JP5956817B2 - 磁場計測装置 - Google Patents
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Description
磁界の強さに応じた正確な比較結果を得るためには、増幅器から出力される信号に含まれるオフセット信号成分を抑制して、増幅器から出力される信号のばらつきを小さく抑える必要がある。そのオフセット信号成分が生じる主要な要因は、ホール素子の出力電圧に含まれるオフセット信号成分(素子オフセット電圧)と、増幅器の入力端子において存在するオフセット信号成分(入力オフセット電圧)である。素子オフセット電圧は、主に、ホール素子本体がパッケージから受ける応力などによって発生する。また、入力オフセット電圧は、主に、増幅器の入力回路を構成する素子の特性のばらつきなどによって発生する。
入力オフセット電圧の影響は、入力電圧の極性に係らず、第1のタイミングと同じなので、電圧増幅器3の出力電圧V2は、第1のタイミングとは逆極性の端子C−A間の電圧と入力オフセット電圧との和に比例した電圧となる。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、ホール素子と基板及び磁気収束板との位置関係を考慮することでオフセット電圧を低減するようにした磁場計測装置を提供することにある。
また、請求項4に記載の発明は、請求項1,2又は3に記載の発明において、前記磁気収束板が、円形状、多角形形状、楕円形状、半円形状の何れかであることを特徴とする。
図2(a),(b)は、本発明に係る磁場計測装置のホール素子を構成するピエゾ抵抗のブリッジ回路を示す図で、図2(a)はブリッジ回路、図2(b)はホール素子の端子形状を示している。図中符号Aはホール素子の励起電流が端子から感磁部に流れ入る点、Bはホール素子の励起電流が感磁部から端子に流れ入る点を示している。端子対の軸は、AとBとを結んだ直線である。
図3は、Si基板の結晶方位<110>に対するピエゾ抵抗の長手方向のピエゾ抵抗係数と、長手方向に垂直な方向(短手方向)のピエゾ抵抗係数との関係を示す図である。ピエゾ抵抗R1乃至R4の長手方向のピエゾ抵抗係数πLと短手方向のピエゾ抵抗係数πTは、Si基板の結晶方位<110>からの角度が0度(又は90度)傾けた方向において、ピエゾ抵抗係数πLとピエゾ抵抗係数πTとの差は小さくなり、45度傾けた方向において、ピエゾ抵抗係数πLとピエゾ抵抗係数πTとの差は大きくなる。
R=R0×(1+πL・σL+πT・σT)・・・(1)
なお、R0は応力がかからないときのピエゾ抵抗値、πLは長手方向のピエゾ抵抗係数、πTは短手方向のピエゾ抵抗係数、σLはピエゾ抵抗が受ける長手方向の応力、σTはピエゾ抵抗が受ける短手方向の応力を示している。
R1=R3=R0×(1+πL・σ1+πT・σ2)
R2=R4=R0×(1+πL・σ2+πT・σ1)・・・(2)
Voffset=(R2−R3)・I/2
=R0・(πL−πT)・(σ2−σ1)・I/2・・・(3)
なお、σ1は一方の対向するピエゾ抵抗R1とR3の長手方向にかかる応力(R2とR4の短手方向にかかる応力)、σ2は他方の対向するピエゾ抵抗R2とR4の長手方向にかかる応力(R1とR3の短手方向にかかる応力)を示している。
本発明は、磁気収束板に対して、ホール素子の向きを最適な向きとすることで(式3)の応力の差(σ2−σ1)を小さくすることができることをシミュレーションから明らかにした。これによって、(式3)よりオフセットを低減することができる。
図6は、本発明に係る磁場計測装置のホール素子における応力とオフセットの関係を説明するためのブリッジ回路を示す図である。図4におけるブリッジ回路を45度傾けたものである。図6のようにホール素子20の各ピエゾ抵抗r1乃至r4に応力がかかると、このピエゾ抵抗r1乃至r4は、それぞれ(式4)のように変化し、電流Iを流すと(式5)のようにオフセット電圧を生じる。
r1=r3=r0×(1+πL・σy+πT・σx)
r2=r4=r0×(1+πL・σx+πT・σy)・・・(4)
Voffset=(r2−r3)・I/2
=r0・(πL−πT)・(σx−σy)・I/2・・・(5)
本発明の実施例1に係る磁場計測装置は、略矩形形状のシリコン基板31と、このシリコン基板31の面上に形成され、互いに対向する位置に設けられた2つの端子からなる第1の端子対21及び第2の端子対22を有し、かつ、第1の端子対の軸21a及び第2の端子対の軸22aがお互いに直交する少なくとも1つのホール素子20と、シリコン基板31の面上に設けられた円形状の磁気収束板32とを備えている。
このような構成により、ホール素子と基板及び磁気収束板との位置関係を考慮することで、ホール素子を構成するピエゾ抵抗のピエゾ抵抗係数の相違によって発生するオフセット電圧及びホール素子が磁気収束板から受ける応力の相違によって発生するオフセット電圧を低減するようにした磁場計測装置を実現することができる。
このような場合でも、図7に示した本実施例1におけるホール素子と基板及び磁気収束板との位置関係が満たされているので、オフセット電圧を低減するようにした磁場計測装置を実現することができる。
このような構成により、ホール素子と基板及び磁気収束板との位置関係を考慮することで、ピエゾ抵抗素子のホイートストンブリッジ回路でモデル化されるホール素子のピエゾ抵抗の長手方向のピエゾ抵抗係数と、ピエゾ抵抗の短手方向のピエゾ抵抗係数の相違によって発生するオフセット電圧及びホール素子が磁気収束板から受ける応力の相違によって発生するオフセット電圧を低減するようにした磁場計測装置を実現することができる。
シリコン基板31の面上の中央部には、円板状の磁気収束板100が設置されている。磁気収束板100の円周上には、X’軸用ホール素子111a及び111b、Y’軸用ホール素子113a及び113bが、それぞれ円中心点119に対して点対称の位置に設置されている。すなわち、X’軸用ホール素子111同士及びY’軸用ホール素子113同士を結ぶ2つの線分は、円中心点119で交わる。さらに、円中心点119からX’軸用ホール素子111aまでの距離と円中心点119からX’軸用ホール素子111bまでの距離は等しく、円中心点119からY’軸用ホール素子113aまでの距離と円中心点119からY’軸用ホール素子113bまでの距離は等しい。X’軸用ホール素子111bから111aの向き及びY’軸用ホール素子113bから113aの向きを、それぞれX’軸の正方向及びY’軸の正方向とする。
V(X’+)= A×cosθ1
V(X’−)=−A×cosθ1
V(Y’+)= A×sinθ1
V(Y’−)=−A×sinθ1 ・・・(6)
Vx’=V1(X’+)−V2(X’−)=2A×cosθ1
Vy’=V1(Y’+)−V2(Y’−)=2A×sinθ1 ・・・(7)
信号処理としては、次式(8)のように除算し、アークタンジェントをとることにより磁場印加角度θ1を算出できる。
tanθ1=Vy’/Vx’
θ1=arctan(Vy’/Vx’) ・・・(8)
本発明に係る磁場計測装置を用いた磁場方向計測装置は算出した磁場印加角度θ1をSi基板の長手方向(結晶方位<110>に等価な方向)を基準とした角度に変換する。即ち、Si基板の長手方向をX軸方向、X軸方向とX’軸方向とのなす角度をθ2とした時に、本発明に係る磁場方向計測装置は磁場印加角度をθ1+θ2であると算出し、Si基板の長手方向を基準とした角度に変換して算出する。磁場印加角度の変換方法は特に限定はないが演算処理(ソフト変換)で行うことが好ましい。
このような構成により、ホール素子と基板及び磁気収束板との位置関係を考慮することで、ピエゾ抵抗素子のホイートストンブリッジ回路でモデル化されるホール素子のピエゾ抵抗の長手方向のピエゾ抵抗係数と、ピエゾ抵抗の短手方向のピエゾ抵抗係数の相違によって発生するオフセット電圧及びホール素子が磁気収束板から受ける応力の相違によって発生するオフセット電圧を低減するようにした磁場計測装置を実現することができる。
このような構成により、ホール素子と基板及び磁気収束板との位置関係を考慮することで、ピエゾ抵抗素子のホイートストンブリッジ回路でモデル化されるホール素子のピエゾ抵抗の長手方向のピエゾ抵抗係数と、ピエゾ抵抗の短手方向のピエゾ抵抗係数の相違によって発生するオフセット電圧及びホール素子が磁気収束板から受ける応力の相違によって発生するオフセット電圧を低減するようにした磁場計測装置を実現することができる。
2 スイッチ回路
3 電圧増幅器
4 キャパシタ
5 スイッチ
21 第1の端子対
21a 第1の端子対の軸
22 第2の端子対
22a 第2の端子対の軸
31,41,51 シリコン(Si)基板
32,42,52 磁気収束板
100 磁気収束板
111(111a,111b) X軸用ホール素子
113(113a,113b) Y軸用ホール素子
119 円中心点
A ホール素子の励起電流が端子から感磁部に流れ入る点
B ホール素子の励起電流が感磁部から端子に流れ入る点
M ホール素子の中心
N 接線方向
P 最小半径円と磁気収束板の外縁との接点
Q ホール素子の中心を円中心とする磁気収束板の外縁に接する最小半径円
Claims (5)
- 矩形形状のシリコン基板と、該シリコン基板の面上に形成され、互いに対向する位置に設けられた2つの端子からなる第1の端子対及び第2の端子対を有し、かつ、前記第1の端子対の軸及び前記第2の端子対の軸がお互いに直交する少なくとも1つのホール素子と、前記シリコン基板の面上に設けられた磁気収束板とを備えた磁場計測装置において、
前記シリコン基板の長手方向及び短手方向の結晶方位が<110>に等価な方向であり、
前記シリコン基板及び前記磁気収束板を平面視したときに、前記ホール素子の前記第1の端子対の軸が、前記ホール素子の中心を円中心とする前記磁気収束板の外縁に接する最小半径円と前記磁気収束板の外縁との接点の前記磁気収束板の前記外縁上における接線方向に平行であり、かつ、
前記第1の端子対の軸が、前記シリコン基板の長手方向又は短手方向と45度の角度をなすように、前記ホール素子が前記シリコン基板の面上に形成され、
前記ホール素子に発生するオフセット電圧が、
Voffset=r0・(πL−πT)・(σx−σy)・I/2
の関係にあることに着目し(なお、Iはホール素子に流れる電流、r0は応力がかからないときのピエゾ抵抗値、πLは長手方向のピエゾ抵抗係数、πTは短手方向のピエゾ抵抗係数、σx及びσyは、一方がピエゾ抵抗の長手方向にかかる応力であり、他方はピエゾ抵抗の短手方向にかかる応力である。)、
前記ホール素子が、前記ピエゾ抵抗のピエゾ抵抗係数の相違によって発生するオフセット電圧を低減するために、前記端子対間のピエゾ抵抗の長手方向のピエゾ抵抗係数と短手方向のピエゾ抵抗係数の差が小さくなるように、配置されているとともに、前記磁気収束板から受ける応力の相違によって発生するオフセット電圧を低減するために、ピエゾ抵抗の長手方向にかかる応力とピエゾ抵抗の短手方向にかかる応力の差が小さくなるように、前記磁気収束板の縁に平行に配置されていることを特徴とする磁場計測装置。 - 矩形形状のシリコン基板と、該シリコン基板の面上に形成され、互いに対向する位置に設けられた2つの端子からなる第1の端子対及び第2の端子対を有し、かつ、前記第1の端子対の軸及び前記第2の端子対の軸がお互いに直交する少なくとも1つのホール素子と、前記シリコン基板の面上に設けられた磁気収束板とを備えた磁場計測装置において、
前記シリコン基板の長手方向及び短手方向の結晶方位が<110>に等価な方向であり、
前記シリコン基板及び前記磁気収束板を平面視したときに、前記ホール素子の前記第1の端子対の軸が、前記ホール素子の中心を円中心とする前記磁気収束板の外縁に接する最小半径円と前記磁気収束板の外縁との接点の前記磁気収束板の前記外縁上における接線方向に平行であり、かつ、
前記第1の端子対の軸が、前記シリコン基板の長手方向又は短手方向と45度の角度をなすように、前記ホール素子が前記シリコン基板の面上に形成され、
演算処理によって前記ホール素子の出力を前記シリコン基板の長手方向もしくは、短手方向に平行な方向を基準とした出力に変換することを特徴とする磁場計測装置。 - 前記磁気収束板が、前記シリコン基板及び前記磁気収束板を平面視したときに、前記第2の端子対の軸を対称軸として線対称な形状であることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁場計測装置。
- 前記磁気収束板が、円形状、多角形形状、楕円形状、半円形状の何れかであることを特徴とする請求項1,2又は3に記載の磁場計測装置。
- 長手方向及び短手方向の結晶方位が<110>に等価な方向であるシリコン基板と、該シリコン基板上に設けられたホール素子と、該ホール素子が端部に配置されるように、該ホール素子上に設けられた磁気収束板とを備えた磁場計測装置において、
前記ホール素子が、互いに対向する位置に設けられた2つの端子からなる一方の端子対と他方の端子対とを有し、
前記ホール素子に発生するオフセット電圧が、
Voffset=r0・(πL−πT)・(σx−σy)・I/2
の関係にあることに着目し(なお、Iはホール素子に流れる電流、r0は応力がかからないときのピエゾ抵抗値、πLは長手方向のピエゾ抵抗係数、πTは短手方向のピエゾ抵抗係数、σx及びσyは、一方がピエゾ抵抗の長手方向にかかる応力であり、他方はピエゾ抵抗の短手方向にかかる応力である。)、
前記ホール素子が、前記ピエゾ抵抗のピエゾ抵抗係数の相違によって発生するオフセット電圧を低減するために、前記端子対間のピエゾ抵抗の長手方向のピエゾ抵抗係数と短手方向のピエゾ抵抗係数の差が小さくなるように、配置されているとともに、前記磁気収束板から受ける応力の相違によって発生するオフセット電圧を低減するために、ピエゾ抵抗の長手方向にかかる応力とピエゾ抵抗の短手方向にかかる応力の差が小さくなるように、前記磁気収束板の縁に平行に配置されていることを特徴とする磁場計測装置。
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