JP5860776B2 - Method for producing abrasive and method for adjusting specific surface area of abrasive - Google Patents

Method for producing abrasive and method for adjusting specific surface area of abrasive Download PDF

Info

Publication number
JP5860776B2
JP5860776B2 JP2012150700A JP2012150700A JP5860776B2 JP 5860776 B2 JP5860776 B2 JP 5860776B2 JP 2012150700 A JP2012150700 A JP 2012150700A JP 2012150700 A JP2012150700 A JP 2012150700A JP 5860776 B2 JP5860776 B2 JP 5860776B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
abrasive
particles
surface area
specific surface
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012150700A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014012311A (en
Inventor
高橋 洋祐
洋祐 高橋
左合 澄人
澄人 左合
佐藤 誠
佐藤  誠
恒 大森
恒 大森
祐貴 山田
祐貴 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Noritake Co Ltd
Original Assignee
Noritake Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Noritake Co Ltd filed Critical Noritake Co Ltd
Priority to JP2012150700A priority Critical patent/JP5860776B2/en
Publication of JP2014012311A publication Critical patent/JP2014012311A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5860776B2 publication Critical patent/JP5860776B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

本発明は、希少金属であるセリア(CeO)の使用量が低減されても研磨性能が高い研磨材の製造方法およびその研磨材の比表面積の調整方法に関する。 The present invention relates to a method for producing an abrasive having high polishing performance even when the amount of use of rare metal ceria (CeO 2 ) is reduced, and a method for adjusting the specific surface area of the abrasive .

電子デバイスや光学レンズ等に用いられるガラス系材料は、極めて平滑な表面研磨が必要とされることがあり、その研磨材としてセリア粒子が広く使用されている。また、上記セリア粒子を使用するセリア研磨材が、その化学的相互作用を活用した研磨材として高性能であることから、用途ごとに、粒径、純度、添加剤、pHなどが適正化されて使用され、例えば特許文献1では、これに関する提案が行われている。   Glass-based materials used for electronic devices, optical lenses, and the like may require extremely smooth surface polishing, and ceria particles are widely used as the abrasive. In addition, since the ceria abrasive using the ceria particles has high performance as an abrasive utilizing the chemical interaction, the particle size, purity, additive, pH, etc. are optimized for each application. For example, Patent Document 1 discloses a proposal related to this.

ところで、セリウム(Ce)はレアアースと呼ばれる希少金属であり、産出国が限られセリウムの安定的な使用が難しくなってきている。また、セリウムの埋蔵量が限られることから、中長期的に継続して使用するためにセリウムの使用量を削減することが、地球環境面でも課題となってきている。   By the way, cerium (Ce) is a rare metal called rare earth, and its production country is limited, and stable use of cerium is becoming difficult. Moreover, since the amount of cerium reserves is limited, reducing the amount of cerium used for continuous use over the medium to long term has become an issue in terms of the global environment.

このため、上記のようなセリア研磨材に替わり、セリウムの使用量が少ない研磨材の開発が急務となっている。そこで、非特許文献1では、代替砥粒としてジルコニア(ZrO)やチタニア(TiO)といった材料を使用することが提案されている。 For this reason, in place of the above-mentioned ceria abrasives, there is an urgent need to develop an abrasive that uses less cerium. Therefore, Non-Patent Document 1 proposes to use a material such as zirconia (ZrO 2 ) or titania (TiO 2 ) as an alternative abrasive grain.

特開2009−290188号公報JP 2009-290188 A

日本機械学会年次大会講演論文集、Vol.2011、Page.S132022Proceedings of Annual Meeting of the Japan Society of Mechanical Engineers, Vol.2011, Page.S132022

しかしながら、上記のようなジルコニアやチタニアといった材料は、セリアと比較すると、上記非特許文献1のような特殊な研磨パッドを使用するなどの特殊な条件下を除いては、研磨速度の低下や傷の発生等といった問題があった。   However, materials such as zirconia and titania as described above have a lower polishing rate and scratches than ceria, except for special conditions such as using a special polishing pad as described in Non-Patent Document 1 above. There were problems such as the occurrence of

本発明は、以上の事情を背景として為されたものであり、その目的とするところは、セリアの含有量が低減させられ、従来のようなセリア粒子を使用するセリア研磨材と同等以上の研磨性能を有する研磨材製造方法およびその研磨材の比表面積の調整方法を提供することにある。 The present invention has been made against the background of the above circumstances, and its purpose is to reduce the content of ceria, and polishing equivalent to or higher than conventional ceria abrasives using ceria particles. It is to provide a manufacturing method and a method for adjusting the specific surface area of the abrasive polishing material having a performance.

本発明者等は以上の事情を背景として種々検討を重ねた結果、表面の少なくとも一部がセリア(CeO)で被覆されたジルコニア(ZrO)粒子を含む研磨材を使用して被研磨材料を研磨すると、その研磨後の被研磨材料において研磨品質が上記従来のセリア研磨材を上回るすなわち表面粗さRa(nm)および研磨条痕の数が上記従来のセリア研磨材を使用した場合に比較して低下すると共に、研磨速度(nm/min)が上記従来のセリア研磨材を使用した場合に比較して同等程度になることに気づいた。つまり、表面の少なくとも一部がCeOで被覆されたZrO粒子を含む研磨材を使用すると、研磨材に使用されるCeOの使用量が低減されると共に、上記セリア研磨材と同等以上の研磨性能(表面粗さRa(nm)、研磨条痕の数、研磨速度(nm/min))を有することを見い出した。本発明はこのような知見に基づいて為されたものである。 As a result of various investigations on the background of the above circumstances, the present inventors have used a polishing material containing zirconia (ZrO 2 ) particles coated with ceria (CeO 2 ) at least a part of the surface to be polished. Polishing quality of the polished material is higher than that of the conventional ceria abrasive, that is, the surface roughness Ra (nm) and the number of polishing marks are compared with the case where the conventional ceria abrasive is used. It was noticed that the polishing rate (nm / min) was comparable to that when the conventional ceria abrasive was used. That is, at least a portion of the surface by using the abrasive material containing ZrO 2 particles coated with CeO 2, with the amount is reduced in CeO 2 used in the abrasive, the ceria abrasive equal to or higher than It was found to have polishing performance (surface roughness Ra (nm), number of polishing streaks, polishing rate (nm / min)). The present invention has been made based on such findings.

前記目的を達成するための本発明の第1発明の研磨材の製造方法の要旨とするところは、(a)表面の少なくとも一部がCeOで被覆されているZrO粒子を含む研磨材の製造方法であって、(b)水にジルコニア粉を分散させたもの或いはZrO 粒子を含むジルコニアゾルに、硝酸セリウムを溶解させる溶解工程と、(c)前記溶解工程によって得られた溶解液にアンモニア水を加えて攪拌することにより、前記CeO を担持した前記ZrO 粒子を含むアルカリ性のスラリーを得る第1担持工程と、(d)前記第1担持工程によって得られたスラリーを湿式粉砕することによって更に強固に前記CeO を前記ZrO 粒子に担持させる第2担持工程と、(e)前記第2担持工程によって得られたスラリー中からその固型分を抽出する固型分抽出工程と、(f)前記固型分抽出工程によって得られた固型分を焼成することで前記研磨材を得る焼成工程とを、含むことにある。 In order to achieve the above object, the gist of the method for producing an abrasive material of the first invention of the present invention is as follows: (a) An abrasive material comprising ZrO 2 particles having at least a part of the surface coated with CeO 2 . (B) a dissolution step of dissolving cerium nitrate in a zirconia sol containing zirconia powder in water or containing ZrO 2 particles, and (c) a solution obtained by the dissolution step. A first supporting step for obtaining an alkaline slurry containing the ZrO 2 particles supporting the CeO 2 by adding ammonia water and stirring ; and (d) wet-pulverizing the slurry obtained by the first supporting step. A second supporting step for supporting the CeO 2 on the ZrO 2 particles more strongly, and (e) extracting the solid component from the slurry obtained by the second supporting step. And (f) a baking step of baking the solid portion obtained by the solid portion extraction step to obtain the abrasive .

第1発明の研磨材の製造方法によれば、前記溶解工程において水にジルコニア粉を分散させたもの或いはZrO 粒子を含むジルコニアゾルに、硝酸セリウムが溶解され、前記第1担持工程において前記溶解工程によって得られた溶解液にアンモニア水を加えて攪拌することにより、前記CeO を担持した前記ZrO 粒子を含むアルカリ性のスラリーが得られ、前記第2担持工程において前記第1担持工程によって得られたスラリーを湿式粉砕することによって更に強固に前記CeO が前記ZrO 粒子に担持され、前記固型分抽出工程において前記第2担持工程によって得られたスラリー中からその固型分が抽出され、前記焼成工程において前記固型分抽出工程によって得られた固型分が焼成されることで、表面の少なくとも一部がCeOで被覆されているZrO粒子が含まれた研磨材が得られる。これによって、前記研磨材に含有される前記CeOの含有量が低減させられると共に、従来のセリア研磨材を上回る研磨品質と従来のセリア研磨材に近い研磨速度とが実現する研磨材が製造される。 According to the method for manufacturing an abrasive of the first invention, cerium nitrate is dissolved in a zirconia sol containing zirconia powder dispersed in water or ZrO 2 particles in the dissolving step, and the dissolving is performed in the first supporting step. By adding ammonia water to the solution obtained in the step and stirring, an alkaline slurry containing the ZrO 2 particles supporting the CeO 2 is obtained, and obtained in the second supporting step by the first supporting step. The obtained slurry is wet-pulverized to more strongly support the CeO 2 on the ZrO 2 particles, and the solid content is extracted from the slurry obtained by the second support step in the solid content extraction step. by solids obtained by said solids extraction step in the firing step is fired, the surface of at least a There abrasives include ZrO 2 particles coated with CeO 2 is obtained. As a result, the content of the CeO 2 contained in the abrasive is reduced, and an abrasive that achieves a polishing quality superior to that of the conventional ceria abrasive and a polishing rate close to that of the conventional ceria abrasive is manufactured. The

ここで、好適には、前記研磨材には、前記CeOと前記ZrO粒子との化合物であるCeZrO層が形成されている。このため、前記ZrO粒子と前記CeOとの界面には両者の反応層である前記CeZrO層が形成されていることでCeOが強固に担持されるので、水蒸気雰囲気下や高温還元雰囲気下での前記研磨材の耐久性が高くなる。 Here, preferably, a CeZrO 2 layer that is a compound of the CeO 2 and the ZrO 2 particles is formed on the abrasive. For this reason, CeO 2 is firmly supported by the formation of the CeZrO 2 layer, which is a reaction layer of both, at the interface between the ZrO 2 particles and the CeO 2. The durability of the abrasive underneath is increased.

また、好適には、前記溶解工程において、水にジルコニア粉を分散させたもの或いはジルコニア粒子を含むジルコニアゾルに溶解される前記硝酸セリウムは、硝酸セリウム(III)六水和物、硝酸セリウム(IV)アンモニウム水和物、硝酸セリウム(III)六水和物を過酸化水素水で酸化処理をしてセリウムを四価にした水溶液等が使用される。   Preferably, in the dissolving step, the cerium nitrate dissolved in a zirconia sol containing zirconia powder in water or containing zirconia particles is cerium (III) nitrate hexahydrate, cerium nitrate (IV ) Ammonium hydrate, cerium nitrate (III) hexahydrate, etc. are oxidized with hydrogen peroxide to obtain tetravalent cerium aqueous solution.

また、好適には、前記焼成工程には、前記固型分抽出工程によって得られた固型分を焼成温度300〜600℃の範囲内で焼成する仮焼成工程と、前記仮焼成工程によって焼成された粉末をその仮焼成工程の焼成温度より高い温度400〜800℃の範囲内で再度焼成する本焼成工程とが含まれている。これによって、前記研磨材には、前記CeOと前記ZrO粒子との化合物であるCeZrO層が好適に形成される。 Preferably, in the firing step, the solid portion obtained by the solid portion extraction step is fired within a range of a firing temperature of 300 to 600 ° C. and the temporary firing step. And a main firing step in which the powder is fired again within a temperature range of 400 to 800 ° C., which is higher than the firing temperature of the temporary firing step. Thus, a CeZrO 2 layer that is a compound of the CeO 2 and the ZrO 2 particles is suitably formed on the abrasive.

前記目的を達成するための本発明の第2発明の研磨材の比表面積の調整方法の要旨とするところは、(a)表面の少なくとも一部がCeO で被覆されているZrO 粒子を含む研磨材の比表面積の調整方法であって、(b)前記研磨材に、平均粒径が1〜10nmのZrO 粒子が含まれたジルコニアゾルと硝酸セリウム溶液とからなる比表面積調整液を加えて混合する第1混合工程と、(c)前記第1混合工程によって混合された前記研磨材と前記比表面積調整液との混合液に還元剤を加えて混合する第2混合工程と、(d)前記第2混合工程によって還元剤が混合された混合液からその混合液中の固型分を分離する固型分分離工程と、(e)前記固型分分離工程によって混合液中から分離された固型分を100〜200℃の範囲内の温度で加温することでゲル化する加温工程と、(f)前記加温工程でゲル化されたものを焼成する焼成工程とを、含むことにある。 In order to achieve the above object, the gist of the method for adjusting the specific surface area of the abrasive according to the second invention of the present invention includes (a) ZrO 2 particles in which at least a part of the surface is coated with CeO 2. A method for adjusting the specific surface area of an abrasive, wherein (b) a specific surface area adjusting liquid comprising a zirconia sol containing ZrO 2 particles having an average particle diameter of 1 to 10 nm and a cerium nitrate solution is added to the abrasive (C) a second mixing step in which a reducing agent is added to and mixed with the mixed liquid of the abrasive and the specific surface area adjusting liquid mixed in the first mixing step; and (d) ) A solid component separation step for separating a solid component in the mixed solution from the mixed solution in which the reducing agent is mixed in the second mixing step; and (e) the solid component separated in the mixed solution by the solid component separation step. Temperature within a range of 100 to 200 ° C. A heating step of gelation by heating, and a firing step of firing those gelled with (f) the heating step is to include.

第2発明の研磨材の比表面積の調整方法によれば、前記第1混合工程において前記研磨材に前記比表面積調整液が加えられて混合され、前記第2混合工程において前記第1混合工程によって混合された前記研磨材と前記比表面積調整液との混合液に還元剤が加えられて混合され、前記固型分分離工程において前記第2混合工程によって還元剤が混合された混合液からその混合液中の固型分が分離され、前記加温工程において前記固型分分離工程によって混合液中から分離された固型分が100〜200℃の範囲内の温度で加温されることでゲル化され、前記焼成工程において前記加温工程でゲル化されたものが焼成されることにより、表面の少なくとも一部がCeO で被覆されているZrO 粒子が含まれた研磨材の比表面積が調整される。これによって、前記研磨材に含有される前記CeO の含有量が低減させられると共に、従来のセリア研磨材を上回る研磨品質と従来のセリア研磨材に近い研磨速度とが実現する研磨材の比表面積が調整される。また、前記研磨材の研磨性能を調整するためにその研磨材の被研磨材料への化学的作用に対する要因の一つである比表面積を容易に調整することができるので、研磨する被研磨材料の材質や用途に応じて前記研磨材の研磨性能を容易に調整することができる。 According to the method for adjusting the specific surface area of the abrasive according to the second aspect of the invention, the specific surface area adjusting liquid is added to and mixed with the abrasive in the first mixing step, and the first mixing step is performed in the second mixing step. A reducing agent is added to and mixed with the mixed liquid of the abrasive and the specific surface area adjusting liquid, and the mixture is mixed from the mixed liquid in which the reducing agent is mixed in the second mixing step. The solid component in the liquid is separated, and the solid component separated from the mixed solution in the heating step by the solid component separation step is heated at a temperature in the range of 100 to 200 ° C. The specific surface area of the abrasive containing the ZrO 2 particles in which at least a part of the surface is coated with CeO 2 is obtained by baking the one that has been converted into a gel in the heating step in the baking step. Adjusted . As a result, the CeO 2 content contained in the abrasive is reduced, and the specific surface area of the abrasive that achieves a polishing quality superior to that of the conventional ceria abrasive and a polishing rate close to that of the conventional ceria abrasive. Is adjusted. Further, in order to adjust the polishing performance of the abrasive, the specific surface area that is one of the factors for the chemical action of the abrasive on the material to be polished can be easily adjusted. The polishing performance of the abrasive can be easily adjusted according to the material and application.

ここで、好適には、前記第1混合工程において、混合された前記比表面積調整液の添加量(wt%)は、0.5〜5(wt%)である。 Here , preferably, in the first mixing step, the added amount (wt%) of the mixed specific surface area adjusting liquid is 0.5 to 5 (wt%).

また、好適には、前記第2混合工程において、混合された還元剤はアンモニア水であり、そのアンモニア水の添加量(wt%)は1〜5(wt%)であり、そのアンモニア水の濃度(N)は0.2〜1(N)である。なお、アンモニア水の濃度(N)を1(N)にすると比表面積が比表面積調整液の添加前の比表面積よりも小さくなるように調整され、アンモニア水の濃度(N)を0.5(N)より小さくすると比表面積が比表面積調整液の添加前の比表面積よりも大きくなるように調整される。   Preferably, in the second mixing step, the mixed reducing agent is ammonia water, the amount of ammonia water added (wt%) is 1 to 5 (wt%), and the concentration of the ammonia water (N) is 0.2 to 1 (N). When the ammonia water concentration (N) is 1 (N), the specific surface area is adjusted to be smaller than the specific surface area before the addition of the specific surface area adjusting liquid, and the ammonia water concentration (N) is 0.5 ( If it is smaller than N), the specific surface area is adjusted to be larger than the specific surface area before the addition of the specific surface area adjusting liquid.

また、好適には、前記焼成工程において、前記加温工程でゲル化されたものが600〜800℃で焼成される。   Also preferably, in the baking step, the gelled material in the heating step is fired at 600 to 800 ° C.

本発明の一実施例の研磨材が含まれた研磨スラリーを適用した研磨装置の構成を概略説明する概略図である。1 is a schematic view schematically illustrating a configuration of a polishing apparatus to which a polishing slurry containing an abrasive according to an embodiment of the present invention is applied. 図1の研磨スラリー中の研磨材を拡大して示す模式図である。It is a schematic diagram which expands and shows the abrasives in the polishing slurry of FIG. 図2の研磨材の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the abrasive | polishing material of FIG. 図2の研磨材の比表面積を調整する研磨材の比表面積の調整方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the adjustment method of the specific surface area of the abrasives which adjusts the specific surface area of the abrasives of FIG. 図3の製造方法で製造された研磨材を使用して図1の研磨装置により研磨した被研磨材料の表面粗さ、研磨条痕の数、研磨速度等を示す図である。It is a figure which shows the surface roughness of the to-be-polished material which used the abrasive | polishing material manufactured by the manufacturing method of FIG. 3, and was polished by the polishing apparatus of FIG. 図4の調整方法で比表面積が調整された研磨材の比表面積の測定結果を示す図である。It is a figure which shows the measurement result of the specific surface area of the abrasive | polishing material by which the specific surface area was adjusted with the adjustment method of FIG. 図6のNo.5、6の研磨材を拡大して示す模式図である。No. of FIG. It is a schematic diagram which expands and shows the abrasives of 5 and 6. 図6のNo.3、4、7の研磨材を拡大して示す模式図である。No. of FIG. It is a schematic diagram which expands and shows the abrasives of 3, 4, and 7.

以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施例において図は適宜簡略化或いは変形されており、各部の寸法比および形状等は必ずしも正確には描かれていない。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following embodiments, the drawings are appropriately simplified or modified, and the dimensional ratios, shapes, and the like of the respective parts are not necessarily drawn accurately.

図1は、本発明の一実施例の研磨材10(図2参照)が含まれた研磨スラリー12を適用した研磨装置14の構成を概略説明する概略図である。図1に示すように、研磨装置14には、A点回り矢印A1方向に回転駆動する円板形状のテーブル16と、そのテーブル16の上面16aに貼り付けられた例えば発泡ポリウレタン製の円板形状の研磨パッド18と、その研磨パッド18上に研磨スラリー12を供給する図示しないスラリー供給装置と、研磨パッド18の上面である研磨面18aに例えば石英ウエハ等の円板形状の被研磨基板(被研磨材料)20を摺接状態で自転可能に保持するキャリヤ22とが備えられており、研磨スラリー12中の研磨材10によって被研磨基板20が平滑に研磨される。なお、キャリヤ22は、矢印F方向に押圧された状態でB点回り矢印B1方向に回転駆動するものであり、キャリヤ22が矢印F方向に押圧された状態で矢印B1方向に回転駆動することによって、被研磨基板20が研磨パッド18に摺接された状態で自転可能に保持される。   FIG. 1 is a schematic view schematically illustrating the configuration of a polishing apparatus 14 to which a polishing slurry 12 including an abrasive 10 (see FIG. 2) according to an embodiment of the present invention is applied. As shown in FIG. 1, the polishing apparatus 14 includes a disk-shaped table 16 that is rotationally driven in the direction of an arrow A <b> 1, and a disk shape made of, for example, polyurethane foam attached to the upper surface 16 a of the table 16. A polishing pad 18, a slurry supply device (not shown) for supplying the polishing slurry 12 onto the polishing pad 18, and a disk-shaped polishing substrate (a substrate to be polished) such as a quartz wafer on the polishing surface 18 a that is the upper surface of the polishing pad 18. A carrier 22 that holds the polishing material 20 in a slidable contact state is provided, and the substrate 20 to be polished is polished smoothly by the polishing material 10 in the polishing slurry 12. The carrier 22 is rotated in the direction of the arrow B1 around the point B when pressed in the direction of the arrow F, and is rotated in the direction of arrow B1 while the carrier 22 is pressed in the direction of the arrow F. The substrate 20 to be polished is held so as to be able to rotate while being in sliding contact with the polishing pad 18.

図2は、研磨スラリー12中に含まれている研磨材10を拡大して示す模式図である。図2に示すように、研磨材10は、コアがジルコニア粒子(ZrO粒子)24で構成され、そのジルコニア粒子24の表面24aの周りにセリア(CeO)26が担持されたコアシェル構造である。すなわち、研磨材10は、表面24aの一部がセリア26で被覆されているジルコニア粒子24である。なお、ジルコニア粒子24とセリア26との間には、ジルコニア粒子24の周りに担持されたセリア26が焼成によりジルコニア粒子24と化学反応することによって、セリア26とジルコニア粒子24との化合物であるセリアジルコニア層(CeZrO層)28が形成されている。また、研磨スラリー12は、例えば水と研磨材10とによって構成されている。また、研磨スラリー12に添加された研磨材10の粒子全部が、表面24aの一部がセリア26で被覆されたジルコニア粒子24から成っている。 FIG. 2 is an enlarged schematic view showing the abrasive 10 contained in the polishing slurry 12. As shown in FIG. 2, the abrasive 10 has a core-shell structure in which the core is composed of zirconia particles (ZrO 2 particles) 24 and ceria (CeO 2 ) 26 is supported around the surface 24 a of the zirconia particles 24. . That is, the abrasive 10 is zirconia particles 24 in which a part of the surface 24 a is coated with the ceria 26. In addition, between the zirconia particles 24 and the ceria 26, the ceria 26 supported around the zirconia particles 24 chemically reacts with the zirconia particles 24 by firing, so that ceria which is a compound of the ceria 26 and the zirconia particles 24 is obtained. A zirconia layer (CeZrO 2 layer) 28 is formed. Moreover, the polishing slurry 12 is composed of, for example, water and the abrasive 10. Further, all the particles of the abrasive 10 added to the polishing slurry 12 are composed of zirconia particles 24 in which a part of the surface 24 a is coated with ceria 26.

研磨装置14において、表面24aの一部がセリア26で被覆されたジルコニア粒子24を研磨材10として使用して被研磨基板20を研磨すると、その研磨後において被研磨基板20の研磨品質が従来のセリア粒子を研磨材として使用するセリア研磨材を上回るすなわち被研磨基板20の表面粗さRa(nm)および研磨条痕の数が上記従来のセリア研磨材を使用した場合に比較して低下すると共に、被研磨基板20の研磨速度(nm/min)が上記従来のセリア研磨材を使用した場合に比較して略同等程度になる。また、研磨材10は、平均粒径(μm)が所定範囲内であるジルコニア粒子を含むジルコニアゾルと硝酸セリウム溶液とからなる比表面積調整液中に還元剤とともに混合され、その混合液中の固型分が所定温度の範囲内の温度でゲル化されて焼成されることにより、その比表面積が調整されるものである。   In the polishing apparatus 14, when the substrate 20 to be polished is polished using the zirconia particles 24 having a part of the surface 24 a coated with ceria 26 as the polishing material 10, the polishing quality of the substrate 20 to be polished after the polishing is conventional. In addition to the ceria abrasive that uses ceria particles as an abrasive, that is, the surface roughness Ra (nm) of the substrate to be polished 20 and the number of polishing streaks are reduced as compared with the conventional ceria abrasive. The polishing rate (nm / min) of the substrate to be polished 20 is substantially the same as that in the case where the conventional ceria abrasive is used. Further, the abrasive 10 is mixed with a reducing agent in a specific surface area adjusting liquid composed of zirconia sol containing zirconia particles having an average particle diameter (μm) within a predetermined range and a cerium nitrate solution, and the solid material in the mixed liquid is mixed. The specific surface area is adjusted by gelling the mold part at a temperature within a predetermined temperature range and firing it.

以下において、図3を用いて研磨材10の製造方法を説明し、図4を用いて研磨材10の比表面積の調整方法を説明する。そして、図3の製造方法によって製造された表面24aの一部がセリア26で被覆されているジルコニア粒子24である研磨材10と、従来のようなセリア粒子を使用するセリア研磨材とをそれぞれ製造して、それらの研磨材10を使用して研磨装置14により研磨した被研磨基板20の表面粗さRa(nm)、研磨条痕の数、研磨速度(nm/min)を比較させることにより、研磨材10が従来のようなセリア研磨材と同等以上の研磨性能(表面粗さRa(nm)、研磨条痕の数、研磨速度(nm/min))を有することを以下の実験Iで示す。また、図3の製造方法によって製造された研磨材10の比表面積と、その研磨材10を図4の比表面積の調整方法によって調整した研磨材10の比表面積とを測定することによって、図4の研磨材10の比表面積の調整方法により研磨材10の比表面積が調整可能であることを以下の実験IIで示す。   Below, the manufacturing method of the abrasive 10 is demonstrated using FIG. 3, and the adjustment method of the specific surface area of the abrasive 10 is demonstrated using FIG. Then, the abrasive 10 which is the zirconia particles 24 partially coated with the ceria 26 produced by the production method of FIG. 3 and the conventional ceria abrasive using the ceria particles are produced. Then, by comparing the surface roughness Ra (nm), the number of polishing streaks, and the polishing rate (nm / min) of the substrate to be polished 20 polished by the polishing apparatus 14 using those abrasives 10, Experiment I below shows that the abrasive 10 has a polishing performance (surface roughness Ra (nm), number of polishing streaks, polishing rate (nm / min)) equal to or better than that of a conventional ceria abrasive. . Further, by measuring the specific surface area of the abrasive 10 produced by the production method of FIG. 3 and the specific surface area of the abrasive 10 prepared by adjusting the abrasive 10 by the method of adjusting the specific surface area of FIG. The following Experiment II shows that the specific surface area of the abrasive 10 can be adjusted by the method for adjusting the specific surface area of the abrasive 10.

図3に示すように、先ず、溶解工程P1において、水30に平均粒子径(nm)が50〜120nmの範囲内であり比表面積(m/g)が67〜175m/gの範囲内であるジルコニア粉32を分散させたものに、硝酸セリウム(III)六水和物(硝酸セリウム)34を溶解させた。なお、ジルコニア粉32の平均粒子径(nm)は、電子顕微鏡(TEM)写真観測により測定された一次粒子径の平均値である。また、ジルコニア粉32の比表面積(m/g)は、例えば窒素ガスなどの物理吸着を用いて吸着等温線を測定し、良く知られたBET法により算出したものである。 As shown in FIG. 3, first, soluble in step P1, in the range the average particle diameter in water 30 (nm) is there a specific surface area in the range of 50~120nm (m 2 / g) is 67~175m 2 / g A cerium (III) nitrate hexahydrate (cerium nitrate) 34 was dissolved in a dispersion of zirconia powder 32. In addition, the average particle diameter (nm) of the zirconia powder 32 is an average value of primary particle diameters measured by electron microscope (TEM) photograph observation. The specific surface area (m 2 / g) of the zirconia powder 32 is calculated by a well-known BET method by measuring an adsorption isotherm using physical adsorption such as nitrogen gas.

次に、第1担持工程P2において、溶解工程P1によって得られた溶解液にアンモニア水36を沈殿剤として加えて攪拌することによって、その溶解液のpHを酸性から中性、中性からアルカリ性にしてその溶解液中のセリア26の少なくとも一部を担持したジルコニア粒子24を含むアルカリ性のスラリーが得られる。   Next, in the first supporting step P2, by adding ammonia water 36 as a precipitant to the solution obtained in the dissolution step P1 and stirring, the pH of the solution is changed from acidic to neutral, and from neutral to alkaline. Thus, an alkaline slurry containing zirconia particles 24 supporting at least part of the ceria 26 in the solution is obtained.

次に、第2担持工程P3において、第1担持工程P2によって得られた上記アルカリ性のスラリーを任意のジルコニアボールを使い密閉式または開放式ボールミルで3〜24時間湿式粉砕することによって、第1担持工程P2よりも更に強固にセリア26をジルコニア粒子24に担持させる。   Next, in the second supporting step P3, the alkaline slurry obtained in the first supporting step P2 is wet-pulverized for 3 to 24 hours using an arbitrary zirconia ball in a closed or open ball mill, thereby providing the first supporting step. The ceria 26 is supported on the zirconia particles 24 more firmly than in the process P2.

次に、ろ過工程P4において、第2担持工程P3によって得られたスラリー中からその固型分をろ過により分離させる。また、次に、乾燥工程P5において、ろ過工程P4によりスラリー中から分離された固型分を80℃で12時間以上乾燥させることによって乾燥粉が得られる。なお、上記のようなろ過工程P4および乾燥工程P5は、第2担持工程P3によって得られたスラリー中からその固型分を抽出する固型分抽出工程に相当する。   Next, in the filtration step P4, the solid component is separated from the slurry obtained in the second supporting step P3 by filtration. Next, in the drying step P5, the solid powder separated from the slurry by the filtration step P4 is dried at 80 ° C. for 12 hours or more to obtain a dry powder. The filtration step P4 and the drying step P5 as described above correspond to a solid portion extraction step for extracting the solid portion from the slurry obtained in the second supporting step P3.

次に、仮焼成工程(焼成工程)P6において、固型分抽出工程によって得られた乾燥粉が、焼成温度(℃)300〜600℃の範囲内で焼成される。   Next, in the pre-baking step (baking step) P6, the dry powder obtained by the solid part extraction step is baked within the range of the baking temperature (° C.) of 300 to 600 ° C.

次に、本焼成工程(焼成工程)P7において、仮焼成工程P6によって焼成された粉末が、焼成温度(℃)400〜800℃の範囲内で再度焼成される。次に、必要に応じて所定の平均粒径となるように粉砕され且つ分級されて、研磨材10が製造される。なお、本焼成工程P7の焼成温度(℃)は、仮焼成工程P6の焼成温度(℃)より高い温度になるように設定される。   Next, in the main firing step (firing step) P7, the powder fired in the temporary firing step P6 is fired again within the range of the firing temperature (° C.) of 400 to 800 ° C. Next, the abrasive 10 is manufactured by being pulverized and classified so as to have a predetermined average particle diameter as necessary. The firing temperature (° C.) in the main firing step P7 is set to be higher than the firing temperature (° C.) in the temporary firing step P6.

図4に示すように、先ず、第1混合工程P8において、上述した図3の製造方法により製造された研磨材10に、オキシ塩化ジルコニウムから作製したジルコニアゾル38と硝酸セリウム溶液40とからなる混合溶液である比表面積調整液42を、研磨材10に対して0.5〜5(wt%)の範囲内で添加して、例えばボールミルによって6時間湿式粉砕するとともに混合した。なお、研磨材10の比表面積は30(m/g)であり、その研磨材10の比表面積(m/g)は例えば窒素ガスなどの物理吸着を用いて吸着等温線を測定し、良く知られたBET法により算出したものである。また、比表面積調整液42に混合されたジルコニアゾル38には、平均粒径が1〜10nmの範囲内のジルコニア粒子がコロイド状に分散されており、そのジルコニアの濃度は0.1(wt%)である。また、ジルコニアゾル38と硝酸セリウム溶液40とからなる比表面積調整液42は、セリウム(Ce):ジルコニウム(Zr)=2:8mol比となるように調合されている。 As shown in FIG. 4, first, in the first mixing step P8, the abrasive 10 manufactured by the manufacturing method of FIG. 3 described above is mixed with the zirconia sol 38 made of zirconium oxychloride and the cerium nitrate solution 40. The specific surface area adjusting liquid 42 as a solution was added in a range of 0.5 to 5 (wt%) with respect to the abrasive 10 and wet-ground for 6 hours by, for example, a ball mill and mixed. The specific surface area of the abrasive 10 is 30 (m 2 / g), and the specific surface area (m 2 / g) of the abrasive 10 is measured by, for example, adsorption isotherm using physical adsorption such as nitrogen gas. It is calculated by the well-known BET method. In the zirconia sol 38 mixed with the specific surface area adjusting liquid 42, zirconia particles having an average particle diameter in the range of 1 to 10 nm are colloidally dispersed, and the concentration of the zirconia is 0.1 (wt%). ). The specific surface area adjusting liquid 42 composed of the zirconia sol 38 and the cerium nitrate solution 40 is prepared so as to have a cerium (Ce): zirconium (Zr) = 2: 8 mol ratio.

次に、第2混合工程P9において、第1混合工程P8によって混合された研磨材10と比表面積調整液42との混合液に、例えばアンモニア水44などの還元剤を1〜5(wt%)の範囲内で添加して、例えばボールミルによって6時間湿式粉砕するとともに混合した。なお、添加されるアンモニア水(還元剤)44は、そのアンモニア水44の濃度が0.2〜1(N)の範囲内のものを使用している。   Next, in the second mixing step P9, a reducing agent such as ammonia water 44 is added to the mixed liquid of the abrasive 10 and the specific surface area adjusting liquid 42 mixed in the first mixing step P8, for example, 1 to 5 (wt%). And wet-pulverized with a ball mill for 6 hours and mixed. The ammonia water (reducing agent) 44 to be added is one having a concentration of the ammonia water 44 in the range of 0.2 to 1 (N).

次に、固型分分離工程P10において、第2混合工程P9によってアンモニア水44が混合された混合液から固型分を分離した。たとえば、第2混合工程P9によってアンモニア水44が混合された混合液を、ろ過、洗浄してその混合液中の固型分を分離した。   Next, in the solid part separation step P10, the solid part was separated from the mixed solution in which the ammonia water 44 was mixed in the second mixing step P9. For example, the mixed solution in which the ammonia water 44 was mixed in the second mixing step P9 was filtered and washed to separate a solid component in the mixed solution.

次に、加温工程P11において、固型分分離工程P10によって混合液中から分離された固型分を100〜200℃の範囲内で加温することでゲル化させた。   Next, in the heating step P11, the solid component separated from the mixed solution by the solid component separation step P10 was heated in a range of 100 to 200 ° C. to be gelled.

次に、焼成工程P12において、加温工程P11でゲル化されたものを600〜800℃で焼成させた。これによって、比表面積が調整された研磨材10が製造される。なお、焼成工程P12後、研磨材10は必要に応じて所定の平均粒径となるように粉砕され且つ分級される。   Next, in the firing step P12, the gelled in the heating step P11 was fired at 600 to 800 ° C. As a result, the abrasive 10 having a specific surface area adjusted is manufactured. In addition, after the firing step P12, the abrasive 10 is pulverized and classified so as to have a predetermined average particle diameter as necessary.

[実験I]
ここで実験Iを説明する。上記製造工程P1〜P7に基づいて、図5に示すように2種類のZrOコア−CeOシェル粒子である研磨材10すなわち実施例品1および実施例品2の研磨材10を製造し、それら研磨材10を使用して研磨装置14により研磨した被研磨基板20の表面粗さRa(μm)、表面粗さRaのばらつき、研磨条痕の数、研磨速度(nm/min)、およびそれら研磨材10の耐久性をそれぞれ測定した。なお、実施例品1の研磨材10は、溶解工程P1〜仮焼成工程P6によって製造されたものであり、図2に示すようなセリアジルコニア層28が形成されていないものである。また、実施例品2の研磨材10は、溶解工程P1〜本焼成工程P7によって製造されたものであり、図2に示すようなセリアジルコニア層28が形成されているものである。また、比較例として、セリア(CeO)粒子を使用した比較例品1の研磨材10と、ジルコニア(ZrO)粒子を使用した比較例品2の研磨材10と、チタニア(TiO)粒子を使用した比較例品3の研磨材と、ジルコニア(ZrO)とシリカとにより構成されたコアの周りに実施例品1の研磨材10と同様なセリア(CeO)26が担持された比較例品4の研磨材10とを製造して、それら研磨材10を使用して研磨装置14により研磨した被研磨基板20の表面粗さRa(μm)、表面粗さRaのばらつき、研磨条痕の数、研磨速度(nm/min)、およびそれら研磨材10の耐久性をそれぞれ測定した。なお、比較例品4の研磨材10は、実施例品1の研磨材10で使用した水30にジルコニア粉32を分散させたものに平均粒子径が約20nmのシリカ粒子を含むコロイダルシリカを添加することによりジルコニアとシリカとから構成されるコア粒子を作製し、そのコア粒子を上記製造方法P1〜P6で用いたジルコニア粒子と略同様にそのコア粒子の周りにセリアを固着させて製造したものである。また、実施例品1、2の研磨材10におけるジルコニア粒子24の粒径は50nmであり、そのジルコニア粒子24の周りに被覆するセリア26の厚みは約3〜10nmである。また、比較例品1の研磨材10におけるセリア粒子の粒径、比較例品2の研磨材10におけるジルコニア粒子の粒径、比較例品3の研磨材10におけるチタニア粒子の粒径は、約50nmである。また、比較例品4の研磨材10におけるジルコニアとシリカとにより構成されたコア粒子の粒径は50nmであり、そのコア粒子の周りに被覆するセリア26の厚みは約3〜10nmである。なお、実施例品1、2の研磨材10におけるセリア26の含有率は20wt%であり、比較例品1の研磨材10に比較してセリア26の使用量が大幅に低減されている。
[Experiment I]
Experiment I will now be described. Based on the manufacturing steps P1 to P7, as shown in FIG. 5, the abrasive 10 which is two kinds of ZrO 2 core-CeO 2 shell particles, that is, the abrasive 10 of the example product 1 and the example product 2, is manufactured. Surface roughness Ra (μm), variation in surface roughness Ra, number of polishing streaks, polishing rate (nm / min) of the substrate to be polished 20 polished by the polishing apparatus 14 using these abrasives 10, and The durability of the abrasive 10 was measured. In addition, the abrasive 10 of the example product 1 is manufactured by the melting process P1 to the pre-baking process P6, and the ceria zirconia layer 28 as shown in FIG. 2 is not formed. Further, the abrasive material 10 of the example product 2 is manufactured by the melting step P1 to the main baking step P7, and has a ceria zirconia layer 28 as shown in FIG. Further, as comparative examples, the abrasive 10 of the comparative example 1 using ceria (CeO 2 ) particles, the abrasive 10 of the comparative example 2 using zirconia (ZrO 2 ) particles, and titania (TiO 2 ) particles Comparative example 3 using a polishing material and a ceria (CeO 2 ) 26 similar to that of the polishing material 10 of the example product 1 was supported around a core composed of zirconia (ZrO 2 ) and silica. The surface roughness Ra (μm), the variation in the surface roughness Ra, the polishing striations of the substrate to be polished 20 manufactured by manufacturing the polishing material 10 of the example product 4 and polishing using the polishing material 10 by the polishing apparatus 14 , The polishing rate (nm / min), and the durability of the abrasive 10 were measured. In addition, the abrasive 10 of the comparative example product 4 is obtained by adding colloidal silica containing silica particles having an average particle diameter of about 20 nm to the water 30 used in the abrasive 10 of the example product 1 in which the zirconia powder 32 is dispersed. Produced core particles composed of zirconia and silica, and the core particles were produced by fixing ceria around the core particles in substantially the same manner as the zirconia particles used in the above production methods P1 to P6. It is. Moreover, the particle diameter of the zirconia particles 24 in the abrasives 10 of the example products 1 and 2 is 50 nm, and the thickness of the ceria 26 covering the zirconia particles 24 is about 3 to 10 nm. Further, the particle size of the ceria particles in the abrasive material 10 of the comparative product 1, the particle size of the zirconia particles in the abrasive material 10 of the comparative product 2, and the particle size of the titania particles in the abrasive material 10 of the comparative product 3 are about 50 nm. It is. Moreover, the particle diameter of the core particle comprised with the zirconia and the silica in the abrasive 10 of the comparative example product 4 is 50 nm, and the thickness of the ceria 26 covering the core particle is about 3 to 10 nm. In addition, the content rate of the ceria 26 in the abrasive material 10 of Example goods 1 and 2 is 20 wt%, and the usage-amount of the ceria 26 is significantly reduced compared with the abrasive material 10 of the comparative example goods 1.

以下、図5を用いてその測定結果を示す。なお、実験Iにおいて、研磨装置14では、被研磨基板20としてφ65mmの石英ウエハが使用され、その被研磨基板20が矢印F方向に荷重20.4kPaの力で研磨パッド18に押圧された状態で56rpmの回転速度で回転駆動させられると共に、60rpmの回転速度でテーブル16が回転駆動させられて、被研磨基板20が研磨される。また、研磨装置14に供給される研磨スラリー12の供給量は10ml/minであり、その研磨スラリー12中の5wt%が研磨材10であり残部は水である。   Hereinafter, the measurement result is shown using FIG. In Experiment I, the polishing apparatus 14 uses a quartz wafer having a diameter of 65 mm as the substrate to be polished 20, and the substrate to be polished 20 is pressed against the polishing pad 18 in the direction of arrow F with a load of 20.4 kPa. The substrate 16 is rotated at a rotational speed of 56 rpm, and the table 16 is rotationally driven at a rotational speed of 60 rpm, so that the substrate to be polished 20 is polished. Further, the supply amount of the polishing slurry 12 supplied to the polishing apparatus 14 is 10 ml / min, 5 wt% in the polishing slurry 12 is the abrasive 10, and the remainder is water.

また、図5の測定結果において、被研磨基板20すなわちサンプルの研磨後の表面粗さRa(nm)は、干渉顕微鏡であるZygo社のNew View 200を用いて測定した3500μm当たりの平均値を示す。また、図5の測定結果において、被研磨基板20の研磨後の表面粗さRa(nm)のばらつきは、上記Zygo社のNew View 200を用いて被研磨基板20の研磨面の複数箇所の表面粗さRa(nm)を測定して、その複数箇所の表面粗さRa(nm)の平均値からのその複数箇所の表面粗さRa(nm)測定した表面粗さRa(nm)の最大値RaMAXと、その複数箇所の表面粗さRa(nm)測定した表面粗さRa(nm)の最小値RaMINとのずれ範囲を示すものである。 In the measurement results of FIG. 5, the surface roughness Ra (nm) after polishing of the substrate 20 to be polished, that is, the sample, is an average value per 3500 μm 2 measured using New View 200 of Zygo Co., which is an interference microscope. Show. Further, in the measurement result of FIG. 5, the variation of the surface roughness Ra (nm) after polishing of the substrate 20 to be polished is the surface of the polishing surface of the substrate 20 to be polished using the New View 200 of Zygo. The maximum value of the surface roughness Ra (nm) measured by measuring the roughness Ra (nm) and measuring the surface roughness Ra (nm) at the plurality of locations from the average value of the surface roughness Ra (nm) at the plurality of locations. It shows the deviation range between Ra MAX and the minimum value Ra MIN of the surface roughness Ra (nm) measured at the surface roughness Ra (nm) at a plurality of locations.

また、図5の測定結果において、被研磨基板20の研磨後の研磨条痕の数は、上記Zygo社のNew View 200を用いて例えば50μm×50μmを1視野として50視野における研磨条痕の数を測定して、その1視野当たりの研磨条痕の数を算出したものである。また、図5の測定結果において、研磨速度(nm/min)は、被研磨基板20において研磨する前と研磨した後の重量を測定し、被研磨基板20の表面積と比重とに基づいて算出した。また、図5の測定結果において、研磨材10の耐久性は、図5に示す研磨材10が例えば高温還元雰囲気下または水蒸気雰囲気下である時のそれら研磨材10の状態を示すものである。   Further, in the measurement result of FIG. 5, the number of polishing marks after polishing of the substrate 20 to be polished is the number of polishing marks in 50 visual fields using, for example, 50 μm × 50 μm as one visual field using the New View 200 of Zygo. And the number of polishing streaks per field of view was calculated. In the measurement results of FIG. 5, the polishing rate (nm / min) was calculated based on the surface area and specific gravity of the substrate 20 to be polished by measuring the weight before and after polishing on the substrate 20 to be polished. . In the measurement results of FIG. 5, the durability of the abrasive 10 indicates the state of the abrasive 10 when the abrasive 10 shown in FIG. 5 is, for example, in a high-temperature reducing atmosphere or a steam atmosphere.

図5の測定結果に示すように、実施例品1および実施例品2の研磨材10は、比較例品1〜比較例品4の研磨材10に比較して、研磨後の被研磨基板20の表面粗さRa(nm)および研磨条痕の数が低くなり研磨品質が向上した。更に、実施例品1および実施例品2の研磨材10は、比較例品1〜比較例品4の研磨材10に比較して、研磨後の被研磨基板20の表面粗さRaのばらつきが小さい。また、実施例品1および実施例品2の研磨材10は、比較例品2〜比較例品4の研磨材10に比較して、被研磨基板20の研磨速度(nm/min)が速い。なお、実施例品1および実施例品2の研磨材10は、比較例品1の研磨材10に比較して、研磨速度(nm/min)が少し遅いが略同じ程度である。また、実施例品1の研磨材10と実施例品2の研磨材10とは、被研磨基板10の表面粗さRa(nm)、表面粗さRaのばらつき、研磨条痕の数、研磨速度(nm/min)において同じ程度の値であるが、研磨材10の耐久性において、実施例品1の研磨材10は高温還元雰囲気下でセリウムの価数が若干変化してセリア26の表面から酸素が抜けて切れが低下するが、実施例品2の研磨材10は高温還元雰囲気下および水蒸気雰囲気下でも変化せず安定している。   As shown in the measurement results of FIG. 5, the abrasive material 10 of the example product 1 and the example product 2 is compared with the abrasive material 10 of the comparative product 1 to the comparative product 4 and the polished substrate 20 after polishing. The surface roughness Ra (nm) and the number of polishing streaks were reduced, and the polishing quality was improved. Further, the polishing material 10 of Example Product 1 and Example Product 2 has a variation in the surface roughness Ra of the polished substrate 20 after polishing as compared with the polishing material 10 of Comparative Example Product 1 to Comparative Example Product 4. small. Further, the polishing material 10 of Example Product 1 and Example Product 2 has a higher polishing rate (nm / min) of the substrate 20 to be polished as compared with the polishing material 10 of Comparative Example Product 2 to Comparative Example Product 4. In addition, the polishing material 10 of the example product 1 and the example product 2 has a polishing rate (nm / min) slightly slower than the polishing material 10 of the comparative example product 1, but is approximately the same. Further, the polishing material 10 of the example product 1 and the polishing material 10 of the example product 2 are the surface roughness Ra (nm) of the substrate 10 to be polished, the variation in the surface roughness Ra, the number of polishing streaks, and the polishing rate. (nm / min), which is the same value, but in the durability of the abrasive 10, the abrasive 10 of Example Product 1 has a slightly changed valence of cerium in a high-temperature reducing atmosphere, and from the surface of the ceria 26. Oxygen is released and cutting is reduced, but the abrasive 10 of Example Product 2 is stable without changing even in a high-temperature reducing atmosphere and a steam atmosphere.

このため、図5の実施例品1、2、比較例品1〜4の研磨材10において、表面24aの一部がセリア26で被覆されているジルコニア粒子24を使用する実施例品1、2の研磨材10は、従来の研磨材粒子全体がセリアから成るセリア研磨材である比較例品1の研磨材10に比較して、研磨材10に含有されるセリア26の含有量が低減させられると共に、その比較例品1の研磨材10を上回る研磨品質(表面粗さRa(nm)、研磨条痕の数)と比較例品1の研磨材10に近い研磨速度(nm/min)とを実現することができると考えられる。また、図5の実施例品1、2の研磨材10において、実施例品2の研磨材10には、セリア26とジルコニア粒子24との化合物であるセリアジルコニア層28が形成されている。このため、ジルコニア粒子24とセリア26との界面には両者の反応層であるセリアジルコニア層28が形成されていることでセリア26が強固に担持されているので、実施例品2の研磨材10の水蒸気雰囲気下や高温還元雰囲気下での耐久性が高くなると考えられる。なお、実験Iには示していないが、比較例の研磨材10としてシリカ粒子の周りに実施例品1、2の研磨材10のようなセリア26が担持されたシリカコア−セリアシェル粒子を製造したが、実施例品1、2の研磨材10に比較して研磨性能が劣っていた。これは、セリア26の結晶構造とシリカの結晶構造とが違うものであり、セリアとシリカとの相性がミスマッチであるからだと考えられる。なお、セリアとジルコニアとはそれぞれ同じ結晶構造であり相性が良い。   Therefore, in the abrasives 10 of the example products 1 and 2 and the comparative product 1 to 4 in FIG. 5, the example products 1 and 2 using the zirconia particles 24 in which a part of the surface 24a is coated with the ceria 26. Compared with the abrasive 10 of the comparative example product 1 in which the abrasive 10 of the comparative example is a ceria abrasive composed entirely of ceria, the content of the ceria 26 contained in the abrasive 10 is reduced. At the same time, the polishing quality (surface roughness Ra (nm), number of polishing streaks) exceeding that of the abrasive 10 of the comparative product 1 and the polishing speed (nm / min) close to that of the abrasive 10 of the comparative product 1. It can be realized. 5, the ceria zirconia layer 28, which is a compound of ceria 26 and zirconia particles 24, is formed on the abrasive 10 of the example product 1 and 2. For this reason, since the ceria zirconia layer 28 which is a reaction layer of the two is formed at the interface between the zirconia particles 24 and the ceria 26, the ceria 26 is firmly supported. It is considered that the durability in a water vapor atmosphere or a high temperature reducing atmosphere is increased. Although not shown in Experiment I, silica core-ceria shell particles in which ceria 26 like the abrasive 10 of Examples 1 and 2 was supported around the silica particles as the abrasive 10 of the comparative example were manufactured. However, the polishing performance was inferior to the abrasives 10 of Examples 1 and 2. This is presumably because the crystal structure of ceria 26 is different from the crystal structure of silica, and the compatibility between ceria and silica is mismatched. Ceria and zirconia have the same crystal structure and are compatible with each other.

[実験II]
ここで実験IIを説明する。上記製造工程P8〜P12において、図6に示すように、第1混合工程P8における比表面積調整液42の添加量を0〜5(wt%)の範囲内すなわち0(wt%)、0.1(wt%)、0.5(wt%)、1(wt%)、3(wt%)、5(wt%)で変化させ、ジルコニアゾル38のジルコニア粒子の平均粒径を1〜20(nm)の範囲内すなわち1(nm)、5(nm)、10(nm)、20(nm)で変化させ、第2混合工程P9におけるアンモニア水44の添加量を0〜10(wt%)の範囲内すなわち0(wt%)、1(wt%)、2(wt%)、5(wt%)、10(wt%)で変化させ、アンモニア水44の濃度を0.2〜1(N)の範囲内すなわち0.2(N)、0.5(N)、1(N)で変化させ、加温工程P4における処理温度を100〜300℃の範囲内すなわち100℃、200℃、300℃で変化させることによって、10種類の研磨材10、すなわち、No.1〜No.10の研磨材10を製造し、それら研磨材10の比表面積(m/g)を測定した。以下、図6を用いてその測定結果を示す。なお、No.3乃至7の研磨材10が実施例に対応し、それ以外すなわちNo.1、2、8乃至10の研磨材10が比較例に対応している。また、研磨材10の比表面積(m/g)は、例えば窒素ガスなどの物理吸着を用いて吸着等温線を測定し、BET法により算出したものである。また、ジルコニアゾル38におけるジルコニア粒子の平均粒径(nm)は、DLS(動的光散乱)法を用いたレーザドップラ式粒度分析計により測定したものである。
[Experiment II]
Experiment II will now be described. In the manufacturing steps P8 to P12, as shown in FIG. 6, the amount of the specific surface area adjusting liquid 42 added in the first mixing step P8 is within the range of 0 to 5 (wt%), that is, 0 (wt%), 0.1 (wt%), 0.5 (wt%), 1 (wt%), 3 (wt%), 5 (wt%), and the average particle diameter of the zirconia particles of the zirconia sol 38 is 1 to 20 nm. ), I.e., 1 (nm), 5 (nm), 10 (nm), and 20 (nm), and the amount of ammonia water 44 added in the second mixing step P9 is in the range of 0 to 10 (wt%). In other words, 0 (wt%), 1 (wt%), 2 (wt%), 5 (wt%), 10 (wt%), and the concentration of the ammonia water 44 is 0.2 to 1 (N). Within the range, that is, 0.2 (N), 0.5 (N), 1 (N), and the treatment temperature in the heating step P4 is within the range of 100 to 300 ° C., that is, 100 ° C., 20 ° C., by varying at 300 ° C., 10 kinds of abrasive 10, i.e., No. 1-No. Ten abrasives 10 were produced, and the specific surface area (m 2 / g) of these abrasives 10 was measured. Hereinafter, the measurement result is shown using FIG. In addition, No. Nos. 3 to 7 of the abrasive material 10 correspond to the examples. 1, 2, 8 to 10 abrasives 10 correspond to the comparative examples. Further, the specific surface area (m 2 / g) of the abrasive 10 is calculated by measuring the adsorption isotherm using physical adsorption such as nitrogen gas and calculating by the BET method. Further, the average particle diameter (nm) of the zirconia particles in the zirconia sol 38 is measured by a laser Doppler particle size analyzer using a DLS (dynamic light scattering) method.

図6のNo.1乃至10の研磨材10における比表面積の測定結果から示すように、No.3乃至8、10の研磨材10は、それぞれ比表面積が比表面積調整液42が添加される前の研磨材10の比表面積30(m/g)に対して変化した。また、No.1、2、9の研磨材10は、それぞれ比表面積が比表面積調整液42が添加される前の研磨材10の比表面積30(m/g)と同じであり変化しなかった。なお、No.8の研磨材10は、加温工程P11での処理温度が300℃であって、No.3乃至7の研磨材10における処理温度100℃、200℃よりも高いので、加温工程P11でゲル化されたものが焼成工程P12によって焼成されるとセリアジルコニアの結晶とはならず酸化セリウム(CeO)と酸化ジルコニウム(ZrO)とに分層された結晶となり、目的とする性能を満たさない。また、No.10の研磨材10は、ジルコニアゾル38のジルコニア粒子の平均粒径が20(nm)であって、No.3乃至7の研磨材10におけるジルコニア粒子の平均粒径1(nm)、5(nm)、10(nm)よりも大きいので、加温工程P11において固くゲル化してしまい粉砕が必要であったために、再現よく比表面積を調整することができなかった。 No. of FIG. As shown from the measurement results of the specific surface area of the abrasives 1 to 10, In the abrasives 10 of 3 to 8 and 10, the specific surface area was changed with respect to the specific surface area 30 (m 2 / g) of the abrasive 10 before the specific surface area adjusting liquid 42 was added. No. The specific surface areas of the abrasives 1, 2, and 9 were the same as the specific surface area 30 (m 2 / g) of the abrasive 10 before the addition of the specific surface area adjusting liquid 42, and did not change. In addition, No. No. 8 abrasive 10 has a treatment temperature of 300 ° C. in the heating step P11. Since the processing temperatures in the abrasive materials 10 of 3 to 7 are higher than 100 ° C. and 200 ° C., when the material gelled in the heating step P11 is baked in the baking step P12, it does not become ceria zirconia crystals but cerium oxide ( The resulting crystal is separated into CeO 2 ) and zirconium oxide (ZrO 2 ) and does not satisfy the intended performance. No. No. 10 abrasive 10 has an average particle diameter of zirconia particles of the zirconia sol 38 of 20 (nm). Since the average particle diameter of the zirconia particles in the abrasives 3 to 7 is larger than 1 (nm), 5 (nm), and 10 (nm), the gelation was hard in the heating step P11 and pulverization was necessary. The specific surface area could not be adjusted with good reproducibility.

このため、図6のNo.1乃至10の研磨材10において、No.3乃至7の研磨材10のように、研磨材10が、平均粒径が1〜10nmのジルコニア粒子が含まれたジルコニアゾル38と硝酸セリウム溶液40とからなる比表面積調整液42中にアンモニア水44と共に混合され、その混合液中の固型分が100〜200℃の範囲内の温度でゲル化されて焼成されることによって、好適に研磨材10の比表面積が調整可能であると考えられる。すなわち、No.3乃至7の研磨材10のように、比表面積調整液42の添加量を0.5〜5(wt%)の範囲内にし、ジルコニアゾル38のジルコニア粒子の平均粒径を1〜10(nm)の範囲内にし、第2混合工程P9におけるアンモニア水44の添加量を1〜5(wt%)の範囲内にし、アンモニア水44の濃度を0.2〜1(N)の範囲内にし、加温工程P11における処理温度を100〜200℃の範囲内にし、焼成することによって、研磨材10の比表面積が調整可能であると考えられる。また、比表面積調整液42の添加量(wt%)、ジルコニアゾル38のジルコニア粒子の平均粒径(nm)、アンモニア水44の添加量(wt%)、アンモニア水44の濃度(N)、および加温工程P11での処理温度(℃)のうちの少なくとも1つが上述した範囲から外れると、比較例であるNo.1、2、8乃至10の研磨材10のように比表面積が30(m/g)と同じで変化しないか或いは研磨材10の比表面積の調整時に問題点が発生すると考えられる。 For this reason, no. In the abrasives 1 to 10, no. Like the abrasive 10 of 3 to 7, the abrasive 10 has ammonia water in a specific surface area adjusting liquid 42 composed of a zirconia sol 38 containing zirconia particles having an average particle diameter of 1 to 10 nm and a cerium nitrate solution 40. It is considered that the specific surface area of the abrasive 10 can be suitably adjusted by mixing together with No. 44 and gelling and firing the solid component in the mixed solution at a temperature in the range of 100 to 200 ° C. . That is, no. Like the abrasive 10 of 3 to 7, the addition amount of the specific surface area adjusting liquid 42 is in the range of 0.5 to 5 (wt%), and the average particle diameter of the zirconia particles of the zirconia sol 38 is 1 to 10 (nm). ), The amount of ammonia water 44 added in the second mixing step P9 is in the range of 1 to 5 (wt%), the concentration of ammonia water 44 is in the range of 0.2 to 1 (N), It is considered that the specific surface area of the abrasive 10 can be adjusted by setting the treatment temperature in the heating step P11 within the range of 100 to 200 ° C. and firing. Further, the addition amount (wt%) of the specific surface area adjusting liquid 42, the average particle diameter (nm) of the zirconia particles of the zirconia sol 38, the addition amount (wt%) of the ammonia water 44, the concentration (N) of the ammonia water 44, and When at least one of the processing temperatures (° C.) in the heating step P11 is out of the above-described range, No. 1 as a comparative example. It is considered that the specific surface area is the same as 30 (m 2 / g) as in the abrasives 10 of 1, 2, 8 to 10, or does not change, or a problem occurs when adjusting the specific surface area of the abrasive 10.

ここで、実施例であるNo.3乃至7の研磨材10の比表面積が比表面積調整液42が添加される前の研磨材10の比表面積30(m/g)に対して変化した理由を、図7および図8を用いて概念的に説明する。なお、図7は、比表面積が30(m/g)より高く調整された研磨材10、すなわちNo.5、6の研磨材10を拡大した模式図である。また、図8は、比表面積が30(m/g)より低く調整された研磨材10、すなわちNo.3、4、7の研磨材10を拡大した模式図である。 Here, No. which is an example. The reason why the specific surface area of the abrasives 3 to 7 has changed with respect to the specific surface area 30 (m 2 / g) of the abrasive 10 before the addition of the specific surface area adjusting liquid 42 is described with reference to FIGS. Conceptually. 7 shows the abrasive 10 having a specific surface area adjusted to be higher than 30 (m 2 / g), that is, No. 1 It is the schematic diagram which expanded the abrasives 10 of 5. 8 shows the abrasive 10 having a specific surface area adjusted to be lower than 30 (m 2 / g), that is, It is the schematic diagram which expanded the abrasives 10 of 3, 4, and 7. FIG.

図7および図8に示すように、No.3乃至7の研磨材10は、比表面積調整液42が添加される前の研磨材10と、その研磨材10の表面に固着されたセリアジルコニア46とにより構成されている。なお、セリアジルコニア46は、加温工程P11でゲル化されたものが焼成工程P12で焼成されることによってセリアジルコニアとして結晶化したものである。   As shown in FIGS. The abrasives 3 to 7 are composed of the abrasive 10 before the specific surface area adjusting liquid 42 is added and the ceria zirconia 46 fixed to the surface of the abrasive 10. In addition, the ceria zirconia 46 is crystallized as ceria zirconia by being gelated in the heating step P11 and fired in the firing step P12.

図7では、研磨材10上に比較的小さなセリアジルコニア46の微粒子が固着されるので、No.5、6の研磨材10の比表面積は、30(m/g)より高くなると考えられる。なお、No.5、6の研磨材10は、研磨材10上に比較的小さなセリアジルコニア46の微粒子が固着されることによりその表面がゴツゴツし研磨時の作用点が増加する。図8では、図7で示した研磨材10上に固着されたセリアジルコニア46の微粒子同士が結合された状態となるので、No.3、4、7の研磨材10の比表面積は、30(m/g)より低くなると考えられる。なお、No.3、4、7の研磨材10は、図7で示した研磨材10上に固着されたセリアジルコニア46の微粒子同士が結合されることによりその表面が上記No.5、6の研磨材10に比較して滑らかとなり研磨時の作用点が上記No.5、6の研磨材10に比較して減少する。 In FIG. 7, relatively small ceria zirconia 46 particles are fixed on the abrasive 10. The specific surface area of the abrasives 5 and 6 is considered to be higher than 30 (m 2 / g). In addition, No. As for the abrasives 10 of 5 and 6, relatively small ceria zirconia 46 particles are fixed on the abrasive 10, and the surface becomes rugged and the working point at the time of polishing increases. In FIG. 8, since the fine particles of ceria zirconia 46 fixed on the abrasive 10 shown in FIG. The specific surface areas of the abrasives 3, 4, and 7 are considered to be lower than 30 (m 2 / g). In addition, No. The surfaces of the abrasives 3, 4, 7 are bonded with the fine particles of ceria zirconia 46 fixed on the abrasive 10 shown in FIG. As compared with the abrasives 10 of 5 and 6, it becomes smoother and the action point at the time of polishing is the above No.1. Compared to the abrasives 10 of 5 and 6.

更に、図6に示すように、実施例であるNo.3乃至7の研磨材10において、アンモニア水44の濃度が0.2(N)、0.5(N)である時には、研磨材10の比表面積が30(m/g)より高くなっている。また、アンモニア水44の濃度が1(N)である時には、研磨材10の比表面積が30(m/g)より低くなっている。このため、アンモニア水44の濃度を1(N)より低くして0.2(N)或いは0.5(N)にすると、研磨材10では、図7に示すように研磨材10の粒子上にセリアジルコニア46の小さな微粒子が固着される状態となって、研磨材10の比表面積を高く調整することができると考えられる。また、アンモニア水44の濃度を1(N)にすることによって、研磨材10では、図8に示すように図7で示した研磨材10上に固着されたセリアジルコニア46の微粒子同士が結合される状態となって、研磨材10の比表面積を低く調整することができると考えられる。これによって、アンモニア水44の濃度を変化させることによって、研磨材10の比表面積の大きさを調整することができると考えられる。 Further, as shown in FIG. In the abrasives 3 to 7, when the concentration of the ammonia water 44 is 0.2 (N) or 0.5 (N), the specific surface area of the abrasive 10 is higher than 30 (m 2 / g). Yes. When the concentration of the ammonia water 44 is 1 (N), the specific surface area of the abrasive 10 is lower than 30 (m 2 / g). For this reason, when the concentration of the ammonia water 44 is made lower than 1 (N) to 0.2 (N) or 0.5 (N), the abrasive 10 has a particle on the abrasive 10 as shown in FIG. It is considered that the specific surface area of the abrasive 10 can be adjusted to be high because small particles of the ceria zirconia 46 are fixed to the surface. Further, by setting the concentration of the ammonia water 44 to 1 (N), in the abrasive 10, fine particles of ceria zirconia 46 fixed on the abrasive 10 shown in FIG. 7 are bonded to each other as shown in FIG. It is considered that the specific surface area of the abrasive 10 can be adjusted low. Thus, it is considered that the specific surface area of the abrasive 10 can be adjusted by changing the concentration of the ammonia water 44.

上述のように、実施例品1、2の研磨材10によれば、表面24aの一部がセリア26で被覆されているジルコニア粒子24が含まれているので、研磨材10に含有されるセリア26の含有量が低減させられると共に、従来のセリア粒子を使用する比較例品1の研磨材10を上回る研磨品質(表面粗さRa(nm)、研磨条痕の数)とその比較例品1の研磨材10に近い研磨速度(nm/min)とが実現される。   As described above, according to the abrasives 10 of the example products 1 and 2, since the zirconia particles 24 in which a part of the surface 24a is coated with the ceria 26 are included, the ceria contained in the abrasive 10 is included. 26, the polishing quality (surface roughness Ra (nm), number of polishing streaks) exceeding that of the abrasive 10 of the comparative example product 1 using conventional ceria particles and the comparative example product 1 are reduced. A polishing rate (nm / min) close to that of the abrasive 10 is realized.

また、実施例品2の研磨材10には、セリア26とジルコニア粒子24との化合物であるセリアジルコニア層28が形成されている。このため、ジルコニア粒子24とセリア26との界面には両者の反応層であるセリアジルコニア層28が形成されていることでセリア26が強固に担持されるので、水蒸気雰囲気下や高温還元雰囲気下での研磨材10の耐久性が高くなる。   In addition, a ceria zirconia layer 28, which is a compound of ceria 26 and zirconia particles 24, is formed on the abrasive 10 of the example product 2. For this reason, since the ceria zirconia layer 28 which is a reaction layer of the zirconia particles 24 and the ceria 26 is formed on the interface between the zirconia particles 24 and the ceria 26, the ceria 26 is firmly supported. The durability of the abrasive 10 is increased.

また、実施例品1、2の研磨材10の製造方法によれば、溶解工程P1において水30にジルコニア粉32を分散させたものに、硝酸セリウム(III)六水和物34が溶解され、第1担持工程P2において溶解工程P1によって得られた溶解液にアンモニア水36を加えて攪拌することにより、セリア26を担持したジルコニア粒子24を含むアルカリ性のスラリーが得られ、第2担持工程P3において第1担持工程P2によって得られたスラリーを湿式粉砕することによって更に強固にセリア26がジルコニア粒子24に担持され、ろ過工程P4および乾燥工程P5である固型分抽出工程において第2担持工程P3によって得られたスラリー中からその固型分が抽出され、仮焼成工程P6において前記固型分抽出工程によって得られた固型分が焼成されることで研磨材10が得られることにより、セリア26の使用量を低減させると共に、従来のセリア粒子を使用する比較例品1の研磨材10を上回る研磨品質とその比較例品1の研磨材10に近い研磨速度とを実現する実施例品1、2の研磨材10が製造される。   Moreover, according to the manufacturing method of the abrasive 10 of Example goods 1 and 2, the cerium (III) nitrate hexahydrate 34 is dissolved in the zirconia powder 32 dispersed in the water 30 in the dissolving step P1, In the first supporting step P2, an aqueous slurry containing the zirconia particles 24 supporting the ceria 26 is obtained by adding and stirring the ammonia water 36 to the solution obtained in the dissolving step P1, and in the second supporting step P3. The slurry obtained in the first supporting step P2 is wet-pulverized to further strongly support the ceria 26 on the zirconia particles 24, and the second supporting step P3 in the solid part extraction step which is the filtering step P4 and the drying step P5. The solid part is extracted from the obtained slurry, and the solid part obtained by the solid part extraction step in the pre-baking step P6 is obtained. As a result, the amount of ceria 26 used is reduced, and the polishing quality of the comparative example product 1 using the conventional ceria particles is higher than that of the abrasive 10 and the comparative example product 1 is obtained. Abrasive materials 10 of Examples 1 and 2 that realize a polishing speed close to that of the abrasive material 10 are manufactured.

また、実施例であるNo.3〜7の研磨材10によれば、研磨材10は平均粒径が1〜10nmのジルコニア粒子が含まれたジルコニアゾル38と硝酸セリウム溶液40とからなる比表面積調整液42中にアンモニア水44とともに混合されて、その混合液中の固型分が100〜200℃の範囲内の温度でゲル化されて焼成されることにより、その比表面積が調整されている。このため、研磨材10の研磨性能を調整するためにその研磨材10の被研磨基板20への化学的作用に対する要因の一つである比表面積を容易に調整することができるので、研磨する被研磨基板20の材質や用途に応じて研磨材10の研磨性能を容易に調整することができる。   In addition, No. which is an example. According to the abrasives 3 to 7, the abrasive 10 has ammonia water 44 in the specific surface area adjusting liquid 42 composed of the zirconia sol 38 containing zirconia particles having an average particle diameter of 1 to 10 nm and the cerium nitrate solution 40. The specific surface area of the mixture is adjusted by being mixed together and gelled at a temperature in the range of 100 to 200 ° C. and fired. Therefore, in order to adjust the polishing performance of the abrasive 10, the specific surface area, which is one of the factors for the chemical action of the abrasive 10 on the substrate 20 to be polished, can be easily adjusted. The polishing performance of the abrasive 10 can be easily adjusted according to the material and application of the polishing substrate 20.

また、実施例であるNo.3〜7の研磨材10における比表面積の調整方法によれば、第1混合工程P8において研磨材10に比表面積調整液42が加えられて混合され、第2混合工程P9において第1混合工程P8によって混合された研磨材10と比表面積調整液42との混合液にアンモニア水44が加えられて混合され、固型分分離工程P10において第2混合工程P9によってアンモニア水44が混合された混合液からその混合液中の固型分が分離され、加温工程P11において固型分分離工程P10によって混合液中から分離された固型分が100〜200℃の範囲内の温度で加温されることでゲル化され、焼成工程P12において加温工程P11でゲル化されたものが焼成されることにより、研磨材10の比表面積が調整される。   In addition, No. which is an example. According to the method for adjusting the specific surface area of the abrasives 3 to 7, the specific surface area adjusting liquid 42 is added to and mixed with the abrasive 10 in the first mixing step P8, and the first mixing step P8 in the second mixing step P9. Ammonia water 44 is added to and mixed with the mixed liquid of the abrasive 10 and the specific surface area adjusting liquid 42 mixed by the above, and the mixed aqueous liquid is mixed with the ammonia water 44 by the second mixing step P9 in the solid separation step P10. The solid component in the mixed solution is separated from the mixture, and in the heating step P11, the solid component separated from the mixed solution by the solid component separation step P10 is heated at a temperature in the range of 100 to 200 ° C. Thus, the specific surface area of the abrasive 10 is adjusted by baking the gelated in the heating step P11 in the baking step P12.

以上、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明したが、本発明はその他の態様においても適用される。   As mentioned above, although the Example of this invention was described in detail based on drawing, this invention is applied also in another aspect.

本実施例の研磨材10において、研磨材10は、図2に示すように、表面24aの一部がセリア26で被覆されているジルコニア粒子24であったが、表面24aの全部がセリア26で被覆されていても良い。すなわち、研磨材10は、表面24aの少なくとも一部がセリア26で被覆されているジルコニア粒子24であれば良い。   In the polishing material 10 of this example, the polishing material 10 was zirconia particles 24 in which a part of the surface 24a was coated with ceria 26, as shown in FIG. It may be covered. That is, the abrasive 10 may be zirconia particles 24 in which at least a part of the surface 24a is coated with the ceria 26.

また、本実施例の研磨材10において、研磨材10は遊離砥粒として使用されたが、例えば固定砥粒として使用されても良い。また、本実施例において、研磨材10は、例えば石英ウエハである被研磨基板20を研磨したが、例えば酸化ケイ素(SiO)、シリコン(Si)ウエハ、サファイヤ、窒化ガリウム(GaN)およびヒ化ガリウム(GaAs)等のIII−V族化合物半導体等の研磨に使用されても良い。   In the polishing material 10 of the present embodiment, the polishing material 10 is used as loose abrasive grains, but may be used as, for example, fixed abrasive grains. Further, in this embodiment, the polishing material 10 polished the substrate 20 to be polished, which is a quartz wafer, for example, but, for example, silicon oxide (SiO), silicon (Si) wafer, sapphire, gallium nitride (GaN) and gallium arsenide. It may be used for polishing III-V compound semiconductors such as (GaAs).

また、本実施例の研磨材10の製造方法の溶解工程P1おいて、水30にジルコニア粉32を分散させたものに硝酸セリウム(III)六水和物34が溶解されたが、例えば水30にジルコニア粉32を分散させたものに代えてジルコニア粉32の同等の平均粒径を有するジルコニア粒子が含まれたジルコニアゾルが使用されても良い。また、硝酸セリウム(III)六水和物34に代えて例えば、硝酸セリウム(IV)アンモニウム水和物、硝酸セリウム(III)六水和物34を過酸化水素水で酸化処理してセリウムを四価にした水溶液等が使用されても良い。   Further, in the dissolving step P1 of the method for manufacturing the abrasive 10 of the present embodiment, the cerium (III) nitrate hexahydrate 34 was dissolved in the water 30 in which the zirconia powder 32 was dispersed. Instead of the zirconia powder 32 dispersed therein, a zirconia sol containing zirconia particles having an average particle diameter equivalent to that of the zirconia powder 32 may be used. Further, instead of cerium (III) nitrate hexahydrate 34, for example, cerium (IV) ammonium nitrate hydrate and cerium (III) nitrate hexahydrate 34 are oxidized with hydrogen peroxide solution to cerium. A hydrated aqueous solution or the like may be used.

また、本実施例の研磨材10では、研磨材10の粒子全部が、表面24aの一部がセリア26で被覆されたジルコニア粒子24から成っていたが、必ずしも研磨材10の粒子全部が表面24aの少なくとも一部がセリア26で被覆されているジルコニア粒子24である必要はなく、他の材料の粒子例えばセリア粒子、ジルコニア粒子、チタニア粒子等が含まれていても良い。   Further, in the abrasive 10 of this example, all the particles of the abrasive 10 were composed of the zirconia particles 24 in which a part of the surface 24a was coated with the ceria 26. However, all the particles of the abrasive 10 were not necessarily the surface 24a. It is not necessary that the zirconia particles 24 are at least partially coated with the ceria 26, and particles of other materials such as ceria particles, zirconia particles, titania particles, and the like may be included.

なお、上述したのはあくまでも一実施形態であり、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することができる。   The above description is only an embodiment, and the present invention can be implemented in variously modified and improved forms based on the knowledge of those skilled in the art.

10:研磨材
24:ジルコニア粒子(ZrO粒子)
24a:表面
26:セリア(CeO)
28:セリアジルコニア層(CeZrO)層
30:水
32:ジルコニア粉
34:硝酸セリウム(III)六水和物(硝酸セリウム)
36:アンモニア水
38:ジルコニアゾル
40:硝酸セリウム溶液
42:比表面積調整液
44:アンモニア水(還元剤)
P1:溶解工程
P2:第1担持工程
P3:第2担持工程
P4およびP5:固型分抽出工程
P6:仮焼成工程(焼成工程)
P7:本焼成工程(焼成工程)
P8:第1混合工程
P9:第2混合工程
P10:固型分分離工程
P11:加温工程
P12:焼成工程
10: Abrasive material 24: Zirconia particles (ZrO 2 particles)
24a: Surface 26: Ceria (CeO 2 )
28: Ceria zirconia layer (CeZrO 2 ) layer 30: Water 32: Zirconia powder 34: Cerium nitrate (III) hexahydrate (cerium nitrate)
36: Ammonia water 38: Zirconia sol 40: Cerium nitrate solution 42: Specific surface area adjusting solution 44: Ammonia water (reducing agent)
P1: Dissolution process P2: 1st carrying process P3: 2nd carrying process P4 and P5: Solid part extraction process P6: Temporary baking process (baking process)
P7: Main firing process (firing process)
P8: 1st mixing process P9: 2nd mixing process P10: Solid part separation process P11: Warming process P12: Firing process

Claims (4)

表面の少なくとも一部がCeOで被覆されているZrO粒子を含む研磨材の製造方法であって、
水にジルコニア粉を分散させたもの或いはZrO 粒子を含むジルコニアゾルに、硝酸セリウムを溶解させる溶解工程と、
前記溶解工程によって得られた溶解液にアンモニア水を加えて攪拌することにより、前記CeO を担持した前記ZrO 粒子を含むアルカリ性のスラリーを得る第1担持工程と、
前記第1担持工程によって得られたスラリーを湿式粉砕することによって更に強固に前記CeO を前記ZrO 粒子に担持させる第2担持工程と、
前記第2担持工程によって得られたスラリー中からその固型分を抽出する固型分抽出工程と、
前記固型分抽出工程によって得られた固型分を焼成することで前記研磨材を得る焼成工程と
を含む研磨材の製造方法。
The ZrO 2 grains at least part of the surface is covered with CeO 2 A manufacturing method of including Research Migakuzai,
A dissolving step of dissolving cerium nitrate in a zirconia sol containing zirconia powder in water or containing ZrO 2 particles;
A first supporting step of obtaining an alkaline slurry containing the ZrO 2 particles supporting the CeO 2 by adding ammonia water to the solution obtained by the dissolving step and stirring ;
A second supporting step of supporting the CeO 2 more firmly on the ZrO 2 particles by wet-grinding the slurry obtained in the first supporting step ;
A solid content extraction step of extracting the solid content from the slurry obtained by the second supporting step;
A firing step of obtaining the abrasive by firing the solid portion obtained by the solid portion extraction step;
The manufacturing method of the abrasive | polishing material containing this.
前記研磨材には、前記CeOと前記ZrO粒子との化合物であるCeZrO層が形成されている請求項1に記載の研磨材の製造方法。 The method for producing an abrasive according to claim 1 , wherein a CeZrO 2 layer that is a compound of the CeO 2 and the ZrO 2 particles is formed on the abrasive . 表面の少なくとも一部がCeO で被覆されているZrO 粒子を含む研磨材の比表面積の調整方法であって、
前記研磨材に、平均粒径が1〜10nmのZrO 粒子が含まれたジルコニアゾルと硝酸セリウム溶液とからなる比表面積調整液を加えて混合する第1混合工程と、
前記第1混合工程によって混合された前記研磨材と前記比表面積調整液との混合液に還元剤を加えて混合する第2混合工程と、
前記第2混合工程によって還元剤が混合された混合液からその混合液中の固型分を分離する固型分分離工程と、
前記固型分分離工程によって混合液中から分離された固型分を100〜200℃の範囲内の温度で加温することでゲル化する加温工程と、
前記加温工程でゲル化されたものを焼成する焼成工程と
を、含むことを特徴とする研磨材の比表面積の調整方法。
A method for adjusting the specific surface area of an abrasive comprising ZrO 2 particles , wherein at least part of the surface is coated with CeO 2 ,
A first mixing step of adding and mixing a specific surface area adjusting liquid composed of a zirconia sol containing ZrO 2 particles having an average particle diameter of 1 to 10 nm and a cerium nitrate solution to the abrasive ;
A second mixing step of adding a reducing agent to the mixed liquid of the abrasive and the specific surface area adjusting liquid mixed in the first mixing step, and mixing them;
A solid component separation step of separating a solid component in the mixed solution from the mixed solution in which the reducing agent is mixed in the second mixing step;
A heating step in which the solid portion separated from the mixed solution by the solid portion separation step is gelled by heating at a temperature in the range of 100 to 200 ° C .;
A method of adjusting the specific surface area of the abrasive material, comprising: a firing step of firing the gelated product in the heating step.
前記研磨材には、前記CeOThe abrasive includes the CeO. 2 と前記ZrOAnd the ZrO 2 粒子との化合物であるCeZrOCeZrO, a compound with particles 2 層が形成されている請求項3に記載の研磨材の比表面積の調整方法。The method for adjusting the specific surface area of the abrasive according to claim 3, wherein a layer is formed.
JP2012150700A 2012-07-04 2012-07-04 Method for producing abrasive and method for adjusting specific surface area of abrasive Active JP5860776B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012150700A JP5860776B2 (en) 2012-07-04 2012-07-04 Method for producing abrasive and method for adjusting specific surface area of abrasive

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012150700A JP5860776B2 (en) 2012-07-04 2012-07-04 Method for producing abrasive and method for adjusting specific surface area of abrasive

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014012311A JP2014012311A (en) 2014-01-23
JP5860776B2 true JP5860776B2 (en) 2016-02-16

Family

ID=50108383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012150700A Active JP5860776B2 (en) 2012-07-04 2012-07-04 Method for producing abrasive and method for adjusting specific surface area of abrasive

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5860776B2 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6060166B2 (en) * 2012-08-28 2017-01-11 Hoya株式会社 Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk
JP6731701B2 (en) * 2014-02-06 2020-07-29 アサヒ化成工業株式会社 Abrasive grain for polishing, its manufacturing method, polishing method, polishing apparatus and slurry
WO2015118927A1 (en) * 2014-02-06 2015-08-13 アサヒ化成工業株式会社 Polishing abrasive particle, production method therefor, polishing method, polishing device, and slurry
JP5997235B2 (en) * 2014-11-26 2016-09-28 アサヒ化成工業株式会社 Composite abrasive, manufacturing method thereof, polishing method and polishing apparatus
CN111566179B (en) * 2017-11-15 2022-03-04 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 Composition for performing material removal operations and method of forming the same
JP7038022B2 (en) * 2018-08-06 2022-03-17 日揮触媒化成株式会社 Abrasive grain dispersion for polishing containing ceria-based fine particle dispersion, its manufacturing method, and ceria-based fine particle dispersion.
JP7038031B2 (en) * 2018-09-28 2022-03-17 日揮触媒化成株式会社 Abrasive grain dispersion for polishing containing ceria-based composite fine particle dispersion, its manufacturing method, and ceria-based composite fine particle dispersion.

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6645265B1 (en) * 2002-07-19 2003-11-11 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Polishing formulations for SiO2-based substrates
KR101951502B1 (en) * 2011-09-20 2019-02-22 사카이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 Composite particles for polishing glass
JP2013129056A (en) * 2011-11-21 2013-07-04 Tosoh Corp Zirconia composite powder for polishing and method for producing the same
JP2013111725A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 Admatechs Co Ltd Abrasive and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014012311A (en) 2014-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5860776B2 (en) Method for producing abrasive and method for adjusting specific surface area of abrasive
TWI481699B (en) Raspberry-type metal oxide nanostructures coated with ceo2 nanoparticles for chemical mechanical planarization (cmp)
KR20100121636A (en) Doped ceria abrasives with controlled morphology and preparation thereof
TWI555832B (en) Grinding material, grinding material and grinding method
TW200415259A (en) Improved polishing formulations for SiO2-based substrates
TW201822886A (en) Metal doped cerium oxide compositions
JP2000336344A (en) Abrasive
US10011752B2 (en) Production method for polishing-material particles
CN109104866B (en) Polishing agent for synthetic quartz glass substrate and method for polishing synthetic quartz glass substrate
KR20130089598A (en) Manufacture of synthetic quartz glass substrate
CN102757081A (en) Synthesis method of cerium oxide hydrosol dispersed by PVA (Polyvinyl Alcohol)
TWI761488B (en) Abrasive for synthetic quartz glass substrate, method for producing the same, and method for grinding synthetic quartz glass substrate
US9850413B2 (en) Abrasive particles and production method thereof
WO2017081835A1 (en) Polishing agent for synthetic quarts glass substrate, process for producing same, and method for polishing synthetic quarts glass substrate
US20100171065A1 (en) Magnetorheological materials, method for making, and applications thereof
KR102660018B1 (en) Abrasive for synthetic quartz glass substrate, manufacturing method thereof, and polishing method for synthetic quartz glass substrate
CN108821324B (en) Nano cerium oxide and preparation method and application thereof
TW201444961A (en) Polishing slurry
JP2005048125A (en) Cmp abrasive, polishing method, and production method for semiconductor device
KR20220060342A (en) Method for producing composite particles in which the core is coated with cerium oxide particles, and composite particles manufactured thereby
JP2002326812A (en) Crystalline cerium oxide (iv) sol and its production method
KR102618202B1 (en) Abrasives for synthetic quartz glass substrates and polishing methods for synthetic quartz glass substrates
JPH1088111A (en) Composition for grinding use
KR102677819B1 (en) Abrasives for synthetic quartz glass substrates and polishing methods for synthetic quartz glass substrates
JP2016092045A (en) Polishing material, polishing material slurry and polishing treatment method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150507

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150624

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151221

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5860776

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250