。

１９． マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）スキャニングミラーの妨げられてない視野を提供するための装置であって、
入射のビームを分裂させると共に反射させられたビームへと前記入射のビームの少なくとも一部分を偏光させるように構成された偏光ビームスプリッター、
前記反射させられたビームの偏光を回転させるように構成された位相遅延プレート、及び、
視野を有すると共に実質的に直射の角度の下で回転させられた偏光を備えた前記反射させられたビームを受けると共に前記視野内で前記反射させられたビームを偏向させるように構成されたＭＥＭＳスキャニングミラー
を含む、オプトエレクトロニクスの組み立て品を具備すると共に、
前記位相遅延プレートは、前記ビームが前記遅延プレートを通過した後に前記偏光ビームスプリッターが前記ＭＥＭＳスキャニングミラーによって偏向させられた前記ビームを透過させることが可能とされるように、前記ＭＥＭＳスキャニングミラーによって偏向させられた前記ビームの偏光を回転させるように構成される、
装置。

２０． クレーム１９の装置において、
前記装置は、さらに、レーザーデバイスを具備すると共に、
前記オプトエレクトロニクスの組み立て品は、前記レーザーデバイスに埋め込まれると共に、前記視野内で射出のビームへと前記レーザーデバイスによって生じさせられた入射のレーザービームを変換するように構成される、
装置。

２１． クレーム２０の装置において、
前記偏光ビームスプリッターは、前記スキャニングミラーの平面に相対的な実質的に直射の角度で前記ＭＥＭＳスキャニングミラーにおいて前記反射させられたビームを向けるように構成される、装置。

２２． クレーム２１の装置において、
前記ＭＥＭＳスキャニングミラーは、前記ＭＥＭＳスキャニングミラーの静止する平面に相対的に少なくとも部分的に回転可能なものであるように構成される、装置。

２３． クレーム１９から２３までのいずれかの装置において、
前記位相遅延プレートは、約４５度だけ前記偏光ビームスプリッターによって反射させられた前記ビームの偏光を回転させると共にさらに約４５度だけ前記スキャニングミラーによって偏向させられた前記ビームの偏光を回転させるように構成される、装置。

２４． マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）スキャニングミラーの妨げられてない視野を提供するための装置であって、
レーザーデバイスと関連させられたオプトエレクトロニクスの組み立て品
を具備すると共に、
前記組み立て品は、
ＭＥＭＳスキャニングミラー、及び、
前記ＭＥＭＳスキャニングミラーによって偏向させられた光ビームのための射出の窓
を含むと共に、
前記ＭＥＭＳスキャニングミラーは、
前記射出の窓へと入射の光ビームを偏向させるために前記ミラーの弦の軸のまわりに回転可能であるように構成されたマイクロスケールのミラー、及び、
前記提供された光搬送場を介して前記射出の窓へ前記偏向させられた光ビームの経路が妨げられてないようにミラーの表面及び前記射出の窓の間における光搬送場を提供するために前記ミラーをホストするように構成された支持構造
を含む、装置。

２５． クレーム２４の装置において、
前記レーザーデバイスは、レーザースキャナー又はレーザープロジェクターの一つのものより選択される、装置。

Claims (13)

1. マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）スキャニングミラーの妨げられてない視野を提供するための装置であって、
   レーザーデバイスと関連させられたオプトエレクトロニクスの組み立て品
   を具備し、
   前記組み立て品は、視野を有するＭＥＭＳスキャニングミラーを含み、
   前記ＭＥＭＳスキャニングミラーは、
   少なくとも上部の層を有する基体、及び、
   前記基体の前記上部の層に埋め込まれた実質的に長円形の又は円形の形状を有するマイクロスケールのミラー
   を含み、
   前記ミラーは、前記レーザーデバイスからのビームを偏向させるために前記ミラーの弦の軸のまわりに回転可能であり、
   前記上部の層は、前記視野を拡大するために前記ミラーの妨害を低減するための大きさにされた一方の側における切り欠きを含み、前記切り欠きは、台形と同様の形状又は矩形と同様の形状のうちの一つから選択され、前記切り欠きは、少なくとも２つの切り欠きエッジを含み、前記少なくとも２つの切り欠きエッジの各切り欠きエッジは、前記上部の層の前記一方の側における外周まで伸びている、
   装置。
2. 請求項１の装置において、
   前記ミラーは、実質的に前記上部の層と面一に配される、装置。
3. 請求項１の装置において、
   前記基体は、前記ＭＥＭＳスキャニングミラーのための支持を提供するように構成された下部の層を含み、
   前記基体を定義するフレームは、前記上部の層の前記一方の側に配された前記切り欠きに対応する開口部を含む、
   装置。
4. 請求項１の装置において、
   前記ミラーの回転の前記弦の軸は、前記基体の中心の軸からオフセットされる、装置。
5. 請求項１の装置において、
   前記弦の軸は、前記ミラーの中心の軸である、装置。
6. 請求項１の装置において、
   前記オプトエレクトロニクスの組み立て品は、前記レーザーデバイスに埋め込まれると共に前記視野内で前記レーザーデバイスによって生じさせられた入射のレーザービームを偏向させるために構成される、装置。
7. 請求項６の装置において、
   前記ミラーは、静止の位置から約４５度の角度における位置まで回転させられた前記ミラーで前記入射のレーザービームを受けるために構成される、装置。
8. 請求項１から７までのいずれかの装置において、
   前記ミラーは、シリコン（Ｓｉ）を具備する、装置。
9. マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）スキャニングミラーの妨げられてない視野を提供するための装置であって、
   入射のビームを分裂させると共に反射させられたビームへと前記入射のビームの少なくとも一部分を偏光させるように構成された偏光ビームスプリッター、
   前記反射させられたビームの偏光を回転させるように構成された位相遅延プレート、及び、
   視野を有すると共に実質的に直射の角度の下で回転させられた偏光を備えた前記反射させられたビームを受けると共に前記視野内で前記反射させられたビームを偏向させるように構成されたＭＥＭＳスキャニングミラーであって、
   前記ＭＥＭＳスキャニングミラーは、
   少なくとも上部の層を有する基体、及び、
   前記基体の前記上部の層に埋め込まれた実質的に長円形の又は円形の形状を有するマイクロスケールのミラー
   を含み、
   前記ミラーは、前記反射させられたビームを偏向させるために前記ミラーの弦の軸のまわりに回転可能であり、
   前記上部の層は、前記視野を拡大するために前記ミラーの妨害を低減するための大きさにされた一方の側における切り欠きを含み、前記切り欠きは、台形と同様の形状又は矩形と同様の形状のうちの一つから選択され、前記切り欠きは、少なくとも２つの切り欠きエッジを含み、前記少なくとも２つの切り欠きエッジの各切り欠きエッジは、前記上部の層の前記一方の側における外周まで伸びている、
   ＭＥＭＳスキャニングミラー
   を含む、オプトエレクトロニクスの組み立て品を具備し、
   前記位相遅延プレートは、前記ビームが前記位相遅延プレートを通過した後に前記偏光ビームスプリッターが前記ＭＥＭＳスキャニングミラーによって偏向させられた前記ビームを透過させることが可能とされるように、前記ＭＥＭＳスキャニングミラーによって偏向させられた前記ビームの偏光を回転させるように構成される、
   装置。
10. 請求項９の装置において、
    前記装置は、さらに、レーザーデバイスを具備し、
    前記オプトエレクトロニクスの組み立て品は、前記レーザーデバイスに埋め込まれると共に、前記視野内で射出のビームへと前記レーザーデバイスによって生じさせられた入射のレーザービームを変換するように構成される、
    装置。
11. 請求項１０の装置において、
    前記偏光ビームスプリッターは、前記スキャニングミラーの平面に相対的に実質的に直射の角度で前記ＭＥＭＳスキャニングミラーにおいて前記反射させられたビームを向けるように構成される、装置。
12. 請求項１１の装置において、
    前記ＭＥＭＳスキャニングミラーは、前記ＭＥＭＳスキャニングミラーの静止する平面に相対的に少なくとも部分的に回転可能であるように構成される、装置。
13. 請求項９から１２までのいずれかの装置において、
    前記位相遅延プレートは、約４５度だけ前記偏光ビームスプリッターによって反射させられた前記ビームの偏光を回転させると共にさらに約４５度だけ前記スキャニングミラーによって偏向させられた前記ビームの偏光を回転させるように構成される、装置。

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