JP5852371B2 - 撮像装置及びその制御方法 - Google Patents

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Description

本発明は、被写体を撮像するための撮像素子を用いて位相差式焦点検出を行なう撮像装置に関する。
動画や静止画が記録可能な電子カメラにおいて、画像記録用の撮像素子を用いて位相差検出方式の焦点検出を実現する技術が提案されている。位相差検出方式では、撮影光学系の射出瞳を通過した光束を2分割し、2分割した光束を一組の焦点検出用受光素子群で受光する。そして、その受光量に応じて出力される1対2像の信号波形のずれ量、すなわち、光束の瞳分割方向に生ずる相対的位置ずれ量を検出することで、撮影光学系の焦点ずれ量(デフォーカス量)を求める。
一方、電子カメラなどの撮像装置では、本来の撮影光束とは別に、ミラーボックス壁面に当たった内面反射光が撮像素子に入射してしまうという問題がある。そこで、特許文献1では、レンズ鏡筒の内壁を反射防止シートで覆うことが提案されている。レンズ鏡筒に限らず、一般的に撮像装置のミラーボックス内面は、遮光紙で覆うか、反射防止の塗装を施すなどの反射光低減措置が施される。
特開2000−187141号公報
特許文献1に開示された従来技術では、反射防止シートによって反射光を低減することはできるが、ゼロにすることはできないという問題があった。反射防止のための植毛部材や、反射防止塗装などを壁面に施しても、内面反射光の低減効果はあるが、ゼロにはならない。それにより、撮影者が意図しない光が撮影画像に写りこむこととなり、撮影画像の品位が損なわれてしまうという問題があった。
また更に、ミラーボックス内壁などでの反射光が撮像素子に入射すると、瞳分割された位相差式焦点検出信号の2像形状が不一致となり、焦点検出誤差が大きく生じてしまうという問題があった。それにより、撮影者の意図した位置にピントの合っていない低品位な撮影画像が得られることがあった。或いは、大きくピントがずれてしまい、焦点検出を再度実施することで、意図したタイミングでの撮影画像が得られないことがあった。
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ミラーボックス内壁などでの反射光が撮像素子に入射しても、より高品位な撮影画像を得られるようにすることである。
本発明に係わる撮像装置は、撮像装置であって、撮影光学系により結像された被写体像を光電変換するための複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれが、前記被写体像が形成される面内に並ぶ2×2個以上の光電変換部を有する撮像素子と、前記光電変換部で得られた信号から位相差検出方式の焦点検出を行う焦点検出手段と、前記光電変換部で得られた信号から画像を生成する画像生成手段と、前記2×2個以上の光電変換部から得られた信号を比較して、前記撮像装置の内面反射光を検出する反射光検出手段と、を備え、前記反射光検出手段は、前記2×2個以上の光電変換部のうち、前記内面反射光の原因となる反射面に近い光電変換部からの信号出力値の、前記反射面から遠い光電変換部からの信号出力値に対する比率が所定値よりも大きいか否かに基づいて前記内面反射光を検出することを特徴とする。
また、本発明に係わる撮像装置の制御方法は、撮影光学系により結像された被写体像を光電変換するための複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれが、前記被写体像が形成される面内に並ぶ2×2個以上の光電変換部を有する撮像素子を備える撮像装置を制御する方法であって、前記光電変換部で得られた信号から位相差検出方式の焦点検出を行う焦点検出工程と、前記光電変換部で得られた信号から画像を生成する画像生成工程と、前記2×2個以上の光電変換部から得られた信号を比較して、前記撮像装置の内面反射光を検出する反射光検出工程と、を有し、前記反射光検出工程では、前記2×2個以上の光電変換部のうち、前記内面反射光の原因となる反射面に近い光電変換部からの信号出力値の、前記反射面から遠い光電変換部からの信号出力値に対する比率が所定値よりも大きいか否かに基づいて前記内面反射光を検出することを特徴とする。
本発明によれば、ミラーボックス内壁などでの反射光が撮像素子に入射しても、より高品位な撮影画像を得ることが可能となる。
本発明の撮像装置の第1の実施形態であるカメラの構成図。 撮像素子の画素配列図。 画素の詳細図。 画素への入射角度と光電変換の出力値との関係を示した図。 画面上の各位置における画素の光電変換部の配置を説明する図。 画素の断面構造を説明する図。 焦点検出用画素の瞳投影を説明する図。 カメラの動作のメインフローチャート。 内面反射光検出のフローチャート。 ミラーボックスなどの壁面と、撮影画像領域に写る内面反射光の関係を示す模式図。 瞳投影とミラーボックスでのケラレを説明する模式図。 第1の実施形態における焦点検出動作のフローチャート。 第2の実施形態における焦点検出動作のフローチャート。 第3の実施形態における内面反射光検出のフローチャート。
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は本発明の撮像装置の第1の実施形態であるカメラの構成図で、固体撮像素子を有したカメラ本体と撮影光学系が一体となった電子カメラを示しており、動画及び静止画が記録可能である。図1において、101は撮影光学系(結像光学系)の先端に配置された第1レンズ群で、光軸方向に移動可能に保持される。102は絞りで、その開口径を調節することで撮影時の光量調節を行なうほか、静止画撮影時には露光秒時調節用シャッタとしても機能する。103は第2レンズ群である。そして絞り102及び第2レンズ群103は一体となって光軸方向に駆動され、第1レンズ群101の移動動作との連動により、変倍作用(ズーム機能)をなす。
105は第3レンズ群で、光軸方向の移動により、焦点調節を行なう。106は光学的ローパスフィルタで、撮影画像の偽色やモアレを軽減するための光学素子である。107はC−MOSセンサとその周辺回路で構成された固体撮像素子である。固体撮像素子107には、横方向にM画素、縦方向にN画素の受光ピクセルが正方配置され、ベイヤー配列の原色カラーモザイクフィルタがオンチップで形成された、2次元単板カラーセンサが用いられる。
111はズームアクチュエータで、不図示のカム筒を手動もしくはアクチュエータで回動することにより、第1レンズ群101ないし第3レンズ群105を光軸方向に駆動し、変倍操作を行なう。112は絞りアクチュエータで、絞り102の開口径を制御して撮影光量を調節すると共に、静止画撮影時の露光時間制御を行なう。114はフォーカスアクチュエータで、第3レンズ群105を光軸方向に駆動して焦点調節を行なう。
115は無線式通信装置で、インターネット等のネットワークを通じてサーバーコンピュータと通信するためのアンテナや信号処理回路で構成される。116はカメラの姿勢検知部で、カメラの撮影姿勢、すなわち横位置撮影か縦位置撮影かを判別するための電子水準器が用いられる。
121はCPUで、カメラ本体の種々の制御を司るために、演算部、ROM、RAM、A/Dコンバータ、D/Aコンバータ、通信インターフェイス回路等を有する。CPU121は、本実施形態の焦点検出手段、焦点検出方法変更手段、画像生成手段、内面反射光検知手段としても機能し、ROMに記憶された所定のプログラムに基づいて、カメラが有する各種回路を駆動する。それにより、焦点検出、撮影、画像処理、記録等の一連の動作を実行する。
122は通信制御回路で、通信装置115を介して、カメラから撮影画像をサーバーコンピュータへ送信したり、サーバーコンピュータから画像や各種情報を受信したりするものである。123は姿勢検知回路で、姿勢検知部116の出力信号から、カメラの姿勢を判別する。124は撮像素子駆動回路で、撮像素子107の撮像動作を制御するとともに、取得した画像信号をA/D変換してCPU121に送信する。125は画像処理回路で、撮像素子107が取得した画像のγ変換、カラー補間、画像圧縮等の処理を行なう。
126はフォーカス駆動回路で、焦点検出結果に基づいてフォーカスアクチュエータ114を駆動制御し、第3レンズ群105を光軸方向に駆動して焦点調節を行なう。128は絞り駆動回路で、絞りアクチュエータ112を駆動制御して絞り102の開口を制御する。129はズーム駆動回路で、撮影者のズーム操作に応じてズームアクチュエータ111を駆動する。
131はLCD等の表示器で、カメラの撮影モードに関する情報、撮影時のプレビュー画像と撮影後の確認用画像、焦点検出時の合焦状態表示画像、カメラの姿勢情報等を表示する。132は操作スイッチ群で、電源スイッチ、撮影開始スイッチ、ズーム操作スイッチ、撮影モード選択スイッチ等で構成される。133は着脱可能なフラッシュメモリで、撮影済み画像を記録する。
図2は本発明の第1の実施形態における撮像素子の画素配列を示した図である。図2は2次元C−MOSエリアセンサを、撮影光学系側から観察した状態を示している。カラーフィルタはベイヤー配列が適用され、奇数行の画素には、左から順に緑(Green)と赤(Red)のカラーフィルタが交互に設けられる。また、偶数行の画素には、左から順に青(Blue)と緑(Green)のカラーフィルタが交互に設けられる。211iの円はオンチップマイクロレンズを表わす。オンチップマイクロレンズの内側に配置された複数の矩形はそれぞれ光電変換部である。以下の説明において、分割された複数の光電変換部を連結した形状を連結形状、連結形状の中心を連結中心と称する。
211は画素群で、一つのオンチップマイクロレンズ下にある光電変換部が複数の領域に分割されている。本実施形態では、X方向に2分割、Y方向にも2分割された、211a〜211dの合計4個の光電変換部(撮像面内に並ぶ2×2個以上の光電変換部)を有する場合を例に説明する。これら4個の光電変換部は、画素中心で交差するX軸及びY軸に対して、それぞれ線対称となるように分割されている。すなわち、分割された各領域の平面形状は正方形、4領域を合わせた連結形状も正方形で、像面上のすべての位置において同一の分割形状となっている。画素群の出力は、記録用画像の生成、及び合焦近傍での焦点検出に利用される。ここで記録用画像とは、JPEG等のフォーマットで規定された通常の2D(2−Dimensional)画像のほかに、視差情報を有した複数画像から構成される3D(3−Dimensional)画像も含む。また、動画、静止画のいずれも該当する。
画素群211で光電変換された出力信号は、記録用画像の生成、及び焦点検出に利用される。図3は画素群211の拡大図であり、図中における4つの光電変換部をa〜dで示している。光電変換部は下記5つのパターンで加算がなされる。
(1)a、b、c、dの光電変換信号の加算
(2)a、bの光電変換信号の加算
(3)c、dの光電変換信号の加算
(4)a、cの光電変換信号の加算
(5)b、dの光電変換信号の加算
記録用画像を生成する際には、(1)を用いる。縦縞パターンの被写体像の焦点検出を行う際には、(2)と(3)を用いる。横縞パターンの被写体像の焦点検出を行う際には、(4)と(5)を用いる。縦または横方向の画素を一対として互いの電気出力値の関係により、位相差検出方式の焦点検出を行う。焦点検出の詳細は後述する。
図4のグラフは、均一な輝度の被写体を撮影した場合において、撮影光学系の入射瞳から、各画素に射出される光線の角度を横軸に、それに対する光電変換強度変化を縦軸にとって表したもので瞳強度分布と一般に呼称されているものである。撮影光学系の射出瞳面上における焦点検出用瞳と、撮像素子の各画素における光電変換部は、オンチップマイクロレンズを介して共役関係にある。そのため、a、bの光電変換信号をそれぞれ加算した(2)の信号と、c、dの光電変換信号をそれぞれ加算した(3)に注目すると、位相差検出式焦点検出のための瞳分割が撮影光学系の射出瞳上でなされている。
図5は本実施形態の撮像素子における読み出し回路の構成を示した図である。151は水平走査回路、153は垂直走査回路である。そして各画素の境界部には、水平走査ライン152aないし152dと、垂直走査ライン154aないし154dが配線され、各光電変換部は上記の走査ラインを介して信号が外部に読み出される。
そして上記の4個の光電変換部を有した画素群は全て同様な画素構造となっており撮像用と焦点検出用の画素に応じて光電変換部の数が異なるような複雑な画素構造とはなっていない。
なお、本実施形態の撮像素子は以下の2種類の読み出しモードを有する。第1の読み出しモードは全画素読み出しモードと称するもので、高精細静止画を撮像するためのモードである。この場合は、全画素の信号が読み出される。第2の読み出しモードは間引き読み出しモードと称するもので、動画記録、もしくはプレビュー画像の表示のみを行なうためのモードである。この場合に必要な画素数は全画素よりも少ないため、画素群はX方向及びY方向ともに所定比率に間引いた画素のみ読み出す。
図6は、本実施形態の画素群211における撮像素子の断面構造を説明するための図である。図中、光電変換部302は、シリコン基板301に埋め込まれる形で形成されている。透明ポリシリコン電極303が、光電変換部302とシリコン基板301の上面に設けられる。多層構造を有する第1の電極群304、第2の電極群305及び第3の電極群306は、透明ポリシリコン電極303の上方に設けられている。第3の電極群306は各画素の境界部に配置されている。これら3層の電極群304〜306はアルミニウムもしくは銅等の金属膜をエッチングして形成される。
また、第1〜第3の電極群304〜306は、二酸化珪素(SiO2)等からなる透明な層間絶縁膜307によって絶縁されている。308は第3の電極群306の上部を覆うパッシベーション膜、309は第1の平坦化層である。310はカラーフィルタである。311は第2の平坦化層、312はマイクロレンズである。
図7は、撮影光学系の一次元方向(例えばX方向)の位相差検出用画素(焦点検出用画素)の瞳投影を説明する図である。図7で示した撮像素子構造で設定される開口OP0は、マイクロレンズ312を介して図7で示す撮影光学系の射出瞳TLの瞳EPa及びEPcとして投影される。
画素a及び画素cは水平または垂直方向に規則的に配列されている。そこで、複数の画素a、bを加算した(2)の出力を連ねて生成した第1の像信号と、複数の画素c、dを加算した(3)の出力を連ねて生成した第2の像信号とは、それぞれ横ずれしている。そのため、公知の相関演算により横ずれ量uを計算し、被写体とのピントずれ量(デフォーカス量)を検出することができる。
ここでは、画素a及び画素cの断面図を用いて、縦縞パターンの被写体像の焦点検出を例に説明した。同様にして、複数の画素a、cを加算した(4)の出力を連ねて生成した第1の像信号と、複数の画素b、dを加算した(5)の出力を連ねて生成した第2の像信号との像ずれ量、すなわち位相差を検出することで、横縞パターンの被写体像のピントずれ量(デフォーカス量)が検出できる。ここではS/Nを向上させるという観点から、例えば第1の像信号は、画素a、bを加算した(2)の出力を連ねて生成するとしたが、画素a、bを加算せずに、それぞれ単独で用いても、同様の効果が得られる。
図8ないし図12は、本発明の第1の実施形態に係わるカメラの焦点調節及び撮影工程を説明するためのフローチャートである。先に説明した各図を参照しながら、図8以降の制御の流れを説明する。
図8は第1の実施形態のカメラの動作のメインフローチャートである。撮影者がカメラの電源スイッチをオン操作すると、ステップS102においてCPU121はカメラ内の各アクチュエータや撮像素子の動作確認を行ない、メモリ内容や実行プログラムの初期化を行なうと共に、撮影準備動作を実行する。
ステップS103では撮影条件の設定受付けを行なう。具体的には、露光調節モード、焦点調節モード、画質(記録画素数や圧縮率)等を撮影者が設定するのを受け付ける。ステップS104では、撮影光学系のズーム状態、フォーカスレンズ状態、及び絞り状態を検出し、射出瞳の大きさや射出瞳距離等の情報をROMから読み出す。ステップS105では撮像素子107の撮像動作を開始し、画素信号を読み出す。
ステップS106では読み出した画素信号から表示用縮小画像を創生し、カメラ背面に設けられた表示器131に表示する。すると撮影者はこのプレビュー画像を目視して構図決定やズーム操作等を行なう。ステップS107では後述する内面反射光検知動作を実行する。ステップS108では後述する焦点検出動作を実行する。
ステップS109では、ステップS108で算出したフォーカスレンズ駆動量が所定値以下か否かを判断する。そしてその駆動量が所定値以下の場合は合焦と判断し、ステップS111に進む。一方レンズ駆動量が所定値より大きい場合はステップS110でフォーカスレンズを駆動する。
ステップS111では、撮影スイッチがオン操作されたか否かを判別し、オン操作されていなければステップS113へと進み、オン操作されている場合はステップS112へと進む。
ステップS112では、画像生成手段であるCPU121によって、光電変換部で得られた電気信号を加算して画像生成する。ステップS107で内面反射光が検知されていれば、内面反射光の影響を低減するための画像処理を行う。具体的には、撮影者が意図した被写体光以外の内面反射光が入射しているので、内面反射光を検出したエリアでは、出力値を少なくした画像を生成する。そして、生成した画像をフラッシュメモリ133に記録する。
ステップS113では、メインスイッチの状態を判別し、NOの場合、すなわちオン状態が維持されている場合はステップS102に戻り、ステップS102ないしステップS112を繰り返し実行する。ステップS113にてメインスイッチがオフされていたら、ステップS114へと進み、撮影動作を終了する。
図9は内面反射光検出サブルーチンのフローチャートである。当サブルーチンは、メインフローのステップS107から呼び出され、内面反射光検知手段であるCPU121によって実行される。
ステップS302では、メインフローのステップS104で検出した撮影レンズの絞り状態Fnoが、所定のFno1よりも大きいか否かを判定する。小さければ(より明るい絞り状態に設定されていれば)、ステップS303へと進む。大きければ(より暗い絞り状態に設定されて入れば)、ステップS315へと進む。ここで、所定のFno1とは、撮影レンズからの入射光がミラーボックス壁面に当たることがなく、ミラーボックス壁面での内面反射光は発生しない絞り状態である。これは、ミラーボックスの大きさや、撮影レンズの射出瞳位置などによって異なるが、例えばF1.4やF1.8といった値が設定されている。
ステップS303では、画面上側からの内面反射光の有無を判別するため、画面上側にある画素群の、画素atopの信号出力値と画素btopの信号出力値とを比較する。
ここで、分割された複数領域間の画素信号の比較により、内面反射光の有無を判別する仕組みについて、以下に説明する。
図10は、ミラーボックスなどの壁面と、撮影画像領域に写る内面反射光の関係を示す模式図である。図11は、図10の線分A−A’での断面を矢印の方向から見たもので、瞳投影とミラーボックスでのケラレを説明する模式図である。
図10、11に示す通り、画素atopの開口P0atopと、撮影光学系の射出瞳面上における焦点検出用瞳EPatopは、マイクロレンズを介して共役関係にある。同様に、画素ctopの開口P0ctopと、撮影光学系の射出瞳面上における焦点検出用瞳EPctopは、マイクロレンズを介して共役関係にある。図11に示す通り、画素btopに入射する光はミラーボックス上側壁面でケラレている。これは、上側壁面で反射する内面反射光が画素btopに入射することも同時に示している。このことから、内面反射光がなければ、画素btopに入射する光は画素atopに入射する光よりも少ない。上側壁面で反射する内面反射光が撮像素子に入射すると、内面反射光は画素btopのみに入射し、画素btopの出力値が増える。
そこで、
atopの画素信号の出力値/btopの画素信号の出力値>Gtop
であれば、画面上側からの内面反射光はないと判定し、ステップS304へと進み、その結果をCPU121のROMに記憶する。逆であれば、ミラーボックス上側壁面で反射した内面反射光が画面上側に入射していると判定し、ステップS305へと進む。そして、その結果を内面反射光が入射している位置と共にCPU121のROMに記憶する。ここで、所定の閾値Gtopは、内面反射光がないときの画素atopの出力値と、画素btopの出力値の比を用いて設定され、CPU121に記憶されている。
ここでは、atopの画素信号の出力値とbtopの画素信号の出力値を例に説明したが、ctopの画素信号の出力値とdtopの画素信号の出力値についても全く同じことが言える。よって、
ctopの画素信号の出力値/dtopの画素信号の出力値>Gtop
で判定しても良いし、或いはその両方を用いたり、加算平均したもので判定しても良い。
ステップS306から、ステップS314までの動作は、ステップS303からステップS305までの動作と、考え方は同一である。ステップS306では、画面下側からの内面反射光の有無を判別するため、画面下側にある画素群の、画素abtmの信号出力値と画素bbtmの信号出力値とを比較する。
bbtmの画素信号の出力値/abtmの画素信号の出力値>Gbtm
であれば、画面下側からの内面反射光はないと判定し、ステップS307へと進み、その結果をCPU121のROMに記憶する。逆であれば、ミラーボックス下側壁面で反射した内面反射光が画面下側に入射していると判定し、ステップS308へと進む。そして、その結果を内面反射光が入射している位置と共にCPU121のROMに記憶する。
ステップS309では、画面右側からの内面反射光の有無を判別するため、画面右側にある画素群の、画素arightの信号出力値と画素crightの信号出力値とを比較する。
crightの画素信号の出力値/arightの画素信号の出力値>Gright
であれば、画面右側からの内面反射光はないと判定し、ステップS310へと進み、その結果をCPU121のROMに記憶する。逆であれば、ミラーボックス右側壁面で反射した内面反射光が画面右側に入射していると判定し、ステップS311へと進む。そして、その結果を内面反射光が入射している位置と共にCPU121のROMに記憶する。
ステップS312では、画面左側からの内面反射光の有無を判別するため、画面左側にある画素群の、画素aleftの信号出力値と画素cleftの信号出力値とを比較する。
aleftの画素信号の出力値/cleftの画素信号の出力値>Gleft
であれば、画面左側からの内面反射光はないと判定し、ステップS313へと進み、その結果をCPU121のROMに記憶する。逆であれば、ミラーボックス左側壁面で反射した内面反射光が画面左側に入射していると判定し、ステップS314へと進む。そして、その結果を内面反射光が入射している位置と共にCPU121のROMに記憶する。
ここで、内面反射光の有無を判別する閾値Gbtm、Gright、Gleftは、前述のGtopと同じく、内面反射光が無いときの各画素出力値を用いて設定され、CPU121に記憶されている。
ステップS315では、内面反射光が無いと判定し、その結果をCPU121のROMに記憶する。ステップS316にてメインルーチンに戻る。
図12は焦点検出サブルーチンのフローチャートである。当サブルーチンは、メインフローのステップS108から呼び出され、焦点検出手段、焦点検出方法変更手段であるCPU121によって実行される。
ステップS202では、プレビュー画像から被写体パターンを認識し、顔画像の判別や、撮影画面全体のコントラスト分析等を行なう。ステップS203では、ステップS202での認識結果から、焦点を合わせるべき主被写体を決定する。
ステップS204では、メインルーチンのステップS104で取得したレンズ情報に基づき、撮影光学系の射出瞳計算を行なう。具体的には、射出瞳の大きさや像面からの距離を算出し、次いで像高毎のビネッティング計算を行なう。
ステップS205では、メインルーチンのステップS107で算出された内面反射光検出の有無に基づき、ステップS203で決定した主被写体位置に内面反射光が有るかどうかの判定を行う。内面反射光が有ればステップS206へと進む。無ければ、ステップS207へと進む。
ステップS206では、内面反射光の影響の少ない視野を選択する。ここで内面反射光の影響の少ない視野について、図10の画面上側に主被写体があり、上側壁面からの内面反射光があるシーンを例に説明する。前述のとおり、上側壁面からの内面反射光は、4つに分割された画素のうち、画素btop、画素dtopに入射するが、画素atop、画素ctopには入射しない。また、画素btop、画素dtopは、上側壁面のほぼ同一位置からの光を受光するため、入射する内面反射光は同程度である。
前述のとおり、横線検出視野は、複数の画素atop、ctopを加算した信号出力を連ねて生成した第1の像信号と、複数の画素btop、dtopを加算した信号出力を連ねて生成した第2の像信号の像ずれ量、すなわち位相差を検出することで行う。そのため、横線検出視野では、第2の像信号のみに内面反射光が含まれ、第1の像信号には内面反射光が含まれない。このような、第1の像信号と第2の像信号を用いて位相差を検出すると、精度良く焦点検出を行うことができない。
それに対して、縦線検出視野は、複数の画素atop、btopを加算した信号出力を連ねて生成した第1の像信号と、複数の画素ctop、dtopを加算した信号出力を連ねて生成した第2の像信号の像ずれ量、すなわち位相差を検出することで行う。そのため、縦線検出視野では、第1の像信号と第2の像信号にほぼ同一の内面反射光が含まれる。そのため、横線検出視野よりも縦線検出視野の方がより精度よく焦点検出することが可能である。
そこで、画面上側付近に主被写体が有り、画面上側からの内面反射光がある際には、縦線検出視野を選択する。同様の考えにより、画面下側付近に主被写体が有り、画面下側からの内面反射光がある際には、縦線検出視野を選択する。また、画面右側付近に主被写体が有り、画面右側からの内面反射光がある際には、横線検出視野を選択する。また、画面左側付近に主被写体が有り、画面左側からの内面反射光がある際には、横線検出視野を選択する。ステップS207では、主被写体近傍において、縦線検出視野と、横線検出視野の両方を選択する。
ステップS208では、選択された視野の画素群の各光電変換部の出力から、相関演算用の1対2像を創生する。ステップS209では、創生した焦点検出信号に対して、ビネッティングにより生じた光量アンバランスを軽減する、いわゆるシェーディング補正を施す。これにより、2像の強度差が軽減され、焦点検出精度が向上する。
ステップS210では、シェーディング補正が施された2像の横ずれ量uを算出するための相関演算を行なう。ステップS211では、上記の相関演算の過程で算出された2像の一致度から、像ずれ検出結果の信頼性を判定し、信頼性の低い値は不採用とする。
ステップS212では、ステップS210及びステップS211にて得られた信頼性の高い像ずれ量uと、焦点検出に用いた画素群の基線長θから、デフォーカス量を算出する。ステップS213では、ステップS203で決定した主被写体領域と、ステップS212で算出したデフォーカス量に基づき、フォーカスレンズの駆動量を算出する。そしてステップS214にてメインルーチンに戻る。
以上説明したように本実施形態においては、内面反射光を検知することが可能になる。また、分割された光電変換部の複数領域間の画素信号を比較して内面反射光を検知するので、より精度良く内面反射光の有無を検知することが可能となる。また、内面反射光が画面の上側に入射といったように、入射した画面位置をより精度良く検知することが可能となる。また、検知した内面反射光に応じて、焦点検出方法を変更するので、より精度良く焦点検出を行うことが可能になる。
また、焦点検出に用いる像信号は、複数画素を加算して創生したS/Nの良い信号であるため、より精度良く焦点検出を行うことが可能になる。それにより、内面反射光があっても、誤測距による焦点検出の再実施が不要となり、撮影者が意図したタイミングでの撮影が可能になる。また、検知した内面反射光に応じて、画像記録処理を変更するので、より内面反射光の影響を除外した撮影画像を得ることが可能になる。
以上により、ミラーボックス内壁などでの反射光が撮像素子に入射しても、より高品位な撮影画像を得ることが可能な撮像装置を達成することができる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態は、撮像装置の構成は第1の実施形態と同一で、焦点検出サブルーチンの動作が異なる。具体的には、図12のステップS206からステップS208の、内面反射光の有無を判定し、焦点検出に用いる像信号を創生するまでの動作のみが異なる。第1の実施形態では、縦線検出と横線検出の優先度を変えることで、内面反射の影響の少ない焦点検出を行った。第2の実施形態では、焦点検出に用いる第1の像信号と第2の像信号を創生するための画素加算の方法を変える。
図13は第2の実施形態における、焦点検出サブルーチンの動作を説明するためのフローチャートである。図13のステップS401からステップS405までの動作は、図12のステップS201からステップS205までの動作と同一であるため、説明を省略する。
ステップS406では、内面反射光の影響の少ない画素群を選択する。ここで内面反射光の影響の少ない画素群について、図10の画面上側に主被写体があり、上側壁面からの内面反射光があるシーンを例に説明する。前述のとおり、上側壁面からの内面反射光は、4つに分割された画素のうち、画素btop、画素dtopに入射するが、画素atop、画素ctopには入射しない。
そこで、縦線検出視野は、複数の画素atopの信号出力を連ねて生成した第1の像信号と、複数の画素ctopの信号出力を連ねて生成した第2の像信号との像ずれ量、すなわち位相差を検出することで行う。それにより、全く内面反射光の無い画素信号のみを用いるので、より精度良く焦点検出することが可能になる。そこで、画面上側付近に主被写体が有り、画面上側からの内面反射光がある際には、画素atopと画素ctopの画素群を選択する。
同様の考えにより、画面下側付近に主被写体が有り、画面下側からの内面反射光がある際には、画素bbtmと画素dbtmの画素群を選択する。また、画面右側付近に主被写体が有り、画面右側からの内面反射光がある際には、画素crightと画素drightの画素群を選択する。また、画面左側付近に主被写体が有り、画面左側からの内面反射光がある際には、画素aleftと画素bleftの画素群を選択する。
ステップS408からステップS414までの動作は、図12のステップS208からステップS214までの動作と同一であるため、説明を省略する。
以上説明したように本実施形態においては、内面反射光を検知した際に、焦点検出に用いる像信号の創生するための画素加算方法を変更し、内面反射光の無い像信号のみを用いて焦点検出するので、より精度良く焦点検出を行うことが可能になる。それにより、ミラーボックス内壁などでの反射光が撮像素子に入射しても、より高品位な撮影画像を得ることが可能な撮像装置を達成することができる。
(第3の実施形態)
第3の実施形態は、撮像装置の構成は第1の実施形態と同一で、内面反射光検知サブルーチンの動作が異なる。具体的には、図9のステップS303からステップS314の動作を省略したもので、その他の動作は同一である。
図14は第3の実施形態における、内面反射光検出サブルーチンの動作を説明するためのフローチャートである。図14のサブルーチンは、メインフローのステップS107から呼び出され、内面反射光検知手段であるCPU121によって実行される。
ステップS502では、メインフローのステップS104で検出した撮影レンズの絞り状態Fnoが、所定のFno1よりも大きいか否かを判定する。小さければ(より明るい絞り状態に設定されていれば)、ステップS503へと進む。大きければ(より暗い絞り状態に設定されていれば)、ステップS504へと進む。ここで、所定のFno1とは、撮影レンズからの入射光がミラーボックス壁面に当たることがなく、ミラーボックス壁面での内面反射光は発生しない絞り状態である。これは、ミラーボックスの大きさや、撮影レンズの射出瞳位置などによって異なるが、例えばF1.4やF1.8といった値が設定されている。
ステップS503では、内面反射光が無いと判定し、その結果をCPU121のROMに記憶する。ステップS504では、内面反射光が有ると判定し、その結果をCPU121のROMに記憶する。ステップS505にてメインルーチンに戻る。
以上説明したように本実施形態においては、内面反射光を検知することが可能になる。また、設定された撮影レンズの絞り状態から内面反射光の有無を判定するので、複雑な処理が不要となり、より安価でかつ、より短い処理時間で内面反射光を検知することが可能となる。
以上により、ミラーボックス内壁などでの反射光が撮像素子に入射しても、より高品位な撮影画像を得ることが可能な撮像装置を達成することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (7)

  1. 撮像装置であって、
    撮影光学系により結像された被写体像を光電変換するための複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれが、前記被写体像が形成される面内に並ぶ2×2個以上の光電変換部を有する撮像素子と、
    前記光電変換部で得られた信号から位相差検出方式の焦点検出を行う焦点検出手段と、
    前記光電変換部で得られた信号から画像を生成する画像生成手段と、
    前記2×2個以上の光電変換部から得られた信号を比較して、前記撮像装置の内面反射光を検出する反射光検出手段と、を備え
    前記反射光検出手段は、前記2×2個以上の光電変換部のうち、前記内面反射光の原因となる反射面に近い光電変換部からの信号出力値の、前記反射面から遠い光電変換部からの信号出力値に対する比率が所定値よりも大きいか否かに基づいて前記内面反射光を検出することを特徴とする撮像装置。
  2. 前記反射光検出手段によって検出した前記内面反射光に応じて、前記焦点検出手段による焦点検出方法を変更する焦点検出方法変更手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記焦点検出方法変更手段は、被写体の縦線を検出して焦点検出を行うか、前記被写体の横線を検出して焦点検出を行うかの優先度を変えることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
  4. 前記焦点検出方法変更手段は、焦点検出に用いる像信号を創生するための信号の加算方法を変更することを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
  5. 前記反射光検出手段によって検出した前記内面反射光に応じて、前記画像生成手段の処理を変更することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  6. 前記反射光検出手段は、前記2×2個以上の光電変換部のうち、前記内面反射光の原因となる反射面に近い光電変換部からの信号出力値の、前記反射面から遠い光電変換部からの信号出力値に対する比率が前記所定値以下の場合に前記内面反射光が存在すると判断することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  7. 撮影光学系により結像された被写体像を光電変換するための複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれが、前記被写体像が形成される面内に並ぶ2×2個以上の光電変換部を有する撮像素子を備える撮像装置を制御する方法であって、
    前記光電変換部で得られた信号から位相差検出方式の焦点検出を行う焦点検出工程と、
    前記光電変換部で得られた信号から画像を生成する画像生成工程と、
    前記2×2個以上の光電変換部から得られた信号を比較して、前記撮像装置の内面反射光を検出する反射光検出工程と、を有し、
    前記反射光検出工程では、前記2×2個以上の光電変換部のうち、前記内面反射光の原因となる反射面に近い光電変換部からの信号出力値の、前記反射面から遠い光電変換部からの信号出力値に対する比率が所定値よりも大きいか否かに基づいて前記内面反射光を検出することを特徴とする撮像装置の制御方法。
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