JP5888002B2 - Wavelength variable interference filter, optical filter device, optical module, and electronic apparatus - Google Patents

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    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/26Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters

Description

本発明は、波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器に関する。   The present invention relates to a wavelength tunable interference filter, an optical filter device, an optical module, and an electronic apparatus.

従来、一対の基板の互いに対向する面に、それぞれ反射膜を所定のギャップを介して対向配置した波長可変干渉フィルターが知られている(例えば、特許文献1参照)。
このような波長可変干渉フィルターにより取り出される光の波長λは、反射膜間の距離をd、反射膜間の媒体の屈折率をn(空気の場合は、n=1)、光入射角をθ、mを次数とした場合、下記式(1)に示す条件を満たす。
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a wavelength variable interference filter in which reflection films are arranged on opposite surfaces of a pair of substrates with a predetermined gap therebetween (see, for example, Patent Document 1).
The wavelength λ of light extracted by such a tunable interference filter is such that the distance between the reflection films is d, the refractive index of the medium between the reflection films is n (in the case of air, n = 1), and the light incident angle is θ. , M satisfies the order shown in the following formula (1).

[数1]
mλ=2ndcosθ …(1)
[Equation 1]
mλ = 2nd cos θ (1)

(1)式に示すように、波長可変干渉フィルターの分光特性は、次数mが異なる複数のピーク波長を有する。したがって、波長可変干渉フィルターに対して広い波長帯域の光を入射させると、複数のピーク波長に対応した光が透過されることとなり、特定のピーク波長に対する光のみを抽出したい場合に不都合となる。   As shown in the equation (1), the spectral characteristic of the wavelength variable interference filter has a plurality of peak wavelengths having different orders m. Therefore, when light having a wide wavelength band is incident on the wavelength variable interference filter, light corresponding to a plurality of peak wavelengths is transmitted, which is inconvenient when it is desired to extract only light having a specific peak wavelength.

これに対して、上記のような波長可変干渉フィルターから、所定のピーク波長を取り出す装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1の光フィルターは、固定基板の両面側にそれぞれ可動基板が接合され、各基板を厚み方向から見た平面視において互いに重なる領域に、各基板にそれぞれ反射膜が設けられている。ここで、固定基板の反射膜は、一方の可動基板に対向する面に設けられ、この可動基板に設けられた反射膜との間で第一のファブリーペローエタロン素子が構成される。また、この固定基板の反射膜は、他方の可動対基板に設けられる反射膜との間に、固定基板自身を介して対向し、この反射膜との間に、第二のファブリーペローエタロン素子が構成される。
そして、この光フィルターは、可動基板の反射膜が設けられた可動部を固定基板に対して進退させることで、複数のピーク波長から所定の透過波長を選択する構成が採られている。
On the other hand, an apparatus for extracting a predetermined peak wavelength from the wavelength variable interference filter as described above is known (for example, see Patent Document 1).
In the optical filter of Patent Document 1, movable substrates are bonded to both sides of a fixed substrate, and each substrate is provided with a reflective film in a region overlapping each other in a plan view when the substrates are viewed from the thickness direction. Here, the reflective film of the fixed substrate is provided on a surface facing one of the movable substrates, and a first Fabry-Perot etalon element is configured with the reflective film provided on the movable substrate. Further, the reflective film of the fixed substrate is opposed to the reflective film provided on the other movable pair substrate via the fixed substrate itself, and the second Fabry-Perot etalon element is interposed between the reflective film and the reflective film. Composed.
The optical filter has a configuration in which a predetermined transmission wavelength is selected from a plurality of peak wavelengths by advancing and retreating a movable portion provided with a reflective film on the movable substrate with respect to the fixed substrate.

特開2005−31326号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2005-31326

ところで、上記特許文献1では、第二のファブリーペローエタロン素子は、固定基板の反射膜と、可動基板の反射膜との間に、固定基板が介在されることになる。このような構成では、固定基板の厚み寸法分だけ、反射膜間の距離の変更可能範囲が狭くなり、光フィルターにより選択可能な波長が制限されてしまうという課題がある。   By the way, in the above-mentioned Patent Document 1, in the second Fabry-Perot etalon element, the fixed substrate is interposed between the reflective film of the fixed substrate and the reflective film of the movable substrate. In such a configuration, there is a problem that the range in which the distance between the reflective films can be changed is narrowed by the thickness dimension of the fixed substrate, and the wavelengths that can be selected by the optical filter are limited.

本発明は、広い波長帯域の光から特定の波長を抽出可能な波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a variable wavelength interference filter, an optical filter device, an optical module, and an electronic apparatus that can extract a specific wavelength from light in a wide wavelength band.

本発明の波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向して配置された第二基板と、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられた第一反射膜と、前記第二基板の前記第一基板に対向する面に設けられ、前記第一反射膜に対して第一反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、前記第一反射膜間ギャップを変化させる第一アクチュエーターと、前記第一基板の前記第二基板に対向する面とは反対の面に対向して配置された第三基板と、前記第一基板の前記第三基板に対向する面に設けられた第三反射膜と、前記第三基板の前記第一基板に対向する面に設けられ、前記第三反射膜に対して第二反射膜間ギャップを介して対向する第四反射膜と、前記第二反射膜間ギャップを変化させる第二アクチュエーターと、を具備し、前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記第三反射膜、及び前記第四反射膜は、少なくとも一部が互いに重なり、前記第一アクチュエーターは、電圧印加により、前記第一反射膜間ギャップを変化させ、前記第二アクチュエーターは、電圧印加により、前記第二反射膜間ギャップを変化させ、前記平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれか一方は、他方の外周縁よりも外側に突出する第一突出部を備え、前記第一突出部には、前記第一アクチュエーターに電圧を印加する第一端子部が設けられ、前記平面視において、前記第一基板及び前記第三基板の少なくともいずれか一方は、他方の周縁よりも外側に突出する第二突出部を備え、前記第二突出部には、前記第二アクチュエーターに電圧を印加する第二端子部が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向して配置された第二基板と、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられた第一反射膜と、前記第二基板の前記第一基板に対向する面に設けられ、前記第一反射膜に対して第一反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、前記第一反射膜間ギャップを変化させる第一アクチュエーターと、前記第一基板の前記第二基板に対向する面とは反対の面に対向して配置された第三基板と、前記第一基板の前記第三基板に対向する面に設けられた第三反射膜と、前記第三基板の前記第一基板に対向する面に設けられ、前記第三反射膜に対して第二反射膜間ギャップを介して対向する第四反射膜と、前記第二反射膜間ギャップを変化させる第二アクチュエーターと、を具備し、前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記第三反射膜、及び前記第四反射膜は、少なくとも一部が互いに重なり、前記第一基板の一部が前記第二基板の外周縁よりも外側に突出する第一端子突出部と、前記第二基板の一部が前記第一基板の外周縁よりも外側に突出する第二端子突出部と、前記第一基板の一部が前記第三基板の外周縁よりも外側に突出する第三端子突出部と、前記第三基板の一部が前記第一基板の外周縁よりも外側に突出する第四端子突出部と、を備え、前記第一アクチュエーターは、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられる第一電極と、前記第二基板に設けられ、前記第一電極に所定のギャップを介して対向する第二電極とを備え、前記第二アクチュエーターは、前記第一基板の前記第三基板に対向する面に設けられる第三電極と、前記第三基板に設けられ、前記第三電極に所定のギャップを介して対向する第四電極とを備え、前記第一端子突出部には、前記第一電極に接続される第一端子が設けられ、前記第二端子突出部には、前記第二電極に接続される第二端子が設けられ、前記第三端子突出部には、前記第三電極に接続される第三端子が設けられ、前記第四端子突出部には、前記第四電極に接続される第四端子が設けられていることを特徴とする。
The wavelength tunable interference filter of the present invention includes a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, and a first reflection provided on a surface of the first substrate facing the second substrate. A second reflective film provided on a surface of the second substrate facing the first substrate and facing the first reflective film via a gap between the first reflective films; and the first reflective film. A first actuator that changes a gap between the first substrate, a third substrate disposed opposite to a surface opposite to the surface facing the second substrate of the first substrate, and the third substrate of the first substrate A third reflective film provided on the facing surface and a third reflective film provided on a surface of the third substrate facing the first substrate, facing the third reflective film via a second inter-reflective film gap. Four reflective films, and a second actuator that changes the gap between the second reflective films, In the plan view of the first substrate, the second substrate, and the third substrate viewed from the substrate thickness direction, the first reflective film, the second reflective film, the third reflective film, and the first four reflective film, Ri least some heavy Do each other, said first actuator, a voltage is applied, the first reflecting film between changing the gap, the second actuator, a voltage is applied, the second reflecting film An inter-gap is changed, and in the plan view, at least one of the first substrate and the second substrate includes a first protrusion that protrudes outward from the outer peripheral edge of the other, and the first protrusion Is provided with a first terminal for applying a voltage to the first actuator, and in the plan view, at least one of the first substrate and the third substrate protrudes more outward than the other peripheral edge. It includes a projecting portion, wherein the second protruding portion, wherein the second terminal unit for applying a voltage to the second actuator is provided.
The wavelength tunable interference filter according to the present invention includes a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, and a first substrate provided on a surface of the first substrate facing the second substrate. A second reflective film provided on a surface of the second substrate facing the first substrate and facing the first reflective film via a gap between the first reflective films; A first actuator for changing a gap between the reflective films; a third substrate disposed opposite to a surface of the first substrate opposite to the surface facing the second substrate; and the third substrate of the first substrate. A third reflective film provided on a surface facing the substrate and a surface of the third substrate facing the first substrate, and facing the third reflective film via a gap between the second reflective films And a second actuator for changing the gap between the second reflective films In the plan view of the first substrate, the second substrate, and the third substrate viewed from the substrate thickness direction, the first reflective film, the second reflective film, the third reflective film, and the fourth reflecting film, Ri least some heavy Do each other, a first terminal protrusion protruding outward from the outer peripheral edge of a portion of the first substrate is the second substrate, the second substrate- A second terminal protrusion that protrudes outward from the outer periphery of the first substrate; a third terminal protrusion that protrudes outward from the outer periphery of the third substrate; A portion of the third substrate that protrudes outward from the outer peripheral edge of the first substrate, and the first actuator is a surface of the first substrate that faces the second substrate. A first electrode provided on the second substrate, and a predetermined gap on the first electrode And the second actuator is provided on a surface of the first substrate facing the third substrate, and is provided on the third substrate, and the third electrode has a predetermined value on the third electrode. A first electrode connected to the first electrode is provided on the first terminal protrusion, and the second terminal protrusion is provided with the second electrode. A second terminal connected to the electrode is provided, the third terminal protruding portion is provided with a third terminal connected to the third electrode, and the fourth terminal protruding portion is provided with the fourth electrode. A fourth terminal to be connected is provided.

本発明では、第一基板の一方側に第二基板が設けられ、他方側に第三基板が設けられる。そして、第一基板及び第二基板には、それぞれ、互いに対向する第一反射膜及び第二反射膜が設けられており、第一アクチュエーターにより第一反射膜間ギャップのギャップ量が変更可能に構成されている。また、第一基板及び第三基板には、それぞれ、互いに対向する第三反射膜及び第四反射膜が設けられており、第二アクチュエーターにより第二反射膜間ギャップのギャップ量が変更可能に構成されている。
このような構成の波長可変干渉フィルターでは、第一反射膜間ギャップ及び第二反射膜間ギャップにおけるギャップ量を異なる値に設定し、かつ、第一反射膜及び第二反射膜により取り出される複数のピーク波長の1つと、第三反射膜及び第四反射膜により取り出される複数のピーク波長の1つと重ね合わせるように、各ギャップ量を設定する。これにより、複数のピーク波長の光のうち、重なり合ったピーク波長に対応した光を取出すことができる。
In the present invention, the second substrate is provided on one side of the first substrate, and the third substrate is provided on the other side. The first substrate and the second substrate are respectively provided with a first reflecting film and a second reflecting film that face each other, and the gap amount of the gap between the first reflecting films can be changed by the first actuator. Has been. Further, the first substrate and the third substrate are provided with a third reflecting film and a fourth reflecting film, respectively, facing each other, and the gap amount of the gap between the second reflecting films can be changed by the second actuator. Has been.
In the wavelength tunable interference filter having such a configuration, the gap amounts in the first inter-reflective film gap and the second inter-reflective film gap are set to different values, and a plurality of values extracted by the first reflective film and the second reflective film are used. Each gap amount is set so as to overlap one of the peak wavelengths with one of the plurality of peak wavelengths extracted by the third reflection film and the fourth reflection film. Thereby, the light corresponding to the peak wavelength which overlapped among the light of a plurality of peak wavelengths can be taken out.

ここで、第一反射膜間ギャップ及び第二反射膜間ギャップのいずれかに、基板等が介在する構成では、反射膜間ギャップの変化可能範囲が小さくなる。例えば、第二反射膜間ギャップに基板等が介在する場合、第二反射膜間ギャップのギャップ量として、設定可能範囲が小さくなる。このため、第一反射膜及び第二反射膜により取り出される光のピーク波長の内の1つに重ね合わせることが可能な波長域も小さくなり、その結果、波長可変干渉フィルターにより取り出すことが可能な波長域が狭くなる。
これに対して、本発明では、第一反射膜間ギャップ及び第二反射膜間ギャップには、それぞれ、基板等を構成する部材が介在せず、反射膜間ギャップのギャップ量の変更可能範囲を大きくできる。これにより、波長可変干渉フィルターに広い波長帯域の光が入射した場合でも、所望の特定波長の光を取り出すことができる。
Here, in a configuration in which a substrate or the like is interposed in either the first inter-reflection film gap or the second inter-reflection film gap, the changeable range of the inter-reflection film gap is small. For example, when a substrate or the like is interposed in the gap between the second reflection films, the settable range becomes small as the gap amount of the gap between the second reflection films. For this reason, the wavelength range that can be superimposed on one of the peak wavelengths of the light extracted by the first reflective film and the second reflective film is also reduced, and as a result, it can be extracted by the wavelength variable interference filter. The wavelength range is narrowed.
On the other hand, in the present invention, the first reflecting film gap and the second reflecting film gap do not include any members constituting the substrate, and the gap range of the reflecting film gap can be changed. Can be big. Thereby, even when light in a wide wavelength band is incident on the wavelength variable interference filter, light having a desired specific wavelength can be extracted.

本発明の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板は、可視光に対して透光性を有することが好ましい。
本発明では、第一基板、第二基板、及び第三基板が可視光に対して透光性を有するため、波長可変干渉フィルターにより取り出すことが可能な波長域として、可視光域から近赤外域の広い波長域をカバーすることができる。
In the wavelength tunable interference filter according to the aspect of the invention, it is preferable that the first substrate, the second substrate, and the third substrate have translucency with respect to visible light.
In the present invention, since the first substrate, the second substrate, and the third substrate have translucency with respect to visible light, the wavelength region that can be extracted by the wavelength variable interference filter is from the visible light region to the near infrared region. A wide wavelength range can be covered.

本発明の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板は、石英基板、又はガラス基板であることが好ましい。
本発明では、第一基板、第二基板、及び第三基板は、石英基板又はガラス基板であるため、ウェットエッチング等の加工処理により、容易に基板形状を加工することができる。
In the wavelength tunable interference filter according to the aspect of the invention, it is preferable that the first substrate, the second substrate, and the third substrate are a quartz substrate or a glass substrate.
In the present invention, since the first substrate, the second substrate, and the third substrate are quartz substrates or glass substrates, the substrate shape can be easily processed by processing such as wet etching.

本発明の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第二基板は、第一可動部と、前記平面視において前記第一可動部の周囲に設けられた第一保持部とを有し、前記第二反射膜は、前記第一可動部に設けられていることが好ましい。   In the wavelength tunable interference filter according to the aspect of the invention, the second substrate includes a first movable portion, and a first holding portion provided around the first movable portion in the plan view, and the second reflective film. Is preferably provided in the first movable part.

本発明では、第一可動部が第一保持部に保持される構成であるため、第一保持部を撓ませることで第一可動部を容易に第一基板に対して進退させることが可能となる。また、第一保持部が撓んだ際の第一可動部の撓みを抑制できるため、第一可動部に設けられる第二反射膜の歪みも抑制でき、波長可変干渉フィルターの分解能を向上させることができる。   In the present invention, since the first movable part is configured to be held by the first holding part, the first movable part can be easily moved forward and backward with respect to the first substrate by bending the first holding part. Become. Moreover, since the bending of the first movable part when the first holding part is bent can be suppressed, the distortion of the second reflective film provided on the first movable part can also be suppressed, and the resolution of the wavelength variable interference filter can be improved. Can do.

本発明の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第三基板は、第二可動部と、前記平面視において前記第二可動部の周囲に設けられた第二保持部とを有し、前記第四反射膜は、前記第二可動部に設けられていることが好ましい。   In the variable wavelength interference filter according to the aspect of the invention, the third substrate includes a second movable portion and a second holding portion provided around the second movable portion in the plan view, and the fourth reflective film. Is preferably provided in the second movable part.

本発明では、第二可動部が第二保持部に保持される構成であるため、第二保持部を撓ませることで第二可動部を容易に第一基板に対して進退させることが可能となる。また、第二保持部が撓んだ際の第二可動部の撓みを抑制できるため、第二可動部に設けられる第四反射膜の歪みも抑制でき、波長可変干渉フィルターの分解能を向上させることができる。   In the present invention, since the second movable part is configured to be held by the second holding part, the second movable part can be easily moved forward and backward with respect to the first substrate by bending the second holding part. Become. Moreover, since the bending of the second movable part when the second holding part is bent can be suppressed, the distortion of the fourth reflective film provided in the second movable part can also be suppressed, and the resolution of the wavelength variable interference filter can be improved. Can do.

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第一アクチュエーターは、電圧印加により、前記第一反射膜間ギャップを変化させ、前記第二アクチュエーターは、電圧印加により、前記第二反射膜間ギャップを変化させ、前記平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれか一方は、他方の外周縁よりも外側に突出する第一突出部を備え、前記第一突出部には、前記第一アクチュエーターに電圧を印加する第一端子部が設けられ、前記平面視において、前記第一基板及び前記第三基板の少なくともいずれか一方は、他方の外周縁よりも外側に突出する第二突出部を備え、前記第二突出部には、前記第二アクチュエーターに電圧を印加する第二端子部が設けられていることを特徴とするIn the wavelength tunable interference filter according to the aspect of the invention, the first actuator may change the gap between the first reflection films by applying a voltage, and the second actuator may change the gap between the second reflection films by applying a voltage. in the plan view, the at least one of the first substrate and the second substrate includes a first protrusion protruding outward from the other of the outer peripheral edge, said first projection, the first the first terminal portion is provided for applying a voltage to the actuator, in the plan view, the first substrate and at least one of the third substrate, the second protrusion protruding outward from the other of the outer peripheral edge provided, wherein the second protruding portion, wherein the second terminal unit for applying a voltage to the second actuator is provided.

本発明では、第一基板及び第二基板のうちの少なくともいずれか一方が、他方の基板の外周縁より外側に突出し、第一アクチュエーターに電圧を印加するための第一端子部が設けられる第一突出部を構成する。同様に、第一基板及び第三基板の内の少なくともいずれか一方が、他方の基板の外周縁より外側に突出し、第二アクチュエーターに電圧を印加するための第二端子部が設けられる第二突出部を構成する。
このような構成では、3つの基板が接合される場合であっても、第一端子部及び第二端子部が外側に突出しているので、電圧印加のための配線を設けやすくなり、配線時の作業効率を向上できる。
In the present invention, at least one of the first substrate and the second substrate protrudes outward from the outer peripheral edge of the other substrate, and a first terminal portion for applying a voltage to the first actuator is provided. Configure the protrusion. Similarly, at least one of the first substrate and the third substrate protrudes outside the outer peripheral edge of the other substrate, and a second protrusion is provided with a second terminal portion for applying a voltage to the second actuator. Parts.
In such a configuration, even when three substrates are bonded, the first terminal portion and the second terminal portion protrude outward, so that it is easy to provide wiring for voltage application, and at the time of wiring Work efficiency can be improved.

本発明の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一アクチュエーターは、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられる第一電極と、前記第二基板に設けられ、前記第一電極に所定のギャップを介して対向する第二電極とを備え、前記第二アクチュエーターは、前記第一基板の前記第三基板に対向する面に設けられる第三電極と、前記第三基板に設けられ、前記第三電極に所定のギャップを介して対向する第四電極とを備え、前記平面視において、前記第一基板及び第二基板の少なくともいずれか一方は、他方の外周縁よりも外側に突出する第一突出部を備え、前記第一突出部には、前記第一電極に接続される第一端子と、前記第二電極に接続される第二端子と、が設けられ、前記平面視において、前記第一基板及び第三基板の少なくともいずれか一方は、他方の外周縁よりも外側に突出する第二突出部を備え、前記第二突出部には、前記第三電極に接続される第三端子と、前記第四電極に接続される第四端子と、が設けられたことが好ましい。   In the wavelength tunable interference filter according to the aspect of the invention, the first actuator may include a first electrode provided on a surface of the first substrate facing the second substrate, a second electrode provided on the second substrate, and the first electrode provided on the first electrode. A second electrode facing the gap through the gap, and the second actuator is provided on a surface of the first substrate facing the third substrate, provided on the third substrate, A fourth electrode opposed to the third electrode via a predetermined gap, and in the plan view, at least one of the first substrate and the second substrate protrudes outward from the outer peripheral edge of the other. The first protrusion is provided with a first terminal connected to the first electrode and a second terminal connected to the second electrode, and in the plan view, Small number of first and third substrates At least one of the two includes a second protrusion that protrudes outward from the outer peripheral edge of the other, and the second protrusion includes a third terminal connected to the third electrode, and a fourth electrode. It is preferable that a fourth terminal to be connected is provided.

この発明では、第一基板及び第二基板のうちの少なくともいずれか一方は、他方の基板の外周縁より外側に突出して第一突出部を構成する。そして、第一アクチュエーターは、第一電極及び第二電極により構成される静電アクチュエーターであり、第一電極に接続された第一端子、及び第二電極に接続された第二端子が、それぞれ、第一突出部に設けられる。同様に、第一基板及び第三基板の内の少なくともいずれか一方が、他方の基板の外周縁より外側に突出して第二突出部を構成する。そして、第二アクチュエーターは、第三電極及び第四電極により構成される静電アクチュエーターであり、第三電極に接続された第三端子、及び第四電極に接続された第四端子が、それぞれ、第二突出部に設けられる。
このような構成では、3つの基板が接合される場合であっても、第一端子部及び第二端子部が外側に突出しているので、上記発明と同様に、これらの第一及び第二端子部に、第一及び第二静電アクチュエーターに接続される第一端子、第二端子、第三端子、及び第四端子を設けることができる。これにより、各端子が波長可変干渉フィルターの外面に露出される構成となり、各アクチュエーターに電圧を印加するための配線を設けやすくなり、配線時の作業効率を向上できる。
また、本発明では、第一端子及び第二端子が、同一の第一端子部に設けられることになる。したがって、第一突出部に対して、例えば第一端子及び第二端子に対する接続部分を有するFPC(Flexible printed circuits)を接続することで、これらの端子に対して同時に接続を実施することができる。これにより、例えば、第一端子及び第二端子が、それぞれ異なる突出部に設けられる構成等に比べて、配線時の作業効率をより向上させることができる。第三端子及び第四端子においても同様であり、第二突出部にこれらの第三端子及び第四端子の双方が設けられることで、配線時の作業効率をより向上させることができる。
In the present invention, at least one of the first substrate and the second substrate protrudes outward from the outer peripheral edge of the other substrate to constitute the first protrusion. The first actuator is an electrostatic actuator composed of a first electrode and a second electrode, and a first terminal connected to the first electrode and a second terminal connected to the second electrode are respectively Provided on the first protrusion. Similarly, at least one of the first substrate and the third substrate protrudes outward from the outer peripheral edge of the other substrate to form a second protrusion. And the 2nd actuator is an electrostatic actuator comprised by the 3rd electrode and the 4th electrode, and the 3rd terminal connected to the 3rd electrode and the 4th terminal connected to the 4th electrode, respectively, Provided on the second protrusion.
In such a configuration, even when three substrates are bonded, the first terminal portion and the second terminal portion protrude outward. The part may be provided with a first terminal, a second terminal, a third terminal, and a fourth terminal connected to the first and second electrostatic actuators. As a result, each terminal is exposed to the outer surface of the wavelength tunable interference filter, and it is easy to provide wiring for applying a voltage to each actuator, and work efficiency during wiring can be improved.
Moreover, in this invention, a 1st terminal and a 2nd terminal will be provided in the same 1st terminal part. Therefore, for example, by connecting an FPC (Flexible printed circuits) having a connection portion for the first terminal and the second terminal to the first projecting portion, it is possible to simultaneously connect to these terminals. Thereby, the work efficiency at the time of wiring can be improved more compared with the structure etc. in which a 1st terminal and a 2nd terminal are provided in a different protrusion part, for example. The same applies to the third terminal and the fourth terminal. By providing both the third terminal and the fourth terminal in the second projecting portion, the work efficiency during wiring can be further improved.

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第一基板の一部が前記第二基板の外周縁よりも外側に突出する第一端子突出部と、前記第二基板の一部が前記第一基板の外周縁よりも外側に突出する第二端子突出部と、前記第一基板の一部が前記第三基板の外周縁よりも外側に突出する第三端子突出部と、前記第三基板の一部が前記第一基板の外周縁よりも外側に突出する第四端子突出部と、を備え、前記第一アクチュエーターは、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられる第一電極と、前記第二基板に設けられ、前記第一電極に所定のギャップを介して対向する第二電極とを備え、前記第二アクチュエーターは、前記第一基板の前記第三基板に対向する面に設けられる第三電極と、前記第三基板に設けられ、前記第三電極に所定のギャップを介して対向する第四電極とを備え、前記第一端子突出部には、前記第一電極に接続される第一端子が設けられ、前記第二端子突出部には、前記第二電極に接続される第二端子が設けられ、前記第三端子突出部には、前記第三電極に接続される第三端子が設けられ、前記第四端子突出部には、前記第四電極に接続される第四端子が設けられていることを特徴とするIn the wavelength tunable interference filter according to the aspect of the invention, a part of the first substrate protrudes outward from an outer peripheral edge of the second substrate, and a part of the second substrate is a part of the first substrate. A second terminal protruding portion that protrudes outward from the outer peripheral edge, a third terminal protruding portion in which a portion of the first substrate protrudes outward from the outer peripheral edge of the third substrate, and a portion of the third substrate A fourth terminal projecting portion projecting outward from the outer peripheral edge of the first substrate, and the first actuator is a first electrode provided on a surface of the first substrate facing the second substrate; A second electrode provided on the second substrate and facing the first electrode via a predetermined gap, and the second actuator is provided on a surface of the first substrate facing the third substrate. A third electrode provided on the third substrate, and the third electrode A first electrode connected to the first electrode is provided on the first terminal protrusion, and the second electrode is provided on the second terminal protrusion. A third terminal connected to the third electrode is provided on the third terminal protrusion, and a fourth terminal is connected to the fourth electrode on the fourth terminal protrusion. wherein the fourth terminal is provided that is.

本発明では、第一アクチュエーターは、互いに対向する第一電極及び第二電極により構成され、電圧印加により電極間に静電引力を作用させることで第一反射膜間ギャップのギャップ量を変化させる。同様に、第二アクチュエーターも、互いに対向する第三電極及び第四電極により構成される。
このような構成では、例えば、圧電素子等を用いた構成に比べて、部材点数を少なくでき、かつ、電圧印加により精度よく、ギャップ量の調整を実施できる。
そして、波長可変干渉フィルターは、第一基板の一部が第二基板の外周縁より突出して構成され、第一電極に接続された第一端子が設けられる第一端子突出部と、第二基板の一部が第一基板の外周縁よりも突出して構成され、第二電極に接続された第二端子が設けられる第二端子突出部を備える。このような構成では、第一端子は、第一電極が設けられる第一基板の第一端子突出部に引き出され、第二端子は、第二電極が設けられる第二基板の第二端子突出部に引き出される。このため、例えば、第二電極の引出線を、別途導電性部材を介して第一基板の第一端子突出部に設けられた端子まで引き出す場合に比べて、各基板構成を簡略化でき、かつ、配線時の作業効率性を向上させることができる。
第二アクチュエーターを構成する第三電極及び第四電極に対しても同様であり、第三電極及び第四電極を、それぞれ、第三端子突出部に設けられた第三端子及び第四端子突出部に設けられた第四端子に引き出すことで、各基板構成の簡略化を図れ、配線作業の効率化を図ることができる。
In the present invention, the first actuator is composed of a first electrode and a second electrode facing each other, and changes the gap amount of the gap between the first reflective films by applying an electrostatic attractive force between the electrodes by applying a voltage. Similarly, the second actuator is also composed of a third electrode and a fourth electrode facing each other.
In such a configuration, for example, the number of members can be reduced as compared with a configuration using a piezoelectric element or the like, and the gap amount can be adjusted with high accuracy by applying a voltage.
The wavelength tunable interference filter includes a first terminal protruding portion in which a part of the first substrate protrudes from the outer peripheral edge of the second substrate, the first terminal connected to the first electrode, and the second substrate. Is provided so as to protrude from the outer peripheral edge of the first substrate, and includes a second terminal protruding portion provided with a second terminal connected to the second electrode. In such a configuration, the first terminal is drawn out to the first terminal protrusion of the first substrate on which the first electrode is provided, and the second terminal is the second terminal protrusion of the second substrate on which the second electrode is provided. Pulled out. For this reason, for example, compared with the case where the lead wire of the second electrode is pulled out to the terminal provided in the first terminal protrusion of the first substrate through a separate conductive member, each substrate configuration can be simplified, and The work efficiency during wiring can be improved.
The same applies to the third electrode and the fourth electrode constituting the second actuator, and the third electrode and the fourth electrode are respectively provided on the third terminal protruding portion and the third terminal protruding portion. By pulling out to the fourth terminal provided in the circuit board, the configuration of each board can be simplified, and the efficiency of wiring work can be improved.

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記平面視において、前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板は、互いに重なる矩形状の基板重なり部を有し、かつ、前記第一端子突出部、前記第二端子突出部、前記第三端子突出部、及び前記第四端子突出部は、それぞれ、前記基板重なり部の互いに異なる辺から異なる方向に突出し、前記第二基板は、前記基板重なり部から前記第三端子突出部の突出方向と同一方向に、かつ、同一寸法だけ突出し、前記第三基板は、前記基板重なり部から前記第一端子突出部の突出方向と同一方向に、かつ、同一寸法だけ突出することが好ましい。   In the wavelength tunable interference filter according to the aspect of the invention, in the plan view, the first substrate, the second substrate, and the third substrate have rectangular substrate overlapping portions that overlap each other, and the first terminal protrusions The second terminal protruding portion, the third terminal protruding portion, and the fourth terminal protruding portion protrude from different sides of the substrate overlapping portion in different directions, and the second substrate overlaps the substrate overlapping portion. Projecting from the portion in the same direction as the projecting direction of the third terminal projecting portion and by the same dimension, the third substrate from the substrate overlapping portion in the same direction as the projecting direction of the first terminal projecting portion, and It is preferable to protrude by the same dimension.

上述のように、第一端子突出部、第二端子突出部、第三端子突出部、及び第四端子突出部を設ける場合、例えば、第一基板、第二基板、及び第三基板を基板厚み方向から見た平面視において、所定の一方向に沿って、階段状にずらしてこれらの基板を配置することで、各端子部を設けることが考えられる。しかしながら、このような基板配置では、製造効率性が悪化する。
すなわち、波長可変干渉フィルターを製造する場合、1つのウエハに複数の波長可変干渉フィルターを並列配置させた状態で製造し、最後にチップ単位に切断することで、個々の波長可変干渉フィルターを製造することが好ましい。しかしながら、上記のように、基板を階段状にずらして配置する場合、第一基板、第二基板及び第三基板をそれぞれ異なるラインで切断する必要があり、特に、第二基板及び第三基板に挟まれる第一基板の切断が困難となる。
As described above, when the first terminal protrusion, the second terminal protrusion, the third terminal protrusion, and the fourth terminal protrusion are provided, for example, the first substrate, the second substrate, and the third substrate are set to the substrate thickness. In the plan view seen from the direction, it is conceivable to provide each terminal portion by arranging these substrates in a staircase pattern along a predetermined direction. However, with such a substrate arrangement, the production efficiency deteriorates.
That is, when manufacturing a wavelength tunable interference filter, each wavelength tunable interference filter is manufactured by cutting a plurality of wavelength tunable interference filters arranged in parallel on one wafer, and finally cutting each chip. It is preferable. However, as described above, when the substrates are arranged in a staircase pattern, it is necessary to cut the first substrate, the second substrate, and the third substrate along different lines, respectively. It becomes difficult to cut the first substrate to be sandwiched.

これに対して、本発明では、第一端子突出部、第二端子突出部、第三端子突出部、及び第四端子突出部が、それぞれ、矩形状の基板重なり部の各辺に設けられ、それぞれ基板重なり部から離れる方向(互いに異なる方向)に突出して設けられる。そして、第二基板は、第三端子突出部と同方向で、同一寸法だけ突出しており、第三基板は、第一端子突出部と同方向で、同一寸法だけ突出する形状となる。このような構成では、第一基板の第三端子突出部の突出先端のラインと、第二基板の外周縁のラインとが同一となり、同じ切断ラインで切断することができる。同様に、第一基板の第三端子突出部の突出先端のラインと、第三基板の外周縁のラインとが同一となり、同じラインで切断することができる。これにより、第一基板、第二基板、及び第三基板を接合した後に、容易に第一基板を切断することができ、製造効率性を向上させることができる。   On the other hand, in the present invention, the first terminal projecting portion, the second terminal projecting portion, the third terminal projecting portion, and the fourth terminal projecting portion are each provided on each side of the rectangular substrate overlapping portion, Each is provided so as to protrude in a direction away from the substrate overlapping portion (a direction different from each other). The second board protrudes by the same dimension in the same direction as the third terminal protrusion, and the third board has a shape protruding by the same dimension in the same direction as the first terminal protrusion. In such a configuration, the protruding tip line of the third terminal protruding portion of the first substrate and the outer peripheral line of the second substrate are the same, and can be cut along the same cutting line. Similarly, the line at the protruding tip of the third terminal protruding portion of the first substrate and the line at the outer peripheral edge of the third substrate are the same, and can be cut along the same line. Thereby, after joining a 1st board | substrate, a 2nd board | substrate, and a 3rd board | substrate, a 1st board | substrate can be easily cut | disconnected and manufacturing efficiency can be improved.

本発明の波長可変干渉フィルターは、基板と、第一反射膜、前記第一反射膜に対して第一反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜、及び前記第一反射膜間ギャップを変化させる第一アクチュエーターを含む第一ファブリーペロー可変エタロンと、第三反射膜、前記第三反射膜に対して第二反射膜間ギャップを介して対向する第四反射膜、及び前記第二反射膜間ギャップを変化させる第二アクチュエーターを含む第二ファブリーペロー可変エタロンと、を具備し、前記第一ファブリーペロー可変エタロンと前記第二ファブリーペロー可変エタロンは、前記基板を挟んで前記基板両側に配置され、前記第一反射膜は、前記基板の一の面に配置され、前記第三反射膜は前記基板の他の面に配置されており、前記基板を前記基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記第三反射膜、及び前記第四反射膜は、少なくとも一部が互いに重なっていることを特徴とする。   The wavelength tunable interference filter of the present invention includes a substrate, a first reflection film, a second reflection film facing the first reflection film via a first reflection film gap, and the first reflection film gap. A first Fabry-Perot variable etalon including a first actuator to be changed, a third reflective film, a fourth reflective film facing the third reflective film via a gap between the second reflective films, and the second reflective film A second Fabry-Perot variable etalon including a second actuator that changes a gap between the first Fabry-Perot variable etalon and the second Fabry-Perot variable etalon, and the second Fabry-Perot variable etalon is disposed on both sides of the substrate. The first reflective film is disposed on one surface of the substrate, the third reflective film is disposed on the other surface of the substrate, and the substrate is viewed from the thickness direction of the substrate. In plan view, the first reflecting film, the second reflecting film, the third reflective layer, and the fourth reflective film is characterized in that at least partially overlap each other.

本発明では、基板の一方側に第一ファブリーペロー可変エタロンが設けられ、基板の他方側に第二ファブリーペロー可変エタロンが設けられる構成となる。このような構成の波長可変干渉フィルターでは、上記発明と同様に、第一反射膜間ギャップ及び第二反射膜間ギャップにおけるギャップ量を異なる値に設定し、かつ、第一反射膜及び第二反射膜により取り出される複数のピーク波長の1つと、第三反射膜及び第四反射膜により取り出される複数のピーク波長の1つと重ね合わせるように、各ギャップ量を設定する。これにより、複数のピーク波長の光のうち、重なり合ったピーク波長に対応した光を取出すことができる。
また、本発明では、基板の一方側の面に第一反射膜が設けられ、他方側の面に第三反射膜が設けられる構成となる。つまり、第一ファブリーペロー可変エタロンの第一反射膜間ギャップにも、第二ファブリーペロー可変エタロンの第二反射膜間ギャップにも基板が介在しない構成となるので、第一及び第二反射膜間ギャップのギャップ量の変更可能範囲を大きくできる。これにより、波長可変干渉フィルターに広い波長帯域の光が入射した場合でも、所望の特定波長の光を取り出すことができる。
In the present invention, the first Fabry-Perot variable etalon is provided on one side of the substrate, and the second Fabry-Perot variable etalon is provided on the other side of the substrate. In the wavelength tunable interference filter having such a configuration, the gap amounts in the first reflective film gap and the second reflective film gap are set to different values as in the above invention, and the first reflective film and the second reflective film are set. Each gap amount is set so as to overlap one of the plurality of peak wavelengths extracted by the film with one of the plurality of peak wavelengths extracted by the third reflection film and the fourth reflection film. Thereby, the light corresponding to the peak wavelength which overlapped among the light of a plurality of peak wavelengths can be taken out.
In the present invention, the first reflective film is provided on one surface of the substrate, and the third reflective film is provided on the other surface. In other words, since the substrate is not interposed in the gap between the first reflective films of the first Fabry-Perot variable etalon nor in the gap between the second reflective films of the second Fabry-Perot variable etalon, The changeable range of the gap amount can be increased. Thereby, even when light in a wide wavelength band is incident on the wavelength variable interference filter, light having a desired specific wavelength can be extracted.

本発明の光学フィルターデバイスは、上述したような波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を具備していることを特徴とする。 An optical filter device according to the present invention includes the above-described variable wavelength interference filter and a housing that houses the variable wavelength interference filter .

本発明の光学フィルターデバイスでは、上述した発明と同様、波長可変干渉フィルターにおいて、広い波長帯域に対して所望のピーク波長の光を取り出すことができる。また、波長可変干渉フィルターが筐体に収納される構成であるため、帯電物質や水粒子等の異物の侵入を抑制できる。これにより、反射膜への帯電物質の付着による第一反射膜間ギャップ及び第二反射膜間ギャップの変動や、各反射膜の劣化を防止することができる。また、運搬時の波長可変干渉フィルターの保護や、波長可変干渉フィルターを機器へ組み込む際の作業効率性を向上させることができる。   In the optical filter device of the present invention, similarly to the above-described invention, in the wavelength variable interference filter, light having a desired peak wavelength can be extracted over a wide wavelength band. In addition, since the wavelength tunable interference filter is housed in the housing, it is possible to suppress the entry of foreign substances such as charged substances and water particles. Thereby, the fluctuation | variation of the gap between 1st reflective films by the adhesion of the charged substance to a reflective film and the gap between 2nd reflective films, and deterioration of each reflective film can be prevented. In addition, the wavelength tunable interference filter can be protected during transportation, and the work efficiency when the wavelength tunable interference filter is incorporated into equipment can be improved.

本発明の光学モジュールは、上述したような波長可変干渉フィルターと、光を検出する検出部と、を具備し、前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記第三反射膜、及び前記第四反射膜重なり合った領域により光干渉領域が構成され、前記検出部は、前記光干渉領域により取り出された光を検出することを特徴とする。 An optical module of the present invention includes the above-described wavelength variable interference filter and a detection unit that detects light, and the first substrate, the second substrate, and the third substrate are viewed from the substrate thickness direction. in the plan view, the first reflecting film, the second reflecting film, the third reflective layer, and the optical interference region is constituted by the fourth reflecting film are overlapped area, the detection unit, the optical interference region The light extracted by the step is detected.

本発明では、広い波長帯域を有する測定対象光に対しても、第一反射膜間ギャップ及び第二反射膜間ギャップのギャップ量を調整することで、所望のピーク波長の光を取り出すことができる。したがって、当該特定のピーク波長の光を検出部により検出することができる。したがって、広い波長帯域を有する測定対象光から、所望の特定波長の光の光量を精度よく検出することができる。   In the present invention, it is possible to extract light having a desired peak wavelength by adjusting the gap amounts of the first reflective film gap and the second reflective film gap even for measurement target light having a wide wavelength band. . Therefore, the light of the specific peak wavelength can be detected by the detection unit. Therefore, it is possible to accurately detect the amount of light of a desired specific wavelength from the measurement target light having a wide wavelength band.

本発明の電子機器は、上述したような波長可変干渉フィルターと、前記第一アクチュエーター及び前記第二アクチュエーターを制御する制御部と、を具備したことを特徴とする。 An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described wavelength variable interference filter, and a control unit that controls the first actuator and the second actuator.

本発明では、広い波長帯域を有する測定対象光に対しても、第一反射膜間ギャップ及び第二反射膜間ギャップのギャップ量を調整することで、所望のピーク波長の光を取り出すことができる。したがって、電子機器においても、例えばこれらの反射膜間により取り出された波長の光を検出して、その検出した光に基づいて、各種処理を実施する場合に、特定波長以外の波長の光が混入せず、正確な処理を実施することができる。   In the present invention, it is possible to extract light having a desired peak wavelength by adjusting the gap amounts of the first reflective film gap and the second reflective film gap even for measurement target light having a wide wavelength band. . Therefore, even in electronic equipment, for example, when light of a wavelength extracted between these reflective films is detected and various processing is performed based on the detected light, light of a wavelength other than a specific wavelength is mixed. Without being able to perform accurate processing.

本発明の電子機器において、前記制御部は、前記第二反射膜間ギャップを、前記第一反射膜間ギャップとは異なる値に設定し、かつ、所定の測定対象波長域内において、前記第一反射膜及び前記第二反射膜により取り出される複数のピーク波長の内の1つと、前記第三反射膜及び前記第四反射膜により取り出される複数のピーク波長の内の1つとが重なる状態に、前記第一反射膜間ギャップ及び前記第二反射膜間ギャップをそれぞれ設定することが好ましい。   In the electronic device according to the aspect of the invention, the control unit may set the gap between the second reflection films to a value different from the gap between the first reflection films and the first reflection within a predetermined measurement target wavelength range. One of a plurality of peak wavelengths extracted by the film and the second reflective film overlaps one of a plurality of peak wavelengths extracted by the third reflective film and the fourth reflective film. It is preferable to set the gap between one reflective film and the gap between the second reflective films.

本発明では、制御部は、第一反射膜間ギャップ及び第二反射膜間ギャップのギャップ量を異なる値に設定する。そして、制御部は、測定対象波長域において、第一反射膜及び第二反射膜により取り出される光のピーク波長のうちの1つと、第三反射膜及び第四反射膜により取り出される光のピーク波長のうちの1つとが重なるように、ギャップ量を調整する。
これにより、特定のピーク波長を除き、第一反射膜及び第二反射膜により取り出される光のピーク波長の位置、及び第三反射膜及び第四反射膜により取り出される光のピーク波長の位置がずれた状態となり、特定のピーク波長の光のみを取り出すことができる。
In the present invention, the control unit sets the gap amounts of the first reflective film gap and the second reflective film gap to different values. Then, the control unit, in the measurement target wavelength range, one of the peak wavelengths of the light extracted by the first reflective film and the second reflective film, and the peak wavelength of the light extracted by the third reflective film and the fourth reflective film The gap amount is adjusted so that one of the two overlaps.
Thereby, except for a specific peak wavelength, the positions of the peak wavelengths of light extracted by the first reflective film and the second reflective film and the positions of the peak wavelengths of light extracted by the third reflective film and the fourth reflective film are shifted. Thus, only light having a specific peak wavelength can be extracted.

本発明に係る第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図。1 is a block diagram showing a schematic configuration of a spectrometer according to a first embodiment of the present invention. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。The top view which shows schematic structure of the wavelength variable interference filter of 1st embodiment. 図2の波長可変干渉フィルターをIII-III線で断面した際の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of the variable wavelength interference filter of FIG. 2 taken along line III-III. (A)第一実施形態の第一基板を第二基板側から見た平面図。(B)第一実施形態の第一基板を第三基板側から見た平面図。(A) The top view which looked at the 1st board | substrate of 1st embodiment from the 2nd board | substrate side. (B) The top view which looked at the 1st substrate of the first embodiment from the 3rd substrate side. 第一実施形態の第二基板を第一基板側から見た平面図。The top view which looked at the 2nd substrate of the first embodiment from the 1st substrate side. 第一実施形態の第三基板を第一基板側から見た平面図。The top view which looked at the 3rd board | substrate of 1st embodiment from the 1st board | substrate side. 波長可変干渉フィルターの透過特性の一例を示す図。The figure which shows an example of the transmission characteristic of a wavelength variable interference filter. 第一実施形態の第一基板の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of the 1st board | substrate of 1st embodiment. 第一実施形態の第二基板の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of the 2nd board | substrate of 1st embodiment. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造におけるチップ製造工程を示す図。The figure which shows the chip | tip manufacturing process in manufacture of the wavelength variable interference filter of 1st embodiment. 第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。The top view which shows schematic structure of the wavelength variable interference filter of 2nd embodiment. 図11の波長可変干渉フィルターのA−A線を断面した際の断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view of the tunable interference filter of FIG. 11 taken along line AA. 図11の波長可変干渉フィルターのB−B線を端面した際の断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view of the wavelength tunable interference filter of FIG. 第二実施形態の波長可変フィルターの製造におけるチップ製造工程を示す図。The figure which shows the chip | tip manufacturing process in manufacture of the wavelength tunable filter of 2nd embodiment. 第三実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the optical filter device of 3rd embodiment. 本発明の波長可変干渉フィルターを備えたガス検出装置(電子機器)を示す概略図。Schematic which shows the gas detection apparatus (electronic device) provided with the wavelength variable interference filter of this invention. 図16のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the control system of the gas detection apparatus of FIG. 本発明の波長可変干渉フィルターを備えた食物分析装置(電子機器)の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the food-analysis apparatus (electronic device) provided with the wavelength variable interference filter of this invention. 本発明の波長可変干渉フィルターを備えた分光カメラ(電子機器)の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the spectroscopic camera (electronic device) provided with the wavelength variable interference filter of this invention.

[第一実施形態]
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
[分光測定装置の構成]
図1は、本発明に係る分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置1は、例えば測定対象Xで反射した測定対象光における各波長の光強度を分析し、分光スペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Xで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Xとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
そして、この分光測定装置1は、図1に示すように、光学モジュール10と、光学モジュール10から出力された信号を処理する制御回路部20と、を備えている。
[First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[Configuration of Spectrometer]
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a spectrometer according to the present invention.
The spectroscopic measurement device 1 is a device that analyzes the light intensity of each wavelength in the measurement target light reflected by the measurement target X, for example, and measures the spectral spectrum. In this embodiment, an example of measuring the measurement target light reflected by the measurement target X is shown. However, when a light emitter such as a liquid crystal panel is used as the measurement target X, the light emitted from the light emitter is measured. The target light may be used.
As shown in FIG. 1, the spectroscopic measurement apparatus 1 includes an optical module 10 and a control circuit unit 20 that processes a signal output from the optical module 10.

[光学モジュールの構成]
光学モジュール10は、波長可変干渉フィルター5と、検出部11と、I−V変換器12と、アンプ13と、A/D変換器14と、電圧制御部15とを備える。
この光学モジュール10は、測定対象Xで反射された測定対象光を、入射光学系(図示略)を通して、波長可変干渉フィルター5に導き、波長可変干渉フィルター5を透過した光を検出部11で受光する。そして、検出部11から出力された検出信号は、I−V変換器12、アンプ13、及びA/D変換器14を介して制御回路部20に出力される。
[Configuration of optical module]
The optical module 10 includes a variable wavelength interference filter 5, a detection unit 11, an IV converter 12, an amplifier 13, an A / D converter 14, and a voltage control unit 15.
The optical module 10 guides the measurement target light reflected by the measurement target X to the wavelength variable interference filter 5 through an incident optical system (not shown), and receives the light transmitted through the wavelength variable interference filter 5 by the detection unit 11. To do. The detection signal output from the detection unit 11 is output to the control circuit unit 20 via the IV converter 12, the amplifier 13, and the A / D converter 14.

[波長可変干渉フィルターの構成]
次に、光学モジュールに組み込まれる波長可変干渉フィルターについて説明する。
図2は、波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す平面図である。図3は、図2をIII-III線で断面した際の断面図である。
波長可変干渉フィルター5は、図2及び図3に示すように、第一基板51(本発明における基板)、第二基板52、及び第三基板53を備えている。これらの各基板51,52,53は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等により形成されている。そして、第一基板51及び第二基板52は、接合膜54A(図3参照)により接合され、第一基板及び第三基板53は、接合膜54B(図3参照)により接合されている。これらの接合膜54A,54Bとしては、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等を用いることができる。
[Configuration of wavelength tunable interference filter]
Next, a variable wavelength interference filter incorporated in the optical module will be described.
FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the variable wavelength interference filter 5. 3 is a cross-sectional view of FIG. 2 taken along the line III-III.
As shown in FIGS. 2 and 3, the variable wavelength interference filter 5 includes a first substrate 51 (a substrate in the present invention), a second substrate 52, and a third substrate 53. Each of these substrates 51, 52, and 53 is formed of, for example, various glasses such as soda glass, crystalline glass, quartz glass, lead glass, potassium glass, borosilicate glass, and alkali-free glass, crystal, and the like. . The first substrate 51 and the second substrate 52 are bonded by a bonding film 54A (see FIG. 3), and the first substrate and the third substrate 53 are bonded by a bonding film 54B (see FIG. 3). As the bonding films 54A and 54B, for example, a plasma polymerized film mainly containing siloxane can be used.

第一基板51の第二基板52に対向する面には第一反射膜551が設けられ、第二基板52の第一基板51に対向する面には第二反射膜552が設けられている。これらの第一反射膜551及び第二反射膜552は、第一反射膜間ギャップ(以降、第一ギャップと略す場合がある)G1を介して対向配置されている。
また、波長可変干渉フィルター5には、第一反射膜551及び第二反射膜552の間の第一ギャップG1のギャップ量gを調整するのに用いられる静電アクチュエーター56A(第一アクチュエーター)が設けられている。この静電アクチュエーター56Aは、第一基板51側に設けられる第一電極561と、第二基板52側に設けられる第二電極562とを備えている。
したがって、第一反射膜551、第二反射膜552、及び静電アクチュエーター56Aにより、本発明の第一ファブリーペロー可変エタロンが構成される。
A first reflective film 551 is provided on the surface of the first substrate 51 facing the second substrate 52, and a second reflective film 552 is provided on the surface of the second substrate 52 facing the first substrate 51. The first reflective film 551 and the second reflective film 552 are disposed to face each other through a first inter-reflective film gap (hereinafter, sometimes abbreviated as a first gap) G1.
Further, the variable wavelength interference filter 5, a first reflective layer 551 and the first gap G1 electrostatic actuator 56A which is used to adjust the gap amount g 1 between the second reflective film 552 (first actuator) is Is provided. The electrostatic actuator 56A includes a first electrode 561 provided on the first substrate 51 side and a second electrode 562 provided on the second substrate 52 side.
Therefore, the first reflective film 551, the second reflective film 552, and the electrostatic actuator 56A constitute the first Fabry-Perot variable etalon of the present invention.

更に、波長可変干渉フィルター5における第一基板51の第三基板53に対向する面には第三反射膜553が設けられ、第三基板53の第一基板51に対向する面には第四反射膜554が設けられている。これらの第三反射膜553及び第四反射膜554は、第二反射膜間ギャップ(以降、第二ギャップと略す場合がある)G2を介して対向配置されている。ここで、第二ギャップG2は、第三反射膜553及び第四反射膜554がギャップ量gで対向する。
また、波長可変干渉フィルター5には、第三反射膜553及び第四反射膜554の間の第二ギャップG2のギャップ量gを調整するのに用いられる静電アクチュエーター56B(第二アクチュエーター)が設けられている。この静電アクチュエーター56Bは、第一基板51側に設けられる第三電極563と、第三基板53側に設けられる第四電極564とを備えている。
したがって、第三反射膜553、第四反射膜554、及び静電アクチュエーター56Bにより、本発明の第二ファブリーペロー可変エタロンが構成される。
Further, a third reflective film 553 is provided on the surface of the variable wavelength interference filter 5 that faces the third substrate 53 of the first substrate 51, and the fourth reflection is provided on the surface of the third substrate 53 that faces the first substrate 51. A membrane 554 is provided. The third reflective film 553 and the fourth reflective film 554 are disposed to face each other via a second inter-reflective film gap (hereinafter may be abbreviated as a second gap) G2. Here, the second gap G2, the third reflective layer 553 and the fourth reflective layer 554 is opposed with a gap weight g 2.
Further, the variable wavelength interference filter 5, a third reflective layer 553 and the second gap G2 of the electrostatic actuator 56B used to adjust the gap distance g 2 between the fourth reflecting film 554 (second actuator) is Is provided. The electrostatic actuator 56B includes a third electrode 563 provided on the first substrate 51 side and a fourth electrode 564 provided on the third substrate 53 side.
Therefore, the second Fabry-Perot variable etalon of the present invention is configured by the third reflective film 553, the fourth reflective film 554, and the electrostatic actuator 56B.

そして、波長可変干渉フィルター5を第一基板51、第二基板52、及び第三基板53の基板厚み方向から見た平面視(フィルター平面視)において、第一反射膜551、第二反射膜552、第三反射膜553、及び第四反射膜554は互いに重なり合っており、この重なり合う領域により光干渉領域Ar0が構成される。   The first reflective film 551 and the second reflective film 552 are seen in a plan view (filter plan view) when the variable wavelength interference filter 5 is viewed from the thickness direction of the first substrate 51, the second substrate 52, and the third substrate 53. The third reflection film 553 and the fourth reflection film 554 overlap each other, and the overlapping region constitutes a light interference region Ar0.

また、フィルター平面視において、各反射膜551,552,553,554の中心点が一致し、この中心点は、後述する可動部521の中心点と一致し、かつ、第一基板51、第二基板52、及び第三基板53が互いに重なり合う基板重なり部555(図2において、頂点C1,C2,C3,C4により囲われる領域)の中心点と一致する。
ここで、本実施形態では、フィルター平面視において、第一反射膜551、第二反射膜552、第三反射膜553、及び第四反射膜554が同一形状に設けられることで、各反射膜551,552,553,554の全面が重なり合う構成としているが、これに限られない。例えば、各反射膜551,552,553,554の一部が重なり合って、光干渉領域を構成してもよく、この場合、検出部11が当該光干渉領域を透過した光に対応した範囲に設けられていればよい。
ここで、第一反射膜551及び第二反射膜552により第一光干渉部55Aが構成され、第三反射膜553及び第四反射膜554により第二光干渉部55Bが構成されるものとする。
そして、本実施形態では、光学モジュール10に入射した測定対象光は、第三基板53側に入射され、第一光干渉部55A及び第二光干渉部55Bの光干渉領域Ar0により取り出された光は、第二基板52を透過して検出部11に入射する。
Further, in the filter plan view, the center points of the reflection films 551, 552, 553, and 554 coincide with each other, and the center point coincides with the center point of the movable portion 521 described later, and the first substrate 51 and the second substrate 51 The substrate 52 and the third substrate 53 coincide with the center point of the substrate overlap portion 555 where the substrate 52 and the third substrate 53 overlap each other (a region surrounded by the vertices C1, C2, C3, and C4 in FIG. 2).
Here, in this embodiment, the first reflective film 551, the second reflective film 552, the third reflective film 553, and the fourth reflective film 554 are provided in the same shape in the filter plan view, so that each reflective film 551 is provided. , 552, 553, and 554 are overlapped with each other, but the present invention is not limited to this. For example, a part of each of the reflective films 551, 552, 553, and 554 may overlap to form a light interference region. In this case, the detection unit 11 is provided in a range corresponding to the light transmitted through the light interference region. It only has to be done.
Here, the first reflection film 551 and the second reflection film 552 constitute a first light interference part 55A, and the third reflection film 553 and the fourth reflection film 554 constitute a second light interference part 55B. .
In this embodiment, the measurement target light incident on the optical module 10 is incident on the third substrate 53 side, and is extracted by the light interference region Ar0 of the first light interference unit 55A and the second light interference unit 55B. Passes through the second substrate 52 and enters the detection unit 11.

[第一基板の構成]
次に、第一基板51の構成について詳述する。
図4(A)は、第一基板51を第二基板52側から見た平面図である。図4(B)は、第一基板51を第三基板53側から見た平面図である。
第一基板51は、頂点C5,C6,C7,C8を有する矩形板状部材である。この第一基板51は、第二基板52及び第三基板53に対して厚み寸法が大きく形成されており、第一電極561及び第二電極562間に電圧を印加した際の静電引力や、第一電極561の内部応力による第一基板51の撓みはない。この第一基板51の第二基板52に対向する面には、エッチングにより形成される電極配置溝511及び反射膜設置部512が設けられる。同様に、第一基板51の第三基板53に対向する面には、エッチングにより形成される電極配置溝513及び反射膜設置部514が設けられる。
[Configuration of the first substrate]
Next, the configuration of the first substrate 51 will be described in detail.
FIG. 4A is a plan view of the first substrate 51 viewed from the second substrate 52 side. FIG. 4B is a plan view of the first substrate 51 viewed from the third substrate 53 side.
The first substrate 51 is a rectangular plate member having vertices C5, C6, C7, and C8. The first substrate 51 has a larger thickness dimension than the second substrate 52 and the third substrate 53, and electrostatic attraction when a voltage is applied between the first electrode 561 and the second electrode 562, There is no bending of the first substrate 51 due to the internal stress of the first electrode 561. On the surface of the first substrate 51 facing the second substrate 52, an electrode arrangement groove 511 and a reflective film installation portion 512 formed by etching are provided. Similarly, on the surface of the first substrate 51 facing the third substrate 53, an electrode arrangement groove 513 and a reflection film installation portion 514 formed by etching are provided.

また、図2、図3に示すように、第一基板51の矩形一端C5−C6は、基板重なり部555の一辺C1−C2から−X側に突出し、第一端子突出部515(第一突出部)を構成する。また、第一基板51の矩形他端C7−C8は、基板重なり部555の一辺C3−C4から+X側に突出し、第三端子突出部516(第二突出部)を構成する。
さらに、第一基板51には、第二基板52に対向する面に2つの電極配置溝511から延出する電極引出溝511Bが形成され、第三基板53に対向する面に2つの電極配置溝513から延出する電極引出溝513Bが形成されている。
2つの電極引出溝511Bのうちの一方は、−X側に延出して第一端子突出部515の第二基板52側の面に繋がり、他方は、第一基板51の+X側の端辺まで延出する。2つの電極引出溝513Bのうちの一方は、+X側に延出して第三端子突出部516の第三基板53側の面に繋がり、他方は、第一基板51の−X側の端辺まで延出する。
そして、第一端子突出部515,電極引出溝511Bは、電極配置溝511の形成時に同時に形成され、電極配置溝511と同一深さ寸法に形成されている。同様に、第三端子突出部516,電極引出溝513Bは、電極配置溝513の形成時に同時に形成され、電極配置溝513と同一深さ寸法に形成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the rectangular one end C <b> 5-C <b> 6 of the first substrate 51 protrudes from the one side C <b> 1-C <b> 2 of the substrate overlap portion 555 to the −X side. Part). In addition, the other rectangular ends C7 to C8 of the first substrate 51 protrude from the one side C3 to C4 of the substrate overlapping portion 555 to the + X side, and constitute a third terminal protruding portion 516 (second protruding portion).
Further, the first substrate 51 is formed with electrode extraction grooves 511 </ b> B extending from the two electrode arrangement grooves 511 on the surface facing the second substrate 52, and two electrode arrangement grooves on the surface facing the third substrate 53. An electrode lead groove 513 </ b> B extending from 513 is formed.
One of the two electrode extraction grooves 511 </ b> B extends to the −X side and is connected to the surface of the first terminal protruding portion 515 on the second substrate 52 side, and the other extends to the + X side end of the first substrate 51. Extend. One of the two electrode lead-out grooves 513B extends to the + X side and is connected to the surface of the third terminal protrusion 516 on the third substrate 53 side, and the other extends to the −X side end of the first substrate 51. Extend.
The first terminal protrusion 515 and the electrode extraction groove 511 </ b> B are formed at the same time when the electrode arrangement groove 511 is formed, and are formed to have the same depth as the electrode arrangement groove 511. Similarly, the third terminal protruding portion 516 and the electrode extraction groove 513B are formed at the same time as the electrode arrangement groove 513 is formed, and are formed to have the same depth as the electrode arrangement groove 513.

電極配置溝511,513は、フィルター平面視で、基板重なり部555の中心点Oを中心とした環状に形成されている。反射膜設置部512,514は、フィルター平面視において、電極配置溝511,513の中心部から面外方向に突出して形成される。
電極配置溝511の溝底面(電極設置面511A)には、第一電極561が設けられ、反射膜設置部512の突出先端面(反射膜設置面512A)には、第一反射膜551が設けられる。また、第三基板53に対向する電極配置溝513の溝底面(電極設置面513A)には、第三電極563が設けられ、反射膜設置部514の突出先端面(反射膜設置面514A)には、第三反射膜553が設けられる。
The electrode arrangement grooves 511 and 513 are formed in an annular shape centering on the center point O of the substrate overlapping portion 555 in the filter plan view. The reflection film installation portions 512 and 514 are formed so as to protrude in the out-of-plane direction from the center portions of the electrode arrangement grooves 511 and 513 in the filter plan view.
A first electrode 561 is provided on the groove bottom surface (electrode installation surface 511A) of the electrode arrangement groove 511, and a first reflection film 551 is provided on the protruding front end surface (reflection film installation surface 512A) of the reflection film installation part 512. It is done. A third electrode 563 is provided on the groove bottom surface (electrode installation surface 513A) of the electrode arrangement groove 513 facing the third substrate 53, and on the protruding front end surface (reflection film installation surface 514A) of the reflection film installation portion 514. The third reflective film 553 is provided.

電極設置面511A,電極設置面513Aに設けられる第一電極561及び第三電極563は、中心点Oを中心とした環状に形成され、好ましくは、円環状に形成されている。なお、この環形状としては、当該円環形状の一部が分断されている構成、例えば略C字状となる構成をも含む。
そして、第一基板51には、第一電極561の外周縁から第一端子突出部515まで延出する第四電極564が形成され、この第一引出電極565の先端部は、第一端子突出部515において第一端子565A(第一端子部)を構成する。また、第一端子565Aは、波長可変干渉フィルター5を第二基板52側から見た際に、波長可変干渉フィルター5の表面に露出しており、この第一端子565Aの露出部分に対して配線が接続されることで、電圧制御部15から第一電極561に電圧信号の印加が可能となる。
同様に、第一基板51には、第三電極563の外周縁から第三端子突出部516まで延出する第三引出電極567が形成され、この第三引出電極567の先端部は、第三端子突出部516において第三端子567A(第二端子部)を構成する。また、第三端子567Aは、波長可変干渉フィルター5を第三基板53側から見た際に、波長可変干渉フィルター5の表面に露出しており、この第三端子567Aの露出部分に配線が接続されることで、電圧制御部15から第一電極561に電圧信号の印加が可能となる。
これらの第一電極561、第三電極563、第一引出電極565、及び第三引出電極567としては、導電性膜であれば、いかなる電極材料を用いてもよく、例えば、ITOや、Cr/Au積層電極等を用いることができる。
なお、この第一電極561及び第三電極563上には、絶縁耐圧を確保するために、絶縁膜が積層される構成としてもよい。
The first electrode 561 and the third electrode 563 provided on the electrode installation surface 511A and the electrode installation surface 513A are formed in an annular shape centering on the center point O, preferably in an annular shape. The ring shape includes a structure in which a part of the ring shape is divided, for example, a substantially C-shaped structure.
And the 4th electrode 564 extended from the outer periphery of the 1st electrode 561 to the 1st terminal protrusion part 515 is formed in the 1st board | substrate 51, The front-end | tip part of this 1st extraction electrode 565 is a 1st terminal protrusion. The part 515 constitutes a first terminal 565A (first terminal part). The first terminal 565A is exposed on the surface of the variable wavelength interference filter 5 when the variable wavelength interference filter 5 is viewed from the second substrate 52 side, and the first terminal 565A is wired to the exposed portion of the first terminal 565A. Is connected, the voltage control unit 15 can apply a voltage signal to the first electrode 561.
Similarly, a third extraction electrode 567 extending from the outer peripheral edge of the third electrode 563 to the third terminal protruding portion 516 is formed on the first substrate 51, and the distal end portion of the third extraction electrode 567 is the third extraction electrode 567. The terminal protrusion 516 constitutes a third terminal 567A (second terminal portion). The third terminal 567A is exposed on the surface of the tunable interference filter 5 when the tunable interference filter 5 is viewed from the third substrate 53 side, and wiring is connected to the exposed portion of the third terminal 567A. Thus, a voltage signal can be applied from the voltage control unit 15 to the first electrode 561.
As the first electrode 561, the third electrode 563, the first extraction electrode 565, and the third extraction electrode 567, any electrode material may be used as long as it is a conductive film. For example, ITO, Cr / Cr / An Au laminated electrode or the like can be used.
Note that an insulating film may be stacked over the first electrode 561 and the third electrode 563 in order to ensure withstand voltage.

反射膜設置部512の反射膜設置面512Aには、第一反射膜551が設けられる。同様に、反射膜設置部514の反射膜設置面514Aには、第三反射膜553が設けられる。これらの第一反射膜551及び第三反射膜553としては、例えばAg等の金属膜や、Ag合金等の合金膜を用いることができる。また、第一反射膜551及び第三反射膜553としては、例えば高屈折層をTiO、低屈折層をSiOとした誘電体多層膜を用いてもよく、誘電体多層膜及び金属膜を積層した反射膜や、誘電体単層膜及び合金膜を積層した反射膜等を用いてもよい。
さらには、第一反射膜551及び第三反射膜553として、異なる種類の反射膜を用いてもよい。例えば、第一反射膜551として合金膜を用い、第三反射膜553として誘電体多層膜を用いてもよい。
A first reflective film 551 is provided on the reflective film installation surface 512 </ b> A of the reflective film installation unit 512. Similarly, a third reflective film 553 is provided on the reflective film installation surface 514A of the reflective film installation unit 514. As the first reflective film 551 and the third reflective film 553, for example, a metal film such as Ag or an alloy film such as an Ag alloy can be used. Further, as the first reflective film 551 and the third reflective film 553, for example, a dielectric multilayer film in which the high refractive layer is TiO 2 and the low refractive layer is SiO 2 may be used. You may use the reflecting film which laminated | stacked, the reflecting film which laminated | stacked the dielectric single layer film | membrane, and the alloy film.
Further, different types of reflective films may be used as the first reflective film 551 and the third reflective film 553. For example, an alloy film may be used as the first reflective film 551, and a dielectric multilayer film may be used as the third reflective film 553.

[第二基板の構成]
次に、第二基板52の構成について詳述する。図5は、第二基板52を第一基板51側から見た平面図である。
第二基板52は、図2に示すように、頂点C1,C2,C9,C10を有する矩形板状部材であり、基板重なり部555において、第一基板51に接合される。この第二基板52は、図2、図3及び図5に示すように、中心点Oを中心とした円形の可動部521(第一可動部)と、可動部521と同軸であり、可動部521を保持する保持部522(第一保持部)とを備える。
また、第二基板52は、図2、図3に示すように、第二基板52の矩形一端側(+X側)には、第一基板51の第三端子突出部516の端辺C7−C8よりも+X側に突出する第二端子突出部523(第一突出部)が設けられる。また、第二基板52の−X側の端辺C1−C2は、基板重なり部555の端辺C1−C2と一致する。これにより、上述したように、波長可変干渉フィルター5を第二基板52側から見た際に、第一基板51の第一端子突出部515及び第一端子565Aが第二基板52側に露出する構成となる。
[Configuration of second substrate]
Next, the configuration of the second substrate 52 will be described in detail. FIG. 5 is a plan view of the second substrate 52 as viewed from the first substrate 51 side.
As shown in FIG. 2, the second substrate 52 is a rectangular plate member having vertices C <b> 1, C <b> 2, C <b> 9, and C <b> 10, and is bonded to the first substrate 51 at the substrate overlap portion 555. As shown in FIGS. 2, 3, and 5, the second substrate 52 has a circular movable portion 521 (first movable portion) centered on the center point O, and is coaxial with the movable portion 521, and is movable. And a holding unit 522 (first holding unit) that holds 521.
As shown in FIGS. 2 and 3, the second substrate 52 has an edge C <b> 7-C <b> 8 of the third terminal protruding portion 516 of the first substrate 51 on the rectangular one end side (+ X side) of the second substrate 52. 2nd terminal protrusion part 523 (1st protrusion part) which protrudes to the + X side rather than is provided. Further, the −X side edge C <b> 1-C <b> 2 of the second substrate 52 coincides with the edge C <b> 1-C <b> 2 of the substrate overlapping portion 555. Thereby, as described above, when the wavelength tunable interference filter 5 is viewed from the second substrate 52 side, the first terminal protruding portion 515 and the first terminal 565A of the first substrate 51 are exposed to the second substrate 52 side. It becomes composition.

可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第二基板52の厚み寸法と同一寸法に形成される。また、可動部521は、フィルター平面視において、少なくとも第一電極561の外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成される。そして、可動部521の第一基板51に対向する面は、反射膜設置面512Aに平行な可動面521Aとなり、第二反射膜552及び第二電極562が設けられる。   The movable part 521 is formed to have a thickness dimension larger than that of the holding part 522. For example, in this embodiment, the movable part 521 is formed to have the same dimension as the thickness dimension of the second substrate 52. In addition, the movable portion 521 is formed to have a diameter larger than at least the diameter of the outer peripheral edge of the first electrode 561 in the filter plan view. The surface of the movable portion 521 facing the first substrate 51 is a movable surface 521A parallel to the reflective film installation surface 512A, and the second reflective film 552 and the second electrode 562 are provided.

第二反射膜552は、上述した第一反射膜551と同一の構成の反射膜が用いられる。
第二電極562は、フィルター平面視において、第一電極561と同様の円環形状に形成され、第一電極561と重なる領域に設けられている。また、第二基板52には、第二電極562の外周縁から第二基板52の外周部まで延出する第二引出電極566が設けられている。この第二引出電極566は、2つの電極引出溝511Bのうち+X側に向かって延出する一方側、つまり第一引出電極565が設けられていない電極引出溝511Bに沿って延出している。そして、この第二引出電極566の先端部は、第二端子突出部523において第二端子566A(第一端子部)を構成する。この第二端子566Aは、波長可変干渉フィルター5を第三基板53側から見た際に、波長可変干渉フィルター5の表面に露出しており、この第二端子566Aの露出部分に対して配線が接続されることで、電圧制御部15から第二電極562に電圧信号の印加が可能となる。
なお、これらの第二電極562及び第二引出電極566としては、第一電極561等と同様、導電性膜であれば、いかなる電極材料を用いてもよく、例えば、ITOや、Cr/Au積層電極等を用いることができる。また、第一電極561や第三電極563と同様、第二電極562上に絶縁耐圧を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。
The second reflective film 552 is a reflective film having the same configuration as the first reflective film 551 described above.
The second electrode 562 is formed in an annular shape similar to the first electrode 561 in the filter plan view, and is provided in a region overlapping the first electrode 561. The second substrate 52 is provided with a second extraction electrode 566 extending from the outer peripheral edge of the second electrode 562 to the outer periphery of the second substrate 52. The second extraction electrode 566 extends along one side of the two electrode extraction grooves 511B extending toward the + X side, that is, along the electrode extraction groove 511B in which the first extraction electrode 565 is not provided. The distal end portion of the second extraction electrode 566 constitutes a second terminal 566A (first terminal portion) in the second terminal protruding portion 523. The second terminal 566A is exposed on the surface of the wavelength tunable interference filter 5 when the wavelength tunable interference filter 5 is viewed from the third substrate 53 side, and wiring is connected to the exposed portion of the second terminal 566A. By being connected, a voltage signal can be applied from the voltage control unit 15 to the second electrode 562.
As the second electrode 562 and the second extraction electrode 566, any electrode material may be used as long as it is a conductive film, like the first electrode 561, for example, ITO or Cr / Au laminated layer. An electrode or the like can be used. Further, similarly to the first electrode 561 and the third electrode 563, an insulating film for securing a withstand voltage may be stacked on the second electrode 562.

また、可動部521には、第一基板51とは反対の面において、反射防止膜が形成されていてもよい。この反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成することができる。   Further, an antireflection film may be formed on the movable portion 521 on the surface opposite to the first substrate 51. This antireflection film can be formed by alternately laminating a low refractive index film and a high refractive index film.

保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイアフラムであり、可動部521よりも厚み方向に対する剛性が小さく形成されている。
このため、保持部522は可動部521よりも撓みやすく、僅かな静電引力により第一基板51側に撓ませることが可能となる。この際、可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、静電引力により第二基板52を撓ませる力が作用した場合でも、可動部521の撓みはほぼなく、可動部521に形成された第二反射膜552の撓みも防止できる。
なお、本実施形態では、ダイアフラム状の保持部522を例示するが、これに限定されず、例えば、中心点Oを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成等としてもよい。
The holding part 522 is a diaphragm that surrounds the periphery of the movable part 521, and is formed with less rigidity in the thickness direction than the movable part 521.
For this reason, the holding part 522 is more easily bent than the movable part 521 and can be bent toward the first substrate 51 by a slight electrostatic attraction. At this time, since the movable portion 521 has a thickness dimension larger than that of the holding portion 522 and becomes rigid, even when a force that bends the second substrate 52 due to electrostatic attraction acts, the movable portion 521 is hardly bent. Further, it is possible to prevent the second reflective film 552 formed on the movable portion 521 from being bent.
In the present embodiment, the diaphragm-like holding portion 522 is exemplified, but the present invention is not limited thereto. For example, a configuration in which beam-like holding portions arranged at equiangular intervals around the center point O are provided. It is good.

[第三基板の構成]
次に、第三基板53の構成について詳述する。図6は、第三基板53を第一基板51側から見た平面図である。
第三基板53は、図2に示すように、頂点C3,C4,C11,C12を有する矩形板状部材であり、基板重なり部555において、第一基板51に接合されている。この第三基板53は、図2、図3及び図6に示すように、中心点Oを中心とした円形の可動部531(第二可動部)と、可動部531と同軸であり、可動部531を保持する保持部532(第二保持部)とを備える。可動部531及び保持部532の構成は、第二基板52の可動部521及び保持部522と同様であるため、ここでの説明は省略する。
また、第三基板53は、図2、図3に示すように、第三基板53の矩形一端側(−X側)には、第一基板51の第一端子突出部515の端辺C5−C6よりも−X側に突出する第四端子突出部533(第二突出部)が設けられる。また、第三基板53の+X側の端辺C3−C4は、基板重なり部555の端辺C3−C4と一致する。これにより、上述したように、波長可変干渉フィルター5を第三基板53側から見た際に、第一基板51の第三端子突出部516及び第三端子567Aが第三基板53側に露出する構成となる。
[Configuration of third substrate]
Next, the configuration of the third substrate 53 will be described in detail. FIG. 6 is a plan view of the third substrate 53 as viewed from the first substrate 51 side.
As shown in FIG. 2, the third substrate 53 is a rectangular plate member having vertices C <b> 3, C <b> 4, C <b> 11, and C <b> 12, and is bonded to the first substrate 51 at the substrate overlap portion 555. As shown in FIGS. 2, 3, and 6, the third substrate 53 has a circular movable portion 531 (second movable portion) centered on the center point O, and is coaxial with the movable portion 531. A holding portion 532 (second holding portion) for holding 531. Since the configuration of the movable portion 531 and the holding portion 532 is the same as that of the movable portion 521 and the holding portion 522 of the second substrate 52, description thereof is omitted here.
Further, as shown in FIGS. 2 and 3, the third substrate 53 has an end C <b> 5-1 of the first terminal protrusion 515 of the first substrate 51 on the rectangular one end side (−X side) of the third substrate 53. A fourth terminal protruding portion 533 (second protruding portion) that protrudes to the −X side from C6 is provided. Also, the + X side edge C3-C4 of the third substrate 53 coincides with the edge C3-C4 of the substrate overlapping portion 555. Thereby, as described above, when the wavelength tunable interference filter 5 is viewed from the third substrate 53 side, the third terminal protruding portion 516 and the third terminal 567A of the first substrate 51 are exposed to the third substrate 53 side. It becomes composition.

可動部531の第一基板51に対向する面である可動面531Aには、第四反射膜554及び第四電極564が設けられる。
第四反射膜554は、上述した第三反射膜553と同一の構成の反射膜が用いられる。
第四電極564は、フィルター平面視において、第三電極563と同様の円環形状に形成されており、第三電極563と重なる領域に設けられている。また、第三基板53には、第四電極564の外周縁から第三基板53の外周部まで延出する第四引出電極568が設けられている。この第四引出電極568は、2つの電極引出溝513Bのうち−X側に向かって延出する一方側、つまり第三引出電極567が設けられていない電極引出溝513Bに沿って延出している。そして、この第四引出電極568の先端部は、第四端子突出部533において第四端子568A(第二端子部)を構成する。また、第四端子568Aは、波長可変干渉フィルター5を第二基板52側から見た際に、波長可変干渉フィルター5の表面に露出しており、この第四端子568Aの露出部分に対して配線が接続されることで、電圧制御部15から第四電極564に電圧信号の印加が可能となる。
なお、これらの第四電極564及び第四引出電極568としては、他の電極561,562,563等と同様、導電性膜であればいかなる電極材料を用いてもよく、例えば、ITOや、Cr/Au積層電極等を用いることができる。また、第四電極564上に絶縁耐圧を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。
A fourth reflective film 554 and a fourth electrode 564 are provided on the movable surface 531A, which is the surface facing the first substrate 51 of the movable portion 531.
As the fourth reflective film 554, a reflective film having the same configuration as that of the third reflective film 553 described above is used.
The fourth electrode 564 is formed in an annular shape similar to the third electrode 563 in the filter plan view, and is provided in a region overlapping the third electrode 563. The third substrate 53 is provided with a fourth extraction electrode 568 extending from the outer peripheral edge of the fourth electrode 564 to the outer peripheral portion of the third substrate 53. The fourth extraction electrode 568 extends along one of the two electrode extraction grooves 513B extending toward the −X side, that is, along the electrode extraction groove 513B in which the third extraction electrode 567 is not provided. . The distal end portion of the fourth extraction electrode 568 constitutes a fourth terminal 568A (second terminal portion) in the fourth terminal protruding portion 533. The fourth terminal 568A is exposed on the surface of the wavelength tunable interference filter 5 when the wavelength tunable interference filter 5 is viewed from the second substrate 52 side, and the fourth terminal 568A is wired to the exposed portion of the fourth terminal 568A. Is connected, the voltage control unit 15 can apply a voltage signal to the fourth electrode 564.
As the fourth electrode 564 and the fourth extraction electrode 568, any electrode material may be used as long as it is a conductive film, like the other electrodes 561, 562, 563, etc., for example, ITO, Cr / Au laminated electrode or the like can be used. Further, an insulating film for ensuring a withstand voltage may be stacked on the fourth electrode 564.

また、可動部531には、第一基板51とは反対の面において、反射防止膜が形成されていてもよい。この反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成することができる。   Further, an antireflection film may be formed on the movable portion 531 on the surface opposite to the first substrate 51. This antireflection film can be formed by alternately laminating a low refractive index film and a high refractive index film.

[検出部の構成]
次に、図1に戻り、光学モジュール10の検出部11について説明する。
検出部11は、波長可変干渉フィルター5の光干渉領域Ar0を透過した光を受光(検出)し、受光量に基づいた検出信号を出力する。
[Configuration of detector]
Next, returning to FIG. 1, the detection unit 11 of the optical module 10 will be described.
The detection unit 11 receives (detects) light transmitted through the optical interference region Ar0 of the wavelength variable interference filter 5, and outputs a detection signal based on the amount of received light.

[I−V変換器、アンプ、A/D変換器、及び電圧制御部の構成]
I−V変換器12は、検出部11から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ13に出力する。
アンプ13は、I−V変換器12から入力された検出信号に応じた電圧(検出電圧)を増幅する。
A/D変換器14は、アンプ13から入力された検出電圧(アナログ信号)をデジタル信号に変換し、制御回路部20に出力する。
電圧制御部15は、制御回路部20の制御に基づいて、波長可変干渉フィルター5の静電アクチュエーター56A,56Bに対して電圧を印加する。これにより、静電アクチュエーター56Aの第一電極561及び第二電極562間で静電引力が発生し、可動部521が第一基板51側に変位して、第一ギャップG1のギャップ量gが所定値に設定される。また、静電アクチュエーター56Bの第三電極563及び第四電極564間で静電引力が発生し、可動部531が第一基板51側に変位して第二ギャップG2のギャップ量gが所定値に設定される。
[Configuration of I-V Converter, Amplifier, A / D Converter, and Voltage Control Unit]
The IV converter 12 converts the detection signal input from the detection unit 11 into a voltage value and outputs the voltage value to the amplifier 13.
The amplifier 13 amplifies a voltage (detection voltage) corresponding to the detection signal input from the IV converter 12.
The A / D converter 14 converts the detection voltage (analog signal) input from the amplifier 13 into a digital signal and outputs the digital signal to the control circuit unit 20.
The voltage control unit 15 applies a voltage to the electrostatic actuators 56 </ b> A and 56 </ b> B of the wavelength variable interference filter 5 based on the control of the control circuit unit 20. Thus, the electrostatic electrostatic attraction is generated between the first electrode 561 and second electrode 562 of the actuator 56A, the movable portion 521 is displaced to the side first substrate 51, the gap amount g 1 of the first gap G1 is Set to a predetermined value. Further, the electrostatic electrostatic attraction between the third electrode 563 and fourth electrode 564 is generated in the actuator 56B, a second gap G2 of the gap amount g 2 is predetermined value movable portion 531 is displaced to the side first substrate 51 Set to

[制御回路部の構成]
次に、分光測定装置1の制御回路部20について説明する。
制御回路部20は、例えばCPUやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置1の全体動作を制御する。この制御回路部20は、図1に示すように、フィルター駆動部21と、光量取得部22と、分光解析部23と、を備える。
また、制御回路部20は、各種データを記憶する記憶部(図示略)を備え、当該記憶部には、静電アクチュエーター56A,56Bを制御するためのV−λデータが記憶される。
このV−λデータは、第一光干渉部55A及び第二光干渉部55Bに対してそれぞれ設定される。そして、このV−λデータには、静電アクチュエーター56A,静電アクチュエーター56Bに印加する電圧に対する、第一光干渉部55A及び第二光干渉部55Bを透過する光の複数のピーク波長が記録されている。
なお、第一ギャップG1の初期値(静電アクチュエーター56Aに電圧を印加していない状態のギャップ量)及び第二ギャップG2の初期値(静電アクチュエーター56Bに電圧を印加していない状態のギャップ量)が等しく、第二基板52や第三基板53の基板厚み方向に対する剛性が同一である場合は、同じV−λデータを用いてもよい。
[Configuration of control circuit section]
Next, the control circuit unit 20 of the spectrometer 1 will be described.
The control circuit unit 20 is configured by combining a CPU, a memory, and the like, for example, and controls the overall operation of the spectroscopic measurement apparatus 1. As shown in FIG. 1, the control circuit unit 20 includes a filter driving unit 21, a light amount acquisition unit 22, and a spectral analysis unit 23.
In addition, the control circuit unit 20 includes a storage unit (not shown) that stores various data, and the storage unit stores V-λ data for controlling the electrostatic actuators 56A and 56B.
The V-λ data is set for each of the first optical interference unit 55A and the second optical interference unit 55B. In the V-λ data, a plurality of peak wavelengths of light transmitted through the first light interference unit 55A and the second light interference unit 55B with respect to the voltages applied to the electrostatic actuator 56A and the electrostatic actuator 56B are recorded. ing.
The initial value of the first gap G1 (the gap amount when no voltage is applied to the electrostatic actuator 56A) and the initial value of the second gap G2 (the gap amount when no voltage is applied to the electrostatic actuator 56B) ) Are equal, and the second substrate 52 and the third substrate 53 have the same rigidity in the substrate thickness direction, the same V-λ data may be used.

図7は、波長可変干渉フィルターの透過特性の一例を示す図である。
フィルター駆動部21は、記憶部に記憶されるV−λデータを参照し、波長可変干渉フィルター5の静電アクチュエーター56A,56Bに印加する電圧を順次切り替えて、波長可変干渉フィルター5を透過する光の波長を順次切り替える。
そして、フィルター駆動部21は、静電アクチュエーター56A及び静電アクチュエーター56Bに対して、第一ギャップG1のギャップ量g及び第二ギャップG2のギャップ量gがそれぞれ異なるギャップ量となるように、電圧を印加する。この時、フィルター駆動部21は、V−λデータを参照し、図7に示すように、第一光干渉部55Aの光学特性におけるピーク波長(図7における破線)の1つと、第二光干渉部55Bの光学特性におけるピーク波長(図7における一点鎖線)の1つとが重なる状態に各静電アクチュエーター56A,静電アクチュエーター56Bに印加する電圧を制御する。これにより、重なり合ったピーク波長(図7における実線)の光が波長可変干渉フィルター5から透過される。
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of transmission characteristics of the variable wavelength interference filter.
The filter drive unit 21 refers to the V-λ data stored in the storage unit, sequentially switches the voltage applied to the electrostatic actuators 56A and 56B of the wavelength variable interference filter 5, and transmits light that passes through the wavelength variable interference filter 5. The wavelengths of are sequentially switched.
Then, the filter driver 21, to the electrostatic actuator 56A and the electrostatic actuator 56B, so that the gap amount g 2 of the gap amount g 1 and the second gap G2 of the first gap G1 is different gap amount, Apply voltage. At this time, the filter driving unit 21 refers to the V-λ data and, as shown in FIG. 7, one of the peak wavelengths (broken line in FIG. 7) in the optical characteristics of the first optical interference unit 55A and the second optical interference. The voltage applied to each of the electrostatic actuators 56A and 56B is controlled so that one of the peak wavelengths (the one-dot chain line in FIG. 7) in the optical characteristics of the portion 55B overlaps. As a result, the light having the overlapping peak wavelength (solid line in FIG. 7) is transmitted from the wavelength variable interference filter 5.

例えば、検出部11により検出可能な光が可視光域及び近赤外域の光(例えば360nmから1200nm)であり、測定対象光から550nmの光を取り出したい場合、フィルター駆動部21は、第一ギャップG1のギャップ量gが550nmとなり、第二ギャップG2のギャップ量gを275nmとなるように、静電アクチュエーター56A,56Bに印加する電圧を設定する。この場合、第一光干渉部55Aを透過可能な光は、1次ピーク波長の1100nmの光、2次ピーク波長の550nmの光、3次ピーク波長の366nmの光となる(4次ピーク波長(275nm)以降は、検出部11で検出されない)。一方、第二光干渉部55Bを透過可能な光は、1次ピーク波長の550nmの光となる(2次ピーク波長(275nm)以降は、検出部11で検出されない)。これにより、波長可変干渉フィルター5を透過する光は、第一光干渉部55A及び第二光干渉部55Bのピーク波長が重なる550nmの光となる。 For example, when the light that can be detected by the detection unit 11 is visible light and near-infrared light (for example, from 360 nm to 1200 nm) and it is desired to extract light at 550 nm from the measurement target light, the filter driving unit 21 includes the first gap gap distance g 1 is 550nm next G1, the gap distance g 2 of the second gap G2 such that 275 nm, setting the voltage applied electrostatic actuator 56A, the 56B. In this case, the light that can be transmitted through the first optical interference unit 55A is 1100 nm light having a primary peak wavelength, 550 nm light having a secondary peak wavelength, and 366 nm light having a tertiary peak wavelength (fourth peak wavelength ( After 275 nm), it is not detected by the detection unit 11). On the other hand, the light that can be transmitted through the second optical interference unit 55B is light having a primary peak wavelength of 550 nm (after the secondary peak wavelength (275 nm) is not detected by the detection unit 11). Thereby, the light which permeate | transmits the wavelength variable interference filter 5 turns into 550 nm light with which the peak wavelength of 55 A of 1st optical interference parts and the 2nd optical interference part 55B overlap.

光量取得部22は、検出部11により検出された光量を取得し記憶部に記憶する。
分光解析部23は、光量取得部22により取得され記憶部に記憶された各波長に対する光量に基づいて、測定対象光の分光スペクトルを解析する。
The light quantity acquisition unit 22 acquires the light quantity detected by the detection unit 11 and stores it in the storage unit.
The spectroscopic analysis unit 23 analyzes the spectral spectrum of the measurement target light based on the light amount for each wavelength acquired by the light amount acquisition unit 22 and stored in the storage unit.

[波長可変干渉フィルターの製造方法]
次に、上述したような波長可変干渉フィルターに製造方法について、図面に基づいて説明する。
図8は、第一基板51の製造工程を示す図である。図9は、第二基板52の製造工程を示す図である。図10は、チップ製造工程を示す図である。
[Manufacturing method of tunable interference filter]
Next, a manufacturing method for the wavelength variable interference filter as described above will be described with reference to the drawings.
FIG. 8 is a diagram illustrating a manufacturing process of the first substrate 51. FIG. 9 is a diagram illustrating a manufacturing process of the second substrate 52. FIG. 10 is a diagram showing a chip manufacturing process.

[第一基板の製造]
第一基板51を製造するためには、まず、図8(A)に示すように、第一基板51の製造素材である第一ガラス基板M1を用意し、この石英ガラス基板の表面粗さRaが1nm以下となるまで両面を精密研磨する。
次に、そして、図8(B)に示すように、第一ガラス基板M1の基板表面をエッチングにより加工する。
具体的には、第一ガラス基板M1の基板表面にレジストを塗布して、塗布されたレジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像することで、反射膜設置面512A,反射膜設置面514Aの形成箇所が開口するようにパターニングする。ここで、本実施形態では、1つの第一ガラス基板M1から複数の第一基板51を形成する。したがって、この工程では、第一ガラス基板M1に、複数の第一基板51がアレイ状に並列配置された状態で製造されるよう、レジストパターンを形成する。
そして、第一ガラス基板M1の両面に対して、例えばフッ酸系を用いたウェットエッチングを施す。この時、反射膜設置面512A、反射膜設置面514Aの深さ寸法までエッチングを行う。この後、電極配置溝511、電極引出溝511B、電極配置溝513、電極引出溝513B、第一端子突出部515、及び第三端子突出部516の形成箇所が開口するようにレジストを形成し、更にウェットエッチングを実施する。
これにより、図8(B)に示すように、第一基板51の基板形状が決定された第一ガラス基板M1が形成される。
[Manufacture of the first substrate]
In order to manufacture the first substrate 51, first, as shown in FIG. 8A, a first glass substrate M1 which is a manufacturing material of the first substrate 51 is prepared, and the surface roughness Ra of the quartz glass substrate is prepared. Polish both surfaces until the thickness becomes 1 nm or less.
Next, as shown in FIG. 8B, the substrate surface of the first glass substrate M1 is processed by etching.
Specifically, a resist is applied to the substrate surface of the first glass substrate M1, and the applied resist is exposed and developed by a photolithography method, whereby the reflection film installation surface 512A and the reflection film installation surface 514A are formed. Is patterned so as to open. Here, in the present embodiment, a plurality of first substrates 51 are formed from one first glass substrate M1. Therefore, in this step, a resist pattern is formed on the first glass substrate M1 so that the plurality of first substrates 51 are manufactured in a state of being arranged in parallel in an array.
Then, wet etching using, for example, hydrofluoric acid is performed on both surfaces of the first glass substrate M1. At this time, the etching is performed to the depth of the reflection film installation surface 512A and the reflection film installation surface 514A. Thereafter, a resist is formed so that the electrode placement groove 511, the electrode lead groove 511B, the electrode placement groove 513, the electrode lead groove 513B, the first terminal protrusion 515, and the third terminal protrusion 516 are opened. Further, wet etching is performed.
Thereby, as shown in FIG. 8B, the first glass substrate M1 in which the substrate shape of the first substrate 51 is determined is formed.

この後、第一ガラス基板M1の両面に、第一電極561,第三電極563,第一引出電極565,第三引出電極567を形成する電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングする。
また、第一電極561及び第三電極563上に絶縁層を成膜する場合、電極形成後、例えばプラズマCVD等により第一ガラス基板M1全体に、例えば100nm程度の厚みのSiOを成膜する。第一端子565A,第三端子567A上のSiOを、例えばドライエッチング等により除去する。
Thereafter, an electrode material for forming the first electrode 561, the third electrode 563, the first extraction electrode 565, and the third extraction electrode 567 is formed on both surfaces of the first glass substrate M1, and a photolithography method or the like is used. Pattern.
Further, when forming an insulating layer on the first electrode 561 and the third electrode 563, after the electrode formation, for example, a SiO 2 film having a thickness of about 100 nm is formed on the entire first glass substrate M1, for example, by plasma CVD or the like. . The SiO 2 on the first terminal 565A and the third terminal 567A is removed by, for example, dry etching.

次に、反射膜設置部512及び反射膜設置部514上に、それぞれ、第一反射膜551及び第三反射膜553を形成する。
ここで、本実施形態では、第一反射膜551,第三反射膜553として、Ag合金を用いる。反射膜として、Ag合金等の金属膜やAg合金等の合金膜を用いる場合、第一ガラス基板M1の表面に反射膜(金属膜又や合金膜)を形成した後、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングする。
なお、反射膜として誘電体多層膜を形成する場合では、例えばリフトオフプロセスによりパターニングをすることができる。この場合、フォトリソグラフィ法等により、第一ガラス基板M1上の反射膜形成部分以外にレジスト(リフトオフパターン)を形成する。この後、第一反射膜551及び第二反射膜552を形成するための材料(例えば、高屈折層をTiO、低屈折層をSiOとした誘電体多層膜)をスパッタリング法または蒸着法等により成膜する。そして、これらの第一反射膜551,第二反射膜552を成膜した後、リフトオフにより、不要部分の膜を除去する。
なお、第一反射膜551及び第三反射膜553として、異なる種類の反射膜を用いる場合、それぞれ、個別に上述の工程を実施し、反射膜を形成する。
以上により、図8(C)に示すような第一基板51が複数アレイ状に配置された第一ガラス基板M1が製造される。
Next, a first reflective film 551 and a third reflective film 553 are formed on the reflective film installation part 512 and the reflective film installation part 514, respectively.
Here, in this embodiment, an Ag alloy is used as the first reflective film 551 and the third reflective film 553. When a metal film such as an Ag alloy or an alloy film such as an Ag alloy is used as the reflective film, a photolithography method or the like is used after a reflective film (metal film or alloy film) is formed on the surface of the first glass substrate M1. Pattern.
In the case of forming a dielectric multilayer film as the reflective film, patterning can be performed by, for example, a lift-off process. In this case, a resist (lift-off pattern) is formed on a portion other than the reflective film formation portion on the first glass substrate M1 by a photolithography method or the like. Thereafter, a material for forming the first reflective film 551 and the second reflective film 552 (for example, a dielectric multilayer film in which the high refractive layer is TiO 2 and the low refractive layer is SiO 2 ) is sputtered or vapor deposited. The film is formed by Then, after the first reflective film 551 and the second reflective film 552 are formed, unnecessary portions of the film are removed by lift-off.
In addition, when using a different kind of reflective film as the 1st reflective film 551 and the 3rd reflective film 553, respectively, the above-mentioned process is implemented separately and a reflective film is formed.
Thus, the first glass substrate M1 in which the first substrates 51 as shown in FIG. 8C are arranged in a plurality of arrays is manufactured.

[第二基板及び第三基板製造工程)
次に、第二基板52を製造する工程について説明する。
第二基板52を製造するには、まず、図9(A)に示すように、第二基板52の形成素材である第二ガラス基板M2を用意し、この第二ガラス基板M2の表面粗さRaが1nm以下となるまで両面を精密研磨する。そして、第二ガラス基板M2の全面にレジストを塗布し、塗布されたレジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して、保持部522が形成される箇所をパターニングする。
次に、第二ガラス基板M2をウェットエッチングすることで、図9(B)に示すように、保持部522と、可動部521とを形成する。これにより、第二基板52の基板形状が決定された第二ガラス基板M2が製造される。
[Second substrate and third substrate manufacturing process]
Next, a process for manufacturing the second substrate 52 will be described.
In order to manufacture the second substrate 52, first, as shown in FIG. 9A, a second glass substrate M2 which is a forming material of the second substrate 52 is prepared, and the surface roughness of the second glass substrate M2 is prepared. Both surfaces are precisely polished until Ra is 1 nm or less. And a resist is apply | coated to the whole surface of the 2nd glass substrate M2, and the apply | coated resist is exposed and developed by the photolithographic method, and the location in which the holding part 522 is formed is patterned.
Next, the holding part 522 and the movable part 521 are formed as shown in FIG. 9B by performing wet etching on the second glass substrate M2. Thereby, the 2nd glass substrate M2 in which the board | substrate shape of the 2nd board | substrate 52 was determined is manufactured.

次に、第二ガラス基板M2の一方側の面(第一基板51に対向する面)に第二電極562及び第二引出電極566を形成する。
具体的には、上記第一電極561と同様に、第二ガラス基板M2上に電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングすることで、第二電極562及び第二引出電極566を形成する。
この後、可動面521Aに第二反射膜552を形成する。この第二反射膜552の形成は、第一反射膜551と同様の方法により形成することができる。
以上により、図9(C)に示すような第二基板52が複数アレイ状に配置された第二ガラス基板M2が製造される。
Next, the second electrode 562 and the second extraction electrode 566 are formed on one surface (the surface facing the first substrate 51) of the second glass substrate M2.
Specifically, in the same manner as the first electrode 561, an electrode material is formed on the second glass substrate M2, and is patterned using a photolithography method or the like, whereby the second electrode 562 and the second extraction electrode 566 are used. Form.
Thereafter, the second reflective film 552 is formed on the movable surface 521A. The second reflective film 552 can be formed by the same method as the first reflective film 551.
As described above, the second glass substrate M2 in which the second substrates 52 as shown in FIG. 9C are arranged in a plurality of arrays is manufactured.

また、第三基板53は、第二基板52と同様の方法により製造することができる。
すなわち、第三基板53の形成素材である第三ガラス基板M3(図10参照)を用意し、この第三ガラス基板M3の両面を精密研磨した後、エッチングにより、可動部531及び保持部532を形成する。そして、第三ガラス基板M3の第一基板51に対向する面に、第四電極564及び第四引出電極568を形成し、可動面531A上に、第四反射膜554を形成する。
これにより、第三基板53が複数アレイ状に配置された第三ガラス基板M3が製造される。
The third substrate 53 can be manufactured by the same method as the second substrate 52.
That is, a third glass substrate M3 (see FIG. 10), which is a material for forming the third substrate 53, is prepared, and both surfaces of the third glass substrate M3 are precisely polished, and then the movable portion 531 and the holding portion 532 are etched to form the third substrate 53. Form. Then, the fourth electrode 564 and the fourth extraction electrode 568 are formed on the surface of the third glass substrate M3 facing the first substrate 51, and the fourth reflection film 554 is formed on the movable surface 531A.
Thereby, the 3rd glass substrate M3 by which the 3rd board | substrate 53 is arrange | positioned at multiple array form is manufactured.

[チップ形成工程]
次に、第一ガラス基板M1,第二ガラス基板M2、第三ガラス基板M3を接合し、波長可変干渉フィルター5を製造するチップ形成工程について説明する。
このチップ形成工程では、まず、第一ガラス基板M1の基板重なり部555に対応した領域と、第二ガラス基板M2の基板重なり部555に対応した領域とに、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜を、例えばプラズマCVD法等により成膜する。プラズマ重合膜の厚みとしては、例えば10nmから1000nmとすればよい。
[Chip forming process]
Next, a chip forming process for manufacturing the wavelength variable interference filter 5 by bonding the first glass substrate M1, the second glass substrate M2, and the third glass substrate M3 will be described.
In this chip formation step, first, plasma mainly composed of polyorganosiloxane is formed in a region corresponding to the substrate overlap portion 555 of the first glass substrate M1 and a region corresponding to the substrate overlap portion 555 of the second glass substrate M2. A polymerized film is formed by, for example, a plasma CVD method. The thickness of the plasma polymerization film may be, for example, 10 nm to 1000 nm.

そして、第一ガラス基板M1及び第二ガラス基板M2のプラズマ重合膜に対して活性化エネルギーを付与するために、Oプラズマ処理またはUV処理を行う。Oプラズマ処理の場合は、O流量30cc/分、圧力27Pa、RFパワー200Wの条件で30秒間実施する。また、UV処理の場合は、UV光源としてエキシマUV(波長172nm)を用いて3分間処理する。
プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、これらの第一ガラス基板M1及び第二ガラス基板M2のアライメント調整を行い、プラズマ重合膜を介して第一ガラス基板M1及び第二ガラス基板M2を重ね合わせ、接合部分に例えば10kgfの荷重を10分間かける。これにより、第一ガラス基板M1及び第二ガラス基板M2同士が接合される。
Then, in order to providing the activation energy to the plasma-polymerized film of the first glass substrate M1 and the second glass substrate M2, performing the O 2 plasma treatment or UV treatment. In the case of the O 2 plasma treatment, the O 2 flow rate is 30 cc / min, the pressure is 27 Pa, and the RF power is 200 W for 30 seconds. In the case of UV treatment, the treatment is performed for 3 minutes using excimer UV (wavelength 172 nm) as a UV light source.
After applying activation energy to the plasma polymerized film, the alignment of the first glass substrate M1 and the second glass substrate M2 is adjusted, and the first glass substrate M1 and the second glass substrate M2 are stacked via the plasma polymerized film. In addition, a load of, for example, 10 kgf is applied to the joint portion for 10 minutes. Thereby, the 1st glass substrate M1 and the 2nd glass substrate M2 are joined.

なお、本実施形態では、X方向に沿う第一基板51,第二基板52,第三基板53の基板端縁の位置がそれぞれ異なる。したがって、第一ガラス基板M1、第二ガラス基板M2、及び第三ガラス基板M3を接合した後に、各波長可変干渉フィルター5をチップ単位で取り出す切断工程を実施する場合、第一基板51の端縁に対して適切に切断を行うことが困難となる。
このため、本実施形態では、まず、第一ガラス基板M1及び第二ガラス基板M2を接合した後、図10の破線にて示すような切断ラインL1に沿って、第一ガラス基板M1のみを切断する。この切断には、例えばレーザー切断等を用いることができる。
In the present embodiment, the positions of the substrate edges of the first substrate 51, the second substrate 52, and the third substrate 53 along the X direction are different. Therefore, when the cutting process of taking out each wavelength variable interference filter 5 in units of chips is performed after joining the first glass substrate M1, the second glass substrate M2, and the third glass substrate M3, the edge of the first substrate 51 It becomes difficult to cut appropriately.
For this reason, in this embodiment, after joining the 1st glass substrate M1 and the 2nd glass substrate M2, first, only the 1st glass substrate M1 is cut | disconnected along the cutting line L1 as shown by the broken line of FIG. To do. For this cutting, for example, laser cutting or the like can be used.

この後、第一ガラス基板M1及び第二ガラス基板M2の接合と同様の方法を用いて、第一ガラス基板M1及び第三ガラス基板M3をプラズマ重合膜により接合する。そして、第二ガラス基板M2及び第三ガラス基板M3を図10の破線にて示されるような切断ラインL2,L3に沿って切断する。
これにより、第一ガラス基板M1,第二ガラス基板M2,第三ガラス基板M3の接合体から、チップ単位の波長可変干渉フィルター5が製造される。
Then, the 1st glass substrate M1 and the 3rd glass substrate M3 are joined by a plasma polymerization film | membrane using the method similar to joining of the 1st glass substrate M1 and the 2nd glass substrate M2. Then, the second glass substrate M2 and the third glass substrate M3 are cut along cutting lines L2 and L3 as indicated by broken lines in FIG.
Thereby, the variable wavelength interference filter 5 of a chip unit is manufactured from the joined body of the first glass substrate M1, the second glass substrate M2, and the third glass substrate M3.

[第一実施形態の作用効果]
上述したような第一実施形態の分光測定装置1では、波長可変干渉フィルター5において、第一基板51の一方側の面に第二基板52が接合され、他方側の面に第三基板53が接合されている。そして、第一基板51に設けられる第一反射膜551と、第二基板52に設けられる第二反射膜552とが第一ギャップG1を介して互いに対向し第一光干渉部55Aを構成する。この第一光干渉部55Aは、静電アクチュエーター56Aに印加する電圧を変化させることで、第一ギャップG1のギャップ量gを適宜変更することができる。また、第一基板51に設けられる第三反射膜553と、第三基板53に設けられる54とが第二ギャップG2を介して互いに対向し、第二光干渉部55Bを構成しており、静電アクチュエーター56Bにより、第二ギャップG2のギャップ量gを適宜変更することができる。
そして、この分光測定装置1では、フィルター駆動部21により、第一ギャップG1のギャップ量g及び第二ギャップG2のギャップ量gを異なるギャップ量に設定し、かつ、第一光干渉部55Aを透過する複数の次数のピーク波長のうちの1つと、第二光干渉部55Bを透過する複数の次数のピーク波長のうちの1つとを重ね合わせるように、第一ギャップG1及び第二ギャップG2のギャップ量を設定する。これにより、広い波長帯域を有する測定対象光が入射した場合であっても、特定のピーク波長の光を透過させることができる。したがって、所望のピーク波長の光を検出部11により受光させて検出させることができ、当該ピーク波長の光の正確な光量を検出することができる。よって、分光測定装置1は、測定対象光の正確な分光スペクトルを精度よく解析することができる。
[Operational effects of the first embodiment]
In the spectroscopic measurement apparatus 1 according to the first embodiment as described above, in the wavelength tunable interference filter 5, the second substrate 52 is bonded to one surface of the first substrate 51, and the third substrate 53 is bonded to the other surface. It is joined. And the 1st reflective film 551 provided in the 1st board | substrate 51 and the 2nd reflective film 552 provided in the 2nd board | substrate 52 mutually oppose via the 1st gap G1, and comprise 55 A of 1st optical interference parts. The first light interference section 55A, by changing the voltage applied to the electrostatic actuator 56A, it is possible to change the gap distance g 1 of the first gap G1 as appropriate. In addition, the third reflective film 553 provided on the first substrate 51 and the 54 provided on the third substrate 53 are opposed to each other via the second gap G2 to constitute the second light interference portion 55B. the electrostatic actuator 56B, it is possible to change the gap distance g 2 of the second gap G2 as appropriate.
Then, in the spectroscopic measurement device 1, by the filter driving section 21, the gap distance g 2 of the gap amount g 1 and the second gap G2 of the first gap G1 set to different gap size, and the first light interference section 55A The first gap G1 and the second gap G2 so that one of the plurality of order peak wavelengths that pass through and the one of the plurality of order peak wavelengths that pass through the second optical interference unit 55B overlap each other. Set the gap amount. Thereby, even if measurement object light having a wide wavelength band is incident, light having a specific peak wavelength can be transmitted. Therefore, light having a desired peak wavelength can be received and detected by the detection unit 11, and an accurate amount of light having the peak wavelength can be detected. Therefore, the spectroscopic measurement device 1 can accurately analyze the accurate spectral spectrum of the measurement target light.

また、本実施形態では、第一基板51、第二基板52、及び第三基板53は、それぞれ可視光に対して透光性を有するガラス基板M1,M2,M3により形成されている。
このため、波長可変干渉フィルター5により取り出すことが可能な光の波長域として、可視光域から近赤外域までの広い帯域をカバーすることができ、分光測定装置1において、広い波長帯域の光に対して分光測定を実施することができる。
また、ガラス基板は、ウェットエッチングにより容易に加工することができ、製造効率性を向上させることができる。
In the present embodiment, the first substrate 51, the second substrate 52, and the third substrate 53 are each formed of glass substrates M1, M2, and M3 that are transparent to visible light.
For this reason, it is possible to cover a wide band from the visible light range to the near infrared range as the wavelength range of light that can be extracted by the tunable interference filter 5. Spectroscopic measurements can be performed on this.
Further, the glass substrate can be easily processed by wet etching, and the manufacturing efficiency can be improved.

さらに、本実施形態では、第二基板52は、第二反射膜552が設けられる可動部521と、可動部521の外側に設けられ、可動部521を第一基板51に対して進退可能に保持する保持部522とを備える。同様に、第三基板53は、第四反射膜554が設けられる可動部531と、可動部531の外側に設けられ、可動部531を第一基板51に対して進退可能に保持する保持部532とを備える。
このような構成では、可動部521,531よりも厚み寸法が小さい保持部522,532を撓ませることで、容易に可動部521,531を変位させることができる。したがって、第一ギャップG1及び第二ギャップG2を変化させる際の電圧を小さくでき、省電力化を図れる。また、可動部521,531は、保持部522,532よりも厚み寸法が大きいため、第一基板51側に変位した際でも可動部521,531の撓みが抑制される。したがって、可動部521に設けられる第二反射膜552や、可動部531に設けられる第四反射膜554の撓みを抑制でき、波長可変干渉フィルター5における分解能の低下を抑制できる。
Furthermore, in this embodiment, the second substrate 52 is provided on the outer side of the movable portion 521 provided with the second reflective film 552 and the movable portion 521, and holds the movable portion 521 so as to be able to advance and retreat with respect to the first substrate 51. Holding part 522. Similarly, the third substrate 53 is provided with a movable portion 531 on which the fourth reflective film 554 is provided, and a holding portion 532 that is provided outside the movable portion 531 and holds the movable portion 531 with respect to the first substrate 51 so as to advance and retreat. With.
In such a configuration, the movable parts 521 and 531 can be easily displaced by bending the holding parts 522 and 532 having a smaller thickness than the movable parts 521 and 531. Therefore, the voltage when changing the first gap G1 and the second gap G2 can be reduced, and power saving can be achieved. Further, since the movable parts 521 and 531 have a thickness dimension larger than that of the holding parts 522 and 532, even when the movable parts 521 and 531 are displaced toward the first substrate 51, the bending of the movable parts 521 and 531 is suppressed. Therefore, the bending of the second reflective film 552 provided on the movable part 521 and the fourth reflective film 554 provided on the movable part 531 can be suppressed, and a decrease in resolution in the wavelength variable interference filter 5 can be suppressed.

また、本実施形態では、第一ギャップG1や第二ギャップG2に他の基板等が介在せず、透過可能な波長域を広げることができる。
例えば、第一反射膜551及び第四反射膜554により第二光干渉部55Bを構成するような場合、第二ギャップG2のギャップ量gは、(第一基板51の厚み寸法S)<g<(第一基板51の厚み寸法S+初期状態における第四反射膜554及び第一基板51の距離)となる。したがって、このような場合、第二ギャップG2のギャップ量gは、第一基板51の厚み寸法以下には設定することができない。また、一般に、第二ギャップG2の初期ギャップ量は、測定対象となる波長域にもよるが、可視光域の場合で1μm程度に形成される必要がある。したがって、このような構成では、第一基板51の厚み寸法も薄くする必要があり、第一基板51の撓みや、それに伴う第一反射膜551の撓み等により分解能が低下するおそれもある。
これに対して、本実施形態では、第三反射膜553及び第四反射膜554により第二光干渉部55Bが形成され、第三反射膜553及び第四反射膜554の間には、他の部材が介在しないため、第二ギャップG2のギャップ量gは、0<g<(第二ギャップG2の初期ギャップ量)となる。したがって、第二ギャップG2のギャップ量gの設定可能範囲を広げることができるので、波長可変干渉フィルター5により透過させる光の波長域を広げることができる。また、第一基板51として、静電アクチュエーター56Aや静電アクチュエーター56Bによる静電引力に抗することができる程度の厚み寸法に形成することができるため、上述のような第一反射膜551(第三反射膜553)の撓み等による分解能低下等がなく、高分解能の光を透過させることができる。
Moreover, in this embodiment, the other wavelength board | substrate etc. do not intervene in the 1st gap G1 or the 2nd gap G2, and the transmissive wavelength range can be expanded.
For example, if the first reflecting film 551 and the fourth reflective layer 554 so as to constitute a second light interference section 55B, the gap amount g 2 of the second gap G2 is (thickness of the first substrate 51 S) <g 2 <(thickness dimension S of the first substrate 51 + distance between the fourth reflective film 554 and the first substrate 51 in the initial state). Therefore, in such a case, the gap amount g 2 of the second gap G 2 cannot be set to be equal to or smaller than the thickness dimension of the first substrate 51. In general, the initial gap amount of the second gap G2 needs to be formed to be about 1 μm in the visible light range although it depends on the wavelength range to be measured. Therefore, in such a configuration, it is necessary to reduce the thickness of the first substrate 51, and there is a possibility that the resolution is lowered due to the bending of the first substrate 51, the bending of the first reflective film 551, and the like.
On the other hand, in the present embodiment, the second light interference portion 55B is formed by the third reflective film 553 and the fourth reflective film 554, and between the third reflective film 553 and the fourth reflective film 554, there is another since member is not interposed, the gap amount g 2 of the second gap G2 is, 0 <g 2 becomes <(initial gap amount of the second gap G2). Therefore, it is possible to widen the setting range of the gap distance g 2 of the second gap G2, it is possible to widen the wavelength range of light to be transmitted by the wavelength-tunable interference filter 5. In addition, since the first substrate 51 can be formed to have a thickness dimension that can resist the electrostatic attractive force by the electrostatic actuator 56A and the electrostatic actuator 56B, the first reflective film 551 as described above (the first reflective film 551) There is no reduction in resolution due to bending of the three reflecting films 553), and high-resolution light can be transmitted.

本実施形態の波長可変干渉フィルター5では、第一基板51は、基板重なり部555から−X側に突出する第一端子突出部515に第一端子565Aが設けられ、及び+X側に突出する第三端子突出部516に第三端子567Aが設けられている。
このような構成では、波長可変干渉フィルター5の表面に第一端子565Aや第三端子567Aが露出する構成となるため、これらの第一端子565Aや第三端子567Aに対して容易に配線を接続することができる。
また、第二基板52には、基板重なり部555から、第三端子突出部516よりも+X側に突出する第二端子突出部523が設けられ、この第二端子突出部523に、第二端子566Aが設けられている。同様に、第三基板53には、基板重なり部555から、第一端子突出部515よりも−X側に突出する第四端子突出部533が設けられ、この第四端子突出部533に第四端子568Aが設けられている。したがって、波長可変干渉フィルター5の表面に第二端子566Aや第三端子567Aが露出する構成となるため、これらの第二端子566Aや第四端子568Aに対して容易に配線を接続することができる。
In the wavelength tunable interference filter 5 of the present embodiment, the first substrate 51 includes a first terminal 565A provided in the first terminal protruding portion 515 protruding from the substrate overlapping portion 555 to the −X side, and the first substrate 565A protruding to the + X side. A third terminal 567 </ b> A is provided on the three-terminal protrusion 516.
In such a configuration, since the first terminal 565A and the third terminal 567A are exposed on the surface of the wavelength variable interference filter 5, wiring is easily connected to the first terminal 565A and the third terminal 567A. can do.
The second substrate 52 is provided with a second terminal protruding portion 523 that protrudes from the substrate overlapping portion 555 to the + X side with respect to the third terminal protruding portion 516. 566A is provided. Similarly, the third substrate 53 is provided with a fourth terminal protruding portion 533 that protrudes from the substrate overlapping portion 555 to the −X side with respect to the first terminal protruding portion 515, and the fourth terminal protruding portion 533 includes a fourth terminal protruding portion 533. A terminal 568A is provided. Accordingly, since the second terminal 566A and the third terminal 567A are exposed on the surface of the variable wavelength interference filter 5, wiring can be easily connected to the second terminal 566A and the fourth terminal 568A. .

[第二実施形態]
次に、本発明の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
第二実施形態は、第一実施形態における波長可変干渉フィルター5を変形したものであり、その他の構成は、上記第一実施形態と同一の構成を有する。
すなわち、上記第一実施形態では、第一端子突出部515、第三端子突出部516、第二端子突出部523、第四端子突出部533を、X方向に沿って突出させる構成、すなわち、X方向に沿った波長可変干渉フィルター5の断面視において、第一基板51、第二基板52、第三基板53により階段状の段差が形成される構成を例示した。このような波長可変干渉フィルター5では、製造時において、第一ガラス基板M1及び第二ガラス基板M2を接合した後、一旦、第一ガラス基板M1のみを切断し、その後、第三ガラス基板M3を接合した後、第二ガラス基板M2及び第三ガラス基板M3を切断する必要があり、チップ単位の波長可変干渉フィルター5を切り出す際に煩雑な作業が伴うという課題があった。
これに対して、第二実施形態では、このような製造工程における煩雑な作業を軽減させるために、第一端子突出部515、第三端子突出部516、第二端子突出部523、第四端子突出部533の突出方向が上記第一実施形態と相違する構成が採られている。
以下では、第二実施形態における波長可変干渉フィルター5Aについて、図面に基づいて説明する。なお、以降の実施形態の説明に当たり、上記第一実施形態と同様の構成には同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
The second embodiment is a modification of the tunable interference filter 5 in the first embodiment, and the other configurations are the same as those in the first embodiment.
That is, in the first embodiment, the first terminal protruding portion 515, the third terminal protruding portion 516, the second terminal protruding portion 523, and the fourth terminal protruding portion 533 are protruded along the X direction, that is, X In the cross-sectional view of the wavelength tunable interference filter 5 along the direction, a configuration in which a stepped step is formed by the first substrate 51, the second substrate 52, and the third substrate 53 is illustrated. In such a wavelength variable interference filter 5, after the first glass substrate M1 and the second glass substrate M2 are joined at the time of manufacture, only the first glass substrate M1 is once cut, and then the third glass substrate M3 is attached. After joining, it was necessary to cut | disconnect the 2nd glass substrate M2 and the 3rd glass substrate M3, and there existed a subject that a complicated operation | work accompanied with cutting out the wavelength variable interference filter 5 of a chip unit.
On the other hand, in 2nd embodiment, in order to reduce the complicated operation | work in such a manufacturing process, the 1st terminal protrusion part 515, the 3rd terminal protrusion part 516, the 2nd terminal protrusion part 523, the 4th terminal A configuration in which the protruding direction of the protruding portion 533 is different from that of the first embodiment is adopted.
Hereinafter, the variable wavelength interference filter 5A according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. In the following description of the embodiment, the same reference numerals are given to the same components as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted or simplified.

[波長可変干渉フィルターの構成]
図11は、第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aの概略構成を示す平面図である。図12は、図11の波長可変干渉フィルター5AをA−A線で断面した断面図である。図13は、図11の波長可変干渉フィルター5AをB−B線で断面した断面図である。
図11に示すように、本実施形態の波長可変干渉フィルター5Aでは、第一基板51は、頂点C1,C5,C6,C7を有する矩形板状に形成されている。第二基板52は、頂点C8,C9,C10,C4を有する矩形板状に形成されている。第三基板53は、頂点C2,C11,C12,C13を有する矩形板状に形成されている。したがって、これらの基板51,52,53が全て重なり合う基板重なり部555は、図11に示すように、頂点C1,C2,C3,C4により囲われる矩形領域となる。
[Configuration of wavelength tunable interference filter]
FIG. 11 is a plan view showing a schematic configuration of a variable wavelength interference filter 5A of the second embodiment. 12 is a cross-sectional view of the variable wavelength interference filter 5A of FIG. 11 taken along line AA. 13 is a cross-sectional view of the variable wavelength interference filter 5A of FIG. 11 taken along line BB.
As shown in FIG. 11, in the variable wavelength interference filter 5A of the present embodiment, the first substrate 51 is formed in a rectangular plate shape having vertices C1, C5, C6, and C7. The second substrate 52 is formed in a rectangular plate shape having vertices C8, C9, C10, and C4. The third substrate 53 is formed in a rectangular plate shape having vertices C2, C11, C12, and C13. Accordingly, the substrate overlapping portion 555 where these substrates 51, 52, 53 all overlap is a rectangular region surrounded by the vertices C1, C2, C3, C4 as shown in FIG.

このような構成では、第一基板51の第一端子突出部515(第一突出部)は、図11における点C4,C10,C6,C7に囲われる領域であり、基板重なり部555の端辺C3−C4から+X方向に突出して設けられている。
また、第一基板51の第三端子突出部516(第二突出部)は、図11における点C2,C5,C6,C11に囲われる領域であり、基板重なり部555の端辺C2−C3からX軸に直交するY軸における+Y方向に突出して設けられている。
第二基板52の第二端子突出部523(第一突出部)は、点C1,C5,C9、C8に囲われる領域であり、基板重なり部555の端辺C1−C2から−X方向に突出して設けられている。第三基板53の第四端子突出部533(第二突出部)は、点C1,C7,C12,C13により囲われる領域であり、基板重なり部555の端辺C1−C4から−Y方向に突出して設けられている。
すなわち、本実施形態では、各端子突出部515,516,523,533は、それぞれ、基板重なり部555の互いに異なる辺から、異なる方向に突出して設けられている。
そして、第一実施形態と同様、第一端子突出部515には、第一電極561に接続される第一端子565Aが設けられ、第三端子突出部516には、第三電極563に接続される第三端子567Aが設けられ、第二端子突出部523には、第二電極562に接続される第二端子566Aが設けられ、第四端子突出部533には、第四電極564に接続される第四端子568Aが設けられている。
In such a configuration, the first terminal protrusion 515 (first protrusion) of the first substrate 51 is an area surrounded by points C4, C10, C6, and C7 in FIG. It protrudes in the + X direction from C3-C4.
Further, the third terminal protruding portion 516 (second protruding portion) of the first substrate 51 is a region surrounded by the points C2, C5, C6, C11 in FIG. 11, and from the end C2-C3 of the substrate overlapping portion 555. It is provided to protrude in the + Y direction on the Y axis orthogonal to the X axis.
The second terminal protrusion 523 (first protrusion) of the second substrate 52 is an area surrounded by the points C1, C5, C9, and C8, and protrudes in the −X direction from the end C1-C2 of the substrate overlap portion 555. Is provided. The fourth terminal protrusion 533 (second protrusion) of the third substrate 53 is an area surrounded by the points C1, C7, C12, and C13, and protrudes from the end C1-C4 of the substrate overlap portion 555 in the −Y direction. Is provided.
In other words, in the present embodiment, the terminal projecting portions 515, 516, 523, and 533 are provided so as to project in different directions from different sides of the substrate overlapping portion 555.
As in the first embodiment, the first terminal protrusion 515 is provided with a first terminal 565A connected to the first electrode 561, and the third terminal protrusion 516 is connected to the third electrode 563. A third terminal 567A is provided, a second terminal protrusion 523 is provided with a second terminal 566A connected to the second electrode 562, and a fourth terminal protrusion 533 is connected to the fourth electrode 564. A fourth terminal 568A is provided.

また、本実施形態では、図11及び図12に示すように、第一基板51の−X側の端辺C1−C5は、第三基板53の−X側の端辺C2−C13のX座標に一致する。また、第一基板51の+X側の端辺(第一端子突出部515の突出側端辺)C6−C7は、第三基板53の+X側の端辺C11−C12のX座標に一致する。
さらに、図11及び図13に示すように、第一基板51の−Y側の端辺C1−C7は、第二基板52の−Y側の端辺C4−C8のY座標に一致する。また、第一基板51の+Y側の端辺(第三端子突出部516の突出側端辺)C5−C6は、第二基板52の+Y側の端辺C9−C10のY座標に一致する。
Further, in the present embodiment, as shown in FIGS. 11 and 12, the −X side edge C <b> 1-C <b> 5 of the first substrate 51 is the X coordinate of the −X side edge C <b> 2-C <b> 13 of the third substrate 53. Matches. Further, the + X side edge of the first substrate 51 (the protruding side edge of the first terminal protruding portion 515) C6-C7 coincides with the X coordinate of the + X side edge C11-C12 of the third substrate 53.
Furthermore, as illustrated in FIGS. 11 and 13, the −Y side edge C <b> 1-C <b> 7 of the first substrate 51 coincides with the Y coordinate of the −Y side edge C <b> 4-C <b> 8 of the second substrate 52. Further, the + Y side edge of the first substrate 51 (the protruding side edge of the third terminal protruding portion 516) C5-C6 coincides with the Y coordinate of the + Y side edge C9-C10 of the second substrate 52.

[波長可変干渉フィルターの製造]
本実施形態の波長可変干渉フィルター5Aの製造方法において、各基板51,52,53の製造工程は、上記第一実施形態と同様であり、本実施形態においても、複数の第一基板51をアレイ状に配置した第一ガラス基板M1、複数の第二基板52をアレイ状に配置した第二ガラス基板M2、複数の第三基板53をアレイ状に配置した第三ガラス基板M3をそれぞれ製造する。
図14は、本実施形態におけるチップ製造工程を示す図である。
上述のように、各ガラス基板M1,M2,M3を製造した後、本実施形態では、図14に示すように、これらのガラス基板M1,M2,M3を接合する。接合方法としては、第一実施形態と同様の方法、すなわち、プラズマ重合膜を用いたシロキサン接合を用いることができる。
[Manufacture of tunable interference filter]
In the method of manufacturing the wavelength tunable interference filter 5A of the present embodiment, the manufacturing steps of the substrates 51, 52, and 53 are the same as those of the first embodiment. In the present embodiment, a plurality of first substrates 51 are arrayed. A first glass substrate M1 arranged in a shape, a second glass substrate M2 arranged in a plurality of second substrates 52 in an array, and a third glass substrate M3 arranged in a plurality of third substrates 53 are manufactured.
FIG. 14 is a diagram showing a chip manufacturing process in the present embodiment.
As described above, after manufacturing the glass substrates M1, M2, and M3, in the present embodiment, as shown in FIG. 14, these glass substrates M1, M2, and M3 are bonded. As a bonding method, the same method as in the first embodiment, that is, siloxane bonding using a plasma polymerized film can be used.

そして、各ガラス基板M1,M2,M3を接合した後、図14における破線にて示された切断ラインL4,L5、L6に沿って、切断処理を実施する。ここで、本実施形態では、図11から図13に示されるように、第一基板51及び第三基板53は、−X側の端辺
が一致する。また、第一基板51及び第三基板53の+X側の端辺は、隣接するチップの第一基板51及び第三基板53の−X側端辺であるので、第一基板51及び第三基板53の+X側の端辺もそれぞれ一致している。従って、切断工程では、図14に示すように、切断ラインL4に沿って同時にこれらの第一基板51及び第三基板53を切断することができる。
一方、第二基板52の−X側の端辺は、第二端子突出部523の一部であり、第一基板51に接合されていないため、切断ラインL5に沿って第二基板52のみを切断すればよい。第二基板52の+X側の端辺は、隣接するチップの第二基板52の−X側の端辺でもあり、同様に第一基板51に接合されていないため、切断ラインL5に沿って第二基板52のみを切断すればよい。
And after joining each glass substrate M1, M2, M3, a cutting process is implemented along the cutting lines L4, L5, and L6 shown with the broken line in FIG. Here, in this embodiment, as shown in FIGS. 11 to 13, the first substrate 51 and the third substrate 53 have the same end on the −X side. Further, since the + X side edges of the first substrate 51 and the third substrate 53 are the −X side edges of the first substrate 51 and the third substrate 53 of the adjacent chips, the first substrate 51 and the third substrate. The ends on the + X side of 53 also coincide with each other. Therefore, in the cutting step, as shown in FIG. 14, the first substrate 51 and the third substrate 53 can be cut simultaneously along the cutting line L4.
On the other hand, the −X side end of the second substrate 52 is a part of the second terminal protrusion 523 and is not joined to the first substrate 51, so only the second substrate 52 is cut along the cutting line L 5. Just cut it. The + X side edge of the second substrate 52 is also the −X side edge of the second substrate 52 of the adjacent chip, and is not joined to the first substrate 51 in the same manner. Only the two substrates 52 need be cut.

同様に、第一基板51及び第二基板52は、−Y側の端辺及び+Y側の端辺がそれぞれ一致しているため、切断ラインL6に沿って同時にこれらの第一基板51及び第二基板52を切断することができる。また、第三基板53の−Y側の端辺は、第四端子突出部533の一部であり、第一基板51に接合されていないため、頂点C12−C13に沿った切断ライン(図示略)により、第三基板53のみを切断すればよい。   Similarly, since the first substrate 51 and the second substrate 52 have the −Y side end and the + Y side end aligned with each other, the first substrate 51 and the second substrate 52 are simultaneously aligned along the cutting line L6. The substrate 52 can be cut. Further, the end on the −Y side of the third substrate 53 is a part of the fourth terminal protruding portion 533 and is not joined to the first substrate 51, so that a cutting line (not shown) along the vertex C 12 -C 13 is shown. ), Only the third substrate 53 may be cut.

以上に示すように、本実施形態では、第一ガラス基板M1、第二ガラス基板M2、第三ガラス基板M3の接合後に切断処理を実施することができ、第一実施形態に比べて、製造効率性を向上させることができる。   As described above, in this embodiment, the cutting process can be performed after the first glass substrate M1, the second glass substrate M2, and the third glass substrate M3 are joined, and the manufacturing efficiency is higher than that in the first embodiment. Can be improved.

[第三実施形態]
次に、本発明の第三実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態の分光測定装置1では、光学モジュール10に対して、波長可変干渉フィルター5が直接設けられる構成とした。しかしながら、光学モジュールとしては、複雑な構成を有するものもあり、特に小型化の光学モジュールに対して、波長可変干渉フィルター5を直接設けることが困難な場合がある。本実施形態では、そのような光学モジュールに対しても、波長可変干渉フィルター5や、第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aを容易に設置可能にする光学フィルターデバイスについて、以下に説明する。
図15は、本発明の第三実施形態に係る光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図である。
[Third embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
In the spectroscopic measurement device 1 of the first embodiment, the wavelength variable interference filter 5 is directly provided to the optical module 10. However, some optical modules have a complicated configuration, and it may be difficult to directly provide the variable wavelength interference filter 5 particularly for a miniaturized optical module. In the present embodiment, an optical filter device that allows the wavelength variable interference filter 5 and the wavelength variable interference filter 5A of the second embodiment to be easily installed even for such an optical module will be described below.
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an optical filter device according to the third embodiment of the present invention.

図15に示すように、光学フィルターデバイス600は、波長可変干渉フィルター5と、当該波長可変干渉フィルター5を収納する筐体601と、を備えている。なお、本実施形態では、一例として波長可変干渉フィルター5を例示するが、第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aが用いられる構成としてもよい。
筐体601は、ベース基板610と、リッド620と、ベース側ガラス基板630と、リッド側ガラス基板640と、を備える。
As shown in FIG. 15, the optical filter device 600 includes a wavelength tunable interference filter 5 and a housing 601 that houses the wavelength tunable interference filter 5. In the present embodiment, the wavelength variable interference filter 5 is illustrated as an example, but the wavelength variable interference filter 5A of the second embodiment may be used.
The housing 601 includes a base substrate 610, a lid 620, a base side glass substrate 630, and a lid side glass substrate 640.

ベース基板610は、例えば単層セラミック基板により構成される。このベース基板610には、波長可変干渉フィルター5の第二基板52が設置される。ベース基板610への第二基板52の設置としては、例えば接着層等を介して配置されるものであってもよく、他の固定部材等に嵌合等されることで配置されるものであってもよい。また、ベース基板610には、光干渉領域Ar0に対向する領域に、光通過孔611が開口形成される。そして、この光通過孔611を覆うように、ベース側ガラス基板630が接合される。ベース側ガラス基板630の接合方法としては、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリットを用いたガラスフリット接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。   The base substrate 610 is configured by, for example, a single layer ceramic substrate. On the base substrate 610, the second substrate 52 of the variable wavelength interference filter 5 is installed. The second substrate 52 may be disposed on the base substrate 610 by, for example, being disposed via an adhesive layer or the like, and disposed by being fitted to another fixing member or the like. May be. In addition, a light passage hole 611 is formed in the base substrate 610 in a region facing the light interference region Ar0. And the base side glass substrate 630 is joined so that this light passage hole 611 may be covered. As a method for joining the base side glass substrate 630, for example, glass frit joining using a glass frit that is a piece of glass that has been melted at a high temperature and rapidly cooled, adhesion by an epoxy resin, or the like can be used.

このベース基板610のリッド620に対向するベース内側面612には、波長可変干渉フィルター5の各端子部565A,566A,567A,568Aのそれぞれに対応して内側端子部615が設けられている。なお、各端子部565A,566A,567A,568Aと内側端子部615との接続は、例えばFPC(Flexible Printed Circuits)615Aを用いることができ、例えばAgペースト、ACF(Anisotropic Conductive Film)、ACP(Anisotropic Conductive Paste)等により接合する。なお、内部空間650を真空状態に維持する場合は、アウトガスが少ないAgペーストを用いることが好ましい。また、FPC615Aによる接続に限られず、例えばワイヤーボンディング等による配線接続を実施してもよい。
また、ベース基板610は、各内側端子部615が設けられる位置に対応して、貫通孔614が形成されており、各内側端子部615は、貫通孔614に充填された導電性部材を介して、ベース基板610のベース内側面612とは反対側のベース外側面613に設けられた外側端子部616に接続されている。
そして、ベース基板610の外周部には、リッド620に接合されるベース接合部617が設けられている。
Inner terminal portions 615 corresponding to the respective terminal portions 565A, 566A, 567A, and 568A of the wavelength variable interference filter 5 are provided on the base inner side surface 612 of the base substrate 610 facing the lid 620. For example, FPC (Flexible Printed Circuits) 615A can be used for connection between the terminal portions 565A, 566A, 567A, and 568A and the inner terminal portion 615, for example, Ag paste, ACF (Anisotropic Conductive Film), ACP (Anisotropic). Join with Conductive Paste etc. In addition, when maintaining the internal space 650 in a vacuum state, it is preferable to use Ag paste with little outgas. Further, the connection is not limited to the connection by the FPC 615A, and wiring connection by wire bonding or the like may be performed, for example.
In addition, the base substrate 610 has through holes 614 corresponding to positions where the respective inner terminal portions 615 are provided, and the respective inner terminal portions 615 are interposed via conductive members filled in the through holes 614. The base substrate 610 is connected to an outer terminal portion 616 provided on the base outer surface 613 opposite to the base inner surface 612.
A base joint 617 that is joined to the lid 620 is provided on the outer periphery of the base substrate 610.

リッド620は、図15に示すように、ベース基板610のベース接合部617に接合されるリッド接合部624と、リッド接合部624から連続し、ベース基板610から離れる方向に立ち上がる側壁部625と、側壁部625から連続し、波長可変干渉フィルター5の第一基板51側を覆う天面部626とを備えている。このリッド620は、例えばコバール等の合金または金属により形成することができる。
このリッド620は、リッド接合部624と、ベース基板610のベース接合部617とが、接合されることで、ベース基板610に密着接合されている。
この接合方法としては、例えば、レーザー溶着の他、銀ロウ等を用いた半田付け、共晶合金層を用いた封着、低融点ガラスを用いた溶着、ガラス付着、ガラスフリット接合、エポキシ樹脂による接着等が挙げられる。これらの接合方法は、ベース基板610及びリッド620の素材や、接合環境等により、適宜選択することができる。
As shown in FIG. 15, the lid 620 includes a lid joint 624 that is joined to the base joint 617 of the base substrate 610, a side wall 625 that continues from the lid joint 624 and rises away from the base substrate 610, A top surface portion 626 that is continuous from the side wall portion 625 and covers the first substrate 51 side of the wavelength variable interference filter 5 is provided. The lid 620 can be formed of an alloy such as Kovar or a metal, for example.
The lid 620 is tightly bonded to the base substrate 610 by bonding the lid bonding portion 624 and the base bonding portion 617 of the base substrate 610.
As this joining method, for example, in addition to laser welding, soldering using silver brazing, sealing using a eutectic alloy layer, welding using low melting glass, glass adhesion, glass frit bonding, epoxy resin Adhesion etc. are mentioned. These bonding methods can be appropriately selected depending on the materials of the base substrate 610 and the lid 620, the bonding environment, and the like.

リッド620の天面部626は、ベース基板610に対して平行となる。この天面部626には、波長可変干渉フィルター5の光干渉領域Ar0に対向する領域に、光通過孔621が開口形成されている。そして、この光通過孔621を覆うように、リッド側ガラス基板640が接合される。リッド側ガラス基板640の接合方法としては、ベース側ガラス基板630の接合と同様に、例えばガラスフリット接合や、エポキシ樹脂等による接着などを用いることができる。   The top surface portion 626 of the lid 620 is parallel to the base substrate 610. In the top surface portion 626, a light passage hole 621 is formed in a region facing the light interference region Ar0 of the wavelength variable interference filter 5. And the lid side glass substrate 640 is joined so that this light passage hole 621 may be covered. As a method for bonding the lid-side glass substrate 640, for example, glass frit bonding, adhesion using an epoxy resin, or the like can be used as in the case of bonding the base-side glass substrate 630.

〔第三実施形態の作用効果〕
本実施形態の光学フィルターデバイス600では、筐体601により波長可変干渉フィルター5が保護されているため、異物や大気に含まれるガス等による波長可変干渉フィルター5の特性変化を防止でき、また、外的要因による波長可変干渉フィルター5の破損を防止できる。また、帯電粒子の侵入を防止できるため、第一電極561や第二電極562の帯電を防止できる。したがって、帯電によるクーロン力の発生を抑制でき、反射膜551,552の平行性をより確実に維持することができる。
[Operational effects of the third embodiment]
In the optical filter device 600 of the present embodiment, since the wavelength tunable interference filter 5 is protected by the housing 601, it is possible to prevent changes in the characteristics of the wavelength tunable interference filter 5 due to foreign matters, gases contained in the atmosphere, and the like. It is possible to prevent the wavelength tunable interference filter 5 from being damaged due to mechanical factors. In addition, since intrusion of charged particles can be prevented, charging of the first electrode 561 and the second electrode 562 can be prevented. Therefore, the generation of Coulomb force due to charging can be suppressed, and the parallelism of the reflective films 551 and 552 can be more reliably maintained.

また、例えば工場で製造された波長可変干渉フィルター5を、光学モジュールや電子機器を組み立てる組み立てライン等まで運搬する場合に、光学フィルターデバイス600により保護された波長可変干渉フィルター5では、安全に運搬することが可能となる。
また、光学フィルターデバイス600は、筐体601の外周面に露出する外側端子部616が設けられているため、光学モジュールや電子機器に対して組み込む際にも容易に配線を実施することが可能となる。
For example, when the wavelength tunable interference filter 5 manufactured in a factory is transported to an assembly line for assembling an optical module or an electronic device, the wavelength tunable interference filter 5 protected by the optical filter device 600 is transported safely. It becomes possible.
In addition, since the optical filter device 600 is provided with the outer terminal portion 616 exposed on the outer peripheral surface of the housing 601, wiring can be easily performed even when the optical filter device 600 is incorporated into an optical module or an electronic device. Become.

[変形例]
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
[Modification]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.

第一実施形態及び第二実施形態において、第一端子565Aが第一端子突出部515に設けられ、第二端子566Aが第二端子突出部523に設けられる構成としたが、これに限定されない。例えば、第一基板51及び第二基板52のいずれか一方にのみ、基板重なり部555から突出する第一突出部が設けられ、この第一突出部に第一端子565A及び第二端子566Aの双方が設けられる構成としてもよい。すなわち、第一基板51及び第二基板52のいずれか一方に設けられた第一突出部に、第一アクチュエーターである静電アクチュエーター56Aに電圧を印加するための第一端子部(第一端子565A、第二端子566A)が設けられる構成としてもよい。
同様に、第三端子567Aが第三端子突出部516に設けられ、第四端子568Aが第四端子突出部533に設けられる構成としたが、これに限定されない。
例えば、第一基板51及び第三基板53のいずれか一方にのみ、基板重なり部555から突出する第二突出部が設けられ、この第二突出部に第三端子567A及び第四端子568Aの双方が設けられる構成としてもよい。すなわち、第一基板51及び第三基板53のいずれか一方に設けられた第二突出部に、第二アクチュエーターである静電アクチュエーター56Bに電圧を印加するための第二端子部(第三端子567A、第四端子568A)が設けられる構成としてもよい。
In the first embodiment and the second embodiment, the first terminal 565A is provided in the first terminal protrusion 515 and the second terminal 566A is provided in the second terminal protrusion 523. However, the present invention is not limited to this. For example, only one of the first substrate 51 and the second substrate 52 is provided with a first protrusion that protrudes from the substrate overlap portion 555, and both the first terminal 565A and the second terminal 566A are provided in the first protrusion. May be provided. That is, a first terminal portion (first terminal 565A) for applying a voltage to the electrostatic actuator 56A, which is the first actuator, on the first protrusion provided on either the first substrate 51 or the second substrate 52. The second terminal 566A) may be provided.
Similarly, the third terminal 567A is provided in the third terminal protruding portion 516 and the fourth terminal 568A is provided in the fourth terminal protruding portion 533. However, the present invention is not limited to this.
For example, only one of the first substrate 51 and the third substrate 53 is provided with a second protrusion that protrudes from the substrate overlap portion 555, and both the third terminal 567A and the fourth terminal 568A are provided on the second protrusion. May be provided. That is, a second terminal portion (third terminal 567A) for applying a voltage to the electrostatic actuator 56B, which is the second actuator, is applied to the second protrusion provided on either the first substrate 51 or the third substrate 53. The fourth terminal 568A) may be provided.

さらに、各端子突出部515,516,523,533が設けられず、各基板51,52,53の一部が切り欠かれることで、各端子部565A,566A,567A,568Aが露出する構成などとしてもよい。   Furthermore, each terminal protrusion part 515,516,523,533 is not provided, but each terminal part 565A, 566A, 567A, 568A is exposed by notching a part of each board | substrate 51,52,53, etc. It is good.

なお、上記各実施形態では、電極配置溝511、電極引出溝511B、電極配置溝513、電極引出溝513B、第一端子突出部515、及び第三端子突出部516の形成箇所が開口するレジストを形成して、ウェットエッチングを実施することで、第一ギャップG1と第二ギャップG2とが同一の初期ギャップ量となる構成を例示したが、これに限定されない。
例えば、第一ギャップG1と第二ギャップG2が異なる初期ギャップ量を有する構成としてもよい。
この場合、例えば固定基板51の製造時において、反射膜設置面512A及び反射膜設置面514Aの形成工程を別工程として実施したり、反射膜設置面512A及び反射膜設置面514Aのいずれか一方に対してのみ、更にエッチングを実施したりすることで、溝深さを変更すればよい。
また、第一ガラス基板M1及び第二ガラス基板M2の接合時の接合膜の厚み寸法と、第一ガラス基板M1及び第三ガラス基板M3の接合時の接合膜の厚み寸法とを異なる厚み寸法にすることで、第一ギャップG1及び第二ギャップG2を異なる初期ギャップ量に設定してもよい。
このような構成では、例えば、第一ギャップG1間により取り出される2次ピーク波長と、第二ギャップG2間により取り出される1次ピーク波長とを一致させる場合、第二ギャップG2の初期ギャップを第一ギャップG1の初期ギャップよりも小さく設定することで、電圧制御時の電圧値を低減でき、省電力化を図れる。
例えば、測定対象光から550nmの光を取り出したい場合、フィルター駆動部21は、第一ギャップG1のギャップ量gが550nmとなり、第二ギャップG2のギャップ量gを275nmとなるように、静電アクチュエーター56A,56Bに印加する電圧を設定する。ここで、第一ギャップG1及び第二ギャップG2の初期ギャップがそれぞれ1μmである場合、フィルター駆動部は、可動部521を450nm、可動部531を725nmだけ変位させる必要がある。これに対して、第一ギャップG1の初期ギャップ量が1μm、第二ギャップG2の初期ギャップが600nmである場合、フィルター駆動部は、可動部531を325nmだけ変位させればよく、可動部531を駆動させるための電力を小さくできる。
In each of the above embodiments, the resist in which the electrode placement groove 511, the electrode lead groove 511B, the electrode placement groove 513, the electrode lead groove 513B, the first terminal protrusion 515, and the third terminal protrusion 516 are formed is opened. The configuration in which the first gap G1 and the second gap G2 have the same initial gap amount by forming and performing wet etching is exemplified, but the present invention is not limited thereto.
For example, the first gap G1 and the second gap G2 may have different initial gap amounts.
In this case, for example, when the fixed substrate 51 is manufactured, the formation process of the reflection film installation surface 512A and the reflection film installation surface 514A is performed as a separate process, or the reflection film installation surface 512A and the reflection film installation surface 514A are formed. Only on the other hand, the groove depth may be changed by further etching.
Moreover, the thickness dimension of the bonding film at the time of bonding of the first glass substrate M1 and the second glass substrate M2 is different from the thickness dimension of the bonding film at the time of bonding of the first glass substrate M1 and the third glass substrate M3. Thus, the first gap G1 and the second gap G2 may be set to different initial gap amounts.
In such a configuration, for example, when the secondary peak wavelength extracted between the first gaps G1 matches the primary peak wavelength extracted between the second gaps G2, the initial gap of the second gap G2 is set to the first gap. By setting the gap G1 smaller than the initial gap, the voltage value at the time of voltage control can be reduced, and power saving can be achieved.
For example, if the target light to be extracted light of 550nm, a filter drive unit 21, as the gap amount g 1 of the first gap G1 is 550nm, and the gap amount g 2 of the second gap G2 and 275 nm, electrostatic A voltage to be applied to the electric actuators 56A and 56B is set. Here, when the initial gaps of the first gap G1 and the second gap G2 are each 1 μm, the filter driving unit needs to displace the movable unit 521 by 450 nm and the movable unit 531 by 725 nm. On the other hand, when the initial gap amount of the first gap G1 is 1 μm and the initial gap of the second gap G2 is 600 nm, the filter driving unit only has to displace the movable unit 531 by 325 nm. The electric power for driving can be made small.

上記各実施形態では、波長可変干渉フィルター5,5Aの第一アクチュエーター及び第二アクチュエーターとして、電圧印加により静電引力により第一ギャップG1のギャップ量gや第二ギャップG2のギャップ量gを変動させる静電アクチュエーター56A,56Bを例示したが、これに限定されない。
例えば、各電極561,562,563,564の代わりに、コイルを配置した電磁アクチュエーターを用いる構成としてもよい。
更に、静電アクチュエーター56A,56Bの代わりに圧電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。この場合、例えば保持部522,532に下部電極層、圧電膜、及び上部電極層を積層配置させ、下部電極層及び上部電極層の間に印加する電圧を入力値として可変させることで、圧電膜を伸縮させて保持部522,532を撓ませることができる。
さらに、第一アクチュエーターと第二アクチュエーターとにおいて、異なるアクチュエーターを用いてもよい。例えば、第一アクチュエーターを静電アクチュエーター56Aとし、第二アクチュエーターを電磁アクチュエーターとする構成としてもよい。
In the embodiments described above, as the first actuator and the second actuator of the variable wavelength interference filter 5, 5A, the gap distance g 2 of the gap amount g 1 and the second gap G2 of the first gap G1 by electrostatic attraction by applying a voltage Although the electrostatic actuators 56 </ b> A and 56 </ b> B to be varied are exemplified, the present invention is not limited to this.
For example, instead of the electrodes 561, 562, 563, and 564, an electromagnetic actuator having a coil may be used.
Further, a piezoelectric actuator may be used instead of the electrostatic actuators 56A and 56B. In this case, for example, the lower electrode layer, the piezoelectric film, and the upper electrode layer are stacked on the holding portions 522 and 532, and the voltage applied between the lower electrode layer and the upper electrode layer is varied as an input value, thereby the piezoelectric film The holding portions 522 and 532 can be bent by expanding and contracting.
Further, different actuators may be used for the first actuator and the second actuator. For example, the first actuator may be an electrostatic actuator 56A and the second actuator may be an electromagnetic actuator.

また、第一アクチュエーターとして、円環状の第一電極561及び第二電極562により構成される静電アクチュエーター56Aを例示したが、これに限定されない。例えば、51及び52の双方に、中心点Oを中心として、径寸法が異なる2つの円環上の電極(内側電極、外側電極)を形成する構成としてもよい。この場合、第一ギャップG1のギャップ量を2つの静電アクチュエーターにより、高精度に制御することができる。第二アクチュエーターにおいても同様であり、複数のアクチュエーターを用いて、第二ギャップG2のギャップ量を調整してもよい。   Moreover, although the electrostatic actuator 56A comprised by the annular | circular shaped 1st electrode 561 and the 2nd electrode 562 was illustrated as a 1st actuator, it is not limited to this. For example, it is good also as a structure which forms the electrode (an inner side electrode, an outer side electrode) on two circular rings from which diameter size differs centering on the center point O in both 51 and 52. FIG. In this case, the gap amount of the first gap G1 can be controlled with high accuracy by the two electrostatic actuators. The same applies to the second actuator, and the gap amount of the second gap G2 may be adjusted using a plurality of actuators.

また、各基板51,52,53に、反射膜551,552,553,554の帯電を防止するための帯電防止用電極や、第一ギャップG1のギャップ量gや、第二ギャップG2のギャップ量gを静電容量に基づいて測定するための、容量測定用電極等を更に備える構成などとしてもよい。 Further, each substrate 51, 52, 53, charging and antistatic electrodes for preventing the reflection film 551,552,553,554, and the gap amount g 1 of the first gap G1, gap of the second gap G2 the amount g 2 for measuring on the basis of the electrostatic capacitance may be such structure further comprising a capacitance measuring electrodes or the like.

上記各実施形態では、第一端子突出部515は、電極配置溝511及び電極引出溝511Bと同時に形成され、第二基板側の面が、電極設置面511Aと同一平面となる形状を例示したが、これに限定されない。例えば、第一端子突出部515は、第一基板51の製造時にエッチング処理が実施されず、第二基板52に接合される面と同一平面上に、第一端子565Aが設けられる構成としてもよい。第三端子突出部516においても同様であり、第三端子突出部516の形成位置に対してエッチング処理が実施されず、第三基板53に接合される面と同一平面上に、第三端子567Aが設けられる構成としてもよい。   In each said embodiment, although the 1st terminal protrusion part 515 was formed simultaneously with the electrode arrangement | positioning groove | channel 511 and the electrode extraction groove | channel 511B, the surface by which the 2nd board | substrate side becomes the same plane as 511A of electrode installation surfaces was illustrated. However, the present invention is not limited to this. For example, the first terminal protrusion 515 may be configured such that the first terminal 565 </ b> A is provided on the same plane as the surface bonded to the second substrate 52 without being subjected to the etching process when the first substrate 51 is manufactured. . The same applies to the third terminal protruding portion 516, and the third terminal 567 </ b> A is formed on the same plane as the surface to be joined to the third substrate 53 without being subjected to the etching process on the formation position of the third terminal protruding portion 516. May be provided.

また、本発明の電子機器として、第一実施形態において分光測定装置1を例示したが、その他、様々な分野により本発明の波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器を用いることができる。
例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の波長可変干渉フィルターを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
Moreover, although the spectroscopic measurement apparatus 1 has been exemplified in the first embodiment as the electronic apparatus of the present invention, the wavelength variable interference filter, the optical filter device, the optical module, and the electronic apparatus of the present invention may be used in various other fields. it can.
For example, it can be used as a light-based system for detecting the presence of a specific substance. As such a system, for example, an in-vehicle gas leak detector that detects a specific gas with high sensitivity by adopting a spectroscopic measurement method using the variable wavelength interference filter of the present invention, or a photoacoustic rare gas detection for a breath test. A gas detection device such as a vessel can be exemplified.
An example of such a gas detection device will be described below with reference to the drawings.

図16は、波長可変干渉フィルターを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図17は、図16のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置100は、図16に示すように、センサーチップ110と、吸引口120A、吸引流路120B、排出流路120C、及び排出口120Dを備えた流路120と、本体部130と、を備えて構成されている。
本体部130は、流路120を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー131、排出手段133、筐体134、光学部135、フィルター136、波長可変干渉フィルター5、及び受光素子137(検出部)等を含む検出装置と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部138、電力を供給する電力供給部139等から構成されている。また、光学部135は、光を射出する光源135Aと、光源135Aから入射された光をセンサーチップ110側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子137側に透過するビームスプリッター135Bと、レンズ135C,135D,135Eと、により構成されている。なお、波長可変干渉フィルター5の代わりに、波長可変干渉フィルター5Aや光学フィルターデバイス600を配置してもよい。
また、図17に示すように、ガス検出装置100の表面には、操作パネル140、表示部141、外部とのインターフェイスのための接続部142、電力供給部139が設けられている。電力供給部139が二次電池の場合には、充電のための接続部143を備えてもよい。
更に、ガス検出装置100の制御部138は、図17に示すように、CPU等により構成された信号処理部144、光源135Aを制御するための光源ドライバー回路145、波長可変干渉フィルター5を制御するための電圧制御部146、受光素子137からの信号を受信する受光回路147、センサーチップ110のコードを読み取り、センサーチップ110の有無を検出するセンサーチップ検出器148からの信号を受信するセンサーチップ検出回路149、及び排出手段133を制御する排出ドライバー回路150などを備えている。
FIG. 16 is a schematic diagram illustrating an example of a gas detection device including a wavelength variable interference filter.
FIG. 17 is a block diagram showing a configuration of a control system of the gas detection device of FIG.
As shown in FIG. 16, the gas detection device 100 includes a sensor chip 110, a flow path 120 including a suction port 120A, a suction flow path 120B, a discharge flow path 120C, and a discharge port 120D, a main body 130, It is configured with.
The main body unit 130 includes a sensor unit cover 131 having an opening through which the flow channel 120 can be attached, a discharge unit 133, a housing 134, an optical unit 135, a filter 136, a wavelength variable interference filter 5, a light receiving element 137 (detection unit), and the like And a control unit 138 that processes the detected signal and controls the detection unit, a power supply unit 139 that supplies power, and the like. The optical unit 135 emits light, and a beam splitter 135B that reflects light incident from the light source 135A toward the sensor chip 110 and transmits light incident from the sensor chip toward the light receiving element 137. And lenses 135C, 135D, and 135E. Instead of the variable wavelength interference filter 5, a variable wavelength interference filter 5A or an optical filter device 600 may be disposed.
As shown in FIG. 17, an operation panel 140, a display unit 141, a connection unit 142 for interfacing with the outside, and a power supply unit 139 are provided on the surface of the gas detection device 100. When the power supply unit 139 is a secondary battery, a connection unit 143 for charging may be provided.
Further, as shown in FIG. 17, the control unit 138 of the gas detection apparatus 100 controls a signal processing unit 144 configured by a CPU or the like, a light source driver circuit 145 for controlling the light source 135A, and the variable wavelength interference filter 5. Voltage control unit 146, a light receiving circuit 147 that receives a signal from the light receiving element 137, a sensor chip detection that reads a code of the sensor chip 110 and receives a signal from a sensor chip detector 148 that detects the presence or absence of the sensor chip 110 A circuit 149, a discharge driver circuit 150 for controlling the discharge means 133, and the like are provided.

次に、上記のようなガス検出装置100の動作について、以下に説明する。
本体部130の上部のセンサー部カバー131の内部には、センサーチップ検出器148が設けられており、このセンサーチップ検出器148でセンサーチップ110の有無が検出される。信号処理部144は、センサーチップ検出器148からの検出信号を検出すると、センサーチップ110が装着された状態であると判断し、表示部141へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
Next, operation | movement of the above gas detection apparatuses 100 is demonstrated below.
A sensor chip detector 148 is provided inside the sensor unit cover 131 at the upper part of the main body unit 130, and the sensor chip detector 148 detects the presence or absence of the sensor chip 110. When the signal processing unit 144 detects the detection signal from the sensor chip detector 148, the signal processing unit 144 determines that the sensor chip 110 is attached, and displays a display signal for displaying on the display unit 141 that the detection operation can be performed. put out.

そして、例えば利用者により操作パネル140が操作され、操作パネル140から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部144へ出力されると、まず、信号処理部144は、光源ドライバー回路145に光源作動の信号を出力して光源135Aを作動させる。光源135Aが駆動されると、光源135Aから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源135Aには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部144へ出力される。そして、信号処理部144は、光源135Aから入力された温度や光量に基づいて、光源135Aが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路150を制御して排出手段133を作動させる。これにより、検出すべき標的物質(ガス分子)を含んだ気体試料が、吸引口120Aから、吸引流路120B、センサーチップ110内、排出流路120C、排出口120Dへと誘導される。なお、吸引口120Aには、除塵フィルター120A1が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。   For example, when the operation panel 140 is operated by the user and an instruction signal to start the detection process is output from the operation panel 140 to the signal processing unit 144, the signal processing unit 144 first sends the signal processing unit 144 to the light source driver circuit 145. A light source activation signal is output to activate the light source 135A. When the light source 135A is driven, laser light having a single wavelength and stable linear polarization is emitted from the light source 135A. The light source 135A includes a temperature sensor and a light amount sensor, and the information is output to the signal processing unit 144. When the signal processing unit 144 determines that the light source 135A is stably operating based on the temperature and light quantity input from the light source 135A, the signal processing unit 144 controls the discharge driver circuit 150 to operate the discharge unit 133. Thereby, the gas sample containing the target substance (gas molecule) to be detected is guided from the suction port 120A to the suction channel 120B, the sensor chip 110, the discharge channel 120C, and the discharge port 120D. The suction port 120A is provided with a dust removal filter 120A1 to remove relatively large dust, some water vapor, and the like.

また、センサーチップ110は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ110では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部135を通ってフィルター136に入射し、フィルター136によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター5に入射する。そして、信号処理部144は、電圧制御部146を制御し、波長可変干渉フィルター5に印加する電圧を調整し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター5で分光させる。この後、分光した光が受光素子137で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路147を介して信号処理部144に出力される。
信号処理部144は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ROMに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部144は、表示部141にその結果情報を表示させたり、接続部142から外部へ出力したりする。
The sensor chip 110 is a sensor that incorporates a plurality of metal nanostructures and uses localized surface plasmon resonance. In such a sensor chip 110, an enhanced electric field is formed between the metal nanostructures by the laser light, and when gas molecules enter the enhanced electric field, Raman scattered light and Rayleigh scattered light including information on molecular vibrations are generated. Occur.
These Rayleigh scattered light and Raman scattered light enter the filter 136 through the optical unit 135, and the Rayleigh scattered light is separated by the filter 136, and the Raman scattered light enters the wavelength variable interference filter 5. Then, the signal processing unit 144 controls the voltage control unit 146 to adjust the voltage applied to the wavelength variable interference filter 5, and causes the wavelength variable interference filter 5 to split the Raman scattered light corresponding to the gas molecule to be detected. . Thereafter, when the dispersed light is received by the light receiving element 137, a light reception signal corresponding to the amount of received light is output to the signal processing unit 144 via the light receiving circuit 147.
The signal processing unit 144 compares the spectrum data of the Raman scattered light corresponding to the gas molecule to be detected obtained as described above and the data stored in the ROM, and determines whether or not the target gas molecule is the target gas molecule. To determine the substance. Further, the signal processing unit 144 displays the result information on the display unit 141 or outputs the result information from the connection unit 142 to the outside.

なお、上記図16及び図17において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター5により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置100を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。   16 and 17 exemplify the gas detection device 100 that performs gas detection from the Raman scattered light obtained by spectrally dividing the Raman scattered light by the wavelength variable interference filter 5. You may use as a gas detection apparatus which specifies gas classification by detecting the light absorbency of. In this case, a gas sensor that allows gas to flow into the sensor and detects light absorbed by the gas in the incident light is used as the optical module of the present invention. A gas detection device that analyzes and discriminates the gas flowing into the sensor by such a gas sensor is an electronic apparatus of the present invention. Even in such a configuration, it is possible to detect a gas component using the wavelength variable interference filter.

また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
In addition, the system for detecting the presence of a specific substance is not limited to the detection of the gas as described above, but a non-invasive measuring device for saccharides by near-infrared spectroscopy, and non-invasive information on food, living body, minerals, etc. A substance component analyzer such as a measuring device can be exemplified.
Hereinafter, a food analyzer will be described as an example of the substance component analyzer.

図18は、波長可変干渉フィルター5を利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置200は、図18に示すように、検出器210(光学モジュール)と、制御部220と、表示部230と、を備えている。検出器210は、光を射出する光源211と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ212と、撮像レンズ212から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター5と、分光された光を検出する撮像部213(検出部)と、を備えている。なお、波長可変干渉フィルター5に代えて、波長可変干渉フィルター5Aや光学フィルターデバイス600が配置されてもよい。
また、制御部220は、光源211の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部221と、波長可変干渉フィルター5を制御する電圧制御部222と、撮像部213を制御し、撮像部213で撮像された分光画像を取得する検出制御部223と、信号処理部224と、記憶部225と、を備えている。
FIG. 18 is a diagram illustrating a schematic configuration of a food analysis apparatus which is an example of an electronic apparatus using the variable wavelength interference filter 5.
As shown in FIG. 18, the food analysis apparatus 200 includes a detector 210 (optical module), a control unit 220, and a display unit 230. The detector 210 includes a light source 211 that emits light, an imaging lens 212 into which light from the measurement target is introduced, a wavelength variable interference filter 5 that splits the light introduced from the imaging lens 212, and the dispersed light. And an imaging unit 213 (detection unit) for detecting. Instead of the variable wavelength interference filter 5, a variable wavelength interference filter 5A or an optical filter device 600 may be disposed.
In addition, the control unit 220 controls the light source control unit 221 that controls the turning on / off of the light source 211 and the brightness control at the time of lighting, the voltage control unit 222 that controls the wavelength variable interference filter 5, and the imaging unit 213. , A detection control unit 223 that acquires a spectral image captured by the imaging unit 213, a signal processing unit 224, and a storage unit 225.

この食物分析装置200は、システムを駆動させると、光源制御部221により光源211が制御されて、光源211から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ212を通って波長可変干渉フィルター5に入射する。波長可変干渉フィルター5は電圧制御部222の制御により所望の波長を分光可能な電圧が印加されており、分光された光が、例えばCCDカメラ等により構成される撮像部213で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部225に蓄積される。また、信号処理部224は、電圧制御部222を制御して波長可変干渉フィルター5に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。   In the food analyzer 200, when the system is driven, the light source 211 is controlled by the light source control unit 221, and light is irradiated from the light source 211 to the measurement object. Then, the light reflected by the measurement object enters the wavelength variable interference filter 5 through the imaging lens 212. The variable wavelength interference filter 5 is applied with a voltage capable of dispersing a desired wavelength under the control of the voltage control unit 222, and the dispersed light is imaged by an imaging unit 213 configured by, for example, a CCD camera or the like. The captured light is accumulated in the storage unit 225 as a spectral image. In addition, the signal processing unit 224 controls the voltage control unit 222 to change the voltage value applied to the wavelength tunable interference filter 5, and acquires a spectral image for each wavelength.

そして、信号処理部224は、記憶部225に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部225には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部224は、求めたスペクトルのデータを、記憶部225に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、及びその含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。更に、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、更には、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部224は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部230に表示させる処理をする。
Then, the signal processing unit 224 performs arithmetic processing on the data of each pixel in each image accumulated in the storage unit 225, and obtains a spectrum at each pixel. In addition, the storage unit 225 stores, for example, information related to food components with respect to the spectrum, and the signal processing unit 224 analyzes the obtained spectrum data based on the information related to food stored in the storage unit 225. The food component contained in the detection target and its content are obtained. Moreover, a food calorie, a freshness, etc. are computable from the obtained food component and content. Furthermore, by analyzing the spectral distribution in the image, it is possible to extract a portion of the food to be inspected that has reduced freshness, and to detect foreign substances contained in the food. Can also be implemented.
Then, the signal processing unit 224 performs processing for causing the display unit 230 to display information such as the components and contents of the food to be examined, the calories, and the freshness obtained as described above.

また、図18において、食物分析装置200の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
FIG. 18 shows an example of the food analysis apparatus 200, but it can also be used as a non-invasive measurement apparatus for other information as described above with a substantially similar configuration. For example, it can be used as a biological analyzer for analyzing biological components such as measurement and analysis of body fluid components such as blood. As such a bioanalytical device, for example, a device that detects ethyl alcohol as a device that measures a body fluid component such as blood, it can be used as a drunk driving prevention device that detects the drunk state of the driver. Further, it can also be used as an electronic endoscope system provided with such a biological analyzer.
Furthermore, it can also be used as a mineral analyzer for performing component analysis of minerals.

更には、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
Furthermore, the variable wavelength interference filter, optical module, and electronic apparatus of the present invention can be applied to the following devices.
For example, it is possible to transmit data using light of each wavelength by changing the intensity of light of each wavelength over time. In this case, light of a specific wavelength is transmitted by a wavelength variable interference filter provided in the optical module. The data transmitted by the light of the specific wavelength can be extracted by separating the light and receiving the light at the light receiving unit, and the electronic data having such a data extraction optical module can be used to extract the light data of each wavelength. By processing, optical communication can be performed.

また、電子機器としては、本発明の波長可変干渉フィルターにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図19は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ300は、図19に示すように、カメラ本体310と、撮像レンズユニット320と、撮像部330(検出部)とを備えている。
カメラ本体310は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット320は、カメラ本体310に設けられ、入射した画像光を撮像部330に導光する。また、この撮像レンズユニット320は、図19に示すように、対物レンズ321、結像レンズ322、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター5を備えて構成されている。
撮像部330は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット320により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ300では、波長可変干渉フィルター5により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。
Further, the electronic apparatus can be applied to a spectroscopic camera, a spectroscopic analyzer, or the like that captures a spectroscopic image by dispersing light with the variable wavelength interference filter of the present invention. An example of such a spectroscopic camera is an infrared camera incorporating a wavelength variable interference filter.
FIG. 19 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the spectroscopic camera. As shown in FIG. 19, the spectroscopic camera 300 includes a camera body 310, an imaging lens unit 320, and an imaging unit 330 (detection unit).
The camera body 310 is a part that is gripped and operated by a user.
The imaging lens unit 320 is provided in the camera body 310 and guides incident image light to the imaging unit 330. Further, as shown in FIG. 19, the imaging lens unit 320 includes an objective lens 321, an imaging lens 322, and a variable wavelength interference filter 5 provided between these lenses.
The imaging unit 330 includes a light receiving element, and images the image light guided by the imaging lens unit 320.
In such a spectroscopic camera 300, a spectral image of light having a desired wavelength can be captured by transmitting light having a wavelength to be imaged by the variable wavelength interference filter 5.

更には、本発明の波長可変干渉フィルターをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の波長可変干渉フィルターを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
Furthermore, the wavelength tunable interference filter of the present invention may be used as a bandpass filter. For example, only light in a narrow band centered on a predetermined wavelength is tunable out of light in a predetermined wavelength range emitted from a light emitting element. It can also be used as an optical laser device that spectrally transmits through an interference filter.
In addition, the tunable interference filter of the present invention may be used as a biometric authentication device, and can be applied to authentication devices such as blood vessels, fingerprints, retinas, and irises using light in the near infrared region and visible region.

更には、光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー(赤外光)を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。   Furthermore, an optical module and an electronic device can be used as a concentration detection device. In this case, the infrared energy (infrared light) emitted from the substance is spectrally analyzed by the variable wavelength interference filter, and the analyte concentration in the sample is measured.

上記に示すように、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の波長可変干渉フィルターは、上述のように、1デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。   As described above, the tunable interference filter, the optical module, and the electronic device of the present invention can be applied to any device that splits predetermined light from incident light. Since the wavelength tunable interference filter according to the present invention can split a plurality of wavelengths with one device as described above, it is possible to accurately measure a spectrum of a plurality of wavelengths and detect a plurality of components. it can. Therefore, compared with the conventional apparatus which takes out a desired wavelength with a plurality of devices, it is possible to promote downsizing of the optical module and the electronic apparatus, and for example, it can be suitably used as a portable or in-vehicle optical device.

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。   In addition, the specific structure for carrying out the present invention can be appropriately changed to other structures and the like within a range in which the object of the present invention can be achieved.

1…分光測定装置(電子機器)、5,5A…波長可変干渉フィルター、10…光学モジュール、11…検出部、20制御回路部、21…フィルター駆動部、51…第一基板(基板)、52…第二基板、53…第三基板、55A…第一光干渉部、55B…第二光干渉部、56A…静電アクチュエーター(第一アクチュエーター)、56B…静電アクチュエーター(第二アクチュエーター)、100…ガス検出装置(電子機器)、200…食物分析装置(電子機器)、300…分光カメラ(電子機器)、515…第一端子突出部(第一突出部)、516…第三端子突出部(第二突出部)、521…可動部(第一可動部)、522…保持部(第二保持部)、523…第二端子突出部(第一突出部)、531…可動部(第二可動部)、532…保持部(第二保持部)、533…第四端子突出部(第二突出部)、551…第一反射膜、552…第二反射膜、553…第三反射膜、554…第四反射膜、561…第一電極、562…第二電極、563…第三電極、564…第四電極、565A…第一端子部、566A…第二端子部、567A…第三端子部、568A…第四端子部、600…光学フィルターデバイス、601…筐体、G1…第一ギャップ、G2…第二ギャップ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Spectrometer (electronic device) 5,5A ... Wavelength variable interference filter, 10 ... Optical module, 11 ... Detection part, 20 Control circuit part, 21 ... Filter drive part, 51 ... First board | substrate (board | substrate), 52 ... 2nd board | substrate, 53 ... 3rd board | substrate, 55A ... 1st light interference part, 55B ... 2nd light interference part, 56A ... Electrostatic actuator (1st actuator), 56B ... Electrostatic actuator (2nd actuator), 100 ... gas detection device (electronic device), 200 ... food analysis device (electronic device), 300 ... spectroscopic camera (electronic device), 515 ... first terminal protrusion (first protrusion), 516 ... third terminal protrusion ( Second projecting part), 521... Movable part (first movable part), 522... Holding part (second retaining part), 523... Second terminal projecting part (first projecting part), 531. Part), 532 ... holding part ( Second holding portion), 533... Fourth terminal protruding portion (second protruding portion), 551... First reflecting film, 552. Second reflecting film, 553. Third reflecting film, 554. Fourth reflecting film, 561. 1st electrode, 562 ... 2nd electrode, 563 ... 3rd electrode, 564 ... 4th electrode, 565A ... 1st terminal part, 566A ... 2nd terminal part, 567A ... 3rd terminal part, 568A ... 4th terminal part, 600: optical filter device, 601: housing, G1: first gap, G2: second gap.

Claims (12)

第一基板と、
前記第一基板に対向して配置された第二基板と、
前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板の前記第一基板に対向する面に設けられ、前記第一反射膜に対して第一反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記第一反射膜間ギャップを変化させる第一アクチュエーターと、
前記第一基板の前記第二基板に対向する面とは反対の面に対向して配置された第三基板と、
前記第一基板の前記第三基板に対向する面に設けられた第三反射膜と、
前記第三基板の前記第一基板に対向する面に設けられ、前記第三反射膜に対して第二反射膜間ギャップを介して対向する第四反射膜と、
前記第二反射膜間ギャップを変化させる第二アクチュエーターと、
を具備し、
前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記第三反射膜、及び前記第四反射膜は、少なくとも一部が互いに重なり、
前記第一アクチュエーターは、電圧印加により、前記第一反射膜間ギャップを変化させ、
前記第二アクチュエーターは、電圧印加により、前記第二反射膜間ギャップを変化させ、
前記平面視において、前記第一基板及び前記第二基板の少なくともいずれか一方は、他方の外周縁よりも外側に突出する第一突出部を備え、
前記第一突出部には、前記第一アクチュエーターに電圧を印加する第一端子部が設けられ、
前記平面視において、前記第一基板及び前記第三基板の少なくともいずれか一方は、他方の外周縁よりも外側に突出する第二突出部を備え、
前記第二突出部には、前記第二アクチュエーターに電圧を印加する第二端子部が設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
A first substrate;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
A first reflective film provided on a surface of the first substrate facing the second substrate;
A second reflective film provided on a surface of the second substrate facing the first substrate and facing the first reflective film via a gap between the first reflective films;
A first actuator for changing the gap between the first reflective films;
A third substrate disposed opposite to a surface opposite to the surface facing the second substrate of the first substrate;
A third reflective film provided on a surface of the first substrate facing the third substrate;
A fourth reflective film provided on a surface of the third substrate facing the first substrate and facing the third reflective film via a gap between the second reflective films;
A second actuator for changing the gap between the second reflective films;
Comprising
The first reflection film, the second reflection film, the third reflection film, and the fourth reflection film in a plan view of the first substrate, the second substrate, and the third substrate viewed from the substrate thickness direction. is, Ri at least some heavy Do each other,
The first actuator changes the gap between the first reflective films by applying a voltage,
The second actuator changes the gap between the second reflective films by applying a voltage,
In the plan view, at least one of the first substrate and the second substrate includes a first protruding portion that protrudes outward from the outer peripheral edge of the other,
The first projecting portion is provided with a first terminal portion for applying a voltage to the first actuator,
In the plan view, at least one of the first substrate and the third substrate includes a second protruding portion that protrudes outward from the outer peripheral edge of the other,
The wavelength variable interference filter according to claim 2, wherein a second terminal portion for applying a voltage to the second actuator is provided at the second protrusion .
請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、  The tunable interference filter according to claim 1,
前記第一アクチュエーターは、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられる第一電極と、前記第二基板に設けられ、前記第一電極に所定のギャップを介して対向する第二電極とを備え、  The first actuator includes a first electrode provided on a surface of the first substrate facing the second substrate, and a second electrode provided on the second substrate and facing the first electrode via a predetermined gap. With electrodes,
前記第二アクチュエーターは、前記第一基板の前記第三基板に対向する面に設けられる第三電極と、前記第三基板に設けられ、前記第三電極に所定のギャップを介して対向する第四電極とを備え、  The second actuator includes a third electrode provided on a surface of the first substrate facing the third substrate, and a fourth electrode provided on the third substrate and facing the third electrode via a predetermined gap. With electrodes,
前記第一突出部に設けられる前記第一端子部は、前記第一電極に接続される第一端子と、前記第二電極に接続される第二端子と、を含み、  The first terminal portion provided in the first protrusion includes a first terminal connected to the first electrode and a second terminal connected to the second electrode,
前記第二突出部に設けられる前記第二端子部は、前記第三電極に接続される第三端子と、前記第四電極に接続される第四端子と、を含む  The second terminal portion provided on the second protrusion includes a third terminal connected to the third electrode and a fourth terminal connected to the fourth electrode.
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。  A tunable interference filter characterized by that.
第一基板と、
前記第一基板に対向して配置された第二基板と、
前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板の前記第一基板に対向する面に設けられ、前記第一反射膜に対して第一反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記第一反射膜間ギャップを変化させる第一アクチュエーターと、
前記第一基板の前記第二基板に対向する面とは反対の面に対向して配置された第三基板と、
前記第一基板の前記第三基板に対向する面に設けられた第三反射膜と、
前記第三基板の前記第一基板に対向する面に設けられ、前記第三反射膜に対して第二反射膜間ギャップを介して対向する第四反射膜と、
前記第二反射膜間ギャップを変化させる第二アクチュエーターと、
を具備し、
前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記第三反射膜、及び前記第四反射膜は、少なくとも一部が互いに重なり、
前記第一基板の一部が前記第二基板の外周縁よりも外側に突出する第一端子突出部と、
前記第二基板の一部が前記第一基板の外周縁よりも外側に突出する第二端子突出部と、
前記第一基板の一部が前記第三基板の外周縁よりも外側に突出する第三端子突出部と、
前記第三基板の一部が前記第一基板の外周縁よりも外側に突出する第四端子突出部と、
を備え、
前記第一アクチュエーターは、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられる第一電極と、前記第二基板に設けられ、前記第一電極に所定のギャップを介して対向する第二電極とを備え、
前記第二アクチュエーターは、前記第一基板の前記第三基板に対向する面に設けられる第三電極と、前記第三基板に設けられ、前記第三電極に所定のギャップを介して対向する第四電極とを備え、
前記第一端子突出部には、前記第一電極に接続される第一端子が設けられ、
前記第二端子突出部には、前記第二電極に接続される第二端子が設けられ、
前記第三端子突出部には、前記第三電極に接続される第三端子が設けられ、
前記第四端子突出部には、前記第四電極に接続される第四端子が設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
A first substrate;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
A first reflective film provided on a surface of the first substrate facing the second substrate;
A second reflective film provided on a surface of the second substrate facing the first substrate and facing the first reflective film via a gap between the first reflective films;
A first actuator for changing the gap between the first reflective films;
A third substrate disposed opposite to a surface opposite to the surface facing the second substrate of the first substrate;
A third reflective film provided on a surface of the first substrate facing the third substrate;
A fourth reflective film provided on a surface of the third substrate facing the first substrate and facing the third reflective film via a gap between the second reflective films;
A second actuator for changing the gap between the second reflective films;
Comprising
The first reflection film, the second reflection film, the third reflection film, and the fourth reflection film in a plan view of the first substrate, the second substrate, and the third substrate viewed from the substrate thickness direction. is, Ri at least some heavy Do each other,
A first terminal protruding portion in which a part of the first substrate protrudes outside the outer peripheral edge of the second substrate;
A second terminal projecting portion in which a part of the second substrate projects outside the outer peripheral edge of the first substrate;
A third terminal protruding portion in which a part of the first substrate protrudes outside the outer peripheral edge of the third substrate;
A fourth terminal protruding portion in which a part of the third substrate protrudes outside the outer peripheral edge of the first substrate;
With
The first actuator includes a first electrode provided on a surface of the first substrate facing the second substrate, and a second electrode provided on the second substrate and facing the first electrode via a predetermined gap. With electrodes,
The second actuator includes a third electrode provided on a surface of the first substrate facing the third substrate, and a fourth electrode provided on the third substrate and facing the third electrode via a predetermined gap. With electrodes,
The first terminal protrusion is provided with a first terminal connected to the first electrode,
The second terminal protrusion is provided with a second terminal connected to the second electrode,
The third terminal protrusion is provided with a third terminal connected to the third electrode,
The fourth terminal protrusion is provided with a fourth terminal connected to the fourth electrode.
A tunable interference filter characterized by that.
請求項3に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、  The tunable interference filter according to claim 3,
前記平面視において、  In the plan view,
前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板は、互いに重なる矩形状の基板重なり部を有し、かつ、前記第一端子突出部、前記第二端子突出部、前記第三端子突出部、及び前記第四端子突出部は、それぞれ、前記基板重なり部の互いに異なる辺から異なる方向に突出し、  The first substrate, the second substrate, and the third substrate have rectangular overlapping portions that overlap each other, and the first terminal protrusion, the second terminal protrusion, and the third terminal protrusion Part and the fourth terminal projecting part project from different sides of the board overlapping part in different directions,
前記第二基板は、前記基板重なり部から前記第三端子突出部の突出方向と同一方向に、かつ、同一寸法だけ突出し、  The second substrate protrudes from the substrate overlapping portion in the same direction as the protruding direction of the third terminal protruding portion and by the same dimension,
前記第三基板は、前記基板重なり部から前記第一端子突出部の突出方向と同一方向に、かつ、同一寸法だけ突出する  The third substrate protrudes from the substrate overlapping portion in the same direction as the protruding direction of the first terminal protruding portion and by the same dimension.
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。  A tunable interference filter characterized by that.
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板は、可視光に対して透光性を有する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
In the wavelength variable interference filter according to any one of claims 1 to 4 ,
The variable wavelength interference filter, wherein the first substrate, the second substrate, and the third substrate have translucency with respect to visible light.
請求項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板は、石英基板、又はガラス基板である
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
The tunable interference filter according to claim 5 ,
The wavelength variable interference filter, wherein the first substrate, the second substrate, and the third substrate are a quartz substrate or a glass substrate.
請求項1から請求項のいずれか1項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第二基板は、第一可動部と、前記平面視において前記第一可動部の周囲に設けられた第一保持部とを有し、
前記第二反射膜は、前記第一可動部に設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
The variable wavelength interference filter according to any one of claims 1 to 6,
The second substrate has a first movable part and a first holding part provided around the first movable part in the plan view,
The second reflective film is provided on the first movable part. A wavelength tunable interference filter, wherein:
請求項1から請求項のいずれか1項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第三基板は、第二可動部と、前記平面視において前記第二可動部の周囲に設けられた第二保持部とを有し、
前記第四反射膜は、前記第二可動部に設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
The variable wavelength interference filter according to any one of claims 1 to 7,
The third substrate has a second movable part and a second holding part provided around the second movable part in the plan view,
The fourth reflective film is provided on the second movable part. A wavelength tunable interference filter, wherein:
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を具備している
ことを特徴とする光学フィルターデバイス。
The wavelength variable interference filter according to any one of claims 1 to 8,
An optical filter device, characterized in that it comprises a a housing for housing the variable wavelength interference filter.
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の波長可変干渉フィルターと、
光を検出する検出部と、
を具備し、
前記第一基板、前記第二基板、及び前記第三基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記第三反射膜、及び前記第四反射膜重なり合った領域により光干渉領域が構成され、
前記検出部は、前記光干渉領域により取り出された光を検出する
ことを特徴とする光学モジュール。
The wavelength variable interference filter according to any one of claims 1 to 8,
A detector for detecting light;
Comprising
The first reflective film, the second reflective film, the third reflective film, and the fourth reflective film in a plan view of the first substrate, the second substrate, and the third substrate viewed from the substrate thickness direction. The light interference area is composed of the overlapping areas,
The optical module, wherein the detection unit detects light extracted by the optical interference region.
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の波長可変干渉フィルターと、
前記第一アクチュエーター及び前記第二アクチュエーターを制御する制御部と、
を具備したことを特徴とする電子機器。
The wavelength variable interference filter according to any one of claims 1 to 8,
A control unit for controlling the first actuator and the second actuator;
An electronic apparatus comprising:
請求項1に記載の電子機器において、
前記制御部は、前記第二反射膜間ギャップを、前記第一反射膜間ギャップとは異なる値に設定し、かつ、所定の測定対象波長域内において、前記第一反射膜及び前記第二反射膜により取り出される複数のピーク波長の内の1つと、前記第三反射膜及び前記第四反射膜により取り出される複数のピーク波長の内の1つとが重なる状態に、前記第一反射膜間ギャップ及び前記第二反射膜間ギャップをそれぞれ設定する
ことを特徴とする電子機器。
The electronic apparatus according to claim 1 1,
The control unit sets the second inter-reflective film gap to a value different from the first inter-reflective film gap, and within the predetermined wavelength range to be measured, the first reflective film and the second reflective film In the state where one of the plurality of peak wavelengths extracted by the above and one of the plurality of peak wavelengths extracted by the third reflection film and the fourth reflection film overlap, the gap between the first reflection films and the An electronic device characterized by setting a gap between the second reflecting films.
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