JP5902137B2 - ストレージシステム - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態に係るストレージシステムの構成例を示す図である。ストレージシステム1は、ネットワーク2を介して1以上のサーバ3に接続される。
図18は、第2の実施形態に係るストレージシステムの構成例を示す図である。以降、第1の実施形態と同じ構成要素には、第1の実施形態と同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
例えばB木のように、階層の深さが変化する木構造が知られている。木構造の根ノードのオーダー(オーダーはエントリ数に等しい)が所定値に達した場合には、根ノードが分割されて階層の深さが一段分だけ増加する。第3の実施形態によれば、変換テーブルが複数に階層化されるとともに、変換テーブルの階層の深さが可変に構成されている。なお、第3の実施形態のストレージシステムが備える構成要素は、検索テーブルの構成を除いて第2の実施形態と同様である。ここでは、第2の実施形態の構成要素と同一の名称および符号を用いて説明する。
Claims (7)
- 夫々2以上の異なる方向に相互に接続される複数の物理メモリノードと、
外部からの要求に応じてコマンドを発行するコントロールユニットと、
を備え、
各物理メモリノードは、他の物理メモリノードとともに複数の論理メモリノードのうちの一を構成し、
各論理メモリノードは、外部からライトされる第1データを第1の物理メモリノードに記憶し、前記第1データの冗長データである第2データを前記第1の物理メモリノードと異なる第2の物理メモリノードに記憶し、
前記コマンドは、前記複数の論理メモリノードのうちの一を指定する第1アドレスと、論理メモリノード毎に割り当てられたメモリ空間内の前記第1データの記憶位置を指定する第2アドレスと、を備え、
各論理メモリノードは、前記第1アドレスが自論理メモリノードを指定しない場合、前記コマンドを他の論理メモリノードに転送し、前記第1アドレスが自論理メモリノードを指定する場合、前記第2アドレスに基づいて前記第1の物理メモリノード内の前記第1データの第1の記憶位置を演算するとともに前記第1の記憶位置に記憶される第1データに対応する第2データの前記第2の物理メモリノード内の第2の記憶位置を演算し、演算された各記憶位置に前記コマンドに応じたアクセスを行う、
ことを特徴とするストレージシステム。 - 各論理メモリノードは、前記コマンドがリードコマンドである場合、前記第1の記憶位置から前記第1データをリードし、リードに失敗した場合、前記第2の記憶位置から前記第2データをリードし、前記リードされた第2データを用いて前記リードに失敗した第1データを復元する、
ことを特徴とする請求項1に記載のストレージシステム。 - 各論理メモリノードは、前記コマンドがライトコマンドである場合、前記第1の記憶位置に記憶される前記第1データを更新するとともに、前記第2の記憶位置に記憶される前記第2データを前記第1データの更新に応じて更新する、
ことを特徴とする請求項1に記載のストレージシステム。 - 各物理メモリノードは、前記第2アドレスに基づいて前記第1の記憶位置を演算し、前記第1アドレスと前記第1の記憶位置との対が自物理メモリノードを示す場合には、前記演算された第1の記憶位置に対して前記コマンドに応じたアクセスを行い、前記第1アドレスと前記第1の記憶位置との対が自物理メモリノードを示さない場合には、自物理メモリノードに隣接された他の物理メモリノードに前記コマンドを転送する、
ことを特徴とする請求項1に記載のストレージシステム。 - 各物理メモリノードは、前記第1アドレスと前記第1の記憶位置との対が自物理メモリノードを示し、かつ、前記コマンドがリードコマンドである場合、前記第1の記憶位置から前記第1データをリードし、リードに失敗した場合、前記第2の記憶位置を演算し、自物理メモリノードと同一の論理メモリノードに属する第2の物理メモリノード内の前記第2の記憶位置から前記第2データをリードし、前記リードされた第2データを用いて前記リードに失敗した第1データを復元する、
ことを特徴とする請求項4に記載のストレージシステム。 - 各物理メモリノードは、前記第1アドレスと前記第1の記憶位置との対が自物理メモリノードを示し、かつ、前記コマンドがライトコマンドである場合、前記第1の記憶位置に記憶される前記第1データを更新し、前記第2の記憶位置を演算し、自物理メモリノードと同一の論理メモリノードに属する第2の物理メモリノード内の前記第2の記憶位置に記憶される前記第2データを前記第1データの更新に応じて更新する、
ことを特徴とする請求項4に記載のストレージシステム。 - 着脱可能なブレード基盤を複数備え、
各論理メモリノードを構成する第1の物理メモリノードと第2の物理メモリノードとは、夫々異なるブレード基盤に実装される、
ことを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載のストレージシステム。
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