JP5987862B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5987862B2 JP5987862B2 JP2014091774A JP2014091774A JP5987862B2 JP 5987862 B2 JP5987862 B2 JP 5987862B2 JP 2014091774 A JP2014091774 A JP 2014091774A JP 2014091774 A JP2014091774 A JP 2014091774A JP 5987862 B2 JP5987862 B2 JP 5987862B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- plasma
- semiconductor device
- antenna
- rotator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 41
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R39/00—Rotary current collectors, distributors or interrupters
- H01R39/02—Details for dynamo electric machines
- H01R39/18—Contacts for co-operation with commutator or slip-ring, e.g. contact brush
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R39/00—Rotary current collectors, distributors or interrupters
- H01R39/64—Devices for uninterrupted current collection
- H01R39/646—Devices for uninterrupted current collection through an electrical conductive fluid
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
20 チャンバー(chamber)
30 カバー
31 強磁性体
40 Oリング(O−ring)
50 ガスインレット(gas inlet)
55 ガスチャネル(gas channel)
100 アンテナ(antenna)
110 冷却剤インレット(coolant inlet)
120 電源入力部
130a 中心コイル(center coil)
130b、130c、130d ブランチコイル(branch coil)
140 電源接地部
141 冷却剤アウトレット(coolant outlet)
150 コネクター(connector)
200 ローテータ(rotator)
210 冷却連結部
215 ホース
220、240 冷却剤チャネル(coolant channel)
280 絶縁部材
290、390 プーリー(pulley)
300、700 ハウジング(housing)
310 冷却剤供給部
312、342 溝(groove)
315、345 シール(seal)
340 冷却排出部
350 ベアリング
380 モーター
400 高周波電源
410、610 高周波電源連結部
420、620 スリップリング(slip ring)
500 ガス板
510 ガス孔
520 ガス溝
611、710 通孔
630、730 第1閉鎖部
640、740 接触部
650、750 第2閉鎖部
660、760 加圧部
680 ウォータージャケット
690、790 導電性液体
800 ライナー
Claims (8)
- 基板が収容されるチャンバー;
前記チャンバーの一側に形成され前記チャンバーに流入された前記基板の反応ガスをプラズマ状態に励起させるプラズマソース;を含み、
前記プラズマソースは、高周波電源に連結される複数のアンテナコイルが配置された回転アンテナ、前記回転アンテナが組み立てられるローテータ、前記ローテータを回転可能となるように支持するハウジングを含み、
均一なプラズマ発生のために前記アンテナコイルは360度以上回転し、
高周波電源連結部又はスリップリングなどを通じて前記複数のアンテナコイルの一端部に前記高周波電源が連結され、
前記複数のアンテナコイルの他端部に設けられた電源設置部が前記ローテータに接触され、
前記電源設置部の設置のために前記回転するローテータが前記固定されたハウジングに電気的に連結され、
第1部材は前記スリップリング又は前記ローテータを含み、
第2部材は前記高周波電源連結部又は前記ハウジングを含み、
前記第2部材に対して前記第1部材は相対的に回転する、半導体装置であって、
前記第1部材と前記第2部材との間に、
第1閉鎖部(630,730)及びO−リング状の第2閉鎖部(650,750)を備える導電性液体、または弾性体による加圧部(660、760)及び接触部(640,740)を備えるメタルブラシが設けられ、
前記導電性液体または前記メタルブラシによって前記第1部材及び前記第2部材が電気的に連結され、
前記第1部材及び前記第2部材の電気的連結により、前記アンテナコイルに前記高周波電源が連結され又は前記アンテナコイルが設置されることを特徴とする、半導体装置。 - 前記第1部材は前記第2部材の内部に収容され、
前記導電性液体は前記第1部材の外面と前記第2部材の内面との間に充填され、
前記第2部材の内面には前記第2部材の外面と連結される通孔が備えられ、
前記通孔を通じて前記導電性液体が充填された後、前記通孔を閉鎖する第1閉鎖部;及び
前記通孔を内部に含む閉ループの形態に前記第2部材の内面に設置される第2閉鎖部;を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1部材及び前記第2部材の間に挿入されるベアリング;を含み、
前記ベアリングには前記導電性液体が充填されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記メタルブラシは前記第2部材に設置され、
前記メタルブラシには、前記第1部材にスライド接触する接触部、及び前記接触部が前記第2部材に接触するように前記第2部材に向かう方向に前記接触部を加圧する加圧部を備えることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記チャンバーの内部に設置されるライナーを含み、
前記ライナーまたは前記チャンバーの外部には永久磁石が固定設置されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1部材及び前記第2部材は非磁性体を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記チャンバーの内部に設置されるライナーを含み、
前記ライナーには永久磁石を備えることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。 - 基板を収容するチャンバー;及び
前記チャンバーの一側に形成され、前記チャンバーに流入した前記基板の反応ガスをプラズマ状態に励起させるプラズマソース;を含み、
前記プラズマソースは高周波電源に連結される複数のアンテナコイルが配置された回転アンテナを含み、均一なプラズマ発生のために前記複数のアンテナコイルは360度以上回転し、
前記チャンバーと前記プラズマソースとの間には前記チャンバーを密封するカバーが備えられ、
前記カバーの縁部の内部には強磁性体を備えることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130047017A KR101542905B1 (ko) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | 반도체 장치 |
KR10-2013-0047017 | 2013-04-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014216654A JP2014216654A (ja) | 2014-11-17 |
JP5987862B2 true JP5987862B2 (ja) | 2016-09-07 |
Family
ID=50639270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014091774A Active JP5987862B2 (ja) | 2013-04-26 | 2014-04-25 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2797102A1 (ja) |
JP (1) | JP5987862B2 (ja) |
KR (1) | KR101542905B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6373707B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-08-15 | 株式会社Screenホールディングス | プラズマ処理装置 |
GB201505528D0 (en) * | 2015-03-31 | 2015-05-13 | Gencoa Ltd | Rotational device-III |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01305523A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-08 | Nec Yamagata Ltd | リアクティブ・イオン・エッチング装置 |
US5122251A (en) * | 1989-06-13 | 1992-06-16 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
KR100324792B1 (ko) | 1993-03-31 | 2002-06-20 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
US6254745B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-07-03 | Tokyo Electron Limited | Ionized physical vapor deposition method and apparatus with magnetic bucket and concentric plasma and material source |
WO2002037541A2 (en) * | 2000-11-01 | 2002-05-10 | Applied Materials, Inc. | Etch chamber for etching dielectric layer with expanded process window |
US20020189939A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-19 | German John R. | Alternating current rotatable sputter cathode |
US20090120368A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Applied Materials, Inc. | Rotating temperature controlled substrate pedestal for film uniformity |
KR100968132B1 (ko) * | 2008-02-29 | 2010-07-06 | (주)얼라이드 테크 파인더즈 | 안테나 및 이를 구비한 반도체 장치 |
DE102010009114A1 (de) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Kau, Katrin, 26427 | Vorrichtung zum Übertragen von Strom, Daten oder Signalen von einem feststehenden Gegenstand auf einen drehenden Gegenstand oder umgekehrt |
US20130015053A1 (en) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Inductively coupled rf plasma source with magnetic confinement and faraday shielding |
-
2013
- 2013-04-26 KR KR1020130047017A patent/KR101542905B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-04-25 JP JP2014091774A patent/JP5987862B2/ja active Active
- 2014-04-25 EP EP20140165944 patent/EP2797102A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2797102A1 (en) | 2014-10-29 |
KR101542905B1 (ko) | 2015-08-07 |
KR20140128166A (ko) | 2014-11-05 |
JP2014216654A (ja) | 2014-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6526854B6 (ja) | 高周波アプリケータを有する回転可能な基板支持体 | |
US11450509B2 (en) | Inductive plasma source with metallic shower head using b-field concentrator | |
KR100968132B1 (ko) | 안테나 및 이를 구비한 반도체 장치 | |
US20040168771A1 (en) | Plasma reactor coil magnet | |
JP2005302875A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
CN101283114A (zh) | 磁控溅射装置 | |
JP5987862B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR101584108B1 (ko) | 플라즈마 장치 | |
JP4527432B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
US8394232B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
TWI549155B (zh) | 半導體裝置 | |
KR101513255B1 (ko) | 플라즈마 장치 | |
KR20130072941A (ko) | 플라즈마 식각 장치 | |
US20170076914A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP5097074B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5174848B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
TWI842892B (zh) | 電漿源及其製造方法 | |
KR102384274B1 (ko) | 냉각구조를 개선한 플라즈마 반응기 | |
KR101098977B1 (ko) | 플라즈마 발생 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 장치 | |
JP3814813B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
KR101574237B1 (ko) | 플라즈마 장치 | |
TW202107518A (zh) | 多角環形電漿源 | |
KR20090015328A (ko) | 기판 가공 장치 | |
JP2004079947A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150714 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20151014 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160725 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5987862 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |