JP5880833B2 - 紫外線蛍光体、光源および紫外線蛍光体の製造方法 - Google Patents

紫外線蛍光体、光源および紫外線蛍光体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5880833B2
JP5880833B2 JP2012000433A JP2012000433A JP5880833B2 JP 5880833 B2 JP5880833 B2 JP 5880833B2 JP 2012000433 A JP2012000433 A JP 2012000433A JP 2012000433 A JP2012000433 A JP 2012000433A JP 5880833 B2 JP5880833 B2 JP 5880833B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
ultraviolet
oxide
ultraviolet phosphor
concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012000433A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013139525A (ja
Inventor
和茂 植田
和茂 植田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyushu Institute of Technology NUC
Original Assignee
Kyushu Institute of Technology NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyushu Institute of Technology NUC filed Critical Kyushu Institute of Technology NUC
Priority to JP2012000433A priority Critical patent/JP5880833B2/ja
Publication of JP2013139525A publication Critical patent/JP2013139525A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5880833B2 publication Critical patent/JP5880833B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

本発明は、紫外線蛍光体およびそれを用いる光源ならびに紫外線蛍光体の製造方法に関する。
蛍光灯用やプラズマディスプレイ用の蛍光体を励起するためにいくつかの紫外線が用いられており、その紫外線(UV)は波長によって分類されている。UV−Aは315から380nmの波長範囲になり、UV−Bは280から315nm、UV−Cは200から280nm、真空紫外線(VUV)は200nm未満の波長範囲となる。
蛍光灯では、水銀原子から放出される254nmのUV−Cが励起光となっており、またUV−Aを放出するブラックライトでも同じ水銀原子から放出されるUV−Cが励起光となっている。さらに、殺菌灯では水銀原子から放出されるUV−Cが直接用いられている。環境を配慮し、今後水銀の使用を抑えていくことになれば、蛍光灯の可視光源だけでなく紫外線光源が使用できなくなる可能性がある。
一方、プラズマディスプレイではXe原子・分子から放出されるVUVが用いられており、直接VUVを放出するXeエキシマランプも市販されている。水銀を使用しない紫外線光源と期待されるものの、多くの既存の蛍光体を励起するには波長が短すぎることや、大気中ではVUVが大気に吸収されることなど、一般的には取り扱いにくい側面がある。
このような背景を受けて、UV−Bである310nm近傍の紫外線を放出するGd3+イオンに注目し、Gd3+を添加した蛍光体を用いた紫外線光源の開発が進められている。Xeエキシマランプと組み合わせて、VUVからUV−Bに変換する方式や、ELデバイスに組み込み、直接UV−Bを得る方式などが報告されている。(先行技術文献1、非特許文献1、2参照)特に後者は、薄膜デバイスであるため、薄い軽量な光源が得られるというメリットが考えられるが、既存の報告されている蛍光体は、フッ化物であるなど化学的に弱い問題点がある。また、蛍光体の結晶構造が基板の結晶構造と関連性がなく、高品質な薄膜を得ることが難しい問題がある。したがって、強い発光強度を示し、デバイス化しやすく化学的に安定な蛍光体の開発が期待されている。
特願2009−504863

また、本発明に係る紫外線蛍光体は、組成式(Y 1−z Ln 1−x−y Gd Pr AlO で示され、0.05≦x≦0.10、0.01≦y≦0.07、z<0.3、であることを特徴とする。
解決しようとする問題点は、従来のGd3+を添加した蛍光体は、高い発光強度と化学的安定性を十分に兼ね備えておらず、また基板との組み合わせで高品質な蛍光体薄膜を得にくい点である。
本発明に係る紫外線蛍光体は、発光中心がGd3+であり、増感イオンがPr3+であり、母体がY1−zLnAlOからなるペロブスカイト構造であって、LnはLaおよびLuのなかから選ばれる1または2の元素であることを特徴とする。
また、本発明に係る紫外線蛍光体は、好ましくは、組成式(Y1−zLn1−x−yGdPrAlOで示され、xが0.00〜0.20、yが0.00〜0.20、zが0.0〜0.30、であることを特徴とする。
また、本発明に係る光源は、上記の紫外線蛍光体を含む蛍光層を備えることを特徴とする。
また、本発明に係る紫外線蛍光体の製造方法は、上記の紫外線蛍光体を固相反応で製造する方法であって、
、Ln酸化物、Al酸化物、Gd、Pr酸化物を、組成式(Y 1−z Ln 1−x−y Gd Pr AlO において 0.05≦x≦0.10、0.01≦y≦0.07、z<0.3のモル比になるように配合し、混合粉末を得る工程と、
該混合粉末を、大気雰囲気下、1000〜1600℃の温度で1〜10時間1回以上焼成する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明に係る紫外線蛍光体の製造方法は、好ましくは、Al酸化物がγ−Alであり、Pr酸化物がPr11またはPrであり、Ln酸化物がLaまたはLuであることを特徴とする。

本発明に係る紫外線酸化物蛍光体は、発光中心がGd3+であり、増感イオンがPr3+であり、母体がY1−zLnAlOからなるペロブスカイト構造であって、LnはLaおよびLuのなかから選ばれる1または2の元素である。 このため、紫外線蛍光体は、高い発光強度を示し、酸化物であるため化学的安定性を兼ね備え、ペロブスカイト単結晶基板に高品質な薄膜を作製できる。紫外線蛍光体は、蛍光波長310nm近傍にあり、紫外線光源用の蛍光体として好ましい。 また、本発明に係る光源は、上記の紫外線蛍光体を含む蛍光層を備えるため、紫外線蛍光体の効果を好適に得ることができる。特に、高品質な薄膜が得やすいため、上記の紫外線蛍光体を用いた発光デバイスへの応用に適している また、本発明に係る紫外線蛍光体の製造方法は、上記の紫外線蛍光体を固相反応で製造する方法であって、 Y、Ln酸化物、Al酸化物、Gd、Pr酸化物を、組成式(Y 1−z Ln 1−x−y Gd Pr AlO において 0.05≦x≦0.10、0.01≦y≦0.07、z<0.3のモル比になるように配合し、混合粉末を得る工程と、 該混合粉末を、大気雰囲気下、1000〜1600℃の温度で1〜10時間1回以上焼成する工程とを有するため、上記の紫外線蛍光体を好適に得ることができる。
図1は実施例1の蛍光体のなかで、x=0.10、y=0.03の蛍光体のX線回折パターンを示す図である。 図2は実施例1の蛍光体の発光スペクトル示す図である。 図3は実施例1の蛍光体の蛍光強度のPr濃度依存性を示す図である。 図3は実施例2の蛍光体の蛍光強度のGd濃度依存性を示す図である。 図5は実施例1、2の蛍光体と市販蛍光体(LaPO:Tb3+,Ce3+)との蛍光強度の比較を示す図である。 図6は実施例3の蛍光体の蛍光強度のLn濃度依存性を示す図である。 図7は実施例3の蛍光体の格子定数のLn濃度依存性を示す図である。 図8は本実施の形態に係る深赤色蛍光体の母体の結晶構造を示す図である。
本発明の実施の形態について、以下に説明する。

本発明に係る紫外線酸化物蛍光体は、発光中心がGd3+であり、増感イオンがPr3+であり、母体がY1−zLnAlOからなるペロブスカイト構造であって、LnはLaおよびLuのなかから選ばれる1または2の元素である。 上記のペロブスカイト構造において、ABOで示されるOの数が実際には3からわずかに変動することは当業者に周知な事項であり、本発明はこの変動範囲のものを含む。 また、紫外線蛍光体は、組成式(Y 1−z Ln 1−x−y Gd Pr AlO で示され、0.05≦x≦0.10、0.01≦y≦0.07、z<0.3であることを特徴とする。
ここで、Pr3+を母体に含む目的は、Gd3+発光強度を増加させることにある。Pr3+の4d軌道で吸収されたエネルギーが効果的にGd3+へ移動する現象が、いくつかの蛍光体で知られており、本発明に係る紫外線蛍光体においても、これら添加物と母体の組み合わせで、その現象が有効的に働き、Gd3+発光強度を増加する。
一方、La3+やLu3+を母体に含む目的は、Gd3+発光強度に大きな変化を与えない状態で、母体のペロブスカイト構造の格子定数を変化させるためである。La3+やLu3+は発光に関与するエネルギー準位が無く、Gd3+の発光を直接阻害する要因を持たない。一方、La3+とLu3+のイオン半径(9配位)は、それぞれ1.216, 1.032Åであり、Y3+のイオン半径1.075ÅよりもLa3+は大きく、Lu3+は小さい。これにより、La3+やLu3+は母体のYAlOのYと置換して、母体の格子定数を増減させることが可能になる。市販されている単結晶基板、SrTiOやLaAlOなどに格子定数を対応させて、高品質な薄膜およびデバイスを作製することが可能になる。
本実施の形態に係る紫外線蛍光体の母体の結晶構造を図8に示す。
本発明の母体酸化物YAlOは、一般的な立方晶のペロブスカイト構造ABOと比較して、結晶構造は少し歪んでおり、図8の単位格子では4倍の原子数になっている。母体は、ペロブスカイト構造のAサイトをイオン半径の大きい(1.075Å)Yが占有し、Bサイトをイオン半径の小さい(0.535Å)Alが占有している。
添加物であるGd3+のイオン半径(9配位)は1.107Åであり、Al3+より十分大きくまたY3+のイオン半径に近いため、Aサイトを置換し発光中心となる。同じ理由で、イオン半径が1.179ÅであるPr3+はAサイトを置換し、Gd3+の発光の増感イオンとなる。前述のとおり、La3+やLu3+もAサイトを置換して、母体の格子定数の制御を可能にする。
Gd3+は4f−4f遷移による約310nmの波長の紫外線を放出する。増感イオンのPr3+は、Gd3+の発光に関係する4f軌道(始状態)よりも高エネルギー側に5d軌道を有しており、その軌道でGd3+の軌道よりも強い光吸収を起こす。吸収された光エネルギーは本発明の蛍光体母体中で効率よくGd3+に移動し、Gd3+の紫外線発光を促進する。一方、La3+やLu3+では、4f軌道は完全に開殻または閉殻状態であり、またそれらの5d軌道はPr3+と同様にGd3+の4f軌道(始状態)よりも高エネルギー側にあるため、発光に関与しない。
したがって、本実施の形態では増感剤としてPr3+を、デバイス化のための格子定数の制御を目的として、La3+やLu3+を用いる。

本実施の形態に係る紫外線蛍光体の製造方法は、紫外線蛍光体を固相反応で製造する方法であって、Y、Ln酸化物、Al酸化物、Gd、Pr酸化物を、組成式(Y 1−z Ln 1−x−y Gd Pr AlO において 0.05≦x≦0.10、0.01≦y≦0.07、z<0.3のモル比になるように配合し、混合粉末を得る工程と、該混合粉末を、大気雰囲気下、1000〜1600℃の温度で1〜10時間1回以上焼成する工程と、を有する。 Al酸化物としてγ−Alを、Pr酸化物としてPr11またはPrを、Ln酸化物としてLaまたはLuを用いることは好適な実施態様である。
これらの原料を所定のモル比になるように秤量し、メノウ乳鉢を用いて、原料100質量部に対して例えばエタノールを500質量部加えて湿式混合する。乾燥後に得られた混合粉末を上記の条件で1回以上焼成する。不純物相が残り1回の焼成で単一相が得られなければ、再度粉砕・混合・焼成の過程を繰り返し、できる限り不純物相を低減することが好ましい。
本実施の形態に係る紫外線蛍光体は、フッ素を含まないため化学的安定に優れ、また、紫外線150〜250nmの励起で、波長310nmにおいて高い発光強度を有する。
つぎに、本実施の形態に係る光源は、本実施の形態に係る紫外線蛍光体を含む蛍光層を備える。紫外線蛍光体を含む蛍光層は、単結晶上の薄膜や、紫外線蛍光体を含有させた例えばシリコン樹脂シートとすることができる。
これにより、エキシマランプと組み合わせて、直接UV−Bの光源に応用できる。また、電圧印加により、直接UV−Bを発光する面発光光源に応用できる。
また、これらのUV−B光源は、光触媒と組み合わせることで、軽量・薄型の空気清浄器などに用いられる。また、皮膚に照射し、皮膚病の治療に応用できる。さらに、高効率の可視蛍光体と組み合わせることで、照明や表示素子として利用できる。
本発明の無機酸化物蛍光体を表す式(Y1−zLn1−x−yGdPrAlOの実験を行った。なお、本発明は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。
(実施例及び比較例1)
本発明の無機酸化物蛍光体を表す式(Y0.90−yGd0.10Pr)AlOの実施例1の実験を行った。実施例1ではLn濃度zを0.00にGd濃度xを0.10に固定し、Pr濃度は、y=0.01、0.03、0.05、0.07(以上、実施例)、0.10(比較例)と変化させた。母体原料としてYとγ−Alを使用し、添加させる物質の原料としてGd、Pr11を用いた。前記各原料の所定量を秤量後、メノウ乳鉢を用いて湿式混合し、1400℃で6時間、2回焼成した。焼成時の電気炉の雰囲気は空気とした。図1に、実施例1で得られた無機酸化物蛍光体の試料のX線回折パターンを示した。実施例1ではPr濃度に関係なく結晶構造から計算されるシミュレーションのパターンとほぼ同一であった。また、異相として僅かにYAl12とYAlの不純物が現れた。これら異相は、蛍光強度にほとんど影響を及ぼしていない。図2は実施例1の無機酸化物蛍光体を蛍光光度計で励起波長を215nmして測定した発光スペクトルである。実施例1の無機酸化物蛍光体は、励起波長約215nmで最大の蛍光強度を示した。発光スペクトルではシャープなピークが現れ、その波長は約314nmであった。これは紫外線光の発光であり、Pr濃度が変化すると、そのスペクトル形状には顕著な変化が現れなかったが、スペクトル強度は大きく変化した。図3は、実施例1の無機酸化物蛍光体の発光相対強度のPr濃度依存性を示す。yが0.10では顕著に発光相対強度が低下し、実施例1の無機酸化物蛍光体の最適なPr濃度はy=0.03であった。
(実施例及び比較例2)本発明の無機酸化物蛍光体を表す式(Y0.97−xGdPr0.03)AlOの実施例2の実験を行った。実施例2ではLn濃度zを0.00にPr濃度yを0.03に固定し、Gd濃度は、x=0.005、0.01(以上、比較例)、0.03、0.05、0.07、0.10(以上、実施例)と変化させた。母体原料としてYとγ−Alを使用し、添加させる物質の原料としてGd、Pr11を用いた。前記各原料の所定量を秤量後、メノウ乳鉢を用いて湿式混合し、1400℃で6時間、2回焼成した。焼成時の電気炉の雰囲気は空気とした。実施例2で得られた無機酸化物蛍光体の試料のX線回折パターンはGd濃度に関係なく、結晶構造から計算されたパターンとほぼ同一であった。また、異相として僅かにYAl12とYAlの不純物が現れた。これら異相は、蛍光強度にほとんど影響を及ぼしていない。実施例2の無機酸化物蛍光体は、励起波長約215nmで最大の蛍光強度を示し、蛍光光度計で励起波長を215nmとして発光スペクトルを測定した。実施例2の無機酸化物蛍光体は実施例1のときと同様にシャープなピークを示し、その波長は約314nmであった。紫外線光の発光であり、Gd濃度が変化しても、そのスペクトル形状には顕著な変化が現れなかった。図4は、実施例2の無機酸化物蛍光体の発光相対強度のGd濃度依存性を示す。Gd濃度xが0.03〜0.10の間では良好な発光相対強度が得られ、その前後では低下する傾向が見られた。実施例2の無機酸化物蛍光体の最適なGd濃度はx=0.07であった。図5は、実施例2で得られた最適組成での無機酸化物蛍光体の発光スペクトルである。蛍光体の発光波長は314nm、最適励起波長は215nmであり、市販品蛍光体LaPO4:Tb,Ceと比べた最適励起波長における相対的な発光強度は図5のようにピークトップで1.3倍となった。
(実施例及び比較例3,4)本発明の無機酸化物蛍光体を表す式(Y1−zLa0.90Gd0.07Pr0.03AlOの実施例3と式(Y1−zLu0.90Gd0.07Pr0.03AlOの実施例4の実験を行った。 実施例3,4ではGd濃度xを0.07にPr濃度yを0.03に固定し、LaまたはLu濃度は、z=0.00、0.05、0.10、0.20(以上、実施例)、0.30、0.40、0.50(以上、比較例)、と変化させた。母体原料としてYとLaまたはLuとγ−Alを使用し、添加させる物質の原料としてGd、Pr11を用いた。さらに、前記各原料の所定量を秤量後、メノウ乳鉢を用いて湿式混合し、1400℃で6時間、2回焼成した。焼成時の電気炉の雰囲気は空気とした。実施例3,4で得られた無機酸化物蛍光体の試料のX線回折パターンはLaやLuの濃度が低いときは、結晶構造から計算されたパターンとほぼ同一であった。また、異相として僅かにYAl12とYAlの不純物が現れた。これら異相は、蛍光強度にほとんど影響を及ぼしていない。LaやLuの濃度が高いときは、不純物相の回折ピークが増大し、不純物相の存在量が大きくなった。実施例3,4の無機酸化物蛍光体は、励起波長約215nmで最大の蛍光強度を示し、蛍光光度計で励起波長を215nmとして発光スペクトルを測定した。実施例2の無機酸化物蛍光体は実施例1のときと同様にシャープなピークを示し、その波長は約314nmであった。紫外線光の発光であり、Gd濃度が変化しても、そのスペクトル形状には顕著な変化が現れなかった。図6は、実施例3,4の無機酸化物蛍光体の発光相対強度のLaまたはLu濃度依存性を示す。濃度の低い領域では、発光強度はあまり変化せず、わずかに減少するだけだが、z=0.30以上の高濃度領域では、不純物相が増えるため、発光強度は著しく減少した。図7は、実施例3,4の無機酸化物蛍光体の格子定数のLaまたはLu濃度依存性を示す。蛍光体の結晶構造は斜方晶であるが、比較しやすくするため立方晶ペロブスカイト構造の格子定数aに換算して示してある。Laを添加することにより、格子定数は3.72Å程度まで大きくなり、Luを添加することにより、3.705Å程度まで小さくなった。

Claims (4)

  1. 発光中心がGd 3+ であり、増感イオンがPr 3+ であり、母体が組成式(Y 1−z Ln 1−x−y Gd Pr AlO で示されるペロブスカイト構造であって、LnはLaおよびLuのなかから選ばれる1または2の元素であり、0.05≦x≦0.10、0.01≦y≦0.07、z<0.3、であることを特徴とする紫外線蛍光体。
  2. 請求項1に記載の紫外線蛍光体を含む蛍光層を備えることを特徴とする光源。
  3. 請求項1に記載の紫外線蛍光体を固相反応で製造する方法であって、Y 、Ln酸化物、Al酸化物、Gd 、Pr酸化物を、組成式(Y 1−z Ln 1−x−y Gd Pr AlO において 0.05≦x≦0.10、0.01≦y≦0.07、z<0.3のモル比になるように配合し、混合粉末を得る工程と、
    該混合粉末を、大気雰囲気下、1000〜1600℃の温度で1〜10時間1回以上焼成する工程と、
    を有することを特徴とする、紫外線蛍光体の製造方法。
  4. Al酸化物がγ−Al であり、Pr酸化物がPr 11 またはPr であり、Ln酸化物がLa またはLu であることを特徴とする請求項3記載の紫外線蛍光体の製造方法。
JP2012000433A 2012-01-05 2012-01-05 紫外線蛍光体、光源および紫外線蛍光体の製造方法 Expired - Fee Related JP5880833B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012000433A JP5880833B2 (ja) 2012-01-05 2012-01-05 紫外線蛍光体、光源および紫外線蛍光体の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012000433A JP5880833B2 (ja) 2012-01-05 2012-01-05 紫外線蛍光体、光源および紫外線蛍光体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013139525A JP2013139525A (ja) 2013-07-18
JP5880833B2 true JP5880833B2 (ja) 2016-03-09

Family

ID=49037294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012000433A Expired - Fee Related JP5880833B2 (ja) 2012-01-05 2012-01-05 紫外線蛍光体、光源および紫外線蛍光体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5880833B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6858006B2 (ja) * 2016-11-25 2021-04-14 大電株式会社 真空紫外線励起蛍光体、発光素子、及び発光装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3683143B2 (ja) * 1999-12-15 2005-08-17 Necライティング株式会社 紫外発光物質及びこれを使用した紫外線発光蛍光ランプ、紫外発光素子
WO2011121497A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uv-c-emitting discharge lamp
WO2013001444A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent material particles comprising a coating and lighting unit comprising such luminescent material

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013139525A (ja) 2013-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Li et al. Sr 2 Y 8 (SiO 4) 6 O 2: Bi 3+/Eu 3+: a single-component white-emitting phosphor via energy transfer for UV w-LEDs
Das et al. Controllable white light emission from Dy 3+–Eu 3+ co-doped KCaBO 3 phosphor
Wu et al. Simultaneously tuning the emission color and improving thermal stability via energy transfer in apatite-type phosphors
Chen et al. An intense green emitting LiSrPO4: Eu2+, Tb3+ for phosphor-converted LED
Sokolnicki et al. Synthesis and spectroscopic investigations of Sr2Y8 (SiO4) 6O2: Eu2+, Eu3+ phosphor for white LEDs
Han et al. New full-color-emitting phosphor, Eu 2+-doped Na 2− x Al 2− x Si x O 4 (0≤ x≤ 1), obtained using phase transitions for solid-state white lighting
Hsu et al. Color-tunable, single phased MgY4Si3O13: Ce3+, Mn2+ phosphors with efficient energy transfer for white-light-emitting diodes
JP2007277549A (ja) 紫外線放射燐光体及びそれを含むランプ
Manhas et al. Effect of alkali metal ions (Li+, Na+ and K+) on the luminescence properties of CaMgB2O5: Sm3+ nanophosphor
Xu et al. Synthesis and luminescence properties of double-perovskite white emitting phosphor Ca 3 WO 6: Dy 3+
Zhai et al. CaMoO4: Dy3+, Eu3+ phosphors: microwave synthesis, characterization, tunable luminescence properties and energy transfer mechanism
Han et al. Development of near-ultraviolet-excitable single-phase white-light-emitting phosphor KBaY (BO3) 2: Ce3+, Dy3+ for phosphor-converted white light-emitting-diodes
Dalal et al. Energy transfer and photoluminescent analysis of a novel color-tunable Ba2Y1-xV3O11: xSm3+ nanophosphor for single-phased phosphor-converted white LEDs
Wang et al. Novel Gd2Mo4O15: Eu3+ red-emitting phosphor for UV, NUV and blue LED applications
Hooda et al. Photoluminescent and structural properties of color tunable trivalent europium doped SrGdAlO 4 nanophosphors
Liu et al. Preparation and its luminescent properties of AlPO4: Eu3+ phosphor for w-LED applications
Singh et al. VUV and UV photoluminescence of green emitting Sr2P2O7: Tb3+ phosphors for PDP applications
Liang et al. Spectroscopic properties of Ce3+ doped MBPO5 (M= Ca, Sr, Ba) under VUV excitation
Zhang et al. Site occupancy preference of Bi 3+ and Bi 3+–Eu 3+ codoped yttrium galliate phosphors for white LEDs
JP3797955B2 (ja) 改良量子分裂型酸化物系蛍光体及びその製造方法
RU2543196C2 (ru) Люминесцентные вещества, содержащие силикатные люминофоры, легированные eu2+
Gokhe et al. Synthesis and photoluminescence properties of near-UV pumped novel Sm3+ doped β-LiAlSiO4 phosphor for red-orange LEDs
Vidyadharan et al. Synthesis and luminescence characterization of Pr3+ doped Sr1. 5Ca0. 5SiO4 phosphor
Wang et al. Electronic properties and rare-earth ions photoluminescence behaviors in borosilicate: SrB2Si2O8
Li et al. Ce 3+ and Tb 3+ activated Ba 3 P 4 O 13 phosphors based on energy transfer behavior

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150804

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150929

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5880833

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees