JP5877048B2 - measuring device - Google Patents
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Description
本発明は、測定対象物の抵抗値などの電気的なパラメータを、測定条件を変更して測定可能な測定装置に関するものである。 The present invention relates to a measuring apparatus capable of measuring an electrical parameter such as a resistance value of a measurement object by changing measurement conditions.
近年、測定装置の機能が高度化しており、測定条件として種々の設定が可能になっている。一例として、抵抗測定装置では、測定用信号の電流レベル及び電圧レベル、電圧検出部が電圧を検出する検出タイミングなどの各種測定条件の設定が可能なものがある。各種測定条件は、測定対象物の種類に対応させて、測定者が適切に設定する必要がある。 In recent years, the functions of measurement devices have become sophisticated, and various settings can be made as measurement conditions. As an example, some resistance measurement apparatuses can set various measurement conditions such as a current level and a voltage level of a measurement signal and a detection timing at which a voltage detection unit detects a voltage. Various measurement conditions need to be set appropriately by the measurer according to the type of the measurement object.
例えば、コネクタやリレー、スイッチなどの接点には、通常、酸化被膜が生成されている。小電流用の接点の接触抵抗を抵抗測定装置で測定する場合、酸化被膜が生じている状態を維持したまま抵抗値を測定する必要がある。ところが、接触抵抗の測定用信号として、例えば5Vの高電圧を印加してしまうと、酸化被膜が電圧破壊されてしまい、酸化被膜の除去された接点同士が接触して低い抵抗値が測定されてしまうため、酸化皮膜を含めた抵抗値を測定できない。そのため、小電流用の接点の接触抵抗を測定する場合、測定用信号として低電圧や低電流の信号で測定しなければならない。例えば、国際電気標準会議では、IEC−512−2規格として、接点の接触抵抗を測定する場合、プローブ間の開放電圧を20mV以下に制限するように規定している。この規格に準拠して、抵抗値を測定する抵抗測定装置が特許文献1に記載されている。
For example, an oxide film is usually formed on contacts such as connectors, relays, and switches. When measuring the contact resistance of a contact for small current with a resistance measuring device, it is necessary to measure the resistance value while maintaining the state where an oxide film is formed. However, if a high voltage of 5 V, for example, is applied as a contact resistance measurement signal, the oxide film is destroyed by voltage, and the contacts from which the oxide film has been removed come into contact with each other to measure a low resistance value. Therefore, the resistance value including the oxide film cannot be measured. Therefore, when measuring the contact resistance of a contact for small current, it is necessary to measure with a low voltage or low current signal as a measurement signal. For example, the International Electrotechnical Commission stipulates that the open-circuit voltage between probes is limited to 20 mV or less when measuring the contact resistance of a contact as the IEC-512-2 standard.
特許文献1に記載されたようなIEC−512−2に準拠した設定のみで抵抗測定を行う測定装置ではなく、汎用性を有する抵抗測定装置を使用して小電流用接点の接触抵抗を測定する場合、前述したように、信号レベルを適切に設定する必要がある。しかしながら、測定条件の設定は測定者に任されているため、誤った測定条件で測定してしまう可能性がある。
The contact resistance of the contact for small current is measured using a resistance measuring device having versatility, not a measuring device that performs resistance measurement only by setting according to IEC-512-2 as described in
他にも、例えば巻線やコイルの直流抵抗を測定する場合、測定用信号の出力を開始してから、過渡現象が終了して定常状態になった後に測定を行わないと、正しい測定値が得られない。そのため、測定用信号を出力してから適切な検出タイミングで電圧を検出する必要がある。しかしながら、測定条件の設定は測定者に任されているため、過渡現象中に測定してしまう可能性がある。 In addition, when measuring the DC resistance of windings and coils, for example, if the measurement is not performed after the output of the measurement signal is started and the transient is finished and the steady state is reached, the correct measured value is obtained. I can't get it. Therefore, it is necessary to detect the voltage at an appropriate detection timing after outputting the measurement signal. However, since the measurement condition is left to the measurement person, measurement may occur during a transient phenomenon.
又、例えば銅線などの銅製品の直流抵抗を測定する場合、銅製品は温度係数が大きいので、測定した直流抵抗は温度によって変化する。そのため、測定した直流抵抗を、基準温度における直流抵抗に換算する温度補正処理機能を有する測定装置がある。しかしながら、測定条件として温度補正処理機能を実行するか否かの設定は、測定者に任されているため、銅製品を測定する場合にもかかわらず温度補正処理機能をオフにしたまま測定してしまう可能性がある。 For example, when measuring the DC resistance of a copper product such as a copper wire, since the copper product has a large temperature coefficient, the measured DC resistance varies depending on the temperature. Therefore, there is a measuring apparatus having a temperature correction processing function for converting measured DC resistance into DC resistance at a reference temperature. However, since it is up to the measurer to set whether or not to execute the temperature correction processing function as a measurement condition, measurement should be performed with the temperature correction processing function turned off, even when measuring copper products. There is a possibility.
本発明は前記の課題を解決するためになされたもので、測定対象物の種類に対応して、適切な測定条件で測定することができる測定装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a measuring apparatus that can perform measurement under appropriate measurement conditions in accordance with the type of measurement object.
前記の目的を達成するためになされた、特許請求の範囲の請求項1に記載された測定装置は、測定対象物に測定用信号を供給し、該測定用信号が流れて発生する該測定対象物の両端電圧を検出して、該測定用信号の電流及び該両端電圧から該測定対象物のパラメータを算出する測定部と、該測定対象物の種類の各々に対応させた該測定用信号に関する測定条件、該両端電圧の検出に関する測定条件、該パラメータの算出に関する測定条件を予め記憶する測定条件記憶部と、該測定対象物の種類又は「指定なし」を選択するための操作部と、予め該測定対象物の抵抗値を測定する測定条件が初期値として設定され、該測定部を制御する測定制御部とを備え、該測定制御部は、該操作部で該測定対象物の種類が選択されたとき、該測定条件記憶部から読み込んだ、該選択された該測定対象物に対応する該測定条件と、該測定条件を除く該初期値とで該測定部に測定させ、該操作部で「指定なし」が選択されたとき、該測定部に該抵抗値を該初期値で測定させることを特徴とする。
The measuring apparatus according to
請求項2に記載された測定装置は、請求項1に記載のもので、前記測定部が、前記測定対象物又はその環境の温度を検出する温度センサを備えると共に、該温度センサの検出した温度、及び該測定対象物の温度係数に基づき、温度補正処理して前記パラメータを算出可能になっており、前記測定条件記憶部には、該温度補正処理の必要な該測定対象物の種類に対応させて、該温度補正処理の実行の有無、及び該測定対象物の温度係数が記憶されていることを特徴とする。
A measuring apparatus according to
請求項3に記載された測定装置は、請求項1に記載のもので、前記測定対象物の種類が小電流用接点であるときに、該接点の酸化被膜を破壊しない前記測定用信号のレベルを規定する条件が、前記測定条件記憶部に記憶されていることを特徴とする。
The measuring apparatus according to
請求項4に記載された測定装置は、請求項1に記載のもので、前記測定対象物の種類が巻線又はコイルであるときに、前記測定用信号の出力の開始から前記両端電圧を検出するまでの検出遅延期間を規定する条件が、前記測定条件記憶部に記憶されていることを特徴とする。 A measuring device according to a fourth aspect is the one according to the first aspect , wherein when the type of the measurement object is a winding or a coil, the voltage between both ends is detected from the start of the output of the measurement signal. A condition that defines a detection delay period until the measurement is stored in the measurement condition storage unit.
請求項5に記載された測定装置は、請求項2に記載のもので、前記測定対象物の種類が銅製品であることを特徴とする。 A measuring apparatus according to a fifth aspect is the one according to the second aspect , wherein the type of the measurement object is a copper product.
本発明の測定装置によれば、測定対象物の種類を選択するだけで、測定対象物の測定に最適な測定条件で測定することができる。このため、測定者の熟練度などによらず、どのような測定者であっても測定条件の設定を誤ることなく、測定対象物のパラメータを正確に測定することができる。 According to the measuring apparatus of the present invention, it is possible to perform measurement under measurement conditions that are optimal for measuring a measurement object by simply selecting the type of the measurement object. For this reason, regardless of the level of proficiency of the measurer, any measurer can accurately measure the parameter of the measurement object without erroneously setting the measurement conditions.
又、測定部が、測定対象物に測定用信号を供給し、測定対象物の両端電圧を検出して、測定用信号の電流及び両端電圧からパラメータを算出するものである場合、例えば、測定用信号に関する測定条件、両端電圧の検出に関する検出遅延時間などの測定条件、パラメータの算出に関する測定条件を測定条件記憶部に記憶させておくことで、種々の測定対象物に適した測定条件で測定できる測定装置となる。 Also, when the measurement unit supplies a measurement signal to the measurement object, detects the voltage across the measurement object, and calculates the parameter from the current and the voltage across the measurement signal, for example, for measurement Measurement conditions relating to signals, measurement conditions such as detection delay time relating to detection of both-end voltages, and measurement conditions relating to parameter calculation are stored in the measurement condition storage unit, so that measurement can be performed under measurement conditions suitable for various measurement objects. It becomes a measuring device.
又、温度補正処理の必要な測定対象物の種類に対応させて、温度補正処理の実行、及び測定対象物の温度係数が測定条件記憶部に記憶されている場合、測定対象物を選択するだけで、測定者が特に測定条件を設定しなくても、温度補正処理された測定値を得ることができる。特に、銅製品は、比較的頻繁に測定されるものであり、温度係数も大きいので、測定対象物として記憶させておくと、便利である。 In addition, when the temperature correction processing is executed and the temperature coefficient of the measurement object is stored in the measurement condition storage unit in correspondence with the type of the measurement object that requires the temperature correction process, only the measurement object is selected. Thus, the measurement value subjected to the temperature correction process can be obtained even if the measurer does not particularly set the measurement condition. In particular, since copper products are measured relatively frequently and have a large temperature coefficient, it is convenient to store them as measurement objects.
又、小電流用接点の酸化被膜を破壊しない測定用信号のレベルを規定する条件が測定条件記憶部に記憶されている場合、測定対象物として小電流用接点を選択するだけで、誰でも、小電流用接点の接触抵抗を正確に測定できる。又、巻線、コイルに対応させて、測定用信号の出力の開始から両端電圧を検出するまでの検出遅延期間を規定する条件が測定条件記憶部に記憶されている場合、測定対象物として巻線やコイルを選択するだけで、誰でも、過渡現象中ではなく定常状態における巻線等の抵抗を測定することができる。 In addition, when the conditions that define the level of the signal for measurement that does not destroy the oxide film of the contact for small current are stored in the measurement condition storage unit, just by selecting the contact for small current as the measurement object, anyone can The contact resistance of small current contacts can be measured accurately. In addition, when a condition that defines a detection delay period from the start of output of the measurement signal to the detection of the voltage at both ends is stored in the measurement condition storage unit in correspondence with the winding and coil, the measurement object is wound as a measurement object. By simply selecting a wire or coil, anyone can measure the resistance of a winding or the like in a steady state rather than during a transient event.
以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。 Examples of the present invention will be described in detail below, but the scope of the present invention is not limited to these examples.
本発明を適用する測定装置1は、一例として直流抵抗測定装置であり、図1に示すように、測定部2、操作部3、表示部4、測定条件記憶部5、測定制御部6、及び時間計測部7を備えており、測定対象物(DUT)90の直流抵抗(パラメータの一例)の測定が可能になっている。
A
測定部2は、測定用信号供給部11、電圧検出部12、温度センサ13、及び測定値演算部14を備えている。測定用信号供給部11は、プローブPi1,Pi2を介して、DUT90に直流の測定用信号を供給する。測定用信号供給部11は、測定用信号として供給する定電流値、測定用信号を出力するための開放電圧(何れも測定条件の例)を可変して出力可能になっている。これらの測定条件は、測定制御部6から測定用信号供給部11に指示(設定)される。測定用信号の定電流値や開放電圧は、測定レンジ(入力レンジ)として設定されてもよい。
The
電圧検出部12は、プローブPv1,Pv2を介して、DUT90に測定用信号が流れて発生するDUT90の両端電圧を検出する。電圧検出部12は、電圧を検出する検出タイミング(測定条件の例)を、測定制御部6に指示される。電圧検出部12は、検出した両端電圧を測定値演算部14に出力する。
The
温度センサ13は、例えば、熱電対、白金測温抵抗などにより、DUT90の温度又はDUT90の環境温度を検出し、検出した温度を測定値演算部14に出力する。温度センサ13は、測定部2にケーブルで着脱可能に接続されていて、DUT90の任意の位置の温度を測定可能になっていることが好ましい。
The
測定値演算部14は、測定用信号供給部11に出力させた定電流、及び電圧検出部12の検出した両端電圧から、オームの法則にしたがってDUT90の抵抗値を算出して、測定制御部6に出力する。又、測定値演算部14は、測定した抵抗値の温度補正処理(測定条件の他の例)を実行できるようになっている。温度補正処理とは、測定した抵抗値を、基準温度のときの抵抗値に換算する処理である。具体的には、測定値演算部14は、測定制御部6から温度補正処理を指示されたときに、温度センサ13が検出した温度T、及び測定制御部6から指示される温度係数αに基づき、測定した抵抗値RTを、基準温度T0(例えば20℃)のときの抵抗値R0に換算する。温度補正するための換算式は下記の(1)式で表される。
R0=RT/(1+α(T−T0)) ・・・(1)
The measurement
R 0 = R T / (1 + α (T−T 0 )) (1)
操作部3は、測定者が操作して、DUT90の種類を選択したり、各種測定条件を手動で設定したりするための、例えば選択用のボタン、カーソルを上下左右に移動させるカーソルキー、数値設定用のテンキーなどである。操作部3で操作された内容は、測定制御部6に入力される。
The
表示部4は、測定値や測定条件などを表示可能な例えば液晶パネルである。表示部4は、測定制御部6に表示内容を制御される。
The
測定条件記憶部5は、例えば、ROM(リードオンリーメモリ)、フラッシュROM、ハードディスクなどの不揮発性のメモリであり、DUT90の種類に対応させた測定条件を予め記憶している。測定条件には、測定用信号の開放電圧、測定用信号の定電流値、検出遅延時間、温度補正処理の実行の有無など多くの測定条件があるが、測定条件記憶部5には、少なくとも通常の測定で使用される測定条件とは異なっている測定条件が記憶されていればよい。なお、測定対象物の種類ごとに、測定に用いる全ての測定条件を記憶させてもよい。測定条件記憶部5に記憶されている測定条件については後述する。
The measurement
測定制御部6は、例えばCPU6a(中央処理演算装置)及びその動作用のプログラムを記憶するメモリ6bを備えており、測定装置1の各部の動作を統括的に制御する。この測定制御部6は、操作部3で選択されたDUT90の種類に対応する測定条件を、測定条件記憶部5から読み込んで、その測定条件によって測定部2に測定させる。なお、メモリ6bは測定条件記憶部5と共用されていてもよい。
The
時間計測部7は、検出遅延期間を測定するためのものである。検出遅延期間とは、測定用信号供給部11が測定用信号の出力を開始した時から、電圧検出部12が電圧の検出を開始する時までの期間である。時間計測部7は、例えばリアルタイムクロック、CPU6aの内部タイマなどで構成されている。時間計測部7は、測定制御部5に検出遅延期間を設定され、測定制御部5の指示で時間計測を直ちに開始し、検出遅延期間が経過した時に直ちに終了したことを示す信号を測定制御部7に出力する。
The
次に、測定装置1の動作について、図2のフローチャートに沿って説明する。
Next, operation | movement of the measuring
測定装置1の電源をオンにする(ステップS1)と、測定制御部6のCPU6aがメモリ6bの動作プログラムを読み込み、初期化処理(ステップS2)を実行する。この初期化処理で、測定制御部6は、一例として図3に示す「測定対象物の選択画面」を表示部4に表示させる。「測定対象物の選択画面」には、測定対象物の種類を選択可能に表示させる。同図は、測定対象物として「小電流用接点」、「銅製品」、「巻線/コイル」を表示させている例である。
When the power of the measuring
DUT90として小電流用接点の接触抵抗を測定する場合、測定者は、操作部3のカーソルキーなどを操作して、「小電流用接点」を選択する(ステップS3)。小電流用接点とは、例えば、直流電圧10V以下にて10mA以下の電流を流すために用いられるような接点である。直流電圧は、12V以下,24V以下などである場合もある。微小電流用と呼ばれるものも含まれる。「小電流用接点」が選択されたときに、測定制御部6は、測定条件記憶部5から「小電流用接点」に対応する測定条件を読み込む(ステップS4)。その測定条件の例を表1に示す。同表に示すように、測定条件記憶部5には、「小電流用接点」に対応させて、接点の酸化被膜を破壊しない測定用信号のレベルを規定する条件が、少なくとも記憶されている。ここでは、測定用信号のレベルとして、接点の酸化被膜を破壊しない所定開放電圧(一例として直流電圧20mV)が、記憶されている。なお、測定用信号のレベルを規定する条件として、接点の酸化被膜を破壊しない所定電流(一例として直流電流1mA)が、記憶されていてもよい。又、測定用信号のレベルを規定する条件として、測定レンジが記憶されていてもよい。
When measuring the contact resistance of the small current contact as the
測定制御部5は、読み込んだ測定条件を測定部2に設定する(ステップS5)。又、表1中の「通常」の検出遅延期間や、表1に規定されていない他の測定条件は、通常使用される測定条件として、CPU6aの動作用プログラム中に初期値として予め設定されており、測定制御部5は、その初期値を測定部2に設定する。
The
具体的には、測定制御部5は、測定用信号供給部11に開放電圧が直流電圧20mVで測定用信号を出力させる。又、測定制御部5は、測定用信号を出力させた時に、時間計測部7に通常の検出遅延期間の計測を開始させ、その期間の計測が経過した時に、直ちに電圧検出部12にDUT90の両端電圧を検出させる(ステップS6)。続いて、測定値算出部12は、温度補正処理無しで、抵抗値を算出し、測定制御部5に出力する(ステップS7)。
Specifically, the
測定制御部5は、測定部2の測定した測定値を表示部4に表示させる。以上で、小電流用接点の接触抵抗の測定が終了する。
The
このように、電源をオンしたときに表示される初期画面中から「小電流用接点」を選択することにより、どのような測定者が測定を行ったとしても、接点の酸化皮膜を破壊することなく、その接触抵抗を測定することができる。 In this way, by selecting "Small Current Contact" from the initial screen that appears when the power is turned on, the oxide film on the contact can be destroyed no matter what measurer performs the measurement. The contact resistance can be measured.
次に、図3に示す「測定対象物の選択画面」で「銅製品」が選択された場合について説明する。DUT90として銅線や銅板などの抵抗値を測定するときに、測定者は「銅製品」を選択する(ステップS3)。「銅製品」が選択されると、測定制御部6は、測定条件記憶部5から「銅製品」に対応する測定条件を読み込む(ステップS4)。「銅製品」に対応する測定条件の例を表2に示す。同表に示すように、測定条件記憶部5には、少なくとも温度補正処理を実行すること、及び銅の温度係数が予め記憶されている。
Next, the case where “copper product” is selected on the “measurement object selection screen” shown in FIG. 3 will be described. When measuring a resistance value of a copper wire or a copper plate as the
測定制御部5は、読み込んだ測定条件を測定部2に設定する(ステップS5)。具体的には、測定制御部5は、測定用信号供給部11から、通常の測定用信号を出力させる。又、測定制御部5は、時間計測部7に、測定用信号を出力させた時から通常の検出遅延期間の計測を開始させ、その期間が経過したときに、直ちに電圧検出部12にDUT90の両端電圧を検出させる(ステップS6)。又、温度補正処理が「有り」なので、測定制御部5は、測定値演算部14に温度センサ13から温度を読み込ませる(ステップS6)。なお、通常の測定用信号レベル、及び通常の検出遅延期間は、CPU6aの動作用プログラムに初期値として予め設定されている。
The
続いて、測定値演算部14は、まず抵抗値を算出し、さらに読み込んだ温度T、及び測定制御部5から設定された温度係数を用いて、前述した(1)式で温度補正処理して、基準温度における抵抗値を算出し、測定制御部6に出力する(ステップS7)。測定制御部6は基準温度に換算した抵抗値を、表示部4に表示させる(ステップS8)。
Subsequently, the measurement
このように、電源をオンしたときに表示される画面中から「銅製品」を選択することにより、どのような測定者が測定を行ったとしても、基準温度における銅製のDUT90の抵抗値を測定できる。
In this way, by selecting “Copper Products” from the screen displayed when the power is turned on, no matter what measurer performs the measurement, the resistance value of the
次に、図3に示す「測定対象物の選択画面」で「巻線/コイル」が選択された場合について説明する。「巻線/コイル」が選択される(ステップS3)と、測定制御部6は、測定条件記憶部5から「巻線/コイル」に対応する測定条件を読み込む(ステップS4)。「巻線/コイル」に対応する測定条件の例を表3に示す。同表に示すように、測定条件記憶部5には、少なくとも検出遅延時間を規定する条件が予め記憶されている。同表では、検出遅延時間を規定する条件として、一例として、検出遅延時間を通常の期間よりも所定倍数(一例として100倍)長くするという条件が記憶されている。この所定倍数は、巻線等に測定用信号を印加し始めたときに生じる過渡現象が終了し、確実に定常状態となる倍数に設定されている。
Next, a case where “winding / coil” is selected on the “measurement object selection screen” shown in FIG. 3 will be described. When “winding / coil” is selected (step S3), the
測定制御部5は、読み込んだ測定条件を測定部2に設定する(ステップS5)。具体的には、測定制御部5は、測定用信号供給部11から、通常の測定用信号を出力させる。又、測定制御部5は、時間計測部7に、測定用信号を出力させた時から通常の検出遅延時間の100倍の期間の計測を開始させ、その期間が経過したときに、直ちに電圧検出部12にDUT90の両端電圧を検出させる(ステップS6)。続いて、測定値算出部12は、温度補正処理無しで、抵抗値を算出し、測定制御部5に出力する(ステップS7)。測定制御部6は抵抗値を、表示部4に表示させる(ステップS8)。なお、通常の測定用信号レベル、及び通常の検出遅延期間は、CPU6aの動作用プログラムに予め設定されている。
The
このように、検出遅延期間を充分に長い期間に設定しているので、測定用信号の印加による過渡現象が終了して定常状態になってから両端電圧を検出することができる。したがって、どのような測定者が測定したとしても、巻線やコイルの直流抵抗値を正確に測定することができる。 As described above, since the detection delay period is set to a sufficiently long period, the voltage between both ends can be detected after the transient phenomenon due to the application of the measurement signal ends and the steady state is reached. Therefore, no matter what measurer measures, it is possible to accurately measure the DC resistance value of the winding or coil.
なお、検出遅延期間を規定する条件として、一例として、検出遅延期間を算出式で演算して求めるという条件を、測定条件記憶部5に記憶させておいてもよい。用いる算出式自体は、測定条件記憶部5に記憶させておいてもよいし、CPU6aの動作用プログラムに含ませておいてもよい。
As an example of the condition for defining the detection delay period, a condition that the detection delay period is calculated by a calculation formula may be stored in the measurement
検出遅延期間tsを求めるための算出式の一例を(2)式に示す。
ts=(−(L/R)×ln(1−IR/V))×M ・・・(2)
ここで、LはDUT90のインダクタンス、Rは(DUT90の抵抗値)+(プローブPi1,Pi2の配線抵抗)+(プローブPi1,Pi2の接触抵抗)、Iは測定用信号として流す定電流、Vは測定用信号供給部11の開放電圧、lnは自然対数、Mはマージン倍率である。Mは5〜50程度の適当な値(例えば10)とする。
Shows an example of calculation formulas for calculating the detection delay time t s in equation (2).
t s = (− (L / R) × ln (1-IR / V)) × M (2)
Here, L is the inductance of
(2)式中のインダクタンスL及び抵抗値Rの値は不明であるので、測定制御部5は、表示部4に、L及びRの値を入力するためのL,R入力設定用の画面(図示せず)を表示させる。測定者は、操作部3を操作して、L,Rの値を入力する(ステップS11)。この場合、抵抗値Rの測定を行う前であるので、測定者は予想される抵抗値よりも大きめの値をRとして入力する。(2)式中のI,Vは、測定制御部6が通常の測定時に測定用信号供給部11から出力させる値であり、CPU6aの動作用プログラムに初期値として設定されている。
Since the values of the inductance L and the resistance value R in the equation (2) are unknown, the
測定制御部5は、ステップS11で入力されたL,R、及び、測定部2に出力させるI,Vを用いて(2)式を演算して検出遅延期間tsを求め、その検出遅延期間tsで測定部2に測定させ、抵抗値を求める(ステップS5〜S8)。
このように(2)式を用いることで、L,R,I,Vの値に即した検出遅延期間を算出できる。つまり、測定用信号の電圧(電流)が充分に安定する期間が過不足なく正確に算出できる。したがって、一層正確な測定値を、可及的に短時間で測定することができる。 Thus, by using the equation (2), it is possible to calculate the detection delay period in accordance with the values of L, R, I, and V. That is, the period during which the voltage (current) of the measurement signal is sufficiently stabilized can be accurately calculated without being excessive or insufficient. Therefore, a more accurate measurement value can be measured in as short a time as possible.
検出遅延期間を算出する算出式は(2)式に限られず、例えば、ステップS11で入力されたL,Rから時定数τ=L/R を算出し、そのτにマージン倍率(5〜50程度の適当な値)を乗算して、検出遅延期間を算出するようにしてもよい。 The calculation formula for calculating the detection delay period is not limited to the formula (2). For example, the time constant τ = L / R is calculated from L and R input in step S11, and the margin magnification (about 5 to 50) is calculated for the τ. The detection delay period may be calculated by multiplying by an appropriate value.
図3に示す「測定対象物の選択画面」で「指定なし」が選択されたときには、測定装置1は、通常の抵抗測定装置として動作する。その場合、測定用信号の開放電圧、検出遅延期間などは、測定制御部6から測定部2に通常の値(初期値)で設定されるが、測定者が任意の値に手動で設定することもできる。
When “not specified” is selected on the “measurement object selection screen” shown in FIG. 3, the
なお、直流抵抗を測定する測定装置1について説明したが、交流の測定用信号を出力して交流抵抗(パラメータの他の例)を測定する測定装置に本発明を適用してもよい。その場合、測定対象物の種類に対応させて、測定条件記憶部5に、測定用信号の交流定電流値、測定用信号を出力するための開放電圧、交流周波数、及び検出遅延期間の少なくとも一つの測定条件を記憶させておく。さらに、交流抵抗及び直流抵抗を測定可能な測定装置には、測定用信号が交流であるか、直流であるかの区別を測定条件として記憶させる。又、測定対象物のパラメータとして、インピーダンス、静電容量、インダクタンスなどを測定する測定装置に本発明を適用してもよい。
In addition, although the measuring
又、温度補正処理する測定対象物として「銅製品」の例について説明したが、アルミニウム(温度係数:0.0040)などの他の金属や導体を測定対象物として選択できるようにしてもよいし、絶縁材料を測定対象物として選択できるようにしてもよい。又、測定対象物として「小電流用接点」、「銅製品」、及び「巻線/コイル」の3つの例について説明したが、測定対象物はこれらの例に限られず、他の測定対象物について選択して測定できるようにしてもよい。又、表1〜表3に示した測定条件以外の他の測定条件を規定してもよい。 In addition, although the example of “copper product” is described as the measurement object to be temperature-corrected, other metals or conductors such as aluminum (temperature coefficient: 0.0040) may be selected as the measurement object. The insulating material may be selected as a measurement object. In addition, although three examples of “contact for small current”, “copper product”, and “winding / coil” have been described as the measurement object, the measurement object is not limited to these examples, and other measurement objects May be selected and measured. Further, other measurement conditions other than the measurement conditions shown in Tables 1 to 3 may be specified.
1は測定装置、2は測定部、3は操作部、4は表示部、5は測定条件記憶部、6は測定制御部、6aはCPU、6bはメモリ、7は時間計測部、11は測定用信号供給部、12は電圧検出部、13は温度センサ、14は測定値演算部、90は測定対象物
Pi1・Pi2・Pv1・Pv2はプローブである。
1 is a measurement device, 2 is a measurement unit, 3 is an operation unit, 4 is a display unit, 5 is a measurement condition storage unit, 6 is a measurement control unit, 6a is a CPU, 6b is a memory, 7 is a time measurement unit, and 11 is a measurement The
Claims (5)
該測定対象物の種類の各々に対応させた該測定用信号に関する測定条件、該両端電圧の検出に関する測定条件、該パラメータの算出に関する測定条件を予め記憶する測定条件記憶部と、
該測定対象物の種類又は「指定なし」を選択するための操作部と、
予め該測定対象物の抵抗値を測定する測定条件が初期値として設定され、該測定部を制御する測定制御部とを備え、
該測定制御部は、該操作部で該測定対象物の種類が選択されたとき、該測定条件記憶部から読み込んだ、該選択された該測定対象物に対応する該測定条件と、該測定条件を除く該初期値とで該測定部に測定させ、該操作部で「指定なし」が選択されたとき、該測定部に該抵抗値を該初期値で測定させることを特徴とする測定装置。 A measurement signal is supplied to the measurement object, a voltage across the measurement object generated by the flow of the measurement signal is detected, and a parameter of the measurement object is determined from the current of the measurement signal and the voltage across the measurement signal. A measuring unit to calculate ,
A measurement condition storage unit for preliminarily storing measurement conditions relating to the measurement signal corresponding to each of the types of measurement objects, measurement conditions relating to detection of the both-end voltage, and measurement conditions relating to calculation of the parameters ;
An operation unit for selecting the type of the measurement object or “not specified” ;
A measurement condition for measuring the resistance value of the measurement object is set as an initial value in advance, and includes a measurement control unit that controls the measurement unit,
The measurement control unit, when the type of the measurement object is selected by the operation unit, the measurement condition corresponding to the selected measurement object read from the measurement condition storage unit, and the measurement condition A measurement apparatus characterized by causing the measurement unit to measure with the initial value excluding, and causing the measurement unit to measure the resistance value with the initial value when “undesignated” is selected on the operation unit .
前記測定条件記憶部には、該温度補正処理の必要な該測定対象物の種類に対応させて、該温度補正処理の実行の有無、及び該測定対象物の温度係数が記憶されていることを特徴とする請求項1に記載の測定装置。 The measurement unit includes a temperature sensor that detects the temperature of the measurement object or its environment, and performs temperature correction processing based on the temperature detected by the temperature sensor and the temperature coefficient of the measurement object to obtain the parameter. Can be calculated,
The measurement condition storage unit stores the presence / absence of execution of the temperature correction processing and the temperature coefficient of the measurement target in correspondence with the type of the measurement target that requires the temperature correction processing. The measuring device according to claim 1 , wherein
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