JP5876758B2 - Ink composition and pattern forming method - Google Patents
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Description
本発明は、金属基板上に形成される膜に用いられるインク用組成物に関する。 The present invention relates to an ink composition used for a film formed on a metal substrate.
従来、金属基板を部分的にエッチング処理する際にマスク剤が使用されている。金属基板をエッチング処理する際のエッチング液として、塩酸などの強酸が使用される。このため、マスク剤に要求される特性として、エッチング時のエッチング液に対する耐酸性、良好な基板密着性が求められる。これまで、上述したマスク剤として、ノボラック樹脂に密着剤成分とを組み合わせたものが知られている(特許文献1、2)。
Conventionally, a mask agent is used when a metal substrate is partially etched. A strong acid such as hydrochloric acid is used as an etchant for etching the metal substrate. For this reason, as a characteristic requested | required of a mask agent, the acid resistance with respect to the etching liquid at the time of an etching and favorable board | substrate adhesiveness are calculated | required. Until now, what combined the adhesive agent component with the novolak resin as a mask agent mentioned above is known (
現在、工程数の削減を目的として印刷型レジストの適用が検討されている。したがって印刷法によるパターン形成が可能であることに加えて、上記耐酸性、基板(特に金属基板)の密着性を供えたインク組成物が求められる。従来の感光性組成物における密着剤成分等を用いたインク組成物は、金属基板に対する密着性が不足していた。このため、当該インク組成物を用いて金属基板上に形成したパターンを塩酸などの強酸に浸漬すると、パターンが金属基板から剥離するという課題があった。 Currently, the application of a printing resist is being studied for the purpose of reducing the number of processes. Accordingly, there is a need for an ink composition that provides the above acid resistance and adhesion of a substrate (particularly a metal substrate) in addition to the ability to form a pattern by a printing method. An ink composition using an adhesive component or the like in a conventional photosensitive composition has insufficient adhesion to a metal substrate. For this reason, when the pattern formed on the metal substrate using the said ink composition was immersed in strong acids, such as hydrochloric acid, the subject that a pattern peeled from the metal substrate occurred.
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ノボラック樹脂を含むインク組成物を用いて金属基板に膜を形成したときに、金属基板に対する膜の密着性を向上させることができる技術の提供にある。 The present invention has been made in view of these problems, and an object thereof is to improve the adhesion of a film to a metal substrate when the film is formed on the metal substrate using an ink composition containing a novolac resin. It is in providing technology that can.
本発明のある態様は、インク組成物である。当該インク組成物は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)チャートにおいて、重量平均分子量3000以下の面積が40%以上であるノボラック樹脂(A)と、カルボキシベンゾトリアゾール系化合物(B)と、硫酸バリウム(C)と、を含む。 One embodiment of the present invention is an ink composition. The ink composition has a novolak resin (A) having an area with a weight average molecular weight of 3000 or less, 40% or more, a carboxybenzotriazole-based compound (B), barium sulfate (GPC) chart and a barium sulfate (GPC) chart. C).
この態様のインク組成物を用いて、金属基板に膜を形成すると、金属基板に対する膜の密着性を向上させることができる。 When a film is formed on a metal substrate using the ink composition of this aspect, the adhesion of the film to the metal substrate can be improved.
上記態様のインク組成物において、組成物全体における前記硫酸バリウム(C)の含有量Cw(質量%)と、組成物全体における前記ノボラック樹脂(A)の含有量Aw(質量%)との比Cw/Awが1以上でもよい。また、インク組成物は、非感光性であってもよい。 In the ink composition of the above aspect, the ratio Cw between the content Cw (% by mass) of the barium sulfate (C) in the entire composition and the content Aw (% by mass) of the novolak resin (A) in the entire composition. / Aw may be 1 or more. The ink composition may be non-photosensitive.
本発明の他の態様は、パターン形成方法である。当該パターン形成方法は、基板上に、上述した態様のいずれか1つのインク組成物を用いて印刷法によりマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンをベークする工程と、基板をエッチングし、マスクパターンを転写する工程と、マスクパターンを除去する工程と、を含む。当該態様のパターン形成方法において、前記基板が金属基板であってもよい。 Another embodiment of the present invention is a pattern forming method. The pattern forming method includes a step of forming a mask pattern by a printing method using any one of the ink compositions described above on a substrate, a step of baking the mask pattern, etching the substrate, And a step of removing the mask pattern. In the pattern forming method according to this aspect, the substrate may be a metal substrate.
本発明によれば、ノボラック樹脂を含むインク組成物を用いて金属基板に膜を形成したときに、金属基板に対する膜の密着性を向上させることができる。 According to the present invention, when a film is formed on a metal substrate using an ink composition containing a novolac resin, the adhesion of the film to the metal substrate can be improved.
実施の形態に係るインク組成物は、ノボラック樹脂(A)、カルボキシベンゾトリアゾール系化合物(B)および硫酸バリウム(C)を含む。当該インク組成物は非感光性であることが好ましい。 The ink composition according to the embodiment includes a novolac resin (A), a carboxybenzotriazole-based compound (B), and barium sulfate (C). The ink composition is preferably non-photosensitive.
ノボラック樹脂(A)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)チャートにおいて、平均分子量3000以下の面積が40%以上である。この割合が高いほど酸性水溶液に浸漬させた際の密着性を向上させることができる。インク組成物全体に対するノボラック樹脂(A)の含有量は、10〜70質量%が好ましく、より好ましくは、20〜60質量%である。 The novolak resin (A) has an average molecular weight of 3000 or less in an area of 40% or more in a gel permeation chromatography (GPC) chart. The higher this ratio, the better the adhesion when immersed in an acidic aqueous solution. The content of the novolak resin (A) with respect to the entire ink composition is preferably 10 to 70% by mass, more preferably 20 to 60% by mass.
ノボラック樹脂(A)としては、下記に例示するフェノール類と、下記に例示するアルデヒド類とを塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等の酸性触媒下で反応させて得られるノボラック樹脂などが挙げられる。 The novolak resin (A) is a novolak resin obtained by reacting the phenols exemplified below with the aldehydes exemplified below under an acidic catalyst such as hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, paratoluenesulfonic acid, etc. Etc.
フェノール類としては、例えばフェノール;m−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のクレゾール類;2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,5−キシレノール、3,4−キシレノール等のキシレノール類;m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−エチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、2,3,5−トリエチルフェノール、4−tert−ブチルフェノール、3−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチル−4−メチルフェノール、2−tert−ブチル−5−メチルフェノール等のアルキルフェノール類;p−メトキシフェノール、m−メトキシフェノール、p−エトキシフェノール、m−エトキシフェノール、p−プロポキシフェノール、m−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類;o−イソプロペニルフェノール、p−イソプロペニルフェノール、2−メチル−4−イソプロペニルフェノール、2−エチル−4−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類;フェニルフェノール等のアリールフェノール類;4,4’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのフェノール類の中では、特にm−クレゾール、p−クレゾールが好ましい。 Examples of phenols include phenol; cresols such as m-cresol, p-cresol, and o-cresol; xylenols such as 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol, and 3,4-xylenol. M-ethylphenol, p-ethylphenol, o-ethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, 2,3,5-triethylphenol, 4-tert-butylphenol, 3-tert-butylphenol, 2-tert Alkylphenols such as butylphenol, 2-tert-butyl-4-methylphenol, 2-tert-butyl-5-methylphenol; p-methoxyphenol, m-methoxyphenol, p-ethoxyphenol, m-ethoxyphenol, p -Propoxyphe And alkoxyphenols such as m-propoxyphenol; isopropenylphenols such as o-isopropenylphenol, p-isopropenylphenol, 2-methyl-4-isopropenylphenol, 2-ethyl-4-isopropenylphenol Arylphenols such as phenylphenol; polyhydroxyphenols such as 4,4′-dihydroxybiphenyl, bisphenol A, resorcinol, hydroquinone, pyrogallol, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Among these phenols, m-cresol and p-cresol are particularly preferable.
アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフラール、フリルアクロレイン、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、ケイ皮アルデヒド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのアルデヒド類の中では、入手のしやすさからホルムアルデヒドが好ましい。 Examples of aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, trioxane, acetaldehyde, propionaldehyde, butyraldehyde, trimethylacetaldehyde, acrolein, crotonaldehyde, cyclohexanealdehyde, furfural, furylacrolein, benzaldehyde, terephthalaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde. , Β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, o-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chloro Benzaldehyde, Cinnamon Alde Hydride and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Among these aldehydes, formaldehyde is preferable because of its availability.
ノボラック樹脂(A)は、1種のノボラック樹脂からなっていてもよく、2種以上のノボラック樹脂からなっていてもよい。ノボラック樹脂(A)が2種以上のノボラック樹脂からなる場合、それぞれのノボラック樹脂のMwは特に限定されないが、ノボラック樹脂(A)全体としてMwが1000〜20000となるように調製されていることが好ましい。 The novolac resin (A) may be composed of one kind of novolac resin or may be composed of two or more kinds of novolac resins. When the novolak resin (A) is composed of two or more types of novolak resins, the Mw of each novolak resin is not particularly limited, but the novolak resin (A) as a whole is prepared so that the Mw is 1000 to 20000. preferable.
以上説明したノボラック樹脂(A)に共通する特性として耐酸性に優れていることが挙げられる。 A characteristic common to the novolak resin (A) described above is excellent acid resistance.
カルボキシベンゾトリアゾール系化合物(B)は、下記式(B)で表される。インク組成物全体に対するカルボキシベンゾトリアゾール系化合物(B)の含有量は、0.01〜10質量%が好ましく、より好ましくは、0.1〜1質量%である。
インク組成物全体に対する硫酸バリウム(C)の含有量は、10〜70質量%が好ましく、より好ましくは、20〜60質量%である。また、組成物全体における硫酸バリウム(C)の含有量Cw(質量%)と、組成物全体におけるノボラック樹脂(A)の含有量Aw(質量%)との比Cw/Awが1以上であることが好ましく、1より大きいことがより好ましい。 The content of barium sulfate (C) with respect to the entire ink composition is preferably 10 to 70% by mass, more preferably 20 to 60% by mass. Moreover, ratio Cw / Aw of content Cw (mass%) of barium sulfate (C) in the whole composition and content Aw (mass%) of novolak resin (A) in the whole composition is 1 or more. Is preferable, and is more preferably larger than 1.
実施の形態に係るインク組成物は、上記ノボラック樹脂(A)、カルボキシベンゾトリアゾール系化合物(B)および硫酸バリウム(C)を溶媒(S)に溶解または分散させて調整する。 The ink composition according to the embodiment is prepared by dissolving or dispersing the novolak resin (A), the carboxybenzotriazole compound (B), and barium sulfate (C) in the solvent (S).
溶媒(S)としては、沸点180℃以上の溶剤(S1)と沸点180℃未満の溶剤(S2)が挙げられる。(S1)の具体例としては、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、プロピレングリコールジアセテート、1,3−ブチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、グリセリン、ベンジルアルコール、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−エチル−3−メトキシブチルアセテート、2−メトキシペンチルアセテート、3−メトキシペンチルアセテート、4−メトキシペンチルアセテート、2−メチル−3−メトキシペンチルアセテート、3−メチル−3−メトキシペンチルアセテート、3−メチル−4−メトキシペンチルアセテート、4−メチル−4−メトキシペンチルアセテート、ジヘキシルエーテル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、テルピネオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the solvent (S) include a solvent (S1) having a boiling point of 180 ° C. or higher and a solvent (S2) having a boiling point of less than 180 ° C. Specific examples of (S1) include ethylene glycol, hexylene glycol, propylene glycol diacetate, 1,3-butylene glycol diacetate, diethylene glycol, dipropylene glycol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, Diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, di Tylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monophenyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, glycerin, benzyl alcohol, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-ethyl- 3-methoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-4- Methoxypentyl acetate, 4-methyl-4-methoxypentyl acetate, dihexyl ether, acetic acid Njiru, ethyl benzoate, diethyl maleate, .gamma.-butyrolactone, etc. terpineol and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
溶剤(S2)としては、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、プロピレングリコール等の多価アルコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル等の多価アルコール類の誘導体;その他アセト酢酸エチル、乳酸ブチル、シュウ酸ジエチル等のエステル類が挙げられる。(S2)の中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。 Examples of the solvent (S2) include ketones such as cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; polyhydric alcohols such as ethylene glycol and propylene glycol; propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), Derivatives of polyhydric alcohols such as propylene glycol monomethyl ether (PGME), dipropylene glycol dimethyl ether and propylene glycol propyl ether; and esters such as ethyl acetoacetate, butyl lactate and diethyl oxalate. Among (S2), propylene glycol monomethyl ether acetate is preferable.
溶媒(S)に対する(S1)の含有量は70質量%以上が好ましく、90質量%以上がより好ましく、100質量%であってもよい。溶媒(S)に対する(S2)の含有量は、0〜30質量%が好ましく、0〜10質量%がより好ましい。実施の形態に係るインク組成物における、溶媒(S)の含有量は20〜70質量%が好ましく30〜60質量%であることがより好ましい。 70 mass% or more is preferable, as for content of (S1) with respect to a solvent (S), 90 mass% or more is more preferable, and 100 mass% may be sufficient. 0-30 mass% is preferable and, as for content of (S2) with respect to a solvent (S), 0-10 mass% is more preferable. In the ink composition according to the embodiment, the content of the solvent (S) is preferably 20 to 70% by mass, and more preferably 30 to 60% by mass.
以上説明したインク組成物を用いて、金属基板に膜を形成すると、金属基板に対する膜の密着性を向上させることができる。また、上述した比Cw/Awを1より大きくすることにより、金属基板に対する膜の密着性をより一層向上させることができる。 When a film is formed on a metal substrate using the ink composition described above, the adhesion of the film to the metal substrate can be improved. Moreover, by making the ratio Cw / Aw greater than 1, the adhesion of the film to the metal substrate can be further improved.
(パターン形成方法)
図1(A)に示すように、銅、ニッケル、アルミ等の金属基板10の上に上述のインク組成物を用いて、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ロールコート印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、オフセット印刷法などの印刷法を用いてマスクパターン20を形成する。続いて、マスクパターン20を加熱して、マスクパターン20をベークする。加熱条件は、インク用組成物の成分や、マスクパターン20の膜厚等によって適宜設定されるが、たとえば、200℃、3分間である。
(Pattern formation method)
As shown in FIG. 1A, a screen printing method, an ink jet printing method, a roll coat printing method, a relief printing method, an intaglio printing method using the above-described ink composition on a
続いて、図1(B)に示すように、マスクパターン20の開口部に露出した金属基板10を塩酸などのエッチング液を用いて選択的に除去し、マスクパターン20の開口部(露出部)の金属基板10をエッチングし、マスクパターンを転写する。
Subsequently, as shown in FIG. 1B, the
続いて、図1(C)に示すように、エッチング処理後、マスクパターン20を除去する。除去方法としては、アルカリ水溶液、有機溶剤、市販の剥離液などに室温で5分〜10分程度浸漬して剥離する方法が挙げられる。アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液などがある。有機溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、ジメチルスルホキシド(DMSO)などがある。市販の剥離液としては、有機溶剤系のハクリ105(東京応化工業社製)等を使用することができる。この結果、金属基板10上にマスクパターン20に応じた凸部が転写されたパターンを得ることができる。なお、金属基板10に形成された凸部の機能として、例えば電極が挙げられる。
Subsequently, as shown in FIG. 1C, the
以上の工程により、金属基板に所定パターンの凸部を形成することができる。上述したインク用組成物は、基板密着性、耐酸性、パターン形成精度が優れているため、太陽電池用基板に所望のパターンを精度良く形成することができる。また、フォトリソグラフィ法のような複雑な工程を経ることなく、印刷法にて金属基板にパターンが形成されるため、電極などの製造プロセスを簡略化し、ひいては当該電極を含む太陽電池の製造コストを低減することができる。 Through the above steps, a convex portion having a predetermined pattern can be formed on the metal substrate. Since the ink composition described above is excellent in substrate adhesion, acid resistance, and pattern formation accuracy, a desired pattern can be formed on the solar cell substrate with high accuracy. In addition, since a pattern is formed on a metal substrate by a printing method without passing through complicated steps such as photolithography, the manufacturing process of electrodes and the like is simplified, and thus the manufacturing cost of a solar cell including the electrodes is reduced. Can be reduced.
また、インク組成物が非感光性であることにより、フォトリソグラフィ法を用いることなく、スクリーン印刷などの印刷技術を用いて所望のパターンを形成することができる。これにより、パターン形成の工程を簡素化することができる。 Further, since the ink composition is non-photosensitive, a desired pattern can be formed using a printing technique such as screen printing without using a photolithography method. Thereby, the process of pattern formation can be simplified.
以下、本発明の実施例を説明するが、これら実施例は、本発明を好適に説明するための例示に過ぎず、なんら本発明を限定するものではない。 Examples of the present invention will be described below. However, these examples are merely examples for suitably explaining the present invention, and do not limit the present invention.
表1に、実施例1−3、比較例1−8に用いたインク組成物の各成分の種類および各成分の含有量を示す。各実施例、各比較例のインクは、表1に示す成分を溶媒(トリプロピレングリコールモノメチルエーテル(MFTG、沸点220℃))に溶解させて作製された。なお、溶媒の含有量は、表1に示した樹脂、添加剤およびフィラーを除いた残量に相当する。実施例1〜3、比較例2、4、6、8は添加剤(B1)の含有量を2通り実施した。
各ノボラック樹脂について、液体クロマトグラフィー(型番Shodex GPC SYSTEM 11 (昭和電工株式会社製))を用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)チャートを取得した。図2(A)、(B)は、それぞれ、ノボラック樹脂(A1:未精製品)、ノボラック樹脂(A1:精製品)のGPCチャートである。図3(A)、(B)は、それぞれ、ノボラック樹脂(A2:未精製品)、ノボラック樹脂(A3:未精製品)のGPCチャートである。得られたGPCチャートから、各ノボラック樹脂について重量平均分子量3000以下の面積比を算出した。得られた結果を表2に示す。
表1の成分の説明に戻り、添加剤(B1)は、下記式(B1)で表されるカルボキシベンゾトリアゾールである。
(密着性評価)
作製した各インクをスクリーン印刷法によりCu基板に印刷し、厚さ10μm、500μm幅および厚さ10μm、1000μm幅のパターンをそれぞれ形成した。形成したパターンを200℃のホットプレートにおいて3分間乾燥した。
(Adhesion evaluation)
Each of the produced inks was printed on a Cu substrate by a screen printing method to form patterns having a thickness of 10 μm, 500 μm and a thickness of 10 μm, 1000 μm. The formed pattern was dried on a hot plate at 200 ° C. for 3 minutes.
形成したパターン(膜)を35%塩酸水溶液に浸漬し、パターンの剥離の有無の観察を行った。パターンの剥離が認められなかった場合をA、パターンが完全に剥離した場合をCとし、評価結果を表1に示す。実施例1−3のインクを用いて形成したパターンでは、35%塩酸水溶液に5分間浸漬した後でもパターンの剥離が確認されず、表面状態に大きな変化も生じなかった。一方、比較例1−8のインクを用いて形成したパターンでは、35%塩酸水溶液に5分間浸漬した後でパターンが完全に剥離が生じることが確認された。なお、実施例1〜3、比較例2、4、6、8において、添加剤(B1)の含有量の違いによる差はとくに見られなかった。 The formed pattern (film) was immersed in a 35% aqueous hydrochloric acid solution, and the presence or absence of pattern peeling was observed. The evaluation results are shown in Table 1, where A is the case where no pattern peeling is observed, and C is the case where the pattern is completely peeled. In the pattern formed using the ink of Example 1-3, peeling of the pattern was not confirmed even after immersion in a 35% aqueous hydrochloric acid solution for 5 minutes, and no significant change in the surface state occurred. On the other hand, in the pattern formed using the ink of Comparative Example 1-8, it was confirmed that the pattern completely peeled after being immersed in a 35% hydrochloric acid aqueous solution for 5 minutes. In Examples 1 to 3 and Comparative Examples 2, 4, 6, and 8, there was no particular difference due to the difference in the content of the additive (B1).
以上の結果により、実施例1−3のインクを用いて形成したパターンは、酸に対する十分な耐性を持ち、かつ金属基板(Cu基板)に対して十分な密着性を有していることが確認された。 Based on the above results, it was confirmed that the pattern formed using the ink of Example 1-3 had sufficient resistance to acid and sufficient adhesion to the metal substrate (Cu substrate). It was done.
(密着性のフィラー含有量依存性評価)
表3に実施例2のインク組成物のフィラー含有量を変化させた実施例4−7のインク組成物を各成分の種類および各成分の含有量を示す。
Table 3 shows the type of each component and the content of each component of the ink composition of Example 4-7 in which the filler content of the ink composition of Example 2 was changed.
10 金属基板、20 マスクパターン 10 metal substrate, 20 mask pattern
Claims (4)
カルボキシベンゾトリアゾール系化合物(B)と、
硫酸バリウム(C)と、
溶媒(S)と、
からなり、非感光性であるインク組成物。 In a gel permeation chromatography (GPC) chart, a novolak resin (A) having an area having a weight average molecular weight of 3000 or less relative to the entire area of the GPC chart is 40% or more;
A carboxybenzotriazole compound (B);
Barium sulfate (C),
A solvent (S);
And an ink composition which is non-photosensitive .
マスクパターンをベークする工程と、
基板をエッチングし、マスクパターンを転写する工程と、
マスクパターンを除去する工程と、
を含むパターン形成方法。 Forming a mask pattern on a substrate by a printing method using the ink composition according to claim 1 or 2 ,
A step of baking the mask pattern;
Etching the substrate and transferring the mask pattern;
Removing the mask pattern;
A pattern forming method including:
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