JP5855720B2 - マイクロプロセッサ制御装置のための低電圧リセット判定及び動作フロー変更 - Google Patents

Description

本発明は概して、マイクロプロセッサ制御装置に係り、さらに詳細には、特定の状態の検出に応じてマイクロプロセッサ制御装置に異なる動作モードを提供することに関する。

マイクロプロセッサは、パーソナルコンピュータから揮発性物質用の自動ディスペンサまでの広範囲の電気装置及び電気機械装置を制御するためのプログラミングを実行する。このようなマイクロプロセッサ制御装置において、バッテリーや電気出力などの電源は、装置のマイクロプロセッサ及び他の部品に電力を供給する。装置の適切な動作は、電源によって供給される電力レベルにおける変動に影響を受けやすい。たとえば、電力がマイクロプロセッサの閾値動作レベルより下に減少する場合、装置を制御するためにマイクロプロセッサによって実行されるプログラミングは遮断されリセットされる。電力の低下は、種々の意図的な状態又は想定外の状態によって生じられる可能性がある。たとえば、電力の低下は、節電するために装置が意図的にオフされるときや、電源が長時間にわたって消耗されるとき、又は、電源の変動の変化若しくは装置が特定の機能を実行することによって生じられる電流引き込みの増加により電力の一時的な低下、即ち電圧低下（brownout）が生じるときに、発生することがある。使用目的によっては、マイクロプロセッサによって実行されるプログラミングが、電力が閾値動作レベルより上に回復されるとき装置の適切な動作を再開するために変更できるように、電力の低下を引き起こした状態を識別することができることが望ましい又は必要であることもある。したがって、リセットを引き起こした状態を識別し、その状態の識別に基づいて装置の適切な動作を再開する効果的且つ確実な方法の必要性が存在する。この問題に対する解決の実施が、例えば制御回路成、メモリ及び電源などの最小数の追加の部品のみを必要とすることもまた望ましい。

一実施の形態によると、リセット状態を識別する方法は、格納された値が特定の値と等しいかどうかを判定するステップと、格納された値が特定の値と等しくない場合に第１のモードを実行するステップと、格納された値が特定の値と等しい場合に第２のモードを実行するステップと、を含む。第２のモードは、格納された値を特定の値とは異なる値に設定するステップを含む。

別の実施の形態によると、リセット状態を識別するためのシステムはマイクロプロセッサを有する。このマイクロプロセッサは、メモリに格納された値が特定の値と等しくない場合に第１のモードを実行し、上記格納値が特定の値と等しい場合に第２のモードを実行するためのプログラミングを有する。上記第２のモードはさらに、メモリに格納された値を特定の値とは異なる値に設定することを含む。

更なる実施の形態において、ディスペンサ装置は、パワーオンリセットと低電圧リセットを区別するための第１の手段と、パワーオンリセット間のスプレー動作を実行するための第２の手段と、低電圧リセット間のスプレー動作を回避するための第３の手段と、を有する。

本発明の他の形態及び利点は、以下の詳細な説明を考慮して明らかになるものである。

マイクロプロセッサ制御装置の第１の実施の形態のブロック図である。 図１の装置によって実行され得るプログラミングを図示するフローチャートである。 マイクロプロセッサ制御装置の第２の実施の形態のブロック図である。 図３の第２の実施の形態による装置の等角投影図である。 図４の装置によって実行され得るプログラミングを図示するフローチャートである。 図４の装置の通常動作モードの間に実行され得るプログラミングを図示するフローチャートである。 図４のアクティブ動作モードの間に実行され得るプログラミングを図示するフローチャートである。

図１のブロック図は、マイクロプロセッサ１０と、電源１２と、電気回路構成及び／又は電気機械装置などの１つ以上の部品１４とを有する。このブロック図は、例えばパーソナルコンピュータ、自動車、照明システム、加熱／空気調整システム、エアゾール容器用の自動ディスペンサ、及び当業者に周知の他のいずれの好適な実装などの広範囲の装置及びシステムにおける制御システムとして実施することができる。マイクロプロセッサ１０及び部品１４は電源１２に結合され電源１２からの電力を受け取る。さらに、マイクロプロセッサ１０は部品１４に結合され、その動作を制御するためにプログラミングを実行する。一実施の形態において、マイクロプロセッサ１０は、香港、カオルーンベイ、ワングクォンロード３９、スカイラインタワー、３３階、３３０１号の、シノ ウェルス マイクロエレクトロニクス コーポレーション リミテッド（Ｓｉｎｏ Ｗｅａｌｔｈ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐ．Ｌｔｄ．）によって製造されるようなＳＨ６６１０Ｃベースの単一チップ４ビットのマイクロコントローラであってもよい。しかしながら、当業者に周知のいずれのタイプのマイクロコントローラも本実施の形態で使用され得ることが考えられる。図１はまた、マイクロプロセッサ１０に結合されるメモリ１６を図示する。他の実施の形態において、マイクロプロセッサ１０は、内蔵メモリ、及び当業者には明らかであるとされる、例えば、タイマやクロック、アナログ・デジタル変換器、入出力インタフェース、論理素子などの他の部品を有する。

マイクロプロセッサ１０によって実行されるプログラミングの一実施の形態は図２に図示され、これはリセット／起動ブロック２０で開始する。ブロック２０の後で、制御は、特定のメモリ位置、例えばメモリ１６内の位置が特定の値「Ａ」と等しい値を格納するかどうかを判定する判定ブロック２２に移行する。特定の値「Ａ」は、当業者に明らかであるように、いかなる値や大きさであってもよく、いかなるフォーマットに格納されてもよい。判定ブロック２２は、メモリ値が「Ａ」に等しくないと判定すると、制御は、第１の動作モードにおけるブロック２４に移行し、メモリ位置は値「Ａ」に設定される。次に、制御は、起動シーケンスや初期化シーケンス、又は他の何か意図された機能などの機能を実行するブロック２６に移行する。ブロック２６に続き、制御はブロック２８に移行し、メモリ位置は特定の値「Ｂ」に設定される。本実施の形態において、特定の値「Ｂ」は「Ａ」に等しくないが、そうでなくても、いかなる値や大きさであってもよく、いかなるフォーマットに格納されてもよい。

さらに判定ブロック２２を参照すると、メモリ位置が「Ａ」と等しい値を格納する場合、制御はブロック２４及び２６を飛び越えて進み、第２の動作モードにおけるブロック２８に直接移行する。ブロック２８において、メモリ位置は次に値「Ｂ」に設定される。このシナリオにおいて、プログラミングはブロック２６における先の動作シーケンスの間に引き起こされる低電圧リセットに応答している。たとえば、ブロック２６における機能の実行は、電源からの電流引き込みを増加させることもあり、電気機械部品が通電されるときに、マイクロプロセッサに供給される電力の閾値動作レベルよりも一時的に低下する、即ち、電圧低下をもたらす。このような電力低下は、ブロック２８に制御を渡す前に、図２のプログラミングをブロック２０にリセットさせる、即ち、低電圧リセットを引き起こす。このシナリオにおいて、低電圧リセットは、メモリ値を消去させたり、「Ａ」以外の値にリセットさせたりすることはない。メモリ値「Ａ」は、電力の残量が電源１２によってマイクロプロセッサ１０に依然として供給されているという理由で保持されており、このことは、マイクロプロセッサ１０がメモリ１６に格納される値を保持するのに十分である。その結果として、制御が低電圧リセットの後に判定ブロック２２に移行すると、メモリ値は「Ａ」に等しく、制御は、リセットをもたらしたブロック２４及び２６を飛び越えて進み、メモリ位置が値「Ｂ」に設定されるブロック２８に直接移行する。しかしながら、プログラムが意図的にリセットされた場合、メモリ値は消去されるか、「Ａ」以外のあるランダムな値に設定される。図２のプログラミングは、特定のリセット状態を識別し、その識別に応じて装置の動作を変更するために有効且つ確実なプロセスを提供する。

図３のブロック図は、マイクロプロセッサ１０、電源１２、及びメモリ１６を有するという点で図１のブロック図と同様である。図３は更に、モータ３０、発光ダイオード（ＬＥＤ）３２、及びセンサ３４などの部品を有する。図４は、エアゾール容器４２の内容物を分配するための装置４０として実施される図３のブロック図の実施の形態を示す。装置４０は、全体として参照によって本明細書に組み込まれる米国特許出願第１１／７２５，４０２に記載された装置の１つであればよい。装置４０は、エアゾール容器４２及びバッテリー４６を収容するのに適したハウジング４４を有する。さらに、装置４０は、セレクタスイッチ４８、プッシュボタン５０、及びアクチュエータアーム５２を有する。装置４０はまた、回路、マイクロプロセッサ１０、モータ３０、ＬＥＤ３２、及びセンサ３４を有し、これらはハウジング４４内に設けられ概して図３に示される。

マイクロプロセッサ１０は、アクチュエータアーム５２を起動するためのスプレー動作中にモータを制御し、アクチュエータアーム５２はエアゾール容器４２のバルブステム５４を押し下げ内容物を内部から分配する。マイクロプロセッサ１０は、プッシュボタン５０、タイマ、又はセンサ３４によって生成される信号に応じてスプレー動作を開始するためのプログラミングを有する。タイマは、マイクロプロセッサ１０において又は別個の部品として実施できる。たとえば、一実施の形態において、マイクロプロセッサ１０は、時間間隔を指定された自動起動モードにおいて装置４０を制御するためにプログラミングを有し、ここで、装置４０は例えば３０分ごとに特定の時間間隔でスプレー動作を実行する。代替的に、あるいは第１の実施の形態と組み合わせて、マイクロプロセッサ１０は、センサ３４及び／又はプッシュボタン５０からの信号に応じてスプレー動作を実行するようにプログラム化される。実際には、米国特許出願第１１／７２５，４０２号に記載され、又は当業者周知の操作上の方法論のいずれかが装置４０に関連して使用されるように意図される。

マイクロプロセッサ１０の低電圧リセット判定及び動作フロー変更機能性を図示するために、１つの特定の実施の形態が詳細に記載される。図４をさらに参照すると、本実施の形態において、セレクタスイッチ４８は、装置４０をオンオフし、種々の動作モード、例えば時間指定モード、検出モード、及びこれら２つの組み合わせモード間で選択するために使用される。ＬＥＤ３２は、装置４０がオンであり通常動作をしていることを示し、さらに／あるいは装置４０がスプレー動作を実行しようとしていることの警告をもたらすために点滅する。プッシュボタン５０は、エアゾール容器４２の手動での起動のために設けられ、プッシュボタン５０は、装置４０がオフであるときを除いていつでもユーザがスプレー動作を引き起こすために押し下げられてもよい。プッシュボタン５０は、ユーザに、装置４０の自動的起動より手動起動を優先させる。本実施の形態におけるセンサ３４は、フォトセル光センサであり、これは動作を検出するために使用され得る。しかしながら、他のタイプの動作検出器、たとえば、パッシブ赤外線方式動作センサやパイロ電気動作センサ、赤外線反射動作センサ、超音波動作センサ、又はレーダー動作センサや極超短波動作センサが使用され得る。さらに、センサ３４は他のタイプの周知のセンサ、例えばヒートセンサや臭気センサと置き換えたり又は組み合わせたりして使用されることができる。

図５を参照すると、装置４０を制御するためにマイクロプロセッサ１０によって実施されるプログラミングは、セレクタスイッチ４８が所定位置に切り替えられるとき又は新しいバッテリー４６が装置４０に挿入されるときに、即ち、パワーオンリセット時にリセット／起動ブロック７０で開始する。その後、制御は判定ブロック７２に移行し、テストモードを実行すべきかどうかを判定する。テストモードを実行すべき場合、テストモードはブロック７４で実行される。一実施の形態において、テストモードは、消費者が装置を使用する前に装置の適切な動作を確保するために製造設備において実行される。たとえば、判定ブロック７２は、バッテリー４６が装置４２内に挿入されプッシュボタン５０が５秒間押し下げられるとき、テストモードを実行すべきであると判定することができる。その後、種々のテスト、例えば、モータ３０、ＬＥＤ３２、及びセンサ３４をテストすることをブロック７４の間に実行することができる。他のテストもまた、当業者に明らかであるように実行することができる。

制御は、テストモードがブロック７４で実行された後で、又は判定ブロック７２がテストモードを実行すべきでないと判定する場合、判定ブロック７６に移行する。判定ブロック７６は、特定のメモリ位置が特定の値「Ａ」と等しい値を格納するかどうかを判定する。メモリ値が「Ａ」に等しくない場合、制御は遅延ブロック７８に移行し、制御は、所定時間、例えば約１０秒から３０秒間にわたって休止する。遅延ブロック７８に続いて、制御はブロック８０に移行し、起動シーケンスが緊急であるという警告又は通知が発行される。本実施の形態において、警告はＬＥＤ３２の発光又は点滅である。しかしながら、他の実施の形態において、警告は、視覚的、聴覚的、触覚的、嗅覚的、又は当業者に明らかな他の警告の組み合わせであればよい。ブロック８０の後で、制御はブロック８２に移行し、メモリ位置は値「Ａ」に設定される。

次に、プログラミングは起動シーケンスを実行する。本実施の形態において、起動シーケンスは、ブロック８４、８６及び８８を有するスプレー動作である。さらに具体的に言うと、スプレー動作はブロック８４で開始し、そこでモータ３０が通電されてアクチュエータアーム５２を下方に移動させ、エアゾール容器４２のバルブステム５４を開放位置に押し下げる。モータ３０はブロック８６において通電が切られる。その後、モータ３０は、ブロック８８において反対方向にアクチュエータアーム５２を移動させるために通電され、バルブステム５４を閉鎖した非押し下げ位置に移動する。一実施の形態において、モータ３０はブロック８４間に約１秒間通電され、モータ３０はブロック８６の間に約１５０ミリ秒通電が絶たれ、モータ３０はブロック８８の間に約４００秒間通電される。本実施の形態の起動シーケンスに対する変更は、当業者に明らかであるように同一の又は異なるステップのシーケンスを有することができる。起動シーケンスに続いて、制御はブロック９０に移行し、その間にメモリ位置は、上記のような値「Ａ」とは異なる特定の値「Ｂ」に設定される。

判定ブロック７６に戻って参照すると、特定のメモリ位置が特定の値「Ａ」と等しい値を格納する場合、制御はブロック７８から８８を飛び越して進み、ブロック９０に直接移行してメモリ位置を値「Ｂ」に設定する。ブロック９０の後で、制御はブロック９２に移行し、プログラミングが通常の動作手順又はモードを入力し、ここでプログラミングは以下に詳細に記載されるように、手動又は自動の起動シーケンスを実行する。

本実施の形態において、プログラミングは、セレクタスイッチ４８が所定位置に切り替えられるとき又は新しいバッテリーが装置内に挿入されるときに起動シーケンスを実行するためにブロック８４から８８の実行を含む起動又はパワーオンリセット動作を実行する。プログラミングはまた、通常の動作モードに従って起動シーケンスを実行する。リセット／起動モード及び通常の動作モードの両方の間に、モータ３０が通電されるときに電流引き込みの増加が発生する。この電流引き込みの増加は、バッテリー４６と、バッテリー４６によって電力供給される対応付けられる回路、即ち、マイクロプロセッサ１０における電圧低下をもたらす結果となる。電流引き込みの増加及び更なる電圧低下は一時的であり、即ち、このような作用は、起動シーケンスが完了した後又は中断された後に消滅する。

通常の動作モードの間に、バッテリー４６は、起動シーケンスの間の更なる電圧低下にかかわらず、マイクロプロセッサ１０の閾値動作レベルよりも高い十分な電圧レベルをマイクロプロセッサ１０に提供する。バッテリー電圧が消耗すると、一時的な電圧低下により、マイクロプロセッサ１０に供給される電圧レベルを閾値動作レベルよりも下げることになる。マイクロプロセッサ１０に供給される電圧レベルが起動シーケンスの間に閾値動作レベルよりも下がると、装置４０は電圧低下状態に入り、装置４０の低電圧リセット（図５のブロック７０を参照）、及び上記したリセット／起動方法の再動作をもたらす。しかし、装置の４０のリセットの前に、中断した起動シーケンスの間に流体は分配され得る。

装置４０のリセットと同時に、プログラミングは通常、また別の起動シーケンスを引き起こすことになり（図 ７８から８８を参照）、これは、その後、装置４０の別の電圧低下及びリセットをもたらす結果となる。しかしながら、この装置４０のプログラミングは、メモリ位置に格納された値が「Ａ」と等しいと判定されるときに判定ブロック７６において電圧低下、即ち低電圧リセットによってもたらされるリセットを識別することが可能であり、これにより、装置４０を望ましくない更なるリセット起動シーケンスを飛び越して進ませる。詳細には、本実施の形態において、プログラミングは、装置４０が最初にオンされるときにブロック８２において値「Ａ」にメモリ位置を設定する。上で述べたように、次の起動シーケンス及び電圧低下は、起動シーケンスの間又は直後に装置４０をリセットさせ、制御がブロック９０に移行してメモリ値が値「Ｂ」にリセットされる前に制御を元のブロック７０に渡す。上で述べたように、メモリ１６は、リセット状態であるがパワーオン状態でない間に格納された値を保持する。結果として、メモリ位置が値「Ａ」と等しいため、制御は、さらに別の起動シーケンスを飛び越えて進み、直ちにブロック９０に移行する。メモリ位置が値「Ａ」と等しくない場合、リセットは、電圧低下又は低電圧状態によってもたらされず、プログラミングは、起動シーケンスを含む起動操作を実行する。このように、図５に示されるプログラミングは、パワーオンリセットと低電圧リセットとを区別することができ、それに応じて装置４０の操作を変更することができる。

本実施の形態において、２つの十分に充電されたバッテリー４６は、装置４０のマイクロプロセッサ１０及びその他の電気若しくは電気機械部品１４に約３．２ボルトを供給する。マイクロプロセッサ１０の閾値動作レベルは約１．８ボルトである。起動シーケンスは、バッテリー４６にわたって約０．５〜０．６の電圧低下をもたらす。結果として、十分に充電されたバッテリー４６は、起動シーケンスによって生じられる電圧低下でも、十分な電圧レベルをマイクロプロセッサ１０に供給する。しかし、バッテリー４６は、約２．２〜２．３ボルトの範囲内に消耗されるとき、起動シーケンス中の更なる電圧低下は、マイクロプロセッサ１０に供給される電圧を約１．７ボルトに一時的に低下させることもあり、これによって、低電圧条件のためにマイクロプロセッサ１０をリセットさせる。

図６は、ブロック１００から始まる本実施の形態の通常の動作モードを示す。ブロック１００において、装置４０はＬＥＤ３２をオンさせて、装置４０が通常の動作モードにあることを示す。ブロック１００に続いて、制御は判定ブロック１０２に移行し、プログラミングがタイムアウトモードを実施する。タイムアウトモードは、例えば１０秒、３０分、１時間などのいずれかの時間にわたって持続することができる。判定ブロック１０４がプッシュボタン５０が押し下げられていると判定しない場合、又はブロック１０２が時間が経過したと判定するまで、制御は、起動シーケンスを実行せずにタイムアウトモードのままでいる。プッシュボタン５０が押し下げられている場合、制御は一巡してブロック８２に戻り、上記のように、メモリ位置が値「Ａ」に設定され、起動シーケンスが実行される。その後、メモリ値は「Ｂ」に設定され、ワークフローはブロック１０２におけるタイムアウトモードに戻る。プッシュボタン５０が押し下げられることなく時間が経過した場合、制御はブロック１０６に移行し、プログラミングは第３の又はアクティブ動作手順又はモードを実施する。

図７を参照すると、装置４０のアクティブ動作モードはブロック１１０から開始し、ＬＥＤ３２をオフにする。その後、制御は判定ブロック１１２に移行し、ＬＥＤ３２の「オフタイム」間隔が経過したと判定する。本実施の形態において、「オフタイム」間隔は好ましくは約４．５秒である。「オフタイム」が経過しなかった場合、制御は別の判定ブロック１１４に移行し、センサ３４が特定の事象の発生を検出したかどうかを判定する。センサ３４が特定の事象、例えば人間が部屋に入ってきたことを検出したと判定すると、制御は図５のブロック８０に移行し、上記のようにプログラミングが起動シーケンスを実行する。しかし、センサ３４が特定の事象を検出しない場合、制御は判定ブロック１１６に移行し、電子信号がプッシュボタン５０の押し下げによって生成されるかどうかを判定する。制御は図５のブロック８２に移行し、プッシュボタン５０が押し下げられている場合に起動シーケンスを実行し、プッシュボタン５０が押し下げられていない場合にブロック１１２に戻る。

ブロック１１２をさらに参照すると、「オフタイム」間隔の経過と同時に、制御はブロック１１８に移行する。ブロック１１８は、ＬＥＤ３２をオンさせ、制御を判定ブロック１２０に渡す。判定ブロック１２０はＬＥＤ「オンタイム」間隔が経過したかどうかを判定する。本実施の形態において、「オンタイム」間隔は好ましくは約１５０ｍｓである。「オンタイム」間隔が経過しなかった場合、制御は判定ブロック１２２に移行し、プッシュボタン５０が押し下げられているかどうかを判定する。制御は図５のブロック８２に移行し、プッシュボタン５０が押し下げられているときに起動シーケンスを実行し、プッシュボタンが押し下げられていないときにブロック１２０に戻る。「オンタイム」間隔の終了と同時に制御はブロック１２４に移行し、そこでＬＥＤ３２はオフされる。その後、制御は判定ブロック１２６に移行し、「滞留時間」間隔が経過したかどうかを判定する。本実施の形態において、「滞留時間」間隔は好ましくは約４５０ｍｓである。「滞留時間」間隔が経過していない場合、制御は判定ブロック１２８に移行し、プッシュボタン５０が押し下げられているかどうかを判定する。制御はブロック８２に移行し、プッシュボタン５０が押し下げられているときに起動シーケンスを実行し、プッシュボタンが押し下げられていないときにブロック１２６に戻る。「滞留時間」間隔が終了すると同時に、制御は元のブロック１１２に移行し、上記と同じようにアクティブ動作モードをそれ自身繰り返す。

アクティブ動作モードは、ＬＥＤ３２を交互にオンオフさせる、即ち、点滅させる。点滅するＬＥＤ３２は、ユーザに、装置４０がアクティブ動作モードにあることを判定させる。あるいはまた、いずれの点灯方法論又は他の表示手段が、装置４０の動作モードの１つを示すために提供されることもある。さらに、点滅するＬＥＤ３２の更なる利点は、センサ３４が光センサであるとき、アクティブ検知モード中のＬＥＤ３２の動作停止により、センサ３４がＬＥＤ３２によって誤って切り替えられることが防止される。

本明細書中に記載されたマイクロプロセッサ制御装置は有利に、マイクロプロセッサにリセット状態を識別させ、その識別にしたがってマイクロプロセッサによって実行されるプログラミングを変更させることを可能にする。さらに具体的に、プログラミングは、パワーオンリセットと低電圧リセットとを区別し、どちらか１つが実行された場合に望ましくない起動シーケンスを回避することができる。

本発明に対する多数の変更は、上記の説明から見て当業者には明らかである。したがって、この記載は一例にすぎないと解釈されるべきであり、当業者が発明を行い使用し、それを実行する最良のモードを教示するのを可能にするために示される。添付された請求項のすべての範囲内に生じるすべての変更に対する占有権は保有される。
関連出願への相互参照
適用せず。
連邦政府委託調査又は経緯に関する参照
適用せず。
シーケンシャルリスト
適用せず。

Claims (17)

1. 格納された値が特定の値と等しいかどうかを判定するステップと、
   前記格納された値が前記特定の値と等しくない場合に第１のモードを実行するステップと、
   前記格納された値が前記特定の値と等しい場合に第２のモードを実行するステップと、
   を含み、
   前記第１のモードを実行することは、前記格納された値を前記特定の値に設定するステップと、前記格納された値を前記特定の値に設定した後に起動シーケンスを実行するステップとを含み、
   前記第２のモードは、前記格納された値を前記特定の値とは異なる値に設定することを含む、
   リセット状態を識別する方法。
2. 前記第２のモードを実行することにより前記第１のモードを回避する、
   請求項１に記載の方法。
3. 前記第１のモードを実行することは、起動シーケンスを実行した後に前記格納された値を前記特定の値とは異なる値に設定するステップを含む、
   請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記起動シーケンスは、スプレー動作である、
   請求項１〜３の何れかに記載の方法。
5. 前記第１のモード又は前記第２のモードの後で、起動シーケンスを実行するステップを含む第３のモードを実行することを更に含む、
   請求項１〜４の何れかに記載の方法。
6. 前記第３のモードにおける起動シーケンスは、センサからの信号に応じて実行される、
   請求項５に記載の方法。
7. 前記第３のモードを実行することが、該第３のモードの表示を行うステップを更に含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記センサが誤ってトリガされることを回避するために、前記第３のモードの表示を行うステップの間、前記センサからの信号が無視される、
   請求項７に記載の方法。
9. 前記表示は、ＬＥＤをオンにすることを含む、
   請求項７又は８に記載の方法。
10. 前記第３のモードにおける起動シーケンスが、プッシュボタンからの信号に応じて実行される、
    請求項５〜９の何れかに記載の方法。
11. 前記格納された値が前記特定の値と等しくない場合にパワーオンリセットと識別し、前記格納された値が前記特定の値の等しい場合に低電圧リセットと識別することを更に含む、
    請求項１〜１０の何れかに記載の方法。
12. 前記低電圧リセットは、起動シーケンスを実行するステップの間に行われる、
    請求項１１に記載の方法。
13. マイクロプロセッサを含み、
    前記マイクロプロセッサが、メモリ内に格納された値が特定の値と等しくない場合に第１のモードを実行し、前記格納された値が前記特定の値と等しい場合に第２のモードを実行するためのプログラミングを備え、
    前記第１のモードを実行するためのプログラミングは、前記メモリ内に格納された値を前記特定の値に設定するための第１のコマンドと、該第１のコマンドの後に起動シーケンスを実行するための第２のコマンドと、を含み、
    前記第２のモードは、前記メモリ内に前記格納された値を前記特定の値とは異なる値に設定することを含む、
    リセット状態を識別するためのシステム。
14. 前記第１のモードはパワーオンリセットに対応し、前記第２のモードは低電圧リセットに対応する、
    請求項１３に記載のシステム。
15. 前記マイクロプロセッサが前記第２のモードを実行するためのプログラミングを実行することにより、前記第１のモードを実行するためのプログラミングを実行することを回避する、
    請求項１３又は１４に記載のシステム。
16. パワーオンリセットと低電圧リセットとを区別するための第１の手段と、
    前記パワーオンリセットの間にスプレー動作を実行するための第２の手段と、
    前記低電圧リセットの間にスプレー動作を回避するための第３の手段と、
    を含む、ディスペンサ装置。
17. 前記第１の手段は、格納された値が特定の値と等しいかどうかを判定する、
    請求項１６に記載のディスペンサ装置。