JP5847661B2 - Substrate position adjusting device, substrate position adjusting method, program, and computer storage medium - Google Patents

Substrate position adjusting device, substrate position adjusting method, program, and computer storage medium Download PDF

Info

Publication number
JP5847661B2
JP5847661B2 JP2012167807A JP2012167807A JP5847661B2 JP 5847661 B2 JP5847661 B2 JP 5847661B2 JP 2012167807 A JP2012167807 A JP 2012167807A JP 2012167807 A JP2012167807 A JP 2012167807A JP 5847661 B2 JP5847661 B2 JP 5847661B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
holding mechanism
rotation
line sensor
rotation holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012167807A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014025859A (en
Inventor
生将 福留
生将 福留
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2012167807A priority Critical patent/JP5847661B2/en
Publication of JP2014025859A publication Critical patent/JP2014025859A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5847661B2 publication Critical patent/JP5847661B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、基板の位置調整を行う位置調整装置、位置調整装置を用いた基板の位置調整方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。   The present invention relates to a position adjusting device for adjusting the position of a substrate, a method for adjusting the position of a substrate using the position adjusting device, a program, and a computer storage medium.

例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィ処理では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜の周縁部を選択的に露光する周辺露光処理、周縁部が露光されたレジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストのパターンが形成される。   For example, in the photolithography process in the manufacture of semiconductor devices, for example, a resist coating process for forming a resist film by applying a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”), and selectively exposing the peripheral portion of the resist film Peripheral exposure processing, exposure processing for exposing a predetermined pattern on the resist film exposed at the peripheral portion, development processing for developing the exposed resist film, etc. are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer. The

上述のようにフォトリソグラフィ処理が行われる際には、ウェハの所定の位置に複数の処理が施される。そのため、処理毎にウェハの同じ位置に処理が施されるように、ウェハの位置合わせとして、いわゆるアライメントといわれる作業が行なわれる。   When the photolithography process is performed as described above, a plurality of processes are performed on a predetermined position of the wafer. Therefore, a so-called alignment operation is performed as alignment of the wafer so that the processing is performed at the same position of the wafer for each processing.

ウェハのアライメントにおいては、例えば特許文献1に開示されるように、ウェハを保持して回転させる機構が用いられる。そして、ウェハの中心位置とウェハを保持する機構の中心位置とを一致させた後、ウェハの回転方向の位置をウェハに形成されたノッチを検出することでウェハの位置調整を行う。   In wafer alignment, as disclosed in, for example, Patent Document 1, a mechanism for holding and rotating a wafer is used. Then, after aligning the center position of the wafer with the center position of the mechanism for holding the wafer, the position of the wafer is adjusted by detecting the notch formed in the wafer in the position in the rotation direction of the wafer.

特開2010−165706号公報JP 2010-165706 A

ところで、上述のウェハを保持する機構の中心位置とウェハの中心位置を合せるにあたっては、例えば図13に示すように、ウェハW上部の光源200の光をレンズ201により平行光にし、回転保持機構202保持されたウェハWの外周縁部に対して鉛直に照射する。そして、回転保持機構202に保持されたウェハWを低速で回転させながら、ウェハWに照射された光をウェハWの鉛直下方に配置したラインセンサ203により検出することにより行なわれる。具体的には、ウェハWの中心位置と回転保持機構200の中心位置とが一致していれば、回転するウェハWの外周縁部により遮られた光の端部は、常にラインセンサ203の同じ位置により検出される。そのため、ラインセンサ203に入力される光の位置が常に同じになるように、ウェハWの回転保持機構202に対する位置調整が行われる。   By the way, when the center position of the mechanism for holding the wafer is aligned with the center position of the wafer, for example, as shown in FIG. Irradiation is performed vertically on the outer peripheral edge of the held wafer W. Then, the light irradiated onto the wafer W is detected by the line sensor 203 disposed vertically below the wafer W while rotating the wafer W held on the rotation holding mechanism 202 at a low speed. Specifically, if the center position of the wafer W coincides with the center position of the rotation holding mechanism 200, the end of the light blocked by the outer peripheral edge of the rotating wafer W is always the same as that of the line sensor 203. Detected by position. Therefore, the position adjustment of the wafer W with respect to the rotation holding mechanism 202 is performed so that the position of the light input to the line sensor 203 is always the same.

しかしながら、レンズ201を用いても光源200の光は完全な平行光とはならないため、ラインセンサ203に入力される光にも誤差が生じてしまう。より具体的には、平面視におけるウェハWの外周端部の位置と、ラインセンサ203に入力されるウェハWの外周縁部により遮られた光の端部の位置との間にはずれが生じる。そのため、ウェハWの外周端部の位置を正確に把握することができず、その結果、アライメントの精度には限界があった。その一方、近年の半導体デバイスの高精細化に対応するためには、より高精度のアライメントが求められている。   However, even if the lens 201 is used, the light from the light source 200 does not become completely parallel light, so an error also occurs in the light input to the line sensor 203. More specifically, there is a deviation between the position of the outer peripheral end of the wafer W in plan view and the position of the end of light blocked by the outer peripheral edge of the wafer W input to the line sensor 203. Therefore, the position of the outer peripheral end portion of the wafer W cannot be accurately grasped, and as a result, there is a limit in alignment accuracy. On the other hand, in order to cope with the recent high definition of semiconductor devices, higher precision alignment is required.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板のアライメントを高精度で行なうことを目的とする。   The present invention has been made in view of such points, and an object of the present invention is to perform substrate alignment with high accuracy.

前記の目的を達成するため、本発明は、回転保持機構に基板を保持して回転させ、当該回転する基板の端部の位置を検出することで基板の中心位置を算出し、当該算出された基板の中心位置の情報に基づいて基板の位置調整を行う位置調整装置であって、前記回転保持機構に保持された基板の外周縁部を挟んで上下方向に対向して設けられた、基板に平行光を照射する光源及び当該光源からの光を検出するラインセンサと、前記ラインセンサと前記回転保持機能に保持された基板とを、基板の直径方向に沿って相対的に移動させる移動機構と、前記光源から基板に平行光を照射しながら前記ラインセンサと前記基板とが相対的に移動するように前記移動機構を制御し、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離と、前記ラインセンサと前記基板とを相対的に移動させた場合に前記ラインセンサで検出される光の移動する量とに基づいて、前記相対的な移動距離と前記光の移動量との相関関係を求める制御を行う制御部と、を有し、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離と、前記ラインセンサで検出される光の移動量との相関関係は、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離と前記ラインセンサで検出される光の移動量との差分と、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離との相関関係であり、前記制御部は、前記相関関係に基づいて、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離とラインセンサで検出される光の移動量との差分を補正する補正値を求め、当該補正値により補正した基板の中心位置の情報に基づいて、前記回転保持機構の中心位置と基板の中心位置を一致させる制御を行うことを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention calculates the center position of the substrate by detecting the position of the end portion of the rotating substrate by holding the substrate in the rotation holding mechanism and rotating it, and calculating the calculated position. A position adjustment device that adjusts the position of a substrate based on information on the center position of the substrate , wherein the substrate is provided facing the vertical direction across the outer peripheral edge of the substrate held by the rotation holding mechanism. A light source that emits parallel light, a line sensor that detects light from the light source, and a moving mechanism that relatively moves the line sensor and the substrate held by the rotation holding function along the diameter direction of the substrate; Controlling the movement mechanism so that the line sensor and the substrate move relatively while irradiating the substrate with parallel light from the light source, and the relative movement distance between the line sensor and the substrate, Line sensor Control is performed to obtain a correlation between the relative movement distance and the amount of light movement based on the amount of light movement detected by the line sensor when the substrate is relatively moved. possess a control unit, and a relative movement distance between the substrate and the line sensor, correlation between the movement amount of light detected by the line sensor, relative to the substrate and the line sensor A difference between a distance between the line sensor and the amount of light detected by the line sensor and a relative distance between the line sensor and the substrate, and the control unit is based on the correlation. The correction value for correcting the difference between the relative movement distance between the line sensor and the substrate and the movement amount of the light detected by the line sensor is obtained, and the information on the center position of the substrate corrected by the correction value Based on the rotation holding It is characterized by performing control for matching the center position and the center position of the substrate structure.

本発明によれば、ラインセンサと基板とを相対的に移動させた場合にラインセンサで検出される光の移動量と、ラインセンサと基板との相対的な移動距離との相関関係を求める。そのため、基板の位置調整を行う際、この相関関係に基づいてラインセンサで検出される光の位置を補正することで、極めて誤差の少ない位置検出が可能となる。その結果、基板のアライメント作業を高精度で行なうことができる。   According to the present invention, the correlation between the movement amount of light detected by the line sensor when the line sensor and the substrate are relatively moved and the relative movement distance between the line sensor and the substrate is obtained. For this reason, when the position of the substrate is adjusted, the position of light detected by the line sensor is corrected based on this correlation, thereby enabling position detection with very little error. As a result, the substrate alignment operation can be performed with high accuracy.

前記制御部は、前記回転保持機構への回転数指令と当該回転保持機構の実回転数との相関関係を記憶する記憶手段を有していてもよい。   The control unit may include a storage unit that stores a correlation between a rotation speed command to the rotation holding mechanism and an actual rotation speed of the rotation holding mechanism.

前記回転保持機構への回転指令と当該回転保持機構の実回転数との相関関係は、前記回転保持機構への回転指令に対する回転保持機構の実回転数の動作遅れ時間であってもよい。   The correlation between the rotation command to the rotation holding mechanism and the actual rotation speed of the rotation holding mechanism may be an operation delay time of the actual rotation speed of the rotation holding mechanism with respect to the rotation command to the rotation holding mechanism.

前記回転保持機構への回転数指令に対する前記回転保持機構の実回転数の動作遅れ時間は、前記回転保持機構により基板の外周部を凹凸に形成した測定用基板を保持した状態で前記光源から前記測定用基板に平行光を照射し、次いで前記回転保持機構を回転させて前記ラインセンサで前記測定用基板の凹凸形状を検出し、
次いで制御部からの前記回転保持機構への回転指令と、前記ラインセンサにおいて前記測定用基板の凹凸形状を検出するタイミングとを比較することで求められてもよい。
The operation delay time of the actual rotation number of the rotation holding mechanism with respect to the rotation number command to the rotation holding mechanism is determined from the light source in a state in which the measurement substrate having the outer peripheral portion of the substrate formed with irregularities is held by the rotation holding mechanism. Irradiate the measurement substrate with parallel light, then rotate the rotation holding mechanism to detect the uneven shape of the measurement substrate with the line sensor,
Then, the rotation command from the control unit to the rotation holding mechanism may be obtained by comparing the timing at which the line sensor detects the uneven shape of the measurement substrate with the line sensor.

前記測定用基板の凹凸は、周方向に沿って等間隔に設けられ、測定用基板の凹凸形状の検出は、前記回転保持機構の回転数が一定の状態で行なわれてもよい。   The unevenness of the measurement substrate may be provided at equal intervals along the circumferential direction, and the uneven shape of the measurement substrate may be detected in a state where the rotation number of the rotation holding mechanism is constant.

前記制御部は、前記回転保持機構への回転指令を前記記憶手段に記憶された回転保持機構の実回転数の動作遅れ時間で補正し、前記補正後の回転指令により前記回転保持機構を回転させてもよい。   The control unit corrects the rotation command to the rotation holding mechanism with the operation delay time of the actual rotation number of the rotation holding mechanism stored in the storage unit, and rotates the rotation holding mechanism according to the corrected rotation command. May be.

別な観点による本発明によれば、回転保持機構に基板を保持して回転させ、当該回転する基板の端部の位置を検出することで基板の中心位置を算出し、当該算出された基板の中心位置の情報に基づいて基板の位置調整を行う位置調整方法であって、基板の外周縁部に光源から平行光を照射しながら、前記回転保持機構を、当該回転保持機構に保持された基板の外周縁部を挟んで前記光源に対向して設けられたラインセンサに対して相対的に移動させ、前記ラインセンサと前記基板とを相対的に移動させた場合に前記ラインセンサで検出される光の移動量と、当該ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離との差分を求め、前記差分と、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離との相関関係を求め、前記相関関係に基づいて、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離とラインセンサで検出される光の移動量との差分を補正する補正値を求め、前記補正値により補正した基板の中心位置の情報に基づいて、前記回転保持機構の中心位置と基板の中心位置を一致させることを特徴としている。
According to another aspect of the present invention, the rotation holding mechanism holds and rotates the substrate, detects the position of the end of the rotating substrate, calculates the center position of the substrate, and calculates the calculated substrate A position adjustment method for adjusting a position of a substrate based on information on a center position, wherein the rotation holding mechanism is held by the rotation holding mechanism while irradiating parallel light from a light source to an outer peripheral edge portion of the substrate. Is detected by the line sensor when the line sensor and the substrate are moved relatively with respect to the line sensor provided facing the light source across the outer peripheral edge of the Find the difference between the amount of light movement and the relative movement distance between the line sensor and the substrate , determine the correlation between the difference and the relative movement distance between the line sensor and the substrate , based on the correlation, before Obtains a correction value for correcting the difference between the relative moving distance and the moving amount of light detected by the line sensor of the line sensor and the substrate, based on the corrected information of the center position of the substrate by the correction value, The center position of the rotation holding mechanism is matched with the center position of the substrate.

前記回転保持機構への回転指令と当該回転保持機構の実回転数との相関関係に基づいて、前記回転保持機構への回転指令を補正してもよい。   The rotation command to the rotation holding mechanism may be corrected based on the correlation between the rotation command to the rotation holding mechanism and the actual rotation speed of the rotation holding mechanism.

前記回転保持機構への回転指令と当該回転保持機構の実回転数との相関関係は、前記回転保持機構への回転指令に対する回転保持機構の実回転の動作遅れ時間であってもよい。   The correlation between the rotation command to the rotation holding mechanism and the actual rotation speed of the rotation holding mechanism may be an operation delay time of the actual rotation of the rotation holding mechanism with respect to the rotation command to the rotation holding mechanism.

前記回転保持機構への回転指令に対する前記回転保持機構の実回転数の動作遅れ時間は、前記回転保持機構により基板の外周部を凹凸に形成した測定用基板を保持した状態で前記光源から前記測定用基板に平行光を照射し、次いで前記回転保持機構を回転させて前記ラインセンサで前記測定用基板の凹凸形状を検出し、
次いで前記回転保持機構への回転指令と、前記ラインセンサにおいて前記測定用基板の凹凸形状を検出するタイミングとを比較することで求められてもよい。
The operation delay time of the actual rotation speed of the rotation holding mechanism with respect to the rotation command to the rotation holding mechanism is measured from the light source in a state in which the measurement holding substrate in which the outer peripheral portion of the substrate is formed uneven by the rotation holding mechanism is held. Irradiate the substrate for parallel light, then rotate the rotation holding mechanism to detect the uneven shape of the measurement substrate with the line sensor,
Then, the rotation command to the rotation holding mechanism may be obtained by comparing the timing at which the line sensor detects the uneven shape of the measurement substrate.

前記測定用基板の凹凸は、周方向に沿って等間隔に設けられ、測定用基板の凹凸形状の検出は、前記回転保持機構の回転数が一定の状態で行なわれてもよい。   The unevenness of the measurement substrate may be provided at equal intervals along the circumferential direction, and the uneven shape of the measurement substrate may be detected in a state where the rotation number of the rotation holding mechanism is constant.

また別な観点による本発明によれば、前記基板の位置調整方法を基板の位置調整装置によって実行させるように、当該基板の位置調整装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate position adjustment device so that the substrate position adjustment method is executed by the substrate position adjustment device. The

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

本発明によれば、基板のアライメントを高精度で行なうことができる。   According to the present invention, substrate alignment can be performed with high accuracy.

本実施の形態にかかる位置調整装置の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the position adjustment apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる位置調整装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the position adjustment apparatus concerning this Embodiment. 搬送アームの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of a conveyance arm. ウェハの端部位置の検出方法の説明図である。It is explanatory drawing of the detection method of the edge part position of a wafer. ウェハ位置調整の主な工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main processes of wafer position adjustment. ウェハの位置調整方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the position adjustment method of a wafer. ウェハの位置調整方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the position adjustment method of a wafer. ラインセンサの位置とそこで生じる差分との相関関係を示すグラフである。It is a graph which shows the correlation of the position of a line sensor, and the difference which arises there. 回転指令と実回転の動作遅れ時間との相関関係を示すグラフである。It is a graph which shows correlation with rotation instruction | command and the operation delay time of real rotation. 測定用ウェハを用いたエッジ部の検出方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the detection method of the edge part using the wafer for a measurement. チャック駆動部への回転指令とラインセンサで検出されるエッジ部の位置との相関関係を示すグラフである。It is a graph which shows the correlation with the rotation command to a chuck | zipper drive part, and the position of the edge part detected by a line sensor. ラインセンサの位置とそこで生じる差分との相関関係を示す表である。It is a table | surface which shows the correlation with the position of a line sensor, and the difference which arises there. 基板の位置調整方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the position adjustment method of a board | substrate.

以下、本発明の実施の形態にかかるウェハWの位置調整装置1について説明する。図1は、位置調整装置1の構成の概略を示す平面図である。図2は、位置調整装置1の構成の概略を示す平面図である。   Hereinafter, a wafer W position adjusting apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view showing an outline of the configuration of the position adjusting device 1. FIG. 2 is a plan view illustrating the outline of the configuration of the position adjusting device 1.

位置調整装置1は、筐体10を有している。筐体10の側面には、ウェハWの搬入出口11を開閉するシャッタ12が設けられている。ウェハWは、後述する搬送アーム60によりこの搬入出口11から搬入出される。   The position adjusting device 1 has a housing 10. A shutter 12 that opens and closes the loading / unloading port 11 for the wafer W is provided on a side surface of the housing 10. The wafer W is loaded / unloaded from the loading / unloading port 11 by a transfer arm 60 described later.

筐体10の内部には、ウェハWを保持する回転保持機構としてのウェハチャック20が設けられている。ウェハチャック20は、ウェハWを保持する保持部21と保持部21の下面を支持する支持軸22を有している。保持部21は、水平な上面を有し、ウェハWの直径より小さく水平な略円盤状に形成されている。また、保持部21の上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWを保持部21上に吸着保持できる。   A wafer chuck 20 as a rotation holding mechanism for holding the wafer W is provided inside the housing 10. The wafer chuck 20 includes a holding unit 21 that holds the wafer W and a support shaft 22 that supports the lower surface of the holding unit 21. The holding unit 21 has a horizontal upper surface and is formed in a substantially disk shape that is smaller than the diameter of the wafer W and is horizontal. Further, a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example, is provided on the upper surface of the holding unit 21. The wafer W can be sucked and held on the holding portion 21 by suction from the suction port.

ウェハWを支持する支持軸22は、ウェハチャック20の下方に設けられたチャック駆動部30に接続されている。チャック駆動部30は、後述の制御部100からの指令信号に基づき、支持軸22を任意の方向に所望の回転数で回転させることができ、これにより、ウェハチャック20は回転自在となっている。また、チャック駆動部30は、筐体10内の底面に設けられたレール31上に取り付けられている。レール31は図1のY方向に沿って延伸し、ウェハチャック20は、チャック駆動部30によりレール31に沿って移動できる。すなわち、ウェハチャック20は、ウェハWを筐体10の外部との間で搬入出するための受渡位置P1と、ウェハWの位置調整を行うアライメント位置P2との間を移動できる。   The support shaft 22 that supports the wafer W is connected to a chuck drive unit 30 provided below the wafer chuck 20. The chuck drive unit 30 can rotate the support shaft 22 in a desired direction at a desired number of rotations based on a command signal from the control unit 100 to be described later, whereby the wafer chuck 20 is rotatable. . Further, the chuck driving unit 30 is attached on a rail 31 provided on the bottom surface in the housing 10. The rail 31 extends along the Y direction in FIG. 1, and the wafer chuck 20 can be moved along the rail 31 by the chuck driving unit 30. That is, the wafer chuck 20 can move between a delivery position P1 for carrying the wafer W in and out of the housing 10 and an alignment position P2 for adjusting the position of the wafer W.

筐体10の例えば天井下面には、鉛直下方に向けて平行光を照射する光源40が設けられている。この光源40は、アライメント位置P2においてウェハチャック20に保持されたウェハWの外周縁部に平行光を照射できる位置に配置されている。光源40は、ランプなどの発光部41と、発光部41からの光を平行光にするレンズ42により構成されている。   For example, a light source 40 that irradiates parallel light downward vertically is provided on the lower surface of the ceiling of the housing 10. The light source 40 is disposed at a position where the outer peripheral edge of the wafer W held by the wafer chuck 20 can be irradiated with parallel light at the alignment position P2. The light source 40 includes a light emitting unit 41 such as a lamp and a lens 42 that collimates light from the light emitting unit 41.

光源40の下方には、光源40から照射された光を検出するラインセンサ50が設けられている。このラインセンサ50は、ウェハチャック20に保持されたウェハWを挟んで光源40に対向する位置に配置されている。そのため、光源40から照射された光はその一部がウェハWに遮られ、ラインセンサ50の受光部にはウェハWに遮られなかった光が入力される。ラインセンサ50は後述する制御部100に接続されている。   A line sensor 50 that detects light emitted from the light source 40 is provided below the light source 40. The line sensor 50 is disposed at a position facing the light source 40 across the wafer W held by the wafer chuck 20. Therefore, a part of the light emitted from the light source 40 is blocked by the wafer W, and the light not blocked by the wafer W is input to the light receiving portion of the line sensor 50. The line sensor 50 is connected to the control unit 100 described later.

また、図1に示すように、ラインセンサ50の受光部51は、レール31の延伸する方向に沿うように設けられている。換言すると、ラインセンサ50の受光部51は、平面視においてレール31に平行になっている。そのため、光源40からウェハWに光を照射した状態でチャック駆動部30をレール31に沿って移動させると、光源40から照射されてウェハWに遮られることなくラインセンサ50に入力される光と、ウェハWに遮られて影になる部分との境界の位置は、受光部51の長さ方向に沿って平行に移動する構成となっている。   As shown in FIG. 1, the light receiving portion 51 of the line sensor 50 is provided along the direction in which the rail 31 extends. In other words, the light receiving portion 51 of the line sensor 50 is parallel to the rail 31 in plan view. Therefore, when the chuck driving unit 30 is moved along the rail 31 in a state where light is irradiated from the light source 40 to the wafer W, the light input from the light source 40 and input to the line sensor 50 without being blocked by the wafer W The position of the boundary with the shadowed portion of the wafer W is configured to move in parallel along the length direction of the light receiving portion 51.

上述した搬送アーム60は、図3に示すように、例えばウェハWより僅かに大きい径の略C字型のアーム部60aを有している。アーム部60aの内側には、内側に向かって突出し、ウェハWの外周部を支持する支持部60bが複数箇所、例えば3箇所に設けられている。搬送アーム60は図示しない駆動機構により前後左右及び上下方向に移動自在に構成されており、搬入出口11から筐体10内のウェハチャック20とウェハWの受け渡しを行なうことができる。   As shown in FIG. 3, the transfer arm 60 described above has a substantially C-shaped arm portion 60 a having a diameter slightly larger than the wafer W, for example. Inside the arm portion 60a, support portions 60b projecting inward and supporting the outer peripheral portion of the wafer W are provided at a plurality of locations, for example, three locations. The transfer arm 60 is configured to be movable back and forth, right and left and up and down by a driving mechanism (not shown), and can transfer the wafer W and the wafer W in the housing 10 from the loading / unloading port 11.

以上の位置調整装置1には、図1に示すように制御部100が設けられている。制御部100は、例えばCPUやメモリなどを備えたコンピュータであり、図1に示すようにプログラム格納手段101、制御部100に入力された信号の演算処理を行う演算手段102、演算手段102で生成した情報を記憶する記憶手段103を有している。プログラム格納部には、位置調整装置1におけるチャック駆動部30や搬送アーム60などの動作を制御するプログラムが格納されている。なお、プログラム格納手段101は、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体であってもよい。また、プログラムはこの記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部100にインストールされたものであってもよい。   The above position adjusting device 1 is provided with a control unit 100 as shown in FIG. The control unit 100 is a computer including, for example, a CPU and a memory, and is generated by a program storage unit 101, a calculation unit 102 that performs calculation processing of a signal input to the control unit 100, and a calculation unit 102 as illustrated in FIG. Storage means 103 for storing the received information. The program storage unit stores a program for controlling operations of the chuck driving unit 30 and the transfer arm 60 in the position adjusting apparatus 1. The program storage means 101 is a computer-readable storage medium such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnet optical desk (MO), memory card, or the like. May be. Further, the program may be recorded in this storage medium and installed in the control unit 100 from the storage medium.

演算手段102は、制御部100に入力されるラインセンサ50からの信号や、チャック駆動部30への制御指令信号に基づき、ウェハWの位置調整を行うための補正値を求める演算処理を行うものである。演算手段102での演算処理について説明するにあたり、先ずウェハWの位置調整について説明する。   The calculation means 102 performs calculation processing for obtaining a correction value for adjusting the position of the wafer W based on a signal from the line sensor 50 input to the control unit 100 and a control command signal to the chuck driving unit 30. It is. Before describing the arithmetic processing in the arithmetic means 102, the position adjustment of the wafer W will be described first.

ウェハWの位置調整を行うにあたっては、図4に示すように、ウェハWをウェハチャック20で保持した状態で回転させ、光源40から照射された光をラインセンサ50で検出する(図5の工程S1)。この際、ラインセンサ50に入力される光と、回転するウェハWの外周端部により遮られて影になる部分との境界Lの位置が、ウェハWの外周端部の位置として求められる。そして、ラインセンサ50に入力される光と、回転するウェハWの周縁部により遮られて影になる部分との境界の位置が、常にラインセンサ50の同じ位置で検出されると、ウェハWの中心位置とウェハチャックの中心位置とが一致しているものと判断される。一方、中心位置がずれている場合、ラインセンサ50で検出される境界Lの位置は例えば所定の振幅を有する周期関数状に変化する。   In adjusting the position of the wafer W, as shown in FIG. 4, the wafer W is rotated while being held by the wafer chuck 20, and the light emitted from the light source 40 is detected by the line sensor 50 (step of FIG. 5). S1). At this time, the position of the boundary L between the light input to the line sensor 50 and the portion that is shaded by the outer peripheral end of the rotating wafer W is obtained as the position of the outer peripheral end of the wafer W. When the position of the boundary between the light input to the line sensor 50 and the portion that is shaded by the peripheral edge of the rotating wafer W is always detected at the same position of the line sensor 50, It is determined that the center position matches the center position of the wafer chuck. On the other hand, when the center position is shifted, the position of the boundary L detected by the line sensor 50 changes, for example, in a periodic function having a predetermined amplitude.

そこで演算手段102では、ラインセンサ50による境界Lの検出位置の変化から、ウェハWの中心位置とウェハチャック20の中心位置とのずれ量、具体的には、ウェハWの中心位置とウェハチャック20の中心位置との直線距離を算出する(図5の工程S2)。また、それと共に、ウェハWの中心位置とウェハチャック20の中心位置とのXY方向におけるずれ方向を算出する。(図5の工程S3)。続いて、この算出されたずれ量とずれ方向に基づき例えば図6に示すように、ウェハWの中心位置がウェハチャック20の中心を原点とするY軸上に位置するように、制御部100からの回転指令によりウェハチャック20を所定の角度θだけ回転させる(図5の工程S4)。次いで、図7に示すように、ウェハWの中心位置がウェハチャック20の中心に位置するように、搬送アーム60によりX軸に沿ってウェハWを移動させる(図5の工程S5)。これによりウェハチャック20の中心位置にウェハWの中心位置が合わせられる。   Therefore, in the calculation means 102, the amount of deviation between the center position of the wafer W and the center position of the wafer chuck 20 from the change in the detection position of the boundary L by the line sensor 50, specifically, the center position of the wafer W and the wafer chuck 20 is determined. The straight line distance from the center position of is calculated (step S2 in FIG. 5). At the same time, the shift direction in the XY direction between the center position of the wafer W and the center position of the wafer chuck 20 is calculated. (Step S3 in FIG. 5). Subsequently, based on the calculated shift amount and shift direction, as shown in FIG. 6, for example, the control unit 100 sets the center position of the wafer W on the Y axis with the center of the wafer chuck 20 as the origin. , The wafer chuck 20 is rotated by a predetermined angle θ (step S4 in FIG. 5). Next, as shown in FIG. 7, the wafer W is moved along the X axis by the transfer arm 60 so that the center position of the wafer W is positioned at the center of the wafer chuck 20 (step S5 in FIG. 5). Thereby, the center position of the wafer W is adjusted to the center position of the wafer chuck 20.

次いで、ウェハWとウェハチャック20の中心位置が合致した状態でウェハチャック20を回転させ、ラインセンサ20によりノッチ部の位置を検出する(図5の工程S6)。続いて、制御部100からの回転指令によりノッチ部がウェハWの周方向の所定の位置になるように、ウェハチャック20によりウェハWを所定の角度だけ回転させ(図5の工程S7)、ウェハWのアライメント作業が完了する。   Next, the wafer chuck 20 is rotated in a state where the center positions of the wafer W and the wafer chuck 20 coincide with each other, and the position of the notch portion is detected by the line sensor 20 (step S6 in FIG. 5). Subsequently, the wafer W is rotated by a predetermined angle by the wafer chuck 20 so that the notch is positioned at a predetermined position in the circumferential direction of the wafer W according to a rotation command from the control unit 100 (step S7 in FIG. 5), and the wafer. W alignment work is completed.

この際、光源40からの光が完全な平行光であれば、上述の操作によりウェハWの中心位置とウェハチャック20の中心位置とは完全に一致する。しかしながら、実際には光源40からの光は完全な平行光となっていないため、平面視における実際のウェハWの端部の位置と、ラインセンサ50で検出される境界Lの位置との間にはずれが存在し、その結果計測誤差が生じてしまう。   At this time, if the light from the light source 40 is completely parallel light, the center position of the wafer W and the center position of the wafer chuck 20 are completely matched by the above-described operation. However, since the light from the light source 40 is not completely parallel light in practice, it is between the actual position of the end of the wafer W in plan view and the position of the boundary L detected by the line sensor 50. Misalignment exists, resulting in measurement errors.

そこで演算手段102では、光源40の影響により生じる誤差、及びその誤差を補正する補正値を求める。誤差を求めるにあたっては、先ず光源40からウェハチャック20に保持されたウェハWに平行光が照射される。この際、ウェハチャック20の回転は停止した状態である。   Therefore, the calculation means 102 obtains an error caused by the influence of the light source 40 and a correction value for correcting the error. In determining the error, first, parallel light is irradiated from the light source 40 onto the wafer W held on the wafer chuck 20. At this time, the rotation of the wafer chuck 20 is stopped.

次いで、制御部100によりチャック駆動部30に対して所定の距離、本実施の形態においては、チャック駆動部30とラインセンサ50との水平方向の相対的な距離が、例えば0.4mm〜1mmずつステップ状に移動するように指令信号が出力され、ウェハチャック20が図4のY方向に移動される(図5の工程T1)。このチャック駆動部30の移動に伴う境界Lの位置の変化をラインセンサ50で検出する(図5の工程T2)。この際、光源40から照射される光が完全な平行光であれば、チャック駆動部30とラインセンサ50との相対的な移動距離と、ラインセンサ50で検出される境界Lの移動量とは完全に一致するため、その差分はゼロとなる。しかしながら、記述の通りチャック駆動部30の移動距離とラインセンサ50で検出される境界Lの移動量との間には僅かな差が生じる。なお、ラインセンサ50のある所定の位置ではチャック駆動部30の移動距離と、ラインセンサ50で検出される境界Lの移動量との差分がゼロとなっていなくても、ラインセンサ50の他の位置ではこの差分がゼロとなるということもありうる。   Next, a predetermined distance with respect to the chuck driving unit 30 by the control unit 100, in this embodiment, the horizontal relative distance between the chuck driving unit 30 and the line sensor 50 is, for example, 0.4 mm to 1 mm each. A command signal is output so as to move in steps, and the wafer chuck 20 is moved in the Y direction in FIG. 4 (step T1 in FIG. 5). A change in the position of the boundary L accompanying the movement of the chuck driving unit 30 is detected by the line sensor 50 (step T2 in FIG. 5). At this time, if the light emitted from the light source 40 is completely parallel light, the relative moving distance between the chuck driving unit 30 and the line sensor 50 and the moving amount of the boundary L detected by the line sensor 50 are: The difference is zero because they match completely. However, as described, there is a slight difference between the moving distance of the chuck driving unit 30 and the moving amount of the boundary L detected by the line sensor 50. Even if the difference between the movement distance of the chuck driving unit 30 and the movement amount of the boundary L detected by the line sensor 50 is not zero at a predetermined position of the line sensor 50, This difference may be zero at the position.

そこで演算手段102では、先ずチャック駆動部30の移動距離と、ラインセンサ50で検出される境界Lの移動量との差分をラインセンサ50の長さ方向(図1のY方向)に沿って演算により求める(図5の工程T3)。そしてこの差分と、チャック駆動部30の移動距離との相関関係、換言すればラインセンサ50の位置とその位置で生じる差分との相関関係を求める(図5の工程T4)。   Therefore, the calculation means 102 first calculates the difference between the movement distance of the chuck drive unit 30 and the movement amount of the boundary L detected by the line sensor 50 along the length direction of the line sensor 50 (Y direction in FIG. 1). (Step T3 in FIG. 5). Then, a correlation between this difference and the movement distance of the chuck driving unit 30, in other words, a correlation between the position of the line sensor 50 and the difference generated at that position is obtained (step T4 in FIG. 5).

具体的には、図8に示すように、例えばチャック駆動部30の移動距離をラインセンサ50の検出部51の位置として置き換えたものを横軸に、ラインセンサ50で検出される境界Lの移動量の差分を縦軸としてグラフ化し、その相関関係を求める。図7の「測定データ」は、演算手段102で算出した実際の差分を表している。「近似式」及び「補正後データ」については次に説明する。なお、本実施の形態では、例えば図4に示すように、ウェハチャック20をラインセンサ50に沿って移動させた際に、ウェハチャック20の移動距離と境界Lの移動量の差分との相関が三角関数状となる場合を例に挙げて説明する。   Specifically, as shown in FIG. 8, for example, the movement of the boundary L detected by the line sensor 50 with the horizontal axis representing the movement distance of the chuck drive unit 30 replaced with the position of the detection unit 51 of the line sensor 50. The difference in quantity is plotted on the vertical axis, and the correlation is obtained. “Measurement data” in FIG. 7 represents an actual difference calculated by the calculation means 102. The “approximation formula” and “corrected data” will be described next. In this embodiment, for example, as shown in FIG. 4, when the wafer chuck 20 is moved along the line sensor 50, there is a correlation between the movement distance of the wafer chuck 20 and the difference in the movement amount of the boundary L. An example of a trigonometric function will be described.

チャック駆動部30の移動距離と境界Lの移動量の差分との相関関係が求まると、次に演算手段102では、「測定データ」の近似式Fを求める。本実施の形態においては、近似式Fは上述の通り例えば三角関数状となる。次いで近似式Fの逆関数を求める(図5の工程T5)。そして、近似式Fの逆関数と「測定データ」との積が、光源40に起因して生じる誤差を補正した後の「補正後データ」として算出される。即ち、近似式Fの逆関数は、光源40に起因して生じる誤差を補正する補正値となる。なお、演算手段102で生成した近似式Fの逆関数の情報は、記憶手段103に記憶される。   When the correlation between the movement distance of the chuck driving unit 30 and the difference in the movement amount of the boundary L is obtained, the computing unit 102 obtains an approximate expression F of “measurement data”. In the present embodiment, the approximate expression F is, for example, a trigonometric function as described above. Next, an inverse function of the approximate expression F is obtained (step T5 in FIG. 5). Then, the product of the inverse function of the approximate expression F and “measurement data” is calculated as “corrected data” after correcting an error caused by the light source 40. In other words, the inverse function of the approximate expression F becomes a correction value for correcting an error caused by the light source 40. Note that information on the inverse function of the approximate expression F generated by the calculation means 102 is stored in the storage means 103.

そして、演算手段102では、図5の工程S1においてラインセンサ50で検出した境界Lの位置を、記憶手段103から読み出した「補正式」の逆関数の情報に基づいて補正し「補正後データ」を算出する。これにより、光源40に起因する誤差を除いた、より正確な境界Lの位置が検出される。そして、図5の工程S2では、この「補正後データ」に基づいてウェハWとウェハチャック20との中心位置のずれ量が算出される。この結果、光源40に起因する誤差を除いた、より正確なずれ量を把握でき、高精度なウェハWの位置調整が可能となる。   Then, the computing means 102 corrects the position of the boundary L detected by the line sensor 50 in step S1 of FIG. 5 based on the inverse function information of the “correction formula” read from the storage means 103, and “corrected data”. Is calculated. As a result, a more accurate position of the boundary L excluding errors due to the light source 40 is detected. Then, in step S2 of FIG. 5, the deviation amount of the center position between the wafer W and the wafer chuck 20 is calculated based on this “corrected data”. As a result, it is possible to grasp a more accurate deviation amount excluding an error caused by the light source 40 and to adjust the position of the wafer W with high accuracy.

また、演算手段102では、ウェハWの中心位置とウェハチャック20の中心位置のずれ量の補正値のほかに、ウェハWの回転方向の位置ずれの補正を行うための演算処理も行われる。ウェハWの回転方向の位置ずれの補正について説明する。   In addition to the correction value of the shift amount between the center position of the wafer W and the center position of the wafer chuck 20, the calculation means 102 also performs calculation processing for correcting the shift in the rotation direction of the wafer W. The correction of the positional deviation in the rotation direction of the wafer W will be described.

ウェハWの回転方向の位置調整は、ウェハチャック20によってウェハWを回転させ、ウェハWのノッチ部の位置を調整してウェハWを所定の向きに配置することで行われる。この際、ノッチ部の位置は、光源40からウェハWに光を照射しながらウェハチャック20を回転させ、ラインセンサ50により検出したノッチ部の位置と、制御部100からのウェハチャック20へ回転指令信号とを照合することにより求められる。   The position adjustment of the rotation direction of the wafer W is performed by rotating the wafer W by the wafer chuck 20, adjusting the position of the notch portion of the wafer W, and arranging the wafer W in a predetermined direction. At this time, the position of the notch portion is determined by rotating the wafer chuck 20 while irradiating light onto the wafer W from the light source 40, and the position of the notch portion detected by the line sensor 50 and the rotation command from the control unit 100 to the wafer chuck 20. It is obtained by checking the signal.

しかしながら、チャック駆動部30のモータの動作遅れやモータを操作するスイッチング回路機器等などによる応答速度の影響により、実際のウェハチャック20の回転動作は、制御部100からのチャック駆動部30への回転速度の指令に対して遅れを生じる。具体的には、例えば図9のグラフに示すように、回転中は回転指令に対してモータの実回転に遅れが生じ、100msec以後、安定した値となる。そのためノッチ部の位置を特定し、特定したノッチ部を所定の回転方向の位置に移動させるようにチャック駆動部30に制御信号を出力しても、実際のウェハWのノッチの位置は、制御部100からの指令に対応した位置と一致したものとならない。また、回転指令と実回転とが一致しないことにより、工程S3で算出するずれ方向についても誤差が生じてしまう。そこで演算手段102により、ウェハWの回転方向の位置ずれを補正するための補正値が求められる。   However, due to the delay in the operation of the motor of the chuck drive unit 30 and the response speed due to the switching circuit device that operates the motor, the actual rotation operation of the wafer chuck 20 is performed from the control unit 100 to the chuck drive unit 30. A delay occurs with respect to the speed command. Specifically, for example, as shown in the graph of FIG. 9, during the rotation, the actual rotation of the motor is delayed with respect to the rotation command, and becomes a stable value after 100 msec. Therefore, even if the position of the notch portion is specified and a control signal is output to the chuck drive unit 30 so as to move the specified notch portion to a position in the predetermined rotation direction, the actual notch position of the wafer W is It does not coincide with the position corresponding to the command from 100. In addition, since the rotation command and the actual rotation do not match, an error occurs in the deviation direction calculated in step S3. Therefore, a correction value for correcting the positional deviation in the rotation direction of the wafer W is obtained by the calculation means 102.

ウェハWの回転方向の位置ずれを補正する補正値を求める際には、例えば図10に示すような、ウェハWの外周部に沿って等間隔で矩形の凹凸状のエッジ部Eが形成された測定用ウェハAが用いられる。本実施の形態では、エッジ部Eとして例えば8分の1回転ごとに凹凸が交互に形成された測定用ウェハAを用いた場合の例について説明する。   When obtaining a correction value for correcting the positional deviation in the rotation direction of the wafer W, rectangular uneven edges E are formed at equal intervals along the outer periphery of the wafer W, for example, as shown in FIG. A measurement wafer A is used. In the present embodiment, an example will be described in which a measurement wafer A in which irregularities are alternately formed every 1/8 rotation is used as the edge portion E.

光源40から光を照射した状態で測定用ウェハAをウェハチャック20に保持して回転させ、ラインセンサ50により凹凸形状を検出する(図5の工程U1)。これにより、図11に示すようなステップ関数状の波形が求まる。そして、演算手段102により、ラインセンサ50で求めた波形と制御部100からの回転指令とを比較する。より具体的には、図11に示すように、ラインセンサ50で求めた波形と、制御部100からの回転指令を同じ時間軸でプロットする。そうすると、制御指令上は測定用ウェハAが8分の1回転しているべき時間と、ラインセンサ50で求めた波形において凹凸が入れ替わる時間とは、時間Tn(nは整数)だけずれたものとなる。この時間Tnがウェハチャック20の動作遅れ時間である。   In the state irradiated with light from the light source 40, the measurement wafer A is held and rotated by the wafer chuck 20, and the uneven shape is detected by the line sensor 50 (step U1 in FIG. 5). As a result, a step function waveform as shown in FIG. 11 is obtained. Then, the calculation means 102 compares the waveform obtained by the line sensor 50 with the rotation command from the control unit 100. More specifically, as shown in FIG. 11, the waveform obtained by the line sensor 50 and the rotation command from the control unit 100 are plotted on the same time axis. Then, on the control command, the time during which the measurement wafer A should be rotated by 1/8 and the time at which the unevenness is replaced in the waveform obtained by the line sensor 50 are shifted by time Tn (n is an integer). Become. This time Tn is the operation delay time of the wafer chuck 20.

続いて測定用ウェハAを連続して回転させる。そして、演算手段102により、Tn−1とTnの値が同じになった時点でウェハチャック20の回転数が安定したものと判定し、その時点でのTnの値を補正用の動作遅れ時間として求める(図5の工程U2)。そして、この動作遅れ時間を、制御部100からのチャック駆動部30への回転指令を補正する補正値として記憶手段103に記憶する(図5の工程U3)。   Subsequently, the measurement wafer A is continuously rotated. Then, the calculation means 102 determines that the rotation speed of the wafer chuck 20 is stable when the values of Tn−1 and Tn become the same, and uses the value of Tn at that time as the operation delay time for correction. Obtained (step U2 in FIG. 5). And this operation | movement delay time is memorize | stored in the memory | storage means 103 as a correction value which correct | amends the rotation command to the chuck | zipper drive part 30 from the control part 100 (process U3 of FIG. 5).

そして、図5の工程S3では、工程U3で記憶手段103に記憶した補正値を読み出し、補正値により補正した回転指令を用いることで、より正確なウェハWのずれ方向を算出することができる。また、図5の工程S6においてウェハWのノッチ部の位置を検出した後、工程S7において工程U3で記憶手段103に記憶した補正値を読み出し、補正値により補正した回転指令を用いることで、より正確な回転方向の位置調整が可能となる。   In step S3 of FIG. 5, the correction value stored in the storage unit 103 in step U3 is read, and the rotation command corrected by the correction value is used, so that a more accurate displacement direction of the wafer W can be calculated. Further, after detecting the position of the notch portion of the wafer W in step S6 in FIG. 5, the correction value stored in the storage means 103 in step U3 is read in step S7, and the rotation command corrected by the correction value is used. Accurate adjustment of the position in the rotation direction is possible.

本実施の形態に掛かる位置調整装置1は以上のように構成されており、次に、この位置調整装置1で行なわれる位置調整について説明する。   The position adjusting apparatus 1 according to the present embodiment is configured as described above. Next, position adjustment performed by the position adjusting apparatus 1 will be described.

位置調整装置1でのウェハWの位置調整にあたり、先ずウェハチャック20が受渡位置P1に移動される。次いで、搬送アーム60により、受渡位置P1においてウェハチャック20上に保持される。その後、チャック駆動部30によってウェハチャック20がアライメント位置P2まで移動する。   In the position adjustment of the wafer W by the position adjusting device 1, the wafer chuck 20 is first moved to the delivery position P1. Next, the transfer arm 60 holds the wafer chuck 20 on the delivery position P1. Thereafter, the chuck drive unit 30 moves the wafer chuck 20 to the alignment position P2.

次に、光源40から光を照射しながら、チャック駆動部30によってウェハチャック20を回転させる。この際ラインセンサ50では、ウェハWの外周端部の位置である境界Lが検出される。演算手段102では、ラインセンサ50で検出されたウェハWやノッチ部の位置情報に基づき、記憶手段103に記憶された「補正式」の逆関数に基づいて「補正後データ」を求める。そして、この「補正後データ」に基づいてウェハWの中心とウェハチャック20との中心のずれ量を算出する。また、記憶手段103に記憶された補正値により補正した回転指令に基づいて、ウェハWのずれ方向を算出する。続いて搬送アーム60によりウェハチャック20の中心位置とウェハWの中心位置とが合わせられる。   Next, the wafer chuck 20 is rotated by the chuck driving unit 30 while irradiating light from the light source 40. At this time, the line sensor 50 detects the boundary L that is the position of the outer peripheral edge of the wafer W. The computing means 102 obtains “after-correction data” based on the inverse function of the “correction formula” stored in the storage means 103 based on the position information of the wafer W and the notch portion detected by the line sensor 50. Then, based on this “corrected data”, a deviation amount between the center of the wafer W and the center of the wafer chuck 20 is calculated. Further, based on the rotation command corrected by the correction value stored in the storage unit 103, the deviation direction of the wafer W is calculated. Subsequently, the center position of the wafer chuck 20 and the center position of the wafer W are aligned by the transfer arm 60.

その後、ウェハWとウェハチャック20の中心位置が合致した状態でウェハチャック20を回転させ、ラインセンサ20によりノッチ部の位置を検出する。演算手段では、記憶手段103に記憶された動作遅れ時間を読み出し、チャック駆動部30への回転指令をこの動作遅れ時間分補正する。次いで制御部100により補正後の回転指令がチャック駆動部30へ出力され、ウェハWの回転方向の位置合わせが行われる。これより、ウェハWの中心位置と回転方向の位置の調整が終了し、一連のアライメント作業が完了する。   Thereafter, the wafer chuck 20 is rotated in a state where the center positions of the wafer W and the wafer chuck 20 coincide with each other, and the position of the notch portion is detected by the line sensor 20. The calculation means reads the operation delay time stored in the storage means 103 and corrects the rotation command to the chuck drive unit 30 by this operation delay time. Next, the control unit 100 outputs a corrected rotation command to the chuck driving unit 30 and performs alignment of the wafer W in the rotation direction. Thus, the adjustment of the center position of the wafer W and the position in the rotation direction is completed, and a series of alignment operations are completed.

アライメントが終了すると、チャック駆動部30によってウェハチャック20がアライメント位置P2から受渡位置P1にする。受渡位置P1では、搬送アーム60によりウェハWが位置処理装置1から搬出される。その後、位置処理装置1に次のウェハWが搬入され、アライメント作業が順次行なわれる。   When the alignment is completed, the chuck drive unit 30 moves the wafer chuck 20 from the alignment position P2 to the delivery position P1. At the delivery position P1, the wafer W is unloaded from the position processing apparatus 1 by the transfer arm 60. Thereafter, the next wafer W is carried into the position processing apparatus 1 and alignment operations are sequentially performed.

以上の実施の形態によれば、工程T3において、ラインセンサ50とウェハWとを相対的に移動させた場合にラインセンサ50で検出される光の移動量と、ラインセンサ50とウェハWとの相対的な移動距離との差分を求める。そして、工程T4においては、この差分とラインセンサ50の位置との相関関係、より具体的には、ラインセンサ50のどの位置でどの程度の差分が生じるかという相関関係を求める。したがって、ウェハWの位置調整を行う際、ラインセンサ50で検出された境界Lの位置をこの相関関係に基づいて補正することで、極めて誤差の少ない位置検出が可能となる。その結果、ウェハWのアライメント作業を高精度で行なうことができる。これにより、アライメントの不一致によるウェハWの歩留まりを向上させることができる。   According to the above embodiment, the amount of movement of light detected by the line sensor 50 when the line sensor 50 and the wafer W are relatively moved in the process T3, and the line sensor 50 and the wafer W The difference from the relative movement distance is obtained. In step T4, a correlation between this difference and the position of the line sensor 50, more specifically, a correlation indicating how much difference occurs at which position of the line sensor 50 is obtained. Therefore, when the position of the wafer W is adjusted, the position of the boundary L detected by the line sensor 50 is corrected based on this correlation, so that position detection with very little error can be performed. As a result, the wafer W alignment operation can be performed with high accuracy. Thereby, the yield of the wafers W due to the alignment mismatch can be improved.

なお、ラインセンサ50で検出される光の移動量と、ラインセンサ50とウェハWとの相対的な移動距離との差分を求める際に、この差分が過大な場合には、ラインセンサ50や光源40に何らかの不具合が生じていることが想定される。したがって本発明によれば、この差分の大きさを評価することで、位置調整装置1の不具合の有無をチェックすることも可能となり、信頼性の向上にもつながる。   If the difference between the amount of movement of the light detected by the line sensor 50 and the relative movement distance between the line sensor 50 and the wafer W is obtained and this difference is excessive, the line sensor 50 or the light source 40, it is assumed that some trouble has occurred. Therefore, according to the present invention, by evaluating the magnitude of this difference, it is possible to check whether or not the position adjusting device 1 is defective, leading to an improvement in reliability.

また、以上の形態では、ステップU1〜ステップU3において、チャック駆動部30の回転方向の動作遅れ時間を求めているので、ウェハ中心位置の調整のみではなく、回転方向の位置調整も極めて高精度に行うことができる。   Further, in the above embodiment, since the operation delay time in the rotation direction of the chuck drive unit 30 is obtained in Step U1 to Step U3, not only the wafer center position but also the rotation direction position adjustment is extremely highly accurate. It can be carried out.

なお、以上の実施の形態では、中心位置の位置調整に用いる「補正式」を「測定データ」の近似式として求めたが、「補正式」の算出方法は本実施の形態の例に限定されない。例えば工程T3において求めた境界Lの移動量とチャック駆動部30の移動距離との差分をグラフ化するのではなく、例えば図12に示すようなマトリックスとして求めてもよい。かかる場合、工程S1で検出した境界Lの位置に対応するずれ量をマトリックスから読み出す。そして、工程S1で検出した境界L位置からこのずれ量を差し引いたものを実際の境界Lの位置として、工程S2においてウェハWの中心位置とウェハチャック20の中心位置とのずれ量を算出する。このようにしても、誤差の少ないウェハWの端部位置検出が可能となり、その結果、ウェハWのアライメント作業を高精度で行なうことができる。   In the above embodiment, the “correction formula” used for position adjustment of the center position is obtained as an approximate formula of “measurement data”. However, the calculation method of the “correction formula” is not limited to the example of the present embodiment. . For example, instead of graphing the difference between the movement amount of the boundary L and the movement distance of the chuck drive unit 30 obtained in step T3, the difference may be obtained as a matrix as shown in FIG. In such a case, the shift amount corresponding to the position of the boundary L detected in step S1 is read from the matrix. Then, the amount of deviation between the center position of the wafer W and the center position of the wafer chuck 20 is calculated in step S2 by subtracting this deviation amount from the boundary L position detected in step S1 as the actual boundary L position. Even in this case, it is possible to detect the end position of the wafer W with less error, and as a result, the alignment operation of the wafer W can be performed with high accuracy.

以上の実施の形態では、工程T1〜工程T3において、ラインセンサ50に対してウェハWを移動させて境界Lのずれ量を算出したが、ラインセンサ50とウェハWとは相対的に移動すればよく、ウェハWの位置を固定とし、ラインセンサ50をウェハWに対して相対的に移動させるようにしてもよい。   In the above embodiment, in steps T1 to T3, the wafer W is moved with respect to the line sensor 50 to calculate the deviation amount of the boundary L. However, if the line sensor 50 and the wafer W move relative to each other. Alternatively, the position of the wafer W may be fixed, and the line sensor 50 may be moved relative to the wafer W.

以上の実施の形態では、光源40をウェハWの上方に配置し、ラインセンサ50をウェハWの下方に配置していたが、光源40とラインセンサ50は、光源40からの光がウェハWにより遮られることで生じる境界Lの位置を把握できるように配置されていればよく、例えば光源40をウェハWの下方、ラインセンサ50をウェハWの上方に配置してもよい。   In the above embodiment, the light source 40 is disposed above the wafer W and the line sensor 50 is disposed below the wafer W. However, the light source 40 and the line sensor 50 are configured such that light from the light source 40 is transmitted by the wafer W. For example, the light source 40 may be disposed below the wafer W and the line sensor 50 may be disposed above the wafer W as long as the position of the boundary L generated by being blocked can be grasped.

また、以上の実施の形態では、測定用ウェハAとして、矩形の凹凸状のエッジ部Eが形成されたものを用いたが、測定用ウェハAの形状は本実施の形態に限定されない。ラインセンサ50によりウェハWの端部の位置変化、即ちウェハWの回転方向の位置が検出できるものであれば、三角形状の凹凸などでもよく、任意に設定が可能である。なお、凹凸状のエッジ部Eの設置数についても任意に設定が可能である。   Further, in the above embodiment, the measurement wafer A having a rectangular uneven edge portion E is used, but the shape of the measurement wafer A is not limited to the present embodiment. If the line sensor 50 can detect the position change of the edge of the wafer W, that is, the position of the wafer W in the rotation direction, it may be triangular unevenness and can be arbitrarily set. Note that the number of the uneven edge portions E can be set arbitrarily.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、フォトリソグラフィ処理以外にも、例えばウェハ同士の貼合せを行う貼合せ装置といった、ウェハのアライメントを必要とする場面において適用できる。また、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can be applied to scenes that require wafer alignment, for example, a bonding apparatus that bonds wafers, in addition to photolithography. Further, the present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

1 位置調整装置
10 筐体
20 ウェハチャック
30 チャック駆動部
40 光源
50 ラインセンサ
60 搬送アーム
100 制御部
101 プログラム格納手段
102 演算手段
103 記憶手段
A 測定用ウェハ
E エッジ部
L 境界
P1 受渡位置
P2 アライメント位置
W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Position adjustment apparatus 10 Housing | casing 20 Wafer chuck 30 Chuck drive part 40 Light source 50 Line sensor 60 Transfer arm 100 Control part 101 Program storage means 102 Calculation means 103 Storage means A Measurement wafer E Edge part L Boundary P1 Delivery position P2 Alignment position W wafer

Claims (13)

回転保持機構に基板を保持して回転させ、当該回転する基板の端部の位置を検出することで基板の中心位置を算出し、当該算出された基板の中心位置の情報に基づいて基板の位置調整を行う位置調整装置であって、
前記回転保持機構に保持された基板の外周縁部を挟んで上下方向に対向して設けられた、基板に平行光を照射する光源及び当該光源からの光を検出するラインセンサと、
前記ラインセンサと前記回転保持機能に保持された基板とを、基板の直径方向に沿って相対的に移動させる移動機構と、
前記光源から基板に平行光を照射しながら前記ラインセンサと前記基板とが相対的に移動するように前記移動機構を制御し、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離と、前記ラインセンサと前記基板とを相対的に移動させた場合に前記ラインセンサで検出される光の移動する量とに基づいて、前記相対的な移動距離と前記光の移動量との相関関係を求める制御を行う制御部と、を有し、
前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離と、前記ラインセンサで検出される光の移動量との相関関係は、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離と前記ラインセンサで検出される光の移動量との差分と、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離との相関関係であり、
前記制御部は、前記相関関係に基づいて、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離とラインセンサで検出される光の移動量との差分を補正する補正値を求め、当該補正値により補正した基板の中心位置の情報に基づいて、前記回転保持機構の中心位置と基板の中心位置を一致させる制御を行うことを特徴とする、位置調整装置。
The substrate is held and rotated by the rotation holding mechanism, the center position of the substrate is calculated by detecting the position of the end of the rotating substrate, and the position of the substrate is calculated based on the calculated information on the center position of the substrate. A position adjusting device for adjusting,
A light source for irradiating the substrate with parallel light and a line sensor for detecting the light from the light source, which are provided facing each other in the vertical direction across the outer peripheral edge of the substrate held by the rotation holding mechanism;
A moving mechanism for relatively moving the line sensor and the substrate held by the rotation holding function along the diameter direction of the substrate;
The moving mechanism is controlled so that the line sensor and the substrate move relatively while irradiating the substrate with parallel light from the light source, the relative moving distance between the line sensor and the substrate, and the line Control for obtaining a correlation between the relative movement distance and the amount of light movement based on the amount of light movement detected by the line sensor when the sensor and the substrate are relatively moved. have a, and a control unit that performs,
The correlation between the relative movement distance between the line sensor and the substrate and the amount of light detected by the line sensor is the relationship between the relative movement distance between the line sensor and the substrate and the line sensor. It is a correlation between the difference between the detected movement amount of light and the relative movement distance between the line sensor and the substrate,
The control unit obtains a correction value for correcting a difference between a relative movement distance between the line sensor and the substrate and a movement amount of light detected by the line sensor based on the correlation, and the correction value A position adjustment apparatus that performs control to match the center position of the rotation holding mechanism with the center position of the substrate based on the information on the center position of the substrate corrected by the above .
前記制御部は、前記回転保持機構への回転数指令と当該回転保持機構の実回転数との相関関係を記憶する記憶手段を有することを特徴とする、請求項に記載の基板の位置調整装置。 2. The position adjustment of the substrate according to claim 1 , wherein the control unit includes a storage unit that stores a correlation between a rotation speed command to the rotation holding mechanism and an actual rotation speed of the rotation holding mechanism. apparatus. 前記回転保持機構への回転指令と当該回転保持機構の実回転数との相関関係は、前記回転保持機構への回転指令に対する回転保持機構の実回転数の動作遅れ時間であることを特徴とする、請求項に記載の基板の位置調整装置。 The correlation between the rotation command to the rotation holding mechanism and the actual rotation speed of the rotation holding mechanism is an operation delay time of the actual rotation speed of the rotation holding mechanism with respect to the rotation command to the rotation holding mechanism. The apparatus for adjusting a position of a substrate according to claim 2 . 前記回転保持機構への回転数指令に対する前記回転保持機構の実回転数の動作遅れ時間は、前記回転保持機構により基板の外周部を凹凸に形成した測定用基板を保持した状態で前記光源から前記測定用基板に平行光を照射し、次いで前記回転保持機構を回転させて前記ラインセンサで前記測定用基板の凹凸形状を検出し、
次いで制御部からの前記回転保持機構への回転指令と、前記ラインセンサにおいて前記測定用基板の凹凸形状を検出するタイミングとを比較することで求められることを特徴とする、請求項に記載の基板の位置調整装置。
The operation delay time of the actual rotation number of the rotation holding mechanism with respect to the rotation number command to the rotation holding mechanism is determined from the light source in a state in which the measurement substrate having the outer peripheral portion of the substrate formed with irregularities is held by the rotation holding mechanism. Irradiate the measurement substrate with parallel light, then rotate the rotation holding mechanism to detect the uneven shape of the measurement substrate with the line sensor,
Then a rotation command to said rotary holding mechanism from the control unit, characterized in that it is calculated by comparing the timing of detecting the irregular shape of the measurement substrate in said line sensor, according to claim 3 Board position adjustment device.
前記測定用基板の凹凸は、周方向に沿って等間隔に設けられ、測定用基板の凹凸形状の検出は、前記回転保持機構の回転数が一定の状態で行なわれることを特徴とする、請求項に記載の基板の位置調整装置。 The unevenness of the measurement substrate is provided at equal intervals along the circumferential direction, and the uneven shape of the measurement substrate is detected in a state where the rotation number of the rotation holding mechanism is constant. Item 5. The substrate position adjusting apparatus according to Item 4 . 前記制御部は、前記回転保持機構への回転指令を前記記憶手段に記憶された回転保持機構の実回転数の動作遅れ時間で補正し、
前記補正後の回転指令により前記回転保持機構を回転させることを特徴とする、請求項4または5のいずれかに記載の基板の位置調整装置。
The control unit corrects the rotation command to the rotation holding mechanism with the operation delay time of the actual rotation speed of the rotation holding mechanism stored in the storage unit,
6. The substrate position adjusting apparatus according to claim 4 , wherein the rotation holding mechanism is rotated by the corrected rotation command.
回転保持機構に基板を保持して回転させ、当該回転する基板の端部の位置を検出することで基板の中心位置を算出し、当該算出された基板の中心位置の情報に基づいて基板の位置調整を行う位置調整方法であって、
基板の外周縁部に光源から平行光を照射しながら、前記回転保持機構を、当該回転保持機構に保持された基板の外周縁部を挟んで前記光源に対向して設けられたラインセンサに対して相対的に移動させ、
前記ラインセンサと前記基板とを相対的に移動させた場合に前記ラインセンサで検出される光の移動量と、当該ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離との差分を求め、
前記差分と、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離との相関関係を求め、
前記相関関係に基づいて、前記ラインセンサと前記基板との相対的な移動距離とラインセンサで検出される光の移動量との差分を補正する補正値を求め、
前記補正値により補正した基板の中心位置の情報に基づいて、前記回転保持機構の中心位置と基板の中心位置を一致させることを特徴とする、基板の位置調整方法。
The substrate is held and rotated by the rotation holding mechanism, the center position of the substrate is calculated by detecting the position of the end of the rotating substrate, and the position of the substrate is calculated based on the calculated information on the center position of the substrate. A position adjustment method for performing adjustment,
While irradiating parallel light from the light source to the outer peripheral edge of the substrate, the rotation holding mechanism is applied to the line sensor provided facing the light source across the outer peripheral edge of the substrate held by the rotation holding mechanism. Move relatively,
Obtaining the difference between the amount of light detected by the line sensor when the line sensor and the substrate are relatively moved , and the relative movement distance between the line sensor and the substrate ;
Obtaining a correlation between the difference and a relative movement distance between the line sensor and the substrate ;
Based on the correlation, a correction value for correcting a difference between a relative movement distance between the line sensor and the substrate and a movement amount of light detected by the line sensor is obtained,
A substrate position adjustment method , wherein the center position of the rotation holding mechanism and the center position of the substrate are made to coincide with each other based on the information on the center position of the substrate corrected by the correction value .
前記回転保持機構への回転指令と当該回転保持機構の実回転数との相関関係に基づいて、前記回転保持機構への回転指令を補正することを特徴とする、請求項に記載の基板の位置調整方法。 8. The substrate according to claim 7 , wherein the rotation command to the rotation holding mechanism is corrected based on the correlation between the rotation command to the rotation holding mechanism and the actual rotation speed of the rotation holding mechanism. Position adjustment method. 前記回転保持機構への回転指令と当該回転保持機構の実回転数との相関関係は、前記回転保持機構への回転指令に対する回転保持機構の実回転の動作遅れ時間であることを特徴とする、請求項に記載の基板の位置調整方法。 The correlation between the rotation command to the rotation holding mechanism and the actual rotation speed of the rotation holding mechanism is an operation delay time of the actual rotation of the rotation holding mechanism with respect to the rotation command to the rotation holding mechanism, The substrate position adjusting method according to claim 8 . 前記回転保持機構への回転指令に対する前記回転保持機構の実回転数の動作遅れ時間は、前記回転保持機構により基板の外周部を凹凸に形成した測定用基板を保持した状態で前記光源から前記測定用基板に平行光を照射し、次いで前記回転保持機構を回転させて前記ラインセンサで前記測定用基板の凹凸形状を検出し、
次いで前記回転保持機構への回転指令と、前記ラインセンサにおいて前記測定用基板の凹凸形状を検出するタイミングとを比較することで求められることを特徴とする、請求項に記載の基板の位置調整方法。
The operation delay time of the actual rotation speed of the rotation holding mechanism with respect to the rotation command to the rotation holding mechanism is measured from the light source in a state in which the measurement holding substrate in which the outer peripheral portion of the substrate is formed uneven by the rotation holding mechanism is held. Irradiate the substrate for parallel light, then rotate the rotation holding mechanism to detect the uneven shape of the measurement substrate with the line sensor,
The position adjustment of the substrate according to claim 9 , wherein the position adjustment is obtained by comparing a rotation command to the rotation holding mechanism and a timing at which the line sensor detects the uneven shape of the measurement substrate. Method.
前記測定用基板の凹凸は、周方向に沿って等間隔に設けられ、測定用基板の凹凸形状の検出は、前記回転保持機構の回転数が一定の状態で行なわれることを特徴とする、請求項10に記載の基板の位置調整方法。 The unevenness of the measurement substrate is provided at equal intervals along the circumferential direction, and the uneven shape of the measurement substrate is detected in a state where the rotation number of the rotation holding mechanism is constant. Item 11. The method for adjusting the position of a substrate according to Item 10 . 請求項7〜11のいずれかに記載の基板の位置調整方法を基板の位置調整装置によって実行させるように、当該基板の位置調整装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate position adjustment device so that the substrate position adjustment device according to any one of claims 7 to 11 is executed by the substrate position adjustment device. 請求項12に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
A readable computer storage medium storing the program according to claim 12 .
JP2012167807A 2012-07-27 2012-07-27 Substrate position adjusting device, substrate position adjusting method, program, and computer storage medium Active JP5847661B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012167807A JP5847661B2 (en) 2012-07-27 2012-07-27 Substrate position adjusting device, substrate position adjusting method, program, and computer storage medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012167807A JP5847661B2 (en) 2012-07-27 2012-07-27 Substrate position adjusting device, substrate position adjusting method, program, and computer storage medium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014025859A JP2014025859A (en) 2014-02-06
JP5847661B2 true JP5847661B2 (en) 2016-01-27

Family

ID=50199633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012167807A Active JP5847661B2 (en) 2012-07-27 2012-07-27 Substrate position adjusting device, substrate position adjusting method, program, and computer storage medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5847661B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6316082B2 (en) * 2014-04-30 2018-04-25 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN110729226B (en) * 2019-09-06 2021-11-19 福建省福联集成电路有限公司 Method and device for calibrating wafer center
JP7430455B2 (en) 2020-06-05 2024-02-13 株式会社ディスコ Edge position detection device and edge position detection method
CN113948414B (en) * 2021-10-19 2024-02-09 无锡卓海科技股份有限公司 Automatic leveling device for film stress instrument

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014025859A (en) 2014-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9539607B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI502672B (en) Method for manufacturing electronic or non-electronic comoponents, apparatus therefor, and substrate for manufacturing electronic or non-electronic components
US8765034B2 (en) Pattern formation method, pattern formation apparatus, and recording medium recorded with alignment program
JP5847661B2 (en) Substrate position adjusting device, substrate position adjusting method, program, and computer storage medium
JP5235566B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
TW202238801A (en) Substrate transport device and substrate transport method
JP6794536B2 (en) Optical measuring device and method
JP5930699B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and device manufacturing method
TWI791041B (en) Exposure system alignment and calibration method
JP2005101455A (en) Positioning apparatus
TW201218246A (en) characterized by detecting the positions of a mask and a work-piece alignment marks for several times to thereby check the difference between a first alignment measure and a second alignment measure
JP4522142B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and substrate manufacturing method
JP6916616B2 (en) Lithography equipment, article manufacturing methods, and measuring equipment
JP2013036804A (en) Method of measuring pitch error of work table
JP2008166410A (en) Positioning calibration method, and mounting device applying the same
KR102139612B1 (en) Apparatus for treating substrate having apparatus for transferring substrate and method for teaching of apparatus for transferring substrate
US10036967B2 (en) Lithography apparatus, lithography method, and article manufacturing method
CN112585539A (en) Platform device and method for calibrating an object loading process
JP4487700B2 (en) Proximity exposure equipment
US11982948B2 (en) Method for determining a center of a radiation spot, sensor and stage apparatus
US20220308468A1 (en) Method for determining a center of a radiation spot, sensor and stage apparatus
JP2011035333A (en) Scanning exposure device, scanning exposure method, method of manufacturing semiconductor device, and program
JP2013205678A (en) Proximity exposure device, substrate positioning method of proximity exposure device, and manufacturing method of display panel substrate
JP5884273B2 (en) Exposure unit and substrate pre-alignment method
TW202340877A (en) Transport device, exposure device, transport method, exposure method, and alignment mark

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140707

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150311

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150428

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150626

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151117

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151125

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5847661

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250