JP5972593B2 - Semiconductor power converter - Google Patents
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Description
本発明は、複数の半導体電力変換器を直列接続又は並列接続した多重半導体電力変換装置及び単数の半導体電力変換器を接続した半導体電力変換装置に関する。 The present invention relates to a multiple semiconductor power converter in which a plurality of semiconductor power converters are connected in series or in parallel, and a semiconductor power converter in which a single semiconductor power converter is connected.
特許文献1には、出力側に絶縁変圧器が接続されていない第1のインバータの出力電圧に、少なくとも1台以上の第2インバータの出力電圧を絶縁変圧器を介して加算し、前記第1及び第2のインバータの各出力電圧を合成して得られた交流電力を負荷に供給するための多重インバータ制御装置において、前記第1のインバータ(例えば高調波を多く発生するもの)の出力電圧を検出する電圧検出器と、前記第1のインバータの出力電圧に含まれるリップル電圧に基づいて前記第2のインバータに対する電圧基準値を補正する補正手段を設け、前記第2のインバータの出力電圧により、前記第1のインバータの出力電圧に含まれるリップル電圧を相殺するようにした点が記載されている。
In
前述した特許文献1に記載の発明にあっては、次の問題点が挙げられる。
The invention described in
(1)直列多重接続構成において、全段のインバータの中で特定のインバータから発生する高調波のみを抑制するための制御方式であり、全段のインバータを合成した出力を補償するものではない。 (1) In a serial multiple connection configuration, this is a control method for suppressing only harmonics generated from a specific inverter among all stages of inverters, and does not compensate for an output synthesized from all stages of inverters.
(2)インバータ1台あるいはインバータの並列多重接続の構成における高調波抑制方式については触れられていない。 (2) No mention is made of a harmonic suppression method in the configuration of one inverter or a parallel multiple connection of inverters.
本発明は、交流電流に含まれる高調波の抑制を図ることができる半導体電力変換装置を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the semiconductor power converter device which can aim at suppression of the harmonic contained in alternating current.
前記目的を達成するため、請求項1に対応する発明は、直流電力系統と交流電力系統の間に接続され、直流電力を交流電力、又は交流電力を直流電力に変換する半導体電力変換器を複数個電気的に接続し、前記各半導体電力変換器毎に、各々設けられる電圧指令値発生器からの電圧指令値に基づき得られるゲート信号を、前記各半導体電力変換器に与えるゲート制御器を備えた半導体電力変換装置において、前記各電力変換器における交流電流信号又は交流電圧信号の合成値或いは前記各ゲート信号の合成値を検出し、この検出値に含まれる高調波成分を抽出し、この高調波成分を最小値とする共通の高調波補償制御器と、
を具備した半導体電力変換装置である。
In order to achieve the above object, the invention corresponding to
Is a semiconductor power conversion device.
前記目的を達成するため、請求項2に対応する発明は、直流電力系統と交流電力系統の間に接続され、直流電力を交流電力、又は交流電力を直流電力に変換する半導体電力変換器を複数個電気的に直列接続し、前記各半導体電力変換器毎に、各々設けられる電圧指令値発生器からの電圧指令値に基づき得られるゲート信号を、前記各半導体電力変換器に与えるゲート制御器を備えた半導体電力変換装置において、前記各電力変換器における交流電流信号又は交流電圧信号の合成値或いは前記各ゲート信号の合成値を検出し、この検出値に含まれる高調波成分を抽出し、この高調波成分を最小値とする共通の高調波補償制御器と、を具備した半導体電力変換装置である。 In order to achieve the object, the invention corresponding to claim 2 is provided with a plurality of semiconductor power converters connected between a DC power system and an AC power system and converting DC power into AC power or AC power into DC power. A gate controller that electrically connects each of the semiconductor power converters, and provides each semiconductor power converter with a gate signal obtained based on a voltage command value from a voltage command value generator provided for each semiconductor power converter. In the semiconductor power converter provided, the combined value of the alternating current signal or alternating voltage signal or the combined value of the gate signals in each power converter is detected, and the harmonic component included in the detected value is extracted, A semiconductor power conversion device including a common harmonic compensation controller that minimizes a harmonic component.
前記目的を達成するため、請求項3に対応する発明は、直流電力系統と交流電力系統の間に接続され、直流電力を交流電力、又は交流電力を直流電力に変換する半導体電力変換器を複数個電気的に並列接続し、前記各半導体電力変換器毎に、各々設けられる電圧指令値発生器からの電圧指令値に基づき得られるゲート信号を、前記各半導体電力変換器に与えるゲート制御器を備えた半導体電力変換装置において、前記各電力変換器における交流電流信号又は交流電圧信号の合成値或いは前記各ゲート信号の合成値を検出し、この検出値に含まれる高調波成分を抽出し、この高調波成分を最小値とする共通の高調波補償制御器と、を具備した半導体電力変換装置である。
In order to achieve the above object, the invention corresponding to
図1は本発明の多重半導体電力変換装置の第1の実施形態を示す回路図で、直流電力系統例えばバッテリ1と交流電力系統又は負荷2の間に接続され、直流電力を交流電力に変換する半導体電力変換器(例えば4個の半導体素子がブリッジ接続されたもの)31、32…3Nを複数個電気的に直列接続し、各半導体電力変換器31、32…3N毎に、電圧指令値発生器41、42…4Nからの電圧指令値に基づき得られるゲート信号を与えるゲート制御器(例えばPWM制御器)51、52…5Nを備え、半導体電力変換器31、32…3Nと交流電力系統又は負荷2の間に絶縁変圧器61、62…6Nが接続された多重半導体電力変換装置において、以下の構成を具備したものである。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a multiple semiconductor power conversion device of the present invention, which is connected between a DC power system, for example, a
各電力変換器31、32…3Nにおける交流電流信号又は交流電圧信号の合成値或いは各ゲート信号の合成値を検出し、この検出値に含まれる高調波成分を抽出し、この高調波成分を最小値とする高調波補償制御器7を具備したものである。 A combined value of an alternating current signal or an alternating voltage signal or a combined value of each gate signal in each power converter 31, 32,... 3N is detected, a harmonic component included in the detected value is extracted, and this harmonic component is minimized. A harmonic compensation controller 7 having a value is provided.
高調波補償制御器7は、具体的には各電力変換器31、32…3Nにおける交流電流信号を検出する電流検出器11又は交流電圧信号を検出する電圧検出器12或いは各ゲート信号を検出するゲート信号検出器131、132…13Nと、前記電流検出器11又は前記電圧検出器12或いは前記ゲート信号検出器131、132…13Nの検出値に含まれる高調波成分を抽出する高調波成分抽出器8と、高調波成分抽出器8で抽出した高調波成分を最小にするための補正用電圧指令値を求める補償器9と、電圧指令値発生器41、42…4Nからの電圧指令値に、前記補償器で求めた補正用電圧指令値を加算した加算値をゲート制御器51、52…5Nの電圧指令値とする加算器101、102…10Nとを備えたものである。
Specifically, the harmonic compensation controller 7 detects the
以上述べた本発明の多重半導体電力変換装置の実施形態によれば、各電力変換器31、32…3Nの出力合成値、具体的には交流電流(出力電流)、交流電圧(出力電圧)、ゲート信号に含まれる高調波成分を高調波成分抽出器8により抽出し、この抽出した高調波成分が補償器9に入力され、ここで抽出した高調波成分を最小値とする補正用電圧指令値を出力し、この補正用電圧指令値を加算器101、102…10Nにより電圧指令値発生器41、42…4Nからの電圧指令値にそれぞれ加算され、この加算された電圧指令値がゲート制御器(例えばPWM制御器)51、52…5Nに与えられる。この結果、高調波補償が可能となる。
According to the embodiment of the multiple semiconductor power conversion device of the present invention described above, the output composite value of each power converter 31, 32... 3N, specifically, alternating current (output current), alternating voltage (output voltage), The harmonic component contained in the gate signal is extracted by the
図2は本発明の多重半導体電力変換装置の第2の実施形態を示す回路図で、直流電力系統例えばバッテリ1と交流電力系統又は負荷2の間に接続され、直流電力を交流電力に変換する半導体電力変換器(例えば4個の半導体素子がブリッジ接続されたもの)31、32…3Nを複数個電気的に並列接続し、各半導体電力変換器31、32…3N毎に、電圧指令値発生器41、42…4Nからの電圧指令値に基づき得られるゲート信号を与えるゲート制御器(例えばPWM制御器)51、52…5Nを備え、半導体電力変換器31、32…3Nと交流電力系統又は負荷2の間にリアクトル141、142…14Nが接続された多重半導体電力変換装置において、前述の図1の実施形態と同様に、各電力変換器31、32…3Nにおける交流電流信号又は交流電圧信号の合成値或いは各ゲート信号の合成値を検出し、この検出値に含まれる高調波成分を抽出し、この高調波成分を最小値とする高調波補償制御器7を具備したものである。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the multiple semiconductor power conversion device of the present invention, which is connected between a DC power system, for example, a
高調波補償制御器7は、具体的には各電力変換器31、32…3Nにおける交流電流信号を検出する電流検出器11又は交流電圧信号を検出する電圧検出器12或いは各ゲート信号を検出するゲート信号検出器131、132…13Nと、前記電流検出器11又は前記電圧検出器12或いは前記ゲート信号検出器131、132…13Nの検出値に含まれる高調波成分を抽出する高調波成分抽出器8と、高調波成分抽出器8で抽出した高調波成分を最小にするための補正用電圧指令値を求める補償器9と、電圧指令値発生器41、42…4Nからの電圧指令値に、前記補償器で求めた補正用電圧指令値を加算した加算値をゲート制御器51、52…5Nの電圧指令値とする加算器101、102…10Nとを備えたものである。
Specifically, the harmonic compensation controller 7 detects the
以上述べた本発明の多重半導体電力変換装置の実施形態によれば、各電力変換器31、32…3Nの出力合成値、具体的には交流電流(出力電流)、交流電圧(出力電圧)、ゲート信号に含まれる高調波成分を高調波成分抽出器8により抽出し、この抽出した高調波成分が補償器9に入力され、ここで抽出した高調波成分を最小値とする補正用電圧指令値を出力し、この補正用電圧指令値を加算器101、102…10Nにより電圧指令値発生器41、42…4Nからの電圧指令値にそれぞれ加算され、この加算された電圧指令値がゲート制御器(例えばPWM制御器)51、52…5Nに与えられる。この結果、図2の実施形態によれば高調波補償が可能となる。図1及び図2の実施形態によれば、各電力変換器の回路構成に依存せず、直列多重接続と並列多重接続方式の両方で高調波補償が可能である。
According to the embodiment of the multiple semiconductor power conversion device of the present invention described above, the output composite value of each power converter 31, 32... 3N, specifically, alternating current (output current), alternating voltage (output voltage), The harmonic component contained in the gate signal is extracted by the
図3は本発明の多重半導体電力変換装置の第3の実施形態を示す回路図で、直流電力系統例えばバッテリ1と交流電力系統又は負荷2の間に接続され、直流電力を交流電力に変換する例えば三相半導体電力変換器3を接続し、半導体電力変換器3、電圧指令値発生器4からの電圧指令値に基づき得られるゲート信号を与えるゲート制御器(例えばPWM制御器)5を備え、半導体電力変換器3と交流電力系統又は負荷2の間にリアクトル14が接続された半導体電力変換装置において、以下の構成を具備したものである。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the multiple semiconductor power conversion device of the present invention, which is connected between a DC power system, for example, a
電力変換器3における交流電流信号又は交流電圧信号或いはゲート信号を検出し、この検出値に含まれる高調波成分を抽出し、この高調波成分に対して高い補償ゲインを持つ高調波補償制御器7を具備したものである。
An AC current signal, AC voltage signal, or gate signal in the
高調波補償制御器7は、具体的には電力変換器3における交流電流信号を検出する電流検出器11又は交流電圧信号を検出する電圧検出器12或いはゲート信号を検出するゲート信号検出器13と、前記電流検出器11又は前記電圧検出器12或いは前記ゲート信号検出器13の検出値に含まれる高調波成分を抽出する高調波成分抽出器8と、高調波成分抽出器8で抽出した高調波成分を打消す高い補償ゲインを持つ補償器9と、電圧指令値発生器4からの電圧指令値に、前記補償器の高い補償ゲインで求めた補正用電圧指令値を加算した加算値をゲート制御器5の電圧指令値とする加算器10とを備えたものである。
Specifically, the harmonic compensation controller 7 includes a
以上述べた本発明の第3の実施形態によれば、高調波補償器9で演算した高調波補償電圧指令値を、加算器10により従来のゲート制御器5の電圧指令値に加算したので、電流検出器11又は電圧検出器12或いはゲート信号検出器13の検出値に含まれる高調波成分を抑制できる。
According to the third embodiment of the present invention described above, the harmonic compensation voltage command value calculated by the harmonic compensator 9 is added to the voltage command value of the conventional gate controller 5 by the
前述の図1の実施形態の電力変換装置は複数個の単相ブリッジを直列多重化した単相電力変換装置であるが、これを複数の単相ブリッジを三相結線した三相電力変換装置及び三相ブリッジを複数個直列多重化した三相電力変換装置であってもよい。 1 is a single-phase power conversion device in which a plurality of single-phase bridges are serially multiplexed. A three-phase power conversion device in which a plurality of single-phase bridges are connected in three phases, and A three-phase power conversion device in which a plurality of three-phase bridges are serially multiplexed may be used.
前述の図2の実施形態の電力変換装置は複数個の単相ブリッジを並列多重化した単相電力変換装置であるが、これを複数の単相ブリッジを三相結線した三相電力変換装置及び三相ブリッジを複数個並列多重化した三相電力変換装置であってもよい。 2 is a single-phase power conversion device in which a plurality of single-phase bridges are multiplexed in parallel, and this is a three-phase power conversion device in which a plurality of single-phase bridges are connected in three phases, and A three-phase power conversion device in which a plurality of three-phase bridges are multiplexed in parallel may be used.
前述の実施形態では、各電力変換器はインバータの場合について説明したが、コンバータの場合であっても前述の実施形態と同様に実施できる。 In the above-described embodiment, the case where each power converter is an inverter has been described.
1…バッテリ、2…交流電力系統又は負荷、3、31、32…3N…半導体電力変換器、4、41、42…4N…電圧指令値発生器、5、51、52…5N…ゲート制御器例えばPWM制御器、61、62…6N…絶縁変圧器、7…高調波補償制御器、8…高調波成分抽出器、9…高調波補償器、10、101、102…10N…加算器、11…電流検出器、12…電圧検出器、13、131.132…13N…ゲート信号検出器、14、141、142…14N…リアクトル。
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記各電力変換器における交流電流信号又は交流電圧信号の合成値或いは前記各ゲート信号の合成値を検出し、この検出値に含まれる高調波成分を抽出し、この高調波成分を最小値とする共通の高調波補償制御器と、
を具備したことを特徴とする半導体電力変換装置。 Connected between a DC power system and an AC power system, electrically connecting a plurality of semiconductor power converters that convert DC power into AC power, or AC power into DC power, for each of the semiconductor power converters, In a semiconductor power conversion device including a gate controller that supplies a gate signal obtained based on a voltage command value from a voltage command value generator provided to each semiconductor power converter ,
The combined value of the alternating current signal or alternating voltage signal or the combined value of the gate signals in each power converter is detected, the harmonic component included in the detected value is extracted, and the harmonic component is set to the minimum value. A common harmonic compensation controller,
A semiconductor power conversion device comprising:
前記各電力変換器における交流電流信号又は交流電圧信号の合成値或いは前記各ゲート信号の合成値を検出し、この検出値に含まれる高調波成分を抽出し、この高調波成分を最小値とする共通の高調波補償制御器と、
を具備したことを特徴とする半導体電力変換装置。 A plurality of semiconductor power converters connected between a DC power system and an AC power system and converting DC power into AC power or AC power into DC power are electrically connected in series, and each semiconductor power converter is connected to each other. In the semiconductor power conversion device provided with a gate controller for providing each of the semiconductor power converters with a gate signal obtained based on a voltage command value from each voltage command value generator provided ,
The combined value of the alternating current signal or alternating voltage signal or the combined value of the gate signals in each power converter is detected, the harmonic component included in the detected value is extracted, and the harmonic component is set to the minimum value. A common harmonic compensation controller,
A semiconductor power conversion device comprising:
前記各電力変換器における交流電流信号又は交流電圧信号の合成値或いは前記各ゲート信号の合成値を検出し、この検出値に含まれる高調波成分を抽出し、この高調波成分を最小値とする共通の高調波補償制御器と、
を具備したことを特徴とする半導体電力変換装置。 A plurality of semiconductor power converters connected between a DC power system and an AC power system and converting DC power into AC power or AC power into DC power are electrically connected in parallel, and each semiconductor power converter is connected In the semiconductor power conversion device provided with a gate controller for providing each of the semiconductor power converters with a gate signal obtained based on a voltage command value from each voltage command value generator provided ,
The combined value of the alternating current signal or alternating voltage signal or the combined value of the gate signals in each power converter is detected, the harmonic component included in the detected value is extracted, and the harmonic component is set to the minimum value. A common harmonic compensation controller,
A semiconductor power conversion device comprising:
前記各電力変換器における交流電流信号又は交流電圧信号の合成値或いは前記各ゲート信号の合成値を検出し、この検出値に含まれる高調波成分を抽出する共通の高調波成分抽出器と、
前記高調波成分抽出器で抽出した高調波成分を最小にするための補正用電圧指令値を求める共通の補償器と、
前記電圧指令値発生器からの電圧指令値に、前記共通の補償器で求めた補正用電圧指令値をそれぞれ加算した加算値を前記各ゲート制御器の電圧指令値とする複数の加算器と、
を備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一つに記載の半導体電力変換装置。 The common harmonic compensation controller is:
A common harmonic component extractor for detecting a combined value of the alternating current signal or the alternating voltage signal in each of the power converters or a combined value of the gate signals, and extracting a harmonic component included in the detected value;
A common compensator for obtaining a voltage command value for correction for minimizing the harmonic component extracted by the harmonic component extractor;
The voltage command value from the voltage command value generator, a plurality of adders for an added value obtained by adding said common compensator in obtained the correction voltage command value, respectively and the voltage command value of each gate controllers,
The semiconductor power conversion device according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
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