JP5952036B2 - 半導体メモリのリユース処理装置、及び半導体メモリ - Google Patents
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また、第1の態様に係る半導体メモリのリユース処理装置によれば、ロジック特定部は、リユースに伴うデータ書き換えによって再出荷後の半導体メモリにおいて使用されない不使用エリアが存在している場合には、回収時の半導体メモリにおいて劣化ブロックが多発しているエリアが当該不使用エリアに割り当てられる論理−物理アドレス変換ロジックを、最適な論理−物理アドレス変換ロジックとして特定する。劣化ブロックが多発しているエリアを不使用エリアに割り当てることにより、他のエリア(つまり使用するエリア)の劣化ブロック数が削減されるため、再出荷された半導体メモリの信頼性を向上することが可能となる。
2 メモリコントローラ
3 メモリセルアレイ
10 リユース処理装置
21 取得部
22 ロジック特定部
23 ロジック更新部
24 テーブル作成部
25 テーブル更新部
26 記憶部
31 選択部
32 保持部
Claims (11)
- データの消去単位であるブロックを複数含むエリア単位で不良ブロックの管理を行う半導体メモリを対象として、使用された半導体メモリを回収して再使用するために再出荷前に当該半導体メモリに対して所定のリユース処理を行う、半導体メモリのリユース処理装置であって、
前記半導体メモリが保持している複数の論理−物理アドレス変換ロジックに対応する複数の論理−物理アドレス変換ロジックを記憶する記憶部と、
半導体メモリが有する複数のブロックのうち劣化ブロックを特定するための所定の管理情報を、回収した半導体メモリから取得する取得部と、
前記取得部が取得した前記管理情報に基づいて、前記記憶部が記憶している前記複数の論理−物理アドレス変換ロジックの中から、エリア内における劣化ブロック数がエリア間で最も平準化される最適な論理−物理アドレス変換ロジックを特定するロジック特定部と、
前記ロジック特定部が特定した前記最適な論理−物理アドレス変換ロジックを選択させるための選択情報を前記回収した半導体メモリに向けて出力することにより、当該半導体メモリが選択している論理−物理アドレス変換ロジックを、前記最適な論理−物理アドレス変換ロジックに更新させるロジック更新部と、
を備え
前記ロジック特定部は、リユースに伴うデータ書き換えによって再出荷後の半導体メモリにおいて使用されない不使用エリアが存在している場合には、回収時の半導体メモリにおいて劣化ブロックが多発しているエリアが当該不使用エリアに割り当てられる論理−物理アドレス変換ロジックを、前記最適な論理−物理アドレス変換ロジックとして特定する、半導体メモリのリユース処理装置。 - 前記ロジック特定部が特定した前記最適な論理−物理アドレス変換ロジックに対応する新たな不良ブロック管理テーブルを作成するテーブル作成部と、
前記テーブル作成部が作成した前記新たな不良ブロック管理テーブルを前記回収した半導体メモリに向けて出力することにより、当該半導体メモリが保持している不良ブロック管理テーブルを、前記新たな不良ブロック管理テーブルに更新させるテーブル更新部と、
をさらに備える、請求項1に記載の半導体メモリのリユース処理装置。 - 劣化ブロックには、後天性不良ブロックが含まれる、請求項1又は2に記載の半導体メモリのリユース処理装置。
- 劣化ブロックには、書き換え回数が所定値を超えているブロックが含まれる、請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体メモリのリユース処理装置。
- 前記ロジック特定部は、劣化ブロックの総数が所定値以上である半導体メモリを不良品と判定する、請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体メモリのリユース処理装置。
- 前記ロジック特定部は、エリア内における劣化ブロック数の最大値が最も小さい最良ロジックを、前記最適な論理−物理アドレス変換ロジックとして特定する、請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体メモリのリユース処理装置。
- 前記ロジック特定部は、最良ロジックが複数存在する場合には、当該複数の最良ロジックのうち、エリア内における劣化ブロック数の最大値と最小値との差が最も小さいロジックを、前記最適な論理−物理アドレス変換ロジックとして特定する、請求項6に記載の半導体メモリのリユース処理装置。
- 前記ロジック特定部は、前記最大値と最小値との差が最も小さいロジックが複数存在する場合には、当該複数のロジックの中の任意のロジックを、前記最適な論理−物理アドレス変換ロジックとして特定する、請求項7に記載の半導体メモリのリユース処理装置。
- 前記ロジック特定部は、エリア内における劣化ブロック数の最大値が、全てのロジックに関して所定値以上となる場合には、その半導体メモリを不良品と判定する、請求項6〜8のいずれか一つに記載の半導体メモリのリユース処理装置。
- 複数の論理−物理アドレス変換ロジックを保持する保持部と、
前記保持部が保持している前記複数の論理−物理アドレス変換ロジックの中から、一の論理−物理アドレス変換ロジックを選択する選択部と、
を備え、
前記選択部は、請求項1に記載のリユース処理装置が備えるロジック更新部から入力された選択情報に基づいて、前記保持部が保持している前記複数の論理−物理アドレス変換ロジックの中から、一の論理−物理アドレス変換ロジックを選択する、半導体メモリ。 - 請求項1に記載のリユース処理装置によってリユース処理を行うために、前記管理情報を記憶する、半導体メモリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012056299A JP5952036B2 (ja) | 2012-03-13 | 2012-03-13 | 半導体メモリのリユース処理装置、及び半導体メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013190960A JP2013190960A (ja) | 2013-09-26 |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5952036B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015115281A1 (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置及び画像形成方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10222990A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | 品種設定機能を有する不揮発メモリ、および該不揮発メモリを含む半導体装置 |
AU2003282544A1 (en) * | 2002-10-28 | 2004-05-25 | Sandisk Corporation | Automated wear leveling in non-volatile storage systems |
JP4231841B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2009-03-04 | Tdk株式会社 | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 |
JP3940409B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2007-07-04 | Tdk株式会社 | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及び制御方法 |
US20050144516A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-06-30 | Gonzalez Carlos J. | Adaptive deterministic grouping of blocks into multi-block units |
JP4241741B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2009-03-18 | Tdk株式会社 | メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム |
JP4840415B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2011-12-21 | Tdk株式会社 | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
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Publication number | Publication date |
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JP2013190960A (ja) | 2013-09-26 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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