KR101513255B1 - 플라즈마 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 플라즈마 장치는 가공물이 수용되는 챔버, 상기 챔버에 수용된 상기 가공물에 인가되는 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소오스 및 상기 챔버에 수용된 상기 가공물을 지지하고 상기 가공물과 함께 회전하는 척 유니트를 포함함으로써, 가공물을 균일하게 플라즈마 가공할 수 있다.

Description

플라즈마 장치{PLASMA DEVICE}
본 발명은 wafer 및 LCD용 유리기판 등 플라즈마를 사용하여 가공하는 식각장치(Etching, Ashing)나 증착 장치( PECVD ; Plasma Enhenced Chemical Vapor Deposition, HDP_CVD;High Density Plasma Chemical Vapor Deposition, PEALD) 등의 플라즈마 장치에 대한 것이다.
반도체에 사용되는 wafer나 LCD에 사용되는 유리기판등의 표면에 미세패턴을 형성하는 표면 처리 기술에 있어서 플라즈마(Plasma)의 생성 기술은, 반도체에서는 미세 회로 선폭에 따라서, 유리기판을 사용하는 LCD분야에서는 크기에 따라서, 플라즈마 생성원의 발전을 이루어왔다.
반도체용 wafer 처리 기술에 사용되는 플라즈마 소오스의 대표적인 방법으로는 평행 평판형 형태의 플라즈마 방식인 용량 결합 플라즈마 (capacitive coupling Plasma, CCP)와 안테나 코일에 의해 유도되는 유도 결합 플라즈마 ( Inductive coupling Plasma, ICP)방식으로 발전되어 왔다. 전자는 일본의 TEL(Tokyo electron)사와 미국의 LRC( Lam Research )사 등에 의해서 발전되어 왔으며, 후자는 미국의 AMT(Applied Materials)사와 LRC사에 의해 발전, 적용되고 있는 상황이다.
회로 선폭이 미세해짐에 따라, 안테나 코일을 사용하는 방식은, 낮은 압력에서 플라즈마를 발생시키거나, 플라즈마의 밀도면에서는 우수하나, 플라즈마 소오스 자체가 가지는, 안테나 구조적인 문제에서 비롯된 균일하지 않는 플라즈마를 발생함에 따라 가공물인 wafer에 많은 문제점을 야기하여, 점차적으로 배제되어 가는 추세이나 회로 선폭이 초미세 공정으로 진행됨에 따라 다시 그 중요성이 대두 되고 있다.
유리기판을 사용하는 LCD분야에서도 유리 기판의 크기가 작은 size에서는 시도를 해 보았으나, 유리기판이 커짐에 따라 균일한 플라즈마를 발생시키지 못하기 때문에, 미국의 AMT, 일본의 TEL사, 한국의 ADP Engineering, 주성 엔지니어링등은 평행 평판형 방식의 용량 결합 플라즈마를 발생시켜 증착장비나 식각장치를 제조하고 있다.
반면에 용량 결합 플라즈마 방식은 균일한 플라즈마를 발생하는데 있어서는 유리하지만, 가공물인 wafer나 유리기판등에 전기장이 직접 영향을 미치기 때문에, 가공물의 미세 패턴 형성에 손상을 주기 쉬울 뿐만 아니라, 밀도에 있어서 ICP 소오스에 비하여 상대적으로 낮은 밀도를 가지고 있기 때문에, 웨이퍼에 있어서는 회로 선폭이 좁아짐에 따라 패턴 형성에 불리하고, 유리 기판에 있어서는 넓은 면적(7세대,8세대)에, 높은 power를 인가함에 따라, 전극에 균일한 power전달이 어려울 뿐만 아니라, 높은 power에 따른 가공물 및 장치에 많은 손상을 발생시키며 이로 인한 가격 상승과 제작상의 많은 어려움에 직면하고 있다.
한국등록특허공보 제0324792호에는 고주파 전력에 저주파 전력에 의한 변조를 가하는 기술이 개시되고 있으나, 균일한 플라즈마를 신뢰성 있게 생성하는 방안은 개시되지 않고 있다.
한국등록특허공보 제0324792호
본 발명은 가공물을 고르게 플라즈마 처리할 수 있는 플라즈마 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 플라즈마 장치는 가공물이 수용되는 챔버, 상기 챔버에 수용된 상기 가공물에 인가되는 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소오스 및 상기 챔버에 수용된 상기 가공물을 지지하고 상기 가공물과 함께 회전하는 척 유니트를 포함할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 장치는 가공물이 놓여지는 척 유니트를 회전시킴으로써 플라즈마 상태로 여기된 반응 가스가 가공물에 고르게 인가될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 회전 상태의 척 유니트와 무관하게 척 유니트에 마련되는 냉각 유로, 고주파 전원 등이 본래의 기능을 수행하도록 하는 구조가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 평면상(z축 방향)으로 바라본 절연부를 나타낸 개략도이다.
도 3은 절연부의 제1 홀이 나타내는 절단면 A-A'를 나타낸 개략도이다.
도 4는 절연부의 제2 홀이 나타내는 절단면 B-B'를 나타낸 개략도이다.
도 5는 절연부의 제3 홀이 나타내는 절단면 C-C'를 나타낸 개략도이다.
도 6은 절연부의 제4 홀이 나타내는 절단면 D-D'를 나타낸 개략도이다.
도 7은 거치부의 개략적인 평면도이다.
도 8은 본 발명의 플라즈마 장치를 구성하는 플라즈마 소오스를 나타낸 개략도이다.
도 9는 플라즈마 소오스의 다른 예를 나타낸 개략도이다.
도 10은 플라즈마 소오스의 또다른 예를 나타낸 개략도이다.
도 11은 챔버의 덮개를 나타낸 개략도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 장치를 나타낸 개략도이다.
도 1에 도시된 플라즈마 장치는 챔버(100), 플라즈마 소오스(200), 척 유니트(300)를 포함할 수 있다.
챔버(100)에는 가공물(10)이 수용될 수 있다. 가공물(10)은 챔버(100) 내에서 이루어지는 플라즈마 공정에 의해 가공이 이루어지는 웨어퍼 등의 각종 물건일 수 있다. 플라즈마 소오스(200)의 외곽에서 가스 인렛을 통하여 아르곤(Ar) 가스와 같이 플라즈마를 활성화시키는데 적당한 반응 가스를 가스 채널 또는 가스판을 통하여 고르게 분사시켜 챔버(100) 내에 공급할 수 있다.
플라즈마 소오스(200)는 챔버(100)에 수용된 가공물(10)에 인가되는 플라즈마를 생성할 수 있다. 플라즈마 소오스(200)는 챔버(100)의 일측에 형성되며 챔버(100)로 유입된 가공물(10)의 반응 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다.
일예로, 플라즈마 소오스(200)는 웨이퍼를 사용하는 반도체 가공 공정에 적합하도록 마련될 수 있으며, 플라즈마를 사용하여 가공하는 증착(PECVD, HDPCVD, PEALD)장치 또는, 애싱(Ashing)을 포함한 식각(Etching)장치 등에 사용되는 플라즈마를 독립적으로 발생시킬 수 있는 유도 결합형 플라즈마 소오스(200)일 수 있다.
더욱이 면적에 구속받지 않아 확장성이 용이하므로 LCD용 유리기판이나, 탄소나노튜브(CNT)등의 가공 공정에도 적합하게 사용할 수 있다. 고주파 전원(RF전원)에서 임피던스 정합기를 통하여 한 개의 전극으로 유입된 RF 전원은 2개 이상의 병렬 연결된 안테나 코일(210)에 연결되어 있다.
플라즈마 소오스(200)는 챔버(100)의 상부에 마련될 수 있다. 챔버(100)의 내부 공간에는 펌프(PUMP)가 연결되어 챔버(100) 내부를 진공으로 만든다. 챔버(100)의 상부는 오링(110)이 개재되며 덮개(130)로 덮혀 밀봉된다. 덮개(130)는 석영 유리판이 바람직하다. 석영 유리판은 챔버(100)의 내부 공간과 플라즈마 소오스(200)의 사이에 위치하며, 플라즈마 소오스(200)에 의해 반응 가스는 플라즈마 상태로 여기된다.
도시되지 않은 실시예로서, 플라즈마 소오스(200)는 챔버(100) 내부에 삽입되는 실시예도 가능하다.
척 유니트(300)는 챔버(100)에 수용된 가공물(10)을 지지할 수 있다. 척 유니트(300)는 플라즈마 소오스(200)에 대면하여 설치되는 것이 좋다. 일예로, 플라즈마 소오스(200)가 챔버(100)의 상부에 마련될 때 척 유니트(300)는 챔버(100)의 하부에 마련될 수 있다. 플라즈마 소오스(200)와 연합하여 챔버(100) 내부에 플라즈마 분위기를 생성하기 위해 척 유니트(300)는 정전 척(electrostatic chuck)일 수 있다.
플라즈마 소오스(200)에 의해 플라즈마 상태로 여기된 반응 가스는 가공물(10)을 고르게 타격하거나 가공물(10)에 고르게 흡착되는 것이 좋다. 이를 위해 척 유니트(300)는 가공물(10)과 함께 회전할 수 있다. 척 유니트(300)는 플라즈마 소오스(200)로부터 가공물(10)을 향하는 방향을 축으로 회전할 수 있다. 도면에는 척 유니트(300)가 z축을 회전축으로 하여 회전하는 상태가 개시된다. 이에 따르면 플라즈마 소오스(200)에 의해 플라즈마 상태로 여기된 반응 가스는 가공물(10)에 고르게 가해질 수 있다. 척 유니트(300)는 수 RPM ~ 수백 RPM의 회전 속도로 회전되어 원운동할 수 있다. 또한, 척 유니트(300)에는 플라즈마 소오스(200)와 다른 고주파 전원이 독립적으로 인가되어 플라즈마 소오스(200)에서 생성된 플라즈마와 다른 플라즈마가 생성될 수 있다. 이에 따르면 챔버 내부에 플라즈마가 신뢰성 있게 형성되도록 할 수 있다.
척 유니트(300)는 가공물(10)이 거치되는 거치부(310), 거치부(310)를 회전시키는 축부(330)를 포함할 수 있다.
축부(330)는 챔버(100)의 벽을 관통하여 설치되며 단부에는 모터(30) 등의 회전 구동원이 링크될 수 있다. 축부(330)와 챔버(100)의 벽 사이는 서로 상대 회전되면서 밀봉되도록 베어링(351), 오링 등이 마련될 수 있다. 축부(330)와 거치부(310)의 사이에는 축부(330)와 거치부(310) 간의 열 전달을 방지하는 절연부(320)가 개재될 수 있다.
축부(330)에는 He 등의 열전도 매질, 냉각수, 직류 전원, 고주파 전원(RF 전원) 등이 인가될 수 있다.
축부(330)를 통해 거치부(310)로 인가된 고주파 전원은 거치부(310)에 고주파를 생성함으로써 플라즈마 소오스(200)에 의해 챔버(100) 상부에 형성된 플라즈마를 거치부(310)를 향하는 방향으로 당길 수 있다. 이에 따라 플라즈마는 가속되고 그 힘으로 가공물(10)의 표면을 가공할 수 있다.
축부(330)를 통해 거치부(310)로 인가된 직류 전원은 거치부(310)를 대전시킴으로써 가공물(10)을 거치부(310)에 흡착시킬 수 있다.
축부(300)를 통해 거치부(310)로 공급된 냉각수는 거치부(310)를 냉각시킬 수 있다.
축부(300)를 통해 거치부(310)로 인가된 열전도 매질은 거치부(310)와 가공물(10) 사이의 미세틈을 메꾸고 거치부(310)와 가공물(10) 간의 열을 전도시킨다. 따라서, 냉각수에 의해 거치부(310)가 냉각되면 열전도 매질을 통해 가공물(10)이 냉각될 수 있다.
이상의 열전도 매질, 냉각수, 직류 전원, 고주파 전원은 회전하는 축부(330)를 통해 거치부(310)로 전달되어야 한다. 그 방안을 살펴본다.
도 2는 평면상(z축 방향)으로 바라본 절연부(320)를 나타낸 개략도이다.
절연부(320)는 판 형상으로 형성될 수 있다. 절연부(320)에는 냉각수가 관통하는 제1 홀(321), 열전도 매질이 관통하는 제2 홀(322)이 형성될 수 있다. 평면상으로 제1 홀(321) 및 제2 홀(322)은 다른 위치에 형성될 수 있다.
도 3 내지 도 6은 평면상으로 다른 각도로 지지부(350) 및 축부(330)를 절단하여 나타낸 개략도이다. 도 3은 절연부(320)의 제1 홀(321)이 나타내는 절단면 A-A'를 나타내고, 도 4는 절연부(320)의 제2 홀(322)이 나타나는 절단면 B-B'를 나타낸다. 도 5는 절단면 C-C'를 나타낸다. 도 6은 절단면 D-D'를 나타낸다.
도 3에는 냉각수가 흐르는 유로가 개시된다.
축부(330)에는 외부로부터 유입된 냉각수가 흐르는 제1 냉각수관(331)이 형성될 수 있다. 제1 냉각수관(331)의 단부는 지지부(350)에 형성된 제2 냉각수관(361)의 단부에 대면할 수 있다.
냉각수를 안내하는 제1 냉각수관(331)은 거치부(310) 또는 축부(330)의 내부에 설치되고, 챔버(100)의 내부에 노출되지 않도록 구성될 수 있다.
냉각수가 축부(330)와 지지부(350)의 사이로 유출되는 것을 방지하기 위해 제2 냉각수관(361)을 내부에 포함하는 폐루프 형상의 오링(391)이 지지부(350)와 축부(330)의 사이에 설치될 수 있다.
제1 냉각수관(351)을 통과한 냉각수는 절연부(320)의 제1 홀(321)을 거쳐 거치부(310)로 유입되고, 거치부(310)에 형성된 관로 패턴(313)을 따라 경유한 후 반대편에 위치한 제1 냉각수관과 제2 냉각수관을 거쳐 외부로 배출될 수 있다. 관로 패턴(313)을 거치면서 냉각수는 거치부(310)를 냉각시킨다.
도 4에는 열전도 매질이 흐르는 유로가 개시된다.
냉각수에 의해 냉각된 거치부(310)에 접촉된 가공물(10)은 열 전도에 의해 냉각될 수 있다. 그러나 미시적으로 가공물(10)의 모든 면이 거치부(310)에 접촉되지는 않으므로 열 전도 효율이 낮다. 열 전도 효율을 개선시키기 위해 흡착된 상태의 가공물(10)과 거치부(310)의 사이에 열전도 매질이 충전되는 것이 좋다. 이렇게 충전된 매질은 거치부(310)와 가공물(10) 간의 열 전도 효율을 개선시킬 수 있다.
열전도 매질은 He 등의 비반응성 가스일 수 있다.
축부(330)에는 외부로부터 유입된 열전도 매질을 안내하는 제1 매질관(332)이 마련될 수 있다. 제1 매질관(332)의 단부는 축부(330)의 단부 또는 거치부(310)에 형성된 홀에 연결될 수 있다. 거치부(310)와 축부(330)의 사이에 절연부(320)가 마련되는 경우 제1 매질관(332)은 절연부(320)의 제2 홀(322)에 연결될 수 있다.
제1 매질관(332)은 축부(330)를 지지하는 지지부(350)에 마련된 제2 매질관(362)에 대면할 수 있다. 열전도 매질이 축부(330)와 지지부(350)의 사이로 유출되는 것을 방지하기 위해 제2 매질관(362)를 내부에 포함하는 폐루프 형상의 오링(392)이 지지부(350)와 축부(330)의 사이에 설치될 수 있다.
거치부(310)에는 열전도 매질이 토출되는 토출구(315)가 마련될 수 있다.
가공물(10)과 거치부(310)의 사이에 열전도 매질이 고르게 충전되도록 하기 위해 토출구(315)는 많이 형성될수록 유리하나 거치부(310) 내에 마련되는 관로 패턴(313) 등과의 간섭을 회피하기 위해 적절한 개수로 마련되는 것이 좋다. 대신 도 7과 같이 평면상으로 토출구로부터 연장되는 그루브(groove)(316)를 형성함으로써 토출구로부터 토출되는 열전도 매질이 그루브(316)를 타고 이동하며 가공물(10)과 거치부(310) 사이에 골고루 충전되도록 할 수 있다.
도 5에는 직류 전원이 흐르는 전력선이 개시된다.
직류 전원은 거치부(310)를 특정 극성으로 대전시킴으로써 가공물(10)이 거치부(310)에 흡착되도록 할 수 있다.
이를 위해 거치부(310)의 내부에는 전극(318)이 마련될 수 있다. 축부(330)의 내부에는 직류 전원이 흐르는 와이어 등의 제1 직류 라인(333)이 마련될 수 있다. 제1 직류 라인(333)의 일단은 전극(318)에 연결되고 타단은 지지부(350)에 마련된 제2 직류 라인(363)에 전기적으로 연결될 수 있다. 절연부(320)에는 축부(330)에 마련된 제1 직류 라인(333)이 관통하는 제3 홀(323)이 마련될 수 있다.
제1 직류 라인(333)은 챔버(100)의 내부 공간에 노출되지 않는 범위 내에서 가능한 가공물(10)에 가까운 위치로 직류 전원을 안내할 수 있다. 일예로 제1 직류 라인(333)은 축부(330)의 내부에 형성되며 그 단부는 거치부(310)의 내부 또는 축부(330) 단부의 내부에 전극 패턴을 형성할 수 있다. 제1 직류 라인(333) 및 제2 직류 라인(363)은 절연체(353)로 피복될 수 있다.
도 6에는 고주파 전원이 흐르는 전력선이 개시된다.
축부(330)의 내부에는 고주파 전원이 흐르는 와이어 등의 제1 고주파 라인(334)이 마련될 수 있다. 제1 고주파 라인(334)의 일단은 거치부(310)에 연결되고 타단은 지지부(350)에 마련된 제2 고주파 라인(364)에 연결될 수 있다. 졀연부(320)에는 축부(330)에 마련된 제1 고주파 라인(334)이 관통하는 제4 홀(324)가 마련될 수 있다.
거치부(310)가 정전 척으로 이루어지므로 제1 고주파 라인(334)이 전기적으로 연결되기만 하면 충분할 수 있다. 또한, 제1 고주파 라인(334)은 앞에서 살펴본 냉각수 등과 달리 1개의 라인만 있으면 충분하다.
고주파 전원은 예를 들어 소오스의 공급원에 해당하는 임피던스 정합기를 구비한 고주파 전원 연결부를 거쳐 플라즈마 소오스(200)를 구성하는 안테나 코일(210)로 인가된다. 안테나 코일(210)은 척 유니트(300)에 대면되도록 챔버(100)의 외부에 설치될 수 있다. 이에 따르면 안테나 코일(210)의 설치 공간의 확보와 유지 보수가 용이하므로 안테나 코일(210)의 형상이 지그재그와 같이 복잡한 경우에 매우 유리하다.
안테나 코일(210)에서 발생한 유도 전자기장은 석영 유리판으로 된 덮개(130)를 통과하여 챔버(100) 내부에 여기됨으로써 플라즈마가 형성된다.
안테나 코일(210)에 의해 형성된 플라즈마가 가공물(10)을 타격하도록 가공물(10)을 향하는 방향으로 플라즈마를 당길 필요가 있다. 이를 위해 고주파 전원이 척 유니트(300)에 인가된다. 고주파 전원(RF 전원)은 수백 KHz부터 수백 MHz까지 사용될 수 있다.
이상이서 살펴본 제1 냉각수관(331), 제1 매질관(332), 제1 직류 라인(333), 제1 고주파 라인(334)은 축부(330)에 모두 마련될 수 있다. 이 경우 제1 냉각수관(331), 제1 매질관(332), 제1 직류 라인(333), 제1 고주파 라인(334)은 z축 방향 상으로 지지부(350)의 다른 위치에 설치될 수 있다. 즉, 지지부에는 냉각수, 열전도 매질, 직류 전원, 고주파 전원의 경로가 축부의 길이 방향으로 서로 다른 위치에 마련될 수 있다. 이에 따르면 각 경로 간의 간섭 현상을 방지할 수 있다.
척 유니트(300)에는 축부(330)를 지지하는 지지부(350)가 마련될 수 있다. 지지부(350)는 챔버(100)의 벽으로부터 축부(330)의 방향을 따라 연장된 것일 수 있다. 또는 챔버(100)의 벽과 별도로 마련되어도 무방하다. 지지부(350)는 지지부(350)와 상대 회전하며, 직접 또는 간접적으로 챔버(100)에 고정될 수 있다.
이때, 축부(330)와 지지부(350)의 사이에는 축부(330)의 회전을 가능하게 하는 베어링(351)이 삽입될 수 있다. 또한, 축부(330)와 지지부(350)의 사이에는 챔버(100)의 내부 공간을 챔버(100) 외부와 격리시키는 오링 등의 밀봉 수단이 마련될 수 있다.
축부(330)가 회전함으로써 축부(330)에 마련된 제1 냉각수관(331), 제1 매질관(332), 제1 직류 라인(333), 제1 고주파 라인(334)으로 각각 냉각수, 열전도 매질, 직류 전원, 고주파 전원을 공급하기 위한 방안이 요구된다. 일예로 축부(330)와 지지부(350)의 사이에는 거치부(310) 또는 축부(330)의 단부로 직류 전원 또는 고주파 전원을 유도하는 도전성 유체(354)가 충전될 수 있다.
축부(330)가 지지부(350)에 끼워질 때, 도전성 유체(354)는 축부(330)의 외면과 지지부(350)의 내면의 사이에 충전될 수 있다. 도전성 유체(354)는 축부(330)와 지지부(350)의 사이에서, 지지부(350)로 유입된 직류 전원 또는 고주파 전원을 축부(330)에 마련된 제1 직류 라인(333) 또는 제1 고주파 라인(334)으로 전달하는 중계 역할을 수행할 수 있다. 이때 도전성 유체(354)는 수은 등일 수 있다. 축부(330)와 지지부(350)의 사이에 충전된 도전성 유체(354)는 액체의 특성상 축부(330) 및 지지부(350)에 신뢰성 있게 접촉된다. 따라서 지지부(350)로부터 유입된 직류 전원 또는 고주파 전원을 축부(330)로 신뢰성 있게 전달할 수 있다.
지지부(350)의 내면에는 지지부(350)의 외면과 연결되는 제2 관이 형성될 수 있다. 제3 관은 도전성 유체(354)가 유입될 수 있는 통공일 수 있다. 이때 플라즈마 장치에는 제1 폐쇄부(355)와 제2 폐쇄부(358)가 마련될 수 있다.
제1 폐쇄부(355)는 제2 관을 통하여 외부로부터 유입된 도전성 유체(354)가 축부(330)와 지지부(350)의 사이에 충전된 후 제2 관을 폐쇄할 수 있다. 제1 폐쇄부(355)에 의하면 축부(330)와 지지부(350)의 사이에 충전된 도전성 유체(354)가 제2 관을 통해 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다. 제1 폐쇄부(355)는 제2 관 중 지지부(350)의 내면 가까이에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 관에는 제2 직류 라인(363) 또는 제2 고주파 라인(364)가 설치될 수 있다. 이때 각 라인의 단부는 제1 폐쇄부(355)에 연결될 수 있다. 제1 폐쇄부의 일부를 도전성 재질로 구성하면 각 라인은 도전성 유체(354)에 전기적으로 연결된다.
제2 폐쇄부(358)는 제2 관의 출입구를 내부에 포함하는 폐루프의 형태로 지지부(350)의 내면에 설치될 수 있다. 제2 폐쇄부(358)에 의하면 축부(330)와 지지부(350)의 사이에 충전된 도전성 유체(354)가 플라즈마 장치를 구성하는 다른 요소 또는 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다. 제2 폐쇄부(358)는 오링(O-ring)일 수 있다. 제2 관을 통해 축부(330)와 지지부(350)의 사이로 유입된 도전성 유체(354)는 축부(330)의 외면 또는 지지부(350)의 내면을 따라 확산된다. 제2 폐쇄부(358)에 의하면 도전성 유체(354)의 확산 범위는 제2 폐쇄부(358)가 형성하는 폐루프의 영역으로 제한될 수 있다.
도 8은 본 발명의 플라즈마 장치를 구성하는 플라즈마 소오스(200)를 나타낸 개략도이다.
플라즈마 소오스(200)는 서로 평행하게 연장되는 복수의 안테나 코일(210)을 포함할 수 있다.
도 8의 (a)는 2개의 안테나 코일(210)이 평행하게 형성된 상태를 나타낸다. 두 개의 안테나 코일(210)의 적어도 일부를 서로 평행하게 배치한 후 각 단부의 극성을 반대로 형성하면 안테나 코일(210)의 전 구간에서 고르게 고주파가 생성된다. 이에 따르면 챔버(100) 내부에 플라즈마를 고르게 형성할 수 있다.
안테나 코일(210)은 평면상으로 그 중심이 가공물의 중심과 일치하도록 배치되는 것이 좋다. 도 8을 참조하면 시작 부분과 종단 부분이 서로 평행하게 인접한 안테나 코일(210)이 개시되고 있다. 고주파 전원이 인가되는 지점에서 RF 입력 전압 V=1이 입력되면, 전압 강하가 일어나므로 전원 접지 지점에서는 전압 V=0가 된다. 또한, 2개의 가닥으로 이루어진 안테나 코일에서 한 가닥에 인가되는 전압이 1/2이면 다른 가닥에 인가되는 전압은 1/2이며 이들의 총합인 평균 전압은 1이다.
즉, 안테나 코일 아래에 위치한 기판(10) 입장에서는 안테나 코일을 따라서 평균 전압 V=1이 균일하게 걸리는 효과를 받으므로 안테나 구조에서 발생되는 전압차가 최소화된다. 이는 안테나 코일이 서로 평행한 코일 구조를 갖기 때문이다.
이런 방식으로 안테나 코일(210)의 개수를 증가시켜도 무방하다. 도 8의 (b)에는 3개의 안테나 코일(210)이 평행하게 형성된 상태가 개시되고 있으며, 도 8의 (c)에는 4개의 안테나 코일(210)이 평행하게 형성된 상태가 개시되고 있다.
한편, 척 유니트(300)에 의해 챔버(100) 내부 공간에서 회전하는 가공물(10)을 고려하여 다른 방식으로 플라즈마 소오스(200)를 형성할 수도 있다.
도 9는 플라즈마 소오스(200)의 다른 예를 나타낸 개략도이다.
플라즈마 소오스(200)는 척 유니트(300)에 대면하여 설치될 수 있다. 이때, 플라즈마 소오스(200)는 평면상으로 척 유니트(300)의 회전축으로부터 바깥으로 갈수록 강한 세기의 플라즈마를 생성할 수 있다.
플라즈마가 균일한 경우 다시 말해 안테나 코일(210)에 의해 생성되는 유도 전자기장이 균일하면 회전하는 가공물(10)의 특성상 가공물(10)의 전체 면적에 대해 고르게 플라즈마가 인가되지 않을 수 있다. 예를 들어 척 유니트(300)의 회전에 딸 z축을 중심으로 가공물(10)이 회전할 경우 가공물에서 중심축(z축)에 가까운 제1 지점과 중심축으로부터 먼 제2 지점을 가정할 경우 제1 지점의 이동 속도가 제2 지점의 이동 속도보다 느리다. 따라서, 제1 지점은 제2 지점과 비교하여 플라즈마가 쪼이고 있는 영역을 느리게 통과하므로 단위 시간당 받는 플라즈마의 양이 많다. 이에 비하여 제2 지점은 제1 지점과 비교하여 플라즈마가 쪼이고 있는 영역을 빠르게 통과하므로 단위 시간당 받는 플라즈마의 양이 적다. 따라서, 단위 시간당 제1 지점이 받는 플라즈마의 양이 제2 지점보다 많게 된다. 이러한 현상을 방지하기 위해 플라즈마 소오스(200)는 도 9의 우측 그래프에서와 같이 가공물(10)의 회전축으로부터 바깥으로 갈수록 점진적으로 강한 세기의 유도 전자기장을 생성할 수 있다. 이에 따르면 회전축으로부터 바깥으로 갈수록 점진적으로 강한 세기의 플라즈마가 생성되므로 가공물에서 회전축으로부터 멀어질수록 단위 면적당 받는 플라즈마의 양이 줄어드는 현상을 보정할 수 있다.
결과적으로 도 9의 실시예에 따르면 척 유니트(300)와 함께 회전하는 가공물(10)의 단위 면적에는 단위 시간당 균일한 플라즈마가 가해질 수 있다. 즉, 가공물(10)의 입장에서는 회전 속도와 무관하게 전면적에 균일하게 플라즈마가 인가된다.
평면상으로 척 유니트(300)의 회전축으로부터 바깥으로 갈수록 강한 세기의 플라즈마를 생성하기 위해 플라즈마 소오스(200)에는 회전축으로부터 바깥으로 갈수록 서로 거리가 가까워지는 복수의 안테나 코일(210)이 마련될 수 있다. 일예로 복수의 안테나 코일(210)은 도 9에서와 같이 평면 형상이 표창과 같을 수 있다. 구체적으로 복수의 안테나 코일(210)은 반비례 곡선이 원점 대칭으로 제1 내지 제4 분면에 위치하는 형상을 가질 수 있다. 이에 따르면 회전축으로부터 바깥으로 갈수록 각 안테나 코일(210) 간의 거리가 가까워지고, 이로 인해 회전축으로부터 바깥으로 갈수록 강한 세기의 전압이 각 안테나 코일(210) 간에 인가되므로 점진적으로 강한 세기의 플라즈마를 생성할 수 있다.
도 8의 (b) 및 (c)에도 이러한 개념이 적용된 것으로 제작이 용이한 안테나 코일(210)이 개시되고 있다. 즉, 안테나 코일(210)의 중심이 원형을 이루도록 각 코일은 중심(회전축) 근처에서 구부러져 형성될 수 있다. 이와 같이 하면 안테나 코일(210)의 중심에서 전압차는 1보다 작다. 따라서, 안테나 코일의 중심에서는 플라즈마가 안테나 코일(210)의 변두리보다 약하게 발생된다.
도 10은 플라즈마 소오스(200)의 또다른 예를 나타낸 개략도이다.
플라즈마 소오스(20))가 평면상으로 평행하게 마련된 2개의 안테나 코일(210)을 포함할 때, 안테나 코일(210)은 지그재그로 형성될 수 있다. 이러한 구조에 따르면 각 코일 간의 평균 전압 V1은 평행 배치로 인해 구간에 상관없이 일정하다. 또한, 지그재그 형상에 의해 생성되는 전압차 V2 역시 구간에 상관없이 일정하다. 따라서, 가공물의 회전시 플라즈마 상태로 여기된 반응 가스가 가공물에 고르게 흡착될 수 있다.
도 11은 챔버의 덮개(130)를 나타낸 개략도이다. 도 11a는 평면도이고, 도 11b는 단면도이다.
챔버(100)의 덮개(130)는 세라믹 등의 비자성체, 절연물로 이루어질 수 있다. 덮개(130)의 단부는 오링 등을 통해 챔버(100)에 설치된다. 이때 덮개(130)의 단부는 오링 또는 챔버(100)와 열교환함으로써 덮개(130)의 중앙부에 비해서 온도가 낮다. 온도가 특정값보다 낮게 되면 챔버 내부의 폴리머가 덮개(130)에 흡착된다.
이러한 현상을 방지하기 위해 덮개(130)의 가장자리 내부에는 철 성분의 얇은 플레이트(plate)로 형성된 강자성체(131)가 마련될 수 있다. 플라즈마 소오스(200)로부터 인가된 고주파(RF)에 의해 강자성체(131)에는 맴돌이 전류가 흐르게 된다. 맴돌이 전류로 인해 강자성체(130)는 가열되며 이를 통해 덮개(130)의 가장자리를 별도의 외부 열원 없이도 가열할 수 있다. 결과적으로 강자성체(131)를 통해 덮개(130)의 가장자리에 챔버 내부의 폴리머가 흡착되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
100...챔버 110, 391, 392...오링
130...덮개 131...강자성체
200...플라즈마 소오스 210...안테나 코일
300...척 유니트 310...거치부
315...토출구
316...그루브 318...전극
320...절연부 321...제1 홀
322...제2 홀 323...제3 홀
324...제4 홀 330...축부
331...제1 냉각수관 332...제1 매질관
333...제1 직류 라인 334...제1 고주파 라인
350...지지부 351...베어링
352...제2 안내 라인 353...절연체
354...도전성 유체 355...제1 폐쇄부
358...제2 폐쇄부 361...제2 냉각수관
362...제2 매질관 363...제2 직류 라인
364...제2 고주파 라인

Claims (10)

  1. 가공물이 수용되는 챔버;
    상기 챔버에 수용된 상기 가공물에 인가되는 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소오스; 및
    상기 챔버에 수용된 상기 가공물을 지지하고 상기 가공물과 함께 회전하는 척 유니트;를 포함하고,
    상기 척 유니트에는 상기 가공물이 거치되는 거치부, 상기 거치부를 회전시키는 축부, 상기 축부를 지지하는 지지부가 마련되고,
    상기 축부와 상기 지지부는 상대 회전하며,
    상기 축부와 상기 지지부의 사이에는 도전성 유체가 충전되는 플라즈마 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 척 유니트에는 상기 플라즈마 소오스와 다른 고주파 전원이 독립적으로 인가되어 상기 플라즈마 소오스에서 생성된 상기 플라즈마와 다른 플라즈마가 생성되고,
    상기 척 유니트는 상기 플라즈마 소오스로부터 상기 가공물을 향하는 방향을 축으로 회전하는 플라즈마 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 척 유니트에는 상기 가공물이 거치되는 거치부, 상기 거치부를 회전시키는 축부, 상기 축부를 지지하는 지지부가 마련되고,
    상기 거치부에는 상기 지지부를 통해 냉각수, 열전도 매질, 직류 전원, 고주파 전원이 공급되며,
    상기 지지부에는 상기 냉각수, 상기 열전도 매질, 상기 직류 전원, 상기 고주파 전원의 경로가 상기 축부의 길이 방향으로 서로 다른 위치에 마련되는 플라즈마 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 척 유니트에는 상기 가공물이 거치되는 거치부, 상기 거치부를 회전시키는 축부가 마련되고,
    상기 축부에는 상기 축부로 공급된 냉각수를 상기 거치부 또는 상기 챔버의 내부에 위치한 상기 축부의 단부로 안내하는 제1 냉각수관, 상기 축부로 공급된 열전도 매질을 상기 거치부 또는 상기 챔버의 내부에 위치한 상기 축부의 단부로 안내하는 제1 매질관, 상기 축부로 공급된 직류 전원을 상기 거치부 또는 상기 챔버의 내부에 위치한 상기 축부의 단부로 안내하는 제1 직류 라인, 상기 축부로 공급된 고주파 전원을 상기 거치부로 안내하는 제1 고주파 라인 중 적어도 하나가 마련되는 플라즈마 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 축부는 상기 지지부에 끼워지고,
    상기 도전성 유체는 상기 축부의 외면과 상기 지지부의 내면의 사이에 충전되며,
    상기 지지부의 내면에는 상기 지지부의 외면과 연결되는 통공이 마련되고,
    상기 통공을 통하여 상기 도전성 유체가 충전된 후 상기 통공을 폐쇄하는 제1 폐쇄부;
    상기 통공의 출입구를 내부에 포함하는 폐루프의 형태로 상기 지지부의 내면에 설치되는 제2 폐쇄부;를 포함하는 플라즈마 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 소오스는 평균 전압이 일정하게 인가되도록 적어도 일부가 서로 평행하게 연장되는 복수의 안테나 코일을 포함하는 플라즈마 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 소오스는 지그재그로 형성되는 안테나 코일을 포함하고,
    상기 안테나 코일은 상기 척 유니트에 대면되도록 상기 챔버의 외부에 설치되는 플라즈마 장치.
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 소오스에는 RF 전원에 연결되는 안테나 코일이 마련되고,
    상기 챔버와 상기 안테나 코일의 사이에는 상기 챔버를 밀봉하는 덮개가 마련되며,
    상기 덮개의 가장자리 내부에는 강자성체가 마련되는 플라즈마 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200009647A (ko) 2018-07-19 2020-01-30 아이엔이 주식회사 멀티 회전식 플라즈마 발생장치
KR20200009639A (ko) 2018-07-19 2020-01-30 아이엔이 주식회사 플라즈마 공정장비의 하부캐소드 모듈

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08203873A (ja) * 1995-01-25 1996-08-09 Sony Corp プラズマ処理装置
KR20060007663A (ko) * 2004-07-20 2006-01-26 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
KR20060083794A (ko) * 2005-01-18 2006-07-21 삼성에스디아이 주식회사 유도결합형 플라즈마 처리 장치
JP2009170648A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Disco Abrasive Syst Ltd プラズマエッチング装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08203873A (ja) * 1995-01-25 1996-08-09 Sony Corp プラズマ処理装置
KR20060007663A (ko) * 2004-07-20 2006-01-26 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
KR20060083794A (ko) * 2005-01-18 2006-07-21 삼성에스디아이 주식회사 유도결합형 플라즈마 처리 장치
JP2009170648A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Disco Abrasive Syst Ltd プラズマエッチング装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200009647A (ko) 2018-07-19 2020-01-30 아이엔이 주식회사 멀티 회전식 플라즈마 발생장치
KR20200009639A (ko) 2018-07-19 2020-01-30 아이엔이 주식회사 플라즈마 공정장비의 하부캐소드 모듈

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