JP5929662B2 - Polishing apparatus and SOI wafer polishing method - Google Patents
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Description
本発明は円盤状のウェーハ等のワークを研磨する研磨装置に関し、特にＳＯＩウェーハのＳＯＩ層を微量研磨するのに好適な研磨装置と、その研磨装置を用いたＳＯＩウェーハの研磨方法に関する。 The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a workpiece such as a disk-shaped wafer, and more particularly to a polishing apparatus suitable for polishing a small amount of an SOI layer of an SOI wafer and an SOI wafer polishing method using the polishing apparatus.
近年、半導体装置の高集積化が進むのに伴い、その基板であるシリコン単結晶ウェーハの平坦度や表面品質の向上が厳しく要求されている。半導体装置を形成する材料ウェーハがＳＯＩウェーハの場合、平坦度や表面品質に加えてＳＯＩ層の高い膜厚均一性も要求されるため、ＳＯＩ層を研磨する際には高精度の研磨が必要である。
ＳＯＩウェーハの代表的な製造方法として、２枚のウェーハを貼り合せた後、一方のウェーハの薄膜化を研削・研磨で行う方法とイオン注入剥離法（スマートカット（登録商標）法ともいう）で行う方法が知られているが、シリコン薄膜が５００ｎｍ以下の貼り合わせウェーハの製造に限定すればイオン注入剥離法が主流となっている。
In recent years, with the progress of high integration of semiconductor devices, there has been a strict demand for improvement in flatness and surface quality of a silicon single crystal wafer as a substrate. When the material wafer for forming a semiconductor device is an SOI wafer, high uniformity of the SOI layer is required in addition to flatness and surface quality. Therefore, high-precision polishing is required when polishing the SOI layer. is there.
As a typical method for manufacturing SOI wafers, after bonding two wafers, one wafer is thinned by grinding and polishing, and an ion implantation separation method (also called Smart Cut (registered trademark) method). Although the method to perform is known, if it limits to manufacture of the bonded wafer whose silicon thin film is 500 nm or less, the ion implantation peeling method has become mainstream.
イオン注入剥離法は、２枚のシリコンウェーハの少なくとも一方のウェーハ（ボンドウェーハ）の一主面に水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類を注入し、ウェーハ内部にイオン注入層（剥離層）を形成させた後、該イオン注入した面と他方のシリコンウェーハ（ベースウェーハ）の一主面を直接あるいは酸化膜を介して密着させ、その後熱処理を加えて剥離層で分離する方法であり、±１０ｎｍ以下のＳＯＩ層膜厚均一性を有する薄膜ＳＯＩウェーハを容易に作製できる優位性と、剥離したボンドウェーハを複数回再利用しコスト低減が図れる優位性を有している。 In the ion implantation separation method, at least one of hydrogen ions and rare gas ions is implanted into one main surface of at least one wafer (bond wafer) of two silicon wafers, and an ion implantation layer (separation layer) is formed inside the wafer. After the formation, the ion-implanted surface and one main surface of the other silicon wafer (base wafer) are brought into close contact with each other directly or through an oxide film, followed by heat treatment and separated by a release layer, ± 10 nm It has an advantage that a thin-film SOI wafer having the following SOI layer thickness uniformity can be easily manufactured, and an advantage that cost can be reduced by reusing a peeled bond wafer a plurality of times.
しかしながら、剥離直後のＳＯＩウェーハ表面はラフネスが十分ではないために、そのままではデバイス作製用の基板としては使用できない。そこで、平坦化のための追加プロセスとして、例えば、タッチポリッシュと呼ばれる微量研磨（１００ｎｍ以下の研磨代）が行われることがある。 However, since the surface of the SOI wafer immediately after peeling is not sufficiently rough, it cannot be used as it is as a substrate for device fabrication. Therefore, as an additional process for planarization, for example, a small amount of polishing (touch polishing of 100 nm or less) called touch polishing may be performed.
一方、ウェーハＷを囲んでそのエッジ部を保持するリング状のテンプレートを具備した研磨装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この研磨装置は、従来の研磨装置に比べ、テンプレートの高さ精度を向上させることができ、精度よくワークの研磨を行うことができるとされている。 On the other hand, a polishing apparatus including a ring-shaped template that surrounds the wafer W and holds an edge portion thereof is known (see, for example, Patent Document 1). This polishing apparatus can improve the height accuracy of the template as compared with the conventional polishing apparatus, and can polish the workpiece with high accuracy.
しかし、イオン注入剥離法によって作製された剥離直後のＳＯＩウェーハのＳＯＩ層表面の平坦化を行うため、特許文献１の研磨装置を用いてＳＯＩ層表面の微量研磨を行い、研磨後のＳＯＩ層の膜厚分布を測定したところ、ＳＯＩ層の外周端から数ｍｍ〜１０ｍｍ程度の位置の膜厚が急激に厚くなる形状（ハネ形状）が観察され、このハネ形状によって研磨後の膜厚分布を悪化させてしまうことが分かった。
However, in order to flatten the SOI layer surface of the SOI wafer immediately after peeling produced by the ion implantation peeling method, a small amount of polishing is performed on the surface of the SOI layer using the polishing apparatus of
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、例えばＳＯＩウェーハなどのワークを研磨する際、ワークの外周部におけるハネ形状の形成を抑制できる研磨装置及びこの研磨装置を用いたＳＯＩウェーハの研磨方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems. For example, when a workpiece such as an SOI wafer is polished, a polishing apparatus capable of suppressing the formation of a honeycomb shape on the outer periphery of the workpiece, and an SOI wafer using the polishing apparatus. An object of the present invention is to provide a polishing method.
上記目的を達成するために、本発明によれば、定盤上に貼り付けられた研磨布と、ワークを保持するための研磨ヘッドを有し、該研磨ヘッドは、円盤状のプレートの外周部に下方に延伸するように設けられたリング部材を有する保持プレートと、該保持プレートのリング部材の下面部に貼着され、かつ前記ワークの裏面が当接する発泡樹脂層を有するバッキング材と、前記保持プレートとバッキング材で囲まれた圧力室に流体を供給して前記バッキング材を押圧するための流体供給手段と、前記バッキング材の発泡樹脂層の下面の周辺部に設けられ前記ワークのエッジ部を保持するリング状のテンプレートを含むものであり、前記ワークの表面を前記研磨布に摺接させて研磨する研磨装置であって、前記テンプレートは前記保持プレートのリング部材の内周面より内側に突出して配置され、該突出したテンプレートの突出部を前記バッキング材を介して上方から押さえ付ける押さえ部材を有するものであることを特徴とする研磨装置が提供される。 In order to achieve the above object, according to the present invention, the polishing pad has a polishing cloth affixed on a surface plate and a polishing head for holding a workpiece, and the polishing head has an outer peripheral portion of a disk-shaped plate. A holding plate having a ring member provided so as to extend downward, a backing material having a foamed resin layer adhered to the lower surface portion of the ring member of the holding plate and abutting the back surface of the workpiece, A fluid supply means for supplying a fluid to a pressure chamber surrounded by a holding plate and a backing material to press the backing material; and an edge portion of the workpiece provided at a peripheral portion of the lower surface of the foamed resin layer of the backing material A polishing device for polishing the surface of the workpiece by sliding the surface of the workpiece against the polishing cloth, wherein the template is a rim of the holding plate. There is provided a polishing apparatus characterized in that it has a pressing member that protrudes inward from the inner peripheral surface of the pressing member and presses the protruding portion of the protruding template from above via the backing material. .
このような研磨装置であれば、研磨中にテンプレートが圧力室側に反ってしまうのを抑制でき、ワークの外周部にハネ形状が形成されてしまうのを抑制できるものとなる。 With such a polishing apparatus, it is possible to suppress the template from warping to the pressure chamber side during polishing, and it is possible to suppress the formation of a honeycomb shape on the outer peripheral portion of the workpiece.
このとき、前記押さえ部材は金属製又は樹脂製であることが好ましい。
このようなものであれば、研磨中にテンプレートが圧力室側に反ってしまうのを効果的に抑制できる。
At this time, the pressing member is preferably made of metal or resin.
If it is such, it can suppress effectively that a template warps to the pressure chamber side during grinding | polishing.
前記押さえ部材の垂直断面形状はＬ字型であり、該押さえ部材の側面が前記保持プレートのリング部材の内周面に当接し、前記押さえ部材の底面で前記テンプレートの突出部を前記バッキング材を介して上方から押さえ付けるものであることが好ましい。
このようなものであれば、押さえ部材の剛性を確保してテンプレートの反りを抑制する効果を十分に発揮させつつ、ワークの外周部に対する圧力室の圧力調整への影響を最小限に抑えることができる。
The pressing member has an L-shaped vertical cross-section, and the side surface of the pressing member abuts against the inner peripheral surface of the ring member of the holding plate, and the protruding portion of the template is attached to the backing material on the bottom surface of the pressing member. It is preferable to press from above.
If this is the case, it is possible to minimize the influence on the pressure adjustment of the pressure chamber with respect to the outer peripheral portion of the workpiece while ensuring the rigidity of the pressing member and sufficiently exhibiting the effect of suppressing the warpage of the template. it can.
また、本発明によれば、上記本発明の研磨装置を用い、前記ワークとしてＳＯＩウェーハを用い、該ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層を研磨することを特徴とするＳＯＩウェーハの研磨方法が提供される。
このような研磨方法であれば、研磨中にテンプレートが圧力室側に反ってしまうのを抑制でき、ＳＯＩウェーハの外周部にハネ形状が形成されてしまうのを抑制できる。
In addition, according to the present invention, there is provided an SOI wafer polishing method characterized by using the polishing apparatus of the present invention, using an SOI wafer as the workpiece, and polishing an SOI layer of the SOI wafer.
With such a polishing method, it is possible to suppress the template from warping to the pressure chamber side during polishing, and it is possible to suppress the formation of a honeycomb shape on the outer peripheral portion of the SOI wafer.
このとき、前記研磨するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚が１０００ｎｍ以下であり、研磨代を１００ｎｍ以下として研磨することができる。
ＳＯＩ層の膜厚が１０００ｎｍ以下の薄膜ＳＯＩを研磨する際、研磨代が１００ｎｍ以下の微量研磨の場合には、僅かなテンプレートの反りが、面内膜厚分布の均一性に対し大きく影響するので、テンプレートの反りを抑制できる本発明が極めて有効に機能する。
At this time, the thickness of the SOI layer of the SOI wafer to be polished is 1000 nm or less, and polishing can be performed with a polishing margin of 100 nm or less.
When polishing a thin film SOI having an SOI layer thickness of 1000 nm or less, in the case of a small amount of polishing with a polishing allowance of 100 nm or less, slight warpage of the template greatly affects the uniformity of the in-plane film thickness distribution. The present invention capable of suppressing the warpage of the template functions extremely effectively.
またこのとき、前記研磨するＳＯＩウェーハの前記発泡樹脂層の下面に当接する面を疎水性とすることができる。
このようにすれば、ワークの保持力をより高めることができる。
At this time, the surface of the SOI wafer to be polished that is in contact with the lower surface of the foamed resin layer can be made hydrophobic.
If it does in this way, the holding power of a work can be raised more.
本発明の研磨装置では、テンプレートは保持プレートのリング部材の内周面より内側に突出して配置され、該突出したテンプレートの突出部をバッキング材を介して上方から押さえ付ける押さえ部材を有するものであるので、研磨中にテンプレートが圧力室側に反ってしまうのを抑制でき、ワークの外周部にハネ形状が形成されてしまうのを抑制できる。特にＳＯＩウェーハのＳＯＩ層を研磨する場合、ＳＯＩ層膜厚分布の悪化を抑制できる。 In the polishing apparatus of the present invention, the template is disposed so as to protrude inward from the inner peripheral surface of the ring member of the holding plate, and has a pressing member that presses the protruding portion of the protruding template from above via a backing material. Therefore, it can suppress that a template warps to the pressure chamber side during grinding | polishing, and can suppress that a honeycomb shape will be formed in the outer peripheral part of a workpiece | work. In particular, when the SOI layer of the SOI wafer is polished, the deterioration of the SOI layer thickness distribution can be suppressed.
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記したように、従来の研磨装置を用いてＳＯＩ層表面の微量研磨を行う際にＳＯＩ層の外周部にハネ形状が形成されてしまう原因について、本発明者等が鋭意検討した結果、次のような知見を得た。
Hereinafter, although an embodiment is described about the present invention, the present invention is not limited to this.
As described above, as a result of intensive studies by the present inventors on the cause of the formation of a honeycomb shape on the outer peripheral portion of the SOI layer when performing minute polishing of the SOI layer surface using a conventional polishing apparatus, The following knowledge was obtained.
すなわち、図４に示すように、テンプレート１２５は、保持プレート１２６のリング部材１２８の内周面よりも内側に数ｍｍ程度突出して配置される。これは、ワークＷの外周部に対しても圧力室１２９の圧力調整の効果が働くようにするためである。しかしながら、このテンプレート１２５の突出部は、その上部には軟質のバッキング材１２２が存在するのみで剛性の高い部材が存在しないため、研磨中に定盤からの圧力により、圧力室１２９側に反ってしまう。
That is, as shown in FIG. 4, the template 125 is arranged so as to protrude about several mm inside the inner peripheral surface of the ring member 128 of the
このようにテンプレート１２５の突出部に反りが発生した状態で研磨が行われると、ワークＷの外周部の研磨代が少なくなるため、結果として外周部にハネ形状が形成されてしまう。
そこで、発明者等は更に検討を重ね、テンプレートの突出部をバッキング材を介して上方から押さえ付ける押さえ部材によってその突出部の反りを抑制させれば上記問題を解決できることに想到し、本発明を完成させた。
When the polishing is performed in a state where the protrusion of the template 125 is warped in this way, the polishing allowance of the outer peripheral portion of the work W is reduced, and as a result, a honeycomb shape is formed in the outer peripheral portion.
Therefore, the inventors have further studied and conceived that the above problem can be solved by suppressing the warpage of the protruding portion by a pressing member that presses the protruding portion of the template from above via the backing material. Completed.
図１に示すように、本発明の研磨装置１は、定盤３上に貼り付けられた研磨布４と、ワークＷを保持するための研磨ヘッド２と、研磨布４上に研磨剤を供給するための研磨剤供給機構５を有するものである。
定盤３の下部には駆動軸６が垂直に連結され、その駆動軸６の下部に連結された定盤回転モータ（不図示）によって定盤３が回転できるようになっている。
As shown in FIG. 1, the
A drive shaft 6 is vertically connected to the lower portion of the
図１に示すように、研磨ヘッド２は、円盤状のプレート２７の外周部に下方に延伸するように設けられたリング部材２８を有する保持プレート２６、バッキング材２２、テンプレート２５を有する。図２に示すように、バッキング材２２は例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどからなる樹脂シート層２３とその表面に形成された発泡ポリウレタン等からなる発泡樹脂層２４で構成される。バッキング材２２の発泡樹脂層２４は下方に向けられ、樹脂シート層２３は保持プレート２６のリング部材２８の下面部に貼着される。
研磨するワークＷは、その裏面が発泡樹脂層２４に当接して保持される。ワークＷを保持する際にはバッキング材２２に水を含ませ、水の表面張力によりワークＷを確実に保持することができる。
As shown in FIG. 1, the
The work W to be polished is held with its back surface in contact with the foamed resin layer 24. When holding the workpiece W, the
バッキング材２２の発泡樹脂層２４の下面の周辺部にはリング状のテンプレート２５が設けられている。このテンプレート２５は、ワークＷのエッジ部を保持してワークＷの飛び出しを防止するためのものである。テンプレート２５の内径は研磨する例えば円盤状のウェーハなどのワークの直径よりも１〜２ｍｍ程度大きく形成することができる。
研磨ヘッド２には、保持プレート２６とバッキング材２２で囲まれた圧力室２９が形成され、この圧力室２９に流体を供給してバッキング材２２を押圧するための流体供給手段３０が設けられている。流体供給手段３０で流体を圧力室２９に供給してバッキング材２２を押圧することにより、ワークＷを研磨布４に対して押圧できる。
A ring-
In the
図２に示すように、テンプレート２５は保持プレート２６のリング部材２８の内周面より内側に数ｍｍ程度突出して配置される。このテンプレート２５の突出部の幅は特に限定されないが、例えば５ｍｍ程度とすることができる。このようにすれば、ワークＷの外周部に対する押圧を効果的に調整できる。
更に、図１、２に示すように、本発明の研磨装置１は、テンプレート２５の突出部をバッキング材２２を介して上方から押さえ付ける押さえ部材２１を有する。この押さえ部材２１により、研磨中にテンプレート２５の突出部が圧力室２９側に反ってしまうのを抑制できる。
As shown in FIG. 2, the
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the polishing
押さえ部材２１の材質としては、剛性を有する、例えばＳＵＳやＡｌなどの金属や、エポキシ樹脂やＰＯＭ（ポリアセタール）材などの樹脂とすることが好ましい。このような材質の押さえ部材２１を設ければ、テンプレート２５の突出部が圧力室２９側に反るのを効果的に抑制できる。
尚、このような押さえ部材２１をテンプレート２５の突出部の上方に設置すると、ワークの外周部に対する圧力室の圧力調整が作用しにくくなることが懸念されるが、押さえ部材２１の底面とバッキング材２２とを接着しない構造にすれば、ワークＷの外周部に対する圧力調整が妨げられることを抑制できる。
The material of the pressing
If such a
図２に示すように、押さえ部材２１の垂直断面形状はＬ字型とし、押さえ部材２１の側面が保持プレート２６のリング部材２８の内周面に当接し、押さえ部材２１の底面でテンプレート２５の突出部をバッキング材２２を介して上方から押さえ付けるものであることが好ましい。
このようなものであれば、押さえ部材２１の剛性を確保してテンプレート２５の突出部の反りを効果的に抑制しつつ、ワークの外周部に対する圧力室の圧力調整への影響を最小限に抑えることができる。
As shown in FIG. 2, the vertical cross-sectional shape of the pressing
If it is such, while ensuring the rigidity of the pressing
上記Ｌ字型の押さえ部材２１は、図３に示すように、リング部材２８の内周面の全面に当接する円筒状の一体構造のものとすることができる。或いは、円筒状の一体構造が分割され、リング部材２８の内周面に隙間をあけて部分的に当接するものとすることもできる。
As shown in FIG. 3, the L-shaped pressing
本発明の研磨装置１を用いてワークＷを研磨する際には、研磨剤供給機構５から研磨布４上に研磨剤を供給するとともに、定盤３と研磨ヘッド２をそれぞれ回転させてワークＷの表面を研磨布４に摺接させながら、ワークＷを研磨布４に対して押圧して研磨を行う。
このような研磨装置であれば、上記したように、研磨中にテンプレート２５の突出部が圧力室２９側に反ってしまうのを抑制できるので、ワークの外周部にハネ形状が形成されてしまうのを抑制でき、特にＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の微量研磨においても、研磨前の面内膜厚分布の均一性を維持できる。
When the workpiece W is polished using the
With such a polishing apparatus, as described above, it is possible to suppress the protruding portion of the
本発明のＳＯＩウェーハの研磨方法では、上記した本発明の研磨装置を用い、ワークとしてＳＯＩウェーハを用い、該ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層を研磨する。特に、研磨するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚を１０００ｎｍ以下、研磨代を１００ｎｍ以下とすることができる。このような微量研磨の場合には、僅かなテンプレートの反りが、面内膜厚分布の均一性に対し大きく影響するので、テンプレートの反りを抑制できる本発明を好適に適用できる。 In the SOI wafer polishing method of the present invention, the above-described polishing apparatus of the present invention is used, an SOI wafer is used as a workpiece, and the SOI layer of the SOI wafer is polished. In particular, the thickness of the SOI layer of the SOI wafer to be polished can be 1000 nm or less, and the polishing allowance can be 100 nm or less. In the case of such a small amount of polishing, a slight template warpage greatly affects the uniformity of the in-plane film thickness distribution, so that the present invention that can suppress the template warp can be suitably applied.
また、研磨するＳＯＩウェーハの発泡樹脂層の下面に当接する面は、研磨前の洗浄工程の最終薬液としてＨＦ水溶液を用いることで疎水性としておくことが好ましい。疎水性の面は親水性の面に比べてバッキング材の保持力が高いので、ワークを安定して保持できる。 Moreover, it is preferable that the surface which contacts the lower surface of the foamed resin layer of the SOI wafer to be polished is made hydrophobic by using an HF aqueous solution as the final chemical solution in the cleaning step before polishing. Since the hydrophobic surface has a higher holding power of the backing material than the hydrophilic surface, the workpiece can be stably held.
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples of the present invention, but the present invention is not limited to these.
（実施例）
図１に示すような本発明の研磨装置を用いてＳＯＩウェーハを研磨し、ＳＯＩ膜厚分布を評価した。
研磨したＳＯＩウェーハは、直径が３００ｍｍ、ＳＯＩ膜厚が８８ｎｍ、ＢＯＸ層厚が１４６ｎｍのものを用いた。研磨前の洗浄工程でＨＦ水溶液を用いて洗浄し、発泡樹脂層の下面に当接するＳＯＩウェーハの裏面を疎水性にした。
(Example)
The SOI wafer was polished using the polishing apparatus of the present invention as shown in FIG. 1, and the SOI film thickness distribution was evaluated.
A polished SOI wafer having a diameter of 300 mm, an SOI film thickness of 88 nm, and a BOX layer thickness of 146 nm was used. In the cleaning step before polishing, cleaning was performed using an HF aqueous solution to make the back surface of the SOI wafer in contact with the lower surface of the foamed resin layer hydrophobic.
テンプレートはガラスエポキシ樹脂製のものを用い、その内径を３０２ｍｍとし、保持プレートのリング部材の内周面より内側に突出した突出部の幅を５．５ｍｍとした。
バッキング材は、ＰＥＴフィルムからなる樹脂シート層及び発泡ウレタンからなる発泡樹脂層を有するものを用いた。
押さえ部材の材質はＰＯＭ製とし、垂直断面形状がＬ字型で、リング部材の内周面の全面に当接する円筒状の側面を有するものとした。また、Ｌ字型の底面の幅を４ｍｍとした。
A template made of glass epoxy resin was used, its inner diameter was 302 mm, and the width of the protruding portion protruding inward from the inner peripheral surface of the ring member of the holding plate was 5.5 mm.
As the backing material, a material having a resin sheet layer made of PET film and a foamed resin layer made of urethane foam was used.
The material of the pressing member is made of POM, the vertical cross-sectional shape is L-shaped, and it has a cylindrical side surface that contacts the entire inner peripheral surface of the ring member. The width of the L-shaped bottom surface was 4 mm.
研磨前にＳＯＩ膜厚分布を測定したところ、平均８７．８ｎｍ、Ｐ−Ｖ（Ｐｅａｋ ｔｏ Ｖａｌｌｅｙ）値は１．１ｎｍであった。
研磨後にＳＯＩ膜厚分布を測定したところ、平均５７．２ｎｍ、Ｐ−Ｖ値は２．９ｎｍであった。研磨後のＰ−Ｖ値が１．８ｎｍ増加したが、比較的小さい値に抑えることができた。また、図５に示すように、研磨後のウェーハの外周部にハネ形状は観察されなかった。更に、研磨代の面内分布のＰ−Ｖ値も２．６ｎｍに抑制することができた。
When the SOI film thickness distribution was measured before polishing, the average was 87.8 nm, and the PV (Peak to Valley) value was 1.1 nm.
When the SOI film thickness distribution was measured after polishing, the average was 57.2 nm and the PV value was 2.9 nm. Although the PV value after polishing increased by 1.8 nm, it could be suppressed to a relatively small value. In addition, as shown in FIG. 5, the shape of the honeycomb was not observed on the outer peripheral portion of the polished wafer. Furthermore, the PV value of the in-plane distribution of the polishing allowance could be suppressed to 2.6 nm.
このようにして本発明の研磨装置は、例えばＳＯＩウェーハなどのワークを研磨する際、ワークの外周部におけるハネ形状の形成を抑制できるものであることが確認できた。 As described above, it was confirmed that the polishing apparatus of the present invention can suppress the formation of a honeycomb shape on the outer peripheral portion of a workpiece when polishing a workpiece such as an SOI wafer.
（比較例）
押さえ部材を有さない従来の研磨装置を用いた以外、実施例と同様な条件でＳＯＩウェーハを研磨し、実施例と同様な方法で評価した。
研磨前のＳＯＩ膜厚分布は平均８８．１ｎｍ、Ｐ−Ｖ値は１．０ｎｍであったのに対し、研磨後のＳＯＩ膜厚分布は平均５６．４ｎｍ、Ｐ−Ｖ値は３．４ｎｍと大きかった。また、図５に示すように、研磨後のウェーハの外周部にハネ形状が明確に形成されていた。これは、外周部の研磨代が中央部に比べて小さかったことを示しており、そのため、研磨代の面内分布のＰ−Ｖ値は３．２ｎｍと大きくなってしまった。
(Comparative example)
An SOI wafer was polished under the same conditions as in the example except that a conventional polishing apparatus having no pressing member was used, and evaluated by the same method as in the example.
The SOI film thickness distribution before polishing averaged 88.1 nm and the PV value was 1.0 nm, while the SOI film thickness distribution after polishing averaged 56.4 nm and the PV value was 3.4 nm. It was big. In addition, as shown in FIG. 5, the shape of the honeycomb was clearly formed on the outer peripheral portion of the polished wafer. This indicates that the polishing allowance of the outer peripheral portion was smaller than that of the central portion. Therefore, the PV value of the in-plane distribution of the polishing allowance was as large as 3.2 nm.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.
１…研磨装置、 ２…研磨ヘッド、 ３…定盤、 ４…研磨布、
５…研磨剤供給機構、 ６…駆動軸、
２１…押さえ部材、 ２２…バッキング材、 ２３…樹脂シート層、
２４…発泡樹脂層、 ２５…テンプレート、 ２６…保持プレート、
２７…プレート、 ２８…リング部材、 ２９…圧力室、 ３０…流体供給手段。
DESCRIPTION OF
5 ... Abrasive supply mechanism, 6 ... Drive shaft,
21 ... Holding member, 22 ... Backing material, 23 ... Resin sheet layer,
24 ... foamed resin layer, 25 ... template, 26 ... holding plate,
27 ... Plate, 28 ... Ring member, 29 ... Pressure chamber, 30 ... Fluid supply means.
Claims (5)
前記テンプレートは前記保持プレートのリング部材の内周面より内側に突出して配置され、該突出したテンプレートの突出部を前記バッキング材を介して上方から押さえ付ける押さえ部材を有するものであり、前記押さえ部材の垂直断面形状はＬ字型であり、該押さえ部材の側面が前記保持プレートのリング部材の内周面に当接し、前記押さえ部材の底面で前記テンプレートの突出部を前記バッキング材を介して上方から押さえ付けるものであることを特徴とする研磨装置。 A polishing cloth affixed on the surface plate and a polishing head for holding the workpiece, and the polishing head has a ring member provided to extend downward to the outer periphery of the disk-shaped plate Fluid is applied to the holding plate, a backing material having a foamed resin layer adhered to the lower surface portion of the ring member of the holding plate and in contact with the back surface of the workpiece, and a pressure chamber surrounded by the holding plate and the backing material. Fluid supply means for supplying and pressing the backing material, and a ring-shaped template that is provided in the peripheral portion of the lower surface of the foamed resin layer of the backing material and holds the edge portion of the workpiece, A polishing apparatus for polishing a surface of a work by sliding the surface against the polishing cloth,
The templates are arranged to protrude inward from the inner circumferential surface of the ring member of the holding plate state, and are not having a pressing member for pressing the protruding portion of the template that has issued projecting from above through the backing material, the pressing The vertical cross-sectional shape of the member is L-shaped, the side surface of the pressing member abuts on the inner peripheral surface of the ring member of the holding plate, and the projecting portion of the template is placed on the bottom surface of the pressing member via the backing material. the polishing apparatus according to claim der Rukoto which presses from above.
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