JP5959193B2 - Wafer grinding method and wafer grinding apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハ、特に外周に位置する面取部と該面取部よりも内方に位置する平坦部とを含むウェーハを研削するウェーハ研削方法およびそのような方法を実施するウェーハ研削装置に関する。 The present invention relates to a wafer grinding method for grinding a wafer, in particular, a wafer including a chamfered portion located on the outer periphery and a flat portion located inward of the chamfered portion, and a wafer grinding apparatus for performing such a method. .
半導体製造分野においてはウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるためにウェーハの薄膜化が進んでいる。ウェーハを薄膜化するために、ウェーハの裏面を研削するいわゆる裏面研削(バックグラインド)が行われる。 In the semiconductor manufacturing field, wafers tend to increase in size year by year, and the wafers are becoming thinner to increase the mounting density. In order to reduce the thickness of the wafer, so-called back grinding is performed to grind the back surface of the wafer.
ところで、公知であるようにウェーハの外周には発塵防止のために面取部が形成されており、ウェーハ縁部における断面はその先端に向かって幅狭になっている。近年では大幅な裏面研削を行うことが要求されているので、ウェーハの厚さの半分を越えて裏面研削を行う場合もある。そのような場合には、裏面研削後のウェーハの厚さよりもさらに薄いテーパ状の部分がウェーハの外周部に形成されるようになる。 As is well known, a chamfered portion is formed on the outer periphery of the wafer to prevent dust generation, and the cross section at the wafer edge is narrower toward the tip. In recent years, since it is required to perform a large back surface grinding, the back surface grinding may be performed in excess of half the thickness of the wafer. In such a case, a tapered portion that is thinner than the thickness of the wafer after back grinding is formed on the outer periphery of the wafer.
この薄いテーパ状の部分はシャープなエッジとなり、砥石の切込みに対して脆弱であるので、テーパ状の部分にクラックが生じやすい。そして、クラックはウェーハの内部にまで進展する可能性がある。すなわち、クラックがウェーハの内部にまで進展するのは、ウェーハの研削加工時、ウェーハ外周端から内周に向かう砥石の速度ベクトルが大きいほど外周の亀裂を内周に持ち込む作用が大きくなるために起こる。従って、クラックの形成および進展を抑制するために、ウェーハの研削前にあらかじめウェーハエッジがシャープなエッジにならないように、ウェーハの面取部を除去するエッジトリミングが行われている。 Since this thin taper portion has a sharp edge and is vulnerable to the cutting of the grindstone, cracks are likely to occur in the taper portion. And a crack may spread to the inside of a wafer. That is, the crack propagates to the inside of the wafer because the action of bringing the outer peripheral crack into the inner periphery increases as the grinding wheel velocity vector from the outer peripheral edge of the wafer toward the inner periphery increases. . Therefore, in order to suppress the formation and progress of cracks, edge trimming is performed to remove the chamfered portion of the wafer before the wafer is ground so that the wafer edge does not become a sharp edge.
特許文献1は、ウェーハの面取部を回転ブレードによってエッジトリミングすることを開示している。特許文献1においては、ウェーハの面取部をエッジトリミングした後で、ターンテーブルを回転させてウェーハを研削ユニットまで移動させ、研削ユニットによりウェーハの平坦部を研削している。
しかしながら、特許文献1の手法においては、面取部を除去するための回転ブレードおよび回転ブレードを駆動するためのモータが必要である。そして、特許文献1においてはターンテーブルでウェーハを移動させているので、ウェーハの位置を微調整することができない。
However, in the method of
ウェーハの位置を微調整する代わりに、特許文献1では、回転ブレードを位置決めするための位置決め機構部を別途必要としている。つまり、特許文献1では、回転ブレード、回転ブレードのためのモータ、および位置決め機構が必要である。従って、特許文献1では装置全体が大型化するという問題があった。
また、基板の外周縁部に、裏面から表面に亘って切削加工を行う際に、切削加工を行う深さが微妙になる。すなわち、基板を完全に分離する場合でも、回転ブレードを少し深く入れすぎると、チャックまで到達してチャックを傷つけることになる。ウェーハを完全に切断できなかった場合は、かえって切断できずに薄く残された箇所から割れる場合もある。
Instead of finely adjusting the position of the wafer,
Further, when cutting is performed on the outer peripheral edge of the substrate from the back surface to the front surface, the depth at which the cutting is performed becomes delicate. That is, even when the substrate is completely separated, if the rotating blade is inserted a little too deep, it reaches the chuck and damages the chuck. If the wafer cannot be completely cut, it may break from the portion left thin without being cut.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、回転ブレードおよびその関連部材を必要とすることなしに、ウェーハの面取部の除去とウェーハの平坦部の研削の両方を行うウェーハ研削方法およびそのような方法を実施するウェーハ研削装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and performs wafer grinding for performing both removal of a chamfered portion of a wafer and grinding of a flat portion of a wafer without requiring a rotating blade and related members. It is an object to provide a method and a wafer grinding apparatus for carrying out such a method.
1番目の発明によれば、外周に位置する面取部と該面取部よりも内方に位置する平坦部とを含むウェーハを研削するウェーハ研削装置において、前記ウェーハの面取部を研削する面取研削部と前記ウェーハの平坦部を研削する平坦研削部とを含むカップ型研削砥石と、を具備し、前記面取研削部は、前記平坦研削部の外周側に配置されており、さらに、前記ウェーハの前記面取部または前記平坦部が前記カップ型研削砥石の面取研削部及び平坦研削部にそれぞれ対応した位置に位置決めされるように前記ウェーハを前記カップ型研削砥石に対して相対的に移動させる移動機構部と、を具備し、前記移動機構部によって前記ウェーハの前記面取部を、前記カップ型研削砥石における前記面取研削部に対応した位置に位置決めして前記面取研削部により前記ウェーハの前記面取部を除去した後で、前記移動機構部によって前記ウェーハの前記平坦部を、前記カップ型研削砥石における前記平坦研削部に対応した位置に位置決めして前記平坦研削部により前記ウェーハの前記平坦部を研削するようにした、ウェーハ研削装置が提供される。
2番目の発明によれば、1番目の発明において、前記カップ型研削砥石は、前記面取研削部と前記平坦研削部とが互いに同軸に配置されている。
3番目の発明によれば、1番目または2番目の発明において、前記面取研削部と前記平坦研削部とは、互いに段差を持たせて形成されている。
4番目の発明によれば、1番目から3番目のいずれかの発明において、前記ウェーハはベース基材に貼付けられている。
5番目の発明によれば、4番目の発明において、前記ベース基材は前記ウェーハと同一寸法の他のウェーハである。
According to the first aspect of the present invention, in the wafer grinding apparatus for grinding a wafer including a chamfered portion located on the outer periphery and a flat portion located inward of the chamfered portion, the chamfered portion of the wafer is ground. A cup-type grinding wheel including a chamfered grinding part and a flat grinding part for grinding a flat part of the wafer, and the chamfered grinding part is disposed on an outer peripheral side of the flat grinding part, The wafer is positioned relative to the cup grinding wheel so that the chamfered portion or the flat portion of the wafer is positioned at a position corresponding to the chamfered grinding portion and the flat grinding portion of the cup grinding wheel. And a chamfer grinding by positioning the chamfered portion of the wafer at a position corresponding to the chamfered grinding portion of the cup-type grinding wheel by the moving mechanism portion. Part After removing the chamfered portion of the wafer, the moving mechanism portion positions the flat portion of the wafer at a position corresponding to the flat grinding portion in the cup-type grinding wheel. A wafer grinding apparatus is provided that grinds the flat portion of the wafer.
According to a second aspect, in the first aspect , the chamfering grinding part and the flat grinding part are arranged coaxially with each other in the cup-type grinding wheel.
According to the third invention, in the first or second invention, the chamfered grinding part and the flat grinding part are formed to have a step.
According to a fourth invention , in any one of the first to third inventions , the wafer is attached to a base substrate.
According to a fifth aspect, in the fourth aspect , the base substrate is another wafer having the same dimensions as the wafer.
1番目の発明においては、ウェーハの面取部および平坦部を、それぞれ、砥石の面取研削部と平坦研削部とに対応して位置決めできるので、単一の砥石を用いてウェーハの面取部の除去と平坦部の研削との両方を行うことができる。従って、回転ブレードおよびその関連部材の必要性を排除できる。
また、ウェーハの面取部の除去深さと平坦部の研削深さを、1つの軸についた砥石を使用して任意に設定できるため、例えば面取部の除去深さを所望の平坦研削量よりも少し深く設定しておくことで、平坦研削時におけるシャープエッジからの割れの影響を大幅に低減することが可能となる。
さらに、面取研削部を砥石外周側に配置することで、外周砥石の表面のみならず、外周面も効率的に使用することができる。
2番目の発明においては、面取研削部と平坦研削部とを同軸に配置することで、一つのスピンドル軸で面取部の除去と平坦部の研削が可能であり、一連の面取部および平坦部の研削を続けて行うことができる。
3番目の発明においては、内外周で段差を持たせることで、面取部の研削と、平坦部の研削とを使い分けすることができる。
4番目の発明においては、ウェーハの面取部を除去する際に、ベース基材の一部分が一緒に削除できる。このため、ベース基材を保持する保持部が損傷するのを避けられる。なお、ベース基材は接着剤などによってウェーハに貼付けられるのが好ましい。
5番目の発明においては、ウェーハと同一寸法のベース基材を容易に準備することができる。
In the first invention, the chamfered portion and the flat portion of the wafer can be positioned in correspondence with the chamfered grinding portion and the flat ground portion of the grindstone, respectively. It is possible to perform both removal of the surface and grinding of the flat portion. Thus, the need for a rotating blade and its associated members can be eliminated.
In addition, since the removal depth of the chamfered portion of the wafer and the grinding depth of the flat portion can be arbitrarily set using a grindstone attached to one shaft, for example, the removal depth of the chamfered portion is determined by a desired flat grinding amount. By setting a little deeper, it becomes possible to greatly reduce the influence of cracks from sharp edges during flat grinding.
Furthermore, by arranging the chamfered grinding portion on the outer peripheral side of the grindstone, not only the surface of the outer peripheral grindstone but also the outer peripheral surface can be used efficiently.
In the second invention, by arranging the chamfered grinding part and the flat grinding part coaxially, it is possible to remove the chamfered part and grind the flat part with one spindle shaft. The flat part can be continuously ground.
In the third aspect of the invention, the chamfered portion and the flat portion can be ground properly by providing a step on the inner and outer peripheries.
In the fourth invention, when removing the chamfered portion of the wafer, a part of the base substrate can be deleted together. For this reason, it is possible to avoid damage to the holding portion that holds the base substrate. The base substrate is preferably attached to the wafer with an adhesive or the like.
In the fifth aspect, a base substrate having the same dimensions as the wafer can be easily prepared.
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図1は、本発明に基づくウェーハ研削装置の略斜視図である。図1に示されるように、ウェーハ研削装置10は、カップ型研削砥石36を備えるアーチ型のコラムユニット12と、コラムユニット12の下方部に配置された移動機構部としての搬送ユニット11とを主に含んでいる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. In order to facilitate understanding, the scales of these drawings are appropriately changed.
FIG. 1 is a schematic perspective view of a wafer grinding apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1, the
ウェーハ研削装置10は、ウェーハ60、例えばシリコンウェーハを研削する。図示されるように、コラムユニット12の一方の側面12bには単一の溝13が縦方向に形成されており、この溝13はメインユニット12の頂面12aから下方通路14まで延びている。また、搬送ユニット11は、そのようなウェーハ60をカップ型研削砥石36に対応した所望の二つの位置に位置決めさせられる。さらに、搬送ユニット11は、ウェーハ60の研削部への搬入および研削部からの搬出を行う。
The
図1から分かるように、側面12bには、二つのリニアガイド32、33がそれぞれ溝13の両縁部、もしくは隣接して設けられている。さらに、同様なリニアガイド31が溝13の底部において、リニアガイド32、33に対して平行に設けられている。これらリニアガイド31、32、33は単一のサドルを摺動する案内レールとしての役目を果たす。
As can be seen from FIG. 1, two
図2は本発明に基づくウェーハ研削装置の側面図であり、図3は図2に示されるウェーハ研削装置の正面図であり、図4は図2に示されるウェーハ研削装置の頂面図である。これら図面から分かるように、搬送ユニット11は、互いに平行な二つのレール22が配置された搬送台21を含んでいる。レール22上には、ウェーハ60を保持するチャック29が摺動可能に配置されている。チャック29に結合されたスライダ25は、ベルト・プーリ機構24を介してモータ26によりボールネジ23を駆動する。これにより、スライダ25はレール22上を摺動するようになる。
2 is a side view of the wafer grinding apparatus according to the present invention, FIG. 3 is a front view of the wafer grinding apparatus shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a top view of the wafer grinding apparatus shown in FIG. . As can be seen from these drawings, the
なお、チャック29は図示しない真空源に接続されており、真空作用などによりウェーハ60を吸着保持する。さらに、搬送台21の下方にはモータ27が配置されており、チャック29はウェーハ60を保持しつつ鉛直軸回りに回転する。
The
さらに、図2および図3から分かるように、メインユニット12のリニアガイド32、33には、サドル34が摺動可能に取付けられている。また、サドル34は、ボールネジ38のナット39を介してリニアガイド31にも摺動可能に取付けられている。図示されるように、サドル34の下方には、カップ型のカップ型研削砥石36が取付けられており、カップ型研削砥石36はサドル34と一体的にリニアガイド31〜33に沿って摺動する。カップ型研削砥石36の回転軸はリニアガイド31〜33に対して平行に配置されており、サドル34内部に備えられたモータ35が駆動すると、カップ型研削砥石36は回転軸回りに回転する。
Further, as can be seen from FIGS. 2 and 3, a
前述したように、ボールネジ38はサドル34とリニアガイド31との間に配置されている。ボールネジ38は上方に配置されたモータ37により駆動し、カップ型研削砥石36をチャック29のウェーハ60に向かって付加的に送込む研削送り部としての役目を果たす。図2および図4から分かるように、カップ型研削砥石36をウェーハ60に向かって送込む送込み方向上、あるいは送込み方向に隣接して、カップ型研削砥石36の縁部が位置している。
As described above, the
ところで、図5はウェーハを示す図である。図5に示されるように、ウェーハ60の表面61には、前工程において複数の回路パターンC、例えば貫通電極が格子状に形成されている。図5から分かるように、全ての回路パターンCはウェーハ60の平坦部67上に形成されており、平坦部67周りに位置するウェーハ60の外周部は面取部68として形成されている。なお、ウェーハ60の裏面62には、このような回路パターンCは形成されていない。
FIG. 5 is a view showing a wafer. As shown in FIG. 5, a plurality of circuit patterns C, for example, through electrodes are formed in a lattice pattern on the
そして、図5においては、ウェーハ60の表面21はベース基材70に接着剤などにより貼付けられている。図1等に示されるウェーハ研削装置10には、ベース基材70が下方に位置するようにこのようなウェーハ60が、供給されるものとする。
In FIG. 5, the
図5に示されるように、ベース基材70はウェーハ60と概ね同一形状の平坦な部材である。ベース基材70として他のウェーハ60を使用するのが好ましく、そのような場合にはベース基材70を容易に準備することができる。ただし、他の形状のベース基材70を使用してもよい。
As shown in FIG. 5, the
次に、図6に、図1等に示されるウェーハ研削装置10に用いられるカップ型研削砥石36の一例を模式的な要部断面図で示し、以下説明する。
このカップ型研削砥石36は、上述のウェーハ60の平坦部67を研削する平坦研削部36aと、平坦部67周りの外周部における面取部68を研削する面取研削部36bとを含んでいる。かかる平坦研削部36aと面取研削部36bとにより、それぞれウェーハ60の平坦部67と面取部68とが研削される。
平坦研削部36aと面取研削部36bとは、回転する砥石基体36vの回転軸Oに同軸的に設けられている。この場合、平坦研削部36aは砥石基体36vの回転軸O寄りに、面取研削部36bは平坦研削部36aの外側に配置されている。また、平坦研削部36aの研削先端部が面取研削部36bに比較して図中、下方に突出するように段差が設定されている。なお、平坦研削部36aと面取研削部36bとには、相互に異なる粒度の砥石を用いてもよく、また、同一の粒度の砥石を用いてもよい。例えば平坦研削部36aと面取研削部36bとに、双方ともメタルボンド(♯2000)の砥石を用いることができる。
また、平坦研削部36aと面取研削部36bとは、回転する砥石基体36vに一体的に設けるようにしてもよいが、それぞれ個別に取り外せるようにしてもよい。すなわち、カップ型研削砥石36を二つに分けて、平坦研削部36aと面取研削部36bと二つの砥石に分かれるように構成してもよい。面取研削部36bは、平坦研削部36bの外周部に構成しているが、ウェーハ60に対して接線方向に応力を作用させるためである。
平面研削部36aで薄片化していく過程で、シャープなエッジが形成されると、そのエッジから割れが起こり、その割れが内側に入り込んでいくようになる。その割れが内側に入り込み、ウェーハ60内部にダメージを及ぼしてしまう最大の要因は、先にも述べたように研削する砥石が、相対的にウェーハ60中心側に向かう半径方向の速度成分が大きくなることに起因する。すなわち、外周部に立ち上がったシャープエッジが微小に振動し、その割れが、相対的に中心に向かう砥石の速度成分に比例して内側に入り込むのである。
よって、このような事態を回避するためには、面取研削部36bをウェーハ60に対し、極力接線方向のみに作用させるようにすることが望ましい。特に、面取研削部36bの外径を大きくした方が、接線方向に砥石が作用するようになり、砥石が相対的にウェーハ60中心側に向かう半径方向の速度成分はより小さくなるので好ましい。
Next, FIG. 6 shows an example of a cup-
The cup-
The
Further, the
If a sharp edge is formed in the process of thinning by the
Therefore, in order to avoid such a situation, it is desirable that the chamfered grinding
そして、図7(a)は面取部を除去するときのウェーハ研削装置の部分断面図であり、図7(b)は図7(a)に示されるウェーハ研削装置の部分頂面図である。以下、これら図面を参照して、本発明に基づくウェーハ研削装置10による面取部68の除去動作について説明する。
7A is a partial cross-sectional view of the wafer grinding apparatus when the chamfered portion is removed, and FIG. 7B is a partial top view of the wafer grinding apparatus shown in FIG. 7A. . The removal operation of the chamfered
はじめにウェーハ60をチャック29に載置する。チャック29がウェーハ60を真空保持した後で、搬送ユニット11におけるモータ26を駆動させる。これにより、チャック29はスライダ25と一緒にレール22およびネジ23に沿って摺動するようになる。そして、チャック29は、図7(a)および図7(b)に示されるように、カップ型研削砥石36における面取研削部36bの研削先端部がウェーハ60の面取部68に対応した位置に位置決めされる。
First, the
次いで、モータ35を駆動してカップ型研削砥石36の砥石基体36vを回転軸O回りに回転させると共に、モータ27を駆動してチャック29を回転軸線回りに回転させる。さらに、モータ37を駆動してカップ型研削砥石36をチャック29のウェーハ60に向かって送込む。これにより、カップ型研削砥石36における面取研削部36bの研削先端部はウェーハ60の面取部68のみを研削するようになる。
なお、面取研削の方法としては、カップ型研削砥石36の面取研削部36bの研削先端部を先にウェーハ60に対して所定の加工深さまで下げる。次いで、その状態でウェーハ60を保持するチャック29を、搬送ユニット11におけるモータ26を駆動させて、スライダ25と一緒にレール22およびネジ23に沿って移動させて面取研削部36bの研削先端部に、ウェーハ60の面取部68を近接させる。
その場合、先に述べたカップ型研削砥石36の相対的にウェーハ60中心側に向かう半径方向の速度成分が、内周部へのクラック進展の要因となるおそれがあるため、移動機構部である搬送ユニット11にあっては、連続的かつ精密に制御された相対速度でチャック29を移動させることで、カップ型研削砥石36がウェーハ60中心側へ相対的に送られることが求められる。この場合のカップ型研削砥石36とチャック29との相対送り速度は、砥石回転数や番手に依存する。
さらに、面取研削の方法としては、面取研削部36bの砥石形状によっては、カップ型研削砥石36の面取研削部36bを、先に所定のウェーハ外周除去部まで入り込ませて、その上でウェーハ60の上側から順に切り込んで所定の深さまで外周部だけを薄く加工するようにしてもよい。
Next, the
As a chamfering grinding method, the grinding tip of the
In that case, the speed component in the radial direction of the cup-
Further, as a chamfering grinding method, depending on the grindstone shape of the
そして、カップ型研削砥石36がウェーハ60の面取部68を除去するのに十分な量だけ送込まれると、モータ37を逆回転させて、カップ型研削砥石36をウェーハ60から離間させる。図8は面取部除去後におけるウェーハの部分側面図である。図8に示されるように、カップ型研削砥石36の面取研削部36bは、ウェーハ60の面取部68と、これに対応するベース基材70の一部分を除去する。図8から分かるように、ベース基材70は、面取部68を除去するときに、チャック29が破損するのを防止する役目を果たす。なお、ベース基材70を排除してウェーハ60をチャック29に直接的に保持して面取部68を除去することも可能である。
When the cup-
次に、図9は平坦部を研削するときのウェーハ研削装置の部分断面図である。以下、図9を参照して、本発明に基づくウェーハ研削装置10によるウェーハ60の平坦部67の研削動作について説明する。
面取部68の除去が終了すると、ウェーハ60およびベース基材70をチャック29に保持させたままで、モータ26を駆動させる。これにより、チャック29はスライダ25と一緒にレール22およびネジ23に沿って摺動する。そして、チャック29は、図9に示されるように、カップ型研削砥石36における平坦研削部36aの研削先端部がウェーハ60の平坦部67に対応した位置に位置決めされる。
Next, FIG. 9 is a partial cross-sectional view of the wafer grinding apparatus when grinding a flat portion. The grinding operation of the
When the removal of the chamfered
次いで、モータ35を駆動してカップ型研削砥石36の砥石基体36vを回転軸O回りに回転させると共に、モータ27を駆動してチャック29を回転軸線回りに回転させる。さらに、モータ37を駆動して平坦研削部36aの研削先端部をチャック29のウェーハ60に向かって所定量(ウェーハ60の厚さよりも小さい)だけ送込む。これにより、平坦研削部36aの研削先端部によってウェーハ60の平坦部67が研削されるようになる。
Next, the
カップ型研削砥石36における平坦研削部36aの研削先端部がウェーハ60を所定の厚さまで研削する量だけ送込まれると、モータ37を逆回転させて、平坦研削部36aの研削先端部をウェーハ60から離間させる。図10は平坦部研削後におけるウェーハの部分側面図である。図10に示されるように、平坦部67の厚さ部分が研削されると、ウェーハ60は所望の厚さまで薄膜化される。その後、チャック29の保持を解除して、ウェーハ60およびベース基材70を取外す。次いで、所定の治具(図示しない)等を用いて、ウェーハ60をベース基材70から離間させる。これにより、薄膜化したウェーハ60を得ることができる。
When the grinding tip of the
このように本発明においては、スライダ25をネジ23上に摺動させることにより、ウェーハ60の面取部68および平坦部67を、それぞれカップ型研削砥石36における面取研削部36bの研削先端部、平坦研削部36aの研削先端部に対応して位置決めできる。従って、カップ型研削砥石36は、ウェーハの面取部の除去を面取研削部36bにより、平坦部の研削を平坦研削部36aにより行うことができる。この場合、カップ型研削砥石36における平坦研削部36aと面取研削部36bとは、砥石基体36vに同軸上に配置されているので、一つのスピンドル軸で面取部の除去と平坦部の研削が可能であり、一連の面取部の除去と平坦部の研削とを続けて行うことができる。
As described above, in the present invention, the chamfered
また、面取研削部36bを砥石基体36vの外周側に配置することで、外周砥石の表面のみならず、外周面も効率的に使用することができる。
ウェーハ60の平坦部67を研削する平坦研削部36aに比較して、面取部68を研削する面取研削部36bが設けられる位置の径が大きいのが有利である。面取研削部36bはウェーハ60の半径方向外側から相対的に内側に向かって入り込む。このため、面取研削部36bが設けられる位置の径が大きくなるほど、ウェーハ60に対し、接線方向から面取研削部36bが進入する作用が支配的になる。それ故、薄いウェーハ60のエッジであっても、ウェーハ60の中心軸側へクラックは進展せず、ウェーハ60に割れが生じるのを極力回避することができる。
Further, by disposing the chamfered grinding
It is advantageous that the diameter of the position where the chamfered grinding
さらに、面取研削部36bの研削先端部と平坦研削部36aの研削先端部とは、段差があるので面取部の研削と、平坦部の研削とを使い分けすることができる。
Further, since there is a step between the grinding tip of the chamfered grinding
以上のように、カップ型研削砥石36は、ウェーハ60の面取部68を除去するエッジトリミング用のカッタと、ウェーハ60の裏面62を研削する研削部材としての両方として機能する。このため、本発明では、従来技術のような回転ブレードおよびその関連部材を必要とすることはなく、装置全体を小型化することも可能である。
As described above, the cup-
以上、カップ型研削砥石36の一例を挙げて、ウェーハ研削装置10によるウェーハ60の面取部68を除去するエッジトリミングと、ウェーハ60の平坦部67の研削工程について説明した。
カップ型研削砥石36は、これに限られないのは勿論である。
例えば図11は、カップ型研削砥石の第1の別例を示す部分断面図である。図11においては、カップ型研削砥石36における面取研削部36bと平坦研削部36aとは、同軸的に隣接して、しかも面取研削部36bと平坦研削部36aにおける研削先端部に段差を設けないで面一となるようにしている。この場合、面取研削部36bと平坦研削部36aとで、砥石の種類を異ならしめて用いている。面取部68を除去するエッジトリミング用としての面取研削部36bにビトリファイド(磁器質)ボンドの♯2000が用いられ、面全体の研削用として平坦研削部36aにメタルボンドの♯2000が用いられる。面取研削部36bは平坦研削部36aの外側に設けられ、面取研削部36bの外周面にもビトリファイド(磁器質)ボンドの♯2000が用いられる。
The example of the cup-
Of course, the cup-
For example, FIG. 11 is a partial cross-sectional view showing a first other example of the cup-type grinding wheel. In FIG. 11, the chamfered grinding
図12はカップ型研削砥石の第2の別例を示す部分断面図である。カップ型研削砥石36は、図12のように構成することもできる。この場合、砥石は、砥石基体36vに単一の砥石(例えばビトリファイドボンド:♯2000)によって、エッジトリミング用と平坦部研削用として兼ねるようにすることもできる。すなわち、砥石がエッジトリミング用領域Iと、平坦部研削用の領域IIとを含むようにする。図12から分かるように、領域Iは砥石の下面外側部分及び外周面部分である。領域IIは砥石の下面全体である。
FIG. 12 is a partial sectional view showing a second alternative example of the cup-type grinding wheel. The cup-
10 ウェーハ研削装置
11 搬送ユニット
12 コラムユニット
12a 頂面
12b 側面
13 溝
14 下方通路
22 レール
23 ボールネジ(移動機構部)
24 プーリ機構
25 スライダ(移動機構部)
26 モータ
27 モータ
29 チャック(保持部)
31〜33 リニアガイド
34 サドル
35 モータ
36 カップ型研削砥石
36a 平坦研削部
36b 面取研削部
36v 砥石基体
37 モータ
38 ボールネジ
39 ナット
60 ウェーハ
61 表面
62 裏面
67 平坦部
68 面取部
70 ベース基材
C 回路パターン
DESCRIPTION OF
24
26
31-33
Claims (5)
前記ウェーハの面取部を研削する面取研削部と前記ウェーハの平坦部を研削する平坦研削部とを含むカップ型研削砥石と、を具備し、前記面取研削部は、前記平坦研削部の外周側に配置されており、
さらに、
前記ウェーハの前記面取部または前記平坦部が前記カップ型研削砥石の面取研削部及び平坦研削部にそれぞれ対応した位置に位置決めされるように前記ウェーハを前記カップ型研削砥石に対して相対的に移動させる移動機構部、を具備し、
前記移動機構部によって前記ウェーハの前記面取部を、前記カップ型研削砥石における前記面取研削部に対応した位置に位置決めして前記面取研削部により前記ウェーハの前記面取部を除去した後で、前記移動機構部によって前記ウェーハの前記平坦部を、前記カップ型研削砥石における前記平坦研削部に対応した位置に位置決めして前記平坦研削部により前記ウェーハの前記平坦部を研削するようにした、ウェーハ研削装置。 In a wafer grinding apparatus for grinding a wafer including a chamfered portion located on the outer periphery and a flat portion located inward of the chamfered portion,
A cup-type grinding wheel including a chamfering grinding part for grinding the chamfering part of the wafer and a flat grinding part for grinding the flat part of the wafer, and the chamfering grinding part of the flat grinding part. It is arranged on the outer peripheral side,
further,
Relative to the cup-type grinding wheel so that the chamfered portion or the flat portion of the wafer is positioned at a position corresponding to the chamfered grinding portion and the flat grinding portion of the cup-type grinding wheel, respectively. A moving mechanism unit for moving the
After the chamfered portion of the wafer is removed by the chamfered grinding portion by positioning the chamfered portion of the wafer at a position corresponding to the chamfered grinding portion of the cup-type grinding wheel by the moving mechanism portion. Then, the flat portion of the wafer is positioned at a position corresponding to the flat grinding portion of the cup-type grinding wheel by the moving mechanism portion, and the flat portion of the wafer is ground by the flat grinding portion. , Wafer grinding equipment.
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