JP5962317B2 - 回折格子及び光パルス圧縮器 - Google Patents
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図2(a)では、理解を容易にするために2つの回折格子のみで構成される例を示したため、パルス伸長器2から出射した長パルス光は空間的にも広がっている。特許文献1にも記載されているように、回折格子の数を変更したりミラーを導入したりすることによって、空間的に広げることなく時間的にのみ伸長された長パルス光を出射させることができる。
パルス圧縮器4も、パルス伸長器2と同様に、最も単純には2つの回折格子41、42から構成することができる。このパルス圧縮器4にパルス伸長器2とは逆の方向から長パルス光を導入すると、該長パルス光が圧縮され短パルス光が出力される(図2(b))。
パルス圧縮器4の出射側回折格子42には、例えばパルス幅10fs、パルスエネルギー10J/pulseという高強度パルス光が照射される。このような高強度パルス光では、そのピーク強度はペタワット(1015W)レベルとなる。このようなパルス光を小さなビーム径で上記の回折格子に照射し続けると照射箇所が損傷してしまう。そのため、ビーム径を広げ、エネルギー密度を低下させた長パルス光をパルス圧縮器4に入射することで回折格子の損傷を回避している。しかし、前記の場合の例では、パルス圧縮器4に使用する回折格子41、42の照射面の面積が数十cm四方にもなる。このような大きさの照射面を有する回折格子は製造が難しく高価なものとなる。また、回折格子を組み込んだ装置が大型なものとなる。
酸化シリコンのバンドギャップ以上の大きさのバンドギャップを有する、酸化シリコン以外の物質からなり、表面に所定の間隔で周期構造が形成された回折部
を有することを特徴とする。
前記回折部の光照射面側と反対面側に設けられ、屈折率が異なる2種類の誘電体物質が交互に積層されてなり、各層の光学的膜厚が入射光の波長の4分の1である誘電体積層部
を有し、
前記誘電体物質のうち、より高い屈折率を有する物質が、酸化アルミニウム、ランタンアルミナート、フッ化カルシウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、五酸化タンタル、及び酸化チタンの中から選択されたものである
ことが望ましい。
また、入射光の波長λの4分の1(λ/4)の光学的膜厚で積層された層の各境界で反射した光には、2分の1波長(λ/4+λ/4)の光路差が生じる。また、低屈折率層から入射して高屈折率層との境界で反射した光の位相は反射時に反転する(λ/2の光路差の発生と同じ効果が生じる)。一方、高屈折率層から入射して低屈折率層との境界で反射する光の位相は反転しない。それらの結果、高屈折率層/低屈折率層の各境界で反射した光の位相が揃い(光路差λ/2+位相反転効果による効果λ/2=λ)、高反射率が得られる。つまり、誘電体積層部に到達した入射光が反射により回折格子の外部に放出されるため、入射光の吸収により該誘電体積層部が破壊されることを防ぐことができる。従って、高レーザ耐性を有し、かつ光の取り出し効率が高い回折格子とすることができる。
上述したように、誘電体積層部を構成する高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層の各境界において反射される入射光は全体の一部である。そのため、各境界における入射光の反射により取り出し効率を高めるには該境界の数を増やす、即ち層数を多くしておく必要がある。上記態様の回折格子の場合には、誘電体積層部の積層数を30〜40層とすることにより、入射光の取り出し効率を向上させることができる。
図3に本実施例の回折格子10の構造を示す。本実施例の回折格子10は、光照射面側から順に、回折部11、誘電体積層部12、及び基材13を備えている。回折部11の光照射面側には矩形状の回折溝111が形成されている。誘電体積層部12は屈折率が異なる2種類の誘電体物質が交互に積層され構成されており、基材13に近い側に位置する入射光反射部14と、回折部11に近い側に位置する電界調整部15からなる。
一方、評価試料2では、光照射面に近い側(基材から遠い側)においても、層境界部分の平坦性が保たれていることを確認した。これは、結晶化せず積層構造が形成されたためであると考えられる。なお、酸化アルミニウムと酸化シリコンの層境界部分の平坦性については後述の実施例においても確認した。
上記実施例では入射光反射部14を30層、電界調整部15を5層としたが、使用する高屈折率誘電体物質及び/又は低屈折率誘電体物質のレーザ耐性や照射光のエネルギー密度等を考慮して適宜に調整することができる。
上述したとおり、本実施例に係る回折格子は、高エネルギー密度の光照射に対して、従来の回折格子よりも高耐性を有している。従って、例えば、図2で示したようなパルス圧縮器を構成する回折格子として好適に使用することができる。
2…パルス伸長器
21…第1回折格子
22…第2回折格子
3…増幅器
4…パルス圧縮器
41…入射側回折格子
42…出射側回折格子
10…回折格子
11…回折部
111…回折溝
12…誘電体積層部
13…基材
14…入射光反射部
141…高屈折率誘電体物質(層)
142…低屈折率誘電体物質(層)
15…電界調整部
151…高屈折率誘電体物質(層)
152…低屈折率誘電体物質(層)
Claims (6)
- 酸化シリコンのバンドギャップ以上の大きさのバンドギャップを有する、酸化シリコン以外の物質からなり、表面に所定の間隔で周期構造が形成された回折部
を有することを特徴とする、パルス光の強度を増幅する装置に用いられる回折格子。 - 前記回折部が、酸化アルミウムまたはフッ化カルシウムのいずれかからなることを特徴とする請求項1に記載の回折格子。
- 前記回折部の材料はアモルファスであることを特徴とする請求項1または2に記載の回折格子。
- 前記回折部の光照射面側と反対面側に設けられ、屈折率が異なる2種類の誘電体物質が交互に積層されてなり、各層の光学的膜厚が入射光の波長の4分の1である誘電体積層部
を有し、
前記誘電体物質のうち、より高い屈折率を有する物質が、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、五酸化タンタル、及び酸化チタンの中から選択されたものである
ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の回折格子。 - 前記誘電体積層部のうち、前記回折部に近い側に位置する10以下の層が、前記入射光の電場強度のピークが前記2種類の誘電体物質のうち相対的に屈折率が低い物質からなる層に位置するような光学的膜厚を有していることを特徴とする請求項4に記載の回折格子。
- 請求項1から5のいずれかに記載の回折格子を備えた光パルス圧縮器。
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