JP5969339B2 - Frequency adjustment method - Google Patents

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Description

本発明は、予め決められた共振周波数でデータを送受信するRF−IDメディアに関し、特に、共振周波数の調整方法に関する。   The present invention relates to an RF-ID medium that transmits and receives data at a predetermined resonance frequency, and more particularly to a method for adjusting a resonance frequency.

昨今、情報化社会の進展に伴って、情報をカードに記録し、該カードを用いた情報管理や決済等が行われている。また、商品等に貼付されるラベルやタグに情報を記録し、このラベルやタグを用いての商品等の管理も行われている。このようなカードやラベル、あるいはタグを用いた情報管理においては、カードやラベル、あるいはタグに対して非接触状態にてデータを送受信する非接触型ICカードや非接触型ICラベル、あるいは非接触型ICタグがその優れた利便性から急速な普及が進みつつある。   In recent years, with the progress of the information society, information is recorded on a card, and information management and settlement using the card are performed. Information is recorded on a label or tag attached to a product or the like, and the product or the like is managed using the label or tag. In information management using such a card, label, or tag, a non-contact type IC card, non-contact type IC label, or non-contact type that transmits / receives data in a non-contact state to the card, label, or tag Type IC tags are rapidly spreading due to their excellent convenience.

このような非接触型ICカードや非接触型ICラベル、あるいは非接触型ICタグといったRF−IDメディアは、ベース基材上に導電性のアンテナが形成されるとともにこのアンテナに接続されるようにICチップが実装されてなるインレットが表面シートやカード基材に挟み込まれて構成されており、予め決められた共振周波数でデータを送受信する。そのため、アンテナの形状が、RF−IDメディアが予め決められた共振周波数でデータを送受信できるような形状に設計されている。   RF-ID media such as a non-contact type IC card, a non-contact type IC label, or a non-contact type IC tag is formed such that a conductive antenna is formed on a base substrate and is connected to the antenna. An inlet on which an IC chip is mounted is configured to be sandwiched between a surface sheet and a card substrate, and transmits and receives data at a predetermined resonance frequency. Therefore, the shape of the antenna is designed so that the RF-ID media can transmit and receive data at a predetermined resonance frequency.

ところが、ベース基材上にアンテナを形成するためのエッチングや印刷工程において、アンテナの形状が、RF−IDメディアが予め決められた共振周波数でデータを送受信できるような形状とはならなくなってしまう場合がある。特に、電磁誘導方式でデータを送受信するRF−IDメディアにおいては、コイル状のアンテナをその一部にて交差させる必要があるが、その交差させる部分のジャンパー部を形成する際にばらつきが生じ、予め決められた共振周波数でデータを送受信できなくなる場合が多い。   However, in the etching or printing process for forming the antenna on the base substrate, the shape of the antenna does not become such a shape that the RF-ID media can transmit and receive data at a predetermined resonance frequency. There is. In particular, in the RF-ID media that transmits and receives data by the electromagnetic induction method, it is necessary to cross the coiled antenna at a part thereof, but variation occurs when forming the jumper part of the crossed part, In many cases, data cannot be transmitted / received at a predetermined resonance frequency.

そこで、アンテナに接続した調整用パターンを設け、この調整用パターンをトリミングすることによってアンテナのインダクタンスやキャパシタンスを調整し、それにより、RF−IDメディアが予め決められた共振周波数でデータを送受信できるようにする技術が考えられている(例えば、特許文献1,2参照)。   Therefore, an adjustment pattern connected to the antenna is provided, and trimming the adjustment pattern to adjust the inductance and capacitance of the antenna, so that the RF-ID medium can transmit and receive data at a predetermined resonance frequency. (See, for example, Patent Documents 1 and 2).

特開2011−238016号公報JP 2011-238016 A 特開2004−153716号公報JP 2004-153716 A

しかしながら、上述したように、アンテナに接続した調整用パターンを設け、この調整用パターンをトリミングすることによってアンテナのインダクタンスやキャパシタンスを調整する技術においては、ベース基材上にアンテナ及び調整用パターンを形成し、アンテナに接続されるようにICチップを実装した後に、RF−IDメディアがデータを送受信する共振周波数に合わせて調整用パターンをトリミングすることになるため、一般的なRF−IDメディアの製造工程とは別ラインの工程が新たに増え、製造工程が煩雑になってしまうとともに製造コストが増大してしまうという問題点がある。   However, as described above, in the technology for adjusting the inductance and capacitance of the antenna by trimming the adjustment pattern by providing the adjustment pattern connected to the antenna, the antenna and the adjustment pattern are formed on the base substrate. Then, after the IC chip is mounted so as to be connected to the antenna, the adjustment pattern is trimmed in accordance with the resonance frequency at which the RF-ID medium transmits and receives data. There is a problem that the number of processes on a line different from the process is newly increased, the manufacturing process becomes complicated, and the manufacturing cost increases.

また、非接触レーザでトリミングを行う場合、RF−IDメディアが搭載された製造テーブルに加工用の穴を設ける必要があり、製造コストが増大してしまうという問題点がある。   Further, when trimming with a non-contact laser, it is necessary to provide a processing hole in a manufacturing table on which an RF-ID medium is mounted, which causes a problem that manufacturing cost increases.

本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、一般的なRF−IDメディアの製造工程とは別ラインの工程を設けることなく、かつ製造工程を増大させることなくデータを送受信するための共振周波数を調整することができる周波数調整方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the problems of the conventional techniques as described above, and without providing a separate line process from a general RF-ID media manufacturing process, and the manufacturing process. and to provide a frequency adjusting how capable of adjusting the resonance frequency for transmitting and receiving data without increasing.

上記目的を達成するために本発明は、
ベース基材上にアンテナが形成されるとともに、所定面に接続端子を具備するICチップが、前記接続端子が前記アンテナに接続されて前記ベース基材上に実装され、共振周波数にてデータを送受信するRF−IDメディアにおける前記共振周波数を調整する周波数調整方法であって、
前記ベース基材上に形成されたアンテナ単体の周波数を取得する工程と、
前記ICチップが、前記取得された周波数を有するアンテナに前記接続端子を接続して前記所定面と前記アンテナとの間隔を基準間隔として前記ベース基材上に実装された場合のRF−IDメディアの共振周波数を算出する工程と、
前記RF−IDメディアがデータを送受信するための共振周波数に対する前記算出された共振周波数の差分を埋めるために必要となるキャパシタンス量を算出する工程と、
前記基準間隔と、前記算出されたキャパシタンス量を生じさせる前記所定面と前記アンテナとの間隔とに基づいて、前記所定面と前記アンテナとの間隔を算出する工程と、
前記所定面と前記アンテナとの間隔が、前記算出された間隔となるような前記ICチップの前記ベース基材上への実装条件を算出する工程とを有する。
In order to achieve the above object, the present invention provides:
An IC chip having an antenna formed on a base substrate and having a connection terminal on a predetermined surface is mounted on the base substrate with the connection terminal connected to the antenna, and transmits and receives data at a resonance frequency. A frequency adjustment method for adjusting the resonance frequency in the RF-ID media,
Obtaining a frequency of a single antenna formed on the base substrate;
RF-ID media when the IC chip is mounted on the base substrate with the connection terminal connected to an antenna having the acquired frequency and the interval between the predetermined surface and the antenna as a reference interval Calculating a resonance frequency;
Calculating the amount of capacitance required to fill the difference of the calculated resonance frequency with respect to the resonance frequency for the RF-ID media to transmit and receive data;
Calculating an interval between the predetermined surface and the antenna based on the reference interval and an interval between the predetermined surface and the antenna that causes the calculated capacitance amount;
Calculating a mounting condition of the IC chip on the base substrate such that the distance between the predetermined surface and the antenna is the calculated distance.

上記のように構成された本発明においては、ベース基材上にアンテナが形成された後に、まず、ベース基材上に形成されたアンテナ単体の周波数が取得され、ICチップが、取得された周波数を有するアンテナにICチップの接続端子を接続して、ICチップの接続端子が設けられた所定面とアンテナとの間隔を基準間隔としてベース基材上に実装された場合のRF−IDメディアの共振周波数が算出される。次に、RF−IDメディアがデータを送受信するための共振周波数に対する、算出された共振周波数の差分を埋めるために必要となるキャパシタンス量が算出され、その後、ICチップの所定面とアンテナとの基準間隔と、算出されたキャパシタンス量を生じさせる所定面とアンテナとの間隔とに基づいて、ICチップの所定面とアンテナとの間隔が算出される。そして、ICチップの所定面とアンテナとの間隔が、算出された間隔となるようなICチップのベース基材上への実装条件が算出され、この実装条件に従ってICチップがベース基材上に実装されることになる。   In the present invention configured as described above, after the antenna is formed on the base substrate, first, the frequency of the single antenna formed on the base substrate is acquired, and the IC chip acquires the acquired frequency. The resonance of the RF-ID medium when the connection terminal of the IC chip is connected to the antenna having the antenna, and the antenna is mounted on the base substrate with the distance between the predetermined surface provided with the connection terminal of the IC chip and the antenna as a reference distance The frequency is calculated. Next, the amount of capacitance required to fill in the difference of the calculated resonance frequency with respect to the resonance frequency for the RF-ID media to transmit and receive data is calculated, and then the reference between the predetermined surface of the IC chip and the antenna The distance between the predetermined surface of the IC chip and the antenna is calculated based on the distance and the distance between the predetermined surface that causes the calculated capacitance amount and the antenna. Then, the mounting conditions for the IC chip on the base substrate are calculated such that the distance between the predetermined surface of the IC chip and the antenna is the calculated distance, and the IC chip is mounted on the base substrate according to the mounting conditions. Will be.

このように、ベース基材上にアンテナが形成された後に、このアンテナに接続されてベース基材に実装されるICチップの所定面とアンテナとの間隔が、RF−IDメディアの共振周波数がデータを送受信するためのものとなるように算出され、その間隔に応じた実装条件でICチップがベース基材上に実装されることになるので、アンテナが形成されてからICチップがベース基材上に実装されるまでの工程において、インラインにてICチップの所定面とアンテナとの間隔が算出され、RF−IDメディアの共振周波数が調整される。   As described above, after the antenna is formed on the base substrate, the distance between the predetermined surface of the IC chip connected to the antenna and mounted on the base substrate and the antenna is the resonance frequency of the RF-ID media. Since the IC chip is mounted on the base substrate under mounting conditions corresponding to the interval, the IC chip is mounted on the base substrate after the antenna is formed. In the process up to the mounting process, the distance between the predetermined surface of the IC chip and the antenna is calculated in-line, and the resonance frequency of the RF-ID medium is adjusted.

本発明は、ベース基材上にアンテナが形成された後に、このアンテナに接続されてベース基材に実装されるICチップの所定面とアンテナとの間隔が、RF−IDメディアの共振周波数がデータを送受信するためのものとなるように算出され、その間隔に応じた実装条件でICチップがベース基材上に実装されることになるため、アンテナが形成されてからICチップがベース基材上に実装されるまでの工程において、インラインにてICチップの所定面とアンテナとの間隔が算出され、RF−IDメディアの共振周波数が調整されることになり、一般的なRF−IDメディアの製造工程とは別ラインの工程を設けることなく、かつ製造工程を増大させることなくデータを送受信するための共振周波数を調整することができる。   In the present invention, after the antenna is formed on the base substrate, the distance between the predetermined surface of the IC chip connected to the antenna and mounted on the base substrate and the antenna is the data of the resonance frequency of the RF-ID media. Since the IC chip is mounted on the base substrate under mounting conditions corresponding to the interval, the IC chip is mounted on the base substrate after the antenna is formed. In the process up to mounting on the board, the distance between the predetermined surface of the IC chip and the antenna is calculated in-line, and the resonance frequency of the RF-ID medium is adjusted. The resonance frequency for transmitting and receiving data can be adjusted without providing a process on a separate line from the process and without increasing the manufacturing process.

本発明の周波数調整方法によって共振周波数が調整されるRF−IDメディアの実施の一形態を示す図であり、(a)は表面の構成を示す図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)は(b)に示したA部拡大図である。It is a figure which shows one Embodiment of RF-ID media by which the resonant frequency is adjusted with the frequency adjustment method of this invention, (a) is a figure which shows the structure of the surface, (b) is A shown to (a) -A 'sectional drawing, (c) is the A section enlarged view shown in (b). 図1に示したインレットの製造方法を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the manufacturing method of the inlet shown in FIG. 図1に示したインレットの共振周波数を調整する周波数調整装置の実施の一形態を示す図である。It is a figure which shows one Embodiment of the frequency adjustment apparatus which adjusts the resonant frequency of the inlet shown in FIG. 図3に示した周波数調整装置を用いたインレットの共振周波数を調整する周波数調整方法を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the frequency adjustment method which adjusts the resonant frequency of an inlet using the frequency adjustment apparatus shown in FIG. ICチップの裏面とアンテナとの間隔について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the space | interval of the back surface of an IC chip, and an antenna. ICチップをベース基材に圧着する際のICチップに対する圧着荷重とインレットの共振周波数との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the crimping | compression-bonding load with respect to an IC chip at the time of crimping | bonding an IC chip to a base substrate, and the resonant frequency of an inlet.

以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明の周波数調整方法によって共振周波数が調整されるRF−IDメディアの実施の一形態を示す図であり、(a)は表面の構成を示す図、(b)は(a)に示したA−A’断面図、(c)は(b)に示したA部拡大図である。   FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of an RF-ID medium in which the resonance frequency is adjusted by the frequency adjusting method of the present invention, where (a) is a diagram showing the configuration of the surface, and (b) is (a). A-A ′ cross-sectional view shown in FIG. 4C is an enlarged view of a portion A shown in FIG.

本形態のRF−IDメディアは図1に示すように、樹脂等の絶縁材料からなるベース基材2上に導電性のアンテナ4が形成されるとともに、ICチップ3が実装されてなるインレット1である。   As shown in FIG. 1, the RF-ID media of this embodiment is an inlet 1 in which a conductive antenna 4 is formed on a base substrate 2 made of an insulating material such as a resin and an IC chip 3 is mounted. is there.

アンテナ4は、ベース基材2上にエッチングや印刷等によってコイル状に形成されており、その両端部をコイル内に配置するためにその一部が絶縁層を介してコイルの外側から内側に導かれたジャンパー部5を有している。   The antenna 4 is formed in a coil shape on the base substrate 2 by etching, printing, or the like, and part of the antenna 4 is guided from the outside to the inside of the coil via an insulating layer in order to place both ends in the coil. The jumper portion 5 is provided.

ICチップ3は、例えば1mm□以上のサイズを有し、所定面となる裏面に設けられた接続端子であるバンプ6がコイル状のアンテナ4の両端部に接触することによりアンテナ4に接続されてベース基材2上に搭載され、熱圧着によってベース基材2に圧着されることによりベース基材2上に実装されている。   The IC chip 3 has a size of, for example, 1 mm □ or more, and is connected to the antenna 4 when the bumps 6 serving as connection terminals provided on the back surface serving as a predetermined surface come into contact with both ends of the coiled antenna 4. It is mounted on the base substrate 2 by being mounted on the base substrate 2 and crimped to the base substrate 2 by thermocompression bonding.

上記のように構成されたインレット1においては、外部に設けられた情報書込/読出装置(不図示)に近接させることにより、情報書込/読出装置から出力された電磁波による電磁誘導によってアンテナ4に電流が流れ、この電流がICチップ3に供給され、それにより、非接触状態において情報書込/読出装置とICチップ3との間にてデータが送受信される。このようなインレットは、カード基材に挟み込まれて非接触ICカードとして利用されたり、ラベル基材に貼着されて非接触ICラベルとして利用されたりする。そのため、インレット1の共振周波数が、非接触ICカードや非接触ICラベルとして構成された場合に、情報書込/読出装置から出力される電磁波の周波数、例えば、13.56MHzとなるように設定されている。   In the inlet 1 configured as described above, the antenna 4 is brought into close proximity to an information writing / reading device (not shown) provided outside, by electromagnetic induction by electromagnetic waves output from the information writing / reading device. Current is supplied to the IC chip 3, whereby data is transmitted and received between the information writing / reading device and the IC chip 3 in a non-contact state. Such an inlet is sandwiched between card substrates and used as a non-contact IC card, or is attached to a label substrate and used as a non-contact IC label. Therefore, when the resonance frequency of the inlet 1 is configured as a non-contact IC card or a non-contact IC label, the frequency of the electromagnetic wave output from the information writing / reading device, for example, 13.56 MHz is set. ing.

以下に、上述したインレット1の製造方法について説明する。   Below, the manufacturing method of the inlet 1 mentioned above is demonstrated.

図2は、図1に示したインレット1の製造方法を説明するためのフローチャートである。   FIG. 2 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the inlet 1 shown in FIG.

図1に示したインレット1を製造する場合は、まず、ベース基材2上にエッチングや印刷等によってアンテナ4を形成し、さらに、印刷によってジャンパー部5を形成する(ステップ1)。   When the inlet 1 shown in FIG. 1 is manufactured, first, the antenna 4 is formed on the base substrate 2 by etching, printing, or the like, and further, the jumper portion 5 is formed by printing (step 1).

次に、ベース基材2上に形成された状態でのアンテナ4単体の周波数を測定する(ステップ2)。なお、ステップ1の工程とステップ2の工程とは、連続して行う必要はない。例えば、ステップ1にてベース基材2上に複数のアンテナ4及びジャンパー部5を面付けで形成したアンテナシートをロール状に巻き取っておき、その後、このアンテナシートを引き出してアンテナ4単体の周波数を測定してもよい。   Next, the frequency of the antenna 4 alone formed on the base substrate 2 is measured (step 2). Note that the step 1 and the step 2 do not need to be performed continuously. For example, in step 1, an antenna sheet formed by imposing a plurality of antennas 4 and jumper portions 5 on the base substrate 2 is wound up in a roll shape, and then the antenna sheet is pulled out to measure the frequency of the antenna 4 alone. May be.

次に、ベース基材2のICチップ3が実装される領域に接着剤を塗布する(ステップ3)。この接着剤は、樹脂バインダーに導電性粒子が含有してなる導電性接着剤が一般的に用いられるが、導電性粒子が含有していない接着剤を用いてもよい。   Next, an adhesive is applied to the region of the base substrate 2 where the IC chip 3 is mounted (step 3). As this adhesive, a conductive adhesive in which conductive particles are contained in a resin binder is generally used, but an adhesive not containing conductive particles may be used.

次に、ベース基材2の接着剤が塗布された領域にICチップ3を搭載し(ステップ4)、熱を与えながら圧力をかけることにより、バンプ6をアンテナ4に接触させるとともに、ICチップ3を接着剤によってベース基材2に圧着する(ステップ5)。これにより、バンプ6とアンテナ4とが確実に電気的に接続された状態で、ICチップ3がベース基材2上に実装されることになる。   Next, the IC chip 3 is mounted on the area of the base substrate 2 to which the adhesive has been applied (step 4), and pressure is applied while applying heat to bring the bumps 6 into contact with the antenna 4 and the IC chip 3 Is pressure-bonded to the base substrate 2 with an adhesive (step 5). Thereby, the IC chip 3 is mounted on the base substrate 2 in a state where the bump 6 and the antenna 4 are reliably electrically connected.

その後、インレット1の周波数を測定し、インレット1を完成させる(ステップ6)。   Thereafter, the frequency of the inlet 1 is measured to complete the inlet 1 (step 6).

完成したインレット1は、インレットシートとしてロール状に巻き取られて保管することが考えられる。   It can be considered that the completed inlet 1 is wound into a roll shape as an inlet sheet and stored.

以下に、上述したインレット1における共振周波数を調整する方法について説明する。   Below, the method to adjust the resonant frequency in the inlet 1 mentioned above is demonstrated.

図3は、図1に示したインレット1の共振周波数を調整する周波数調整装置の実施の一形態を示す図である。   FIG. 3 is a diagram illustrating an embodiment of a frequency adjustment device that adjusts the resonance frequency of the inlet 1 illustrated in FIG. 1.

本形態の周波数調整装置は図3に示すように、アンテナ周波数取得部10と、インレット周波数算出部20と、キャパシタンス量算出部30と、間隔算出部40と、圧着条件決定部60とを有している。   As shown in FIG. 3, the frequency adjustment device of the present embodiment includes an antenna frequency acquisition unit 10, an inlet frequency calculation unit 20, a capacitance amount calculation unit 30, an interval calculation unit 40, and a crimping condition determination unit 60. ing.

アンテナ周波数取得部10は、ベース基材2上に形成された状態のアンテナ4単体の周波数を取得する。   The antenna frequency acquisition unit 10 acquires the frequency of the antenna 4 alone formed on the base substrate 2.

インレット周波数算出部20は、周波数データテーブル51を参照し、ICチップ3が、アンテナ周波数取得部10にて取得された周波数を有するアンテナにバンプ6を接続してICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔を予め決められた基準間隔としてベース基材2上に実装された場合のインレット1の共振周波数を算出する。   The inlet frequency calculation unit 20 refers to the frequency data table 51, and the IC chip 3 connects the bump 6 to the antenna having the frequency acquired by the antenna frequency acquisition unit 10 to connect the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4. The resonance frequency of the inlet 1 when mounted on the base substrate 2 is calculated using a predetermined interval as a reference interval.

キャパシタンス算出部30は、インレット1がデータを送受信するための共振周波数に対する、インレット周波数算出部20にて算出された共振周波数の差分を埋めるために必要となるキャパシタンス量を算出する。   The capacitance calculation unit 30 calculates the amount of capacitance necessary to fill the difference between the resonance frequencies calculated by the inlet frequency calculation unit 20 with respect to the resonance frequencies for the inlet 1 to transmit and receive data.

間隔算出部40は、間隔データテーブル52を参照し、ICチップ3の裏面とアンテナ4との基準間隔と、キャパシタンス算出部30にて算出されたキャパシタンス量を生じさせるICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔とに基づいて、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔を算出する。   The interval calculation unit 40 refers to the interval data table 52 and generates the reference interval between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 and the amount of capacitance calculated by the capacitance calculation unit 30 and the antenna 4. And the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is calculated.

圧着条件決定部60は、圧着条件データテーブル53を参照し、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が、間隔算出部40にて算出された間隔となる圧着条件を算出、決定する。本形態においては、この圧着条件が本願発明における実装条件となる。圧着条件は、圧着荷重や押込み量、ストロークの長さ、圧着速度、圧着時間等の間隔を変化させるパラメータ条件を含んでいる。なお、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔の変化が、圧着条件について少なくとも2つのパラメータにて同一である場合は、後の工程を鑑みて圧着条件に優先順位をつけてもよい。   The crimping condition determining unit 60 refers to the crimping condition data table 53 and calculates and determines a crimping condition in which the interval between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is the interval calculated by the interval calculating unit 40. In this embodiment, this crimping condition is the mounting condition in the present invention. The crimping conditions include parameter conditions for changing intervals such as a crimping load, an indentation amount, a stroke length, a crimping speed, and a crimping time. In addition, when the change of the space | interval of the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is the same about at least 2 parameters about crimping conditions, you may prioritize crimping conditions in view of a subsequent process.

図4は、図3に示した周波数調整装置を用いたインレット1の共振周波数を調整する周波数調整方法を説明するためのフローチャートである。   FIG. 4 is a flowchart for explaining a frequency adjustment method for adjusting the resonance frequency of the inlet 1 using the frequency adjustment apparatus shown in FIG.

まず、アンテナ周波数取得部10において、上述したステップ2にて測定されたアンテナ4単体の周波数を取得する(ステップ11)。   First, the antenna frequency acquisition unit 10 acquires the frequency of the single antenna 4 measured in step 2 described above (step 11).

次に、インレット周波数算出部20において、周波数データテーブル51を参照し、ICチップ3が、アンテナ周波数取得部10にて取得された周波数を有するアンテナにバンプ6を接続してICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔を予め決められた基準間隔としてベース基材2上に実装された場合のインレット1の共振周波数を算出する(ステップ12)。周波数データテーブル51には、アンテナ単体の周波数と、そのアンテナに接続されたICチップ3が、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔を予め決められた基準間隔としてベース基材2上に実装された場合のインレット1の共振周波数とが対応づけられている。そのため、アンテナ周波数取得部10にてアンテナ4単体の周波数が取得された場合、ICチップ3が、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が基準間隔となるようにベース基材2に実装されてそのアンテナ4に接続された状態でのインレット1の共振周波数を算出することができる。なお、ICチップ3の裏面とアンテナ4との基準間隔は予め決められており、この基準間隔を基準として、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔を算出することになる。   Next, the inlet frequency calculation unit 20 refers to the frequency data table 51, and the IC chip 3 connects the bump 6 to the antenna having the frequency acquired by the antenna frequency acquisition unit 10 to connect the back surface of the IC chip 3. The resonance frequency of the inlet 1 when mounted on the base substrate 2 with the distance from the antenna 4 as a predetermined reference distance is calculated (step 12). In the frequency data table 51, the frequency of the antenna alone and the IC chip 3 connected to the antenna are mounted on the base substrate 2 with the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 as a predetermined reference interval. In this case, the resonance frequency of the inlet 1 is associated. Therefore, when the frequency of the antenna 4 alone is acquired by the antenna frequency acquisition unit 10, the IC chip 3 is mounted on the base substrate 2 so that the interval between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 becomes the reference interval. Thus, the resonance frequency of the inlet 1 in a state connected to the antenna 4 can be calculated. The reference interval between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is determined in advance, and the interval between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is calculated based on this reference interval.

次に、キャパシタンス量算出部30において、インレット1がデータを送受信するための共振周波数に対する、インレット周波数算出部20にて算出された共振周波数の差分を埋めるために必要となるキャパシタンス量を算出する(ステップ13)。インレット1の共振周波数fは、インレット1のインダクタンス成分をL、キャパシタンス成分をCとすると、
f=1/[2π(LC)1/2
で表されるため、この式を用いて、インレット1がデータを送受信するための共振周波数に対する、インレット周波数算出部20にて算出された共振周波数の差分fを埋めるために必要となるキャパシタンス量Cを算出することができる。
Next, the capacitance amount calculation unit 30 calculates the capacitance amount necessary to fill the difference of the resonance frequency calculated by the inlet frequency calculation unit 20 with respect to the resonance frequency for the inlet 1 to transmit and receive data ( Step 13). The resonance frequency f of the inlet 1 is such that the inductance component of the inlet 1 is L and the capacitance component is C.
f = 1 / [2π (LC) 1/2 ]
Therefore, using this equation, the capacitance amount C required to fill the difference f of the resonance frequency calculated by the inlet frequency calculation unit 20 with respect to the resonance frequency for the inlet 1 to transmit and receive data. Can be calculated.

次に、間隔算出部40において、間隔データテーブル52を参照し、ICチップ3の裏面とアンテナ4との基準間隔と、キャパシタンス算出部30にて算出されたキャパシタンス量を生じさせるICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔とに基づいて、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔を算出する(ステップ14)。   Next, the interval calculation unit 40 refers to the interval data table 52 and generates the reference interval between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 and the amount of capacitance calculated by the capacitance calculation unit 30. The distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is calculated based on the distance between the antenna 4 and the antenna 4 (step 14).

図5は、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔について説明するための図である。   FIG. 5 is a diagram for explaining the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4.

ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔は、図5(a)に示すようにバンプ6がアンテナ4に接触した程度の間隔D1の場合のみならず、バンプ6の一部がアンテナ4に食い込んだ間隔D2の場合もある。ここで、ICチップ3は、導電材料からなる回路が内蔵されているため、アンテナ4との間隔によってキャパシタンス量が変化する。すなわち、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が、図5(a)に示すように間隔D1の場合と、図5(b)に示すように間隔D2の場合とでは、キャパシタンス量が互いに異なり、間隔D1の場合の方が間隔D2の場合よりも小さくなる。そのため、間隔データテーブル52には、インレット1がデータを送受信するための共振周波数に対する、インレット周波数算出部20にて算出された共振周波数の差分を埋めるために必要となるキャパシタンス量と、そのキャパシタンス量を得るために必要となるICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔の基準間隔からの変位量とが対応づけられている。例えば、間隔データテーブル52には、インレット周波数算出部20にて算出された共振周波数が、インレット1がデータを送受信するための共振周波数に対して、上述した式によって、その差分を埋めるためにそのキャパシタンス量を減らす必要がある場合、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が、減らすべきキャパシタンス量に応じた分だけ広がるような基準間隔からの変位量がその増減の条件を含めたキャパシタンス量に対応づけられている。また、インレット周波数算出部20にて算出された共振周波数が、インレット1がデータを送受信するための共振周波数に対して、上述した式によって、その差分を埋めるためにそのキャパシタンス量を増やす必要がある場合、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が、増やすべきキャパシタンス量に応じた分だけ狭まるような基準間隔からの変位量がその増減の条件を含めたキャパシタンス量に対応づけられている。ただし、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が“0”となると、ICチップ3の裏面がアンテナ4と接触して電気的短絡が生じてしまうため、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が“0”となるような変位量は間隔データテーブル52には設定されていない。 The distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is not limited to the distance D 1 at which the bump 6 is in contact with the antenna 4 as shown in FIG. There is also a case where the distance D 2 is bitten. Here, since the IC chip 3 has a built-in circuit made of a conductive material, the capacitance changes depending on the distance from the antenna 4. That is, when the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is the distance D 1 as shown in FIG. 5A and the distance D 2 as shown in FIG. Are different from each other, and the distance D 1 is smaller than the distance D 2 . Therefore, in the interval data table 52, the amount of capacitance necessary for filling the difference of the resonance frequency calculated by the inlet frequency calculation unit 20 with respect to the resonance frequency for the inlet 1 to transmit and receive data, and the capacitance amount. The amount of displacement from the reference interval of the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 necessary for obtaining the relationship is associated. For example, in the interval data table 52, the resonance frequency calculated by the inlet frequency calculation unit 20 is filled with the resonance frequency for the inlet 1 to transmit and receive data by the above-described equation to fill the difference. When it is necessary to reduce the amount of capacitance, the amount of displacement including the increase / decrease condition is the amount of displacement from the reference interval in which the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 increases by the amount corresponding to the amount of capacitance to be reduced. Is associated with. Further, the resonance frequency calculated by the inlet frequency calculation unit 20 needs to increase the capacitance amount in order to fill the difference with respect to the resonance frequency for the inlet 1 to transmit and receive data by the above-described equation. In this case, the amount of displacement from the reference interval in which the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is reduced by an amount corresponding to the amount of capacitance to be increased is associated with the amount of capacitance including the increase / decrease condition. However, when the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 becomes “0”, the back surface of the IC chip 3 comes into contact with the antenna 4 and an electrical short circuit occurs. A displacement amount such that the interval of “0” is “0” is not set in the interval data table 52.

そこで、間隔算出部40においては、この間隔データテーブル52を参照することにより、インレット1の共振周波数が、データを送受信するための共振周波数となるようなICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔の基準間隔からの変位量を割り出し、この変位量と基準間隔とに基づいてICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔を算出する。   In view of this, the interval calculation unit 40 refers to the interval data table 52, whereby the interval between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 so that the resonance frequency of the inlet 1 becomes the resonance frequency for transmitting and receiving data. The amount of displacement from the reference interval is calculated, and the interval between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is calculated based on the amount of displacement and the reference interval.

その後、圧着条件決定部60において、圧着条件データテーブル53を参照し、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が、間隔算出部40にて算出された間隔となる圧着条件を算出、決定する(ステップ15)。圧着条件データテーブル53には、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔と、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔をその間隔にするために、ICチップ3をベース基材2に圧着する際に必要となる圧着条件とが対応づけられている。   Thereafter, the crimping condition determining unit 60 refers to the crimping condition data table 53 to calculate and determine a crimping condition in which the interval between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is the interval calculated by the interval calculating unit 40. (Step 15). In the crimping condition data table 53, the IC chip 3 is crimped to the base substrate 2 in order to set the gap between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 and the gap between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4. The crimping conditions that are necessary for this are associated with each other.

そこで、圧着条件決定部60においては、この圧着条件データテーブル53を参照することにより、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が、間隔算出部40にて算出された間隔となる圧着条件を算出、決定することができる。   In view of this, the crimping condition determination unit 60 refers to the crimping condition data table 53 to determine the crimping condition in which the interval between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is the interval calculated by the interval calculation unit 40. Can be calculated and determined.

図6は、ICチップ3をベース基材2に圧着する際のICチップ3に対する圧着荷重とインレット1の共振周波数との関係を示す図である。   FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the pressure applied to the IC chip 3 and the resonance frequency of the inlet 1 when the IC chip 3 is pressure-bonded to the base substrate 2.

上述したように、ICチップ3をベース基材2に圧着する際のICチップ3に対する圧着条件によって、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が制御され、また、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔によってキャパシタンス量が変化することにより、図6に示すように、ICチップ3をベース基材2に圧着する際のICチップ3に対する圧着条件によって、インレット1の共振周波数が変化することになる。すなわち、ICチップ3をベース基材2に圧着する際のICチップ3の圧着条件によって、インレット1の共振周波数を制御することができることとなる。   As described above, the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is controlled according to the pressure bonding conditions for the IC chip 3 when the IC chip 3 is pressure bonded to the base substrate 2. 4, the resonance frequency of the inlet 1 varies depending on the crimping condition for the IC chip 3 when the IC chip 3 is crimped to the base substrate 2, as shown in FIG. 6. become. That is, the resonance frequency of the inlet 1 can be controlled by the pressure bonding conditions of the IC chip 3 when the IC chip 3 is pressure bonded to the base substrate 2.

上記のようにしてICチップ3に対する圧着条件が決定されると、ステップ5において、その圧着条件に従ってICチップ3がベース基材2に圧着されることになる。   When the crimping conditions for the IC chip 3 are determined as described above, in step 5, the IC chip 3 is crimped to the base substrate 2 in accordance with the crimping conditions.

このように、ベース基材2にアンテナ4が形成された後に、このアンテナ4に接続されてベース基材2に搭載、圧着されるICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が、インレット1の共振周波数がデータを送受信するためのものとなるように算出され、その間隔に応じた圧着条件でICチップ3が圧着されることになるため、アンテナ4が形成されてからICチップ3がベース基材2に圧着されるまでの工程において、インラインにてICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が算出され、インレット1の共振周波数が調整されることになり、一般的なインレット1の製造工程とは別ラインの工程を設けることなく、かつ製造工程を増大させることなくデータを送受信するための共振周波数を調整することができる。   As described above, after the antenna 4 is formed on the base substrate 2, the distance between the antenna 4 and the back surface of the IC chip 3 that is connected to the antenna 4 and mounted on the base substrate 2 and press-bonded is set to the inlet 1. Since the resonance frequency is calculated to be for transmitting and receiving data, and the IC chip 3 is crimped under the crimping condition according to the interval, the IC chip 3 is formed on the base substrate after the antenna 4 is formed. In the process until it is crimped to the material 2, the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is calculated in-line, and the resonance frequency of the inlet 1 is adjusted. The resonance frequency for transmitting and receiving data can be adjusted without providing a separate line process and increasing the manufacturing process.

なお、本形態においては、ICチップ3をベース基材2に熱圧着するものを例に挙げ、ICチップ3のベース基材2上への実装条件として、ICチップ3をベース基材2に熱圧着する際の圧着条件を用いるものについて説明したが、ICチップ3のベース基材2上への実装は熱圧着に限らず、例えば超音波を用いたものであってもよい。超音波を用いた場合は、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔は、ICチップ3に対する荷重ではなく、超音波の出力や振幅、周波数、時間によって制御することになり、これらの要素を変化させるパラメータが実装条件となる。そして、これらの実装条件が、圧着条件データテーブル53と同様のデータテーブルにおいて、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔と対応づけられており、このデータテーブルを参照することにより、ICチップ3の裏面とアンテナ4との間隔が、間隔算出部40にて算出された間隔となる実装条件を算出、決定することになる。   In this embodiment, an example in which the IC chip 3 is thermocompression bonded to the base substrate 2 is taken as an example, and the IC chip 3 is heated to the base substrate 2 as a mounting condition of the IC chip 3 on the base substrate 2. Although the description has been made on the one using the pressure bonding conditions for the pressure bonding, the mounting of the IC chip 3 on the base substrate 2 is not limited to the thermocompression bonding, and for example, ultrasonic waves may be used. When ultrasonic waves are used, the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 is controlled not by the load on the IC chip 3 but by the output, amplitude, frequency, and time of the ultrasonic waves. The parameter to be changed is the mounting condition. These mounting conditions are associated with the distance between the back surface of the IC chip 3 and the antenna 4 in a data table similar to the crimping condition data table 53. By referring to this data table, the IC chip 3 is referred to. The mounting condition in which the distance between the back surface of the antenna 4 and the antenna 4 is the distance calculated by the distance calculation unit 40 is calculated and determined.

また、本形態においては、コイル状のアンテナ4を有し、情報書込/読出装置から出力された電磁波による電磁誘導によってデータが送受信されるインレット1を例に挙げて説明したが、本発明にて共振周波数が調整されるRF−IDメディアとしては、ダイポールアンテナを有し、UHF帯の周波数の電波に共振してデータを送受信するものであってもよい。   Further, in the present embodiment, the explanation has been given by taking the inlet 1 having the coiled antenna 4 and transmitting / receiving data by electromagnetic induction by the electromagnetic wave output from the information writing / reading device as an example. The RF-ID medium whose resonance frequency is adjusted may be a medium having a dipole antenna and transmitting and receiving data by resonating with a radio wave having a frequency in the UHF band.

1 インレット
2 ベース基材
3 ICチップ
4 アンテナ
5 ジャンパー部
6 バンプ
10 アンテナ周波数取得部
20 インレット周波数算出部
30 キャパシタンス量算出部
40 間隔算出部
51 周波数データテーブル
52 間隔データテーブル
53 圧着条件データテーブル
60 圧着条件決定部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inlet 2 Base base material 3 IC chip 4 Antenna 5 Jumper part 6 Bump 10 Antenna frequency acquisition part 20 Inlet frequency calculation part 30 Capacitance amount calculation part 40 Spacing calculation part 51 Frequency data table 52 Spacing data table 53 Crimping condition data table 60 Crimping Condition determining section

Claims (1)

ベース基材上にアンテナが形成されるとともに、所定面に接続端子を具備するICチップが、前記接続端子が前記アンテナに接続されて前記ベース基材上に実装され、共振周波数にてデータを送受信するRF−IDメディアにおける前記共振周波数を調整する周波数調整方法であって、
前記ベース基材上に形成されたアンテナ単体の周波数を取得する工程と、
前記ICチップが、前記取得された周波数を有するアンテナに前記接続端子を接続して前記所定面と前記アンテナとの間隔を基準間隔として前記ベース基材上に実装された場合のRF−IDメディアの共振周波数を算出する工程と、
前記RF−IDメディアがデータを送受信するための共振周波数に対する前記算出された共振周波数の差分を埋めるために必要となるキャパシタンス量を算出する工程と、
前記基準間隔と、前記算出されたキャパシタンス量を生じさせる前記所定面と前記アンテナとの間隔とに基づいて、前記所定面と前記アンテナとの間隔を算出する工程と、
前記所定面と前記アンテナとの間隔が、前記算出された間隔となるような前記ICチップの前記ベース基材上への実装条件を算出する工程とを有する周波数調整方法。
An IC chip having an antenna formed on a base substrate and having a connection terminal on a predetermined surface is mounted on the base substrate with the connection terminal connected to the antenna, and transmits and receives data at a resonance frequency. A frequency adjustment method for adjusting the resonance frequency in the RF-ID media,
Obtaining a frequency of a single antenna formed on the base substrate;
RF-ID media when the IC chip is mounted on the base substrate with the connection terminal connected to an antenna having the acquired frequency and the interval between the predetermined surface and the antenna as a reference interval Calculating a resonance frequency;
Calculating the amount of capacitance required to fill the difference of the calculated resonance frequency with respect to the resonance frequency for the RF-ID media to transmit and receive data;
Calculating an interval between the predetermined surface and the antenna based on the reference interval and an interval between the predetermined surface and the antenna that causes the calculated capacitance amount;
Calculating a mounting condition of the IC chip on the base substrate such that the distance between the predetermined surface and the antenna is the calculated distance.
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