JP5985603B2 - 回路 - Google Patents
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Description
本願は、2011年4月1日出願の米国仮特許出願第61/470,984号(代理人整理番号NEURP014+)「LOW LEAKAGE ESD STRUCTURE」の優先権を主張する。この出願は、参照により全ての目的のために本明細書に組み込まれる。
[適用例1]
容量性バイオセンサのための低リーク静電放電(ESD)回路であって、
ユニティゲインバッファと、
前記ユニティゲインバッファに接続されたESD保護回路と、
を備え、
前記ESD保護回路は、前記ユニティゲインバッファの入力および出力にわたって接続された第1のダイオードを備え、前記ESD保護回路のための電圧範囲が設定可能である、回路。
[適用例2]
適用例1に記載の回路であって、さらに、
前記ユニティゲインバッファの前記入力に接続された電極を備える、回路。
[適用例3]
適用例1に記載の回路であって、さらに、
前記ユニティゲインバッファの前記入力に接続された電極を備え、
前記電極は、脳波(EEG)センサである、回路。
[適用例4]
適用例1に記載の回路であって、さらに、
前記ユニティゲインバッファの前記入力に接続された電極を備え、
前記電極は、心電図(ECG)センサである、回路。
[適用例5]
適用例1に記載の回路であって、前記ESD保護回路は、さらに、
前記ESD保護回路の前記電圧範囲の上側閾値を上回る上昇電圧を方向付けるための第1および第3のダイオードを備える、回路。
[適用例6]
適用例1に記載の回路であって、前記ESD保護回路は、さらに、
前記ESD保護回路の前記電圧範囲の下側閾値を下回る低下電圧を方向付けるための第2および第4のダイオードを備える、回路。
[適用例7]
適用例1に記載の回路であって、
前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された前記第1のダイオードは、前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって上昇電圧を方向付ける方向に接続され、
前記ESD保護回路は、さらに、
上昇電圧を高電位源に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続された第3のダイオードと、
前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって低下電圧を方向付ける方向に、前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された第2のダイオードと、
低下電圧を低電位源に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続された第4のダイオードと、
を備える、回路。
[適用例8]
適用例1に記載の回路であって、
前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された前記第1のダイオードは、前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって上昇電圧を方向付ける方向に接続され、
前記ESD保護回路は、さらに、
上昇電圧を接地に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続された第3のダイオードと、
前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって低下電圧を方向付ける方向に、前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された第2のダイオードと、
低下電圧を接地に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続された第4のダイオードと、
を備える、回路。
[適用例9]
適用例1に記載の回路であって、
前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された前記第1のダイオードは、前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって上昇電圧を方向付ける方向に接続され、
前記ESD保護回路は、さらに、
上昇電圧を接地に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続され、同じ方向に接続された2以上のダイオードを含む第3のダイオードと、
前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって低下電圧を方向付ける方向に、前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された第2のダイオードと、
低下電圧を接地に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続され、同じ方向に接続された2以上のダイオードを含む第4のダイオードと、
を備える、回路。
[適用例10]
適用例1に記載の回路であって、
前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された前記第1のダイオードは、前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって上昇電圧を方向付ける方向に接続され、
前記ESD保護回路は、さらに、
上昇電圧を第1の基準電位に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続された第3のダイオードと、
前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって低下電圧を方向付ける方向に、前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された第2のダイオードと、
低下電圧を第2の基準電位に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続された第4のダイオードと、
を備える、回路。
[適用例11]
適用例1に記載の回路であって、前記ESD保護回路は、さらに、
上側閾値を上回る上昇電圧を方向付けるための第1および第3のダイオードを備え、前記上側閾値は、同じ方向で前記第3のダイオードに接続された1または複数のダイオードを追加して前記第1、第3、および、1または複数のダイオードのオン電圧の合計を増大させることによって調整される、回路。
[適用例12]
適用例1に記載の回路であって、前記ESD保護回路は、さらに、
下側閾値を下回る低下電圧を方向付けるための第2および第4のダイオードを備え、前記下側閾値は、同じ方向で前記第4のダイオードに接続された1または複数のダイオードを追加して前記第2、第4、および、1または複数のダイオードのオン電圧の合計を増大させることによって調整される、回路。
[適用例13]
適用例1に記載の回路であって、前記ESD保護回路は、CMOSプロセスで製造された集積回路である、回路。
Claims (12)
- 容量性バイオセンサのための低リーク静電放電(ESD)回路であって、
ユニティゲインバッファと、
前記ユニティゲインバッファに接続されたESD保護回路と、
前記ユニティゲインバッファの入力に接続された電極と、
を備え、
前記ESD保護回路は、前記ユニティゲインバッファの入力および出力にわたって接続された第1のダイオードと第2のダイオードとを備える、回路であって、
前記電極は、非接触型脳波(EEG)センサもしくは非接触型心電図(ECG)センサであり、
前記第1のダイオードのアノードと前記第2のダイオードのカソードは、前記電極と直接接続されており、
第3のダイオードのカソードと第4のダイオードのアノードは接地されており、
前記第3のダイオードのアノードと前記第4のダイオードのカソードは、前記ユニティゲインバッファの出力に直接接続されている、回路。 - 請求項1に記載の回路であって、前記第1のダイオードのカソードと、前記第2のダイオードのアノードは、前記ユニティゲインバッファのマイナス入力と接続される、回路。
- 容量性バイオセンサのための低リーク静電放電(ESD)回路であって、
ユニティゲインバッファと、
前記ユニティゲインバッファに接続されたESD保護回路と、
前記ユニティゲインバッファの入力に接続された電極と、
を備え、
前記ESD保護回路は、前記ユニティゲインバッファの入力および出力にわたって接続された第1のダイオードと第2のダイオードを備え、
前記電極は、非接触型脳波(EEG)センサもしくは非接触型心電図(ECG)センサであり、
前記第1のダイオードのアノードと前記第2のダイオードのカソードは、前記電極と直接接続されており、
第3のダイオードのカソードと第4のダイオードのアノードは、接地されており、
前記第3のダイオードのアノードと前記第4のダイオードのカソードは、前記ユニティゲインバッファの出力に直接接続されており、前記第3のダイオードと前記第4のダイオードは、それぞれ複数のダイオードを含む、回路。 - 請求項1に記載の回路であって、前記ESD保護回路は、
前記ESD保護回路の電圧範囲の上側閾値を上回る上昇電圧を方向付けるための前記第1および前記第3のダイオードを備える、回路。 - 請求項1に記載の回路であって、前記ESD保護回路は、
前記ESD保護回路の電圧範囲の下側閾値を下回る低下電圧を方向付けるための前記第2および前記第4のダイオードを備える、回路。 - 請求項1に記載の回路であって、
前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された前記第1のダイオードは、前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって上昇電圧を方向付ける方向に接続され、
前記ESD保護回路は、
上昇電圧を接地に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続された前記第3のダイオードと、
前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって低下電圧を方向付ける方向に、前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された前記第2のダイオードと、
低下電圧を接地に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続された前記第4のダイオードと、
を備える、回路。 - 請求項2に記載の回路であって、
前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された前記第1のダイオードは、前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって上昇電圧を方向付ける方向に接続され、
前記ESD保護回路は、
上昇電圧を接地に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続され、同じ方向に接続された2以上のダイオードを含む前記第3のダイオードと、
前記ユニティゲインバッファの前記出力に向かって低下電圧を方向付ける方向に、前記ユニティゲインバッファの前記入力および前記出力にわたって接続された前記第2のダイオードと、
低下電圧を接地に方向付けるために前記ユニティゲインバッファの前記出力から接続され、同じ方向に接続された2以上のダイオードを含む前記第4のダイオードと、
を備える、回路。 - 請求項1に記載の回路であって、前記ESD保護回路は、さらに、
上側閾値を上回る上昇電圧を方向付けるための第1および第3のダイオードを備え、前記上側閾値は、同じ方向で前記第3のダイオードに接続された1または複数のダイオードを追加して前記第1、前記第3、および、1または複数のダイオードのオン電圧の合計を増大させることによって調整される、回路。 - 請求項1に記載の回路であって、前記ESD保護回路は、さらに、
下側閾値を下回る低下電圧を方向付けるための第2および第4のダイオードを備え、前記下側閾値は、同じ方向で前記第4のダイオードに接続された1または複数のダイオードを追加して前記第2、前記第4、および、1または複数のダイオードのオン電圧の合計を増大させることによって調整される、回路。 - 請求項1に記載の回路であって、前記ESD保護回路は、CMOSプロセスで製造された集積回路である、回路。
- 請求項1に記載の回路であって、前記第1のダイオードのカソードは、前記ユニティゲインバッファの前記出力と接続され、前記第2のダイオードのアノードは、前記ユニティゲインバッファの前記出力と接続される、回路。
- 請求項1に記載の回路であって、前記電極は、前記ユニティゲインバッファのプラス入力と接続される、回路。
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